KR102199425B1 - 전기 광학 장치 - Google Patents

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Abstract

센스선에 공급되는 전류를 크게 할 수 있는 전기 광학 장치를 제공한다. 전원(ELVDD)과 OLED(10)의 애노드 사이에는, 게이트에 리세트 전압 또는 계조 전압이 인가되는 구동 트랜지스터(11)가 전기적으로 접속되어 있다. 이 구동 트랜지스터의 드레인과 OLED의 애노드와의접속점에는, 기준 전압(Vref)을 선택적으로 공급하는 초기화 트랜지스터(14)의 드레인이 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 전원과 전압계에 전기적으로 접속된 센싱 트랜지스터(16)의 게이트가 전기적으로 접속되어 있다.

Description

전기 광학 장치 {ELECTRO-OPTIC DEVICE}
본 발명은 전류에 의해 발광하는 전류 발광 소자를 사용한 전기 광학 장치를 구동하는 전기 광학 장치에 관한 것이다.
최근, 공급되는 전류에 따른 강도로 발광하는 유기 EL 소자(Organic Electroluminescence Light Emitting Diode:OLED)로 이루어지는 전기 광학 장치가 개발되고 있다.이와 같은 전기 광학 장치는, OLED에 공급되는 전류량을 영상 신호 중의 계조 데이터에 기초하여 각 화소의 각 색용의 OLED 마다 공급되는 전류의 크기를 제어함으로써, 풀 컬러 영상을 표시하지만, 발광층이 유기 화합물로부터 생성되기 때문에, 경시 열화(time degradation)의 정도가 통상의 실리콘 반도체로 이루어지는 발광 소자보다도 크고, 경시 열화에 기인하여 각 OLED의 전류-휘도 특성이 변화하여 원 영상의 재현성을 손상시켜 버리는 문제가 있다.즉, 경시 열화를 발생시키면, 각 OLED는 같은 전류값에 의해보다 밝게 발광하게 되지만, 각 OLED에 발생하는 경시 열화에는 여러 가지 요인에 의해 불균일(variation)이 있기 때문에, 원 영상의 재현성이 크게 손상되어 버리게 된다.이러한 전류-휘도특성의 변화에 기인하는 영상 재현성의 악화는 이 상, 각 OLED의 휘도에 기초하여, 영상 신호로부터 전류값으로의 변환 계수를 조정함으로써, 보상 가능하다.
그러나, 각 OLED의 휘도값의 변화를 직접 측정하는 것은 사실상 곤란하다.
여기서, 각 OLED에 공급되는 전류값이 이미 알려져 있는 것, 및 OLED의 경시 열화가 발생한 경우에는 OLED의 전압-전류 특성도 변동하고, 양자의 사이에는 일정의 상관 관계가 존재하는 것을 이용하고, 각 OLED의 애노드 전압을 측정하고, 측정한 애노드 전압에 기초하여 경시 열화에 기인하는 전류-휘도 특성의 변화를 예측하고, 예측한 전류-휘도 특성에 기초하여 상기 변환 계수를 조정하는 것이, 종래 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌1, 2, 3).
일본 특허 제4593868호 일본 특허 제4877261호 일본 특허 제4530017호
상기 특허 문헌1~3에 기재된 기술에 있어서는, 각 OLED의 애노드 단자와 어스 사이에 병렬 접속된 전압계에 의해, 각 OLED의 애노드 단자의 전압이 직접 측정되고 있었다.
그러나, 각각의 OLED에 공급되는 전류값은 원래 작기 때문에, 이러한 전압의측정 방법에는 문제가 있다.즉, OLED에 병렬 접속된 전압계의 단자 전압이 OLED의 애노드 단자와 동 전압으로 되는 것은 양자를 연결하는 배선(센스선)에 발생한 기생 용량이 포화된 시점 이후이기 때문에, OLED에 공급되는 전류의 일부가 센스선으로 분기되어 그 센스선의 기생 용량을 충전 중단하지 않으면, 전압계는 OLED의 애노드 단자의 전압을 측정할 수 없다.그러나, OLED에 공급되는 전류값은 최대 휘도 표시 시에 있어서도 수 ㎂ 이하이기 때문에, 센스선으로 분기하는 전류도 작을 수 밖에 없고, 따라서, 센스선의 기생 용량의 충방전에 시간이 걸린다. 그러므로, 종래의 기술에 의하면, 응답(response)이 좋은 전압을 측정할 수 없기 때문에, 상기 변환 계수의 조정에 의한 영상 재현성의 보상을 응답이 좋게 행할 수 없다.
또한, 상술한 바와 같이, 센스선에 공급되는 전류가 원래 작으면, 센스선의 전위가 노이즈에 의해 영향을 받기 쉽기 때문에, 패널 외부나 패널 내부로부터의 노이즈에 의해 센스선의 전압이 변동하여 충분한 측정 정밀도를 얻을 수 없다는 문제도 발생한다. 이상과 같은 전류가 작은 것에 기인하는 문제는 패널의 사이즈가 대형으로 되면 될수록 센스선이 길어지기 때문에, 현저하게 된다. 또한, 보다 정확한 전류-휘도 특성의 변화 예측을 행하는 데에는 여러휘도에서의복수의 측정이 필요하게 되지만, 저계조로 되면 될수록 OLED로의 공급 전류값이 작아지기 때문에, 전류가 작은 것에 기인하는 문제가 현저하게 된다.
또한, 휘도가 작은 경우에, 상기 문제가 현저하게 되는 것을 회피하기 위해서는 저휘도의 영상 신호가 들어올 수 있는 통상 영상이 아니라, 저휘도의 영상 신호를 포함하지 않는 센싱 전용의 영상을 준비하여 두는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 그 경우에는, 통상 영상을 표시하고 있는 동안에 센싱 전용 영상을 표시시킬 수 없기 때문에, 각 OLED의 애노드 전압의 측정은 디스플레이 패널의 기동 시 및 셧 다운 시로 한정되어 버린다.
여기서, 본 발명의 목적은 센스선을 통하여 전압계에 공급되는 전류를 크게 할 수 있고, 그 결과, 패널 사이즈나 휘도 여하에 의존하지 않고, 센스선을 충전하기 위해 각 발광 소자의 전극의 전압의 정확한 측정을 할 수 없는시간을 극히 짧게 할 수 있고, 통상 영상 표시 중일지라도 각 발광 소자의 전극의 전압의 측정이 가능하게 되는 전기 광학 장치의 제공을 과제로 한다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 입력된 계조 데이터에 기초하는 계조 전압에 대응한 구동 전류를 발광 소자에 공급함으로써, 상기 발광 소자를 상기 계조 데이터에 대응한 휘도로 발광시키는 전기 광학 장치로서, 전원과 상기 발광 소자의 전극 사이에 전기적으로 접속되고, 상기 계조 전압이 선택적으로 게이트에 인가되고, 상기 계조 전압이 상기 게이트에 인가된 때에는 상기 인가된 계조 전압에 대응한 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 제 1 트랜지스터, 상기 발광 소자의 상기 전극에 게이트가 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 전압계를 포함하는 회로에 소스 또는 드레인이 전기적으로 접속되어 있는 제 2 트랜지스터, 및 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 계조 전압을 인가한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 읽고, 상기 측정된 값에 기초하여, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 제어 회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 센스선으로 흐르는 전류를 발광 소자의 전극에 게이트가 전기적으로 접속된 제 2 트랜지스터에 의해 제어하기 때문에, 센스선으로 공급되는 전류를 크게 할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 의하면, 패널 사이즈나 휘도에 의존하지 않고, 센스선을 충전하기 위해 각 발광 소자의 전극의 전압을 정확하게 측정할 수 없는 시간을 극히 짧게 할 수 있고, 통상 영상 표시 중일지라도 각 발광 소자의 전극의 전압을 측정하는 것이 가능하게 된다. 또한, "전기적으로 접속되어 있다"라는 것은, 소자끼리가 직접 접속되지만, 다른 소자(트랜지스터, 다이오드 등)을 통하여 접속되어 있는 것을 의미(포함)한다.
도 1은 제 1 실시형태의 개략 회로 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 화소 회로를 구성하는 각각의 OLED 마다의 구동 회로의 상세 회로도이다.
도 3 은 전압 검출부의 상세 회로도이다.
도 4 는 제어 회로의 처리 내용을 나타내는 플로우차트이다.
도 5 는 제어 회로의 처리 내용을 나타내는 플로우차트이다.
도 6 은 제어 회로에 의해 구동 회로에 인가되는 신호의추이를 나타내는 타이밍차트이다.
도 7 은 S001에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 8 은 S002에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 9 는 S003에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 10 은 S004에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 11 은 S005에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 12 는 S006에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 13 은 S006에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 14 는 S007에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 15 는 S008에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 16 은 OLED의 전류-전압 특성과 전류-휘도 특성과의 상관 관계를 나타내는 그래프이다.
도 17 은 전압 검출부의 변형 예를 나타내는 상세 회로도이다.
도 18 은 OLED의 온도 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 19 는 제 2 실시형태의 목적을 설명하기 위한 그래프이다.
도 20 은 제어 회로의 처리 내용을 나타내는 플로우차트이다.
도 21 은 제어 회로의 처리 내용을 나타내는 플로우차트이다.
도 22 는 제어 회로의 처리 내용을 나타내는 플로우차트이다.
도 23은 S104에서의 구동 회로의 상태를 나타내는 회로도이다.
도 24 는 제 2 실시형태의 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도 25는 제3 실시형태의 화소 회로를 구성하는 각각의 OLED 마다의 구동 회로의 상세 회로도이다.
도 26 은 제4 실시형태의 화소 회로를 구성하는 각각의 OLED 마다의 구동 회로의 상세 회로도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 전기 광학 장치에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태는 본 발명의 실시형태의 일 예로서, 본 발명은 이들의 실시형태에 한정되지 않는다.
(제 1 실시형태)
본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전기 광학 장치에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전기 광학 장치의 구성을 나타내는 블록도이고, 도 2는 각 화소 회로(1)의 구체적 회로 구성을 나타내는 회로도이다.
전기 광학 장치는 디스플레이 패널을 구성하는 각 화소마다, 3개 1조의 OLED(풀 컬러를 표현하기 위해, 각각에 설정된 계조로 각 원색(적, 녹 및 청)을 각각 발광하는 3개 1조의 OLED)(10)를 구비하고 있다. 도 1에서는 각 OLED(10) 용 구동 회로의 집합이 「화소 회로(1)」라고 칭해지고 있다. 또한, 화소 회로(1)에서는 각 화소를 구성하는 다수의 OLED(10)의 구동 회로가 매트릭스 형상으로 배치되어 디스플레이 패널을 구성하고 있고, 도 2에 나타내는 바와 같이, 열방향으로 배열되는 복수의 OLED(10)의 구동 회로에 공통의 데이터선(D)이 접속되고, 행방향으로 배열되는 복수의 OLED(10)의 구동 회로에는 공통의 제 1 주사선(S1), 공통의 제 2 주사선(S2), 공통의 보상 트랜지스터 구동선(C), 공통의 초기화 트랜지스터 구동선(N), 공통의 발광 스위치 구동선(E)이 접속되고, 또한, 모든 OLED(10)의 구동 회로에 제 1 전원선(P) 및 제 2 전원선(W)이 접속되어 있다. 또한, 상술한 제 1 전원선(P)에는, 도시하지 않은 전원 회로로부터, 어스 전위와 비교하여 충분히 높은 일정 전압(ELVDD)의 전원이 공급되고 있고, 제 2 전원선(W)은 어스 전위보다도 충분히 낮은 전압(VSS)의 전원에 접속되어 있다. 또한, 각 OLED(10)의 캐소드는 어스에 접속되어 있다.
그리고, 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 제 1 실시형태에 따른 전기 광학 장치는 이러한 화소 회로(1) 및 제어 회로(2)로 구성되어 있다.
제어 회로(2)는 외부로부터 공급된 각 원색마다의 계조 데이터로 이루어지는 영상 신호를 입력받아서, 각 OLED(10)의 휘도를 설정하기 위한 계조 전압을 상술하는 데이터선(D)에 공급하는 동시에, 스캔 신호를 상술한 제 1 주사선(S 1) 및 제 2 주사선(S2)에 공급하는 회로이다. 구체적으로는, 제어 회로(2)는 기억 매체(3)에 저장된 펌웨어에 따라서 동작하는 프로세서(컴퓨터)를 갖고, 그 펌웨어에 따라서 동작함으로써, 그 내부에, 그 제어 회로(2)에 있어서 프로세서 이외의 하드웨어와 협조함으로써, 계조 데이터 보정 연산부(21), 계조 전압 생성부(22), 기준 전압 공급 회로(23), 전압 검출부(24), 및 스캔 신호 생성부(25)의 각 기능을 발생시킨다.
기준 전압 공급 회로(23)는 상술한 각데이터선(D)에 각각, 그 데이터선(D)에 접속된 OLED(10)의 구동 회로를 리세트하기 위한 리세트 전압(Voff, 단, Voff =ELVDD) 및 전압 측정용의 기준 전압(Vref, 단, Vth_el>Vref≥ELVDD(Vth_el은 OLED의 발광 문턱값 전압))을 공급한다.
또한, 계조 전압 생성부(22)는 각 화소의 각 원색마다의 계조 데이터에 기초하여 각 OLED(10)에 설정할 계조 전압을 생성하여 후술하는 바와 같이 계조 데이터 보정 연산부(21)에 의해 보정하는 동시에, OLED(10)의 열마다, 생성된계조 전압(Vdata)을 제 1 행의 OLED(10) 용의 것으로부터 순차적으로, 대응하는 데이터선(D)에 공급한다.
또한, 스캔 신호 생성부(25)는 계조 전압 생성부(22)로부터 각데이터선(D)에 순차 공급되는 계조 전압(Vdata)이 설정될 OLED(10)의 구동 회로를 지정하는 제 1 스캔 신호(Scan1)를 제 1 주사선(S1)에 공급한다. 또한, 스캔 신호 생성부(25)는 전압 측정이 행해질 OLED(10)의 행을 지정하는 제 2 스캔 신호(Scan2)를 제 2 주사선(S2)에 공급한다. 또한, 스캔 신호 생성부(25)는 각 보상 트랜지스터 구동선(C)에 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)를, 각 초기화 트랜지스터 구동선(N)에 초기화 트랜지스터 구동 신호(GINT)를, 각 발광 스위치 구동선(E)에 발광 스위치 구동 신호(EM)를, 각각 공급한다.
또한, 전압 검출부(24)는, 각 데이터선(D)을 통해, 제 2 스캔 신호(Scan2)에 의해 지정된 행의 OLED(10)의 애노드 전압을 측정한다. 여기서, 전압 검출부(24)는 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 배선된 전압계(241)로부터, 측정된 애노드 전압을 읽는다. 즉, 각 데이터선(D)은 도 2에 나타내는 바와 같이 분기되어 있고, 계조 전압 생성부(22) 용의 출력 단자 및 기준 전압 공급 회로(23) 용의 출력 단자와, 전압 검출 회로(24)용의 전압계(241)를 병렬 접속하고 있다. 또한, 전압계(241)는 정전류원(242)과 병렬 접속되어 있다.
또한, 계조 데이터 보정 연산부(21)는 각 OLED(10)마다, 전압 검출부(24)에 의해 측정된 기준 전압 인가 시의 애노드 전압 및 계조 전압 인가 시의 애노드 전압에 기초하여 열화의 정도(그 계조 전압 인가 시에 있어서 OLED(10)의 발광 휘도의계조 데이터로부터의 벗어남)을 예측하고, 예측한 열화 정도에 따라서, 상기 벗어남을 보상하도록 계조 데이터를 보정(피드백)하여, 계조 전압 생성부(22)에 전달한다.
그 다음, 도 2를 참조하여, 각각의 OLED(10)의 구동 회로의 회로 구성을 설명한다. 전원선(P)과 OLED(10)의 애노드 사이에는, 순서대로, 구동 트랜지스터(11)(제 1 트랜지스터에 상당) 및 발광 스위치 트랜지스터(12)가 직렬 접속되어 있다. 그리고, 발광 스위치 트랜지스터(12)의 게이트에는 발광 스위치 구동선(E)이 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인 사이에는, 보상 트랜지스터(13)가 전기적으로 접속되어 있고, 그 보상 트랜지스터(13)의 게이트는 보상 트랜지스터 구동선(C)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(11)의 드레인과 발광 스위치 트랜지스터(12)의 소스와의 접속점과, 데이터선(D)과의 사이에는, 초기화 트랜지스터(14)(제 3 트랜지스터에 상당)가 전기적으로 접속되어 있고, 그 초기화 트랜지스터(14)의 게이트는 초기화 트랜지스터 구동선(N)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(11)의 소스와 게이트 사이에는, 게이트측으로부터 순서대로, 제 1 용량(31) 및 제 2 용량(32)이 직렬 접속되어 있다. 그리고, 양 용량(31, 32)의 접속점과 데이터선(D) 사이에 제 1 주사 트랜지스터(15)가 전기적으로 접속되어 있고, 그 제 1 주사 트랜지스터(15)의 게이트가 제 1 주사선(S1)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 데이터선(D)과 제 2 전원선(W) 사이에는, 데이터선(D)측으로부터 순차적으로, 센싱 트랜지스터(16) 및 제 2 주사 트랜지스터(17)가 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 센싱 트랜지스터(16)(제 2 트랜지스터에 상당)의 게이트는 OLED(10)의 애노드에 전기적으로 접속되어 있고, 제 2 주사 트랜지스터(17)의 게이트는 제 2 주사선(S2)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 구동 회로를 구성하는 각 트랜지스터(11~17)는 모두 P 채널형 MOSFET이다.
다음에, 도 4 및 도 5의 플로우차트, 도 6의 타이밍차트, 도 7 내지 도 15의 회로도를 사용하여, 제어 회로(2)에 의한 각 OLED(10)의 구동 회로에 대한 제어 내용을 설명한다.
도 4 및 도 5의 플로우차트에 나타내는 처리는, 예를 들어, 전기 광학 장치의 디스플레이 패널에 1 프레임의 영상을 표시할 때마다 실행될 수 있고, 디스플레이 패널의 기동 시 또는 셧다운 시에만 실행될 수도 있다. 전자의 경우, 도 4 및 도 5의 플로우차트에 나타내는 처리가 디스플레이 패널에 1 프레임의 영상을 나타낼 때마다, OLED(10)의 모든 행에 대하여 실행될 수도 있고, OLED(10)의 특정 행에 대해서만 실행되지만, 실행 대상 행이 1 행씩시프트하도록 구성될 수도 있다.
어떠한 경우에 있어서도 처리가 스타트하여 최초의 S001에 있어서, 제어 회로(2)는 제 1 스캔 신호(Scan1)의 전위를 L(제 1 주사 트랜지스터(15)=ON), 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)의 전위를 L(보상 트랜지스터(13)=ON), 초기화 트랜지스터 구동 신호(GINT)의 전위를 L(초기화 트랜지스터(14)=ON), 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 H(발광 스위치 트랜지스터(12)=OFF), 제 2 스캔 신호(Scan2)의 전위를 H(제 2 주사 트랜지스터(17)=OFF)로 한 상태에서, 모든 데이터선(D)에 리세트 전압(Voff)을 인가함으로써, 모든 OLED(10)의 구동 회로의 구동 트랜지스터(11)를 각각 오프로 한다(도 7 참조). 이것은, 다음 스텝(S002)(도 8)에 있어서, ELVDD의 전원과 기준 전압(Vref)의 전원이 쇼트하지 않도록 하기 위한 것이다.
다음의 S002에서는 제어 회로(2)는 제 1스캔 신호(Scan1)의 전위를 H(제 1 주사 트랜지스터(15)=OFF), 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)의 전위를 H(보상 트랜지스터(13)=OFF), 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 L(발광 스위치 트랜지스터(12)=ON), 모든 데이터선(D)의 전위를 기준 전압(Vref)으로 전환하는 것에 의해, 제 2 용량(32)에 리세트 전압(Voff)을 유지시킴으로써, 구동 트랜지스터(11)를 OFF 인채로 유지하는 동시에, 실행 대상 행의 모든 OLED(10)의 애노드에 기준 전압(Vref)을 인가한다(도 8 참조). 상술한 기준 전압(Vref)의 조건으로부터 이 시점에서는 OLED(10)는 발광하지 않는다.
다음의 S003에서는 제어 회로(2)는 초기화 트랜지스터 구동 신호(GINT)의 전위를 H(초기화 트랜지스터(14)=OFF), 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 H(발광 스위치 트랜지스터(12)=OFF), 제 2 스캔 신호(Scan2)의 전위를 L(제 2 주사 트랜지스터(17)=ON)로 전환하는 동시에, 모든 데이터선(D)으로부터 기준 전압(Vref)을 분리하여, 각 데이터선(D)에 각각 전압검출부(24)를 접속함으로써, 실행 대상 행의 모든 OLED(10)의 내부 용량에 기준 전압(Vref)을 유지시킨다(도 9). 이와 같이 하면, 센싱 트랜지스터(16) 및 제 2 주사 트랜지스터(17)를 통해, 정전류원(242)으로부터 VSS의 전원으로 전류가 흐르지만, 센싱 트랜지스터(16)의 게이트에 인가된 기준 전압(Vref)에 대응한 소스-드레인 간의 임피던스에 관계없이 전류값(I)은 일정하게 되기 때문에, 전압계(241)가 계측하는 전압값(Vsense)은 하기 수학식 1에 나타내는 바와 같다.
Figure 112014074542067-pat00001
단, 여기에서의 Vth는 센싱 트랜지스터(16)의 게이트-소스 간 전압의 문턱값이고, I는 정전류원(242)의 전류값이고, β는 센싱 트랜지스터(16)의 특성을 나타내는 계수이다. 이 전압값(Vsense)이 제 1 측정값에 상당한다.
다음의 S004에서는 제어 회로(2)는 제 1 스캔 신호(Scan1)의 전위를 L(제 1 주사 트랜지스터(15)=ON), 제 2 스캔 신호(Scan2)의 전위를 H(제 2 주사 트랜지스터(17)=OFF)로 전환하고, 모든 데이터선(D)에 기준 전압(Vref)을 인가함으로써, 실행 대상 행의 모든 OLED(10)의 구동 회로의 구동 트랜지스터(11)의 초기화를 행한다(도 10). 이것은, 다음 스텝(S005)(도 11)에 있어서, 구동 트랜지스터(11)의 Vth를 보상하기 위해, 구동 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 충분히 낮은 값으로 하여 구동 트랜지스터(11)를 ON으로 하기 위한 것이다. 그 결과, 제 2 용량(32)에 유지된 전압은 기준 전압(Vref)으로 되고, 구동 트랜지스터(11)의 게이트에는 기준 전압(Vref)이 인가되어, 구동 트랜지스터(11)가 ON으로 된다.
다음 S005에서는 제어 회로(2)는 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)의 전위를 L(보상 트랜지스터(13)=ON)로 전환하고, 제 1 전원선(P)으로부터 구동트랜지스터(11) 및 보상 트랜지스터(13)를 통과하는 전류를 발생시킨다(도 11 참조). 그 결과, 실행 대상 행의 모든 OLED(10)의 구동 회로의 구동 트랜지스터(11)의 게이트 전압이, 기준 전압(Vref)으로부터 서서히 상승하고, ELVDD-Vth(단, 여기에서의 Vth는 구동 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간 전압의 문턱값)에 수렴하여, 제 1 용량(31)에 유지된다. 즉, 구동 트랜지스터(11) 가 다이오드 접속으로 되고, Vth가 프로그램된다.
다음의 S006에서는 제어 회로(2)는 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)의 전위를 H(보상 트랜지스터(13)=OFF)로 전환하고, 최초에 제 1 행 이외의 제 1 스캔 신호(Scan1~n)를 H(제 1 주사 트랜지스터(15)=OFF)로 전환하는 동시에(도 12 참조), 제 1 행의 OLED(10)용의 계조 전압(Vdata)을 데이터선(D)에 인가한다(도 13 참조). 그 후, 제 1 스캔 신호(Scan1~n)를 L(제 1 주사 트랜지스터(15)=ON)로 하는 행을 1 행씩 시프트하여 가는 동시에 이것에 동기하여, 데이터선(D)에 각 행의 OLED(10) 용의 계조 전압(Vdata)을 순차 인가하여 간다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 1 스캔 신호(Scan1~n)를 L(제 1 주사 트랜지스터(15)=ON)으로 전환된 행에 있어서 OLED(10)의 구동 회로에서는 데이터선(D)을 통해 제 1 용량(31) 및 제 2 용량(32)의 접속점에 계조 전압(Vdata)이 인가되고, 그 접속점의 전위가 Vref로부터 Vdata로 상승한다. 이와 같이 하면, 제 1 용량(31)을 통한 용량 커플링에 의해, 구동 트랜지스터(11)의 게이트 전압은 상기 접속점의 전위의 상승분(Vdata-Vref) 만큼 시프트하여, ELVDD-Vth+Vdata-Vref로 된다. 그 결과, 구동 트랜지스터(11)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)은 Vgs=Vdata-Vref-Vth로 된다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 계조 전압이 프로그래밍된 후에 제 1스캔 신호(Scan1~n)가 H(제 1 주사 트랜지스터(15)=OFF)로 전환된 행에 있어서 OLED(10)의 구동 회로에서는 제 1 주사 트랜지스터(15)가 OFF되어서 제 1 용량(31) 및 제 2 용량(32)의 접속점이플로팅되기 때문에, 상기 Vgs가 유지되고, 그것에 의해, 계조 전압의 프로그래밍이 완료한다. 또한, 계조 전압의 값은 제어 회로(2)에 입력된 계조 데이터의 휘도값에 대하여 소정의 변환 계수를 곱하고, 또한, 계조 보정 함수를 실행하여 얻어진 값이다. 단, 도 4의 처리가 최초에 실행되는 시점에서는 계조 보정 함수의 계수는 「1」이기 때문에, 계조 전압의 보정은 행해지지 않는다. 또한, 기동 시 또는 셧다운 시에 도 4 및 도 5의 처리가 실행되는 경우에는, 외부로부터 제어 회로(2)로 입력되는 계조 데이터가 존재하지 않기 때문에, 소정의 휘도값을 갖는계조 데이터(Voled 측정용 데이터)에 기초하여, 계조 전압이 산출된다. 그리고, S006의 완료 시점에서는 모든 데이터선(D)이계조 전압 생성부(22)의 단자로부터 분리되어 있다.
다음의 S007에서는 제어 회로(2)는 모든 행의 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 L(발광 스위치 트랜지스터(12)=ON)로 전환하고, 모든 OLED(10)에, 각각에 대응한 구동 회로의 구동 트랜지스터(11)에 프로그래밍한 계조 전압(Vgs=Vdata-Vref-Vth)에 비례한 전류를 공급한다(도 14). 이와 같이 하면, 각 OLED(10)는 각각의 전류-휘도 특성에 따라서, 각각에 공급된 전류의 값에 대응한 휘도로 발광한다. 이 때의 각 OLED(10)의 애노드의 전압이 측정 대상 전압(Voled)이다.
다음의 S008에서는 제어 회로(2)는 제 2 스캔 신호(Scan2)의 전위를 L(제 2 주사 트랜지스터17=ON)로 전환한다(도 15). 이와 같이 하면, 센싱 트랜지스터(16) 및 제 2 주사 트랜지스터(17)를 통해, 정전류원(242)으로부터 VSS의 전원으로 전류가 흐르지만. 센싱 트랜지스터(16)의 게이트에 인가된 측적 대상 전압(Voled)에 대응한 소스-드레인 간의 임피던스에 상관없이 전류값(I)는 일정하게 되기 때문에, 전압계(241)가 계측하는전압값(Vsense')은 하기 수학식 2에 나타내는 바와 같다.
Figure 112014074542067-pat00002
단, 수학식 2에 있어서 각 정수의 의미는, 상술한 수학식 1과 같다. 이 전압값(Vsense')이 제 2 측정값에 상당한다.
다음의 S009에서는 제어 회로(2)는 제 1스캔 신호(Scan1)의 전위를 L(제 1 주사 트랜지스터(15)=ON), 보상 트랜지스터 구동 신호(GCOM)의 전위를 L(보상 트랜지스터(13)=ON), 초기화 트랜지스터 구동 신호(GINT)의 전위를 L(초기화 트랜지스터(14)=ON), 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 H(발광 스위치 트랜지스터(12)=OFF), 제 2 스캔 신호(Scan2)의 전위를 H(제 2 주사 트랜지스터(17)=OFF)로 전환되고, 모든 데이터선(D)에 리세트 전압(Voff)을 인가함으로써, 모든 OLED(10)의 발광을 종료한다(도 7 참조).
다음의 S010에서는 제어 회로(2)는 하기 수학식 3에 나타내는 바와 같이, S008에서 계측한 Vsense'로부터 S003에서 계측한 Vsense를 빼고, 또한 이미 알려진 Vref를 가산함으로써, Voled를 산출한다.
Figure 112014074542067-pat00003
다음의 S011에서는 제어 회로(2)는 S010에서 산출한 Voled를, 출하 시에 산출한 상기 Vgs(=Vdata-Vref-Vth)에 대응하는 전류(Ioled1)에서의 Voled(참조값)과 비교하여, 양자의 차(ΔV)를 산출한다. 또한, 도 4 및 도 5의 처리가 최초로 실행된 시점에서는 열화는 없기 때문에, ΔV=0으로 되어야 한다.
다음의 S012에서는 제어 회로(2)는 ΔV에 대응하는 열화 후의 전류-휘도 특성을 결정한다. 여기서, OLED(10)의 열화에 기인하는 전압-전류 특성의 변화와 전류-휘도 특성의 변화에는 상관 관계가 있다. 즉, 전압-전류 특성 곡선이 전압 축에 있어서 전압이 높아지는 측으로 시프트하는 동시에, 전류-휘도 특성 직선이 휘도가 커지는 방향으로 기울어진다. 그리고, 전자에 있어서 시프트 량과 후자에 있어서 경사각의 변화량 사이에는, 수식에 의해 표현 가능한 상관 관계가 존재한다. 그러므로, 제어 회로(2)는 ΔV에 기초하여, 열화 후에 있어서 전류-휘도 특성 직선의, 열화 전의 경사각으로부터의 변화량을 산출할 수 있기 때문이다. 예를 들어, 도 16(b)에 나타내는 실선이 열화 전의 전압-전류 특성 곡선이라 하고, 열화에 의해, 전압-전류 특성 곡선이 점선으로 나타내는 위치까지 시프트한다. 이때, 소정의 계조 데이터에 대하여 계조 보정을 행하지 않고, 산출된 계조 전압(Vgs=Vdata-Vref-Vth)이 구동 트랜지스터(11)의 게이트에 인가되고, 그것에 따라서 그 구동 트랜지스터(11)가 전류(Ioled1)를 OLED(10)에 공급하게 되면, 산출되는 Voled는 열화 전에 있어서는 Voled1(참조값)이고, 열화 후에 있어서는 Voled2로 된다. 즉, ΔV=Voled2-Voled1로 되고, 전압-전류 특성 곡선의 시프트량을 나타낸다. 한편, 도 16(a)에 나타내는 실선이 열화 전의 전류-휘도 특성 직선이라 하고, 열화에 의해, 전류-휘도 특성 직선이 점선으로 나타내는 각도까지 기울어진다. 이때, 전류(Ioled1)가 공급된 OLED(10)의 휘도는 열화 전에 있어서는 L1이고, 열화 후에 있어서는 L2로 된다. 따라서, 열화 후에 있어서, 전류(Ioled2)를 OLED(10)에 공급하면, OLED(10)는 계조 데이터에 대응한 본래의 휘도로 발광할 수 있도록 된다. 여기서, 제어 회로(2)는 ΔV에 대응하는 열화 후의 전류-휘도 특성 직선과, 계조 데이터가 나타내는 본래의 휘도로부터, 구동 트랜지스터에 공급할 전류의 값(Ioled2)을 결정할 수 있도록 된다.
여기서, 다음의 S013에 있어서, 제어 회로(2)는 열화 전후에 있어서 전류-휘도 특성의 경사의 차에 기초하여, Ioled의 보정 관계를 결정한다. 이 보정 관계는 OLED의 열화가 전류-휘도 특성의 경사의 차로 나타내는 것이므로 비율로 표현할 수 있다.
다음의 S014에서는 제어 회로(2)는 S013에서 결정된 보정 관계에 기초하여, 상술한 계조 보정 함수를 결정한다.
다음의 S015에서는 제어 회로(2)는 다음 프레임의 계조 데이터(도 4 및 도 5의 처리가 기동 시에만 실행되는 경우에는, 이후에 있어서 입력되는계조 데이터의 모두)에 대하여, 상술한 변환 계수에 의해 계조전압로의 변환 및 S014에서 결정한 계조 보정 함수에 기초한 보정을 실행한다. 또한, 실행 대상 행이 1행씩인 경우에는 실행 대상 행에 대하여는 이번의 도 4 및 도 5의 처리 중의 S014에서 결정한계조 보정 함수에 기초하여 계조 전압의 보정을 행하고, 실행 대상 행 이외의 행에 대하여는 과거에 실행한 도 4 및 도 5의 처리중의 S014에서 결정한 계조 보정 함수가 있으면, 도시하지 않은 메모리에 기억되어 있는 해당계조 보정 함수에 기초하여 계조 전압의 보정을 행하지만, 그렇지 않으면, 보정을 행하지 않는다. S015의 완료 후, 제어 회로(2)는 도 4 및 도 5의 처리 전체를 종료한다.
이상과 같이 구성된 제 1 실시형태에 의하면, OLED(10)의 애노드로부터 분기한 배선은 센싱 트랜지스터(16)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 그 배선으로의 충전에 필요로 하는 시간은 문제가 되지 않는다. 또한, 전압검출부(24)의 전압계(241)에 공급되는 전류는 정전류원(242)에 의해 공급되기 때문에, OLED(10)에 공급되는 전류보다도 매우 크게 할 수 있다. 따라서, 전압계(241)에 연결되는 센스선은 즉시 충전되기 때문에 전압 측정이 단시간에 완료됨과 동시에 노이즈에 기인하여 측정전압이 변동하지 않는다.
<변형예>
상술한 본 제 1 실시형태에 있어서, 전압 검출부(24)의 구성을 도 17에 나타내는 바와 같이, 정전류원(242)을 생략할 수도 있다. 단, 이 경우에는 Vss를 Vref에 비해 충분히 낮게 할 필요가 있다. 그 결과, S003(도 9)에서 측정되는 Vsense는 하기 수학식 4로 나타내는 바와 같고, S008(도 15)에서 측정되는 Vsense'는 하기 수학식 5로 나타내는 바와 같다.
Figure 112014074542067-pat00004
Figure 112014074542067-pat00005
이들 수학식 4 및 수학식 5에 나타내는 바와 같이, Vsense 및 Vsense'에는,
Figure 112014074542067-pat00006
의 요소가 포함되지 않는다. 무엇보다도, S010에서 수학식 3을 실행함으로써, I 및 β의 관계없이, Voled를 산출할 수 있다는 것에는 변함이 없다.
(실시형태 2)
그 다음, 도 18~도 24를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다. 본 제 2 실시형태는, OLED의 경시 열화에 기인하는 계조 전압의 보정을 함에 있어서, OLED의 온도 상승에 기인하는 특성의 변화를 가미하여, 경시 열화에 기인하는 전류-전압 특성의 변화량을 구하는 것을, 특징으로 하고 있다.
도 18에 나타내는 바와 같이, OLED(10)의 전류-전압 특성에는 온도 의존성이 있고, 상온보다도 저온이면, 전압축에 따라서 고전압측으로 시프트하고, 상온보다도 고온이면, 저전압측으로 시프트하는 것이, 알려져 있다.그리고, OLED(10)는 자기 발열이나 구동 트랜지스터(11)의 발열에 의해 열을 갖기 때문에, 온도에 기인하는 전류-전압 특성의 변화의 영향을 받기 쉽다. 그러므로, OLED(10)의 애노드 전압의 변화에는, 경시 열화에 기인하는 성분과 온도 변화에 기인하는 성분이 혼재하고 있기 때문에, 애노드 전압의 변화를 감지하는 것은 양 성분을 식별하여, 경시 열화에 기인하는 전압-전류 특성의 변화량에만 기초하여 보상을 행할 수 없다는 문제가 있다.
예를 들어, 도 19(b)에 나타내는 실선이 상온 시의 전압-전류 특성 곡선이라 하고, 고온으로 되면, 전압-전류 특성 곡선이 일점쇄선으로 나타내는 위치까지 시프트한다. 이때, 소정의 계조 데이터에 대하여 계조 보정을 행하지 않고, 산출된 계조 전압(Vgs=Vdata-Vref-Vth)이 구동 트랜지스터(11)의 게이트에 인가되고, 그것에 따라서 해당 구동트랜지스터(11)가 전류(Ioled1)를 OLED(10)에 공급하게 되면, 산출되는 Voled는 상온 시에는 Voled1이고, 고온 시에는 Voled2로 된다. 여기서, 상술한 참조값은 공장 출하 시에 상온에서 측정된 Voled1이기 때문에, 고온 시에 Voled2가 측정되면, 마이너스 값의 ΔV가 산출되고, 이것에 기초하여 제어 회로(2)는 경시 열화에 기인한 전류-전압 특성과 전류-휘도 특성과 상관 관계를 고려하여, 도 19(a)의 파선으로 나타내는 전류-휘도 특성 직선을, 열화 후의 것으로 예측한다. 그러나, OLED(10)의 전류-휘도 특성은 온도 변화에 의해서는 변화하지 않기 때문에, 이 경우에는 전류-휘도 특성의 변화에 기초하는 계조 전압의 보정을 해서는 안 된다. 그것에도 관계없이, 제어 회로(2)가 예측 후의 전류-휘도 특성 직선에 기초하여 계조 전압의 보정을 하여 Ioled2를 OLED(10)에 공급하여 버리면, OLED(10)의 휘도가 L3로 되어 버리기 때문이다.
이와 같은, 온도 변화에 기인하는 전류-전압 특성 변화를 경시 열화에 기인하는 전류-전압 특성 변화와 식별하기 위해, 본 제 2 실시형태에서는 구동 트랜지스터(11)의 OFF 시에 있어서 리크 전류에 온도 의존성이 있다는 것에 착안하여 이러한 리크 전류를 사용하여 온도를 측정하고, 온도 변화에 기인한 전류-휘도 특성 변화량을 구하는 것이다.
본 제 2 실시형태에 있어서, 전기 광학 장치의 회로 구성은, 상술한 제 1 실시형태의 것과 같기 때문에, 그 설명을 생략한다.
도 20 내지 도 22의 플로우차트, 도 7 내지 도 1 5 및 도 23의 회로도를 사용하여, 본 제 2 실시형태의 제어 회로(2)에 의해 각 OLED(10)의 구동 회로에 대한 제어 내용을, 설명한다.
도 20 내지 도 22의 플로우차트에 나타내는 처리는 제 1 실시형태와 동일한 타이밍에서 스타트한다. 그리고, 제어 회로(2)는 처리가 스타트하여 최초의 S101 내지 S103에서는 도 4의 S001 내지 S003과 같은 처리를 실행한다.
다음의 S104에서는 제어 회로(2)는 발광 스위치 구동 신호(EM)의 전위를 L(발광 스위치 트랜지스터(12)=ON)로 전환한다(도 23 참조). 이 때, 구동 트랜지스터(11)는 OFF 인채이지만, 온도에 비례한 리크 전류를 흘려서, 발광 스위치 트랜지스터(12)를 통해 OLED(10)에 공급한다. 그 결과, OLED(10)의 애노드 전압은 구동 트랜지스터(11)의 소스-드레인 간의 임피던스와 OLED(10)의 임피던스에 의해 ELVDD와 ELVSS와의 전위차를 분압한 값(Vtemp)으로 된다. 여기서, 제어 회로(2)는 Vtemp가 정상 상태로 안정된 타이밍에서 전압계(241)에 의해 측정된 Vtemp를 받아들인다.
이어서, S105 내지 S110에서는 제어 회로(2)는 도 4의 S004 내지 S009와 같은 처리를 실행한다.
다음의 S111에서는 제어 회로(2)는 S104에서 측정한 Vtemp으로부터 S103에서 측정한 Vref를 감산함으로써, OLED(10)의 온도에대응한 리크 전류에 기인하는 OLED(10)의 애노드 전압의 상승분(ΔVtemp)를 산출한다.
다음 S112에서는 제어 회로(2)는 S111에서 산출한 ΔVtemp에 기초하여 온도를 산출한다. 이 S112에서의 온도 산출은, 미리 실험적으로 구한 ΔVtemp와 온도와의 변환식 또는 변환 테이블에, S111에서 산출한 ΔVtemp를 적용함으로써, 실행된다.
다음 S113에서는 제어 회로(2)는 S112에서 산출한 온도가 일정 범위 내인지 아닌지를 체크하고, 전자가 후자 범위 외이면, 계조 전압의 보정을 행하지 않고, 그 대로 처리를 종료하고, 전자가 후자 내이면, 처리를 S114로 진행한다. 여기서, 일정 범위 내라 함은 전기 광학 장치가 이용되는 환경의 온도일 수 있는 온도의 범위 내이다. 그 범위를 넘어선 경우에는, 원래 이상이 발생하고 있는 것으로 계조 전압의 보정은 거의 무의미하기 때문에, 처리를 중단한다.
S114에서는 제어 회로(2)는 S112에서 산출한 온도에 대응한 열화 전의 전압-전류 특성을 결정한다. 그 S114에서의 전압-전류 특성의 결정은 미리 실험적으로 구해 둔 온도와 Voled 시프트량과의 변환식 또는 변환 테이블에 S112에서 산출한 온도를 적용함으로써, 시프트량을 구함으로써, 실행된다.
다음의 S115에서는 제어 회로(2)는 S114에서 결정한 전압-전류 특성의 특성 곡선 상에 있어서 계조 전압(Vgs=Vdata-Vref-Vth)에 대응하여 구동 트랜지스터(11)가 공급하는 전류(Ioled1)에서의 Voled(참조값)를 결정한다. 구체적으로는, 대상 OLED에 대해서 프로그래밍한 계조 전압(Vgs=Vdata-Vref-Vth)에 대응하여 구동 트랜지스터(11)가 공급하는 전류(Ioled1)를 산출하고, 그 전류(Ioled1)에 대응하는 것으로서 출하 시에 있어서 실험적으로 구해 둔 Voled으로부터, S114에서 결정한 시프트량을 뺀다. 도 24(b)의 예에 있어서는, 실선은 열화 전의 OLED를 실온에서 동작시킨 경우의 전압-전류 특성 곡선을 나타내고, 일점쇄선이, S112에서 산출한 온도에 있어서 열화 전의 OLED의 것으로 하여 예측된 전압-전류 곡선을 나타내고 있다.
다음의 S116에서는 제어 회로(2)는 하기 수학식 6에 나타내는 바와 같이, S109에서 계측한Vsense'로부터 S103에서 계측한 Vsense를 빼고, 또한, 이미 알려진 Vref를 가산함으로써, Voled 실측값을 산출한다.
Figure 112014074542067-pat00007
도 24(b)의 예에 있어서는, 파선이 S112에서 산출한 온도에 있어서 열화 후의 OLED의 것으로 하여 예측된 전압-전류 곡선을 나타내고 있다.
다음의 S117에서는 제어 회로(2)는 S116에서 산출한 Voled실측값을, S115에서 결정한 참조값과 비교하여, 양자의 차 ΔV를 산출한다. 도 24(b)의 예에 있어서는, ΔV=Voled3-Voled2로 산출된다.
다음의 S118에서는 제어 회로(2)는 ΔV에 대응하는 열화 후의 전류-휘도 특성을 결정한다. 여기서, OLED(10)의 경시 열화에 기인하는 전압-전류 특성의 변화량과 전류-휘도 특성의 변화량과의 사이에는 상관 관계가 있기 때문에, 제어 회로(2)는 ΔV에 기초하여, 열화 후에 있어서 전류-휘도 특성 직선의, 열화 전의 경사각으로부터의 경사를 산출할 수 있기 때문이다.
다음의 S119에서는 제어 회로(2)는 열화 전후에 있어서 전류-휘도 특성의 경사의 차에 기초하여, Ioled의 보정 관계를 결정한다. 이 보정 관계는 OLED의 열화가 전류-휘도 특성의 경사의 차로 나타내기 때문에 비율로 표현할 수 있다.
다음의 S120에서는 제어 회로(2)는 S119에서 결정된 보정 관계에 기초하여, 계조 보정 함수를 결정한다.
다음의 S121에서는 제어 회로(2)는 다음 프레임의 계조 데이터(도 20 내지 도 22의 처리가 기동 시에만 실행되는 경우에는 이후에 있어서 입력되는 계조 데이터의 모두)에 대하여, 상술한 변환 계수에 의해 계조 전압으로의 변환 및 S120에서 결정한계조 보정 함수에 기초하여 보정을 실행한다. 또한, 실행 대상 행이 1행씩인 경우에는 실행 대상 행에 대하여는 이번의 도 20 내지 도 22의 처리중의 S120에서 결정한 계조 보정 함수에 기초하여 계조전압의 보정을 행하고, 실행 대상 행 이외의 행에 대하여는 과거에 실행한 도 20 내지 도 22의 처리중의 S120에서 결정한 계조 보정 함수가 있으면, 도시하지 않은 메모리에 기억되어 있는 해당계조 보정 함수에 기초하여 계조 전압의 보정을 행하지만, 그렇지 않으면, 보정을 행하지 않는다. S121의 완료 후, 제어 회로(2)는 도 20 및 도 22의 처리 전체를 종료한다.
이상과 같이 구성된 본 제 2 실시형태에 의하면, 구동 트랜지스터(11)의 리크 전류에 기초하여 온도가 산출되고, 산출된 온도에 기초하여, 그 온도에 있어서 열화 전의 OLED(10)의 전압-전류 특성이 예측되고, 그 예측된 전압 전류 특성 상의 전압과 실측값과의 사이의 차 ΔV가 산출되기 때문에, 온도에 기인하는 오작동이 확실하게 방지된다.
<변형예>
본 제 2 실시형태는 온도에 의존하여 전류-휘도 특성이 변화하지 않는 OLED 소자를 사용하는 전기 광학 장치이지만, 온도에 의존하여 전류-휘도 특성이 변화하는 OLED 소자를 사용하는 전기 광학 장치일지라도, 본 제 2 실시형태와 마찬가지로, 열화 전의 각 온도에 있어서 전류-전압 특성과 전류-휘도 특성 및 열화 후의 각 온도에 있어서 전류-전압 특성과 전류-휘도 특성과의 상관 관계가 사전에 알려져 있다면, 온도와 소정의 전류를 흐르게 한 때의 Voled를 측정함으로써, 보정은 가능하다.
(실시형태3)
도 25는 본 발명의 제 3 실시형태에 의해 전기 광학 장치의 화소 회로(1)를 구성하는 각 OLED(10) 용의 구동 회로의 회로도이다. 본 제 3 실시형태는 상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 비교하여, 구동 트랜지스터(11)의 Vth나 β 불균일을 보상하기 위한 회로를 구비하지 않는다. 그러나, 구동 트랜지스터(11)에 Vth나 β 불균일이 있는 경우에도 이러한 불균일은 외관상, OLED(10)의 휘도 특성의 변화로서 나타나기 때문에, OLED(10)의 경시 열화에 기인하는 전류-휘도 특성을 보상하는 프로세스를 실행함으로써, 동시에 보상되어 버리기 때문에, 지장은 없다.
본 제 3 실시형태에 있어서, 그 외의 구성 및 작용은 상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태의 것과 같기 때문에, 그 설명을 생략한다.
(실시형태 4)
도 26은 본 발명의 제 4 실시형태에 의해 전기 광학 장치의 화소 회로(1)를 구성하는 각 OLED(10) 용의 구동 회로의 회로도이다. 본 제 4 실시형태는 상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 비교하여, 제 2 주사 트랜지스터(17)의 드레인이 제 2 주사선(S2)에 다이오드 접속되어 있는 점만이 상이하고, 다른 구성을 공통으로 하고 있다. 따라서, 본 제 4 실시형태의 작용은 상술한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태의 것과 같기 때문에, 그 설명을 생략한다.
<변형예>
상술한 제 1 내지 제 4 실시형태는 모든 트랜지스터를 P 채널형 MOSFET로 구성하였으나, N 채널형 MOSFET로 구성하여, 필요한 변형을 행해도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
1: 화소 회로 2: 제어 회로
10: OLED 11: 구동 트랜지스터
14: 초기화 트랜지스터 16: 센싱 트랜지스터
17: 제 3의트랜지스터 21: 계조 데이터 보정 연산부
22: 계조 전압 생성부 23: 기준 전압 공급 회로
24: 전압 검출부 25: 스캔 신호 생성부
32: 제 2 용량 D: 데이터선
P: 제 1 전원선 S1: 제 1 주사선
S2: 제 2 주사선

Claims (12)

  1. 입력된 계조 데이터에 기초하는 계조 전압에 대응한 구동 전류를 발광 소자에 공급함으로써, 상기 발광 소자를 상기 계조 데이터에 대응한 휘도로 발광시키는 전기 광학 장치에 있어서,
    전원과 상기 발광 소자의 전극 사이에 전기적으로 접속되고, 상기 계조 전압이 선택적으로 게이트에 인가되고, 상기 계조 전압이 상기 게이트에 인가된 때에는 상기 인가된 계조 전압에 대응한 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 제 1 트랜지스터;
    상기 발광 소자의 상기 전극에 게이트가 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 전압계를 포함하는 회로에 소스 또는 드레인이 전기적으로 접속되어 있는 제 2 트랜지스터;
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 계조 전압을 인가한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 읽고, 상기 측정된 값에 기초하여, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 제어 회로; 및
    상기 발광 소자의 상기 전극에 선택적으로 기준 전압을 인가하는 제 3 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제어 회로는, 상기 발광 소자의 상기 전극에 상기 기준 전압을 인가하도록 상기 제 3 트랜지스터를 제어한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 제 1 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 계조 전압을 인가하는 동시에, 상기 발광 소자의 상기 전극에 상기 기준 전압을 인가하지 않도록 상기 제 3 트랜지스터를 제어한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 제 2 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 측정값과 상기 제 2 측정값과의 차이값에 기초하여, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에는 선택적으로 리세트 전압이 인가되고, 상기 리세트 전압이 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가되었을 때 상기 제어 회로는 상기 제 1 측정값를 읽는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 복수 개로 제공되고, 각 발광 소자는, 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들을 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 리세트 전압, 상기 계조 전압, 및 상기 기준 전압은, 공통의 데이터선을 통해 상기 제어 회로로부터 공급되고 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 전압계를 포함하는 회로는, 상기 데이터선을 통해 상기 제 2 트랜지스터에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제어 회로에 의해 제어되어 상기 데이터선과 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트 사이를 단속시키는 제 1 주사 트랜지스터와, 상기 제어 회로에 의해 제어되어 상기 전압계를 포함하는 상기 회로를 개폐시키는 제 2 주사 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트와 소스 사이에 전기적으로 접속되어 상기 리세트 전압 또는 상기 계조 전압을 유지하는 용량을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어 회로는, 상기 계조 전압을 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가한 때에 상기 제 1 트랜지스터가 상기 발광 소자에 공급하는 전류에 의한 열화 전의 상기 발광 소자의 상기 전극에 발생한 전압을 참조값으로 하고, 상기 참조값과 상기 차이값의 벗어남에 따라서, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 입력된 계조 데이터에 기초하는 계조 전압에 대응한 구동 전류를 발광 소자에 공급함으로써, 상기 발광 소자를 상기 계조 데이터에 대응한 휘도로 발광시키는 전기 광학 장치에 있어서,
    전원과 상기 발광 소자의 전극 사이에 전기적으로 접속되고, 상기 계조 전압 또는 리세트 전압이 선택적으로 게이트에 인가되고, 상기 계조 전압이 상기 게이트에 인가된 때에는 상기 인가된 계조 전압에 대응한 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하고, 상기 리세트 전압이 상기 게이트에 인가된 때에는 오프되는 제 1 트랜지스터;
    상기 발광 소자의 상기 전극에 게이트가 전기적으로 접속되어 있는 동시에, 전압계 및 전원을 포함하는 회로에 소스 또는 드레인이 전기적으로 접속되어 있는 제 2 트랜지스터; 및
    상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 리세트 전압을 인가한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 온도 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 계조 전압을 인가한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 전압 측정값으로 하여 읽고, 상기 온도 측정값에 기초하여 상기 전압 측정값을 보정하고, 상기 전압 측정값에 기초하여, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 제어 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 발광 소자의 상기 전극에 선택적으로 기준 전압을 인가하는 제 3 트랜지스터를 더 구비하고,
    상기 제어 회로는, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 리세트 전압을 인가한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 제 3 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 상기 리세트 전압을 인가하고, 또한, 상기 발광 소자의 상기 전극에 상기 기준 전압을 인가하도록 상기 제 3 트랜지스터를 제어한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 제 1 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에상기 계조 전압을 인가하는 동시에, 상기 발광 소자의 상기 전극에 상기 기준 전압을 인가하지 않도록 상기 제 3 트랜지스터를 제어한 상태에서, 상기 전압계의 측정값을 제 2 측정값으로 하여 읽고, 상기 제 1 측정값과 상기 제 2 측정값과의 차이값를 산출하고, 상기 제 3 측정값에 기초하여 상기 차이값을 보정하고, 상기 차이값에 기초하여, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어 회로는, 상기 계조 전압을 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가한 때에 상기 제 1 트랜지스터가 상기 발광 소자에 공급하는 전류에 의한 열화전의 상기 발광 소자의 상기 전극에 발생한 전압을 상기 제 3 측정값에 기초하여 시프트한 값을 참조값으로 하고, 상기 참조값과 상기 차이값의 벗어남에 따라서, 이후, 상기 제 1 트랜지스터의 상기 게이트에 인가하는 상기 계조 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9245935B2 (en) * 2013-04-02 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR102366568B1 (ko) * 2015-06-11 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
CN105489168B (zh) * 2016-01-04 2018-08-07 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、像素驱动方法和显示装置
CN106847182A (zh) * 2016-12-28 2017-06-13 深圳市华星光电技术有限公司 像素驱动电路及有机发光显示装置
US10636355B2 (en) * 2017-03-17 2020-04-28 Apple Inc. Early pixel reset systems and methods
CN107818768B (zh) * 2017-10-10 2019-09-17 惠科股份有限公司 显示装置的驱动方法与驱动装置
CN107516484B (zh) * 2017-10-18 2019-10-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Amoled外部电学补偿侦测方法
KR102414276B1 (ko) * 2017-11-16 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109166526B (zh) * 2018-10-19 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种温度补偿方法及装置、显示装置
CN111010763B (zh) * 2019-11-29 2021-06-25 广州市雅江光电设备有限公司 一种大功率led恒流驱动装置的调光方法
CN110996441B (zh) * 2019-11-29 2021-06-25 广州市雅江光电设备有限公司 一种led驱动装置的调光方法
US11087682B2 (en) * 2019-12-27 2021-08-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method, apparatus, and system of compensating an OLED in a display panel for efficiency decay
US11257407B2 (en) * 2020-04-23 2022-02-22 Facebook Technologies, Llc Display diagnostic system
KR20220034971A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치
WO2023026369A1 (ja) * 2021-08-24 2023-03-02 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
KR20230127383A (ko) * 2022-02-24 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 표시 장치
CN114755858A (zh) * 2022-03-29 2022-07-15 咸阳博凯樾电子科技有限公司 一种led背光面板及led面板

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57118575U (ko) 1981-01-14 1982-07-23
JPS5924479A (ja) 1982-08-02 1984-02-08 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気デイスクカ−トリツジ
US4877261A (en) 1988-06-30 1989-10-31 Heisson Gary J Fluid waste transporter
JP4593868B2 (ja) 2002-05-14 2010-12-08 ソニー株式会社 表示装置およびその駆動方法
US6995519B2 (en) * 2003-11-25 2006-02-07 Eastman Kodak Company OLED display with aging compensation
US7502000B2 (en) * 2004-02-12 2009-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Drive circuit and image forming apparatus using the same
CA2504571A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-12 Ignis Innovation Inc. A fast method for compensation of non-uniformities in oled displays
US20080048951A1 (en) * 2006-04-13 2008-02-28 Naugler Walter E Jr Method and apparatus for managing and uniformly maintaining pixel circuitry in a flat panel display
CA2556961A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP2008139861A (ja) * 2006-11-10 2008-06-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置、および有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法
WO2009017122A1 (ja) * 2007-07-30 2009-02-05 Kyocera Corporation 画像表示装置
KR100893482B1 (ko) * 2007-08-23 2009-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP4530017B2 (ja) 2007-09-26 2010-08-25 ソニー株式会社 表示装置、表示駆動方法
JP5254998B2 (ja) * 2008-01-07 2013-08-07 パナソニック株式会社 表示装置及び駆動方法
JP2009168927A (ja) 2008-01-11 2009-07-30 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4877261B2 (ja) 2008-03-31 2012-02-15 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその駆動制御方法
WO2010001590A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 パナソニック株式会社 表示装置及びその制御方法
KR20100034560A (ko) * 2008-09-24 2010-04-01 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP5302915B2 (ja) * 2009-03-18 2013-10-02 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置及び制御方法
US8339386B2 (en) 2009-09-29 2012-12-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device aging compensation with reference subpixels
JP2011095720A (ja) * 2009-09-30 2011-05-12 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器
KR101388286B1 (ko) * 2009-11-24 2014-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
KR101073226B1 (ko) * 2010-03-17 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9351368B2 (en) * 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3293726B1 (en) * 2011-05-27 2019-08-14 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays

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Publication number Publication date
US20150054722A1 (en) 2015-02-26
JP2015043041A (ja) 2015-03-05
KR20150024253A (ko) 2015-03-06
US9576530B2 (en) 2017-02-21

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