KR102133559B1 - Polyimide precursor, resin composition, and method for producing resin film - Google Patents

Polyimide precursor, resin composition, and method for producing resin film Download PDF

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Abstract

(a1) 하기 일반식 (1):

Figure 112018013190568-pct00055

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과,
하기 일반식 (2):
Figure 112018013190568-pct00056

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다.} 로 나타내는 구조 단위 M 을, 1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 로 포함하는, 폴리이미드 전구체.(a1) The following general formula (1):
Figure 112018013190568-pct00055

{In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Structural units L represented by },
The following general formula (2):
Figure 112018013190568-pct00056

{In the formula, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms.} The structural unit M represented by 1/99 ≤ (molar number of structural units L/molar number of structural units M) ≤ 99/1 is included, Polyimide precursor.

Description

폴리이미드 전구체, 수지 조성물 및 수지 필름의 제조 방법{POLYIMIDE PRECURSOR, RESIN COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN FILM}Manufacturing method of polyimide precursor, resin composition and resin film {POLYIMIDE PRECURSOR, RESIN COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN FILM}

본 발명은, 예를 들어, 플렉시블 디바이스를 위한 기판의 제조에 사용되는, 폴리이미드 전구체, 수지 조성물 및 수지 필름의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a method for producing a polyimide precursor, a resin composition, and a resin film used for manufacturing a substrate for a flexible device.

일반적으로, 고내열성이 요구되는 용도에는, 수지 필름으로서 폴리이미드 수지의 필름이 사용된다. 일반적인 폴리이미드 수지는, 방향족 카르복실산 2무수물과 방향족 디아민을 용액 중합함으로써 폴리이미드 전구체를 제조한 후, 이것을 고온에서 열 이미드화하여, 또는, 촉매를 사용하여 화학 이미드화하여, 제조되는 고내열 수지이다.Generally, a film of a polyimide resin is used as a resin film in applications requiring high heat resistance. The general polyimide resin is a high heat resistance produced by preparing a polyimide precursor by solution polymerization of an aromatic carboxylic acid anhydride and an aromatic diamine, followed by thermal imidization at a high temperature or chemical imidization using a catalyst. It is resin.

폴리이미드 수지는, 불용, 불융의 초내열성 수지이며, 내열 산화성, 내열 특성, 내방사선성, 내저온성, 내약품성 등이 우수한 특성을 갖고 있다. 이 때문에, 폴리이미드 수지는, 전자 재료를 포함하는 광범위한 분야에서 사용되고 있다. 전자 재료 분야에 있어서의 폴리이미드 수지의 적용 예로는, 예를 들어, 절연 코팅제, 절연막, 반도체의 보호막, TFT-LCD 의 전극 보호막 등을 들 수 있다. 최근에는, 디스플레이 재료의 분야에서 종래 사용되고 있던 유리 기판 대신에, 그 가벼움, 유연성을 이용한 무색 투명 플렉시블 기판으로서의 채용이 검토되고 있다.The polyimide resin is an insoluble and infusible super-heat-resistant resin, and has excellent properties such as heat oxidation resistance, heat resistance, radiation resistance, low temperature resistance, and chemical resistance. For this reason, polyimide resins are used in a wide range of fields including electronic materials. Examples of the application of the polyimide resin in the field of electronic materials include, for example, insulating coating agents, insulating films, semiconductor protective films, and TFT-LCD electrode protective films. In recent years, adoption as a colorless and transparent flexible substrate utilizing its lightness and flexibility has been studied instead of a glass substrate conventionally used in the field of display materials.

플렉시블 기판으로서의 폴리이미드 수지 필름을 제조하는 경우, 적당한 지지체 상에, 폴리이미드 전구체를 함유하는 조성물을 도포하여 도막을 형성한 후, 열처리를 실시하여 이미드화함으로써, 폴리이미드 수지 필름을 얻는다. 상기 지지체로는, 예를 들어 유리, 실리콘, 질화규소, 산화규소, 금속 등이 사용되고 있다. 이와 같은 지지체 상에 폴리이미드막을 갖는 적층체를 제조할 때에는, 폴리이미드 전구체의 건조 및 이미드화를 위해서, 250 ℃ 이상의 고온에 있어서의 가열 처리를 필요로 한다. 이 가열 처리에 의해, 상기 적층체에 잔류 응력이 발생하고, 휨, 박리 등의 심각한 문제가 발생한다. 이것은, 상기의 지지체를 구성하는 재료와 비교하여, 폴리이미드의 선 열팽창 계수가 크기 때문이다.When manufacturing a polyimide resin film as a flexible substrate, a polyimide resin film is obtained by applying a composition containing a polyimide precursor on a suitable support to form a coating film, followed by heat treatment and imidization. As the support, glass, silicon, silicon nitride, silicon oxide, metal, or the like is used, for example. When manufacturing a laminate having a polyimide film on such a support, heat treatment at a high temperature of 250° C. or higher is required for drying and imidization of the polyimide precursor. By this heat treatment, residual stress is generated in the laminate, and serious problems such as bending and peeling occur. This is because the coefficient of linear thermal expansion of the polyimide is greater than that of the material constituting the support.

열팽창 계수가 작은 폴리이미드 재료로는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물과 파라페닐렌디아민으로부터 형성되는 폴리이미드가 가장 잘 알려져 있다. 막두께 및 제조 조건에 의존하기는 하지만, 이 폴리이미드막은 매우 낮은 선 열팽창 계수를 나타내는 것이 보고되어 있다 (비특허문헌 1).As a polyimide material having a small coefficient of thermal expansion, polyimide formed from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine is best known. Although it depends on the film thickness and manufacturing conditions, it has been reported that this polyimide film exhibits a very low coefficient of linear thermal expansion (Non-Patent Document 1).

또, 분자 사슬 중에 에스테르 구조를 갖는 폴리이미드가, 적당한 직선성 및 강직성을 갖기 때문에, 낮은 선 열팽창 계수를 나타내는 것이 보고되어 있다 (특허문헌 1). Moreover, since the polyimide which has an ester structure in a molecular chain has moderate linearity and rigidity, it has been reported to show a low linear thermal expansion coefficient (patent document 1).

그러나, 상기의 문헌에 기재된 폴리이미드를 포함하여, 일반적인 폴리이미드 수지는, 높은 방향 고리 밀도에 의해 갈색 또는 황색으로 착색되기 때문에, 가시광 선영역에 있어서의 광 투과율이 낮고, 따라서 투명성이 요구되는 분야에 사용하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물과 파라페닐렌디아민으로부터 얻어지는 상기 비특허문헌 1 의 폴리이미드는, 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 황색도 (YI 치) 가 40 이상으로 높아, 투명성의 점에서는 불충분하다.However, general polyimide resins, including the polyimide described in the above-mentioned documents, are colored in brown or yellow due to high aromatic ring density, so that the light transmittance in the visible light region is low, and thus transparency is required. It is difficult to use on. For example, the polyimide of the non-patent document 1 obtained from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine has a yellowness (YI at a film thickness of 10 µm). Chi) is higher than 40, and is insufficient in terms of transparency.

필름의 황색도에 대해서는, 예를 들어 불소 원자를 갖는 모노머를 사용한 폴리이미드가, 매우 낮은 황색도를 나타내는 것이 알려져 있다 (특허문헌 2).As for the yellowness of the film, it is known, for example, that polyimide using a monomer having a fluorine atom exhibits a very low yellowness (Patent Document 2).

일본 특허 제4627297호 명세서Japanese Patent No. 4627297 일본 공표특허공보 2010-538103호Japanese Patent Publication No. 2010-538103 일본 특허 제3079867호 명세서Japanese Patent No. 3079867

최신 폴리이미드 일본 폴리이미드 연구회편 엔·티·에스 The latest polyimide Japan Polyimide Research Association N T S

그런데, 폴리이미드 수지를 무색 투명 플렉시블 기판으로서 적용하기 위해서는, 투명성 외에, 우수한 신장도, 파단 강도 등의 기계적 물성도 요구되고 있다. 특히 최근에는, TFT 의 디바이스 타입이 LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 가 되는 것에 수반하여, 종래 이상의 열 이력에 있어서도, 상기의 물성을 발휘하는 필름이 요망되고 있다.However, in order to apply the polyimide resin as a colorless transparent flexible substrate, in addition to transparency, mechanical properties such as excellent elongation and breaking strength are also required. In particular, in recent years, with the device type of the TFT being LTPS (low temperature polysilicon TFT), a film that exhibits the above physical properties has been desired even in a thermal history higher than that of the prior art.

그러나, 공지된 투명 폴리이미드의 물성 특성은, 디스플레이용의 내열성 무색 투명 기판으로서 사용하는 데에 충분하지는 않다.However, the physical properties of known transparent polyimide are not sufficient for use as a heat-resistant colorless transparent substrate for displays.

또한, 본 발명자가 확인한 바, 특허문헌 1 에 기재된 폴리이미드 수지는, 낮은 선 열팽창 계수를 나타내기는 했지만, 박리 후의 폴리이미드 수지 필름의 황색도 (YI 치) 가 큰 것 외에, 잔류 응력이 높고, 신장도가 낮고, 파단 강도가 낮다는 과제가 있는 것을 알 수 있었다. Further, as confirmed by the present inventors, although the polyimide resin described in Patent Document 1 exhibited a low linear thermal expansion coefficient, the yellowness (YI value) of the polyimide resin film after peeling was high, and the residual stress was high. It has been found that there are problems that the elongation is low and the breaking strength is low.

황색도에 대해서는, 특허문헌 2 에 기재된 폴리이미드 필름에서는, 300 ℃ 정도의 온도 영역에서는 낮은 황색도를 나타내지만, 400 ℃ 이상의 고온 영역에서는, 황색도 (YI 치) 가 현저하게 악화되는 것을 알 수 있었다.As for the yellowness, the polyimide film described in Patent Literature 2 shows a low yellowness in a temperature range of about 300°C, but a yellowness (YI value) significantly deteriorates in a high temperature region of 400°C or higher. there was.

또, 선팽창 계수를 낮춘 폴리이미드로서, 4,4'-디아미노디페닐에테르와 4,4'-디아미노디페닐에스테르로 이루어지는 폴리이미드가 개시되어 있다 (특허문헌 3). Further, as a polyimide having a low linear expansion coefficient, a polyimide composed of 4,4'-diaminodiphenyl ether and 4,4'-diaminodiphenyl ester is disclosed (Patent Document 3).

그러나, 본 발명자가 확인한 바, 특허문헌 3 에 기재된 폴리이미드 수지는, 플렉시블 기판으로서 적용하기 위해서는 막이 매우 무르고, 고온에서의 황색도에는 개선의 여지가 있었다.However, as confirmed by the present inventors, the polyimide resin described in Patent Document 3 has a very soft film to be applied as a flexible substrate, and there is room for improvement in the yellowness at high temperature.

본 발명은, 상기 설명한 문제점을 감안하여 이루어진 것이다. 따라서, 본 발명은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높은, 폴리이미드 수지 필름 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the problems described above. Accordingly, an object of the present invention is to provide a polyimide resin film having low residual stress, low warpage, low yellowness (YI value), and high elongation, and a method for manufacturing the same.

본 발명은, 이하와 같은 것이다.The present invention is as follows.

[1] [One]

(a1) 하기 일반식 (1):(a1) The following general formula (1):

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112018013190568-pct00001
Figure 112018013190568-pct00001

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과, {In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Structural units L represented by },

하기 일반식 (2):The following general formula (2):

[화학식 2] [Formula 2]

Figure 112018013190568-pct00002
Figure 112018013190568-pct00002

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다} 로 나타내는 구조 단위 M 을,{In the formula, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. Y is a structural unit M represented by at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3), (4) and (5),

1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 1/99 ≤ (number of moles of structural unit L/number of moles of structural unit M) ≤ 99/1

로 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 전구체.Characterized in that it comprises, a polyimide precursor.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112018013190568-pct00003
Figure 112018013190568-pct00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112018013190568-pct00004
Figure 112018013190568-pct00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112018013190568-pct00005
Figure 112018013190568-pct00005

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4}

[2][2]

상기 일반식 (1) 에 있어서의 n 이 0 인, [1] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [1], wherein n in the general formula (1) is 0.

[3] [3]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (3) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [1] or [2], wherein Y in the general formula (2) is general formula (3).

[4] [4]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (4) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [1] or [2], wherein Y in the general formula (2) is general formula (4).

[5] [5]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (5) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [1] or [2], wherein Y in the general formula (2) is general formula (5).

[6] [6]

(a2) 하기 일반식 (10):(a2) The following general formula (10):

[화학식 6] [Formula 6]

Figure 112018013190568-pct00006
Figure 112018013190568-pct00006

으로 나타내는 구조 단위를 갖고, 그리고, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.A polyimide precursor having a structural unit represented by and having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less.

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride ) (TAHQ), a tetravalent group derived from at least one selected from the group consisting of. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

[7] [7]

상기 (a2) 폴리이미드 전구체에 있어서의, 중량 평균 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량이 5 질량% 미만인, [6] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [6], wherein the content of the molecule of the weight average molecular weight less than 1,000 in the polyimide precursor (a2) is less than 5% by mass.

[8] [8]

일반식 (10) 에 있어서의 n 이 0 인, [6] 또는 [7] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor according to [6] or [7], wherein n in general formula (10) is 0.

[9] [9]

상기 X1, X2 가, 피로멜리트산 2무수물 (PMDA), 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 유기기인 [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체.The X 1 , X 2 is pyromellitic dianhydride (PMDA), 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-ratio The polyimide precursor according to any one of [1] to [5], which is a tetravalent organic group derived from at least one selected from the group consisting of phenylbis (trimellitic acid monoester acid anhydride) (TAHQ).

[10] [10]

[1] ∼ [9] 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체와, (b) 유기 용제, 를 함유하는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.The resin composition comprising the polyimide precursor according to any one of [1] to [9], and (b) an organic solvent.

[11] [11]

또한, (c) 계면 활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물, 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [10] 에 기재된 수지 조성물.Moreover, the resin composition as described in [10] which contains at least 1 sort(s) selected from the group which consists of (c) surfactant and (d) alkoxysilane compound,.

[12] [12]

하기 일반식 (11):The following general formula (11):

[화학식 7] [Formula 7]

Figure 112018013190568-pct00007
Figure 112018013190568-pct00007

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드.{In the formula, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3), (4) and (5). l and m each independently represent an integer of 1 or more, and satisfies 0.01≦l/(l+m)≦0.99.} A polyimide characterized by having a structural unit represented by.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112018013190568-pct00008
Figure 112018013190568-pct00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112018013190568-pct00009
Figure 112018013190568-pct00009

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112018013190568-pct00010
Figure 112018013190568-pct00010

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4}

[13] [13]

하기 일반식 (12):The following general formula (12):

[화학식 11] [Formula 11]

Figure 112018013190568-pct00011
Figure 112018013190568-pct00011

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖고, 신장도가 15 % 이상인 것을 특징으로 하는, 폴리이미드.{Wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride ) (TAHQ), a tetravalent group derived from at least one selected from the group consisting of. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers of 0 to 4. A polyimide having a structural unit represented by} and having an elongation of 15% or more.

[14] [14]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과, Heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film;

상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정Step of peeling the polyimide resin film from the support

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 수지 필름의 제조 방법.It characterized in that it comprises, a method for producing a resin film.

[15] [15]

상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 레이저를 조사하는 공정을 실시하는, [14] 에 기재된 수지 필름의 제조 방법.The manufacturing method of the resin film as described in [14] which performs the process of irradiating a laser from the said support side, before the process of peeling the said polyimide resin film from the said support body.

[16] [16]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정Step of forming a polyimide resin film by imidizing the polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층체의 제조 방법.It characterized in that it comprises, a method for producing a laminate.

[17] [17]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과, Heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film;

상기 폴리이미드 수지막 상에 소자 또는 회로를 형성하는 공정과, Forming a device or a circuit on the polyimide resin film;

상기 소자 또는 회로가 형성된 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정Step of peeling the polyimide resin film on which the device or circuit is formed from the support

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 기판의 제조 방법.Characterized in that it comprises, a method of manufacturing a display substrate.

[18] [18]

하기 일반식 (12):The following general formula (12):

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112018013190568-pct00012
Figure 112018013190568-pct00012

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride ) (TAHQ) and at least one member selected from the group consisting of, R 1 , R 2 , R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이용 폴리이미드 필름.A polyimide film for display, comprising a polyimide represented by.

[19] [19]

하기 일반식 (13):The following general formula (13):

[화학식 13] [Formula 13]

Figure 112018013190568-pct00013
Figure 112018013190568-pct00013

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, 저온 폴리실리콘 TFT 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체.{In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers of 0 to 4. A layered product comprising a polyimide film layer containing a polyimide represented by} and a low-temperature polysilicon TFT layer.

[20] [20]

400 ℃ 이상에서 가열한 후의 막두께 10 미크론에 있어서의 황색도가 20 이하이고, 막두께 1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 그리고 신장도가 15 % 이상인 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름.Yellowness at a film thickness of 10 microns after heating at 400°C or higher is 20 or less, absorbance at 308 nm at a film thickness of 1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less, and elongation is 15% or more. , Polyimide film.

[21] [21]

(a) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리이미드 전구체와,(a) the polyimide precursor represented by the following general formula (1),

(b) 유기 용제와,(b) an organic solvent,

(c) 계면 활성제 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종(c) at least one member selected from the group consisting of surfactants and (d) alkoxysilane compounds

을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.Resin composition comprising a.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure 112018013190568-pct00014
Figure 112018013190568-pct00014

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체 및 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다.The polyimide film obtained from the polyimide precursor and resin composition according to the present invention has low residual stress, low warpage, low yellowness (YI value), and high elongation.

도 1 은, 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 EL 기판의 구조를 나타내는 도면.1 is a diagram showing the structure of an organic EL substrate produced in Examples and Comparative Examples.

이하, 본 발명의 예시의 실시형태 (이하, 「실시형태」 라고 약기한다.) 에 대해, 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 또, 본 개시에서 기재하는 특성값은, 특기가 없는 한, [실시예] 의 항에 있어서 기재하는 방법 또는 이것과 동등한 것이 당업자에게 이해되는 방법으로 측정되는 값인 것을 의도한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention (hereinafter abbreviated as "embodiments") will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can be implemented by various modification within the range of the summary. In addition, it is intended that the characteristic value described in this disclosure is a value measured by a method understood by a person skilled in the art or the method described in the section of [Example] or equivalent thereto unless otherwise specified.

<수지 조성물><resin composition>

본 발명의 일 양태가 제공하는 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 및 (b) 유기 용매를 함유한다.The resin composition provided by one aspect of the present invention contains (a) a polyimide precursor and (b) an organic solvent.

이하, 각 성분을 차례로 설명한다.Hereinafter, each component is demonstrated in order.

[폴리이미드 전구체] [Polyimide precursor]

본 실시의 제 1 양태로서의 폴리이미드 전구체는,The polyimide precursor as the first aspect of this embodiment,

(a1) 하기 일반식 (1):(a1) The following general formula (1):

[화학식 15] [Formula 15]

Figure 112018013190568-pct00015
Figure 112018013190568-pct00015

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과, {In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Structural units L represented by },

하기 일반식 (2):The following general formula (2):

[화학식 16] [Formula 16]

Figure 112018013190568-pct00016
Figure 112018013190568-pct00016

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인} 으로 나타내는 구조 단위 M 을{In the formula, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. Y is a structural unit M represented by at least one selected from the group consisting of the following general formulas (3), (4) and (5)}

1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 로 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 전구체이다.It is a polyimide precursor characterized by including 1/99<(molar number of structural units L/molar number of structural units M)<99/1.

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112018013190568-pct00017
Figure 112018013190568-pct00017

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112018013190568-pct00018
Figure 112018013190568-pct00018

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112018013190568-pct00019
Figure 112018013190568-pct00019

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4}

본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체는, 폴리이미드 필름으로 했을 때에 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다. 또, 본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체는, 폴리이미드 필름으로 했을 때에, 고온 영역에서의 황색도 (YI 치) 가 작다.When the polyimide precursor of the first aspect of the present embodiment is a polyimide film, residual stress is low, bending is small, yellowness (YI value) is small, and elongation is high. In addition, when the polyimide precursor of the first aspect of the present embodiment is a polyimide film, yellowness (YI value) in a high temperature region is small.

여기서, R1 ∼ R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 1 to R 3 are not limited as long as they are each independently a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such organic groups include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, halogen-containing groups such as trifluoromethyl group, alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, a, b, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다. Here, a, b, c, and d are not limited as long as they are integers of 0-4. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, n 은 0 또는 1 이다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 바람직하다.Here, n is 0 or 1. Of these, 0 is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

또, 구조 단위 L 과 구조 단위 M 의 몰비 (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) 의 하한은, 5/95 여도 되고, 10/90 이어도 되고, 20/80 이어도 되고, 30/70 이어도 되고, 40/60 이어도 된다. 구조 단위 L 과 구조 단위 M 의 몰비 (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) 의 상한은, 95/5 여도 되고, 90/10 이어도 되고, 80/20 이어도 되고, 70/30 이어도 되고, 60/40 이어도 된다.Moreover, the lower limit of the molar ratio of the structural unit L and the structural unit M (the number of moles of the structural unit L/the number of moles of the structural unit M) may be 5/95, 10/90, 20/80, or 30/70 It may be 40/60. The upper limit of the molar ratio of the structural unit L to the structural unit M (molar number of structural units L/molar number of structural units M) may be 95/5, 90/10, 80/20, or 70/30. 60/40 may be sufficient.

X1, X2 는 각각 독립적으로 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다. 하기의 테트라카르복실산 2무수물에서 유래하는 4 가의 유기기가 예시된다.X 1 and X 2 are independently a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms, and may be the same or different. The tetravalent organic group derived from the following tetracarboxylic dianhydride is illustrated.

상기 테트라카르복실산 2무수물로는, 구체적으로는, 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물, 탄소수가 6 ∼ 36 인 지방족 테트라카르복실산 2무수물, 및 탄소수가 6 ∼ 36 인 지환식 테트라카르복실산 2무수물에서 선택되는 화합물을 예시할 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 황색도의 관점에서 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다.Specifically, as the tetracarboxylic dianhydride, an aromatic tetracarboxylic dianhydride having 8 to 36 carbon atoms, an aliphatic tetracarboxylic dianhydride having 6 to 36 carbon atoms, and an alicyclic having 6 to 36 carbon atoms The compound selected from the formula tetracarboxylic dianhydride can be illustrated. Of these, aromatic tetracarboxylic dianhydrides having 8 to 36 carbon atoms are preferred from the viewpoint of yellowness in the high temperature region. The number of carbons referred to herein includes the number of carbons contained in the carboxyl group.

더욱 구체적으로는, 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물 (이하, 6FDA 라고도 기재한다), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-시클로헥센-1,2디카르복실산 무수물, 피로멜리트산 2무수물 (이하, PMDA 라고도 기재한다), 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물 (이하, BPDA 라고도 기재한다), 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-디프탈산 2무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (이하, ODPA 라고도 기재한다), p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물) (이하, TAHQ 라고도 한다) 티오-4,4'-디프탈산 2무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2무수물 등을 예시할 수 있다.More specifically, as an aromatic tetracarboxylic dianhydride having 8 to 36 carbon atoms, for example, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (hereinafter also referred to as 6FDA), 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2dicarboxylic anhydride, pyromellitic dianhydride (hereinafter also referred to as PMDA), 1,2, 3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter also referred to as BPDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 2,2-propyl Liden-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,4-tetra Methylene-4,4'-diphthalic anhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic anhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride (hereinafter also referred to as ODPA), p- Phenylenebis (trimellitate anhydride) (hereinafter also referred to as TAHQ) Thio-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic acid 2 anhydride, 1,3-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)benzene 2 anhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene 2 anhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene 2 anhydride, 1, 3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene 2 anhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene 2 anhydride, Bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane 2 anhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane 2 anhydride, 2,2-bis[3-(3 ,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane 2 anhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane 2 anhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethyl Silane 2 anhydride, 1,3-bis (3,4) -Dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 2 anhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid 2 anhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid 2 anhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid 2 anhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid 2 anhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid 2 And anhydrides, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, and the like.

탄소수가 6 ∼ 50 인 지방족 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 에틸렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 2무수물 등을;Examples of the aliphatic tetracarboxylic dianhydride having 6 to 50 carbon atoms include, for example, ethylenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride and the like;

탄소수가 6 ∼ 36 인 지환식 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 2무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 2무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 2무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 2무수물 (이하, CHDA 라고 기재한다), 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 2무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 2무수물, rel-[1S,5R,6R]-3-옥사비시클로[3,2,1]옥탄-2,4-디온-6-스피로-3'-(테트라하이드로푸란-2',5'-디온), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물, 에틸렌글리콜-비스-(3,4-디카르복실산 무수물 페닐)에테르 등을, 각각 들 수 있다.As alicyclic tetracarboxylic dianhydride having 6 to 36 carbon atoms, for example, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1, 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as CHDA), 3,3',4,4'-ratio Cyclohexyltetracarboxylic dianhydride, carbonyl-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, methylene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2- Dicarboxylic acid) 2 anhydride, 1,2-ethylene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-bis( Cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, 2,2-propylidene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, oxy-4,4' -Bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, thio-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) 2 anhydride, sulfonyl-4,4'- Bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dihydrate, bicyclo[2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, rel-[ 1S,5R,6R]-3-oxabicyclo[3,2,1]octane-2,4-dione-6-spiro-3'-(tetrahydrofuran-2',5'-dione), 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride, ethylene glycol-bis-(3,4-dicar And carboxylic acid anhydride phenyl) ether.

CTE, 내약품성, Tg 와 고온 영역에서의 황색도의 밸런스의 관점에서, PMDA, BPDA, TAHQ, ODPA 가 바람직하고, BPDA, TAHQ 가 보다 바람직하다.From the viewpoint of the balance of CTE, chemical resistance, Tg and yellowness in the high temperature region, PMDA, BPDA, TAHQ, and ODPA are preferred, and BPDA and TAHQ are more preferred.

실시양태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 그 성능을 저해하지 않는 범위에서, 상기 서술한 테트라카르복실산 2무수물에 더하여 디카르복실산을 사용함으로써, 폴리아미드이미드 전구체로 해도 된다. 이와 같은 전구체를 사용함으로써, 얻어지는 필름에 있어서, 기계 신장도의 향상, 유리 전이 온도의 향상, 황색도의 저감 등의 여러 성능을 조정할 수 있다. 그러한 디카르복실산으로서, 방향 고리를 갖는 디카르복실산 및 지환식 디카르복실산을 들 수 있다. 특히 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 디카르복실산, 및 탄소수가 6 ∼ 34 인 지환식 디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다.The polyimide precursor in the embodiment may be used as a polyamideimide precursor by using dicarboxylic acid in addition to the above-described tetracarboxylic dianhydride in a range that does not impair its performance. By using such a precursor, in the obtained film, various performances such as improvement in mechanical elongation, improvement in glass transition temperature, and reduction in yellowness can be adjusted. Examples of such dicarboxylic acids include dicarboxylic acids having an aromatic ring and alicyclic dicarboxylic acids. It is particularly preferable that it is at least one compound selected from the group consisting of an aromatic dicarboxylic acid having 8 to 36 carbon atoms and an alicyclic dicarboxylic acid having 6 to 34 carbon atoms. The number of carbons referred to herein includes the number of carbons contained in the carboxyl group.

이들 중, 방향 고리를 갖는 디카르복실산이 바람직하다.Of these, dicarboxylic acids having aromatic rings are preferred.

구체적으로는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 3,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-비페닐디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 2,3-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-술포닐비스벤조산, 3,4'-술포닐비스벤조산, 3,3'-술포닐비스벤조산, 4,4'-옥시비스벤조산, 3,4'-옥시비스벤조산, 3,3'-옥시비스벤조산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3-카르복시페닐)프로판, 2,2'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 2,2'-디메틸-3,3'-비페닐디카르복실산, 9,9-비스(4-(4-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(3-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4,4'-벤조페논디카르복실산, 1,3-페닐렌2아세트산, 1,4-페닐렌2아세트산 등;및 Specifically, for example, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 1, 4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3, 4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3,3'-sulfonylbisbenzoic acid, 4,4'-oxybisbenzoic acid, 3,4'-oxybisbenzoic acid, 3,3'-oxybisbenzoic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-carboxyphenyl)propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-dimethyl-4,4 '-Biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 9,9-bis(4-(4-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 9, 9-bis(4-(3-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3, 3'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-ter Phenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,4'-bis(4-carboxy Phenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4 '-Bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-p -Terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 1,1-cyclobutanedicar Carboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4'-benzophenonedicarboxylic acid, 1,3-phenylene diacetic acid, 1,4- Phenylene diacetic acid, etc.; and

국제 공개 제2005/068535호 팸플릿에 기재된 5-아미노이소프탈산 유도체 등을 들 수 있다. 이들 디카르복실산을 폴리머에 실제로 공중합시키는 경우에는, 염화티오닐 등으로부터 유도되는 산 클로라이드체, 활성 에스테르체 등의 형태로 사용해도 된다.And 5-aminoisophthalic acid derivatives described in the pamphlet of International Publication No. 2005/068535. In the case where these dicarboxylic acids are actually copolymerized with the polymer, they may be used in the form of acid chlorides derived from thionyl chloride or the like, and active esters.

본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 10,000 ∼ 300,000 이 바람직하고, 30,000 ∼ 200,000 이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량이 10,000 보다 크면, 신장도, 파단 강도 등의 기계적 특성이 우수하고, 잔류 응력이 낮고, YI 가 낮아진다. 중량 평균 분자량이 300,000 보다 작으면, 폴리아미드산의 합성시에 중량 평균 분자량을 컨트롤하기 쉬워져, 적당한 점도의 수지 조성물을 얻을 수 있고, 수지 조성물의 도포성이 좋아진다. 본 개시에 있어서, 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (이하, GPC 라고도 한다) 를 이용하여, 표준 폴리스티렌 환산치로서 구해지는 값이다.As for the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor in this embodiment, 10,000-300,000 are preferable, and 30,000-200,000 are especially preferable. When the weight average molecular weight is greater than 10,000, mechanical properties such as elongation and breaking strength are excellent, residual stress is low, and YI is low. When the weight average molecular weight is less than 300,000, it is easy to control the weight average molecular weight at the time of synthesis of the polyamic acid, and a resin composition having a suitable viscosity can be obtained, and the coatability of the resin composition is improved. In this disclosure, a weight average molecular weight is a value calculated|required as a standard polystyrene conversion value using gel permeation chromatography (hereinafter also referred to as GPC).

본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 전체량에 대하여, 5 질량% 미만인 것이 바람직하고, 1 질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 폴리이미드 전구체를 사용하여 얻어지는 수지 조성물로부터 형성되는 폴리이미드 필름은 잔류 응력이 낮은 것이 되고, 그 폴리이미드 필름 상에 형성한 무기막의 Haze 가 낮아진다는 관점에서, 바람직하다.In the polyimide precursor in the present embodiment, the content of the molecule having a molecular weight of less than 1,000 is preferably less than 5% by mass and more preferably less than 1% by mass relative to the total amount of the polyimide precursor. The polyimide film formed from the resin composition obtained using such a polyimide precursor has a low residual stress and is preferable from the viewpoint of lowering the haze of the inorganic film formed on the polyimide film.

폴리이미드 전구체의 전체량에 대한 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 그 폴리이미드 전구체를 용해한 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시하여 얻어지는 피크 면적으로부터 산출할 수 있다.The content of the molecule having a molecular weight of less than 1,000 relative to the total amount of the polyimide precursor can be calculated from the peak area obtained by performing GPC measurement using a solution in which the polyimide precursor is dissolved.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As a diamine used for the structural unit represented by general formula (1) in this embodiment, the diamine represented by the following general formula (6) can be illustrated.

[화학식 20] [Formula 20]

Figure 112018013190568-pct00020
Figure 112018013190568-pct00020

(식 중, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) (In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1, and a, b, and c are integers from 0 to 4.)

R1, R2 로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Examples of R 1 and R 2 include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, halogen-containing groups such as trifluoromethyl group, alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, a, b 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, a and b are not limited as long as it is an integer of 0-4. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

보다 구체적으로는, n 이 0 인 경우에는, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB), 2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (ATAB), 4-아미노페닐-3-아미노벤조에이트 (4,3-APAB) 등을 예시할 수 있다.More specifically, when n is 0, 4-aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB), 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate (ATAB), 4-aminophenyl-3 -Aminobenzoate (4,3-APAB) and the like can be exemplified.

n 이 1 인 경우에는, [4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 등을 예시할 수 있다.When n is 1, [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate etc. can be illustrated.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (3) 으로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (7) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.The diamine represented by the following general formula (7) can be illustrated as a diamine used for the structural unit represented by general formula (3) in this embodiment.

[화학식 21] [Formula 21]

Figure 112018013190568-pct00021
Figure 112018013190568-pct00021

(식 중, R4, R5 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d, e 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) (In the formula, R 4 and R 5 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d and e are integers from 0 to 4.)

여기서, R4, R5 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 4 and R 5 are not limited as long as they are independently monovalent organic groups having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such organic groups include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, halogen-containing groups such as trifluoromethyl group, alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, c and d are not limited as long as they are integers of 0-4. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

보다 구체적으로는, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰을 예시할 수 있다.More specifically, 4,4'-diaminodiphenylsulfone and 3,3'-diaminodiphenylsulfone can be exemplified.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (4) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (8) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As a diamine used for the structural unit represented by general formula (4) in this embodiment, the diamine represented by the following general formula (8) can be illustrated.

[화학식 22] [Formula 22]

Figure 112018013190568-pct00022
Figure 112018013190568-pct00022

여기서, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 6 and R 7 are not limited as long as they are independently monovalent organic groups having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such organic groups include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group; halogen-containing groups such as trifluoromethyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; and the like. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

R8 과 R9 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 수산기, 또는 할로겐 원자이면 한정되지 않는다. 상기의 유기기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 할로겐 원자로는, 예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.R 8 and R 9 are each independently a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, or a halogen atom, and are not limited. Examples of the organic group include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group; halogen-containing groups such as trifluoromethyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; and the like. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, for example.

f, g, h, 및 i 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.f, g, h, and i are each independently an integer of 0-4, and are not limited. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

Z 는 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르, 케톤 등을 예시할 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 단결합이 보다 바람직하다.Z can be exemplified by a single bond, methylene group, ethylene group, ether, or ketone. Among these, a single bond is more preferable from the viewpoint of YI in the high temperature region.

보다 구체적으로는, 9,9-비스(아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-하이드록시-3-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]플루오렌 등을 예시할 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.More specifically, 9,9-bis(aminophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-fluorophenyl) Fluorene, 9,9-bis(4-hydroxy-3-aminophenyl)fluorene, 9,9-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]fluorene, etc. can be exemplified, among which It is preferable to use one or more selected.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (5) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (9) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As a diamine used for the structural unit represented by general formula (5) in this embodiment, the diamine represented by the following general formula (9) can be illustrated.

[화학식 23] [Formula 23]

Figure 112018013190568-pct00023
Figure 112018013190568-pct00023

여기서, R10 및 R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 10 and R 11 are not limited as long as they are independently monovalent organic groups having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such organic groups include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group; halogen-containing groups such as trifluoromethyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; and the like. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

또, j, k 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다. Moreover, if j and k are each independently integers of 0-4, they will not be limited. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

보다 구체적으로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 등을 예시할 수 있다.More specifically, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine etc. can be illustrated.

본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 고온 영역에서의 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다.The polyimide film formed from the polyimide precursor of the first aspect of this embodiment has low residual stress, low warpage, small yellowness (YI value) in a high temperature region, and high elongation.

본 실시의 제 2 양태로서,As a second aspect of this embodiment,

(a2) 하기 일반식 (10):(a2) The following general formula (10):

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112018013190568-pct00024
Figure 112018013190568-pct00024

로 나타내는 구조 단위를 갖고, 그리고, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 폴리이미드 전구체를 제공할 수 있다.A polyimide precursor having a structural unit represented by and having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less can be provided.

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride ) (TAHQ), a tetravalent group derived from at least one selected from. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

여기서 X3 은 ODPA, BPDA, TAHQ 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 유기기이면 한정되지 않지만, CTE 및 Tg 의 관점에서, BPDA, TAHQ 가 바람직하다. Here, X 3 is not limited as long as it is a tetravalent organic group derived from at least one selected from ODPA, BPDA and TAHQ, but from the viewpoint of CTE and Tg, BPDA and TAHQ are preferred.

여기서, R1 ∼ R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 1 to R 3 are not limited as long as they are each independently a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such organic groups include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, halogen-containing groups such as trifluoromethyl group, alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group. Among these, a methyl group is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, a, b, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, a, b, c, and d are not limited as long as they are integers of 0-4. Among them, an integer of 0 to 2 is preferred from the viewpoint of YI and residual stress, and 0 is particularly preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

여기서, n 은 0 또는 1 이다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 바람직하다.Here, n is 0 or 1. Of these, 0 is preferred from the viewpoint of YI in the high temperature region.

전술한 일반식 (10) 으로 나타내는 구조를 위한 디아민으로는, 전술한 일반식 (6) 에서 사용되는 디아민을 사용할 수 있다.As the diamine for the structure represented by the above general formula (10), the diamine used in the above general formula (6) can be used.

제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 30,000 ∼ 300,000 이다. 중량 평균 분자량이 30,000 보다 크면, 신장도, 파단 강도 등의 기계적 특성이 우수하고, 잔류 응력이 낮고, YI 가 낮아진다. 중량 평균 분자량이 300,000 보다 작으면, 폴리아미드산의 합성시에 중량 평균 분자량을 컨트롤하기 쉬워져, 적당한 점도의 수지 조성물을 얻을 수 있고, 수지 조성물의 도포성이 좋아진다. 이 중에서, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 35000 이상 250000 이하가 보다 바람직하고, 40000 이상 230000 이하가 특히 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor in the second aspect is 30,000 to 300,000. When the weight average molecular weight is greater than 30,000, mechanical properties such as elongation and breaking strength are excellent, residual stress is low, and YI is low. When the weight average molecular weight is less than 300,000, it is easy to control the weight average molecular weight at the time of synthesis of the polyamic acid, and a resin composition having a suitable viscosity can be obtained, and the coatability of the resin composition is improved. Of these, the weight average molecular weight (Mw) is more preferably 35000 or more and 250,000 or less, and particularly preferably 40000 or more and 230,000 or less.

본 실시의 제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 전체량에 대하여, 5 질량% 미만인 것이 바람직하고, 1 질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 폴리이미드 전구체를 사용하여 얻어지는 수지 조성물로부터 형성되는 폴리이미드 필름은 잔류 응력이 낮은 것이 되고, 그 폴리이미드 필름 상에 형성한 무기막의 Haze 가 낮아진다는 관점에서, 바람직하다.In the polyimide precursor in the second aspect of the present embodiment, the content of the molecule having a molecular weight of less than 1,000 is preferably less than 5% by mass and more preferably less than 1% by mass relative to the total amount of the polyimide precursor. The polyimide film formed from the resin composition obtained using such a polyimide precursor has a low residual stress and is preferable from the viewpoint of lowering the haze of the inorganic film formed on the polyimide film.

폴리이미드 전구체의 전체량에 대한 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 그 폴리이미드 전구체를 용해한 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시하여 얻어지는 피크 면적으로부터 산출할 수 있다.The content of the molecule having a molecular weight of less than 1,000 relative to the total amount of the polyimide precursor can be calculated from the peak area obtained by performing GPC measurement using a solution in which the polyimide precursor is dissolved.

본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체는, 보존 안정성이 우수하고, 도공성이 우수하다. 또, 본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높고, 파단 강도가 높다.The polyimide precursor of the second aspect of the present embodiment has excellent storage stability and excellent coating properties. Moreover, the polyimide film formed from the polyimide precursor of the second aspect of the present embodiment has low residual stress, low warpage, small yellowness (YI value), high elongation, and high breaking strength.

제 1 양태 및 제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체에는, 신장도, 강도, 응력, 및 황색도 등을 저해하지 않는 범위에서, 전술한 일반식 (6) ∼ (9) 로 나타내는 디아민 외에, 다른 디아민을 사용할 수 있다.In addition to the diamines represented by the general formulas (6) to (9) described above, the polyimide precursors in the first aspect and the second aspect do not inhibit elongation, strength, stress, and yellowness. Diamines can be used.

그 밖의 디아민으로는, 예를 들어, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Other diamines include, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,3' -Diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3, 4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane , 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4- Aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl ]Ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis( 4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy )Phenyl)propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, and the like. It is preferable to use one or more of them.

전체 디아민 중의, 상기 기타 디아민의 함유량은, 20 몰% 이하가 바람직하고, 10 몰% 이하가 특히 바람직하다.The content of the other diamine in all diamines is preferably 20 mol% or less, and particularly preferably 10 mol% or less.

[폴리이미드 전구체의 제조] [Preparation of polyimide precursor]

본 발명의 폴리이미드 전구체 (폴리아미드산) 는, 테트라카르복실산 2무수물과, 전술한 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 APAB) 과, 전술한 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 4,4'-DAS) 을, 중축합 반응시킴으로써, 합성할 수 있다. 이 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 APAB 및 4,4'-DAS 를 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, 테트라카르복실산 2무수물을 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.The polyimide precursor (polyamic acid) of the present invention includes tetracarboxylic dianhydride, a diamine (for example, APAB) used in the structural unit represented by the general formula (1), and the general formula (2). ) Can be synthesized by polycondensation reaction of a diamine (for example, 4,4'-DAS) used for the structural unit represented by ). It is preferable to perform this reaction in a suitable solvent. Specifically, for example, after dissolving a predetermined amount of APAB and 4,4'-DAS in a solvent, a predetermined amount of tetracarboxylic dianhydride is added to the obtained diamine solution, followed by stirring. .

디아민 성분 중, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는 99/1 ∼ 1/99 이면 한정되지 않는다. 디아민 성분 중, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민이 1 몰% 이상이면, 황색도가 양호한 경향이 있고, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민이 1 몰% 이상이면, 얻어지는 폴리이미드 필름 상에 무기막을 형성한 후의 휨이 양호한 경향이 있다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는 95/5 ∼ 50/50 이 바람직하고, 90/10 ∼ 50/50 이 보다 바람직하다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는, 80/20 ∼ 50/50 이어도 되고, 70/30 ∼ 50/50 이어도 된다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비를 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비 이상으로 하는 것이 바람직하다. Of the diamine components, the molar ratio of diamine used in the structural unit represented by the general formula (1) and the diamine used in the structural unit represented by the general formula (2) is not limited as long as it is 99/1 to 1/99. Among diamine components, when the diamine used for the structural unit represented by the general formula (2) is 1 mol% or more, yellowness tends to be good, and the diamine used for the structural unit represented by the general formula (1) is 1 mol% or more. There is a tendency that the warpage after forming the inorganic film on the resulting polyimide film is good. The molar ratio of diamine used in the structural unit represented by the general formula (1) and the diamine used in the structural unit represented by the general formula (2) is preferably 95/5 to 50/50, and 90/10 to 50/50 is It is more preferable. The molar ratio of diamine used in the structural unit represented by the general formula (1) and the diamine used in the structural unit represented by the general formula (2) may be 80/20 to 50/50, or 70/30 to 50/50 do. It is preferable to make the molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by general formula (1) more than the molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by general formula (2).

또, 본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2무수물 (예를 들어 TAHQ) 과, 전술한 일반식 (6) 으로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 APAB) 을, 중축합 반응시킴으로써, 합성할 수 있다. 이 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 APAB 를 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, TAHQ 를 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.In addition, the polyimide precursor of the second aspect of the present embodiment includes tetracarboxylic dianhydride (for example, TAHQ) and diamine (for example, APAB) used for the structural unit represented by the general formula (6) described above. It can be synthesized by a polycondensation reaction. It is preferable to perform this reaction in a suitable solvent. Specifically, for example, after dissolving a predetermined amount of APAB in a solvent, a predetermined amount of TAHQ is added to the obtained diamine solution, followed by stirring.

상기 폴리이미드 전구체를 합성할 때의, 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비 (몰비) 는, 얻어지는 수지 필름의 열 선팽창률, 잔류 응력, 신장도, 및 황색도 (이하, YI 라고도 한다) 를 원하는 범위로 컨트롤한다는 관점에서, 테트라카르복실산 2무수물:디아민 = 100:90 ∼ 100:110 (테트라카르복실산 2무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.90 ∼ 1.10 몰부) 의 범위로 하는 것이 바람직하고, 100:95 ∼ 100:105 (산 2무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.95 ∼ 1.05 몰부) 의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하다.The ratio (molar ratio) of the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component when synthesizing the polyimide precursor is the thermal expansion coefficient, residual stress, elongation, and yellowness (hereinafter, also referred to as YI) of the resulting resin film. From the viewpoint of controlling) to a desired range, it is preferable to be in the range of tetracarboxylic dianhydride:diamine = 100:90 to 100:110 (diamine 0.90 to 1.10 molar part relative to 1 mole of tetracarboxylic dianhydride). , 100:95 to 100:105 (diamine 0.95 to 1.05 mol parts with respect to 1 mol part of acid anhydride) is more preferable.

본 실시양태에 있어서, 바람직한 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산을 합성할 때에는, 분자량을, 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비의 조정, 및 말단 봉지제 (封止劑) 의 첨가에 의해 컨트롤하는 것이 가능하다. 산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비가 1:1 에 가까울수록, 및 말단 봉지제의 사용량이 적을수록, 폴리아미드산의 분자량을 크게 할 수 있다.In the present embodiment, when synthesizing a polyamic acid which is a preferred polyimide precursor, the molecular weight is adjusted by adjusting the ratio of the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component, and adding a terminal blocker (i). It is possible to control. The molecular weight of the polyamic acid can be increased as the ratio of the acid anhydride component to the diamine component approaches 1:1, and the amount of the terminal blocker used is small.

테트라카르복실산 2무수물 성분 및 디아민 성분으로서, 고순도품을 사용하는 것이 추장 (推奬) 된다. 그 순도로는, 각각, 98 질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 99 질량% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 99.5 질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 복수 종류의 산 2무수물 성분 또는 디아민 성분을 병용하는 경우에는, 산 2무수물 성분 또는 디아민 성분의 전체적으로 상기의 순도를 갖고 있으면 충분하지만, 사용하는 전체 종류의 산 2무수물 성분 및 디아민 성분이, 각각 상기의 순도를 갖고 있는 것이 바람직하다.It is recommended to use a high-purity product as the tetracarboxylic dianhydride component and diamine component. The purity is preferably 98% by mass or more, more preferably 99% by mass or more, and even more preferably 99.5% by mass or more. In the case where a plurality of types of acid anhydride components or diamine components are used in combination, it is sufficient to have the above-mentioned purity as a whole of the acid 2 anhydride components or diamine components. It is desirable to have a purity of.

반응의 용매로는, 테트라카르복실산 2무수물 성분 및 디아민 성분, 그리고 발생한 폴리아미드산을 용해할 수 있고, 고분자량의 중합체가 얻어지는 용매이면 특별히 제한은 되지 않는다. 이와 같은 용매의 구체예로는, 예를 들어, 비프로톤성 용매, 페놀계 용매, 에테르 및 글리콜계 용매 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로는, The solvent for the reaction is not particularly limited as long as it is a solvent in which a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine component and the generated polyamic acid can be dissolved, and a high molecular weight polymer is obtained. Specific examples of such a solvent include aprotic solvents, phenolic solvents, ether and glycol solvents, and the like. As specific examples of these,

상기 비프로톤성 용매로서, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아, 하기 일반식 (13):As the aprotic solvent, for example, N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N-methylcapro Lactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, the following general formula (13):

[화학식 25] [Formula 25]

Figure 112018013190568-pct00025
Figure 112018013190568-pct00025

식 중, R12=메틸기로 나타내는 에크아미드 M100 (상품명:이데미츠 흥산사 제조), 및, R12=n-부틸기로 나타내는 에크아미드 B100 (상품명:이데미츠 흥산사 제조) 등의 아미드계 용매;Amide-based solvents such as Ecamide M100 represented by R 12 =methyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Heungsan), and Ecamide B100 represented by R 12 =n-butyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Heungsan);

γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 락톤계 용매;lactone-based solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone;

헥사메틸포스포릭아미드, 헥사메틸포스핀트리아미드 등의 함인계 아미드계 용매;A phosphorus-based amide-based solvent such as hexamethylphosphoricamide and hexamethylphosphine triamide;

디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 술포란 등의 함황계 용매;Sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide and sulfolane;

시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매;Ketone solvents such as cyclohexanone and methylcyclohexanone;

피콜린, 피리딘 등의 3 급 아민계 용매;Tertiary amine solvents such as picoline and pyridine;

아세트산(2-메톡시-1-메틸에틸) 등의 에스테르계 용매 Ester solvents such as acetic acid (2-methoxy-1-methylethyl)

등을:My back:

상기 페놀계 용매로서, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀 등을:As the phenolic solvent, for example, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2, 6-Xylenol, 3,4-Xylenol, 3,5-Xylenol, etc.:

상기 에테르 및 글리콜계 용매로서, 예를 들어, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄, 비스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]에테르, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등을, As the ether and glycol solvent, for example, 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, bis[2-( 2-methoxyethoxy)ethyl]ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, etc.,

각각 들 수 있다.Each can be lifted.

폴리아미드산의 합성에 사용되는 용매의 상압에 있어서의 비점은, 60 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 140 ∼ 280 ℃ 가 보다 바람직하고, 170 ∼ 270 ℃ 가 특히 바람직하다. 용매의 비점이 300 ℃ 보다 높으면, 건조 공정이 장시간 필요해진다. 한편 용매의 비점이 60 ℃ 보다 낮으면, 건조 공정 중에, 수지막의 표면에 있어서의 거칠어짐의 발생, 수지막 중으로의 기포의 혼입 등이 일어나, 균일한 필름이 얻어지지 않는 경우가 있다.The boiling point at normal pressure of the solvent used for the synthesis of the polyamic acid is preferably 60 to 300°C, more preferably 140 to 280°C, and particularly preferably 170 to 270°C. If the boiling point of the solvent is higher than 300°C, a drying process is required for a long time. On the other hand, when the boiling point of the solvent is lower than 60°C, roughness on the surface of the resin film and mixing of bubbles into the resin film may occur during the drying step, and a uniform film may not be obtained.

이와 같이, 바람직하게는 비점이 170 ∼ 270 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 20 ℃ 에 있어서의 증기압이 250 ㎩ 이하인 용매를 사용하는 것이, 용해성 및 도공시 에지 크레이터링의 관점에서 바람직하다. 보다 구체적으로는, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.As described above, preferably, a solvent having a boiling point of 170 to 270°C, and more preferably a vapor pressure at 20°C of 250 MPa or less is preferred from the viewpoint of solubility and edge cratering during coating. More specifically, it is preferable to use at least one member selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, and the compound represented by the general formula (11).

용매 중의 수분 함량은, 3000 질량ppm 이하가 바람직하다.The water content in the solvent is preferably 3000 ppm by mass or less.

이들 용매는, 단독으로 또는 2 종류 이상 혼합하여 사용해도 된다.You may use these solvents individually or in mixture of 2 or more types.

본 실시양태에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that the content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000 in (a) polyimide precursor in this embodiment is less than 5 mass %.

(a) 폴리이미드 전구체 중에, 이 분자량 1,000 미만의 분자가 존재하는 것은, 합성시에 사용하는 용매의 수분량이 관여하고 있기 때문인 것으로 생각된다. 즉, 일부의 산 2무수물 모노머의 산 무수물기가 수분에 의해 가수 분해하여 카르복실기가 되고, 고분자량화하는 일 없이 저분자의 상태로 잔존하는 것에 의한 것으로 생각된다. 따라서, 상기의 중합 반응에 사용하는 용매의 수분량은, 가급적으로 적은 편이 좋다. 이 용매의 수분량은, 3,000 질량ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.(a) It is considered that the presence of a molecule having a molecular weight of less than 1,000 in the polyimide precursor is due to the fact that the amount of the solvent used in the synthesis is involved. That is, it is considered that the acid anhydride group of a part of the acid anhydride monomer is hydrolyzed by moisture to become a carboxyl group and remains in a low molecular state without high molecular weight. Therefore, it is preferable that the water content of the solvent used in the polymerization reaction is as small as possible. The water content of this solvent is preferably 3,000 ppm by mass or less, and more preferably 1,000 ppm by mass or less.

용매의 수분량은, 사용하는 용매의 그레이드 (탈수 그레이드, 범용 그레이드 등), 용매 용기 (병, 18 ℓ 캔, 캐니스터 캔 등), 용매의 보관 상태 (희가스 봉입의 유무 등), 개봉부터 사용까지의 시간 (개봉 후 바로 사용하거나, 개봉 후 시간 경과한 후에 사용하거나 등) 등이 관여하는 것으로 생각된다. 또, 합성 전의 반응기의 희가스 치환, 합성 중의 희가스 유통의 유무 등도 관여하는 것으로 생각된다. 따라서, (a) 폴리이미드 전구체의 합성시에는, 원료로서 고순도품을 사용하고, 수분량이 적은 용매를 사용함과 함께, 반응 전 및 반응 중에 계내에 환경으로부터의 수분이 혼입하지 않는 조치를 강구하는 것이 추장된다.The water content of the solvent is the grade of the solvent used (dehydration grade, general purpose grade, etc.), solvent container (bottle, 18 liter can, canister can, etc.), storage condition of the solvent (with or without rare gas encapsulation), from opening to use. It is considered that time (used immediately after opening, used after a time has elapsed since opening, etc.), etc. are involved. In addition, it is considered that the replacement of the rare gas in the reactor before synthesis and the presence or absence of the distribution of the rare gas during synthesis are also involved. Therefore, (a) When synthesizing the polyimide precursor, it is necessary to use a high-purity product as a raw material, use a solvent with a low moisture content, and take measures to prevent moisture from entering the system from entering the system before and during the reaction. Is recommended

용매 중에 각 모노머 성분을 용해시킬 때에는, 필요에 따라 가열해도 된다.When dissolving each monomer component in a solvent, you may heat as needed.

(a) 폴리이미드 전구체 합성시의 반응 온도는, 0 ℃ ∼ 120 ℃ 로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 ℃ ∼ 100 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 100 ℃ 이다. 이 온도에서 중합 반응을 실시함으로써, 중합도가 높은 폴리이미드 전구체가 얻어진다. 중합 시간은, 1 ∼ 100 시간으로 하는 것이 바람직하고, 2 ∼ 10 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다. 중합 시간을 1 시간 이상으로 함으로써 균일한 중합도의 폴리이미드 전구체가 되고, 100 시간 이하로 함으로써 중합도가 높은 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.(a) The reaction temperature at the time of synthesizing the polyimide precursor is preferably 0°C to 120°C, more preferably 40°C to 100°C, and further preferably 60 to 100°C. By carrying out the polymerization reaction at this temperature, a polyimide precursor having a high degree of polymerization is obtained. The polymerization time is preferably 1 to 100 hours, and more preferably 2 to 10 hours. By setting the polymerization time to 1 hour or more, a polyimide precursor having a uniform polymerization degree is obtained, and by setting it to 100 hours or less, a polyimide precursor having a high polymerization degree can be obtained.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, (a1) 폴리이미드 전구체 및 (a2) 폴리이미드 전구체는 이하의 특성을 갖는다.In a preferred aspect of this embodiment, the polyimide precursor (a1) and the polyimide precursor (a2) have the following properties.

(a) 폴리이미드 전구체를 용매 (예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈) 에 용해하여 얻어지는 용액을 지지체의 표면에 도포한 후, 그 용액을 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ∼ 550 ℃ (예를 들어 430 ℃) 에서 가열 (예를 들어 1 시간) 함으로써 그 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지에 있어서, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도가 30 이하이다.(a) After the solution obtained by dissolving the polyimide precursor in a solvent (for example, N-methyl-2-pyrrolidone) is applied to the surface of the support, the solution is added under a nitrogen atmosphere (for example, an oxygen concentration of 2,000 ppm). In the resin obtained by imidizing the polyimide precursor by heating (for example, 1 hour) at 300 to 550°C (for example, 430°C) in the following nitrogen, the yellowness in the 10 µm film thickness 30 or less.

(a) 폴리이미드 전구체를 용매 (예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈) 에 용해하여 얻어지는 용액을 지지체의 표면에 도포한 후, 그 용액을 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ∼ 550 ℃ (예를 들어 430 ℃) 에서 가열 (예를 들어 1 시간) 함으로써 그 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지에 있어서, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이다.(a) After the solution obtained by dissolving the polyimide precursor in a solvent (for example, N-methyl-2-pyrrolidone) is applied to the surface of the support, the solution is added under a nitrogen atmosphere (for example, an oxygen concentration of 2,000 ppm). In the resin obtained by imidizing the polyimide precursor by heating at 300 to 550°C (for example, 430°C) (for example, 1 hour), the residual stress is 25 MPa or less.

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체는, 필요에 따라, 본 발명의 원하는 성능을 저해하지 않는 범위에서, 하기 일반식 (14):The polyimide precursor according to the present embodiment is, if necessary, within the range that does not impair the desired performance of the present invention, the following general formula (14):

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112018013190568-pct00026
Figure 112018013190568-pct00026

{일반식 (14) 중, 복수 존재하는 R13 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 지방족 탄화수소, 또는 1 가의 방향족기이고, {In General Formula (14), a plurality of R 13s are each independently a hydrogen atom, a C 1 to C 20 monovalent aliphatic hydrocarbon, or a monovalent aromatic group,

X4 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 유기기이고, X 4 is a tetravalent organic group having 4 to 32 carbon atoms,

Y 는 탄소수 4 ∼ 32 의 2 가의 유기기이다. 단, Y is a divalent organic group having 4 to 32 carbon atoms. only,

상기 일반식 (1) 및 상기 일반식 (6) 에 상당하는 구조 단위를 제외한다.} 으로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 추가로 함유해도 된다.The structural unit corresponding to the said General formula (1) and said General formula (6) is excluded. You may further contain the polyimide precursor which has a structure represented by }.

일반식 (14) 에 있어서, R13 은, 바람직하게는 수소 원자이다. 또 X3 은, 내열성, YI 치의 저감, 및 전광선 투과율의 관점에서, 바람직하게는 4 가의 방향족기이다. 또 Y 는, 내열성, YI 치의 저감, 및 전광선 투과율의 관점에서, 바람직하게는 2 가의 방향족기 또는 지환식기이다.In general formula (14), R 13 is preferably a hydrogen atom. Moreover, X 3 is preferably a tetravalent aromatic group from the viewpoint of heat resistance, reduction in YI value, and total light transmittance. Moreover, Y is preferably a divalent aromatic group or an alicyclic group from a viewpoint of heat resistance, reduction of a YI value, and total light transmittance.

본 실시형태에 관련된 (a) 폴리이미드 전구체에 있어서의 일반식 (14) 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 전구체의 질량 비율은, (a) 폴리이미드 전구체의 전부에 대하여, 80 질량% 이하인 것이 바람직하고, 70 질량% 이하인 것이, YI 치 및 전광선 투과율의 산소 의존성의 저하의 관점에서, 보다 바람직하다.It is preferable that the mass ratio of the polyimide precursor which has the structural unit represented by general formula (14) in (a) polyimide precursor which concerns on this embodiment is 80 mass% or less with respect to all of (a) polyimide precursor. It is more preferable that it is 70 mass% or less from a viewpoint of a fall of oxygen dependence of YI value and total light transmittance.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, (a1) 폴리이미드 전구체 및 (a2) 폴리이미드 전구체는, 그 일부가 이미드화되어 있어도 된다. 이 경우의 이미드화율은, 80 % 이하로 하는 것이 바람직하고, 50 % 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 부분 이미드화는, 상기의 (a) 폴리이미드 전구체를 가열하여 탈수 폐고리함으로써 얻어진다. 이 가열은, 바람직하게는 120 ∼ 200 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 150 ∼ 180 ℃ 의 온도에 있어서, 바람직하게는 15 분 ∼ 20 시간이고, 보다 바람직하게는 30 분 ∼ 10 시간 실시할 수 있다.In a preferable aspect of this embodiment, a part of (a1) polyimide precursor and (a2) polyimide precursor may be imidized. The imidation rate in this case is preferably 80% or less, and more preferably 50% or less. This partial imidization is obtained by heating (a) the polyimide precursor and dehydrating the waste ring. The heating is preferably 120 to 200°C, more preferably 150 to 180°C, preferably 15 minutes to 20 hours, more preferably 30 minutes to 10 hours.

또, 상기 서술한 반응에 의해 얻어진 폴리아미드산에, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 또는 N,N-디메틸포름아미드디에틸아세탈을 첨가하여 가열하고, 카르복실산의 일부 또는 전부를 에스테르화 한 다음에, 본 실시형태에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체로서 사용함으로써, 실온 보관시의 점도 안정성이 향상된 수지 조성물을 얻을 수도 있다. 이들 에스테르 변성 폴리아미드산은, 그 밖에, 상기 서술한 산 2무수물 성분을, 산 무수물기에 대하여 1 당량의 1 가의 알코올, 및 염화티오닐, 디시클로헥실카르보디이미드 등의 탈수 축합제와 순차로 반응시킨 후, 디아민 성분과 축합 반응시키는 방법에 의해서도 얻을 수 있다. Further, N,N-dimethylformamidedimethylacetal or N,N-dimethylformamidediethylacetal is added to the polyamic acid obtained by the above-described reaction, heated, and part or all of the carboxylic acid is esterified. Then, by using as the polyimide precursor (a) in the present embodiment, a resin composition with improved viscosity stability at room temperature can also be obtained. In addition, these ester-modified polyamic acids are sequentially reacted with the above-described acid dihydride component with an equivalent of a monohydric alcohol equivalent to an acid anhydride group and a dehydrating condensing agent such as thionyl chloride and dicyclohexylcarbodiimide. It can also be obtained by a condensation reaction with a diamine component after being prepared.

본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체 (바람직하게는 폴리아미드산) 의 비율은, 도막 형성성의 관점에서 3 ∼ 50 질량% 가 바람직하고, 5 ∼ 40 질량% 가 더욱 바람직하고, 10 ∼ 30 질량% 가 특히 바람직하다.The proportion of the polyaimide precursor (preferably polyamic acid) in the resin composition of the present embodiment is preferably 3 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass from the viewpoint of coatability. , 10 to 30 mass% is particularly preferred.

<수지 조성물><resin composition>

본 발명의 다른 양태는, 전술한 (a) 폴리이미드 전구체 및 (b) 유기 용제를 함유하는 수지 조성물을 제공한다. 이 수지 조성물은, 전형적으로는 바니시이다.Another aspect of the present invention provides a resin composition containing the aforementioned (a) polyimide precursor and (b) an organic solvent. This resin composition is typically a varnish.

[(b) 유기 용제] [(b) Organic solvent]

본 실시형태에 있어서의 (b) 유기 용제는, 전술한 (a) 폴리이미드 전구체 및 임의적으로 사용되는 기타 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 이와 같은 (b) 유기 용제로는, (a) 폴리이미드 전구체의 합성시에 사용할 수 있는 용매로서 상기 서술한 것을 사용할 수 있다. 바람직한 유기 용매도, 상기와 동일하다. 본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 (b) 유기 용제는, (a) 폴리이미드 전구체의 합성에 사용되는 용매와 동일해도 되고 상이해도 된다.The organic solvent (b) in the present embodiment is not particularly limited as long as it can dissolve the above-mentioned (a) polyimide precursor and other components optionally used. As such (b) organic solvent, the above-mentioned thing can be used as a solvent which can be used for the synthesis of (a) polyimide precursor. Preferred organic solvents are also the same as above. The organic solvent (b) in the resin composition of the present embodiment may be the same as or different from the solvent used in the synthesis of (a) the polyimide precursor.

(b) 유기 용매는, 수지 조성물의 고형분 농도가 3 ∼ 50 질량% 가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다. 또, 수지 조성물의 점도 (25 ℃) 가, 500 mPa·s ∼ 100,000 mPa·s 가 되도록, (b) 유기 용매의 구성 및 양을 조정한 다음에, 첨가하는 것이 바람직하다.(b) It is preferable to make the organic solvent into the quantity which becomes 3-50 mass% of solid content concentration of a resin composition. Moreover, it is preferable to add after adjusting (b) the structure and quantity of an organic solvent so that the viscosity (25 degreeC) of a resin composition becomes 500 mPa*s-100,000 mPa*s.

[기타 성분] [Other ingredients]

본 실시형태의 수지 조성물은, 상기 (a) 및 (b) 성분 외에, (c) 계면 활성제, (d) 알콕시실란 화합물 등을, 추가로 함유하고 있어도 된다.The resin composition of this embodiment may further contain (c) surfactant, (d) alkoxysilane compound, etc., in addition to the components (a) and (b) above.

본 실시양태에 관련된 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체와, (b) 유기 용제와, (c) 계면 활성제 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다.The resin composition according to the present embodiment includes at least one member selected from the group consisting of (a) a polyimide precursor, (b) an organic solvent, (c) a surfactant, and (d) an alkoxysilane compound.

폴리이미드 전구체의 골격은, 제 1 양태 및 제 2 양태에서 상기 서술한 골격에 한정되지 않는다. 즉, 폴리이미드 전구체의 골격은 이하의 일반식 (1) 로 나타내는 골격이면 특별히 한정은 없다.The skeleton of the polyimide precursor is not limited to the skeleton described above in the first and second aspects. That is, the skeleton of the polyimide precursor is not particularly limited as long as it is a skeleton represented by the following general formula (1).

[화학식 27] [Formula 27]

Figure 112018013190568-pct00027
Figure 112018013190568-pct00027

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

((c) 계면 활성제) ((c) surfactant)

본 실시형태의 수지 조성물에, 계면 활성제를 첨가함으로써, 그 수지 조성물의 도포성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 도공막에 있어서의 줄무늬의 발생을 방지할 수 있다.By adding surfactant to the resin composition of this embodiment, the coating property of the resin composition can be improved. Specifically, generation of streaks in the coating film can be prevented.

이와 같은 계면 활성제는, 예를 들어, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 이들 이외의 비이온 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들 예로는, Examples of such surfactants include silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants, and nonionic surfactants other than these. These examples are:

실리콘계 계면 활성제로서, 예를 들어, 오르가노실록산 폴리머 KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093, (이상, 상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (이상, 상품명, 토레이·다우코닝·실리콘사 제조), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (이상, 상품명, 닛폰 유니카사 제조), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (이상, 상품명, 빅크케미·재팬 제조), 글라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등을;As a silicone surfactant, For example, organosiloxane polymers KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093, (above, trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, trade names, manufactured by Toray Dow Corning and Silicon), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105 , FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (above, trade name, manufactured by Nippon Unicar), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222 , KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (above, trade name, BIC Chemie・Japan manufactured), Granol (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.);

불소계 계면 활성제로서, 예를 들어, 메가팍 F171, F173, R-08 (다이닛폰 잉크 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), 플루오라드 FC4430, FC4432 (스미토모 쓰리엠 주식회사, 상품명) 등을;As the fluorine-based surfactant, for example, Megapak F171, F173, R-08 (manufactured by Dainippon Ink Chemical Industry Co., Ltd., trade name), Fluorad FC4430, FC4432 (Sumitomo 3M Co., Ltd., trade name) and the like;

이들 이외의 비이온 계면 활성제로서, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르 등을, 각각 들 수 있다.As nonionic surfactants other than these, for example, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether and the like are listed.

이들 계면 활성제 중에서도, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 억제) 의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제가 바람직하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 YI 치 및 전광선 투과율에 대한 영향의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제가 바람직하다.Among these surfactants, silicone surfactants and fluorine surfactants are preferred from the viewpoint of coatability (stripes suppression) of the resin composition, and from the viewpoint of the effect on the YI value and total light transmittance by oxygen concentration during the curing process, silicone-based Surfactants are preferred.

(c) 계면 활성제를 사용하는 경우, 그 배합량은, 수지 조성물 중의 (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.001 ∼ 5 질량부가 바람직하고, 0.01 ∼ 3 질량부가 보다 바람직하다.(c) When a surfactant is used, the blending amount is preferably 0.001 to 5 parts by mass, more preferably 0.01 to 3 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polyaimide precursor (a) in the resin composition.

(d) 알콕시실란 화합물(d) alkoxysilane compounds

본 실시형태에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 필름을, 플렉시블 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서 지지체와의 사이에 충분한 밀착성을 나타내는 것으로 하기 위해서, 그 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 100 질량% 에 대하여, 알콕시실란 화합물을 0.01 ∼ 20 질량% 를 함유할 수 있다. 폴리이미드 전구체 100 질량% 에 대한 알콕시실란 화합물의 함유량이 0.01 질량% 이상임으로써, 지지체와의 사이에 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 또 알콕시실란 화합물의 함유량이 20 질량% 이하인 것이, 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.02 ∼ 15 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량% 인 것이 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 8 질량% 인 것이 특히 바람직하다. In order to make the resin film obtained from the resin composition which concerns on this embodiment show sufficient adhesiveness with a support body in the manufacturing process, such as a flexible device, the resin composition is (a) 100 mass% of polyimide precursors. , The alkoxysilane compound may contain 0.01 to 20% by mass. When the content of the alkoxysilane compound to 100 mass% of the polyimide precursor is 0.01 mass% or more, good adhesion to the support can be obtained. Moreover, it is preferable from a viewpoint of storage stability of a resin composition that content of an alkoxysilane compound is 20 mass% or less. The content of the alkoxysilane compound is more preferably 0.02 to 15% by mass, more preferably 0.05 to 10% by mass, and particularly preferably 0.1 to 8% by mass, with respect to 100 parts by mass of the polyimide precursor.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 첨가제로서 알콕시실란 화합물을 사용함으로써, 상기의 밀착성의 향상에 더하여, 또한 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 불균일 억제) 을 향상함과 함께, 얻어지는 경화막의 YI 치의 큐어시 산소 농도 의존성을 저하시킬 수 있다.By using an alkoxysilane compound as an additive of the resin composition according to the present embodiment, in addition to the above-mentioned improvement in adhesion, and also improves the coatability (suppression of streaky non-uniformity) of the resin composition, cure oxygen of the YI value of the resulting cured film Concentration dependence can be reduced.

알콕시실란 화합물로는, 예를 들어, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리프로폭시실란, γ-아미노프로필트리부톡시실란, γ-아미노에틸트리에톡시실란, γ-아미노에틸트리프로폭시실란, γ-아미노에틸트리부톡시실란, γ-아미노부틸트리에톡시실란, γ-아미노부틸트리메톡시실란, γ-아미노부틸트리프로폭시실란, γ-아미노부틸트리부톡시실란, 페닐실란트리올, 트리메톡시페닐실란, 트리메톡시(p-톨릴)실란, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 트리페닐실란올 및 하기 구조의 각각으로 나타내는 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있으며, 이들에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the alkoxysilane compound include 3-ureidpropyltriethoxysilane, bis(2-hydroxyethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane, γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltribu Methoxysilane, γ-aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, phenylsilanetriol, trimethoxyphenylsilane, Trimethoxy(p-tolyl)silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol, and alkoxysilane compounds represented by the following structures Etc. are mentioned, It is preferable to use 1 or more types chosen from these.

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112018013190568-pct00028
Figure 112018013190568-pct00028

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물의 제조 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 이하의 방법에 따를 수 있다.The manufacturing method of the resin composition in this embodiment is not specifically limited. For example, the following method can be followed.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 유기 용제가 동일한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액을 그대로 수지 조성물로 할 수 있다. 또, 필요에 따라, 실온 (25 ℃) ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, 폴리이미드 전구체에 (b) 유기 용제 및 그 밖의 성분의 1 종 이상을 첨가하여, 교반 혼합한 다음에, 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 교반 혼합은, 교반 날개를 구비한 쓰리 원 모터 (신토 화학 주식회사 제조), 자전 공전 믹서 등의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 또 필요에 따라 40 ∼ 100 ℃ 의 열을 가해도 된다.When the solvent used when (a) the polyimide precursor is synthesized and the organic solvent (b) are the same, the synthesized polyimide precursor solution can be used as the resin composition. Moreover, if necessary, in the temperature range of room temperature (25°C) to 80°C, one or more of (b) an organic solvent and other components are added to the polyimide precursor, stirred and mixed, and then used as a resin composition. May be For the stirring and mixing, a suitable device such as a three-one motor (manufactured by Shinto Chemical Co., Ltd.) equipped with a stirring blade, a rotating revolution mixer, or the like can be used. Moreover, you may apply heat of 40-100 degreeC as needed.

한편, (a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 유기 용제가 상이한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액 중의 용매를, 예를 들어 재침전, 용매 증류 제거 등의 적절히 방법에 의해 제거하여 (a) 폴리이미드 전구체를 단리한 후에, 실온 ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (b) 유기 용제 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 첨가하여, 교반 혼합함으로써, 수지 조성물을 조제해도 된다.On the other hand, in the case where (a) the solvent used when synthesizing the polyimide precursor and (b) the organic solvent are different, the solvent in the synthesized polyimide precursor solution can be appropriately used, for example, by reprecipitation or solvent distillation removal After removal by (a) isolating the polyimide precursor, the resin composition may be prepared by adding and stirring and mixing (b) an organic solvent and other components as necessary in a temperature range of room temperature to 80°C.

상기 서술한 바와 같이 수지 조성물을 조제한 후, 그 조성물 용액을 예를 들어 130 ∼ 200 ℃ 에 있어서 예를 들어 5 분 ∼ 2 시간 가열함으로써, 폴리머가 석출을 일으키지 않을 정도로 폴리이미드 전구체의 일부를 탈수 이미드화해도 된다. 여기서, 가열 온도 및 가열 시간을 컨트롤함으로써, 이미드화율을 제어할 수 있다. 폴리이미드 전구체를 부분 이미드화함으로써, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다. 이미드화율의 범위로는, 5 % ∼ 70 % 로 하는 것이, 수지 조성물 용액에 대한 폴리이미드 전구체의 용해성과 용액의 보존 안정성의 밸런스를 잡는 관점에서 바람직하다.After preparing the resin composition as described above, a part of the polyimide precursor is already dehydrated to such an extent that the polymer does not cause precipitation by heating the composition solution at, for example, 5 minutes to 2 hours at 130 to 200°C. You may dedicate. Here, the imidation rate can be controlled by controlling the heating temperature and the heating time. By partially imidizing the polyimide precursor, the viscosity stability at the time of storage of the resin composition at room temperature can be improved. The range of the imidation ratio is preferably 5% to 70% from the viewpoint of balancing the solubility of the polyimide precursor with the resin composition solution and storage stability of the solution.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물은, 그 수분량이 3,000 질량ppm 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the water content of the resin composition which concerns on this embodiment is 3,000 mass ppm or less.

수지 조성물의 수분량은, 그 수지 조성물을 보존할 때의 점도 안정성의 관점에서, 1,000 질량ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 질량ppm 이하인 것이 더욱 바람직하다.The moisture content of the resin composition is more preferably 1,000 ppm by mass or less, and more preferably 500 ppm by mass or less, from the viewpoint of viscosity stability when the resin composition is stored.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 용액 점도는, 25 ℃ 에 있어서, 500 ∼ 200,000 mPa·s 가 바람직하고, 2,000 ∼ 100,000 mPa·s 가 보다 바람직하고, 3,000 ∼ 30,000 mPa·s 가 특히 바람직하다. 이 용액 점도는, E 형 점도계 (토키 산업 주식회사 제조, VISCONICEHD) 를 사용하여 측정할 수 있다. 용액 점도가 300 mPa·s 보다 낮으면, 막 형성시의 도포가 하기 어렵고, 200,000 mPa·s 보다 높으면, 합성시의 교반이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다.The solution viscosity of the resin composition according to the present embodiment is preferably 500 to 200,000 mPa·s at 25° C., more preferably 2,000 to 100,000 mPa·s, and particularly preferably 3,000 to 30,000 mPa·s. This solution viscosity can be measured using an E-type viscometer (made by Toki Sangyo Co., Ltd., VISCONICEHD). When the solution viscosity is lower than 300 mPa·s, application at the time of film formation is difficult, and when the solution viscosity is higher than 200,000 mPa·s, there is a concern that agitation during synthesis becomes difficult.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성할 때에, 용액이 고점도가 되었다고 해도, 반응 종료 후에 용매를 첨가하여 교반함으로써, 취급성이 좋은 점도의 수지 조성물을 얻는 것이 가능하다.(a) When synthesizing the polyimide precursor, even if the solution has a high viscosity, it is possible to obtain a resin composition having good handleability by adding a solvent and stirring after the completion of the reaction.

본 실시형태의 수지 조성물은, 바람직한 양태에 있어서 이하의 특성을 갖는다.The resin composition of this embodiment has the following characteristics in a preferable aspect.

수지 조성물을 지지체의 표면에 도포하여 도막을 형성한 후, 그 도막을, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ℃ ∼ 550 ℃ 에 있어서 가열함으로써, 상기 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하이다.After coating the resin composition on the surface of the support to form a coating film, the coating film is contained in the coating film by heating in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen having an oxygen concentration of 2,000 ppm or less) at 300°C to 550°C. The resin film obtained by imidizing the polyimide precursor to be obtained has a yellowness YI of 30 or less in a 10 µm film thickness.

수지 조성물을 지지체의 표면에 도포하여 도막을 형성한 후, 그 도막을, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ℃ ∼ 550 ℃ 에 있어서 가열함으로써, 상기 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지 필름은, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이다.After coating the resin composition on the surface of the support to form a coating film, the coating film is contained in the coating film by heating in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen having an oxygen concentration of 2,000 ppm or less) at 300°C to 550°C. The resin film obtained by imidizing the polyimide precursor to be formed has a residual stress of 25 MPa or less.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물은, 예를 들어, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로 루미네선스 디스플레이, 필드 에미션 디스플레이, 전자 페이퍼 등의 표시 장치의 투명 기판을 형성하기 위해서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 박막 트랜지스터 (TFT) 의 기판, 컬러 필터의 기판, 투명 도전막 (ITO, IndiumThinOxide) 의 기판 등을 형성하기 위해서 사용할 수 있다.The resin composition according to the present embodiment can be suitably used, for example, to form transparent substrates for display devices such as liquid crystal displays, organic electroluminescent displays, field emission displays, and electronic paper. Specifically, it can be used to form a substrate of a thin film transistor (TFT), a substrate of a color filter, a substrate of a transparent conductive film (ITO, IndiumThinOxide), or the like.

본 실시형태의 수지 전구체는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하인 폴리이미드 필름을 형성할 수 있기 때문에, 무색 투명 폴리이미드 기판 상에 TFT 소자 장치를 구비한 디스플레이 제조 공정에 적용하기 쉽다.Since the resin precursor of this embodiment can form a polyimide film having a residual stress of 25 MPa or less, it is easy to apply to a display manufacturing process provided with a TFT element device on a colorless transparent polyimide substrate.

<수지 필름><resin film>

본 발명의 다른 양태는, 전술한 수지 전구체로부터 형성된 수지 필름을 제공한다.Another aspect of the present invention provides a resin film formed from the aforementioned resin precursor.

또, 본 발명의 또 다른 양태는, 전술한 수지 조성물로부터 수지 필름을 제조하는 방법을 제공한다.Moreover, another aspect of this invention provides the method of manufacturing a resin film from the above-mentioned resin composition.

본 실시형태에 있어서의 수지 필름은,The resin film in this embodiment,

지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과, A step of forming a coating film by applying the aforementioned resin composition on the surface of the support (coating step),

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 과, A step of heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film (heating process);

상기 폴리이미드 수지막을 그 지지체로부터 박리하는 공정 (박리 공정) Step of peeling the polyimide resin film from the support (peeling step)

을 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.

여기서, 지지체는, 그 후의 공정의 가열 온도에 있어서의 내열성을 갖고, 박리성이 양호하면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 유리 (예를 들어, 무알칼리 유리) 기판;Here, the support is not particularly limited as long as it has heat resistance at the heating temperature of the subsequent steps and good peelability. For example, a glass (eg, alkali-free glass) substrate;

실리콘 웨이퍼;Silicon wafer;

PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌), 폴리에틸렌글리콜테레프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술폰, 폴리페닐렌술파이드 등의 수지 기판;PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), polyethylene glycol terephthalate, polyethylene glycol naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyphenylene Resin substrates such as sulfone and polyphenylene sulfide;

스테인리스, 알루미나, 구리, 니켈 등의 금속 기판 Metal substrates such as stainless steel, alumina, copper and nickel

등이 사용된다.Etc. are used.

막상 (膜狀) 의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하고, 필름상 또는 시트상의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌) 등으로 이루어지는 지지체가 바람직하다.In the case of forming a film-like polyimide molded body, for example, a glass substrate or a silicon wafer is preferable, and when forming a film- or sheet-like polyimide molded body, for example, PET (polyethylene Terephthalate), OPP (stretched polypropylene), etc. are preferred.

도포 방법으로는, 예를 들어, 닥터 블레이드 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터, 로터리 코터, 플로우 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 도포 방법, 스핀 코트, 스프레이 코트, 딥 코트 등의 도포 방법;스크린 인쇄 및 그라비아 인쇄 등으로 대표되는 인쇄 기술 등을 적용할 수 있다.As the coating method, for example, a coating method such as a doctor blade knife coater, an air knife coater, a roll coater, a rotary coater, a flow coater, a die coater, a bar coater, a spin coat, a spray coat, or a dip coat; Printing techniques such as screen printing and gravure printing can be applied.

도포 두께는, 원하는 수지 필름의 두께와 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 함유량에 따라 적절히 조정되어야 할 것이지만, 바람직하게는 1 ∼ 1,000 ㎛ 정도이다. 도포 공정은, 실온에 있어서의 실시로 충분하지만, 점도를 낮추어 작업성을 양호하게 할 목적으로, 수지 조성물을 40 ∼ 80 ℃ 의 범위에서 가온하여 실시해도 된다.The coating thickness should be appropriately adjusted depending on the thickness of the desired resin film and the content of the polyimide precursor in the resin composition, but is preferably about 1 to 1,000 μm. Although the coating process is sufficient at room temperature, the resin composition may be heated in the range of 40 to 80°C for the purpose of lowering the viscosity and improving workability.

도포 공정에 이어서, 건조 공정을 실시해도 되고, 건조 공정을 생략하여 직접 다음의 가열 공정으로 진행해도 된다. 이 건조 공정은, 유기 용제 제거의 목적으로 실시된다. 건조 공정을 실시하는 경우, 예를 들어, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 적절한 장치를 이용할 수 있다. 건조 공정은, 80 ∼ 200 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 100 ∼ 150 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 건조 공정의 실시 시간은, 1 분 ∼ 10 시간으로 하는 것이 바람직하고, 3 분 ∼ 1 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다.Following the coating step, a drying step may be performed, or the drying step may be omitted to directly proceed to the next heating step. This drying step is performed for the purpose of removing the organic solvent. When performing a drying process, suitable apparatus, such as a hot plate, a box dryer, and a conveyor dryer, can be used, for example. It is preferable to perform a drying process at 80-200 degreeC, and it is more preferable to carry out at 100-150 degreeC. The drying time is preferably 1 minute to 10 hours, more preferably 3 minutes to 1 hour.

상기와 같이 하여, 지지체 상에 폴리이미드 전구체를 함유하는 도막이 형성된다.As described above, a coating film containing a polyimide precursor is formed on the support.

계속해서, 가열 공정을 실시한다. 가열 공정은, 상기의 건조 공정에서 도막 중에 잔류한 유기 용제의 제거를 실시함과 함께, 도막 중의 폴리이미드 전구체의 이미드화 반응을 진행시켜, 폴리이미드로 이루어지는 막을 얻는 공정이다.Subsequently, a heating step is performed. The heating step is a step in which the organic solvent remaining in the coating film is removed in the drying step and the imidization reaction of the polyimide precursor in the coating film is performed to obtain a film made of polyimide.

이 가열 공정은, 예를 들어, 이너트 가스 오븐, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 이 공정은 상기 건조 공정과 동시에 실시해도 되고, 양 공정을 축차적으로 실시해도 된다.This heating process can be performed, for example, using an apparatus such as an inert gas oven, a hot plate, a box dryer, or a conveyor dryer. This step may be performed simultaneously with the drying step, or both steps may be performed sequentially.

가열 공정은, 공기 분위기 하에서 실시해도 되지만, 안전성과, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 YI 치의 관점에서, 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 추장된다. 불활성 가스로는, 예를 들어, 질소, 아르곤 등을 들 수 있다.Although the heating process may be performed under an air atmosphere, it is recommended to perform under an inert gas atmosphere from the viewpoint of safety, transparency of the resulting polyimide film, and YI value. As an inert gas, nitrogen, argon, etc. are mentioned, for example.

가열 온도는, (b) 유기 용제의 종류에 따라 적절히 설정되어도 되지만, 250 ℃ ∼ 550 ℃ 가 바람직하고, 300 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 250 ℃ 이상이면, 이미드화가 충분해지고, 550 ℃ 이하이면, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성의 저하, 내열성의 악화 등의 문제가 없다. 가열 시간은, 0.5 ∼ 3 시간 정도로 하는 것이 바람직하다.Although the heating temperature may be appropriately set depending on the type of the organic solvent (b), 250°C to 550°C is preferable, and 300 to 450°C is more preferable. If it is 250°C or higher, imidization becomes sufficient, and if it is 550°C or lower, there is no problem such as deterioration in transparency or deterioration of heat resistance of the resulting polyimide film. It is preferable to set heating time to about 0.5 to 3 hours.

본 실시형태에서는, 상기의 가열 공정에 있어서의 주위 분위기의 산소 농도는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 YI 치의 관점에서, 2,000 질량ppm 이하가 바람직하고, 100 질량ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 질량ppm 이하가 더욱 바람직하다. 산소 농도가 2,000 질량ppm 이하인 분위기 중에서 가열을 실시함으로써, 얻어지는 폴리이미드 필름의 YI 치를 30 이하로 할 수 있다.In the present embodiment, the oxygen concentration in the ambient atmosphere in the heating step is preferably 2,000 mass ppm or less, more preferably 100 mass ppm or less, and more preferably 10 mass, from the viewpoints of transparency and YI value of the resulting polyimide film. ppm or less is more preferable. By heating in an atmosphere having an oxygen concentration of 2,000 ppm by mass or less, the YI value of the resulting polyimide film can be 30 or less.

폴리이미드 수지막의 사용 용도·목적에 따라서는, 상기 가열 공정의 후, 지지체로부터 수지막을 박리하는 박리 공정이 필요해진다. 이 박리 공정은, 지지체 상의 수지막을, 실온 ∼ 50 ℃ 정도까지 냉각시킨 후에, 실시하는 것이 바람직하다.Depending on the purpose and purpose of use of the polyimide resin film, a peeling step of peeling the resin film from the support is required after the heating step. It is preferable to perform this peeling process, after cooling the resin film on a support body to room temperature-about 50 degreeC.

이 박리 공정으로는, 예를 들어 하기의 (1) ∼ (4) 의 양태를 들 수 있다.As this peeling process, the following aspect (1)-(4) is mentioned, for example.

(1) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 제조한 후, 그 구조체의 지지체측으로부터 레이저를 조사하여, 지지체와 폴리이미드 수지막의 계면을 어블레이션 가공함으로써, 폴리이미드 수지를 박리하는 방법. 레이저의 종류로는, 고체 (YAG) 레이저, 가스 (UV 엑시머) 레이저 등을 들 수 있다. 파장 308 ㎚ 등의 스펙트럼을 사용하는 것이 바람직하다 (일본 공표특허공보 2007-512568 공보, 일본 공표특허공보 2012-511173 공보 등을 참조).(1) A polyimide resin is produced by producing a structure comprising a polyimide resin film/support by the above method, and irradiating a laser from the support side of the structure to ablation the interface between the support and the polyimide resin film. How to peel. As a type of laser, a solid (YAG) laser, a gas (UV excimer) laser, and the like can be mentioned. It is preferable to use a spectrum having a wavelength of 308 nm or the like (see Japanese Patent Publication No. 2007-512568, Japanese Patent Publication No. 2012-511173, etc.).

(2) 지지체에 수지 조성물을 도공하기 전에, 지지체에 박리층을 형성하고, 그 후 폴리이미드 수지막/박리층/지지체를 포함하는 구성체를 얻어, 폴리이미드 수지막을 박리하는 방법. 박리층으로는, 파릴렌 (등록상표, 닛폰 파릴렌 합동회사 제조), 산화텅스텐을 사용하는 방법;식물유계, 실리콘계, 불소계, 알키드계 등의 이형제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. (일본 공개특허공보 2010-67957 공보, 일본 공개특허공보 2013-179306 공보 등을 참조).(2) A method of forming a release layer on the support before applying the resin composition to the support, and then obtaining a construct comprising a polyimide resin film/peeling layer/support to peel the polyimide resin film. Examples of the release layer include parylene (registered trademark, manufactured by Nippon Parylene Co., Ltd.), and a method of using tungsten oxide; a method of using a release agent such as vegetable oil, silicone, fluorine or alkyd. (See Japanese Unexamined Patent Publication 2010-67957, Japanese Unexamined Patent Publication 2013-179306, etc.).

이 방법 (2) 와 상기 (1) 의 레이저 조사를 병용해도 된다.You may use together the laser irradiation of this method (2) and said (1).

(3) 지지체로서 에칭 가능한 금속 기판을 사용하여, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 에천트로 금속을 에칭함으로써, 폴리이미드 수지 필름을 얻는 방법. 금속으로는, 예를 들어, 구리 (구체예로는, 미츠이 금속 광업 주식회사 제조의 전해 동박 「DFF」), 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 에천트로는, 구리에 대해서는 염화제2철 등을, 알루미늄에 대해서는 희염산 등을 사용할 수 있다.(3) A method of obtaining a polyimide resin film by etching a metal with an etchant after obtaining a construct comprising a polyimide resin film/support using a metal substrate that can be etched as a support. As a metal, copper (for example, Mitsui Metal Mining Co., Ltd. electrolytic copper foil "DFF"), aluminum, etc. can be used, for example. As the etchant, ferric chloride or the like can be used for copper, and dilute hydrochloric acid or the like can be used for aluminum.

(4) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 폴리이미드 수지막 표면에 점착 필름을 첩부 (貼付) 하여, 지지체로부터 점착 필름/폴리이미드 수지막을 분리하고, 그 후 점착 필름으로부터 폴리이미드 수지막을 분리하는 방법.(4) After obtaining a structure comprising a polyimide resin film/support by the above method, an adhesive film is attached to the surface of the polyimide resin film, and the adhesive film/polyimide resin film is separated from the support. After the method for separating the polyimide resin film from the adhesive film.

이들 박리 방법 중에서도, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 표리의 굴절률차, YI 치, 및 신장도의 관점에서, 방법 (1) 또는 (2) 가 적절하고, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 표리의 굴절률차의 관점에서 방법 (1) 이 보다 적절하다.Among these peeling methods, from the viewpoint of the difference in refractive index between the front and back of the polyimide resin film obtained, the YI value, and the elongation, the method (1) or (2) is appropriate, and the viewpoint of the refractive index difference between the front and back of the resulting polyimide resin film Method (1) is more appropriate.

또한, 방법 (3) 에 있어서, 지지체로서 구리를 사용한 경우에는, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 YI 치가 커지고, 신장도가 작아지는 경향이 보인다. 이것은, 구리 이온의 영향인 것으로 생각된다.Moreover, in the method (3), when copper is used as a support, the tendency that the YI value of the resulting polyimide resin film becomes large and the elongation becomes small is seen. This is considered to be the influence of copper ions.

상기 방법에 의해 얻어지는 수지 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 200 ㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 이다.Although the thickness of the resin film obtained by the said method is not specifically limited, It is preferable that it is the range of 1-200 micrometers, More preferably, it is 5-100 micrometers.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하일 수 있다. 또, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하일 수 있다. 특히, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하이고, 또한, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하일 수 있다. 이와 같은 특성은, 예를 들어, 본 개시의 수지 전구체를, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 바람직하게는 300 ℃ ∼ 550 ℃, 보다 바람직하게는 350 ℃ ∼ 450 ℃ 에 있어서 이미드화함으로써, 양호하게 실현된다.In the resin film according to the present embodiment, the yellowness YI at a film thickness of 10 μm may be 30 or less. In addition, the residual stress may be 25 MPa or less. In particular, the yellowness YI at a film thickness of 10 μm may be 30 or less, and the residual stress may be 25 MPa or less. Such characteristics are, for example, the resin precursor of the present disclosure in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen having an oxygen concentration of 2,000 ppm or less), preferably 300°C to 550°C, more preferably 350°C to 450 By imidizing at ℃, it is realized satisfactorily.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 또한, 인장 신장도가 15 % 이상일 수 있다. 수지 필름의 인장 신장도는, 또한 20 % 이상일 수 있으며, 특히 30 % 이상일 수 있다. 이 인장 신장도는, 10 ㎛ 막두께의 수지 필름을 시료로 하여, 시판되는 인장 시험기를 사용하여 측정할 수 있다.The resin film according to the present embodiment may also have a tensile elongation of 15% or more. The tensile elongation of the resin film may also be 20% or more, particularly 30% or more. This tensile elongation can be measured using a commercially available tensile tester using a 10 μm film-thick resin film as a sample.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 전술한 수지 조성물에 함유되어 있던 (a1) 폴리이미드 전구체가 열 이미드화된 폴리이미드로 이루어지는 필름이다. 따라서, 하기 일반식 (11):The resin film according to the present embodiment is a film composed of polyimide in which the polyimide precursor (a1) contained in the above-mentioned resin composition is heat imidized. Therefore, the following general formula (11):

[화학식 29] [Formula 29]

Figure 112018013190568-pct00029
Figure 112018013190568-pct00029

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 상기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는다.{In the formula, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least one member selected from the group consisting of the general formulas (3), (4) and (5). l and m each independently represent an integer of 1 or more, and have a structural unit represented by 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.}.

l / (l + m) 의 하한은, 0.05 여도 되고, 0.10 이어도 되고, 0.20 이어도 되고, 0.30 이어도 되고, 0.40 이어도 된다.The lower limit of l / (l + m) may be 0.05, may be 0.10, may be 0.20, may be 0.30, or may be 0.40.

l / (l + m) 의 상한은, 0.95 여도 되고, 0.90 이어도 되고, 0.80 이어도 되고, 0.70 이어도 되고, 0.60 이어도 된다.The upper limit of l / (l + m) may be 0.95, 0.90, 0.80, 0.70, or 0.60.

전술한 바와 같이, 바람직하게는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, YI 가 30 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 신장도가 15 % 이상이며, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상이다.As described above, preferably, the residual stress is 25 MPa or less, YI is 30 or less, the glass transition temperature is 400°C or more, elongation is 15% or more, and the breaking strength is 250 MPa or more.

또, 제 2 양태로는, 전술한 수지 조성물에 함유되어 있던 (a2) 폴리이미드 전구체가 열 이미드화된 폴리이미드로 이루어지는 필름이다. 따라서, 하기 일반식 (12):Moreover, as a 2nd aspect, it is a film which consists of the polyimide (a2) polyimide which the polyimide precursor (a2) contained in the resin composition mentioned above was heat imidized. Therefore, the following general formula (12):

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112018013190568-pct00030
Figure 112018013190568-pct00030

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조 단위를 갖고, 신장도가 15 % 이상인, 수지 필름이며, 바람직하게는 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, YI 가 30 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상이다.{Wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride ) (TAHQ), a tetravalent group derived from at least one selected from. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers of 0-4.} A resin film having a structural unit represented by elongation and having an elongation of 15% or more, preferably a residual stress of 25 MPa or less, and a YI of 30 or less, The glass transition temperature is 400°C or higher, and the breaking strength is 250 MPa or higher.

<적층체><Laminated body>

본 발명의 다른 양태는, 지지체와, 그 지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물로부터 형성된 폴리이미드 수지막을 포함하는, 적층체를 제공한다.Another aspect of the present invention provides a laminate comprising a support and a polyimide resin film formed from the resin composition described above on the surface of the support.

또 본 발명의 또 다른 양태는, 상기 적층체의 제조 방법을 제공한다.Further, another aspect of the present invention provides a method for manufacturing the laminate.

본 실시형태에 있어서의 적층체는,The laminate in this embodiment,

지지체의 표면 상에, 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과, A step of forming a coating film by applying the aforementioned resin composition on the surface of the support (coating step);

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 을 포함하는, 적층체의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.By heating the support and the coating film, it can be obtained by a method for producing a laminate, including a step (heating step) of imidizing a polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film.

상기의 적층체의 제조 방법은, 예를 들어, 박리 공정을 실시하지 않는 것 외에는, 전술한 수지 필름의 제조 방법과 동일하게 하여 실시할 수 있다.The manufacturing method of the said laminated body can be implemented by carrying out similarly to the manufacturing method of the above-mentioned resin film except not performing a peeling process, for example.

이 적층체는, 예를 들어, 플렉시블 디바이스의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.This laminated body can be used suitably for manufacture of a flexible device, for example.

더욱 상세하게 설명하면, 이하와 같다.It will be described in more detail below.

플렉시블 디스플레이를 형성하는 경우, 유리 기판을 지지체로서 사용하여, 그 위에 플렉시블 기판을 형성하고, 또한 그 위에 TFT 등의 형성을 실시한다. 플렉시블 기판 상에 TFT 등을 형성하는 공정은, 전형적으로는, 150 ∼ 650 ℃ 의 넓은 범위의 온도에서 실시된다. 그러나, 현실적으로 소망되는 성능을 구현하기 위해서는, 250 ℃ ∼ 450 ℃ 부근의 고온에 있어서, 무기물 재료를 사용하여, TFT-IGZO (InGaZnO) 산화물 반도체 또는 TFT (a-Si-TFT, poly-Si-TFT) 를 형성하는 것을 필요로 한다.In the case of forming a flexible display, a glass substrate is used as a support, a flexible substrate is formed thereon, and TFT or the like is formed thereon. The process of forming a TFT or the like on the flexible substrate is typically performed at a temperature in a wide range of 150 to 650°C. However, in order to realize realistically desired performance, a TFT-IGZO (InGaZnO) oxide semiconductor or TFT (a-Si-TFT, poly-Si-TFT) is used at an elevated temperature of 250°C to 450°C using an inorganic material. ).

한편, 이들 열 이력에 의해, 폴리이미드 필름의 여러 물성 (특히 황색도나 신장도) 은 저하되는 경향이 있고,, 400 ℃ 를 초과하면, 특히, 황색도나 신장도는 저하된다. 그런데, 본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 400 ℃ 이상의 고온 영역에서도, 황색도나 신장도의 저하가 매우 적어, 당해 영역에서 양호하게 사용할 수 있다.On the other hand, by these thermal histories, various properties (especially yellowness and elongation) of the polyimide film tend to decrease, and when it exceeds 400°C, yellowness and elongation particularly decrease. By the way, the polyimide film obtained from the polyimide precursor according to the present invention can be favorably used in the region even in a high temperature region of 400° C. or higher with very little deterioration in yellowness or elongation.

또한, 본 실시형태에서는, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 층을 포함하는 적층체를 제공할 수 있다.Moreover, in this embodiment, the laminated body containing the polyimide film layer containing polyimide represented by the following general formula (13) and LTPS (low temperature polysilicon TFT) layer can be provided.

[화학식 31] [Formula 31]

Figure 112018013190568-pct00031
Figure 112018013190568-pct00031

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4.}

당해 적층체의 제조 방법으로는 전술한 지지체와, 그 지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물로부터 형성된 폴리이미드 수지막을 포함하는, 적층체를 제조한 후에, 아모르퍼스 Si 층을 형성하고, 400 ∼ 450 ℃ 에서 0.5 ∼ 3 시간 정도 탈수소 어닐을 실시한 후에, 엑시머 레이저 등으로 결정화함으로써 LTPS 층을 형성할 수 있다. 그 후, 레이저 박리 등으로 유리와 폴리이미드 필름을 박리함으로써, 상기 적층체를 얻을 수 있다.As a manufacturing method of the said laminated body, after manufacturing a laminated body containing the above-mentioned support body and the polyimide resin film formed from the above-mentioned resin composition on the surface of this support body, after forming an amorphous Si layer, 400-450 After dehydrogenation annealing for 0.5 to 3 hours at a temperature, the LTPS layer can be formed by crystallization with an excimer laser or the like. Then, the said laminated body can be obtained by peeling a glass and a polyimide film by laser peeling or the like.

일반식 (13) 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 층, 을 포함하는 적층체는, 히트 사이클 시험 후의 박리나 부풀음이 적고, 기판 휨이 적다.The polyimide film layer containing the polyimide represented by the general formula (13), and the layered product containing the LTPS (low temperature polysilicon TFT) layer, have little peeling or swelling after a heat cycle test, and have little substrate warpage.

또, 플렉시블 기판과 폴리이미드 수지막에 발생하는 잔류 응력이 높으면, 양자로 이루어지는 적층체가 고온의 TFT 공정에 있어서 팽창한 후, 상온 냉각시에 수축할 때, 유리 기판의 휨 및 파손, 플렉시블 기판의 유리 기판으로부터의 박리 등의 문제가 발생할 수 있다. 일반적으로, 유리 기판의 열팽창 계수는 수지와 비교하여 작기 때문에, 그 유리 기판과 플렉시블 기판의 사이에 잔류 응력이 발생한다. 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 상기 서술한 바와 같이, 유리 기판과의 사이에 발생하는 잔류 응력을 25 ㎫ 이하로 할 수 있기 때문에, 플렉시블 디스플레이의 형성에 적합하게 사용할 수 있다.In addition, if the residual stress generated on the flexible substrate and the polyimide resin film is high, when the laminate composed of both expands and contracts during cooling at room temperature after expansion in a high-temperature TFT process, the warpage and breakage of the glass substrate and the flexible substrate Problems such as peeling from the glass substrate may occur. In general, since the coefficient of thermal expansion of a glass substrate is small compared to a resin, residual stress occurs between the glass substrate and the flexible substrate. As described above, the resin film according to the present embodiment can be suitably used for forming a flexible display because the residual stress generated between the glass substrate and the glass substrate can be 25 MPa or less.

또한, 본 실시형태에 관련된 폴리이미드 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 를 30 이하로 할 수 있고, 인장 신장도를 15 % 이상으로 할 수 있다. 이에 따라, 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 플렉시블 기판을 취급할 때의 파단 강도가 우수하고, 따라서 플렉시블 디스플레이를 제조할 때의 수율을 향상시킬 수 있다.The polyimide film according to the present embodiment can have a yellowness YI of 30 or less in a 10 µm film thickness and a tensile elongation of 15% or more. Thereby, the resin film which concerns on this embodiment is excellent in the breaking strength at the time of handling a flexible substrate, and therefore the yield at the time of manufacturing a flexible display can be improved.

또, 다른 양태로서, 400 ℃ 이상에서 가열한 후의 막두께 10 미크론에 있어서의 황색도가 20 이하이고, 막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 그리고 신장도가 15 % 이상인, 폴리이미드 필름을 제공할 수 있다.Further, as another aspect, the yellowness at a film thickness of 10 microns after heating at 400°C or higher is 20 or less, the absorbance at 308 nm when the film thickness is 0.1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less, and the elongation is 15 % Or more, a polyimide film can be provided.

YI 를 20 이하로 함으로써, 디스플레이로 했을 때의 화질을 떨어뜨리지 않고, 플렉시블 기판을 제조할 수 있다. By setting YI to 20 or less, a flexible substrate can be manufactured without deteriorating the image quality when the display is used.

보다 바람직하게는 18 이하이고, 특히 16 이하인 것이 바람직하다.It is more preferably 18 or less, particularly preferably 16 or less.

막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하 또한 신장도 15 % 이상으로 함으로써, 예를 들어 유리 기판으로부터 폴리이미드 필름을 레이저로 용이하게 떼어낼 수 있다. 레이저 박리 후의 애쉬를 억제하는 관점에서, 0.6 이상 1.5 이하 또한 신장도 20 % 이상이 바람직하고, 예를 들어 유기 EL 소자의 성능을 떨어뜨리지 않는 관점에서, 0.6 이상 1.0 이하 또한 신장도 20 % 이상이 특히 바람직하다.When the absorbance of 308 nm at a film thickness of 0.1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less, and the elongation is 15% or more, for example, the polyimide film can be easily removed from the glass substrate with a laser. From the viewpoint of suppressing the ash after laser peeling, 0.6 or more and 1.5 or less, and elongation is preferably 20% or more, for example, from the viewpoint of not degrading the performance of the organic EL device, 0.6 or more and 1.0 or less and elongation is 20% or more Especially preferred.

신장도의 상한은 특별히 없지만, 80 % 이하여도 되고, 70 % 이하여도 되고, 60 % 이하여도 되고, 50 % 이하여도 되고, 40 % 이하여도 된다.The upper limit of the elongation is not particularly limited, but may be 80% or less, 70% or less, 60% or less, 50% or less, or 40% or less.

또한, 레이저 박리시에 레이저 광으로 폴리이미드 필름이 타 버리는 경우가 있으며, 그 타고 남은 것이 애쉬이다. In addition, the polyimide film may burn out with laser light when the laser is peeled off, and the remaining ash is ash.

따라서, 본 발명의 다른 양태는, 디스플레이 기판을 제공한다.Accordingly, another aspect of the present invention provides a display substrate.

또 본 발명의 또 다른 양태는, 상기 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공한다.Another aspect of the present invention provides a method of manufacturing the display substrate.

본 실시형태에 있어서의 디스플레이 기판의 제조 방법은,The manufacturing method of the display substrate in this embodiment is,

지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과,A step of forming a coating film by applying the aforementioned resin composition on the surface of the support (coating step),

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 과, A step of heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film (heating process);

상기 폴리이미드 수지막 상에 소자 또는 회로를 형성하는 공정 (소자·회로 형성 공정) 과,A step of forming an element or circuit on the polyimide resin film (element and circuit forming step);

상기 소자 또는 회로가 형성된 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정 (박리 공정) Step of peeling the polyimide resin film on which the device or circuit is formed from the support (peeling process)

을 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.

상기 방법에 있어서, 도포 공정, 가열 공정, 및 박리 공정은, 각각, 상기 서술한 수지 필름의 제조 방법과 동일하게 하여 실시할 수 있다. In the said method, a coating process, a heating process, and a peeling process can be performed in the same manner as the manufacturing method of the above-mentioned resin film, respectively.

소자·회로 형성 공정은, 당업자에게 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.The element/circuit formation process can be performed by a method known to those skilled in the art.

상기 물성을 충족하는 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 기존의 폴리이미드 필름이 갖는 황색에 의해 사용이 제한된 용도, 특히 플렉시블 디스플레이용 무색 투명 기판, 컬러 필터용 보호막 등의 용도에 적합하게 사용된다. 나아가서는, 예를 들어, 보호막, TFT-LCD 등에 있어서의 산광 시트 및 도막 (예를 들어, TFT-LCD 의 인터레이어, 게이트 절연막, 액정 배향막 등), 터치 패널용 ITO 기판, 스마트폰용 커버 유리 대체 수지 기판 등의, 무색 투명성, 또한 저복굴절이 요구되는 분야에 있어서도 사용 가능하다. 액정 배향막으로서 본 실시형태에 관련된 폴리이미드를 적용하면, 개구율이 높고, 콘트라스트비가 높은 TFT-LCD 의 제조가 가능해진다.The resin film according to the present embodiment that satisfies the above properties is suitably used in applications where the use of the existing polyimide film is limited by the yellow color, in particular, a colorless transparent substrate for flexible displays, a protective film for color filters, and the like. Furthermore, for example, a diffuser sheet and a coating film (for example, an interlayer of TFT-LCD, a gate insulating film, a liquid crystal alignment film, etc.) in a protective film, TFT-LCD, etc., an ITO substrate for a touch panel, a cover glass for a smartphone It can also be used in fields such as resin substrates, where colorless transparency and low birefringence are required. When the polyimide according to the present embodiment is applied as a liquid crystal alignment film, it is possible to manufacture a TFT-LCD having a high aperture ratio and a high contrast ratio.

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체, 수지 전구체를 사용하여 제조되는 수지 필름 및 적층체는, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등으로서 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디바이스의 제조에 있어서, 특히 기판으로서 적합하게 이용할 수 있다. 여기서, 본 실시형태에 관련된 수지 필름 및 적층체를 적용 가능한 플렉시블 디바이스로는, 예를 들어, 플렉시블 디스플레이, 플렉시블 태양 전지, 플렉시블 터치 패널 전극 기판, 플렉시블 조명, 플렉시블 배터리 등을 들 수 있다.The polyimide precursor and the resin film and laminate obtained using the resin precursor according to the present embodiment can be applied as, for example, semiconductor insulating films, TFT-LCD insulating films, electrode protective films, and the like, and flexible device manufacturing. In particular, it can be suitably used as a substrate. Here, examples of the flexible device to which the resin film and laminate according to the present embodiment can be applied include, for example, flexible displays, flexible solar cells, flexible touch panel electrode substrates, flexible lighting, and flexible batteries.

실시예Example

이하, 본 발명에 대해, 실시예에 기초하여 더욱 상세히 서술하는데, 이들은 설명을 위해서 기술되는 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on Examples, which are described for explanation, and the scope of the present invention is not limited to the following Examples.

실시예 및 비교예에 있어서의 각종 평가는 다음과 같이 실시하였다.Various evaluations in Examples and Comparative Examples were carried out as follows.

<중량 평균 분자량의 측정><Measurement of weight average molecular weight>

중량 평균 분자량 (Mw) 및 수 평균 분자량 (Mn) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로, 하기의 조건에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

용매로서, N,N-디메틸포름아미드 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용, 측정 직전에 24.8 m㏖/ℓ 의 브롬화리튬 1수화물 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 순도 99.5 %) 및 63.2 m㏖/ℓ 의 인산 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 고속 액체 크로마토 그래프용) 을 첨가하여 용해한 것) 를 사용하였다. 중량 평균 분자량을 산출하기 위한 검량선은, 스탠더드 폴리스티렌 (토소사 제조) 을 사용하여 작성하였다.As a solvent, N,N-dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, for high-speed liquid chromatography, 24.8 mmol/L lithium bromide monohydrate (wako Pure Chemical Industries Co., purity 99.5%) and 63.2 m immediately before measurement) A mol/L phosphoric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries Ltd., for high-speed liquid chromatography) was used. The calibration curve for calculating the weight average molecular weight was prepared using standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation).

칼럼:Shodex KD-806M (쇼와 전공사 제조) Column: Shodex KD-806M (Showa Electric Works)

유속:1.0 ㎖/분 Flow rate: 1.0 ml/min

칼럼 온도:40 ℃ Column temperature: 40 ℃

펌프:PU-2080Plus (JASCO 사 제조) Pump: PU-2080Plus (manufactured by JASCO)

검출기:RI-2031Plus (RI:시차 굴절계, JASCO 사 제조) 및 UV-2075Plus (UV-VIS:자외 가시 흡광계, JASCO 사 제조) Detector: RI-2031Plus (RI: Differential refractometer, manufactured by JASCO) and UV-2075Plus (UV-VIS: Ultraviolet visible absorbometer, manufactured by JASCO)

<분자량 1,000 미만의 분자의 함유량 (저분자량체 함유량) 의 평가><Evaluation of content of molecules with a molecular weight less than 1,000 (low molecular weight substance content)>

수지에 있어서의 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 상기에서 얻어진 GPC 의 측정 결과를 이용하여, 분자량 1,000 미만의 성분이 차지하는 피크 면적이 분자량 분포 전체의 피크 면적에서 차지하는 비율 (백분율) 로서 산출하였다.The content of the molecule having a molecular weight of less than 1,000 in the resin was calculated as a ratio (percentage) of the peak area occupied by the components having a molecular weight of less than 1,000 in the peak area of the entire molecular weight distribution using the measurement results of GPC obtained above.

<수분량의 평가><Evaluation of water content>

합성 용제 및 수지 조성물 (바니시) 의 수분량은, 칼피셔 수분 측정 장치 (미량 수분 측정 장치 AQ-300, 히라누마 산업사 제조) 를 사용하여 측정을 실시하였다.The moisture content of the synthetic solvent and the resin composition (varnish) was measured using a Karl Fischer moisture measurement device (a trace moisture measurement device AQ-300, manufactured by Hiranuma Industries).

<수지 조성물의 점도 안정성의 평가><Evaluation of viscosity stability of resin composition>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물에 대해,Regarding the resin composition prepared in each of Examples and Comparative Examples,

조제 후에 실온에서 3 일간 정치 (靜置) 한 샘플을 조제 후의 샘플로 하여 23 ℃ 에 있어서의 점도 측정을 실시하고;After preparation, a sample left at room temperature for 3 days was used as a sample after preparation, and viscosity measurement at 23°C was carried out;

그 후 또한 실온에서 2 주간 정치한 샘플을 2 주일 후의 샘플로 하여, 재차 23 ℃ 에 있어서의 점도 측정을 실시하였다. 이들 점도 측정은, 온조기가 부착된 점도계 (토키 산업계사 제조 TV-22) 를 사용하여 실시하였다.Thereafter, the sample left at room temperature for 2 weeks was used as the sample after 2 weeks, and viscosity measurement at 23°C was performed again. These viscosity measurements were performed using a viscometer (TV-22 manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) with a temperature controller.

상기 측정값을 사용하여, 하기 수식에 의해 실온 2 주간 점도 변화율을 산출하였다.Using the above measured values, the rate of viscosity change at room temperature for 2 weeks was calculated by the following formula.

실온 2 주간 점도 변화율 (%) = [(2 주일 후의 샘플의 점도) ― (조제 후의 샘플의 점도)] / (조제 후의 샘플의 점도) × 100 Viscosity change rate at room temperature for 2 weeks (%) = [(Viscosity of sample after 2 weeks) ― (Viscosity of sample after preparation)] / (Viscosity of sample after preparation) × 100

실온 2 주간 점도 변화율은, 하기 기준으로 평가하였다.The rate of change in viscosity at room temperature for 2 weeks was evaluated based on the following criteria.

◎:점도 변화율이 5 % 이하 (보존 안정성 「우량」) ◎: Viscosity change rate is 5% or less (preservation stability "good")

○:점도 변화율이 5 초과 10 % 이하 (보존 안정성 「양호」) ○: Viscosity change rate is more than 5 and less than 10% (preservation stability "good")

×:점도 변화율이 10 % 초과 (보존 안정성 「불량」) ×: Viscosity change rate exceeded 10% (preservation stability "poor")

<바니시 도포성의 평가><Evaluation of varnish coatability>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물을, 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 15 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다.The resin composition prepared in each of Examples and Comparative Examples was coated on a non-alkali glass substrate (size 37×47 mm, thickness 0.7 mm) using a bar coater, applied to a film thickness of 15 μm after curing, and then at 140° C. And pre-baked for 60 minutes.

바니시의 도포성을, 단차계 (Tencor 사 제조, 형식명 P-15) 를 사용하여 도막 표면의 단차를 측정하여 평가하였다.The coating property of the varnish was evaluated by measuring the step difference on the surface of the coating film using a step meter (manufactured by Tencor, Model P-15).

◎:표면의 단차가 0.1 ㎛ 이하 (도포성 「우량」) ◎: The step difference of the surface is 0.1 µm or less (coating "good")

○:표면의 단차가 0.1 초과 0.5 ㎛ 이하 (도포성 「양호」) ○: The step difference of the surface is more than 0.1 and 0.5 µm or less (coating "good")

×:표면의 단차가 0.5 ㎛ 초과 (도포성 「불량」) ×: The level difference of the surface was more than 0.5 µm (applicable "poor")

<잔류 응력의 평가><Evaluation of residual stress>

미리 「휨량」 을 측정해 둔, 두께 625 ㎛ ± 25 ㎛ 의 6 인치 실리콘 웨이퍼 상에, 각 수지 조성물을 스핀 코터에 의해 도포하고, 100 ℃ 에 있어서 7 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 (縱型) 큐어 로 (爐) (코요 린드버그 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에 있어서 1 시간의 가열 경화 처리 (큐어 처리) 를 실시하고, 경화 후 막두께 10 ㎛ 의 폴리이미드 수지막이 붙은 실리콘 웨이퍼를 제조하였다.Each resin composition was coated with a spin coater on a 6 inch silicon wafer having a thickness of 625 µm ± 25 µm, in which the "bending amount" was measured in advance, and prebaked at 100°C for 7 minutes. Thereafter, the oxygen concentration in the warehouse was adjusted to 10 ppm by mass or less using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindberg, model name VF-2000B), and heated at 430°C for 1 hour. Curing treatment (cure treatment) was performed, and a silicon wafer with a polyimide resin film having a thickness of 10 µm after curing was produced.

이 웨이퍼의 휨량을, 잔류 응력 측정 장치 (텐코르사 제조, 형식명 FLX-2320) 를 사용하여 측정하고, 실리콘 웨이퍼와 수지막 사이에 발생한 잔류 응력을 평가하였다.The warpage amount of this wafer was measured using a residual stress measuring device (manufactured by Tencor Corporation, model name FLX-2320), and the residual stress generated between the silicon wafer and the resin film was evaluated.

◎:잔류 응력이 ―5 초 15 ㎫ 이하 (잔류 응력의 평가 「우량」) ◎: Residual stress is ―5 sec 15 5 or less (evaluation of residual stress “excellent”)

○:잔류 응력이 15 초과 25 ㎫ 이하 (잔류 응력의 평가 「양호」) ○: Residual stress is greater than 15 and less than or equal to 25 MPa (evaluation of residual stress "good")

×:잔류 응력이 25 ㎫ 초과 (잔류 응력의 평가 「불량」) ×: Residual stress exceeded 25 MPa (evaluation of residual stress "bad")

<무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가><Evaluation of warpage of the polyimide resin film formed with an inorganic film>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물을, 표면에 알루미늄 증착층을 형성한 6 인치 실리콘 웨이퍼 기판에, 경화 후 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 100 ℃ 에서 7 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 웨이퍼를 제조하였다. 이 웨이퍼를 사용하여, 폴리이미드 수지막 상에, CVD 법에 의해, 무기막인 질화규소 (SiNx) 막을 350 ℃ 에 있어서 100 ㎚ 의 두께로 형성하고, 무기막/폴리이미드 수지가 형성된 적층체 웨이퍼를 얻었다.The resin composition prepared in each of Examples and Comparative Examples was spin-coated on a 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum vapor-deposited layer formed on its surface so that the film thickness after curing was 10 µm, and pre-baked at 100°C for 7 minutes. Thereafter, the oxygen concentration in the warehouse was adjusted to 10 ppm by mass or less using a vertical cure (manufactured by Koyo Lindberg, model name VF-2000B), and heat-cured at 430°C for 1 hour, and poly A wafer on which a mid resin film was formed was prepared. Using this wafer, a silicon nitride (SiNx) film, which is an inorganic film, was formed on a polyimide resin film by a CVD method to a thickness of 100 nm at 350 deg. C, and a laminate wafer on which an inorganic film/polyimide resin was formed was formed. Got.

상기에서 얻어진 적층체 웨이퍼를 희염산 수용액에 침지하고, 무기막 및 폴리이미드 필름의 2 층을 일체로 하여 웨이퍼로부터 박리함으로써, 표면에 무기막이 형성된 폴리이미드 필름의 샘플을 얻었다. 이 샘플을 사용하여, 폴리이미드 수지막의 휨을 평가하였다.The layered wafer obtained above was immersed in a dilute hydrochloric acid aqueous solution, and two layers of an inorganic film and a polyimide film were integrally peeled from the wafer to obtain a sample of a polyimide film with an inorganic film formed on the surface. The warpage of the polyimide resin film was evaluated using this sample.

◎:휨이 없는 것 (휨 「우량」) ◎:There is no warpage (bending “excellent”)

○:조금 밖에 휨이 없는 것 (휨 「양호」) ○: There is only a slight bending (bending "good")

×:휨에 의해 필름이 둥글게 되어 있는 것 (휨 「불량」) ×: The film is rounded due to bending (bending "bad")

<황색도 (YI 치) 의 평가><Evaluation of yellowness (YI value)>

상기 <무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가> 와 동일하게 하여 웨이퍼 (무기막이 형성되어 있지 않은 것) 를 제조하였다. 그 웨이퍼를 희염산 수용액에 침지하고, 폴리이미드 수지막을 박리함으로써, 수지 필름을 얻었다.A wafer (one in which an inorganic film was not formed) was produced in the same manner as in <evaluation evaluation of the polyimide resin film on which an inorganic film was formed>. A resin film was obtained by immersing the wafer in a dilute hydrochloric acid solution and peeling the polyimide resin film.

얻어진 폴리이미드 수지 필름에 대해, 닛폰 전색 공업 (주) 제조 (Spectrophotometer:SE600) 로 D65 광원을 이용하여 YI 치 (막두께 10 ㎛ 환산) 를 측정하였다.About the obtained polyimide resin film, YI value (film thickness of 10 micrometers equivalent) was measured using the D65 light source with Nippon Electric Color Co., Ltd. (Spectrophotometer: SE600).

<신장도 및 파단 강도의 평가><Evaluation of elongation and breaking strength>

상기 <무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가> 와 동일하게 하여 웨이퍼 (무기막이 형성되어 있지 않은 것) 를 제조하였다. 다이싱 소 (주식회사 디스코 제조 DAD 3350) 를 사용하여 그 웨이퍼의 폴리이미드 수지막에 3 ㎜ 폭의 새김눈을 넣은 후, 희염산 수용액에 하룻밤 담가 수지막 편 (片) 을 박리하고, 건조시켰다. 이것을, 길이 50 ㎜ 로 컷하고, 샘플로 하였다.A wafer (one in which an inorganic film was not formed) was produced in the same manner as in <evaluation evaluation of the polyimide resin film on which an inorganic film was formed>. Using a dicing saw (DAD 3350 manufactured by Disco Co., Ltd.), a 3 mm-wide groove was placed in the polyimide resin film of the wafer, and then the resin film piece was immersed in a dilute hydrochloric acid solution overnight, and dried. This was cut to a length of 50 mm and used as a sample.

상기의 샘플에 대해, TENSILON (오리엔텍사 제조 UTM-II-20) 을 사용하여, 시험 속도 40 ㎜/min, 초기 가중 0.5 fs 로 신장도 및 파단 강도를 측정하였다.For the above sample, elongation and breaking strength were measured using a TENSILON (UTM-II-20 manufactured by Orientec) at a test rate of 40 mm/min and an initial weight of 0.5 fs.

<폴리이미드 수지막의 308 ㎚ 에 있어서의 흡광도 측정><Measurement of absorbance at 308 nm of polyimide resin film>

석영 유리 기판 상에 상기 바니시를 각각을 스핀 코트하고, 질소 분위기하, 430 ℃ 에 있어서 1 시간 가열함으로써, 막두께 0.1 ㎛ 의 폴리이미드 수지막을 각각 얻었다. 이들 폴리이미드막에 대해, UV-1600 (시마즈사 제조) 을 사용하여 308 ㎚ 에 있어서의 흡광도를 측정하였다.Each of the above varnishes was spin-coated on a quartz glass substrate, and heated in a nitrogen atmosphere at 430°C for 1 hour to obtain polyimide resin films each having a film thickness of 0.1 µm. About these polyimide films, the absorbance at 308 nm was measured using UV-1600 (manufactured by Shimadzu Corporation).

[실시예 1] [Example 1]

질소 치환한 500 ㎖ 세퍼러블 플라스크에, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 을 96 g 넣고, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB) 를 17.71 g (77.6 m㏖) 및 4,4'-디아미노디페닐술폰 (DAS) 을 4.82 g (19.4 m㏖) 넣고, 교반하여 APAB 및 DAS 를 용해시켰다. 그 후, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물 (BPDA) 을 29.42 g (100 m㏖) 첨가하고, 질소 플로우하에서 80 ℃ 에 있어서 3 시간 교반하에 중합 반응을 실시하였다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 상기 NMP 를 첨가하여 용액 점도가 51,000 mPa·s 가 되도록 조정함으로써, 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 한다) P-1 을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 65,000 이었다.In a nitrogen-substituted 500 ml separable flask, 96 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added, and 17.71 g (77.6 mmol) and 4 of 4-aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB) were added. ,4'-diaminodiphenylsulfone (DAS) was added 4.82 g (19.4 mmol) and stirred to dissolve APAB and DAS. Subsequently, 29.42 g (100 mmol) of biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added, and the polymerization reaction was performed under nitrogen flow at 80°C for 3 hours with stirring. It was carried out. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature, and the solution viscosity was adjusted to 51,000 mPa·s by adding the NMP, thereby obtaining an NMP solution of polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish) P-1. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyamic acid was 65,000.

[실시예 2 ∼ 21 및 비교예 1 ∼ 5] [Examples 2 to 21 and Comparative Examples 1 to 5]

상기 실시예 1 에 있어서, 원료의 투입량 (몰비), 사용 용매의 종류, 중합 온도, 및 중합 시간을, 각각, 표 1 에 기재된 대로 변경한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 바니시 P-2 ∼ P-26 을 얻었다.In Example 1, the input amount (molar ratio) of the raw material, the type of the solvent used, the polymerization temperature, and the polymerization time were changed in the same manner as in Example 1, respectively, except that the varnish P- was changed. 2-P-26 was obtained.

각 바니시에 함유되는 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 을, 표 1 에 합쳐 나타내었다.Table 1 shows the weight average molecular weight (Mw) of the polyamic acid contained in each varnish.

Figure 112018013190568-pct00032
Figure 112018013190568-pct00032

표 1 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각, 이하의 의미이다.The abbreviations of each component in Table 1 are respectively the following meanings.

BPDA:3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

PMDA:피로멜리트산 2무수물 PMDA: pyromellitic anhydride

TAHQ:p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물) TAHQ: p-phenylene bis (trimellitate anhydride)

APAB:4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트APAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate

ATAB:2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트ATAB: 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate

BABB:[4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 BABB: [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate

BAFL:9,9-비스(아미노페닐)플루오렌BAFL: 9,9-bis (aminophenyl) fluorene

BFAF:9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌 BFAF: 9,9-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene

TFMB:2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl) benzidine

DAS:4,4'-디아미노디페닐술폰 DAS: 4,4'-diaminodiphenylsulfone

NMP:N-메틸-2-피롤리돈 NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

DMF:N,N-디메틸포름아미드 DMF: N,N-dimethylformamide

DMAc:N,N-디메틸아세트아미드DMAc: N,N-dimethylacetamide

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 바니시 P-1 ∼ P-26 을, 그대로 수지 조성물로서 사용하고, 상기 서술한 방법에 따라 평가를 실시하였다. 평가 결과는 표 2 에 나타내었다.The varnishes P-1 to P-26 obtained in the above Examples and Comparative Examples were used as resin compositions as they were, and evaluated according to the methods described above. Table 2 shows the evaluation results.

Figure 112018013190568-pct00033
Figure 112018013190568-pct00033

표 1 및 표 2 로부터 분명한 바와 같이, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위만을 포함하는, 비교예 1, 2 에서 얻어진 폴리이미드 필름은, 필름이 물러, 신장도 등의 물성 평가를 할 수 없었다. 또, 잔류 응력도 높은 결과가 되었다. 또, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위만을 포함하는, 비교예 3 에서 얻어진 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 높아, 무기막을 형성한 후에 휨이 발생하고, 신장도도 낮았다.As apparent from Table 1 and Table 2, the polyimide films obtained in Comparative Examples 1 and 2, which contained only the structural units represented by General Formula (1), were unable to evaluate physical properties such as elongation. Moreover, the residual stress also became a high result. Moreover, the polyimide film obtained in Comparative Example 3 containing only the structural unit represented by the general formula (2) had a high residual stress, warpage occurred after forming the inorganic film, and the elongation was also low.

한편, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위와, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위를, 몰비 99/1 ∼ 1/99 로 포함하는, 실시예 1 ∼ 21 로부터 얻어진 폴리이미드 필름은, 황색도가 20 이하로 낮고, 잔류 응력도 25 ㎫ 이하로 낮고, 신장도는 20 % 이상으로 높은 결과가 되었다. 또, 무기막을 형성한 후의 휨도 발생하지 않거나, 또는 발생하였다고 해도 극히 미미하였다.On the other hand, the polyimide film obtained from Examples 1 to 21, which contains the structural unit represented by the general formula (1) and the structural unit represented by the general formula (2) in a molar ratio of 99/1 to 1/99, is yellow. The result was as low as 20 or less, the residual stress was as low as 25 MPa or less, and the elongation was as high as 20% or more. In addition, even if the warpage after forming the inorganic film did not occur or occurred, it was extremely slight.

상기 표 2 의 결과로부터, 본 발명에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 수지 필름은, 황색도가 작고, 잔류 응력이 낮고, 기계적 물성이 우수한 수지 필름인 것이 확인되었다.From the results of Table 2 above, it was confirmed that the polyimide resin film obtained from the resin composition according to the present invention is a resin film having small yellowness, low residual stress, and excellent mechanical properties.

구체적으로는, 본 발명에서는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, 황색도 YI 가 30 이하이고, 신장도가 15 % 이상인 수지 필름이 얻어진다.Specifically, in the present invention, a resin film having a residual stress of 25 MPa or less, a yellowness YI of 30 or less, and an elongation of 15% or more is obtained.

[실시예 22] [Example 22]

질소 치환한 500 ㎖ 세퍼러블 플라스크에, 18 ℓ 캔 개봉 직후의 N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) (수분량 250 질량ppm) 을, 고형분 함유량 17 wt% 에 상당하는 양을 넣고, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB, 순도 99.5 %, 니혼 쥰료 약품 주식회사 제조) 5.71 g (25.0 m㏖) 을 넣고, 교반하여 APAB 를 용해시켰다. 그 후, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물 (BPDA, 순도 99.5 %, 마나크 주식회사 제조) 을 7.36 g (25.0 m㏖) 첨가하고, 질소 플로우하에서 80 ℃ 에 있어서 3 시간 교반하에 중합 반응을 실시하였다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 상기 NMP 를 첨가하여 용액 점도가 51,000 mPa·s 가 되도록 조정함으로써, 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 한다) P-27 을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 128,000 이고, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은 0.01 질량% 였다.In an nitrogen-substituted 500 ml separable flask, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) (moisture content 250 mass ppm) immediately after opening of an 18-liter can was added in an amount equivalent to 17 wt% of solid content, and 4- 5.71 g (25.0 mmol) of aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB, purity 99.5%, manufactured by Nippon Pharmaceuticals Co., Ltd.) was added and stirred to dissolve APAB. Subsequently, 7.36 g (25.0 mmol) of biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (BPDA, purity 99.5%, manufactured by Manak Co., Ltd.) was added, and it was 80°C under nitrogen flow. The polymerization reaction was carried out under stirring for 3 hours. Thereafter, the mixture was cooled to room temperature, and the solution viscosity was adjusted to 51,000 mPa·s by adding the NMP to obtain an NMP solution of polyamic acid (hereinafter also referred to as varnish) P-27. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyamic acid was 128,000, and the content of the molecule with a molecular weight less than 1,000 was 0.01 mass%.

[실시예 23 ∼ 33 및 비교예 6 ∼ 11] [Examples 23 to 33 and Comparative Examples 6 to 11]

상기 실시예 22 에 있어서, 원료의 종류, 원료의 투입량, 사용 용매의 종류, 중합 온도, 및 중합 시간을, 각각, 표 3 에 기재된 대로 변경한 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 하여, 바니시 P-28 ∼ P-44 를 얻었다.In Example 22, varnish P was the same as in Synthesis Example 1, except that the type of the raw material, the amount of the raw material, the type of the solvent used, the polymerization temperature, and the polymerization time were changed as described in Table 3, respectively. -28 to P-44 were obtained.

각 바니시에 함유되는 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 을, 표 3 에 함께 나타내었다.Table 3 shows the weight average molecular weight (Mw) of the polyamic acid contained in each varnish.

Figure 112018013190568-pct00034
Figure 112018013190568-pct00034

표 3 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각, 이하의 의미이다.The abbreviation of each component in Table 3 has the following meaning respectively.

BPDA:비페닐테트라카르복실산 2무수물, 순도 99.5 %, 미츠비시 화학 주식회사 제조 BPDA: Biphenyltetracarboxylic dianhydride, purity 99.5%, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

TAHQ:p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물), 순도 99.5 %, 마나크 주식회사 제조 TAHQ: p-phenylenebis (trimellitate anhydride), purity 99.5%, manufactured by Manak Co., Ltd.

PMDA:피로멜리트산 2무수물 PMDA: pyromellitic anhydride

APAB:4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트, 순도 99.5 % APAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate, purity 99.5%

4,3-APAB:4-아미노페닐-3-아미노벤조에이트, 순도 99.5 % 4,3-APAB: 4-aminophenyl-3-aminobenzoate, purity 99.5%

ATAB:2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 ATAB: 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate

BABB:[4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 BABB: [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate

NMP 1:18 ℓ 캔 개봉 직후의 것, 수분량 250 ppmNMP 1: 18 ℓ Can immediately after opening, water content 250 ppm

NMP 2:500 ㎖ 병에 들은 물품을 개봉 후 1 개월 방치한 것, 수분량 3,070 ppmNMP 2: 500 ml Bottles left unopened for 1 month after opening, moisture content 3,070 ppm

DMF:500 ㎖ 병에 들은 것 개봉 후의 것, 수분량 3510 ppmDMF: 500 ml bottled thing after opening, moisture content 3510 ppm

DMAc:500 ㎖ 병에 들은 것 개봉 후의 것, 수분량 3430 ppmDMAc: 500 ml bottled thing after opening, moisture content 3430 ppm

[실시예 22 ∼ 33 및 비교예 6 ∼ 11] [Examples 22 to 33 and Comparative Examples 6 to 11]

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 바니시 P-27 ∼ P-44 를, 그대로 수지 조성물로서 사용하고, 상기 서술한 방법에 따라 평가를 실시하였다. 평가 결과는 표 4 에 나타내었다.Varnishes P-27 to P-44 obtained in the above Examples and Comparative Examples were used as resin compositions as they were, and evaluated according to the methods described above. Table 4 shows the evaluation results.

Figure 112018013190568-pct00035
Figure 112018013190568-pct00035

표 3 및 표 4 로부터 분명한 바와 같이, 폴리이미드 전구체 (바니시) 의 중량 평균 분자량이 3,0000 이하인 비교예 6 (P-39), 비교예 7 (P-40), 비교예 8 (P-41), 비교예 10 (P-43) 및 비교예 11 (P-44) 에서는, 잔류 응력이 크고, 휨도 컸다. 또 황색도가 크고, 신장도 및 파단 강도도 작았다. 특히, 수분량이 많은 비교예 10, 11 에서는, 막이 매우 물렀다.As is apparent from Tables 3 and 4, Comparative Example 6 (P-39), Comparative Example 7 (P-40), and Comparative Example 8 (P-41) having a weight average molecular weight of 3,0000 or less of the polyimide precursor (varnish) ), Comparative Example 10 (P-43) and Comparative Example 11 (P-44) had a large residual stress and a large warpage. Moreover, yellowness was large, elongation and breaking strength were also small. In particular, in Comparative Examples 10 and 11 with a large amount of moisture, the membrane was very wet.

한편, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 30,0000 이상인 비교예 9 (P-42) 에서는, 잔류 응력, 휨은 작고, 황색도도 낮고, 신장도 및 파단 강도도 컸지만, 도포성이 나빠져 버렸다.On the other hand, in Comparative Example 9 (P-42) in which the weight average molecular weight of the polyimide precursor was 30,0000 or more, the residual stress and bending were small, the yellowness was low, the elongation and the breaking strength were also large, but the applicability was poor. .

이에 반해, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 폴리이미드 전구체 P-27 ∼ P-38 을 사용한 실시예 22 ∼ 실시예 33 에서는, 잔류 응력이 낮고, 휨도 작고, 황색도가 낮고, 신장도 및 파단 강도도 큰, 어느 특성에서도 우수한 결과가 얻어졌다.On the other hand, in Examples 22 to 33 using the polyimide precursors P-27 to P-38 having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less, the residual stress is low, the bending is small, the yellowness is low, the elongation and Excellent results were obtained in any of the properties, which also had a high breaking strength.

상기 표 4 의 결과로부터, 본 발명에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 수지 필름은, 황색도가 작고, 잔류 응력이 낮고, 기계적 물성이 우수한 수지 필름인 것이 확인되었다.From the results of Table 4 above, it was confirmed that the polyimide resin film obtained from the resin composition according to the present invention was a resin film having a small yellowness, low residual stress, and excellent mechanical properties.

구체적으로는, 본 발명에서는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, 황색도 YI 가 20 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 신장도가 15 % 이상이며, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상인 수지 필름이 얻어진다.Specifically, in the present invention, the resin film having a residual stress of 25 MPa or less, a yellowness YI of 20 or less, a glass transition temperature of 400°C or more, an elongation of 15% or more, and a breaking strength of 250 MPa or more. This is obtained.

다음에 나타내는 실시예 34 ∼ 실시예 45 에서는, 수지 조성물에 계면 활성제 및 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 첨가했을 경우의 효과에 대해 실험을 실시하였다.In Examples 34 to 45 shown below, experiments were conducted on the effect when at least one selected from the group consisting of a surfactant and an alkoxysilane compound was added to the resin composition.

[실시예 34] [Example 34]

먼저, 상기 실시예 22 에서 얻어진 바니시 P-27 을 수지 조성물로서 그대로 사용하여, 이하의 순서에 의해 도공 줄무늬의 평가를 실시하였다.First, using the varnish P-27 obtained in Example 22 as a resin composition as it was, evaluation of coating streaks was performed by the following procedure.

<도공 줄무늬의 평가 (도공성)><Evaluation of coating streaks (coating properties)>

상기의 수지 조성물을, 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 15 ㎛ 가 되도록 도공하였다. 도공 후, 실온에 있어서 10 분간 방치한 후, 얻어진 도막에 도공 줄무늬가 발생되어 있지 않은지를 육안으로 확인하였다. 동일한 수지 조성물을 사용하여 3 회의 도공을 실시하고, 각 도막에 대해 도공 줄무늬의 갯수를 조사하고, 그 평균값을 사용하여 하기 기준에 의해 평가를 실시하였다.The above resin composition was coated on a non-alkali glass substrate (size 37 x 47 mm, thickness 0.7 mm) using a bar coater so that the film thickness after curing was 15 µm. After coating, after standing at room temperature for 10 minutes, it was visually confirmed whether coating streaks were not generated in the obtained coating film. Three coatings were performed using the same resin composition, and the number of coating stripes was examined for each coating film, and evaluation was performed based on the following criteria using the average value.

◎:폭 1 ㎜ 이상, 길이 1 ㎜ 이상이 연속한 도공 줄무늬가 0 개 (도공 줄무늬의 평가 「우량」) ◎: 0 coating stripes having a width of 1 mm or more and a length of 1 mm or more in succession (evaluation of coating stripes "good")

○:상기 도공 줄무늬가 1 또는 2 개 (도공 줄무늬의 평가 「양호」) ○: 1 or 2 coating stripes above (evaluation "good" for coating stripes)

△:상기 도공 줄무늬가 3 ∼ 5 개 (도공 줄무늬의 평가 「좋음」) △: 3 to 5 coating stripes above (evaluation of coating stripes "good")

평가 결과는 표 5 에 나타내었다.Table 5 shows the evaluation results.

[실시예 35 ∼ 45] [Examples 35 to 45]

상기 실시예 22 에서 얻어진 바니시 P-27 에, 추가 첨가제로서 표 5 에 나타낸 종류 및 양의 계면 활성제 또는 알콕시실란 화합물을 각각 첨가한 후, 0.1 ㎛ 의 필터로 여과함으로써, 수지 조성물을 조제하였다.A resin composition was prepared by adding a surfactant and an alkoxysilane compound of the kind and amount shown in Table 5 as additional additives to the varnish P-27 obtained in Example 22, respectively, and then filtering through a 0.1 µm filter.

상기 수지 조성물을 사용하여, 실시예 34 와 동일하게 하여 도공 줄무늬의 평가를 실시하였다. 결과를 표 5 에 나타내었다.Using the above resin composition, coating stripes were evaluated in the same manner as in Example 34. Table 5 shows the results.

Figure 112018013190568-pct00036
Figure 112018013190568-pct00036

표 5 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각 이하의 의미이다. 표 5 에 있어서의 이들 성분의 사용량은, 각각, 바니시에 함유되는 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대한 배합량 (사용량) 이다. 실시예 39 및 45 에 있어서는, 계면 활성제 1 과 알콕시실란 화합물 1 을 병용하였다.The abbreviation of each component in Table 5 has the following meaning respectively. The usage-amount of these components in Table 5 is the compounding quantity (consumption amount) with respect to 100 mass parts of polyimide precursors contained in varnish, respectively. In Examples 39 and 45, surfactant 1 and alkoxysilane compound 1 were used in combination.

계면 활성제 1:DBE-821, 제품명, 실리콘계 계면 활성제, Gelest 제조Surfactant 1: DBE-821, product name, silicone surfactant, Gelest production

계면 활성제 2:메가팍 F171, 제품명, 불소계 계면 활성제, DIC 제조Surfactant 2: Megapak F171, product name, fluorine-based surfactant, DIC production

알콕시실란 화합물 1:하기 일반식 (AS-1) 로 나타내는 화합물 Alkoxysilane compound 1: Compound represented by the following general formula (AS-1)

알콕시실란 화합물 2:하기 일반식 (AS-2) 로 나타내는 화합물 Alkoxysilane compound 2: Compound represented by the following general formula (AS-2)

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112018013190568-pct00037
Figure 112018013190568-pct00037

표 5 로부터 분명한 바와 같이, 계면 활성제 또는 알콕시실란 화합물을 함유한 실시예 35 ∼ 실시예 39, 및 실시예 41 ∼ 45 에서는, 함유하지 않는 실시예 34 및 40 에 비해 도공 줄무늬의 발생이 억제되고, 표면 평활성이 우수한 폴리이미드 수지막이 얻어지는 것을 알 수 있었다.As is clear from Table 5, in Examples 35 to 39 and Examples 41 to 45 containing a surfactant or an alkoxysilane compound, generation of coating streaks was suppressed compared to Examples 34 and 40 not containing, It was found that a polyimide resin film excellent in surface smoothness was obtained.

[실시예 46] [Example 46]

바니시 P-27 을 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 10 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다. 계속해서 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 유리 기판을 제조하였다. 이 폴리이미드 필름 상에 아모르퍼스 실리콘층을 형성하고, 430 ℃ 에서 1 시간 탈수소 어닐을 실시하고, 계속해서 엑시머 레이저를 조사함으로써, LTPS 층을 형성하였다. 엑시머 레이저 (파장 308 ㎚, 반복 주파수 300 ㎐) 에 의해 유리 기판을 박리하고, 폴리이미드 필름과 LTPS 층을 포함하는 적층체를 얻었다. The varnish P-27 was applied onto an alkali-free glass substrate (size 37×47 mm, thickness 0.7 mm) using a bar coater, and then cured to a thickness of 10 μm, followed by pre-baking at 140° C. for 60 minutes. Subsequently, the oxygen concentration in the warehouse was adjusted to 10 ppm or less by using a vertical cure (manufactured by Koyo Lindbergh, model name VF-2000B), followed by heat curing treatment at 430°C for 1 hour, and polyimide. A glass substrate on which a resin film was formed was prepared. An amorphous silicon layer was formed on this polyimide film, dehydrogenation was performed at 430°C for 1 hour, and the LTPS layer was formed by continuously irradiating an excimer laser. The glass substrate was peeled off with an excimer laser (wavelength 308 nm, repetition frequency 300 Hz) to obtain a laminate comprising a polyimide film and an LTPS layer.

이 적층체는 휨이 없고 황색도도 20 이하였다.This laminate had no warpage and a yellowness of 20 or less.

[실시예 47] [Example 47]

바니시 P-1 을 사용하는 것 이외에는, 실시예 46 과 동일한 방법으로 적층체를 얻었다. 이 적층체는 휨이 없고 황색도도 20 이하였다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 46, except that the varnish P-1 was used. This laminate had no warpage and a yellowness of 20 or less.

[비교예 12][Comparative Example 12]

바니시 P-24 를 사용하는 것 이외에는, 실시예 46 과 동일한 방법으로 적층체를 얻었다. 이 적층체는 휨이 크고, 폴리이미드 필름의 일부에 균열이 들어갔다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 46, except that the varnish P-24 was used. This laminate had large warpage and cracks in part of the polyimide film.

[합성예] [Synthesis example]

딘스타크 장치 및 환류기를 장착한 세퍼러블 플라스크에, 질소 분위기하, APAB 를 2.24 g (9.8 m㏖), NMP 를 16.14 g 및 톨루엔을 50 g 넣고, 교반하에 APAB 를 용해시켰다. 거기에, H-PMDA 를 2.24 g (10.0 m㏖) 첨가하여, 180 ℃ 에 있어서 2 시간 환류한 후, 3 시간 걸쳐 공비 용매인 톨루엔을 제거하였다. 플라스크의 내용물을 40 ℃ 까지 냉각시키고, IR 로부터 아미드 결합에서 유래하는 1,650 ㎝- 1 부근의 흡수 (C=O) 가 소실되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, APAB 를 8.95 g (39.2 m㏖), NMP 를 121.6 g, PMDA 를 6.54 g (30.0 m㏖) 및 6FDA 를 4.44 g (10.0 m㏖) 첨가하여 80 ℃ 에 있어서 4 시간 교반함으로써, 폴리이미드-폴리아미드산 중합체의 바니시를 얻었다 (P-45). 얻어진 폴리이미드-폴리아미드산 중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 82,000 이었다.In a separable flask equipped with a Dean Stark apparatus and a reflux, 2.24 g (9.8 mmol) of APAB, 16.14 g of NMP and 50 g of toluene were added under nitrogen atmosphere, and APAB was dissolved under stirring. To this, 2.24 g (10.0 mmol) of H-PMDA was added, refluxed at 180° C. for 2 hours, and toluene as an azeotropic solvent was removed over 3 hours. The contents of the flask was cooled to 40 ℃, 1,650 ㎝ derived from an amide bond from the IR - it was confirmed that the absorption of near 1 (C = O) is lost. Polyimide was then added by adding 8.95 g (39.2 mmol) of APAB, 121.6 g of NMP, 6.54 g (30.0 mmol) of PMDA and 4.44 g (10.0 mmol) of 6FDA, followed by stirring at 80°C for 4 hours. -Varnish of polyamic acid polymer was obtained (P-45). The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyimide-polyamic acid polymer was 82,000.

[실시예 48 ∼ 53, 비교예 13] [Examples 48 to 53, Comparative Example 13]

도 1 에 나타내는 바와 같은 유기 EL 기판을 제조하였다.An organic EL substrate as shown in Fig. 1 was produced.

폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) 를 마더 글라스 기판 (두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 10 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다. 계속해서 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 유리 기판을 제조하였다.A polyimide precursor varnish (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) was used on a mother glass substrate (0.7 mm thick) using a bar coater, After curing, it was applied to a thickness of 10 µm, and then prebaked at 140°C for 60 minutes. Subsequently, the oxygen concentration in the warehouse was adjusted to 10 ppm or less by using a vertical cure (manufactured by Koyo Lindbergh, model name VF-2000B), followed by heat curing treatment at 430°C for 1 hour, and polyimide. A glass substrate on which a resin film was formed was prepared.

계속해서 CVD (Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 SiN 층을 두께 100 ㎚ 로 성막하였다.Subsequently, a SiN layer was formed into a thickness of 100 nm by CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

계속해서 티탄을 스퍼터링법에 의해 성막하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해 패터닝을 실시하고, 주사 신호선을 형성하였다.Subsequently, titanium was formed into a film by a sputtering method, and then patterned by a photolithography method to form a scanning signal line.

다음으로, 주사 신호선이 형성된 유리 기판 전체에, CVD 법에 의해 SiN 층을 두께 100 ㎚ 로 성막하였다. (여기까지를 하부 기판 (2a) 으로 한다) Next, a SiN layer was formed to a thickness of 100 nm on the entire glass substrate on which the scanning signal lines were formed by CVD. (This is referred to as the lower substrate 2a)

계속해서 하부 기판 (2a) 상에 아모르퍼스 실리콘층 (256) 을 형성하고, 430 ℃ 에서 1 시간 탈수소 어닐을 실시하고, 계속해서 엑시머 레이저를 조사함으로써, LTPS 층을 형성하였다.Then, an amorphous silicon layer 256 was formed on the lower substrate 2a, dehydrogenation was performed at 430° C. for 1 hour, and the LTPS layer was formed by continuously irradiating an excimer laser.

그 후에 하부 기판 (2a) 의 전체면에 스핀 코트법으로 감광성의 아크릴 수지를 코트하고, 포토리소그래피법에 의해 노광, 현상을 실시하여 복수의 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258) 을 형성하였다. 이 컨택트홀 (257) 에 의해, 각 LTPS (256) 의 일부가 노출된 상태로 하였다.Subsequently, a photosensitive acrylic resin is coated on the entire surface of the lower substrate 2a by a spin coating method, and exposure and development are performed by a photolithography method to obtain an interlayer insulating film 258 having a plurality of contact holes 257. Formed. A portion of each LTPS 256 was exposed by the contact hole 257.

다음으로 층간 절연막 (258) 이 형성된 하부 기판 (2a) 의 전체면에 스퍼터법으로 ITO 막을 성막하고, 포토리소그래피법에 의해 노광, 현상을 실시하고, 에칭 법에 의해 패터닝을 실시하고, 각 LTPS 와 쌍을 이루도록 하부 전극 (259) 을 형성하였다.Next, an ITO film is formed on the entire surface of the lower substrate 2a on which the interlayer insulating film 258 is formed by sputtering, exposure and development are performed by a photolithography method, patterning is performed by an etching method, and each LTPS and The lower electrode 259 was formed to form a pair.

또한, 각 컨택트홀 (257) 에 있어서, 층간 절연막 (258) 을 관통하는 하부 전극 (252) 과 LTPS (256) 를 전기적으로 접속하였다. In addition, in each contact hole 257, the lower electrode 252 penetrating the interlayer insulating film 258 and the LTPS 256 were electrically connected.

다음으로 격벽 (251) 을 형성한 후에, 격벽 (251) 으로 구획된 각 공간 내에, 정공 수송층 (253), 발광층 (254) 을 형성하였다. 또, 발광층 (254) 및 격벽 (251) 을 덮도록 상부 전극 (255) 을 형성하였다. 상기 공정에 의해 유기 EL 기판 (25) 을 제조하였다.Next, after forming the partition wall 251, a hole transport layer 253 and a light emitting layer 254 were formed in each space partitioned by the partition wall 251. In addition, the upper electrode 255 was formed to cover the light emitting layer 254 and the partition wall 251. An organic EL substrate 25 was produced by the above process.

다음으로, 유리 기판과 본 실시형태의 폴리이미드 필름과 SiN 층이 이 순서로 형성된 봉지 기판 (2b) 의 주변에 자외선 경화 수지를 코트하고, 아르곤 가스 분위기 중에서 봉지 기판 (2b) 과 유기 EL 기판을 접착시킴으로써, 유기 EL 소자를 봉입하였다. 이에 따라, 각 유기 EL 소자와 봉지 기판 (2b) 사이에는 중공부 (261) 를 형성하였다.Next, a UV curable resin is coated around the glass substrate, the encapsulation substrate 2b in which the polyimide film of the present embodiment and the SiN layer are formed in this order, and the encapsulation substrate 2b and the organic EL substrate in an argon gas atmosphere. The organic EL element was sealed by bonding. Accordingly, a hollow portion 261 was formed between each organic EL element and the sealing substrate 2b.

이와 같이 형성한 적층체의 하부 기판 (2a) 측, 및 봉지 기판 (2b) 측으로부터 엑시머 레이저 (파장 308 ㎚, 반복 주파수 300 ㎐) 를 조사하고, 전체면을 박리하는 데에 필요한 최소 에너지로 박리를 실시하였다.The excimer laser (wavelength 308 nm, repetition frequency 300 Hz) is irradiated from the lower substrate 2a side and the encapsulation substrate 2b side of the thus-formed laminate, and peeled with the minimum energy required to peel the entire surface. Was conducted.

이 적층체에 대해, 박리 후의 기판 휨, 점등 시험, 적층체의 백탁 평가, 의 유무 평가를 실시하였다. 또, 히트 사이클 시험에 대해서도 실시하였다. 결과를 표 6 에 나타낸다.About this laminated body, the board|substrate bending after peeling, the lighting test, the cloudiness evaluation of a laminated body, and the presence or absence evaluation were performed. Moreover, it carried out also about the heat cycle test. Table 6 shows the results.

<기판 휨><substrate bending>

◎:휨이 없는 것◎:No warping

○:조금 밖에 휨이 없는 것○: There is only a slight bending

△:휨에 의해 둥글게 되어 있는 것△: Rounded by bending

<점등 시험><Lighting test>

○:점등한 것○: Lighted

×:점등하지 않은 것×: Not lit

<적층체 백탁 평가><Laminated body cloudiness evaluation>

적층체를 형성한 후에, 디바이스 전체가 투명한 것을 ○, 약간 백탁하고 있는 것을 △, 백탁한 것을 × 로 하였다.After the layered product was formed, the whole device was designated as a transparent one, △ as slightly cloudy, and Δ as cloudy.

<히트 사이클 시험><Heat cycle test>

에스펙 제조 히트 사이클 시험기를 사용하여, ―5 ℃ 와 60 ℃ 를 각각 30 분 (조 (槽) 의 이동 시간 1 분) 에서 1000 사이클 시험한 후의 외관 관찰을 실시하였다.The external appearance observation was performed after 1000 cycle test of -5 degreeC and 60 degreeC at 30 minutes (bath moving time 1 minute), respectively, using the SPEC manufactured heat cycle tester.

박리나 부풀음이 없는 것을 ○, 시험 후에 박리나 부풀음이 극히 일부 관찰된 것을 △, 시험 후에 전면적으로 박리나 부풀음이 관찰된 것을 × 로 하였다.The absence of peeling or swelling was set to ○, and the peeling or swelling was observed to be very partially after the test.

Figure 112018013190568-pct00038
Figure 112018013190568-pct00038

[실시예 54 ∼ 58, 비교예 14] [Examples 54 to 58, Comparative Example 14]

폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) 를 사용하고 상기의 적층체 제조시에, LTPS 를 IGZO 로 한 것 이외에는 적층체 제조를 실시하고, 상기 시험을 실시하였다. 결과를 표 7 에 나타낸다.When polyimide precursor varnish (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) was used and the above laminate was produced, LTPS was set to IGZO Except for this, a laminate was produced and the test was conducted. Table 7 shows the results.

Figure 112018013190568-pct00039
Figure 112018013190568-pct00039

[실시예 59 ∼ 63, 비교예 15] [Examples 59 to 63, Comparative Example 15]

YI 가 20 이하, 막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 신장도가 15 % 이상을 부여하는 폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-27, P-33, P-45) 에 대해, 상기의 레이저 박리시의 레이저 박리에 필요로 하는 최소 에너지, 및 최소 에너지에 10 mJ/㎠ 를 더한 에너지로 조사했을 때의 애쉬 (회분 (灰分)) 에 대해 평가를 실시하였다. 애쉬가 전혀 발생하지 않은 것을 ○, 가장자리에 조금 애쉬가 관찰된 것을 △, 전면적으로 애쉬가 관찰된 것을 × 로 하였다. 결과를 표 8 에 나타낸다.Polyimide precursor varnish (P-1, P-11, P-20, P) that gives absorbance of 308 nm when YI is 20 or less and film thickness of 0.1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less, and gives elongation of 15% or more. -27, P-33, P-45) ash when irradiated with the minimum energy required for laser exfoliation at the time of the laser exfoliation, and the energy with 10 mJ/cm 2 added to the minimum energy (ash content )). ○ that no ash was generated at all, Δ that a little ash was observed at the edge, and Δ that the entire ash was observed were set to ×. Table 8 shows the results.

Figure 112018013190568-pct00040
Figure 112018013190568-pct00040

본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 수지 필름은, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등에 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디스플레이의 제조, 터치 패널 ITO 전극용 기판 등에 있어서, 특히 기판으로서 적합하게 이용할 수 있다.The resin film formed from the polyimide precursor of the present invention can be applied to, for example, a semiconductor insulating film, a TFT-LCD insulating film, an electrode protective film, etc., in particular, in the production of flexible displays, substrates for touch panel ITO electrodes, etc. It can be suitably used as a substrate.

Claims (24)

(a1) 하기 일반식 (1):
Figure 112019077690643-pct00041

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과,
하기 일반식 (2):
Figure 112019077690643-pct00042

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. Y 는 하기 일반식 (3) 및 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다.} 로 나타내는 구조 단위 M 을,
1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 로 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.
Figure 112019077690643-pct00043

Figure 112019077690643-pct00044

{식 중, R4 ∼ R9 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. Z 는 각각 독립적으로 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르 또는 케톤을 나타낸다. d ∼ i 는 0 ∼ 4 의 정수이다.}
(a1) The following general formula (1):
Figure 112019077690643-pct00041

{In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Structural units L represented by },
The following general formula (2):
Figure 112019077690643-pct00042

{In the formula, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3) and (4).
A polyimide precursor comprising 1/99 ≤ (molar number of structural units L/molar number of structural units M) ≤ 99/1.
Figure 112019077690643-pct00043

Figure 112019077690643-pct00044

{In the formula, R 4 to R 9 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Z each independently represents a single bond, a methylene group, an ethylene group, an ether or a ketone. d to i are integers from 0 to 4}
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 에 있어서의 n 이 0 인 폴리이미드 전구체.
According to claim 1,
The polyimide precursor whose n in the said general formula (1) is 0.
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (3) 인 폴리이미드 전구체.
According to claim 1,
The polyimide precursor whose Y of said general formula (2) is general formula (3).
제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (4) 인 폴리이미드 전구체.
According to claim 1,
The polyimide precursor in which Y of the said general formula (2) is general formula (4).
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 X1, X2 가 피로멜리트산 2무수물 (PMDA), 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 유기기인 폴리이미드 전구체.
According to claim 1,
X 1 , X 2 is pyromellitic acid anhydride (PMDA), 4,4'-oxydiphthalic acid anhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenyl Bis (trimellitic acid monoester acid anhydride) (TAHQ), a polyimide precursor that is a tetravalent organic group derived from at least one member selected from the group consisting of.
삭제delete 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체와, (b) 유기 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.A resin composition comprising the polyimide precursor according to any one of claims 1 to 4 and 8, and (b) an organic solvent. 제 10 항에 있어서,
추가로, (c) 계면 활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 수지 조성물.
The method of claim 10,
Further, (c) a surfactant, and (d) a resin composition comprising at least one member selected from the group consisting of alkoxysilane compounds.
하기 일반식 (11):
Figure 112019077690643-pct00047

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 하기 일반식 (3) 및 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 것을 특징으로 하는 폴리이미드.
Figure 112019077690643-pct00048

Figure 112019077690643-pct00049

{식 중, R4 ∼ R9 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. Z 는 각각 독립적으로 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르 또는 케톤을 나타낸다. d ∼ i 는 0 ∼ 4 의 정수이다.}
The following general formula (11):
Figure 112019077690643-pct00047

{In the formula, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3) and (4). l and m each independently represent an integer of 1 or more, and satisfies 0.01≦l/(l+m)≦0.99.} A polyimide characterized by having a structural unit.
Figure 112019077690643-pct00048

Figure 112019077690643-pct00049

{In the formula, R 4 to R 9 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Z each independently represents a single bond, a methylene group, an ethylene group, an ether or a ketone. d to i are integers from 0 to 4}
삭제delete 지지체의 표면 상에, 제 10 항에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과,
상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과,
상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 필름의 제조 방법.
A step of forming a coating film by applying the resin composition according to claim 10 on the surface of the support;
Heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film;
And a step of peeling the polyimide resin film from the support.
제 14 항에 있어서,
상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 레이저를 조사하는 공정을 실시하는 수지 필름의 제조 방법.
The method of claim 14,
The manufacturing method of the resin film which performs the process of irradiating a laser from the said support side, before the process of peeling the said polyimide resin film from the said support body.
삭제delete 지지체의 표면 상에, 제 10 항에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과,
상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체의 제조 방법.
A step of forming a coating film by applying the resin composition according to claim 10 on the surface of the support;
And heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film.
지지체의 표면 상에, 제 10 항에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과,
상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과,
상기 폴리이미드 수지막 상에 소자 또는 회로를 형성하는 공정과,
상기 소자 또는 회로가 형성된 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 기판의 제조 방법.
A step of forming a coating film by applying the resin composition according to claim 10 on the surface of the support;
Heating the support and the coating film to imidize the polyimide precursor contained in the coating film to form a polyimide resin film;
Forming a device or a circuit on the polyimide resin film;
And a step of peeling the polyimide resin film on which the device or circuit is formed from the support.
삭제delete 삭제delete 제 12 항에 기재된 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, 저온 폴리실리콘 TFT 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체.A laminate comprising the polyimide film layer comprising the polyimide according to claim 12 and a low-temperature polysilicon TFT layer. 하기 일반식 (13):
Figure 112020031186027-pct00075

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과,
상기 폴리이미드 필름층 상에 형성된 저온 폴리실리콘 TFT 층을 포함하는 플렉시블 디스플레이로서,
상기 폴리이미드 필름층은 하기 일반식 (11):
Figure 112020031186027-pct00077

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 하기 일반식 (3) 및 (4) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드
Figure 112020031186027-pct00078

Figure 112020031186027-pct00079

{식 중, R4 ∼ R9 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. Z 는 각각 독립적으로 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르 또는 케톤을 나타낸다. d ∼ i 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디스플레이.
The following general formula (13):
Figure 112020031186027-pct00075

{In the formula, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers of 0 to 4. A polyimide film layer containing a polyimide represented by },
A flexible display comprising a low-temperature polysilicon TFT layer formed on the polyimide film layer,
The polyimide film layer has the following general formula (11):
Figure 112020031186027-pct00077

{In the formula, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3) and (4). l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfies 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.) Polyimide having a structural unit represented by}
Figure 112020031186027-pct00078

Figure 112020031186027-pct00079

{In the formula, R 4 to R 9 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Z each independently represents a single bond, a methylene group, an ethylene group, an ether or a ketone. d to i are integers from 0 to 4. Flexible display comprising a.
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