KR102197996B1 - 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제조가 용이하면서도 안정성이 높은 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지를 위하여, 양극판과 음극판과 양극판과 음극판 사이에 개재된 분리막을 갖는 전극조립체를 준비하는 단계와, 전극조립체에 전해액을 함침시킨 후 전극조립체를 냉동시키는 단계와, 냉동된 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계와, 전극조립체를 꺼낸 후 전극조립체 표면의 액상의 고분자물질을 경화시키는 단계를 포함하는, 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지를 제공한다.

Description

이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지{Method for manufacturing secondary battery and secondary battery manufactured by the same}
본 발명의 실시예들은 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제조가 용이하면서도 안정성이 높은 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지에 관한 것이다.
이차전지는 충전이 불가능한 일차전지와는 달리 충전 및 방전이 가능한 전지로서, 휴대폰, 노트북 컴퓨터, 캠코더 등의 첨단 전자기기 분야에서 널리 사용되고 있다. 특히, 리튬 이차전지는 니켈-카드뮴전지나 니켈-수소전지와 같은 종래의 이차전지보다 작동전압이 높고 단위 중량 당 에너지 밀도가 높다. 그러나 이러한 리튬 이차전지의 종래의 제조방법의 경우 제조과정이 복잡하고 제조된 이차전지를 사용하는 과정에서 안정성이 낮다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제조가 용이하면서도 안정성이 높은 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 양극판과 음극판과 양극판과 음극판 사이에 개재된 분리막을 갖는 전극조립체를 준비하는 단계와, 전극조립체에 전해액을 함침시킨 후 전극조립체를 냉동시키는 단계와, 냉동된 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계와, 전극조립체를 꺼낸 후 전극조립체 표면의 액상의 고분자물질을 경화시키는 단계를 포함하는, 이차전지 제조방법이 제공된다.
상기 전극조립체를 냉동시키는 단계는, 전극조립체를 급속냉동시키는 단계일 수 있다.
상기 전극조립체를 냉동시키는 단계는, 전극조립체를 전해액에 침지시키고 건져낸 후 냉동시키는 단계일 수 있다.
상기 전극조립체를 준비하는 단계는 일측에 돌출된 두 개의 전극단자들을 갖는 전극조립체를 준비하는 단계이고, 상기 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계는 전극조립체의 두 개의 전극단자들을 제외한 부분을 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계일 수 있다.
상기 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계는, 냉동된 전극조립체를 액상의 에폭시에 침지시키는 단계일 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 양극판과 음극판과 양극판과 음극판 사이에 개재된 분리막을 갖는 전극조립체와, 적어도 상기 전극조립체의 상기 양극판과 상기 음극판 사이에 위치한 전해액과, 상기 전극조립체 외측 표면을 덮으며 내면이 상기 전극조립체와 직접 컨택하는 고분자물질층을 구비하는, 이차전지가 제공된다.
상기 고분자물질층은 두께가 균일할 수 있다.
상기 전극조립체는 일측에 돌출된 두 개의 전극단자들을 갖고, 상기 고분자물질층은 상기 전극조립체 외측 표면의 두 개의 전극단자들을 제외한 부분을 덮을 수 있다.
이 경우 상기 고분자물질층의 상기 전극조립체의 타측 부분의 두께는 다른 부분의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 고분자물질층은 에폭시를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제조가 용이하면서도 안정성이 높은 이차전지 제조방법 및 이에 따라 제조된 이차전지를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 이차전지를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 이차전지를 개략적으로 도시하는 개념도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지 제조방법의 공정들을 개략적으로 도시하는 사시도들이다.
먼저 도 1에 도시된 것과 같이, 양극판(10)과 음극판(30) 사이에 분리막(20)이 개재되도록 한 후, 권취심(40)을 중심으로 이 양극판(10), 음극판(30) 및 분리막(20)을 권취한다. 물론 도 1에 도시된 것과 같이 양극판(10)과 음극판(30) 사이에 분리막(20)이 개재되도록 하는 것에 그치지 않고, 최외각에도 분리막(20)이 위치하도록 한 상태에서 이들을 권취할 수도 있다.
양극판(10)은 일면 또는 양면에 양극 활물질(11)이 코팅된 양극 집전체(13)와 양극 리드(12)를 포함한다. 양극 활물질(11)은 리튬계 산화물을 포함할 수 있다. 양극 리드(12)는 양극 활물질(11)이 코팅되어 있지 않은 양극 집전체(13)의 무지부(13a)에 용접 등의 방식을 통해 접합된다. 이 양극 리드(12)는 도시된 것과 같이 일 방향(+z 방향)에 있어서 양극 집전체(13) 외측으로 돌출되어 있다.
음극판(30)은 일면 또는 양면에 음극 활물질(31)이 코팅된 음극 집전체(33)와 음극 리드(32)를 포함한다. 음극 활물질(31)은 탄소재를 포함할 수 있다. 음극 리드(32)는 음극 활물질(31)이 코팅되어 있지 않은 음극 집전체(33)의 무지부(33a)에 용접 등의 방식을 통해 접합된다. 이 음극 리드(32)는 도시된 것과 같이 일 방향(+z 방향)에 있어서 음극 집전체(33) 외측으로 돌출되어 있다.
이와 같은 양극판(10), 음극판(30) 및 분리막(20)을 z축 방향으로 연장된 권취심(40)을 중심으로 권취하고 이후 권취심(40)을 제거하여, 도 2에 도시된 것과 같이 전극조립체(1)를 준비한다. 이때, 양극판(10)의 전극단자인 양극 리드(12)의 일부와 음극판(30)의 전극단자인 음극 리드(32)의 일부가 동일한 방향(도 1에서는 +z 방향)에 위치하도록 양극판(10)과 음극판(30) 등을 정렬하고 권취함으로써, 도 2에 도시된 것과 같이 양극판(10)의 전극단자인 양극 리드(12)의 양극 집전체(13) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부와 음극판(30)의 전극단자인 음극 리드(32)의 음극 집전체(33) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부가 모두 전극조립체의 일측(+z 방향)에 위치하도록 할 수 있다.
이후, 전극조립체(1) 내부에 액상의 전해액을 함침시킨 후 전극조립체(1)에 함침된 전해액을 냉동시킨다. 예컨대 전극조립체(1)를 전해액에 침지시킴으로써 전해액이 전극조립체(1)에 함침되도록 할 수 있다.
이와 같이 전극조립체(1) 내부에 액상의 전해액을 함침시킨 후, 전해액이 함침된 상태에서 전극조립체(1)를 냉동시킨다. 즉, 함침된 전해액을 냉동시킨다. 예컨대 전극조립체(1)를 액상의 전해액에 침지시키고 건져낸 후 냉동시킬 수 있다. 이 냉동은 전극조립체(1)에 함침된 전해액이 일시적으로 외부로 누출되지 않도록 하기 위한 것으로, 이를 위해 전극조립체(1)를 급속냉동시킬 수 있다. 이러한 냉동은 예컨대 전해액이 함침된 전극조립체(1)를 액체질소에 침지시킴으로써 이루어질 수 있다.
이어서, 함침된 전해액이 냉동된 전극조립체(1)를 도 3에 도시된 것과 같이 용기(60)에 담긴 액상의 고분자물질(62)에 침지시킨다. 여기서 액상의 고분자물질(62)은 예컨대 액상의 에폭시 수지일 수 있다.
함침된 전해액이 냉동된 전극조립체(1)를 액상의 고분자물질(62)에 침지시킬 시, 도 3에 도시된 것과 같이 전극조립체(1)의 양극 리드(12)와 음극 리드(32), 즉 두 개의 전극단자들을 제외한 부분을 액상의 고분자물질(62)에 침지시킬 수 있다. 이후 전극조립체(1)를 액상의 고분자물질(62)에서 꺼내 액상의 고분자물질(62)을 경화시키면, 도 4에 도시된 것과 같이 전극조립체(1)의 외측 표면을 고분자물질층(50)이 감싸는 이차전지를 제조하게 된다. 이때 양극 리드(12)의 적어도 일부와 음극 리드(32)의 적어도 일부는 고분자물질층(50)에 의해 덮이지 않고 외부로 노출된다.
이와 같은 본 실시예에 따른 이차전지 제조방법에 따르면, 이차전지를 용이하게 제조할 수 있다. 예컨대 전극조립체를 준비한 후 이를 캔 등의 케이스에 삽입한 후 전해액을 주입하는 것을 고려할 수 있는데, 이 경우 전해액이 전극조립체 내부로 충분히 함침되도록 하는 것이 용이하지 않거나 장시간이 소요된다는 문제점이 발생한다. 그러나 본 실시예에 따른 이차전지 제조방법의 경우, 도 2에 도시된 것과 같은 전극조립체(1)를 준비한 후 이를 캔 등의 케이스에 삽입하지 않은 채 액상의 전해액에 침지시킴으로써 전극조립체(1)에 전해액을 함침시킨다. 이에 따라 전극조립체(1) 내부로 전해액이 단시간에 충분히 함침되도록 할 수 있다.
아울러 전극조립체를 준비한 후 이를 캔 등의 케이스에 삽입한 후 전해액을 주입한다면, 전극조립체의 삽입이나 전해액의 주입 등을 고려하여 케이스와 전극조립체 사이에 빈 공간이 존재할 수밖에 없다. 이에 따라 이차전지의 전체적인 체적이 증가하기에, 박형의 이차전지를 제조할 수 없다는 문제점이 발생한다. 그러나 본 실시예에 따른 이차전지 제조방법의 경우, 전해액이 함침된 상태에서 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키고, 이후 전극조립체를 꺼내 표면의 고분자물질을 경화시킴으로써 전극조립체의 표면 상에 고분자물질층이 형성되도록 한다. 이에 따라 케이스 역할을 하는 고분자물질층이 전극조립체와 직접 컨택하는바, 따라서 이차전지의 전체적인 볼륨을 획기적으로 줄일 수 있다. 특히 전해액이 함침된 상태에서 이차전지의 외형을 이루는 케이싱, 즉 고분자물질층 형성이 이루어지기에, 전해액 주입을 위한 공간을 별도로 고려할 필요가 없다. 따라서 이차전지의 전체적인 볼륨을 획기적으로 줄일 수 있다. 또한 그러한 빈 공간의 절대적인 감소에 따라, 이차전지를 추후 사용하는 과정에서의 가스 발생으로 인한 스웰링(swelling) 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다.
한편, 전극조립체에 전해액을 함침시킨 후 이를 냉동시키지 않고 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키는 것을 고려할 수도 있다. 그러나 이 경우 제조과정에서 고분자물질층이 형성되기 전에 전극조립체에 함침된 전해액이 외부로 누출되어 불량을 야기할 수 있다. 따라서 전극조립체에 전해액을 함침시키고 이를 냉동시킨 상태에서 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키는 것이 바람직하다. 물론 전극조립체가 액상의 고분자물질에 침치된 상태 또는 액상의 고분자물질에 침지된 후 건져내진 상태에서, 전해액은 액화될 수 있다.
양극 리드(12)의 적어도 일부와 음극 리드(32)의 적어도 일부는 고분자물질층(50)에 의해 덮이지 않고 외부로 노출되어야, 추후 이차전지를 사용할 시 이 양극 리드(12)의 노출된 부분과 음극 리드(32)의 노출된 부분을 통해 이차전지의 충방전이 일어나도록 할 수 있다. 따라서 도 3에 도시된 것과 같이 전극조립체(1)를 액상의 고분자물질에 침지시킬 시, 양극 리드(12)의 적어도 일부와 음극 리드(32)의 적어도 일부가 동시에 액상의 고분자물질에 침지되지 않도록 해야 한다. 이를 위해 양극판(10)의 전극단자인 양극 리드(12)의 양극 집전체(13) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부와 음극판(30)의 전극단자인 음극 리드(32)의 음극 집전체(33) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부가 모두 전극조립체(1)의 일측(+z 방향)에 위치하도록 할 수 있다.
이와 같은 제조방법에 의해 제조된 이차전지의 경우, 도 4에 도시된 것과 같이 고분자물질층(50)의 두께가 균일하도록 할 수 있다. 그러나 일반적인 경우에는 도 5에 도시된 것과 같이 전극조립체(1)의 두 개의 전극단자들(12, 32)이 위치한 부분의 반대 부분인 타측(-z 방향) 부분에서의 고분자물질층(50)의 두께(t2)는, 전극조립체(1)의 두 개의 전극단자들(12, 32)이 위치한 부분과 상기 반대 부분 사이의 중간 부분에서의 고분자물질층(50)의 두께(t1)보다 더 두꺼울 수 있다. 이는 양극판(10)의 전극단자인 양극 리드(12)의 양극 집전체(13) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부와 음극판(30)의 전극단자인 음극 리드(32)의 음극 집전체(33) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부가 고분자물질층(50)으로 덮이지 않도록 하기 위해 전극조립체(1)의 일측(+z 방향)에 위치하므로, 전극조립체(1)를 액상의 고분자물질에 침지시킨 후 꺼낼 시 중력 등에 의해 자연스럽게 전극조립체(1)의 타측(-z 방향)에 더 많은 양의 액상의 고분자물질이 잔존하게 되기 때문이다.
물론 본 발명은 양극판(10)과 음극판(20)을 권취하여 전극조립체(1)를 준비하는 것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 양극판과, 음극판과, 양극판과 음극판 사이에 개재되도록 위치한 분리막이 적층되고, 양극 리드(112, 도 6 참조)와, 음극 리드(132, 도 6 참조)를 가지며, 납작한 평판 형태의 전극조립체를 준비할 수도 있다. 그리고 이러한 납작한 형태의 전극조립체에 전해액을 함침시킨 후 냉동시키고, 함침된 전해액이 냉동된 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키며, 전극조립체를 꺼낸 후 전극조립체 표면의 액상의 고분자물질을 경화시킴으로써, 도 6에 도시된 것과 같은 이차전지를 제조할 수 있다. 이 경우에도 양극 리드(112)의 적어도 일부와 음극 리드(132)의 적어도 일부는 고분자물질층에 의해 덮이지 않고 외부로 노출되도록 할 수 있다.
지금까지는 이차전지 제조방법에 대해 설명하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 이와 같은 제조방법으로 제조된 이차전지 역시 본 발명의 권리범위에 속한다.
예컨대 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지의 경우, 분리막(20)을 사이에 두고 양극판(10)과 음극판(20)이 권취된 전극조립체(1)와, 이 전극조립체(1)의 적어도 양극판(10)과 음극판(20) 사이에 전해액과, 고분자물질층(50)을 구비한다. 이 고분자물질층(50)은 전극조립체(1) 외측 표면을 덮으며, 고분자물질층(50)의 내면이 전극조립체(1)와 직접 컨택하도록 할 수 있다. 이와 같은 고분자물질층(500은 에폭시를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 실시예에 다른 이차전지의 경우, 케이스 역할을 하는 고분자물질층(50)이 전극조립체(1)와 직접 컨택하는바, 따라서 이차전지의 전체적인 볼륨을 획기적으로 줄일 수 있다. 또한 이차전지 내의 빈 공간의 절대적인 감소에 따라, 이차전지를 추후 사용하는 과정에서의 가스 발생으로 인한 스웰링(swelling) 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다. 본 실시예에 따른 이차전지의 구조를 채택할 경우, 전술한 것과 같은 제조 과정에서의 효과를 가질 수 있음은 물론이다.
한편, 고분자물질층(50)은 도 4에 도시된 것과 같이 그 두께가 균일할 수도 있다. 또는, 도 5에 도시된 것과 같이 고분자물질층(50)의 전극조립체(1)의 타측(-z 방향) 부분의 두께(t2)는 다른 부분의 두께(t1)보다 더 두꺼울 수 있다. 이는 양극판(10)의 전극단자인 양극 리드(12)의 양극 집전체(13) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부와 음극판(30)의 전극단자인 음극 리드(32)의 음극 집전체(33) 외측으로 돌출된 부분의 적어도 일부가 고분자물질층(50)으로 덮이지 않도록 하기 위해 전극조립체(1)의 일측(+z 방향)에 위치하므로, 전극조립체(1)를 액상의 고분자물질에 침지시킨 후 꺼낼 시 중력 등에 의해 자연스럽게 전극조립체(1)의 타측(-z 방향)에 더 많은 양의 액상의 고분자물질이 잔존하게 되기 때문이다.
지금까지 이차전지의 전극조립체(1)의 형상이 원형인 것으로 설명하고 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 전극조립체(1)는 납작하게 눌린 형상일 수도 있다. 예컨대, 본 발명의 일 실시예에 따른 이차전지는 양극판과, 음극판과, 양극판과 음극판 사이에 개재되도록 위치한 분리막이 적층되고, 양극 리드(112, 도 6 참조)와, 음극 리드(132, 도 6 참조)를 가지며, 납작한 평판 형태의 전극조립체를 가질 수 있다. 그리고 고분자물질층이 이러한 납작한 형태의 전극조립체의 외측 표면을 덮으며 내면이 전극조립체와 직접 컨택하도록 할 수 있다. 물론 이 경우에도 양극 리드(112)의 적어도 일부와 음극 리드(132)의 적어도 일부는 고분자물질층에 의해 덮이지 않고 외부로 노출되도록 할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 양극판 11: 양극 활물질
12: 양극 리드 13: 양극 집전체
20: 분리막 30: 음극판
31: 음극 활물질 32: 음극 리드
33: 음극 집전체 40: 권취심

Claims (10)

  1. 양극판, 음극판 및 양극판과 음극판 사이에 개재된 분리막을 갖는 전극조립체를 준비하는 단계;
    전극조립체 내부에 전해액을 함침시킨 후 전극조립체에 함침된 전해액을 냉동시키는 단계;
    함침된 전해액이 냉동된 전극조립체를 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계; 및
    전극조립체를 꺼낸 후 전극조립체 표면의 액상의 고분자물질을 경화시키는 단계;
    를 포함하는, 이차전지 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉동시키는 단계는, 전해액이 함침된 전극조립체를 액체질소에 침지시켜 전극조립체에 함침된 전해액을 냉동시키는 단계인, 이차전지 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉동시키는 단계는, 전극조립체를 전해액에 침지시키고 건져낸 후 전극조립체에 함침된 전해액을 냉동시키는 단계인, 이차전지 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극조립체를 준비하는 단계는 일측에 돌출된 두 개의 전극단자들을 갖는 전극조립체를 준비하는 단계이고, 상기 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계는 전극조립체의 두 개의 전극단자들을 제외한 부분을 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계인, 이차전지 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 액상의 고분자물질에 침지시키는 단계는, 함침된 전해액이 냉동된 전극조립체를 액상의 에폭시에 침지시키는 단계인, 이차전지 제조방법.
  6. 양극판, 음극판 및 양극판과 음극판 사이에 개재된 분리막을 가지며, 일측에 돌출된 두 개의 전극단자들을 갖는, 전극조립체;
    적어도 상기 전극조립체의 상기 양극판과 상기 음극판 사이에 위치한 전해액; 및
    상기 전극조립체의 외측 표면의 상기 두 개의 전극단자들을 제외한 부분을 덮으며, 내면이 상기 전극조립체와 직접 컨택하는, 고분자물질층;
    을 구비하고,
    상기 전극조립체의 상기 두 개의 전극단자들이 위치한 부분의 반대 부분에서의 상기 고분자물질층의 두께는, 상기 전극조립체의 상기 두 개의 전극단자들이 위치한 부분과 상기 반대 부분 사이의 중간 부분에서의 상기 고분자물질층의 두께보다 두꺼운, 이차전지.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서,
    상기 고분자물질층은 에폭시를 포함하는, 이차전지.
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