KR102190794B1 - 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일; 상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부; 상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및 상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되, 상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치로서, 상세하게는 안테나 코일의 위치를 조절하여 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는 반도체 공정을 수행하는 장치로서, 상세하게는 기판(10)을 플라즈마(P)로 처리하는 장치이다.
이때, 기판(10)은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는 플라즈마(P)로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치일 수 있다.
기판 처리 장치는 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스에 안테나 코일이 고주파(High-frequency)를 방사하여 플라즈마(P)를 발생한다.
이때, 발생된 플라즈마(P) 밀도는 기판(10)의 처리 속도에 영향을 미친다.
예를 들어, 플라즈마(P) 밀도가 높으면 기판(10)의 처리 속도가 빨라지고, 플라즈마(P) 밀도가 낮으면 기판(10)의 처리 속도가 느려진다.
일반적으로 기판(10)의 처리 속도를 조절하기 위한 플라즈마(P) 밀도 제어는 고주파 전원부(20)로부터 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력(High-frequency power)을 증가 또는 감소시켜 제어한다.
예를 들어, 기판(10)의 처리 속도가 느리면 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10)의 처리 속도가 빠르면 안테나 코일(200)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판의 처리 속도를 조절한다.
이러한 방법은 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파를 제어하기 위해 간접적으로 고주파 전력을 제어하는 것이다.
그러나 고주파는 고주파 전원부(20)에서 안테나 코일(200)로 공급되는 과정에서 환경 요인에 많은 영향을 받으므로 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파가 의도한 바와 같이 효율적으로 제어되지 않아 결과적으로 플라즈마(P) 밀도가 효율적으로 제어되지 않는 문제점이 있다.
또한, 고주파 전력을 제어하기 위해서는 다수의 전기/전자 구성이 추가되므로 관리 항목이 증가하고, 이에 따른 교환 주기가 빨라지는 문제점이 있다.
이러한 문제점은 기판 처리 장치가 처리하는 기판(10)의 면적이 커질수록 더욱 증가한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 대면적의 기판(10)을 처리하는 기판 처리 장치는, 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도가 균일하지 못하므로 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 통해 기판 내측 및 외측 플라즈마 밀도를 각각 제어한다.
일반적으로 기판(10) 내측 플라즈마 밀도 제어는 제1 고주파 전원부(21)로부터 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 증가 또는 감소시켜 제어하고, 기판(10) 외측 플라즈마 밀도 제어는 제2 고주파 전원부(22)로부터 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 증가 또는 감소시켜 제어한다.
예를 들어, 기판(10) 내측의 처리 속도가 느리면 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10) 내측의 처리 속도가 빠르면 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판(10) 내측의 처리 속도를 제어한다.
또한, 기판(10) 외측의 처리 속도가 느리면 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 증가시키고, 기판(10) 외측의 처리 속도가 빠르면 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 감소시켜 기판(10) 외측의 처리 속도를 제어한다.
앞서 설명한 안테나 코일(200)의 문제점과 동일하게 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)이 방사하는 고주파가 의도한 바와 같이 효율적으로 제어되지 않아 결과적으로 플라즈마 밀도가 효율적으로 제어되지 않는 문제점이 있다.
또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 각각 제어하기 위해서는 제1 고주파 전원부(21) 및 제2 고주파 전원부(22)를 포함한 다수의 전기/전자 구성이 추가되므로 관리 항목은 더욱 증가하고, 이에 따른 교환 주기는 더욱 빨라지는 문제점이 있다.
상기한 배경기술로서 설명된 사항들은 본 발명의 배경에 대한 이해 증진을 위한 것일 뿐, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 종래기술에 해당함을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 될 것이다.
앞서 설명한 문제점을 해결하고자 하는 것이 본 발명의 과제이다.
본 발명은 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버; 상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일; 상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부; 상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및 상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되, 상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하는 것을 특징으로 한다.
상기 수평 구동부는, 상기 연동부가 수평 방향의 좌우로 이동하도록 구동력을 제공하는 제1 수평 구동부; 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우로 이동되고, 상기 상기 연동부가 수평 방향의 전후로 이동하도록 구동력을 제공하는 제2 수평 구동부; 를 포함하되, 상기 제1 수평 구동부 또는/및 상기 제2 수평 구동부가 구동되어 상기 안테나 코일의 중심점이 최초 위치에서 이격되도록 수평 방향의 좌우전후 중 적어도 일측으로 이동하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 수평 구동부는 회전하는 모터이고, 상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 회전하는 볼스크류에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 수평 구동부는 신축하는 실린더이고, 상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 신축하는 실린더바에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 연동부는, 상기 안테나 코일과 결합하는 연결부; 및 다수의 상기 연결부가 상기 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 상기 연결부와 결합하는 통합부; 를 포함한다.
상기 연결부는 상기 안테나 코일에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 상기 안테나 코일에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.
상기 수평 구동부와 상기 연동부 사이에 위치하고, 상기 연동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 수평 구동부는 상기 수직 구동부와 연동되어 상기 수직 구동부를 수평 이동하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 안테나 코일은, 상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일; 및 상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 을 포함하고, 상기 연동부는, 상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부; 를 포함하고, 상기 내측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수평 구동부; 를 포함한다.
상기 내측 수평 구동부는, 상기 연동부를 좌우로 이동하는 내측 제1 수평 구동부; 및 상기 연동부를 앞뒤로 이동하는 내측 제2 수평 구동부; 를 포함한다.
상기 내측 제2 수평 구동부는 상기 내측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고, 상기 연동부는 상기 내측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 내측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 내측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.
상기 외측 안테나 코일과 연동되어 상기 외측 안테나 코일을 수평 이동하는 외측 연동부; 및 상기 외측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수평 구동부; 를 포함한다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 외측 수평 구동부는, 상기 연동부를 좌우로 이동하는 외측 제1 수평 구동부; 및 상기 연동부를 전후로 이동하는 외측 제2 수평 구동부; 를 포함한다.
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 외측 제2 수평 구동부는 상기 외측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고, 상기 연동부는 상기 외측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는 것을 특징으로 한다.
상기 외측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수직 구동부; 를 포함하고, 상기 외측 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는 것을 특징으로 한다.
안테나 코일의 위치를 조절하면 안테나 코일이 방사하는 고주파가 직접적으로 제어되므로 플라즈마 밀도 분포가 효율적으로 제어되는 이점이 있다.
고주파 전력을 제어하기 위한 전기/전자 구성이 불필요한 이점이 있다.
안테나 코일을 수직 및/또는 수평 이동하여 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 이점이 있다.
내측 안테나 코일 및 외측 안테나 코일 중 어느 하나 이상을 수직 및/또는 수평 이동하여 기판 내측 및 외측 중 어느 하나 이상에 대한 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 이점이 있다.
기판 처리 장치에 있어서 CCP 외에도 다양한 기판 처리 장치에 적용할 수 있는 이점이 있다.
제어부(600)가 안테나 코일(200)의 위치를 조절함으로써, 챔버(100)의 개방없이 안테나 코일(200)의 위치를 조절할 수 있으므로, 기판 처리 장치의 동작 중단 시간을 최소화하여, 생산성을 높이는 이점이 있다.
기계적으로 위치를 조절함으로써, 사용자가 직접적으로 공구로 안테나 코일(200)을 분해하여 위치 조정 후 다시 조립하는 것보다 정밀하게 위치를 조절할 수 있어, 정밀하게 위치가 조절되어 불량을 최소화하는 이점이 있다.
도 1은 종래기술을 설명하기 위한 도면
도 2는 수직 구동부가 실린더인 경우를 설명하기 위한 도면
도 3은 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 4는 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 5는 수직 구동부가 모터인 경우를 설명하기 위한 도면
도 6은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 7은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 8 내지 도 14는 안테나 코일의 수직 이동을 설명하기 위한 도면
도 15 내지 도 21은 안테나 코일의 수평 이동을 설명하기 위한 도면
도 22 내지 도 29는 안테나 코일의 수직 및 수평 이동을 설명하기 위한 도면
도 2는 수직 구동부가 실린더인 경우를 설명하기 위한 도면
도 3은 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 4는 수직 구동부가 실린더인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 5는 수직 구동부가 모터인 경우를 설명하기 위한 도면
도 6은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 상승을 설명하기 위한 도면
도 7은 수직 구동부가 모터인 경우 안테나 코일의 하강을 설명하기 위한 도면
도 8 내지 도 14는 안테나 코일의 수직 이동을 설명하기 위한 도면
도 15 내지 도 21은 안테나 코일의 수평 이동을 설명하기 위한 도면
도 22 내지 도 29는 안테나 코일의 수직 및 수평 이동을 설명하기 위한 도면
도 2 내지 도 29에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(110) 및 안테나 코일(200)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에서 플라즈마로 기판(10)을 처리한다.
이때, 기판(10)은 웨이퍼 또는 웨이퍼가 장착된 트레이를 의미할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는 플라즈마로 식각, 증착 및 에싱 중 하나 이상을 수행하는 장치일 수 있다.
척(110)은 기판(10)이 안착되고, 챔버(100) 내부에 설치된다.
척(110)은 챔버(10) 구조에 따라 챔버(10) 내부 상부 또는 하부에 설치될 수 있다.
안테나 코일(200)은 챔버(100) 외부에 기판(10)을 사이에 두고 척(110)과 대응되는 위치에 설치된다.
안테나 코일(200)은 챔버(100) 내부에 공급된 공정 가스에 고주파(High-frequency)를 방사하여 플라즈마를 발생한다.
안테나 코일(200)은 수직 및 수평 중 어느 하나 이상으로 이동되어 플라즈마 밀도 분포를 제어한다.
안테나 코일(200)이 수직 이동하는 경우 안테나 코일(200)이 상승되어 척(110)과의 이격 거리가 멀어지면 플라즈마 밀도가 낮아지고, 안테나 코일(200)이 하강되어 척(110)과의 이격 거리가 가까워지면 플라즈마 밀도가 높아진다.
예를 들어, 기판(10)의 처리 속도가 빠른 경우 안테나 코일(200)이 상승되어 기판(10)의 처리 속도를 느리게 하고, 기판(10)의 처리 속도가 느린 경우 안테나 코일(200)을 하강하여 기판(10)의 처리 속도를 빠르게 할 수 있다.
플라즈마는 안테나 코일(200)을 중심으로 발생하므로 플라즈마 밀도는 안테나 코일(200)을 중심으로 분포된다.
안테나 코일(200)이 수평 이동하는 경우 안테나 코일(200)의 수평 이동된 위치를 중심으로 플라즈마 밀도가 분포된다.
즉, 플라즈마 밀도 분포가 안테나 코일(200)의 수평 이동에 따라 수평으로 이동되어 플라즈마 형성 위치가 제어된다.
예를 들어, 기판(10)의 중심을 기준으로 기판(10)이 처리되지 않고, 좌측으로 치우쳐서 처리되는 경우 안테나 코일(200)을 우측으로 이동하면 플라즈마 밀도 분포가 우측으로 이동되므로 기판(10)의 중심을 기준으로 기판(10)이 처리되도록 재조정할 수 있다.
이와 같이, 안테나 코일(200)의 위치를 조절하면 안테나 코일(200)이 방사하는 고주파가 직접적으로 제어되므로 플라즈마 밀도 분포가 효율적으로 제어되는 이점이 있다.
또한, 고주파 전력을 제어하기 위한 전기/전자 구성이 불필요한 이점이 있다.
이하에서는 안테나 코일(200)의 이동 방식에 따른 다양한 실시예들을 도면을 참고하여 설명한다.
<안테나 코일(200)의 수직 이동에 따른 실시예>
도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300) 및 수직 구동부(400)를 포함한다.
연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수직 이동한다.
수직 구동부(400)는 연동부(300)가 수직 이동하도록 구동력을 제공한다.
이때, 수직 구동부(400)는 실린더 또는 모터일 수 있다.
또한, 실린더는 압력 또는 전기로 신축하는 실린더를 의미할 수 있다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)가 신축하는 실린더인 경우, 연동부(300)는 수직 구동부(400)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연결되어 수직 이동될 수 있다.
도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)가 회전하는 모터인 경우, 연동부(300)는 수직 구동부(400)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연결되어 수직 이동될 수 있다.
연동부(300)는 안테나 코일(200)과 결합하는 연결부(301) 및 다수의 연결부(301)가 수직 구동부(400)의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 연결부(301)와 결합하는 통합부(302)를 포함할 수 있다.
연결부(301)는 안테나 코일(200)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 안테나 코일(200)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.
연결부(301)가 안테나 코일(200)에 접촉하는 부위는 안테나 코일(200)의 둘레를 전부 감싸는 형상이거나, 안테나 코일(200)의 하부가 거치되도록 일부 감싸는 형상일 수 있다.
연결부(301)는 통합부(302)에 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.
안테나 코일(200)이 상승되어 척(110)과의 이격 거리가 멀어지면 플라즈마 밀도가 낮아져 기판(10) 처리 속도가 느려지고, 안테나 코일(200)이 하강되어 척(110)과의 이격 거리가 가까워지면 플라즈마 밀도가 높아져 기판(10) 처리 속도가 빨라진다.
이와 같이, 안테나 코일(200)을 수직 이동하여 플라즈마 밀도를 제어하는 이점이 있다.
도 8 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 척(110), 내측 안테나 코일(210), 외측 안테나 코일(220), 내측 연동부(310), 외측 연동부(320), 내측 수직 구동부(410)를 및 외측 수직 구동부(420) 포함한다.
앞서 설명한 안테나 코일(200)은 기판(10)을 기준으로 기판(10) 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일(210) 및 기판(10) 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일(220)을 포함할 수 있다.
내측 안테나 코일(210)을 수직 이동하기 위한 구성으로 내측 연동부(310) 및 내측 수직 구동부(410)를 포함한다.
내측 연동부(310)는 내측 안테나 코일(210)과 연동되어 내측 안테나 코일(210)을 수직 이동한다.
내측 수직 구동부(410)는 내측 연동부(310)가 수직 이동되도록 구동력을 제공한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 기판(10) 내측의 처리 속도를 느리게 할 때는 내측 안테나 코일(210)을 상승한다.
도 10에 도시된 바와 같이, 기판(10) 내측의 처리 속도를 빠르게 할 때는 내측 안테나 코일(210)을 하강한다.
외측 안테나 코일(220)을 수직 이동하기 위한 구성으로 외측 연동부(320) 및 외측 수직 구동부(420)를 포함한다.
외측 연동부(320)는 외측 안테나 코일(220)과 연동되어 외측 안테나 코일(220)을 수직 이동 한다.
외측 수직 구동부(420)는 외측 연동부(320)가 수직 이동되도록 구동력을 제공한다.
도 11에 도시된 바와 같이, 기판(10) 외측의 처리 속도를 느리게 할 때는 외측 안테나 코일(220)을 상승한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 기판(10) 외측의 처리 속도를 빠르게 할 때는 외측 안테나 코일(220)을 하강한다.
내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나가 수직 이동되어 기판(10) 내측 및 외측 중 어느 하나의 처리 속도를 조절할 수 있다.
또한, 안테나 코일(200) 및 외측 안테나 코일(220)이 모두 수직 이동되어 기판(10) 내측 및 외측의 처리 속도를 동시에 조절할 수 있다.
예를 들어, 내측 안테나 코일(210)은 상승하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 느리게하고, 외측 안테나 코일(220)은 하강하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 빠르게 할 수 있다.
내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 모두 수직 이동되도록 구성할 수 있다.
또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나만을 수직 이동되도록 구성할 수 있다.
예를 들어, 내측 안테나 코일(210)은 수직 이동되도록 구성하고, 외측 안테나 코일(220)은 고정되도록 구성하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 기준으로 내측 안테나 코일(210)을 수직 이동하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
이때, 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 고정하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 고정하거나, 외측 안테나 코일(220)에 공급되는 고주파 전력을 조절하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
또한, 내측 안테나 코일(210)은 고정되도록 구성하고, 외측 안테나 코일(220)은 수직 이동하도록 구성하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 기준으로 외측 안테나 코일(220)을 수직 이동하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
이때, 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 고정하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 고정하거나, 내측 안테나 코일(210)에 공급되는 고주파 전력을 조절하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
도 8 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 내측 수직 구동부(410) 및 외측 수직 구동부(420)는 모두 신축하는 실린더일 수 있다.
또한, 내측 수직 구동부(410) 및 외측 수직 구동부(420)는 모두 회전하는 모터일 수 있다.
또한, 도 13 및 14에 도시된 바와 같이, 내측 수직 구동부(410)는 신축하는 실린더이고, 외측 수직 구동부(420)는 회전하는 모터일 수 있다.
또한, 내측 수직 구동부(410)는 회전하는 모터이고, 외측 수직 구동부(420)는 신축하는 실린더일 수 있다.
내측 연동부(310)는 내측 안테나 코일(210)과 결합하는 내측 연결부(311) 및 다수의 내측 연결부(311)가 내측 수직 구동부(410)의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 내측 연결부(311)와 결합하는 내측 통합부(312)를 포함할 수 있다.
내측 연결부(311)는 내측 안테나 코일(210)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 내측 안테나 코일(210)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.
내측 통합부(312)에 내측 연결부(311)는 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.
외측 연동부(320)는 외측 안테나 코일(220)과 결합하는 외측 연결부(321) 및 다수의 외측 연결부(321)가 외측 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 외측 연결부(321)와 결합하는 외측 통합부(322)를 포함할 수 있다.
외측 연결부(321)는 외측 안테나 코일(220)에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 외측 안테나 코일(220)에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성될 수 있고, 바람직하게는 유전체로 구성될 수 있다.
외측 통합부(322)에 외측 연결부(321)는 연장 또는 부착되어 형성되거나, 분리가 원할하도록 나사 등 체결수단을 통해 고정될 수 있다.
이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수직 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 이점이 있다.
<안테나 코일(200)의 수평 이동에 따른 실시예>
도 15 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300) 및 수평 구동부(500)를 포함한다.
연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수평 이동시킨다.
수평 구동부(500)는 연동부(300)가 수평 이동하도록 구동력을 제공한다.
수평 구동부(500)는 연동부(300)를 좌우로 이동하는 제1 수평 구동부(501) 및 연동부(300)를 전후로 이동하는 제2 수평 구동부(502)를 포함할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제1 수평 구동부(501)가 회전하는 모터인 경우, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 좌우 이동될 수 있다.
또한, 제1 수평 구동부(501)가 신축하는 실린더인 경우, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 좌우 이동될 수 있다.
도 17에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)가 회전하는 모터인 경우, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 회전하는 볼스크류(BS)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.
또한, 제2 수평 구동부(502)가 신축하는 실린더인 경우, 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 신축하는 실린더바(SB)에 의해 이동되는 너트 하우징(NH)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.
앞서 설명한 바와 반대로, 제1 수평 구동부(501)가 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 전후 이동될 수 있다.
또한, 연동부(300)는 제1 수평 구동부(501)에 연동되어 좌우로 이동될 수 있다.
앞서 설명한 좌우 이동 및 전후 이동은 조합되어, 도 18에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 원하는 위치로 수평 이동할 수 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)의 볼스크류(BS)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)는 제2 수평 구동부(502)의 볼스크류(BS)를 좌우 이동하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.
도 20에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)는 제1 수평 구동부(501)의 너트 하우징(NH)을 좌우 이동 하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.
도 21에 도시된 바와 같이, 제2 수평 구동부(502)는 지지부(503)에 결합되고, 제1 수평 구동부(501)은 지지부(503)를 좌우 이동하여 제2 수평 구동부(502)가 좌우 이동되며, 연동부(300)는 제2 수평 구동부(502)에 연동되어 좌우 이동할 수 있다.
기판(10)의 처리가 일측으로 편향되어 처리되는 경우 안테나 코일(200)을 편향된 위치와 반대되는 위치로 수평 이동하여 기판(10)의 처리가 중앙에서 처리되도록 할 수 있다.
이와 같이, 안테나 코일(200)을 수평 이동하여 플라즈마 형성 위치를 제어하는 이점이 있다.
도 15 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)은 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 포함한다.
내측 안테나 코일(210)은, 앞서 설명한 안테나 코일(200)을 수평 이동하는 구성인 연동부(300), 수평 구동부(500), 제1 수평 구동부(501) 및 제 2 수평 구동부(502)의 구성과 마찬가지로, 내측 연동부, 내측 수평 구동부, 내측 제1 수평 구동부 및 내측 제 2 수평 구동부를 포함하는 구성에 의하여 수평 이동될 수 있다.
외측 안테나 코일(220)은 위치가 고정되거나, 내측 안테나 코일(210)과 동일한 수평 이동 구성인 외측 연동부, 외측 수평 구동부, 외측 제1 수평 구동부 및 외측 제 2 수평 구동부 포함한 구성에 의하여 수평 이동될 수 있다.
이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수평 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 플라즈마 밀도 중 어느 하나 이상을 제어하는 이점이 있다.
<안테나 코일(200)의 수직 및 수평 이동에 따른 실시예>
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 앞서 안테나 코일(200)의 수직 이동 및 수평 이동을 설명한 바와 같이 안테나 코일(200)의 수직 이동 및 수평 이동이 각각 실시되거나, 도 22 내지 26에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)의 수직 및 수평 이동이 함께 실시될 수 있다.
도 22 내지 24에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 챔버(100), 안테나 코일(200), 연동부(300), 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)를 포함한다.
수직 이동 및 수평 이동에 따른 구성은 앞서 설명한 내용과 동일하므로 결합구성에 따른 차이점을 위주로 설명한다.
연동부(300)는 안테나 코일(200)과 연동되어 안테나 코일(200)을 수직 및 수평 이동한다.
수평 구동부(500)는 연동부(300)가 수평 이동되도록 구동력을 제공한다.
수직 구동부(400)는 수평 구동부(500)가 수직 이동하도록 구동력을 제공한다.
즉, 수평 구동부(500)는 연동부(300)를 수평 이동하고, 수직 구동부(400)는 수평 구동부(500)를 수직 이동하여 연동부(300)가 수평 구동부(500)와 함께 수직 이동되도록 하므로 안테나 코일(200)은 수직 및 수평 이동된다.
앞서 설명한 바와 반대로, 도 25에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)는 연동부(300)를 수직 이동하고, 수평 구동부(500)는 수직 구동부(400)를 수평 이동하여 연동부(300)가 수직 구동부(400)와 함께 수평 이동되도록 하므로 안테나 코일(200)이 수직 및 수평 이동될 수 있다.
도 22 및 도 24에 도시된 바와 같이, 내측 안테나 코일(210)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 내측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
또한, 외측 안테나 코일(220)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 외측의 처리 속도를 조절할 수 있다.
또한, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220)을 수직 및 수평 이동 가능하도록 구성하여 기판(10) 내측 및 외측 처리 속도를 조절할 수 있다.
도 22 및 도 25에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400)는 실린더이고, 수평 구동부(500)는 모터일 수 있다.
또한, 수직 구동부(400)는 모터이고, 수평 구동부(500)는 실린더일 수 있다.
도 26에 도시된 바와 같이, 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)는 모터일 수 있다.
또한, 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)는 실린더일 수 있다.
이와 같이, 내측 안테나 코일(210) 및 외측 안테나 코일(220) 중 어느 하나 이상을 수직 및 수평 이동하여 기판(10) 내측 및 외측 중 어느 하나 이상의 처리 속도를 조절하는 이점이 있다.
<플라즈마 발생 구조에 따른 실시예>
기판 처리 장치에 있어서 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생하는 CCP(capacitive coupled plasma)의 경우 안테나 코일(200)은 챔버(100)의 상부에 형성되므로, 도 2 내지 도 26에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 상부에 형성된다.
만일, 안테나 코일(200)이 챔버(100)의 하부에 형성되는 경우 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 하부에 형성된다.
즉, 안테나 코일(200)이 형성된 챔버(100)의 위치에 따라 안테나 코일(200)의 이동범위가 형성된다.
기판 처리 장치에 있어서 자기장을 이용하여 플라즈마를 발생하는 ICP(inductive coupled plasma)의 경우 안테나 코일(200)은 챔버(100)의 둘레에 형성될 수도 있으므로, 도 27 내지 29에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 안테나 코일(200)의 이동범위가 챔버(100)의 둘레에 형성될 수도 있다.
이와 같이, 기판 처리 장치에 있어서 CCP 외에도 다양한 기판 처리 장치에 적용할 수 있는 이점이 있다.
<안테나 코일(200)의 이동 구성의 제어에 따른 실시예>
본 발명에 따른 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 수직 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부(400)의 구동량을 제어하는 제어부(600)를 포함하거나, 도 15 내지 도 18에 도시된 바와 같이, 안테나 코일(200)을 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부(500)의 구동량을 제어하는 제어부(600)를 포함할 수 있다.
이때, 제어부(600)는 수직 구동부(400) 및 수평 구동부(500)를 제어할 수 있다.
제어부(600)는 구동량 제어를 통해 안테나 코일(200)의 이동 거리를 제어하여 안테나 코일(200)에 의한 플라즈마(P)의 형성 위치를 제어한다.
이에 따른, 제어부의 상세한 동작 구성은 다음과 같다.
먼저, 플라즈마(P) 처리된 기판(10)을 검사하여 처리 속도의 편차가 발생한 영역을 확인한다.
이때, 편차 영역의 확인은 기판을 직접적으로 검사하여 확인하거나, 프라즈마의 밀도 등을 통해 간접적으로 확인할 수 있다.
다음, 기판(10)의 편차 영역에 대한 정보를 제어부(600)에 입력한다.
다음, 제어부(600)는 입력된 정보를 기초로 안테나 코일(200)의 이동 방향 및 이동 거리를 계산하여 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 산출한다.
이때, 제어부(600)에는 기판(10)의 편차 영역에 대한 정보 입력 대신 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 직접적으로 입력할 수 있다.
다음, 제어부(600)는 안테나 코일(200)의 위치 제어값을 기초로 수직 구동부(400)의 구동량을 조절하여 안테나 코일의 수직 위치를 조절하거나, 수평 구동부(500)의 구동량을 조절하여 안테나 코일의 수평 위치를 조절함으로써 플라즈마 밀도 분포를 제어한다.
이와 같이, 제어부(600)가 안테나 코일(200)의 위치를 조절함으로써, 챔버(100)의 개방없이 안테나 코일(200)의 위치를 조절할 수 있으므로, 기판 처리 장치의 동작 중단 시간을 최소화하여, 생산성을 높이는 이점이 있다.
또한, 기계적으로 위치를 조절함으로써, 사용자가 직접적으로 공구로 안테나 코일(200)을 분해하여 위치 조정 후 다시 조립하는 것보다 정밀하게 위치를 조절할 수 있어, 정밀하게 위치가 조절되어 불량을 최소화하는 이점이 있다.
P 플라즈마 10 기판
100 챔버 110 척
200 안테나 코일 210 내측 안테나 코일
220 외측 안테나 코일 300 연동부
301 연결부 302 통합부
303 지지부 310 내측 연동부
311 내측 연결부 312 내측 통합부
400 수직 구동부 410 내측 수직 구동부
420 외측 수직 구동부 500 수평 구동부
501 제1 수평 구동부 502 제2 수평 구동부
510 내측 수평 구동부 511 내측 제1 수평 구동부
512 내측 제2 수평 구동부 520 외측 수평 구동부
BS 볼스크류 SB 실린더바
NH 너트 하우징 600 제어부
100 챔버 110 척
200 안테나 코일 210 내측 안테나 코일
220 외측 안테나 코일 300 연동부
301 연결부 302 통합부
303 지지부 310 내측 연동부
311 내측 연결부 312 내측 통합부
400 수직 구동부 410 내측 수직 구동부
420 외측 수직 구동부 500 수평 구동부
501 제1 수평 구동부 502 제2 수평 구동부
510 내측 수평 구동부 511 내측 제1 수평 구동부
512 내측 제2 수평 구동부 520 외측 수평 구동부
BS 볼스크류 SB 실린더바
NH 너트 하우징 600 제어부
Claims (19)
- 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일;
상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부;
상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및
상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되,
상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하고,
상기 수평 구동부는,
상기 연동부가 수평 방향의 좌우로 이동하도록 구동력을 제공하는 제1 수평 구동부; 및
상기 제1 수평 구동부에 연동되어 상기 제1 수평 구동부의 좌우 이동에 의해 좌우로 이동되고, 상기 연동부가 수평 방향의 전후로 이동하도록 구동력을 제공하는 제2 수평 구동부; 를 포함하되,
상기 제1 수평 구동부 및 상기 제2 수평 구동부 중 하나 이상이 구동되어 상기 안테나 코일의 중심점이 최초 위치에서 이격되도록 좌우 방향 또는 전후 방향으로 이동하거나, 좌우 방향 및 전후 방향이 조합된 방향으로 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 수평 구동부는 회전하는 모터이고,
상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 회전하는 볼스크류에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 수평 구동부는 신축하는 실린더이고,
상기 제2 수평 구동부는 상기 제1 수평 구동부에 연동되어 신축하는 실린더바에 의해 이동되는 너트 하우징에 연결되어 좌우 이동되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 연동부는,
상기 안테나 코일과 결합하는 연결부; 및
다수의 상기 연결부가 상기 수평 구동부의 구동력을 일괄적으로 제공 받도록 다수의 상기 연결부와 결합하는 통합부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 연결부는 상기 안테나 코일에 간섭되는 것을 최소화하기 위해 상기 안테나 코일에 접촉하는 부위를 포함하는 일정 부분은 비전도성 물질로 구성되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 수평 구동부는 상기 연동부와 연동되어 상기 연동부를 수직 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 수평 구동부와 상기 연동부 사이에 위치하고, 상기 연동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 수평 구동부는 상기 수직 구동부와 연동되어 상기 수직 구동부를 수평 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 안테나 코일은,
상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일; 및
상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 을 포함하고,
상기 연동부는,
상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부; 및
상기 외측 안테나 코일과 연동되어 상기 외측 안테나 코일을 수평 이동하는 외측 연동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하고, 상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일;
상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하고, 상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 및
상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부; 를 포함하고,
상기 내측 안테나 코일은 상기 외측 안테나 코일에 대한 수평방향으로의 상대적 위치가 달라지도록 상기 내측 연동부에 의해 상기 외측 안테나 코일과는 독립적으로 수평 이동될 수 있는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 9에 있어서,
상기 내측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수평 구동부; 를 포함하고,
상기 내측 수평 구동부는,
상기 내측 연동부를 좌우로 이동하는 내측 제1 수평 구동부; 및
상기 내측 연동부를 앞뒤로 이동하는 내측 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 10에 있어서,
상기 내측 제2 수평 구동부는 상기 내측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고,
상기 내측 연동부는 상기 내측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 내측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 내측 수평 구동부는 상기 내측 연동부와 연동되어 상기 내측 연동부를 수직 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 내부에서 플라즈마로 기판을 처리하는 챔버;
상기 챔버 내부에 공급된 공정가스에 고주파를 방사하여 플라즈마를 발생하는 안테나 코일;
상기 안테나 코일이 연결되고, 상기 안테나 코일과 함께 이동하는 연동부;
상기 연동부가 수평 방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 수평 구동부; 및
상기 수평 구동부의 구동을 제어하는 구동 제어부; 를 포함하되,
상기 구동 제어부는, 상기 안테나 코일의 현재 위치에서 상기 안테나 코일이 이동되어야 할 위치로의 이동 방향과 이동 거리에 상응하도록 상기 수평 구동부의 구동량을 조절하여 상기 안테나 코일에 의한 플라즈마의 형성 위치를 제어하고,
상기 안테나 코일은,
상기 기판 내측의 플라즈마 밀도를 제어하는 내측 안테나 코일; 및
상기 기판 외측의 플라즈마 밀도를 제어하는 외측 안테나 코일; 을 포함하고,
상기 연동부는,
상기 외측 안테나 코일과 연동되어 상기 외측 안테나 코일을 수평 이동하는 외측 연동부; 및
상기 내측 안테나 코일과 연동되어 상기 내측 안테나 코일을 수평 이동하는 내측 연동부를 포함하고,
상기 내측 안테나 코일 및 상기 외측 안테나 코일은, 내측 플라즈마 밀도 및 외측 플라즈마 밀도를 각각 제어하기 위해, 서로에 대한 수평방향으로의 상대적 위치가 달라지도록 각각 상기 내측 연동부 및 상기 외측 연동부에 의해 서로 독립적으로 수평 이동될 수 있는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 13에 있어서,
상기 수평 구동부는,
상기 외측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수평 구동부;를 포함하고,
상기 외측 수평 구동부는,
상기 외측 연동부를 좌우로 이동하는 외측 제1 수평 구동부; 및
상기 외측 연동부를 전후로 이동하는 외측 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 외측 제2 수평 구동부는 상기 외측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고,
상기 외측 연동부는 상기 외측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 14에 있어서,
상기 외측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 외측 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 외측 수평 구동부는 상기 외측 연동부와 연동되어 상기 외측 연동부를 수직 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 13에 있어서,
상기 수평 구동부는,
상기 내측 연동부가 수평 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수평 구동부; 를 포함하고,
상기 내측 수평 구동부는,
상기 내측 연동부를 좌우로 이동하는 내측 제1 수평 구동부; 및
상기 내측 연동부를 전후로 이동하는 내측 제2 수평 구동부; 를 포함하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 17에 있어서,
상기 내측 제2 수평 구동부는 상기 내측 제1 수평 구동부에 연동되어 좌우 이동되고,
상기 내측 연동부는 상기 내측 제2 수평 구동부에 연동되어 전후 이동되는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치. - 청구항 17에 있어서,
상기 내측 수평 구동부가 수직 이동하도록 구동력을 제공하는 내측 수직 구동부; 를 포함하고,
상기 내측 수평 구동부는 상기 외측 연동부와 연동되어 상기 외측 연동부를 수직 이동하는,
기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180076490A KR102190794B1 (ko) | 2018-07-02 | 2018-07-02 | 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치 |
| CN201910435957.1A CN110233093B (zh) | 2018-07-02 | 2019-05-23 | 以机械方式控制等离子体密度的基板处理装置 |
| TW108118564A TWI697030B (zh) | 2018-07-02 | 2019-05-29 | 以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180076490A KR102190794B1 (ko) | 2018-07-02 | 2018-07-02 | 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200003561A KR20200003561A (ko) | 2020-01-10 |
| KR102190794B1 true KR102190794B1 (ko) | 2020-12-15 |
Family
ID=67861102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180076490A KR102190794B1 (ko) | 2018-07-02 | 2018-07-02 | 기계적으로 플라즈마 밀도를 제어하는 기판 처리 장치 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102190794B1 (ko) |
| CN (1) | CN110233093B (ko) |
| TW (1) | TWI697030B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113496863B (zh) * | 2020-04-01 | 2022-04-12 | 吉佳蓝科技股份有限公司 | 等离子体天线模块 |
| KR102147873B1 (ko) * | 2020-04-01 | 2020-08-25 | 주식회사 기가레인 | 플라즈마 안테나 모듈 |
| US20230223238A1 (en) * | 2020-05-04 | 2023-07-13 | Lam Research Corporation | Increasing plasma uniformity in a receptacle |
| CN114599142A (zh) * | 2022-03-07 | 2022-06-07 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 等离子体调节装置、方法、生成装置和半导体加工装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014532989A (ja) * | 2011-10-28 | 2014-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャンバ壁温度制御を備えたプラズマリアクタ |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101007822B1 (ko) | 2003-07-14 | 2011-01-13 | 주성엔지니어링(주) | 혼합형 플라즈마 발생 장치 |
| CN101048842A (zh) * | 2004-10-04 | 2007-10-03 | 优利讯美国有限公司 | 改善等离子体蚀刻均匀性的方法和设备 |
| KR100830874B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-05-21 | 주식회사 에스에프에이 | 인쇄장치 |
| KR100737989B1 (ko) | 2007-01-23 | 2007-07-13 | (주)플러스텍 | 이중 rf 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치 |
| JP4927160B2 (ja) * | 2007-03-08 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および記憶媒体 |
| WO2008140012A1 (ja) | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Ulvac, Inc. | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| KR101114283B1 (ko) | 2009-04-24 | 2012-03-05 | (주)제이하라 | 플라즈마 발생장치 |
| KR101312505B1 (ko) * | 2010-12-10 | 2013-10-01 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 안테나 높이 조절이 가능한 기판처리장치 |
| KR101935952B1 (ko) * | 2011-08-17 | 2019-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR101265237B1 (ko) * | 2011-10-21 | 2013-05-16 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리 장치 |
| US10271416B2 (en) * | 2011-10-28 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | High efficiency triple-coil inductively coupled plasma source with phase control |
| CN103578905B (zh) * | 2012-07-30 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 电感耦合等离子体处理设备 |
| KR20160053247A (ko) | 2014-10-31 | 2016-05-13 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 장치 |
| KR101714405B1 (ko) | 2015-07-29 | 2017-03-10 | 주식회사 윈텔 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR101762230B1 (ko) | 2015-09-09 | 2017-08-03 | (주)얼라이드 테크 파인더즈 | Rf 전원부를 갖는 플라즈마 장치 |
| KR101853365B1 (ko) | 2016-07-01 | 2018-05-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2018
- 2018-07-02 KR KR1020180076490A patent/KR102190794B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-05-23 CN CN201910435957.1A patent/CN110233093B/zh active Active
- 2019-05-29 TW TW108118564A patent/TWI697030B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014532989A (ja) * | 2011-10-28 | 2014-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャンバ壁温度制御を備えたプラズマリアクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202006787A (zh) | 2020-02-01 |
| CN110233093A (zh) | 2019-09-13 |
| KR20200003561A (ko) | 2020-01-10 |
| CN110233093B (zh) | 2021-08-24 |
| TWI697030B (zh) | 2020-06-21 |
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