KR102134270B1 - Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same - Google Patents

Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same Download PDF

Info

Publication number
KR102134270B1
KR102134270B1 KR1020180038261A KR20180038261A KR102134270B1 KR 102134270 B1 KR102134270 B1 KR 102134270B1 KR 1020180038261 A KR1020180038261 A KR 1020180038261A KR 20180038261 A KR20180038261 A KR 20180038261A KR 102134270 B1 KR102134270 B1 KR 102134270B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
stage
central region
chemical solution
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020180038261A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190115340A (en
Inventor
김혜지
이정수
오영규
김보승
이윤열
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180038261A priority Critical patent/KR102134270B1/en
Priority to CN201910242855.8A priority patent/CN110349904B/en
Publication of KR20190115340A publication Critical patent/KR20190115340A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102134270B1 publication Critical patent/KR102134270B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 제1 스테이지, 제2 스테이지, 이송부, 도포부, 및 제어부를 포함할 수 있다. 상기 제1 스테이지는 기판을 부상시킬 수 있도록 상기 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어질 수 있다. 상기 제2 스테이지는 상기 제1 스테이지 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어질 수 있다. 상기 이송부는 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지를 따라 상기 기판을 이송시킬 수 있다. 상기 도포부는 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 기판 상에 약액을 도포할 수 있다. 그리고 상기 제어부는 상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 제1 스테이지의 끝단까지 상기 기판을 전진시킨 후 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 상기 기판을 전진시키도록 상기 이송부를 제어할 수 있고, 상기 제1 스테이지의 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시킨 후 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진 및 고정시켜 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포하도록 상기 도포부를 제어할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments may include a first stage, a second stage, a transfer unit, a coating unit, and a control unit. The first stage may be formed of air holes injecting air toward the rear surface of the substrate and vacuum holes inhaling with vacuum so that the substrate may float. The second stage may be provided in the outer regions of both sides of the first stage and may be made of only air holes injecting air toward the rear surface of the substrate. The transfer unit may transfer the substrate along the first stage and the second stage while the substrate is floating. The coating unit may apply a chemical solution on the substrate while the substrate is floating. In addition, the control unit may control the transfer unit to advance the substrate to the end of the first stage based on the transfer direction of the substrate, then to the front end of the first stage, and to advance the substrate again, After pre-applying the chemical liquid on the substrate positioned at the end of the first stage, the application part is retracted and fixed to the front end of the first stage, and then retracted to the front end of the first stage to advance again. The coating unit may be controlled to apply the chemical solution.

Description

기판 부상용 스테이지, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법{Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same}Stage for floating substrate, substrate processing apparatus including same, and substrate processing method{Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same}

본 발명은 기판 부상용 스테이지, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판을 부상시킨 상태에서 약액의 도포가 이루어지는 기판 부상용 스테이지, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a stage for lifting a substrate, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method. More specifically, the present invention relates to a substrate floating stage, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method in which a chemical is applied while the substrate is floating.

액정 표시 소자, 유기 EL 소자 등과 같은 표시 장치의 제조에서는 배향막, 컬러 필터 등으로 형성하기 위한 약액을 기판 상에 도포시키는 공정을 수행하고 있다. 약액을 도포시키는 공정은 주로 기판을 부상시킨 상태에서 이송시키면서 이루어진다. 즉, 기판을 부상시킨 상태에서 이송시키면서 기판 상에 약액을 도포시키는 것이다.In the manufacture of a display device such as a liquid crystal display element, an organic EL element, etc., a process of applying a chemical solution for forming an alignment film, a color filter, or the like on a substrate is performed. The process of applying the chemical solution is mainly carried out while transferring the substrate in a floating state. That is, the chemical solution is applied onto the substrate while being transferred while the substrate is floating.

기판의 부상은 기판 이면에 에어를 분사함과 아울러 진공을 흡입함에 의해 이루어질 수 있다. 그리고 부상시킨 기판을 이송시키는 구간에서는 기판 이면에 에어만을 분사하고, 부상시킨 기판 상에 약액을 도포시키는 구간에서는 기판 이면에 에어 분사 및 진공 흡입이 이루어진다. 기판을 이송시키는 구간은 단순하게 기판을 부상시키기만 하기 때문에 에어만을 분사하는 것이고, 약액을 도포하는 구간은 기판 높이를 보다 정밀하게 제어해야 하기 때문에 에어 분사와 함께 진공 흡입이 이루어지는 것이다.The rise of the substrate may be achieved by injecting air to the back surface of the substrate and sucking vacuum. And in the section for transferring the floated substrate, only air is injected onto the back surface of the substrate, and in the section where the chemical is applied on the floated substrate, air injection and vacuum suction are performed on the back surface of the substrate. The section for transferring the substrate simply injects air because it simply floats the substrate, and the section in which the chemical is applied is vacuum suctioned together with air injection because the substrate height needs to be more precisely controlled.

그러나 기판이 약액을 도포하는 구간에 진입할 경우 및 약액을 도포하는 구간을 벗어날 경우 에어 분사 및 진공 흡입에 의해 기판 단부가 변형되는 상황이 발생할 수 있다. 이는, 기판이 약액을 도포하는 구간에 진입할 경우 에어를 분사하는 압력은 높아지면서 진공으로 흡입하는 압력은 낮아지기 때문이고, 기판이 약액을 도포하는 구간을 벗어날 경우 에어를 분사하는 압력은 낮아지면서 진공으로 흡입하는 압력은 높아지기 때문이다.However, when the substrate enters the section where the chemical solution is applied and when it leaves the section where the chemical solution is applied, a situation in which the end of the substrate is deformed by air injection and vacuum suction may occur. This is because when the substrate enters the section where the chemical is applied, the pressure for injecting air increases and the pressure for vacuum suction decreases. When the substrate leaves the section for applying the chemical, the pressure for ejecting air decreases and the vacuum decreases. This is because the pressure to inhale increases.

이와 같이, 에어 분사 및 진공 흡입에 의해 기판이 변형될 경우에는 약액 도포시 불량 요인으로 작용할 수 있다. 특히, 최근 추세에 따른 면적은 넓어지면서 두께는 얇아지는 구조를 갖는 기판의 경우 그 변형이 보다 심각하게 발생할 수 있기 때문에 약액 도포를 안정적으로 수행하지 못할 수도 있다.As described above, when the substrate is deformed by air injection and vacuum suction, it may act as a defect factor in the application of the chemical solution. Particularly, in the case of a substrate having a structure in which the area becomes wider and the thickness becomes thinner according to the recent trend, since the deformation may occur more seriously, the application of the chemical solution may not be stably performed.

본 발명의 일 목적은 기판을 부상시킬 때 에어 분사 및 진공 흡입으로 인하여 기판이 변형되는 것을 최소화할 수 있는 기판 부상용 스테이지를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate floating stage that can minimize deformation of the substrate due to air injection and vacuum suction when floating the substrate.

본 발명의 다른 목적은 기판을 부상시킬 때 에어 분사 및 진공 흡입으로 인하여 기판이 변형되는 것을 최소화할 수 있는 스테이지를 사용하여 기판 상에 약액을 도포하는 공정을 수행하기 위한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for performing a process of applying a chemical solution on a substrate using a stage capable of minimizing deformation of the substrate due to air injection and vacuum suction when floating the substrate. .

본 발명의 또 다른 목적은 기판을 부상시킬 때 에어 분사 및 진공 흡입으로 인하여 기판이 변형되는 것을 최소화할 수 있는 스테이지를 사용하여 기판 상에 약액을 도포하는 공정을 수행하기 위한 기판 처리 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method for performing a process of applying a chemical solution on a substrate using a stage capable of minimizing deformation of the substrate due to air injection and vacuum suction when floating the substrate. have.

언급한 일 목적을 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지는 기판을 부상시킬 수 있도록 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어지는 제1 스테이지를 포함할 수 있다. 특히, 상기 제1 스테이지를 중심 영역 및 상기 중심 영역 양쪽의 주변 영역들로 구획하여 상기 중심 영역에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 제1 간격을 갖도록 구비하고, 상기 주변 영역들에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖도록 구비할 수 있다.The substrate floating stage according to the exemplary embodiments for achieving the above mentioned object is a first stage comprising air holes injecting air toward the rear surface of the substrate and vacuum holes inhaled with vacuum so as to float the substrate. It may include. In particular, the first stage is divided into a central region and peripheral regions on both sides of the central region to provide the air holes and vacuum holes in the central region with a first distance, and the air holes in the peripheral regions. And vacuum holes having a second gap wider than the first gap.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 간격을 기준으로 상기 제2 간격은 1.3배 내지 1.8배 넓은 것일 수 있다.In example embodiments, the second interval may be 1.3 to 1.8 times wider based on the first interval.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중심 영역과 상기 주변 영역 사이의 경계에는 그루브가 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있고, 상기 그루브 저면에는 상기 제1 스테이지를 관통하는 관통홀이 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, a groove may be formed to have a line structure at a boundary between the center region and the peripheral region, and a through hole passing through the first stage may be formed to have a line structure at the bottom of the groove. Can.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고, 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어지는 제2 스테이지를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the second stage may be further provided in outer regions on both sides of the peripheral region, and consist of only air holes injecting air toward the rear surface of the substrate.

언급한 다른 목적을 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 제1 스테이지, 제2 스테이지, 이송부, 도포부, 및 제어부를 포함할 수 있다. 상기 제1 스테이지는 기판을 부상시킬 수 있도록 상기 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어질 수 있다. 상기 제2 스테이지는 상기 제1 스테이지 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어질 수 있다. 상기 이송부는 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지를 따라 상기 기판을 이송시킬 수 있다. 상기 도포부는 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 기판 상에 약액을 도포할 수 있다. 그리고 상기 제어부는 상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 제1 스테이지의 끝단까지 상기 기판을 전진시킨 후 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 상기 기판을 전진시키도록 상기 이송부를 제어할 수 있고, 상기 제1 스테이지의 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시킨 후 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진 및 고정시켜 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포하도록 상기 도포부를 제어할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments for achieving the other objects mentioned may include a first stage, a second stage, a transfer unit, a coating unit, and a control unit. The first stage may be formed of air holes injecting air toward the rear surface of the substrate and vacuum holes inhaling with vacuum so that the substrate may float. The second stage may be provided in the outer regions of both sides of the first stage and may be made of only air holes injecting air toward the rear surface of the substrate. The transfer unit may transfer the substrate along the first stage and the second stage while the substrate is floating. The coating unit may apply a chemical solution on the substrate while the substrate is floating. In addition, the control unit may control the transfer unit to advance the substrate to the end of the first stage based on the transfer direction of the substrate, then to the front end of the first stage, and to advance the substrate again, After pre-applying the chemical liquid on the substrate positioned at the end of the first stage, the application part is retracted and fixed to the front end of the first stage, and then retracted to the front end of the first stage to advance again. The coating unit may be controlled to apply the chemical solution.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 스테이지를 중심 영역 및 상기 중심 영역 양쪽의 주변 영역들로 구획하여 상기 중심 영역에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 제1 간격을 갖도록 구비하고, 상기 주변 영역들에는 상기 에어홀들 및 진공홀들이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖도록 구비할 때에는, 상기 제어부는 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단까지 상기 기판을 전진시킨 후 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 상기 기판을 전진시키도록 상기 이송부를 제어할 수 있고, 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시킨 후 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진 및 고정시켜 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포하도록 상기 도포부를 제어할 수 있다.In exemplary embodiments, the first stage is divided into a central region and peripheral regions on both sides of the central region, and the central region is provided with the air holes and vacuum holes at a first interval, and the peripheral region When the air holes and the vacuum holes are provided to have a second gap wider than the first gap, the control unit advances the substrate to the end of the center region of the first stage and then the center region of the first stage. The transfer part can be controlled to back to the front end and to advance the substrate again, and after pre-coating the chemical solution on the substrate located at the end of the central region of the first stage, the application part of the first stage The coating unit may be controlled to apply the chemical solution on the substrate, which is retracted and fixed up to the front end of the central region, and then advanced back to the front end of the central region of the first stage.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 간격을 기준으로 상기 제2 간격은 1.3배 내지 1.8배 넓은 것일 수 있다.In example embodiments, the second interval may be 1.3 to 1.8 times wider based on the first interval.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 중심 영역과 상기 주변 영역 사이의 경계에는 그루브가 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있고, 상기 그루브 저면에는 상기 제1 스테이지를 관통하는 관통홀이 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있다.In exemplary embodiments, a groove may be formed to have a line structure at a boundary between the center region and the peripheral region, and a through hole passing through the first stage may be formed to have a line structure at the bottom of the groove. Can.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제어부는 상기 기판 및 상기 도포부의 후진이 동시에 이루어지도록 제어할 수 있다.In example embodiments, the control unit may control the substrate and the coating unit to be reversed at the same time.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 약액을 예비 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 기판으로부터 제1 높이에 위치하도록 하고, 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 위치하도록 할 수 있다.In exemplary embodiments, when pre-applying the chemical solution, the application part is positioned at a first height from the substrate, and when the chemical solution is applied on the advancing substrate again, the application part is greater than the first height. It can be positioned at a low second height.

언급한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법은 기판을 부상시킬 수 있도록 상기 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어지는 제1 스테이지, 상기 제1 스테이지 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어지는 제2 스테이지, 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지를 따라 상기 기판을 이송시키는 이송부, 및 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 기판 상에 약액을 도포하는 도포부를 사용함에 의해 달성될 수 있는 것으로써, 상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 제1 스테이지의 끝단까지 상기 기판을 전진시키고, 상기 제1 스테이지의 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시키고, 상기 기판을 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시키고, 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진 및 고정시킨 후, 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진한 상기 기판을 다시 전진시키면서 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시키는 것으로 이루어질 수 있다.The substrate processing method according to the exemplary embodiments for achieving another object of the present invention mentioned above includes air holes injecting air toward the back surface of the substrate and vacuum holes inhaled with vacuum so as to float the substrate. A first stage, a second stage made of only air holes provided in outer regions of both sides of the first stage and spraying air only toward the rear surface of the substrate, the first stage and the second stage while the substrate is floating It can be achieved by using a transfer unit for transferring the substrate along, and a coating unit for applying a chemical solution on the substrate in a state in which the substrate is floated, and based on the transfer direction of the substrate. Advancing the substrate to the end, pre-applying the chemical liquid on the substrate located at the end of the first stage, backing the substrate to the front end of the first stage, and applying the coating portion to the front end of the first stage After reversing and fixing up to, it may be made to apply the chemical solution on the substrate while advancing the substrate back to the front end of the first stage again.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 스테이지를 중심 영역 및 상기 중심 영역 양쪽의 주변 영역들로 구획하여 상기 중심 영역에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 제1 간격을 갖도록 구비하고, 상기 주변 영역들에는 상기 에어홀들 및 진공홀들이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖도록 구비할 때에는, 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단까지 상기 기판을 전진시키고, 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시키고, 상기 기판을 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진시키고, 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진 및 고정시킨 후, 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진한 상기 기판을 다시 전진시키면서 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시키는 것으로 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, the first stage is divided into a central region and peripheral regions on both sides of the central region, and the central region is provided with the air holes and vacuum holes at a first interval, and the peripheral region When the air holes and the vacuum holes are provided to have a second gap wider than the first gap, the substrate is advanced to the end of the center region of the first stage and positioned at the end of the center region of the first stage. The chemical solution is pre-applied on the substrate, the substrate is reversed to the front end of the first stage, and the applicator is reversed and fixed to the front end of the first stage, and then fixed. It may be made to apply the chemical solution on the substrate while advancing the substrate back to the front end of the central region again.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 및 상기 도포부의 후진은 동시에 이루어질 수 있다.In exemplary embodiments, the substrate and the coating unit may be reversed at the same time.

예시적인 실시예들에 있어서, 상기 약액을 예비 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 기판으로부터 제1 높이에 위치하도록 하고, 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 위치하도록 할 수 있다.In exemplary embodiments, when pre-applying the chemical solution, the application part is positioned at a first height from the substrate, and when the chemical solution is applied on the advancing substrate again, the application part is greater than the first height. It can be positioned at a low second height.

예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공을 흡입하는 진공홀들을 상대적으로 보다 조밀하게 형성되는 구간을 확보함으로써 기판의 부상시 기판이 변형되는 상황을 최소화할 수 있을 것이다.The substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to the exemplary embodiments secure the section in which the air holes injecting air and the vacuum holes inhaling the vacuum are formed to be relatively dense, thereby preventing the substrate from rising when the substrate rises. It will be possible to minimize the transformation situation.

그리고 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 중심 영역의 스테이지와 주변 영역의 스테이지 사이의 경계에 그루브 및 관통홀을 라인 구조를 갖도록 형성하여 기판 이면에서의 에어 분사 및 진공 흡입에 따른 압력 변화를 완화시킬 수 있기에 중심 영역의 스테이지로 진입하는 기판 단부가 변형되는 상황을 최소화할 수 있을 것이다.In addition, the substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to exemplary embodiments form grooves and through holes at a boundary between a stage in a central region and a stage in a peripheral region so as to have a line structure, thereby injecting air from the rear surface of the substrate and Since the pressure change due to vacuum suction can be alleviated, the situation where the substrate end entering the stage in the central region is deformed can be minimized.

또한, 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 중심 영역의 스테이지에서만 약액의 도포가 이루어지도록 제어함으로써 기판이 스테이지를 덮은 정도에 따라 발생하는 압력 차이를 현저하게 줄일 수 있어 기판의 부상시 기판이 변형되는 상황을 최소화할 수 있을 것이다.In addition, the substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to the exemplary embodiments can significantly reduce the pressure difference generated according to the degree to which the substrate covers the stage by controlling the application of the chemical solution only at the stage in the central region. Therefore, it is possible to minimize a situation in which the substrate is deformed when the substrate rises.

이에, 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 기판을 부상시킨 상태에서 약액을 도포하는 공정에 적용할 경우 약액의 도포시 기판을 부상시킴에 의한 기판 변형으로 인하여 발생하는 불량을 최소화할 수 있을 것이다.Accordingly, when the substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to the exemplary embodiments are applied to the process of applying the chemical liquid while the substrate is floating, it occurs due to substrate deformation by floating the substrate when the chemical liquid is applied. It will be possible to minimize the defects.

따라서 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 기판의 부상시킨 상태에서도 안정적으로 약액을 도포할 수 있기 때문에 배향막, 컬러 필터 등의 형성이 이루어지는 액정 표시 소자, 유기 EL 소자 등과 같은 표시 장치의 제조시 신뢰도, 생산성 등이 향상되는 것을 기대할 수 있을 것이다.Therefore, the substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to the exemplary embodiments can stably apply a chemical liquid even when the substrate is floating, so that a liquid crystal display element or an organic EL element is formed, such as an alignment film or a color filter. When manufacturing a display device such as, reliability, productivity, etc. can be expected to be improved.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously extended without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지의 중심 영역과 주변 영역 사이에서의 구조를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram for describing a stage for rising a substrate according to example embodiments.
Fig. 2 is a schematic diagram for explaining the structure between a central region and a peripheral region of a substrate floating stage according to example embodiments.
3 to 5 are schematic diagrams for describing a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to example embodiments.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예를 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야한다.The present invention can be applied to various changes and may have various forms, and thus, the embodiments will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to specific disclosure forms, and it should be understood that all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention are included. In describing each drawing, similar reference numerals are used for similar components. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components. The terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, terms such as “comprises” or “consisting of” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described on the specification exists, one or more other features. It should be understood that the presence or addition possibilities of fields or numbers, steps, actions, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person skilled in the art to which the present invention pertains. Terms, such as those defined in a commonly used dictionary, should be interpreted as having meanings consistent with meanings in the context of related technologies, and should not be interpreted as ideal or excessively formal meanings unless explicitly defined in the present application. Does not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components in the drawings, and duplicate descriptions for the same components are omitted.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.1 is a schematic diagram for describing a stage for rising a substrate according to example embodiments.

도 1을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 기판을 부상시킨 상태에서 이송하는 장치에 적용할 수 있는 것으로써, 특히 기판을 부상시킨 상태에서 이송이 이루어지는 기판 상에 약액을 도포하는 장치에 적용할 수 있는 것이다.Referring to FIG. 1, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments can be applied to a device for transporting a substrate in a floating state, particularly on a substrate in which the substrate is transferred in a floating state It can be applied to a device for applying a chemical liquid.

이에, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 기판을 부상시킨 상태에서 기판 상에 약액을 도포하는 구간에 배치되는 제1 스테이지(10), 및 기판을 부상시킨 상태에서 기판의 이송이 이루어지도록 제1 스테이지(10)의 양쪽 외곽 영역에 배치되는 제2 스테이지(15)를 포함할 수 있다.Thus, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments is a first stage 10 disposed in a section for applying a chemical solution on a substrate while the substrate is floating, and the substrate of the substrate while the substrate is floating The second stage 15 may be disposed on both outer regions of the first stage 10 so that the transfer is performed.

약액의 도포가 이루어지는 제1 스테이지(10)는 기판을 부상시키는 높이를 보다 정밀하게 제어해야 하기 때문에 에어 분사 및 진공 흡입이 함께 이루어지도록 구비될 수 있다. 따라서 제1 스테이지(10)에는 에어를 분사하는 에어홀(17)들 및 진공으로 흡입하는 진공홀(19)들이 형성될 수 있다.Since the first stage 10 in which the application of the chemical solution is applied must control the height of the substrate floating more precisely, it may be provided to perform air injection and vacuum suction together. Therefore, air holes 17 for injecting air and vacuum holes 19 for inhaling with vacuum may be formed in the first stage 10.

기판의 이송이 이루어지는 제2 스테이지(15)는 기판을 일정 높이로만 부상시키면 되기 때문에 에어만 분사되게 이루어지도록 구비될 수 있다. 따라서 제2 스테이지(15)에는 에어를 분사하는 에어홀(17)들만이 형성될 수 있다.The second stage 15 in which the transfer of the substrate is made may be provided so that only the air is injected because the substrate only needs to be floated to a certain height. Therefore, only the air holes 17 for injecting air may be formed in the second stage 15.

도시하지 않았지만, 에어홀(17)들은 에어 공급부와 연결되는 구조를 가질 수 있을 것이고, 진공홀(19)들을 진공 공급부와 연결되는 구조를 가질 수 있을 것이다.Although not shown, the air holes 17 may have a structure connected to the air supply unit, and may have a structure to connect the vacuum holes 19 to the vacuum supply unit.

특히, 제1 스테이지(10)는 중심 영역(11), 및 중심 영역(11) 양쪽의 주변 영역(13)들로 구획하여 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들의 간격을 서로 달리하도록 형성할 수 있다. 중심 영역(11)에는 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들이 제1 간격(L1)을 갖도록 형성할 수 있고, 주변 영역(13)에는 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들이 제2 간격(L2)을 갖도록 형성할 수 있다.Particularly, the first stage 10 is divided into a central region 11 and peripheral regions 13 on both sides of the central region 11 so that air gaps 17 and vacuum holes 19 are different from each other. Can form. In the central region 11, air holes 17 and vacuum holes 19 may be formed to have a first gap L1, and in the peripheral region 13, air holes 17 and vacuum holes 19 These may be formed to have a second gap (L2).

제2 간격(L2)은 제1 간격(L1)보다 넓게 이루어질 수 있다. 즉, 제1 간격(L1)은 제2 간격(L2)에 비해 보다 조밀하게 이루어질 수 있는 것이다. 제1 간격(L1)을 기준으로 제2 간격(L2)은 약 1.3배 내지 1.8배 넓게 이루어질 수 있을 것이다. 실제로 제1 간격(L1)은 약 8mm를 갖도록 이루어질 수 있을 것이고, 제2 간격(L2)은 약 12mm를 갖도록 이루어질 수 있을 것이다.The second gap L2 may be made wider than the first gap L1. That is, the first gap L1 can be made more densely than the second gap L2. The second interval L2 may be approximately 1.3 to 1.8 times wider based on the first interval L1. Actually, the first gap L1 may be made to have about 8 mm, and the second gap L2 may be made to have about 12 mm.

이와 같이, 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지(100)는 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)에 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들을 상대적으로 보다 조밀하게 형성되도록 함으로써 주변 영역(13)에서 보다는 기판의 부상에 따른 변형을 감소시킬 수 있을 것이다.As such, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments allows the air holes 17 and the vacuum holes 19 to be relatively densely formed in the central region 11 of the first stage 10. It will be possible to reduce deformation due to the rise of the substrate rather than in the peripheral area 13.

이에, 최근 추세에 따른 면적은 넓어지면서 두께는 얇아지는 구조를 갖는 기판을 부상시키는 장치에 예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지(100)를 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.Accordingly, the substrate floating stage 100 according to exemplary embodiments may be more actively applied to an apparatus for floating a substrate having a structure in which the area becomes wider and the thickness becomes thinner according to the recent trend.

그리고 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)과 주변 영역(13)에 형성되는 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들의 간격을 서로 달리하게 구비함으로써 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이의 경계에 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들이 겹쳐지는 구조로 형성될 수도 있을 것이다.In addition, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments includes air holes 17 and vacuum holes 19 formed in the central region 11 and the peripheral region 13 of the first stage 10. By providing the gaps differently, the air holes 17 and the vacuum holes 19 may be formed to overlap the boundary between the central region 11 and the peripheral region 13.

도 2는 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지의 중심 영역과 주변 영역 사이에서의 구조를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.Fig. 2 is a schematic diagram for explaining the structure between a central region and a peripheral region of a substrate floating stage according to example embodiments.

도 2를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이의 경계에 그루브(groove)(21)가 형성되도록 구비할 수 있다. 그루브(21)는 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이의 경계를 따라 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments includes a groove 21 at a boundary between the central region 11 and the peripheral region 13 of the first stage 10. It may be provided to be formed. The groove 21 may be formed to have a line structure along the boundary between the central region 11 and the peripheral region 13 of the first stage 10.

또한, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 그루브(21) 저면에 제1 스테이지(10)를 관통하는 관통홀(23)이 형성되도록 구비할 수 있다. 관통홀(23)은 그루브(21)와 마찬가지로 그루브(21) 저면을 따라 라인 구조를 갖도록 형성될 수 있다.In addition, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments may be provided to form a through hole 23 penetrating the first stage 10 on the bottom surface of the groove 21. The through hole 23 may be formed to have a line structure along the bottom surface of the groove 21 as in the groove 21.

즉, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상용 스테이지(100)는 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이의 경계에 에어홀(17)들 및 진공홀(19)들이 겹쳐지는 구조로 형성되는 것을 방지하도록 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이의 경계를 따라 그루브(21) 및 관통홀(23)을 라인 구조를 갖도록 형성할 수 있는 것이다.That is, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments is formed in a structure in which air holes 17 and vacuum holes 19 overlap the boundary between the central region 11 and the peripheral region 13. The grooves 21 and the through holes 23 may be formed to have a line structure along the boundary between the central region 11 and the peripheral region 13 to prevent them.

그런데 그루브(21) 및 관통홀(23)은 기판 부상용 스테이지(100)에서 발생하는 파티클을 포획하여 외부로 배출시킬 수 있는 역할을 할 수 있을 뿐만 아니라 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)과 주변 영역(13) 사이에서의 압력 변화를 완화시키는 역할까지도 할 수 있음을 알 수 있다.However, the groove 21 and the through-hole 23 may serve to capture particles generated in the substrate floating stage 100 and discharge them to the outside, as well as the central region 11 of the first stage 10 It can be seen that it can also play a role of alleviating the pressure change between the) and the peripheral region (13).

이에, 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상 스테이지(100)는 그루브(21) 및 관통홀(23)을 형성함으로써 파티클의 배출을 용이하게 달성할 수 있음과 아울러 기판 이면에서의 에어 분사 및 진공 흡입에 따른 압력 변화를 완화시킬 수 있기 때문에 제1 스테이지(10)의 주변 영역(13)으로부터 중심 영역(11)으로 진입할 때와 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)으로부터 주변 영역(13)으로 벗어날 때 기판이 변형되는 상황을 최소화할 수 있을 것이다.Accordingly, the substrate floating stage 100 according to the exemplary embodiments can easily achieve discharge of particles by forming the groove 21 and the through hole 23, and also air injection and vacuum suction from the back surface of the substrate Since the pressure change according to can be alleviated, when entering the central region 11 from the peripheral region 13 of the first stage 10 and the peripheral region 13 from the central region 11 of the first stage 10 ), it is possible to minimize the situation in which the substrate is deformed.

이하, 언급한 예시적인 실시예들에 따른 기판 부상 스테이지를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus including a substrate floating stage according to the exemplary embodiments mentioned above will be described.

도 3 내지 도 5는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.3 to 5 are schematic views for explaining a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to example embodiments.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판 부상용 스테이지(100)(이하, '스테이지'라 함), 이송부(33), 도포부(31), 제어부(35) 등을 포함할 수 있다.3 to 5, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments includes a substrate floating stage 100 (hereinafter referred to as a'stage'), a transfer unit 33, an application unit 31, and a control unit ( 35).

스테이지(100)는 도 1 및 도 2에서의 기판 부상용 스테이지와 동일한 구조를 갖기 때문에 동일 부재에 대해서는 동일 부호를 사용하고 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the stage 100 has the same structure as the stage for floating substrates in FIGS. 1 and 2, the same reference numerals are used for the same members, and detailed descriptions thereof will be omitted.

이송부(33)는 스테이지(100)를 사용하여 부상시킨 기판(30)을 기판 이송 방향을 따라 이송시키도록 구비되는 것으로써, 주로 기판(30) 측면을 파지한 상태에서 스테이지(100)를 따라 이송하도록 구비될 수 있다.The transfer unit 33 is provided to transfer the floating substrate 30 using the stage 100 along the substrate transfer direction, and mainly transfers along the stage 100 in a state where the side of the substrate 30 is gripped. It may be provided.

도시하지는 않았지만, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서의 이송부(33)는 기판(30)의 측면을 파지하는 파지부 및 스테이지(100)의 측면을 따라 구비되는 가이드 레일로 이루어질 수 있다. 파지부 및 가이드 레일은 스테이지(100)의 일측에만 구비되거나 또는 스테이지(100)의 양측 모두에 구비될 수 있다.Although not illustrated, the transfer part 33 in the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments may be formed of a gripping part gripping the side surface of the substrate 30 and a guide rail provided along the side surface of the stage 100. The gripping portion and the guide rail may be provided on only one side of the stage 100 or may be provided on both sides of the stage 100.

따라서 예시적인 실시예들에 따른 기판 이송 장치는 스테이지(100)로부터 부상시킨 기판(30)을 스테이지(100)를 따라 이송시킬 수 있는 것이다.Therefore, the substrate transport apparatus according to the exemplary embodiments is capable of transferring the substrate 30 floating from the stage 100 along the stage 100.

도포부(31)는 액정 표시 소자, 유기 EL 표시 소자 등과 같은 평판형 표시 장치의 제조시 약액을 기판(30) 상에 도포하기 위한 것으로써, 컬러 필터, 배향막 등을 형성하기 위한 약액을 기판(30) 상에 도포하기 위한 것이다. 도포부(31)는 기판 이송 방향을 기준으로 수직하게 배치되도록 구비될 수 있다. 특히, 도포부(31)는 스캔 방식으로 약액을 도포할 수 있게 기판(30)의 수직 길이를 커버할 수 있는 길이를 갖는 노즐 구조로 이루어지도록 구비될 수 있다.The coating unit 31 is for applying a chemical liquid on the substrate 30 when manufacturing a flat panel display device such as a liquid crystal display element, an organic EL display element, and the like, and a chemical liquid for forming a color filter, an alignment film, etc. on a substrate ( 30) to apply on the image. The coating unit 31 may be provided to be vertically arranged based on the substrate transfer direction. In particular, the coating unit 31 may be provided to be made of a nozzle structure having a length that can cover the vertical length of the substrate 30 to be able to apply the chemical solution in a scan manner.

도시하지는 않았지만, 예시적인 실시예들에 다른 기판 처리 장치는 도포부(31)를 기판 이송 방향을 따라 전진 및 후진시킬 수 있도록 하는 구동부를 구비할 수 있을 것이다.Although not shown, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments may include a driving unit that allows the coating unit 31 to move forward and backward along the substrate transfer direction.

제어부(35)는 이송부(33)와 도포부(31)를 제어하도록 구비될 수 있다.The control unit 35 may be provided to control the transfer unit 33 and the application unit 31.

제어부(35)는 기판 이송 방향을 기준으로 제1 스테이지(10)의 끝단까지 기판(30)을 전진시킨 후 제1 스테이지(10)의 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 기판(30)을 전진시키도록 이송부(33)를 제어할 수 있다. 특히, 제1 스테이지(10)가 중심 영역(11) 및 주변 영역(13)들로 구획되게 이루어질 경우 제어부(35)는 기판 이송 방향을 기준으로 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 끝단까지 기판(30)을 전진시킨 후 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 기판(30)을 전진시키도록 이송부(33)를 제어할 수 있다.The control unit 35 advances the substrate 30 to the end of the first stage 10 based on the substrate transfer direction, and then moves it back to the front end of the first stage 10 and moves the substrate 30 again. (33) can be controlled. Particularly, when the first stage 10 is divided into the central region 11 and the peripheral regions 13, the control unit 35 ends the central region 11 of the first stage 10 based on the substrate transfer direction. The transfer unit 33 may be controlled to advance the substrate 30 up to the front end of the first stage 10 and then back to the front end of the central region 11 and advance the substrate 30 again.

제어부(35)는 제1 스테이지(10)의 끝단에 위치하는 기판(30) 상에 약액을 예비 도포시킨 후 도포부(31)를 제1 스테이지(10)의 앞단까지 후진 및 고정시켜 제1 스테이지(10)의 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 기판(30) 상에 약액을 도포하도록 도포부(31)를 제어어할 수 있다. 마찬가지로 제1 스테이지(10)가 중심 영역(11) 및 주변 영역(13)들로 구획되게 이루어질 경우 제어부(35)는 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 끝단에 위치하는 기판(30) 상에 약액을 예비 도포시킨 후 도포부(31)를 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 앞단까지 후진 및 고정시켜 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 기판(30) 상에 약액을 도포하도록 도포부(31)를 제어할 수 있다.The control unit 35 pre-applyes the chemical liquid on the substrate 30 positioned at the end of the first stage 10, and then reverses and fixes the coating unit 31 to the front end of the first stage 10, thereby fixing the first stage The coating unit 31 may be controlled to apply the chemical solution on the substrate 30 that is retracted to the front end of (10) and is advanced again. Similarly, when the first stage 10 is made to be divided into the central region 11 and the peripheral regions 13, the control unit 35 is a substrate 30 located at the end of the central region 11 of the first stage 10 After preliminarily applying the chemical solution on the top, the coating unit 31 is retracted and fixed to the front end of the central region 11 of the first stage 10, and then retracted to the front end of the central region 11 of the first stage 10 to advance again. The coating unit 31 may be controlled to apply the chemical solution on the substrate 30.

이와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 제어부(35)를 구비함으로써 제1 스테이지(10)의 끝단, 특히 중심 영역(11)의 끝단으로 기판(30)을 이송시켜서 예비 도포를 수행하고, 그리고 제1 스테이지(10)의 앞단, 특히 중심 영역(11)의 앞단으로 기판(30) 및 도포부(31)를 후진시킨 후 도포부(31)를 고정시킨 상태에서 기판(30)만을 이송 방향을 따라 다시 전진시키면서 기판(30) 상에 약액을 도포할 수 있다.In this way, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments is provided with a control unit 35 to transfer the substrate 30 to the end of the first stage 10, particularly the end of the central region 11, to perform preliminary coating. Then, after reversing the substrate 30 and the coating part 31 to the front end of the first stage 10, in particular, the front end of the central region 11, only the substrate 30 in a state where the coating part 31 is fixed. The chemical liquid may be applied on the substrate 30 while advancing again along the transport direction.

이에, 예시적인 실시들에 따른 기판 처리 장치는 에어를 분사하는 에어홀(17)들 및 진공을 흡입하는 진공홀(19)들을 상대적으로 보다 조밀하게 형성되는 제1 스테이지(10), 특히 중심 영역(11)에서만 약액의 도포가 이루어지도록 제어함으로써 기판(30)이 스테이지(100)를 덮은 정도에 따라 발생하는 압력 차이를 현저하게 줄일 수 있기 때문에 기판(30)의 부상시 기판(30)이 변형되는 상황을 최소화할 수 있고, 그 결과 약액을 보다 안정적으로 도포할 수 있을 것이다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments includes the first stage 10, particularly the central region, in which the air holes 17 for injecting air and the vacuum holes 19 for inhaling vacuum are relatively densely formed. The substrate 30 is deformed when the substrate 30 rises because the pressure difference generated according to the degree to which the substrate 30 covers the stage 100 can be significantly reduced by controlling the application of the chemical solution only in the (11). The situation can be minimized, and as a result, the chemical solution may be applied more stably.

그리고 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 도 3에서와 같이 기판(30) 상에 약액을 예비 도포할 때에는 도포부(31)를 기판(30)으로부터 제1 높이(H1)에 위치하도록 할 수 있고, 도 5에서와 같이 기판(30) 상에 약액을 도포하는 메인 공정을 수행할 때에는 도포부(31)를 기판(30)으로부터 제2 높이(H2)에 위치하도록 할 수 있다. 제2 높이(H2)가 제1 높이(H1)에 비해 낮은 위치일 수 있다.And in the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments, when pre-applying the chemical solution on the substrate 30 as shown in FIG. 3, the coating unit 31 is positioned at the first height H1 from the substrate 30. When performing the main process of applying the chemical liquid on the substrate 30 as shown in FIG. 5, the coating unit 31 may be positioned at the second height H2 from the substrate 30. The second height H2 may be a lower position than the first height H1.

또한, 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 제1 스테이지(10)의 끝단으로부터 제1 스테이지(10)의 앞단으로 기판(30) 및 도포부(31)를 후진시킬 때, 특히 도 4에서와 같이 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 끝단으로부터 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 앞단으로 기판(30) 및 도포부(31)를 후진시킬 때 기판(30) 및 도포부(31)를 함께 후진시킬 수 있도록 구비시킬 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments when the substrate 30 and the coating part 31 are retracted from the end of the first stage 10 to the front end of the first stage 10, particularly in FIG. 4. When the substrate 30 and the coating part 31 are reversed from the end of the central region 11 of the first stage 10 to the front of the central region 11 of the first stage 10, the substrate 30 and the coating are applied. It can be provided so that the portion 31 can be reversed together.

이는, 기판(30) 및 도포부(31) 각각을 따로 후진시키는 것에 비해 기판(30) 및 도포부(31)를 함께 후진시키는 것이 공정 시간을 단축시킬 수 있기 때문이다. 다만, 기판(30) 및 도포부(31)의 후진시 동일 속도로 함께 후진되거나 서로 다른 속도로 후진될 수 있다.This is because it is possible to shorten the process time by reversing the substrate 30 and the coating portion 31 together, compared to reversing each of the substrate 30 and the coating portion 31 separately. However, when the substrate 30 and the coating part 31 are reversed, they may be reversed together at the same speed or may be reversed at different speeds.

이하, 언급한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing method using a substrate processing apparatus according to the exemplary embodiments mentioned above will be described.

도 3을 참조하면, 이송부(33)를 사용하여 기판 이송 방향을 기준으로 제1 스테이지(10)의 끝단, 특히 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 끝단까지 기판(30)을 전진시킨다. 도포부(31) 또한 제1 스테이지(10)의 끝단, 특히 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11) 끝단에 배치되도록 위치시킨다. 도포부(31)는 기판(30)으로부터 제1 높이(H1)에 위치하도록 한다.Referring to FIG. 3, the substrate 30 is advanced to the end of the first stage 10, particularly to the end of the central region 11 of the first stage 10 based on the substrate transfer direction using the transfer unit 33. . The coating part 31 is also positioned to be disposed at the end of the first stage 10, particularly at the center region 11 of the first stage 10. The coating part 31 is positioned at a first height H1 from the substrate 30.

이어서, 제1 스테이지(10)의 끝단, 즉 중심 영역(11) 끝단에서 기판(30) 상에 약액을 예비 도포하여 기판(30) 끝단 상에 비드층을 형성한다. 이와 같이 비드층을 먼저 형성하는 것은 메인 도포 공정의 수행시 기판(30) 상에 약액을 보다 안정적으로 도포하기 위함이다.Subsequently, a bead layer is formed on the end of the substrate 30 by preliminarily applying a chemical solution on the substrate 30 at the end of the first stage 10, that is, at the end of the central region 11. The first step of forming the bead layer is to stably apply the chemical solution on the substrate 30 when performing the main application process.

도 4를 참조하면, 이송부(33)를 사용하여 기판(30)을 제1 스테이지(10)의 앞단, 특히 중심 영역(11)의 앞단까지 후진시킨다. 도포부(31) 또한 제1 스테이지(10)의 앞단, 특히 중심 영역(11)의 앞단까지 후진시킨다. 그리고 기판(30)과 도포부(31)는 언급한 바와 같이 동시에 후진시킬 수 있다.Referring to FIG. 4, the transfer unit 33 is used to advance the substrate 30 to the front end of the first stage 10, particularly to the front end of the central region 11. The coating part 31 is also retracted to the front end of the first stage 10, especially to the front end of the central region 11. And the substrate 30 and the coating part 31 can be reversed at the same time as mentioned.

이에, 기판(30)의 단부와 도포부(31)는 수직 방향을 기준으로 동일 선상에 위치할 수 있을 것이다.Accordingly, the end portion of the substrate 30 and the application portion 31 may be located on the same line based on the vertical direction.

도포부(31)는 제1 스테이지(10)의 앞단, 즉 중심 영역(11) 앞단에 고정되도록 위치시킬 수 있을 것이다. 도포부(31)는 기판(30)으로부터 제1 높이(H1)보다 낮은 제2 높이(H2)를 갖도록 위치시킬 수 있을 것이다.The coating part 31 may be positioned to be fixed to the front end of the first stage 10, that is, to the front end of the center region 11. The coating part 31 may be positioned to have a second height H2 lower than the first height H1 from the substrate 30.

도 5를 참조하면, 제1 스테이지(10)의 앞단까지 후진한 기판(30)을 다시 전진시키면서 기판(30) 상에 약액을 도포시킨다. 이때, 도포부(31)는 고정된 상태를 유지하도록 구비될 수 있다.Referring to FIG. 5, the chemical solution is applied on the substrate 30 while advancing the substrate 30 back to the front end of the first stage 10 again. At this time, the coating unit 31 may be provided to maintain a fixed state.

이에, 기판(30) 상에는 약액의 도포로 인하여 배향막, 컬러 필러 등으로 형성할 수 있는 약액층이 형성될 수 있다.Thus, a chemical layer that can be formed of an alignment film, a color filler, or the like may be formed on the substrate 30 due to application of the chemical solution.

이와 같이, 예시적인 실시들에 따른 기판 처리 방법은 제1 스테이지(10)의 중심 영역(11)에서만 약액의 도포가 이루어지도록 제어함으로써 기판(30)이 제1 스테이지(10)를 덮은 정도에 따라 발생하는 압력 차이를 현저하게 줄일 수 있어 기판(30)의 부상시 기판(30)이 변형되는 상황을 최소화할 수 있을 것이고, 그 결과 약액의 도포시 기판(30)을 부상시킴에 의한 기판(30) 변형으로 인하여 발생하는 불량을 최소화할 수 있을 것이다.As described above, the substrate processing method according to the exemplary embodiments controls the application of the chemical solution to be performed only in the central region 11 of the first stage 10 according to the degree to which the substrate 30 covers the first stage 10. Since the pressure difference generated can be significantly reduced, the situation in which the substrate 30 is deformed when the substrate 30 rises can be minimized, and as a result, the substrate 30 by floating the substrate 30 upon application of the chemical solution ) It will be possible to minimize defects caused by deformation.

예시적인 실시들에 따른 기판 부상 스테이지, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 배향막, 컬러 필터 등의 형성이 이루어지는 액정 표시 소자, 유기 EL 소자 등과 같은 표시 장치의 제조에 보다 적극적으로 적용할 수 있을 것이다.The substrate floating stage, the substrate processing apparatus, and the substrate processing method according to the exemplary embodiments may be more actively applied to the manufacture of display devices such as liquid crystal display elements, organic EL elements, etc., in which alignment films, color filters, and the like are formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art may variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can.

10 : 제1 스테이지 11 : 중심 영역
13 : 주변 영역 15 : 제2 스테이지
17 : 에어홀 19 : 진공홀
21 : 그루브 23 : 관통홀
30 : 기판 31 : 도포부
33 : 이송부 35 : 제어부
100 : 기판 부상용 스테이지
300 : 기판 처리 장치10: first stage 11: center area
13: peripheral area 15: second stage
17: air hole 19: vacuum hole
21: groove 23: through hole
30: substrate 31: coating unit
33: transfer unit 35: control unit
100: substrate floating stage
300: substrate processing apparatus

Claims (14)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 부상시킬 수 있도록 상기 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어지는 제1 스테이지, 상기 제1 스테이지 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어지는 제2 스테이지, 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지를 따라 상기 기판을 이송시키는 이송부, 및 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 기판 상에 약액을 도포하는 도포부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 제1 스테이지의 끝단까지 상기 기판을 전진시킨 후 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 상기 기판을 전진시키도록 상기 이송부를 제어하고, 상기 제1 스테이지의 끝단에 위치하는 상기 기판의 끝단 상에 비드층이 형성되도록 상기 약액을 예비 도포시킨 후 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진 및 고정시켜 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포하도록 상기 도포부를 제어하되, 상기 이송부 및 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시킬 때에는 동시에 후진시키도록 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제1 스테이지는 상기 제1 스테이지 전체에 걸쳐 상기 에어홀들 및 진공홀들을 구비함과 아울러 상기 기판이 상기 제1 스테이지를 지날 때 상기 제1 스테이지 전체에 걸쳐 상기 에어홀들을 통하여 에어를 분사함과 아울러 상기 진공홀들 통하여 진공 흡입하도록 구비되되, 상기 제1 스테이지를 중심 영역 및 상기 중심 영역 양쪽의 주변 영역들로 구획하여 상기 중심 영역에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 제1 간격을 갖도록 구비하고, 상기 주변 영역들에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖도록 구비하고, 그리고 상기 중심 영역과 상기 주변 영역에 형성되는 상기 에어홀들 및 진공홀들이 서로 간격을 달리함에 따라 상기 중심 영역과 상기 주변 영역 사이의 경계에 상기 에어홀들 및 진공홀들이 겹쳐지는 구조로 형성되는 것을 방지할 수 있게 상기 중심 영역과 상기 주변 영역 사이의 경계에는 그루브가 라인 구조를 갖도록 형성되고, 상기 그루브 저면에는 상기 제1 스테이지를 관통하는 관통홀이 라인 구조를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A first stage composed of air holes injecting air toward the back surface of the substrate and vacuum holes suctioned in a vacuum so as to float the substrate, and is provided in outer regions on both sides of the first stage and air toward the back surface of the substrate A second stage consisting only of air holes for ejecting bays, a transfer unit for transferring the substrate along the first stage and the second stage while the substrate is floating, and a chemical solution on the substrate while the substrate is floating In the substrate processing apparatus including a coating unit to be applied,
Based on the transfer direction of the substrate, the substrate is advanced to the end of the first stage, and then the substrate is controlled to advance to the front end of the first stage and the substrate is further advanced, and the end of the first stage is controlled. After pre-applying the chemical solution so that a bead layer is formed on the end of the substrate located at the back, and fixing the coating part to the front end of the first stage, and then back to the front end of the first stage to advance again. Controlling the coating unit to apply the chemical to the, but includes a control unit for controlling the transfer unit and the coating unit to reverse at the same time when retracting to the front end of the first stage,
The first stage includes the air holes and vacuum holes throughout the first stage, and injects air through the air holes throughout the first stage when the substrate passes through the first stage. In addition, it is provided to suction vacuum through the vacuum holes. The first stage is divided into a central region and peripheral regions on both sides of the central region, and the central region is provided with the air holes and the vacuum holes at a first interval. The air holes and the vacuum holes are provided in the peripheral areas so as to have a second space wider than the first space, and the air holes and the vacuum holes formed in the center area and the peripheral areas are spaced apart from each other. In order to prevent the air holes and the vacuum holes from being formed in a structure overlapping the boundary between the central area and the peripheral area, a groove has a line structure at the boundary between the central area and the peripheral area. And a through hole passing through the first stage to have a line structure. 제5 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단까지 상기 기판을 전진시킨 후 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진시키고 그리고 다시 상기 기판을 전진시키도록 상기 이송부를 제어하고, 상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시킨 후 상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진 및 고정시켜 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진하여 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포하도록 상기 도포부를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The control unit controls the transfer unit to advance the substrate to the end of the central region of the first stage, then to the front of the central region of the first stage, and to advance the substrate again, and the central region of the first stage After pre-applying the chemical solution on the substrate positioned at the end, the coating part is retracted and fixed to the front end of the first zone to the center of the first stage. Substrate processing apparatus characterized in that to control the coating unit to apply the chemical. 제6 항에 있어서,
상기 제1 간격을 기준으로 상기 제2 간격은 1.3배 내지 1.8배 넓은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second interval is 1.3 to 1.8 times wider based on the first interval. 삭제delete 삭제delete 제5 항에 있어서,
상기 약액을 예비 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 기판으로부터 제1 높이에 위치하도록 하고, 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
When pre-applying the chemical solution, the application part is positioned at a first height from the substrate, and when applying the chemical solution on the advancing substrate again, the application part is positioned at a second height lower than the first height. Substrate processing apparatus characterized in that. 기판을 부상시킬 수 있도록 상기 기판 이면을 향하여 에어를 분사하는 에어홀들 및 진공으로 흡입하는 진공홀들로 이루어지는 제1 스테이지, 상기 제1 스테이지 양쪽의 외곽 영역들에 구비되고 상기 기판 이면을 향하여 에어만을 분사하는 에어홀들만으로 이루어지는 제2 스테이지, 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 제1 스테이지와 상기 제2 스테이지를 따라 상기 기판을 이송시키는 이송부, 및 상기 기판을 부상시킨 상태에서 상기 기판 상에 약액을 도포하는 도포부를 사용하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상기 제1 스테이지의 끝단까지 상기 기판을 전진시키는 단계;
상기 제1 스테이지의 끝단에 위치하는 상기 기판의 끝단 상에 비드층이 형성되도록 상기 약액을 예비 도포시키는 단계;
상기 기판을 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진시키는 단계;
상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진 및 고정시키는 단계; 및
상기 제1 스테이지의 앞단까지 후진한 상기 기판을 다시 전진시키면서 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시키는 단계를 포함하고,
상기 기판 및 상기 도포부의 후진은 동시에 이루어지고,
상기 제1 스테이지를 중심 영역 및 상기 중심 영역 양쪽의 주변 영역들로 구획하여 상기 중심 영역에는 상기 에어홀들 및 진공홀들을 제1 간격을 갖도록 구비하고, 상기 주변 영역들에는 상기 에어홀들 및 진공홀들이 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격을 갖도록 구비할 때에는,
상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단까지 상기 기판을 전진시키는 단계;
상기 제1 스테이지의 중심 영역 끝단에 위치하는 상기 기판 상에 상기 약액을 예비 도포시키는 단계;
상기 기판을 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진시키는 단계;
상기 도포부를 상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진 및 고정시키는 단계; 및
상기 제1 스테이지의 중심 영역 앞단까지 후진한 상기 기판을 다시 전진시키면서 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A first stage composed of air holes injecting air toward the back surface of the substrate and vacuum holes suctioned in a vacuum so as to float the substrate, and is provided in outer regions on both sides of the first stage and air toward the back surface of the substrate A second stage consisting only of air holes for ejecting bays, a transfer unit for transferring the substrate along the first stage and the second stage while the substrate is floating, and a chemical solution on the substrate while the substrate is floating In the substrate processing method using a coating unit to apply,
Advancing the substrate to the end of the first stage based on the transfer direction of the substrate;
Pre-applying the chemical solution so that a bead layer is formed on an end of the substrate positioned at the end of the first stage;
Backing the substrate to the front end of the first stage;
Backing and fixing the applicator to the front end of the first stage; And
And applying the chemical solution on the substrate while advancing the substrate back to the front end of the first stage again.
The reverse of the substrate and the coating part is made simultaneously,
The first stage is divided into a central region and peripheral regions on both sides of the central region, and the air holes and vacuum holes are provided at a first interval in the central region, and the air holes and vacuum are disposed in the peripheral regions. When the holes are provided to have a second gap wider than the first gap,
Advancing the substrate to an end of a central region of the first stage;
Pre-coating the chemical liquid on the substrate located at the end of the central region of the first stage;
Backing the substrate to the front end of the center region of the first stage;
Backing and fixing the applicator to the front end of the central region of the first stage; And
And applying the chemical solution on the substrate while advancing the substrate back to the front end of the center region of the first stage again. 삭제delete 삭제delete 제11 항에 있어서,
상기 약액을 예비 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 기판으로부터 제1 높이에 위치하도록 하고, 다시 전진하는 상기 기판 상에 상기 약액을 도포시킬 때에는 상기 도포부가 상기 제1 높이보다 낮은 제2 높이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 11,
When pre-applying the chemical solution, the application part is positioned at a first height from the substrate, and when applying the chemical solution on the advancing substrate again, the application part is positioned at a second height lower than the first height. Characterized in that the substrate processing method.
KR1020180038261A 2018-04-02 2018-04-02 Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same KR102134270B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180038261A KR102134270B1 (en) 2018-04-02 2018-04-02 Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same
CN201910242855.8A CN110349904B (en) 2018-04-02 2019-03-28 Work table for floating substrate, substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180038261A KR102134270B1 (en) 2018-04-02 2018-04-02 Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190115340A KR20190115340A (en) 2019-10-11
KR102134270B1 true KR102134270B1 (en) 2020-07-15

Family

ID=68174626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180038261A KR102134270B1 (en) 2018-04-02 2018-04-02 Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102134270B1 (en)
CN (1) CN110349904B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11897243B2 (en) 2021-03-05 2024-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Window manufacturing apparatus, window manufacturing method, and manufacturing method of display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059823A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating device and coating method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102086796B1 (en) * 2012-12-27 2020-03-09 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
KR102115171B1 (en) * 2013-02-01 2020-05-26 세메스 주식회사 Substrate floating unit and substrate treating apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009059823A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating device and coating method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11897243B2 (en) 2021-03-05 2024-02-13 Samsung Display Co., Ltd. Window manufacturing apparatus, window manufacturing method, and manufacturing method of display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN110349904A (en) 2019-10-18
KR20190115340A (en) 2019-10-11
CN110349904B (en) 2023-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5430697B2 (en) Coating method and coating apparatus
KR101845090B1 (en) Apparatus for coating film and method of coating film
JP6404606B2 (en) Coating method, coating apparatus, manufacturing method and manufacturing apparatus
JP2007007639A (en) Coating method and coating device
JP2015155089A (en) Adhesive coating device and production device and production method of member for display unit
KR102134270B1 (en) Stage for Floating Substrate, Apparatus and Method for Processing Substrate having the same
KR20160132971A (en) Apparatus for manufacturing display device member and method for manufacturing display device member
JP6339341B2 (en) Processing system and processing method
JP5912403B2 (en) Application processing equipment
JP6860379B2 (en) Coating device and coating method
KR102608016B1 (en) Method and Apparatus for transferring substrate and Method for processing substrate having the same
KR101449412B1 (en) Dispensing Device Of UV Resin And Method Thereof
JP2008264606A (en) Coating device
TWI787551B (en) Coating device and coating method
JP2007260485A (en) Coating method, coating apparatus, and method for manufacturing component for use in liquid crystal display
JP5469992B2 (en) Coating method and coating apparatus
JP5735161B1 (en) Coating apparatus and method for improving the same
KR102134272B1 (en) Floating type Substrate Transferring Apparatus
TW201827321A (en) Electronic component manufacturing system
JP2018152441A (en) Substrate transfer device, substrate transfer method and coating device
KR102134271B1 (en) Apparatus for processing substrate
JP6208500B2 (en) Coating apparatus and coating method
KR101642869B1 (en) Dispensing apparatus, dispensing method thereof and dispensing equipment having the dispensing apparatus
US8845841B2 (en) Molding material installation method and installation apparatus and application nozzle
KR20200058109A (en) Apparatus for Floating Substrate and Apparatus for Processing Substrate having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant