KR102156903B1 - 신너 폐액의 정제방법 및 이에 의해 수득되는 신너 조성물 - Google Patents

신너 폐액의 정제방법 및 이에 의해 수득되는 신너 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제조 공정에서 사용된 신너의 폐액을 증류단계를 거쳐 정제하는 신너 폐액의 정제방법 및 이에 의해 수득되는 신너 조성물에 관한 것이다. 특히, 본 발명에 따르는 신너 폐액의 정제방법은 반도체나 디스플레이 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 사용된 신너의 폐액을 회수하여 이로부터 사이클로헥산온(Cyclohexanone) 및 MAK(Methyl Amyl Ketone)를 제거하여 산업적으로 재사용 가능한 신너 조성물을 제공할 수 있다.

Description

신너 폐액의 정제방법 및 이에 의해 수득되는 신너 조성물 {Purification method of thinner waste and thinner composition manufactured thereby}
본 발명은 신너 폐액의 정제방법 및 이에 의해 수득되는 신너 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 사용된 신너의 폐액을 증류 단계를 거쳐 정제하는 신너 폐액의 정제 방법 및 이러한 방법에 의해 수득되는 신너 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트 세정용 신너는 반도체 또는 디스플레이 제조과정에서 노광(Photolithography) 및 식각(Etching) 공정을 거친 후에 남아 있는 포토레지스트를 세정하기 위한 린스 공정에서 사용된다. 이러한 신너는 여러 화학물질이 특정 성분비로 혼합되어 다양한 조성으로 제조될 수 있으며, 대표적인 예로는 PGME (Propylene Glycol Methyl Ether 또는 1-Methoxy-2-Propanol라고 함; 비점 120℃) 70중량% 및 PGMEA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate 또는 1-Methoxy-2-Propanol Acetate; 비점 146℃) 30중량%로 구성된 신너가 있다.
반도체 또는 디스플레이 제조과정에서 사용된 신너의 폐액은 반도체 산업체로부터 막대한 양이 배출되고 있는데, 신너의 폐액을 그대로 폐기하는 경우 환경 오염의 문제가 있을 뿐만 아니라 폐액 중에는 HBM(2-Hydroxyisobutyric acid methyl ester) 같이 포토레지스트의 세정력이 가장 우수하며 고가(HBM은 다른 신너 성분보다 4배 정도 가격이 비쌈)인 성분이 다량 포함되어 있으므로, 이를 그대로 폐기할 경우 경제적 손실이 막대한 문제가 있다.
신너의 폐액에 통상 포함되는 신너 성분으로는 전술한 PGME 및 PGMEA 외에도 HBM(2-Hydroxyisobutyric acid methyl ester; 비점 137℃), EL(Ethyl lactate; 비점 154℃), MAK(Methyl Amyl Ketone; 비점 149℃), 사이클로헥산온(Cyclohexanone; 비점 155℃), EEP(Ethyl 3-ethoxypropionate; 비점 170℃), DPE(Diisopentyl Ether; 비점 173℃), GBL(γ-Butyrolactone; 비점 204℃) 및 물(비점 100℃) 등을 포함할 수 있다(여기서 비점은 모두 1기압, 760mmHg에서의 비점임).
이러한 신너 폐액에 포함되어 있는 신너 성분을 회수하기 위하여 대한민국 등록특허 제10-1939811호(2019.01.11. 등록) 등에서 신너 폐액의 정제방법 등을 개시하고 있으나, 이러한 정제방법에 의해서는 사이클로헥산온(Cyclohexanone)과 및 MAK(Methyl Amyl Ketone)이 전혀 제거되지 않는 문제점이 있다.
사이클로헥산온 및 MAK는 일부 디스플레이사에 의해 사용 금지물질로 지정되어 있기 때문에 신너 폐액을 정제한 제품은 이들 화합물을 포함하여서는 안되며, 반드시 제거되어야 한다. 그러나, HBM, PGMEA 및 EL 같은 신너 성분들과 사이클로헥산온 및 MAK의 비점 차이가 적기 때문에 일반적인 증류 방법으로 이들 신너 성분을 회수할 경우, 유효성분인 HBM, PGMEA 및 EL 등이 사이클로헥산온 및 MAK와 함께 회수되는 문제점이 있다. 따라서, 사이클로헥산온 및 MAK가 증류탑 상부로 회수되지 않는 운전 조건 및 방법을 연구할 필요성이 있다.
대한민국 등록특허 제10-1939811호(2019.01.11. 등록)
본 발명은 한 양태로, 반도체 또는 디스플레이 제조 공정에서 사용된 신너의 폐액으로부터 유효한 신너 성분을 회수하되, 사용 금지 물질로 지정되어 있는 사이클로헥산온(Cyclohexanone) 및 MAK(Methyl Amyl Ketone)는 포함하지 않는 신너 폐액의 정제방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 또 다른 양태로, 상술한 신너 폐액의 정제방법으로부터 수득한, 사이클로헥산온(Cyclohexanone) 및 MAK(Methyl Amyl Ketone)를 포함하지 않는 신너 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명에 따르는 신너 폐액의 정제방법은 반도체 또는 디스플레이 제조 공정, 특히, 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 사용된 신너의 폐액을 정제하여 신너 성분을 회수하되, 이 때 사이클로헥산온(Cyclohexanone) 및 MAK(Methyl Amyl Ketone)는 회수하지 않도록 공정 조건을 선택함으로써, 사용 규제 성분을 포함하지 않아 재사용 가능한 신너 조성물을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 양태에 따른 신너 폐액의 정제방법에서 사용되는 공정의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 신너 폐액의 정제방법에서 사용되는 신너 폐액의 조성을 확인하기 위한 GC 분석 결과이다.
도 3는 본 발명의 하나의 실시예에 따라 신너 폐액을 2기의 증류탑을 이용해 연속 공정으로 정제하여 2차 증류탑 상부로부터 수득한 신너 조성물의 GC 분석 결과이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 반도체 또는 디스플레이 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 사용된 신너의 폐액을 증류 단계를 거쳐 정제하는 신너 폐액의 정제방법 및 이러한 방법에 의해 수득된 신너 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 특히, a) 신너 폐액을 1차 증류탑에 투입하여 HBM(비점 137℃) 보다 저비점을 가지는 저비점 불순물을 상기 1차 증류탑 상부로 제거하고, 잔류 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부에서 회수하는 1차 회수 단계; 및 b) 상기 1차 회수 단계에서 회수된 혼합물을 연속 공정으로 2차 증류탑에 투입하여, 증류탑 상부로 신너용 화합물을 포함하는 신너 조성물을 회수하는 2차 회수 단계;를 포함하는 신너 폐액의 정제 방법을 제공한다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 1차 회수 단계 a)는 60 내지 160mmHg의 압력에서 이론단수 70 내지 90의 1차 증류탑에서 수행되어 증류탑 상부로 비점 40 내지 65℃인 저비점 불순물을 제거하고 나머지 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부로 회수하는 단계일 수 있다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 2차 회수 단계 b)는 60 내지 160mmHg 압력의 2차 증류탑에서 수행되어 증류탑 상부로 비점 60 내지 85℃인 신너용 화합물을 포함하는 신너 조성물을 회수하는 단계일 수 있다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 신너 폐액은 PGME(Propylene Glycol Methyl Ether 또는 1-Methoxy-2-Propanol), n-BA(n-Butyl Acetate), HBM(2-Hydroxyisobutyric Acid Methyl Ester), PGMEA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate, 1-Methoxy-2-Propanol Acetate), EL(Ethyl Lactate), MAK(Methyl Amyl Ketone), 사이클로헥산온(Cyclohexanone), EEP(Ethyl 3-Ethoxypropionate), DPE(Diisopentyl Ether) 및 GBL(γ-Butyrolactone) 중 한 종 이상, 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 신너 조성물은 MAK(Methyl Amyl Ketone) 및 사이클로헥산온(Cyclohexanone)을 포함하지 않는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 신너 조성물은 HBM(2-Hydroxyisobutyric Acid Methyl Ester) 및 PGMEA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate 또는 1-Methoxy-2-Propanol Acetate)을 포함할 수 있다.
본 발명의 신너 폐액의 정제방법의 한 구체예에서, 상기 신너 폐액은 반도체 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스공정에서 사용된 신너의 폐액이 이용되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명은 추가의 양태로, 본 발명의 어느 하나의 구체예에 따르는 신너 폐액의 정제방법으로부터 수득되는 신너 조성물을 제공한다.
전술한 바와 같이 신너의 폐액은 PGME(비점 120℃) 및 PGMEA(비점 146℃) 뿐만 아니라 HBM(2-Hydroxyisobutyric acid methyl ester, 비점 137℃), EL(Ethyl lactate, 비점 154℃), MAK(Methyl Amyl Ketone, 비점 149℃), 사이클로헥산온(Cyclohexanone, 비점 155℃), EEP(Ethyl 3-ethoxypropionate, 비점 170℃), DPE(Diisopentyl Ether, 173℃), GBL(γ-Butyrolactone, 비점 204℃) 및 물(비점 100℃ 등을 포함할 수 있다(여기서 비점은 모두 1기압, 760mmHg에서의 비점임).
신너 폐액의 주요 성분 및 이의 화학 구조와 비점은 다음 표 1에 나타낸 것과 같다.
Figure 112020030882805-pat00001
전술한 바와 같이, 통상의 반도체 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 발생하는 신너의 폐액 조성물 중에는 사용 규제 물질인 사이클로헥산온 및 MAK가 함유되어 있는데, 신너 폐액에서 PGME, HBM, PGMEA, EL 등 유효 신너 성분을 회수하기 위하여 비점 차이를 이용하여 분리하는 통상의 분별 증류를 이용할 경우, 사이클로헥산온 및 MAK의 비점이 이들 유효 신너 성분의 비점과 유사하여 이들 유효 성분만을 회수하기 어려운 문제점이 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 하나의 구체예에 따른 신너 폐액의 정제방법은, a) 이론단수가 70 내지 90단인 증류탑에서 적정한 감압증류방법으로 신너 폐액을 1차 증류탑에 투입하여 신너용 화합물보다 비점이 낮은 저비점 불순물을 증류탑 상부로 제거하고, 잔류 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부로 회수하는 1차 회수 단계; 및 b) 상기 1차 회수 단계에서 회수된 혼합물을 연속 공정으로 이론단수가 100단 내지 130단인 고단수의 2차 증류탑에 투입하여 감압분별증류에 의해 2차 증류탑 상부로 HBM 및 PGMEA를 회수하는 2차 회수 단계를 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 양태에 따른 신너 폐액의 정제방법에서는 2차 증류탑에서 이론 단수가 100 내지 130단인 증류탑을 이용하는데 분별증류에서는 증류탑의 이론단수가 클수록 분리능이 좋아지는 바, 이러한 고단수의 증류탑을 이용함으로 인해 적정한 진공상태에서 감압분별증류 방법으로 정제할 경우 비점이 유사한 신너 성분을 분리하는 것이 가능하게 된다. 즉, 2차 증류탑에서 상부 온도 및 회수량을 조절하면서 HBM 및 PGMEA의 2성분만을 우선적으로 회수한 후 HBM 및 PGMEA보다 고비점인 MAK 및 사이클로헥산온이 증류탑 상부로 회수되기 직전에 추가의 유효 성분의 회수를 중단함으로써 결과적으로 MAK 및 사이클로헥산온이 없는 신너 조성물을 수득하는 것이 가능하게 된다. 2차 증류탑에서 HBM 및 PGMEA만이 회수되고 사이클로헥산온 및 MAK이 회수되지 않게 하기 위해서는 이론 단수가 높은 증류탑을 사용하는 것이 중요하며, 그리하여 1차 증류탑보다 2차 증류탑의 이론단수가 높아야 한다.
본 발명의 하나의 구체예에 따르는 신너 폐액의 정제방법을 첨부하는 도 1을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 하나의 구체예에 따르는 신너 폐액의 정제방법에서 사용되는 공정의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 구체예에 따르는 신너 폐액의 정제방법은 신너 폐액을 1차 증류탑(101)에 투입하여 신너용 화합물보다 저비점을 가지는 저비점 불순물을 1차 증류탑(101) 상부로 제거하고 나머지 성분들의 혼합물을 1차 증류탑(101) 하부로 회수하는 1차 회수 단계를 포함할 수 있다. 이때 상기 1차 회수단계는 60 내지 160mmHg 압력의 1차 증류탑에서 수행하여 증류탑 상부로 비점 40~65℃인 저비점 불순물을 제거하고 나머지 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부로 회수하는 단계일 수 있다. 여기서 1차 증류탑(101)의 압력을 60 내지 160mmHg로 유지하면서 신너 폐액을 분별증류하므로 증류탑 상부로 비점 40~65℃인 저비점 불순물을 제거할 수 있다.
또한 본 발명의 구체예에 따르는 신너 폐액의 정제방법은 상기 1차 회수 단계에서 회수된 혼합물을 연속 공정으로 2차 증류탑(102)에 투입하여 2차 증류탑(102) 상부로 신너 성분을 회수하는 2차 회수 단계를 포함할 수 있다. 이때 상기 2차 회수 단계는 60 내지 160mmHg 압력의 2차 증류탑에서 수행하여 증류탑 상부로 비점 60~85℃인 신너 성분을 포함하는 신너 조성물을 회수하는 단계일 수 있다. 여기서 2차 증류탑(102)의 압력을 60 내지 160mmHg로 유지하면서 신너 폐액을 분별증류하므로 증류탑 상부로 비점 60~85℃인 신너용 화합물을 포함하는 신너 조성물을 회수할 수 있고, 이 때 고단수의 증류탑에서 다량의 환류를 적용하여 상부 유출량을 조정함으로써 MAK(Methyl Amyl Ketone) 및 사이클로헥산온(Cyclohexanone)이 포함되지 않도록 할 수 있다.
2차 회수 단계의 상부에서 회수되는 신너 조성물은 약 30 내지 약 99중량%의 HBM과 약 1 내지 약 70중량%의 PGMEA를 포함한다. 2차 회수 단계에서 2차 증류탑 하부로는 신너 폐액에 잔류하는 고비점 불순물, 예를 들면, EL, 사이클로헥산온, MAK, EEP, DPE, GBL 등을 제거할 수 있다.
이하, 실시예를 통해서 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 이들은 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
2성분 조성물의 정제방법
a) 1차 회수 단계
신너 폐액에 함유된 신너 성분 HBM (비점 137℃; 760 mmHg에서의 비점)보다 비점이 낮은 저비점 불순물을 제거하기 위하여 이론단수 70 내지 90단의 증류탑과 감압증류 방법을 이용하여 정제하였다.
구체적으로, 신너 폐액을 60~160mmHg 압력의 1차 증류탑에 투입하여 온도가 40℃가 될 때부터 1차 증류탑의 상부로부터 증류물을 회수하기 시작하여 65℃가 될 때까지 신너 성분 HBM보다 비점이 낮은 저비점 물질을 제거하였다.
b) 2차 회수 단계
상기 1차 회수 단계에 이어서, 연속 공정으로 상기 1차 증류탑의 하부로부터 회수된 증류물을 60~160mmHg 압력의 이론단수 100단 내지 130단인 2차 증류탑에 투입하여 증류탑 상부 온도 60~85℃에서 환류량을 조절하여 불순물인 사이클로헥산온 및 MAK가 증류탑 상부로 검출되기 직전까지 HBM 및 PGMEA을 포함하는 증류물을 회수하였다.
실시예 1
상술한 2성분 조성물의 정제방법에 따라 정제하되, 아래 표 2에 기재된 구체적인 정제 조건을 이용해 정제를 수행하였다.
정제 조건 1차 증류탑 2차 증류탑
이론 단수 75단 105단
증류탑 내 압력 120mmHg 65mmHg
증류탑 내 상부온도 52℃ 75℃
환류비율 회수량: 환류량 = 1.0:1.5 회수량: 환류량 = 1.0:1.5
신너 폐액량에 대한 증류탑 상부 증류물의 함량 5중량% 25중량%
정제 후, 각 증류탑에서 얻어진 증류물의 성분의 조성은 아래 표 3에 기재한 바와 같다.
신너 폐액 및 증류물 성분 및 함량(중량%)
PGME n-BA HBM PGMEA EL MAK 사이클로
헥산온		 EEP DPE GBL 수분 기타
신너 폐액 0.59 0.67 13.67 30.53 11.30 0.06 0.14 37.81 0.05 2.65 2.1 0.43
1차 증류탑 상부 증류물 11.72 13.42 15.98 14.14 0 0 0 0 0.94 0 41.98 1.82
2차 증류탑 상부 증류물
(정제 신너)		 0 0 48.63 51.35 0 0 0 0 0 0 0.01 0.01
2차 증류탑 하부 증류물 0 0 1.01 24.32 16.21 0.10 0.21 54.09 0 3.82 0.01 0.23
실시예 2 내지 6
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 폐액, 동일한 증류 환류 비율(1.0:1.5), 동일한 증류탑과 동일한 정제 조건을 이용하되, 2차 증류탑 상부로 회수되는 정제된 신너 조성물을, 신너 폐액량에 대한 정제 신너 수율을 11 내지 35중량%로 변화시키는 것만 상이하게 하여 증류하였을 때, 얻어진 증류 결과는 다음 표 4와 같다.
신너 폐액 및
실시예
번호		 정제수율
중량%		 정제 신너의 성분 함량(중량%)
PGME n-BA HBM PGMEA EL MAK 사이클로헥산온 EEP DPE GBL 수분 기타
신너 폐액 - 0.59 0.67 13.67 30.53 11.30 0.06 0.14 37.81 0.05 2.65 2.1 0.43
실시예 2 11 0 0 99.95 0.03 0 0 0 0 0 0 0.01 0.01
실시예 3 13 0 0 87.90 12.08 0 0 0 0 0 0 0.01 0.01
실시예 4 20 0 0 59.89 40.09 0 0 0 0 0 0 0.01 0.01
실시예 5 31 0 0 40.87 59.11 0 0 0 0 0 0 0.01 0.01
실시예 6 35 0 0 35.19 64.78 0.004 0.004 0.003 0 0 0 0.01 0.01
실시예 7 내지 8
신너 폐액의 조성을 변화시키면서 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 증류 환류 비율(1.0:1.5), 증류탑 및 증류 조건을 이용하여 증류를 수행하였다. 정제 수율(25중량%)을 고정하여 증류탑들을 거쳐서 얻어지는 증류 결과는 다음 표 5와 같다.
성분명 비점(℃) 실시예 7 실시예 8
신너 폐액 중 각 성분 함량
(중량%)		 정제 신너 중 성분 함량 (중량%) 신너 폐액 성분 함량(중량%) 정제 신너 성분 함량
(중량%)
정제 수율 - 25 - 25
PGME 120 0.33 0 0.18 0
n-BA 125 0.74 0 0.64 0
HBM 137 16.33 59.21 19.54 68.26
PGMEA 146 27.33 40.77 31.57 31.72
EL 154 11.4 0 11.32 0
MAK 149 0.02 0 0.18 0
사이클로헥산온 155 0.38 0 0.27 0
EEP 170 38.41 0 32.03 0
DPE 173 0.04 0 0.08 0
GBL 204 2.58 0 2.05 0
수분 100 2.3 0.01 2.0 0.01
기타 - 0.14 0.01 0.14 0.01
2차 증류탑 상부 온도 - - 74℃ - 73℃
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.
101: 1차 증류탑
102: 2차 증류탑

Claims (10)

  1. a) 반도체 또는 디스플레이 제조과정에서 유래한 신너 폐액을 1차 증류탑에 투입하여 신너용 화합물보다 저비점을 가지는 저비점 불순물을 상기 1차 증류탑 상부로 제거하고 나머지 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부로 회수하는 1차 회수 단계; 및
    b) 상기 1차 회수 단계에서 회수한 혼합물을 연속 공정으로 2차 증류탑에 투입하여 HBM 및 PGMEA을 포함하는 신너 조성물을 상기 2차 증류탑 상부로 회수하는 2차 회수 단계;를 포함하는, 신너 폐액의 정제방법으로서,
    상기 신너 폐액은 HBM(2-Hydroxyisobutyric Acid Methyl Ester), PGMEA(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate, 1-Methoxy-2-Propanol Acetate), EL (Ethyl Lactate), MAK(Methyl Amyl Ketone), 사이클로헥산온(Cyclohexanone) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고,
    상기 2차 회수단계에서 회수된 신너 조성물은 MAK(Methyl Amyl Ketone) 및 사이클로헥산온(Cyclohexanone)을 포함하지 않으며,
    상기 1차 회수 단계는 이론 단수 70단 내지 90단의 증류탑을 사용하고, 상기 2차 회수 단계는 이론 단수 100단 내지 130단의 증류탑을 사용하며,
    상기 2차 회수 단계는 60 내지160 mmHg 압력의 2차 증류탑에서 수행되어 증류탑 상부로 비점 60~85℃인 신너용 화합물을 포함하는 신너 조성물을 회수하는 단계인 것인, 신너 폐액의 정제방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 1차 회수단계 a)는 60 내지 160mmHg 압력의 1차 증류탑에서 수행되어 증류탑 상부로 비점 40~65℃인 저비점 불순물을 제거하고 나머지 성분들의 혼합물을 상기 1차 증류탑 하부로 회수하는 단계임을 특징으로 하는, 신너 폐액의 정제방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 신너 폐액은 반도체 또는 디스플레이 제조 공정 중 포토레지스트를 세정하는 린스 공정에서 사용된 신너 폐액인 것을 특징으로 하는, 신너 폐액의 정제방법.
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