TWI697030B - 以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置 - Google Patents

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鄭相坤
金亨源
權赫俊
鄭熙錫
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南韓商吉佳藍科技股份有限公司
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    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
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Abstract

本發明涉及一種以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，包括腔體，在內部用等離子體處理基板；天線線圈，向供給到所述腔體內部的工程氣體放射高頻波以生成等離子體；連動部，連接所述天線線圈，與所述天線線圈一起移動；水平驅動部，提供驅動力以使所述連動部沿水平方向移動；以及驅動控制部，控制所述水平驅動部的驅動，所述驅動控制部以對應從所述天線線圈的目前位置到所述天線線圈應移動到的位置的移動方向和移動距離的方式，調節所述水平驅動部的驅動量，以此來控制通過所述天線線圈的等離子體的形成位置。

Description

以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置
本發明涉及一種以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，具體涉及一種通過調節天線線圈的位置來控制等離子體密度的基板處理裝置。
基板處理裝置是用於執行半導體工程的裝置，具體是用等離子體P處理基板10的裝置。
此時，基板10可以是晶片或者安裝有晶片的託盤。
另外，基板處理裝置可以是用等離子體P執行蝕刻、蒸鍍以及灰化中的一個以上的裝置。
基板處理裝置中，天線線圈向供給到腔體100內部中的工程氣體放射高頻波(High-frequency wave)以生成等離子體P。
此時，生成的等離子體P的密度影響基板10的處理速度。
例如，等離子體P的密度高，則基板10的處理速度變快，等離子體P的密度低，則基板10的處理速度變慢。
通常，用於調節基板10的處理速度的等離子體P的密度的控制是通過增加或者減少從高頻電源部20供給到天線線圈200的高頻功率(High-frequency power)來進行控制。
例如，如基板10的處理速度慢，則增加供給到天線線圈200的高頻功率、如基板10的處理速度快，則減少供給到天線線圈200的高頻功率，由此來調節基板的處理速度。
這樣的方法是間接控制高頻功率以控制天線線圈200放射的高頻波。
然而，存在如下問題：從高頻電源部20供給到天線線圈200的過程中，高頻波會受到環境因素的諸多影響，因此，不能預期那樣有效控制天線線圈200放射的高頻波，結果無法有效控制等離子體P密度。
另外，存在如下問題：為了控制高頻功率，增加複數個電氣/電子構成，其使得管理專案增加，由此會使更換週期變快。
這樣的問題隨著基板處理裝置所處理的基板10面積變大而增多。
如圖1所示，處理大面積基板10的基板處理裝置中，由於基板10的內側以及外側等離子體密度不均勻，通過內側天線線圈210以及外側天線線圈220分別控制基板的內側以及外側等離子體密度。
通常，通過增加或者減少從第一高頻電源部21供給到內側天線線圈210的高頻功率來進行基板10的內側等離子體密度的控制，通過增加或者減少從第二高頻電源部22供給到外側天線線圈220的高頻功率來進行基板10的外側等離子體密度的控制。
例如，基板10內側的處理速度慢時，增加供給到內側天線線圈210的高頻功率，基板10內側的處理速度快時，減少供給到內側天線線圈210的高頻功率，從而控制基板10內側的處理速度。
另外，基板10外側的處理速度慢時，增加供給到外側天線線圈220的高頻功率，基板10外側的處理速度快時，減少供給到外側天線線圈220的高頻功率，從而控制基板10外側的處理速度。
存在如下所述的與上述天線線圈200問題相同的問題：不能預期那樣有效控制內側天線線圈210以及外側天線線圈220放射的高頻波，結果無法有效控制等離子體密度。
另外，存在如下問題：為了分別控制供給到內側天線線圈210以及外側天線線圈220的高頻功率，增加包括第一高頻電源部21以及第二高頻電源部22的複數個電氣/電子構成，使得管理專案進一步增加，以此會使更換週期變得更快。
上述背景技術說明的事項僅僅是為了增進對本發明背景的理解，而不應被認為是對在該技術領域具有通常知識的人員已知的以往技術。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：韓國KR10-1007822B1(2011.01.06)
專利文獻2：韓國KR10-1114283B1(2012.02.02)
專利文獻3：韓國KR10-1196649B1(2012.10.26)
專利文獻4：韓國KR10-0737989B1(2007.07.04)
專利文獻5：韓國KR10-2016-0053247A(2016.05.13)
專利文獻6：韓國KR10-1312505B1(2013.09.23)
專利文獻7：韓國KR10-1762230B1(2017.07.21)
專利文獻8：韓國KR10-1853365B1(2018.04.24)
專利文獻9：韓國KR10-1714405B1(2017.03.03)
本發明的課題在於解決上述說明的問題。
本發明的目的在於提供一種以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括：腔體，在內部用等離子體處理基板；天線線圈，向供給到所述腔體內部的工程氣體放射高頻波以生成等離子體；連動部，連接有所述天線線圈，並與所述天線線圈一起移動；水平驅動部，提供驅動力以使所述連動部沿水平方向移動；以及，驅動控制部，控制所述水平驅動部的驅動，所述驅動控制部以對應從所述天線線圈的目前位置到所述天線線圈應移動到的位置的移動方向和移動距離的方式，調節所述水平驅動部的驅動量，以此來控制根據所述天線線圈進行的等離子體的形成位置。
所述水平驅動部包括第一水平驅動部，提供驅動力以使所述連動部向水平方向的左右進行移動；以及第二水平驅動部，被所述第一水平驅動部連動而左右移動，提供驅動力以使所述連動部向水平方向的前後進行移動，所述第一水平驅動部和/或所述第二水平驅動部被驅動以在水平方向的左右前後中的至少一側上進行移動，以使所述天線線圈的中心點從最初位置隔開。
所述第一水平驅動部為旋轉的電機，所述第二水平驅動部與螺母外殼相連而左右移動，所述於螺母外殼通過被所述第一水平驅動部連動而旋轉的滾珠螺桿來進行移動。
所述第一水平驅動部為伸縮的氣缸，所述第二水平驅動部與螺母外殼相連而左右移動，所述螺母外殼通過被所述第一水平驅動部連動而伸縮的氣缸桿來進行移動。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，所述連動部包括連接部，與所述天線線圈結合；以及統合部，與複數個所述連接部結合，以使複數個所述連接部一併接收所述水平驅動部的驅動力。
所述連接部的包括與所述天線線圈接觸的部位的一定部分(一部分)由非導電性物質組成，以最小化所述天線線圈的干涉。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括垂直驅動部，垂直驅動部提供驅動力以使所述水平驅動部垂直移動，所述水平驅動部與所述連動部連動以垂直移動所述連動部。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括垂直驅動部，垂直驅動部位於所述水平驅動部與所述連動部之間，提供驅動力以使所述連動部垂直移動，所述水平驅動部與所述垂直驅動部連動以水平移動所述垂直驅動部。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，所述天線線圈包括：內側天線線圈，控制所述基板內側的等離子體密度；以及，外側天線線圈，控制所述基板外側的等離子體密度，所 述連動部包括內側連動部所述內側連動部與所述內側天線線圈連動以水平移動所述內側天線線圈，所述基板處理裝置包括內側水平驅動部，內側水平驅動部提供驅動力以使所述內側連動部水平移動。
所述內側水平驅動部包括：內側第一水平驅動部，左右移動所述連動部；以及，內側第二水平驅動部，前後移動所述連動部。
所述內側第二水平驅動部被所述內側第一水平驅動部連動而左右移動，所述連動部被所述內側第二水平驅動部連動而前後移動。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括內側垂直驅動部，內側垂直驅動部提供驅動力以使所述內側水平驅動部垂直移動，所述內側水平驅動部與所述連動部連動以垂直移動所述連動部。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括：外側連動部，與所述外側天線線圈連動以水平移動所述外側天線線圈；以及，外側水平驅動部，提供驅動力以使所述外側連動部水平移動。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，所述外側水平驅動部包括：外側第一水平驅動部，左右移動所述連動部；以及，外側第二水平驅動部，前後移動所述連動部。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，所述外側第二水平驅動部被所述外側第一水平驅動部連動而左右移動，所述連動部被所述外側第二水平驅動部連動而前後移動。
根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括外側垂直驅動部，外側垂直驅動部提供驅動力以使所述外側水平驅動部垂直移動，所述外側水平驅動部與所述連動部連動以垂直移動所述連動部。
發明效果
若調節天線線圈的位置，則可直接控制天線線圈放射的高頻波，因此，具有可有效控制等離子體密度分佈的優點。
具有無需用於控制高頻功率的電氣/電子構成的優點。
具有垂直和/或水平移動天線線圈以控制等離子體密度分佈的優點。
具有垂直和/或水平移動內側天線線圈以及外側天線線圈中的任意一個以上，以控制對基板內側以及外側中的任意一個以上的等離子體密度分佈。
對於基板處理裝置而言，具有除CCP以外，還可適用於各種基板處理裝置的優點。
控制部600調節天線線圈200的位置，因此，無需腔體100的開放而可調節天線線圈200的位置，進而具有最小化基板處理裝置的操作中斷時間，以提高生產率的優點。
以機械方式調節位置，因此，與使用者直接用工具分解天線線圈200而調整位置後重新組裝的情況相比，具有能夠精確地調節位置，從而能夠精確調節位置以最少化不良的優點。
10:基板
100:腔體
110:卡盤
200:天線線圈
210:內側天線線圈
220:外側天線線圈
300:連動部
301:連接部
302:統合部
303:支撐部
310:內側連動部
311:內側連接部
312:內側統合部
400:垂直驅動部
410:內側垂直驅動部
420:外側垂直驅動部
500:水平驅動部
501:第一水平驅動部
502:第二水平驅動部
510:內側水平驅動部
511:內側第一水平驅動部
512:內側第二水平驅動部
520:外側水平驅動部
600:控制部
P:等離子體
BS:滾珠螺桿
SB:氣缸桿
NH:螺母外殼
圖1是用於說明習知技術的示意圖。
圖2是用於說明垂直驅動部為氣缸的情況的示意圖。
圖3是在垂直驅動部為氣缸的情況下用於說明天線線圈的上升的示意圖。
圖4是在垂直驅動部為氣缸的情況下用於說明天線線圈的下降的示意圖。
圖5是用於說明垂直驅動部為電機的情況的示意圖。
圖6是在垂直驅動部為電機的情況下用於說明天線線圈的上升的示意圖。
圖7是在垂直驅動部為電機的情況下用於說明天線線圈的下降的示意圖。
圖8至圖14是用於說明天線線圈的垂直移動的示意圖。
圖15至圖21是用於說明天線線圈的水平移動的示意圖。
圖22至圖29是用於說明天線線圈的垂直以及水平移動的示意圖。
如圖16所示，第一水平驅動部501為旋轉的電機時，第二水平驅動部502能夠被螺母外殼NH連動而左右移動，該螺母外殼NH通過被第一水平驅動部501連動而旋轉的滾珠螺桿BS來進行移動。
另外，第一水平驅動部501為伸縮的氣缸時，第二水平驅動部502能夠被螺母外殼NH連動而左右移動，該螺母外殼NH通過被第一水平驅動部501連動而伸縮的氣缸桿SB來進行移動。
如圖17所示，第二水平驅動部502為旋轉的電機時，連動部300能夠被螺母外殼NH連動而前後移動，該螺母外殼NH通過被第二水平驅動部502連動而旋轉的滾珠螺桿BS來進行移動。
另外，第二水平驅動部502為伸縮的氣缸時，連動部300能夠被螺母外殼NH連動而前後移動，該螺母外殼NH通過被第二水平驅動部502連動而伸縮的氣缸桿SB來進行移動。
與上述相反，第一水平驅動部501能夠被第二水平驅動部502連動而前後移動。
另外，連動部300能夠被第一水平驅動部501連動而左右移動。
可通過組合上述的左右移動以及前後移動，如圖18所示，將天線線圈200水平移動到所需位置。
如圖19所示，第二水平驅動部502的滾珠螺桿BS結合到第一水平驅動部501的螺母外殼NH，第一水平驅動部501左右移動第二水平驅動部502的滾珠螺桿BS而使得第二水平驅動部502左右移動，連動部300能夠被第二水平驅動部502連動而左右移動。
如圖20所示，第二水平驅動部502結合到第一水平驅動部501的螺母外殼NH，第一水平驅動部501左右移動第一水平驅動部501的螺母外殼NH而使得第二水平驅動部502左右移動，連動部300能夠被第二水平驅動部502連動而左右移動。
如圖21所示，第二水平驅動部502結合到支撐部303，第一水平驅動部501左右移動支撐部303而使得第二水平驅動部502左右移動，連動部300能夠被第二水平驅動部502連動而左右移動。
基板10的處理偏向一側而被處理時，可將天線線圈200水平移動到與偏向的位置相反的位置，以此使得基板10的處理在中央完成。
如上所述，具有能夠水平移動天線線圈200以控制等離子體形成位置的優點。
如圖15至圖21所示，天線線圈200包括內側天線線圈210以及外側天線線圈220。
與上述的作為水平移動天線線圈200的構成的連動部300、水平驅動部500、第一水平驅動部501以及第二水平驅動部502的構成相同地，內側天線線圈210可通過包括內側連動部310、內側水平驅動部510、內側第一水平驅動部511以及內側第二水平驅動部512的構成來進行水平移動。
外側天線線圈220可以固定位置，或者，可通過作為與內側天線線圈210相同的水平移動構成的、包括外側連動部320、外側水平驅動部520、外側第一水平驅動部501以及外側第二水平驅動部502的構成來進行水平移動。
如上所述，具有能夠水平移動內側天線線圈210以及外側天線線圈220中的任意一個以上以控制基板10內側以及外側等離子體密度中的任意一個以上的優點。
<關於天線線圈200的垂直以及水平移動的實施例> 根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，與上述的天線線圈200的垂直移動以及水平移動相同地，可分別實施天線線圈200的垂直移動以及水平移動，或者，如圖22至圖26所示，可同時實施天線線圈200的垂直移動以及水平移動。
如圖22至圖24所示，本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置包括腔體100、天線線圈200、連動部300、垂直驅動部400以及水平驅動部500。
關於垂直移動以及水平移動的構成與上述內容相同，因此，主要說明關於結合構成的區別點。
連動部300與天線線圈200連動以垂直以及水平移動天線線圈200。
水平驅動部500提供驅動力以使連動部300水平移動。
垂直驅動部400提供驅動力以使水平驅動部500垂直移動。
即，水平驅動部500水平移動連動部300，垂直驅動部400垂直移動水平驅動部500而使得連動部300與水平驅動部500一起垂直移動，從而使得天線線圈200垂直移動以及水平移動。
與上述相反，如圖25所示，垂直驅動部400垂直移動連動部300，水平驅動部500水平移動垂直驅動部400而使得連動部300與垂直驅動部400一起水平移動，從而使得天線線圈200能夠垂直移動以及水平移動。
如圖22以及圖24所示，通過能夠垂直以及水平移動內側天線線圈210的構成，以此可調節基板10內側的處理速度。
另外，通過能夠垂直以及水平移動外側天線線圈220的構成，以此可調節基板10外側的處理速度。
另外，通過能夠垂直以及水平移動內側天線線圈210以及外側天線線圈220的構成，以此可調節基板10的內側處理速度以及外側處理速度。
如圖22以及圖25所示，垂直驅動部400可以是氣缸，水平驅動部500可以是電機。
另外，垂直驅動部400可以是電機，水平驅動部500可以是氣缸。
如圖26所示，垂直驅動部400以及水平驅動部500可以是電機。
另外，垂直驅動部400以及水平驅動部500可以是氣缸。
如上所述，具有可垂直以及水平移動內側天線線圈210以及外側天線線圈220中的任意一個以上，以調節基板10內側以及外側中的任意一個以上的處理速度的優點。
<關於等離子體生成結構的實施例>
基板處理裝置中利用電場生成等離子體的CCP(電容耦合等離子，capacitive coupled plasma)的情況下，天線線圈200形成在腔體100的上部，如圖2至圖26所示，根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，天線線圈200的移動範圍形成在腔體100的上部。
如果，天線線圈200形成在腔體100的下部時，天線線圈200的移動範圍形成在腔體100的下部。
即，根據天線線圈200所形成的腔體100的位置，形成天線線圈200的移動範圍。
基板處理裝置中，利用磁場生成等離子體的ICP(感應耦合等離子體，inductive coupled plasma)的情況下，天線線圈200可形成在腔體100的周邊，如圖27至圖29所示，根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置中，天線線圈200的移動範圍可形成在腔體100的周邊。
如上所述，具有基板處理裝置中除了CCP以外還可適用於各種基板處理裝置的優點。
<關於控制天線線圈200的移動構成的實施例>根據本發明的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，如圖2至圖4所示，可包括控制部600，其對提供驅動力以使天線線圈200沿垂直方向移動的垂直驅動部400的驅動量進行控制，或者，如圖15至圖18所示，可包括控制部600，其對提供驅動力以使天線線圈200沿水平方向移動的水平驅動部500的驅動量進行控制。
此時，控制部600可控制垂直驅動部400以及水平驅動部500。
控制部600通過控制驅動量來控制天線線圈200的移動距離，以控制根據天線線圈200進行的等離子體P的形成位置。
基於此，控制部的具體操作構成如下。
首先，檢測已處理等離子體P的基板10，以確認處理速度的偏差發生的領域。
此時，偏差領域的確認可通過直接檢測基板來確認，或者，可通過等離子體的密度等間接確認。
然後，控制部600中輸入關於基板10的偏差領域的資訊。
然後，控制部600以輸入的資訊為基礎，計算天線線圈200的移動方向以及移動距離，算出天線線圈200的位置控制值。
此時，可代替關於基板10的偏差領域的資訊輸入，可對控制部600直接輸入天線線圈200的位置控制值。
然後，控制部600以天線線圈200的位置控制值為基礎，調節垂直驅動部400的驅動量，以調節天線線圈200的垂直位置，或者，調節水平驅動部500的驅動量，以調節天線線圈200的水平位置，以此控制等離子體密度分佈。
如上所述，控制部600調節天線線圈200的位置，因此無需腔體100的開放可調節天線線圈200的位置，從而具有最小化基板處理裝置的操作中斷時間以提高生產率的優點。
另外，以機械方式調節位置，因此，與使用者直接用工具分解天線線圈200而調整位置後重新組裝的情況相比，能夠精確地調節位置，從而具有能夠精確調節位置而最少化不良的優點。
100:腔體
200:天線線圈
210:內側天線線圈
220:外側天線線圈
300:連動部
310:內側連動部
500:水平驅動部
501:第一水平驅動部
502:第二水平驅動部
510:內側水平驅動部
511:內側第一水平驅動部
512:內側第二水平驅動部
600:控制部
BS:滾珠螺桿
SB:氣缸桿
NH:螺母外殼

Claims (16)

  1. 一種以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，包括：一腔體，在內部用等離子體處理基板；一天線線圈，向供給到該腔體內部的工程氣體放射高頻波以生成等離子體；一連動部，連接有該天線線圈，與該天線線圈一起移動；一水平驅動部，提供驅動力以使該連動部沿水平方向移動，以在水平方向上改變該天線線圈之質量重心之位置；以及，一驅動控制部，控制該水平驅動部的驅動，該驅動控制部以對應從該天線線圈的目前位置到該天線線圈應移動到的位置的移動方向和移動距離的方式，調節該水平驅動部的驅動量，由此來控制通過該天線線圈的等離子體的形成位置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該水平驅動部包括：一第一水平驅動部，提供驅動力以使該連動部向水平方向的左右進行移動；以及一第二水平驅動部，被該第一水平驅動部連動而左右移動，提供驅動力以使該連動部向水平方向的前後進行移動，該第一水平驅動部和/或該第二水平驅動部被驅動，以在水平方向的左右前後中的至少一側上進行移動，以使該天線線圈的中心點從最初位置隔開。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該第一水平驅動部為旋轉的電機，該第二水平驅動部與一螺母外殼相連而左右移動，該螺母外殼通過被該第一水平驅動部連動而旋轉的滾珠螺桿來進行移動。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該第一水平驅動部為伸縮的氣缸，該第二水平驅動部與一螺母外殼相連而左右移動，該螺母外殼通過被該第一水平驅動部連動而伸縮的氣缸桿來進行移動。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該連動部包括：一連接部，與該天線線圈結合；以及，一統合部，與複數個該連接部結合，以使複數個該連接部一併接收該水平驅動部的驅動力。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該連接部的包括與該天線線圈接觸的部位的一定部分由非導電性物質組成，以最小化該天線線圈的干涉。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置包括一垂直驅動部，該垂直驅動部提供驅動力以使該水平驅動部垂直移動， 該水平驅動部與該連動部連動以垂直移動該連動部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置包括一垂直驅動部，該垂直驅動部位於該水平驅動部與該連動部之間，提供驅動力以使該連動部垂直移動，該水平驅動部與該垂直驅動部連動以水平移動該垂直驅動部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該天線線圈包括：一內側天線線圈，控制該基板內側的等離子體密度；以及，一外側天線線圈，控制該基板外側的等離子體密度，該連動部包括內側連動部，該內側連動部與該內側天線線圈連動，以水平移動該內側天線線圈，該基板處理裝置包括一內側水平驅動部，該內側水平驅動部提供驅動力以使該內側連動部水平移動。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該內側水平驅動部包括：一內側第一水平驅動部，左右移動該連動部；以及，一內側第二水平驅動部，前後移動該連動部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該內側第二水平驅動部被該內側第一水平驅動部連動而左右移動，該連動部被該內側第二水平驅動部連動而前後移動。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置包括一內側垂直驅動部，該內側垂直驅動部提供驅動力以使該內側水平驅動部垂直移動，該內側水平驅動部與該連動部連動，以垂直移動該連動部。
  13. 如申請專利範圍第9項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置包括：一外側連動部，與該外側天線線圈連動，以水平移動該外側天線線圈；以及，一外側水平驅動部，提供驅動力以使該外側連動部水平移動。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該外側水平驅動部包括：一外側第一水平驅動部，左右移動該連動部；以及，一外側第二水平驅動部，前後移動該連動部。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該外側第二水平驅動部被該外側第一水平驅動部連動而左右移動，該連動部被該外側第二水平驅動部連動而前後移動。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的以機械方式控制等離子體密度的基板處理裝置，其中，該基板處理裝置包括一外側垂直驅動部，該外側垂直驅動部提供驅動力以使該外側水平驅動部垂直移動， 該外側水平驅動部與該連動部連動，以垂直移動該連動部。
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