KR102205381B1 - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102205381B1
KR102205381B1 KR1020170152948A KR20170152948A KR102205381B1 KR 102205381 B1 KR102205381 B1 KR 102205381B1 KR 1020170152948 A KR1020170152948 A KR 1020170152948A KR 20170152948 A KR20170152948 A KR 20170152948A KR 102205381 B1 KR102205381 B1 KR 102205381B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing apparatus
substrate processing
center
substrate
wafer
Prior art date
Application number
KR1020170152948A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180057536A (en
Inventor
도모유키 나가타
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180057536A publication Critical patent/KR20180057536A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102205381B1 publication Critical patent/KR102205381B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

기판 처리의 면내 균일성을 향상시키는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
일 실시 형태의 기판 처리 장치는, 처리 용기와, 상기 처리 용기의 개구부에 삽입 관통 가능하게 설치되어, 상하 방향으로 연장되는 회전축과, 상기 회전축의 상단에 설치된 지지부와, 상기 지지부 상에 적재되어, 복수의 기판을 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와, 상기 지지부의 소정 영역에 배치되어, 상기 회전축 주위로 회전하는, 상기 지지부 및 상기 기판 보유 지지구를 포함하는 회전체의 무게 중심 위치를 조정하는 무게 중심 위치 조정 부재를 갖는다.
A substrate processing apparatus capable of improving the in-plane uniformity of substrate processing is provided.
The substrate processing apparatus of one embodiment is mounted on a processing container, a rotation shaft extending in an up-down direction, and a support provided at an upper end of the rotation shaft, and on the support part; A circuit comprising a substrate holding tool for holding a plurality of substrates at predetermined intervals in the vertical direction and approximately horizontally, and the support unit and the substrate holding unit disposed in a predetermined region of the support unit and rotated around the rotation axis It has a center of gravity positioning member that adjusts the position of the center of gravity of the whole.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

종래부터, 처리 용기 내에 소정의 회전축 주위로 회전 가능하게 설치되고, 복수의 기판을 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 보유 지지하는 웨이퍼 보트를 사용하여, 복수의 기판에 대해, 일괄(배치)로 열처리를 행하는 종형 열처리 장치가 알려져 있다.Conventionally, using a wafer boat that is rotatably installed around a predetermined rotation axis in a processing container and holds a plurality of substrates substantially horizontally with predetermined intervals in the vertical direction, collectively (batch) a plurality of substrates. A vertical heat treatment apparatus that performs furnace heat treatment is known.

웨이퍼 보트로서는, 예를 들어 상하로 대향 배치된 천판과 저판 사이에 복수개의 지주가 설치되고, 각 지주의 내측면에 거의 등간격으로 복수의 홈부가 형성되고, 홈부에 웨이퍼의 주연부가 삽입되어 지지되는 구조가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또한, 예를 들어 상하로 대향 배치된 천판과 저판 사이에 복수개의 지주가 설치되고, 복수개의 지주에 평평한 지지면을 구비한 링 부재가 설치되고, 링 부재의 지지면에서 웨이퍼를 지지하는 구조가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).As a wafer boat, for example, a plurality of struts are provided between a top plate and a bottom plate arranged vertically opposite to each other, a plurality of grooves are formed at substantially equal intervals on the inner surface of each of the struts, and the peripheral edge of the wafer is inserted into the groove to be supported. The resulting structure is known (see, for example, Patent Document 1). In addition, for example, a structure in which a plurality of posts are provided between the top plate and the bottom plate arranged vertically opposite to each other, a ring member having a flat support surface is installed on the plurality of posts, and the wafer is supported on the support surface of the ring member. It is known (see, for example, Patent Document 2).

그런데, 이러한 웨이퍼 보트에서는, 웨이퍼를 삽입하는 측과 반대측에 지주가 배치되고, 웨이퍼를 삽입하는 측에는 지주가 배치되어 있지 않다. 이것은, 웨이퍼를 삽입할 때에, 웨이퍼와 지주가 간섭하지 않도록 하기 위해서이다. 이로 인해, 회전축 주위로 회전하는 웨이퍼 보트를 포함하는 회전체의 무게 중심 위치는, 회전축의 중심으로부터 지주가 배치되어 있는 측으로 기울어져 버린다. 회전체의 무게 중심 위치가 치우치면, 웨이퍼 보트가 기운 상태로 회전하기 때문에, 처리 용기의 내면과 웨이퍼 보트가 접촉하기 쉬워진다. 그래서, 처리 용기의 내면과 웨이퍼 보트와의 접촉을 회피하기 위하여, 처리 용기의 내면과 웨이퍼 보트 사이에는, 양자가 접촉하지 않도록 충분한 간극이 마련되어 있다.By the way, in such a wafer boat, the support|pillar is arrange|positioned on the side opposite to the side where a wafer is inserted, and the support|pillar is not arrange|positioned at the side where a wafer is inserted. This is to prevent interference between the wafer and the posts when inserting the wafer. For this reason, the position of the center of gravity of the rotating body including the wafer boat rotating around the rotating shaft is inclined from the center of the rotating shaft toward the side where the posts are arranged. If the position of the center of gravity of the rotating body is skewed, the wafer boat rotates in a tilted state, so that the inner surface of the processing container and the wafer boat come into contact with each other. Therefore, in order to avoid contact between the inner surface of the processing container and the wafer boat, a sufficient gap is provided between the inner surface of the processing container and the wafer boat so that they do not come into contact with each other.

일본 특허 공개 제2011-222653호 공보Japanese Patent Publication No. 2011-222653 일본 특허 공개 제2010-062446호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-062446

그러나, 처리 용기의 내면과 웨이퍼 보트의 간극이 커지면, 웨이퍼의 중심 영역으로의 처리 가스의 공급량이 저하되고, 기판 처리의 면내 균일성이 저하된다.However, as the gap between the inner surface of the processing container and the wafer boat increases, the amount of processing gas supplied to the central region of the wafer decreases, and the in-plane uniformity of the substrate processing decreases.

그래서, 본 발명의 일 형태에서는, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the in-plane uniformity of substrate processing.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 관한 기판 처리 장치는, 처리 용기와, 상기 처리 용기의 개구부에 삽입 관통 가능하게 설치되어, 상하 방향으로 연장되는 회전축과, 상기 회전축의 상단에 설치된 지지부와, 상기 지지부 상에 적재되어, 복수의 기판을 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와, 상기 지지부의 소정 영역에 배치되어, 상기 회전축 주위로 회전하는 상기 지지부 및 상기 기판 보유 지지구를 포함하는 회전체의 무게 중심 위치를 조정하는 무게 중심 위치 조정 부재를 갖는다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention includes a processing container, a rotation shaft extending in a vertical direction, and a rotation shaft extending in a vertical direction, and a rotation shaft installed at an upper end of the rotation shaft. A support portion, a substrate holding device that is mounted on the support portion and holds a plurality of substrates substantially horizontally with predetermined intervals in the vertical direction; the support portion disposed in a predetermined region of the support portion and rotating around the rotation axis; and It has a center of gravity position adjustment member for adjusting the position of the center of gravity of the rotating body including the substrate holding device.

개시된 기판 처리 장치에 의하면, 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.According to the disclosed substrate processing apparatus, in-plane uniformity of substrate processing can be improved.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 종단면도.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 회전체의 구성을 나타내는 개략 사시도.
도 3은 도 2의 회전체의 보온통 근방의 확대 사시도.
도 4는 도 2의 회전체의 보온통 근방의 확대 단면도.
도 5는 웨이퍼 보트로 보유 지지되는 웨이퍼의 매수와 카운터 웨이트의 위치의 관계를 나타내는 테이블도.
도 6은 회전체의 축 중심으로부터의 편심량을 설명하는 도면.
도 7은 웨이퍼 위치와 웨이퍼에 형성된 실리콘 질화막의 면내 균일성의 관계를 나타내는 도면.
도 8은 웨이퍼 보트로 보유 지지되는 웨이퍼의 위치를 설명하는 도면.
1 is a schematic longitudinal sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of a rotating body of the substrate processing apparatus of Fig. 1;
Figure 3 is an enlarged perspective view of the vicinity of the thermal insulation box of the rotating body of Figure 2;
4 is an enlarged cross-sectional view of the rotating body of FIG. 2 in the vicinity of the thermal insulation container.
Fig. 5 is a table showing the relationship between the number of wafers held by the wafer boat and the position of the counter weight.
Fig. 6 is a diagram explaining the amount of eccentricity from the center of the axis of the rotating body.
7 is a diagram showing a relationship between a wafer position and the in-plane uniformity of a silicon nitride film formed on the wafer.
Fig. 8 is a diagram explaining the position of a wafer held by a wafer boat.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.Hereinafter, an embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the present specification and drawings, for substantially the same configurations, duplicate descriptions are omitted by denoting the same numbers.

(기판 처리 장치)(Substrate processing device)

본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 개략 종단면도이다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 긴 쪽 방향이 연직 방향인 대략 원통형의 처리 용기(4)를 갖는다. 처리 용기(4)는, 천장을 갖는 외통(6)과, 외통(6)의 내측에 동심적으로 배치되어, 천장을 갖는 내통(8)을 구비하는 2중관 구조를 갖는다. 내통(8)의 하단부는 외측 방향으로 돌출되는 플랜지를 갖고, 외통(6)의 내벽에 용접 등에 의해 고정된다. 외통(6)의 하단부는 외측 방향으로 돌출되는 플랜지를 갖고, 스테인리스강 등으로 형성되는 원환상의 보텀 플랜지(10)에 의해 외통(6)의 플랜지 하면이 지지되어 있다. 보텀 플랜지(10)는, 볼트 등의 고정 수단에 의해 베이스 플레이트에 고정된다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has a substantially cylindrical processing container 4 whose longitudinal direction is a vertical direction. The processing container 4 has a double-pipe structure including an outer cylinder 6 having a ceiling and an inner cylinder 8 having a ceiling, which is concentrically disposed inside the outer cylinder 6. The lower end of the inner cylinder 8 has a flange protruding outward, and is fixed to the inner wall of the outer cylinder 6 by welding or the like. The lower end of the outer cylinder 6 has a flange protruding outward, and the lower surface of the flange of the outer cylinder 6 is supported by an annular bottom flange 10 made of stainless steel or the like. The bottom flange 10 is fixed to the base plate by fixing means such as bolts.

보텀 플랜지(10)의 하단부의 개구부에는, 예를 들어 스테인리스강으로 이루어지는 대략 원판상의 캡부(14)가, ○링 등의 시일 부재(16)를 통해 기밀 밀봉 가능하게 장착되어 있다. 또한, 캡부(14)의 대략 중심부에는, 예를 들어 자성 유체 시일(18)에 의해 기밀 상태로 회전 가능한 상하 방향으로 연장되는 회전축(20)이 삽입 관통되어 있다. 회전축(20)의 하단은 회전 기구(22)에 접속되어 있고, 회전축(20)의 상단에는, 예를 들어 스테인리스강으로 이루어지는 테이블(24)이 고정되어 있다.To the opening of the lower end of the bottom flange 10, a substantially disk-shaped cap 14 made of, for example, stainless steel is attached to be hermetically sealed through a sealing member 16 such as a ring or the like. In addition, a rotation shaft 20 extending in the vertical direction, which can be rotated in an airtight state by a magnetic fluid seal 18, is inserted into the substantially central portion of the cap portion 14, for example. The lower end of the rotary shaft 20 is connected to the rotary mechanism 22, and a table 24 made of, for example, stainless steel is fixed to the upper end of the rotary shaft 20.

테이블(24) 상에는, 예를 들어 석영제의 보온통(26)이 설치되어 있다. 또한, 보온통(26) 상에는, 예를 들어 석영제의 웨이퍼 보트(28)가 적재된다. 웨이퍼 보트(28)는, 복수의 웨이퍼 W를 처리 용기(4) 내에서 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 보유 지지된다. 웨이퍼 보트(28)에는, 예를 들어 50 내지 150매의 웨이퍼 W 등의 기판이, 소정 간격, 예를 들어 10㎜ 정도의 간격으로 선반 형상으로 수용된다. 테이블(24), 보온통(26), 및 웨이퍼 보트(28)는, 회전축(20) 주위로 회전하는 회전체를 구성한다.On the table 24, a thermal insulation tube 26 made of quartz is provided, for example. Further, on the thermal insulation tube 26, a wafer boat 28 made of quartz, for example, is mounted. The wafer boat 28 holds a plurality of wafers W in the processing container 4 substantially horizontally at predetermined intervals in the vertical direction. In the wafer boat 28, substrates such as 50 to 150 wafers W, for example, are accommodated in a shelf shape at predetermined intervals, for example, about 10 mm. The table 24, the thermal insulation container 26, and the wafer boat 28 constitute a rotating body that rotates around the rotating shaft 20.

도 2는, 도 1의 기판 처리 장치의 회전체의 구성을 나타내는 개략 사시도이다. 도 2에서는, 설명의 편의상, 회전체를 세로 방향으로 절단한 상태를 나타내고 있다. 도 3은, 도 2의 회전체의 보온통 근방의 확대 사시도이다. 도 4는, 도 2의 회전체의 보온통 근방의 확대 단면도이다.FIG. 2 is a schematic perspective view showing a configuration of a rotating body of the substrate processing apparatus of FIG. 1. In Fig. 2, for convenience of explanation, a state in which the rotating body is cut in the vertical direction is shown. Fig. 3 is an enlarged perspective view of the rotating body of Fig. 2 in the vicinity of the thermal insulation container. Fig. 4 is an enlarged cross-sectional view of the rotating body of Fig. 2 in the vicinity of the thermal insulation container.

도 2에 나타낸 바와 같이, 회전체는, 테이블(24)과, 보온통(26)과, 웨이퍼 보트(28)를 갖는다. 웨이퍼 보트(28)는, 상하로 대향 배치된 천판(281)과 저판(282) 사이에 복수개의 지주(283)가 설치되어, 각 지주(283)의 내측면에 복수의 홈부(284)가 형성된, 소위, 러더 보트이다. 웨이퍼 W는, 웨이퍼 보트(28)의 홈부(284)에 주연부가 삽입되어, 지지된다. 또한, 도 2에서는, 웨이퍼 W의 도시를 생략하고 있다. 웨이퍼 보트(28)에는, 수평 방향으로부터 웨이퍼 W가 삽입되기 때문에, 웨이퍼 보트(28)의 웨이퍼 W를 삽입하는 측(도 2의 -Y 방향)에는, 지주(283)가 배치되어 있지 않다.As shown in FIG. 2, the rotating body has a table 24, a heat insulating tube 26, and a wafer boat 28. The wafer boat 28 is provided with a plurality of posts 283 between the top plate 281 and the bottom plate 282 arranged vertically facing each other, and a plurality of grooves 284 are formed on the inner surface of each post 283 , The so-called rudder boat. The wafer W is supported by inserting a peripheral edge portion into the groove portion 284 of the wafer boat 28. In addition, in FIG. 2, the illustration of the wafer W is omitted. Since the wafer W is inserted in the wafer boat 28 from the horizontal direction, the post 283 is not disposed on the side of the wafer boat 28 where the wafer W is inserted (in the -Y direction in FIG. 2 ).

도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 보온통(26)은, 상하 방향으로 대향 배치된 대략 원판상의 천판(261) 및 대략 원판상의 저판(262)과, 천판(261)과 저판(262) 사이에 설치된 복수개, 예를 들어 4개의 지주(263)(도 3 및 도 4에서는 2개만을 나타냄)를 갖는다. 그리고, 지주(263)의 도중인 천판(261)과 저판(262)과의 사이에는, 복수의 대략 원판상의 석영제의 핀(264)이 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 설치되어 있다. 보온통(26)은, 후술하는 히터 장치(48)로부터의 열을 축열하여 웨이퍼 보트(28)의 하단부의 영역의 온도가 과도하게 저하되지 않도록 보온한다. 도 2 내지 도 4에서는, 보온통(26)과 웨이퍼 보트(28)를 별체로서 형성하고 있지만, 양자를 석영에 의해 일체 성형해도 된다. 또한, 보온통(26)은, 도시된 형태로 한정되지 않고, 예를 들어 석영에 의해 원통체 형상으로 성형해도 된다.As shown in FIGS. 3 and 4, the thermal insulation container 26 is disposed between the substantially disk-shaped top plate 261 and the substantially disk-shaped bottom plate 262 and the top plate 261 and the bottom plate 262 disposed opposite to each other in the vertical direction. It has a plurality of provided, for example, four posts 263 (only two are shown in Figs. 3 and 4). And, between the top plate 261 and the bottom plate 262, which is the middle of the post 263, a plurality of substantially disk-shaped quartz pins 264 are provided substantially horizontally with a predetermined interval in the vertical direction. The thermal insulation tube 26 stores heat from a heater device 48 to be described later to keep the temperature of the lower end region of the wafer boat 28 from excessively lowering. In Figs. 2 to 4, the heat insulating tube 26 and the wafer boat 28 are formed as separate bodies, but both may be integrally formed of quartz. In addition, the thermal insulation tube 26 is not limited to the illustrated form, and may be formed into a cylindrical shape made of quartz, for example.

천판(261) 및 핀(264)에는, 상면에서 보아 서로 겹치는 위치에, 각각 노치부(261a) 및 노치부(264a)가 형성되어 있다. 도시된 예에서는, 노치부(261a) 및 노치부(264a)는, 원호상으로 형성되어 있다. 즉, 노치부(261a) 및 노치부(264a)가 형성되어 있는 위치에 있어서의 천판(261) 및 핀(264)의 반경 Ra는, 노치부(261a) 및 노치부(264a)가 형성되지 않은 위치에 있어서의 천판(261) 및 핀(264)의 반경 R보다도 작게 되어 있다.The top plate 261 and the pin 264 are provided with a notch portion 261a and a notch portion 264a, respectively, at positions overlapping each other when viewed from the top. In the illustrated example, the notch portion 261a and the notch portion 264a are formed in an arc shape. That is, the radius Ra of the top plate 261 and the pin 264 at the position where the notch portion 261a and the notch portion 264a are formed is not formed with the notch portion 261a and the notch portion 264a. It is smaller than the radius R of the top plate 261 and the pin 264 at the position.

노치부(261a) 및 노치부(264a)와 대응하는 위치에는, 상면으로부터 보았을 때의 형상이 천판(261) 및 핀(264)의 주연에 따른 원호상인 카운터 웨이트(90)가 설치되어 있다. 즉, 카운터 웨이트(90)는, 보온통(26)의 주위 방향에 있어서의 일부 영역에 배치되어 있다. 카운터 웨이트(90)는, 저판(262) 상에 설치되어 있고, 저판(262)과 일체적으로 회전한다. 카운터 웨이트(90)는, 예를 들어 보온통(26)과 대략 동일한 높이를 갖고 있다. 카운터 웨이트(90)는, 석영 등의 내열성 재료에 의해 형성되어 있다.At positions corresponding to the notch portion 261a and the notch portion 264a, a counterweight 90 having an arc shape along the periphery of the top plate 261 and the pin 264 is provided as viewed from the top. In other words, the counter weight 90 is disposed in a partial area in the circumferential direction of the thermal insulation container 26. The counter weight 90 is provided on the bottom plate 262 and rotates integrally with the bottom plate 262. The counter weight 90 has substantially the same height as the thermal insulation container 26, for example. The counter weight 90 is made of a heat-resistant material such as quartz.

카운터 웨이트(90)는, 저판(262) 상에 있어서 핀(264)의 직경 방향(도 3 및 도 4의 화살표 A로 나타내는 방향)으로 이동 가능하다. 카운터 웨이트(90)를 핀(264)의 직경 방향으로 이동시킴으로써, 회전축(20) 주위로 회전하는 회전체의 무게 중심 위치를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 카운터 웨이트(90)를 핀(264)의 직경 방향의 외측(도 3 및 도 4의 -Y 방향)으로 이동시킴으로써, 회전체의 무게 중심 위치를 핀(264)의 직경 방향의 외측으로 이동시킬 수 있다. 또한, 예를 들어 카운터 웨이트(90)를 핀(264)의 중심 방향(도 3 및 도 4의 +Y 방향)으로 이동시킴으로써, 회전체의 무게 중심 위치를 핀(264)의 중심 방향으로 이동시킬 수 있다. 카운터 웨이트(90)는, 후술하는 제어부(1A)에 의해 그 동작이 제어된다.The counterweight 90 is movable on the bottom plate 262 in the radial direction of the pin 264 (direction indicated by arrow A in FIGS. 3 and 4 ). By moving the counter weight 90 in the radial direction of the pin 264, the position of the center of gravity of the rotating body rotating around the rotation shaft 20 can be moved. For example, by moving the counterweight 90 outward in the radial direction of the pin 264 (in the -Y direction in FIGS. 3 and 4), the position of the center of gravity of the rotating body is moved outward in the radial direction of the pin 264 Can be moved to. In addition, for example, by moving the counterweight 90 in the center direction of the pin 264 (in the +Y direction in FIGS. 3 and 4), the position of the center of gravity of the rotating body can be moved in the center direction of the pin 264. I can. The operation of the counter weight 90 is controlled by the control unit 1A described later.

다시, 도 1을 참조하면, 캡부(14), 테이블(24), 보온통(26), 웨이퍼 보트(28) 및 카운터 웨이트(90)는, 예를 들어 보트 엘리베이터인 승강 기구(30)에 의해, 처리 용기(4) 내에 일체로 되어 로드, 언로드된다.Referring again to Fig. 1, the cap 14, the table 24, the thermal insulation container 26, the wafer boat 28, and the counter weight 90 are, for example, by a lifting mechanism 30 which is a boat elevator, It is integrated into the processing container 4 and loaded and unloaded.

보텀 플랜지(10)의 측면에는, 처리 용기(4) 내에 처리 가스를 도입하기 위한, 가스 도입관(82)이 설치된다. 가스 도입관(82)은, 조인트(83) 등의 고정 수단에 의해 가스 도입 포트(75)에 접속되어 있다. 외통(6)의 플랜지에는, 가스 도입 포트(75)에 대응하는 위치에 관통 구멍이 형성되어 있다. 인젝터(60)의 수평 부분이 처리 용기(4) 내로부터 관통 구멍에 삽입됨과 함께, 조인트(83)에 의해 가스 도입관(82)과 인젝터(60)가 접속 고정된다.A gas introduction pipe 82 is provided on the side of the bottom flange 10 for introducing a processing gas into the processing container 4. The gas introduction pipe 82 is connected to the gas introduction port 75 by fixing means such as a joint 83. A through hole is formed in the flange of the outer cylinder 6 at a position corresponding to the gas introduction port 75. While the horizontal portion of the injector 60 is inserted into the through hole from the inside of the processing container 4, the gas introduction pipe 82 and the injector 60 are connected and fixed by a joint 83.

인젝터(60)는, 가스 도입관(82)을 거쳐서 가스 도입 포트(75)에 공급된 처리 가스를 웨이퍼 W에 공급한다. 인젝터(60)는, 예를 들어 석영으로 구성되어도 되고, SiC 등의 세라믹스로 구성되어도 된다. 또한, 인젝터(60)는, 석영, 세라믹스 외에도, 처리 용기(4)의 내부가 오염되기 어려운 다양한 재료를 사용하여 구성할 수 있다.The injector 60 supplies the processing gas supplied to the gas introduction port 75 to the wafer W via the gas introduction pipe 82. The injector 60 may be made of quartz, for example, or may be made of ceramics such as SiC. In addition, the injector 60 can be constructed using a variety of materials in which the interior of the processing container 4 is difficult to be contaminated in addition to quartz and ceramics.

인젝터(60)의 상단부는 밀봉되어 있고, 인젝터(60)의 측면에는, 처리 용기(4) 내에 수용되는 복수의 웨이퍼 W의 피처리면에 대해 평행하게 처리 가스를 공급하기 위한 복수의 가스 공급 구멍(61)이 마련되어 있다. 즉, 연직 방향으로 소정 간격을 갖고 가스 공급 구멍(61)이 마련되고, 가스 공급 구멍(61)으로부터 처리 가스를 공급하면서 웨이퍼 W를 열처리하고, 웨이퍼 W에 성막을 행한다. 따라서, 가스 공급 구멍(61)은, 웨이퍼 W에 근접한 측에 마련된다.The upper end of the injector 60 is sealed, and at the side of the injector 60, a plurality of gas supply holes for supplying processing gas in parallel to the processing target surfaces of the plurality of wafers W accommodated in the processing container 4 ( 61) is provided. That is, the gas supply holes 61 are provided at predetermined intervals in the vertical direction, the wafer W is heat-treated while supplying the processing gas from the gas supply holes 61, and film formation is performed on the wafer W. Therefore, the gas supply hole 61 is provided on the side close to the wafer W.

또한, 도 1에서는, 가스 도입관(82)이 하나 설치되는 경우를 나타냈지만, 이에 한정되지 않고, 사용되는 가스종의 수 등에 따라 복수의 가스 도입관(82)이 설치되어 있어도 된다. 또한, 가스 도입 포트(75)로부터 처리 용기(4)에 도입되는 가스는, 가스 공급원(80)으로부터 공급되어, 유량 제어 밸브(81)에 의해, 유량 제어된다.In addition, although FIG. 1 shows a case in which one gas introduction pipe 82 is provided, the present invention is not limited thereto, and a plurality of gas introduction pipes 82 may be provided depending on the number of gas types used and the like. Further, the gas introduced into the processing container 4 from the gas introduction port 75 is supplied from the gas supply source 80, and the flow rate is controlled by the flow control valve 81.

또한, 기판 처리 장치(1)에는, 가스 공급 구멍(61)으로부터 공급되는 처리 가스를 고주파 전력에 의해 발생된 플라스마에 의해 활성화하는 활성화 수단이 설치되어 있어도 된다.Further, the substrate processing apparatus 1 may be provided with an activating means for activating the processing gas supplied from the gas supply hole 61 by plasma generated by high frequency power.

외통(6)의 하부에는, 가스 출구(36)가 마련되어 있고, 가스 출구(36)에는 배기계(38)가 연결된다. 배기계(38)는, 가스 출구(36)에 접속된 배기 통로(40)와, 배기 통로(40)의 도중에 순차 접속된 압력 조정 밸브(42) 및 진공 펌프(44)를 포함한다. 배기계(38)에 의해, 처리 용기(4) 내의 압력을 조정하면서 가스를 배기할 수 있다.A gas outlet 36 is provided in the lower portion of the outer cylinder 6, and an exhaust system 38 is connected to the gas outlet 36. The exhaust system 38 includes an exhaust passage 40 connected to the gas outlet 36, a pressure regulating valve 42 and a vacuum pump 44 sequentially connected in the middle of the exhaust passage 40. The gas can be exhausted while adjusting the pressure in the processing container 4 by the exhaust system 38.

처리 용기(4)의 외주측에는, 처리 용기(4)를 둘러싸도록 하여 웨이퍼 W 등의 기판을 가열하는 히터 장치(48)가 설치된다.On the outer circumferential side of the processing container 4, a heater device 48 that surrounds the processing container 4 and heats a substrate such as a wafer W is provided.

또한, 웨이퍼 보트(28)를 통해 인젝터(60)에 대향하는 측의 내통(8)의 측벽에는, 연직 방향을 따라 슬릿(101)이 형성되어 있고, 내통(8) 내의 가스를 배기할 수 있게 되어 있다. 즉, 인젝터(60)의 가스 공급 구멍(61)으로부터 웨이퍼 W를 향해 공급된 처리 가스는, 슬릿(101)을 통하여 내통(8)으로부터 내통(8)과 외통(6) 사이의 공간으로 흘러, 가스 출구(36)로부터 처리 용기(4) 외부로 배기된다.In addition, a slit 101 is formed along a vertical direction on the side wall of the inner cylinder 8 on the side opposite to the injector 60 through the wafer boat 28, so that the gas in the inner cylinder 8 can be exhausted. Has been. That is, the processing gas supplied from the gas supply hole 61 of the injector 60 toward the wafer W flows from the inner cylinder 8 to the space between the inner cylinder 8 and the outer cylinder 6 through the slit 101, It is exhausted from the gas outlet 36 to the outside of the processing container 4.

슬릿(101)은, 상단의 위치가 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되어 있는 웨이퍼 W 중 최상단으로 보유 지지되어 있는 웨이퍼 W의 위치보다도 상방이 되도록 형성되어 있다. 또한, 슬릿(101)은, 하단의 위치가 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되어 있는 웨이퍼 W 중 최하단으로 보유 지지되고 있는 웨이퍼 W의 위치보다도 하방으로 되도록 형성되어 있다.The slit 101 is formed so that the position of the upper end is higher than the position of the wafer W held at the uppermost end of the wafers W held by the wafer boat 28. Further, the slit 101 is formed so that the lower end position is lower than the position of the lowermost wafer W held by the wafer boat 28.

또한, 도 1에서는, 슬릿(101)을 나타내고 있지만, 이에 한정되지 않고, 처리 용기(4)의 연직 방향을 따라 형성된 복수의 개구부여도 된다.In addition, although the slit 101 is shown in FIG. 1, the slit 101 is not limited to this, and a plurality of openings formed along the vertical direction of the processing container 4 may be used.

또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)에는, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어하는, 예를 들어 컴퓨터로 이루어지는 제어부(1A)가 설치되어 있다. 제어부(1A)는, 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있다. 프로그램에는, 제어부(1A)로부터 기판 처리 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 보내고, 각종 처리를 실행시키도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 프로그램은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크 및 메모리 카드 등의 매체(1C)에 기억되어, 소정의 판독 장치에 의해 기억부(1B)에 판독되어, 제어부(1A) 내에 인스톨된다.In addition, as shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is provided with a control unit 1A made of, for example, a computer that controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1. The control unit 1A includes a program, a memory, a data processing unit composed of a CPU, and the like. In the program, a command (each step) is incorporated to send a control signal from the control unit 1A to each unit of the substrate processing apparatus 1 and execute various processes. The program is stored in a medium 1C such as, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a magneto-optical disk, and a memory card, and is read into the storage unit 1B by a predetermined reading device, and the control unit 1A It is installed in.

또한, 제어부(1A)는, 카운터 웨이트(90)의 웨이퍼 W의 직경 방향으로의 동작을 제어한다. 제어부(1A)는, 예를 들어 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 매수에 기초하여, 카운터 웨이트(90)의 동작을 제어해도 된다. 도 5는, 웨이퍼 보트로 보유 지지되는 웨이퍼의 매수와 카운터 웨이트의 위치의 관계를 나타내는 테이블이다. 제어부(1A)는, 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 매수와, 미리 기억부(1B)에 기억된 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 매수와 카운터 웨이트(90)의 위치의 관계(도 5 참조)에 기초하여, 카운터 웨이트(90)의 동작을 제어한다.Further, the control unit 1A controls the operation of the counter weight 90 in the radial direction of the wafer W. The control unit 1A may control the operation of the counter weight 90 based on, for example, the number of wafers W held by the wafer boat 28. 5 is a table showing the relationship between the number of wafers held by the wafer boat and the position of the counter weight. The control unit 1A determines the number of wafers W held by the wafer boat 28, the number of wafers W held by the wafer boat 28 stored in the storage unit 1B in advance, and the counter weight 90. Based on the positional relationship (see Fig. 5), the operation of the counter weight 90 is controlled.

또한, 제어부(1A)는, 회전체의 편심량을 검지하는 검지부(91)가 검지한 편심량에 기초하여, 카운터 웨이트(90)의 동작을 제어해도 된다. 검지부(91)는, 회전체의 편심량을 검지 가능하면 되며, 예를 들어 다이얼 게이지이면 된다.Further, the control unit 1A may control the operation of the counter weight 90 based on the amount of eccentricity detected by the detection unit 91 that detects the amount of eccentricity of the rotating body. The detection unit 91 just needs to be able to detect the amount of eccentricity of the rotating body, and may be, for example, a dial gauge.

(회전체의 편심량)(Eccentricity of the rotating body)

이어서, 회전체의 편심량에 대해 설명한다. 도 6은, 회전체의 축 중심으로부터의 편심량을 설명하는 도면이다. 도 6에서, 직경 방향은 편심량(㎜)을 나타내며, 주위 방향은 각도(도)를 나타내고 있다. 또한, 도 6에서, 곡선 M은 회전체의 축 중심에 하중된 상태이고, 회전체를 회전시켰을 때의 회전체의 편심량을 나타내며, 곡선 N은 회전체의 축 중심으로부터 10㎜ 치우친 위치에 하중된 상태이고, 회전체를 회전시켰을 때의 회전체의 편심량을 나타내고 있다.Next, the amount of eccentricity of the rotating body will be described. 6 is a diagram illustrating the amount of eccentricity from the center of the axis of the rotating body. In Fig. 6, the radial direction represents the amount of eccentricity (mm), and the circumferential direction represents the angle (degree). In addition, in Fig. 6, the curve M is a state loaded on the axis of the rotating body, and represents the eccentricity of the rotating body when the rotating body is rotated, and the curve N is loaded at a position 10 mm inclined from the axis of the rotating body. State, and shows the amount of eccentricity of the rotating body when the rotating body is rotated.

도 6에 나타낸 바와 같이, 회전체의 축 중심으로부터 치우친 위치로 하중된 경우, 회전체의 축 중심으로 하중된 경우와 비교하여, 편심량이 커진다. 이와 같이 회전체의 편심량이 커지면, 웨이퍼 보트(28)가 기울어진 상태에서 회전하기 때문에, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28)가 접촉하기 쉬워진다. 그래서, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28)의 접촉을 회피하기 위하여, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28) 사이에는, 양자가 접촉하는 일이 없도록 충분한 간극 S(도 1 참조)가 설치되어 있다.As shown in Fig. 6, when the load is biased from the axial center of the rotating body, the amount of eccentricity increases as compared with the case of the load on the axial center of the rotating body. When the amount of eccentricity of the rotating body increases in this way, since the wafer boat 28 rotates in an inclined state, the inner surface of the processing container 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28 become easier to contact. Therefore, in order to avoid contact between the inner surface of the processing vessel 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28, between the inner surface of the processing vessel 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28, A sufficient gap S (refer to FIG. 1) is provided so that both do not contact.

그러나, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28)의 간극 S가 커지면, 웨이퍼 W의 중심 영역에 대한 처리 가스의 공급량이 저하되고, 기판 처리의 면내 균일성이 저하된다.However, when the gap S between the inner surface of the processing vessel 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28 increases, the amount of processing gas supplied to the central region of the wafer W decreases, and the in-plane uniformity of the substrate processing decreases. do.

본 발명의 실시 형태에 관한 기판 처리 장치는, 상술한 바와 같이, 회전축(20) 주위로 회전하는 회전체의 무게 중심 위치를 조정하는 카운터 웨이트(90)를 갖는다. 이에 따라, 회전축(20) 주위로 회전하는 회전체의 무게 중심 위치를 회전축(20)의 중심으로 이동시킬 수 있다. 이로 인해, 회전체가 거의 편심하지 않고 회전하므로, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28)의 간극 S를 작게 할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 W의 중심 영역에 대한 처리 가스의 공급량을 증가시킬 수 있고, 기판 처리의 면내 균일성이 향상된다.As described above, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention has a counter weight 90 for adjusting the position of the center of gravity of the rotating body rotating around the rotating shaft 20. Accordingly, the position of the center of gravity of the rotating body rotating around the rotating shaft 20 can be moved to the center of the rotating shaft 20. For this reason, since the rotating body rotates almost without eccentricity, the gap S between the inner surface of the processing container 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28 can be made small. As a result, the amount of processing gas supplied to the central region of the wafer W can be increased, and the in-plane uniformity of the substrate processing is improved.

또한, 회전체가 거의 편심하지 않고 회전하므로, 웨이퍼 보트(28)의 높이 방향의 어느 위치에서도, 처리 용기(4)(내통(8))의 내면과 웨이퍼 보트(28)의 거리가 대략 일정해진다. 그 결과, 면간 균일성이 향상된다. 또한, 웨이퍼 W의 수평 방향의 이동 탑재 위치를 조정하는 이동 탑재 기구의 티칭 시간을 단축할 수 있으므로, 장치 기동 시의 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 자성 유체 시일(18)에 가해지는 부하가 작아지므로, 자성 유체 시일(18)의 수명을 길게 할 수 있다.In addition, since the rotating body rotates without being almost eccentric, the distance between the inner surface of the processing container 4 (inner cylinder 8) and the wafer boat 28 becomes substantially constant at any position in the height direction of the wafer boat 28. . As a result, the inter-plane uniformity is improved. Further, since the teaching time of the moving mounting mechanism for adjusting the moving mounting position of the wafer W in the horizontal direction can be shortened, the number of steps at the time of starting the device can be reduced. Further, since the load applied to the magnetic fluid seal 18 is small, the life of the magnetic fluid seal 18 can be lengthened.

(( 실시예Example ))

실시예에서는, 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 수평 방향의 위치를 변화시킴으로써, 웨이퍼 W의 표면에 형성되는 막의 막 두께의 면내 균일성에 끼치는 영향에 대해 평가했다. 또한, 실시예에서는, 플라스마를 사용한 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법에 의해, 웨이퍼 W의 표면에 실리콘 질화막을 형성하고, 막 두께의 면내 균일성의 측정을 행했다.In the examples, by changing the position of the wafer W held by the wafer boat 28 in the horizontal direction, the effect on the in-plane uniformity of the film thickness of the film formed on the surface of the wafer W was evaluated. Further, in Examples, a silicon nitride film was formed on the surface of the wafer W by an atomic layer deposition (ALD) method using plasma, and the in-plane uniformity of the film thickness was measured.

웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 수평 방향의 위치를 변화시켰을 때의, 웨이퍼 W의 표면에 형성된 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성의 평가 결과를 도 7에 나타낸다. 도 7에는, 웨이퍼 보트(28)의 상부(이하 「TOP」라고 함), 중앙부(이하 「CTR」이라고 함) 및 하부(이하 「BTM」이라고 함)의 각각의 영역마다, 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 수평 방향의 위치를 변화시켰을 때의, 웨이퍼 W의 표면에 형성된 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성이 나타나 있다.7 shows the evaluation results of the in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the surface of the wafer W when the position of the wafer W held by the wafer boat 28 in the horizontal direction is changed. In FIG. 7, for each area of the upper portion (hereinafter referred to as “TOP”), the central portion (hereinafter referred to as “CTR”) and the lower portion (hereinafter referred to as “BTM”) of the wafer boat 28, the wafer boat 28 The in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the surface of the wafer W when the position of the wafer W held in the horizontal direction is changed.

웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 수평 방향의 위치는 이하의 대로이다.The position of the wafer W held by the wafer boat 28 in the horizontal direction is as follows.

·레퍼런스·reference

TOP: RT=0㎜, FB=0㎜TOP: RT=0㎜, FB=0㎜

CTR: RT=0㎜, FB=0㎜CTR: RT=0㎜, FB=0㎜

BTM: RT=0㎜, FB=0㎜BTM: RT=0㎜, FB=0㎜

·티칭 1·Teaching 1

TOP: RT=-0.15㎜, FB=-1.0㎜TOP: RT=-0.15㎜, FB=-1.0㎜

CTR: RT=-0.10㎜, FB=-1.0㎜CTR: RT=-0.10mm, FB=-1.0mm

BTM: RT=-0.15㎜, FB=-1.0㎜BTM: RT=-0.15mm, FB=-1.0mm

·티칭 2·Teaching 2

TOP: RT=-0.15㎜, FB=-1.0㎜TOP: RT=-0.15㎜, FB=-1.0㎜

CTR: RT=-0.25㎜, FB=-1.0㎜CTR: RT=-0.25mm, FB=-1.0mm

BTM: RT=-0.10㎜, FB=-1.0㎜BTM: RT=-0.10mm, FB=-1.0mm

또한, 「RT」는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 보트(28)에 웨이퍼 W를 삽입하는 이동 탑재 기구가 레퍼런스 위치에서 시계 방향으로 회전하는 방향으로 이동하는 거리이며, 시계 방향의 방향이 정의 방향, 반시계 방향의 방향이 부의 방향이다. 또한, 「FB」는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 이동 탑재 기구가 레퍼런스 위치에서 웨이퍼 W를 삽입하는 방향(도 8에서의 +Y 방향)으로 이동하는 거리이며, 웨이퍼 W를 삽입하는 방향이 정의 방향, 웨이퍼 W를 반출하는 방향이 부의 방향이다. 레퍼런스 위치란, 이동 탑재 기구에 티칭을 행하기 전의 웨이퍼 W가 보유 지지되는 위치이다.In addition, "RT" is the distance that the moving mounting mechanism for inserting the wafer W into the wafer boat 28 moves in a clockwise rotation direction from the reference position, as shown in FIG. 8, and the clockwise direction is defined. Direction, counterclockwise direction is negative direction. In addition, "FB" is a distance that the moving mounting mechanism moves in the direction in which the wafer W is inserted (+Y direction in FIG. 8) from the reference position as shown in FIG. 8, and the direction in which the wafer W is inserted is defined. The direction and the direction in which the wafer W is taken out are negative directions. The reference position is a position where the wafer W is held before teaching is performed on the moving mounting mechanism.

도 7에 나타낸 바와 같이, 티칭(1) 및 티칭(2)에서는, TOP, CTR 및 BTM의 어느 위치에서도, 레퍼런스와 비교하여, 웨이퍼 W에 형성된 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성이 향상되었다. 이 결과로부터, 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 위치를, 웨이퍼 보트(28)의 웨이퍼 W를 삽입하는 측으로 이동시킴으로써, 웨이퍼 W의 표면에 형성되는 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있는 것을 알 수 있었다.As shown in Fig. 7, in teaching (1) and teaching (2), the in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the wafer W was improved at any position of TOP, CTR, and BTM compared to the reference. From this result, by moving the position of the wafer W held by the wafer boat 28 to the side where the wafer W of the wafer boat 28 is inserted, the in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the surface of the wafer W Was found to be able to improve.

또한, 웨이퍼 보트(28)로 보유 지지되는 웨이퍼 W의 수평 방향의 위치를 변화시키는 것은, 의사적으로 회전체의 무게 중심 위치를 변화시켜 편심량을 조정하고 있다고 생각할 수 있다. 이것을 고려하면, 회전체의 편심량을 조정함으로써, 웨이퍼 W의 표면에 형성되는 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성을 제어할 수 있다고 생각된다. 특히, 회전체의 편심량을 작게 함으로써, 웨이퍼 W의 표면에 형성되는 실리콘 질화막의 막 두께의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다고 생각된다.In addition, it can be considered that changing the position of the wafer W held by the wafer boat 28 in the horizontal direction is artificially changing the position of the center of gravity of the rotating body to adjust the amount of eccentricity. Taking this into consideration, it is considered that by adjusting the amount of eccentricity of the rotating body, the in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the surface of the wafer W can be controlled. In particular, by reducing the amount of eccentricity of the rotating body, it is considered that the in-plane uniformity of the film thickness of the silicon nitride film formed on the surface of the wafer W can be improved.

또한, 상기의 실시 형태에 있어서, 테이블(24) 및 보온통(26)은 지지부의 일례이다. 웨이퍼 보트(28)는 기판 보유 지지구의 일례이다. 인젝터(60)는 가스 공급 수단의 일례이다. 카운터 웨이트(90)는 무게 중심 위치 조정 부재의 일례이다.In addition, in the above-described embodiment, the table 24 and the thermal insulation container 26 are examples of the support. The wafer boat 28 is an example of a substrate holding tool. The injector 60 is an example of a gas supply means. The counter weight 90 is an example of a center of gravity position adjustment member.

이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명했지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.As described above, the embodiments for carrying out the present invention have been described, but the above contents do not limit the contents of the invention, and various modifications and improvements are possible within the scope of the present invention.

상기의 실시 형태에서는, 상하로 대향 배치된 천판과 저판과의 사이에 복수개의 지주가 설치되고, 각 지주의 내측면에 복수의 홈부가 형성되어, 홈부에 웨이퍼 W의 주연부가 삽입되어 지지되는, 소위, 러더 보트를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상하로 대향 배치된 천판과 저판과의 사이에 복수개의 지주가 설치되고, 복수개의 지주에 평평한 지지면을 구비한 링 부재가 설치되어, 링 부재의 지지면에서 웨이퍼 W를 지지하는, 소위, 링 보트에도 본 발명을 적용할 수 있다.In the above-described embodiment, a plurality of posts are provided between the top plate and the bottom plate arranged upward and downward, and a plurality of grooves are formed on the inner surface of each of the posts, and the peripheral edge of the wafer W is inserted and supported in the grooves. Although the so-called rudder boat has been described as an example, the present invention is not limited thereto. For example, a plurality of struts are provided between the top plate and the bottom plate arranged vertically opposite to each other, and a ring member having a flat support surface is provided on the plurality of struts to support the wafer W on the supporting surface of the ring member. , The present invention can also be applied to a so-called ring boat.

1: 기판 처리 장치
1A: 제어부
4: 처리 용기
8: 내통
26: 보온통
28: 웨이퍼 보트
60: 인젝터
90: 카운터 웨이트
W: 웨이퍼
1: substrate processing device
1A: control unit
4: processing vessel
8: inner barrel
26: thermos
28: wafer boat
60: injector
90: counter weight
W: wafer

Claims (12)

처리 용기와,
상기 처리 용기의 개구부에 삽입 관통 가능하게 설치되고, 상하 방향으로 연장되는 회전축과,
상기 회전축의 상단에 설치된 지지부와,
상기 지지부 상에 적재되고, 복수의 기판을 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구와,
상기 지지부의 소정 영역에 배치되어, 상기 회전축 주위로 회전하는, 상기 지지부 및 상기 기판 보유 지지구를 포함하는 회전체의 무게 중심 위치를 조정하는 무게 중심 위치 조정 부재
를 갖고,
상기 지지부는, 상하 방향으로 대향 배치된 천판 및 저판과, 천판과 저판과의 사이에 설치된 복수의 석영제의 핀을 포함하는 보온통을 갖고,
상기 무게 중심 위치 조정 부재는, 상기 저판 상에 배치되어 있는,
기판 처리 장치.
A processing container,
A rotation shaft that is installed to be inserted into the opening of the processing container and extends in the vertical direction;
A support installed on the upper end of the rotation shaft
A substrate holding tool mounted on the support and horizontally holding a plurality of substrates at predetermined intervals in the vertical direction;
A center-of-gravity position adjusting member disposed in a predetermined area of the support portion and rotating around the rotation axis, adjusting the position of the center of gravity of the rotating body including the support portion and the substrate holding device
Have,
The support portion has a thermal insulation container including a top plate and a bottom plate arranged opposite to each other in the vertical direction, and a plurality of quartz pins provided between the top plate and the bottom plate,
The center of gravity position adjustment member is disposed on the bottom plate,
Substrate processing apparatus.
제1항에 있어서, 상기 소정 영역은, 상기 지지부의 주위 방향에서의 일부의 영역인,
기판 처리 장치.
The method according to claim 1, wherein the predetermined region is a partial region in a circumferential direction of the support part,
Substrate processing apparatus.
제2항에 있어서, 상기 무게 중심 위치 조정 부재는, 상면으로부터 보았을 때의 형상이 상기 지지부의 주연에 따른 원호상인,
기판 처리 장치.
The method according to claim 2, wherein the center of gravity position adjustment member has an arc shape along the periphery of the support part as viewed from an upper surface.
Substrate processing apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무게 중심 위치 조정 부재는, 상기 기판의 직경 방향으로 이동 가능한,
기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the center of gravity position adjustment member is movable in the radial direction of the substrate,
Substrate processing apparatus.
제4항에 있어서, 상기 무게 중심 위치 조정 부재의 동작을 제어하는 제어부를 갖는
기판 처리 장치.
According to claim 4, Having a control unit for controlling the operation of the center of gravity position adjustment member
Substrate processing apparatus.
제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 기판 보유 지지구로 보유 지지되는 상기 기판의 매수에 기초하여, 상기 무게 중심 위치 조정 부재의 동작을 제어하는,
기판 처리 장치.
The method according to claim 5, wherein the control unit controls an operation of the center of gravity position adjusting member based on the number of sheets of the substrate held by the substrate holder,
Substrate processing apparatus.
제5항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 회전체의 편심량에 기초하여, 상기 무게 중심 위치 조정 부재의 동작을 제어하는,
기판 처리 장치.
The method of claim 5, wherein the control unit controls the operation of the center of gravity position adjustment member based on the amount of eccentricity of the rotating body,
Substrate processing apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 무게 중심 위치 조정 부재는, 석영에 의해 형성되어 있는,
기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the center of gravity position adjustment member is formed of quartz,
Substrate processing apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 기판의 피처리면에 대해 평행하게 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 갖는
기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3, comprising a gas supply means for supplying a processing gas in parallel to the processing target surfaces of the plurality of substrates.
Substrate processing apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 보유 지지구는, 러더 보트인,
기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate holding tool is a rudder boat,
Substrate processing apparatus.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 보유 지지구는, 링 보트인,
기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate holding tool is a ring boat,
Substrate processing apparatus.
삭제delete
KR1020170152948A 2016-11-21 2017-11-16 Substrate treatment apparatus KR102205381B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016226009A JP6758163B2 (en) 2016-11-21 2016-11-21 Board processing equipment
JPJP-P-2016-226009 2016-11-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180057536A KR20180057536A (en) 2018-05-30
KR102205381B1 true KR102205381B1 (en) 2021-01-19

Family

ID=62172303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170152948A KR102205381B1 (en) 2016-11-21 2017-11-16 Substrate treatment apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6758163B2 (en)
KR (1) KR102205381B1 (en)
CN (1) CN108091598B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7224254B2 (en) * 2019-07-17 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
CN113322450A (en) * 2021-08-02 2021-08-31 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 Silicon boat for high-temperature vapor deposition
CN117690835B (en) * 2023-10-30 2024-05-28 浙江浩鑫半导体材料有限公司 Quartz boat support for photovoltaic semiconductor production

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150403A (en) 1998-11-06 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd Heat insulating cylinder and vertical heat-treating device
JP2006242433A (en) 2005-03-01 2006-09-14 Nec Electronics Corp Centrifugal drier

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3098251B2 (en) * 1990-11-30 2000-10-16 株式会社テクニスコ Wafer support device
JPH08316157A (en) * 1995-05-23 1996-11-29 Souei Tsusho Kk Heat treating furnace
JP3050284B2 (en) * 1996-05-09 2000-06-12 日本エー・エス・エム株式会社 Semiconductor wafer etching equipment
JP3505934B2 (en) * 1996-09-10 2004-03-15 東京エレクトロン株式会社 Object support structure and heat treatment apparatus
JPH1032184A (en) * 1996-07-15 1998-02-03 Sony Corp Spin processing equipment and spin balancing method thereof
JP2002324830A (en) * 2001-02-20 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp Holding tool for substrate heat treatment, substrate heat treating equipment method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing the holding tool for substrate heat treatment and method for deciding structure of the holding tool for substrate heat treatment
US20050105997A1 (en) * 2003-09-11 2005-05-19 Englhardt Eric A. Methods and apparatus for carriers suitable for use in high-speed/high-acceleration transport systems
JP2006005177A (en) * 2004-06-17 2006-01-05 Tokyo Electron Ltd Thermal treatment apparatus
JP5274911B2 (en) * 2008-06-24 2013-08-28 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
JP5042950B2 (en) 2008-09-05 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 Vertical heat treatment apparatus and substrate support
JP5491261B2 (en) 2010-04-07 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 Substrate holder, vertical heat treatment apparatus, and heat treatment method
JP6047039B2 (en) * 2012-04-20 2016-12-21 株式会社日立国際電気 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program
JP2016046360A (en) * 2014-08-22 2016-04-04 株式会社Screenホールディングス Substrate processing apparatus
JP6468901B2 (en) * 2015-03-19 2019-02-13 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150403A (en) 1998-11-06 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd Heat insulating cylinder and vertical heat-treating device
JP2006242433A (en) 2005-03-01 2006-09-14 Nec Electronics Corp Centrifugal drier

Also Published As

Publication number Publication date
JP6758163B2 (en) 2020-09-23
CN108091598B (en) 2023-03-28
CN108091598A (en) 2018-05-29
KR20180057536A (en) 2018-05-30
JP2018085371A (en) 2018-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102228321B1 (en) Gas introduction mechanism and processing apparatus
JP6710130B2 (en) Substrate processing equipment
JP7171573B2 (en) Conical wafer centering and holding device for semiconductor processing
KR20170046577A (en) Vertical heat treatment apparatus
KR102205381B1 (en) Substrate treatment apparatus
CN105990197B (en) Substrate processing apparatus
US10283398B2 (en) Substrate placing table
KR101892339B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2015159248A (en) substrate processing apparatus
TW201909700A (en) Wafer edge contact hardware and method for eliminating deposition at the backside edge and recess of the wafer
JP6557992B2 (en) Film forming apparatus, film forming method, and storage medium
KR20160100828A (en) Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same
KR102418315B1 (en) substrate processing equipment
JP2019212923A (en) Substrate processing apparatus
US10094022B2 (en) Substrate processing apparatus and method of fabricating substrate loading unit
KR102247946B1 (en) Substrate processing apparatus
CN111058015B (en) Substrate processing apparatus, substrate input method, and substrate processing method
JP2007035775A (en) Substrate processing apparatus
KR20240034649A (en) Substrate holder and substrate processing device
KR20230013623A (en) Substrate holder and substrate processing apparatus
JP2005228991A (en) Substrate-processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant