KR102143578B1 - 반도체 배관의 센터링 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.
구체적으로는, 반도체 분야에서 사용되는 배관에 있어서 2개의 배관을 연결할 때 사용되는 센터링을 제조하는 제조방법으로서,
배관 내부에서 유동되는 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있도록 개선된 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 배관의 센터링 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING A CENTERING OF }

본 발명은 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.

구체적으로는, 반도체 분야에서 사용되는 배관에 있어서 2개의 배관을 연결할 때 사용되는 센터링을 제조하는 제조방법으로서,

배관 내부에서 유동되는 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있도록 개선된 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조공정이나 LCD 제조공정에서는 클린룸(Clean Room) 구간 내의 공정 챔버에 다종 다양한 종류의 반응 가스를 일정한 품질 상태로 안정적이고 안전하게 공급하기 위한 각종 가스 공급 설비를 위한 가스배관이 필수적으로 설치된다.

통상적으로, 반도체 및 LCD 제조공정의 가스공급 설비를 통하여 공급되는 가스는 소위 "벌크 가스"라고 불리는 일반가스와, "프로세스 가스"라고 불리는 특수재료 가스 등이 있다.

예를 들면, 벌크 가스는 드라이 에어, 질소, 산소, 수소, 아르곤, 헬륨 등과 같이 비교적 대량으로 소비되는 일반 가스가 주종을 이루고 있으며, 프로세스 가스는 모노 실란, 포스핀, 삼불화질소, 암모니아 등과 같은 특수재료 가스가 주종을 이루고 있다.

특히, 프로세스 가스의 경우 미반응 가스와 부성(副成) 가스를 배출하게 되므로 유독성과 부식성 및 가연성 등이 매우 강하여 진공펌프 등과 같은 제해(除害)장치나 배기가스 처리장치(스크러버; scrubber)를 통해 무해화(無害化) 상태로 정화시켜 대기로 방출해야 한다.

따라서, 반도체 및 LCD 제조공정의 가스공급 설비는 프로세스 장치에까지 이르는 동안 가스의 고순도를 유지하면서 오염이나 누출을 방지할 수 있도록 충분한 청정도와 내식성 및 강도를 지닌 특수 배관 설비를 필요로 한다.

이러한 배관 설비는 품질, 안정성, 메인티넌스성, 경제성 등을 고려하여 선정하게 되는데, 통상 배기가스의 독성과 부식성 등으로 인하여 내식성이 뛰어난 스테인리스 파이프가 주로 이용되고 있다.

그런데, 반도체 및 LCD 제조공정의 프로세스 배기가스에는 반응생성물이나 더스트 등의 미립자가 다량 함유되어 있어서 배기가스가 진공펌프 또는 배기가스 처리장치로 이동되는 과정에서 외부 온도 변화 등에 의해 빠르게 파우더화 되면서 배관의 내부에 침적되거나 고착된다.

이러한 현상을 최대한 억제하기 위하여 특히 일반 가스에 비해 독성과 부식성 등이 강한 프로세스 가스의 배관은 스테인리스 파이프의 표면 보호를 위해 내주면에 예를 들어 테프론(Teflon)이라고 불리우는 불소수지층과 같은 특수 코팅층을 형성하여 사용하는 것이 일반적이다.

한편, 한국특허등록번호 제10-1320550호(명칭: 스테인리스 수지 합체 이중 구조 파이프 및 그 제조방법)에서는, 공보에 기재된 바와 같이, 스테인리스 파이프와; 상기 스테인리스 파이프의 양단에 각각 구비되는 1쌍의 플랜지와; 상기 스테인리스 파이프의 중공부에 삽입되어 내피를 형성하며, 양단이 상기 플랜지에 적층되어 합체되도록 절곡 성형된 가스켓부를 가지는 수지 파이프;를 포함하고, 상기 수지 파이프의 가스켓부는 상기 플랜지의 내측에서 외측으로 균등하게 40% 이상의 면적에 걸쳐 적층되도록 성형되는 이중 구조 파이프가 기재되어 있다.

그리고, 한국실용신안공개번호 제20-2013-0003346호(명칭: 누출 여부에 대한 육안 식별 확인이 용이한 폐수 및 화학물질 수송 및 이송용 파이프)에서는, 공보에 기재된 바와 같이, 폐수 및 화학물질 수송 및 이송용 파이프에 있어서, 내산성과, 내식성 재질로 이루어지며, 길이 방향의 길이를 갖는 내측 파이프와, 상기 내측 파이프의 외측 둘레에 일정 간격 이격 된 상태로 배치 구성되는 외측 파이프 및 상기 내측 파이프와 외측 파이프를 연결시킴과 동시에 내측 파이프와 외측 파이프 사이에 길이 방향의 수용공간이 형성되도록 하는 하나 이상의 리브로 구성되되, 상기 외측 파이프는 내측 파이프의 내부에서 수송 및 이송되는 폐수 및 화학물질이 누수가 되어 수용공간에 고일 때 그 누수 여부를 파이프의 외부에서 육안으로 식별이 용이하도록 투명하게 형성되는 폐수 및 화학물질 수송 및 이송용 파이프가 기재되어 있다.

또한, 한국특허등록번호 제10-1320553호(명칭: 가스 배관용 댐퍼 유닛)에서는, 공보에 기재된 바와 같이, 배관용 단위 파이프의 사이에 설치되는 중공형 튜브 본체와, 그 튜브 본체의 관로에 내장되도록 설치되는 블레이드 및 그 블레이드를 회동시켜 상기 튜브 본체의 관로를 개폐시켜 주기 위한 핸들부를 포함하는 가스 배관용 댐퍼유닛에 있어서, 상기 튜브 본체는 스테인리스 파이프와, 상기 스테인리스 파이프의 양단에 각각 구비되는 1쌍의 플랜지 및 상기 스테인리스 파이프의 중공부에 삽입되어 내피를 이루도록 코어체로 형성되며, 양단이 상기 1쌍의 플랜지에 각각 적층되어 합체되도록 절곡 성형된 가스켓부를 가지는 수지 파이프;를 포함하는 이중 구조체로 이루어지며, 상기 핸들부는 상기 튜브 본체를 관통하여 상기 블레이드에 결합되도록 설치되는 샤프트와, 상기 샤프트의 일단부에 설치되는 핸들 레버 및 상기 블레이드의 회동 각도를 결정하여 세팅할 수 있는 스토핑 기구를 포함하고, 상기 스토핑 기구는 상기 샤프트와 핸들 레버의 결합부 사이에 동축상으로 설치되며 톱니형 캠홈이 다수 형성된 원호형 스토퍼 홈을 가지는 패널부재와, 상기 스토퍼 홈에 이동 가능한 상태로 삽입되도록 상기 핸들 레버에 탄성바어스되게 설치된 스토퍼 핀을 포함하는 가스 배관용 댐퍼 유닛이 기재되어 있다.

또한, 한국특허등록번호 제10-1569201호(명칭 : 반도체 제조설비용 개스배관)에는, 공보와 같이, 반도체 제조설비에서 가스배관의 설치시에 장애물에 의한 시공공간의 미확보에 따라 가스배관의 반입 및 설치가 불가능한 공간에서 가스배관의 시공을 원활하게 할 수 있도록;

반도체 제조설비에서 가스가 운송되는 배관설비를 구성하도록 된 반도체 제조설비용 가스배관에 있어서; 대면하는 면을 통해 밀착하여 내부에 가스가 이송되는 공간이 형성된 내관을 형성하며, 표면에 바이톤(viton) 재질의 코팅층이 형성되고, 단면이 반원형상을 가지며, 양측단부에 외측방향으로 연장형성된 결합편이 구비된 한 쌍의 내관조립체들과; 대면하는 면을 통해 밀착하여 내부에 상기 내관조립체들의 결합을 통해 형성된 상기 내관을 밀착하면서 감싸는 외관을 형성하며, 내면에 바이톤(viton) 재질의 코팅층이 형성되고, 단면이 반원형상을 가지며, 양측단부에 외측방향으로 연장형성되며 상기 결합편이 수용되면서 끼움결합하는 결합홈이 형성된 플랜지편을 가지는 한 쌍의 외관조립체들을 포함하여 이루어지되; 상기 외관조립체들에서 서로 밀착하는 면에는, 외측방향으로 연장형성되며 볼트가 체결되는 다수의 고정공이 형성된 조립편이 각각 형성되며; 상기 플랜지편에는 볼트를 통해 타 배관의 플랜지와 결합하도록 된 다수의 체결공이 형성된 반도체 제조설비용 가스배관을 제공하는 것을 기재하고 있다.

한편, 배관은 2개의 것들이 결합되기 위하여 통상 클램프 등의 수단을 사용하는데, 본 발명과 같이 기밀성이 요구되는 배관 결합에서는 센터링을 사용하여 배관 사이의 공간을 밀폐시킨다.

즉, 상술된 바와 같이 배관 내부면은 코팅의 작업으로 부식을 방지할 수 있지만, 센터링은 부식 방지를 위한 적용이 미비되어 있음에 따라, 부식이 발생되고 있고, 재질의 치환으로 부식을 방지하기 위하여 이너링(Inner ring)을 PTFE재질로 만드는 경우도 있으나 물리적 강도의 한계가 있어 STS재질을 주로 사용함에 따라 그에 대한 개선이 이루어지지 못하고 있다.

이에 따라, 본 출원인은 배관과 마찬가지로 부식에 대하여 개선점을 가질 수 있는 센터링을 제조하는 방법을 제안하고자 한다.

한국특허등록번호 제10-1320550호 한국실용신안공개번호 제20-2013-0003346호 한국특허등록번호 제10-1320553호 한국특허등록번호 제10-1569201호

본 발명의 목적은, 반도체 분야에서 사용되는 배관에 있어서 2개의 배관을 연결할 때 사용되는 센터링을 제조하는 제조방법으로서, 배관 내부에서 유동되는 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있도록 개선된 반도체 배관의 센터링 제조방법을 제안하는데 있다.

상술된 목적을 달성하기 위하여 안출된 것으로 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법은,

구조물 제작 후, 제작된 구조물에 코팅을 수행한 뒤, 냉각시켜 결합되는 과정으로 제조되는 반도체 배관의 센터링에 있어서,

상기 코팅은 상기 센터링의 내부식성을 향상시키기 위해 수행되는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 구조물은,

일 실시예에 따라서는, 내측에 폭방향으로 관통된 관통홀(1a)을 포함하고, 상면(1b)이 원주방향을 따라 하방으로 오목하게 형성된 이너링(1)과;

상기 이너링(1)의 오목한 상면에 안착되어 외면에 끼워져 결합되는 실링(2);을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이때, 다른 실시예에 따라서는, 상기 이너링(1)의 상기 관통홀(1a)이 형성되지 않은 측면으로 돌출면(1c)이 폭방향으로 돌출되되, 상기 돌출면(1c)은 양방향으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

일 실시예의 경우, 상기 실링(2)의 외경을 따라 결합되는 아우터링(3)을 더 포함하되, 상기 아우터링(3)의 상기 실링(2)의 외경이 맞닿는 내경이 상방으로 오목하게 형성된 것을 특징으로 한다.

다른 실시예에서도, 상기 실링(2)의 외경을 따라 결합되는 아우터링(3)을 더 포함하되, 상기 아우터링(3)의 상기 실링(2)의 외경이 맞닿는 내경이 상방으로 오목하게 형성된 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법에 의하면,

반도체 분야에서 사용되는 배관에 있어서 2개의 배관을 연결할 때 사용되는 센터링을 제조하는 제조방법에 있어서, 배관 내부에서 유동되는 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있도록 개선된 반도체 배관의 센터링을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 일예를 나타낸 것이다.
도 1a는 도 1의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.
도 1b는 도 1의 센터링을 사용하는 사용예를 나타낸 것이다.
도 1c 내지 도 1e는 도 1에 따른 제1 실시예의 다른 형태를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 다른 일예를 나타낸 것이다.
도 2a는 도 2의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 또 다른 일예를 나타낸 것이다.
도 3a는 도 3의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법을 통해 제조된 센터링의 또 다른 일예를 나타낸 것이다.
도 4a는 도 4의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.
도 4b는 도 4의 센터링을 사용하는 사용예를 나타낸 것이다.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 안되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.

따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.

이하, 도면을 참조하여 설명하기에 앞서, 본 발명의 요지를 드러내기 위해서 필요하지 않은 사항 즉 통상의 지식을 가진 당업자가 자명하게 부가할 수 있는 공지 구성에 대해서는 도시하지 않거나, 구체적으로 기술하지 않았음을 밝혀둔다.

본 발명은 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.

구체적으로는, 반도체 분야에서 사용되는 배관에 있어서 2개의 배관을 연결할 때 사용되는 센터링을 제조하는 제조방법으로서,

배관 내부에서 유동되는 가스로 인해 부식되는 것을 방지할 수 있도록 개선된 반도체 배관의 센터링 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 센터링은 (1) 구조물 제작 단계; (2) 코팅단계; (3) 냉각단계; 및 (4) 구조물 결합 단계;를 포함하여 구성된다.

(1) 구조물 제작 단계

구조물 제작 단계는, 센터링을 구조물로 하여 제작하는 단계이다.

이때, 구조물이란 도 1 내지 도 3 중 선택된 어느 하나의 도면과 같이 구성되는 것으로, 도 1에 따른 센터링(10)은 이너링(1)과 실링(2)을 포함하여 구성되고, 도 2 및 도 3에 따른 센터링(10)은 이너링(1), 실링(2) 및 아우터링(3)을 포함하여 구성된다.

이때, 도 2 및 도 3의 차이는 이너링(1)의 양측면에 돌출면(1c)의 형성 여부이다.

(2) 코팅단계

코팅단계는, 상기 구조물 제작 단계를 통해 제작된 센터링, 즉 이너링과 실링 또는 이너링, 실링 및 아우터링으로 이루어진 센터링의 구조물 중, 이너링 및 아우터링에 코팅을 수행하는 단계이다.

이때, 이너링과 아우터링은, 필요에 따라 선택적으로 이너링 및 아우터링 중 어느 하나 이상에 코팅이 수행되도록 할 수 있다.

이때, 본 단계에서의 코팅은 종래 배관의 부식을 방지하는 불소수지를 사용하여 수행될 수 있으며, 코팅을 수행하는 방법은 침강, 스프레이 또는 도포 등으로 다양한 코팅법을 사용할 수 있다.

(3) 냉각단계

냉각단계는, 상기 코팅단계가 종료되면 코팅된 구조물을 냉각시키는 단계이다. 이때 건조의 조건은 통상의 배관을 코팅한 뒤 수행하는 건조와 유사한 조건으로 한다.

(4) 구조물 결합 단계

구조물 결합 단계는, 상기 건조단계가 종료된 후 수행되는 단계로서 이너링(10) 및 실링(20), 또는 이너링(10), 실링(20) 및 아우터링(30)을 결합하여 구조물을 결합하는 단계이다.

이하에서는, 상술된 제조방법으로 제조된 센터링(10)을 설명한다.

제1 실시예

본 단계인 구조물 제작 단계를 통해 제작되는 제1 실시예에 따른 센터링(10)은 첨부된 도면의 도 1 및 도 1a와 같다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 일예를 나타낸 것이고, 도 1a는 도 1의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.

첨부된 도면과 같이, 제1 실시예에 따른 센터링(10)은, 이너링(1)과 이너링(2)의 외면에 끼워지는 링형상의 실링(2)을 포함한다. 실링(2)은 O링 형상의 것으로 그 재질은 통상의 실링과 같이 기밀기능이 가능하도록 플렉시블한 재질로 이루어진다.

이를 위하여, 상기 이너링(1)은 상면(1b)에 실링(2)이 끼워져 내면이 안착될 수 있도록 하는 오목홈이 하방으로 만곡된 형상으로 이너링(1)의 상면(1b)을 따라 원주방향으로 형성된다.

또한, 상기 실링(2)은 도면에서는 각진 형상으로 구성되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, O링 형상일 수 있다.

또한, 상기 이너링(1)은 폭방향으로 관통된 형상의 관통홀(1a)이 형성된다.

또한, 상기 이너링(1)은 관통홀(1a)이 형성되지 않은 이너링(1)의 측면에 폭방향으로 돌출된 돌출면(1c)이 형성될 수 있다. 이러한 돌출면(1c) 역시 관통홀을 포함하고, 상기 돌출면(1c)을 이너링(1)을 기준으로 양측방향으로 돌출되도록 형성된다.

그리고 이러한 돌출면(1c)은 배관의 플랜지 일면에 홈을 형성하여 삽입될 수도 있고, 혹은 배관의 내경에 삽입되어 결합될 수도 있다(도 1b 참조).

도 1b는 도 1의 센터링을 사용하는 사용예를 나타낸 것이다.

첨부된 도면의 도 1b와 같이 2개의 배관 사이에 센터링(10)이 위치되고, 상기 센터링(10)의 실링(20)은 배관의 플랜지 일면에 의해 눌리면서 가압되어 기밀을 유지하도록 할 수 있다.

한편, 첨부된 도면의 도 1c 내지 도 1e와 같이 제1 실시예에 따른 다른 형상을 제안한다.

도 1c 내지 도 1e는 도 1에 따른 제1 실시예의 다른 형태를 나타낸 것이다.

첨부된 도면의 도 1c 내지 도 1e의 경우에는 이너링(1)의 돌출면(1c)이 없는 구성을 나타낸 것이다.

다만, 이 경우에 첨부된 도면의 도 1e와 같이, 배관의 맞닿는 플랜지 일면에 오목한 홈을 형성하여, 센터링의 일부가 삽입될 수 있도록 함으로써, 배관의 2개면이 맞닿도록 할 수 있다([표 1]을 참조할 수 있다).

제2 실시예

도 2는 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 다른 일예를 나타낸 것이고, 도 2a는 도 2의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.

첨부된 도면에 따른 제2 실시예에 따른 센터링(10)은 아우터링(3)을 더 포함하는데, 상기 아우터링(3)은 도 2a와 같이 실링(2)의 외면에 결합된다.

이때, 아우터링(3)의 실링(2)이 맞닿는 내경이 상방으로 오목한 홈이 형성되도록 함이 바람직하다.

다만, 도 2와 같이 구성된 제2 실시예에 따른 센터링(10)을 2개의 배관 사이에 적용하려는 경우, 배관의 맞닿는 플랜지 일면에 오목한 홈을 형성하여 센터링이 구비됨에도 불구하고 배관의 2개면이 맞닿도록 할 수 있다([표 1] 참조).

이러한 배관의 플랜지 구조는 후술되는 제2 및 제3 실시예에서도 마찬가지일 수 있다. 혹은, 선택적으로 플랜지에 홈을 형성하지 않고도 적용될 수도 있을 것이다.

제3 실시예

제3 실시예에 따른 본 발명의 센터링(10)은 제2 실시예에 따른 센터링(10)에 대하여, 이너링(1)은 제1 실시예의 이너링으로 한 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 배관의 센터링 제조방법를 통해 제조된 센터링의 또 다른 일예를 나타낸 것이고, 도 3a는 도 3의 센터링을 측면에서 바라본 것을 나타낸 것이다.

제4 실시예

제4 실시예에 따른 본 발명의 센터링(10)은 제2 및 제3 실시예에 기재된 아우터링(3)의 원주방향 단부에 양측방향으로 돌출된 단턱(3a)를 포함하는 것이다.

이 경우, 아우터링(3)까지 결합된 센터링(10)의 단턱(3a) 내측영역까지의 직경이 배관의 플랜지 직경에 대응되도록 구성하여, 첨부된 도면의 도 4b와 같이, 배관의 플랜지가 아우터링(3)의 단턱(3a) 안측으로 위치되어 결합되도록 할 수 있다.

한편, 상술된 3개 실시예에 있어서 공통적으로, [표 2]와 같은 가이드 구성을 더 포함할 수 있다.

후술되는 [표 2]의 구성은 실링(2)을 이너링(1)에 끼울 때, 결합을 용이하게 하는 기능을 한다.

[표 2]에 따르면, 이너링(1)의 상면(1b)에는 하방으로 오목하고 폭방향으로 연장된 가이드홈이 형성되고, 상기 가이드홈에는 가이드홈에 삽입되어 가이드홈의 길이방향으로 움직이는 돌기와, 상기 돌기의 상측으로 일체로 결합된 가이드가 형성된다. 즉, 상기 돌기는 가이드보다 짧은 길이로 유사한 형상을 가지도록 구성된다.

상기 가이드는, 실링(2)이 이너링(1)에 진입하는 방향에서 끼워지는 방향으로 만곡지면서 경사져 상향되는 면을 가진다. 상기 면은 하방으로 오목하게 만곡된다.

이에 따라, 상기 실링(2)을 이너링(1)의 상면(1b)에 끼우면서 가이드의 만곡진 상면에 안착시키고, 인력(人力)을 가함으로써, 가이드의 하측에 형성된 돌기가 가이드홈을 따라, 이너링(1)의 상면(1b)의 만곡면을 따라 이동하게 됨으로 인해, 가이드의 상면에 안착된 실링(2)을 가이드하여, 이너링(1)의 외면에 꽉 끼워지도록 직경을 가지는 실링(2)이 이너링(1)에 용이하게 끼워지도록 할 수 있다.

[표 2]의 (나)는 실링(2)이 이너링(1)의 외면에 끼워진 경우를 나타낸 것이다.

상기에서 도면을 이용하여 서술한 것은, 본 발명의 주요 사항만을 서술한 것으로, 그 기술적 범위 내에서 다양한 설계가 가능한 만큼, 본 발명이 도면의 구성에 한정되는 것이 아님은 자명하다.

10 : 센터링
1 : 이너링
1a : 관통홀
1b : 상면
1c : 돌출면
2 : 실링
3 : 아우터링
20 : 배관

Claims (5)

1. 구조물 제작 후, 제작된 구조물에 코팅을 수행한 뒤, 냉각시켜 결합되는 과정으로 제조되는 반도체 배관의 센터링에 있어서,
   상기 코팅은 상기 센터링의 내부식성을 향상시키기 위해 수행되고,
   상기 구조물은,
   내측에 폭방향으로 관통된 관통홀(1a)을 포함하고, 상면(1b)이 원주방향을 따라 하방으로 오목하게 형성된 이너링(1)과;
   상기 이너링(1)의 오목한 상면에 안착되어 외면에 끼워져 결합되는 실링(2);을 포함하되,
   상기 이너링(1)의 상면(1b)에는 하방으로 오목하고 폭방향으로 연장된 가이드홈이 형성되고, 상기 가이드홈에는 가이드홈에 삽입되어 가이드홈의 길이방향으로 움직이는 돌기와, 상기 돌기의 상측으로 일체로 결합된 가이드가 형성되되, 상기 돌기는 가이드보다 짧은 길이를 가지도록 구성되고,
   상기 가이드는, 실링(2)이 이너링(1)에 진입하는 방향에서 끼워지는 방향으로 만곡지면서 경사져 상향되는 면을 가지되, 상기 면은 하방으로 오목하게 만곡됨으로써,
   상기 실링(2)을 이너링(1)의 상면(1b)에 끼우면서 가이드의 만곡진 상면에 안착시키고, 인력(人力)을 가함으로써, 가이드의 하측에 형성된 돌기가 가이드홈을 따라, 이너링(1)의 상면(1b)의 만곡면을 따라 이동하게 됨으로 인해, 가이드의 상면에 안착된 실링(2)을 가이드하여, 이너링(1)의 외면에 꽉 끼워지도록 직경을 가지는 실링(2)이 이너링(1)에 용이하게 끼워지도록 하는 것을 특징으로 하는, 반도체 배관의 센터링 제조방법.
   
2. 삭제
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 이너링(1)의 상기 관통홀(1a)이 형성되지 않은 측면으로 돌출면(1c)이 폭방향으로 돌출되되,
   상기 돌출면(1c)은 양방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 배관의 센터링 제조방법.
   
4. 청구항 1에 있어서,
   상기 실링(2)의 외경을 따라 결합되는 아우터링(3)을 더 포함하되,
   상기 아우터링(3)의 상기 실링(2)의 외경이 맞닿는 내경이 상방으로 오목하게 형성된 것을 특징으로 하는, 반도체 배관의 센터링 제조방법.
   
5. 청구항 3에 있어서,
   실링(2)의 외경을 따라 결합되는 아우터링(3)을 더 포함하되,
   상기 아우터링(3)의 상기 실링(2)의 외경이 맞닿는 내경이 상방으로 오목하게 형성된 것을 특징으로 하는, 반도체 배관의 센터링 제조방법.

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