JP3050284B2 - Semiconductor wafer etching equipment - Google Patents

Semiconductor wafer etching equipment

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JP3050284B2
JP3050284B2 JP13773696A JP13773696A JP3050284B2 JP 3050284 B2 JP3050284 B2 JP 3050284B2 JP 13773696 A JP13773696 A JP 13773696A JP 13773696 A JP13773696 A JP 13773696A JP 3050284 B2 JP3050284 B2 JP 3050284B2
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培栄 河野
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハエッ
チング処理装置に関し、特に、半導体ウエハのエッチン
グ、洗浄、乾燥のため、半導体ウエハを支持するための
支持部を有するウエハ支持ボートを反応チャンバー内で
回転させる半導体ウエハエッチング処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer etching apparatus, and more particularly, to a wafer support boat having a support portion for supporting a semiconductor wafer for etching, cleaning and drying the semiconductor wafer in a reaction chamber. The present invention relates to a semiconductor wafer etching apparatus to be rotated.

【0002】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般
に、半導体ウエハ表面の酸化膜等のエッチングには、ウ
エットエッチング、及びドライエッチングが行われてい
る。
2. Description of the Related Art Generally, wet etching and dry etching are performed for etching an oxide film or the like on the surface of a semiconductor wafer.

【0003】近年、半導体デバイスの高集積化が進むに
つれ、エッチング処理中に発生した塵及びエッチング処
理後に半導体ウエハ表面上に残留した異物や付着物に対
するチェックが非常に厳密となってきた。
In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices has increased, it has become very strict to check for dust generated during the etching process and foreign substances and attached substances remaining on the semiconductor wafer surface after the etching process.

【0004】このため、近年では、ウエットエッチング
よりもドライエッチングが一般に行われている。
Therefore, in recent years, dry etching is generally performed rather than wet etching.

【0005】しかし、エッチング対象物によっては、ド
ライエッチング後に副生成物が半導体ウエハ表面上に残
留するため、ドライエッチング後の洗浄、乾燥処理が必
要となる場合がある。
[0005] However, depending on the etching target, by-products remain on the surface of the semiconductor wafer after dry etching, so that cleaning and drying treatment after dry etching may be required.

【0006】半導体ウエハの洗浄後の乾燥処理は、半導
体ウエハを回転させ、その遠心力で半導体ウエハ表面上
の水分を飛ばすスピンドライ方式が主流であるが、半導
体ウエハを高速で回転させるため、半導体ウエハを支持
しているウエハ支持ボートの回転中のバランスをとるこ
とが非常に重要となっている。例えば、回転速度100
0rpmでは、1グラム単位でのバランスが必要であ
る。
[0006] The mainstream of the drying process after cleaning the semiconductor wafer is a spin dry method in which the semiconductor wafer is rotated and the moisture on the surface of the semiconductor wafer is sputtered by the centrifugal force. It is very important to balance during rotation of the wafer support boat supporting the wafers. For example, a rotation speed of 100
At 0 rpm, a balance in gram units is required.

【0007】そこで、従来は、回転中の半導体ウエハを
支持しているウエハ支持ボートのバランスをとるため、
錘や穴をウエハ支持ボートの一部に設けていた。
Therefore, conventionally, in order to balance a wafer supporting boat supporting a rotating semiconductor wafer,
The weight and the hole are provided in a part of the wafer support boat.

【0008】このように錘や穴を予め設けた従来のウエ
ハ支持ボートでは、ある枚数の半導体ウエーハを支持し
たときに回転中のウエハ支持ボートのバランスがとれる
ように設計されているため、オリエンテーションフラッ
ト(以下、オリフラという)の有無によって半導体ウエ
ハの重心がウエハ支持ボートの回転軸から偏心したり、
また、ウエハ支持ボートに支持される半導体ウエハの重
量がその枚数やオリフラの有無により異なり、エッチン
グ処理ごとにウエハ支持ボートの重量が変化する。
The conventional wafer support boat provided with weights and holes in advance is designed to balance the rotating wafer support boat when supporting a certain number of semiconductor wafers. (Hereinafter referred to as orientation flat), the center of gravity of the semiconductor wafer is decentered from the rotation axis of the wafer support boat,
In addition, the weight of the semiconductor wafers supported by the wafer support boat varies depending on the number of wafers and the presence or absence of the orientation flat, and the weight of the wafer support boat changes for each etching process.

【0009】このため、回転中に、ウエハ支持ボートの
バランスを崩し、ウエハ支持ボートが振動して発塵の原
因となったり、また、遠心力により半導体ウエーハがウ
エハ支持ボートから飛び出す原因となっていた。
For this reason, during rotation, the balance of the wafer support boat is lost, and the wafer support boat vibrates and causes dust generation, and the semiconductor wafer jumps out of the wafer support boat due to centrifugal force. Was.

【0010】一方、スピンドライ方式を行わない乾燥処
理では、イソプロピルアルコールの使用が検討されてい
るが、イソプロピルアルコールが可燃性であることや、
乾燥後に半導体ウエハ表面に有機物が残留するという問
題がある。
[0010] On the other hand, in the drying treatment without using the spin dry method, the use of isopropyl alcohol has been considered, but the fact that isopropyl alcohol is flammable,
There is a problem that organic matter remains on the surface of the semiconductor wafer after drying.

【0011】図3(A)及び(B)は、半導体ウエハエッ
チング処理装置で使用する従来技術のウエハ支持ボート
を示す。
FIGS. 3A and 3B show a prior art wafer support boat used in a semiconductor wafer etching apparatus.

【0012】図3に示すウエハ支持ボートは、ウエハ支
持ボートの回転中に遠心力による半導体ウエハの飛び出
しを防止するため、半導体ウエハの重心がウエハ支持ボ
ートの回転軸からずれるように設計され、半導体ウエハ
をポスト15’に設けた支持部13’に支持している。
The wafer support boat shown in FIG. 3 is designed such that the center of gravity of the semiconductor wafer is shifted from the rotation axis of the wafer support boat in order to prevent the semiconductor wafer from jumping out due to centrifugal force during rotation of the wafer support boat. The wafer is supported by a support 13 'provided on the post 15'.

【0013】このように、半導体ウエハの重心がウエハ
支持ボートの回転軸から偏心しているので、回転中のウ
エハ支持ボートのバランスをとるために、バランス修正
のための錘17と穴18とをルーフ16’に設けている
(図3(A)を参照)。
As described above, since the center of gravity of the semiconductor wafer is eccentric from the rotation axis of the wafer support boat, the weight 17 and the hole 18 for correcting the balance are provided on the roof in order to balance the rotating wafer support boat. 16 '(see FIG. 3A).

【0014】このようなウエハ支持ボートでは、ウエハ
支持ボートの製造前に完全なバランスをとることのでき
るウエハ支持ボートの設計が不可能であるため、ウエハ
支持ボートの製造後に、半導体ウエハを実際にポストに
設けた支持部に支持したり、また、加速度センサを使用
して、バランス取り作業を行っていた。
In such a wafer support boat, it is impossible to design a wafer support boat capable of achieving a perfect balance before manufacturing the wafer support boat. A balancing operation has been performed by using a support provided on the post or using an acceleration sensor.

【0015】加速度センサを使用するバランス取り作業
では、「試し錘」を取り付けてウエハ支持ボートを回転
させ、回転中のウエハ支持ボートの振動の最も小さくな
るときの「試し錘」の位置を試行錯誤によって見つけだ
し、バランス修正のための錘と穴の位置を特定するとい
った非常に手間と時間のかかる作業を必要とし、この作
業のためのコストもかかっていた。
In the balancing operation using the acceleration sensor, the "test weight" is attached and the wafer support boat is rotated, and the position of the "test weight" when the vibration of the rotating wafer support boat is minimized is determined by trial and error. It required a lot of trouble and time-consuming work such as finding the position of the weight and hole to correct the balance, and this work was costly.

【0016】したがって、本発明の課題は、バランス取
り作業の必要がなく、オリフラの有無やウエハの処理枚
数に影響されず、スピンドライ方式による乾燥を、ドラ
イエッチング後にエッチング装置から半導体ウエハを取
り出さずに同一装置内で行えるエッチング処理装置を安
価に提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to eliminate the need for a balancing operation, to be free from the presence or absence of an orientation flat and the number of processed wafers, and to perform drying by a spin dry method without removing a semiconductor wafer from an etching apparatus after dry etching. Another object of the present invention is to provide an inexpensive etching apparatus which can be performed in the same apparatus.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、半導体ウエハのエッチング処理のため、
半導体ウエハを支持するための支持部を有するウエハ支
持ボートを反応チャンバー内で回転させる半導体ウエハ
エッチング処理装置において、ウエハ支持ボートに支持
された半導体ウエハの重心を、ウエハ支持ボートの回転
軸上に位置させることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention provides a method for etching a semiconductor wafer.
In a semiconductor wafer etching processing apparatus for rotating a wafer support boat having a support portion for supporting a semiconductor wafer in a reaction chamber, a center of gravity of the semiconductor wafer supported by the wafer support boat is positioned on a rotation axis of the wafer support boat. It is characterized by making it.

【0018】ここで、支持部は、ウエハ支持ボートに着
脱可能に対向して配置される第1及び第2の支持部材の
それぞれに設けられ、半導体ウエハが、第1及び第2の
支持部材のそれぞれに設けた支持部によって支持され
る。
Here, the support portion is provided on each of the first and second support members that are detachably opposed to the wafer support boat, and the semiconductor wafer is provided on the first and second support members. It is supported by the support provided in each.

【0019】また、ウエハ支持ボートに着脱可能に配置
されるスペーサを、第1及び第2の支持部材とともにウ
エハ支持ボートに配列して、処理される半導体ウエハの
枚数及び半導体ウエハ同士の間隔(つまり、ピッチ)を
変更することができる。
Further, spacers detachably disposed on the wafer support boat are arranged on the wafer support boat together with the first and second support members, and the number of semiconductor wafers to be processed and the distance between the semiconductor wafers (ie, , Pitch) can be changed.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウエハのエッチ
ング、洗浄、乾燥のため、半導体ウエハを支持し、この
半導体ウエハを反応チャンバー(図4の符号20を参
照)内で回転させるためのウエハ支持ボート(図4の符
号10を参照)を有する半導体ウエハエッチング装置に
おいて、図1(A)に示すように、ウエハ支持ボートに
支持された半導体ウエハの重心を、ウエハ支持ボートの
回転軸a上に位置させることを特徴とする。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a wafer for supporting a semiconductor wafer for etching, cleaning, and drying the semiconductor wafer and rotating the semiconductor wafer in a reaction chamber (see reference numeral 20 in FIG. 4). In a semiconductor wafer etching apparatus having a support boat (see reference numeral 10 in FIG. 4), as shown in FIG. 1A, the center of gravity of a semiconductor wafer supported by the wafer support boat is set on a rotation axis a of the wafer support boat. Is characterized in that

【0021】ここで、ウエハ支持ボートには、耐蝕材が
使用され、処理中のウエハ支持ボートの腐蝕を防止す
る。
Here, a corrosion-resistant material is used for the wafer support boat to prevent corrosion of the wafer support boat during processing.

【0022】支持部材11、12を配置したときのウエ
ハ支持ボートの重心をウエハ支持ボートの回転軸aと同
軸上に位置させて回転中のウエハ支持ボートのバランス
をとるために、ウエハ支持ボートの形状及び支持部材1
1、12の形状を、回転軸aに関して点対称となるよう
に設計する。これにより、ウエハ支持ボート製造後のバ
ランス取り作業の必要性をなくすことができる。
In order to balance the rotating wafer support boat by positioning the center of gravity of the wafer support boat when the support members 11 and 12 are disposed coaxially with the rotation axis a of the wafer support boat, Shape and support member 1
The shapes 1 and 12 are designed to be point-symmetric with respect to the rotation axis a. This eliminates the need for a balancing operation after the manufacture of the wafer support boat.

【0023】支持部材11、12は、図1(B)に示す
ように、第1の支持部材11及び第2の支持部材12か
ら成り、これら第1及び第2の支持部材11、12は、
ウエハ支持ボートに着脱可能に対向して配置され、第1
及び第2の支持部材11、12のそれぞれに設けた支持
部13によって半導体ウエハが支持される。
As shown in FIG. 1B, the support members 11 and 12 include a first support member 11 and a second support member 12, and the first and second support members 11 and 12
The wafer is removably opposed to the wafer support boat,
The semiconductor wafer is supported by support portions 13 provided on each of the second support members 11 and 12.

【0024】ここで、第1及び第2の支持部材11、1
2を対向してウエハ支持ボートに配置したとき、上述の
ように、これら第1及び第2の支持部材11、12は、
ウエハ支持ボートの回転軸aに関して点対称となるよう
に配置される。
Here, the first and second support members 11, 1
When the first and second support members 11 and 12 are arranged on the wafer support boat facing each other, as described above,
The wafer support boats are arranged so as to be point-symmetric with respect to the rotation axis a.

【0025】支持部材11、12は、ポスト15の断面
形状と相似形の貫通孔(図3の符号13cを参照)を支
持部材11、12に設け、これにより支持部材11、1
2をウエハ支持ボートに着脱可能に配置できるようにな
っている。
The support members 11 and 12 are provided with through holes (see reference numeral 13c in FIG. 3) similar to the cross-sectional shape of the post 15, so that the support members 11 and 12 are provided.
2 can be detachably mounted on the wafer support boat.

【0026】また、貫通孔13cと同径の貫通孔(図示
せず)を有するスペーサ14をポスト15を通じて支持
部材11、12とともに配列することにより、ウエハ支
持ボートに配置される支持部材11、12の個数や縦方
向に隣接して配置された支持部材同士の間隔を適宜に変
更することができる。つまり、処理する半導体ウエハの
枚数と、支持部材に支持される半導体ウエハのピッチと
を適宜に変更することができる。
Further, by arranging spacers 14 having through holes (not shown) having the same diameter as the through holes 13c together with the support members 11 and 12 through the posts 15, the support members 11 and 12 arranged on the wafer support boat are provided. And the distance between the support members arranged adjacent to each other in the vertical direction can be appropriately changed. That is, the number of semiconductor wafers to be processed and the pitch of the semiconductor wafers supported by the support member can be appropriately changed.

【0027】半導体ウエハの重心は、例えば、オリフラ
のある25枚の8インチのシリコンウエハを支持部材に
支持する場合、オリフラの無いシリコンウエハの重さは
53g、オリフラ部分の重さは0.29gなので、7.
25gだけオリフラ側が軽くなり、オリフラを有した場
合の円形状の半導体ウエハの中心からオリフラの反対側
へ0.55mmずれた位置にある。
For example, when the support member supports 25 8-inch silicon wafers having an orientation flat, the weight of the silicon wafer without the orientation flat is 53 g, and the weight of the orientation flat portion is 0.29 g. So, 7.
The orientation flat side becomes lighter by 25 g, and is located at a position shifted by 0.55 mm from the center of the circular semiconductor wafer having the orientation flat to the opposite side of the orientation flat.

【0028】支持部材に設けられる支持部の形状は、半
導体ウエハと同形状の円形を有するが、その半径は、8
インチの半導体ウエハの中心がウエハ支持ボートの回転
軸上に位置するように支持部に支持されたときに、0.
5mmの遊びができるように、100.5mmとなるよ
うに設計される。この遊びは、半導体ウエハを支持部材
の支持部へと搬送するためのロボットの自動搬送精度に
関連している。
The shape of the support portion provided on the support member is a circle having the same shape as that of the semiconductor wafer.
When the center of the semiconductor wafer of inches is supported by the supporting portion such that the center of the semiconductor wafer is positioned on the rotation axis of the wafer support boat, the height of the wafer is 0.
It is designed to be 100.5 mm to allow 5 mm play. This play relates to the automatic transfer accuracy of the robot for transferring the semiconductor wafer to the support of the support member.

【0029】1枚のウエハが支持部の中心から0.5m
mずれた場合、上述の遊びのため、0.17gのずれが
生じるが、25枚のウエハ全部が同一の方向にずれてい
ることは考えにくく、このずれは個々のウエハのずれに
よって相殺され、半導体ウエハの重心は、ウエハ支持ボ
ートに配置した支持部材の支持部に半導体ウエハを支持
させたときにウエハ支持ボートの回転軸上に位置され
る。
One wafer is 0.5 m from the center of the support.
In the case of a shift of m, a shift of 0.17 g occurs due to the above-mentioned play, but it is difficult to imagine that all 25 wafers are shifted in the same direction, and this shift is offset by the shift of the individual wafers. The center of gravity of the semiconductor wafer is located on the rotation axis of the wafer support boat when the semiconductor wafer is supported on the support portion of the support member arranged on the wafer support boat.

【0030】支持部材11、12には、ベスペル(商
標)(デユポン社製)のような耐磨耗性エンジニアリン
グプラスチックが使用される。
The support members 11 and 12 are made of wear-resistant engineering plastic such as Vespel (trade name, manufactured by DuPont).

【0031】オリフラを有する半導体ウエハの重心をウ
エハ支持ボートの回転軸上に位置するように支持部を設
計したときに、ウエハ支持ボートの回転軸と、ウエハ支
持ボートに配置したときの支持部材の支持部の中心とが
ずれるが、このような耐磨耗性エンジニアリングプラス
チックが支持部に使用された場合、この比重が1.5以
下であるため、支持部の前方と後方側の重さの差が0.
015g程度であるため、この差は無視できる。
When the supporting portion is designed so that the center of gravity of the semiconductor wafer having the orientation flat is located on the rotation axis of the wafer support boat, the rotation axis of the wafer support boat and the support member when the wafer is placed on the wafer support boat are designed. Although the center of the support portion is shifted, when such a wear-resistant engineering plastic is used for the support portion, since the specific gravity is 1.5 or less, the difference in weight between the front and rear sides of the support portion is reduced. Is 0.
Since the weight is about 015 g, this difference can be ignored.

【0032】また、支持部にモネル等の耐蝕金属が使用
された場合、この比重が8以上であるため、上記のずれ
による支持部前後の重さの差が0.3gとなるので、こ
の場合は、例えば、設計時に支持部の厚みを変える等に
より支持部前後のバランスをとることができる。
When a corrosion-resistant metal such as Monel is used for the support portion, since the specific gravity is 8 or more, the difference in weight between the front and rear portions of the support portion due to the above-mentioned displacement is 0.3 g. For example, the front and rear portions of the support portion can be balanced by changing the thickness of the support portion at the time of design.

【0033】このように、第1及び第2の支持部材1
1、12をウエハ支持ボートに配置したときに、ウエハ
支持ボートの重心がウエハ支持ボートの回転軸aに一致
され、しかも、第1及び第2の支持部材11、12が半
導体ウエハを支持したときに半導体ウエハの重心がウエ
ハ支持ボートの回転軸a上に位置されるので、ウエハ支
持ボートの回転中に、ウエハ支持ボートが振動すること
がなく、半導体ウエハが遠心力によって飛び出すことも
ない。
As described above, the first and second support members 1
When the first and second support members 11 and 12 support semiconductor wafers when the center of gravity of the wafer support boat coincides with the rotation axis a of the wafer support boat when the first and second support members are arranged on the wafer support boat. Since the center of gravity of the semiconductor wafer is positioned on the rotation axis a of the wafer support boat, the wafer support boat does not vibrate during rotation of the wafer support boat, and the semiconductor wafer does not fly out due to centrifugal force.

【0034】また、対向してウエハ支持ボートに配置さ
れた第1及び第2の支持部材11、12の間の空間を通
じて、反応チャンバー内に導入されたエッチングガス等
の環境に半導体ウエハ表面を効率よく接触させることが
でき、また、洗浄後の乾燥の際に、ウエハ支持ボートの
遠心力により、この空間を通じて半導体ウエハ表面上の
洗浄液等が効率よく飛び出していく。
Further, the semiconductor wafer surface is efficiently exposed to an environment such as an etching gas introduced into the reaction chamber through a space between the first and second support members 11 and 12 disposed on the wafer support boat facing each other. The semiconductor wafer can be brought into good contact with each other, and at the time of drying after cleaning, the cleaning liquid or the like on the surface of the semiconductor wafer efficiently flows out through this space due to the centrifugal force of the wafer support boat.

【0035】図2(A)、(B)及び(C)に、本発明の
半導体ウエハエッチング処理装置で使用するウエハ支持
ボートに配置される支持部材を示す。図示の第1及び第
2の支持部材11、12は、それぞれ、ウエハ支持ボー
トに配置されたときにその回転軸に関して点対称となる
ような形状を有し、その支持部には耐磨耗性エンジニア
リングプラスチックが使用され、支持部の中心は、半導
体ウエハの重心及びウエハ支持ボートの回転軸上にあ
る。
FIGS. 2A, 2B and 2C show a support member arranged on a wafer support boat used in the semiconductor wafer etching apparatus of the present invention. The illustrated first and second support members 11, 12 each have a shape that is point-symmetrical with respect to its rotation axis when placed on a wafer support boat, and the support portions have abrasion resistance. Engineering plastic is used and the center of the support is on the center of gravity of the semiconductor wafer and the rotation axis of the wafer support boat.

【0036】図示の第1及び第2の支持部材11、12
は、それぞれ、半導体ウエハの周囲形状に一致する形状
を有し、半導体ウエハの厚さにほぼ一致する段部13a
と、この段部13aの下端から中心へと伸張して設けら
れた半導体ウエハを載置するための支持面13bと、ウ
エハ支持ボートに設けられたポスト15の断面形状と相
似形を有する貫通孔13cと、半導体ウエハを支持した
ときの半導体ウエハ表面とほぼ同一の高さを有し、支持
部材11、12を貫通する貫通路13dとから成る。
The illustrated first and second support members 11 and 12
Have stepped portions 13a each having a shape corresponding to the peripheral shape of the semiconductor wafer and substantially matching the thickness of the semiconductor wafer.
A support surface 13b extending from the lower end of the step portion 13a to the center for mounting a semiconductor wafer; and a through hole having a shape similar to the cross-sectional shape of the post 15 provided on the wafer support boat. 13c and a through passage 13d having substantially the same height as the surface of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is supported, and penetrating the support members 11 and 12.

【0037】ここで、半導体ウエハを載置するための支
持面13bは、段部13aの一部分から中心へと伸張す
るだけの複数の爪状の支持面(図2(A)の符号13b
を参照)であってもよいし、段部13aの形状に沿って
段部13aの下端から伸張した形状を有する支持面(図
2(B)の符号13bを参照)であってもよいし、ま
た、段部13の形状に沿って段部13aの下端から伸張
した部分の一部から図2(A)のような爪状の面を伸張
させた支持面(図2(C)の符号13bを参照)であっ
てもよい。
Here, the supporting surface 13b for mounting the semiconductor wafer has a plurality of claw-shaped supporting surfaces (reference numeral 13b in FIG. 2A) that extend from a part of the step portion 13a to the center.
Or a support surface having a shape extending from the lower end of the step 13a along the shape of the step 13a (see reference numeral 13b in FIG. 2B), Further, a support surface (a reference numeral 13b in FIG. 2C) in which a claw-like surface as shown in FIG. 2A is extended from a part of a portion extended from the lower end of the step 13a along the shape of the step 13 See also).

【0038】本発明の半導体ウエハエッチング処理装置
は、上述したウエハ支持ボートを有するので、半導体ウ
エハのエッチング、洗浄、乾燥の一連の処理を同一の装
置で行うことができる。
Since the semiconductor wafer etching processing apparatus of the present invention has the above-mentioned wafer support boat, a series of processing of semiconductor wafer etching, cleaning and drying can be performed by the same apparatus.

【0039】以下に、本発明の半導体ウエハエッチング
処理装置と、エッチング処理について説明する。 [半導体ウエハエッチング処理装置] 本発明の半導体
ウエハエッチング処理装置は、上述のウエハ支持ボート
に支持される半導体ウエハの重心がウエハ支持ボートの
回転軸上に位置されることを特徴とし、図4に示すよう
に、半導体ウエハにエッチング処理を行うためのSUS
+テフロン又はNi系耐食合金製の反応チャンバー20
と、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持ボート1
0と、ウエハ支持ボート10を回転させるためのウエハ
支持ボート駆動手段40と、ウエハ支持ボート10を反
応チャンバ20の内外部に移動(図4の矢印Mの方向)
すると同時に反応チャンバ20を閉止、開放するための
ドア30を移動するためのエレベータ手段(図示せず)
とから成る。
The semiconductor wafer etching apparatus of the present invention and the etching process will be described below. [Semiconductor Wafer Etching Processing Apparatus] The semiconductor wafer etching processing apparatus of the present invention is characterized in that the center of gravity of the semiconductor wafer supported by the above-mentioned wafer support boat is positioned on the rotation axis of the wafer support boat. As shown, SUS for etching a semiconductor wafer
+ Reaction chamber 20 made of Teflon or Ni-based corrosion-resistant alloy
And a wafer support boat 1 for supporting semiconductor wafers
0, the wafer support boat driving means 40 for rotating the wafer support boat 10, and the movement of the wafer support boat 10 to the inside and outside of the reaction chamber 20 (the direction of arrow M in FIG. 4).
Elevator means (not shown) for moving the door 30 for closing and opening the reaction chamber 20 at the same time
Consisting of

【0040】ウエハ支持ボート10は、半導体ウエハを
一定間隔で縦積みされ、ドア30に設けたシール手段3
1を通じるシャフト41を介してウエハ支持ボート駆動
手段40に接続され、このウエハ支持ボート駆動手段4
0によって回転される。
The wafer support boat 10 vertically stacks semiconductor wafers at regular intervals, and provides sealing means 3 provided on the door 30.
1 is connected to the wafer supporting boat driving means 40 via a shaft 41 passing through the wafer supporting boat driving means 4.
Rotated by zero.

【0041】反応チャンバー20には、エッチングガス
や洗浄用純水等を反応チャンバー20内部に導入(図4
の矢印Fを参照)するためのインジェクタ21と、ガス
を排気(図4の矢印Gを参照)するための排気口22
と、洗浄液を排水(図4の矢印Lを参照)するための排
水口23とが設けられている。ここで、反応チャンバ2
0へのエッチングガス及び洗浄用純水等の導入を1個の
インジェクタ21を通じて行っているが、必要に応じて
エッチングガス導入用のインジェクタ(図示せず)と、
洗浄及びパージ用のインジェクタ(図示せず)とをそれ
ぞれ独立して設けてもよい。
Into the reaction chamber 20, an etching gas or pure water for cleaning is introduced into the reaction chamber 20 (FIG. 4).
Injector 21 for exhausting gas (see arrow F), and an exhaust port 22 for exhausting gas (see arrow G in FIG. 4).
And a drain port 23 for draining the cleaning liquid (see arrow L in FIG. 4). Here, the reaction chamber 2
Although the introduction of the etching gas and the pure water for cleaning into 0 is performed through one injector 21, an injector (not shown) for introducing the etching gas is provided as necessary.
Injectors (not shown) for cleaning and purging may be provided independently of each other.

【0042】反応チャンバー20の内壁には、好適に、
インジェクタ21に接続され、多数の小孔を有する円筒
状細管(図示せず)がウエハ支持ボート10を取り囲む
ように設けられ、ウエハ支持ボート10に配置した半導
体ウエハに対してエッチングガス等を効率的に接触させ
ることができる。 [エッチング処理] 本発明の半導体ウエハエッチング
処理装置を使用したエッチング処理方法は、以下の
(1)−(5)の工程から成る。
The inner wall of the reaction chamber 20 is preferably
A cylindrical thin tube (not shown) connected to the injector 21 and having a large number of small holes is provided so as to surround the wafer support boat 10, and efficiently supplies an etching gas or the like to the semiconductor wafer disposed on the wafer support boat 10. Can be contacted. [Etching Processing] An etching processing method using the semiconductor wafer etching processing apparatus of the present invention includes the following steps (1) to (5).

【0043】(工程1) エレベータ手段(図示せず)
によりドア30とともにウエハ支持ボート10を反応チ
ャンバー20外部に移動し、ウエハ支持ボート10に所
望の個数の半導体ウエハを搬送して支持させ、エレベー
タ手段によりドア30とともにウエハ支持ボート10を
反応チャンバー20内部へと移動し、ドア30によって
反応チャンバー20を密閉し、反応チャンバー20内部
を排気口22を通じてほぼ真空状態にする。
(Step 1) Elevator means (not shown)
The wafer support boat 10 is moved to the outside of the reaction chamber 20 together with the door 30, and the desired number of semiconductor wafers are transported and supported on the wafer support boat 10 by the elevator means. Then, the reaction chamber 20 is hermetically closed by the door 30, and the inside of the reaction chamber 20 is substantially evacuated through the exhaust port 22.

【0044】(工程2) エッチングガス(HF又はH
F/H20)をインジェクタ21を通じて反応チャンバ
ー20内部に導入する。このとき、HFガスは純度9
9.999%以上のものを使用し、HF/H20の比率
は(0.001〜100)/(99.999〜0.0)
である。エッチング時の圧力は、5Pa〜80000P
a、好適には、10Pa〜13300Paである。
(Step 2) Etching gas (HF or H
F / H 20) is introduced into the reaction chamber 20 through the injector 21. At this time, the HF gas has a purity of 9
More than 9.999% is used, and the ratio of HF / H20 is (0.001 to 100) / (99.999 to 0.0)
It is. The pressure at the time of etching is 5Pa-80000P
a, preferably 10 Pa to 13300 Pa.

【0045】(工程3) エッチング終了後、インジェ
クタ21を通じて窒素ガスを導入して反応チャンバ20
内部を大気圧に戻し、その後、インジェクタ21を通じ
て洗浄用純水を導入して半導体ウエハの洗浄を行う。こ
のとき、半導体ウエハを均一に洗浄するために、ウエハ
支持ボート駆動手段40によりウエハ支持ボート10を
回転させる。ここで、洗浄時のウエハ支持ボートの回転
数は、最適には、1rpm〜1000rpmである。
(Step 3) After the completion of the etching, nitrogen gas is introduced through the injector 21 and the reaction chamber 20 is introduced.
The inside is returned to the atmospheric pressure, and then pure water for cleaning is introduced through the injector 21 to clean the semiconductor wafer. At this time, the wafer support boat driving means 40 rotates the wafer support boat 10 in order to uniformly clean the semiconductor wafer. Here, the rotation speed of the wafer support boat during cleaning is optimally 1 rpm to 1000 rpm.

【0046】(工程4) 洗浄終了後、インジェクタ2
1を通じて窒素ガスを導入しながらウエハ支持ボート駆
動手段40によりウエハ支持ボート10を回転し、半導
体ウエハ表面上の水分を遠心力により除去する。乾燥時
のウエハ支持ボート10の回転数は、最適には、500
rpm〜2000rpmである。また、乾燥を促進する
ために、反応チャンバー20及びドア30の周囲にヒー
タを配設し、導入される窒素ガスを加熱して乾燥を行っ
てもよいし、乾燥時に、排気口22を通じて反応チャン
バー20内部を減圧して乾燥を行ってもよい。
(Step 4) After the cleaning, the injector 2
The wafer supporting boat 10 is rotated by the wafer supporting boat driving means 40 while introducing nitrogen gas through 1 to remove moisture on the surface of the semiconductor wafer by centrifugal force. The rotation speed of the wafer support boat 10 during drying is optimally 500
rpm to 2000 rpm. In order to promote the drying, a heater may be provided around the reaction chamber 20 and the door 30 to heat the introduced nitrogen gas to perform the drying. Drying may be carried out by reducing the pressure inside 20.

【0047】(工程5) 乾燥終了後、エレベータ手段
によってウエハ支持ボート10を反応チャンバー20の
外部に移動し、ウエハ支持ボート10から半導体ウエハ
を取り出す。
(Step 5) After the drying is completed, the wafer support boat 10 is moved to the outside of the reaction chamber 20 by the elevator means, and the semiconductor wafer is taken out from the wafer support boat 10.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、半導体ウエハエッチング処理装置で使
用する本発明のウエハ支持ボートを示し、図1(A)
は、ウエハ支持ボートの平面図であり、図1(B)は、
ウエハ支持ボートの側面図である。
FIG. 1 shows a wafer support boat of the present invention used in a semiconductor wafer etching processing apparatus, and FIG.
FIG. 1B is a plan view of a wafer support boat, and FIG.
It is a side view of a wafer support boat.

【図2】 図2(A)、(B)及び(C)はそれぞれ、半
導体ウエハを支持するために図1のウエハ支持ボートに
配設される支持部材の平面図を示す。
FIGS. 2A, 2B, and 2C are plan views of a support member provided on the wafer support boat of FIG. 1 for supporting a semiconductor wafer, respectively.

【図3】 図3は、半導体ウエハエッチング処理装置で
使用する従来技術のウエハ支持ボートを示し、図3
(A)は、ウエハ支持ボートの平面図であり、図3(B)
は、ウエハ支持ボートの側面図である。
FIG. 3 shows a prior art wafer support boat used in a semiconductor wafer etching apparatus,
FIG. 3A is a plan view of the wafer support boat, and FIG.
FIG. 4 is a side view of a wafer support boat.

【図4】 図4は、半導体ウエハエッチング処理装置の
概略図である。
FIG. 4 is a schematic view of a semiconductor wafer etching processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10...ウエハ支持ボート 11...第1の支持部材 12...第2の支持部材 13、13’...支持部 13a...段部 13b...支持面 13c...貫通孔 13d...貫通路 14...スペーサ 15、15’...ポスト 16、16’...ルーフ 17...バランス修正錘 18...バランス修正穴 20...反応チャンバー 21...インジェクタ 22...排気口 23...排水口 30...ドア 31...シール手段 40...ボート駆動手段 41...シャフト a...ウエハ支持ボートの回転軸 F...処理ガス等の導入 G...ガスの排気 L...洗浄水の排水 M...ドアの移動方向 10. . . Wafer support boat 11. . . First support member 12. . . Second support members 13, 13 '. . . Support 13a. . . Step 13b. . . Support surface 13c. . . Through hole 13d. . . 13. Passageway . . Spacers 15, 15 '. . . Post 16, 16 '. . . Roof 17. . . Balance correction weight 18. . . Balance adjustment hole 20. . . Reaction chamber 21. . . Injector 22. . . Exhaust port 23. . . Drain 30. . . Door 31. . . Sealing means 40. . . Boat driving means 41. . . Shaft a. . . F. Rotation axis of wafer support boat . . Introduction of processing gas etc. . . Exhaust of gas L. . . Drainage of washing water . . Door moving direction

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/68 T (56)参考文献 特開 昭63−104418(JP,A) 特開 平1−302815(JP,A) 特開 平4−251956(JP,A) 特開 平7−106271(JP,A) 実開 昭61−201340(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/306 C23F 4/00 C23G 3/00 H01L 21/304 351 H01L 21/68 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/68 H01L 21/68 T (56) References JP-A-63-104418 (JP, A) JP-A-1-302815 ( JP, A) JP-A-4-251956 (JP, A) JP-A-7-106271 (JP, A) JP-A-61-201340 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , (DB name) H01L 21/306 C23F 4/00 C23G 3/00 H01L 21/304 351 H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 反応チャンバーの内部で、半導体ウエハ
を支持したウエハ支持ボートをその回転軸に関して回転
させる、半導体ウエハのエッチング、洗浄、及び乾燥の
一連の処理を同一の装置で行える半導体ウエハエッチン
グ処理装置において、 前記ウエハ支持ボートが、 各々が半導体ウエハを前記ウエハ支持ボートに支持する
ための支持部を有し、半導体ウエハを水平方向に搬入及
び搬出可能に各々対向して縦積、配置される複数組の第
1及び第2の支持部材、 を含み、 前記ウエハ支持ボートに配置した前記第1の支持部材と
前記第2の支持部材の形状が前記回転軸を含む平面に関
して対称であり、 前記第1及び第2の支持部材のそれぞれの支持部が、 半導体ウエハの周囲の形状に一致した形状の段部、及び
この段部の下端から水平に張り出した支持面、 から成り、半導体ウエハは、前記ウエハ支持ボートに配置した前記
第1の支持部材及び前記第2の支持部材のそれぞれの支
持面上に載置され、その半導体ウエハの周囲がそれぞれ
の前記段部に接するようにして支持され、 前記段部が、前記支持面に載置した半導体ウエハの重心
が前記回転軸上に位置するように設けられ、 前記第1及び第2の支持部材を配置した前記ウエハ支持
ボートの重心が前記回転軸上に位置する、 ところの半導体ウエハエッチング処理装置。
1. A semiconductor wafer etching process in which a series of processes of etching, cleaning, and drying of a semiconductor wafer is performed by the same apparatus by rotating a wafer support boat supporting a semiconductor wafer about a rotation axis in a reaction chamber. In the apparatus, the wafer support boats each have a support portion for supporting a semiconductor wafer on the wafer support boat, and are vertically stacked and arranged so as to be capable of loading and unloading semiconductor wafers in a horizontal direction. A plurality of sets of first and second support members, wherein the shapes of the first support member and the second support member disposed on the wafer support boat are symmetric with respect to a plane including the rotation axis, Each of the support portions of the first and second support members has a stepped portion having a shape corresponding to the shape of the periphery of the semiconductor wafer, and extends horizontally from the lower end of the stepped portion. The semiconductor wafer is disposed on the wafer support boat.
Each support of the first support member and the second support member
The semiconductor wafer is placed on
Wherein the to support in contact with the step portion, the step portion, the center of gravity of the semiconductor wafer is placed is provided so as to be positioned on the rotary shaft to the support surface, the first and second support members Wherein the center of gravity of the wafer support boat on which is disposed is located on the rotation axis.
【請求項2】反応チャンバーの内部で、半導体ウエハを
支持したウエハ支持ボートをその回転軸に関して回転さ
せる、半導体ウエハのエッチング、洗浄、及び乾燥の一
連の処理を同一の装置で行える半導体ウエハエッチング
処理装置において、 前記ウエハ支持ボートが、 各々が半導体ウエハを前記ウエハ支持ボートに支持する
ための支持部を有し、半導体ウエハを水平方向に搬入及
び搬出可能に各々対向して縦積、配置される複数組の第
1及び第2の支持部材、及び前記ウエハ支持ボートが、
前記第1及び第2の支持部材とともに前記ウエハ支持ボ
ートに縦積、配置されるスペーサ、 を含み、 前記ウエハ支持ボートに配置した前記第1の支持部材と
前記第2の支持部材の形状が前記回転軸を含む平面に関
して対称であり、 前記第1及び第2の支持部材のそれぞれの支持部が、 半導体ウエハの周囲に沿った形状の段部、及びこの段部
の下端から水平に張り出した支持面、 から成り、 前記段部が、前記支持面に載置した半導体ウエハの重心
が前記回転軸上に位置するように設けられ、 前記第1及び第2の支持部材を配置した前記ウエハ支持
ボートの重心が前記回転軸上に位置する、 ところの半導体ウエハエッチング処理装置。
2. A semiconductor wafer etching process in which a series of processes of etching, cleaning, and drying of a semiconductor wafer are performed by the same apparatus by rotating a wafer support boat, which supports the semiconductor wafer, about a rotation axis inside the reaction chamber. In the apparatus, the wafer support boats each have a support portion for supporting a semiconductor wafer on the wafer support boat, and are vertically stacked and arranged so as to be capable of loading and unloading semiconductor wafers in a horizontal direction. A plurality of sets of first and second support members, and the wafer support boat,
The wafer support bottle together with the first and second support members
Includes vertical stack to over preparative, spacers are arranged, the shape of the wafer the disposed in the support boat first support member and the second support member is symmetrical about a plane containing said rotation axis, said first Each of the support portions of the first and second support members comprises: a step portion having a shape along the periphery of the semiconductor wafer; and a support surface projecting horizontally from a lower end of the step portion. A center of gravity of the semiconductor wafer placed on the surface is provided on the rotation axis, and a center of gravity of the wafer support boat on which the first and second support members are arranged is located on the rotation axis. Semiconductor wafer etching equipment.
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