KR101716149B1 - 다중접합 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 흡수되는 광량이 많은 상부셀의 효율을 높임으로써 전체 탠덤 태양전지의 효율이 향상된 탠덤 태양전지에 관한 것으로, CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서, 빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖고, 상기 상부셀을 거친 빛이 도달하는 하부셀의 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 밴드갭을 조절하여 흡수하는 광량이 많은 상부셀의 효율을 높임으로써, 전체 탠덤 태양전지의 발전 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제조방법은, 종래의 CIGS 또는 CIS 광흡수층 형성 공정을 거의 그대로 적용할 수 있기 때문에 별도의 공정비용을 추가하지 않고 효율이 향상된 탠덤 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

다중접합 태양전지 및 그 제조방법{MULTIJUNCTION SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 단위셀이 다중으로 접합된 탠덤 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 CIS계 재질을 광흡수층으로 구비한 탠덤 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환하는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반영구적인 수명이 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.
태양전지는 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라서 다양한 종류로 구분되며, 현재 가장 많이 사용되는 것은 실리콘을 이용한 실리콘 태양전지이다. 그러나 최근 실리콘의 공급부족으로 가격이 급등하면서 박막형 태양전지에 대한 관심이 증가하고 있다. 박막형 태양전지는 얇은 두께로 제작되므로 재료의 소모량이 적고, 무게가 가볍기 때문에 활용범위가 넓다. 이러한 박막형 태양전지의 재료로는 높은 광흡수 계수를 가지는 CIGS(Copper Indium Gallium Selenide)가 각광받고 있다. CIGS는 CuInSe2(CIS)에서 In의 일부를 Ga으로 치환한 물질이며, 이를 박막 태양전지의 광흡수층으로 사용함으로써 높은 변환효율을 얻을 수 있기 때문이다.
한편, 태양전지의 발전효율을 높이기 위한 구조적인 기술로서 탠덤구조의 태양전지가 개발되었다. 탠덤구조는 광전변환에 사용되는 빛의 파장범위가 서로 다른 광흡수층을 구비하는 단위셀을 광 경로에 2개 이상 적층함으로써 발전효율을 향상시킨 것이다.
CIGS는 앞서 살펴본 것과 같이 CIS에서 출발하여 개발된 것으로서 치환된 Ga의 양을 조절하거나 다른 물질을 첨가하는 방법 등에 의해서 발전을 위하여 흡수되는 파장을 결정하는 밴드갭을 조절할 수 있는 것으로 알려져 있으며, 이를 이용하여 CIS계(또는 CIGS계) 광흡수층들만으로 구성된 탠덤 태양전지(대한민국 등록특허 10-1103770)를 개발하려는 노력이 이어지고 있다.
이러한 탠덤 구조를 구성하는 경우에 광흡수층들 간의 밴드갭 차이가 어느 정도 수준에서 필요하다. 현재의 CIGS계 탠덤 태양전지는, 낮은 파장의 빛을 흡수하는 하부셀에 포함된 광흡수층의 밴드갭을 1.0~1.1eV 범위로 구성하고, 높은 파장의 빛을 흡수하는 상부셀에 포함된 광흡수층의 밴드갭을 1.6eV의 범위로 구성하고 있다. 하지만, 현재의 CIGS계 탠덤 태양전지는 상부 셀의 효율이 낮아서 충분한 발전효율 향상을 얻지 못하고 있으며, 이에 따라서 상부셀에 다른 종류의 광흡수층을 적용하려는 노력(미국 공개특허 2010-0147361)도 진행되고 있으나, 다른 재질의 광흡수층을 형성하기 위한 설비비용이 추가되는 등 제조비용이 상승하는 문제가 있다.
대한민국 등록특허 10-1103770 미국 공개특허 2010-0147361
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 흡수되는 광량이 많은 상부셀의 효율을 높임으로써 전체 탠덤 태양전지의 효율이 향상된 탠덤 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 다중접합 태양전지는, CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서, 빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖고, 상기 상부셀을 거친 빛이 도달하는 하부셀의 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 한다.
하부셀은 상부셀을 거치면서 감소된 광량으로 발전을 수행하기 때문에 본래의 효율을 모두 발휘하지 못하는 것이 일반적이다. 이러한 상황에서 하부셀과의 밴드갭 차이를 유지하기 위하여 상부셀 광흡수층의 밴드갭을 1.6eV까지 높이는 경우에, 빛이 입사되는 측에 배치되어 상대적으로 많은 광량을 사용하는 상부셀의 발전 효율이 낮아지면서 탠덤 태양전지의 전체 발전효율을 감소시키는 원인이 되었다.
본 발명의 발명자들은 상부셀의 광흡수층이 가지는 밴드갭을 급격한 발전효율 감소가 진행되지 않는 1.4eV 이하 범위로 구성하여 광량을 많이 받는 상부셀의 발전효율을 더욱 높이는 방법을 개발하였다.
그리고 1.4eV의 밴드갭을 가지는 상부셀과의 밴드갭 차이를 맞추기 위하여 하부셀 광흡수층의 밴드갭을 0.8~1.0eV 범위가 되도록 구성하였다.
이하 본 명세서에서 CIS계로 지칭하는 재질은 CIS(CuInSe2)를 기반으로 비율의 변경 또는 Ga을 첨가한 CIGS 등과 같이 첨가물질을 첨가하여 광흡수층으로 사용될 수 있는 화합물 반도체 물질을 통칭하는 표현이다.
이때, 상부셀의 광흡수층이 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질일 수 있다.
또한, 밴드갭이 1.4eV 수준인 상부셀 광흡수층의 발전효율을 높이기 위하여 박막에 Ag를 첨가함으로써 Cu의 일부를 Ag로 치환한 ACIGS 재질로 상부셀 광흡수층을 구성할 수 있으며, Ag가 치환된 양이 Ag/(Ag+Cu) 값으로 0.7이하 범위인 것이 좋고, 이 범위보다 많은 양의 Ag가 치환된 경우에는 상부셀의 효율이 나빠지는 문제가 있다.
나아가 하부셀의 광흡수층도 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질이거나, CIS 재질일 수 있다.
또한, 하부셀의 광흡수층이 0.9eV 이하의 밴드갭을 갖는 경우에 상부셀의 밴드갭과 차이가 적절하게 구성되어 전체 탠덤 태양전지의 효율이 향상된다.
하부셀 광흡수층의 밴드갭을 조절하기 위한 본 발명의 다른 형태에 의한 다중접합 태양전지는, 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서, 빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖는 CIS계 반도체 화합물 재질이고, 상기 상부셀을 거친 빛이 도달하는 하부셀의 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖는 Cu-In-Te 반도체 화합물 재질인 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 형태에 의한 다중접합 태양전지의 제조방법은, CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서, 후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며, 상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖도록 조절하고, 상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 1.4eV 이하범위의 밴드갭을 갖도록 조절하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하는 것이 좋으며, 특히 Ag를 첨가하여 CIGS의 Cu 중에 일부를 Ag로 치환하는 경우에 1.4eV이하의 밴드갭을 유지하면서 발전효율이 더욱 향상된다. 다만, Ag의 첨가량이 너무 많으면, 오히려 광흡수층의 효율이 낮아지므로 Ag/(Ag+Cu) 값이 0.7이하가 되도록 조절하는 것이 바람직하다.
또한, 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하거나 CIS 재질의 박막을 형성하는 것이 가능하다.
나아가 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.9eV 이하 범위의 밴드갭을 갖도록 조절하는 경우에 상부셀과의 관계에서 전체 탠덤 태양전지의 효율을 높이는 효과가 있다.
이때, 0.9eV 이하 범위의 밴드갭을 갖도록 조절하기 위한 본 발명의 다른 형태에 의한 다중접합 태양전지의 제조방법은, 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서, 후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며, 상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖도록 조절된 Cu-In-Te 반도체 화합물 박막을 형성하고, 상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 1.4eV 이하범위의 밴드갭을 갖도록 조절된 CIS계 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Cu-In-Te 반도체 화합물은 CIS계 광흡수층에 비하여 Te 물질 하나만 차이가 있으므로, 상부셀의 광흡수층과 하부셀의 광흡수층을 동일한 장비에서 제조하도록 구성할 수 있으며, 설비비용 및 제조비용이 감소하는 효과가 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 밴드갭을 조절하여 흡수하는 광량이 많은 상부셀의 효율을 높임으로써, 전체 탠덤 태양전지의 발전 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 제조방법은, 종래의 CIGS 또는 CIS 광흡수층 형성 공정을 거의 그대로 적용할 수 있기 때문에 별도의 공정비용을 추가하지 않고 효율이 향상된 탠덤 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탠덤 태양전지의 구조를 나타내는 모식도이다.
도 2는 Ga의 함량을 통해 조절된 밴드갭에 따른 광흡수층의 효율을 측정한 결과이다.
도 3은 광흡수층의 밴드갭에 따른 전기적 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4와 도 5는 밴드갭이 1.4eV로 조절된 CIGS 광흡수층에 Ag 첨가량에 따른 전기적 특성을 측정한 결과 및 파장별 효율을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탠덤 태양전지의 구조를 나타내는 모식도이다.
본 실시예는 후면전극(200)이 형성된 기판(100)위에 각각 태양전지의 단위셀을 구성하는 하부셀(300)과 상부셀(500)이 순차적으로 적층된 형태이다.
하부셀(300)과 상부셀(500)의 사이에는 중간층(400)을 구비하며, 상부셀(500)의 위쪽에는 전면전극(600)이 형성된다.
하부셀(300)과 상부셀(500)은 각각 단위셀을 구성할 수 있도록 하부광흡수층(310)과 상부광흡수층(510) 및 하부버퍼층(320)과 상부버퍼층(520)을 포함하여 구성되는 점과 버퍼층의 기능은 동일하지만, 광흡수층(310, 510)의 밴드갭에서 차이가 있다.
기판(100), 후면전극(200), 전면전극(600), 하부버퍼층(320), 상부버퍼층(520) 및 중간층(400)은 종래의 CIGS 탠덤 태양전지의 내용을 모두 적용할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)과 후면전극(200)은 CIS계 광흡수층을 구비한 태양전지의 효율을 향상시키는 것으로 확인된, 소다라임 유리 기판(100)에 Mo 재질의 후면전극(200)을 적용하는 것과 같이, 밴드갭을 특정한 본 발명의 특징을 해하지 않는 범위에서 적용이 가능하므로 구체적인 설명은 생략한다.
본 실시예의 탠덤 태양전지는 빛이 입사하는 방향에 위치하여 상대적으로 많은 광량이 입사되는 상부셀(500)의 효율을 높이기 위하여 상부광흡수층(510)이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖도록 하였으며, 상부광흡수층(510)의 밴드갭과의 차이를 고려하여 하부광흡수층(310)의 밴드갭이 0.8~1.0eV 범위가 되도록 하였다. 상부광흡수층(510)의 밴드갭은 하부광흡수층(310)의 밴드갭보다 소정 범위이상 커야하므로, 그 하한은 1.1eV인 것이 바람직하다.
상부광흡수층(510)과 하부광흡수층(310) 밴드갭의 조절은 광흡수층의 재질을 CIGS로 구성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하는 방법으로 가능하다.
도 2는 Ga의 함량을 통해 조절된 밴드갭에 따른 광흡수층의 효율을 측정한 결과이다.
도 2에 도시된 것과 같이, CIGS계 광흡수층의 밴드갭이 1.4eV를 넘어가는 경우부터 발전효율이 급격하게 감소하는 것을 확인할 수 있다. 따라서 종래와 같이 상부광흡수층의 밴드갭을 1.6eV 이상으로 구성하는 경우에 상부셀의 발전효율이 상당히 낮아질 수밖에 없었다. 특히 상부셀은 탠덤 태양전지에서 빛이 입사되는 방향에 위치하기 때문에 아래쪽에 위치한 하부셀에 비하여 상대적으로 많은 빛을 발전에 사용할 수 있음에도 밴드갭의 영향으로 낮은 발전 효율을 나타내었고, 결과적으로 전체 탠덤 태양전지의 발전효율을 낮추는 원인이 되었다.
본 실시예는 급격한 효율감소가 진행되지 않은 1.4eV 이하의 범위로 상부광흡수층(510)의 밴드갭을 조절함으로써, 상부셀(500)의 발전 효율 및 전체 탠덤 태양전지의 발전효율을 높일 수 있다.
도 3은 광흡수층의 밴드갭에 따른 전기적 특성을 측정한 결과를 나타내는 그래프이며, 그래프 내부에 전기적 특성을 표로서 삽입하였다.
도시된 것과 같이, 발전효율 면에서는 밴드갭이 1.4eV 인 광흡수층이 뛰어나고, 개방전압을 비교하여도 밴드갭 1.4eV인 광흡수층의 개방전압이 밴드갭 1.6eV 인 광흡수층의 개방전압과 큰 차이가 없기 때문에 본 실시예에 따라서 상부광흡수층(510)의 밴드갭을 1.4eV 수준으로 조절하는 것이 탠덤 태양전지의 효율 향상에 더욱 바람직한 것을 확인할 수 있다.
한편, CIGS 광흡수층의 발전효율은 1.4eV보다 낮아질수록 좋지만, 전체 탠덤 태양전지의 발전 효율 면에서는 상부광흡수층의 밴드갭이 높을수록 하부광흡수층의 효율 향상에 유리하므로 1.4eV 수준으로 유지하는 것이 바람직하다.
상부광흡수층의 밴드갭을 1.4eV 수준으로 유지하는 상태에서 상부광흡수층의 발전효율을 높이기 위한 본 발명의 다른 실시예로서, Ag를 첨가하여 Cu의 일부를 Ag로 치환한 ACIGS 박막을 상부광흡수층으로 구성하는 것이 가능하다.
도 4와 도 5는 밴드갭이 1.4eV로 조절된 CIGS 광흡수층에 Ag 첨가량에 따른 전기적 특성을 측정한 결과 및 파장별 효율을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
밴드갭 1.4eV를 유지하기 위하여 Ag의 비율에 따라서 Ga와 In의 비율을 조절하였으며, 각각의 경우에 대한 전기적 특성 분석 결과를 표 1에 나타내었다.
Figure 112015120613766-pat00001
이상의 결과에서 Cu의 일부를 Ag로 치환하는 경우에 밴드갭을 1.4eV로 유지한 상태에서 발전효율을 더욱 높일 수 있는 것을 확인할 수 있다. 다만, Ag의 첨가량이 너무 많아지는 경우 박막 자체의 특성 및 Ga과 In의 비율에 의해서 발전효율이 감소하는 것으로 나타났으며, 바람직한 Ag의 양은 Ag/(Ag+Cu) 값으로 0.7이하인 것으로 확인되었다.
그리고 전체 탠덤 태양전지의 발전 효율 면에서는 하부광흡수층과의 밴드갭 차이를 넓게 유지하는 것이 유리하기 때문에, 하부광흡수층의 밴드갭이 0.9eV 이하인 것이 더욱 바람직하다.
다만, CIGS 재질 또는 CIS 재질의 광흡수층은 밴드갭을 과도하게 낮추는 경우에 효율이 나빠지는 문제가 발생할 수 있으므로, 하부광흡수층의 밴드갭이 0.9eV 이하가 되도록 본 발명의 다른 실시예로서, Cu-In-Te 반도체 화합물(CuInxTey)을 하부광흡수층으로 구성하는 것이 가능하다.
Cu-In-Te 반도체 화합물로 광흡수층을 구성하는 경우에 밴드갭을 0.9eV 이하의 범위로 조절하여도 발전효율이 크게 나빠지지 않기 때문에, 상부광흡수층의 밴드갭을 1.4eV 이하로 구성한 탠덤 태양전지의 하부셀의 광흡수층으로서 적합하다. 또한, 구성성분에 있어서도 CIGS 박막을 제조한 설비에 Te 성분 하나만이 추가된 것이므로, 종래의 CIGS 박막 제조 설비를 거의 그대로 사용할 수 있고, 하부셀과 상부셀을 순차 증착해야하는 탠덤 태양전지의 제조 공정에 매우 유리하다.
지금까지 중간층을 사이에 두고 하부셀과 상부셀이 결합된 2터미널 탠덤 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 4터미널 탠덤 구조 등에도 적용될 수 있다. 나아가, CIS계 광흡수층의 밴드갭을 특정한 본 발명의 구조를 포함하는 경우라면, 3층 이상의 단위셀을 적층한 탠덤구조에도 적용할 수 있고, 이때 나머지 단위셀은 CIS계 재질이 아닌 다른 재질의 반도체 재질을 이용한 것일 수도 있으며, 나아가 반도체형 태양전지가 아닌 다른 형태의 태양전지 셀을 결합한 것일 수도 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 후면전극
300: 하부셀 310: 하부광흡수층
320: 하부버퍼층 400: 중간층
500: 상부셀 510: 상부광흡수층
520: 상부버퍼층 600: 전면전극

Claims (17)

  1. CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서,
    빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖고,
    상기 상부셀을 거친 빛이 도달하는 하부셀의 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 가지며,
    상기 상부셀의 광흡수층이 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질이고, CIGS에서 Cu 중 일부를 Ag로 치환하되 Ag가 치환된 양이 Ag/(Ag+Cu) 값으로 0.7이하인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부셀의 광흡수층이 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 하부셀의 광흡수층이 CIS 재질인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    하부셀의 광흡수층이 0.9eV 이하의 밴드갭을 갖는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  8. 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지로서,
    빛이 입사하는 방향에 위치되는 상부셀의 광흡수층이 1.4eV 이하의 밴드갭을 갖는 CIS계 반도체 화합물 재질이고,
    상기 상부셀을 거친 빛이 도달하는 하부셀의 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖는 Cu-In-Te 반도체 화합물 재질이며,
    상기 상부셀의 광흡수층이 Ga/(In+Ga)의 비율로 밴드갭이 조절된 CIGS 재질이고, CIGS에서 Cu 중 일부를 Ag로 치환하되 Ag가 치환된 양이 Ag/(Ag+Cu) 값으로 0.7이하인 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지.
  9. CIS계 광흡수층을 구비한 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서,
    후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며,
    상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖도록 조절하고,
    상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 1.4eV 이하범위의 밴드갭을 갖도록 조절하며,
    상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하고, CIGS 재질의 박막을 형성하는 과정에서 Ag/(Ag+Cu) 값이 0.7이하가 되도록 Ag를 첨가하여 CIGS의 Cu 중에 일부를 Ag로 치환하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 청구항 9에 있어서,
    상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIS 재질의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  15. 청구항 9에 있어서,
    상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.9eV 이하 범위의 밴드갭을 갖도록 조절하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  16. 상부셀과 하부셀을 포함하는 탠덤 태양전지의 제조방법으로서,
    후면전극이 형성된 기판의 표면에 하부셀과 상부셀을 순차적으로 적층하여 제조되며,
    상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 0.8~1.0eV 범위의 밴드갭을 갖도록 조절된 Cu-In-Te 반도체 화합물 박막을 형성하고,
    상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 광흡수층이 1.4eV 이하범위의 밴드갭을 갖도록 조절된 CIS계 박막을 형성하며,
    상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계에서 CIGS 재질의 박막을 형성하되 Ga/(In+Ga)의 비율을 조절하여 밴드갭을 조절하고, CIGS 재질의 박막을 형성하는 과정에서 Ag/(Ag+Cu) 값이 0.7이하가 되도록 Ag를 첨가하여 CIGS의 Cu 중에 일부를 Ag로 치환하는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 상부셀의 광흡수층을 형성하는 단계와 상기 하부셀의 광흡수층을 형성하는 단계가 동일한 장비에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다중접합 태양전지의 제조방법.
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