KR102261854B1 - 전기장을 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법 - Google Patents

전기장을 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법 Download PDF

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Abstract

전기장을 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법이 개시된다. 개시된 박막 증착 장치는, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 2차원 형태로 배열되며 각각이 전압 제어가 가능하도록 마련되는 복수의 전극과, 상기 전극들 상에 마련되는 것으로, 대전된 나노입자들이 분산된 수용액;을 포함하며, 상기 전극들 각각에 소정 전압을 인가하여 상기 전극들 중 적어도 일부에 상기 대전된 나노입자들을 선택적으로 증착함으로써 박막을 형성한다.

Description

전기장을 이용한 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법{Thin film deposition apparatus using electric filed and thin film depsotion method}
박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 관한 것으로, 상세하게는 전기장을 이용하여 전극들 상에 선택적으로 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층박막을 형성하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 관한 것이다.
일반적인 전기영동 증착법(Electrophoretic Deposition Method)은 양(+) 또는 음(-)으로 대전된 나노 입자들(charged nanoparticles)이 분산된 수용액 내에 직류 전압을 가하여 대전된 나노 입자들이 반대 극성의 전극으로 이동함으로써 박막을 증착한다. 그러나, 이러한 전기영동 증착법은 2차원 또는 3차원 형태로 여러 가지 다른 소재들을 적층하는데 한계가 있으며, 또한 마스크 이용시에는 공정비용 및 시간이 많이 소요되는 문제가 있다. 한편, 박막을 증착하는 공정으로 반도체 공정에서 일반적으로 사용되는 포토리소그라피(photolithography) 방법이 있다. 그러나, 이러한 포토리소그라피 방법도 마스크를 사용하게 되고, 또한 에칭(etching) 등과 같은 여러 공정 단계들을 거쳐야 하므로 공정비용 및 시간이 많이 소요되는 문제가 있다.
예시적인 실시예는 전기장을 이용하여 전극들 상에 선택적으로 레이어 바이 레이어 구조의 다층 박막을 형성하는 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법을 제공한다.
일 측면에 있어서,
제1 기판;
상기 제1 기판 상에 2차원 형태로 배열되며 각각이 전압 제어가 가능하도록 마련되는 복수의 전극; 및
상기 전극들 상에 마련되는 것으로, 대전된 나노입자들이 분산된 수용액;을 포함하며,
상기 전극들 각각에 소정 전압을 인가하여 상기 전극들 중 적어도 일부에 상기 대전된 나노입자들을 선택적으로 증착하는 박막 증착 장치가 제공된다.
상기 박막 증착 장치는 서로 다른 재질을 포함하는 2 이상의 나노입자층이 적층된 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층 박막을 형성할 수 있다.
상기 전극들은 예를 들면, Pt, Ni 또는 Cu를 포함할 수 있다. 상기 수용액은 예를 들면, DI water 또는 N-Methyl-2-pyrrolidine을 포함할 수 있다. 상기 나노입자들은 금속, 세라믹 또는 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 전극들에 인가되는 전압의 범위는 예를 들면 대략 1.2V ~ 7V 가 될 수 있다.
상기 전극들 상에는 상기 전극들을 덮도록 멤브레인층(membrane layer)이 마련될 수 있다. 상기 멤브레인층은 예를 들면, nefion, nitrocellulose, agarose gel 및 hydrogel으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 수용액의 양측에는 제1 및 제2 보조 전극(auxiliary electrode)이 더 마련될 수 있다.
상기 수용액 상에는 제2 기판이 더 마련될 수 있다. 여기서, 상기 제2 기판은 도전성 재질을 포함할 수 있다. 상기 전극들 상에는 유연한 재질을 포함하는 제1 물질층 및 솔벤트를 이용한 열처리에 의해 투명한 재질로 변화하는 제2 물질층 중 적어도 하나가 더 마련될 수 있다.
상기 제1 기판은 가스 제거용 기판으로 다공성 재질을 포함하며, 상기 전극들은 다공성(porosity)을 가질 수 있다. 여기서, 상기 전극들에는 예를 들면 대략 3V ~ 3000V의 직류 또는 교류 전압이 인가될 수 있다.
다른 측면에 있어서,
제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 2차원 형태로 배열되며 각각이 전압 제어가 가능하도록 마련되는 복수의 전극과, 상기 전극들 상에 마련되는 것으로 대전된 나노입자들이 분산된 수용액을 포함하는 박막 증착 장치를 이용하여 박막을 증착하는 방법에 있어서,
상기 전극들 각각에 소정 전압을 인가하는 단계; 및
상기 전극들 중 적어도 일부에 상기 대전된 나노입자들을 선택적으로 증착하는 단계;를 포함하는 박막 증착 방법이 제공된다.
상기 전극들 주위에서 전기분해에 의해 발생되는 가스들을 배출시키는 단계가 더 포함될 수 있다.
실시예에 따른 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법에 의하면, 2차원 형태로 배열된 전극들 각각에 인가되는 전압을 제어하여 수용액 내부에 전기장을 형성함으로써 대전된 나노입자들이 원하는 전극들 상에만 선택적으로 증착되어 박막을 형성할 수 있다. 따라서, 2 이상의 재질을 포함하는 나노입자들을 전극들 상에 선택적으로 증착하게 되면 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층박막들을 원하는 형태로 형성할 수 있으며, 그 결과 2차원 또는 3차원 형태의 박막 구조물을 적은 비용으로 용이하게 제작할 수 있다. 또한, 이러한 박막 구조물은 다양한 스케일 즉, 마이크로 스케일(micro scale), 웨이퍼 스케일(wafer scale) 또는 마크로 스케일(macro scale)로 원하는 형태로 제작할 수 있다. 그리고, 전기장의 인가에 따라 수용액 내에서 가스가 발생되는 경우에는 전극들을 다공성 재질로 제작함으로써 가스를 외부로 효율적으로 배출시킬 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 전극들의 평면도이다.
도 3 내지 도 6은 도 1에 도시된 박막 증착 장치를 이용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 도 3 내지 도 6에 도시된 박막 증착 방법에 의해 형성된 박막 구조물을 전극들로부터 분리한 상태를 도시한 것이다.
도 8 내지 도 10은 박막구조물이 형성된 멤브레인층을 솔벤트를 이용한 열처리를 통하여 투명 물질층으로 변경하는 과정을 도시한 것이다.
도 11은 전극들 상에 유연한 재질을 포함하는 제1 물질층 및 열처리에 의해 투명한 재질로 변화하는 제2 물질층이 적층된 모습을 도시한 것이다.
도 12는 다른 예시적인 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 13은 도 12에 도시된 박막 증착 장치의 박막 형성 과정에서 발생되는 가스들이 외부로 배출되는 모습을 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세히 설명한다. 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 또한, 소정의 물질층이 기판이나 다른 층 상에 존재한다고 설명될 때, 그 물질층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 존재할 수도 있고, 그 사이에 다른 제3의 층이 존재할 수도 있다. 그리고, 아래의 실시예에서 각 층을 이루는 물질은 예시적인 것이므로, 이외에 다른 물질이 사용될 수도 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 박막 증착 장치(100)는 제1 기판(110) 상에 마련되는 복수의 전극(120)과, 상기 전극들(120) 상에 마련되는 것으로 대전된 나노입자들(140)이 분산된 수용액(130)을 포함한다. 상기 제1 기판(110)은 전극들(120)의 형성을 위한 것으로, 예를 들면 유리 기판 등이 사용될 수 있으며, 이외에도 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다. 상기 제1 기판(110) 상에는 전극들(120)이 소정 형태로 마련되어 있다.
도 2에는 도 1에 도시된 전극들(120)의 평면을 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 상기 전극들(120)은 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열되어 있다. 도 2에는 전극들(120)이 5 x 3 매트릭스 형태가 배열되는 경우가 예시적으로 도시되어 있으나, 이외에도 전극들(120)은 다양한 형태로 배열되어 있다. 여기서, 상기 전극들(120)은 그 각각이 독립적으로 구동될 수 있도록 마련되어 있다. 즉, 상기 전극들(120)은 그 각각의 전압이 제어될 수 있도록 마련되어 있으며, 이를 위하여 상기 전극들(120) 각각은 전압 인가를 위한 배선(125)과 연결되어 있다. 이에 따라, 상기 전극들(120) 각각에는 원하는 전압이 선택적으로 인가될 수 있다. 이러한 전극들(120)은 예를 들면 Pt, Ni 또는 Cu 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 박막 증착 과정에서 상기 전극들(120)에 인가되는 전압의 범위를 예를 들면, 대략 1.2V ~ 7V 정도가 될 수 있지만, 이는 단지 예시적인 것으로, 이외에 다른 전압이 인가될 수도 있다.
상기 전극들(120) 상에는 전극들(120)을 덮도록 멤브레인층(membrane layer,170))이 더 마련될 수 있다. 이러한 멤브레인층(170)은 후술하는 다층 박막들(도 7의 140')로 구성된 박막 구조물이 멤브레인층(170)에 형성된 다음, 상기 박막 구조물을 예를 들면 리프트-오프(lift off) 공정을 통해 전극들(120)로부터 용이하게 분리하기 위한 것이다. 이러한 멤브레인층(170)은 예를 들면, nefion, hydrogel, agarose gel 및 nitrocellulose 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이외에도 상기 멤브레인층(170)은 다양한 재질을 포함할 수 있다.
상기 멤브레인층(170) 상에는 대전된 나노입자들(charged nanoparticles,140)이 분산된 수용액(130)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 나노입자들(140)은 양(+) 또는 음(-)으로 대전될 수 있다. 이러한 나노입자들(140)은 수용액(130)의 pH 변경에 따른 제타 포텐셜(Zeta-potential)의 조정에 의해 그 표면 대전량이 제어될 수 있다. 상기 나노입자들(140)은 예를 들면 금속, 세라믹 또는 폴리머 등을 포함할 수 있으며, 이외에도 다양한 물질을 포함할 수 있다. 상기 수용액(130)은 예를 들면 DI water(deionized water) 또는 N-Methyl-2-pyrrolidine을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 수용액(130)의 양측에는 제1 및 제2 보조 전극(auxiliary electrode, 161,162)이 더 마련될 수 있다. 이러한 제1 및 제2 보조 전극(161,162)은 수용액(130) 내에 분산된 대전된 나노입자들(140)이 수용액(130) 내의 일측에서 타측으로 용이하게 이동할 수 있도록 하는 역할을 한다. 즉, 상기 제1 및 제2 보조 전극(161,162)에 소정 전압을 인가하게 되면 대전된 나노입자들(140)이 제1 보조전극(161) 쪽에서 제2 보조전극(162) 쪽으로 또는 제2 보조 전극(162) 쪽에서 제1 보조전극(161) 쪽으로 이동할 수 있다.
상기 수용액(130) 상에는 제2 기판(150)이 더 마련될 수 있다. 여기서, 상기 제2 기판(150)은 제1 기판(110)과 함께 수용액을 그 내부에 수용하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제2 기판(150)으로는 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다. 상기 제2 기판(150)이 도전성 재질을 포함하는 경우에는 상기 제2 기판(150)은 대전된 나노입자들(140)을 전극들(140) 상에 보다 용이하게 증착시킬 수 있는 전극으로서의 역할도 할 수 있다. 즉, 상기 제2 기판(150)에 소정 전압을 인가하게 되면 수용액(130) 내에 분산된 대전된 나노입자들(140)이 전극들(120) 쪽으로 보다 신속하게 이동하여 증착할 수 있게 된다.
상기와 같은 구조의 박막 증착 장치(100)에서, 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열된 전극들(120)에 각각 소정 전압을 인가하여 수용액(130) 내부에 전기장을 형성하게 되면, 상기 수용액(130) 내부에 분산된 대전된 나노입자들(140)은 특정 전압이 인가된 전극들(120) 상에만 증착되게 되며, 그 결과 멤브레인(170) 상에는 나노입자층으로 이루어진 박막이 소정 패턴으로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 및 제2 보조전극(161,162)에 소정 전압을 인가하게 되면 상기 대전된 나노입자들(140)은 수용액(130) 내의 일측에서 타측으로 이동하면서 상기 전극들(120) 상에 증착될 수 있다. 이와 같이, 2차원 형태로 배열된 전극들(120) 각각에 인가되는 전압을 제어하여 수용액(130) 내부에 전기장을 형성하게 되면 대전된 나노입자들(140)이 원하는 전극들(120) 상에만 선택적으로 증착되어 박막을 형성할 수 있다. 또한, 2 이상의 재질을 포함하는 나노입자들(140)을 전극들(120) 상에 선택적으로 증착하게 되면 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층박막들을 원하는 형태로 형성할 수 있으며, 이에 따라 2차원 또는 3차원 형태의 박막 구조물을 용이하게 제작할 수 있다. 그리고, 이러한 박막 구조물은 다양한 스케일 즉, 마이크로 스케일(micro scale), 웨이퍼 스케일(wafer scale) 또는 마크로 스케일(macro scale)로 원하는 형태로 제작될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 도 1에 도시된 박막 증착 장치(100)를 이용하여 박막 구조물을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 이하에서는 수용액(130) 내에 분산된 제1, 제2, 제3 및 제4 나노입자들(141,142,143,144)이 음(-)으로 대전된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 3을 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 음(-)으로 대전된 제1 나노입자들(141)이 분산된 수용액(130)을 마련한다. 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열된 전극들(120) 각각에 소정 전압을 인가한다. 여기서, 상기 전극들(120)에는 대략 1.2V ~ 7V 정도의 전압이 인가될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도 3에서 참조부호 120a는 양(+)의 극성을 가지는 전극들을 나타내며, 참조부호 120b는 음(-)의 극성을 가지는 전극들을 나타낸다. 이에 따라, 수용액(130) 내부에는 전기장이 형성되게 되고, 이러한 전기장에 의해 제1 나노입자들(141)은 전극들(120) 상에 선택적으로 증착된다. 즉, 음(-)으로 대전된 제1 나노입자들(141)이 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 이동하여 증착하게 되고, 그 결과 멤브레인층(170) 상에는 제1 나노입자층(141')이 소정 패턴으로 형성된다. 한편, 전압 인가에 의해 제1 및 제2 보조 전극(161,162)이 각각 음(-) 및 양(+)의 극성을 가지는 경우에는 음(-)으로 대전된 제1 나노입자들(141)이 수용액(130) 내에서 제1 보조전극(161) 쪽에서 제2 보조전극(162) 쪽으로 이동하면서 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 상에 선택적으로 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(150)이 음(-)의 극성을 가지는 경우 수용액(130) 내에 분산된 음(-)으로 대전된 제1 나노입자들(141)은 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 보다 빠르게 이동하여 증착될 수 있다.
도 4을 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 음(-)으로 대전된 제2 나노입자들(142)이 분산된 수용액(130)을 마련한다. 여기서, 상기 제2 나노입자들(142)은 제1 나노입자들(141)과 다른 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열된 전극들(120) 각각에 소정 전압을 인가한다. 이에 따라, 수용액(130) 내부에는 전기장이 형성되게 되고, 이러한 전기장에 의해 상기 제2 나노입자들(142)은 전극들(120) 상에 선택적으로 증착된다. 즉, 음(-)으로 대전된 제2 나노입자들(142)이 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 이동함으로써 제1 나노입자층(141') 상에 증착하게 된다. 이에 따라, 멤브레인층(170) 상에는 순차적으로 적층된 제1 및 제2 나노입자층(141',142')이 소정 패턴으로 형성된다. 그리고, 전술한 바와 같이, 제1 및 제2 보조 전극(161,162)이 각각 음(-) 및 양(+)의 극성을 가지는 경우에는 음(-)으로 대전된 제2 나노입자들(142)이 수용액(130) 내에서 제1 보조전극(161) 쪽에서 제2 보조전극(162) 쪽으로 이동하면서 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 상에 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(150)이 음(-)의 극성을 가지는 경우 수용액(130) 내에 분산된 음(-)으로 대전된 제2 나노입자들(142)은 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 보다 빠르게 이동하여 증착될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 음(-)으로 대전된 제3 나노입자들(143)이 분산된 수용액(130)을 마련한다. 여기서, 상기 제3 나노입자들(143)은 제2 나노입자들(142)과 다른 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열된 전극들(120) 각각에 소정 전압을 인가한다. 이에 따라, 음(-)으로 대전된 제3 나노입자들(143)이 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 이동함으로써 제2 나노입자층(142') 상에 증착하게 된다. 이에 따라, 멤브레인층(170) 상에는 순차적으로 적층된 제1, 제2 및 제3 나노입자층(141',142',143')이 소정 패턴으로 형성된다. 그리고, 전술한 바와 같이, 제1 및 제2 보조 전극(161,162)이 각각 음(-) 및 양(+)의 극성을 가지는 경우에는 음(-)으로 대전된 제3 나노입자들(143)이 수용액(130) 내에서 제1 보조전극(161) 쪽에서 제2 보조전극(162) 쪽으로 이동하면서 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 상에 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(150)이 음(-)의 극성을 가지는 경우 수용액(130) 내에 분산된 음(-)으로 대전된 제3 나노입자들(143)은 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 보다 빠르게 이동하여 증착될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 기판(110)과 제2 기판(150) 사이에 음(-)으로 대전된 제4 나노입자들(144)이 분산된 수용액(130)을 마련한다. 여기서, 상기 제4 나노입자들(144)은 제3 나노입자들(143)과 다른 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 전술한 바와 같이 제1 기판(110) 상에 2차원 형태로 배열된 전극들(120) 각각에 소정 전압을 인가한다. 이에 따라, 음(-)으로 대전된 제4 나노입자들(144)이 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 이동함으로써 제3 나노입자층(143') 상에 증착하게 된다. 이에 따라, 멤브레인층(170) 상에는 순차적으로 적층된 제1, 제2, 제3 및 제4 나노입자층(141',142',143',144')이 소정 패턴으로 형성된다. 그리고, 전술한 바와 같이, 제1 및 제2 보조 전극(161,162)이 각각 음(-) 및 양(+)의 극성을 가지는 경우에는 음(-)으로 대전된 제4 나노입자들(144)이 수용액(130) 내에서 제1 보조전극(161) 쪽에서 제2 보조전극(162) 쪽으로 이동하면서 양(+)의 극성을 가지는전극들(120a) 상에 증착될 수 있다. 또한, 상기 제2 기판(150)이 음(-)의 극성을 가지는 경우 수용액(130) 내에 분산된 음(-)으로 대전된 제4 나노입자들(144)은 양(+)의 극성을 가지는 전극들(120a) 쪽으로 보다 빠르게 이동하여 증착될 수 있다.
이상과 같이, 멤브레인층(170) 상에는 제1, 제2, 제3 및 제4 나노입자층(141',142',143',144')이 순차적으로 증착됨으로써 레이어 바이 레이어 구조의 다층 박막들(140')을 소정 패턴으로 형성하게 되고, 이러한 다층 박막들(140')로 구성된 박막 구조물이 원하는 형태로 완성될 수 있다. 도 7은 도 3 내지 도 6에 도시된 박막 증착 방법에 의해 형성된 박막 구조물을 예들 들면 리프트-오프 공정을 통해 전극들(120)로부터 분리한 상태를 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 멤브레인층(170) 상에 제1, 제2, 제3 및 제4 나노입자층(141',142',143',144')이 순차적으로 증착되어 형성된 레이어 바이 레이어 구조의 다층 박막들(140')이 소정 패턴으로 형성되어 있다. 한편, 이상에서는 다층 박막(140')이 4개의 나노입자층(141',142',143',144')으로 구성된 경우가 설명되었으나, 이에 한정되지 않고 상기 다층 박막(140')을 구성하는 나노입자층의 개수는 다양하게 변형될 수 있다.
상기한 나노 구조물은 투명한 재질의 기판 상에 구현될 수도 있다. 도 8 내지 도 10은 박막 구조물이 형성된 멤브레인층(160)을 솔벤트를 이용한 열처리를 통하여 투명 물질층(165)으로 변경하는 과정을 도시한 것이다.
도 8을 참조하면, 제1 기판(110) 상에 2차원 형태를 배열되며 각각이 독립적으로 구동되는 복수의 전극(120)이 마련되어 있다. 그리고, 상기 전극들(120) 상에는 전극들(120)을 덮도록 멤브레인층(160)이 형성되어 있다. 이러한 멤브레인층(160)은 그 위에 형성되는 나노 구조물을 제1 기판(110)으로부터 용이하게 분리하기 위한 것이다. 여기서, 상기 멤브레인층(160)은 열처리를 통해 투명한 재질로 변경될 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 멤브레인층은 nitrocellulose로 이루어질 수 있다.
도 9를 참조하면, 전술한 도 3 내지 도 6에 도시된 공정을 통해 상기 멤브레인층(160) 상에 레이어 바이 레이어 구조의 다층 박막들(140')을 소정 패턴으로 형성한다. 이어서, 상기 도 9에 도시된 구조물에 열처리 공정을 수행한다. 구체적으로, 상기 멤브레인층(160)이 nitrocellulose로 이루어진 경우에는 멤브레인층(160)을 솔벤트를 이용하여 대략 85℃에서 30분간 열처리를 할 수 있다. 이와 같이, nitrocellulose로 이루어진 멤브레인층(160)을 열처리 하게 되면 도 10에 도시된 바와 같이 멤브레인층(160)이 투명 물질층(165)으로 변화될 수 있다. 다음으로, 리프트-오프 공정을 통해 투명 물질층(165)은 전극들(120)로부터 분리될 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에서는 멤브레인층(160)을 열처리에 의해 투명한 재질로 변화될 수 있는 물질로 형성함으로써 투명한 기판 상에 박막 구조물을 제작할 수 있다. 이에 따라, 투명한 재질의 소자가 구현될 수 있다.
상기한 나노 구조물은 유연한 재질의 기판 및/또는 투명한 재질의 기판 상에 구현될 수도 있다. 도 11은 전극들(120) 상에 유연한 재질을 포함하는 제1 물질층(180) 및 열처리에 의해 투명한 재질로 변화하는 제2 물질층(190)이 적층된 모습을 도시한 것이다.
도 11을 참조하면, 제1 기판(110) 상에 2차원 형태를 배열되며 각각이 독립적으로 구동되는 복수의 전극(120)이 마련되어 있다. 그리고, 상기 전극들(120) 상에는 전극들(120)을 덮도록 제1 물질층(180)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1 물질층(180)은 예를 들면, 나일론이나 플라스틱 등과 같은 유연한 재질을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 물질층(180) 상에는 제2 물질층이 형성될 수 있다. 이러한 제2 물질층(190)은 열처리를 통해 투명한 재질로 변경될 수 있는 물질로서, 예를 들면 nitrocellulose로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 구조에서, 제2 물질층(190) 상에 전술한 도 3 내지 도 6에 도시된 방법에 의해 박막 구조물을 형성하게 되면, 유연한 기판 상에 박막 구조물을 제작할 수 있다. 이에 따라, 유연한 재질의 소자가 구현될 수 있다. 또한, 상기 제2 물질층(190)을 열처리를 통해 투명 물질층으로 변경시킴으로써 투명한 기판 상에 박막 구조물을 제작할 수도 있다.
도 12는 다른 예시적인 실시예에 따른 박막 증착 장치(200)를 개략적으로 도시한 사시도이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 12를 참조하면, 박막 증착 장치(200)는 제1 기판(210)과, 상기 제1 기판(210) 상에 마련되는 복수의 전극(220)과, 상기 전극들(220) 상에 마련되는 대전된 나노입자들(240)이 분산된 수용액(230)을 포함한다. 본 실시예에서 상기 제1 기판(210)은 가스제거용 기판으로서 다공성 재질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 박막 증착 과정에서 수용액(230)에 강한 전기장이 인가되면 전기화학 반응에 의해 물분해 반응이 일어나면서 H2 가스 및 O2 가스가 발생하게 되는데, 이러한 H2 가스 및 O2 가스는 증착에 방해가 되어 제거될 필요가 있다. 이러한 가스를 제거할 목적으로 본 실시예에서는 제1 기판(210)으로 가스가 배출될 수 있는 다공성 재질을 포함하고 있다.
상기 전극들(220)은 제1 기판(210) 상에 2차원 형태로 배열되어 있으며, 전술한 바와 같이, 각각 독립적으로 구동될 수 있도록 마련되어 있다. 이를 위해 상기 전극들(220) 각각은 전압 인가를 위한 배선(225)과 연결되어 있다. 이러한 전극들(220)은 예를 들면 Pt, Ni 또는 Cu 등과 같은 금속으로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전극들(220)도 전술한 제1 기판(210)과 마찬가지로 가스 배출을 위해 다공성 재질을 포함할 수 있다. 상기 전극들(220)에는 가스 제거를 위해 예를 들면 대략 3V ~ 3000V 정도의 직류 또는 교류 전압이 인가될 수 있다.
상기 전극들(220) 상에는 전극들(220)을 덮도록 멤브레인층(270))이 더 마련될 수 있다. 이러한 멤브레인층(270)은 후술하는 다층 박막들로 구성된 박막 구조물이 멤브레인층(270)에 형성된 다음, 상기 박막 구조물을 리프트-오프 공정을 통해 전극들(120)로부터 용이하게 분리하기 위한 것이다. 이러한 멤브레인층(270)은 예를 들면, nefion, hydrogel, agarose gel 및 nitrocellulose 등으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 멤브레인층(270)은 전술한 제1 기판(210) 및 전극들(220)과 마찬가지로 가스 제거를 위해 다공성 재질을 포함할 수 있다.
상기 멤브레인층(270) 상에는 대전된 나노입자들(240)이 분산된 수용액(230)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 나노입자들(240)은 양(+) 또는 음(-)으로 대전될 수 있다. 이러한 나노입자들(240)은 수용액(230)의 pH 변경에 따른 제타 포텐셜(Zeta-potential)의 조정에 의해 그 표면 대전량이 제어될 수 있다. 상기 나노입자들(240)은 예를 들면 금속, 세라믹 또는 폴리머 등을 포함할 수 있으며, 이외에도 다양한 물질을 포함할 수 있다. 상기 수용액(230)은 예를 들면 DI water 또는 N-Methyl-2-pyrrolidine을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 상기 수용액(230)의 양측에는 제1 및 제2 보조 전극(261,262)이 더 마련될 수 있다. 이러한 제1 및 제2 보조 전극(261,262)은 수용액(230) 내에 분산된 대전된 나노입자들(240)이 수용액(230) 내의 일측에서 타측으로 이동할 수 있도록 하는 역할을 한다. 상기 수용액(230) 상에는 제2 기판(250)이 더 마련될 수 있다. 여기서, 상기 제2 기판(250)은 제1 기판(210)과 함께 수용액을 그 내부에 수용하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제2 기판(250)으로는 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있다. 상기 제2 기판(250)이 도전성 재질을 포함하는 경우에는 상기 제2 기판(250)은 대전된 나노입자들(240)을 전극들(240) 상에 보다 용이하게 증착시킬 수 있는 전극으로서의 역할도 할 수 있다.
도 13은 도 12에 도시된 박막 증착 장치(200)를 이용하여 박막을 형성하는 과정에서 발생되는 가스들이 외부로 배출되는 모습을 도시한 것이다. 도 13에서 참조부호 220a는 양(+)의 극성을 가지는 전극들을 나타내며, 참조부호 220b는 음(-)의 극성을 가지는 전극들을 나타낸다.
도 13을 참조하면, 박막 증착 장치(200)를 이용하여 박막을 형성하는 과정은 전술한 도 3 내지 도 6에 도시된 공정에서 상세하게 설명되었으므로 이에 대한 설명은 생략한다. 한편, 상기 수용액(230) 내에 강한 전기장이 인가되면, 전기 화학 반응에 의해 물분해 반응이 일어남으로써 H2 가스 및 O2 가스가 발생하게 된다. 이러한 H2 가스 및 O2 가스는 증착에 방해가 되므로 외부로 배출되어야 증착 공정이 용이하게 수행될 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 제1 기판(210), 전극들(220) 및 멤브레인층(270)을 다공성 재질로 형성함으로써 물분해 과정에서 발생되는 H2 가스 및 O2 가스가 멤브레인층(270), 전극들(220) 및 제1 기판(210)을 통해 외부로 배출되게 된다. 구체적으로, H2 가스는 음(-)의 극성을 가지는 전극들(220b) 및 제1 기판(210)을 통하여 외부로 배출되며, O2 가스는 양(+)의 극성을 가지는 전극들(220a) 및 제1 기판(210)을 통하여 외부로 배출되게 된다. 이때, 상기 전극들에는 예를 들면 대략 3V ~ 3000V의 직류 또는 교류 전압이 인가될 수 있다.
이와 같이, 박막 증착 과정에서 발생되는 가스들을 다공성 재질의 멤브레인층(270), 전극들(220) 및 제1 기판(210)을 통해 외부로 배출함으로써 상기 전극들(220) 상에 용이하게 박막을 선택적으로 형성할 수 있게 된다. 또한, 2 이상의 재질을 포함하는 나노입자들(240)을 전극들(220) 상에 선택적으로 증착하게 되면 레이어 바이 레이어 구조의 다층박막들을 원하는 형태로 형성할 수 있으며, 이에 따라 2차원 또는 3차원 형태의 박막 구조물을 용이하게 제작할 수 있다. 그리고, 이러한 박막 구조물은 다양한 스케일 즉, 마이크로 스케일, 웨이퍼 스케일 또는 마크로 스케일로 원하는 형태로 제작될 수 있다. 이상에서 예시적인 실시예들을 통하여 기술적 내용을 설명하였으나, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
100,200... 박막 증착 장치 110,215... 제1 기판
120,220... 전극 125,225... 배선
130... 수용액 140,141,142,143,144,240... 나노입자
141',142',143',144'... 나노입자층 140'... 다층 박막
150,250... 제2 기판 160... 물질층
161,261... 제1 전극 162,262... 제2 전극
165... 투명 물질층 170... 멤브레인층
180... 제1 물질층 190... 제2 물질층

Claims (22)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 2차원 형태로 배열되며 각각이 전압 제어가 가능하도록 마련되는 복수의 전극;
    상기 복수의 전극을 덮도록 마련되는 것으로, 열처리에 의해 투명 물질층으로 변경될 수 있는 제1 물질층을 포함하는 멤브레인층; 및
    상기 전극들 상에 마련되는 것으로, 대전된 나노입자들이 분산된 수용액;을 포함하며,
    상기 전극들 각각에 소정 전압을 인가하여 상기 전극들 중 적어도 일부에 상기 대전된 나노입자들을 선택적으로 증착하는 박막 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 증착 장치는 서로 다른 재질을 포함하는 2 이상의 나노입자층이 적층된 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층 박막을 형성하는 박막 증착 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극들은 Pt, Ni 또는 Cu를 포함하는 박막 증착 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용액은 DI water 또는 N-Methyl-2-pyrrolidine을 포함하는 박막 증착 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노입자들은 금속, 세라믹 또는 폴리머를 포함하는 박막 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극들에 인가되는 전압의 범위는 1.2V ~ 7V인 박막 증착 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용액의 양측에는 제1 및 제2 보조 전극(auxiliary electrode)이 더 마련되는 박막 증착 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 수용액 상에는 제2 기판이 더 마련되는 박막 증착 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 도전성 재질을 포함하는 박막 증착 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤브레인층은 유연한 재질을 포함하는 제2 물질층을 더 포함하는 박막 증착 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 가스 제거용 기판으로 다공성 재질을 포함하며, 상기 전극들은 다공성(porosity)을 가지는 박막 증착 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전극들에는 3V ~ 3000V의 직류 또는 교류 전압이 인가되는 박막 증착 장치.
  15. 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 2차원 형태로 배열되며 각각이 전압 제어가 가능하도록 마련되는 복수의 전극과, 상기 복수의 전극을 덮도록 마련되는 것으로 열처리에 의해 투명한 물질로 변경될 수 있는 제1 물질층을 포함하는 멤브레인층과, 상기 전극들 상에 마련되는 것으로 대전된 나노입자들이 분산된 수용액을 포함하는 박막 증착 장치를 이용하여 박막을 증착하는 방법에 있어서,
    상기 전극들 각각에 소정 전압을 인가하는 단계;
    상기 전극들 중 적어도 일부에 상기 대전된 나노입자들을 선택적으로 증착하는 단계; 및
    상기 제1 물질층을 열처리에 의해 투명 물질층으로 변경시키는 단계:를 포함하는 박막 증착 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    서로 다른 재질을 포함하는 2 이상의 나노입자층이 적층된 레이어 바이 레이어(layer-by-layer) 구조의 다층 박막들이 형성되는 박막 증착 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 전극들에 인가되는 전압의 범위는 1.2V ~ 7V인 박막 증착 방법.
  18. 삭제
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 수용액의 양측에는 제1 및 제2 보조 전극이 더 마련되는 박막 증착 방법.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 전극들 주위에서 전기분해에 의해 발생되는 가스들을 배출시키는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 가스 제거용 기판으로 다공성 재질을 포함하며, 상기 전극들은 다공성을 가지는 박막 증착 방법.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 전극들에는 3V ~ 3000V의 직류 또는 교류 전압이 인가되는 박막 증착 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020256515A1 (ko) 2019-06-21 2020-12-24 한양대학교에리카산학협력단 물질막 및 타겟 패턴의 선택적 제조 방법
CN112877740A (zh) * 2021-01-08 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 纳米材料薄膜的制作方法及显示面板
CN113061957A (zh) * 2021-03-10 2021-07-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 纳米颗粒薄膜及其制备方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501370A (ja) * 2002-05-10 2006-01-12 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク ナノ粒子の膜の電場補助的な堆積方法
JP2007279342A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Fuji Xerox Co Ltd 表示方法、表示媒体、及び表示素子
JP2013224947A (ja) * 2008-04-03 2013-10-31 Regents Of The Univ Of California 細胞、小胞、ナノ粒子およびバイオマーカーを分離および単離するためのエキソビボの多次元システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6652808B1 (en) 1991-11-07 2003-11-25 Nanotronics, Inc. Methods for the electronic assembly and fabrication of devices
JPH11329217A (ja) 1998-05-15 1999-11-30 Sony Corp 電界放出型カソードの製造方法
US6780584B1 (en) * 2000-09-27 2004-08-24 Nanogen, Inc. Electronic systems and component devices for macroscopic and microscopic molecular biological reactions, analyses and diagnostics
JP4894101B2 (ja) 2001-07-19 2012-03-14 アイシン精機株式会社 色素増感型太陽電池の対極の製造方法、色素増感型太陽電池の製造方法
US20060249388A1 (en) 2005-05-04 2006-11-09 Yu-Yang Chang Electrophoretic deposition method for a field emission device
KR100722085B1 (ko) 2005-09-12 2007-05-25 삼성전자주식회사 전기영동법으로 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 태양 전지및 그 제조방법
JP5178060B2 (ja) 2007-06-15 2013-04-10 埼玉県 研削加工用砥石の製造装置及び製造方法
ES2658169T3 (es) * 2009-08-02 2018-03-08 Qvella Corporation Dispositivos de concentración, captura y lisis de células y método de utilización de los mismos
US9453289B2 (en) 2010-04-13 2016-09-27 Lawrence Livermore National Security, Llc Methods of three-dimensional electrophoretic deposition for ceramic and cermet applications and systems thereof
US8748216B2 (en) 2010-10-25 2014-06-10 Imra America, Inc. Non-vacuum method for fabrication of a photovoltaic absorber layer
US9096942B2 (en) 2011-02-22 2015-08-04 Massachusetts Institute Of Technology Electrophoretic-deposited surfaces
US8968865B2 (en) 2011-06-28 2015-03-03 Lawrence Livermore National Security, Llc Methods of electrophoretic deposition for functionally graded porous nanostructures and systems thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501370A (ja) * 2002-05-10 2006-01-12 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク ナノ粒子の膜の電場補助的な堆積方法
JP2007279342A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Fuji Xerox Co Ltd 表示方法、表示媒体、及び表示素子
JP2013224947A (ja) * 2008-04-03 2013-10-31 Regents Of The Univ Of California 細胞、小胞、ナノ粒子およびバイオマーカーを分離および単離するためのエキソビボの多次元システム

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