KR102234045B1 - Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using thereof - Google Patents

Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102234045B1
KR102234045B1 KR1020140129485A KR20140129485A KR102234045B1 KR 102234045 B1 KR102234045 B1 KR 102234045B1 KR 1020140129485 A KR1020140129485 A KR 1020140129485A KR 20140129485 A KR20140129485 A KR 20140129485A KR 102234045 B1 KR102234045 B1 KR 102234045B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
copper foil
polyimide
copper
less
Prior art date
Application number
KR1020140129485A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150037602A (en
Inventor
아키라 모리
다케시 도쿠야마
Original Assignee
닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 filed Critical 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
Publication of KR20150037602A publication Critical patent/KR20150037602A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102234045B1 publication Critical patent/KR102234045B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B32B15/088Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyamides
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide

Abstract

(과제) 전자 기기의 소형화·고성능화에 수반하는 고주파화에 대한 대응을 가능하게 하는 구리 피복 적층판, 프린트 배선판 및 그 사용 방법을 제공한다.
(해결 수단) 구리 피복 적층판은, 폴리이미드 절연층과, 그 폴리이미드 절연층의 적어도 일방의 면에 동박을 구비하고 있다. 폴리이미드 절연층은, 열선 팽창 계수가 0 ppm/K 이상 30 ppm/K 이하의 범위 내이며, 수학식 (i) ; E1 = √ε1 × Tanδ1 … (i)
[여기서, ε1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전율을 나타내고, Tanδ1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트를 나타낸다] 에 기초하여 산출되는, 유전 특성을 나타내는 지표인 E1 값이 0.009 미만이다. 또한, 동박은, 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 제곱 평균 조도 (Rq) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만의 범위 내이다.
(Problem) Provided are a copper clad laminate, a printed wiring board, and a method of using the same, which enable countermeasures to a high frequency increase accompanying miniaturization and high performance of electronic devices.
(Solution means) The copper clad laminate includes a polyimide insulating layer and a copper foil on at least one surface of the polyimide insulating layer. The polyimide insulating layer has a thermal line expansion coefficient in the range of 0 ppm/K or more and 30 ppm/K or less, and the formula (i); E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 … (i)
[Here, ε 1 represents the dielectric constant at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tanδ 1 represents the dielectric tangent at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method.] The value of E 1 , which is an index indicating that, is less than 0.009. In addition, the copper foil has a square average roughness (Rq) of 0.05 µm or more and less than 0.5 µm of a surface in contact with the polyimide insulating layer.

Description

구리 피복 적층판, 프린트 배선판 및 그 사용 방법{COPPER-CLAD LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD AND METHOD OF USING THEREOF}Copper clad laminate, printed wiring board, and how to use the same {COPPER-CLAD LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD AND METHOD OF USING THEREOF}

본 발명은, 폴리이미드 절연층과 동박층을 갖는 구리 피복 적층판, 그리고 이 구리 피복 적층판의 동박층을 배선 회로 가공한 프린트 배선판 및 그 사용 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a copper clad laminate having a polyimide insulating layer and a copper foil layer, and a printed wiring board obtained by processing the copper foil layer of the copper clad laminate into a wiring circuit, and a method of using the same.

최근, 전자 기기의 소형화, 경량화, 공간 절약화의 진전에 수반하여, 얇고 경량이며, 가요성을 갖고, 굴곡을 반복해도 우수한 내구성을 갖는 플렉시블 프린트 배선판 (FPC ; Flexible Printed Circuits) 의 수요가 증대되고 있다. FPC 는, 한정된 스페이스에서도 입체적 또한 고밀도의 실장이 가능하기 때문에, 예를 들어, HDD, DVD, 휴대 전화 등의 전자 기기의 가동 (可動) 부분의 배선이나, 케이블, 커넥터 등의 부품으로 그 용도가 확대되고 있다.In recent years, with the progress of miniaturization, weight reduction, and space saving of electronic devices, the demand for flexible printed circuits (FPCs) that are thin, lightweight, flexible, and having excellent durability even when bending is repeated is increasing. have. Since FPC can be mounted in three-dimensional and high-density even in a limited space, for example, it can be used as a component such as a wiring or a cable or a connector for moving parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, and mobile phones. It is expanding.

상기 서술한 고밀도화에 더하여, 기기의 고성능화가 진행된 점에서, 전송 신호의 고주파화에 대한 대응도 필요시되고 있다. 정보 처리나 정보 통신에 있어서는, 대용량 정보를 전송·처리하기 위해서 전송 주파수를 높게 하는 대처가 이루어지고 있고, 프린트 기판 재료는 절연층의 박화 (薄化) 와 절연층의 저유전화에 의한 전송 손실의 저하가 요구되고 있다. 종래의 폴리이미드를 사용한 FPC 는, 폴리이미드의 유전율이나 유전 탄젠트가 높고, 고주파역에서의 전송 손실이 높기 때문에, 고주파화에 대한 적응이 어려웠다. 따라서, 지금까지는 고주파화에 대응하기 위해서 저유전율, 저유전 탄젠트를 특징으로 한 액정 폴리머를 유전체층으로 한 FPC 가 주로 사용되고 있다. 그러나, 액정 폴리머는 유전 특성이 우수하기는 하지만, 내열성이나 금속박과의 접착성에 개선의 여지가 있다.In addition to the above-described high-density increase, since the high-performance of the device has progressed, it is also necessary to cope with the high frequency of the transmission signal. In information processing and information communication, measures have been taken to increase the transmission frequency in order to transmit and process large amounts of information, and the printed circuit board material reduces the transmission loss due to the thinning of the insulating layer and the low flow rate of the insulating layer. Lowering is being demanded. Conventional FPC using polyimide has a high dielectric constant and dielectric tangent of a polyimide, and a high transmission loss in a high frequency range, making it difficult to adapt to a high frequency. Therefore, up to now, in order to cope with high frequency, FPCs made of a liquid crystal polymer characterized by a low dielectric constant and a low dielectric tangent as a dielectric layer have been mainly used. However, although the liquid crystal polymer is excellent in dielectric properties, there is room for improvement in heat resistance and adhesion to metal foil.

내열성이나 접착성을 개선하기 위해, 폴리이미드를 절연층으로 한 금속 피복 적층체가 제안되어 있다 (특허문헌 1). 특허문헌 1 에 의하면, 일반적으로 고분자 재료의 모노머에 지방족계의 것을 사용함으로써 유전율이 저하되는 것이 알려져 있지만, 지방족 (사슬형) 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하여 얻어진 폴리이미드의 내열성은 현저하게 낮기 때문에, 땜납 등의 가공에 제공하는 것이 불가능해져 실용상 문제가 있다고 되어 있다. 또, 특허문헌 1 에서는, 지환족 테트라카르복실산 2 무수물을 사용하면 사슬형의 것에 비해 내열성이 향상된 폴리이미드가 얻어진다고 하고 있다. 그러나, 이와 같은 폴리이미드 필름은, 10 ㎓ 에 있어서의 유전율이 3.2 이하이지만, 유전 탄젠트는 0.01 을 초과하는 것으로, 유전 특성은 여전히 충분하지 않았다.In order to improve heat resistance and adhesion, a metal-clad laminate made of polyimide as an insulating layer has been proposed (Patent Document 1). According to Patent Document 1, it is generally known that the dielectric constant is lowered by using an aliphatic monomer as a polymer material, but the heat resistance of a polyimide obtained using an aliphatic (chain type) tetracarboxylic dianhydride is remarkably low. Therefore, it becomes impossible to provide for processing such as solder, and it is said that there is a problem in practical use. Moreover, in Patent Document 1, it is said that, when an alicyclic tetracarboxylic dianhydride is used, a polyimide having improved heat resistance compared to that of a chain type can be obtained. However, such a polyimide film had a dielectric constant of 3.2 or less at 10 GHz, but the dielectric tangent exceeded 0.01, and the dielectric properties were still not sufficient.

유전 특성을 개선하기 위해, 도체 회로를 형성하는 동박에 접하는 폴리이미드층의 이미드기 농도를 제어한 구리 피복 적층판이 제안되어 있다 (특허문헌 2). 특허문헌 2 에 의하면, 동박의 표면 조도 (Rz) 와 동박에 접하는 면의 저이미드기 농도의 폴리이미드층의 조합에 의해 유전 특성을 제어할 수 있다고 하고 있지만, 그 제어에는 한계가 있고, 전송 특성도 충분히 만족할 수 있는 것은 아니었다.In order to improve dielectric properties, a copper clad laminate has been proposed in which the concentration of imide groups in a polyimide layer in contact with a copper foil forming a conductor circuit is controlled (Patent Document 2). According to Patent Document 2, it is said that the dielectric properties can be controlled by the combination of the surface roughness (Rz) of the copper foil and the polyimide layer having a low imide group concentration on the surface in contact with the copper foil, but there is a limit to the control, and the transmission characteristics Was not enough to be satisfied.

일본 공개특허공보 2004-358961호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-358961 일본 특허공보 제5031639호Japanese Patent Publication No. 5031639

본 발명은, 전자 기기의 소형화·고성능화에 수반하는 고주파화에 대한 대응을 가능하게 하는 구리 피복 적층판, 프린트 배선판 및 그 사용 방법을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a copper clad laminate, a printed wiring board, and a method of using the same, which enables countermeasures to a high frequency increase accompanying miniaturization and high performance of electronic devices.

상기 서술한 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 동박에 있어서의 표피 효과에 착안하여, 특정 표면 상태를 갖는 동박을 도체층으로서 사용함과 함께, 특정 유전 특성을 갖는 폴리이미드를 절연층에 사용함으로써, 고주파 영역에 있어서의 전송 특성이 우수한 FPC 등의 회로 기판이 얻어지는 것을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.In order to solve the above-described problem, the present inventors focused on the skin effect in the copper foil, using a copper foil having a specific surface state as a conductor layer, and using a polyimide having a specific dielectric property for the insulating layer, It has been found that a circuit board such as an FPC having excellent transmission characteristics in a high frequency region can be obtained, and the present invention has been completed.

즉, 본 발명의 구리 피복 적층판은, 폴리이미드 절연층과, 그 폴리이미드 절연층의 적어도 일방의 면에 동박을 구비하고 있다. 본 발명의 구리 피복 적층판은, 상기 폴리이미드 절연층이, 하기의 구성 Ia 및 Ib : That is, the copper clad laminate of the present invention includes a polyimide insulating layer and a copper foil on at least one surface of the polyimide insulating layer. In the copper clad laminate of the present invention, the polyimide insulating layer has the following configurations Ia and Ib:

Ia) 열선 팽창 계수가 0 ppm/K 이상 30 ppm/K 이하의 범위 내이다 ; Ia) The coefficient of thermal expansion is in the range of 0 ppm/K or more and 30 ppm/K or less;

Ib) 하기의 수학식 (i),Ib) the following equation (i),

E1 = √ε1 × Tanδ1 … (i)E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 … (i)

[여기서, ε1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전율을 나타내고, Tanδ1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트를 나타낸다] [Here, ε 1 represents the dielectric constant at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tanδ 1 represents the dielectric tangent at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method.]

에 기초하여 산출되는, 유전 특성을 나타내는 지표인 E1 값이 0.009 미만이다 ; The value of E 1 which is an index indicating dielectric properties calculated based on is less than 0.009;

를 구비하고, 추가로, 상기 동박이, 하기의 구성 c : And, in addition, the copper foil, the following configuration c:

c) 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 제곱 평균 조도 (Rq) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만의 범위 내이다 ; c) The average square roughness (Rq) of the surface in contact with the polyimide insulating layer is within a range of 0.05 µm or more and less than 0.5 µm;

를 구비하고 있다.It is equipped with.

본 발명의 구리 피복 적층판은, 상기 유전율이 3.1 이하이며, 상기 유전 탄젠트가 0.005 미만이어도 된다.In the copper clad laminate of the present invention, the dielectric constant may be 3.1 or less, and the dielectric tangent may be less than 0.005.

본 발명의 구리 피복 적층판은, 상기 동박의 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 산술 평균 높이 (Ra) 가 0.2 ㎛ 이하여도 된다.In the copper clad laminate of the present invention, the arithmetic mean height (Ra) of the surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer may be 0.2 µm or less.

본 발명의 구리 피복 적층판은, 상기 동박의 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 10 점 평균 조도 (Rz) 가 1.5 ㎛ 이하여도 된다.The copper clad laminate of the present invention may have a 10-point average roughness (Rz) of 1.5 µm or less on a surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer.

본 발명의 구리 피복 적층판은, 상기 폴리이미드 절연층의 10 ㎓ 에 있어서의 유전율이 3.0 이하이며, 유전 탄젠트가 0.005 이하여도 된다.The copper clad laminate of the present invention may have a dielectric constant of 3.0 or less in 10 GHz of the polyimide insulating layer and a dielectric tangent of 0.005 or less.

본 발명의 프린트 배선판은, 상기 중 어느 하나의 구리 피복 적층판의 동박을 배선 회로 가공하여 이루어지는 것이다.The printed wiring board of the present invention is obtained by processing the copper foil of any of the above-described copper clad laminates into a wiring circuit.

본 발명의 프린트 배선판의 사용 방법은, 상기 프린트 배선판을 1 ㎓ ∼ 40 ㎓ 의 범위 내의 주파수 영역에서 사용하는 것이 바람직하고, 1 ㎓ ∼ 20 ㎓ 의 범위 내의 주파수 영역에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the method of using the printed wiring board of the present invention, it is preferable to use the printed wiring board in a frequency range within the range of 1 GHz to 40 GHz, and more preferably use in a frequency range within the range of 1 GHz to 20 GHz.

본 발명의 구리 피복 적층판은, 동박의 표피 효과에 의한 저항의 증대를 억제함으로써, 폴리이미드 절연층의 유전 특성을 효과적으로 활용할 수 있으므로, 고속 신호 전송을 필요로 하는 전자 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.The copper clad laminate of the present invention can effectively utilize the dielectric properties of the polyimide insulating layer by suppressing an increase in resistance due to the skin effect of the copper foil, and thus can be preferably used as an electronic material requiring high-speed signal transmission.

도 1 은, 실시예 1 및 참고예 1 ∼ 3 의 결과를 나타내는 그래프.
도 2 는, 시뮬레이션 (1) ∼ (6) 의 결과를 나타내는 그래프.
도 3 은, 시뮬레이션 (7) ∼ (12) 의 결과를 나타내는 그래프.
1 is a graph showing the results of Example 1 and Reference Examples 1-3.
2 is a graph showing the results of simulations (1) to (6).
3 is a graph showing the results of simulations (7) to (12).

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

<구리 피복 적층판><Copper clad laminate>

본 실시형태의 구리 피복 적층판은, 폴리이미드 절연층과, 그 폴리이미드 절연층의 적어도 일방의 면에 동박층을 구비한 구리 피복 적층판으로서, 폴리이미드 절연층의 편면측에만 동박을 구비한 편면 구리 피복 적층판이어도 되고, 폴리이미드 절연층의 양측에 동박을 구비한 양면 구리 피복 적층판이어도 된다. 또한, 양면 구리 피복 적층판은, 예를 들어, 편면 구리 피복 적층판을 형성한 후, 서로 폴리이미드 절연층을 마주보게 하고 열 프레스에 의해 압착하여 형성하는 것이나, 편면 구리 피복 적층판의 폴리이미드 절연층에 동박을 압착하여 형성하는 것 등에 의해 얻을 수 있다.The copper clad laminate of the present embodiment is a copper clad laminate comprising a polyimide insulating layer and a copper foil layer on at least one surface of the polyimide insulating layer, and is a single-sided copper having copper foil on only one side of the polyimide insulating layer. A coated laminate may be sufficient, or a double-sided copper clad laminate provided with copper foil on both sides of the polyimide insulating layer may be used. In addition, the double-sided copper-clad laminate is formed by, for example, forming a single-sided copper-clad laminate and then making the polyimide insulating layers face each other and pressing by hot pressing, or on the polyimide insulating layer of the single-sided copper clad laminate. It can be obtained by forming a copper foil by pressing it.

<폴리이미드 절연층><Polyimide insulating layer>

폴리이미드수지층을 형성하는 폴리이미드로는, 이른바 폴리이미드를 포함하여, 폴리아미드이미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리이미드에스테르, 폴리에테르이미드, 폴리실록산이미드 등의 구조 중에 이미드기를 갖는 내열성 수지가 있다.As the polyimide forming the polyimide resin layer, including so-called polyimide, heat-resistant resins having an imide group in structures such as polyamideimide, polybenzimidazole, polyimide ester, polyetherimide, polysiloxaneimide, etc. have.

폴리이미드 절연층은, 열선 팽창 계수가 0 ∼ 30 ppm/K 의 범위 내에 있는데, 이와 같은 범위 내로 제어함으로써, 구리 피복 적층판을 형성하였을 때의 휨이나 치수 안정성의 저하를 억제할 수 있다. 또, 폴리이미드 절연층은, 단층 또는 복수 층의 폴리이미드층을 갖는데, 저열 팽창성의 폴리이미드층은 베이스 필름층 (절연 수지층의 주층) 으로서의 적용이 바람직하다. 구체적으로는, 열선 팽창 계수가 1 × 10-6 ∼ 30 × 10-6 (1/K) 의 범위 내, 바람직하게는 1 × 10-6 ∼ 25 × 10-6 (1/K) 의 범위 내, 보다 바람직하게는 15 × 10-6 ∼ 25 × 10-6 (1/K) 의 범위 내에 있는 저열 팽창성의 폴리이미드층을 베이스 필름층에 적용하면 큰 효과가 얻어진다. 한편, 상기 열선 팽창 계수를 초과하는 폴리이미드층도 동박층과의 접착층으로서의 적용이 바람직하다. 이와 같은 접착성 폴리이미드층으로서 바람직하게 사용할 수 있는 폴리이미드로서, 그 유리 전이 온도가, 예를 들어 350 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 200 ∼ 320 ℃ 의 범위 내에 있는 것이 보다 바람직하다.Although the polyimide insulating layer has a coefficient of thermal expansion in the range of 0 to 30 ppm/K, by controlling it within such a range, it is possible to suppress warpage and decrease in dimensional stability when a copper clad laminate is formed. Moreover, although the polyimide insulating layer has a single layer or a polyimide layer of multiple layers, application as a base film layer (main layer of an insulating resin layer) of a polyimide layer of low thermal expansion is preferable. Specifically, the coefficient of thermal expansion is in the range of 1 × 10 -6 to 30 × 10 -6 (1/K), preferably in the range of 1 × 10 -6 to 25 × 10 -6 (1/K) , More preferably, a large effect is obtained when a polyimide layer having low thermal expansion properties in the range of 15 × 10 -6 to 25 × 10 -6 (1/K) is applied to the base film layer. On the other hand, it is also preferable to apply a polyimide layer exceeding the thermal-ray expansion coefficient as an adhesive layer with a copper foil layer. As a polyimide that can be preferably used as such an adhesive polyimide layer, the glass transition temperature is preferably 350°C or less, and more preferably in the range of 200 to 320°C.

폴리이미드 절연층의 두께는, 예를 들어, 6 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내인 것이 좋고, 바람직하게는 9 ∼ 45 ㎛ 의 범위 내인 것이 좋다. 폴리이미드 절연층의 두께가 6 ㎛ 에 못 미치면 구리 피복 적층판의 제조 등에 있어서의 반송시에 주름이 생기는 등의 문제가 발생할 우려가 있고, 한편 폴리이미드 절연층의 두께가 50 ㎛ 를 초과하면 구리 피복 적층판의 제조시의 치수 안정성이나 굴곡성 등에 있어서 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 복수의 폴리이미드층으로부터 폴리이미드 절연층을 형성하는 경우에는, 그 합계 두께가 상기 범위 내가 되도록 하면 된다.The thickness of the polyimide insulating layer is, for example, in the range of 6 to 50 µm, and preferably in the range of 9 to 45 µm. If the thickness of the polyimide insulating layer is less than 6 µm, there is a concern that problems such as wrinkles may occur during transport in the manufacture of copper-clad laminates, etc. On the other hand, if the thickness of the polyimide insulating layer exceeds 50 µm, copper coating There is a concern that a problem may occur in dimensional stability or flexibility during manufacture of the laminated plate. Further, when forming a polyimide insulating layer from a plurality of polyimide layers, the total thickness may be within the above range.

(유전 특성)(Genetic characteristics)

폴리이미드 절연층은, 플렉시블 회로 기판 (이하, 「FPC」라고 기재하는 경우가 있다) 등의 회로 기판에 사용하였을 때의 고주파역에 있어서의 전송 특성을 확보하기 위해서, 절연 수지층 전체로서, 상기 식 (ⅰ) 에 기초하여 산출되는, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전 특성을 나타내는 지표인 E1 값이 0.009 미만이며, 바람직하게는 0.0025 ∼ 0.007 의 범위 내가 좋고, 보다 바람직하게는 0.0025 ∼ 0.006 의 범위 내가 좋다. E1 값이 상기 상한을 초과하면, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에, 고주파 신호의 전송 경로 상에서 전기 신호 로스 등의 문제가 발생하기 쉬워진다.The polyimide insulating layer is an insulating resin layer as a whole in order to secure the transmission characteristics in a high frequency band when used for a circuit board such as a flexible circuit board (hereinafter sometimes referred to as "FPC"). The value of E 1 , which is an index indicating dielectric properties at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method calculated based on formula (i), is less than 0.009, preferably in the range of 0.0025 to 0.007, and more preferably A range of 0.0025 to 0.006 is good. When the E 1 value exceeds the above upper limit, when used for a circuit board such as an FPC, problems such as electric signal loss are liable to occur on a transmission path of a high frequency signal.

(유전율 및 유전 탄젠트)(Dielectric constant and dielectric tangent)

폴리이미드 절연층은, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에, 1 ∼ 40 GHz 대에 있어서, 액정 폴리머를 사용하여 제작한 구리 피복 적층판과 동등한 레벨의 전송 손실로 하기 위해서, 3 ㎓ 에 있어서의 유전율 (ε1) 은 바람직하게는 3.1 이하가 좋고, 유전 탄젠트 (Tanδ1) 는 바람직하게는 0.005 미만으로 하는 것이 좋다. 폴리이미드 절연층의 3 ㎓ 에 있어서의 유전율이 3.1 을 초과하고, 유전 탄젠트가 0.005 이상이면, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에, 전기 신호 로스의 문제가 발생하기 쉬워진다.When the polyimide insulating layer is used for a circuit board such as an FPC, the dielectric constant at 3 GHz is in the range of 1 to 40 GHz to achieve a transmission loss equivalent to that of a copper clad laminate produced using a liquid crystal polymer. (ε 1 ) is preferably 3.1 or less, and the dielectric tangent (Tanδ 1 ) is preferably less than 0.005. When the dielectric constant at 3 GHz of the polyimide insulating layer exceeds 3.1 and the dielectric tangent is 0.005 or more, the problem of electric signal loss tends to occur when used for a circuit board such as an FPC.

또, 폴리이미드 절연층은, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에 전송 손실을 액정 폴리머와 동등한 레벨로 저하시키기 위해서, 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트가 0.005 미만인 것이 바람직하다. 폴리이미드 절연층의 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트가 0.005 이상이 되면, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에, 고주파 신호의 전송 경로 상에서 전기 신호 로스가 발생한다.In addition, the polyimide insulating layer preferably has a dielectric tangent of less than 0.005 at 3 GHz in order to lower the transmission loss to a level equivalent to that of a liquid crystal polymer when used for a circuit board such as an FPC. When the dielectric tangent at 3 GHz of the polyimide insulating layer is 0.005 or more, when used for a circuit board such as an FPC, an electric signal loss occurs on a transmission path of a high frequency signal.

또한, 폴리이미드 절연층은, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때에, 액정 폴리머와 동등한 레벨로 전송 손실을 저하시키려면, 10 ㎓ 에 있어서의 유전율이 바람직하게는 3.0 이하이며, 유전 탄젠트가 0.005 이하인 것이 좋다. 폴리이미드 절연층의 유전 특성을 이와 같은 범위 내로 제어함으로써, FPC 등의 회로 기판에 사용하였을 때의, 고주파 신호의 전송 경로 상에서 전송 로스를 억제할 수 있다.In addition, when the polyimide insulating layer is used for a circuit board such as an FPC, in order to reduce the transmission loss to a level equivalent to that of a liquid crystal polymer, the dielectric constant at 10 GHz is preferably 3.0 or less, and the dielectric tangent is 0.005 or less. It is good. By controlling the dielectric properties of the polyimide insulating layer within such a range, it is possible to suppress a transmission loss on a transmission path of a high-frequency signal when used for a circuit board such as an FPC.

폴리이미드 절연층의 두께나 물성의 컨트롤 용이함으로부터, 폴리아미드산 용액을 동박 상에 직접 도포한 후, 열 처리에 의해 건조, 경화시키는 이른바 캐스트 (도포) 법에 의한 것이 바람직하다. 또, 폴리이미드 절연층을 복수 층으로 하는 경우, 상이한 구성 성분으로 이루어지는 폴리아미드산 용액 상에 다른 폴리아미드산 용액을 순차적으로 도포하여 형성할 수 있다. 폴리이미드 절연층이 복수 층으로 이루어지는 경우, 동일한 구성의 폴리이미드 전구체 수지를 2 회 이상 사용해도 된다.From the ease of control of the thickness and physical properties of the polyimide insulating layer, it is preferable to use a so-called cast (coating) method in which a polyamic acid solution is applied directly onto the copper foil and then dried and cured by heat treatment. In addition, when the polyimide insulating layer is formed into a plurality of layers, it can be formed by sequentially applying another polyamic acid solution onto a polyamic acid solution composed of different constituent components. When the polyimide insulating layer consists of a plurality of layers, a polyimide precursor resin having the same configuration may be used two or more times.

폴리이미드 절연층을 형성하기 위해서 특히 바람직한 폴리이미드는, 방향족 테트라카르복실산 무수물을 함유하는 산 무수물 성분과, 다이머산의 2 개의 말단 카르복실산기가 1 급의 아미노메틸기 또는 아미노기로 치환되어 이루어지는 다이머산형 디아민 및 방향족 디아민을 함유하는 디아민 성분을 반응시켜 얻어지는 폴리이미드로서, 상기 다이머산형 디아민이 전체 디아민 성분에 대해 4 ∼ 40 몰% 의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.A particularly preferred polyimide for forming the polyimide insulating layer is a dimer in which an acid anhydride component containing an aromatic tetracarboxylic anhydride and two terminal carboxylic acid groups of a dimer acid are substituted with a primary aminomethyl group or an amino group. As a polyimide obtained by reacting a diamine component containing an acid-type diamine and an aromatic diamine, it is preferable that the dimer acid-type diamine is in the range of 4 to 40 mol% with respect to all the diamine components.

이와 같은 폴리이미드는, 하기의 일반식 (1) 및 (2) 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드가 바람직하다.Such a polyimide is preferably a polyimide having a structural unit represented by the following general formulas (1) and (2).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014092127099-pat00001
Figure 112014092127099-pat00001

[식 중, Ar 은 방향족 테트라카르복실산 무수물로부터 유도되는 4 가의 방향족기, R1 은 다이머산형 디아민으로부터 유도되는 2 가의 다이머산형 디아민 잔기, R2 는 방향족 디아민으로부터 유도되는 2 가의 방향족 디아민 잔기를 각각 나타내고, m, n 은 각 구성 단위의 존재 몰비를 나타내고, m 은 0.04 ∼ 0.4 의 범위 내, n 은 0.6 ∼ 0.96 의 범위 내이다] [In the formula, Ar is a tetravalent aromatic group derived from an aromatic tetracarboxylic anhydride, R 1 is a divalent dimer acid type diamine residue derived from a dimer acid type diamine, and R 2 is a divalent aromatic diamine residue derived from an aromatic diamine. Respectively, m and n represent the molar ratios of each constituent unit, m is in the range of 0.04 to 0.4, and n is in the range of 0.6 to 0.96]

기 Ar 은, 예를 들어 하기의 식 (3) 또는 식 (4) 로 나타내는 것을 들 수 있다.The group Ar includes, for example, what is represented by the following formula (3) or formula (4).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112014092127099-pat00002
Figure 112014092127099-pat00002

[식 중, W 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 15 의 2 가의 탄화수소기, -O-, -S-, -CO-, -SO-, -SO2-, -NH- 혹은 -CONH- 에서 선택되는 2 가의 기를 나타낸다] [Wherein, W is a single bond, a divalent hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, -O-, -S-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -NH- or -CONH- Represents a divalent group]

특히, 폴리이미드의 극성기를 줄이고, 유전 특성을 향상시킨다는 관점에서, 기 Ar 로는, 식 (3), 또는 식 (4) 중의 W 가 단결합, 탄소수 1 ∼ 15 의 2 가의 탄화수소기, -O-, -S-, -CO- 로 나타내어지는 것이 바람직하고, 식 (3), 또는 식 (4) 중의 W 가 단결합, 탄소수 1 ∼ 15 의 2 가의 탄화수소기, -CO- 로 나타내어지는 것이 보다 바람직하다.In particular, from the viewpoint of reducing the polar group of the polyimide and improving the dielectric properties, as the group Ar, W in the formula (3) or (4) is a single bond, a divalent hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, -O- , It is preferably represented by -S-, -CO-, more preferably W in formula (3) or formula (4) is represented by a single bond, a C1-C15 divalent hydrocarbon group, or -CO- Do.

또한, 상기 일반식 (1) 및 (2) 로 나타내는 구성 단위는, 단독 중합체 중에 존재해도 되고, 공중합체의 구성 단위로서 존재해도 된다. 구성 단위를 복수 갖는 공중합체인 경우에는, 블록 공중합체로서 존재해도 되고, 랜덤 공중합체로서 존재해도 된다.Moreover, the structural units represented by the said general formulas (1) and (2) may exist in a homopolymer, and may exist as a structural unit of a copolymer. In the case of a copolymer having a plurality of structural units, it may exist as a block copolymer or may exist as a random copolymer.

폴리이미드는 일반적으로 산 무수물과 디아민을 반응시켜 제조되므로, 산 무수물과 디아민을 설명함으로써 폴리이미드의 구체예가 이해될 것이다. 상기 일반식 (1) 및 (2) 에 있어서, 기 Ar 은 산 무수물의 잔기라고 할 수 있고, 기 R1 및 기 R2 는 디아민의 잔기라고 할 수 있으므로, 바람직한 폴리이미드를 산 무수물과 디아민에 의해 설명한다.Since polyimides are generally prepared by reacting an acid anhydride and a diamine, specific examples of the polyimide will be understood by describing the acid anhydride and a diamine. In the general formulas (1) and (2), the group Ar can be said to be a residue of an acid anhydride, and the groups R 1 and R 2 can be said to be residues of a diamine. Explained by.

기 Ar 을 잔기로서 갖는 산 무수물로는, 예를 들어 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-옥시디프탈산 무수물이 바람직하게 예시된다. 또, 산 무수물로서, 예를 들어 2,2',3,3'-, 2,3,3',4'- 또는 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물, 2,3',3,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,3',3,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2 무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 2 무수물, 3,3",4,4"-, 2,3,3",4"- 또는 2,2",3,3"-p-터페닐테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)-프로판 2 무수물, 비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)메탄 2 무수물, 비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)술폰 2 무수물, 1,1-비스(2,3- 또는 3,4-디카르복시페닐)에탄 2 무수물, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- 또는 1,2,9,10-페난트렌-테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2 무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)테트라플루오로프로판 2 무수물, 2,3,5,6-시클로헥산 2 무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2 무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 2 무수물, 2,6- 또는 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,6,7-(또는 1,4,5,8-)테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-(또는 2,3,6,7-)테트라카르복실산 2 무수물, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- 또는 5,6,11,12-페릴렌-테트라카르복실산 2 무수물, 시클로펜탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 2 무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복실산 2 무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카르복실산 2 무수물, 티오펜-2,3,4,5-테트라카르복실산 2 무수물, 4,4'-비스(2,3-디카르복시페녹시)디페닐메탄 2 무수물 등을 들 수 있다.As an acid anhydride having the group Ar as a residue, for example, pyromellitic anhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-diphenyl Sulfonetetracarboxylic dianhydride and 4,4'-oxydiphthalic anhydride are preferably exemplified. Further, as an acid anhydride, for example, 2,2',3,3'-, 2,3,3',4'- or 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3',3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3',3,4'-diphenyl Ether tetracarboxylic dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3",4,4"-, 2,3,3",4"- or 2,2",3 ,3"-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)-propane dianhydride, bis(2,3- or 3,4- Dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dianhydride, 1,1-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid 2 Anhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid 2 Anhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6, 7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride, 2,3 ,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3 ,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2 ,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis(2,3-dicarboxyphenoxy)diphenylmethane dianhydride, etc. are mentioned. have.

기 R1 은 다이머산형 디아민으로부터 유도되는 2 가의 다이머산형 디아민 잔기이다. 다이머산형 디아민이란, 다이머산의 2 개의 말단 카르복실산기 (-COOH) 가, 1 급의 아미노메틸기 (-CH2-NH2) 또는 아미노기 (-NH2) 로 치환되어 이루어지는 디아민을 의미한다.Group R 1 is a divalent dimer acid type diamine residue derived from a dimer acid type diamine. The dimer acid-type diamine means a diamine obtained by substituting two terminal carboxylic acid groups (-COOH) of a dimer acid with a primary aminomethyl group (-CH 2 -NH 2 ) or an amino group (-NH 2 ).

다이머산은, 불포화 지방산의 분자간 중합 반응에 의해 얻어지는 이미 알려진 이염기산으로, 그 공업적 제조 프로세스는 업계에서 거의 표준화되어 있고, 탄소수가 11 ∼ 22 인 불포화 지방산을 점토 촉매 등으로 이량화하여 얻어진다. 공업적으로 얻어지는 다이머산은, 올레산이나 리놀레산 등의 탄소수 18 의 불포화 지방산을 이량화함으로써 얻어지는 탄소수 36 의 이염기산이 주성분이지만, 정제 정도에 따라 임의량의 모노머산 (탄소수 18), 트리머산 (탄소수 54), 탄소수 20 ∼ 54 의 다른 중합 지방산을 함유한다. 본 발명에서는, 다이머산은 분자 증류에 의해 다이머산 함유량을 90 중량% 이상으로까지 높인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 다이머화 반응 후에는 이중 결합이 잔존하지만, 본 발명에서는, 추가로 수소 첨가 반응하여 불포화도를 저하시킨 것도 다이머산에 포함시키는 것으로 한다.Dimeric acid is a known dibasic acid obtained by intermolecular polymerization of an unsaturated fatty acid, and its industrial production process is almost standardized in the industry, and is obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 11 to 22 carbon atoms with a clay catalyst or the like. The industrially obtained dimer acid is mainly composed of a dibasic acid having 36 carbon atoms obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 18 carbon atoms such as oleic acid or linoleic acid, but depending on the degree of purification, an arbitrary amount of monomeric acid (carbon number 18) or trimer acid (carbon number 54 ), and other polymerized fatty acids having 20 to 54 carbon atoms. In the present invention, it is preferable to use a dimer acid in which the dimer acid content is increased to 90% by weight or more by molecular distillation. In addition, although a double bond remains after the dimerization reaction, in the present invention, a further hydrogenation reaction to reduce the degree of unsaturation is also included in the dimer acid.

다이머산형 디아민의 특징으로서, 다이머산의 골격에서 유래하는 특성을 부여할 수 있다. 즉, 다이머산형 디아민은, 분자량 약 560 ∼ 620 의 거대 분자의 지방족이므로, 분자의 몰 체적을 크게 하여, 폴리이미드의 극성기를 상대적으로 줄일 수 있다. 이와 같은 다이머산형 디아민의 특징은, 폴리이미드의 내열성의 저하를 억제하면서, 유전 특성을 향상시키는 것에 기여할 것으로 생각된다. 또, 2 개의 자유롭게 움직이는 탄소수 7 ∼ 9 의 소수 (疎水) 사슬과, 탄소수 18 에 가까운 길이를 가지는 2 개의 사슬형의 지방족 아미노기를 가지므로, 폴리이미드에 유연성을 부여할 뿐만 아니라, 폴리이미드를 비대상적인 화학 구조나 비평면적인 화학 구조로 할 수 있기 때문에, 폴리이미드의 저유전율화를 도모할 수 있을 것으로 생각된다.As a characteristic of the dimer acid-type diamine, a characteristic derived from the skeleton of the dimer acid can be imparted. That is, since the dimer acid-type diamine is an aliphatic macromolecule having a molecular weight of about 560 to 620, the molar volume of the molecule can be increased to relatively reduce the polar group of the polyimide. It is considered that such a characteristic of the dimer acid type diamine will contribute to improving the dielectric properties while suppressing the decrease in the heat resistance of the polyimide. In addition, since it has two freely movable hydrophobic chains of 7 to 9 carbon atoms and two chain-type aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, not only provides flexibility to polyimide, but also non-polyimide Since the target chemical structure or non-planar chemical structure can be used, it is thought that the low dielectric constant of the polyimide can be achieved.

다이머산형 디아민의 주입량은, 전체 디아민 성분에 대해 4 ∼ 40 몰% 의 범위 내, 바람직하게는 4 ∼ 30 몰% 의 범위 내, 보다 바람직하게는 4 ∼ 15 몰% 의 범위 내가 좋다. 다이머산형 디아민이 4 몰% 미만이면, 폴리이미드의 유전 특성이 저하되는 경향이 되고, 40 몰% 를 초과하면, 폴리이미드의 유리 전이 온도의 저하에 의해 내열성이 악화되는 경향이 된다.The injection amount of the dimer acid type diamine is in the range of 4 to 40 mol%, preferably in the range of 4 to 30 mol%, and more preferably in the range of 4 to 15 mol% with respect to the total diamine component. When the dimer acid type diamine is less than 4 mol%, the dielectric properties of the polyimide tend to decrease, and when it exceeds 40 mol%, the heat resistance tends to deteriorate due to a decrease in the glass transition temperature of the polyimide.

다이머산형 디아민은 시판품이 입수 가능하고, 예를 들어 쿠로다 재팬사 제조의 PRIAMINE1073 (상품명), 동(同) PRIAMINE1074 (상품명), 코그니스 재팬사 제조의 바사민 551 (상품명), 동 바사민 552 (상품명) 등을 들 수 있다.The dimer acid type diamine is commercially available, and for example, the Kuroda Japan company PRIAMINE1073 (trade name), the same PRIAMINE1074 (brand name), the Cognis Japan company's Basamine 551 (brand name), and the same Basamine 552 ( Brand name) and the like.

또, 기 R2 는, 예를 들어 하기의 식 (5) ∼ 식 (7) 로 나타내는 것을 들 수 있다.Moreover, what is represented by following formula (5)-formula (7) is mentioned, for example as group R 2.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014092127099-pat00003
Figure 112014092127099-pat00003

[식 (5) ∼ 식 (7) 에 있어서, R3 은 독립적으로 탄소수 1 ∼ 6 의 1 가의 탄화수소기 또는 알콕시기를 나타내고, Z 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 15 의 2 가의 탄화수소기, -O-, -S-, -CO-, -SO-, -SO2-, -NH- 혹은 -CONH- 에서 선택되는 2 가의 기를 나타내고, n1 은 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다] [In formulas (5) to (7), R 3 independently represents a C 1 to C 6 monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group, and Z is a single bond, a C 1 to C 15 divalent hydrocarbon group, -O- , -S-, -CO-, -SO-, -SO 2 -, -NH- or -CONH- represents a divalent group selected from, and n 1 independently represents an integer of 0 to 4]

특히, 폴리이미드의 극성기를 줄이고, 유전 특성을 향상시킨다는 관점에서, 기 R2 로는, 식 (5) ∼ 식 (7) 중의 Z 가 단결합, 탄소수 1 ∼ 15 의 2 가의 탄화수소기, R3 이 탄소수 1 ∼ 6 의 1 가의 탄화수소기, n1 이 0 ∼ 4 의 정수인 것이 바람직하다.In particular, from the viewpoint of reducing the polar group of the polyimide and improving the dielectric properties, as the group R 2 , Z in the formulas (5) to (7) is a single bond, a divalent hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, and R 3 is It is preferable that a C1-C6 monovalent hydrocarbon group and n 1 are an integer of 0-4.

기 R2 를 잔기로서 갖는 디아민으로는, 예를 들어 4,4'-디아미노디페닐에테르, 2'-메톡시-4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시-4,4'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 2,2-비스-[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)]비페닐, 비스[4-(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[1-(4-아미노페녹시)]비페닐, 비스[1-(3-아미노페녹시)]비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-아미노페녹시)]벤조페논, 비스[4-(3-아미노페녹시)]벤조페논, 비스[4,4'-(4-아미노페녹시)]벤즈아닐리드, 비스[4,4'-(3-아미노페녹시)]벤즈아닐리드, 9,9-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]플루오렌, 9,9-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]플루오렌, 2,2-비스-[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[4-(3-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 4,4'-메틸렌디-o-톨루이딘, 4,4'-메틸렌디-2,6-자일리딘, 4,4'-메틸렌-2,6-디에틸아닐린, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 3,3'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미노디페닐에탄, 3,3'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 벤지딘, 3,3'-디아미노비페닐, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디메톡시벤지딘, 4,4"-디아미노-p-터페닐, 3,3"-디아미노-p-터페닐, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,6-디아미노피리딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴)]비스아닐린, 비스(p-아미노시클로헥실)메탄, 비스(p-β-아미노-t-부틸페닐)에테르, 비스(p-β-메틸-δ-아미노펜틸)벤젠, p-비스(2-메틸-4-아미노펜틸)벤젠, p-비스(1,1-디메틸-5-아미노펜틸)벤젠, 1,5-디아미노나프탈렌, 2,6-디아미노나프탈렌, 2,4-비스(β-아미노-t-부틸)톨루엔, 2,4-디아미노톨루엔, m-자일렌-2,5-디아민, p-자일렌-2,5-디아민, m-자일릴렌디아민, p-자일릴렌디아민, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리딘, 2,5-디아미노-1,3,4-옥사디아졸, 피페라진 등을 들 수 있다.Examples of the diamine having the group R 2 as a residue include 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 1,4-bis(4-amino Phenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2'-dimethyl-4,4' -Diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzanilide, 2,2-bis-[4-(3-aminophenoxy )Phenyl]propane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(4-aminophenoxy)]biphenyl, Bis[4-(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[1-(4-aminophenoxy)]biphenyl, bis[1-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(4 -Aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl] ether, bis[4-(3-aminophenoxy) Phenyl] ether, bis[4-(4-aminophenoxy)]benzophenone, bis[4-(3-aminophenoxy)]benzophenone, bis[4,4'-(4-aminophenoxy)]benz Anilide, bis[4,4'-(3-aminophenoxy)]benzanilide, 9,9-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]fluorene, 9,9-bis[4-(3 -Aminophenoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 2,2-bis-[4-(3-aminophenoxy)phenyl ]Hexafluoropropane, 4,4'-methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xylidine, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 4, 4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3 ,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, benzidine, 3,3'-dia Minobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzi Dine, 4,4"-diamino-p-terphenyl, 3,3"-diamino-p-terphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 1, 4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methylethylidene)]bisaniline , 4,4'-[1,3-phenylenebis(1-methylethylidene)]bisaniline, bis(p-aminocyclohexyl)methane, bis(p-β-amino-t-butylphenyl) ether , Bis(p-β-methyl-δ-aminopentyl)benzene, p-bis(2-methyl-4-aminopentyl)benzene, p-bis(1,1-dimethyl-5-aminopentyl)benzene, 1, 5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis(β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p -Xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4 -Oxadiazole, piperazine, etc. are mentioned.

폴리이미드의 유전 특성에 입각하여, 폴리이미드 전구체의 조제에 바람직하게 사용되는 방향족 테트라카르복실산 무수물로는, 예를 들어, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물 (BTDA), 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2 무수물 (DSDA), 피로멜리트산 2 무수물 (PMDA) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 특히 바람직한 산 무수물로는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물 (BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2 무수물 (BTDA) 등을 들 수 있다. 이들 방향족 테트라카르복실산 무수물은, 2 종 이상을 조합하여 배합할 수도 있다.Based on the dielectric properties of the polyimide, the aromatic tetracarboxylic anhydride preferably used in the preparation of the polyimide precursor is, for example, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride. (BPDA), 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (DSDA), pyro Melitic dianhydride (PMDA), etc. are mentioned. Among them, particularly preferred acid anhydrides include 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. (BTDA), etc. are mentioned. These aromatic tetracarboxylic anhydrides may be blended in combination of two or more.

상기의 산 무수물 외에, 실록산테트라카르복실산 2 무수물도 바람직하게 사용할 수 있고, 예를 들어, 하기의 일반식 (8) 로 나타내는 실록산테트라카르복실산 2 무수물을 들 수 있다.In addition to the above acid anhydride, siloxane tetracarboxylic dianhydride can also be preferably used, and examples thereof include siloxane tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (8).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014092127099-pat00004
Figure 112014092127099-pat00004

[식 (8) 중, R, R' 는 독립적으로 3 가의 탄소수 1 ∼ 4 의 지방족기 또는 방향족기를 나타내고, R4 ∼ R7 은 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타내지만, 평균 반복수는 1 ∼ 20 이다] Of the formula (8), R, R 'is independently an aliphatic group or an aromatic trivalent group having a carbon number of 1 to 4, R 4 ~ R 7 are, each independently, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent , n represents an integer of 1 to 50, but the average number of repetitions is 1 to 20]

상기의 산 무수물 외에, 실록산테트라카르복실산 2 무수물도 바람직하게 사용할 수 있고, 예를 들어, 하기의 일반식 (9) 로 나타내는 실록산테트라카르복실산 2 무수물을 들 수 있다.In addition to the above acid anhydride, siloxane tetracarboxylic dianhydride can also be preferably used, and examples thereof include siloxane tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (9).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014092127099-pat00005
Figure 112014092127099-pat00005

[식 (9) 중, R11 및 R12 는 독립적으로 2 가의 탄화수소기를 나타내고, R4 ∼ R7 은 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 탄화수소기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타내지만, 평균 반복수는 1 ∼ 20 이다] [In formula (9), R 11 and R 12 independently represent a divalent hydrocarbon group, R 4 to R 7 independently represent a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms which may have a substituent, and n is 1 to 50 Represents an integer, but the average number of repetitions is 1 to 20]

또, 폴리이미드의 유전 특성에 입각하여, 폴리이미드의 전구체의 조제에 바람직하게 사용되는 방향족 디아민으로는, 예를 들어, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판 (BAPP), 2,2'-디비닐-4,4'-디아미노비페닐 (VAB), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐 (m-TB), 2,2'-디에틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2',6,6'-테트라메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디페닐-4,4'-디아미노비페닐, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 특히 바람직한 디아민 성분으로는, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판 (BAPP), 2,2'-디비닐-4,4'-디아미노비페닐 (VAB), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐 (m-TB) 등을 들 수 있다. 이들 방향족 디아민은, 2 종 이상을 조합하여 배합할 수도 있다.In addition, based on the dielectric properties of the polyimide, examples of aromatic diamines preferably used in the preparation of a polyimide precursor include 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane (BAPP), 2 ,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-diethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 2,2',6,6'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diphenyl-4,4'-diaminobiphenyl And 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene. Among them, particularly preferred diamine components include 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane (BAPP), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 2, 2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), and the like. These aromatic diamines can also be blended in combination of two or more.

상기 산 무수물 및 디아민은 각각, 그 1 종만을 사용해도 되고 2 종 이상을 병용하여 사용할 수도 있다. 또, 상기 일반식 (1) 및 (2) 에 포함되지 않는 그 밖의 디아민 및 산 무수물을 상기의 산 무수물 또는 디아민과 함께 사용할 수도 있고, 이 경우, 그 밖의 산 무수물 또는 디아민의 사용 비율은 바람직하게는 10 몰% 이하, 보다 바람직하게는 5 몰% 이하로 하는 것이 좋다. 산 무수물 및 디아민의 종류나, 2 종 이상의 산 무수물 또는 디아민을 사용하는 경우의 각각의 몰비를 선정함으로써, 열 팽창성, 접착성, 유리 전이 온도 등을 제어할 수 있다.Each of the above acid anhydrides and diamines may be used alone or in combination of two or more. In addition, other diamines and acid anhydrides not included in the general formulas (1) and (2) may be used together with the acid anhydrides or diamines, and in this case, the ratio of use of other acid anhydrides or diamines is preferably It is good to set it as 10 mol% or less, More preferably, it is 5 mol% or less. Thermal expansion properties, adhesion properties, glass transition temperature, and the like can be controlled by selecting the types of acid anhydrides and diamines, and respective molar ratios when two or more types of acid anhydrides or diamines are used.

일반식 (1) 및 (2) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 폴리이미드는, 상기 방향족 테트라카르복실산 무수물, 다이머산형 디아민 및 방향족 디아민을 용매 중에서 반응시키고, 전구체 수지를 생성한 후 가열 폐환시킴으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 산 무수물 성분과 디아민 성분을 거의 등몰로 유기 용매 중에 용해시키고, 0 ∼ 100 ℃ 의 범위 내의 온도에서 30 분 ∼ 24 시간 교반하여 중합 반응시킴으로써 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산이 얻어진다. 반응에 있어서는, 생성되는 전구체가 유기 용매 중에 5 ∼ 30 중량% 의 범위 내, 바람직하게는 10 ∼ 20 중량% 의 범위 내가 되도록 반응 성분을 용해시킨다. 중합 반응에 사용하는 유기 용매로는, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 (DMAC), N-메틸-2-피롤리돈, 2-부타논, 디메틸술폭시드, 황산디메틸, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라하이드로푸란, 디글림, 트리글림 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2 종 이상 병용하여 사용할 수도 있고, 나아가서는 자일렌, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소의 병용도 가능하다. 또, 이와 같은 유기 용제의 사용량으로는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 중합 반응에 의해 얻어지는 폴리아미드산 용액 (폴리이미드 전구체 용액) 의 농도가 5 ∼ 30 중량% 정도가 되는 것과 같은 사용량으로 조정하여 사용하는 것이 바람직하다.Polyimide having the structural units represented by the general formulas (1) and (2) can be prepared by reacting the aromatic tetracarboxylic anhydride, dimer acid-type diamine and aromatic diamine in a solvent to produce a precursor resin, followed by heating and cyclization. I can. For example, an acid anhydride component and a diamine component are dissolved in an organic solvent in substantially equimolar amounts, and stirred for 30 minutes to 24 hours at a temperature within the range of 0 to 100°C for polymerization to obtain a polyamic acid as a precursor of a polyimide. In the reaction, the reaction component is dissolved so that the resulting precursor is in the range of 5 to 30% by weight, preferably 10 to 20% by weight in the organic solvent. Examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide (DMAC), N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, and dimethylsulfoxide. Seed, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, and the like. Two or more of these solvents may be used in combination, and further, aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene may be used in combination. In addition, the amount of such an organic solvent is not particularly limited, but the amount of the polyamic acid solution (polyimide precursor solution) obtained by the polymerization reaction is adjusted to be about 5 to 30% by weight. It is desirable.

합성된 전구체는, 통상, 반응 용매 용액으로서 사용하는 것이 유리하지만, 필요에 따라 농축, 희석 또는 그 밖의 유기 용매로 치환할 수 있다. 또, 전구체는 일반적으로 용매 가용성이 우수하므로 유리하게 사용된다. 전구체를 이미드화시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 상기 용매 중에서 80 ∼ 400 ℃ 의 범위 내의 온도 조건으로 1 ∼ 24 시간에 걸쳐 가열하는 등의 열 처리가 바람직하게 채용된다.The synthesized precursor is usually advantageously used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted, or substituted with other organic solvents as necessary. In addition, since the precursor is generally excellent in solvent solubility, it is advantageously used. The method of imidizing the precursor is not particularly limited, for example, a heat treatment such as heating in the solvent at a temperature in the range of 80 to 400°C over 1 to 24 hours is preferably employed.

폴리이미드 절연층은 필요에 따라 폴리이미드층 중에 무기 필러를 함유해도 된다. 구체적으로는, 예를 들어 이산화규소, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 불화알루미늄, 불화칼슘 등을 들 수 있다. 이들은 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The polyimide insulating layer may contain an inorganic filler in the polyimide layer as necessary. Specifically, for example, silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, calcium fluoride, and the like can be mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.

<동박><Copper foil>

본 실시형태의 구리 피복 적층판에 있어서, 동박은, 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 제곱 평균 조도 (Rq) 가 0.05 ㎛ 이상 0.5 ㎛ 미만의 범위 내이며, 바람직하게는 0.1 ㎛ 이상 0.4 ㎛ 이하의 범위 내가 된다. 여기서 정의되는 제곱 평균 조도 (Rq) 는, JIS B0601 : 2001 에 기초하는 것이다. 또한, 동박의 재질은 구리 합금이어도 된다.In the copper clad laminate of the present embodiment, the copper foil has a square mean roughness (Rq) of 0.05 µm or more and less than 0.5 µm, preferably 0.1 µm or more and 0.4 µm or less. Become me The square mean roughness (Rq) defined here is based on JIS B0601:2001. In addition, the material of the copper foil may be a copper alloy.

본 실시형태의 구리 피복 적층판에 사용하는 동박은, 상기 특성을 충족시키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 시판되고 있는 동박을 사용할 수 있다. 그 구체예로는, 압연 동박으로는, JX 닛코 닛세키 금속 주식회사 제조의 BHY-22B-T (상품명), 동 GHY5-93F-T (상품명) 등을 들 수 있고, 전해 동박으로는, 후루카와 전기 공업 주식회사 제조의 F1-WS (상품명), 니혼 전해 주식회사 제조의 HLS (상품명), 동 HLS-Type2 (상품명), 동 HLB (상품명), JX 닛코 닛세키 금속 주식회사 제조의 AMFN (상품명) 등을 들 수 있다.The copper foil used for the copper clad laminate of the present embodiment is not particularly limited as long as it satisfies the above characteristics, and a commercially available copper foil can be used. As a specific example, as a rolled copper foil, BHY-22B-T (brand name), copper GHY5-93F-T (brand name) etc. manufactured by JX Nikko Nisseki Metals Co., Ltd. can be mentioned. As an electrolytic copper foil, Furukawa Electric F1-WS (trade name) manufactured by Kogyo Co., Ltd., HLS (brand name) manufactured by Nippon Electrolytic Co., Ltd., HLS-Type2 (brand name), HLB (trade name), AMFN (brand name) manufactured by JX Nikko Nisseki Metals Corporation I can.

신호 배선에 고주파 신호가 공급되고 있는 상태에서는, 그 신호 배선의 표면에밖에 전류가 흐르지 않아, 전류가 흐르는 유효 단면적이 적어져 직류 저항이 커지고, 신호가 감쇠한다는 문제 (표피 효과) 가 있다. 동박의 폴리이미드 절연층에 접하는 면의 표면 조도를 낮춤으로써, 이 표피 효과에 의한 신호 배선의 저항 증대를 억제할 수 있다. 그러나, 전기 성능 요구 기준을 만족시키기 위해서 표면 조도를 낮추면, 동박과 폴리이미드 절연층의 접착력 (박리 강도) 이 약해진다. 그래서, 전기 성능 요구를 만족시킬 수 있고, 폴리이미드 절연층과의 접착성을 확보한다는 관점에서, 표면 조도의 파라미터로서 제곱 평균 조도 (Rq) 를 제어하는 것이 중요하다. 즉, 후술하는 시뮬레이션 시험 결과로부터, 제곱 평균 조도 (Rq) 는 다른 표면 조도의 지표에 비해, 표피 효과에 의해 동박 표면을 흐르는 전류에 대해 동박 표면의 미세한 요철이 주는 영향을 보다 적확하게 반영하고 있는 것으로 추찰된다. 따라서, 동박에 있어서의 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 표면 조도의 지표로서 제곱 평균 조도 (Rq) 를 사용하고, 이 제곱 평균 조도 (Rq) 를 상기 범위 내로 규정함으로써, 폴리이미드 절연층과의 접착성의 확보와 배선의 저항 증대 억제라는 트레이드·오프 관계에 있는 요구를 동시에 만족시킬 수 있다.In a state in which a high-frequency signal is supplied to the signal wiring, there is a problem that the current flows only on the surface of the signal wiring, the effective cross-sectional area through which the current flows is reduced, the DC resistance increases, and the signal is attenuated (skin effect). By lowering the surface roughness of the surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer, it is possible to suppress an increase in the resistance of the signal wiring due to this skin effect. However, when the surface roughness is lowered in order to satisfy the electrical performance requirement criterion, the adhesive strength (peel strength) between the copper foil and the polyimide insulating layer is weakened. Therefore, it is important to control the square mean roughness Rq as a parameter of the surface roughness from the viewpoint of satisfying the electrical performance requirements and securing the adhesiveness with the polyimide insulating layer. That is, from the simulation test results to be described later, the average square roughness (Rq) more accurately reflects the influence of the fine irregularities on the copper foil surface with respect to the current flowing through the copper foil surface due to the skin effect, compared to other indicators of surface roughness. It is speculated to be. Therefore, by using the average square roughness (Rq) as an index of the surface roughness of the surface in contact with the polyimide insulating layer in the copper foil, and defining this average square roughness (Rq) within the above range, adhesion with the polyimide insulating layer It is possible to simultaneously satisfy the trade-off demands of securing performance and suppressing increase in wiring resistance.

또, 동박의 절연 수지층에 접하는 면의 표면 조도는, 산술 평균 높이 (Ra) 가 0.2 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10 점 평균 조도 (Rz) 가 1.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.Moreover, as for the surface roughness of the surface in contact with the insulating resin layer of copper foil, it is preferable that the arithmetic average height (Ra) is 0.2 micrometers or less, and it is preferable that the 10-point average roughness (Rz) is 1.5 micrometers or less.

<프린트 배선판><Printed wiring board>

본 실시형태의 프린트 배선판은, 본 실시형태의 구리 피복 적층판의 동박을 통상적인 방법에 의해 패턴상으로 가공하여 배선층을 형성함으로써, 본 발명의 일실시형태인 프린트 배선판을 제조할 수 있다.The printed wiring board of this embodiment can manufacture the printed wiring board which is one embodiment of this invention by processing the copper foil of the copper clad laminated board of this embodiment into a pattern by a conventional method to form a wiring layer.

이하, 대표적으로 캐스트법의 경우를 예로 들어 본 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the method of manufacturing the printed wiring board of the present embodiment will be specifically described by taking the case of the cast method as an example.

먼저, 구리 피복 적층판의 제조 방법은, 이하의 공정 (1) ∼ (3) 을 포함할 수 있다.First, the manufacturing method of a copper clad laminated board can include the following steps (1)-(3).

공정 (1) : Process (1):

공정 (1) 은, 본 실시형태에서 사용하는 폴리이미드의 전구체인 폴리아미드산의 수지 용액을 얻는 공정이다.Step (1) is a step of obtaining a resin solution of polyamic acid which is a precursor of polyimide used in the present embodiment.

공정 (2) : Step (2):

공정 (2) 는, 동박 상에, 폴리아미드산의 수지 용액을 도포하여, 도포막을 형성하는 공정이다. 동박은, 컷트 시트상, 롤상의 것, 또는 엔드리스 벨트상 등의 형상으로 사용할 수 있다. 생산성을 얻기 위해서는, 롤상 또는 엔드리스 벨트상의 형태로 하여, 연속 생산 가능한 형식으로 하는 것이 효율적이다. 또한, 프린트 배선판에 있어서의 배선 패턴 정밀도의 개선 효과를 보다 크게 발현시키는 관점에서, 동박은 장척으로 형성된 롤상의 것이 바람직하다.Step (2) is a step of forming a coating film by applying a resin solution of polyamic acid on copper foil. The copper foil can be used in a shape such as a cut sheet shape, a roll shape, or an endless belt shape. In order to obtain productivity, it is effective to make it in the form of a roll shape or an endless belt shape, and to make it a type in which continuous production is possible. Further, from the viewpoint of further expressing the effect of improving the accuracy of the wiring pattern in the printed wiring board, the copper foil is preferably a roll formed in a long shape.

도포막을 형성하는 방법은, 폴리아미드산의 수지 용액을 동박 상에 직접 도포한 후에 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 콤마, 다이, 나이프, 립 등의 코터로 도포하는 것이 가능하다.The method of forming a coating film can be formed by directly applying a resin solution of polyamic acid on a copper foil and then drying it. The method of application is not particularly limited, and for example, it is possible to apply with a coater such as a comma, die, knife, or lip.

폴리이미드층은 단층이어도 되고, 복수 층으로 이루어지는 것이어도 된다. 폴리이미드층을 복수 층으로 하는 경우, 상이한 구성 성분으로 이루어지는 전구체의 층 상에 다른 전구체를 순차적으로 도포하여 형성할 수 있다. 전구체의 층이 3 층 이상으로 이루어지는 경우, 동일한 구성의 전구체를 2 회 이상 사용해도 된다. 층 구조가 간단한 2 층 또는 단층은, 공업적으로 유리하게 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또, 전구체의 층의 두께 (건조 후) 는, 예를 들어, 3 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내, 바람직하게는 3 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내에 있는 것이 좋다.The polyimide layer may be a single layer or may be formed of a plurality of layers. When the polyimide layer is made into a plurality of layers, it can be formed by sequentially applying different precursors on the layers of precursors composed of different constituent components. When the precursor layer consists of three or more layers, the precursor having the same configuration may be used two or more times. A two-layer or single-layer having a simple layer structure is preferable because it can be obtained industrially advantageously. Further, the thickness of the precursor layer (after drying) is, for example, in the range of 3 to 100 µm, preferably in the range of 3 to 50 µm.

폴리이미드층을 복수 층으로 하는 경우, 동박에 접하는 폴리이미드층이 열가소성 폴리이미드층이 되도록 전구체의 층을 형성하는 것이 바람직하다. 열가소성 폴리이미드를 사용함으로써, 동박과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 이와 같은 열가소성 폴리이미드는, 유리 전이 온도 (Tg) 가 360 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 200 ∼ 320 ℃ 이다.In the case of using a plurality of polyimide layers, it is preferable to form a layer of the precursor so that the polyimide layer in contact with the copper foil becomes a thermoplastic polyimide layer. By using a thermoplastic polyimide, the adhesiveness with copper foil can be improved. As for such a thermoplastic polyimide, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) is 360 degreeC or less, More preferably, it is 200-320 degreeC.

또, 단층 또는 복수 층의 전구체의 층을 일단 이미드화하여 단층 또는 복수 층의 폴리이미드층으로 한 후에, 추가로 그 위에 전구체의 층을 형성할 수도 있다.In addition, after the layer of a single layer or a plurality of precursors is once imidized to form a single layer or a polyimide layer of a plurality of layers, a layer of the precursor may be further formed thereon.

공정 (3) : Step (3):

공정 (3) 은, 도포막을 열 처리하여 이미드화하여, 폴리이미드 절연층을 형성하는 공정이다. 이미드화의 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 80 ∼ 400 ℃ 범위 내의 온도 조건에서 1 ∼ 60 분간 범위 내의 시간 가열하는 등의 열 처리가 바람직하게 채용된다. 금속층의 산화를 억제하기 위해서, 저산소 분위기 하에서의 열 처리가 바람직하고, 구체적으로는, 질소 또는 희가스 등의 불활성 가스 분위기 하, 수소 등의 환원 가스 분위기 하, 혹은 진공 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 열 처리에 의해 도포막 중의 폴리아미드산이 이미드화되어, 폴리이미드가 형성된다.Step (3) is a step of heat-treating a coating film to imidize it to form a polyimide insulating layer. The method of imidation is not particularly limited, for example, heat treatment such as heating for a time within the range of 1 to 60 minutes at a temperature condition within the range of 80 to 400°C is preferably employed. In order to suppress oxidation of the metal layer, heat treatment in a low oxygen atmosphere is preferable, and specifically, it is preferable to carry out in an inert gas atmosphere such as nitrogen or rare gas, a reducing gas atmosphere such as hydrogen, or in a vacuum. The polyamic acid in the coating film is imidized by heat treatment to form a polyimide.

이상과 같이 하여, 폴리이미드층 (단층 또는 복수 층) 과 동박을 갖는 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다.In the manner described above, a copper-clad laminate having a polyimide layer (single layer or multiple layers) and copper foil can be produced.

또, 회로 기판의 제조 방법은, 상기 (1) ∼ (3) 의 공정에 더하여 추가로 이하의 공정 (4) 를 포함할 수 있다.Moreover, the manufacturing method of a circuit board can further include the following process (4) in addition to the process of said (1)-(3).

공정 (4) : Step (4):

공정 (4) 는, 구리 피복 적층판의 동박을 패터닝하여 배선층을 형성하는 공정이다. 본 공정에서는, 동박을 소정 형상으로 에칭함으로써 패턴 형성하고, 배선층으로 가공함으로써 프린트 배선판을 얻는다. 에칭은, 예를 들어 포토리소그래피 기술 등을 이용하는 임의의 방법으로 실시할 수 있다.Process (4) is a process of forming a wiring layer by patterning the copper foil of a copper clad laminated board. In this step, a pattern is formed by etching the copper foil into a predetermined shape, and a printed wiring board is obtained by processing it into a wiring layer. Etching can be performed by any method using, for example, a photolithography technique.

또한, 이상의 설명에서는 프린트 배선판의 제조 방법의 특징적 공정만을 설명하였다. 즉, 프린트 배선판을 제조할 때에, 통상 실시되는 상기 이외의 공정, 예를 들어 전공정에서의 스루홀 가공이나, 후공정의 단자 도금, 외형 가공 등의 공정은, 통상적인 방법에 따라 실시할 수 있다.In addition, in the above description, only the characteristic steps of the method for manufacturing a printed wiring board have been described. That is, when manufacturing a printed wiring board, processes other than the above, for example, processes such as through-hole processing in the pre-process, terminal plating in the post-process, and external appearance processing can be performed according to a conventional method. have.

이상과 같이, 본 실시형태의 폴리이미드 절연층 및 동박을 사용함으로써, 전송 특성이 우수한 구리 피복 적층판을 형성할 수 있다. 또, 본 실시형태의 폴리이미드 절연층 및 동박을 사용함으로써, FPC 로 대표되는 회로 기판에 있어서, 전기 신호의 전송 특성을 개선하여, 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, by using the polyimide insulating layer and copper foil of the present embodiment, a copper clad laminate having excellent transmission characteristics can be formed. Moreover, by using the polyimide insulating layer and copper foil of this embodiment, in the circuit board represented by FPC, the transmission characteristic of an electric signal can be improved, and reliability can be improved.

실시예Example

이하에 실시예를 나타내어, 본 발명의 특징을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명의 범위는 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 특별한 언급이 없는 한 각종 측정, 평가는 하기에 의한 것이다.Hereinafter, examples are shown, and the features of the present invention will be described in more detail. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In addition, in the following examples, various measurements and evaluations are as follows, unless otherwise specified.

[열 팽창 계수 (CTE) 의 측정] [Measurement of Coefficient of Thermal Expansion (CTE)]

열 팽창 계수는, 3 ㎜ × 20 ㎜ 사이즈의 폴리이미드 필름을, 써모메카니컬 애널라이저 (Bruker 사 제조, 상품명 ; 4000SA) 를 사용하여, 5.0 g 의 하중을 가하면서 일정한 승온 속도로 30 ℃ 부터 250 ℃ 까지 승온시키고, 추가로 그 온도에서 10 분 유지한 후, 5 ℃/분의 속도로 냉각시켜, 240 ℃ 부터 100 ℃ 까지의 평균 열 팽창 계수 (선열 팽창 계수) 를 구하였다.The coefficient of thermal expansion is a polyimide film having a size of 3 mm × 20 mm, using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, brand name: 4000SA) and applying a load of 5.0 g from 30°C to 250°C at a constant temperature increase rate. The temperature was raised and further maintained at that temperature for 10 minutes, and then cooled at a rate of 5°C/min to obtain an average coefficient of thermal expansion (linear thermal expansion coefficient) from 240°C to 100°C.

[유리 전이 온도 (Tg) 의 측정] [Measurement of glass transition temperature (Tg)]

유리 전이 온도는, 5 ㎜ × 20 ㎜ 사이즈의 폴리이미드 필름을, 점탄성 측정 장치 (DMA : TA 인스투르먼트사 제조, 상품명 ; RSA3) 를 사용하여, 30 ℃ 부터 400 ℃ 까지 승온 속도 4 ℃/분, 주파수 1 ㎐ 로 실시하고, 탄성률 변화가 최대가 되는 (tanδ 변화율이 가장 큰) 온도를 유리 전이 온도로서 평가하였다.The glass transition temperature is a polyimide film having a size of 5 mm × 20 mm, using a viscoelasticity measuring device (DMA: manufactured by TA Instruments, brand name: RSA3), from 30° C. to 400° C. at a heating rate of 4° C./min, frequency It implemented at 1 Hz, and the temperature at which the elastic modulus change became the largest (tanδ change rate was largest) was evaluated as a glass transition temperature.

[필 강도의 측정] [Measurement of peel strength]

필 강도는, 텐실론 테스터 (토요 정기 제작소사 제조, 상품명 ; 스트로그라프 VE-10) 를 사용하여, 폭 1 ㎜ 의 샘플 (기재/수지층으로 구성된 적층체) 의 수지층측을 양면 테이프에 의해 알루미늄판에 고정시키고, 기재를 180°방향으로 50 ㎜/분의 속도로 수지층과 기재를 박리할 때의 힘을 구하였다.Peel strength was measured using a Tensilon tester (manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd., brand name: strograph VE-10), and the resin layer side of a sample having a width of 1 mm (a laminate composed of a base material/resin layer) by a double-sided tape. It was fixed to an aluminum plate, and the force at the time of peeling the resin layer and the base material at a rate of 50 mm/min in the 180° direction was calculated.

[유전율 및 유전 탄젠트의 측정] [Measurement of permittivity and dielectric tangent]

유전율 및 유전 탄젠트는, 공동 공진기 섭동법 유전율 평가 장치 (Agilent 사 제조, 상품명 ; 벡터 네트워크 애널라이저 E8363B) 를 사용하여, 소정 주파수에 있어서의 수지 시트 (경화 후의 수지 시트) 의 유전율 및 유전 탄젠트를 측정하였다. 또한, 측정에 사용한 수지 시트는, 온도 ; 24 ∼ 26 ℃, 습도 ; 45 ∼ 55 % 의 조건하에서 24 시간 방치한 것이다.The dielectric constant and the dielectric tangent were measured for the dielectric constant and the dielectric tangent of the resin sheet (resin sheet after curing) at a predetermined frequency using a cavity resonator perturbation method dielectric constant evaluation device (manufactured by Agilent, brand name; Vector Network Analyzer E8363B). . In addition, the resin sheet used for measurement is temperature; 24-26 degreeC, humidity; It left to stand for 24 hours under the conditions of 45-55%.

[동박의 표면 조도의 측정][Measurement of surface roughness of copper foil]

1) 제곱 평균 조도 (Rq) 의 측정1) Measurement of mean square roughness (Rq)

촉침식 표면 조도계 (주식회사 코사카 연구소 제조, 상품명 ; 서프코더 ET-3000) 를 사용하여, Force ; 100 μN, Speed ; 20 ㎛, Range ; 800 ㎛ 의 측정 조건에 의해 구하였다. 또한, 표면 조도의 산출은, JIS-B0601 : 2001 에 준거한 방법에 의해 산출하였다.Using a stylus type surface roughness meter (manufactured by Kosaka Research Institute, brand name; Surfcoder ET-3000), Force; 100 μN, Speed; 20 µm, Range; It was calculated|required by 800 micrometers measurement conditions. In addition, the calculation of the surface roughness was calculated by the method conforming to JIS-B0601: 2001.

2) 산술 평균 높이 (Ra) 의 측정2) Measurement of arithmetic mean height (Ra)

촉침식 표면 조도계 (주식회사 코사카 연구소 제조, 상품명 ; 서프코더 ET-3000) 를 사용하여, Force ; 100 μN, Speed ; 20 ㎛, Range ; 800 ㎛ 의 측정 조건에 의해 구하였다. 또한, 표면 조도의 산출은, JIS-B0601 : 1994 에 준거한 방법에 의해 산출하였다.Using a stylus type surface roughness meter (manufactured by Kosaka Research Institute, brand name; Surfcoder ET-3000), Force; 100 μN, Speed; 20 µm, Range; It was calculated|required by 800 micrometers measurement conditions. In addition, the calculation of the surface roughness was calculated by the method conforming to JIS-B0601:1994.

3) 10 점 평균 조도 (Rz) 의 측정3) Measurement of 10-point average illuminance (Rz)

촉침식 표면 조도계 (주식회사 코사카 연구소 제조, 상품명 ; 서프코더 ET-3000) 를 사용하여, Force ; 100 μN, Speed ; 20 ㎛, Range ; 800 ㎛ 의 측정 조건에 의해 구하였다. 또한, 표면 조도의 산출은, JIS-B0601 : 1994 에 준거한 방법에 의해 산출하였다.Using a stylus type surface roughness meter (manufactured by Kosaka Research Institute, brand name; Surfcoder ET-3000), Force; 100 μN, Speed; 20 µm, Range; It was calculated|required by 800 micrometers measurement conditions. In addition, the calculation of the surface roughness was calculated by the method conforming to JIS-B0601:1994.

[전송 특성의 평가] [Evaluation of transmission characteristics]

전송 특성의 평가는, 구리 피복 적층판을 회로 가공하고, 특성 임피던스를 50 Ω 로 한 마이크로스트립 선로를 회로 가공한 평가 샘플을 사용하여, 회로 가공한 측 (전송 선로측) 의 전송 특성을 평가하였다. SOLT 법 (SHORT-OPEN-LOOD-Thru) 으로 교정한 벡터 네트워크 애널라이저에 의해, 소정 주파수 영역에서 S 파라미터를 측정함으로써, S21 (삽입 손실) 로 평가를 실시하였다.In the evaluation of the transmission characteristics, the transmission characteristics of the circuit-processed side (transmission line side) were evaluated using an evaluation sample in which a copper clad laminate was circuit-processed and a microstrip line having a characteristic impedance of 50 Ω was circuit-processed. The vector network analyzer calibrated by the SOLT method (SHORT-OPEN-LOOD-Thru) was used to measure the S parameter in a predetermined frequency domain, thereby evaluating in S21 (insertion loss).

실시예 및 비교예에 사용한 약호는, 이하의 화합물을 나타낸다.The abbreviations used in Examples and Comparative Examples represent the following compounds.

(A) 폴리이미드 원료(A) Polyimide raw material

DDA : 다이머산형 디아민 (쿠로다 재팬 주식회사 제조, 상품명 ; PRIAMINE1074, 탄소수 ; 36, 아민값 ; 205 mgKOH/g, 다이머 성분의 함유량 ; 95 중량% 이상)DDA: Dimer acid type diamine (Kuroda Japan Co., Ltd. make, brand name: PRIAMINE1074, carbon number: 36, amine value: 205 mgKOH/g, content of dimer component: 95% by weight or more)

m-TB : 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl

BAPP : 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판BAPP: 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane

TPE-R : 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠TPE-R: 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene

원다민 : 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄Wondamine: 4,4'-diaminodicyclohexylmethane

BAFL : 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌BAFL: 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene

TFMB : 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl

PMDA : 피로멜리트산 2 무수물PMDA: pyromellitic dianhydride

BPDA : 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2 무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

DMAc : N,N-디메틸아세트아미드DMAc: N,N-dimethylacetamide

(B) 동박(B) copper foil

동박 (1) : 전해 동박, 두께 ; 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.14 ㎛, Rz ; 0.64 ㎛, Ra ; 0.10 ㎛)Copper foil (1): Electrolytic copper foil, thickness; 12 µm, surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.14 µm, Rz; 0.64 µm, Ra; 0.10 μm)

동박 (2) : 전해 동박, 두께 ; 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.19 ㎛, Rz ; 1.06 ㎛, Ra ; 0.16 ㎛)Copper foil (2): Electrolytic copper foil, thickness; 12 µm, surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.19 µm, Rz; 1.06 µm, Ra; 0.16 μm)

동박 (3) : 전해 동박, 두께 ; 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.27 ㎛, Rz ; 1.36 ㎛, Ra ; 0.21 ㎛)Copper foil (3): Electrolytic copper foil, thickness; 12 µm, surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.27 µm, Rz; 1.36 µm, Ra; 0.21 μm)

동박 (4) : 전해 동박, 두께 ; 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.35 ㎛, Rz ; 1.51 ㎛, Ra ; 0.28 ㎛)Copper foil (4): Electrolytic copper foil, thickness; 12 µm, surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.35 µm, Rz; 1.51 µm, Ra; 0.28 μm)

동박 (5) : 전해 동박, 두께 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.5 ㎛, Rz ; 1.65 ㎛, Ra ; 0.36 ㎛)Copper foil (5): Electrolytic copper foil, 12 µm in thickness, and surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.5 µm, Rz; 1.65 µm, Ra; 0.36 μm)

동박 (6) : 압연 동박, 두께 12 ㎛, 수지 적층측의 표면 조도 Rq ; 0.24 ㎛, Rz ; 1.30 ㎛, Ra ; 0.18 ㎛)Copper foil (6): Rolled copper foil, 12 µm in thickness, and surface roughness Rq on the resin lamination side; 0.24 µm, Rz; 1.30 µm, Ra; 0.18 μm)

합성예 1Synthesis Example 1

질소 기류 하에서, 300 ㎖ 의 세퍼러블 플라스크에, 2.196 g 의 DDA (0.0041 몰), 16.367 g 의 m-TB (0.0771 몰) 및 212.5 g 의 DMAc 를 투입하고, 실온에서 교반하여 용해시켰다. 다음으로, 4.776 g 의 BPDA (0.0162 몰) 및 14.161 g 의 PMDA (0.0649 몰) 을 첨가한 후, 실온에서 3 시간 교반을 계속하여 중합 반응을 실시하여, 폴리아미드산 용액 a 를 얻었다. 폴리아미드산 용액 a 의 용액 점도는 26,000 cps 였다.Under a nitrogen stream, 2.196 g of DDA (0.0041 mol), 16.367 g of m-TB (0.0771 mol), and 212.5 g of DMAc were added to a 300 ml separable flask, followed by stirring at room temperature to dissolve. Next, after adding 4.776 g of BPDA (0.0162 mol) and 14.161 g of PMDA (0.0649 mol), stirring was continued at room temperature for 3 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a polyamic acid solution a. The solution viscosity of the polyamic acid solution a was 26,000 cps.

합성예 2 ∼ 13Synthesis Examples 2 to 13

표 1 및 표 2 에 나타내는 원료 조성으로 한 것 이외에는, 합성예 1 과 동일하게 하여 폴리아미드산 용액 b ∼ m 을 조제하였다.Polyamic acid solutions b to m were prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the composition of the raw materials shown in Tables 1 and 2 was used.

Figure 112014092127099-pat00006
Figure 112014092127099-pat00006

Figure 112014092127099-pat00007
Figure 112014092127099-pat00007

[제작예 1] [Production Example 1]

두께 18 ㎛ 의 전해 동박의 편면 (표면 조도 (Rz) ; 2.1 ㎛) 에, 합성예 1 에서 조제한 폴리아미드산 용액 a 를 경화 후의 두께가 약 25 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 120 ℃ 에서 가열 건조시켜 용매를 제거하였다. 또한, 120 ℃ 부터 360 ℃ 까지 단계적인 열 처리를 실시하여, 이미드화를 완결하였다. 얻어진 금속 피복 적층체에 대해, 염화 제 2 철 수용액을 사용하여 동박을 에칭 제거하여, 폴리이미드 필름 1 을 얻었다. 또한, 폴리이미드 필름 1 을 구성하는 폴리이미드는 비열가소성이었다.On one side of an electrolytic copper foil having a thickness of 18 μm (surface roughness (Rz); 2.1 μm), the polyamic acid solution a prepared in Synthesis Example 1 was uniformly applied so that the thickness after curing became about 25 μm, and then heated at 120°C. Dry to remove the solvent. Further, heat treatment was performed in stages from 120°C to 360°C to complete the imidation. About the obtained metal-clad laminate, the copper foil was etched away using an aqueous ferric chloride solution, and the polyimide film 1 was obtained. In addition, the polyimide constituting the polyimide film 1 was non-thermoplastic.

폴리이미드 필름 1 의 열 팽창 계수, 유리 전이 온도, 유전율 및 유전 탄젠트를 구하였다. 각 측정 결과를 표 3 에 나타낸다.The coefficient of thermal expansion, glass transition temperature, dielectric constant, and dielectric tangent of the polyimide film 1 were determined. Table 3 shows the results of each measurement.

[제작예 2 ∼ 6] [Production Examples 2 to 6]

표 3 에 나타내는 폴리아미드산 용액을 사용한 것 이외에는, 제작예 1 과 동일하게 하여 제작예 2 ∼ 6 의 폴리이미드 필름 2 ∼ 6 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 필름 2 ∼ 6 의 열 팽창 계수 (CTE), 유리 전이 온도, 유전율 및 유전 탄젠트를 구하였다. 각 측정 결과를 표 3 에 나타낸다.Except having used the polyamic acid solution shown in Table 3, it carried out similarly to Production Example 1, and obtained the polyimide films 2-6 of Production Examples 2-6. The coefficient of thermal expansion (CTE), glass transition temperature, dielectric constant, and dielectric tangent of the obtained polyimide films 2 to 6 were determined. Table 3 shows the results of each measurement.

제작예 1 ∼ 6 의 결과를 정리하여 표 3 에 나타낸다.The results of Production Examples 1-6 are put together and shown in Table 3.

Figure 112014092127099-pat00008
Figure 112014092127099-pat00008

[제작예 7] [Production Example 7]

두께 12 ㎛ 의 전해 동박의 편면 (표면 조도 (Rz) ; 1.39 ㎛) 에, 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 건조시켜 용매를 제거하였다. 다음으로, 그 위에 폴리아미드산 용액 b 를 경화 후의 두께가 약 42 ∼ 46 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포하고, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 또한, 그 위에 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 이와 같이 하여 3 층의 폴리아미드산층을 형성한 후, 120 ℃ 부터 320 ℃ 까지 단계적인 열 처리를 실시하여, 이미드화를 완결하여, 금속 피복 적층체 7 을 얻었다. 얻어진 금속 피복 적층체 7 에 대해, 염화 제 2 철 수용액을 사용하여 동박을 에칭 제거하여, 두께가 약 50 ㎛ 인 폴리이미드 필름 7 을 얻었다. 얻어진 폴리이미드 필름 7 의 3 ㎓ 에 있어서의 유전율 (ε1) 및 유전 탄젠트 (Tanδ1) 는, 각각 3.06, 0.0029 (E1 = 0.0051) 이고, 10 ㎓ 에 있어서의 유전율 및 유전 탄젠트는 각각 2.86, 0.0036 이었다.On one side of an electrolytic copper foil having a thickness of 12 µm (surface roughness (Rz): 1.39 µm), a polyamic acid solution h is uniformly applied so that the thickness after curing becomes about 2 to 3 µm, and then the step is from 85°C to 110°C. The solvent was removed by drying by a gentle heat treatment. Next, the polyamic acid solution b was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 42 to 46 µm, and the solvent was removed by heating in steps from 85°C to 110°C. Further, the polyamic acid solution h was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 2 to 3 µm, and then the solvent was removed by stepwise heat treatment from 85°C to 110°C. After thus forming a three-layer polyamic acid layer, a stepwise heat treatment was performed from 120°C to 320°C to complete imidation, and a metal-clad laminate 7 was obtained. With respect to the obtained metal-clad laminate 7, the copper foil was etched away using an aqueous ferric chloride solution to obtain a polyimide film 7 having a thickness of about 50 µm. The dielectric constant (ε 1 ) and dielectric tangent ( Tanδ 1 ) in 3 GHz of the obtained polyimide film 7 are 3.06 and 0.0029 (E 1 = 0.0051), respectively, and the dielectric constant and dielectric tangent in 10 GHz are 2.86, respectively, It was 0.0036.

[실시예 1] [Example 1]

동박 2 에, 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 건조시켜 용매를 제거하였다. 다음으로, 그 위에 폴리아미드산 용액 b 를 경화 후의 두께가 약 42 ∼ 46 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포하고, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 또한, 그 위에 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 이와 같이 하여 3 층의 폴리아미드산층을 형성한 후, 120 ℃ 부터 320 ℃ 까지 단계적인 열 처리를 실시하여, 이미드화를 완결하여, 구리 피복 적층판 1' 를 얻었다. 얻어진 구리 피복 적층판 1' 의 폴리이미드 절연층측에, 동박 1 을 중첩하고, 온도 380 ℃, 압력 6.7 ㎫ 의 조건에서 15 분간 열 압착하여, 구리 피복 적층판 1 을 얻었다. 얻어진 구리 피복 적층판 1 에 있어서의 열 압착측의 동박 1 과 폴리이미드 절연층의 필 강도는 0.96 kN/m 였다. 동박 1 측을 그라운드면으로 하고, 동박 2 측을 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 1 에 나타낸다.After the polyamic acid solution h was uniformly applied to the copper foil 2 so that the thickness after curing became about 2 to 3 µm, it was dried by a stepwise heat treatment to 85°C to 110°C to remove the solvent. Next, the polyamic acid solution b was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 42 to 46 µm, and the solvent was removed by heating in steps from 85°C to 110°C. Further, the polyamic acid solution h was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 2 to 3 µm, and then the solvent was removed by stepwise heat treatment from 85°C to 110°C. After thus forming a three-layer polyamic acid layer, a stepwise heat treatment was performed from 120°C to 320°C to complete the imidation to obtain a copper clad laminate 1'. Copper foil 1 was superimposed on the polyimide insulating layer side of the obtained copper-clad laminate 1', and thermocompression bonding was performed for 15 minutes on the condition of temperature 380 degreeC and pressure 6.7 MPa, and the copper clad laminated plate 1 was obtained. The peel strength of the copper foil 1 on the thermocompression bonding side and the polyimide insulating layer in the obtained copper-clad laminate 1 was 0.96 kN/m. Circuit processing was performed with the copper foil 1 side as a ground surface and the copper foil 2 side as a signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG.

[참고예 1] [Reference Example 1]

시판되는 액정 폴리머 필름 1 (두께 ; 50 ㎛) 의 양면에 동박 4 를 열 압착한 적층판을 얻었다. 이 적층판에 있어서의 양면의 동박을 그라운드면과 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 1 에 나타낸다.A laminated plate obtained by thermocompressing copper foil 4 on both surfaces of a commercially available liquid crystal polymer film 1 (thickness: 50 µm) was obtained. Circuit processing was performed using copper foils on both sides of this laminated plate as a ground surface and a signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG.

[참고예 2] [Reference Example 2]

시판되는 액정 폴리머 필름 2 (두께 ; 50 ㎛) 의 양면에 동박 5 를 열 압착한 적층판을 얻었다. 이 적층판에 있어서의 양면의 동박을 그라운드면과 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 1 에 나타낸다.A laminated plate obtained by thermocompressing copper foil 5 on both surfaces of a commercially available liquid crystal polymer film 2 (thickness: 50 µm) was obtained. Circuit processing was performed using copper foils on both sides of this laminated plate as a ground surface and a signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG.

[참고예 3] [Reference Example 3]

두께 50 ㎛ 의 시판되는 폴리이미드 필름 (3 ㎓ 에 있어서의 유전율 ; > 3.1, 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트 ; > 0.005) 의 양면에 동박 5 를 열 압착한 적층판을 얻었다. 이 적층판에 있어서의 양면의 동박을 그라운드면과 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 1 에 나타낸다.A laminated plate obtained by thermocompressing copper foil 5 on both surfaces of a 50 µm-thick commercially available polyimide film (dielectric constant in 3 GHz: >3.1, dielectric tangent in 3 GHz; >0.005). Circuit processing was performed using copper foils on both sides of this laminated plate as a ground surface and a signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG.

실시예 1, 참고예 1 ∼ 3 의 결과를 도 1 에 나타냈다. 도 1 로부터, 실시예 1 은, 참고예 1 과의 비교에 있어서, 1 ∼ 20 ㎓ 의 주파수 영역에서는 동등 이상의 전송 특성을 나타내고 있는 것이 확인된다.The results of Example 1 and Reference Examples 1 to 3 are shown in Fig. 1. From Fig. 1, it is confirmed that Example 1 exhibits equal or higher transmission characteristics in a frequency range of 1 to 20 GHz in comparison with Reference Example 1.

[실시예 2] [Example 2]

동박 3 에, 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 건조시켜 용매를 제거하였다. 다음으로, 그 위에 폴리아미드산 용액 b 를 경화 후의 두께가, 약 42 ∼ 46 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포하고, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 또한, 그 위에 폴리아미드산 용액 h 를 경화 후의 두께가 약 2 ∼ 3 ㎛ 가 되도록 균일하게 도포한 후, 85 ℃ ∼ 110 ℃ 까지 단계적인 가열 처리로 용매를 제거하였다. 이와 같이 하여 3 층의 폴리아미드산층을 형성한 후, 120 ℃ 부터 320 ℃ 까지 단계적인 열 처리를 실시하여, 이미드화를 완결하여, 구리 피복 적층판 2' 를 얻었다. 얻어진 구리 피복 적층판 2' 의 폴리이미드 절연층측에, 동박 1 을 중첩하고, 온도 380 ℃, 압력 6.7 ㎫ 의 조건에서 15 분간 열 압착하여, 구리 피복 적층판 2 를 얻었다. 얻어진 구리 피복 적층판 2 에 있어서의 열 압착측의 동박 1 과 폴리이미드 절연층의 필 강도는 0.96 kN/m 였다. 동박 3 측을 그라운드면으로 하고, 동박 1 측을 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 2 에 나타낸다.The polyamic acid solution h was uniformly applied to the copper foil 3 so that the thickness after curing became about 2 to 3 µm, and then dried by a stepwise heat treatment to 85°C to 110°C to remove the solvent. Next, the polyamic acid solution b was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 42 to 46 µm, and the solvent was removed by stepwise heating treatment to 85°C to 110°C. Further, the polyamic acid solution h was uniformly applied thereon so that the thickness after curing became about 2 to 3 µm, and then the solvent was removed by stepwise heat treatment from 85°C to 110°C. After thus forming a three-layer polyamic acid layer, heat treatment was performed in stages from 120°C to 320°C to complete the imidation to obtain a copper-clad laminate 2'. Copper foil 1 was superimposed on the polyimide insulating layer side of the obtained copper-clad laminate 2', and thermocompression bonding was performed for 15 minutes on the condition of temperature 380 degreeC and pressure 6.7 MPa, and the copper-clad laminate 2 was obtained. The peel strength of the copper foil 1 on the thermocompression bonding side and the polyimide insulating layer in the obtained copper-clad laminate 2 was 0.96 kN/m. Circuit processing was performed with the copper foil 3 side as a ground surface and the copper foil 1 side as a signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG. 2.

[실시예 3] [Example 3]

실시예 2 와 동일하게 하여, 구리 피복 적층판 3 을 얻었다. 동박 1 측을 그라운드면으로 하고, 동박 3 측을 신호면으로 하여 회로 가공을 실시하고, 전송 특성을 평가하였다. 이 결과를 도 2 에 나타낸다.In the same manner as in Example 2, a copper-clad laminate 3 was obtained. Circuit processing was performed with the copper foil 1 side as the ground surface and the copper foil 3 side as the signal surface, and transmission characteristics were evaluated. This result is shown in FIG. 2.

[시뮬레이션 시험] [Simulation test]

다음으로, 본 발명의 효과를 확인한 시뮬레이션 시험의 결과에 대해 설명한다. 폴리이미드 절연층의 3 ㎓ 에 있어서의 유전율 및 유전 탄젠트를 각각 3.0, 0.003 으로 고정시키고, Rq 를 0 ∼ 1.0 으로 변화시켰을 때의 결과를 도 2 에 나타낸다. 또, 폴리이미드 절연층의 3 ㎓ 에 있어서의 유전율 및 유전 탄젠트를 각각 3.4, 0.006 으로 고정시키고, Rq 를 0 ∼ 1.0 으로 변화시켰을 때의 결과를 도 3 에 나타낸다. 또한, 시뮬레이션 시험에 있어서, 그라운드면과 신호면의 Rq 는 동일하게 설정하고 있다.Next, the result of the simulation test confirming the effect of the present invention will be described. Fig. 2 shows the results when the dielectric constant and the dielectric tangent at 3 GHz of the polyimide insulating layer were fixed to 3.0 and 0.003, respectively, and Rq was changed from 0 to 1.0. Further, Fig. 3 shows the results when the dielectric constant and dielectric tangent of the polyimide insulating layer at 3 GHz were fixed to 3.4 and 0.006, respectively, and Rq was changed to 0 to 1.0. In addition, in the simulation test, Rq of the ground plane and the signal plane are set equally.

시뮬레이션 (1) 및 (7) : Rq = 0 ㎛ Simulations (1) and (7): Rq = 0 µm

시뮬레이션 (2) 및 (8) : Rq = 0.1 ㎛ Simulations (2) and (8): Rq = 0.1 µm

시뮬레이션 (3) 및 (9) : Rq = 0.2 ㎛ Simulations (3) and (9): Rq = 0.2 µm

시뮬레이션 (4) 및 (10) : Rq = 0.3 ㎛ Simulations (4) and (10): Rq = 0.3 µm

시뮬레이션 (5) 및 (11) : Rq = 0.5 ㎛ Simulations (5) and (11): Rq = 0.5 µm

시뮬레이션 (6) 및 (12) : Rq = 1.0 ㎛ Simulations (6) and (12): Rq = 1.0 µm

실시예 2 및 3, 시뮬레이션 (1) ∼ (6) 의 결과를 도 2 에 나타내고, 시뮬레이션 (7) ∼ (12) 의 결과를 도 3 에 나타냈다. 도 2 로부터, Rq 가 0.5 ㎛ 미만인 실시예 2 및 3, 시뮬레이션 (1) ∼ (4) 에 대해, Rq 가 0.5 ㎛ 이상인 시뮬레이션 (5) 및 (6) 에서는, 전송 손실이 큰 것이 확인된다. 또, 도 3 으로부터, Rq 의 값이 작아질수록, 거의 비례 관계로 전송 특성이 양호해지는 것이 확인되지만, 도 2 로부터, 시뮬레이션 (4) 및 (5) 와의 사이에 약간의 격차가 확인된다. 따라서, 폴리이미드 절연층의 유전 특성과 동박의 표면 조도 (Rq) 의 상승 효과가 있는 것으로 생각된다.The results of Examples 2 and 3 and the simulations (1) to (6) are shown in Fig. 2, and the results of the simulations (7) to (12) are shown in Fig. 3. From Fig. 2, it is confirmed that the transmission loss is large in the simulations (5) and (6) in which Rq is 0.5 µm or more in Examples 2 and 3 and simulations (1) to (4) in which Rq is less than 0.5 µm. Further, from Fig. 3, it is confirmed that the smaller the value of Rq is, the better the transmission characteristic is in an almost proportional relationship, but from Fig. 2, a slight gap between the simulations (4) and (5) is confirmed. Therefore, it is considered that there is a synergistic effect of the dielectric properties of the polyimide insulating layer and the surface roughness (Rq) of the copper foil.

이상, 본 발명의 실시형태를 예시의 목적으로 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 제약되는 경우는 없고, 여러 가지 변형이 가능하다.As mentioned above, although the embodiment of the present invention has been described in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.

Claims (8)

폴리이미드 절연층과, 그 폴리이미드 절연층의 적어도 일방의 면에 동박을 구비한 구리 피복 적층판으로서,
상기 폴리이미드 절연층이, 하기의 구성 Ia 및 Ib :
Ia) 열선 팽창 계수가 0 ppm/K 이상 30 ppm/K 이하의 범위 내이다 ;
Ib) 하기의 수학식 (i),
E1 = √ε1 × Tanδ1 … (i)
[여기서, ε1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전율을 나타내고, Tanδ1 은, 공동 공진기 섭동법에 의한 3 ㎓ 에 있어서의 유전 탄젠트를 나타낸다]
에 기초하여 산출되는, 유전 특성을 나타내는 지표인 E1 값이 0.009 미만임과 동시에, 상기 유전율이 3.1 이하이며, 상기 유전 탄젠트가 0.005 미만이다 ;
를 구비하고, 추가로, 상기 동박이, 하기의 구성 c :
c) 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 제곱 평균 조도 (Rq) 가 0.1 ㎛ 이상 0.4 ㎛ 이하의 범위 내이다 ;
를 구비함과 동시에,
상기 동박 중 적어도 편방의 동박은, 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 10 점 평균 조도 (Rz) 가 1.06 ㎛ 이상인, 구리 피복 적층판.
A copper clad laminate comprising a polyimide insulating layer and a copper foil on at least one surface of the polyimide insulating layer,
The polyimide insulating layer has the following configurations Ia and Ib:
Ia) The coefficient of thermal expansion is in the range of 0 ppm/K or more and 30 ppm/K or less;
Ib) the following equation (i),
E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 … (i)
[Here, ε 1 represents the dielectric constant at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tanδ 1 represents the dielectric tangent at 3 GHz by the cavity resonator perturbation method.]
The E 1 value, which is an index indicating the dielectric property, calculated on the basis of is less than 0.009, the dielectric constant is 3.1 or less, and the dielectric tangent is less than 0.005;
And, in addition, the copper foil, the following configuration c:
c) The average square roughness (Rq) of the surface in contact with the polyimide insulating layer is in the range of 0.1 µm or more and 0.4 µm or less;
At the same time,
The copper clad laminated board in which at least one copper foil among the copper foils has a 10-point average roughness (Rz) of 1.06 µm or more on a surface in contact with the polyimide insulating layer.
제 1 항에 있어서,
상기 동박의 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 산술 평균 높이 (Ra) 가 0.2 ㎛ 이하인, 구리 피복 적층판.
The method of claim 1,
A copper clad laminate having an arithmetic mean height (Ra) of a surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer of 0.2 µm or less.
제 1 항에 있어서,
상기 동박의 상기 폴리이미드 절연층과 접하는 면의 10 점 평균 조도 (Rz) 가 1.5 ㎛ 이하인, 구리 피복 적층판.
The method of claim 1,
A copper-clad laminate having a 10-point average roughness (Rz) of 1.5 µm or less on a surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer.
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 절연층의 10 ㎓ 에 있어서의 유전율이 3.0 이하이며, 유전 탄젠트가 0.005 이하인, 구리 피복 적층판.
The method of claim 1,
The copper-clad laminate, wherein the polyimide insulating layer has a dielectric constant at 10 GHz of 3.0 or less and a dielectric tangent of 0.005 or less.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 피복 적층판의 동박을 배선 회로 가공하여 이루어지는, 프린트 배선판.A printed wiring board obtained by processing the copper foil of the copper clad laminate according to any one of claims 1 to 4 into a wiring circuit. 제 5 항에 있어서,
상기 프린트 배선판은 1 ㎓ ∼ 40 ㎓ 의 범위 내의 주파수 영역에서 사용되는, 프린트 배선판.
The method of claim 5,
The printed wiring board is used in a frequency range within a range of 1 GHz to 40 GHz.
제 5 항에 있어서,
상기 프린트 배선판은 1 ㎓ ∼ 20 ㎓ 의 범위 내의 주파수 영역에서 사용되는, 프린트 배선판.
The method of claim 5,
The printed wiring board is used in a frequency range within a range of 1 GHz to 20 GHz.
삭제delete
KR1020140129485A 2013-09-30 2014-09-26 Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using thereof KR102234045B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-205950 2013-09-30
JP2013205950 2013-09-30
JP2014178646A JP6403503B2 (en) 2013-09-30 2014-09-03 Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using the same
JPJP-P-2014-178646 2014-09-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150037602A KR20150037602A (en) 2015-04-08
KR102234045B1 true KR102234045B1 (en) 2021-03-30

Family

ID=53195148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140129485A KR102234045B1 (en) 2013-09-30 2014-09-26 Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using thereof

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6403503B2 (en)
KR (1) KR102234045B1 (en)
CN (1) CN104519657B (en)
TW (1) TWI634986B (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6379071B2 (en) * 2015-06-15 2018-08-22 Jx金属株式会社 Electromagnetic shielding material
TWI564145B (en) 2015-06-17 2017-01-01 長興材料工業股份有限公司 Metal-clad laminate and method of manufacturing the same
KR102070047B1 (en) * 2015-07-23 2020-01-29 미쓰이금속광업주식회사 Copper foil with resin, copper clad laminate and printed wiring board
JP6825368B2 (en) * 2016-01-05 2021-02-03 荒川化学工業株式会社 Copper-clad laminate and printed wiring board
TWI754668B (en) * 2016-09-05 2022-02-11 日商荒川化學工業股份有限公司 Copper clad laminate for flexible printed circuit board and flexible printed circuit board
JP7115165B2 (en) * 2017-09-15 2022-08-09 Jsr株式会社 Laminates for high-frequency circuits and flexible printed circuit boards
JP7095880B2 (en) * 2018-10-12 2022-07-05 ユニチカ株式会社 Polyimide film
JP7267591B2 (en) * 2019-05-22 2023-05-02 ユニチカ株式会社 polyester imide
JP7378122B2 (en) * 2019-10-23 2023-11-13 ユニチカ株式会社 polyimide film
US20220204697A1 (en) * 2020-12-31 2022-06-30 Industrial Technology Research Institute Polymer and resin composition thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005080466A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Kaneka Corporation Thermosetting resin composition and use thereof
JP2009246201A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Nippon Steel Chem Co Ltd Flexible copper clad laminate
JP2012140552A (en) * 2011-01-05 2012-07-26 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper-clad laminate and method for producing the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5031639B1 (en) 1969-06-04 1975-10-13
JPH06232553A (en) * 1993-01-29 1994-08-19 Hitachi Chem Co Ltd Single-sided flexible copper plated board for lamination
JP2003306649A (en) * 2002-04-12 2003-10-31 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Adhesive sheet and printed wiring board
CN1720136A (en) * 2002-12-05 2006-01-11 株式会社钟化 Laminate, printed wiring board and method for manufacturing them
JP2004189981A (en) * 2002-12-13 2004-07-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Thermoplastic polyimide resin material and laminated body, and manufacturing method of printed wiring board
JP4872185B2 (en) 2003-05-06 2012-02-08 三菱瓦斯化学株式会社 Metal-clad laminate
JP2009007551A (en) * 2007-05-30 2009-01-15 Hitachi Chem Co Ltd Resin varnish, adhesive layer-coated metal foil, metal-clad laminate, printed wiring board, and multilayer wiring board
JP5636159B2 (en) * 2007-12-28 2014-12-03 三井金属鉱業株式会社 Copper foil with resin and method for producing copper foil with resin
JP2010234638A (en) * 2009-03-31 2010-10-21 Nippon Steel Chem Co Ltd Copper clad laminate, and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005080466A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Kaneka Corporation Thermosetting resin composition and use thereof
JP2009246201A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Nippon Steel Chem Co Ltd Flexible copper clad laminate
JP2012140552A (en) * 2011-01-05 2012-07-26 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper-clad laminate and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150037602A (en) 2015-04-08
JP6403503B2 (en) 2018-10-10
CN104519657A (en) 2015-04-15
TWI634986B (en) 2018-09-11
CN104519657B (en) 2018-04-06
TW201511941A (en) 2015-04-01
JP2015091644A (en) 2015-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102169537B1 (en) Polyimide, resin film, and metal-clad laminate
KR102234045B1 (en) Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using thereof
JP2016188298A (en) Polyimide, resin film, metal-clad laminate, and circuit board
JP6767759B2 (en) Polyimide, resin film and metal-clad laminate
JP6403460B2 (en) Metal-clad laminate, circuit board and polyimide
JP6559027B2 (en) Polyamide acid, polyimide, resin film and metal-clad laminate
JP6473028B2 (en) Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using the same
JP2015127117A (en) Metal-clad laminate and circuit board
KR101514221B1 (en) manufacturing method of multi layer polyimide flexible metal-clad laminate
KR20200036770A (en) Metal-clad laminate and circuit board
JP6267509B2 (en) Polyamic acid composition, polyimide, resin film and metal-clad laminate
JP2015193117A (en) metal-clad laminate and circuit board
KR20210084275A (en) Metal-clad laminate and circuit board
KR20190038383A (en) Polyimide film, metal-clad laminate and circuit board
JP2015127118A (en) Metal-clad laminate and circuit board
JP7428646B2 (en) Metal-clad laminates and circuit boards
JP6403396B2 (en) Polyamic acid composition, polyimide, resin film and metal-clad laminate
JP2020015237A (en) Method for manufacturing metal-clad laminate and method for manufacturing circuit board
JP6603032B2 (en) Copper-clad laminate and circuit board
JP6767751B2 (en) Polyamic acid, polyimide, resin film and metal-clad laminate
JP6558755B2 (en) Polyamide acid, polyimide, resin film and metal-clad laminate
KR20220136222A (en) Polyimide, metal-clad laminate plate and circuit board
KR20230004322A (en) Polyamide acid, polyimide, polyimide film, metal-clad laminate and circuit

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant