JP6473028B2 - Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using the same - Google Patents

Copper-clad laminate, printed wiring board and method of using the same Download PDF

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本発明は、電子機器の小型化・高性能化に伴う高周波化への対応を可能とする銅張積層板、プリント配線板及びその使用方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a copper-clad laminate, a printed wiring board, and a method for using the same, which can cope with high frequencies associated with downsizing and high performance of electronic devices.

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、携帯電話等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。   In recent years, with the progress of downsizing, weight reduction, and space saving of electronic devices, flexible printed wiring boards (FPCs) that are thin, light, flexible, and have excellent durability even after repeated bending are used. The demand for Circuits) is increasing. FPC can be mounted three-dimensionally and densely in a limited space. For example, it can be used for wiring of movable parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, mobile phones, and parts such as cables and connectors. It is expanding.

上述した高密度化に加えて、機器の高性能化が進んだことから、伝送信号の高周波化への対応も必要とされている。情報処理や情報通信においては、大容量の情報を伝送・処理するために伝送周波数を高くする取り組みが行われており、プリント基板材料は絶縁層の薄化と絶縁層の低誘電化による伝送損失の低下が求められている。従来のポリイミドを用いたFPCは、ポリイミドの誘電率や誘電正接が高く、高周波域での伝送損失が高いため、高周波化への適応が難しかった。従って、これまでは、高周波化に対応するために、低誘電率、低誘電正接を特徴とした液晶ポリマーを誘電体層としたFPCが主に用いられている。しかしながら、液晶ポリマーは、誘電特性に優れているものの、耐熱性や金属箔との接着性に改善の余地がある。   In addition to the above-described higher density, higher performance of equipment has been advanced, so that it is necessary to cope with higher frequency transmission signals. In information processing and information communication, efforts are being made to increase the transmission frequency in order to transmit and process large amounts of information. Printed circuit board materials use transmission loss due to thinner insulating layers and lower dielectric constants. Reduction is required. Conventional FPC using polyimide has a high dielectric constant and dielectric loss tangent of polyimide, and has a high transmission loss in a high frequency region, so that it is difficult to adapt to high frequency. Therefore, so far, in order to cope with higher frequencies, FPCs using a liquid crystal polymer characterized by a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent as a dielectric layer have been mainly used. However, although the liquid crystal polymer is excellent in dielectric properties, there is room for improvement in heat resistance and adhesion to metal foil.

誘電特性と金属箔との接着性を改善するため、導体回路を形成する銅箔に接するポリイミド層のイミド基濃度を制御した銅張積層板が提案されている(特許文献1)。特許文献1によると、銅箔の表面粗度Rzと銅箔に接する面の低イミド基濃度のポリイミド層の組み合わせによって、誘電特性を制御できるとしているものの、その制御には限界があり、伝送特性も十分に満足できるものではなかった。   In order to improve the dielectric property and the adhesion between the metal foil, a copper-clad laminate in which the imide group concentration of the polyimide layer in contact with the copper foil forming the conductor circuit is controlled has been proposed (Patent Document 1). According to Patent Document 1, although the dielectric property can be controlled by the combination of the surface roughness Rz of the copper foil and the polyimide layer having a low imide group concentration on the surface in contact with the copper foil, the control has a limit, and the transmission property is limited. It was not satisfactory enough.

また、絶縁樹脂層の誘電特性を改善するため、脂肪族ジアミンを原料として形成したベースフィルムを用いた銅張積層板が提案されている(特許文献2)。特許文献2によると、絶縁樹脂層の誘電特性を制御しているものの、伝送特性は十分に満足できるものではなかった。   Moreover, in order to improve the dielectric characteristics of the insulating resin layer, a copper-clad laminate using a base film formed from an aliphatic diamine as a raw material has been proposed (Patent Document 2). According to Patent Document 2, although the dielectric characteristics of the insulating resin layer are controlled, the transmission characteristics are not fully satisfactory.

特許第5031639号公報Japanese Patent No. 5031639 国際公開WO2014/208644号International Publication WO2014 / 208644

本発明は、電子機器の小型化・高性能化に伴う高周波化への対応を可能とする銅張積層板、プリント配線板及びその使用方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a copper-clad laminate, a printed wiring board, and a method for using the same, which can cope with high frequencies associated with downsizing and high performance of electronic devices.

上述した課題を解決するため、本発明者らは、銅箔における表皮効果に着目し、特定の表面状態を有する銅箔を導体層として使用するとともに、該銅箔と組み合わせて、特定の誘電特性を有するポリイミドを絶縁層に使用することで、高周波領域における伝送特性に優れたFPC等の回路基板が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors focused on the skin effect in copper foil, and used a copper foil having a specific surface state as a conductor layer, and combined with the copper foil, specific dielectric characteristics. It has been found that a circuit board such as an FPC having excellent transmission characteristics in a high-frequency region can be obtained by using polyimide having an insulating layer for the insulating layer, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の銅張積層板は、ポリイミド絶縁層と、該ポリイミド絶縁層の少なくとも一方の面に積層された銅箔を備えている。そして、本発明の銅張積層板は、前記ポリイミド絶縁層が、下記の構成Ia〜Ic:
Ia)前記銅箔の表面に接する接着性ポリイミド層(i)と、前記接着性ポリイミド層(i)に直接又は間接的に積層された低膨張性ポリイミド層(ii)と、を有すること;
Ib)前記接着性ポリイミド層(i)が、テトラカルボン酸無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリイミドからなり、前記酸無水物成分に対し、ピロメリット酸二無水物(PMDA)を50モル%以上含有し、前記ジアミン成分に対し、2,2‐ビス[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を50モル%以上含有すること;
Ic)下記の数式(a)、
=√ε×Tanδ ・・・(a)
[ここで、εは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電率を示し、Tanδは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電正接を示す]
に基づき算出される、誘電特性を示す指標であるE値が0.009未満であること;
を備えている。
本発明の銅張積層板は、更に、前記銅箔が、下記の構成IId及びIIe:
IId)前記接着性ポリイミド層(i)と接する面が粗化処理されており、該銅箔表面の十点平均粗さ(Rz)が1.0μm以下、算術平均高さ(Ra)が0.2μm以下であること;
IIe)前記接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したニッケル元素の量(Ni)が1.4mg/dm以下であり、亜鉛元素の量(Zn)が0.01〜0.2mg/dmの範囲内、クロム元素の量(Cr)が0.02〜0.2mg/dmの範囲内であり、かつ亜鉛元素及びクロム元素の総量(Zn+Cr)が0.03〜0.3mg/dmの範囲内であること;
を備えている。
That is, the copper clad laminate of the present invention comprises a polyimide insulating layer and a copper foil laminated on at least one surface of the polyimide insulating layer. And as for the copper clad laminated board of this invention, the said polyimide insulating layer is the following structure Ia-Ic:
Ia) having an adhesive polyimide layer (i) in contact with the surface of the copper foil and a low expansion polyimide layer (ii) laminated directly or indirectly on the adhesive polyimide layer (i);
Ib) The adhesive polyimide layer (i) comprises a polyimide obtained by reacting a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine component, and pyromellitic dianhydride (PMDA) is added to the acid anhydride component. Containing 50 mol% or more, and containing 50 mol% or more of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) with respect to the diamine component;
Ic) The following mathematical formula (a),
E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 ··· (a)
[Where ε 1 indicates a dielectric constant at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tan δ 1 indicates a dielectric loss tangent at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method]
The E 1 value, which is an index indicating dielectric properties, calculated based on the above is less than 0.009;
It has.
In the copper-clad laminate of the present invention, the copper foil further has the following configurations IId and IIe:
IId) The surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) is roughened, the ten-point average roughness (Rz) of the copper foil surface is 1.0 μm or less, and the arithmetic average height (Ra) is 0. 2 μm or less;
IIe) The amount of nickel element (Ni) adhering to the surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) is 1.4 mg / dm 2 or less, and the amount of zinc element (Zn) is 0.01-0.2 mg / Within the range of dm 2 , the amount of chromium element (Cr) is within the range of 0.02 to 0.2 mg / dm 2 , and the total amount of zinc element and chromium element (Zn + Cr) is 0.03 to 0.3 mg / within the range of dm 2 ;
It has.

本発明の銅張積層板は、前記銅箔における前記ポリイミド絶縁層と接する面の二乗平均粗さ(Rq)が、0.05μm以上0.5μm未満の範囲内であってもよい。   In the copper clad laminate of the present invention, the mean square roughness (Rq) of the surface in contact with the polyimide insulating layer in the copper foil may be in the range of 0.05 μm or more and less than 0.5 μm.

本発明の銅張積層板は、前記銅箔における前記接着性ポリイミド層(i)と接する面が粗化処理され、該銅箔断面の走査型電子顕微鏡(SEM)観察により測定される該粗化処理の粗化高さの最大値が、0.6μm未満であってもよい。   In the copper clad laminate of the present invention, the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) is roughened, and the roughening is measured by scanning electron microscope (SEM) observation of the copper foil cross section. The maximum value of the roughening height of the treatment may be less than 0.6 μm.

本発明の銅張積層板は、前記銅箔における前記接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したニッケル元素の量(Ni)が0.01mg/dm以下であってもよく、コバルト元素の量(Co)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内、モリブデン元素の量(Mo)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内であってもよく、かつコバルト元素及びモリブデン元素の総量(Co+Mo)が0.1〜0.7mg/dmの範囲内であってもよい。 In the copper clad laminate of the present invention, the amount of nickel element (Ni) attached to the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) may be 0.01 mg / dm 2 or less. The amount of cobalt (Co) may be in the range of 0.01 to 0.5 mg / dm 2 , the amount of molybdenum element (Mo) may be in the range of 0.01 to 0.5 mg / dm 2 , and the cobalt element And the total amount of molybdenum element (Co + Mo) may be in the range of 0.1 to 0.7 mg / dm 2 .

本発明のプリント配線板は、上記のいずれかの銅張積層板の銅箔を配線回路加工してなる。   The printed wiring board of the present invention is obtained by processing a wiring circuit on the copper foil of any one of the above copper-clad laminates.

本発明のプリント配線板の使用方法は、上記プリント配線板を、1GHz〜40GHzの範囲内の周波数領域で使用する。   The method for using the printed wiring board of the present invention uses the printed wiring board in a frequency range within a range of 1 GHz to 40 GHz.

本発明の銅張積層板は、銅箔の表皮効果による抵抗の増大を抑制することにより、ポリイミド絶縁層の誘電特性を効果的に活用できるので、高速信号伝送を必要とする電子材料として好適に用いることができる。   The copper-clad laminate of the present invention can be used effectively as an electronic material requiring high-speed signal transmission because the dielectric property of the polyimide insulating layer can be effectively utilized by suppressing an increase in resistance due to the skin effect of the copper foil. Can be used.

実施例1で用いた銅箔の断面のSEM写真である。2 is a SEM photograph of a cross section of a copper foil used in Example 1.

以下、本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

<銅張積層板>
本実施の形態の銅張積層板は、ポリイミド絶縁層と、該ポリイミド絶縁層の少なくとも一方の面に銅箔を備えた銅張積層板であって、ポリイミド絶縁層の片面側のみに銅箔を備えた片面銅張積層板であってもよいし、ポリイミド絶縁層の両側に銅箔を備えた両面銅張積層板でもよい。なお、両面銅張積層板は、例えば、片面銅張積層板を形成した後、互いにポリイミド絶縁層を向き合わせて熱プレスによって圧着し形成することや、片面銅張積層板のポリイミド絶縁層に銅箔を圧着し形成すること等により得ることができる。
<Copper-clad laminate>
The copper clad laminate of the present embodiment is a copper clad laminate having a polyimide insulating layer and a copper foil on at least one surface of the polyimide insulating layer, and the copper foil is provided only on one side of the polyimide insulating layer. The single-sided copper clad laminated board provided may be sufficient, and the double-sided copper clad laminated board which provided the copper foil on the both sides of the polyimide insulating layer may be sufficient. The double-sided copper-clad laminate is formed by, for example, forming a single-sided copper-clad laminate and then pressing the polyimide insulation layers against each other and pressing them by hot pressing. It can be obtained by pressing and forming a foil.

<ポリイミド絶縁層>
ポリイミド絶縁層を形成するポリイミドとしては、いわゆるポリイミドを含めて、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリイミドエステル、ポリエーテルイミド、ポリシロキサンイミド等の構造中にイミド基を有する耐熱性樹脂がある。
<Polyimide insulation layer>
Examples of the polyimide forming the polyimide insulating layer include heat-resistant resins having an imide group in a structure such as polyamideimide, polybenzimidazole, polyimide ester, polyetherimide, polysiloxaneimide, and the like including so-called polyimide.

ポリイミド絶縁層は、銅箔の表面に接する接着性ポリイミド層(i)と、低膨張性ポリインド層(ii)と、を有する。   The polyimide insulating layer has an adhesive polyimide layer (i) that is in contact with the surface of the copper foil, and a low expansion polyindo layer (ii).

接着性ポリイミド層(i)は、テトラカルボン酸無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリイミドからなり、原料の酸無水物成分として、少なくとも、ピロメリット酸二無水物(PMDA)と、原料のジアミン成分として、2,2‐ビス[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を使用する。PMDAは、ポリイミドの半田耐熱性の向上に寄与し、BAPPは、ポリイミドの銅箔との接着性向上に寄与する。このような観点から、原料の酸無水物成分に対してPMDAを、ジアミン成分に対してBAPPを、それぞれ50モル%以上、好ましくは90モル%以上、より好ましくは90〜100モル%の範囲内で使用する。更に、PMDA及びBAPPをいずれも50モル%以上、特に90モル以上使用することで、ポリイミドの高いフィルム強度(特に引き裂き強度)と銅箔との高い接着力を両立し、結果として、ポリイミド絶縁層と銅箔とのピール強度を改善することができる。   The adhesive polyimide layer (i) is made of polyimide obtained by reacting a tetracarboxylic anhydride component and a diamine component, and at least pyromellitic dianhydride (PMDA) as a raw acid anhydride component, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) is used as the diamine component of the raw material. PMDA contributes to improving the solder heat resistance of polyimide, and BAPP contributes to improving the adhesion of polyimide to the copper foil. From such a viewpoint, PMDA is contained in the raw acid anhydride component and BAPP is contained in the diamine component in an amount of 50 mol% or more, preferably 90 mol% or more, more preferably 90 to 100 mol%. Used in. Furthermore, by using both PMDA and BAPP at 50 mol% or more, particularly 90 mol or more, both high polyimide film strength (particularly tear strength) and high adhesive strength with copper foil can be achieved. As a result, polyimide insulation layer And the peel strength of the copper foil can be improved.

また、接着性ポリイミド層(i)は、原料の酸無水物成分として、3,3',4,4' ‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)及び4,4'-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)からなる群より選ばれる1種以上のテトラカルボン酸無水物を使用することが好ましい。BPDA及びODPAは、ポリイミドの半田耐熱性低下に影響を与えない程度にガラス転移温度を下げる効果があり、例えば、銅箔との熱圧着(ラミネート)においても十分な接着力を確保することができる。ポリイミドのガラス転移温度は、好ましくは280〜320℃の範囲内がよい。また、BPDA及びODPAは、ポリイミドのフィルム強度の低下に寄与する反面、イミド基濃度を低下させるので、誘電特性を改善し、更にポリイミドの極性基の減少に寄与し、ポリイミドの吸湿特性を改善し、FPCの伝送損失を低くすることができる。このような観点から、接着性ポリイミド層(i)の原料の酸無水物成分として、BPDA又はODPAを4〜10モル%の範囲内で使用することが好ましい。この場合、PMDAは、原料の酸無水物成分に対して90〜96モル%の範囲内で使用することが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(−(CO)−N−)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。 In addition, the adhesive polyimide layer (i) includes 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 4,4′-oxydiphthalic dianhydride as raw acid anhydride components. It is preferable to use one or more tetracarboxylic anhydrides selected from the group consisting of (ODPA). BPDA and ODPA have the effect of lowering the glass transition temperature to such an extent that they do not affect the decrease in polyimide solder heat resistance. For example, sufficient adhesion can be ensured even in thermocompression bonding (lamination) with copper foil. . The glass transition temperature of polyimide is preferably in the range of 280 to 320 ° C. In addition, BPDA and ODPA contribute to lowering the film strength of polyimide, but lower the imide group concentration, thus improving the dielectric properties and further contributing to the reduction of polyimide polar groups, improving the moisture absorption properties of polyimide. , FPC transmission loss can be reduced. From such a viewpoint, it is preferable to use BPDA or ODPA in the range of 4 to 10 mol% as the acid anhydride component of the raw material of the adhesive polyimide layer (i). In this case, PMDA is preferably used in a range of 90 to 96 mol% with respect to the raw acid anhydride component. Here, the “imide group concentration” means a value obtained by dividing the molecular weight of the imide group (— (CO) 2 —N—) in the polyimide by the molecular weight of the entire structure of the polyimide.

ポリイミド絶縁層は、銅張積層板を形成した際の反りや寸法安定性の低下を抑制するために、熱線膨張係数(CTE)が10〜30ppm/Kの範囲内にすることが好ましい。また、ポリイミド絶縁層は、複数層のポリイミド層を有するが、低膨張性ポリイミド層(ii)は、ベースフィルム層(絶縁樹脂層の主層)としての適用が好適である。低膨張性ポリイミド層(ii)を構成するポリイミドのCTEは、1 〜25ppm/Kの範囲内、好ましくは1 〜25ppm/Kの範囲内、より好ましくは10 〜20ppm/Kの範囲内がよい。   The polyimide insulating layer preferably has a thermal linear expansion coefficient (CTE) in the range of 10 to 30 ppm / K in order to suppress warpage and dimensional stability degradation when the copper clad laminate is formed. The polyimide insulating layer has a plurality of polyimide layers, but the low expansion polyimide layer (ii) is preferably applied as a base film layer (main layer of the insulating resin layer). The CTE of the polyimide constituting the low expansion polyimide layer (ii) is in the range of 1 to 25 ppm / K, preferably in the range of 1 to 25 ppm / K, more preferably in the range of 10 to 20 ppm / K.

ポリイミド絶縁層の厚さは、例えば、6〜50μmの範囲内であるのがよく、好ましくは9〜45μmの範囲内であることがよい。ポリイミド絶縁層の厚さが6μmに満たないと、銅張積層板の製造等における搬送時にシワが入るなどの不具合が生じるおそれがあり、一方ポリイミド絶縁層の厚さが50μmを超えると銅張積層板の製造時の寸法安定性や屈曲性等において問題が生じるおそれがある。なお、複数のポリイミド層からポリイミド絶縁層を形成する場合には、その合計の厚みが上記範囲内になるようにすればよい。   The thickness of the polyimide insulating layer may be, for example, in the range of 6 to 50 μm, and preferably in the range of 9 to 45 μm. If the thickness of the polyimide insulating layer is less than 6 μm, there is a risk of wrinkles occurring during transport in the manufacture of copper-clad laminates, etc., whereas if the thickness of the polyimide insulating layer exceeds 50 μm, the copper-clad laminate There may be a problem in dimensional stability, flexibility, etc. during the production of the plate. In addition, what is necessary is just to make it the total thickness in the said range, when forming a polyimide insulating layer from several polyimide layers.

(誘電特性)
ポリイミド絶縁層は、フレキシブル回路基板(以下、「FPC」と記すことがある)等の回路基板に使用した際の高周波域における伝送特性を確保するために、ポリイミド絶縁樹脂層全体として、式(a);
=√ε×Tanδ ・・・(a)
[ここで、εは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電率を示し、Tanδは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電正接を示す]
に基づき算出される、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電特性を示す指標であるE値が0.009未満であり、好ましくは0.0025〜0.007の範囲内がよく、より好ましくは0.0025〜0.006の範囲内がよい。E値が、上記上限を超えると、FPC等の回路基板に使用した際に、高周波信号の伝送経路上で電気信号のロスなどの不都合が生じやすくなる。
(Dielectric properties)
In order to ensure transmission characteristics in a high frequency range when used for a circuit board such as a flexible circuit board (hereinafter sometimes referred to as “FPC”), the polyimide insulating layer has a formula (a );
E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 ··· (a)
[Where ε 1 indicates a dielectric constant at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tan δ 1 indicates a dielectric loss tangent at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method]
The E 1 value, which is an index indicating the dielectric characteristics at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method calculated based on the above, is less than 0.009, preferably in the range of 0.0025 to 0.007, more preferably The range of 0.0025 to 0.006 is preferable. E 1 values exceeds the upper limit, when used on a circuit board such as an FPC, is likely to occur inconveniences such as loss of electrical signals on the transmission path of the RF signal.

(誘電率及び誘電正接)
ポリイミド絶縁層は、FPC等の回路基板に使用した際に、1〜40HGz帯において、液晶ポリマーを用いて作製した銅張積層板同等レベルの伝送損失とするために、10GHzにおける誘電率(ε)は、好ましくは3.3以下がよく、誘電正接(Tanδ)は、好ましくは0.005未満とすることがよい。ポリイミド絶縁層の10GHzにおける誘電率が3.3を超え、誘電正接が0.005以上であると、FPC等の回路基板に使用した際に、電気信号のロスの不都合が発生しやすくなる。
(Dielectric constant and dielectric loss tangent)
When the polyimide insulating layer is used for a circuit board such as an FPC, the dielectric constant at 10 GHz (ε 1) in order to obtain a transmission loss equivalent to a copper-clad laminate produced using a liquid crystal polymer in the 1 to 40 HGz band. ) Is preferably 3.3 or less, and the dielectric loss tangent (Tanδ 1 ) is preferably less than 0.005. When the dielectric constant of the polyimide insulating layer at 10 GHz exceeds 3.3 and the dielectric loss tangent is 0.005 or more, an inconvenience of loss of electric signals is likely to occur when used on a circuit board such as an FPC.

ポリイミド絶縁層の厚さや物性のコントロールのしやすさから、接着性ポリイミド層(i)及び低膨張性ポリイミド層(ii)は、ポリアミド酸溶液を銅箔上に直接塗布した後、熱処理により乾燥、硬化する所謂キャスト(塗布)法によって形成することが好ましい。また、ポリイミド絶縁層を複数層とする場合、異なる構成成分からなるポリアミド酸溶液の上に他のポリアミド酸溶液を順次塗布して形成することができる。ポリイミド絶縁層が複数層からなる場合、同一の構成のポリイミド前駆体樹脂を2回以上使用してもよい。   From the ease of control of the thickness and physical properties of the polyimide insulating layer, the adhesive polyimide layer (i) and the low-expansion polyimide layer (ii) are dried by heat treatment after applying the polyamic acid solution directly on the copper foil, It is preferably formed by a so-called casting (coating) method for curing. Moreover, when making a polyimide insulating layer into multiple layers, it can form by apply | coating another polyamic-acid solution sequentially on the polyamic-acid solution which consists of a different structural component. When the polyimide insulating layer is composed of a plurality of layers, the polyimide precursor resin having the same configuration may be used twice or more.

ポリイミド絶縁層における低膨張性ポリイミド層(ii)を形成するために特に好適なポリイミドは、芳香族テトラカルボン酸無水物を含む酸無水物成分と、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基が1級のアミノメチル基又はアミノ基に置換されてなるダイマー酸型ジアミン及び芳香族ジアミンを含むジアミン成分と、を反応させて得られるポリイミドであって、前記ダイマー酸型ジアミンが、全ジアミン成分に対し、好ましくは1〜15モル%の範囲内、より好ましくは4〜15モル%の範囲内がよい。ダイマー酸型ジアミンが1モル%未満であると、ポリイミドの誘電特性が低下する傾向になり、15モル%を超えると、ポリイミドのガラス転移温度の低下によって耐熱性が悪化する傾向となる。   A polyimide particularly suitable for forming the low expansion polyimide layer (ii) in the polyimide insulating layer is composed of an acid anhydride component including an aromatic tetracarboxylic acid anhydride and two terminal carboxylic acid groups of dimer acid. A dimer acid type diamine substituted with an amino group or a diamine component containing an aromatic diamine, and a polyimide obtained by reacting the dimer acid type diamine with respect to the total diamine component, Preferably it is in the range of 1 to 15 mol%, more preferably in the range of 4 to 15 mol%. When the dimer acid type diamine is less than 1 mol%, the dielectric properties of the polyimide tend to be lowered, and when it exceeds 15 mol%, the heat resistance tends to be deteriorated due to a decrease in the glass transition temperature of the polyimide.

このようなポリイミドは、下記の一般式(1)及び(2)で表される構造単位を有するポリイミドが好ましい。   Such a polyimide is preferably a polyimide having a structural unit represented by the following general formulas (1) and (2).

[式中、Arは芳香族テトラカルボン酸無水物から誘導される4価の芳香族基、Rはダイマー酸型ジアミンから誘導される2価のダイマー酸型ジアミン残基、Rは芳香族ジアミンから誘導される2価の芳香族ジアミン残基をそれぞれ表し、m、nは各構成単位の存在モル比を示し、mは0.04〜0.4の範囲内、nは0.6〜0.96の範囲内である] [Wherein Ar is a tetravalent aromatic group derived from an aromatic tetracarboxylic anhydride, R 1 is a divalent dimer acid diamine residue derived from a dimer acid diamine, and R 2 is aromatic. Each represents a divalent aromatic diamine residue derived from diamine, m and n represent the molar ratio of each constituent unit, m is in the range of 0.04 to 0.4, and n is 0.6 to Within the range of 0.96]

基Arは、例えば下記の式(3)又は式(4)で表されるものを挙げることができる。   Examples of the group Ar include those represented by the following formula (3) or formula (4).

[式中、Wは単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−SO−、−NH−若しくは−CONH−から選ばれる2価の基を示す] [Wherein, W is a single bond, a divalent hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, —O—, —S—, —CO—, —SO—, —SO 2 —, —NH— or —CONH— Represents a divalent group selected from

特に、ポリイミドの極性基を減らし、誘電特性を向上させるという観点から、基Arとしては、式(3)、又は式(4)中のWが単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、−O−、−S−、−CO−で表されるものが好ましく、式(3)、又は式(4)中のWが単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、−CO−で表されるものがより好ましい。   In particular, from the viewpoint of reducing the polar group of polyimide and improving the dielectric properties, the group Ar is represented by the formula (3) or W in the formula (4) is a single bond and a divalent carbon atom having 1 to 15 carbon atoms. What is represented by a hydrogen group, -O-, -S-, -CO- is preferable, and W in formula (3) or formula (4) is a single bond and a divalent hydrocarbon having 1 to 15 carbon atoms. A group represented by —CO— is more preferable.

なお、上記一般式(1)及び(2)で表される構成単位は、単独重合体中に存在しても、共重合体の構成単位として存在してもよい。構成単位を複数有する共重合体である場合は、ブロック共重合体として存在しても、ランダム共重合体として存在してもよい。   In addition, the structural unit represented by the general formulas (1) and (2) may be present in the homopolymer or may be present as a structural unit of the copolymer. In the case of a copolymer having a plurality of structural units, it may exist as a block copolymer or a random copolymer.

ポリイミドは、一般に、酸無水物とジアミンとを反応させて製造されるので、酸無水物とジアミンを説明することにより、低膨張性ポリイミド層(ii)を形成するためのポリイミドの具体例が理解される。上記一般式(1)及び(2)において、基Arは酸無水物の残基ということができ、基R及び基Rはジアミンの残基ということができるので、好ましいポリイミドを酸無水物とジアミンにより説明する。 Since polyimide is generally produced by reacting an acid anhydride with a diamine, a specific example of the polyimide for forming the low expansion polyimide layer (ii) can be understood by explaining the acid anhydride and the diamine. Is done. In the above general formulas (1) and (2), the group Ar can be referred to as an acid anhydride residue, and the groups R 1 and R 2 can be referred to as diamine residues. And diamine.

基Arを残基として有する酸無水物としては、例えば無水ピロメリット酸、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物が好ましく例示される。また、酸無水物として、例えば2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等が挙げられる。   Examples of the acid anhydride having the group Ar as a residue include pyromellitic anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetra Preferred examples include carboxylic dianhydride and 4,4′-oxydiphthalic anhydride. Examples of the acid anhydride include 2,2 ′, 3,3′-, 2,3,3 ′, 4′- or 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2, 3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3 ', 3,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride Bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3``, 4,4 ''-, 2,3,3``, 4 ''-or 2,2 '', 3 , 3 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4- Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethane Anhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid Dianhydride 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7- Hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3, 6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic dianhydride, 2,3,8 , 9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane-1,2,3,4- Tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5 -Tetracarboxylic acid Anhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride and the like.

基Rはダイマー酸型ジアミンから誘導される2価のダイマー酸型ジアミン残基である。ダイマー酸型ジアミンとは、ダイマー酸の二つの末端カルボン酸基(‐COOH)が、1級のアミノメチル基(‐CH‐NH)又はアミノ基(‐NH)に置換されてなるジアミンを意味する。 The group R 1 is a divalent dimer acid diamine residue derived from dimer acid diamine. The dimer acid type diamine is a diamine obtained by substituting the primary aminomethyl group (—CH 2 —NH 2 ) or the amino group (—NH 2 ) of the two terminal carboxylic acid groups (—COOH) of the dimer acid. Means.

ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、その工業的製造プロセスは業界でほぼ標準化されており、炭素数が11〜22の不飽和脂肪酸を粘土触媒等にて二量化して得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製の度合いに応じ、任意量のモノマー酸(炭素数18)、トリマー酸(炭素数54)、炭素数20〜54の他の重合脂肪酸を含有する。本発明では、ダイマー酸は分子蒸留によってダイマー酸含有量を90重量%以上にまで高めたものを使用することが好ましい。また、ダイマー化反応後には二重結合が残存するが、本発明では、更に水素添加反応して不飽和度を低下させたものもダイマー酸に含めるものとする。   Dimer acid is a known dibasic acid obtained by an intermolecular polymerization reaction of an unsaturated fatty acid, and its industrial production process is almost standardized in the industry, and an unsaturated fatty acid having 11 to 22 carbon atoms is converted into a clay catalyst. It is obtained by dimerization with the above. The dimer acid obtained industrially is mainly composed of a dibasic acid having 36 carbon atoms obtained by dimerizing an unsaturated fatty acid having 18 carbon atoms such as oleic acid or linoleic acid, depending on the degree of purification. , Containing any amount of monomeric acid (18 carbon atoms), trimer acid (54 carbon atoms), and other polymerized fatty acids having 20 to 54 carbon atoms. In the present invention, it is preferable to use dimer acid having a dimer acid content increased to 90% by weight or more by molecular distillation. In addition, although a double bond remains after the dimerization reaction, in the present invention, a dimer acid that is further reduced in the degree of unsaturation by hydrogenation reaction is included.

ダイマー酸型ジアミンの特徴として、ダイマー酸の骨格に由来する特性を付与することができる。すなわち、ダイマー酸型ジアミンは、分子量約560〜620の巨大分子の脂肪族であるので、分子のモル体積を大きくし、ポリイミドの極性基を相対的に減らすことができる。このようなダイマー酸型ジアミンの特徴は、ポリイミドの耐熱性の低下を抑制しつつ、誘電特性を向上させることに寄与すると考えられる。また、2つの自由に動く炭素数7〜9の疎水鎖と、炭素数18に近い長さを持つ2つの鎖状の脂肪族アミノ基とを有するので、ポリイミドに柔軟性を与えるのみならず、ポリイミドを非対象的な化学構造や非平面的な化学構造とすることができるので、ポリイミドの低誘電率化を図ることができると考えられる。   As a feature of the dimer acid diamine, a characteristic derived from the skeleton of the dimer acid can be provided. That is, since the dimer acid type diamine is a macromolecular aliphatic having a molecular weight of about 560 to 620, the molecular molar volume can be increased and the polar groups of the polyimide can be relatively reduced. Such a feature of the dimer acid type diamine is considered to contribute to improving the dielectric properties while suppressing a decrease in the heat resistance of the polyimide. In addition, since it has two freely moving hydrophobic chains having 7 to 9 carbon atoms and two chain-like aliphatic amino groups having a length close to 18 carbon atoms, not only gives flexibility to the polyimide, Since polyimide can be made into a non-target chemical structure or a non-planar chemical structure, it is thought that the dielectric constant of polyimide can be reduced.

ダイマー酸型ジアミンは、市販品が入手可能であり、例えばクローダジャパン社製のPRIAMINE1073(商品名)、同PRIAMINE1074(商品名)、コグニスジャパン社製のバーサミン551(商品名)、同バーサミン552(商品名)等が挙げられる。   The dimer acid type diamine is commercially available. For example, PRIAMINE 1073 (trade name) manufactured by Croda Japan, PRIAMINE 1074 (trade name), Versamine 551 (trade name), Versamine 552 (product) manufactured by Cognis Japan. Name).

また、基Rは、例えば下記の式(5)〜式(7)で表されるものを挙げることができる。 Examples of the group R 2 include those represented by the following formulas (5) to (7).

[式(5)〜式(7)において、Rは独立に炭素数1〜6の1価の炭化水素基又はアルコキシ基を示し、Zは単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−SO−、−NH−若しくは−CONH−から選ばれる2価の基を示し、nは独立に0〜4の整数を示す] [In Formula (5)-Formula (7), R < 3 > shows a C1-C6 monovalent hydrocarbon group or an alkoxy group independently, Z is a single bond and C1-C15 bivalent carbonization. A divalent group selected from a hydrogen group, —O—, —S—, —CO—, —SO—, —SO 2 —, —NH— or —CONH—, wherein n 1 is independently 0-4; Indicates an integer]

特に、ポリイミドの極性基を減らし、誘電特性を向上させるという観点から、基Rとしては、式(5)〜式(7)中のZが単結合、炭素数1〜15の2価の炭化水素基、Rが炭素数1〜6の1価の炭化水素基、nが0〜4の整数であることが好ましい。 In particular, from the viewpoint of reducing the polar groups of polyimide and improving the dielectric properties, the group R 2 includes Z in the formulas (5) to (7) as a single bond and a divalent carbon atom having 1 to 15 carbon atoms. It is preferable that the hydrogen group, R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and n 1 is an integer of 0 to 4.

基Rを残基として有するジアミンとしては、例えば4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、2’-メトキシ-4,4’-ジアミノベンズアニリド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジヒドロキシ-4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノベンズアニリド、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[1-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[1-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(4-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、9,9-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、9,9-ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]フルオレン、2,2−ビス-[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス-[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4’-メチレンジ-o-トルイジン、4,4’-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4’-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、4,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、4,4’-ジアミノジフェニルエタン、3,3’-ジアミノジフェニルエタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、ベンジジン、3,3’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメトキシベンジジン、4,4''-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3''-ジアミノ-p-テルフェニル、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4'-[1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、4,4'-[1,3-フェニレンビス(1-メチルエチリデン)]ビスアニリン、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン等が挙げられる。 Examples of the diamine having the group R 2 as a residue include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 2′-methoxy-4,4′-diaminobenzanilide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'- Dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzanilide, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] Sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) biphenyl, bis [1- (4-aminophenoxy) )] Biphenyl, bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bi [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) ) Phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4,4 '-(4-aminophenoxy)] benzanilide, bis [4 , 4 '-(3-aminophenoxy)] benzanilide, 9,9-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene, 2 , 2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4,4'-methylenedi-o- Toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-xy Gin, 4,4'-methylene-2,6-diethylaniline, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenyl Ethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'- Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diamino Biphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4 ''-diamino-p-terphenyl, 3,3 ''-diamino-p-terphenyl, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,6- Diaminopyridine, 1,4-bis ( 4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4 '-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,3 -Phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, bis (p-aminocyclohexyl) methane, bis (p-β-amino-t-butylphenyl) ether, bis (p-β-methyl-δ-aminopentyl) benzene P-bis (2-methyl-4-aminopentyl) benzene, p-bis (1,1-dimethyl-5-aminopentyl) benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4 -Bis (β-amino-t-butyl) toluene, 2,4-diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylenediamine, p-xylylenediamine Amine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, etc. It is done.

低膨張性ポリイミド層(ii)を形成するためのポリイミドの誘電特性を踏まえ、ポリイミドの前駆体の調製に好適に用いられる芳香族テトラカルボン酸無水物としては、例えば、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物(DSDA)、ピロメリット酸二無水物(PMDA)等を挙げることができる。その中でも、特に好ましい酸無水物としては、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)等を挙げることができる。これらの芳香族テトラカルボン酸無水物は、2種以上を組み合わせて配合することもできる。   In view of the dielectric properties of polyimide for forming the low expansion polyimide layer (ii), examples of the aromatic tetracarboxylic acid anhydride suitably used for the preparation of the polyimide precursor include 3, 3 ′, 4, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic acid A dianhydride (DSDA), pyromellitic dianhydride (PMDA), etc. can be mentioned. Among them, particularly preferred acid anhydrides include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride ( BTDA) and the like. These aromatic tetracarboxylic acid anhydrides can be blended in combination of two or more.

また、低膨張性ポリイミド層(ii)を形成するためのポリイミドの誘電特性を踏まえ、ポリイミドの前駆体の調製に好適に用いられる芳香族ジアミンとしては、例えば、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,6,6’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン等を挙げることができる。その中でも、特に好ましいジアミン成分としては、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)等を挙げることができる。これらの芳香族ジアミンは、2種以上を組み合わせて配合することもできる。   In addition, based on the dielectric properties of polyimide for forming the low-expansion polyimide layer (ii), the aromatic diamine suitably used for preparing the polyimide precursor is, for example, 2,2′-divinyl-4, 4'-diaminobiphenyl (VAB), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2 ', 6 , 6′-tetramethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-diphenyl-4,4′-diaminobiphenyl, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, and the like. Among them, particularly preferable diamine components include 2,2′-divinyl-4,4′-diaminobiphenyl (VAB), 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-TB), and the like. be able to. These aromatic diamines can be blended in combination of two or more.

上記酸無水物及びジアミンはそれぞれ、その1種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。また、上記一般式(1)及び(2)に含まれないその他のジアミン及び酸無水物を上記の酸無水物又はジアミンと共に使用することもでき、この場合、その他の酸無水物又はジアミンの使用割合は好ましくは10モル%以下、より好ましくは5モル%以下とすることがよい。酸無水物及びジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。   Each of the acid anhydrides and diamines may be used alone or in combination of two or more. In addition, other diamines and acid anhydrides not included in the above general formulas (1) and (2) can be used together with the above acid anhydrides or diamines. In this case, use of other acid anhydrides or diamines is also possible. The ratio is preferably 10 mol% or less, more preferably 5 mol% or less. By selecting the types of acid anhydrides and diamines, and the respective molar ratios when using two or more acid anhydrides or diamines, the thermal expansibility, adhesiveness, glass transition temperature, etc. can be controlled. .

一般式(1)及び(2)で表わされる構成単位を有するポリイミドは、上記芳香族テトラカルボン酸無水物、ダイマー酸型ジアミン及び芳香族ジアミンを溶媒中で反応させ、前駆体樹脂を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、酸無水物成分とジアミン成分をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜30重量%の範囲内、好ましくは10〜20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)、N−メチル−2−ピロリドン、2−ブタノン、ジメチルスホキシド、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶剤の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液(ポリイミド前駆体溶液)の濃度が5〜30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。   The polyimide having the structural units represented by the general formulas (1) and (2) is obtained by reacting the aromatic tetracarboxylic acid anhydride, dimer acid type diamine and aromatic diamine in a solvent to produce a precursor resin. It can be produced by heating and ring closure. For example, it is a polyimide precursor by dissolving an acid anhydride component and a diamine component in an approximately equimolar amount in an organic solvent and stirring and polymerizing at a temperature in the range of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 24 hours. A polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved so that the precursor to be produced is in the range of 5 to 30% by weight, preferably in the range of 10 to 20% by weight in the organic solvent. Examples of the organic solvent used for the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide (DMAC), N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfate, cyclohexanone, and dioxane. , Tetrahydrofuran, diglyme, triglyme and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and further, aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can be used in combination. The amount of such organic solvent used is not particularly limited, but the amount used is such that the concentration of the polyamic acid solution (polyimide precursor solution) obtained by the polymerization reaction is about 5 to 30% by weight. It is preferable to adjust and use.

合成された前駆体は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、前駆体は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。前駆体をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。   The synthesized precursor is usually advantageously used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent if necessary. Moreover, since a precursor is generally excellent in solvent solubility, it is advantageously used. The method for imidizing the precursor is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the solvent at a temperature within the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is suitably employed.

ポリイミド絶縁層は、必要に応じて、ポリイミド層中に無機フィラーを含有してもよい。具体的には、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。   The polyimide insulating layer may contain an inorganic filler in the polyimide layer as necessary. Specific examples include silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, and calcium fluoride. These may be used alone or in combination of two or more.

<銅箔>
本実施の形態の銅張積層板において、銅箔は、接着性ポリイミド層(i)と接する面が、粗化処理されており、十点平均粗さ(Rz)が1.0μm以下、算術平均粗さ(Ra)が0.2μm以下である。なお、銅箔の材質は、銅合金であってもよい。
<Copper foil>
In the copper clad laminate of the present embodiment, the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) is roughened, the ten-point average roughness (Rz) is 1.0 μm or less, and the arithmetic average The roughness (Ra) is 0.2 μm or less. The material of the copper foil may be a copper alloy.

信号配線に高周波信号が供給されている状態では、その信号配線の表面にしか電流が流れず、電流が流れる有効断面積が少なくなって直流抵抗が大きくなり、信号が減衰するという問題(表皮効果)がある。銅箔のポリイミド絶縁層に接する面の表面粗度を下げることで、この表皮効果による信号配線の抵抗増大を抑制できる。このような知見のもと、本発明者らは、導体損失の低減に関して更に検討を進めたところ、銅箔の表面粗度がある程度まで下がると、導体損失の低減にそれほど効果が現れないことがわかった。また、電気性能要求基準を満足させるために表面粗度を下げると、銅箔とポリイミド絶縁層との接着力(剥離強度)が弱くなる。そこで、電気性能要求を満足させることが可能であり、ポリイミド絶縁層との接着性を確保という観点から、銅箔の表面が、クロメート処理されていることが必要である。   When a high-frequency signal is supplied to the signal wiring, current flows only on the surface of the signal wiring, the effective cross-sectional area through which the current flows decreases, the DC resistance increases, and the signal attenuates (skin effect) ) By reducing the surface roughness of the surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer, an increase in the resistance of the signal wiring due to the skin effect can be suppressed. Based on such knowledge, the present inventors have further investigated the reduction of the conductor loss. When the surface roughness of the copper foil is lowered to a certain extent, the effect of reducing the conductor loss may not be so great. all right. Further, when the surface roughness is lowered to satisfy the electrical performance requirement standard, the adhesive strength (peeling strength) between the copper foil and the polyimide insulating layer becomes weak. Therefore, it is possible to satisfy the electrical performance requirements, and from the viewpoint of ensuring adhesion with the polyimide insulating layer, the surface of the copper foil needs to be chromated.

本実施の形態の銅張積層板において、接着性ポリイミド層(i)と接する銅箔の表面に、亜鉛及びクロムを析出させる金属析出処理がなされていて、銅箔の表面に存在する亜鉛元素の量(Zn)が0.01〜0.2mg/dmの範囲内、好ましくは0.02〜0.15mg/dmの範囲内がよく、クロム元素の量(Cr)が0.02〜0.2mg/dmの範囲内、好ましくは0.02〜0.15mg/dmの範囲内がよく、かつ亜鉛元素及びクロム元素の総量(Zn+Cr)が0.03〜0.3mg/dmの範囲内となるように制御されている。亜鉛元素は、銅箔の酸化を抑制し、クロム元素は、ポリイミド絶縁層とのピール強度向上に有効であるが、これらの金属元素は、量が多すぎるとエッチング残渣の原因となるので、銅箔の表面に存在する亜鉛元素及びクロム元素を上記範囲内の付着量とする。 In the copper-clad laminate of the present embodiment, the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) has been subjected to a metal deposition treatment for depositing zinc and chromium, and the zinc element present on the surface of the copper foil The amount (Zn) is in the range of 0.01 to 0.2 mg / dm 2 , preferably 0.02 to 0.15 mg / dm 2 , and the amount of chromium element (Cr) is 0.02 to 0. .2 mg / dm 2 , preferably 0.02 to 0.15 mg / dm 2 , and the total amount of zinc element and chromium element (Zn + Cr) is 0.03 to 0.3 mg / dm 2 . It is controlled to be within the range. The zinc element suppresses oxidation of the copper foil, and the chromium element is effective in improving the peel strength with the polyimide insulating layer. However, these metal elements cause etching residues if the amount is too large. The zinc element and chromium element present on the surface of the foil are defined as the amount of adhesion within the above range.

亜鉛元素及びクロム元素の析出処理は、例えば亜鉛めっき処理及びクロメート処理を順次行うことにより形成することができる。亜鉛めっき及びクロメート処理は、公知の方法で行うことができ、クロム元素の析出処理における亜鉛めっき層の溶解とクロム元素付着との競合関係の観点を考慮し、上記範囲内の付着量に制御できる。   The precipitation process of the zinc element and the chromium element can be formed by sequentially performing, for example, a zinc plating process and a chromate process. Zinc plating and chromate treatment can be performed by a known method, and the amount of adhesion within the above range can be controlled in consideration of the competitive relationship between dissolution of the zinc plating layer and chromium element adhesion in the chromium element precipitation treatment. .

また、本実施の形態の銅張積層板において、接着性ポリイミド層(i)と接する銅箔の表面に付着したニッケル元素の量(Ni)が1.4mg/dm以下、好ましくは0.8mg/dm以下、より好ましくは0.1mg/dm以下がよい。ニッケル元素は、ポリイミド絶縁層との接着性及びその長期耐熱信頼性又は耐薬品性に有効な金属種であるが、この付着量が多すぎるとエッチング残渣の原因となるので、1.4mg/dm以下とする。 In the copper clad laminate of the present embodiment, the amount of nickel element (Ni) attached to the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) is 1.4 mg / dm 2 or less, preferably 0.8 mg. / Dm 2 or less, more preferably 0.1 mg / dm 2 or less. Nickel element is an effective metal species for adhesion to the polyimide insulating layer and its long-term heat-reliability or chemical resistance, but if this amount is too large, it will cause etching residue, so 1.4 mg / dm 2 or less.

ニッケルは、銅に対して全率固容体であり、合金状態を作り出すことができ、又はニッケルは、銅に対して拡散しやすく、合金状態を作りやすい。このような状態は、銅単体と比較して電気抵抗が大きく、言い換えると導電率が小さくなる。このようなことから、銅箔表面におけるニッケル元素の付着量が多いと、ニッケルと合金化した銅の抵抗増大が生じる。その結果、表皮効果による信号配線の抵抗増大による信号伝送時の損失が大きくなる。このような観点から、本実施の形態の銅張積層板において、銅箔は、接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したニッケル元素の量を0.01mg/dm以下に制御することが最も好ましい。 Nickel is a solid solution with respect to copper and can create an alloy state, or nickel is easy to diffuse and form an alloy state with respect to copper. In such a state, the electric resistance is larger than that of copper alone, in other words, the conductivity is reduced. For this reason, if the amount of nickel element deposited on the copper foil surface is large, the resistance of copper alloyed with nickel increases. As a result, a loss during signal transmission due to an increase in resistance of the signal wiring due to the skin effect increases. From such a viewpoint, in the copper clad laminate of the present embodiment, the copper foil controls the amount of nickel element attached to the surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) to 0.01 mg / dm 2 or less. Is most preferred.

また、本発明者らは、金属析出処理された金属の付着量が少なくなるほど、樹脂と銅箔との間の接着強度及びその長期信頼性又は耐薬品性が低下することを確認している。このような観点から、本実施の形態の銅張積層板においては、銅との合金状態を作り難く、ニッケルに比べて抵抗増大を生じさせにくい金属であるコバルト及びモリブデンを、銅箔の表面に一定量存在させることによって、導体損失を抑制しながら、樹脂と銅箔との間の接着強度、その長期信頼性、及び、耐薬品性を確保している。従って、本実施の形態で用いる銅箔は、接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したコバルト元素の量(Co)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内、モリブデン元素の量(Mo)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内である。また、コバルト元素及びモリブデン元素の総量(Co+Mo)が0.1〜0.7mg/dmの範囲内とすることで、銅張積層板の配線加工時における配線間のポリイミド部分のエッチング残渣を抑制し、エッチングによる薬液に対する耐性低下の抑制、及び銅箔とポリイミド間の接着強度及びその長期信頼性の低下を抑制できる。 In addition, the present inventors have confirmed that the adhesion strength between the resin and the copper foil and its long-term reliability or chemical resistance decrease as the amount of the deposited metal deposited decreases. From such a viewpoint, in the copper-clad laminate of the present embodiment, cobalt and molybdenum, which are difficult to make an alloy state with copper and hardly increase resistance compared to nickel, are formed on the surface of the copper foil. The presence of a certain amount ensures the adhesive strength between the resin and the copper foil, its long-term reliability, and chemical resistance while suppressing conductor loss. Thus, the copper foil used in the present embodiment, the amount of cobalt element attached to the surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) (Co) is in the range of 0.01 to 0.5 / dm 2, the molybdenum element The amount (Mo) is in the range of 0.01 to 0.5 mg / dm 2 . Moreover, the etching residue of the polyimide part between wiring at the time of wiring processing of a copper clad laminated board is suppressed by making the total amount (Co + Mo) of a cobalt element and a molybdenum element into the range of 0.1-0.7 mg / dm < 2 >. In addition, it is possible to suppress a decrease in resistance to chemicals due to etching, and a decrease in the adhesive strength between the copper foil and the polyimide and its long-term reliability.

本実施の形態の銅張積層板に使用する銅箔の金属析出処理については、銅箔の表面に上述した金属を所定量で析出させることができる手段であれば特に制限されない。例えば、金属析出処理の一例として、上記金属を用いた防錆処理等を挙げることができ、具体的には上記金属を所定量含んだ浴を用いてめっき処理を行い、銅箔の表面に上記金属を析出させる方法等を挙げることができる。   The metal deposition treatment of the copper foil used for the copper clad laminate of the present embodiment is not particularly limited as long as it is a means capable of depositing the above-described metal in a predetermined amount on the surface of the copper foil. For example, as an example of the metal deposition treatment, a rust prevention treatment using the above metal can be exemplified, and specifically, the plating treatment is performed using a bath containing a predetermined amount of the above metal, and the surface of the copper foil is subjected to the above treatment. Examples thereof include a method for depositing a metal.

また、本実施の形態の銅張積層板に使用する銅箔は、上記金属析出処理のほかに、接着力の向上を目的として、銅箔の表面に、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。   Moreover, the copper foil used for the copper clad laminate of the present embodiment has, for example, siding, aluminum alcoholate, aluminum chelate, silane on the surface of the copper foil for the purpose of improving the adhesive strength in addition to the metal deposition treatment. Surface treatment with a coupling agent or the like may be performed.

本実施の形態の銅張積層板では、銅箔として市販されている銅箔を用いることができる。その具体例としては、福田金属箔粉工業社製のCF−T49A−DS−HD(商品名)などが挙げられる。   In the copper clad laminate of the present embodiment, a commercially available copper foil can be used as the copper foil. Specific examples thereof include CF-T49A-DS-HD (trade name) manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.

上記のとおり、銅箔のポリイミド絶縁層に接する面の表面粗度を下げることで、表皮効果による信号配線の抵抗増大を抑制できる。しかし、電気性能要求基準を満足させるために表面粗度を下げると、銅箔とポリイミド絶縁層との接着力(剥離強度)が弱くなる。そこで、電気性能要求を満足させることが可能であり、ポリイミド絶縁層との接着性を確保という観点から、表面粗さのパラメータとして、二乗平均粗さ(Rq)を制御することが好ましい。本出願人は、特願2013−205950号で示したシミュレーション試験の結果から、二乗平均粗さ(Rq)は、他の表面粗さの指標に比べ、表皮効果によって銅箔表面を流れる電流に対して、銅箔表面の微細な凹凸が与える影響をより的確に反映しているものと推察しており、銅箔におけるポリイミド絶縁層と接する面の表面粗さの指標として、二乗平均粗さ(Rq)を使用し、この二乗平均粗さ(Rq)を上記範囲内に規定することによって、ポリイミド絶縁層との接着性の確保と、配線の抵抗増大の抑制というトレード・オフの関係にある要求を同時に満足させることができることを見出している。 As described above, the increase in the resistance of the signal wiring due to the skin effect can be suppressed by reducing the surface roughness of the surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer. However, if the surface roughness is lowered to satisfy the electrical performance requirement standard, the adhesive strength (peel strength) between the copper foil and the polyimide insulating layer becomes weak. Therefore, it is possible to satisfy the electrical performance requirements, and it is preferable to control the root mean square roughness (Rq) as a surface roughness parameter from the viewpoint of ensuring adhesion with the polyimide insulating layer. From the result of the simulation test shown in Japanese Patent Application No. 2013-205950, the present applicant found that the root mean square roughness (Rq) is greater than the current flowing on the copper foil surface due to the skin effect, as compared with other surface roughness indicators. Therefore, it is presumed that the influence of the fine irregularities on the surface of the copper foil is more accurately reflected. As an index of the surface roughness of the surface of the copper foil in contact with the polyimide insulating layer, the root mean square roughness (Rq ) And defining the root mean square roughness (Rq) within the above range, there is a trade-off relationship between ensuring adhesion to the polyimide insulating layer and suppressing increase in wiring resistance. We have found that we can be satisfied at the same time.

本実施の形態の銅張積層板において、銅箔は、ポリイミド絶縁層と接する面の二乗平均粗さ(Rq)が、好ましくは0.05μm以上0.5μm未満の範囲内であり、より好ましくは0.1μm以上0.4μm以下の範囲内がよい。ここで定義される二乗平均粗さ(Rq)は、JIS B0601:2001に基づくものである。なお、銅箔の材質は、銅合金であってもよい。   In the copper clad laminate of the present embodiment, the copper foil has a root mean square roughness (Rq) of the surface in contact with the polyimide insulating layer, preferably in the range of 0.05 μm or more and less than 0.5 μm, more preferably The range of 0.1 μm or more and 0.4 μm or less is preferable. The root mean square roughness (Rq) defined here is based on JIS B0601: 2001. The material of the copper foil may be a copper alloy.

また、銅箔の表面粗度の低下に伴うポリイミド絶縁層との接着力低下を抑制するという観点から、銅箔の表面が粗化処理されていることが好ましい。   Moreover, it is preferable that the surface of copper foil is roughened from a viewpoint of suppressing the adhesive force fall with the polyimide insulating layer accompanying the fall of the surface roughness of copper foil.

銅箔の粗化処理は、例えば電気めっき法により銅箔と同じ材料(例えば銅)で銅箔の表面に微細な凹凸を有する皮膜(塊状皮膜)を付着させることにより形成することができる。なお、銅箔の粗化処理は、銅箔の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)観察により確認されるが、表皮効果によって銅箔表面を流れる電流に対して、銅箔表面の微細な凹凸が与える影響をより的確に反映しているものと推察される。このような観点から、SEM観察によって測定される銅箔の粗化高さの最大値は、好ましくは0.6μm未満がよい。銅箔の粗化高さの最大値が0.6μm未満であることで、ポリイミド絶縁層との接着性の確保と、配線の抵抗増大の抑制というトレード・オフの関係にある要求を同時に満足させることができる。 The roughening treatment of the copper foil can be formed, for example, by depositing a film (block film) having fine irregularities on the surface of the copper foil with the same material (for example, copper) as the copper foil by electroplating. In addition, although the roughening process of copper foil is confirmed by the scanning electron microscope (SEM) observation of the cross section of copper foil, the fine unevenness | corrugation of copper foil surface is with respect to the electric current which flows through the copper foil surface by a skin effect. It is presumed that it reflects the impact on the project more accurately. From such a viewpoint, the maximum value of the roughening height of the copper foil measured by SEM observation is preferably less than 0.6 μm. The maximum value of the roughening height of the copper foil is less than 0.6 μm, thereby simultaneously satisfying the requirements in a trade-off relationship between ensuring adhesion with the polyimide insulating layer and suppressing increase in wiring resistance. be able to.

本実施の形態の銅張積層板において、例えばFPCの製造に用いる場合の銅箔の好ましい厚みは3〜50μmの範囲内であり、より好ましくは5〜30μmの範囲内であるが、回路パターンの線幅を細線化するためには、銅箔の厚みは5〜20μmの範囲内が好ましい。   In the copper clad laminate of the present embodiment, for example, the preferred thickness of the copper foil when used for the production of FPC is in the range of 3 to 50 μm, more preferably in the range of 5 to 30 μm. In order to reduce the line width, the thickness of the copper foil is preferably in the range of 5 to 20 μm.

<プリント配線板>
本実施の形態のプリント配線板は、本実施の形態の銅張積層板の銅箔を常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるプリント配線板の製造することができる。
<Printed wiring board>
The printed wiring board according to the present embodiment is a printed wiring board according to an embodiment of the present invention by forming a wiring layer by processing the copper foil of the copper-clad laminate according to the present embodiment into a pattern by a conventional method. A wiring board can be manufactured.

以下、代表的にキャスト法の場合を例に挙げて本実施の形態のプリント配線板の製造方法について、具体的に説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a printed wiring board according to the present embodiment will be specifically described by taking the case of a cast method as an example.

まず、銅張積層板の製造方法は、以下の工程(1)〜(3)を含むことができる。   First, the manufacturing method of a copper clad laminated board can include the following processes (1)-(3).

工程(1):
工程(1)は、接着性ポリイミド層(i)及び低膨張性ポリイミド層(ii)を形成するためのポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の樹脂溶液を得る工程である。
Step (1):
Step (1) is a step of obtaining a resin solution of polyamic acid which is a polyimide precursor for forming the adhesive polyimide layer (i) and the low expansion polyimide layer (ii).

工程(2):
工程(2)は、銅箔上に、ポリアミド酸の樹脂溶液を塗布し、塗布膜を形成する工程である。銅箔は、カットシート状、ロール状のもの、又はエンドレスベルト状などの形状で使用できる。生産性を得るためには、ロール状又はエンドレスベルト状の形態とし、連続生産可能な形式とすることが効率的である。さらに、プリント配線板における配線パターン精度の改善効果をより大きく発現させる観点から、銅箔は長尺に形成されたロール状のものが好ましい。
Step (2):
Step (2) is a step of applying a polyamic acid resin solution on the copper foil to form a coating film. The copper foil can be used in the form of a cut sheet, a roll, or an endless belt. In order to obtain productivity, it is efficient to use a roll-like or endless belt-like form so that continuous production is possible. Furthermore, the copper foil is preferably in the form of a roll that is formed in a long length from the viewpoint of more greatly improving the effect of improving the wiring pattern accuracy in the printed wiring board.

塗布膜を形成する方法は、ポリアミド酸の樹脂溶液を銅箔の上に直接塗布した後に乾燥することで形成できる。塗布する方法は特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。   The coating film can be formed by applying a polyamic acid resin solution directly on a copper foil and then drying. The method of applying is not particularly limited, and it is possible to apply with a coater such as a comma, die, knife, lip or the like.

ポリイミド絶縁層を複数層とする場合、異なる構成成分からなる前駆体の層の上に他の前駆体を順次塗布して形成することができる。前駆体の層が3層以上からなる場合、同一の構成の前駆体を2回以上使用してもよい。層構造が簡単である2層は、工業的に有利に得ることができるので好ましい。また、前駆体の層の厚み(乾燥後)は、例えば、6〜100μmの範囲内、好ましくは9〜75μmの範囲内にあることがよい。 In the case where a plurality of polyimide insulating layers are used, other precursors can be sequentially formed on the precursor layers made of different components. When the precursor layer is composed of three or more layers, the precursor having the same configuration may be used twice or more. Two layers having a simple layer structure are preferable because they can be advantageously obtained industrially. The thickness of the precursor layer (after drying) is, for example, in the range of 6 to 100 μm, preferably in the range of 9 to 75 μm.

ポリイミド絶縁層を複数層とする場合、銅箔に接する接着性ポリイミド層(i)が熱可塑性ポリイミド絶縁層となるように前駆体の層を形成することが好ましい。熱可塑性ポリイミドを用いることで、銅箔との密着性を向上させることができる。このような熱可塑性ポリイミドは、ガラス転移温度(Tg)が360℃以下であるものが好ましく、より好ましくは200〜320℃である。   When making a polyimide insulating layer into multiple layers, it is preferable to form a layer of a precursor so that adhesive polyimide layer (i) which touches copper foil may become a thermoplastic polyimide insulating layer. By using thermoplastic polyimide, the adhesion to the copper foil can be improved. Such a thermoplastic polyimide preferably has a glass transition temperature (Tg) of 360 ° C. or lower, more preferably 200 to 320 ° C.

また、単層又は複数層の前駆体の層を一旦イミド化して単層又は複数層のポリイミド絶縁層とした後に、更にその上に前駆体の層を形成することも可能である。   It is also possible to imidize a single layer or a plurality of precursor layers once to form a single layer or a plurality of polyimide insulating layers, and further form a precursor layer thereon.

工程(3):
工程(3)は、塗布膜を熱処理してイミド化し、ポリイミド絶縁層を形成する工程である。イミド化の方法は、特に制限されず、例えば、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜60分間の範囲内の時間加熱するといった熱処理が好適に採用される。銅箔の酸化を抑制するため、低酸素雰囲気下での熱処理が好ましく、具体的には、窒素又は希ガスなどの不活性ガス雰囲気下、水素などの還元ガス雰囲気下、あるいは真空中で行うことが好ましい。熱処理により、塗布膜中のポリアミド酸がイミド化し、ポリイミドが形成される。
Step (3):
Step (3) is a step of forming a polyimide insulating layer by heat-treating the coating film to imidize it. The imidization method is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating for 1 to 60 minutes under a temperature condition in the range of 80 to 400 ° C. is suitably employed. In order to suppress the oxidation of the copper foil, heat treatment in a low oxygen atmosphere is preferable. Specifically, it is performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen or a rare gas, in a reducing gas atmosphere such as hydrogen, or in a vacuum. Is preferred. By the heat treatment, the polyamic acid in the coating film is imidized to form polyimide.

以上のようにして、接着性ポリイミド層(i)及び低膨張性ポリイミド層(ii)を有するポリイミド絶縁層と銅箔とを有する銅張積層板を製造することができる。   As described above, a copper clad laminate having a polyimide insulating layer having an adhesive polyimide layer (i) and a low expansion polyimide layer (ii) and a copper foil can be produced.

また、回路基板の製造方法は、上記(1)〜(3)の工程に加え、さらに、以下の工程(4)を含むことができる。   The circuit board manufacturing method can further include the following step (4) in addition to the above steps (1) to (3).

工程(4):
工程(4)は、銅張積層板の銅箔をパターニングして配線層を形成する工程である。本工程では、銅箔を所定形状にエッチングすることによってパターン形成し、配線層に加工することによってプリント配線板を得る。エッチングは、例えばフォトリソグラフィー技術などを利用する任意の方法で行うことができる。
Step (4):
Step (4) is a step of forming a wiring layer by patterning the copper foil of the copper clad laminate. In this step, a copper foil is etched into a predetermined shape to form a pattern, and a printed wiring board is obtained by processing into a wiring layer. Etching can be performed by any method using, for example, photolithography.

なお、以上の説明では、プリント配線板の製造方法の特徴的工程のみを説明した。すなわち、プリント配線板を製造する際に、通常行われる上記以外の工程、例えば前工程でのスルーホール加工や、後工程の端子メッキ、外形加工などの工程は、常法に従い行うことができる。   In the above description, only the characteristic steps of the printed wiring board manufacturing method have been described. That is, when manufacturing a printed wiring board, processes other than the above normally performed, for example, processes such as through-hole processing in the previous process, terminal plating in the subsequent process, and external processing can be performed according to a conventional method.

以上のように、本実施の形態のポリイミド絶縁層及び銅箔を使用することによって、インピーダンス整合性に優れた銅張積層板を形成することができる。また、本実施の形態のポリイミド絶縁層及び銅箔を用いることにより、FPCに代表される回路基板において、電気信号の伝送特性を改善し、信頼性を向上させることができる。   As described above, by using the polyimide insulating layer and the copper foil of the present embodiment, a copper-clad laminate having excellent impedance matching can be formed. In addition, by using the polyimide insulating layer and the copper foil of this embodiment mode, electrical signal transmission characteristics can be improved and reliability can be improved in a circuit board typified by FPC.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。   The features of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[粘度測定]
樹脂の粘度はE型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Viscosity measurement]
The viscosity of the resin was measured at 25 ° C. using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name: DV-II + Pro). The number of revolutions was set so that the torque was 10% to 90%, and after 2 minutes from the start of measurement, the value when the viscosity was stabilized was read.

[ピール強度及び長期信頼性の測定]
ピール強度は、テンシロンテスター(東洋精機製作所社製、商品名;ストログラフVE−1D)を用いて、導体層側の金属が幅1mmの配線に加工された基材(金属/樹脂層で構成された積層体)の樹脂層側を両面テープによりSUS板に固定し、基材を180°方向に50mm/分の速度で、樹脂層から金属配線を剥離するときの力を求めた。
長期信頼性は、上記の配線加工基材を150℃の大気雰囲気下で1000時間熱処理した後に求められた剥離する時の力と、熱処理前の力の百分率を保持率とした。
合否判定は、ピール強度が1.0kN/m以上を「合」、1.0kN/m未満を「否」と評価し、長期信頼性についてはピール強度の保持率が70%以上を「優」、60%以上を「良」、50%以上を「可」、50%未満を「不可」と評価した。
[Measurement of peel strength and long-term reliability]
The peel strength is composed of a base material (metal / resin layer) in which the metal on the conductor layer side is processed into a wiring having a width of 1 mm using a Tensilon tester (trade name: Strograph VE-1D, manufactured by Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd.). The resin layer side of the laminate was fixed to the SUS plate with a double-sided tape, and the force required to peel the metal wiring from the resin layer at a speed of 50 mm / min in the 180 ° direction was determined.
For long-term reliability, the retention rate was defined as the force at the time of peeling, which was obtained after heat-treating the above-mentioned wiring processed base material in an air atmosphere at 150 ° C. for 1000 hours, and the force before the heat treatment.
In the pass / fail judgment, a peel strength of 1.0 kN / m or higher is evaluated as “go”, and less than 1.0 kN / m is evaluated as “no”. For long-term reliability, a peel strength retention rate of 70% or higher is “excellent”. 60% or more was evaluated as “good”, 50% or more as “good”, and less than 50% as “impossible”.

[耐薬品性の評価]
耐薬品性の評価は、導体層側の金属を幅1mmの配線に加工した基材(金属/樹脂層で構成された積層体)を濃度20wt%に調整された塩酸水溶液に50℃で1時間浸漬した後に配線を剥離し、配線や配線を引き剥がした樹脂層側を観察し、金属/樹脂層間に染み込んだ塩酸水溶液の染み込み幅を評価した。
耐薬品性は、染み込みなしを「優」、染み込み幅が20μm未満を「良」、染み込み幅が30μm未満を「可」、染み込み幅が30μm以上を「不可」と評価した。
[Evaluation of chemical resistance]
Evaluation of chemical resistance was performed at 50 ° C. for 1 hour in a hydrochloric acid aqueous solution adjusted to a concentration of 20 wt% on a base material (a laminate composed of a metal / resin layer) obtained by processing a metal on the conductor layer side into a wiring having a width of 1 mm. After immersion, the wiring was peeled off, the wiring and the resin layer side where the wiring was peeled off were observed, and the penetration width of the hydrochloric acid aqueous solution soaked between the metal / resin layers was evaluated.
The chemical resistance was evaluated as “excellent” when there was no soaking, “good” when the soaking width was less than 20 μm, “good” when the soaking width was less than 30 μm, and “impossible” when the soaking width was 30 μm or more.

[誘電率及び誘電正接の測定]
誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法誘電率評価装置(Agilent社製、商品名;ベクトルネットワークアナライザE8363C)およびSPDR共振器を用いて、所定の周波数における樹脂シート(硬化後の樹脂シート)の誘電率および誘電正接を測定した。なお、測定に使用した樹脂シートは、温度;24〜26℃、湿度;45〜55%の条件下で、24時間放置したものである。
[Measurement of dielectric constant and dissipation factor]
The dielectric constant and dielectric loss tangent are measured using a cavity resonator perturbation method dielectric constant evaluation apparatus (manufactured by Agilent, trade name: Vector Network Analyzer E8363C) and an SPDR resonator, and a resin sheet (cured resin sheet) at a predetermined frequency. The dielectric constant and dielectric loss tangent of were measured. In addition, the resin sheet used for the measurement was left for 24 hours under the conditions of temperature; 24-26 ° C., humidity: 45-55%.

[銅箔の表面粗さの測定]
1)二乗平均粗さ(Rq)の測定
触針式表面粗さ計(株式会社小坂研究所製、商品名;サーフコーダET−3000)を用い、Force;100μN、Speed;20μm、Range;800μmの測定条件によって求めた。なお、表面粗さの算出は、JIS−B0601:2001に準拠した方法により算出した。
2)算術平均高さ(Ra)の測定
触針式表面粗さ計(株式会社小坂研究所製、商品名;サーフコーダET−3000)を用い、Force;100μN、Speed;20μm、Range;800μmの測定条件によって求めた。なお、表面粗さの算出は、JIS−B0601:1994に準拠した方法により算出した。
3)十点平均粗さ(Rz)の測定
触針式表面粗さ計(株式会社小坂研究所製、商品名;サーフコーダET−3000)を用い、Force;100μN、Speed;20μm、Range;800μmの測定条件によって求めた。なお、表面粗さの算出は、JIS−B0601:1994に準拠した方法により算出した。
[Measurement of surface roughness of copper foil]
1) Measurement of root mean square roughness (Rq) Using a stylus type surface roughness meter (trade name: Surfcorder ET-3000, manufactured by Kosaka Laboratory Ltd.), Force: 100 μN, Speed: 20 μm, Range: 800 μm It was determined according to the measurement conditions. The surface roughness was calculated by a method based on JIS-B0601: 2001.
2) Measurement of arithmetic average height (Ra) Using a stylus type surface roughness meter (trade name: Surfcorder ET-3000, manufactured by Kosaka Laboratory Ltd.), Force: 100 μN, Speed: 20 μm, Range: 800 μm It was determined according to the measurement conditions. The surface roughness was calculated by a method based on JIS-B0601: 1994.
3) Measurement of 10-point average roughness (Rz) Using a stylus type surface roughness meter (trade name; Surfcorder ET-3000, manufactured by Kosaka Laboratory Ltd.), Force: 100 μN, Speed: 20 μm, Range: 800 μm It was determined according to the measurement conditions. The surface roughness was calculated by a method based on JIS-B0601: 1994.

[銅箔の粗化高さの測定]
断面試料作製装置(日本電子社製、商品名;SM−09010クロスセクションポリッシャ)によるイオン照射で対象銅箔の断面形成加工を行い、露出した銅箔断面を5200倍でSEM観察することにより銅箔断面の像を得た。得られた画像を用いて、画像中に記されたスケールに基づき、粗化高さを算出した。
[Measurement of roughening height of copper foil]
The cross-section of the target copper foil is formed by ion irradiation using a cross-section sample preparation device (trade name: SM-09010 cross section polisher manufactured by JEOL Ltd.), and the exposed copper foil cross-section is observed by SEM at 5200 times to obtain a copper foil. A cross-sectional image was obtained. Using the obtained image, the roughening height was calculated based on the scale described in the image.

[金属析出処理した銅箔の表面の金属元素の測定]
銅箔の分析面裏面をマスキングした上で、1N−硝酸にて分析面を溶解し、100mLに定容した後にパーキンエルマー社製誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP−AES)Optima4300を用いて測定した。
[Measurement of metal elements on the surface of copper foil subjected to metal deposition]
After the analysis surface of the copper foil is masked, the analysis surface is dissolved with 1N-nitric acid, and the volume is adjusted to 100 mL, and then measured using an inductively coupled plasma emission spectrometer (ICP-AES) Optima 4300 manufactured by PerkinElmer. did.

[伝送特性の評価]
銅張積層板を回路加工し、特性インピーダンスを50Ωとしたマイクロストリップ線路を回路加工した評価サンプルを使用し、回路加工した側(伝送線路側)の伝送特性を評価した。SOLT法(SHORT−OPEN−LOOD−Thru)にて校正したベクトルネットワークアナライザにより、所定の周波数領域でSパラメータを測定することにより、S21(挿入損失)で評価を行った。
伝送損失の評価は、周波数が10GHzにおいて、2.2dB/10cm以上2.4dB/10cm未満を「良」、2.4dB/10cm以上2.7dB/10cm未満を「可」、2.7dB/10cm以上を「不可」とした。また、周波数が40GHzにおいて、5.7dB/10cm以上6.2dB/10cm未満を「良」、6.2dB/10cm以上6.7dB/10cm未満を「可」、6.7dB/10cm以上を「不可」と評価した。
[Evaluation of transmission characteristics]
The transmission characteristics on the circuit processed side (transmission line side) were evaluated using an evaluation sample obtained by processing a circuit of a copper-clad laminate and processing a microstrip line with a characteristic impedance of 50Ω. Evaluation was performed at S21 (insertion loss) by measuring S parameters in a predetermined frequency region with a vector network analyzer calibrated by the SOLT method (SHORT-OPEN-LOOD-Thru).
The evaluation of transmission loss is “good” when the frequency is 10 GHz and 2.2 dB / 10 cm or more and less than 2.4 dB / 10 cm, “good” when 2.4 dB / 10 cm or more and less than 2.7 dB / 10 cm, 2.7 dB / 10 cm The above was regarded as “impossible”. In addition, at a frequency of 40 GHz, “good” is 5.7 dB / 10 cm or more and less than 6.2 dB / 10 cm, “good” is 6.2 dB / 10 cm or more and less than 6.7 dB / 10 cm, and “impossible” is 6.7 dB / 10 cm or more. ".

合成例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
(A)ポリイミド原料
DDA:ダイマー酸型ジアミン(クローダジャパン株式会社製、商品名;PRIAMINE1074、炭素数;36、アミン価;205mgKOH/g、ダイマー成分の含有量;95重量%以上)
m‐TB:2,2’‐ジメチル‐4,4’‐ジアミノビフェニル
TPE‐R:1,3‐ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
BAPP:2,2‐ビス[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BPDA:3,3’,4,4’‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
The abbreviations used in the synthesis examples represent the following compounds.
(A) Polyimide raw material DDA: Dimer acid type diamine (trade name: PRIAMINE 1074, carbon number: 36, amine value: 205 mgKOH / g, content of dimer component: 95% by weight or more)
m-TB: 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl TPE-R: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene BAPP: 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) Phenyl] propane PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride DMAc: N, N-dimethylacetamide

(合成例1)
反応容器に、重合後の固形分濃度が12wt%となる量のDMAcを加え撹拌し、BAPPを投入した。投入したジアミンが完全に溶解するまで充分に撹拌を行った後、酸無水物:ジアミンのモル比率が0.990:1.000となるようPMDAを加えた。その後、室温で3時間撹拌を続け、粘度2,300cPのポリアミド酸溶液Aを得た。
(Synthesis Example 1)
To the reaction vessel, DMAc was added in an amount such that the solid content after polymerization was 12 wt%, and BAPP was added. After sufficient stirring until the charged diamine was completely dissolved, PMDA was added so that the molar ratio of acid anhydride: diamine was 0.990: 1.000. Thereafter, stirring was continued at room temperature for 3 hours to obtain a polyamic acid solution A having a viscosity of 2,300 cP.

(合成例2)
反応容器に、重合後の固形分濃度が15wt%となる量のDMAcを加え撹拌し、m−TB及びDDAをモル比率(m−TB:DDA)が90:10となるように投入した。投入したジアミンが完全に溶解するまで充分に撹拌を行った後、酸無水物:ジアミンのモル比率が0.985:1.000となるようPMDAおよびBPDAを加えた。PMDAとBPDAはモル比率(PMDA:BPDA)が80:20となるよう加えた。その後、室温で3時間撹拌を続け、粘度26,000cPのポリアミド酸溶液Bを得た。
(Synthesis Example 2)
To the reaction vessel, DMAc was added in an amount such that the solid content concentration after polymerization was 15 wt%, and m-TB and DDA were charged so that the molar ratio (m-TB: DDA) was 90:10. After sufficiently stirring until the charged diamine was completely dissolved, PMDA and BPDA were added so that the molar ratio of acid anhydride: diamine was 0.985: 1.000. PMDA and BPDA were added so that the molar ratio (PMDA: BPDA) was 80:20. Thereafter, stirring was continued at room temperature for 3 hours to obtain a polyamic acid solution B having a viscosity of 26,000 cP.

(実施例1)
電解銅箔(厚さ;12μm、ポリイミド絶縁層側のMD方向(Machine Direction;長尺な銅箔の流れ方向)の表面粗度Rz;0.5μm、Ra;0.1μm、Rq;0.2μm)を用意した。この銅箔の表面に粗化処理を行った後、コバルト及びモリブデンを所定量含んだめっき処理(金属石種る処理)をし、更に亜鉛めっき処理及びクロメート処理を行い、銅箔1を得た。銅箔1における金属析出処理した金属元素の分析値を表1に示す。また、銅箔1の断面におけるSEM写真を図1に示す。SEM写真を参照すると、粗化処理の粗化高さの最大値は0.25μmであった。
Example 1
Electrolytic copper foil (thickness: 12 μm, surface roughness Rz in the MD direction on the polyimide insulating layer side) Rz: 0.5 μm, Ra: 0.1 μm, Rq: 0.2 μm ) Was prepared. After roughening the surface of this copper foil, a plating process (a process of seeding with a metal stone) containing a predetermined amount of cobalt and molybdenum was performed, and further a galvanizing process and a chromate process were performed to obtain a copper foil 1. . Table 1 shows analytical values of the metal elements subjected to the metal precipitation treatment in the copper foil 1. Moreover, the SEM photograph in the cross section of the copper foil 1 is shown in FIG. Referring to the SEM photograph, the maximum value of the roughening height of the roughening treatment was 0.25 μm.

銅箔1の金属析出処理した面に、ポリアミド酸溶液A、ポリアミド酸溶液B、及びポリアミド酸溶液Aを順次塗布(キャスト)し、熱処理後の厚みがそれぞれ、4μm、42μm及び4μmとなるようにした。乾燥後、130℃から最終的に300℃以上まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結して、片面銅張積層板1を得た。得られた片面銅張積層板1のポリイミド絶縁層側に、銅箔1を重ね合わせ、360℃、圧力6.7MPamの条件で15分間熱圧着(ラミネート)して、両面銅張積層板1を得た。両面銅張積層板1の評価結果を表2に示す。表2に示すとおり、両面銅張積層板1の10GHz及び40GHzにおける伝送損失はそれぞれ、2.3dB/10cm及び6.1dB/10cmであり、また、銅箔をエッチング除去して得られたフィルムの誘電特性を表3に示す。   The polyamic acid solution A, the polyamic acid solution B, and the polyamic acid solution A are sequentially applied (cast) to the surface of the copper foil 1 that has been subjected to the metal precipitation treatment, and the thicknesses after the heat treatment are 4 μm, 42 μm, and 4 μm, respectively. did. After drying, stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to finally 300 ° C. or more to complete imidization, and a single-sided copper-clad laminate 1 was obtained. The copper foil 1 is overlapped on the polyimide insulating layer side of the obtained single-sided copper-clad laminate 1 and thermocompression bonded (laminated) for 15 minutes under the conditions of 360 ° C. and pressure 6.7 MPam. Obtained. The evaluation results of the double-sided copper-clad laminate 1 are shown in Table 2. As shown in Table 2, the transmission loss at 10 GHz and 40 GHz of the double-sided copper-clad laminate 1 is 2.3 dB / 10 cm and 6.1 dB / 10 cm, respectively, and the film obtained by etching away the copper foil The dielectric properties are shown in Table 3.

(実施例2)
電解銅箔(厚さ;12μm、ポリイミド絶縁層側のMD方向の表面粗度Rz;0.8μm、Ra;0.2μm、Rq;0.2μm)を用意した。この銅箔の表面に粗化処理を行った後、ニッケルを所定量含んだめっき処理(金属析出処理)をし、その上にコバルト及びモリブデンを所定量含んだめっき処理、更に亜鉛めっき処理及びクロメート処理を順次行い、銅箔2を得た。銅箔2における金属析出処理した金属元素の分析値を表1に示す。また、銅箔2の断面におけるSEM写真を参照すると、粗化処理の粗化高さの最大値は0.09μmであった。
(Example 2)
An electrolytic copper foil (thickness: 12 μm, surface roughness Rz in the MD direction on the polyimide insulating layer side: 0.8 μm, Ra: 0.2 μm, Rq: 0.2 μm) was prepared. After the surface of the copper foil is roughened, it is plated with a predetermined amount of nickel (metal deposition treatment), plated with a predetermined amount of cobalt and molybdenum, and further plated with zinc and chromate. Processing was performed sequentially to obtain a copper foil 2. Table 1 shows the analytical values of the metal elements subjected to the metal precipitation treatment in the copper foil 2. Moreover, when the SEM photograph in the cross section of the copper foil 2 was referred, the maximum value of the roughening height of a roughening process was 0.09 micrometer.

銅箔1の代わりに銅箔2を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面銅張積層板2を得た。両面銅張積層板2の評価結果を表2に示す。表2に示すとおり、両面銅張積層板2の10GHz及び40GHzにおける伝送損失はそれぞれ、2.2dB/10cm及び5.8dB/10cmであった。また、実施例1と同様にして銅箔をエッチング除去して得られたフィルムの誘電特性を表3に示す。   A double-sided copper clad laminate 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the copper foil 2 was used instead of the copper foil 1. The evaluation results of the double-sided copper-clad laminate 2 are shown in Table 2. As shown in Table 2, the transmission loss at 10 GHz and 40 GHz of the double-sided copper-clad laminate 2 was 2.2 dB / 10 cm and 5.8 dB / 10 cm, respectively. Table 3 shows the dielectric properties of films obtained by etching away copper foil in the same manner as in Example 1.

(実施例3)
電解銅箔(厚さ;12μm、ポリイミド絶縁層側のMD方向の表面粗度Rz;0.8μm、Ra;0.2μm、Rq;0.2μm)を用意した。この銅箔の表面に粗化処理を行った後、ニッケルを所定量含んだめっき処理(金属析出処理)をし、その上にコバルト及びモリブデンを所定量含んだめっき処理、更にクロメート処理を順次行い、銅箔3を得た。銅箔3における金属析出処理した金属元素の分析値を表1に示す。また、銅箔3の断面におけるSEM写真を参照すると、粗化処理の粗化高さの最大値は0.09μmであった。
(Example 3)
An electrolytic copper foil (thickness: 12 μm, surface roughness Rz in the MD direction on the polyimide insulating layer side: 0.8 μm, Ra: 0.2 μm, Rq: 0.2 μm) was prepared. After the surface of this copper foil is roughened, it is plated with a predetermined amount of nickel (metal deposition treatment), then plated with a predetermined amount of cobalt and molybdenum, and further chromated. A copper foil 3 was obtained. Table 1 shows analytical values of the metal elements subjected to the metal precipitation treatment in the copper foil 3. Moreover, when the SEM photograph in the cross section of the copper foil 3 was referred, the maximum value of the roughening height of a roughening process was 0.09 micrometer.

銅箔1の代わりに銅箔3を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面銅張積層板3を得た。両面銅張積層板3の評価結果を表2に示す。表2に示すとおり、両面銅張積層板3の10GHz及び40GHzにおける伝送損失はそれぞれ、2.2dB/10cm及び6.1dB/10cmであった。また、実施例1と同様にして銅箔をエッチング除去して得られたフィルムの誘電特性を表3に示す。   A double-sided copper clad laminate 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the copper foil 3 was used instead of the copper foil 1. The evaluation results of the double-sided copper-clad laminate 3 are shown in Table 2. As shown in Table 2, the transmission loss at 10 GHz and 40 GHz of the double-sided copper-clad laminate 3 was 2.2 dB / 10 cm and 6.1 dB / 10 cm, respectively. Table 3 shows the dielectric properties of films obtained by etching away copper foil in the same manner as in Example 1.

(比較例1)
電解銅箔(厚さ;12μm、ポリイミド絶縁層側のMD方向の表面粗度Rz;1.0μm、Ra;0.2μm、Rq;0.1μm)を用意した。この銅箔の表面に粗化処理を行った後、ニッケルを所定量含んだめっき処理(金属析出処理)をし、更に亜鉛めっき処理及びクロメート処理をして、銅箔4を得た。銅箔4における金属析出処理した金属元素の分析値を表1に示す。また、銅箔4の断面におけるSEM写真を参照すると、粗化処理の粗化高さの最大値は0.25μmであった。
(Comparative Example 1)
An electrolytic copper foil (thickness: 12 μm, surface roughness Rz in the MD direction on the polyimide insulating layer side: 1.0 μm, Ra: 0.2 μm, Rq: 0.1 μm) was prepared. After roughening the surface of the copper foil, a plating process (metal deposition process) containing a predetermined amount of nickel was performed, and further a galvanizing process and a chromate process were performed to obtain a copper foil 4. Table 1 shows the analytical values of the metal elements subjected to the metal precipitation treatment in the copper foil 4. Moreover, when the SEM photograph in the cross section of the copper foil 4 was referred, the maximum value of the roughening height of a roughening process was 0.25 micrometer.

銅箔1の代わりに銅箔4を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面銅張積層板4を得た。両面銅張積層板4の評価結果を表2に示す。表2に示すとおり、両面銅張積層板4の10GHz及び40GHzにおける伝送損失はそれぞれ、2.5dB/10cm及び6.8dB/10cmであった。また、実施例1と同様にして銅箔をエッチング除去して得られたフィルムの誘電特性を表3に示す。   A double-sided copper clad laminate 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the copper foil 4 was used instead of the copper foil 1. The evaluation results of the double-sided copper clad laminate 4 are shown in Table 2. As shown in Table 2, the transmission loss at 10 GHz and 40 GHz of the double-sided copper-clad laminate 4 was 2.5 dB / 10 cm and 6.8 dB / 10 cm, respectively. Table 3 shows the dielectric properties of films obtained by etching away copper foil in the same manner as in Example 1.

(比較例2)
市販のポリイミドフィルム(カネカ社製、商品名;PIXEO)を使用したこと以外、実施例1と同様にして、両面銅張積層板5を得た。両面銅張積層板5の評価結果を表2に示す。表2に示すとおり、両面銅張積層板5の10GHz及び40GHzにおける伝送損失はそれぞれ、2.8dB/10cm及び8.8dB/10cmであった。また、実施例1と同様にして銅箔をエッチング除去して得られたフィルムの誘電特性を表3に示す。
(Comparative Example 2)
A double-sided copper-clad laminate 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a commercially available polyimide film (trade name; PIXEO, manufactured by Kaneka Corporation) was used. The evaluation results of the double-sided copper-clad laminate 5 are shown in Table 2. As shown in Table 2, the transmission loss of the double-sided copper-clad laminate 5 at 10 GHz and 40 GHz was 2.8 dB / 10 cm and 8.8 dB / 10 cm, respectively. Table 3 shows the dielectric properties of films obtained by etching away copper foil in the same manner as in Example 1.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict | limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

Claims (5)

ポリイミド絶縁層と、該ポリイミド絶縁層の少なくとも一方の面に積層された銅箔を備えた銅張積層板であって、
前記ポリイミド絶縁層が、下記の構成Ia〜Ic:
Ia)前記銅箔の表面に接する接着性ポリイミド層(i)と、前記接着性ポリイミド層(i)に直接又は間接的に積層された低膨張性ポリイミド層(ii)と、を有すること;
Ib)前記接着性ポリイミド層(i)が、テトラカルボン酸無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリイミドからなり、前記酸無水物成分に対し、ピロメリット酸二無水物(PMDA)を50モル%以上含有し、前記ジアミン成分に対し、2,2‐ビス[4‐(4‐アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)を50モル%以上含有すること;
Ic)下記の数式(a)、
=√ε×Tanδ ・・・(a)
[ここで、εは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電率を示し、Tanδは、空洞共振器摂動法による10GHzにおける誘電正接を示す]
に基づき算出される、誘電特性を示す指標であるE値が0.009未満であること;
を備え、
更に、前記銅箔が、下記の構成IId及びIIe:
IId)前記接着性ポリイミド層(i)と接する面が粗化処理されており、該銅箔表面の十点平均粗さ(Rz)が1.0μm以下、算術平均高さ(Ra)が0.2μm以下であること;
IIe)前記接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したニッケル元素の量(Ni)が1.4mg/dm以下であり、亜鉛元素の量(Zn)が0.01〜0.2mg/dmの範囲内、クロム元素の量(Cr)が0.02〜0.2mg/dmの範囲内であり、かつ亜鉛元素及びクロム元素の総量(Zn+Cr)が0.03〜0.3mg/dmの範囲内であること;
を備えているとともに、前記銅箔における前記ポリイミド絶縁層と接する面の二乗平均粗さ(Rq)が、0.05μm以上0.5μm未満の範囲内である銅張積層板。
A copper clad laminate comprising a polyimide insulating layer and a copper foil laminated on at least one surface of the polyimide insulating layer,
The polyimide insulating layer has the following constitutions Ia to Ic:
Ia) having an adhesive polyimide layer (i) in contact with the surface of the copper foil and a low expansion polyimide layer (ii) laminated directly or indirectly on the adhesive polyimide layer (i);
Ib) The adhesive polyimide layer (i) comprises a polyimide obtained by reacting a tetracarboxylic acid anhydride component and a diamine component, and pyromellitic dianhydride (PMDA) is added to the acid anhydride component. Containing 50 mol% or more, and containing 50 mol% or more of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP) with respect to the diamine component;
Ic) The following mathematical formula (a),
E 1 = √ε 1 × Tanδ 1 ··· (a)
[Where ε 1 indicates a dielectric constant at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method, and Tan δ 1 indicates a dielectric loss tangent at 10 GHz by the cavity resonator perturbation method]
The E 1 value, which is an index indicating dielectric properties, calculated based on the above is less than 0.009;
With
Further, the copper foil has the following configurations IId and IIe:
IId) The surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) is roughened, the ten-point average roughness (Rz) of the copper foil surface is 1.0 μm or less, and the arithmetic average height (Ra) is 0. 2 μm or less;
IIe) The amount of nickel element (Ni) adhering to the surface in contact with the adhesive polyimide layer (i) is 1.4 mg / dm 2 or less, and the amount of zinc element (Zn) is 0.01-0.2 mg / Within the range of dm 2 , the amount of chromium element (Cr) is within the range of 0.02 to 0.2 mg / dm 2 , and the total amount of zinc element and chromium element (Zn + Cr) is 0.03 to 0.3 mg / within the range of dm 2 ;
And a copper-clad laminate having a mean square roughness (Rq) of a surface in contact with the polyimide insulating layer in the copper foil in a range of 0.05 μm or more and less than 0.5 μm .
前記銅箔における前記接着性ポリイミド層(i)と接する面が粗化処理され、該銅箔断面の走査型電子顕微鏡(SEM)観察により測定される該粗化処理の粗化高さの最大値が、0.6μm未満である請求項に記載の銅張積層板。 The surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) is roughened, and the maximum roughening height of the roughening treatment measured by scanning electron microscope (SEM) observation of the copper foil cross section but copper-clad laminate according to claim 1 is less than 0.6 .mu.m. 前記銅箔における前記接着性ポリイミド層(i)と接する面に付着したニッケル元素の量(Ni)が0.01mg/dm以下であり、コバルト元素の量(Co)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内、モリブデン元素の量(Mo)が0.01〜0.5mg/dmの範囲内であり、かつコバルト元素及びモリブデン元素の総量(Co+Mo)が0.1〜0.7mg/dmの範囲内である請求項1又は2に記載の銅張積層板。 The amount (Ni) of nickel element adhering to the surface of the copper foil in contact with the adhesive polyimide layer (i) is 0.01 mg / dm 2 or less, and the amount of cobalt element (Co) is 0.01-0. in the range of 5 mg / dm 2, the amount of elemental molybdenum (Mo) is in the range of 0.01 to 0.5 / dm 2, and the total amount of cobalt element and elemental molybdenum (Co + Mo) is 0.1 to 0. copper-clad laminate according to claim 1 or 2 in the range of 7 mg / dm 2. 請求項1〜のいずれか1項に記載の銅張積層板の銅箔を配線回路加工してなるプリント配線板。 The printed wiring board formed by carrying out wiring circuit processing of the copper foil of the copper clad laminated board of any one of Claims 1-3 . 請求項に記載のプリント配線板を、1GHz〜40GHzの範囲内の周波数領域で使用するプリント配線板の使用方法。 The usage method of the printed wiring board which uses the printed wiring board of Claim 4 in the frequency area | region within the range of 1 GHz-40 GHz.
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