KR102192943B1 - Cigs 태양전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양전지를 개시한다. 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층과, 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층과, 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층과, 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO1 - xSx를 포함하고, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 수 있다.

Description

CIGS 태양전지{CIGS solar cell}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 구체적으로 CIGS 태양전지에 관한 것이다.
CuIn1-xGaxSe2(이하, "CIGS"라고 함)인 사원계 박막 또는 삼원계 박막은 화합물 반도체를 주로 태양전지에 활용하고 있다. 이들 CIGS 태양전지는 기존의 실리콘을 사용하는 태양전지와는 달리 2~3 마이크로미터 정도의 두께로 제작 가능하고 장시간 사용시 안정적인 특성을 가지고 있다. 또한 실험적으로 최고 변환 효율이 20.6%로 다른 태양전지에 비해 월등히 뛰어나 실리콘을 대체할 수 있는 저가 고효율의 태양전지를 제공할 수 있다. CIGS 태양전지를 구성하는 버퍼 층은 주로 CdS를 포함할 수 있다.
CdS는 II-Ⅵ족 화합물로서 안정적인 물성을 갖는다. 그러나, CdS는 밴드갭이 2.4 eV이기 때문에 500 nm의 단파장에서 버퍼 층의 투과 손실을 발생시킬 수 있다. ZnS는 CdS를 대체하여 버퍼 층으로 사용되었다. 그럼에도 불구하고, ZnS는 밴드갭이 3.8 eV까지 달하기 때문에 CIGS (1.0 eV)와 완만한 밴드정렬을 갖지 못한다. 또한, ZnS는 2nd barrier에 의해 높은 저지전류를 가질 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 밴드 정렬되고, 저지 전류를 최소화할 수 있는 태양전지를 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층; 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층; 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층; 및 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO1 - xSx를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 x의 값은 0.5 내지 0.15일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 x의 값이 0.5인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 광 흡수 층에 접합되고, 상기 x의 값이 0.15인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 상부 전극 층에 접합될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 가변 에너지 밴드 갭은 상기 x의 값에 따라 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 상기 제 2 에너지 밴드 갭 사이의 기울기를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 x의 값은 0.5 내지 0.9일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 x의 값이 0.5인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 광 흡수 층에 접합되고, 상기 x의 값이 0.9인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 상부 전극 층에 접합될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 버퍼 층은 Zn SexTe1 -x, ZnSxTe1 -x, ZnSxSe1-x, Zn1 - xMgxO, ZnSe, InxSey, ZnInxSey를 더 포함할 수 있다. 상기 y는 0 내지 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 때, 상기 가변 에너지 밴드 갭은 활 모양을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 광 흡수 층은 상기 가변 에너지 밴드 갭보다 작은 제 1 에너지 밴드 갭을 갖고, 상기 상부 전극 층은 상기 가변 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 버퍼 층과 상기 광 흡수 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 상기 가변 에너지 밴드 갭의 차이에 의한 컨덕션 밴드 오프셋을 가질 수 있다. 상기 컨덕션 밴드 오프셋은 0.3전자 볼트 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 하부 전극 층은 몰리브덴을 포함하는 태양전지.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 광 흡수 층은 CIGS를 포함할 수 있다. 상기 상부 전극 층은 ITO를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 CIGS 태양전지는 광 흡수 층, 버퍼 층, 및 상부 전극 층을 포함할 수 있다. 광 흡수 층과 상부 전극 층은 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)과 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)을 각각 가질 수 있다. 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)은 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)보다 낮을 수 있다. 버퍼 층은 상부 전극 층과 광 흡수 층 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 층은 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)과 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52) 사이의 가변 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32), 가변 에너지 밴드 갭, 및 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)은 일정한 기울기로 밴드 정렬될 수 있다. 가변 에너지 밴드 갭은 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32) 및 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)에 각각 일치될 수 있다. 버퍼 층은 광 흡수 층, 및 상부 전극 층 사이의 저지 전류를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 CIGS 태양전지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 CIGS 태양전지의 에너지 밴드 다이아그램이다.
도 3은 도 1의 ZnO1 - xSx의 버퍼 층의 가변 에너지 밴드 갭을 나타내는 그래프이다.
도 4는 활 모양의 가변 에너지 밴드 갭을 개념적으로 나타내는 에너지 그래프이다.
도 5는 기울기를 갖는 가변 에너지 밴드 갭을 개념적으로 나타내는 에너지 그래프이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 CIGS 태양전지를 보여준다. 도 2는 도 1의 광 흡수 층(30), 버퍼 층(40), 및 상부 전극 층(50) 각각의 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32), 가변 에너지 밴드 갭(42), 및 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)을 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 CIGS 태양전지는 기판(10), 하부 전극 층(20), 광 흡수 층(30), 버퍼 층(40), 상부 전극 층(50), 및 그리드(60)를 포함할 수 있다.
기판(10)은 투명한 글래스, 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
하부 전극 층(20)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 하부 전극 층(20)은 투명 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 전극 층(20)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
광 흡수 층(30)은 하부 전극 층(20) 상에 배치될 수 있다. 광 흡수 층(30)은 태양광을 흡수할 수 있다. 광 흡수 층(30)은 전력을 생성할 수 있다. 일 예에 따르면, 광 흡수 층(30)은 CIGS를 할 수 있다. CIGS는 약 1eV 내지 약 1.2eV 정도의 제 1 고정(fixed) 에너지 밴드 갭(32)을 가질 수 있다. 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)은 광 흡수 층(30)의 가전자대(Ev)와 전도대(Ec) 사이에 있을 수 있다. 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)은 광 흡수 층(30)의 재질에 따라 일정한 값을 가질 수 있다.
광 흡수 층(30) 내의 셀레늄(Se)은 하부 전극 층(20) 내에 확산될 수 있다. 하부 전극 층(20)은 몰리브덴 셀레늄(MoSe2)을 포함할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경될 수 있다. 예를 들어, 광 흡수 층(30)은 CIS(CuInSe2) 또는 CGS(CuGaSe2)를 포함할 수 있다.
버퍼 층(40)은 광 흡수 층(30) 상에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 버퍼 층(40)은 화학기상증착방법 또는 물리기상증착방법으로 형성된 ZnO1 - xSx를 포함할 수 있다. ZnO1 - xSx는 Wurtzite 결정 구조를 가질 수 있다. ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 화학기상증착방법 또는 물리기상증착방법으로 형성될 수 있다. 버퍼 층(40)은 가변(variable) 에너지 밴드 갭 (42)을 가질 수 있다. 가변 에너지 밴드 갭(42)은 ZnO1 -xSx의 버퍼 층(40)의 x 값에 따라 변화될 수 있다. 이에 대한 설명은 후속에서 기술될 것이다.
상부 전극 층(50)은 버퍼 층(40) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극 층(50)은 투명 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상부 전극 층(50)은 ITO(InSnO) 또는 IZO(InZnO)를 포함할 수 있다. ITO는 약 3.3eV 내지 약 3.6eV 정도의 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)을 가질 수 있다.
그리드(60)는 상부 전극 층(50) 상에 배치될 수 있다. 그리드(60)는 그물망(mesh), 삼지창, 또는 왕자 모양으로 형성될 수 있다. 그리드(60)는 CIGS 태양전지의 단위 셀(unit cell)을 정의할 수 있다.
한편, 버퍼 층(40)은 상부 전극 층(50)과 광 흡수 층(30) 사이의 에너지 밴드 갭을 정합(matching)시킬 수 있다. 또한, 버퍼 층(40)의 가변 에너지 밴드 갭(42)은 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32), 및 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)에 각각 정렬(band align)될 수 있다. 밴드 정렬은 정합(matching)에 대응될 수 있다.
또한, 상부 전극 층(50)의 전도대(Ec)는 페르미 에너지 레벨(EF)과 가까울 수 있다. 버퍼 층(40)과 광 흡수 층(30)의 접합 부분에서 에너지 밴드 다이아 그램은 휘어질(bended) 수 있다. 가변 에너지 밴드 갭(42)은 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)보다 클 수 있다. 또한, 버퍼 층(40)과 광 흡수 층(30) 사이에 컨덕션 밴드 오프셋(?Ec)이 발생될 수 있다. 컨덕션 오프셋(?Ec)은 가변 에너지 밴드 갭(42)과 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)의 차이에 의해 생성될 수 있다. 예를 들어, 컨덕션 오프셋(?Ec)은 0.3eV 이하일 수 있다. 이상적으로, 컨덕션 오프셋(?Ec)은 0~0.4eV일 수 있다.
광 흡수 층(30), 버퍼 층(40), 및 상부 전극 층(50)의 에너지 밴드 갭들은 순차적으로 증가될 수 있다. 가변 에너지 밴드 갭(42)은 광 흡수 층(30)의 제 1 고정 에너지 밴드 갭(32)과, 상부 전극 층(50)의 제 2 고정 에너지 밴드 갭(52)들 사이에서 변화될 수 있다. 버퍼 층(40)은 상부 전극 층(50)과 광 흡수 층(30) 사이의 저지 전류를 최소화할 수 있다.
도 3은 ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)의 가변 에너지 밴드 갭(42)을 나타내는 그래프이다.
도 3을 참조하면, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 황(S)의 양에 따라 변화되는 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다. 여기서, 가로 축은 S의 함유량을 나타내고, 세로 축은 에너지 밴드 갭을 나타낸다.
예를 들어, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 x의 값이 약 0.15 내지 약 0.9일 때, 약 2.8eV 내지 약 3.4eV정도의 가변 에너지 밴드 갭(42)을 가질 수 있다. 따라서, 가변 에너지 밴드 갭(42)은 ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40) 내의 황(S) 함량에 따라 변화될 수 있다.
일 예에 따르면, 버퍼 층(40)은 Zn SexTe1 -x, ZnSxTe1 -x, ZnSxSe1 -x, 또는 Zn1-xMgxO을 더 포함할 수 있다. Zn SexTe1 -x, ZnSxTe1 -x, 및 ZnSxSe1 -x는 x의 값에 따라 버퍼 층(40)의 가변 에너지 밴드 갭(42)이 변화될 수 있다. 또한, Zn1 - xMgxO의 버퍼 층(40)은 성장 온도 160℃에서부터 고온 에서 안정한 Wurtzite 구조가 형성될 수 있다. Zn1 - xMgxO의 버퍼 층(40)은 x의 값에 따라 3.2eV 내지 3.6eV까지의 가변 에너지 밴드 갭(42)을 가질 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경될 수 있다. 예를 들어, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 Zn SexTe1 -x, ZnSxTe1 -x, ZnSxSe1 -x, 또는 Zn1-xMgxO 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼 층(40)은 Zn SexTe1-x, ZnSxTe1 -x, ZnSxSe1 -x, 또는 Zn1 - xMgxO, 또는 ZnO1 - xSx의 적층 구조를 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 버퍼 층(40)은 ZnSe, InxSey, 또는 ZnInxSey를 포함할 수 있다. 일반적으로 ZnSe, InxSey, 및, ZnInxSey는 CdS보다 에너지 밴드 갭의 변화 폭이 넓을 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경될 수 있다. ZnO1 -xSx의 버퍼 층(40)은 ZnSe, InxSey, 또는 ZnInxSey 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 여기서, y는 0을 초과하여 1 미만의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 버퍼 층(40)은 ZnSe, InxSey, ZnInxSey, 또는 ZnO1 - xSx의 적층 구조를 포함할 수 있다.
도 4는 도 3의 ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)의 가변 에너지 밴드 갭(42)을 개념적으로 나타내는 에너지 그래프이다.
도 3 및 도 4을 참조하면, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 황(S)의 함양에 따라 가변 에너지 밴드 갭(42)의 보잉 현상을 가질 수 있다. 보잉 현상은 ZnO1 - xSx의 버퍼 층(400) 내에 황(S)의 함량에 따라 활(bow)처럼 굽는 현상으로 정의될 수 있다. ZnO1-xSx의 버퍼 층(400)은 활 모양으로 굽는 가변 에너지 밴드 갭(42)을 가질 수 있다. 여기서, Ev는 밸런스 밴드 에너지이고, Ec는 컨덕션 밴드 에너지이다.
도 5는 기울기를 갖는 가변 에너지 밴드 갭(42)을 개념적으로 나타내는 에너지 그래프이다.
도 5를 참조하면, x가 0.5 내지 0. 15일 때, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 일정한 기울기의 가변 에너지 밴드 갭(42)을 가질 수 있다. 일 예에 따르면, ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40) 내의 황은 산소 대비 약 0.5 내지 약 0.15일 때, 가변 에너지 밴드 갭(42)은 약 2.8eV에서부터 약 3.1eV까지 변화될 수 있다. 예를 들어, x의 값이 0.5인 ZnO1-xSx의 상기 버퍼 층(40)은 광 흡수 층(30)에 접합되고, 상기 x의 값이 0.15인 상기 ZnO1-xSx의 상기 버퍼 층(40)은 상기 상부 전극 층(50)에 접합될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경될 수 있다. 황은 산소 대비 약 0.5 내지 약 0.9일 때, 가변 에너지 밴드 갭(42)은 약 2.8eV에서부터 약 3.4eV까지 변화될 수 있다. 여기서, x의 값이 0.5인 ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)은 광 흡수 층(30)에 접합되고, 상기 x의 값이 0.9인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층(40)은 상부 전극 층(50)에 접합될 수 있다. ZnO1 - xSx의 버퍼 층(40)의 x값은 연속적 또는 불연속적으로 증가될 수 있다. 따라서, 버퍼 층(40)은 x 값에 따라 복수개의 밴드 프로파일을 갖는 ZnO1 - xSx을 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들 및 응용 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들 및 응용 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판 20: 하부 전극 층
30: 광 흡수 층 32: 제 1 고정 에너지 밴드 갭
40: 버퍼 층 42: 가변 에너지 밴드 갭
50: 상부 전극 층 52: 제 2 고정 에너지 밴드 갭
60: 그리드

Claims (12)

  1. 기판 상의 하부 전극 층;
    상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층;
    상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층; 및
    상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함하되,
    상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO1-xSx를 포함하되,
    상기 버퍼 층은 상기 ZnO1-xSx 내에 적층되는 ZnSexTe1-x, ZnSxTe1-x, 또는 Zn1-xMgxO를 더 포함하되,
    상기 x는 0보다 크고 1보다 작은 태양전지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 x의 값은 0.5 내지 0.15인 태양전지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 x의 값이 0.5인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 광 흡수 층에 접합되고,
    상기 x의 값이 0.15인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 상부 전극 층에 접합되는 태양전지.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가변 에너지 밴드 갭은 상기 x의 값에 따라 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 상기 제 2 에너지 밴드 갭 사이의 기울기를 갖는 태양전지.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 x의 값은 0.5 내지 0.9인 태양전지.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 x의 값이 0.5인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 광 흡수 층에 접합되고,
    상기 x의 값이 0.9인 상기 ZnO1 - xSx의 상기 버퍼 층은 상기 상부 전극 층에 접합되는 태양전지.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 층은 ZnSxSe1-x,ZnSe, InxSey, 또는 ZnInxSey를 더 포함하되,
    상기 x는 0보다 크고 1보다 작고, 상기 y는 0보다 크고 1보다 작은 태양전지.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 때, 상기 가변 에너지 밴드 갭은 활 모양을 갖는 태양전지.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 흡수 층은 상기 가변 에너지 밴드 갭보다 작은 제 1 에너지 밴드 갭을 갖고,
    상기 상부 전극 층은 상기 가변 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 태양전지.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 버퍼 층과 상기 광 흡수 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 상기 가변 에너지 밴드 갭의 차이에 의한 컨덕션 밴드 오프셋을 갖되,
    상기 컨덕션 밴드 오프셋은 0.3전자 볼트 이하인 태양 전지.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 전극 층은 몰리브덴을 포함하는 태양전지.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 흡수 층은 CIGS를 포함하고,
    상기 상부 전극 층은 ITO를 포함하는 태양전지.
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