JP2017500211A - 微細構造基板 - Google Patents
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Abstract
Description
a)上記基板の上記平面の表面上に、フォトレジスト層をコーティングする段階と、
b)フォトリソグラフィによって、上記フォトレジスト層に、少なくとも1つの基本パターンの繰り返しを、上記基板の上記表面がフォトレジスト除去域を有するように生成する段階と、
c)上記基板の上記表面の上記フォトレジスト除去域にエッチングを行い、フォトレジストで覆われた領域は保護される、エッチング段階と、
d)上記基板の上記表面を不活性化する段階と、
e)上記微細構造基板を得るために、上記エッチング段階c)と上記不活性化段階d)を繰り返す段階と、上記繰り返し段階e)の後に、上記微細構造基板の上記表面上にアルミナを成膜する段階を含むことを特徴とする。
基板と、
一方が上記基板上に配置される、負極および正極と、
上記負極と上記正極の間に配置される電解質とを含む、電気エネルギーを蓄積するためのデバイスに関し、
上記基板が、上記に記載の微細構造基板であることを特徴とする。
長手寸法dLが10μm、
幅寸法ODが3μm、
空洞5の長手寸法dinが5μm、
空洞5の幅寸法IDが1μm、
空間的周期SPが4μm(したがって、連続して配置された2つの微細構造を分離する距離FPは1μm)。
長手寸法dLが30μm、
幅寸法ODが2μm、
空洞5の長手寸法dinが15μm、
空洞5の幅寸法IDが1.2μm、
空間的周期SPが4μm(したがって、連続して配置された2つの微細構造を分離する距離FPは2μm)。
a)シリコン基板すなわちウエハを、それ自体知られている方法を使用して(したがってこの方法についてはここでは詳細に述べない)洗浄する段階。
b)シリコンウエハの平面の表面上に、均一な厚さのフォトレジスト層をコーティングする段階。より詳細には、フォトレジスト層はスピンコートによって成膜される。例として、販売名SPR(登録商標)220(ロ−ム アンド ハ−ス(Rohm and Haas、登録商標)社)で販売されているフォトレジスト、または販売名AZ9260(登録商標)(マイクロケミカルズ(Microchemicals)社)で販売されているフォトレジストを使用することが、特に可能である。
c)フォトリソグラフィによって、上記フォトレジスト層に、少なくとも1つの基本パターンの繰り返しを、上記基板の上記表面がフォトレジスト除去域を有するように生成する段階。
上記の、フォトリソグラフィで少なくとも1つの基本パターンを複数生成する段階は、それ自体知られている方法であり、したがってここでは詳細に述べない。
添付の図2a〜3bは、ツァイス ウルトラ55(Zeiss Ultra55、登録商標)走査型電子顕微鏡によって取得された写真である。この写真で、フォトレジストに生成された複数の基本パターンが確認されうる。
図2aおよび2bの基本パターンは、ほぼ円形の断面を有するチューブの形状をしている。
図3aおよび3bの基本パターンは、ほぼ方形の断面のチューブの形状をしている。
d)基板のフォトレジストを除去した領域に、エッチングを行う段階。このエッチング段階は、六フッ化硫黄(またはSF6)などの電離気体を使用するボッシュタイプの深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)技術によって行われる。シリコン基板は、3μm/mの速度でエッチングされ、エッチング段階の持続時間は約3秒である。
e)基板の表面を不活性化する段階(不活性化は、基板のフォトレジスト除去域で優先的に行われる選択的なプロセスである)。上記不活性化段階は、オクタフルオロブテン(C4F8)などの電離気体を使用するボッシュタイプの深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)技術によって行われる。不活性化段階の持続時間は約2秒である。
f)上記微細構造基板を得るために、上記エッチング段階と上記不活性化段階を繰り返す段階。
尚、上記エッチング段階と上記不活性化段階は、SPTS社(登録商標)のプラズマエッチングツールを使用して行われる。
上記エッチング段階と上記不活性化段階の繰り返しによって、例えば10以上、好ましくは10〜100に含まれる高いアスペクト比を有する基本微細構造を得ることが可能になる。さらに、得られる基本微細構造は、基板から、その基板の延長の主要平面と直交して延びる。
g)フォトレジストを除去する段階。これは、販売名アッシング システム ギガバッチ310 エム(Ashing System GIGAbatch310 M)(ピーブイエー テプラ(PVA TEPLA、登録商標)社)で販売されている機械を介したプラズマ表面処理技術によって行われる。
尚、この製造技術により、表面上にスカロップなどの凸凹を有する基本微細構造が生成される(より詳細には図1dおよび4bで確認できる)。
微細構造基板43上に配置される第1の集電体45と、
第2の集電体47と、
第1集電体45と第2の集電体47の間に配置される、負極49および正極51と、
負極49と正極51の間に配置される電解質53。
平面の基板を含んだ電池S0から送出される電流の大きさよりも、同一電圧で少なくとも10倍大きく、
微細構造基板を含んだ電池S1から送出される電流の大きさよりも、同一電圧で少なくとも4倍大きい。
3 基本微細構造
3a 基本微細構造3の下端
3b 基本微細構造3の上端
3c 基本微細構造3の外面
3d 基本微細構造3の内面
5 開放空洞
dL 基本微細構造3の長手寸法
din 空洞5の長手寸法
OD 基本微細構造3の幅寸法
FP 基本微細構造3の間隔
SP 基本微細構造3の空間的周期
13a 方形断面の基本微細構造
13b 円形断面の基本微細構造
ID 空洞5の幅寸法
rasp 基本微細構造のアスペクト比
41 全固体電気化学電池
43 微細構造基板
45 第1の集電体
47 第2の集電体
49 負極
51 正極
53 電解質
55 保護層
S0 平面の基板を含んだ電気化学半電池
S1 基本微細構造がピラである電気化学半電池
S2 本発明による微細構造基板を含んだ電気化学半電池
S3 本発明による微細構造基板を含んだ電気化学半電池
Claims (16)
- 少なくとも1つの基本微細構造を複数含んだ微細構造基板であって、前記少なくとも1つの基本微細構造(3)が、細長い形状と、対向する長手方向の下端(3a)および上端(3b)を有し、前記下端(3a)が前記基板に連結される一方で、その上端(3b)に開放空洞(5)を含み、前記微細構造基板がその表面上にアルミナを含むことを特徴とする、基板。
- 前記基本微細構造(3)が、円形、楕円形、矩形、方形または三角形の横断面を有することを特徴とする、請求項1に記載の基板。
- 前記基本微細構造(3)が、5〜200μmの長手寸法dLと、2〜10μmの幅寸法ODを有することを特徴とする、請求項1または2に記載の基板。
- 前記基板の前記基本微細構造(3)が、前記基板(1)の一面にわたって周期的に配列されていることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の基板。
- 前記基板(1)の前記基本微細構造(3)が、3〜10μmの空間的周期SPを有することを特徴とする、請求項4に記載の基板。
- 前記基本微細構造(3)のそれぞれの前記開放空洞(5)が、前記基本微細構造の内部に、長手方向に延びていることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の基板。
- 前記基本微細構造(3)が10以上のアスペクト比raspを有することを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の基板。
- ケイ素、二酸化ケイ素、ガリウムヒ素、窒化ケイ素およびリン化インジウムから選択された材料から作られていることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の基板。
- 平面の表面を有する基板を微細構造化することによって、請求項1から8のいずれか一項に記載の微細構造基板を得る方法であって、少なくとも、
a)前記基板の前記平面の表面上に、フォトレジスト層をコーティングする段階と、
b)フォトリソグラフィによって、前記フォトレジスト層に、少なくとも1つの基本パターンの繰り返しを、前記基板の前記表面がフォトレジスト除去域を有するように生成する段階と、
c)前記基板の前記表面の前記フォトレジスト除去域に、エッチングを行う段階と、
d)前記基板の前記表面を不活性化する段階と、
e)前記微細構造基板を得るために、前記エッチング段階c)と前記不活性化段階d)を繰り返す段階と、前記繰り返し段階e)の後に、前記微細構造基板の前記表面上にアルミナを成膜する段階を含むことを特徴とする、方法。 - 前記フォトリソグラフィ段階b)で得られる前記基本パターンが、環状の形状を有し、その寸法が、前記基本微細構造(3)の横断面寸法(SP、FP、ID)と一致することを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記にエッチング段階c)および不活性化段階d)が、電離気体を介して実行されることを特徴とする、請求項9または10に記載の方法。
- 電気エネルギーを蓄積するためのデバイスを製造するための、請求項1〜8のいずれか一項に記載の微細構造基板の使用。
- 少なくとも、
基板(43)と、
一方が前記基板(43)上に配置される、負極(49)および正極(51)と、
前記負極(49)と前記正極(51)の間に配置された電解質(53)とを含む、電気エネルギーを蓄積するためのデバイスであって、
前記基板(43)が、請求項1〜8のいずれか一項に記載の微細構造基板であることを特徴とする、デバイス。 - 前記基板(43)上に配置される第1の集電体(45)と、第2の集電体(47)をさらに備え、前記負極(49)および前記正極(51)が、前記第1の集電体(45)と前記第2の集電体(47)の間に配置されていることを特徴とする、請求項13に記載のデバイス。
- 前記基板(43)が、ケイ素、二酸化ケイ素、ガリウムヒ素、窒化ケイ素およびリン化インジウムから選択された材料から作られ、前記集電体(45、47)が、アルミニウム、銅、白金およびチタン窒化物から選択された固体材料から作られていることを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 請求項13〜15のいずれか一項に記載の電気エネルギーを蓄積するためのデバイスであって、前記負極(49)、前記正極(51)および前記電解質(53)がそれぞれ、薄層の形であることを特徴とする、デバイス。
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