KR102206694B1 - 전계발광 디바이스 - Google Patents

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KR102206694B1
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프랑크 에곤 마이어
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본원은 a) 애노드, b) 캐소드, c) 적어도 하나의 전계발광 재료를 포함하고 애노드와 캐소드 사이에 배치되는 적어도 하나의 에미터층, 및 d) 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하고 적어도 하나의 에미터층과 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층을 포함하는 전계발광 디바이스에 관한 것으로, 상기 디바이스는 적어도 하나의 에미터층이 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체를 포함한다. 본 발명에 따른 전계발광 디바이스는 높은 수명 및 높은 방사 효율에 의해 구별된다.

Description

전계발광 디바이스{ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 에미터층에 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성을 갖는 중합체를 포함하는 전계발광 디바이스에 관한 것이다.
가장 일반적인 의미에서의 일렉트로닉스 산업에 기인될 수 있는 다수의 상이한 애플리케이션들에서, 기능성 재료들로서의 유기 반도체들의 사용이 한동안 실현되어 왔거나 또는 가까운 미래에 예상된다.
이를 테면, 감광성 유기 재료들 (예를 들어, 프탈로시아닌) 및 유기 전하 수송 재료들 (예를 들어, 트리아릴아민계 정공 수송체들) 이 이미 복사기들에서 수년동안 사용되어 왔다.
일부가 또한 가시 분광 영역에서 광을 방출할 수 있는, 일부 특정 반도체성 유기 화합물들은 시판되는 디바이스들에서, 예를 들어 유기 전계발광 디바이스들에서 이제 이미 사용되고 있다.
그 개별 컴포넌트들, 유기 발광 다이오드들 (OLED들) 은 애플리케이션의 매우 광범위한 스펙트럼을 갖는다. OLED들은 예를 들어 다음과 같은 용도를 이미 찾고 있다:
- (예를 들어 포켓 계산기들, 휴대폰들 및 다른 휴대 애플리케이션들에서의) 모노크롬 또는 멀티컬러 디스플레이 엘리먼트용 백색 또는 착색 조명,
- (예를 들어 트래픽 사인들 또는 포스터들로서의) 대면적 디스플레이들,
- 매우 다양하게 상이한 컬러들 및 형태들의 조명 엘리먼트들,
- (예를 들어 휴대폰들, PDA들 및 캠코더용의) 휴대용 애플리케이션용 모노크롬 또는 풀컬러 수동 매트릭스 디스플레이들,
- 매우 다양하게 상이한 애플리케이션들용 (예를 들어 휴대폰들, PDA들, 랩탑들 및 텔레비젼들용) 의 풀컬러 대면적 및 고해상도 활성 매트릭스 디스플레이들.
이들 애플리케이션에서의 개발은 이미 매우 진보되어 있다. 그럼에도 불구하고 기술적 개선들에 대한 필요성이 여전히 크다.
OLED들의 동작 수명은 일반적으로 여전히 비교적 낮다. 특히 풀 컬러 애플리케이션 (풀 컬러 디스플레이, 즉 세그멘테이션을 갖지 않지만 전체 영역을 통해 모든 색상을 나타낼 수 있는 디스플레이) 의 경우, 이것은 개별 색상의 에이징의 상이한 속도를 유도한다. 그 결과, (일반적으로 초기 휘도의 50%로의 하락만큼 정의되는) 디스플레이의 실제 수명의 말미 이전인 경우에도, 백색 포인트에서의 명백한 쉬프트가 존재하며, 이것은 디스플레이에서의 표현의 컬러 렌더링이 매우 열악해지는 것을 의미한다. 이 문제를 회피하기 위해서, 일부 디스플레이 사용자들은 수명을 70% 또는 90%인 것으로 정의한다 (즉, 초기 휘도에서의 하락이 초기 값의 70% 또는 90%). 그러나, 이것의 결과는 수명이 심지어 더 짧아진다는 것이다.
OLED들의 효율성은 허용가능하지만, 구체적으로 휴대용 애플리케이션에 대한 개선이 여전히 또한 소망됨은 물론이다.
모든 3가지 베이스 컬러들로 이루어지는 OLED들, 구체적으로 광대역 백색 방출 OLED들의 색좌표는 다수의 애플리케이션에 대해 충분할만큼 아직 양호한 것은 아니다. 특히 고효율의 양호한 색좌표의 조합은 여전히 개선될 필요가 있다.
상기 언급된 이유들은 OLED의 제작에 있어서 필수적인 개선사항이다.
유기 전계발광 디바이스의 일반적인 구조는 예를 들어 US 4,539,507 및 EP 1202358 A에 기재되어 있다. 통상적으로, 유기 전계발광 디바이스는, 진공법 또는 상이한 인쇄법에 의해, 특히 잉크젯 프린팅과 같은 용액 기반의 인쇄법, 또는 열전사 인쇄 또는 LITI (레이저 열 이미징) 와 같은 무용매 인쇄법에 의해 차곡차곡 형성되는 여러 층들로 이루어진다.
주로 용액으로부터 프로세싱되는, 즉 가용성 재료들을 이용하는 통상적인 OLED는 일반적으로 하기 층들을 갖는다:
- 바람직하게 유리 또는 플라스틱으로부터 제조된 캐리어 플레이트 또는 기판;
- 바람직하게 인듐 주석 산화물 ("ITO") 로 구성되는 투명한 애노드;
- 예를 들어 정공 전도체 특성들을 갖는 전도성 중합체들, 예를 들어, 폴리아닐린 (PANI) 또는 폴리티오펜 유도체들 (예컨대 PEDOT) 에 기반하는, 적어도 하나의 정공 주입층 ("HIL");
- 예를 들어 트리아릴아민 단위들을 포함하는 중합체들에 기반하는, 선택적인 중간층 ("IL") 또는 정공 수송층 ("HTL")(WO 2004/084260 A);
- 적어도 하나의 방출층 ("EML") 으로서, 이 층은 위 또는 아래에 언급된 층들과 부분적으로 상호작용한다; EML은 바람직하게 형광 염료, 예를 들어 Ν,Ν'-디페닐퀴나크리돈 (QA), 또는 인광 염료들, 예를 들어, 트리스(페닐피리딜)이리듐 (Ir(PPy)3) 또는 트리스(2-벤조티오페닐피리딜)이리듐 (Ir(BTP)3), 및 도핑된 매트릭스 재료들, 예를 들어 4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐 (CBP) 를 포함한다. EML은 또한 중합체들, 중합체들의 혼합물들, 저분자량 화합물들과 중합체들의 혼합물들 또는 상이한 저분자량 화합물들의 혼합물들로 이루어질 수도 있다;
- 선택적인 정공 차단층 ("HBL") 으로서, 이 층은 후술되는 ETL 또는 EIL 층들과 부분적으로 조합될 수도 있다; HBL은 바람직하게 낮은 HOMO를 갖고 정공들의 수송을 차단하는 재료들, 예를 들어, BCP (2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 또는 바토쿠프로인) 또는 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-(페닐페놀라토)알루미늄(III) (BAlq)을 포함한다;
- 예를 들어, 알루미늄 트리스-8-히드록시퀴녹살리네이트 (AlQ3) 로 이루어질 수도 있는 선택적인 전자 수송층 ("ETL");
- 상기 EML, HBL 또는 ETL 층들과 부분적으로 조합될 수도 있거나 또는 캐소드의 작은 부분이 특별히 처리되거나 또는 특별히 증착되는, 선택적인 전자 주입층 ("EIL"); 이 EIL 층은 고유전 상수를 갖는 재료로 이루어지는 박층, 예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO 또는 NaF의 층일 수도 있다;
- 캐소드로서, 낮은 일 함수를 갖는 금속들, 금속 조합물들 또는 금속 합금들이 여기서 바람직하며, 예를 들어, Ca, Ba, Cs, Mg, Al, In 또는 Mg/Ag 이다.
HBL, ETL 및/또는 EIL 층들과 같은 개별 층들은, 필요하다면, 용액으로부터의 도포보다는, 감압하에서의 기상 증착에 의해서 또한 제조되어, 소위 하이브리드 디바이스라 불리는 것을 제조할 수 있다.
전체 디바이스는 (애플리케이션에 의존하여) 적절하게 구조화되고, 콘택들이 제공되며 그리고 최종적으로 관례상 그리고 밀봉되게 시일되는데, 그 이유는 이러한 디바이스들의 수명이 물 및/또는 공기의 존재중에서 급격히 단축될 수 있기 때문이다. 광이 캐소드에서 방출되는 인버티드 구조라 불리는 것, 소위 탑 에미션에서도 또한 동일하게 적용된다. 인버티드 OLED의 경우, 애노드는 예를 들어 Al/Ni/NiOx 로부터 또는 Al/Pt/PtOx 로부터 또는 일 함수가 5eV 초과하는 다른 금속/금속 산화물의 조합물로부터 형성된다. 캐소드는 추가로 기재된 동일 재료들로부터 형성되지만, 금속 또는 금속 합금이 매우 얇게 형성되어 투명하다. 층 두께는 바람직하게 50 nm 미만이고, 보다 바람직하게 30 nm 미만이고, 가장 바람직하게 10 nm 미만이며, 방출된 광의 비율은 결과적으로 언제나 흡수된다. 추가 투명 재료, 예를 들어, ITO 또는 IZO ("인듐 아연 산화물") 이 또한 이 투명 캐소드에 형성될 수도 있다.
종래의 OLED들은 적어도 다음의 층 구조를 갖는다:
애노드/정공 주입층/에미터층/캐소드. 이러한 종류의 구조에서는, 정공과 전자의 재결합 및 이로인한 방사선의 발생이 에미터층에서 일어난다. 정공은, 에미터 분자들은 물론 통상적으로 적어도 하나의 지배적 전자 전도성 재료를 포함하는 에미터층 안으로 이동하고, 그리고 그 안에서 전자들에 의한 에미터 분자들의 여기에 의해 재결합한다. OLED들에서 요즘 사용되는 대부분의 중합체들은 정공들의 경우보다 전자들의 경우 더 높은 이동도를 갖는다 (Friend et al.에 의한 네이처, 제 434권, 194 페이지 참조).
지배적 정공 전도성인 공액 전계발광 중합체 재료들은 아직 설명되지 않았고 아직 에미터층에서도 사용되지 않았다. 에미터층들에서의 이들 재료의 사용은, 단순한 모든의 층의 제조는 물론, 또한 가능한 옵션으로 중요한 개선을 제공할 것이며 신규한 OLED들의 구성을 가능하게 할 것이다.
WO 2008/034758 A에는, 정공 전도성 재료를 포함하고 인광 에미터를 포함하는 발광층을 포함하는, 비교적 수명이 긴 OLED가 개시되어 있다. 전자 전도성은 발광층과 캐소드 사이에 배치된다. 이 문헌에는 작은 유기 분자로 구성되는 정공 전도성 재료가 주로 기재되어 있다. 정공 전도성 중합체들이 또한 기재되어 있지만, 폴리비닐카르바졸, PEDOT 또는 PANI가 개시되어 있다. PEDOT와 PANI는 충분한 정공 전도도를 달성하기 위해서 프로톤 산으로 도핑되어야 하는 재료들이다. 이러한 종류의 재료는 에미터층으로 부적합한데, 그 이유는 양성자의 존재가 광 방출을 방해하거나 또는 광 방출에 대해 상당히 부정적인 영향을 미치기 때문이다. 폴리비닐카르바졸은 포화된 탄화수소 측쇄를 갖는 중합체이고, 여기서 전도도 부여의 카르바졸기들이 측쇄에 배열된다. 이러한 종류의 전기 전도성 중합체들은 단지 제한된 안정성을 갖는다.
WO 2006/076092 A에는 여기 차단층을 갖는 인광 OLED가 개시되어 있다. 본원에서 사용되는 에미터층은, 발광 재료는 물론, 정공 전도성 재료 및 전자 전도성 재료를 포함한다. 개시된 유일한 에미터층들은 작은 유기 분자들로부터 형성된다. 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 어떠한 에미터층들도 개시되어 있지 않으며, 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 에미터층들만이 개시되어 있다.
WO 2005/112147 A 에는, 개선된 수명을 갖는 유기 발광 다이오드가 개시되어 있다. 이것은 캐소드와 에미터층 사이 및/또는 애노드와 에미터층 사이에서의 아릴보란 공중합체의 존재에 의해 달성된다. 발광 다이오드의 구조 또는 에미터층 또는 추가층들의 구성에 대한 어떠한 상세도 개시되어 있지 않다.
놀랍게도, 지배적 전자 전도성 재료를 포함하고 캐소드와 에미터층 사이에 배치되는 전자 전도성층과 도펀트로서 어떠한 프로톤산도 함유하지 않는 지배적 정공 전도성 중합체를 포함하는 에미터층의 조합이 명백히 개선된 수명을 갖는 OLED로 이어진다는 것이 이제 밝혀졌다. 이 구조의 결과는 전자/정공 쌍들이 정공 전도성 에미터층에서 재결합하고 그 안에 존재하는 에미터 분자가 발광하도록 유도한다는 것이다.
본 발명에 따르면, 이러한 종류의 2개 이상의 층 쌍들을 조합하는 것도 가능하다.
따라서, 본 발명의 목적은 높은 발광 효율과 결합되어 긴 수명을 가지며 지금까지 사용되지 않았던 에미터층들의 사용을 가능하게 하는 전계발광 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 전자 정공 쌍들의 재결합에 의해 방사하도록 유도될 수 있는 신규한 발광 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 긴 수명 및 높은 광 수율을 특징으로 하는 단순한 구조의 전계발광 디바이스를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 디바이스는 제조하기에 용이하고, 광 대역 방출이 가능하며, 그리고 높은 방사 효율을 갖는 것이다.
이로써 본 발명은
a) 애노드,
b) 캐소드,
c) 적어도 하나의 에미터를 포함하고 애노드와 캐소드 사이에 배치되는 적어도 하나의 에미터층, 및
d) 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하고 적어도 하나의 에미터층과 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층을 포함하고,
상기 적어도 하나의 에미터층이 적어도 하나의 중합체, 바람직하게 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스를 제공한다.
본 출원의 문맥에서, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체는 배타적으로 정공을 전도시킬 수 있는 중합체 또는 정공과 전자의 양자를 전도시킬 수 있는 중합체를 의미하는 것으로 이해된다. 하지만, 이 중합체에서의 정공 이동도는 전자 이동도보다 적어도 1 자릿수, 바람직하게 적어도 2 자릿수, 보다 바람직하게는 적어도 3 자릿수 더 커야 한다.
25℃에서 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명에 따라 사용되는 중합체들의 정공 이동도는 바람직하게 적어도 10-4 cm2/V*sec 이며, 이는 5*107 V/m의 전기장 세기에서 비행시간법에 의해 측정된다. 이러한 전기장 세기는 4 V 및 층 두께 80 nm의 OLED에 상응한다.
지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명에 따라 사용되는 중합체가 또한 전자 전도성을 가능하게 한다면, 25℃에서의 전자 이동도는 바람직하게 최대 10-5 cm2/V*sec 이며, 이는 5*107 V/m의 전기장 세기에서 비행시간법에 의해 측정된다.
본 발명의 전계발광 디바이스는 물론 다른 전기장 세기에서, 예를 들어 107 내지 1010 V/m 범위의 전기장 세기에서 동작될 수 있다.
중합체들에서의 자유 전하 캐리어들의 이동도는 당업자들에게 알려진 다양한 방법에 의해 결정될 수 있다. 본 출원의 목적을 위해서, 비행시간법이 이용된다 ("Organic Photoreceptors for Xerography", Paul M. Borsenberger, 1998, Marcel Dekker 참조).
본 출원의 문맥에서, 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 재료는 배타적으로 전자를 전도시킬 수 있는 재료 또는 정공과 전자의 양자를 전도시킬 수 있는 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 하지만, 이 재료에서의 전자 이동도는 정공 이동도보다 적어도 1 자릿수, 바람직하게 적어도 2 자릿수, 보다 바람직하게는 적어도 3 자릿수 더 커야 한다. 이들 재료들은 저분자량 유기 화합물들, 중합체들 또는 중합체들과 저분자량 유기 화합물들의 혼합물들일 수도 있으며, 중합체들이 바람직하다. 하지만, 상이한 중합체들의 혼합물 및/또는 상이한 저분자량 유기 화합물들의 혼합물을 사용하는 것도 또한 가능하다. 추가로, 정공 전도성 및 전자 전도성 양자의 구조 단위들을 갖는 공중합체들을 사용하는 것도 가능하다.
원칙적으로, 본 발명의 디바이스의 에미터층에서의 에미터로서 당업자에게 알려져 있는 임의의 에미터를 사용하는 것이 가능하다.
바람직한 실시형태에서, 에미터는 반복 단위로서 중합체에 통합되고, 보다 바람직하게 정공 전도성 특성을 갖거나 또는 대부분 정공 전도성 특성을 갖는 중합체에 통합된다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 소분자, 중합체, 올리고머, 덴드리머 또는 그 혼합물일 수도 있는 에미터는 매트릭재 재료에 혼합된다.
형광, 및 인광 화합물들로부터 선택된 적어도 하나의 에미터를 포함하는 에미터층이 바람직하다.
"에미터 단위" 또는 "에미터"라는 표현은, 광의 방출을 갖는 방사 붕괴가 엑시톤의 수용 또는 엑시톤의 형성시 발생하는, 단위 또는 화합물을 지칭한다.
2가지 에미터 부류들: 형광 및 인광 방출체들이 있다. "형광 에미터"라는 표현은 여기 단일항 상태에서 그 바닥 상태로의 방사 전이를 겪는 재료들 또는 화합물들에 관한 것이다. 본원에서 사용되는 "인광 에미터"라는 표현은 전이 금속을 포함하는 발광성 재료들 또는 화합물들에 관한 것이다. 이들은 통상적으로, 광의 방출이 스핀 금지 전이(들), 예를 들어, 여기 삼중항 및/또는 퀀터플렛 (quintuplet) 상태로의 전이에 의해 유발되는 재료들을 포함한다.
양자 메커니즘에 따르면, 높은 스핀 다중도를 갖는 여기 상태로부터, 예를 들어 여기 삼중항 상태로부터, 바닥 상태로의 전이가 금지된다. 하지만, 중원자, 예를 들어, 이리듐, 오스뮴, 백금 또는 유로퓸의 존재는 단일항 및 삼중항이 혼합되어 삼중항이 소정의 단일항 캐릭터를 이득하는 것을 의미하는 강한 스핀-오비탈 커플링을 보장하며, 그리고 루미넌스는 단일항-삼중항 혼합물이 비방사 이벤트보다 더 빠른 방사 붕괴의 속도로 이어지는 경우 효율적일 수 있다. 이러한 방출 모드는 Baldo et al.의, Nature 395, 151-154 (1998) 에 보고된 바와 같이 금속 착물들로 달성될 수 있다.
형광 에미터들의 그룹으로부터 선택된 에미터가 특히 바람직하다.
형광 에미터들의 많은 예들이 이미 공개되어 있으며, 예를 들어, JP 2913116 B 및 WO 2001/021729 A1에 개시된 스티릴아민 유도체들, 및 예를 들어 WO 2008/006449 및 WO 2007/140847 A에 개시된 인데노플루오렌 유도체들이 있다.
형광 에미터들은 바람직하게 다방향족 화합물들, 예를 들어 9,10-디(2-나프틸안트라센) 및 다른 안트라센 유도체들, 테트라센, 크산텐, 페릴렌의 유도체들, 예를 들어 2,5,8,11-테트라-t-부틸페릴렌, 페닐렌, 예를 들어, 4,4'-(비스(9-에틸-3-카르바조비닐렌)-1,1'-비페닐, 플루오렌, 아릴피렌들 (US 2006/0222886), 아릴렌비닐렌들 (US 5121029, US 5130603), 루브렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈의 유도체들, 예를 들어 N,N'-디메틸퀴나크리돈 (DMQA), 디시아노메틸렌피란, 예를 들어 4-(디시아노에틸렌)-6-(4-디메틸아미노스티릴-2-메틸)-4H-피란 (DCM), 티오피란, 폴리메틴, 피릴륨 및 티아피릴륨 염들, 페리플란텐, 인데노페릴렌, 비스(아지닐)이민-보론 화합물들 (US 2007/0092753 A1), 비스(아지닐)메탄 화합물들 및 카르보스티릴 화합물들이다.
더욱 바람직한 형광 에미터들은 C.H. Chen et al.: "Recent developments organic electroluminescent materials" Macromol. Symp. 125, (1997), 1-48 그리고 "Recent progress of molecular organic electroluminescent materials and devices" Mat. Sci. 및 Eng. R, 39 (2002), 143-222 에 기재되어 있다.
더욱 바람직한 형광 에미터들은 모노스티릴아민들, 디스티릴아민들, 트리스티릴아민들, 테트라스티릴아민들, 스티릴포스핀들, 스티릴 에테르들 및 아릴아민들의 부류로부터 선택된다.
모노스티릴아민은 하나의 치환 또는 비치환된 스티릴기 및 적어도 하나의 바람직하게는 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 디스티릴아민은 2개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 바람직하게는 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 트리스티릴아민은 3개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 바람직하게는 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 테트라스티릴아민은 4개의 치환 또는 비치환된 스티릴기들 및 적어도 하나의 바람직하게는 방향족 아민을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 스티릴기들은, 또한 추가 치환을 가질 수도 있는 스틸벤인 것이 보다 바람직하다. 상응하는 포스핀들 및 에테르들은 아민들과 유사하게 정의된다. 본 출원의 목적을 위해서, 아릴아민 또는 방향족 아민은, 질소에 직접 결합되는 3개의 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족 고리계들을 포함하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 이들 방향족 또는 헤테로방향족 고리계들 중 적어도 하나는 바람직하게 축합된 고리계, 보다 바람직하게 적어도 14개의 방향족 고리 원자들을 갖는 축합 고리계이다. 이들의 바람직한 예들은 방향족 안트라센아민들, 방향족 안트라센디아민들, 방향족 피렌아민들, 방향족 피렌디아민들, 방향족 크리센아민들 및 방향족 크리센디아민들이다. 방향족 안트라센아민은, 하나의 디아릴아미노기가 안트라센기에, 바람직하게 9 위치에서 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은, 2개의 디아릴아미노기들이 안트라센기에, 바람직하게 9,10 위치에서 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민들, 피렌디아민들, 크리센아민들 및 크리센디아민들은 이와 유사하게 정의되며, 여기서 피렌에서의 디아릴아미노기들은 바람직하게 1 위치 또는 1,6 위치들에서 결합된다.
더욱 바람직한 형광 에미터들은 예를 들어 WO 2006/122630에 따른 인데노플루오렌아민들 및 인데노플루오렌디아민들, 예를 들어 WO 2008/006449에 따른 벤조인데노플루오렌아민들 및 벤조인데노플루오렌디아민들, 및 예를 들어 WO 2007/140847에 따른 디벤조인데노플루오렌아민들 및 디벤조인데노플루오렌디아민들로부터 선택된다.
스티릴아민들의 부류로부터의 에미터들의 예들은 치환 또는 비치환된 트리스틸벤아민들이거나 또는 WO 2006/000388, WO 2006/058737, WO 2006/000389, WO 2007/065549 및 WO 2007/115610에 기재된 도펀트들이다. 디스티릴벤젠 및 디스티릴비페닐 유도체들은 US 5121029에 기재되어 있다. 추가 스티릴아민들은 US 2007/0122656 A1에서 찾을 수 있다.
특히 바람직한 스티릴아민 에미터들 및 트리아릴아민 에미터들은, 예를 들어, US 7250532 B2, DE 102005058557 A1, CN 1583691 A, JP 08053397 A, US 6251531 B1 및 US 2006/210830 A에 기재된 바와 같은, 식 (1) 내지 식 (6)의 화합물들이다.
Figure 112016019138014-pct00001
더욱 바람직한 형광 에미터들은, 예를 들어, EP 1957606 A1 및 US 2008/0113101 A1에 개시된 바와 같이, 트리아릴아민들의 그룹으로부터 선택된다.
더욱 바람직한 형광 에미터들은 나프탈렌, 안트라센, 테트라센, 플루오렌, 페리플란텐, 인데노페릴렌, 페난트렌, 페릴렌 (US 2007/0252517 A1), 피란, 크리센, 데카시클렌, 코로넨, 테트라페닐시클로펜타디엔, 펜타페닐시클로펜타디엔, 플루오렌, 스피로플루오렌, 루브렌, 쿠마린 (US 4769292, US 6020078, US 2007/0252517 A1), 피렌, 옥사존, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤즈이미다졸, 피라진, 신남산 에스테르, 디케토피롤로피롤, 아크리돈 및 퀴나크리돈 (US 2007/0252517 A1) 의 유도체들로부터 선택된다.
안트라센 화합물들 중에서, 9,10-치환된 안트라센들, 예를 들어 9,10-디페닐안트라센 및 9,10-비스(페닐에티닐)안트라센이 특히 바람직하다. 또한 1,4-비스(9'-에티닐안트라세닐)벤젠도 바람직한 도펀트이다.
청색 형광성, 녹색 형광성 및 황색 형광성 에미터들의 그룹으로부터 선택된 에미터층에서의 하나의 에미터가 특히 바람직하다.
마찬가지로 적색 형광성 에미터들의 그룹으로부터 선택된 에미터층에서의 하나의 에미터가 특히 바람직하다. 특히 바람직한 적색 형광성 에미터는, 예를 들어, US 2007/0104977 A1에 개시된 바와 같은, 페릴렌 유도체들, 예를 들어 식 (7)의 그룹으로부터 선택된다.
Figure 112016019138014-pct00002
마찬가지로 인광 에미터들의 그룹으로부터 선택된 에미터층에서의 에미터가 특히 바람직하다.
인광 에미터들의 예들은 WO 00/070655, WO 01/041512, WO 02/002714, WO 02/015645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614 및 WO 2005/033244에 개시되어 있다.
일반적으로, 종래 기술에 따라 사용되고 유기 전계발광의 분야의 당업자에게 알려져 있는 모든 인광 착물들이 적합하며, 당업자는 진보성 없이 다른 인광 착물들을 사용할 수 있을 것이다.
인광 에미터는 바람직하게 식 M(L)z 의 금속 착물일 수도 있고, 여기서 M 은 금속 원자이고, L 은 독립적으로 각각의 경우 1개, 2개 이상의 위치를 통해 M에 결합 또는 배위되는 유기 리간드이며, 그리고 z는 정수≥1이고, 바람직하게 1, 2, 3, 4, 5 또는 6이며, 이들 기들은 1개 이상, 바람직하게 1개, 2개 또는 3개 위치들을 통해, 바람직하게 리간드 L을 통해 중합체에 선택적으로 연결된다.
M은 바람직하게 전이 금속들로부터, 바람직하게 란타나이드, 악티나이드 및 제 VIII족의 전이 금속들로부터, 보다 바람직하게 Rh, Os, Ir, Pt, Pd, Au, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Re, Cu, Zn, W, Mo, Pd, Ag 및 Ru로부터, 그리고 가장 바람직하게 Os, Ir, Ru, Rh, Re, Pd 및 Pt로부터 선택된 금속 원자이다. M은 또한 Zn일 수도 있다.
바람직한 리간드는 2-페닐피리딘 유도체들, 7,8-벤조퀴놀린 유도체들, 2-(2-티에닐)피리딘 유도체들, 2-(1-나프틸)피리딘 유도체들 또는 2-페닐퀴놀린 유도체들이다. 이들 화합물들은 각각 예를 들어 청색을 위한 불소 또는 트리플루오로메틸 치환기들에 의해 치환될 수도 있다. 2차 리간드는 바람직하게 아세틸아세토네이트 또는 피크린산이다.
특히 바람직한 적합한 착물들은 예를 들어 US 2007/0087219 A1에 개시된 바와 같은 식 (8)의 네자리 리간드를 갖는 Pt 또는 Pd의 착물들 (R1 내지 R14 및 Z1 내지 Z5는 US 2007/0087219 A1에서 정의된 바와 같음), 확장 고리계를 갖는 Pt-포르피린 착물들 (US 2009/0061681 A1) 및 Ir 착물들, 예를 들어 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린-Pt(II), 테트라페닐-Pt(II)-테트라벤조포르피린 (US 2009/0061681 A1), cis-비스(2-페닐피리디나토-N,C2')Pt(II), cis-비스(2-(2'-티에닐)피리디나토-N,C3')Pt(II), cis-비스(2-(2'-티에닐)퀴놀리나토-N,C5')Pt(II), (2-(4,6-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2')Pt(II) 아세틸아세토네이트 또는 트리스(2-페닐피리디나토-N,C2')Ir(III) (Ir(ppy)3, 녹색), 비스(2-페닐피리디나토-N,C2)Ir(III) 아세틸아세토네이트 (Ir(ppy)2 아세틸아세토네이트, 녹색, US 2001/0053462 A1, Baldo, Thompson et al. Nature 403, (2000), 750-753), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')(2-페닐피리디나토-N,C2')이리듐(III), 비스(2-페닐피리디나토-N,C2')(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C2')이리듐(III), 비스(2-(2'-벤조티에닐)피리디나토-N,C3')이리듐(III) 아세틸아세토네이트, 비스(2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2')이리듐(III) 피콜리네이트 (Firpic, 청색), 비스(2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2')Ir(III) 테트라키스(1-피라졸릴)보레이트, 트리스(2-(비페닐-3-일)-4-tert-부틸피리딘)이리듐(III), (ppz)2Ir(5phdpym) (US 2009/0061681 A1), (45ooppz)2Ir(5phdpym) (US 2009/0061681 A1), 2-페닐피리딘-Ir 착물들의 유도체들, 예를 들어 이리듐(III) 비스(2-페닐퀴놀릴-N,C2') 아세틸아세토네이트 (PQIr), 트리스(2-페닐이소퀴놀리나토-N,C)Ir(III) (적색), 비스(2-(2'-벤조[4,5-a]티에닐)피리디나토-N,C3)Ir 아세틸아세토네이트 ([Btp2Ir(acac)], 적색, Adachi et al. Appl. Phys. Lett. 78 (2001), 1622-1624) 이다.
Figure 112016019138014-pct00003
마찬가지로, 예를 들어 Tb3 + 및 Eu3 + 등의 3가 란타나이드의 착물 (J. Kido et al. Appl. Phys. Lett. 65 (1994), 2124, Kido et al. Chem. Lett. 657, 1990, US 2007/0252517 A1) 또는 말레오니트릴 디티올레이트를 갖는 Pt(II), Ir(I), Rh(I)의 인광 착물들 (Johnson et al., JACS 105, 1983, 1795), Re(I)-트리카르보닐디이민 착물들 (그 중에서 Wrighton, JACS 96, 1974, 998), 시아노 리간드 및 비피리딜 또는 페난트롤린 리간드를 갖는 Os(II) 착물들 (Ma et al., Synth. Metals 94, 1998, 245) 또는 Alq3 이 적합하다
세자리 리간드를 갖는 추가 인광 에미터들은 US 6824895 및 US 7029766에 기재되어 있다. 적색-방출 인광 착물들은 US 6835469 및 US 6830828에 개시되어 있다.
더욱 특히 바람직한 인광 에미터는 하기 식 (9) 및 (10)의 화합물이고 추가 화합물들이 예를 들어 US 2001/0053462 A1 및 WO 2007/095118 A1에 개시되어 있다.
더욱 특히나 바람직한 인광 에미터는 식 (44)의 화합물 및 예를 들어, WO 2007/095118 A1에 개시된 추가 화합물들이다.
Figure 112016019138014-pct00004
추가 유도체들은 US 7378162 B2, US 6835469 B2 및 JP 2003/253145 A에 개시되어 있다.
유기금속 착물들의 그룹으로부터 선택된 에미터층에서의 에미터가 특히 바람직하다.
이 출원에서 언급된 금속 착물들에 부가하여, 본 발명에 따른 적합한 금속 착물들은 전이 금속, 희토 원소, 란타나이드 및 악티나이드로부터 선택된다. 금속은 바람직하게 Ir, Ru, Os, Eu, Au, Pt, Cu, Zn, Mo, W, Rh, Pd 및 Ag로부터 선택된다.
에미터층에 사용되는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체에서의 에미터 구조 단위들의 비율은 바람직하게는 0.01 내지 20 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10 mol% 범위이고, 보다 더 바람직하게는 1 내지 8 mol% 범위이고, 특히 1 내지 5 mol% 범위이다.
에미터층에 사용되는 공중합체의 정공 전도 특성들은 적합한 구조 단위들의 선택을 통해 마찬가지로 달성된다. 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체는, 바람직하게 중합체 백본을 형성하는 적어도 하나의 반복 단위를 갖는, 정공 수송 재료들 (HTM) 의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 반복 유닛을 포함한다.
본 발명에 따르면, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체에 당업자에게 알려져 있는 임의의 HTM을 반복 단위로서 사용하는 것이 가능하다. 이러한 HTM은 바람직하게 아민들, 트리아릴아민들, 티오펜들, 카르바졸들, 프탈로시아닌들, 포르피린들 그리고 이들 이성체들 및 유도체들로부터 선택된다. HTM은 보다 바람직하게 아민들, 트리아릴아민들, 티오펜들, 카르바졸들, 프탈로시아닌들 및 포르피린들로부터 선택된다.
적합한 반복 HTM 단위들은 페닐렌디아민 유도체들 (US 3615404), 아릴아민 유도체들 (US 3567450), 아미노-치환된 칼콘 유도체들 (US 3526501), 스티릴안트라센 유도체들 (JP A 56-46234), 다환 방향족 화합물들 (EP 1009041), 폴리아릴알칸 유도체들 (US 3615402), 플루오레논 유도체들 (JP A 54-110837), 히드라존 유도체들 (US 3717462), 스틸벤 유도체들 (JP A 61-210363), 실라잔 유도체들 (US 4950950), 폴리실란들 (JP A 2-204996), 아닐린 공중합체들 (JP A 2-282263), 티오펜 올리고머들, 폴리티오펜들, 폴리비닐카르바졸들 (PVK들), 폴리피롤들, 폴리아닐린들 및 추가 공중합체들, 포르피린 화합물들 (JP A 63-2956965), 방향족 디메틸리덴 유사 화합물들, 카르바졸 화합물들, 예를 들어 CDBP, CBP 및 mCP, 방향족 3급 아민 및 스티릴아민 화합물들 (US 4127412) 및 단량체성 트리아릴아민들 (US 3180730) 이다. 바람직하게는, 중합체에 트리아릴아민기들이 존재한다.
바람직한 것은 적어도 2개의 3급 아민 단위들을 포함하는 방향족 3급 아민들 (US 4720432 및 US 5061569), 예를 들어 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (NPD) (US 5061569) 또는 MTDATA (JP A 4-308688), N,N,N',N'-테트라(4-비페닐)디아미노비페닐렌 (TBDB), 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산 (TAPC), 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)-3-페닐프로판 (TAPPP), 1,4-비스[2-[4-[N,N-디(p-톨릴)아미노]페닐]비닐]벤젠 (BDTAPVB), N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐 (TTB), TPD, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'''-디아미노-1,1':4',1'':4'',1'''-쿼터페닐, 및 마찬가지로 카르바졸 단위들을 포함하는 3급 아민들, 예를 들어, 4-(9H-카르바졸-9-일)-N,N-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]벤젠아민 (TCTA) 이다. US 2007/0092755 A1 에 따른 헥사아자트리페닐렌 화합물들이 마찬가지로 바람직하다.
후속되는 식 (11) 내지 식 (16) 의 트리아릴아민 화합물들이 특히 바람직하며, 이들은 또한 치환될 수도 있다. 이러한 종류의 화합물들은 EP 1162193 A1, EP 650955 A1에, Synth. Metals 1997, 91(1-3), 209에, DE 19646119 A1, WO 2006/122630 A1, EP 1860097 A1, EP 1834945 A1, JP 08/053397 A, US 6251531 B1 및 WO 2009/041635에 개시되어 있다.
Figure 112016019138014-pct00005
Figure 112016019138014-pct00006
더욱 바람직한 HTM 유닛들은, 예를 들어, 트리아릴아민, 벤지딘, 테트라아릴-파라-페닐렌디아민, 카르바졸, 아줄렌, 티오펜, 피롤 및 푸란 유도체들, 및 추가로 O-, S- 또는 N-함유 헤테로환이다.
하기 식 (17) 의 반복 HTM 단위들이 매우 특히 바람직하다:
Figure 112016019138014-pct00007
식중,
동일하거나 또는 상이할 수도 있는, Ar1은 상이한 반복 단위들의 경우에서는 독립적으로, 단일 결합이거나 또는 선택적으로 치환된 단환 또는 다환의 아릴기이고,
동일하거나 또는 상이할 수도 있는, Ar2는 상이한 반복 단위들의 경우에서는 독립적으로, 선택적으로 치환된 단환 또는 다환의 아릴기이고,
동일하거나 또는 상이할 수도 있는, Ar3은 상이한 반복 단위들의 경우에서는 독립적으로, 선택적으로 치환된 단환 또는 다환의 아릴기이고, 그리고
m은 1, 2 또는 3 이다.
식 (17)의 바람직한 반복 단위들은 하기 식 (18) 내지 식 (20)으로부터 선택되고;
Figure 112016019138014-pct00008
식중,
각각의 경우에서 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 R은 H, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족기, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아르알킬, 아릴옥시, 아릴티오, 알콕시카르보닐, 실릴, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 및 히드록실기로부터 선택되고,
r 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고,
s 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체는 식 (21) 의 하기 반복 단위들 중 적어도 하나를 포함하고;
Figure 112016019138014-pct00009
식중,
T1 및 T2 는 각각 독립적으로 티오펜, 셀로노펜, 티에노[2,3b]티오펜, 티에노[3,2b]티오펜, 디티에노티오펜, 피롤, 아닐린으로부터 선택되고, 모두는 R5에 의해 선택적으로 치환되며,
R5 는 각각의 경우에서 독립적으로 할로겐, -CN, -NC, NCO, -NCS, -OCN, SCN, C(=O)NR0R00, -C(=O)X, -C(=O)R0, -NH2, -NR0R00, SH, SR0, -SO3H, -SO2R0, -OH, -NO2, -CF3, -SF5, 선택적으로 치환된 실릴, 또는 1 ~ 40개의 C 원자들을 갖고 선택적으로 치환되며 선택적으로 하나 이상의 헤테로원자들을 포함하는 카르빌 또는 히드로카르빌로부터 선택되고,
Ar4 및 Ar5 는 독립적으로, 선택적으로 치환되고 인접하는 티오펜 또는 셀레노펜 기들의 하나 또는 양자의 2,3 위치들에 선택적으로 축합되는 단환 또는 다환의 아릴 또는 헤테로아릴이고,
c 및 e 는 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 식중 1 < c + e ≤ 6 이며, 그리고
d 및 f 는 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4 이다.
T1 및 T2 기들은 바람직하게 다음으로부터 선택되며,
Figure 112016019138014-pct00010
식중
R0 및 R5 는 식 (18) 내지 (20) 에서의 R에 대한 것과 동일한 정의를 상정할 수도 있다.
식 (21)의 바람직한 단위들은 하기 식들로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다:
Figure 112016019138014-pct00011
식중 R0 는 식 (18) 내지 식 (20) 에서의 R에 대한 것과 동일한 정의를 상정할 수도 있다.
에미터층에 사용되는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 중합체에서의 HTM 구조 단위의 비율은 바람직하게는 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 30 내지 60 mol% 범위이다.
정공 전도성 구조 단위들은 물론, 에미터층에 사용되는 중합체는 바람직하게 또한 중합체의 백본을 형성하는 추가 구조 단위들을 갖는다.
바람직하게, 중합체 백본을 형성하는 구조 단위들은 6 ~ 40개의 탄소 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 구조들을 포함한다. 이들은, 예를 들어, 4,5-디히드로피렌 유도체들, 4,5,9,10-테트라히드로피렌 유도체들, 예를 들어, US 5962631, WO 2006/052457 A2 및 WO 2006/118345 A1에 개시된 플루오렌 유도체들, 예를 들어, WO 2003/020790 A1에 개시된 9,9'-스피로비플루오렌 유도체들, 예를 들어 WO 2005/104264 A1에 개시된 9,10-페난트렌 유도체들, 예를 들어 WO 2005/014689 A2에 개시된 9,10-디히드로페난트렌 유도체들, 예를 들어 WO 2004/041901 A1 및 WO 2004/113412 A2에 개시된 5,7-디히드로디벤조크세핀 유도체들 및 cis- 및 trans-인데노플루오렌 유도체들, 예를 들어 WO 2006/063852 A1에 개시된 비나프틸렌 유도체들, 및 예를 들어 WO 2005/056633 A1, EP 1344788 A1, WO 2007/043495 A1, WO 2005/033174 A1, WO 2003/099901 A1 및 DE 102006003710 A에 개시된 추가 단위들이다.
중합체 백본을 형성하는 특히 바람직한 구조 단위들은, 예를 들어, US 5 962 631, WO 2006/052457 A2 및 WO 2006/118345 A1에 개시된 플루오렌 유도체들, 예를 들어, WO 2003/020790 A1에 개시된 스피로비플루오렌 유도체들, 예를 들어 WO 2005/056633 A1, EP 1344788 A1 및 WO 2007/043495 A1에 개시된 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 및 벤조티오펜, 그리고 이들의 유도체들로부터 선택된다.
중합체 백본을 형성하는 매우 특히 바람직한 구조 단위들은 하기 식 (22)의 단위들이다:
Figure 112016019138014-pct00012
식중
A, B 및 B'는 독립적으로, 그리고 각각의 경우에 독립적으로, 이가기이고, 바람직하게 -CR1R2-, -NR1-, -PR1-, -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -CO-, -CS-, -CSe-, -P(=O)R1-, -P(=S)R1- 및 -SiR1R2-로부터 선택되고,
R1 및 R2는 H, 할로겐, -CN, -NC, -NCO, -NCS, -OCN, SCN, C(=O)NR0R00, -C(=O)X, -C(=O)R0, -NH2, -NR0R00, SH, SR0, -SO3H, -SO2R0, -OH, -NO2, -CF3, -SF5, 선택적으로 치환된 실릴, 또는 1 ~ 40개의 C 원자들을 갖고 선택적으로 치환되며 선택적으로 하나 이상의 헤테로원자들을 포함하는는 카르빌 또는 히드로카르빌로부터 선택된 독립적으로 동일하거나 또는 상이한 기들이며, 그리고 R1 및 R2 기들은 선택적으로 이들이 결합되는 플루오렌 모이어티와 함께 스피로기를 형성하고,
X는 할로겐이고,
R0 및 R00는 독립적으로 H이거나 또는 하나 이상의 헤테로원자들을 선택적으로 포함하는 선택적으로 치환된 카르빌 또는 히드로카르빌기이고,
각각의 g는 독립적으로 0 또는 1이고 동일한 서브유닛에서의 각각의 상응하는 h는 0 및 1 중 다른 것이고,
m은 정수≥1이고,
Ar1 및 Ar2는 독립적으로, 선택적으로 치환되고 인데노플루오렌기의 7,8 위치 또는 8,9 위치에 선택적으로 축합되는, 단환 또는 다환의 아릴 또는 헤테로아릴이고,
a 및 b는 독립적으로 0 또는 1이다.
R1 및 R2 기들이 결합되는 플루오렌기와 함께 R1 및 R2 기들이 스피로기를 형성한다면, 구조는 바람직하게 스피로비플루오렌이다.
식 (22)의 구조 단위들은 하기 식 (23) 내지 식 (27)로부터 바람직하게 선택된다:
Figure 112016019138014-pct00013
식중 R1은 식 (22)에서 정의된 것과 같고, r은 0, 1, 2, 3 또는 4이고 R은 R1의 정의들 중 하나의 정의를 상정할 수도 있다.
바람직하게, R은 F, Cl, Br, I, -CN, -NO2, -NCO, -NCS, -OCN, SCN, -C(=O)NR0R00, -C(=O)X0, -C(=O)R0, -NR0R00, 4 내지 40개, 바람직하게 6 내지 20개의 탄소 원자들을 갖는 선택적으로 치환된 실릴, 아릴 또는 헤테로아릴, 또는 1 내지 20개, 바람직하게 1 내지 12개의 탄소 원자들을 갖는 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시, 알킬카르보닐, 알콕시카르보닐, 알킬카르보닐옥시 또는 알콕시카르보닐옥시이고, 여기서 하나 이상의 수소 원자들은 선택적으로 F 또는 Cl에 의해 대체되고 R0, R00 및 X0는 상기에 정의된 바와 같다.
식 (22)의 특히 바람직한 구조 단위들은 하기 식 (28) 내지 식 (31)로부터 선택된다:
Figure 112016019138014-pct00014
Figure 112016019138014-pct00015
식중
L은 H, 할로겐 또는 1 내지 12개의 탄소 원자들을 갖는 선택적으로 불화된 선형 또는 분지형 알킬 또는 알콕시이고, 바람직하게 H, F, 메틸, i-프로필, t-부틸, n-펜톡시 또는 트리플루오로메틸이며, 그리고
L'은 1 내지 12개의 탄소 원자들을 갖는 선택적으로 불화된 선형 또는 분지형 알킬 또는 알콕시이고, 바람직하게 n-옥틸 또는 n-옥틸옥시이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 에미터층에서의 중합체는 적어도 하나의 방출 구조 단위, 적어도 하나의 정공 수송성 구조 단위 및 중합체 백본을 형성하는 적어도 하나의 구조 단위를 갖는 공액 중합체이다.
본원에서, "공액 중합체들"은 sp2 혼성화를 갖는 주 탄소 원자들을 갖는 중합체 및/또는 선택적으로 주쇄에 sp 혼성화를 갖는 중합체를 의미하는 것으로 이해되며, 여기서 탄소 원자들의 일부는 헤테로원자들에 의해 대체될 수도 있다. 이것의 가장 간단한 경우는 교호하는 단일 및 이중 (또는 삼중) 탄소 결합들을 갖는 주쇄, 또는 페닐렌 라디칼들로 구성되는 주쇄를 수반한다. 이와 관련하여 "주로"는, 발생되는 결함들에 의해 주쇄에서의 공액이 방해되는 중합체도 또한 포함된다는 것을 의미한다. 공액 중합체들은 주쇄에 헤테로원자 함유 유닛들을 가질 수도 있고, 예를 들어, 공액이 질소, 산소, 인 또는 황 원자들을 부분적으로 통해 일어나는 아릴아민들, 아릴포스핀들 또는 헤테로환들, 또는 공액이 금속 원자들을 부분적으로 통해 일어나는 유기금속 착물들을 들 수도 있다. 이로써 공액 중합체들은 가장 일반적인 의미로 이해되어야 한다. 이들은, 예를 들어, 랜덤 중합체들, 블록 중합체들 또는 그라프트 중합체들일 수도 있다.
중합체 백본을 형성하는 매우 특히 바람직한 구조 단위들은 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜, 디벤조푸란 및 그 유도체들로부터 선택된다.
정공 수송성 단위들을 포함하는 공액 중합체들의 예들은 WO 2007/131582 A1 및 WO 2008/009343 A1에 개시되어 있다.
금속 착물들을 포함하는 공액 중합체의 예들 및 그 합성법은 EP 1138746 B1 및 DE 102004032527 A1에 개시되어 있다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, 에미터층에서의 중합체는 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체이다.
보다 바람직하게, 중간층에서의 비공액 또는 부분 공액된 중합체는 비공액 중합체 백본 구조 단위를 포함한다.
이러한 비공액 중합체 백본 반복 단위는, 예를 들어 WO 2010/136110 A1에 개시된 바와 같이, 식 (32) 및 식 (33)의 인데노플루오렌 구조 단위들로부터 선택된다.
Figure 112016019138014-pct00016
식중
X 및 Y는 독립적으로 H, F, C1 -40-알킬기, C2 -40-알케닐기, C2 -40-알키닐기, 선택적으로 치환된 C6 -40-아릴기 및 선택적으로 치환된 5- 내지 25-원 헤테로아릴기로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
더욱 바람직한 비공액 중합체 백본 구조 단위들은, 예를 들어 WO 2010/136111 A1에 개시된 바와 같이, 하기 식 (34a) 내지 식 (37d)의 플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌 및 인데노플루오렌 유도체들로부터 선택된다:
Figure 112016019138014-pct00017
Figure 112016019138014-pct00018
식중 R1 내지 R4는 식 (32) 및 식 (33)에서의 X 및 Y와 동일한 정의를 상정할 수도 있다.
에미터층에서 사용되는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 중합체에서 중합체 백본을 형성하는 구조 단위들의 비율은 바람직하게 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 범위이고, 특히 30 내지 60 mol% 범위이다.
에미터층에 사용되는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 중합체에서의 HTM 구조 단위들의 비율은 바람직하게는 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 30 내지 60 mol% 범위이다.
본 발명의 전자 디바이스는 전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 전자 수송층 (ETL) 을 갖는다. 이 특성은 ETL 층에서 적합한 전자 수송 재료를 적절한 농도로 사용함으로써 달성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 당업자에게 알려져 있는 임의의 전자 수송 재료 (ETM) 가 전자 수송층의 중합체에서 저분자량 화합물로서 또는 바람직하게 반복 단위로서 사용될 수도 있다. 적합한 ETM들은 바람직하게 이미다졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 옥사디아졸, 퀴놀린, 퀴녹살린, 안트라센, 벤즈안트라센, 피렌, 페릴렌, 벤즈이미다졸, 트리아진, 케톤, 포스핀 산화물, 페나진, 페난트롤린, 트리아릴보란 및 이들 이성체들 및 유도체들로부터 선택된다.
적합한 ETM 구조 단위는 8-하이드록시퀴놀린의 금속 킬레이트 (예를 들어, Liq, Alq3, Gaq3, Mgq2, Znq2, Inq3, Zrq4), Balq, 4-아자페난트렌-5-올/Be 착물 (US 5529853 A; 예를 들어, 식 7), 부타디엔 유도체 (US 4356429), 헤테로환 광학 증백제 (US 4539507), 벤즈아졸, 예를 들어, 1,3,5-트리스(2-N-페닐벤즈이미다졸릴)벤젠 (TPBI) (US 5766779, 식 8), 1,3,5-트리아진 유도체 (US 6229012 B1, US 6225467 B1, DE 10312675 A1, WO 98/04007 A1 및 US 6352791 B1), 피렌, 안트라센, 테트라센, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 덴드리머, 테트라센, 예를 들어 루브렌 유도체, 1,10-페난트롤린 유도체 (JP 2003/115387, JP 2004/311184, JP 2001/267080 및 WO 2002/043449), 실라실시클로펜타디엔 유도체 (EP 1480280, EP 1478032 및 EP 1469533), 피리딘 유도체 (JP 2004/200162 코닥), 페난트롤린, 예를 들어, BCP 및 Bphen, 및 비페닐 또는 다른 방향족기를 통해 결합되는 다수의 페난트롤린 (US 2007/0252517 A1) 또는 안트라센 결합된 페난트롤린 (US 2007/0122656 A1, 예를 들어 식 9 및 10), 1,3,4-옥사디아졸, 예를 들어 식 11, 트리아졸, 예를 들어 식 12, 트리아릴보란, 벤즈이미다졸 유도체 및 다른 N-헤테로환 화합물 (US 2007/0273272 A1 참조), 실라시클로펜타디엔 유도체, 보란 유도체, Ga-옥시노이드 착물이다.
바람직한 ETM 구조 단위는, 예를 들어, WO 2004/093207 A2 및 WO 2004/013080 A1에 개시된 바와 같이 X = O, S 또는 Se, 바람직하게 O인 C=X 기를 갖는 식 (1)의 단위로부터 선택된다.
Figure 112016019138014-pct00019
보다 바람직하게, 식 (38)의 구조 단위는 식 (38a), 식 (38b) 및 식 (38c)의 플루오렌 케톤, 스피로비플루오렌 케톤 또는 인데노플루오렌 케톤을 가지며;
Figure 112016019138014-pct00020
Figure 112016019138014-pct00021
식중
R 및 R1 -8은 각각 독립적으로 수소 원자, 고리중에 6 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 방향족 환형 히드로카르빌기, 5 ~ 50개의 고리 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로환기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 고리중에 3 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 고리중에 6 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아르알킬기, 고리중에 5 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 고리중에 5 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 아릴티오기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시카르보닐기, 1 ~ 50개의 탄소 원자들을 갖는 치환 또는 비치환된 실릴기, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 또는 히드록실기이다. R1 및 R2, R3 및 R4, R5 및 R6, 그리고 R7 및 R8 쌍들의 하나 이상은 선택적으로 고리계를 형성하며,
r은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다.
더욱 바람직한 ETM 구조 단위들은 예를 들어 US 2007/0104977 A1에 개시된 바와 같이 식 (39)의 이미다졸 유도체들 및 벤즈이미다졸 유도체들로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
Figure 112016019138014-pct00022
식중
R은 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 C6-C60-아릴기, 치환기를 가질 수도 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수도 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20-알킬기 또는 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20-알콕시기이고;
m은 0 ~ 4 의 정수이고;
R1은 치환기를 가질 수도 있는 C6-C60-아릴기, 치환기를 가질 수도 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수도 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20-알킬기 또는 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20 알콕시기이이고;
R2는 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 C6-C60-아릴기, 치환기를 가질 수도 있는 피리딜기, 치환기를 가질 수도 있는 퀴놀릴기, 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20-알킬기 또는 치환기를 가질 수도 있는 C1-C20-알콕시기이고;
L은 치환기를 가질 수도 있는 C6-C60-아릴렌기, 치환기를 가질 수도 있는 피리디닐렌기, 치환기를 가질 수도 있는 퀴놀리닐렌기 또는 치환기를 가질 수도 있는 플루오레닐렌기이고, 그리고
Ar1은 치환기를 가질 수도 있는 C6-C60-아릴기, 치환기를 가질 수도 있는 피리디닐기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 퀴놀리닐기이다.
예를 들어 US 2008/0193796 A1 에 개시된 바와 같이 2개의 안트라센 단위들을 포함하는 (1- 또는 2-나프틸 및 4- 또는 3-비페닐에 의해) 2,9,10-치환된 안트라센들 또는 분자들이 더욱 바람직하다.
더욱 바람직한 실시형태에서, ETM 재료들은 하기 식 (40) 내지 식 (45) 의 헤테로방향족 고리계들로부터 선택된다:
Figure 112016019138014-pct00023
Figure 112016019138014-pct00024
예를 들어, US 6878469 B2, US 2006/147747 A 및 EP 1551206 A1에 개시된 바와 같이 식 (46) 내지 식 (48) 의 안트라센벤즈이미다졸 유도체들이 특히 바람직하다:
Figure 112016019138014-pct00025
전자 수송층으로 특히 바람직하게 사용되는 공중합체는, 선택적으로 치환될 수도 있는 벤조페논, 트리아진, 이미다졸 또는 벤즈이미다졸 유도체 또는 페릴렌 단위들로부터 유도되는, 전자 전도성 특성을 갖는 구조 단위를 포함한다. 이들의 예는 벤조페논 단위, 아릴트리아진 단위, 벤즈이미다졸 단위 및 디아릴페릴렌 단위이다.
하기 식 (49) 내지 식 (52) 의 구조 단위로부터 선택된 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 단위들 또는 화합물들을 이용하는 것이 특히 바람직하며:
Figure 112016019138014-pct00026
식중
R1 내지 R4는 식 (38)에서의 R과 동일한 정의를 상정할 수도 있다.
전자 전도성 또는 지배적 전자 전도성 특성들을 갖는 전자 수송층의 중합체에서 전자 전도 특성들을 갖는 재료들의 비율 또는 전자 전도성 특성들을 갖는 구조 유닛들의 비율은 바람직하게 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게 30 내지 60 mol% 범위이다.
바람직한 실시형태에서는, 전자 전도성 재료가 구조 단위로서 중합체에 통합되고, 이로써 전자 전도성 중합체가 된다.
바람직하게, 전자 전도성 중합체는 에미터층의 중합체들과 관련하여 상술한 중합체 백본 구조 단위들로부터 선택된 적어도 하나의 추가 구조 단위를 갖는다.
전자 전도성 중합체에서의 적어도 하나의 중합체 백본 구조 단위의 비율은 바람직하게 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 30 내지 60 mol% 범위이다.
전자 전도성 중합체에서 중합체 백본을 형성하는 매우 특히 바람직한 구조 단위들은 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜 및 디벤조푸란, 그리고 이들의 유도체들로부터 선택된다.
바람직한 실시형태에서, 전자 전도성 중합체는 공액 중합체이다. 공액 중합체의 특히 바람직한 중합체 백본 구조 단위들은 식 (23) 내지 식 (31)의 상기 언급된 구조 단위들로부터 선택된다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에서, 전자 전도성 중합체는 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체이다. 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체의 특히 바람직한 중합체 백본 구조 단위들은 식 (32) 내지 식 (37d)의 상기 언급된 구조 단위들로부터 선택된다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 전자 전도성 층은 배타적으로 상술된 저분자량 전자 수송 재료들을 포함한다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 전자 전도성 층은 적어도 하나의 저분자량 전자 수송 재료 및 중합체의 혼합물을 포함한다. 이 중합체의 특히 바람직한 중합체 백본 구조 단위들은 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌 및 디히드로페난트렌, 그리고 이들의 유도체들로부터 선택된다. 부가하여, 이 중합체는 또한 상술된 전자 전도성 반복 단위들을 추가로 가질 수도 있다.
전자 전도성 구조 단위를 포함하는 중합체들의 예들 및 상응하는 합성들은, 예를 들어, US 2003/0170490 A1에서, 트리아진 단위를 전자 전도성 구조 단위들로 하는 경우에 대해 개시되어 있다.
본원은 또한 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 중합체 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 조제물을 제공한다.
본 발명의 전자 디바이스는, 그 중에서도 정공 주입층, 에미터층, 전자 브로커층, 정공 브로커층, 여기자 발생층 및 전자 주입층으로부터 선택될 수도 있는, 다른 층들을 추가로 포함할 수도 있다.
바람직하게, 본 발명의 디바이스의 적어도 하나의 에미터층은 용액으로부터 도포된다.
특히 바람직한 실시형태에서는, 본 발명의 전계발광 디바이스의 적어도 하나의 에미터층 및 적어도 하나의 전자 수송층의 양자의 층들이 용액으로부터 도포된다.
본 발명의 전계발광 디바이스의 바람직한 실시형태는, 탑 에미션 디스플레이에 특히 이로운 후술되는 구조를 갖는다.
- 통상적으로 유리 또는 플라스틱으로 구성되는 기판, 또는 AM 디스플레이의 리버스 측면,
- 낮은 일 함수를 갖는 금속들, 금속 조합물들 또는 금속 합금들, 예를 들어, Ca, Ba, Cs, Mg, Al, In 또는 Mg/Ag이 여기서 일반적으로 사용되는, 캐소드,
- 후술되는 HBL 및/또는 ETL 층들과 선택적으로 조합될 수도 있는, 선택적인 전자 주입층 (EIL),
- 먼저 전자들을 수송하고 차선으로 정공들을 차단하도록 의도록 적어도 하나의 전자 수송층 (ETL),
- 상술된 재료로 구성된 적어도 하나의 에미터층 (EML),
- 선택적인 정공 주입층 (HIL), 및
- 통상적으로 인듐 주석 산화물 ("ITO") 로 구성되는 투명한 애노드.
바람직한 실시형태에서, 본 발명의 전계발광 디바이스에서 대기 안정적인 캐소드가 사용된다. 이러한 종류의 대기 안정적인 캐소드는 Haque et al.에 의해 Adv. Mater. 2007, 19, 683-687에 보고된 TiO2, 또는 Bradley et al.에 의해 Adv. Mater. DOI: 10.1002/adma.200802594에 보고된 ZrO2, 또는 Bolink et al.에 의해 Adv. Mater. 2009, 21, 79-82에 보고된 ZnO로 이루어질 수도 있다.
본원은 또한 본 발명의 전계발광 디바이스의 적어도 하나의 에미터층과 관련하여 이미 상술한 바와 같이, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 전계발광 중합체들을 제공한다.
바람직하게, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체는 적어도 하나의 정공 수송성 구조 단위 및 적어도 하나의 에미팅 구조 단위를 가지며, 여기서 적어도 하나의 정공 수송성 구조 단위 및 적어도 하나의 에미팅 구조 단위는 본 발명의 전계발광 디바이스의 적어도 하나의 에미터층에 대한 에미팅 중합체들과 관련하여 이미 상술한 구조 단위들로부터 선택될 수도 있다.
보다 구체적으로, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 재료는 추가로, 이미 상술한 중합체 백본 구조 단위들로부터 선택될 수도 있는 적어도 하나의 중합체 백본 구조 단위를 갖는다.
플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜, 디벤조푸란 및 이들의 유도체들로부터 중합체 백본을 형성하는 구조 단위들을 선택하는 것이 매우 특히 바람직하다.
가장 바람직하게, 정공 수송성 구조 단위들은 아민, 트리아릴아민, 티오펜, 카르바졸 및 식 (18) 내지 식 (21)의 상기 언급된 구조 단위들로부터 선택된다.
정공 수송성 중합체들의 예들은 WO 2007/131582 A1 및 WO 2008/009343 A1 에 개시되어 있다.
금속 착물을 포함하는 중합체의 예들 및 그 합성법은 EP 1138746 B1 및 DE 102004032527 A1에 개시되어 있다.
더욱 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 중합체는 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체이다.
특히 바람직한 본 발명의 비공액 또는 부분 공액된 중합체는 비공액 중합체 백본 구조 단위를 포함한다.
비공액 중합체 백본 구조 단위는 바람직하게 식 (32) 내지 식 (33)의 상술된 인데노플루오렌 구조 단위들로부터 선택된다.
더욱 바람직한 비공액 중합체 백본 구조 단위들은 식 (34a) 내지 식 (37d)의 상술된 플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌 및 인데노플루오렌 유도체들로부터 선택된다.
정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체에서의 중합체 백본 구조 단위들의 비율은 바람직하게는 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 30 내지 60 mol% 범위이다.
정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체에서의 정공 수송성 구조 단위들의 비율은 바람직하게는 10 내지 99 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 30 내지 60 mol% 범위이다.
정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체에서의 에미팅 구조 단위들의 비율은 바람직하게는 0.01 내지 20 mol% 범위이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10 mol% 범위이고, 가장 바람직하게는 1 내지 5 mol% 범위이다.
본원은 또한 상술된 바와 같이 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 적어도 하나의 중합체를 포함하는 혼합물을 제공한다.
본원은 또한 상술된 바와 같은 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 적어도 하나의 중합체, 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 조제물을 제공한다.
바람직한 실시형태에서, 조제물은 균질한 용액이며, 이것은 단지 하나의 균질상이 존재한다는 것을 의미한다.
다른 실시형태에서, 조제물은 에멀젼이며, 이것은 연속상 및 비연속상의 양자가 존재한다는 것을 의미한다.
바람직하게, 적어도 하나의 용매는 유기 용매들의 그룹으로부터 선택된다. 보다 바람직하게, 유기 용매는 디클로로메탄, 트리클로로메탄, 모노클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 테트라히드로푸란, 아니솔, 모르폴린, 톨루엔, o-자일렌, m-자일렌, p-자일렌, 1,4-디옥산, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 1,2-디클로로에탄, 1,1,1-트리클로로에탄, 1,1,2,2-테트라클로로에탄, 에틸 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 디메틸 술폭사이드, 테트랄린, 데칼린, 인단 및 이들의 혼합물들로부터 선택된다.
본 발명의 중합체의 조제물에서의 농도는 바람직하게 0.001 중량% ~ 50 중량% 범위, 보다 바람직하게 0.01 중량% ~ 20 중량% 범위, 보다 더 바람직하게 0.1 중량% ~ 10 중량% 범위, 및 특히 0.1 중량% ~ 5 중량% 범위이다. 선택적으로 조제물은 예를 들어 WO 2005/055248 A1 에 기재된 바와 같이 레올로지 특성들을 조절가능하게 하기 위해서 적어도 하나의 바인더를 추가로 포함할 수도 있다.
본원은 또한 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체, 또는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체를 포함하는 혼합물의 전자 디바이스들에서의 사용을 제공한다.
본원은 마찬가지로 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체를 포함하는 전자 디바이스를 제공한다.
전자 디바이스는 바람직하게 2, 3, 4, 5 또는 6개의 전극들을 갖는다.
특히 바람직한 실시형태에서, 전자 디바이스는 2개의 전극들: 애노드 및 캐소드를 갖는다.
본 발명의 전자 디바이스는 광을 방출하기 위해서, 광을 집광하기 위해서, 또는 광을 검출하기 위해서 사용될 수 있다. 따라서 본원은 광을 방출하는 전자 디바이스 (포토다이오드), 광을 집광하는 전자 디바이스 (태양 전지) 및/또는 광을 검출하는 전자 디바이스 (센서) 를 제공한다.
바람직하게, 전자 디바이스는 유기 전계발광 다이오드들 (OLEDs), 중합성 발광 다이오드들 (PLEDs), 유기 발광 전기화학 전지들, 유기 전계 효과 트랜지스터들 (OFETs), 박막 트랜지스터들 (TFTs), 유기 태양 전지들 (O-SCs), 유기 레이저 다이오드들 (O-레이저들), 유기 집적 회로들 (O-ICs), RFID (무선 주파수 식별) 태그들, 광검출기들, 센서들, 논리 회로들, 메모리 소자들, 커패시터들, 전하 주입층들, 쇼트키 다이오드들, 평활화층들, 대전방지 필름들, 전도성 기판들 또는 패턴들, 광전도체들, 일렉트로포토그래픽 소자들, 유기 발광 트랜지스터들 (OLETs), 유기 스핀트로닉 디바이스들 및 유기 플라스몬 방출 디바이스들 (OPEDs) 로부터 선택된다.
Koller et al.에 의해 Nature Photonics 2008, 2, 684-687에 기재된 유기 플라스몬 방출 디바이스들 (OPEDs) 은, 전극들 중 적어도 하나가 방출층의 표면 플라스몬과 상호작용할 수 있어야 한다는 것을 제외하고, OLED들과 유사하다. 바람직하게, OPED는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체 또는 나노-다이아몬드를 포함한다.
일렉트로포토그래픽 소자는 기판, 전극 및 전극 상의 전하 수송층, 및 전극과 전하 수송층 사이의 선택적인 전하 발생층을 포함한다. 디바이스와 그 디바이스에 사용되는 가능한 변형예들 및 재료들과 관련된 상세에 대해서는 적절한 문헌을 참조한다 (Organic Photoreceptors for Xerography, Marcel Dekker, Inc., Paul M. Borsenberger & D. S. Weiss 편집 (1998)). 바람직하게, 이러한 디바이스는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체 또는 나노-다이아몬드를, 보다 바람직하게는 전하 수송층에 포함한다.
바람직한 유기 스핀트로닉 디바이스는, Z.H. Xiong et al., 네이처 2004, 제 427권, 821에 기재된 이른바 "스핀-밸브" 디바이스라 불리는 것으로서, 2개의 강자성 전극들 및 2개의 강자성 전극들 사이의 적어도 하나의 유기층을 포함하고, 유기층들 중 적어도 하나는 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체를 포함한다. 강자성 전극은 Co, Ni, Fe 또는 그 합금으로 구성되거나, 또는 ReMnO3 또는 CrO2로 구성되며, 여기서 Re는 희토 원소이다.
유기 발광 전기화학 셀들 (OLEC들) 은 2개의 전극들, 및 그 사이의 전해질 및 형광성 종들의 혼합물 또는 블렌드를 포함하며, 이는 Pei & Heeger 에 의한 Science 1995, 269, 1086-1088 에 처음 기재된 대로이다. 이러한 디바이스에 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체 또는 나노-다이아몬드를 이용하는 것이 바람직하다.
염료 증감의 태양 전지들 (DSSCs) 로도 또한 불리는 염료 태양 전지들은 작용 전극, 이산화 티탄 (TiO2) 의 나노다공성 박층, 감광성 염료의 박층, 전해질 및 카운터 전극을 포함하며, 이는 O'Regan & Gr
Figure 112016019138014-pct00027
tzel 에 의한 네이처 1991, 353, 737-740에 처음 기재된 대로이다. 액체 전해질은, 예를 들어, 네이처 1998, 395, 583-585에 기재된 바와 같이 고체 정공 수송층에 의해 대체될 수도 있다.
보다 바람직하게, 본 발명의 전자 디바이스는 유기 발광 다이오드 (OLED) 이다.
OLED들은 통상적으로 다음의 층 구조를 갖는다:
- 선택적인 제 1 기판,
- 애노드,
- 선택적인 정공 주입층 (HIL),
- 선택적인 정공 수송층 (HTL) 및/또는 전자 블로커층 (EBL),
- 전기적 또는 광학적 여기시 여기자들을 생성하는 활성층,
- 선택적인 전자 수송층 (ETL) 및/또는 정공 블로커층 (HBL),
- 선택적인 전자 주입층 (EIL),
- 선택적으로, 적어도 하나의 나노 다이아몬드 및 선택적인 적어도 하나의 유기 기능성 재료 포함하는 층,
- 캐소드, 및
- 선택적인 제 2 기판.
상기 층 구조의 시퀀스는 예시적인 것이다. 다른 층 시퀀스가 가능하다. 상술된 구조에서 활성층에 의존하여, 상이한 전자 디바이스들이 획득될 수도 있다.
제 1 의 바람직한 실시형태에 있어서, 활성층에서는, 애노드와 캐소드 사이의 전압 인가에 의한 전기적 여기가 방사 붕괴를 통해 광을 방출하는 여기자들을 발생시킨다. 이것은 발광 디바이스이다.
다른 실시형태에 있어서, 활성층에서는, 광의 흡수가 여기자들을 발생시키고 여기자들의 해리를 통해 자유 전하 수송이 생성된다. 이것은 광기전력 전지 또는 태양 전지이다.
이어지는 예들은 본 발명을 상세히 예시하고자 하는 것이며 제한하려는 것이 아니다. 보다 구체적으로, 문제가 되는 예시의 기초를 형성하는 정의된 화합물들에 대해 본원에 기재되는 특징들, 특성들 및 이점들은 또한, 다른 곳에서의 반대 내용이 기재되어 있지 않는 한, 상세히 언급되지 않으나 청구항의 보호 범위에 의해 커버되는 다른 화합물들에도 적용가능하다.
작용 예들
A) 중합체들의 조제
이어지는 2가지 중합체들은 WO 03/048225에 기재된 스즈키 커플링에 의해 조제된다.
실시예 1:
중합체 1은 특별 정공 수송 특성들을 가지며 하기 조성을 갖는 공중합체이다:
Figure 112016019138014-pct00028
실시예 2:
중합체 2는 특별 전자 수송 특성들을 가지며 하기 조성을 갖는 공중합체이다:
Figure 112016019138014-pct00029
B) OLED 들의 제조
비교예 3:
OLED 1의 제조
OLED 1은, 중합체 1이 에미터층에서 에미터로서 사용되는 1층 디바이스이다. LED 1은 다음과 같이 제조된다:
1) 인듐 주석 산화물로 코팅된 유리 기판 상에 80 nm 두께 PEDOT 층 (Baytron P Al 4083) 의 스핀 코팅에 의한 성막.
2) 중합체 농도 1 중량%인 톨루엔 용액으로부터 스핀 코팅에 의한 중합체 1의 60 nm 두께 층의 성막.
3) 10분 동안 비활성 가스 하에서의 180℃에서 디바이스의 베이킹.
4) 에미터층 상에 진공 증발에 의한 캐소드 (8 nm Ba/150 nm Ag) 의 성막.
5) 디바이스의 캡슐화.
실시예 4:
OLED 2의 제조
OLED 2는, 중합체 1이 에미터층에서 에미터로 사용되고 중합체 2가 전자 수송층에서 전자 수송 재료로 사용되는 2층 디바이스이다. OLED 2는 다음과 같이 제조된다:
1) 인듐 주석 산화물로 코팅된 유리 기판 상에 80 nm 두께 PEDOT 층 (Baytron P Al 4083) 의 스핀 코팅에 의한 성막.
2) 중합체 농도 1 중량%인 톨루엔 용액으로부터 스핀 코팅에 의한 중합체 1의 20 nm 두께 층의 성막.
3) 60분 동안 비활성 가스 하에서의 180℃에서 디바이스의 베이킹.
4) 중합체 농도 1 중량%인 톨루엔 용액으로부터 스핀 코팅에 의한 중합체 2의 60 nm 두께 층의 성막.
5) 10분 동안 비활성 가스 하에서의 180℃에서 디바이스의 베이킹.
6) 에미터층 상에 진공 증발에 의한 캐소드 (8 nm Ba/150 nm Ag) 의 성막.
7) 디바이스의 캡슐화.
비교예 5:
OLED 3의 제조
OLED 3은, 중합체 2가 에미터층에서 에미터로서 사용되는 1층 디바이스이다. OLED 3의 제조를 위한 제조 단계들은, 중합체 2가 단계 2에서 중합체 1 대신에 사용되는 것을 제외하고, OLED 1의 제조에 대한 것과 동일하다.
제조된 OLED 디바이스들 OLED 1 및 OLED 3은 도 2에 도시된 구조를 가지며, 본 발명의 OLED 디바이스 OLED 2는 도 1에 도시된 구조를 갖는다.
C) OLED 들의 특성화
도 3은 3가지 OLED들 1 내지 3의 EL 스펙트럼들을 도시한다. 도 3이 도시한 바와 같이, OLED 1 및 OLED 2의 스펙트럼들은 사실상 동일하며, 이것은 2개의 OLED들에서의 에미션이 지배적 정공 전도성 중합체 P1로부터 나온다는 것을 나타낸다.
제조된 3가지 OLED들의 특성들은 표 1에 요약된다. 표 1이 도시하는 바와 같이, 에미터층에서의 지배적 정공 전도성 중합체 1의 사용 및 전자 수송층에서의 지배적 전자 전도성 중합체 2의 사용은, OLED들 1 및 3의 1층 디바이스들에 비해, 측정된 모든 특성들에서 명백한 개선을 유도한다. 3가지 OLED들의 필수적인 특성들은 도 4 내지 7에 추가로 도시된다.
도 4가 도시하는 바와 같이, OLED 1에서의 "정공 전류"는 매우 높으며, 이것은 정공이 미리 전자들과 재결합하지 않고 캐소드에 도달한다는 것을 의미한다. 이 때문에, 이러한 OLED의 효율은 매우 낮아 수명의 결정이 불가능하다.
상기 결과들이 나타내는 바와 같이, 놀랍게도, 정공 전도성 또는 지배적 정공 전도성 특성들을 갖는 본 발명의 중합체를 이용하여 우수한 특성들을 갖는 전계발광 디바이스들을 달성하는 것이 가능하다.
Figure 112016019138014-pct00030

Claims (18)

  1. 전계발광 디바이스로서,
    a) 애노드,
    b) 캐소드,
    c) 적어도 하나의 에미터를 포함하고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치되는 적어도 하나의 에미터층, 및
    d) 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하고 상기 적어도 하나의 에미터층과 상기 캐소드 사이에 배치되는, 적어도 하나의 전자 수송층을 포함하고,
    상기 적어도 하나의 에미터층이 정공 전도성 특성들을 갖는 중합체를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 에미터는 정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체에 반복 단위로서 통합되고,
    상기 전자 수송층에서의 전자 전도성 특성들을 갖는 적어도 하나의 재료는 상기 전자 수송층에서의 중합체에 반복 단위로서 통합되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에미터는 형광 및 인광 화합물들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에미터는 인광 금속 착물이고, 상기 금속은 전이 금속들, 희토 원소들, 란타나이드들 및 악티니드들로부터 선택되고, 그리고 Ir, Ru, Os, Eu, Au, Pt, Cu, Zn, Mo, W, Rh, Pd 및 Ag로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 아민들, 트리아릴아민들, 티오펜들, 카르바졸들, 프탈로시아닌들, 포르피린들 및 이들의 이성체들 및 유도체들로부터 선택된 적어도 하나의 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    반복 아민 단위는 하기 식 (18) 내지 식 (20)으로부터 선택되고,
    Figure 112020052526770-pct00031

    식중,
    각각의 경우에서 동일하거나 또는 상이할 수도 있는 R은 H, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 헤테로방향족기, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아르알킬, 아릴옥시, 아릴티오, 알콕시카르보닐, 실릴, 카르복실기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기 및 히드록실기로부터 선택되고,
    r 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, 그리고
    s 는 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 인 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 또한 상기 중합체의 백본을 형성하는 구조 단위들도 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 중합체의 백본을 형성하는 추가 구조 단위들은 플루오렌, 스피로플루오렌, 인데노플루오렌, 페난트렌, 디히드로페난트렌, 디벤조티오펜, 디벤조푸란 및 이들의 유도체들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 공액 중합체인 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  9. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    정공 전도성 특성들을 갖는 상기 중합체는 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체인 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 비공액되거나 또는 부분 공액된 중합체는 하기 식들 (32) 및 (33) 으로부터 선택되는 인데노플루오렌 구조 단위들을 포함하고,
    Figure 112020052526770-pct00032

    식중,
    X 및 Y는 독립적으로 H, F, C1-40-알킬기, C2-40-알케닐기, C2-40-알키닐기, 선택적으로 치환된 C6-40-아릴기 및 선택적으로 치환된 5- 내지 25-원 헤테로아릴기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전계발광 디바이스.
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