KR102213023B1 - 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 은 나노 분말(Ag nano powder), 구형 은(spherical type Ag) 및 판상형 은(flake type Ag)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 저온, 저저항 및 짧은 소성 시간을 갖는 페이스트 조성물을 이용하면, 코팅성 최적화에 따라 생산성을 향상시킬 수 있으며, 피크 형상 제거 공정이 필요없어 페이스트 손실을 최소화함으로써 페이스트 절감 효과를 얻을 수 있고, 1회 디핑(dipping) 공정으로 외부전극의 두께 및 형상을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 추가 공정으로 더 얇은 두께의 외부전극의 형성이 가능하며, 나노 입자의 적용으로 RDC(DC resistance) 특성 및 신뢰성을 개선할 수 있는바, 고성능 및 초소형 인덕터 제품에 적용이 가능하다.
Description
본 발명은 은 나노 분말(Ag nano powder), 구형 은(spherical type Ag) 및 판상형 은(flake type Ag)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 은 나노 입자와 같은 물리적 특성이 우수한 소재를 이용하여, 간단한 공정으로 얇은 두께의 외부 전극을 형성할 수 있으며, 1회 디핑(dipping) 공정 적용을 통해 생산효율성을 증가시킬 수 있고, 고밀도 특성에 의한 전극 내부 공극(pore)의 최소화로 RDC(DC resistance) 특성 및 신뢰성이 우수한 전극을 형성할 수 있는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물에 관한 것이다.
인덕터 시장은 IT 기기의 고성능화, 소형화 및 사용 부품의 증가 등으로 인하여 꾸준히 성장하고 있다. 특히 고성능 스마트폰의 경우 약 100개 이상의 인덕터가 사용되고 있으며, 고성능과 함께 무게와 실장 면적은 상대적으로 낮은 것을 요구하는 시장 특성을 고려할 때, 고성능 및 초소형 칩 인덕터의 개발은 필연적이다.
칩 인덕터는 통상 자성재료 또는 유전재료를 시트로 주조한 다음, 주조된 시트상에 내부전극을 인쇄하고, 인쇄된 유전체 시트를 적층과 소결하는 방법과 기저시트 상에 내부전극을 인쇄하고 내부전극이 인쇄된 시트상에 동일한 유전물질을 도포한 다음, 이를 건조 및 소결하는 방법에 의해 제조된다. 이러한 칩 인덕터는 인덕터를 구성하는 내부전극 및 외부전극이 중요하며, 이러한 전극의 소재에 따라 인덕터의 효율이 결정된다. 인덕터의 효율은 저항(R)이 낮을수록 증가하며 저항을 낮추기 위해서는 우수한 비저항, 접촉저항, 부착력 및 환경신뢰성을 가진 외부전극 페이스트가 필요하다. 아울러, 초소형화에 맞추어 외부전극의 두께가 낮으면서도 고성능을 가지는 전극 페이스트가 필요하다.
종래에는 페이스트 조성물로 1회 외부전극 형성 후 또 한번의 공정을 거쳐 두께 및 특성을 부여하는 이중공정으로 외부전극을 형성하여 인덕터를 제조하였다. 그러나, 이러한 경우 높은 비저항, 1회 공정으로 원하는 두께 및 형상이 유지되지 않아 요구되는 2회의 외부전극 형성 공정, 이로 인한 페이스트의 손실 및 생산성 저하, 및 가장자리 부분의 얇은 두께 및 페이스트의 전체적인 부착력 저하 문제가 있다.
삭제
본 발명의 목적은 은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료; 에틸 셀룰로오스로 구성된 군에서 선택된 제1 바인더, 및 에폭시 수지로 구성된 군에서 선택된 제2 바인더를 포함하는 바인더; 아민 경화제로 구성된 군에서 선택된 제1 경화제, 및 블록이소시아네이트로 구성된 군에서 선택된 제2 경화제를 포함하는 경화제; 칙소제; 분산제; 및 용매를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료; 에틸 셀룰로오스로 구성된 군에서 선택된 제1 바인더, 및 에폭시 수지로 구성된 군에서 선택된 제2 바인더를 포함하는 바인더; 아민 경화제로 구성된 군에서 선택된 제1 경화제, 및 블록이소시아네이트로 구성된 군에서 선택된 제2 경화제를 포함하는 경화제; 칙소제; 분산제; 및 용매를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 저온, 저저항 및 짧은 소성 시간을 갖는 페이스트 조성물을 이용하면, 코팅성 최적화에 따라 생산성을 향상시킬 수 있으며, 피크 형상 제거 공정이 필요 없어 페이스트 손실을 최소화함으로써 페이스트 절감 효과를 얻을 수 있고, 1회 디핑 공정으로 외부전극의 두께 및 형상을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 추가 공정으로 더 얇은 두께의 외부전극의 형성이 가능하며, 나노 입자의 적용으로 RDC 특성 및 신뢰성을 개선할 수 있는바, 고성능 및 초소형 인덕터 제품에 적용이 가능하다.
도 1은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 원재료의 입자를 비교하여 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 디핑 공정을 비교하여 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 코팅 후 이미지를 비교하여 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 SEM 이미지를 비교하여 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 측면강도를 비교하여 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 인장강도를 비교하여 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 공극을 SEM 이미지를 통해 비교하여 나타낸 것이다.
도 8은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 RDC를 비교하여 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 디핑 공정을 비교하여 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 코팅 후 이미지를 비교하여 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 SEM 이미지를 비교하여 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 측면강도를 비교하여 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 인장강도를 비교하여 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 공극을 SEM 이미지를 통해 비교하여 나타낸 것이다.
도 8은 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 RDC를 비교하여 나타낸 것이다.
다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법은 본 기술 분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본 발명은 일 관점에서, 은 나노 분말(Ag nano powder), 구형 은(spherical type Ag) 및 판상형 은(flake type Ag)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 상기 은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하며, 리올로지(rheology) 및 저항을 위해 각기 다른 크기 및 모양을 가진 은이 필요하며, 이를 최적의 비율로 포함하는 경우 내부 공극이 최소화되고 계면 접촉 면적이 넓어진다. 이는 비저항 및 RDC를 낮추고 고 부착특성을 부여하여 인덕터 전체의 특성을 향상시킨다. 은 나노입자는 바람직하게는 500 nm 이하, 더욱 바람직하게는 100 nm 이하를 사용하며, 입자가 작을수록 용융온도도 낮아지고 이로써 저온 및 저저항, 그리고 짧은 소성 시간을 부여하며, 또한 열충격 등의 고온 신뢰성 평가 후 저항 변화를 최소화하여 유지시키는 역할을 한다. 은나노 입자의 직경이 500nm이상의 경우에는 은나노 입자사이의 공극이 커지므로 충분한 접촉면적을 확보할 수없는 문제점이 있다. 리올로지(HBDV PRO Ⅱ+, 14 SP, 10 rpm)는 바람직하게는 10,000 내지 50,000 cps, 더욱 바람직하게는 15,000 내지 35,000 cps에서 최적의 두께, 모양 및 저항 특성을 가진다.
본 발명에 있어서, 상기 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물은 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 상기 바인더는 바인더의 형상 유지를 위한 약간의 탄성과 리올로지, 부착 특성 및 나노입자 분산제 역할을 하는, 에틸 셀룰로오스로 구성된 군에서 선택된 제1 바인더; 및 주 바인더로서 고 부착특성을 부여하는, 에폭시 수지로 구성된 군에서 선택된 제2 바인더를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물은 경화제, 칙소제, 용매 및 분산제로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 경화제는 고온 신뢰성 유지를 위한 경화제로서 부착 보조제 역할을 하며, 과량 투입시 저항이 급격히 상승하게 되므로 극히 소량을 페이스트에 맞게 투입하여야 하는, 아민 경화제로 구성된 군에서 선택된 제1 경화제; 및 잠재성 경화제로서, 소량으로도 고 부착특성을 부여하는, 블록이소시아네이트로 구성된 군에서 선택된 제2 경화제를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 칙소제는 두께 및 형상 유지를 위한 적정 리올로지 부여를 위해 필수적인 것으로, 소량 투입으로도 점도 및 T.I(thixotropic index)를 상승시킨다. 이는 리올로지에는 필수적이나 과량 투입시 급격한 저항 상승 및 부착특성 저하의 원인이 된다. 칙소제로서 알려진 것이면 제한없이 사용가능하다.
본 발명에 있어서, 상기 분산제는 금속 분산을 위한 것으로, 소량으로도 분산 역할을 부여하나, 과량 투입시 비저항 상승 및 부착력 저하의 원인이 되며, 과한 분산으로 인하여 리올로지 저하의 원인이 된다. 분산제로서 알려진 것이면 제한없이 사용가능하다.
본 발명에 있어서, 상기 용매는 고상을 존재하는 원료 물질의 용해를 위한 것으로, 바람직하게는 제1 바인더에 대한 제1 용매, 제1 경화제에 대한 제2 용매, 제2 바인더에 대한 제3 용매를 포함할 수 있다. 상기 용매는 알콜류, 케톤류, 터피네올류 등을 비롯하여 제한없이 사용가능하다.
본 발명은 구체적인 일 관점에서, 은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료; 에틸 셀룰로오스로 구성된 군에서 선택된 제1 바인더, 및 에폭시 수지로 구성된 군에서 선택된 제2 바인더를 포함하는 바인더; 아민 경화제로 구성된 군에서 선택된 제1 경화제, 및 블록이소시아네이트로 구성된 군에서 선택된 제2 경화제를 포함하는 경화제; 칙소제; 분산제; 및 용매를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물은 바람직하게는 5 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 25 중량%의 은 재료; 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.4 내지 1.0 중량%의 제1 바인더; 바람직하게는 1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 3 내지 6 중량%의 제2 바인더; 바람직하게는 0.05 내지 2.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량%의 제1 경화제; 바람직하게는 0.1 내지 5.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%의 제2 경화제; 바람직하게는 0.1 내지 4.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2.0 중량%의 칙소제; 및 바람직하게는 0.01 내지 2.0 중량%, 더욱 바람직하게는 0.05 내지 1.0 중량%의 분산제를 포함하고, 나머지는 용매인 것을 특징으로 할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
실시예 1: 은 나노입자 페이스트 조성물의 제조
은 나노 분말, 구형 은 및 판상형 은을 포함하는 은 재료; 제1 바인더 및 제2 바인더를 포함하는 바인더; 제1 경화제 및 제2 경화제를 포함하는 경화제; 칙소제; 분산제 및 용매를 포함하는 은 나노입자 페이스트 조성물을 하기 표 1에 기재된 함량비로 제조하였다.
재료 | 함량 (중량%) | ||
1 | 2 | ||
은 재료 | 은 나노 분말 | 10-25 | 5-50 |
구형 은 | 15-30 | 5-50 | |
판상형 은 | 15-30 | 5-50 | |
바인더 | 제1 바인더 | 0.4-1.0 | 0.1-30 |
제2 바인더 | 3-6 | 1-10 | |
경화제 | 제1 경화제 | 0.1-0.5 | 0.05-2.0 |
제2 경화제 | 0.5-3 | 0.1-5.0 | |
칙소제 | 0.5-2.0 | 0.1-4.0 | |
분산제 | 0.05-1.0 | 0.01-2.0 | |
용매 | 나머지 |
실시예 2: 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 특성 비교
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 코팅 특성, 저항 특성, 부착력 및 강도편차 등의 특성을 비교하였다.
2-1: 원재료의 입자 비교
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 SEM 이미지를 비교해본 결과, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물의 입자 크기가 작아 높은 밀도를 가지며, 이로써 뛰어난 코팅성 및 우수한 전기적 특성을 확보한다는 것을 확인할 수 있었다(도 1).
2-2: 디핑 공정의 비교
판상형 페이스트 조성물은 1회 디핑 공정시 피크 형상이 발생하므로 추가적인 2회 디핑 공정으로 피크 형상을 제거하여야 하나, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물은 1회 디핑 공정시 피크 형상이 발생하지 않으므로, 생산성을 향상시킬 수 있고, 공정 조건에 따라 전극의 두께를 낮출 수 있다(도 2 및 3). 즉, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물은 피크 형상이 없어 1회 디핑으로 코팅 공정을 완료할 수 있는바, 생산 효율성이 약 1.4 내지 2 배 상승할 것이라고 예측할 수 있다.
2-3: 코팅 특성의 비교
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물의 SEM 이미지를 확인해본 결과, 가장자리(edge) 부분 코팅 특성이 우수하며, 우수한 계면 접착력을 가진다는 것을 확인할 수 있었다(도 4). 아울러, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 센터 피크 코팅 두께 및 편차를 비교해본 결과, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물은 1회 디핑시 피크 기준으로 45%의 얇은 두께로 코팅되며, 낮은 두께 편차로 완제품의 품질 균일성을 기대할 수 있을 뿐만 아니라, 1회 디핑 시 페이스트 소모량이 20% 감소하였고 폐 페이스트는 없으므로 1회 디핑으로 형상 및 두께 관리가 가능하다(표 2).
디핑 샘플 100 ea |
판상형 페이스트 조성물 | 실시예 1 페이스트 조성물 | ||
1회 디핑 | 블로팅후 | 1회 디핑 | ||
두께 (um) |
평균 | 119.3 | 58.95 | 65.20 |
최대 | 127.4 | 68.14 | 70.36 | |
최소 | 101.7 | 47.36 | 57.54 |
2-4: 부착력 및 강도편차의 비교
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 측면강도 및 인장강도를 비교해본 결과, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물을 이용한 경우 측면강도 및 인장강도가 우수한바, 완제품의 충격시 불량률이 저하됨을 확인할 수 있었다(도 5 및 도 6, 표 3 및 표 4).
디핑 샘플 100 ea |
판상형 페이스트 조성물 | 실시예 1 페이스트 조성물 | |
2회 디핑 | 1회 디핑 | ||
측면강도 (kgf) |
평균 | 6.42 | 6.83 |
최대 | 7.71 | 7.78 | |
최소 | 4.46 | 5.89 |
디핑 샘플 100 ea |
판상형 페이스트 조성물 | 실시예 1 페이스트 조성물 | |
2회 디핑 | 1회 디핑 | ||
인장강도 (kgf) |
평균 | 3.01 | 3.35 |
최대 | 3.33 | 3.52 | |
최소 | 2.61 | 2.92 |
2-5: 저항 특성의 비교
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 SEM 이미지(X 5,000)을 확인해본 결과, 저항상승과 더불어 열 발생시 공극의 팽창에 의해 기기의 신뢰성에 영향을 미치는 다수의 큰 공극이 관찰된 판상형 페이스트 조성물과 달리, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물은 큰 공극이 관찰되지 않았다(도 7). 아울러, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 RDC 및 저항 편차를 비교해본 결과, 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물의 RDC 및 저항 편차가 낮아 제품의 신뢰성이 향상됨을 확인할 수 있었다(도 8 및 표 5).
판상형 페이스트 조성물 | 실시예 1 페이스트 조성물 | ||
RDC (mΩ) | 평균 | 30.73 | 30.23 |
최대 | 32.81 | 31.20 | |
최소 | 29.37 | 29.24 |
상술한 실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물과 판상형 페이스트 조성물의 코팅 특성, 저항 특성 등을 비롯한 특성을 비교한 결과를 하기 표 6에 나타내었다.
특성 | 판상형 페이스트 조성물 | 실시예 1 페이스트 조성물 | 비고 |
고형분 함량(%) | 76 | 52±2 | TGA |
점도(cps) | 37,000 | 22,000±5,000 | HBDV-Ⅱ+ 점도계 (10rpm, 25℃, spin. 15) |
T.I(10/100 rpm) | 1.80 | 2.5±0.5 | |
디핑 | 2 단계 디핑 | 1단계 디핑 | |
건조 조건 | 100℃ X 20분 | 100℃ X 20분 | |
큐어링 조건 | 250℃ X 60분 | 250℃ X 60분 | 컨벡션 오븐 |
부피 저항(mΩ/) | 3.15 | 1.5 | 스크린 프린팅 250℃, 1시간 |
두께(μm) | 평균 68.95 | 평균 58.7 | FE-SEM |
부착력(kgf) | 측면강도: 평균 6.42 인장강도: 평균 3.01 |
측면강도: 평균 6.83 인장강도: 평균 3.35 |
실시예 3: 은 나노입자 페이스트 조성물을 이용한 인덕터의 제조
실시예 1에서 제조한 은 나노입자 페이스트 조성물을 이용하여 하기 표 7 및 8에 기재된 것과 같은 구조의 인덕터를 제조하였다.
인덕터 타입 | 이미지 | 본체(body) | 내부전극 | 외부전극 | |||
박막형(thin film type) (일반형) |
Fe 합금 | Cu 전극 | Ag 디핑 Ni 도금 Sn 도금 |
||||
박막형 (소형) |
금속 스퍼터(sputter) Cu 도금 Ni 도금 Sn 도금 |
||||||
적층형 | 세라믹 소재 | Ag 인쇄 | Ag 디핑 Ni 도금 Sn 도금 |
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시태양일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (10)
- 은 나노 분말(Ag nano powder), 구형 은(spherical type Ag) 및 판상형 은(flake type Ag)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 은 재료, 바인더, 경화제, 칙소제, 분산제 및 용매를 포함하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물로서,
상기 바인더는 에틸 셀룰로오스로 구성된 군에서 선택된 제1 바인더, 및 에폭시 수지로 구성된 군에서 선택된 제2 바인더를 포함하고,
상기 경화제는 아민 경화제로 구성된 군에서 선택된 제1 경화제, 및 블록이소시아네이트로 구성된 군에서 선택된 제2 경화제를 포함하고,
은 재료 10 내지 25 중량%, 제1 바인더 0.4 내지 1.0 중량%, 제2 바인더 3 내지 6 중량%, 제1 경화제 0.1 내지 0.5 중량%, 제2 경화제 0.5 내지 3.0 중량%, 칙소제 0.5 내지 2.0 중량% 및 분산제 0.05 내지 1.0 중량%가 포함되고, 나머지는 용매로 이루어진 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에서,
상기 은나노 분말의 입자는 500nm이하의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물.
- 제1항에서,
상기 은나노 분말의 입자는 100nm이하의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 인덕터의 외부전극용 페이스트 조성물.
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