KR102238742B1 - 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 이를 이용한 마스크 패턴의 선폭 계측 방법 - Google Patents

마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 이를 이용한 마스크 패턴의 선폭 계측 방법 Download PDF

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Abstract

마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 이를 이용한 마스크 패턴의 선폭 계측 방법이 제공된다. 상기 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 적어도 하나의 블록을 포함하는 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)된 마스크 디자인에 따른 마스크 패턴을 생성하고, 상기 마스크 패턴에서, 동일한 선폭(critical dimension, CD)을 갖는 서로 인접한 블록을 포함하는 대상 측정 관심 영역(target-region of interest, target-ROI)의 제1 선폭을 측정하고, 상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 그룹 측정 관심 영역을 지정하고, 상기 그룹 측정 관심 영역의 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고, 상기 제2 선폭들의 측정치를 이용하여 상기 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것을 포함한다.

Description

마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 이를 이용한 마스크 패턴의 선폭 계측 방법{Method for grouping region of interest of mask pattern and measuring critical dimension of mask pattern using the same}
본 발명은 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법 및 마스크 패턴의 선폭 계측 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조에 사용되는 마스크 패턴의 선폭(critical dimension, CD)의 계측은 반도체 소자의 제조 공정에서 필수적인 부분이다. 그러나, 이러한 마스크 패턴의 선폭의 계측은 반도체 소자의 집적화, 소형화에 따라 패턴이 미세화되고, 마스크 패턴이 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)됨에 따라 점차 신뢰성을 보장하기가 어려워지고 있다.
마스크 패턴의 선폭의 측정은 계측기에 의해서 이루어지고, 상기 계측기는 마스크 패턴의 측정 관심 영역(region of interest, ROI)을 지정하여 선폭을 계측한다. 이 때, 측정 관심 영역의 크기가 상대적으로 작을 경우에 에러 버짓(error budget)이 크게 되므로 이러한 에러 버짓을 최소화 할 수 있는 방법의 개발이 필요하게 되었다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 마스크 패턴의 선폭을 측정하는 계측기의 에러 버짓을 최소화하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 마스크 패턴의 선폭을 측정하는 계측기의 에러 버짓을 최소화하기 위해 마스크 패턴 디자인의 측정 관심 영역 그룹화 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은, 적어도 하나의 블록을 포함하는 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)된 마스크 디자인에 따른 마스크 패턴을 생성하고, 상기 마스크 패턴에서, 동일한 선폭(critical dimension, CD)을 갖는 서로 인접한 블록을 포함하는 대상 측정 관심 영역(target-region of interest, target-ROI)의 제1 선폭을 측정하고, 상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 그룹 측정 관심 영역을 지정하고, 상기 그룹 측정 관심 영역의 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고, 상기 제2 선폭들의 측정치를 이용하여 상기 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것을 포함한다.
상기 마스크 패턴을 생성하는 것은, 제1 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제1 마스크 디자인을 광학근접보정하여 제2 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제2 마스크 디자인에 따라 상기 마스크 패턴을 생성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 제2 마스크 디자인과, 상기 제1 마스크 디자인을 오버레이(overlay)하고, 상기 제1 마스크 디자인의 참조 측정 관심 영역을 정의하고, 상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 패턴의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 참조 측정 관심 영역을 정의하는 것은, 상기 제1 마스크 디자인에서 상기 대상 측정 관심 영역에 대응되는 제1 영역에서 연장되고, 상기 제1 영역과 동일한 선폭을 갖는 제2 영역을 상기 참조 측정 관심 영역으로 정의하는 것을 포함할 수 있다.
상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하는 시뮬레이션을 하는 것을 더 포함하고, 상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 마스크 디자인과, 상기 시뮬레이션 결과 이미지를 오버레이하고, 상기 시뮬레이션 결과 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하고, 상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 디자인의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 시뮬레이션 결과 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하는 것은, 상기 시뮬레이션 결과 이미지에서 상기 대상 측정 관심 영역에 대응하는 제3 영역을 찾고, 상기 제3 영역에서 연장되고, 상기 제3 영역과 동일한 선폭을 갖는 제4 영역을 찾고, 상기 제4 영역을 상기 참조 측정 관심 영역으로 정의하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제4 영역을 찾는 것은, 상기 제3 영역에서 선폭이 달라지는 임계점을 찾고, 상기 임계점을 연결하는 영역을 제4 영역으로 정의하는 것을 포함할 수 있다.
상기 임계점은, 픽셀(pixel)의 명암(contrast), 테두리 검출(edge detection) 및 테두리의 기울기 중 적어도 하나를 이용하여 검출될 수 있다.
여기서, 상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하여 상기 타겟 패턴의 계측 이미지를 획득하는 것을 더 포함하고, 상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 마스크 디자인과, 상기 타겟 패턴의 계측 이미지를 오버레이하고, 상기 계측 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하고, 상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 디자인의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 계측 이미지는 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지를 포함할 수 있다.
상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고, 상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 제1 선폭과 각각의 상기 제2 선폭의 차이가 미리 설정된 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 크지 않고, 상기 대상 측정 관심 영역과 인접하는 이웃 블록을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것은, 상기 제1 선폭의 측정치와 상기 마스크 디자인에서의 상기 제1 선폭의 제1 편차를 계산하고, 상기 그룹 측정 관심 영역의 상기 이웃 블록들의 제2 선폭의 측정치와 상기 마스크 디자인에서의 상기 제2 선폭의 제2 편차를 상기 블록 별로 각각 계산하고, 상기 제1 편차 및 상기 제2 편차들을 정규화하여 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 제1 편차 및 상기 제2 편차들을 정규화하는 것은, 상기 제1 편차 및 상기 제2 편차들의 평균값을 계산하고, 상기 평균값을 상기 마스크 디자인에서의 상기 제1 선폭에 합하여 상기 제1 선폭의 보정값을 산출하는 것을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 계측기의 관측 시야(field of view, FOV) 내에 마스크 패턴의 제1 선폭을 가지는 후보 측정 관심 영역을 찾고, 상기 마스크 패턴의 광학근접보정을 하기 전의 마스크 디자인, 상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하는 시뮬레이션의 결과 이미지 및 상기 타겟 패턴의 계측 이미지 중 적어도 하나를 이용하여 상기 후보 측정 관심 영역 및 상기 후보 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 후보 그룹 측정 관심 영역을 지정하고, 상기 후보 그룹 측정 관심 영역 중 미리 설정한 관심 영역 거리 범위(ROI length range) 외의 후보 그룹 측정 관심 영역을 제외하여 대상 측정 관심 영역이 포함된 대상 그룹 측정 관심 영역을 찾는 것을 포함한다.
상기 대상 측정 관심 영역의 제1 선폭을 측정하고, 상기 그룹 측정 관심 영역 내의 이웃 블록의 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고, 상기 제2 선폭들의 측정치를 이용하여 상기 제1 선폭의 측정치를 보정할 수 있다.
상기 마스크 패턴은 광학근접보정이 된 마스크 패턴을 포함할 수 있다.
상기 대상 그룹 측정 관심 영역을 찾는 것은, 미리 설정된 관심 영역 거리와 가장 유사한 후보 그룹 측정 관심 영역을 상기 대상 그룹 측정 관심 영역으로 찾는 것을 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법은 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)된 마스크 디자인에 따른 마스크 패턴에서, 동일한 선폭(critical dimension, CD)을 갖는 서로 인접한 블록을 포함하는 대상 측정 관심 영역을 설정하고, 상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것을 포함한다.
상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 마스크 패턴의 광학근접보정을 하기 전의 마스크 디자인, 마스크 패터닝 시뮬레이션 결과 이미지 및 타겟 패턴의 계측 이미지 중 적어도 하나를 상기 마스크 패턴의 광학근접보정된 마스크 디자인과 오버레이하여 상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것을 포함할 수 있다.
상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고, 상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 제1 선폭과 각각의 상기 제2 선폭의 차이가 미리 설정된 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 크지 않고, 상기 대상 측정 관심 영역과 인접하는 이웃 블록을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1의 마스크 패턴 생성 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정 전의 마스크 패턴의 디자인이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 타겟 패턴의 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 마스크 패턴의 예시도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정된 마스크 패턴의 디자인의 예시도이다.
도 8은 측정 관심 영역의 크기에 따른 실제 웨이퍼 레벨의 마스크 패턴의 선폭과 계측기에 의해 계측된 마스크 패턴의 선폭을 비교한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 참조 측정 관심 영역을 가지는 타겟 패턴의 예시도이다.
도 10은 도 1의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 11은 도 3의 광학근접보정 전의 마스크 패턴의 디자인과 도 4의 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인을 오버레이한 도면이다.
도 12는 도 4의 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인에 확장된 그룹 측정 관심 영역을 도시한 도면이다.
도 13은 도 1의 측정 관심 영역의 선폭을 보정하는 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 14는 도 1의 측정 관심 영역의 선폭을 보정하는 단계를 세부적으로 설명하기 위한 예시도이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 16은 마스크 패턴에 따른 타겟 패턴의 패터닝 시뮬레이션 결과 이미지의 예시도이다.
도 17은 도 15의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 18은 도 17의 참조 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 19는 참조 측정 관심 영역을 설정된 시뮬레이션 결과 이미지의 도면이다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 21은 도 20의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 22는 타겟 패턴의 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지에서 엣지를 추출하기 위한 작업을 설명하기 위한 예시도이다.
도 23은 도 22의 엣지 추출 작업에 따른 엣지 추출 결과를 나타내는 그래프의 예시도이다.
도 24는 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인에 주사전자현미경 이미지의 참조 측정 관심 영역을 오버레이한 도면이다.
도 25는 본 발명의 제4 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위해 도 1의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 26은 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 관심 측정 영역과 이웃 블록 간의 선폭의 차이를 나타낸 예시도이다.
도 27은 도 26의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 28은 본 발명의 제5 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 29는 본 발명의 제5 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 계측기의 관측 시야(field of view, FOV)를 나타낸 개념도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 먼저 마스크 패턴을 생성한다(S100).
마스크 패턴은 기판에 형성되는 타겟 패턴을 형성하기 위한 마스크를 의미한다. 구체적으로, 기판에 타겟 패턴은 노광(lithography) 공정 및 식각(etching) 공정을 거쳐 형성될 수 있다. 이 때, 상기 타겟 패턴을 음각 또는 양각으로 패터닝되기 위한 마스크가 필요하다. 이러한 마스크는 타겟 패턴이 양각인 경우에는 타겟 패턴과 동일한 형상을 하는 마스크 패턴이 필요하고, 타겟 패턴이 음각인 경우에는 타겟 패턴의 형상과 반대의 형상을 가지는 마스크 패턴이 필요하다. 이하, 단순한 설명을 위해 타겟 패턴이 양각인 경우를 가정한다.
도 2는 도 1의 마스크 패턴 생성 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정 전의 마스크 패턴의 디자인이다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인이다.
도 2를 참조하면, 먼저 제1 마스크 디자인을 생성한다(S110).
상기 제1 마스크 디자인은 타겟 패턴을 형성하기 위한 마스크 패턴의 초기 디자인을 의미한다. 타겟 패턴이 양각임을 가정하였으므로 마스크 패턴은 타겟 패턴과 동일한 형상으로 디자인될 수 있다.
구체적으로 도 3을 참조하면, 제1 마스크 디자인은 타겟 패턴의 형상과 동일하게 형성될 수 있다. 이 때, 추후에 측정이 필요한 지점인 측정 관심 영역(region of interest, ROI)에 대응하는 참조 측정 관심 영역(RROI)이 존재할 수 있다. 참조 측정 관심 영역(RROI)에 대해서는 추후에 설명한다.
다시, 도 2를 참조하면, 광학근접보정된 제2 마스크 디자인을 생성한다(S120).
도 4를 참조하면, 상기 제1 마스크 디자인을 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)하여 제2 마스크 디자인을 생성할 수 있다. 제2 마스크 디자인은 제1 마스크 디자인과 비교하여 박스 형태의 굴곡이 추가될 수 있다. 제2 마스크 디자인은 추후에 측정이 필요한 지점인 측정 관심 영역(region of interest, ROI)이 존재할 수 있다.
측정 관심 영역이란, 선폭(critical dimension, CD)을 계측하기 위한 영역을 말한다. 선폭은 도 4의 패턴의 너비를 의미한다. 도 4의 측정 관심 영역(ROI)이 존재하는 패턴은 수평 방향으로 연장되었으므로 상기 패턴의 선폭은 수직 방향의 너비를 의미한다.
측정 관심 영역은 디자인 상에서 이웃 블록과 선폭의 차이가 없는 부분을 의미한다. 따라서, 광학근접조정된 제2 마스크 디자인의 경우는 측정 관심 영역(ROI)이 상기 제1 마스크 디자인에 비해 선폭에 수직하는 방향의 길이가 짧을 수 있다.
이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 광학근접보정에 대해서 자세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 타겟 패턴의 예시도이고, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 마스크 패턴의 예시도이다. 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정된 마스크 패턴의 디자인의 예시도이다.
도 5를 참조하면, 타겟 패턴은 예시적으로 복수의 패턴(P1~P4)을 포함할 수 있다. 직선으로 연장된 제1 타겟 패턴(P1), 제1 타겟 패턴(P1)의 측면에 위치한 제2 타겟 패턴(P2), 제3 타겟 패턴(P3) 및 제1 타겟 패턴(P1)에서 연장되어 다른 선폭을 가지는 제4 타겟 패턴(P4)을 포함할 수 있다.
제1 타겟 패턴(P1)의 측면에 위치한 제2 타겟 패턴(P2) 및 제3 타겟 패턴(P3)은 서로 다른 거리만큼 이격될 수 있다. 예를 들어 제1 타겟 패턴(P1)과 제2 타겟 패턴(P2)이 이격된 거리(H1)는 제1 타겟 패턴과 제3 타겟 패턴(P3) 사이의 거리(H2)보다 클 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 마스크 패턴은 예시적으로 타겟 패턴의 복수의 패턴(P1~P4)에 대응되는 복수의 패턴(M1~M4)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 타겟 패턴(P1~P4)에 각각 대응되는 제1 내지 제4 마스크 패턴(M1~M4)이 포함될 수 있다.
제1 타겟 패턴(P1)과 제3 타겟 패턴(P3)의 거리가 가까운 경우에는 제1 마스크 패턴(M1)은 제1 타겟 패턴(P1)과 다른 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 마스크 패턴(M1)은 제1 타겟 패턴(P1)의 선폭보다 좁은 선폭을 가지는 영역을 가질 수 있다. 따라서, 제3 마스크 패턴(M3)과 제1 마스크 패턴(M1)의 거리(H3)는 제3 타겟 패턴(P3)과 제1 타겟 패턴(P1)의 거리(H1)보다 클 수 있다. 이는 빛의 굴절 등의 특성에 기인하여 타겟 패턴 사이의 간격이 마스크 패턴 사이의 간격보다 좁아지는 현상을 고려하여야 되기 때문이다.
상기의 이유에 따라 제1 마스크 패턴(M1)은 3개의 블록 영역으로 구분될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(M1)은 제1 블록(B1), 제2 블록(B2) 및 제3 블록(B3)으로 구분될 수 있다. 제1 블록(B1)은 제3 마스크 패턴(M3)과 인접하여 상기의 이유에 따라 선폭이 줄어들 수 있다. 제2 블록(B2)은 제3 마스크 패턴(M3)과 인접하지 않으므로 선폭이 줄어들지 않거나 제1 블록(B1)에 비해 덜 줄어들 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 광학근접보정된 마스크 패턴의 디자인의 예시도이다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 마스크 패턴의 디자인은 예시적으로 타겟 패턴의 복수의 패턴(P1~P4) 및 마스크 패턴의 복수의 패턴(M1~M4)에 대응되는 복수의 블록(O1~O6)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 디자인 블록(O1~O3)은 제1 타겟 패턴(P1) 및 제1 마스크 패턴(M1)에 대응되고, 제4 내지 제6 디자인 블록(O4~O6)은 각각 제2 내지 제4 타겟 패턴(P2~P4) 및 제2 내지 제4 마스크 패턴(M2~M4)에 대응될 수 있다.
제1 내지 제3 디자인 블록(O1~O3)은 도 6의 제1 내지 제3 블록(B1~B3)에 대응될 수 있다. 마스크 패턴의 디자인은 박스 형태의 블록을 포함하므로 각각의 제1 내지 제3 디자인 블록(O1~O3)은 직사각형일 수 있다.
마스크 패턴의 디자인은 상술한 빛의 굴절 등의 특성에 의하여 광학근접보정이 된 디자인일 수 있다. 따라서, 제1 디자인 블록(O1)은 제2 디자인 블록 및 제3 디자인 블록(O3)보다 작은 선폭을 가질 수 있다.
이에 따라, 마스크 패턴의 디자인의 측정 관심 영역이 제1 디자인 블록(O1)인 경우에는 제1 내지 제3 디자인 블록(O1~O3)의 전체가 아닌 제1 디자인 블록(O1)만 마스크 패턴의 디자인의 측정 관심 영역이 될 수 있다. 따라서, 측정 관심 영역의 길이가 광학근접보정되기 전의 마스크 패턴의 디자인에 비해서 상대적으로 작아질 수 있다.
도 8은 측정 관심 영역의 크기에 따른 실제 웨이퍼 레벨의 마스크 패턴의 선폭과 계측기에 의해 계측된 마스크 패턴의 선폭을 비교한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 웨이퍼 레벨에서의 실제 선폭의 값은 도 8의 그래프에서 원으로 표시되고, 계측기를 통하여 광학근접보정된 마스크 패턴의 선폭을 측정한 값은 삼각형으로 표시된다. 도 8의 그래프의 가로축은 측정 관심 영역의 길이를 의미하고, 도 8의 그래프의 세로축은 계측기에 의해 측정된 선폭을 의미한다.
측정 관심 영역의 길이가 600nm이상인 경우에는 실제 웨이퍼 레벨의 마스크 패턴의 선폭과 계측기에 의해 계측된 마스크 패턴의 선폭이 크게 차이가 나지 않는다. 따라서, 측정 관심 영역의 길이가 600nm이상인 영역에서는 계측기의 신뢰성이 비교적 높다고 판단할 수 있다.
그러나, 측정 관심 영역의 길이가 600nm미만인 경우에는 실제 웨이퍼 레벨의 마스크 패턴의 선폭과 계측기에 의해 계측된 마스크 패턴의 선폭이 크게 차이가 나는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 측정 관심 영역의 길이가 600nm미만인 영역에서는 계측기의 신뢰성이 매우 낮음을 알 수 있다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 참조 측정 관심 영역을 가지는 타겟 패턴의 예시도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 측정 관심 영역의 길이에 따라 계측기의 신뢰성이 매우 큰 차이를 보이는 것을 알 수 있다. 그런데, 마스크 패턴을 생성하기 위한 광학근접보정을 하는 경우에는 의도와 상관없이 측정 관심 영역의 길이가 수배에서 수십배로 줄어들 수 있다. 따라서, 이러한 광학근접보정을 통한 마스크 패턴의 선폭 측정의 신뢰성은 매우 낮을 수 밖에 없다.
이를 극복하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 타겟 패턴의 제1 타겟 패턴(P1)과 같이 광학근접보정이 되지 않은 자료를 통해 측정 관심 영역을 확장시켜 계측기의 신뢰성을 높이는 방법을 사용할 수 있다.
구체적으로, 제1 타겟 패턴(P1)의 선폭은 일정하게 D4로서 연장되므로 제1 타겟 패턴(P1)을 참조 측정 관심 영역(RROI)으로 지정할 수 있다. 이러한 참조 측정 관심 영역(RROI)을 참조하여 마스크 패턴의 디자인은 그룹 측정 관심 영역(GROI)를 정의할 수 있다. 이러한 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 제1 디자인 블록(O1)의 측정 관심 영역의 길이를 확대시킬 수 있어 보다 정확하고 신뢰성 높은 선폭 계측을 도울 수 있다.
다시, 도 2를 참조하면, 마스크 패턴을 생성한다(S130).
상기 광학근접보정된 제2 마스크 디자인을 바탕으로 마스크 패턴을 생성할 수 있다. 마스크 패턴은 상기 제2 마스크 디자인과 동일 내지 유사한 형상일 수 있다. 즉, 마스크 패턴은 제조 공정상의 원인에 의한 것을 제외하고는 제2 마스크 디자인의 형상과 동일하게 제조될 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 마스크 패턴의 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S200).
마스크 패턴은 상기 제2 마스크 디자인에 의해 제조될 수 있다. 마스크 패턴은 광학근접보정된 패턴으로 형성될 수 있다. 따라서, 마스크 패턴의 측정 관심 영역은 타겟 패턴의 측정 관심 영역 보다 작은 길이를 가질 수 있다. 이러한 마스크 패턴의 측정 관심 영역을 다른 측정 관심 영역과 구별하기 위해 대상 측정 관심 영역(target region of interest, target ROI)이라 정의할 수 있다. 대상 측정 관심 영역의 선폭을 계측기로 측정할 수 있다.
대상 측정 관심 영역은 길이가 작으므로, 계측기의 계측 결과의 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 추후에 이를 보정하여 신뢰성을 높일 필요가 있다.
대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정은 마스크 패턴의 생성 후에 곧바로 할 수도 있지만, 추후에 할 수도 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정의 시기는 도 1에 도시된 순서에 제한되지 않는다.
이어서, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S300).
그룹 측정 관심 영역(group region of interest, group ROI)은 대상 측정 관심 영역을 확장한 영역일 수 있다. 그룹 측정 관심 영역은 측정 관심 영역의 길이를 확장하여 계측기의 신뢰성을 높이기 위해 지정될 수 있다.
도 10은 도 1의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 11은 도 3의 광학근접보정 전의 마스크 패턴의 디자인과 도 4의 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인을 오버레이한 도면이다. 도 12는 도 4의 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인에 확장된 그룹 측정 관심 영역을 도시한 도면이다.
도 10을 참조하면, 제1 및 제2 마스크 디자인을 오버레이한다(S310).
구체적으로, 도11을 참조하면, 제1 마스크 디자인은 점선으로 표시된다. 제1 마스크 디자인을 광학근접보정한 제2 마스크 디자인은 실선으로 표시된다. 제2 마스크 디자인은 제1 마스크 디자인의 선폭이 재조절된 디자인이므로 디자인의 블록의 선폭만이 다를 수 있다.
다시, 도 10을 참조하면, 제1 마스크 디자인에 참조 측정 관심 영역을 지정한다(S320).
구체적으로, 도 11을 참조하면, 제2 마스크 디자인은 대상 측정 관심 영역(ROI)를 포함할 수 있다. 상기 제2 마스크 디자인과 오버랩된 제1 마스크 디자인은 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)에 대응되는 영역을 참조 측정 관심 영역(RROI)으로 지정할 수 있다.
상기 참조 측정 관심 영역(RROI)은 동일한 선폭을 가지는 영역으로 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)의 길이보다 훨씬 길 수 있다. 즉, 제1 마스크 디자인은 광학근접보정을 하기 전의 디자인이므로 타겟 패턴의 형상과 유사할 수 있다. 즉, 각각의 선폭이 재조절되지 않아 직선형상의 영역이 길어져 동일한 선폭을 가지는 영역인 참조 측정 관심 영역(RROI)이 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)보다 길게 정의될 수 있다.
다시, 도 10을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S330).
도 12를 참조하면, 제2 마스크 디자인에 상기 참조 측정 관심 영역(RROI)에 대응하는 그룹 측정 관심 영역(GROI)를 지정할 수 있다. 상기 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)의 인접하는 블록을 포함시켜 상기 참조 측정 관심 영역(RROI)에 대응하는 길이로 지정된 영역일 수 있다.
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 상기 블록은 각각의 블록 내에서는 동일한 선폭을 가지는 접하는 영역일 수 있다. 따라서, 상기 블록들은 선폭이 달라지는 부분을 경계로 하는 박스 형태일 수 있다.
다시, 도 1을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S400).
구체적으로 도 11 및 도 12를 참조하면, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 이러한 복수의 블록의 선폭을 각각 모두 측정할 수 있다. 이 때, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI)을 포함하므로 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭도 측정될 수 있다. 단, 앞서 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭이 이미 측정되었다면(도 1의 S200) 중복하여 다시 측정되지 않을 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 측정 시기는 특별히 제한되지 않는다.
다시, 도 1을 참조하면, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 보정한다(S500).
대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭은 앞서 설명하였듯이 대상 측정 관심 영역(ROI)의 길이가 작아 계측기의 측정 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 그룹 측정 관심 영역(GROI)의 선폭을 이용하여 보정할 수 있다.
도 13은 도 1의 측정 관심 영역의 선폭을 보정하는 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 14는 도 1의 측정 관심 영역의 선폭을 보정하는 단계를 세부적으로 설명하기 위한 예시도이다.
도 13을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역의 편차를 계산한다(S510).
구체적으로, 도 14를 참조하면, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI1)과 이웃 블록(ROI2~ROI4)을 포함할 수 있다. 이 때, 단순히 대상 측정 관심 영역(ROI1)의 선폭을 바로 측정하는 것은 대상 측정 관심 영역의 길이가 작으므로 신뢰성이 낮아 이를 보정할 수 있다. 즉, 제2 마스크 디자인 즉, 광학 근접 보정을 한 마스크 디자인 상의 선폭과 계측기에 의한 선폭의 차를 구한다. 상기 선폭의 차를 편차(mean to target, MTT)라고 정의한다.
상기 편차는 그룹 측정 관심 영역(GROI) 전체에 대해서 구해질 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI1)과 이웃 블록(ROI2~ROI4) 전부에 대해서 각각 구해질 수 있다. 도 14에서는 대상 측정 관심 영역(ROI1)에서는 편차가 1.0이고, 이웃 블록(ROI2~ROI4)에서는 각각 2.0, 3.0 및 4.0일 수 있다.
다시, 도 13을 참조하면, 편차의 평균값을 계산한다(S520).
구체적으로 도 14를 참조하면, 상기 편차의 평균값은 1.0, 2.0, 3.0 및 4.0 의 평균값인 2.5가 된다. 즉, 그룹 측정 관심 영역(ROI1~ROI4)의 편차가 대상 측정 관심 영역(ROI1)보다 높은 경향을 보이므로 대상 측정 관심 영역(ROI1)의 실제 계측치도 더 크게 보정이 되어야 할 것이다.
다시, 도 13을 참조하면, 대상 측정 관심 영역의 디자인 상의 선폭에 상기 편차의 평균값을 더한다(S530).
도 14를 참조하면, 대상 측정 관심 영역(ROI1)의 디자인 상의 선폭 200에 상기 편차의 평균값인 2.5를 더한다. 이에 따라, 보정된 계측치인 202.5가 정규화된 선폭(normalized CD based on the design target CD, NCD)으로 획득된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 계측기의 신뢰성을 높이기 위해 측정 관심 영역의 길이를 확장시키는 것이 핵심이다. 측정 관심 영역의 길이가 길수록 계측기의 신뢰성은 높아지는데, 광학근접보정 과정에 의해 의도치 않게 측정 관심 영역의 길이가 줄어들어 계측기의 신뢰성이 줄어들 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 광학근접보정 과정 전의 마스크 디자인을 이용하여 측정 관심 영역의 길이를 확장시켜 계측기의 신뢰성을 높일 수 있다.
이하, 도 15 내지 도 19를 참고하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명한다. 상술한 제1 실시예와 중복되는 부분은 간략히 하거나 생략한다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 16은 마스크 패턴에 따른 타겟 패턴의 패터닝 시뮬레이션 결과 이미지의 예시도이다.
도 15를 참조하면, 마스크 패턴을 생성하고(S100), 이어서, 타겟 패턴 패터닝을 시뮬레이션한다(S150).
구체적으로 도 16을 참조하면, 마스크 디자인을 이용하여 타켓 패턴을 패터닝하기 전에 어떠한 타겟 패턴이 생성될 수 있는지를 시뮬레이션(simulation)할 수 있다.
이러한 시뮬레이션 결과는 실제로 형성되는 타겟 패턴의 형상과 완전히 동일하지는 않지만, 유사한 형상을 결과로 출력할 수 있다. 따라서, 마스크 패턴 제작시에 패터닝을 하지 않고도 결과를 예측할 수 있어 비용 측면에서 활용성이 클 수 있다.
또한, 이러한 시뮬레이션 결과 이미지는 광학근접보정된 마스크 패턴의 디자인처럼 선폭이 불연속적으로 형성되지 않으므로 참조 측정 관심 영역을 지정하여 그룹 측정 관심 영역을 정의하는데에 이용할 수 있다.
다시, 도 15를 참조하면, 마스크 패턴의 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S200).
마스크 패턴은 광학근접보정된 패턴으로 형성될 수 있다. 따라서, 마스크 패턴의 측정 관심 영역은 타겟 패턴의 측정 관심 영역 보다 작은 길이를 가질 수 있다. 이러한 마스크 패턴의 측정 관심 영역을 다른 측정 관심 영역과 구별하기 위해 대상 측정 관심 영역(target region of interest, target ROI)이라 정의할 수 있다. 대상 측정 관심 영역의 선폭을 계측기로 측정할 수 있다. 대상 측정 관심 영역은 길이가 작으므로, 계측기의 계측 결과의 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 추후에 이를 보정하여 신뢰성을 높일 필요가 있다.
대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정은 마스크 패턴의 생성 후에 곧바로 할 수도 있지만, 추후에 할 수도 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정의 시기는 도 15에 도시된 순서에 제한되지 않는다.
이어서, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S300).
그룹 측정 관심 영역(group region of interest, group ROI)은 대상 측정 관심 영역을 확장한 영역일 수 있다. 그룹 측정 관심 영역은 측정 관심 영역의 길이를 확장하여 계측기의 신뢰성을 높이기 위해 지정될 수 있다.
도 17은 도 15의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 17을 참조하면, 시뮬레이션 결과 이미지 및 마스크 디자인을 오버레이한다(S311).
마스크 디자인에 기초하여 마스크 패턴이 형성되고, 상기 마스크 디자인을 이용하여 타겟 패턴을 시뮬레이션 할 수 있으므로 마스크 디자인과 상기 시뮬레이션 결과 이미지는 완전히 동일하지는 않지만 서로 유사 내지 대응되는 형상일 수 있다.
이어서, 시뮬레이션 결과 이미지에 참조 측정 관심 영역을 지정한다(S321).
시뮬레이션 결과 이미지에 참조 측정 관심 영역은 마스크 디자인의 대상 측정 관심 영역에 비해 길게 형성될 수 있다. 이는 원래 직선형의 타겟 패턴을 형성하기 위해 광학근접보정을 한 마스크 디자인을 이용한 시뮬레이션이므로 직선형의 결과가 나오기 때문이다.
도 18은 도 17의 참조 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 19는 참조 측정 관심 영역을 설정된 시뮬레이션 결과 이미지의 도면이다.
도 18을 참조하면, 시뮬레이션 결과 이미지에 대상 측정 관심 영역에 대응되는 영역을 지정한다(S321-1).
구체적으로, 도 19를 참조하면, 대상 측정 관심 영역(ROI)에 대응되는 영역을 찾아서 그 영역에서 연장되는 영역을 참조 측정 관심 영역으로 선정해야 한다. 따라서, 먼저 오버레이된 영역 중 참조 측정 관심 영역과 대응되는 영역을 찾는다.
다시, 도 18을 참조하면, 임계점을 지정한다(S321-2).
구체적으로, 도 19를 참조하면, 임계점(EP1~EP3)은 여러 가지 방법으로 찾을 수 있다. 임계점(EP1~EP3)은 구체적으로 픽셀(pixel)의 명암(contrast), 테두리 검출(edge detection) 및 테두리의 기울기 중 적어도 하나를 이용하여 검출될 수 있다.
시뮬레이션의 결과 이미지는 대상의 높이 및 윤곽에 따라 명암이 달라지므로, 이미지 분석을 통해 명암이 급격히 달라지는 곳을 찾으면 임계점(EP1~EP3)을 찾을 수 있다.
또는 테두리 검출과 같이 이미지 분석 기법을 이용하거나 테두리의 기울기가 미리 설정한 임계값 이상인 경우에 이를 임계점(EP1~EP3)으로 검출할 수도 있다.
다시, 도 18을 참조하면, 참조 측정 관심 영역을 지정한다.
구체적으로 도 19를 참조하면, 임계점을 잇는 영역을 참조 측정 관심 영역(RROI)으로 지정할 수 있다. 이러한 참조 측정 관심 영역(RROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI)보다 길게 형성될 수 있다. 참조 측정 관심 영역(RROI)은 임계점(EP1~EP3) 중 박스를 형성하는 최인접 임계점(EP2, EP3)을 연결하여 형성될 수 있다.
다시, 도 17을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S331).
마스크 디자인에 상기 참조 측정 관심 영역(RROI)에 대응하는 그룹 측정 관심 영역(GROI)를 지정할 수 있다. 상기 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)의 인접하는 블록을 포함시켜 상기 참조 측정 관심 영역(RROI)에 대응하는 길이로 지정된 영역일 수 있다.
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 상기 블록은 각각의 블록 내에서는 동일한 선폭을 가지는 접하는 영역일 수 있다. 따라서, 상기 블록들은 선폭이 달라지는 부분을 경계로 하는 박스 형태일 수 있다.
다시 도 15를 참조하면, 그룹 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S400).
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 이러한 복수의 블록의 선폭을 각각 모두 측정할 수 있다. 이 때, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI)을 포함하므로 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭도 측정될 수 있다. 단, 앞서 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭이 이미 측정되었다면(도 15의 S200) 중복하여 다시 측정되지 않을 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 측정 시기는 특별히 제한되지 않는다.
이어서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 보정한다(S500).
대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭은 앞서 설명하였듯이 대상 측정 관심 영역(ROI)의 길이가 작아 계측기의 측정 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 그룹 측정 관심 영역(GROI)의 선폭을 이용하여 보정할 수 있다.
이하 도 20 내지 도 24를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명한다. 상술한 제1 및 제2 실시예와 중복되는 부분은 간략히 하거나 생략한다.
도 20은 본 발명의 제3 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 20을 참조하면, 마스크 패턴을 생성하고(S100), 이어서, 타겟 패턴을 패터닝하고, 상기 타겟 패턴의 계측 이미지를 획득한다(S160).
마스크 패턴을 생성한 후에 상기 마스크 패턴을 이용하여 노광 및 식각공정을 거쳐 타겟 패턴을 패터닝할 수 있다. 이러한 타겟 패턴은 광학근접보정된 마스크 패턴에 의해서 형성된 패턴일 수 있다. 마스크 패턴의 광학근접보정은 실제 타겟 패턴의 선폭의 변화를 없애기 위한 것이다. 따라서, 타겟 패턴은 상기 마스크 패턴의 디자인처럼 선폭이 불연속적으로 형성되지 않을 수 있다.
타겟 패턴을 패터닝하고, 상기 타겟 패턴의 계측이미지를 획득할 수 있다. 상기 계측 이미지는 상기 타겟 패턴을 나타내는 이미지면 충분하므로 특별히 제한되는 것은 아니다. 상기 계측 이미지는 예를 들어, 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지를 포함할 수 있다.
이어서, 마스크 패턴의 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S200).
마스크 패턴은 광학근접보정된 패턴으로 형성될 수 있다. 따라서, 마스크 패턴의 측정 관심 영역은 타겟 패턴의 측정 관심 영역 보다 작은 길이를 가질 수 있다. 이러한 마스크 패턴의 측정 관심 영역을 다른 측정 관심 영역과 구별하기 위해 대상 측정 관심 영역(target region of interest, target ROI)이라 정의할 수 있다. 대상 측정 관심 영역의 선폭을 계측기로 측정할 수 있다. 대상 측정 관심 영역은 길이가 작으므로, 계측기의 계측 결과의 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 추후에 이를 보정하여 신뢰성을 높일 필요가 있다.
대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정은 마스크 패턴의 생성 후에 곧바로 할 수도 있지만, 추후에 할 수도 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정의 시기는 도 20에 도시된 순서에 제한되지 않는다.
이어서, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S300).
그룹 측정 관심 영역(group region of interest, group ROI)은 대상 측정 관심 영역을 확장한 영역일 수 있다. 그룹 측정 관심 영역은 측정 관심 영역의 길이를 확장하여 계측기의 신뢰성을 높이기 위해 지정될 수 있다.
도 21은 도 20의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 22는 타겟 패턴의 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지에서 엣지를 추출하기 위한 작업을 설명하기 위한 예시도이다. 도 23은 도 22의 엣지 추출 작업에 따른 엣지 추출 결과를 나타내는 그래프의 예시도이고, 도 24는 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 디자인에 주사전자현미경 이미지의 참조 측정 관심 영역을 오버레이한 도면이다.
도 21을 참조하면, 타겟 패턴 계측 이미지 및 마스크 디자인을 오버레이한다(S312).
마스크 디자인에 기초하여 마스크 패턴이 형성되고, 상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 패터닝 하므로 마스크 디자인과 상기 타겟 패턴의 계측 이미지는 완전히 동일하지는 않지만 서로 유사 내지 대응되는 형상일 수 있다.
이어서, 타겟 패턴 계측 이미지에 참조 측정 관심 영역을 지정한다(S322).
구체적으로, 도 20을 참조하면, 타겟 패턴의 계측 이미지의 참조 측정 관심 영역은 마스크 디자인의 대상 측정 관심 영역에 비해 길게 형성될 수 있다. 이는 원래 직선형의 타겟 패턴을 형성하기 위해 마스크 디자인에 광학근접보정을 한 것이기 때문이다.
참조 측정 관심 영역을 지정하기 위해서는 대상 측정 관심 영역에 대응하는 영역을 찾고, 이에 연장되는 영역의 임계점(EP4, EP5)을 찾는다. 임계점을 찾는 방법은 여러 가지일 수 있다. 구체적으로, 픽셀(pixel)의 명암(contrast), 테두리 검출(edge detection) 및 테두리의 기울기 중 적어도 하나를 이용하여 검출될 수 있다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 테두리 검출을 이용하여 임계점을 찾을 수 있다. 상기 대상 측정 관심 영역에 대응되는 영역에서 연장되는 부분의 엣지를 10개의 픽셀을 주기로 모두 검출할 수 있다. 이 때, 선폭의 변화가 크게 일어나는 부분을 임계점(EP4, EP5)로 지정할 수 있다. 이러한 임계점을 모두 잇는 영역을 상기 참조 측정 관심 영역으로 지정할 수 있다. 도 20 및 도 21에서는 S의 간격을 가지는 영역이 참조 측정 관심 영역이 될 수 있다.
다시, 도 21을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S332).
구체적으로 도 24를 참조하면, 마스크 디자인에서 상기 타겟 패턴의 계측 이미지의 참조 측정 관심 영역에 대응하는 부분을 그룹 측정 관심 영역(GROI)으로 지정할 수 있다. 상기 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 상기 대상 측정 관심 영역(ROI)의 인접하는 블록을 포함시켜 상기 참조 측정 관심 영역에 대응하는 길이로 지정된 영역일 수 있다.
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 상기 블록은 각각의 블록 내에서는 동일한 선폭을 가지는 접하는 영역일 수 있다. 따라서, 상기 블록들은 선폭이 달라지는 부분을 경계로 하는 박스 형태일 수 있다.
다시 도 20을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S400).
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 이러한 복수의 블록의 선폭을 각각 모두 측정할 수 있다. 이 때, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI)을 포함하므로 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭도 측정될 수 있다. 단, 앞서 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭이 이미 측정되었다면(도 20의 S200) 중복하여 다시 측정되지 않을 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 측정 시기는 특별히 제한되지 않는다.
이어서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 보정한다(S500).
대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭은 앞서 설명하였듯이 대상 측정 관심 영역(ROI)의 길이가 작아 계측기의 측정 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 그룹 측정 관심 영역(GROI)의 선폭을 이용하여 보정할 수 있다.
이하 도 1 내지 도 25 내지 도 27를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명한다. 상술한 제1 내지 제3 실시예와 중복되는 부분은 간략히 하거나 생략한다.
도 1을 참조하면, 마스크 패턴을 생성하고(S100), 마스크 패턴의 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S200).
마스크 패턴은 광학근접보정된 패턴으로 형성될 수 있다. 따라서, 마스크 패턴의 측정 관심 영역은 타겟 패턴의 측정 관심 영역 보다 작은 길이를 가질 수 있다. 이러한 마스크 패턴의 측정 관심 영역을 다른 측정 관심 영역과 구별하기 위해 대상 측정 관심 영역(target region of interest, target ROI)이라 정의할 수 있다. 대상 측정 관심 영역의 선폭을 계측기로 측정할 수 있다. 대상 측정 관심 영역은 길이가 작으므로, 계측기의 계측 결과의 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 추후에 이를 보정하여 신뢰성을 높일 필요가 있다.
대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정은 마스크 패턴의 생성 후에 곧바로 할 수도 있지만, 추후에 할 수도 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역의 선폭의 측정의 시기는 도 1에 도시된 순서에 제한되지 않는다.
이어서, 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S300).
그룹 측정 관심 영역(group region of interest, group ROI)은 대상 측정 관심 영역을 확장한 영역일 수 있다. 그룹 측정 관심 영역은 측정 관심 영역의 길이를 확장하여 계측기의 신뢰성을 높이기 위해 지정될 수 있다.
도 25는 본 발명의 제4 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위해 도 1의 그룹 측정 관심 영역 지정 단계를 세부적으로 설명하기 위한 순서도이고, 도 26은 광학근접보정 후의 마스크 패턴의 관심 측정 영역과 이웃 블록 간의 선폭의 차이를 나타낸 예시도이다. 도 27은 도 26의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 25를 참조하면, 마스크 패턴의 디자인의 대상 측정 관심 영역의 이웃 블록의 선폭을 측정한다(S313).
도 26을 참조하면, 마스크 패턴 디자인은 타겟 포지션(TP), 대상 측정 관심 영역(ROI), 허용 디자인 갭(AG), 한계 디자인 갭(CG) 및 그룹 측정 관심 영역(GROI)을 포함한다.
타겟 포지션(TP)은 선폭을 측정하고자 하는 부분을 말한다. 타겟 포지션(TP)이 지정되면 타겟 포지션(TP)이 속해 있는 대상 측정 관심 영역(ROI)이 지정될 수 있다. 대상 측정 관심 영역(ROI)은 타겟 포지션(TP)과 동일한 선폭을 가지는 영역이다.
대상 측정 관심 영역(ROI)의 이웃 블록들은 각각의 블록들아 동일한 선폭을 가지는 영역일 수 있다. 이러한 이웃 블록들의 선폭을 측정한다. 먼저, 가장 인접한 이웃 블록의 선폭을 측정한다. 연장되는 방향이 양방향이므로 가장 인접한 이웃 블록은 2개일 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
허용 디자인 갭(AG)은 인접한 이웃 블록의 선폭과 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 차가 미리 설정된 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 작은 부분을 의미한다. 이러한 경우에는 그룹 측정 관심 영역(GROI)에 상기 허용 디자인 갭(AG)을 가지는 이웃 블록이 포함될 수 있다.
이웃 블록이 허용 디자인 갭(AG)을 가진다고 판단되면 당해 이웃 블록을 그룹 측정 관심 영역(GROI)에 포함시키고 다시 당해 이웃 블록에 가장 인접한 다른 이웃 블록의 선폭을 측정한다. 만일 새로 측정한 이웃 블록도 허용 디자인 갭(AG)을 가지면 새로 측정한 이웃 블록도 그룹 측정 관심 영역(GROI)에 포함시키고, 다시 포함된 이웃 블록에 가장 인접한 다른 이웃 블록의 선폭을 계속하여 측정한다.
만일, 이웃 블록의 선폭과 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 차가 미리 설정된 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 크다면, 이는 한계 디자인 갭(CG)에 해당된다. 한계 디자인 갭(CG)을 가지는 이웃 블록은 그룹 측정 관심 영역(GROI)에 포함되지 않을 수 있다.
구체적으로, 도 27을 참조하면, 제1 거리(G1)와 제2 거리(G2)는 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 작은 거리이므로 제1 거리(G1)와 제2 거리(G2)에 대응하는 이웃 블록은 허용 디자인 갭(AG)에 해당할 수 있다. 이에 반해, 제3 거리(G3)는 임계 디자인 갭보다 큰 거리이므로, 제3 거리(G3)에 대응하는 이웃 블록은 한계 디자인 갭(CG)에 해당할 수 있다.
다시, 도 25를 참조하면, 임계 디자인 갭을 이용하여 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S323).
구체적으로 도 26을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 허용 디자인 갭(AG)을 가지는 이웃 블록을 포함시키고, 한계 디자인 갭(CG)을 가지는 이웃 블록은 포함시키지 않는다. 또한, 허용 디자인 갭(AG)을 가지는 이웃 블록은 모두 접하고있어야 한다. 즉, 허용 디자인 갭(AG)을 가지는 이웃 블록 사이에 한계 디자인 갭(CG)을 가지는 이웃 블록이 있다면, 한계 디자인 갭(CG)을 가지는 이웃 블록을 기준으로 대상 측정 관심 영역(ROI)에 가까운 허용 디자인 갭(AG)을 가지는 이웃 블록만이 그룹 측정 관심 영역(GROI)에 포함될 수 있다.
본 실시예의 마스크 패턴의 선폭 계측 방법은 다른 외부 자료 없이 임계 디자인 갭을 설정하는 것만으로 그룹 측정 관심 영역(GROI)을 지정할 수 있어 보다 간단하고 효율적인 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화가 가능하다.
다시, 도 1을 참조하면, 그룹 측정 관심 영역의 선폭을 측정한다(S400).
그룹 측정 관심 영역(GROI)은 복수의 블록을 포함할 수 있다. 이러한 복수의 블록의 선폭을 각각 모두 측정할 수 있다. 이 때, 그룹 측정 관심 영역(GROI)은 대상 측정 관심 영역(ROI)을 포함하므로 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭도 측정될 수 있다. 단, 앞서 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭이 이미 측정되었다면(도 1의 S200) 중복하여 다시 측정되지 않을 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭의 측정 시기는 특별히 제한되지 않는다.
또한, 본 실시예의 경우 이미 그룹 측정 관심 영역(GROI)이 지정되는 과정에서 이웃 블록의 선폭도 모두 측정되었으므로 중복하여 다시 측정되지 않을 수 있다. 즉, 대상 측정 관심 영역(ROI)뿐만 아니라 전체의 그룹 측정 관심 영역(GROI)의 선폭의 측정 시기도 특별히 제한되지 않는다.
이어서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 보정한다(S500).
대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭은 앞서 설명하였듯이 대상 측정 관심 영역(ROI)의 길이가 작아 계측기의 측정 신뢰성이 낮을 수 있다. 따라서, 대상 측정 관심 영역(ROI)의 선폭을 그룹 측정 관심 영역(GROI)의 선폭을 이용하여 보정할 수 있다.
이하, 도 28 및 도 29를 참조하여 본 발명의 제5 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명한다. 상술한 제1 내지 제43 실시예와 중복되는 부분은 간략히 하거나 생략한다.
도 28은 본 발명의 제5 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 29는 본 발명의 제5 실시예에 따른 마스크 패턴의 선폭 계측 방법을 설명하기 위한 계측기의 관측 시야(field of view, FOV)를 나타낸 개념도이다.
도 28을 참조하면, 계측기의 관측 시야(field of view, FOV) 내에서 선폭을 이용하여 후보 측정 관심 영역을 선정한다(S600).
계측기의 관측 시야는 여러가지 영역의 패턴이 한꺼번에 표시될 수 있다. 따라서, 계측자가 의도한 패턴이 어떠한 것인지를 알기가 쉽지 않을 수 있다. 이러한 때에, 선폭을 이용하여 여러 패턴 중 상기 선폭을 가지는 복수의 패턴을 후보 측정 관심 영역으로 지정할 수 있다.
이 때, 상기 "선폭"은 미세한 차이 혹은 미리 설정된 편차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
구체적으로, 도 29를 참조하면, 관측 시야(FOV) 내에 여러 패턴 중 우리가 원하는 지점(target position)은 하나이지만 유사한 패턴이 많아 어느 패턴이 우리가 원하는 패턴인지 혼동될 수 있다. 따라서, 우리가 알고 있는 선폭을 이용하여 후보 측정 관심 영역(ROI1~ROI6)을 지정한다.
각각의 후보 측정 관심 영역(ROI1~ROI6)은 이웃 블록(ROI1-1~ROI1-3, ROI2-1~ROI2-3, ROI3-1~ROI3-3, ROI4-1, ROI5-1, ROI6-1)과 인접해 있을 수 있다.
다시, 도 28을 참조하면, 각각의 후보 측정 관심 영역의 후보 그룹 측정 관심 영역을 지정한다(S700).
구체적으로, 도 29를 참조하면, 각각의 후보 측정 관심 영역(ROI1~ROI6)은 상기 제1 내지 제4 실시예의 마스크 패턴의 측정 관심 영역 그룹화 방법에 따라 각각의 후보 그룹 측정 관심 영역(1~6)을 가질 수 있다.
다시, 도 28을 참조하면, 미리 설정된 관심 영역의 거리 범위를 이용하여 대상 그룹 측정 관심 영역을 선정한다(S800).
구체적으로, 도 29를 참조하면, 미리 설정된 관심 영역 거리 범위(ROI length range)을 이용하여 상기 관심 영역 거리 범위 외의 길이를 가지는 후보 그룹 측정 관심 영역(4~6)을 제외할 수 있다.
이어서 나머지 후보 그룹 측정 관심 영역(1~3) 중 미리 설정된 관심 영역 거리와 가장 유사한 후보 그룹 측정 관심 영역(1)을 대상 그룹 측정 관심 영역으로 선정할 수 있다. 상기 대상 그룹 측정 관심 영역은 계측자가 의도한 측정 관심 영역을 포함할 수 있다.
이어서, 측정 관심 영역의 선폭을 측정하고, 상기 대상 그룹 측정 관심 영역의 이웃 블록의 선폭을 측정하여 상기 측정 관심 영역의 선폭을 보정할 수 있다. 이에 따라, 계측자가 원하는 측정 관심 영역을 쉽게 찾을 수 있고, 측정 관심 영역의 선폭을 신뢰성 높게 계측할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
ROI: 대상 측정 관심 영역
RROI: 참조 측정 관심 영역
GROI: 그룹 측정 관심 영역

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 블록을 포함하는 광학근접보정(optical proximity correction, OPC)된 마스크 디자인에 따른 마스크 패턴을 생성하고,
    상기 마스크 패턴에서, 동일한 선폭(critical dimension, CD)을 갖는 서로 인접한 블록을 포함하는 대상 측정 관심 영역(target-region of interest, target-ROI)의 제1 선폭을 측정하고,
    상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 그룹 측정 관심 영역을 지정하고,
    상기 그룹 측정 관심 영역의 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고,
    상기 제2 선폭들의 측정치를 이용하여 상기 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것을 포함하되,
    상기 마스크 패턴을 생성하는 것은, 제1 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제1 마스크 디자인을 광학근접보정하여 제2 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제2 마스크 디자인에 따라 상기 마스크 패턴을 생성하는 것을 포함하고,
    상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 제2 마스크 디자인과, 상기 제1 마스크 디자인을 오버레이(overlay)하고, 상기 제1 마스크 디자인의 참조 측정 관심 영역을 정의하고,상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 패턴의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하는 시뮬레이션을 하는 것을 더 포함하고,
    상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은,
    상기 마스크 디자인과, 상기 시뮬레이션 결과 이미지를 오버레이하고,
    상기 시뮬레이션 결과 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하고,
    상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 디자인의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 시뮬레이션 결과 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하는 것은,
    상기 시뮬레이션 결과 이미지에서 상기 대상 측정 관심 영역에 대응하는 제3 영역을 찾고,
    상기 제3 영역에서 연장되고, 상기 제3 영역과 동일한 선폭을 갖는 제4 영역을 찾고,
    상기 제4 영역을 상기 참조 측정 관심 영역으로 정의하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하여 상기 타겟 패턴의 계측 이미지를 획득하는 것을 더 포함하고,
    상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은,
    상기 마스크 디자인과, 상기 타겟 패턴의 계측 이미지를 오버레이하고,
    상기 계측 이미지의 참조 측정 관심 영역을 정의하고,
    상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 디자인의 영역을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은,
    상기 대상 측정 관심 영역과 인접한 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고,
    상기 대상 측정 관심 영역 및 상기 제1 선폭과 각각의 상기 제2 선폭의 차이가 미리 설정된 임계 디자인 갭(critical design gap)보다 크지 않고, 상기 대상 측정 관심 영역과 인접하는 이웃 블록을 상기 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  8. 계측기의 관측 시야(field of view, FOV) 내에 마스크 패턴의 제1 선폭을 가지는 후보 측정 관심 영역을 찾고,
    상기 마스크 패턴의 광학근접보정을 하기 전의 마스크 디자인, 상기 마스크 패턴을 이용하여 타겟 패턴을 형성하는 시뮬레이션의 결과 이미지 및 상기 타겟 패턴의 계측 이미지 중 적어도 하나를 이용하여 상기 후보 측정 관심 영역 및 상기 후보 측정 관심 영역과 인접한 적어도 하나의 이웃 블록을 포함하는 후보 그룹 측정 관심 영역을 지정하고,
    상기 후보 그룹 측정 관심 영역 중 미리 설정한 관심 영역 거리 범위(ROI length range) 외의 후보 그룹 측정 관심 영역을 제외하여 대상 측정 관심 영역이 포함된 대상 그룹 측정 관심 영역을 찾고,
    상기 대상 측정 관심 영역의 상기 제1 선폭을 측정하고,
    상기 대상 그룹 측정 관심 영역 내의 이웃 블록의 이웃 블록들의 제2 선폭들을 측정하고,
    상기 제2 선폭들의 측정치를 이용하여 상기 제1 선폭의 측정치를 보정하는 것을 포함하되,
    상기 마스크 패턴을 생성하는 것은, 제1 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제1 마스크 디자인을 광학근접보정하여 제2 마스크 디자인을 생성하고, 상기 제2 마스크 디자인에 따라 상기 마스크 패턴을 생성하는 것을 포함하고,
    상기 대상 그룹 측정 관심 영역을 지정하는 것은, 상기 제2 마스크 디자인과, 상기 제1 마스크 디자인을 오버레이(overlay)하고, 상기 제1 마스크 디자인의 참조 측정 관심 영역을 정의하고, 상기 참조 측정 관심 영역에 대응되는 상기 마스크 패턴의 영역을 상기 대상 그룹 측정 관심 영역으로 지정하는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 대상 그룹 측정 관심 영역을 찾는 것은,
    미리 설정된 관심 영역 거리와 가장 유사한 후보 그룹 측정 관심 영역을 상기 대상 그룹 측정 관심 영역으로 찾는 것을 포함하는 마스크 패턴의 선폭 계측 방법.
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