KR20220147724A - Polyimide precursor, resin composition, and method for producing resin film - Google Patents

Polyimide precursor, resin composition, and method for producing resin film Download PDF

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Abstract

(a1) 하기 일반식 (1):

Figure pat00051

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과,
하기 일반식 (2):
Figure pat00052

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다.} 로 나타내는 구조 단위 M 을, 1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 로 포함하는, 폴리이미드 전구체.(a1) the following general formula (1):
Figure pat00051

{Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b and c are integers from 0 to 4. a structural unit L represented by };
The following general formula (2):
Figure pat00052

{wherein, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms}, including the structural unit M represented by 1/99 ≤ (number of moles of structural unit L/number of moles of structural unit M) ≤ 99/1; polyimide precursor.

Description

폴리이미드 전구체, 수지 조성물 및 수지 필름의 제조 방법{POLYIMIDE PRECURSOR, RESIN COMPOSITION, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN FILM}A polyimide precursor, a resin composition, and the manufacturing method of a resin film TECHNICAL FIELD

본 발명은, 예를 들어, 플렉시블 디바이스를 위한 기판의 제조에 사용되는, 폴리이미드 전구체, 수지 조성물 및 수지 필름의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to, for example, a polyimide precursor, a resin composition, and a method for producing a resin film, which are used for producing a substrate for a flexible device.

일반적으로, 고내열성이 요구되는 용도에는, 수지 필름으로서 폴리이미드 수지의 필름이 사용된다. 일반적인 폴리이미드 수지는, 방향족 카르복실산 2무수물과 방향족 디아민을 용액 중합함으로써 폴리이미드 전구체를 제조한 후, 이것을 고온에서 열 이미드화하여, 또는, 촉매를 사용하여 화학 이미드화하여, 제조되는 고내열 수지이다.Generally, the film of a polyimide resin is used as a resin film for the use by which high heat resistance is calculated|required. A general polyimide resin is produced by preparing a polyimide precursor by solution polymerization of an aromatic carboxylic acid dianhydride and an aromatic diamine, and then thermal imidizing this at a high temperature or chemical imidization using a catalyst. it is resin

폴리이미드 수지는, 불용, 불융의 초내열성 수지이며, 내열 산화성, 내열 특성, 내방사선성, 내저온성, 내약품성 등이 우수한 특성을 갖고 있다. 이 때문에, 폴리이미드 수지는, 전자 재료를 포함하는 광범위한 분야에서 사용되고 있다. 전자 재료 분야에 있어서의 폴리이미드 수지의 적용 예로는, 예를 들어, 절연 코팅제, 절연막, 반도체의 보호막, TFT-LCD 의 전극 보호막 등을 들 수 있다. 최근에는, 디스플레이 재료의 분야에서 종래 사용되고 있던 유리 기판 대신에, 그 가벼움, 유연성을 이용한 무색 투명 플렉시블 기판으로서의 채용이 검토되고 있다.Polyimide resin is an insoluble, infusible, super heat-resistant resin, and has excellent characteristics such as heat oxidation resistance, heat resistance characteristics, radiation resistance, low temperature resistance, chemical resistance, and the like. For this reason, polyimide resin is used in the wide field including an electronic material. As an application example of the polyimide resin in the field of electronic materials, an insulating coating agent, an insulating film, the protective film of a semiconductor, the electrode protective film of TFT-LCD, etc. are mentioned, for example. In recent years, instead of the glass substrate conventionally used in the field|area of a display material, adoption as a colorless transparent flexible substrate using the lightness and flexibility is examined.

플렉시블 기판으로서의 폴리이미드 수지 필름을 제조하는 경우, 적당한 지지체 상에, 폴리이미드 전구체를 함유하는 조성물을 도포하여 도막을 형성한 후, 열처리를 실시하여 이미드화함으로써, 폴리이미드 수지 필름을 얻는다. 상기 지지체로는, 예를 들어 유리, 실리콘, 질화규소, 산화규소, 금속 등이 사용되고 있다. 이와 같은 지지체 상에 폴리이미드막을 갖는 적층체를 제조할 때에는, 폴리이미드 전구체의 건조 및 이미드화를 위해서, 250 ℃ 이상의 고온에 있어서의 가열 처리를 필요로 한다. 이 가열 처리에 의해, 상기 적층체에 잔류 응력이 발생하고, 휨, 박리 등의 심각한 문제가 발생한다. 이것은, 상기의 지지체를 구성하는 재료와 비교하여, 폴리이미드의 선 열팽창 계수가 크기 때문이다.When manufacturing the polyimide resin film as a flexible substrate, on a suitable support body, after apply|coating the composition containing a polyimide precursor and forming a coating film, it heat-processes and imidizes and obtains a polyimide resin film. As the support, for example, glass, silicon, silicon nitride, silicon oxide, metal or the like is used. When manufacturing the laminated body which has a polyimide film on such a support body, heat processing in high temperature 250 degreeC or more is required for drying and imidation of a polyimide precursor. By this heat treatment, residual stress is generated in the laminate, and serious problems such as warpage and peeling occur. This is because the linear thermal expansion coefficient of polyimide is large compared with the material which comprises said support body.

열팽창 계수가 작은 폴리이미드 재료로는, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물과 파라페닐렌디아민으로부터 형성되는 폴리이미드가 가장 잘 알려져 있다. 막두께 및 제조 조건에 의존하기는 하지만, 이 폴리이미드막은 매우 낮은 선 열팽창 계수를 나타내는 것이 보고되어 있다 (비특허문헌 1).As a polyimide material with a small coefficient of thermal expansion, a polyimide formed from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine is best known. Although depending on the film thickness and manufacturing conditions, it has been reported that this polyimide film exhibits a very low coefficient of linear thermal expansion (Non-Patent Document 1).

또, 분자 사슬 중에 에스테르 구조를 갖는 폴리이미드가, 적당한 직선성 및 강직성을 갖기 때문에, 낮은 선 열팽창 계수를 나타내는 것이 보고되어 있다 (특허문헌 1). Moreover, since the polyimide which has an ester structure in a molecular chain has moderate linearity and rigidity, it is reported that it shows a low linear thermal expansion coefficient (patent document 1).

그러나, 상기의 문헌에 기재된 폴리이미드를 포함하여, 일반적인 폴리이미드 수지는, 높은 방향 고리 밀도에 의해 갈색 또는 황색으로 착색되기 때문에, 가시광 선영역에 있어서의 광 투과율이 낮고, 따라서 투명성이 요구되는 분야에 사용하는 것은 곤란하다. 예를 들어, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물과 파라페닐렌디아민으로부터 얻어지는 상기 비특허문헌 1 의 폴리이미드는, 막두께 10 ㎛ 에 있어서의 황색도 (YI 치) 가 40 이상으로 높아, 투명성의 점에서는 불충분하다.However, since general polyimide resins, including the polyimides described in the above documents, are colored brown or yellow due to high aromatic ring density, the light transmittance in the visible light region is low, and therefore transparency is required. It is difficult to use in For example, the polyimide of the said nonpatent literature 1 obtained from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and paraphenylenediamine has yellowness (YI) in a film thickness of 10 micrometers. value) is as high as 40 or more, which is insufficient in terms of transparency.

필름의 황색도에 대해서는, 예를 들어 불소 원자를 갖는 모노머를 사용한 폴리이미드가, 매우 낮은 황색도를 나타내는 것이 알려져 있다 (특허문헌 2).About the yellowness of a film, it is known that the polyimide which used the monomer which has a fluorine atom shows very low yellowness, for example (patent document 2).

일본 특허 제4627297호 명세서Japanese Patent No. 4627297 Specification 일본 공표특허공보 2010-538103호Japanese Patent Publication No. 2010-538103 일본 특허 제3079867호 명세서Japanese Patent No. 3079867 Specification

최신 폴리이미드 일본 폴리이미드 연구회편 엔·티·에스 Latest Polyimide Japan Polyimide Research Society Edition N.T.S.

그런데, 폴리이미드 수지를 무색 투명 플렉시블 기판으로서 적용하기 위해서는, 투명성 외에, 우수한 신장도, 파단 강도 등의 기계적 물성도 요구되고 있다. 특히 최근에는, TFT 의 디바이스 타입이 LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 가 되는 것에 수반하여, 종래 이상의 열 이력에 있어서도, 상기의 물성을 발휘하는 필름이 요망되고 있다.By the way, in order to apply a polyimide resin as a colorless transparent flexible substrate, mechanical properties, such as excellent elongation and breaking strength, are calculated|required in addition to transparency. Especially in recent years, with the device type of TFT becoming LTPS (low temperature polysilicon TFT), also in the thermal history more than conventional, the film which exhibits said physical property is desired.

그러나, 공지된 투명 폴리이미드의 물성 특성은, 디스플레이용의 내열성 무색 투명 기판으로서 사용하는 데에 충분하지는 않다.However, the physical properties of known transparent polyimides are not sufficient for use as heat-resistant colorless transparent substrates for displays.

또한, 본 발명자가 확인한 바, 특허문헌 1 에 기재된 폴리이미드 수지는, 낮은 선 열팽창 계수를 나타내기는 했지만, 박리 후의 폴리이미드 수지 필름의 황색도 (YI 치) 가 큰 것 외에, 잔류 응력이 높고, 신장도가 낮고, 파단 강도가 낮다는 과제가 있는 것을 알 수 있었다. Further, as confirmed by the present inventor, the polyimide resin described in Patent Document 1 showed a low coefficient of linear thermal expansion, but the yellowness (YI value) of the polyimide resin film after peeling was large, and the residual stress was high, It turned out that elongation is low and there exists a subject that breaking strength is low.

황색도에 대해서는, 특허문헌 2 에 기재된 폴리이미드 필름에서는, 300 ℃ 정도의 온도 영역에서는 낮은 황색도를 나타내지만, 400 ℃ 이상의 고온 영역에서는, 황색도 (YI 치) 가 현저하게 악화되는 것을 알 수 있었다.As for the yellowness, it can be seen that the polyimide film described in Patent Document 2 shows a low yellowness in a temperature range of about 300°C, but significantly deteriorates the yellowness (YI value) in a high temperature range of 400°C or more. there was.

또, 선팽창 계수를 낮춘 폴리이미드로서, 4,4'-디아미노디페닐에테르와 4,4'-디아미노디페닐에스테르로 이루어지는 폴리이미드가 개시되어 있다 (특허문헌 3). Moreover, the polyimide which consists of 4,4'- diamino diphenyl ether and 4,4'- diamino diphenyl ester is disclosed as a polyimide which lowered the coefficient of linear expansion (patent document 3).

그러나, 본 발명자가 확인한 바, 특허문헌 3 에 기재된 폴리이미드 수지는, 플렉시블 기판으로서 적용하기 위해서는 막이 매우 무르고, 고온에서의 황색도에는 개선의 여지가 있었다.However, when this inventor confirmed, in order to apply the polyimide resin of patent document 3 as a flexible substrate, the film|membrane was very soft, and there existed room for improvement in the yellowness in high temperature.

본 발명은, 상기 설명한 문제점을 감안하여 이루어진 것이다. 따라서, 본 발명은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높은, 폴리이미드 수지 필름 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above-described problems. Accordingly, an object of the present invention is to provide a polyimide resin film having low residual stress, little warpage, small yellowness (YI value), and high elongation, and a method for producing the same.

본 발명은, 이하와 같은 것이다.The present invention is as follows.

[1] [One]

(a1) 하기 일반식 (1):(a1) the following general formula (1):

[화학식 1] [Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과, {Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b and c are integers from 0 to 4. a structural unit L represented by };

하기 일반식 (2):The following general formula (2):

[화학식 2] [Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다} 로 나타내는 구조 단위 M 을,{Wherein, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3), (4) and (5)};

1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 1/99 ≤ (number of moles of structural unit L/number of moles of structural unit M) ≤ 99/1

로 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 전구체.A polyimide precursor comprising a.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4.}

[2][2]

상기 일반식 (1) 에 있어서의 n 이 0 인, [1] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [1] whose n in the said General formula (1) is 0.

[3] [3]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (3) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [1] or [2] whose Y of the said General formula (2) is General formula (3).

[4] [4]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (4) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [1] or [2] whose Y of the said General formula (2) is General formula (4).

[5] [5]

상기 일반식 (2) 의 Y 가, 일반식 (5) 인, [1] 또는 [2] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [1] or [2] whose Y of the said General formula (2) is General formula (5).

[6] [6]

(a2) 하기 일반식 (10):(a2) the following general formula (10):

[화학식 6] [Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

으로 나타내는 구조 단위를 갖고, 그리고, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체.It has a structural unit represented by, and a weight average molecular weight is 30,000 or more and 300,000 or less, The polyimide precursor characterized by the above-mentioned.

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) ) (TAHQ), represents a tetravalent group derived from at least one selected from the group consisting of. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

[7] [7]

상기 (a2) 폴리이미드 전구체에 있어서의, 중량 평균 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량이 5 질량% 미만인, [6] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [6] whose content of the molecule|numerator with a weight average molecular weight less than 1,000 in said (a2) polyimide precursor is less than 5 mass %.

[8] [8]

일반식 (10) 에 있어서의 n 이 0 인, [6] 또는 [7] 에 기재된 폴리이미드 전구체.The polyimide precursor as described in [6] or [7] whose n in General formula (10) is 0.

[9] [9]

상기 X1, X2 가, 피로멜리트산 2무수물 (PMDA), 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 유기기인 [1] ∼ [5] 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체.wherein X 1 , X 2 is pyromellitic dianhydride (PMDA), 4,4′-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4′-ratio The polyimide precursor according to any one of [1] to [5], which is a tetravalent organic group derived from at least one selected from the group consisting of phenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) (TAHQ).

[10] [10]

[1] ∼ [9] 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 전구체와, (b) 유기 용제, 를 함유하는 것을 특징으로 하는, 수지 조성물.A resin composition comprising the polyimide precursor according to any one of [1] to [9] and (b) an organic solvent.

[11] [11]

또한, (c) 계면 활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물, 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, [10] 에 기재된 수지 조성물.The resin composition according to [10], further comprising at least one selected from the group consisting of (c) a surfactant and (d) an alkoxysilane compound.

[12] [12]

하기 일반식 (11):The following general formula (11):

[화학식 7] [Formula 7]

Figure pat00007
Figure pat00007

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드.{Wherein, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least 1 type selected from the group which consists of following general formula (3), (4) and (5). l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfy 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.} A polyimide characterized by having a structural unit represented by:

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4.}

[13] [13]

하기 일반식 (12):The following general formula (12):

[화학식 11] [Formula 11]

Figure pat00011
Figure pat00011

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖고, 신장도가 15 % 이상인 것을 특징으로 하는, 폴리이미드.{wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) ) (TAHQ), represents a tetravalent group derived from at least one selected from the group consisting of. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b, and c are integers of 0 to 4. A polyimide having a structural unit represented by } and having an elongation of 15% or more.

[14] [14]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과, a step of forming a polyimide resin film by imidizing a polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film;

상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정Step of peeling the polyimide resin film from the support

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 수지 필름의 제조 방법.A method for producing a resin film comprising a.

[15] [15]

상기 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정에 앞서, 상기 지지체측으로부터 레이저를 조사하는 공정을 실시하는, [14] 에 기재된 수지 필름의 제조 방법.The method for producing a resin film according to [14], wherein a step of irradiating a laser from the side of the support is performed prior to the step of peeling the polyimide resin film from the support.

[16] [16]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정A step of forming a polyimide resin film by imidizing a polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 적층체의 제조 방법.A method for producing a laminate, comprising:

[17] [17]

지지체의 표면 상에, [10] 또는 [11] 에 기재된 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정과, A step of forming a coating film by applying the resin composition according to [10] or [11] on the surface of the support;

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정과, a step of forming a polyimide resin film by imidizing a polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film;

상기 폴리이미드 수지막 상에 소자 또는 회로를 형성하는 공정과, forming an element or circuit on the polyimide resin film;

상기 소자 또는 회로가 형성된 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정Step of peeling the polyimide resin film on which the element or circuit is formed from the support

을 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이 기판의 제조 방법.A method of manufacturing a display substrate comprising a.

[18] [18]

하기 일반식 (12):The following general formula (12):

[화학식 12][Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) ) (TAHQ), and R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는, 디스플레이용 폴리이미드 필름.A polyimide film for a display, comprising a polyimide represented by

[19] [19]

하기 일반식 (13):The following general formula (13):

[화학식 13] [Formula 13]

Figure pat00013
Figure pat00013

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, 저온 폴리실리콘 TFT 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체.{Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b, and c are integers of 0 to 4. A laminate comprising a polyimide film layer containing a polyimide represented by } and a low-temperature polysilicon TFT layer.

[20] [20]

400 ℃ 이상에서 가열한 후의 막두께 10 미크론에 있어서의 황색도가 20 이하이고, 막두께 1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 그리고 신장도가 15 % 이상인 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 필름.A yellowness of 20 or less at a film thickness of 10 microns after heating at 400° C. or higher, an absorbance at 308 nm when a film thickness of 1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less, and an elongation of 15% or more. , polyimide film.

[21] [21]

(a) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 폴리이미드 전구체와,(a) a polyimide precursor represented by the following general formula (1);

(b) 유기 용제와,(b) an organic solvent;

(c) 계면 활성제 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종(c) at least one selected from the group consisting of surfactants and (d) alkoxysilane compounds

을 포함하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.A resin composition comprising a.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure pat00014
Figure pat00014

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체 및 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다.The polyimide film obtained from the polyimide precursor and resin composition which concerns on this invention has a low residual stress, there is little curvature, a yellowness (YI value) is small, and an elongation is high.

도 1 은, 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 EL 기판의 구조를 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structure of the organic electroluminescent board|substrate manufactured by the Example and the comparative example.

이하, 본 발명의 예시의 실시형태 (이하, 「실시형태」 라고 약기한다.) 에 대해, 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 또, 본 개시에서 기재하는 특성값은, 특기가 없는 한, [실시예] 의 항에 있어서 기재하는 방법 또는 이것과 동등한 것이 당업자에게 이해되는 방법으로 측정되는 값인 것을 의도한다.DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention (hereinafter abbreviated as "embodiments") will be described in detail. In addition, this invention is not limited to the following embodiment, It can variously deform and implement within the range of the summary. In addition, unless otherwise noted, the characteristic values described in the present disclosure are intended to be values measured by a method understood by those skilled in the art that is equivalent to the method described in the section of [Examples] or equivalent thereto.

<수지 조성물><Resin composition>

본 발명의 일 양태가 제공하는 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 및 (b) 유기 용매를 함유한다.The resin composition provided by one aspect of the present invention contains (a) a polyimide precursor and (b) an organic solvent.

이하, 각 성분을 차례로 설명한다.Hereinafter, each component is demonstrated in order.

[폴리이미드 전구체] [Polyimide precursor]

본 실시의 제 1 양태로서의 폴리이미드 전구체는,A polyimide precursor as a first aspect of the present embodiment,

(a1) 하기 일반식 (1):(a1) the following general formula (1):

[화학식 15] [Formula 15]

Figure pat00015
Figure pat00015

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 구조 단위 L 과, {Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b and c are integers from 0 to 4. a structural unit L represented by };

하기 일반식 (2):The following general formula (2):

[화학식 16] [Formula 16]

Figure pat00016
Figure pat00016

{식 중, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. Y 는 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인} 으로 나타내는 구조 단위 M 을{Wherein, X 2 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. Y is at least one member selected from the group consisting of the following general formulas (3), (4) and (5)}

1/99 ≤ (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) ≤ 99/1 로 포함하는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드 전구체이다.1/99 ≤ (number of moles of structural unit L/number of moles of structural unit M) ≤ 99/1, it is a polyimide precursor.

[화학식 17][Formula 17]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 18][Formula 18]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 19][Formula 19]

Figure pat00019
Figure pat00019

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d to k are integers from 0 to 4.}

본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체는, 폴리이미드 필름으로 했을 때에 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다. 또, 본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체는, 폴리이미드 필름으로 했을 때에, 고온 영역에서의 황색도 (YI 치) 가 작다.When the polyimide precursor of the 1st aspect of this implementation is set as a polyimide film, residual stress is low, there is little curvature, yellowness (YI value) is small, and elongation is high. Moreover, when the polyimide precursor of the 1st aspect of this embodiment is set as a polyimide film, the yellowness (YI value) in a high temperature area|region is small.

여기서, R1 ∼ R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R< 1 >-R< 3 > will not be limited if it is a C1-C20 monovalent organic group each independently. Examples of such an organic group include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a halogen-containing group such as a trifluoromethyl group, and an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

여기서, a, b, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다. Here, a, b, c, and d will not be limited if it is an integer of 0-4. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature range.

여기서, n 은 0 또는 1 이다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 바람직하다.Here, n is 0 or 1. Among them, 0 is preferable from the viewpoint of YI in the high temperature region.

또, 구조 단위 L 과 구조 단위 M 의 몰비 (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) 의 하한은, 5/95 여도 되고, 10/90 이어도 되고, 20/80 이어도 되고, 30/70 이어도 되고, 40/60 이어도 된다. 구조 단위 L 과 구조 단위 M 의 몰비 (구조 단위 L 의 몰수/구조 단위 M 의 몰수) 의 상한은, 95/5 여도 되고, 90/10 이어도 되고, 80/20 이어도 되고, 70/30 이어도 되고, 60/40 이어도 된다.The lower limit of the molar ratio of the structural unit L to the structural unit M (the number of moles of the structural unit L/the number of moles of the structural unit M) may be 5/95, 10/90, 20/80, or 30/70. and 40/60 may be sufficient. The upper limit of the molar ratio of the structural unit L to the structural unit M (the number of moles of the structural unit L/the number of moles of the structural unit M) may be 95/5, 90/10, 80/20, 70/30, It may be 60/40.

X1, X2 는 각각 독립적으로 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다. 하기의 테트라카르복실산 2무수물에서 유래하는 4 가의 유기기가 예시된다.X 1 and X 2 are each independently a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms, and may be the same or different. The tetravalent organic group derived from the following tetracarboxylic dianhydride is illustrated.

상기 테트라카르복실산 2무수물로는, 구체적으로는, 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물, 탄소수가 6 ∼ 36 인 지방족 테트라카르복실산 2무수물, 및 탄소수가 6 ∼ 36 인 지환식 테트라카르복실산 2무수물에서 선택되는 화합물을 예시할 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 황색도의 관점에서 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다.Specifically, as said tetracarboxylic dianhydride, C8-C36 aromatic tetracarboxylic dianhydride, C6-C36 aliphatic tetracarboxylic dianhydride, and C6-C36 alicyclic ring The compound selected from the formula tetracarboxylic dianhydride can be illustrated. Among these, the C8-C36 aromatic tetracarboxylic dianhydride from a viewpoint of the yellowness in a high temperature range is preferable. The number of carbons contained in a carboxyl group is also included in carbon number here.

더욱 구체적으로는, 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 무수물 (이하, 6FDA 라고도 기재한다), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-시클로헥센-1,2디카르복실산 무수물, 피로멜리트산 2무수물 (이하, PMDA 라고도 기재한다), 1,2,3,4-벤젠테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물 (이하, BPDA 라고도 기재한다), 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-비페닐테트라카르복실산 2무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-디프탈산 2무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,3-트리메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,4-테트라메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,5-펜타메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물, 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (이하, ODPA 라고도 기재한다), p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물) (이하, TAHQ 라고도 한다) 티오-4,4'-디프탈산 2무수물, 술포닐-4,4'-디프탈산 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)벤젠 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,4-비스(3,4-디카르복시페녹시)벤젠 2무수물, 1,3-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2무수물, 1,4-비스[2-(3,4-디카르복시페닐)-2-프로필]벤젠 2무수물, 비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2무수물, 비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]메탄 2무수물, 2,2-비스[3-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]프로판 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페녹시)디메틸실란 2무수물, 1,3-비스(3,4-디카르복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실산 2무수물, 2,3,6,7-안트라센테트라카르복실산 2무수물, 1,2,7,8-페난트렌테트라카르복실산 2무수물 등을 예시할 수 있다.More specifically, as an aromatic tetracarboxylic dianhydride having 8 to 36 carbon atoms, for example, 4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride (hereinafter also referred to as 6FDA), 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-cyclohexene-1,2 dicarboxylic acid anhydride, pyromellitic dianhydride (hereinafter also referred to as PMDA), 1,2, 3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (hereinafter also referred to as BPDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-diphthalic dianhydride, 2,2-propyl Liden-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-trimethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,4-tetra Methylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,5-pentamethylene-4,4'-diphthalic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (hereinafter also referred to as ODPA), p- phenylenebis(trimellitate anhydride) (hereinafter also referred to as TAHQ) thio-4,4'-diphthalic dianhydride, sulfonyl-4,4'-diphthalic dianhydride, 1,3-bis(3, 4-dicarboxyphenyl)benzene dianhydride, 1,3-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1,4-bis(3,4-dicarboxyphenoxy)benzene dianhydride, 1, 3-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, 1,4-bis[2-(3,4-dicarboxyphenyl)-2-propyl]benzene dianhydride, Bis[3-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]methane dianhydride, 2,2-bis[3-(3) ,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, 2,2-bis[4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl]propane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenoxy)dimethyl Silane dianhydride, 1,3-bis(3,4 -dicarboxyphenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid Dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid 2 Anhydride, 1,2,7,8-phenanthrene tetracarboxylic dianhydride, etc. can be illustrated.

탄소수가 6 ∼ 50 인 지방족 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 에틸렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 2무수물 등을;Examples of the aliphatic tetracarboxylic dianhydride having 6 to 50 carbon atoms include ethylene tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride;

탄소수가 6 ∼ 36 인 지환식 테트라카르복실산 2무수물로서, 예를 들어 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 2무수물, 시클로펜탄테트라카르복실산 2무수물, 시클로헥산-1,2,3,4-테트라카르복실산 2무수물, 시클로헥산-1,2,4,5-테트라카르복실산 2무수물 (이하, CHDA 라고 기재한다), 3,3',4,4'-비시클로헥실테트라카르복실산 2무수물, 카르보닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 메틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 1,2-에틸렌-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 1,1-에틸리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 2,2-프로필리덴-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 옥시-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 티오-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 술포닐-4,4'-비스(시클로헥산-1,2-디카르복실산) 2무수물, 비시클로[2,2,2]옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 2무수물, rel-[1S,5R,6R]-3-옥사비시클로[3,2,1]옥탄-2,4-디온-6-스피로-3'-(테트라하이드로푸란-2',5'-디온), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물, 에틸렌글리콜-비스-(3,4-디카르복실산 무수물 페닐)에테르 등을, 각각 들 수 있다.Examples of the alicyclic tetracarboxylic dianhydride having 6 to 36 carbon atoms include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1, 2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, cyclohexane-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as CHDA), 3,3',4,4'-ratio Cyclohexyltetracarboxylic dianhydride, carbonyl-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, methylene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2- Dicarboxylic acid) dianhydride, 1,2-ethylene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 1,1-ethylidene-4,4'-bis( Cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, 2,2-propylidene-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, oxy-4,4' -bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, thio-4,4'-bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, sulfonyl-4,4'- Bis(cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid) dianhydride, bicyclo[2,2,2]oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, rel-[ 1S,5R,6R]-3-oxabicyclo[3,2,1]octane-2,4-dione-6-spiro-3'-(tetrahydrofuran-2',5'-dione), 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, ethylene glycol-bis-(3,4-dicarboxylic Acid anhydride phenyl) ether etc. are mentioned, respectively.

CTE, 내약품성, Tg 와 고온 영역에서의 황색도의 밸런스의 관점에서, PMDA, BPDA, TAHQ, ODPA 가 바람직하고, BPDA, TAHQ 가 보다 바람직하다.From a viewpoint of the balance of CTE, chemical resistance, Tg, and yellowness in a high temperature area|region, PMDA, BPDA, TAHQ, and ODPA are preferable, and BPDA and TAHQ are more preferable.

실시양태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 그 성능을 저해하지 않는 범위에서, 상기 서술한 테트라카르복실산 2무수물에 더하여 디카르복실산을 사용함으로써, 폴리아미드이미드 전구체로 해도 된다. 이와 같은 전구체를 사용함으로써, 얻어지는 필름에 있어서, 기계 신장도의 향상, 유리 전이 온도의 향상, 황색도의 저감 등의 여러 성능을 조정할 수 있다. 그러한 디카르복실산으로서, 방향 고리를 갖는 디카르복실산 및 지환식 디카르복실산을 들 수 있다. 특히 탄소수가 8 ∼ 36 인 방향족 디카르복실산, 및 탄소수가 6 ∼ 34 인 지환식 디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 탄소수에는, 카르복실기에 포함되는 탄소의 수도 포함한다.The polyimide precursor in an embodiment is good also as a polyamideimide precursor by using dicarboxylic acid in addition to the above-mentioned tetracarboxylic dianhydride in the range which does not impair the performance. By using such a precursor, the film obtained WHEREIN: Various performance, such as the improvement of mechanical elongation, the improvement of a glass transition temperature, and reduction of yellowness, can be adjusted. Examples of such dicarboxylic acids include dicarboxylic acids and alicyclic dicarboxylic acids having an aromatic ring. It is especially preferable that it is at least 1 compound selected from the group which consists of C8-C36 aromatic dicarboxylic acid and C6-C34 alicyclic dicarboxylic acid. The number of carbons contained in a carboxyl group is also included in carbon number here.

이들 중, 방향 고리를 갖는 디카르복실산이 바람직하다.Among these, the dicarboxylic acid which has an aromatic ring is preferable.

구체적으로는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-비페닐디카르복실산, 3,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-비페닐디카르복실산, 1,4-나프탈렌디카르복실산, 2,3-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 4,4'-술포닐비스벤조산, 3,4'-술포닐비스벤조산, 3,3'-술포닐비스벤조산, 4,4'-옥시비스벤조산, 3,4'-옥시비스벤조산, 3,3'-옥시비스벤조산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)프로판, 2,2-비스(3-카르복시페닐)프로판, 2,2'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐디카르복실산, 2,2'-디메틸-3,3'-비페닐디카르복실산, 9,9-비스(4-(4-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(3-카르복시페녹시)페닐)플루오렌, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)비페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)비페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(4-카르복시페녹시)-m-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(3-카르복시페녹시)-m-터페닐, 1,1-시클로부탄디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 4,4'-벤조페논디카르복실산, 1,3-페닐렌2아세트산, 1,4-페닐렌2아세트산 등;및 Specifically, for example, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 1, 4-naphthalenedicarboxylic acid, 2,3-naphthalenedicarboxylic acid, 1,5-naphthalenedicarboxylic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3, 4'-sulfonylbisbenzoic acid, 3,3'-sulfonylbisbenzoic acid, 4,4'-oxybisbenzoic acid, 3,4'-oxybisbenzoic acid, 3,3'-oxybisbenzoic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-carboxyphenyl)propane, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-dimethyl-4,4 '-biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 9,9-bis(4-(4-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 9, 9-bis(4-(3-carboxyphenoxy)phenyl)fluorene, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)biphenyl, 3, 3'-bis(3-carboxyphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-ter Phenyl, 3,4'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,4'-bis(4-carboxy Phenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(4-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 4,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 4,4 '-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-p-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-p -terphenyl, 3,4'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 3,3'-bis(3-carboxyphenoxy)-m-terphenyl, 1,1-cyclobutanedicar Acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4,4'-benzophenonedicarboxylic acid, 1,3-phenylene diacetic acid, 1,4- phenylene diacetic acid, etc.; and

국제 공개 제2005/068535호 팸플릿에 기재된 5-아미노이소프탈산 유도체 등을 들 수 있다. 이들 디카르복실산을 폴리머에 실제로 공중합시키는 경우에는, 염화티오닐 등으로부터 유도되는 산 클로라이드체, 활성 에스테르체 등의 형태로 사용해도 된다.The 5-aminoisophthalic acid derivative of the international publication 2005/068535 pamphlet, etc. are mentioned. When actually copolymerizing these dicarboxylic acids with a polymer, you may use in the form of an acid chloride body derived from thionyl chloride etc., an active ester body, etc.

본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 10,000 ∼ 300,000 이 바람직하고, 30,000 ∼ 200,000 이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량이 10,000 보다 크면, 신장도, 파단 강도 등의 기계적 특성이 우수하고, 잔류 응력이 낮고, YI 가 낮아진다. 중량 평균 분자량이 300,000 보다 작으면, 폴리아미드산의 합성시에 중량 평균 분자량을 컨트롤하기 쉬워져, 적당한 점도의 수지 조성물을 얻을 수 있고, 수지 조성물의 도포성이 좋아진다. 본 개시에 있어서, 중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (이하, GPC 라고도 한다) 를 이용하여, 표준 폴리스티렌 환산치로서 구해지는 값이다.10,000-300,000 are preferable and, as for the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor in this embodiment, 30,000-200,000 are especially preferable. When the weight average molecular weight is larger than 10,000, mechanical properties such as elongation and breaking strength are excellent, residual stress is low, and YI is low. When the weight average molecular weight is smaller than 300,000, it becomes easy to control the weight average molecular weight at the time of synthesis of the polyamic acid, a resin composition having an appropriate viscosity can be obtained, and the applicability of the resin composition is improved. In this indication, a weight average molecular weight is a value calculated|required as a standard polystyrene conversion value using gel permeation chromatography (henceforth GPC).

본 실시형태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 전체량에 대하여, 5 질량% 미만인 것이 바람직하고, 1 질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 폴리이미드 전구체를 사용하여 얻어지는 수지 조성물로부터 형성되는 폴리이미드 필름은 잔류 응력이 낮은 것이 되고, 그 폴리이미드 필름 상에 형성한 무기막의 Haze 가 낮아진다는 관점에서, 바람직하다.It is preferable that it is less than 5 mass % with respect to the whole quantity of a polyimide precursor, and, as for content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000, as for the polyimide precursor in this embodiment, it is more preferable that it is less than 1 mass %. The polyimide film formed from the resin composition obtained using such a polyimide precursor becomes a thing with a low residual stress, and it is preferable from a viewpoint that the Haze of the inorganic film formed on the polyimide film becomes low.

폴리이미드 전구체의 전체량에 대한 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 그 폴리이미드 전구체를 용해한 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시하여 얻어지는 피크 면적으로부터 산출할 수 있다.Content of the molecule|numerator with molecular weight less than 1,000 with respect to the whole quantity of a polyimide precursor is computable from the peak area obtained by performing GPC measurement using the solution which melt|dissolved the polyimide precursor.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (6) 으로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As diamine used for the structural unit represented by General formula (1) in this embodiment, the diamine represented by following General formula (6) can be illustrated.

[화학식 20] [Formula 20]

Figure pat00020
Figure pat00020

(식 중, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) (Wherein, R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.)

R1, R2 로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Examples of R 1 and R 2 include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a halogen-containing group such as a trifluoromethyl group, and an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

여기서, a, b 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, if a and b are integers of 0-4, it will not be limited. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature range.

보다 구체적으로는, n 이 0 인 경우에는, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB), 2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (ATAB), 4-아미노페닐-3-아미노벤조에이트 (4,3-APAB) 등을 예시할 수 있다.More specifically, when n is 0, 4-aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB), 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate (ATAB), 4-aminophenyl-3 -aminobenzoate (4,3-APAB) and the like can be exemplified.

n 이 1 인 경우에는, [4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 등을 예시할 수 있다.When n is 1, [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate etc. can be illustrated.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (3) 으로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (7) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As diamine used for the structural unit represented by General formula (3) in this embodiment, the diamine represented by following General formula (7) can be illustrated.

[화학식 21] [Formula 21]

Figure pat00021
Figure pat00021

(식 중, R4, R5 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. d, e 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) (Wherein, R 4 and R 5 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. d and e are integers from 0 to 4.)

여기서, R4, R5 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 4 and R 5 are not limited as long as each independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Examples of such an organic group include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a halogen-containing group such as a trifluoromethyl group, and an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

여기서, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, if c and d are integers of 0-4, it will not be limited. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature region.

보다 구체적으로는, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰을 예시할 수 있다.More specifically, 4,4'-diaminodiphenylsulfone and 3,3'-diaminodiphenylsulfone can be illustrated.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (4) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (8) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As diamine used for the structural unit represented by General formula (4) in this embodiment, the diamine represented by following General formula (8) can be illustrated.

[화학식 22] [Formula 22]

Figure pat00022
Figure pat00022

여기서, R6 및 R7 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 6 and R 7 are not limited as long as each independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. As such an organic group, For example, alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; Halogen-containing groups, such as a trifluoromethyl group; Alkoxy groups, such as a methoxy group and an ethoxy group; etc. are mentioned. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

R8 과 R9 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 수산기, 또는 할로겐 원자이면 한정되지 않는다. 상기의 유기기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 할로겐 원자로는, 예를 들어, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.R 8 and R 9 are not limited as long as each independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxyl group, or a halogen atom. As said organic group, For example, alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; Halogen-containing groups, such as a trifluoromethyl group; Alkoxy groups, such as a methoxy group and an ethoxy group; etc. are mentioned. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, for example.

f, g, h, 및 i 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.f, g, h, and i are not limited as long as they are each independently an integer of 0-4. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature region.

Z 는 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르, 케톤 등을 예시할 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 단결합이 보다 바람직하다.Z can be exemplified by a single bond, a methylene group, an ethylene group, an ether, a ketone, and the like. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a single bond is more preferable.

보다 구체적으로는, 9,9-비스(아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-하이드록시-3-아미노페닐)플루오렌, 9,9-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]플루오렌 등을 예시할 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.More specifically, 9,9-bis(aminophenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-methylphenyl)fluorene, 9,9-bis(4-amino-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis(4-hydroxy-3-aminophenyl)fluorene, 9,9-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]fluorene, and the like, among these It is preferable to use 1 or more types selected.

본 실시형태에 있어서의 일반식 (5) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민으로는, 하기 일반식 (9) 로 나타내는 디아민을 예시할 수 있다.As diamine used for the structural unit represented by general formula (5) in this embodiment, the diamine represented by the following general formula (9) can be illustrated.

[화학식 23] [Formula 23]

Figure pat00023
Figure pat00023

여기서, R10 및 R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기;트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기;메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기;등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R 10 and R 11 are not limited as long as each independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. As such an organic group, For example, alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; Halogen-containing groups, such as a trifluoromethyl group; Alkoxy groups, such as a methoxy group and an ethoxy group; etc. are mentioned. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

또, j, k 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다. Moreover, if j and k are each independently the integer of 0-4, it will not be limited. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature range.

보다 구체적으로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 등을 예시할 수 있다.More specifically, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine etc. can be illustrated.

본 실시의 제 1 양태의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 고온 영역에서의 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높다.The polyimide film formed from the polyimide precursor of the 1st aspect of this embodiment has a low residual stress, there is little curvature, the yellowness (YI value) in a high temperature area|region is small, and elongation is high.

본 실시의 제 2 양태로서,As a second aspect of this embodiment,

(a2) 하기 일반식 (10):(a2) the following general formula (10):

[화학식 24][Formula 24]

Figure pat00024
Figure pat00024

로 나타내는 구조 단위를 갖고, 그리고, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 폴리이미드 전구체를 제공할 수 있다.A polyimide precursor having a structural unit represented by and having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less can be provided.

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) ) (TAHQ), represents a tetravalent group derived from at least one selected from R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

여기서 X3 은 ODPA, BPDA, TAHQ 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 유기기이면 한정되지 않지만, CTE 및 Tg 의 관점에서, BPDA, TAHQ 가 바람직하다. Here, although it will not be limited if X< 3 > is a tetravalent organic group derived from at least 1 type selected from ODPA, BPDA, and TAHQ, From a viewpoint of CTE and Tg, BPDA and TAHQ are preferable.

여기서, R1 ∼ R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기이면 한정되지 않는다. 이와 같은 유기기로서, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 트리플루오로메틸기 등의 할로겐 함유기, 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기 등을 들 수 있다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 메틸기가 바람직하다.Here, R< 1 >-R< 3 > will not be limited if it is a C1-C20 monovalent organic group each independently. Examples of such an organic group include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group, a halogen-containing group such as a trifluoromethyl group, and an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group. Among them, from the viewpoint of YI in the high temperature region, a methyl group is preferable.

여기서, a, b, c, d 는 0 ∼ 4 의 정수이면 한정되지 않는다. 이 중에서, YI, 잔류 응력의 관점에서 0 ∼ 2 의 정수가 바람직하고, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 특히 바람직하다.Here, a, b, c, and d will not be limited if it is an integer of 0-4. Among these, the integer of 0-2 is preferable from a viewpoint of YI and residual stress, and 0 is especially preferable from a viewpoint of YI in a high temperature region.

여기서, n 은 0 또는 1 이다. 이 중에서, 고온 영역에서의 YI 의 관점에서, 0 이 바람직하다.Here, n is 0 or 1. Among them, 0 is preferable from the viewpoint of YI in the high temperature region.

전술한 일반식 (10) 으로 나타내는 구조를 위한 디아민으로는, 전술한 일반식 (6) 에서 사용되는 디아민을 사용할 수 있다.As diamine for the structure represented by the above-mentioned general formula (10), the diamine used by the above-mentioned general formula (6) can be used.

제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 30,000 ∼ 300,000 이다. 중량 평균 분자량이 30,000 보다 크면, 신장도, 파단 강도 등의 기계적 특성이 우수하고, 잔류 응력이 낮고, YI 가 낮아진다. 중량 평균 분자량이 300,000 보다 작으면, 폴리아미드산의 합성시에 중량 평균 분자량을 컨트롤하기 쉬워져, 적당한 점도의 수지 조성물을 얻을 수 있고, 수지 조성물의 도포성이 좋아진다. 이 중에서, 중량 평균 분자량 (Mw) 은 35000 이상 250000 이하가 보다 바람직하고, 40000 이상 230000 이하가 특히 바람직하다.The weight average molecular weights (Mw) of the polyimide precursor in a 2nd aspect are 30,000-300,000. When the weight average molecular weight is larger than 30,000, mechanical properties such as elongation and breaking strength are excellent, residual stress is low, and YI is low. When the weight average molecular weight is smaller than 300,000, it becomes easy to control the weight average molecular weight at the time of synthesis of the polyamic acid, a resin composition having an appropriate viscosity can be obtained, and the applicability of the resin composition is improved. Among these, 35000 or more and 250000 or less are more preferable, and, as for a weight average molecular weight (Mw), 40000 or more and 230000 or less are especially preferable.

본 실시의 제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 폴리이미드 전구체의 전체량에 대하여, 5 질량% 미만인 것이 바람직하고, 1 질량% 미만인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 폴리이미드 전구체를 사용하여 얻어지는 수지 조성물로부터 형성되는 폴리이미드 필름은 잔류 응력이 낮은 것이 되고, 그 폴리이미드 필름 상에 형성한 무기막의 Haze 가 낮아진다는 관점에서, 바람직하다.It is preferable that it is less than 5 mass % with respect to the total amount of a polyimide precursor, and, as for content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000, it is more preferable that it is less than 1 mass % of the polyimide precursor in 2nd aspect of this implementation. The polyimide film formed from the resin composition obtained using such a polyimide precursor becomes a thing with a low residual stress, and it is preferable from a viewpoint that the Haze of the inorganic film formed on the polyimide film becomes low.

폴리이미드 전구체의 전체량에 대한 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 그 폴리이미드 전구체를 용해한 용액을 사용하여 GPC 측정을 실시하여 얻어지는 피크 면적으로부터 산출할 수 있다.Content of the molecule|numerator with molecular weight less than 1,000 with respect to the whole quantity of a polyimide precursor is computable from the peak area obtained by performing GPC measurement using the solution which melt|dissolved the polyimide precursor.

본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체는, 보존 안정성이 우수하고, 도공성이 우수하다. 또, 본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 낮고, 휨이 적고, 황색도 (YI 치) 가 작고, 신장도가 높고, 파단 강도가 높다.The polyimide precursor of the second aspect of the present embodiment is excellent in storage stability and excellent in coatability. Moreover, the polyimide film formed from the polyimide precursor of the 2nd aspect of this Example has a low residual stress, there is little curvature, a yellowness (YI value) is small, elongation is high, and breaking strength is high.

제 1 양태 및 제 2 양태에 있어서의 폴리이미드 전구체에는, 신장도, 강도, 응력, 및 황색도 등을 저해하지 않는 범위에서, 전술한 일반식 (6) ∼ (9) 로 나타내는 디아민 외에, 다른 디아민을 사용할 수 있다.In the polyimide precursor in a 1st aspect and a 2nd aspect, in the range which does not impair elongation, intensity|strength, stress, yellowness, etc. other than the diamine represented by the general formula (6)-(9) mentioned above, other Diamines may be used.

그 밖의 디아민으로는, 예를 들어, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of other diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, and 3,3' -diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3, 4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane , 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4- Aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl ]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis( 4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy) )phenyl)propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, and the like, and select from these It is preferable to use one or more of these.

전체 디아민 중의, 상기 기타 디아민의 함유량은, 20 몰% 이하가 바람직하고, 10 몰% 이하가 특히 바람직하다.20 mol% or less is preferable and, as for content of the said other diamine in all the diamines, 10 mol% or less is especially preferable.

[폴리이미드 전구체의 제조] [Preparation of polyimide precursor]

본 발명의 폴리이미드 전구체 (폴리아미드산) 는, 테트라카르복실산 2무수물과, 전술한 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 APAB) 과, 전술한 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 4,4'-DAS) 을, 중축합 반응시킴으로써, 합성할 수 있다. 이 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 APAB 및 4,4'-DAS 를 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, 테트라카르복실산 2무수물을 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.The polyimide precursor (polyamic acid) of the present invention is a tetracarboxylic dianhydride, a diamine (eg APAB) used for a structural unit represented by the above-mentioned general formula (1), and the above-mentioned general formula (2) It can synthesize|combine the diamine (for example, 4,4'-DAS) used for the structural unit represented by ) by carrying out a polycondensation reaction. It is preferable to carry out this reaction in a suitable solvent. Specifically, for example, after dissolving a predetermined amount of APAB and 4,4'-DAS in a solvent, a predetermined amount of tetracarboxylic dianhydride is added to the obtained diamine solution, and a method of stirring is mentioned. .

디아민 성분 중, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는 99/1 ∼ 1/99 이면 한정되지 않는다. 디아민 성분 중, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민이 1 몰% 이상이면, 황색도가 양호한 경향이 있고, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민이 1 몰% 이상이면, 얻어지는 폴리이미드 필름 상에 무기막을 형성한 후의 휨이 양호한 경향이 있다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는 95/5 ∼ 50/50 이 바람직하고, 90/10 ∼ 50/50 이 보다 바람직하다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민과, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비는, 80/20 ∼ 50/50 이어도 되고, 70/30 ∼ 50/50 이어도 된다. 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비를 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민의 몰비 이상으로 하는 것이 바람직하다. Among the diamine components, the molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by the general formula (1) to the diamine used for the structural unit represented by the general formula (2) is not limited as long as it is 99/1 to 1/99. Among the diamine components, when the diamine used for the structural unit represented by the general formula (2) is 1 mol% or more, the yellowness tends to be good, and the diamine used for the structural unit represented by the general formula (1) is 1 mol% or more There exists a tendency for the curvature after forming an inorganic film on the polyimide film obtained on this back to be favorable. The molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by the general formula (1) to the diamine used for the structural unit represented by the general formula (2) is preferably 95/5 to 50/50, and 90/10 to 50/50 more preferably. The molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by General formula (1) and the diamine used for the structural unit represented by General formula (2) may be 80/20-50/50, and 70/30-50/50 may be sufficient as it. do. It is preferable to make the molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by General formula (1) into more than the molar ratio of the diamine used for the structural unit represented by General formula (2).

또, 본 실시의 제 2 양태의 폴리이미드 전구체는, 테트라카르복실산 2무수물 (예를 들어 TAHQ) 과, 전술한 일반식 (6) 으로 나타내는 구조 단위에 사용되는 디아민 (예를 들어 APAB) 을, 중축합 반응시킴으로써, 합성할 수 있다. 이 반응은, 적당한 용매 중에서 실시하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 용매에 소정량의 APAB 를 용해시킨 후, 얻어진 디아민 용액에, TAHQ 를 소정량 첨가하고, 교반하는 방법을 들 수 있다.Moreover, the polyimide precursor of the 2nd aspect of this embodiment is tetracarboxylic dianhydride (for example, TAHQ), and the diamine used for the structural unit represented by the above-mentioned general formula (6) (for example, APAB) , it can be synthesized by a polycondensation reaction. It is preferable to carry out this reaction in a suitable solvent. For example, after dissolving a predetermined amount of APAB in a solvent specifically, the method of adding and stirring a predetermined amount of TAHQ to the obtained diamine solution is mentioned.

상기 폴리이미드 전구체를 합성할 때의, 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비 (몰비) 는, 얻어지는 수지 필름의 열 선팽창률, 잔류 응력, 신장도, 및 황색도 (이하, YI 라고도 한다) 를 원하는 범위로 컨트롤한다는 관점에서, 테트라카르복실산 2무수물:디아민 = 100:90 ∼ 100:110 (테트라카르복실산 2무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.90 ∼ 1.10 몰부) 의 범위로 하는 것이 바람직하고, 100:95 ∼ 100:105 (산 2무수물 1 몰부에 대하여 디아민 0.95 ∼ 1.05 몰부) 의 범위로 하는 것이 더욱 바람직하다.The ratio (molar ratio) of the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component at the time of synthesizing the said polyimide precursor is the coefficient of thermal linear expansion, residual stress, elongation, and yellowness (hereinafter also referred to as YI) of the obtained resin film. ) is preferably in the range of tetracarboxylic dianhydride:diamine = 100:90 to 100:110 (0.90 to 1.10 mole parts of diamine with respect to 1 mole part of tetracarboxylic dianhydride) , 100:95 to 100:105 (0.95 to 1.05 mol parts of diamine with respect to 1 mol part of acid dianhydride) is more preferable.

본 실시양태에 있어서, 바람직한 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산을 합성할 때에는, 분자량을, 테트라카르복실산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비의 조정, 및 말단 봉지제 (封止劑) 의 첨가에 의해 컨트롤하는 것이 가능하다. 산 2무수물 성분과 디아민 성분의 비가 1:1 에 가까울수록, 및 말단 봉지제의 사용량이 적을수록, 폴리아미드산의 분자량을 크게 할 수 있다.In this embodiment, when synthesize|combining the polyamic acid which is a preferable polyimide precursor, the molecular weight is adjusted by adjustment of the ratio of a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine component, and addition of a terminal blocker It is possible to control The molecular weight of polyamic acid can be enlarged, so that ratio of an acid dianhydride component and a diamine component is close to 1:1, and there is little usage-amount of a terminal blocker.

테트라카르복실산 2무수물 성분 및 디아민 성분으로서, 고순도품을 사용하는 것이 추장 (推奬) 된다. 그 순도로는, 각각, 98 질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 99 질량% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 99.5 질량% 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 복수 종류의 산 2무수물 성분 또는 디아민 성분을 병용하는 경우에는, 산 2무수물 성분 또는 디아민 성분의 전체적으로 상기의 순도를 갖고 있으면 충분하지만, 사용하는 전체 종류의 산 2무수물 성분 및 디아민 성분이, 각각 상기의 순도를 갖고 있는 것이 바람직하다.As the tetracarboxylic dianhydride component and the diamine component, it is recommended to use a high-purity product. The purity is preferably 98 mass% or more, more preferably 99 mass% or more, and still more preferably 99.5 mass% or more. In the case of using a plurality of types of acid dianhydride components or diamine components together, it is sufficient if the acid dianhydride component or diamine component has the above purity as a whole. It is desirable to have a purity of

반응의 용매로는, 테트라카르복실산 2무수물 성분 및 디아민 성분, 그리고 발생한 폴리아미드산을 용해할 수 있고, 고분자량의 중합체가 얻어지는 용매이면 특별히 제한은 되지 않는다. 이와 같은 용매의 구체예로는, 예를 들어, 비프로톤성 용매, 페놀계 용매, 에테르 및 글리콜계 용매 등을 들 수 있다. 이들의 구체예로는, As a solvent for reaction, a tetracarboxylic dianhydride component and a diamine component, and a polyamic acid which generate|occur|produced can be melt|dissolved, and if it is a solvent from which a high molecular weight polymer is obtained, a restriction|limiting in particular will not be carried out. Specific examples of such a solvent include, for example, an aprotic solvent, a phenolic solvent, an ether, and a glycol-based solvent. Specific examples thereof include:

상기 비프로톤성 용매로서, 예를 들어, N,N-디메틸포름아미드 (DMF), N,N-디메틸아세트아미드 (DMAc), N-메틸-2-피롤리돈 (NMP), N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아, 하기 일반식 (13):As the aprotic solvent, for example, N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), N-methylcapro Lactam, 1,3-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, the following general formula (13):

[화학식 25] [Formula 25]

Figure pat00025
Figure pat00025

식 중, R12=메틸기로 나타내는 에크아미드 M100 (상품명:이데미츠 흥산사 제조), 및, R12=n-부틸기로 나타내는 에크아미드 B100 (상품명:이데미츠 흥산사 제조) 등의 아미드계 용매;In the formula, R 12 = Ecamide M100 represented by a methyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Kogsan Co., Ltd.), and R 12 = Ecamide B100 represented by an n-butyl group (trade name: manufactured by Idemitsu Kogsan Co., Ltd.) amide solvents;

γ-부티로락톤, γ-발레로락톤 등의 락톤계 용매;lactone-based solvents such as γ-butyrolactone and γ-valerolactone;

헥사메틸포스포릭아미드, 헥사메틸포스핀트리아미드 등의 함인계 아미드계 용매;phosphorus-containing amide solvents such as hexamethylphosphoric amide and hexamethylphosphine triamide;

디메틸술폰, 디메틸술폭시드, 술포란 등의 함황계 용매;sulfur-containing solvents such as dimethyl sulfone, dimethyl sulfoxide, and sulfolane;

시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등의 케톤계 용매;Ketone solvents, such as cyclohexanone and methylcyclohexanone;

피콜린, 피리딘 등의 3 급 아민계 용매;tertiary amine solvents such as picoline and pyridine;

아세트산(2-메톡시-1-메틸에틸) 등의 에스테르계 용매 Ester solvents such as acetic acid (2-methoxy-1-methylethyl)

등을:My back:

상기 페놀계 용매로서, 예를 들어, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀 등을:As the phenolic solvent, for example, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2, 6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, etc.:

상기 에테르 및 글리콜계 용매로서, 예를 들어, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 1,2-비스(2-메톡시에톡시)에탄, 비스[2-(2-메톡시에톡시)에틸]에테르, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산 등을, As the ether and glycol solvent, for example, 1,2-dimethoxyethane, bis(2-methoxyethyl)ether, 1,2-bis(2-methoxyethoxy)ethane, bis[2-( 2-methoxyethoxy) ethyl] ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, etc.;

각각 들 수 있다.each can be

폴리아미드산의 합성에 사용되는 용매의 상압에 있어서의 비점은, 60 ∼ 300 ℃ 가 바람직하고, 140 ∼ 280 ℃ 가 보다 바람직하고, 170 ∼ 270 ℃ 가 특히 바람직하다. 용매의 비점이 300 ℃ 보다 높으면, 건조 공정이 장시간 필요해진다. 한편 용매의 비점이 60 ℃ 보다 낮으면, 건조 공정 중에, 수지막의 표면에 있어서의 거칠어짐의 발생, 수지막 중으로의 기포의 혼입 등이 일어나, 균일한 필름이 얻어지지 않는 경우가 있다.60-300 degreeC is preferable, as for the boiling point in normal pressure of the solvent used for the synthesis|combination of a polyamic acid, 140-280 degreeC is more preferable, 170-270 degreeC is especially preferable. When the boiling point of a solvent is higher than 300 degreeC, a drying process becomes necessary for a long time. On the other hand, when the boiling point of the solvent is lower than 60°C, roughness occurs on the surface of the resin film, mixing of air bubbles into the resin film, etc. occur during the drying step, and a uniform film may not be obtained.

이와 같이, 바람직하게는 비점이 170 ∼ 270 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 20 ℃ 에 있어서의 증기압이 250 ㎩ 이하인 용매를 사용하는 것이, 용해성 및 도공시 에지 크레이터링의 관점에서 바람직하다. 보다 구체적으로는, N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 상기 일반식 (11) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Thus, it is preferable from a viewpoint of solubility and an edge repelling at the time of coating that it is preferable to use the solvent whose boiling point is 170-270 degreeC preferably, More preferably, the vapor pressure in 20 degreeC is 250 Pa or less. More specifically, it is preferable to use at least one member selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, and a compound represented by the general formula (11).

용매 중의 수분 함량은, 3000 질량ppm 이하가 바람직하다.As for the water content in a solvent, 3000 mass ppm or less is preferable.

이들 용매는, 단독으로 또는 2 종류 이상 혼합하여 사용해도 된다.You may use these solvents individually or in mixture of 2 or more types.

본 실시양태에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체는, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량이 5 질량% 미만인 것이 바람직하다.It is preferable that content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000 is less than 5 mass % of (a) polyimide precursor in this embodiment.

(a) 폴리이미드 전구체 중에, 이 분자량 1,000 미만의 분자가 존재하는 것은, 합성시에 사용하는 용매의 수분량이 관여하고 있기 때문인 것으로 생각된다. 즉, 일부의 산 2무수물 모노머의 산 무수물기가 수분에 의해 가수 분해하여 카르복실기가 되고, 고분자량화하는 일 없이 저분자의 상태로 잔존하는 것에 의한 것으로 생각된다. 따라서, 상기의 중합 반응에 사용하는 용매의 수분량은, 가급적으로 적은 편이 좋다. 이 용매의 수분량은, 3,000 질량ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 1,000 질량ppm 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.(a) It is thought that the reason that this molecular weight less than 1,000 molecules exists in a polyimide precursor is because the water content of the solvent used at the time of synthesis|combining is involved. That is, it is thought that it is because the acid anhydride group of a part of acid dianhydride monomers hydrolyzes with water|moisture content, becomes a carboxyl group, and remains in the state of a low molecular weight without becoming high molecular weight. Therefore, the amount of water in the solvent used for the polymerization reaction is preferably as small as possible. It is preferable to set it as 3,000 mass ppm or less, and, as for the moisture content of this solvent, it is more preferable to set it as 1,000 mass ppm or less.

용매의 수분량은, 사용하는 용매의 그레이드 (탈수 그레이드, 범용 그레이드 등), 용매 용기 (병, 18 ℓ 캔, 캐니스터 캔 등), 용매의 보관 상태 (희가스 봉입의 유무 등), 개봉부터 사용까지의 시간 (개봉 후 바로 사용하거나, 개봉 후 시간 경과한 후에 사용하거나 등) 등이 관여하는 것으로 생각된다. 또, 합성 전의 반응기의 희가스 치환, 합성 중의 희가스 유통의 유무 등도 관여하는 것으로 생각된다. 따라서, (a) 폴리이미드 전구체의 합성시에는, 원료로서 고순도품을 사용하고, 수분량이 적은 용매를 사용함과 함께, 반응 전 및 반응 중에 계내에 환경으로부터의 수분이 혼입하지 않는 조치를 강구하는 것이 추장된다.The water content of the solvent is determined by the grade of the solvent used (dehydration grade, general-purpose grade, etc.), solvent container (bottle, 18 liter can, canister can, etc.), storage condition of the solvent (whether or not sealed with noble gas, etc.), from opening to use. Time (use immediately after opening, use after time has elapsed after opening, etc.) is considered to be involved. Moreover, it is thought that the rare gas substitution of the reactor before synthesis|combination, the presence or absence of rare gas flow|circulation during synthesis|combination, etc. are also involved. Therefore, (a) when synthesizing the polyimide precursor, it is recommended to use a high-purity product as a raw material, use a solvent with a low water content, and take measures to prevent moisture from the environment from entering the system before and during the reaction. it is recommended

용매 중에 각 모노머 성분을 용해시킬 때에는, 필요에 따라 가열해도 된다.When dissolving each monomer component in a solvent, you may heat as needed.

(a) 폴리이미드 전구체 합성시의 반응 온도는, 0 ℃ ∼ 120 ℃ 로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 40 ℃ ∼ 100 ℃ 이고, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 100 ℃ 이다. 이 온도에서 중합 반응을 실시함으로써, 중합도가 높은 폴리이미드 전구체가 얻어진다. 중합 시간은, 1 ∼ 100 시간으로 하는 것이 바람직하고, 2 ∼ 10 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다. 중합 시간을 1 시간 이상으로 함으로써 균일한 중합도의 폴리이미드 전구체가 되고, 100 시간 이하로 함으로써 중합도가 높은 폴리이미드 전구체를 얻을 수 있다.(a) It is preferable that the reaction temperature at the time of polyimide precursor synthesis|combination shall be 0 degreeC - 120 degreeC, More preferably, it is 40 degreeC - 100 degreeC, More preferably, it is 60-100 degreeC. By performing a polymerization reaction at this temperature, a polyimide precursor with a high polymerization degree is obtained. It is preferable to set it as 1 to 100 hours, and, as for polymerization time, it is more preferable to set it as 2 to 10 hours. By making polymerization time into 1 hour or more, it becomes a polyimide precursor of a uniform polymerization degree, and by setting it as 100 hours or less, a polyimide precursor with a high polymerization degree can be obtained.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, (a1) 폴리이미드 전구체 및 (a2) 폴리이미드 전구체는 이하의 특성을 갖는다.A preferable aspect of this embodiment WHEREIN: (a1) polyimide precursor and (a2) polyimide precursor have the following characteristics.

(a) 폴리이미드 전구체를 용매 (예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈) 에 용해하여 얻어지는 용액을 지지체의 표면에 도포한 후, 그 용액을 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ∼ 550 ℃ (예를 들어 430 ℃) 에서 가열 (예를 들어 1 시간) 함으로써 그 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지에 있어서, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도가 30 이하이다.(a) A solution obtained by dissolving a polyimide precursor in a solvent (for example, N-methyl-2-pyrrolidone) is applied to the surface of the support, and then the solution is subjected to a nitrogen atmosphere (for example, 2,000 ppm oxygen concentration) In the resin obtained by imidating the polyimide precursor by heating (for example, 1 hour) at 300 to 550°C (for example, 430°C) in nitrogen below), the yellowness in a 10 µm film thickness is 30 or less.

(a) 폴리이미드 전구체를 용매 (예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈) 에 용해하여 얻어지는 용액을 지지체의 표면에 도포한 후, 그 용액을 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ∼ 550 ℃ (예를 들어 430 ℃) 에서 가열 (예를 들어 1 시간) 함으로써 그 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지에 있어서, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이다.(a) A solution obtained by dissolving a polyimide precursor in a solvent (for example, N-methyl-2-pyrrolidone) is applied to the surface of the support, and then the solution is subjected to a nitrogen atmosphere (for example, 2,000 ppm oxygen concentration) Resin obtained by imidating the polyimide precursor by heating (for example, 1 hour) at 300-550 degreeC (for example, 430 degreeC) in the following nitrogen WHEREIN: A residual stress is 25 Mpa or less.

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체는, 필요에 따라, 본 발명의 원하는 성능을 저해하지 않는 범위에서, 하기 일반식 (14):The polyimide precursor which concerns on this embodiment is a range which does not impair the desired performance of this invention as needed, following General formula (14):

[화학식 26][Formula 26]

Figure pat00026
Figure pat00026

{일반식 (14) 중, 복수 존재하는 R13 은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 지방족 탄화수소, 또는 1 가의 방향족기이고, {In general formula (14), two or more R 13 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic hydrocarbon having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent aromatic group;

X4 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 유기기이고, X 4 is a tetravalent organic group having 4 to 32 carbon atoms,

Y 는 탄소수 4 ∼ 32 의 2 가의 유기기이다. 단, Y is a C4-C32 divalent organic group. only,

상기 일반식 (1) 및 상기 일반식 (6) 에 상당하는 구조 단위를 제외한다.} 으로 나타내는 구조를 갖는 폴리이미드 전구체를 추가로 함유해도 된다.The structural unit corresponding to the said General formula (1) and the said General formula (6) is excluded.} You may further contain the polyimide precursor which has a structure represented by.

일반식 (14) 에 있어서, R13 은, 바람직하게는 수소 원자이다. 또 X3 은, 내열성, YI 치의 저감, 및 전광선 투과율의 관점에서, 바람직하게는 4 가의 방향족기이다. 또 Y 는, 내열성, YI 치의 저감, 및 전광선 투과율의 관점에서, 바람직하게는 2 가의 방향족기 또는 지환식기이다.In the general formula (14), R 13 is preferably a hydrogen atom. Moreover, from a viewpoint of heat resistance, reduction of YI value, and total light transmittance, X 3 is preferably a tetravalent aromatic group. Moreover, Y is preferably a divalent aromatic group or an alicyclic group from a viewpoint of heat resistance, reduction of YI value, and total light transmittance.

본 실시형태에 관련된 (a) 폴리이미드 전구체에 있어서의 일반식 (14) 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 전구체의 질량 비율은, (a) 폴리이미드 전구체의 전부에 대하여, 80 질량% 이하인 것이 바람직하고, 70 질량% 이하인 것이, YI 치 및 전광선 투과율의 산소 의존성의 저하의 관점에서, 보다 바람직하다.It is preferable that the mass ratio of the polyimide precursor which has a structural unit represented by General formula (14) in the (a) polyimide precursor which concerns on this embodiment is 80 mass % or less with respect to all (a) polyimide precursors. And it is more preferable that it is 70 mass % or less from a viewpoint of the fall of the oxygen dependence of YI value and a total light transmittance.

본 실시형태의 바람직한 양태에 있어서, (a1) 폴리이미드 전구체 및 (a2) 폴리이미드 전구체는, 그 일부가 이미드화되어 있어도 된다. 이 경우의 이미드화율은, 80 % 이하로 하는 것이 바람직하고, 50 % 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 이 부분 이미드화는, 상기의 (a) 폴리이미드 전구체를 가열하여 탈수 폐고리함으로써 얻어진다. 이 가열은, 바람직하게는 120 ∼ 200 ℃ 이고, 보다 바람직하게는 150 ∼ 180 ℃ 의 온도에 있어서, 바람직하게는 15 분 ∼ 20 시간이고, 보다 바람직하게는 30 분 ∼ 10 시간 실시할 수 있다.A preferable aspect of this embodiment WHEREIN: As for (a1) polyimide precursor and (a2) polyimide precursor, the part may be imidated. It is preferable to set it as 80 % or less, and, as for the imidation ratio in this case, it is more preferable to set it as 50 % or less. This partial imidation is obtained by heating said (a) polyimide precursor, and carrying out dehydration closing ring. This heating becomes like this. Preferably it is 120-200 degreeC, More preferably, it is a temperature of 150-180 degreeC. WHEREIN: Preferably it is 15 minutes - 20 hours, More preferably, it can perform 30 minutes - 10 hours.

또, 상기 서술한 반응에 의해 얻어진 폴리아미드산에, N,N-디메틸포름아미드디메틸아세탈 또는 N,N-디메틸포름아미드디에틸아세탈을 첨가하여 가열하고, 카르복실산의 일부 또는 전부를 에스테르화 한 다음에, 본 실시형태에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체로서 사용함으로써, 실온 보관시의 점도 안정성이 향상된 수지 조성물을 얻을 수도 있다. 이들 에스테르 변성 폴리아미드산은, 그 밖에, 상기 서술한 산 2무수물 성분을, 산 무수물기에 대하여 1 당량의 1 가의 알코올, 및 염화티오닐, 디시클로헥실카르보디이미드 등의 탈수 축합제와 순차로 반응시킨 후, 디아민 성분과 축합 반응시키는 방법에 의해서도 얻을 수 있다. Moreover, N,N- dimethylformamide dimethyl acetal or N,N- dimethylformamide diethyl acetal is added to the polyamic acid obtained by the reaction mentioned above, and it heats, and esterifies part or all of carboxylic acid. Then, by using as (a) polyimide precursor in this embodiment, the resin composition with which the viscosity stability at the time of room temperature storage improved can also be obtained. In addition, these ester-modified polyamic acids react sequentially with the above-mentioned acid dianhydride component with 1 equivalent of monohydric alcohol with respect to the acid anhydride group, and a dehydration-condensing agent such as thionyl chloride and dicyclohexylcarbodiimide. After making it, it can obtain also by the method of making a diamine component and a condensation reaction.

본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 (a) 폴리이미드 전구체 (바람직하게는 폴리아미드산) 의 비율은, 도막 형성성의 관점에서 3 ∼ 50 질량% 가 바람직하고, 5 ∼ 40 질량% 가 더욱 바람직하고, 10 ∼ 30 질량% 가 특히 바람직하다.The ratio of the (a) polyimide precursor (preferably polyamic acid) in the resin composition of the present embodiment is preferably from 3 to 50 mass%, more preferably from 5 to 40 mass%, from the viewpoint of coating film formability, , 10-30 mass % is especially preferable.

<수지 조성물><Resin composition>

본 발명의 다른 양태는, 전술한 (a) 폴리이미드 전구체 및 (b) 유기 용제를 함유하는 수지 조성물을 제공한다. 이 수지 조성물은, 전형적으로는 바니시이다.Another aspect of this invention provides the resin composition containing the above-mentioned (a) polyimide precursor and (b) an organic solvent. This resin composition is typically a varnish.

[(b) 유기 용제] [(b) organic solvent]

본 실시형태에 있어서의 (b) 유기 용제는, 전술한 (a) 폴리이미드 전구체 및 임의적으로 사용되는 기타 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없다. 이와 같은 (b) 유기 용제로는, (a) 폴리이미드 전구체의 합성시에 사용할 수 있는 용매로서 상기 서술한 것을 사용할 수 있다. 바람직한 유기 용매도, 상기와 동일하다. 본 실시형태의 수지 조성물에 있어서의 (b) 유기 용제는, (a) 폴리이미드 전구체의 합성에 사용되는 용매와 동일해도 되고 상이해도 된다.There will be no restriction|limiting in particular, if the (b) organic solvent in this embodiment can melt|dissolve the above-mentioned (a) polyimide precursor and the other component used arbitrarily. As such (b) organic solvent, the thing mentioned above as a solvent which can be used at the time of the synthesis|combination of (a) polyimide precursor can be used. A preferable organic solvent is also the same as the above. The (b) organic solvent in the resin composition of this embodiment may be the same as or different from the solvent used for the synthesis|combination of (a) polyimide precursor.

(b) 유기 용매는, 수지 조성물의 고형분 농도가 3 ∼ 50 질량% 가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다. 또, 수지 조성물의 점도 (25 ℃) 가, 500 mPa·s ∼ 100,000 mPa·s 가 되도록, (b) 유기 용매의 구성 및 양을 조정한 다음에, 첨가하는 것이 바람직하다.(b) It is preferable to make organic solvent into the quantity used as 3-50 mass % of solid content concentration of a resin composition. Moreover, it is preferable to add after adjusting the structure and quantity of (b) organic solvent so that the viscosity (25 degreeC) of a resin composition may become 500 mPa*s - 100,000 mPa*s.

[기타 성분] [Other Ingredients]

본 실시형태의 수지 조성물은, 상기 (a) 및 (b) 성분 외에, (c) 계면 활성제, (d) 알콕시실란 화합물 등을, 추가로 함유하고 있어도 된다.The resin composition of this embodiment may contain (c) surfactant, (d) an alkoxysilane compound, etc. other than the said (a) and (b) component further.

본 실시양태에 관련된 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체와, (b) 유기 용제와, (c) 계면 활성제 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다.The resin composition which concerns on this embodiment contains at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of (a) polyimide precursor, (b) organic solvent, (c) surfactant, and (d) alkoxysilane compound.

폴리이미드 전구체의 골격은, 제 1 양태 및 제 2 양태에서 상기 서술한 골격에 한정되지 않는다. 즉, 폴리이미드 전구체의 골격은 이하의 일반식 (1) 로 나타내는 골격이면 특별히 한정은 없다.The skeleton of the polyimide precursor is not limited to the skeleton described above in the first aspect and the second aspect. That is, there will be no limitation in particular if it is frame|skeleton represented by the following general formula (1) as for frame|skeleton of a polyimide precursor.

[화학식 27] [Formula 27]

Figure pat00027
Figure pat00027

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

((c) 계면 활성제) ((c) surfactant)

본 실시형태의 수지 조성물에, 계면 활성제를 첨가함으로써, 그 수지 조성물의 도포성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 도공막에 있어서의 줄무늬의 발생을 방지할 수 있다.By adding surfactant to the resin composition of this embodiment, the applicability|paintability of the resin composition can be improved. Specifically, generation|occurrence|production of the stripe in a coating film can be prevented.

이와 같은 계면 활성제는, 예를 들어, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제, 이들 이외의 비이온 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들 예로는, Examples of such surfactants include silicone-based surfactants, fluorine-based surfactants, and nonionic surfactants other than these surfactants. These examples include:

실리콘계 계면 활성제로서, 예를 들어, 오르가노실록산 폴리머 KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093, (이상, 상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (이상, 상품명, 토레이·다우코닝·실리콘사 제조), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (이상, 상품명, 닛폰 유니카사 제조), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (이상, 상품명, 빅크케미·재팬 제조), 글라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등을;As the silicone surfactant, for example, organosiloxane polymers KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093, (above, trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (above, trade names, manufactured by Toray Dow Corning Silicon Corporation), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105 , FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (above, trade names, manufactured by Nippon Unika), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222 , KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (above, brand name, Big Chemie)・Japan), granol (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), etc.;

불소계 계면 활성제로서, 예를 들어, 메가팍 F171, F173, R-08 (다이닛폰 잉크 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), 플루오라드 FC4430, FC4432 (스미토모 쓰리엠 주식회사, 상품명) 등을;As the fluorine-based surfactant, for example, Megapac F171, F173, R-08 (manufactured by Dainippon Ink Chemical Industry Co., Ltd., trade name), Fluorad FC4430, FC4432 (Sumitomo 3M Co., Ltd., trade name), etc.;

이들 이외의 비이온 계면 활성제로서, 예를 들어, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르 등을, 각각 들 수 있다.As nonionic surfactants other than these, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether etc. are mentioned, respectively, for example.

이들 계면 활성제 중에서도, 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 억제) 의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제가 바람직하고, 큐어 공정시의 산소 농도에 의한 YI 치 및 전광선 투과율에 대한 영향의 관점에서, 실리콘계 계면 활성제가 바람직하다.Among these surfactants, silicone-based surfactants and fluorine-based surfactants are preferable from the viewpoint of coatability (streak suppression) of the resin composition, and from the viewpoint of the influence on the YI value and total light transmittance by the oxygen concentration during the curing process, silicone-based surfactants Surfactants are preferred.

(c) 계면 활성제를 사용하는 경우, 그 배합량은, 수지 조성물 중의 (a) 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.001 ∼ 5 질량부가 바람직하고, 0.01 ∼ 3 질량부가 보다 바람직하다.(c) When using surfactant, 0.001-5 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (a) polyimide precursors in a resin composition, and, as for the compounding quantity, 0.01-3 mass parts is more preferable.

(d) 알콕시실란 화합물(d) alkoxysilane compounds

본 실시형태에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 수지 필름을, 플렉시블 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서 지지체와의 사이에 충분한 밀착성을 나타내는 것으로 하기 위해서, 그 수지 조성물은, (a) 폴리이미드 전구체 100 질량% 에 대하여, 알콕시실란 화합물을 0.01 ∼ 20 질량% 를 함유할 수 있다. 폴리이미드 전구체 100 질량% 에 대한 알콕시실란 화합물의 함유량이 0.01 질량% 이상임으로써, 지지체와의 사이에 양호한 밀착성을 얻을 수 있다. 또 알콕시실란 화합물의 함유량이 20 질량% 이하인 것이, 수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서 바람직하다. 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대하여, 0.02 ∼ 15 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량% 인 것이 더욱 바람직하고, 0.1 ∼ 8 질량% 인 것이 특히 바람직하다. In order for the resin film obtained from the resin composition which concerns on this embodiment to show sufficient adhesiveness between support bodies in manufacturing processes, such as a flexible device, the resin composition is (a) with respect to 100 mass % of polyimide precursors. and 0.01-20 mass % of an alkoxysilane compound can be contained. When content of the alkoxysilane compound with respect to 100 mass % of polyimide precursors is 0.01 mass % or more, favorable adhesiveness between support bodies can be acquired. Moreover, it is preferable from a viewpoint of storage stability of a resin composition that content of an alkoxysilane compound is 20 mass % or less. It is more preferable that content of an alkoxysilane compound is 0.02-15 mass % with respect to 100 mass parts of polyimide precursors, It is still more preferable that it is 0.05-10 mass %, It is especially preferable that it is 0.1-8 mass %.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 첨가제로서 알콕시실란 화합물을 사용함으로써, 상기의 밀착성의 향상에 더하여, 또한 수지 조성물의 도공성 (줄무늬 불균일 억제) 을 향상함과 함께, 얻어지는 경화막의 YI 치의 큐어시 산소 농도 의존성을 저하시킬 수 있다.By using an alkoxysilane compound as an additive of the resin composition which concerns on this embodiment, while improving the coatability (streak nonuniformity suppression) of a resin composition in addition to said adhesive improvement, cure oxygen of YI value of the cured film obtained concentration dependence can be reduced.

알콕시실란 화합물로는, 예를 들어, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리프로폭시실란, γ-아미노프로필트리부톡시실란, γ-아미노에틸트리에톡시실란, γ-아미노에틸트리프로폭시실란, γ-아미노에틸트리부톡시실란, γ-아미노부틸트리에톡시실란, γ-아미노부틸트리메톡시실란, γ-아미노부틸트리프로폭시실란, γ-아미노부틸트리부톡시실란, 페닐실란트리올, 트리메톡시페닐실란, 트리메톡시(p-톨릴)실란, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 트리페닐실란올 및 하기 구조의 각각으로 나타내는 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있으며, 이들에서 선택되는 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the alkoxysilane compound include 3-ureidepropyltriethoxysilane, bis(2-hydroxyethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ -Aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltripropoxysilane, γ-aminopropyltributoxysilane, γ-aminoethyltriethoxysilane, γ-aminoethyltripropoxysilane, γ-aminoethyltribu Toxysilane, γ-aminobutyltriethoxysilane, γ-aminobutyltrimethoxysilane, γ-aminobutyltripropoxysilane, γ-aminobutyltributoxysilane, phenylsilane triol, trimethoxyphenylsilane, Trimethoxy(p-tolyl)silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol and an alkoxysilane compound represented by each of the following structures etc. are mentioned, It is preferable to use 1 or more types selected from these.

[화학식 28][Formula 28]

Figure pat00028
Figure pat00028

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물의 제조 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 이하의 방법에 따를 수 있다.The manufacturing method of the resin composition in this embodiment is not specifically limited. For example, it can follow the following method.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 유기 용제가 동일한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액을 그대로 수지 조성물로 할 수 있다. 또, 필요에 따라, 실온 (25 ℃) ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, 폴리이미드 전구체에 (b) 유기 용제 및 그 밖의 성분의 1 종 이상을 첨가하여, 교반 혼합한 다음에, 수지 조성물로서 사용해도 된다. 이 교반 혼합은, 교반 날개를 구비한 쓰리 원 모터 (신토 화학 주식회사 제조), 자전 공전 믹서 등의 적절한 장치를 사용할 수 있다. 또 필요에 따라 40 ∼ 100 ℃ 의 열을 가해도 된다.(a) When the solvent used when synthesize|combining a polyimide precursor and (b) organic solvent are the same, the synthesize|combined polyimide precursor solution can be used as a resin composition as it is. Moreover, after adding and stirring and mixing 1 or more types of (b) an organic solvent and other components to a polyimide precursor in the temperature range of room temperature (25 degreeC) - 80 degreeC as needed, it is used as a resin composition also be For this stirring and mixing, an appropriate device such as a three-one motor (manufactured by Shinto Chemical Co., Ltd.) equipped with stirring blades and an autorotation revolving mixer can be used. Moreover, you may apply the heat|fever of 40-100 degreeC as needed.

한편, (a) 폴리이미드 전구체를 합성했을 때에 사용한 용매와, (b) 유기 용제가 상이한 경우에는, 합성한 폴리이미드 전구체 용액 중의 용매를, 예를 들어 재침전, 용매 증류 제거 등의 적절히 방법에 의해 제거하여 (a) 폴리이미드 전구체를 단리한 후에, 실온 ∼ 80 ℃ 의 온도 범위에서, (b) 유기 용제 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 첨가하여, 교반 혼합함으로써, 수지 조성물을 조제해도 된다.On the other hand, when (a) the solvent used when synthesizing the polyimide precursor and (b) the organic solvent differ, the solvent in the synthesized polyimide precursor solution is appropriately subjected to methods such as reprecipitation and solvent distillation. After removing and isolating (a) a polyimide precursor, you may prepare a resin composition by adding (b) an organic solvent and other components as needed and stirring and mixing in the temperature range of room temperature - 80 degreeC.

상기 서술한 바와 같이 수지 조성물을 조제한 후, 그 조성물 용액을 예를 들어 130 ∼ 200 ℃ 에 있어서 예를 들어 5 분 ∼ 2 시간 가열함으로써, 폴리머가 석출을 일으키지 않을 정도로 폴리이미드 전구체의 일부를 탈수 이미드화해도 된다. 여기서, 가열 온도 및 가열 시간을 컨트롤함으로써, 이미드화율을 제어할 수 있다. 폴리이미드 전구체를 부분 이미드화함으로써, 수지 조성물의 실온 보관시의 점도 안정성을 향상시킬 수 있다. 이미드화율의 범위로는, 5 % ∼ 70 % 로 하는 것이, 수지 조성물 용액에 대한 폴리이미드 전구체의 용해성과 용액의 보존 안정성의 밸런스를 잡는 관점에서 바람직하다.After preparing the resin composition as mentioned above, by heating the composition solution at 130-200 degreeC for 5 minutes - 2 hours, for example, a part of polyimide precursor is dehydrated already so that a polymer does not raise|generate precipitation. You can make it Here, the imidation rate can be controlled by controlling the heating temperature and the heating time. By partially imidating a polyimide precursor, the viscosity stability at the time of room temperature storage of a resin composition can be improved. As a range of the imidation ratio, it is preferable to set it as 5 % - 70 % from a viewpoint of balancing the solubility of the polyimide precursor with respect to a resin composition solution, and the storage stability of a solution.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물은, 그 수분량이 3,000 질량ppm 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the water content of the resin composition which concerns on this embodiment is 3,000 mass ppm or less.

수지 조성물의 수분량은, 그 수지 조성물을 보존할 때의 점도 안정성의 관점에서, 1,000 질량ppm 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 질량ppm 이하인 것이 더욱 바람직하다.From a viewpoint of viscosity stability at the time of storing the resin composition, it is more preferable that it is 1,000 mass ppm or less, and, as for the moisture content of a resin composition, it is more preferable that it is 500 mass ppm or less.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물의 용액 점도는, 25 ℃ 에 있어서, 500 ∼ 200,000 mPa·s 가 바람직하고, 2,000 ∼ 100,000 mPa·s 가 보다 바람직하고, 3,000 ∼ 30,000 mPa·s 가 특히 바람직하다. 이 용액 점도는, E 형 점도계 (토키 산업 주식회사 제조, VISCONICEHD) 를 사용하여 측정할 수 있다. 용액 점도가 300 mPa·s 보다 낮으면, 막 형성시의 도포가 하기 어렵고, 200,000 mPa·s 보다 높으면, 합성시의 교반이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다.In 25 degreeC, as for the solution viscosity of the resin composition which concerns on this embodiment, 500-200,000 mPa*s is preferable, 2,000-100,000 mPa*s is more preferable, 3,000-30,000 mPa*s is especially preferable. This solution viscosity can be measured using the E-type viscometer (The Toki Sangyo Co., Ltd. make, VISCONICEHD). When the solution viscosity is lower than 300 mPa·s, coating at the time of film formation is difficult, and when it is higher than 200,000 mPa·s, there is a fear that a problem arises that stirring at the time of synthesis becomes difficult.

(a) 폴리이미드 전구체를 합성할 때에, 용액이 고점도가 되었다고 해도, 반응 종료 후에 용매를 첨가하여 교반함으로써, 취급성이 좋은 점도의 수지 조성물을 얻는 것이 가능하다.(a) When synthesize|combining a polyimide precursor, even if a solution becomes high viscosity, it is possible to obtain the resin composition of the viscosity with good handleability by adding and stirring a solvent after completion|finish of reaction.

본 실시형태의 수지 조성물은, 바람직한 양태에 있어서 이하의 특성을 갖는다.The resin composition of this embodiment has the following characteristics in a preferable aspect.

수지 조성물을 지지체의 표면에 도포하여 도막을 형성한 후, 그 도막을, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ℃ ∼ 550 ℃ 에 있어서 가열함으로써, 상기 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하이다.After the resin composition is applied to the surface of the support to form a coating film, the coating film is included in the coating film by heating in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen with an oxygen concentration of 2,000 ppm or less) at 300°C to 550°C. The resin film obtained by imidating the polyimide precursor used has yellowness YI in 10 micrometers film thickness of 30 or less.

수지 조성물을 지지체의 표면에 도포하여 도막을 형성한 후, 그 도막을, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 300 ℃ ∼ 550 ℃ 에 있어서 가열함으로써, 상기 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 얻어지는 수지 필름은, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이다.After the resin composition is applied to the surface of the support to form a coating film, the coating film is included in the coating film by heating in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen with an oxygen concentration of 2,000 ppm or less) at 300°C to 550°C. Residual stress of the resin film obtained by imidating the polyimide precursor used is 25 Mpa or less.

본 실시형태에 관련된 수지 조성물은, 예를 들어, 액정 디스플레이, 유기 일렉트로 루미네선스 디스플레이, 필드 에미션 디스플레이, 전자 페이퍼 등의 표시 장치의 투명 기판을 형성하기 위해서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 박막 트랜지스터 (TFT) 의 기판, 컬러 필터의 기판, 투명 도전막 (ITO, IndiumThinOxide) 의 기판 등을 형성하기 위해서 사용할 수 있다.The resin composition according to the present embodiment can be suitably used, for example, to form a transparent substrate of a display device such as a liquid crystal display, an organic electroluminescence display, a field emission display, or electronic paper. Specifically, it can be used in order to form the board|substrate of a thin film transistor (TFT), the board|substrate of a color filter, the board|substrate of a transparent conductive film (ITO, IndiumThinOxide), etc.

본 실시형태의 수지 전구체는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하인 폴리이미드 필름을 형성할 수 있기 때문에, 무색 투명 폴리이미드 기판 상에 TFT 소자 장치를 구비한 디스플레이 제조 공정에 적용하기 쉽다.Since the resin precursor of this embodiment can form the polyimide film whose residual stress is 25 MPa or less, it is easy to apply to the display manufacturing process provided with the TFT element device on the colorless transparent polyimide substrate.

<수지 필름><resin film>

본 발명의 다른 양태는, 전술한 수지 전구체로부터 형성된 수지 필름을 제공한다.Another aspect of the present invention provides a resin film formed from the above-mentioned resin precursor.

또, 본 발명의 또 다른 양태는, 전술한 수지 조성물로부터 수지 필름을 제조하는 방법을 제공한다.Moreover, another aspect of this invention provides the method of manufacturing a resin film from the above-mentioned resin composition.

본 실시형태에 있어서의 수지 필름은,The resin film in this embodiment,

지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과, A step of forming a coating film by applying the resin composition described above on the surface of the support (application step);

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 과, a step of imidizing a polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film to form a polyimide resin film (heating process);

상기 폴리이미드 수지막을 그 지지체로부터 박리하는 공정 (박리 공정) Step of peeling the polyimide resin film from the support (peeling step)

을 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it includes.

여기서, 지지체는, 그 후의 공정의 가열 온도에 있어서의 내열성을 갖고, 박리성이 양호하면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 유리 (예를 들어, 무알칼리 유리) 기판;Here, a support body will not be specifically limited, if it has heat resistance in the heating temperature of a subsequent process and peelability is favorable. For example, a glass (eg, alkali-free glass) substrate;

실리콘 웨이퍼;silicon wafer;

PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌), 폴리에틸렌글리콜테레프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술폰, 폴리페닐렌술파이드 등의 수지 기판;PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene), polyethylene glycol terephthalate, polyethylene glycol naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyamideimide, polyetherimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, polyphenylene resin substrates such as sulfone and polyphenylene sulfide;

스테인리스, 알루미나, 구리, 니켈 등의 금속 기판 Metal substrates such as stainless steel, alumina, copper, nickel, etc.

등이 사용된다.etc are used.

막상 (膜狀) 의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하고, 필름상 또는 시트상의 폴리이미드 성형체를 형성하는 경우에는, 예를 들어, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), OPP (연신 폴리프로필렌) 등으로 이루어지는 지지체가 바람직하다.When forming a film-like polyimide molded body, for example, a glass substrate, a silicon wafer, etc. are preferable, and when forming a film-form or sheet-like polyimide molded body, for example, PET (polyethylene terephthalate), OPP (stretched polypropylene) or the like is preferable.

도포 방법으로는, 예를 들어, 닥터 블레이드 나이프 코터, 에어 나이프 코터, 롤 코터, 로터리 코터, 플로우 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 도포 방법, 스핀 코트, 스프레이 코트, 딥 코트 등의 도포 방법;스크린 인쇄 및 그라비아 인쇄 등으로 대표되는 인쇄 기술 등을 적용할 수 있다.Examples of the coating method include a doctor blade knife coater, an air knife coater, a roll coater, a rotary coater, a flow coater, a die coater, a bar coater, etc. coating methods, spin coating, spray coating, dip coating, etc.; Printing techniques, such as screen printing and gravure printing, can be applied.

도포 두께는, 원하는 수지 필름의 두께와 수지 조성물 중의 폴리이미드 전구체의 함유량에 따라 적절히 조정되어야 할 것이지만, 바람직하게는 1 ∼ 1,000 ㎛ 정도이다. 도포 공정은, 실온에 있어서의 실시로 충분하지만, 점도를 낮추어 작업성을 양호하게 할 목적으로, 수지 조성물을 40 ∼ 80 ℃ 의 범위에서 가온하여 실시해도 된다.The coating thickness should be appropriately adjusted depending on the desired thickness of the resin film and the content of the polyimide precursor in the resin composition, but is preferably about 1 to 1,000 µm. Although implementation in room temperature is sufficient for an application|coating process, in order to lower|hang a viscosity and make workability|operativity favorable, you may heat and implement a resin composition in the range of 40-80 degreeC.

도포 공정에 이어서, 건조 공정을 실시해도 되고, 건조 공정을 생략하여 직접 다음의 가열 공정으로 진행해도 된다. 이 건조 공정은, 유기 용제 제거의 목적으로 실시된다. 건조 공정을 실시하는 경우, 예를 들어, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 적절한 장치를 이용할 수 있다. 건조 공정은, 80 ∼ 200 ℃ 에서 실시하는 것이 바람직하고, 100 ∼ 150 ℃ 에서 실시하는 것이 보다 바람직하다. 건조 공정의 실시 시간은, 1 분 ∼ 10 시간으로 하는 것이 바람직하고, 3 분 ∼ 1 시간으로 하는 것이 보다 바람직하다.A drying process may be implemented following an application|coating process, a drying process may be abbreviate|omitted, and you may proceed directly to the next heating process. This drying process is implemented for the purpose of organic solvent removal. When performing a drying process, suitable apparatuses, such as a hot plate, a box-type dryer, and a conveyor-type dryer, can be used, for example. It is preferable to implement at 80-200 degreeC, and, as for a drying process, it is more preferable to implement at 100-150 degreeC. It is preferable to set it as 1 minute - 10 hours, and, as for the implementation time of a drying process, it is more preferable to set it as 3 minutes - 1 hour.

상기와 같이 하여, 지지체 상에 폴리이미드 전구체를 함유하는 도막이 형성된다.As mentioned above, the coating film containing a polyimide precursor is formed on a support body.

계속해서, 가열 공정을 실시한다. 가열 공정은, 상기의 건조 공정에서 도막 중에 잔류한 유기 용제의 제거를 실시함과 함께, 도막 중의 폴리이미드 전구체의 이미드화 반응을 진행시켜, 폴리이미드로 이루어지는 막을 얻는 공정이다.Then, a heating process is implemented. A heating process is a process of advancing the imidation reaction of the polyimide precursor in a coating film while removing the organic solvent which remained in the coating film in said drying process, and obtaining the film|membrane which consists of a polyimide.

이 가열 공정은, 예를 들어, 이너트 가스 오븐, 핫 플레이트, 박스형 건조기, 컨베이어형 건조기 등의 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 이 공정은 상기 건조 공정과 동시에 실시해도 되고, 양 공정을 축차적으로 실시해도 된다.This heating process can be implemented using apparatuses, such as an inert gas oven, a hot plate, a box-type dryer, and a conveyor-type dryer, for example. This process may be performed simultaneously with the said drying process, and you may implement both processes sequentially.

가열 공정은, 공기 분위기 하에서 실시해도 되지만, 안전성과, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 YI 치의 관점에서, 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 추장된다. 불활성 가스로는, 예를 들어, 질소, 아르곤 등을 들 수 있다.Although you may implement a heating process in air atmosphere, it is recommended to implement in an inert gas atmosphere from a viewpoint of safety|security, transparency of the polyimide film obtained, and a YI value. As an inert gas, nitrogen, argon, etc. are mentioned, for example.

가열 온도는, (b) 유기 용제의 종류에 따라 적절히 설정되어도 되지만, 250 ℃ ∼ 550 ℃ 가 바람직하고, 300 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 250 ℃ 이상이면, 이미드화가 충분해지고, 550 ℃ 이하이면, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성의 저하, 내열성의 악화 등의 문제가 없다. 가열 시간은, 0.5 ∼ 3 시간 정도로 하는 것이 바람직하다.Although heating temperature may be set suitably according to the kind of (b) organic solvent, 250 degreeC - 550 degreeC are preferable, and 300-450 degreeC is more preferable. If it is 250 degreeC or more, imidation will become enough, and if it is 550 degrees C or less, there will be no problems, such as a fall of transparency of the polyimide film obtained, and deterioration of heat resistance. The heating time is preferably about 0.5 to 3 hours.

본 실시형태에서는, 상기의 가열 공정에 있어서의 주위 분위기의 산소 농도는, 얻어지는 폴리이미드 필름의 투명성 및 YI 치의 관점에서, 2,000 질량ppm 이하가 바람직하고, 100 질량ppm 이하가 보다 바람직하고, 10 질량ppm 이하가 더욱 바람직하다. 산소 농도가 2,000 질량ppm 이하인 분위기 중에서 가열을 실시함으로써, 얻어지는 폴리이미드 필름의 YI 치를 30 이하로 할 수 있다.In this embodiment, 2,000 mass ppm or less is preferable from a viewpoint of transparency of the polyimide film obtained, and a YI value, as for the oxygen concentration of the ambient atmosphere in said heating process, 100 mass ppm or less is more preferable, 10 mass ppm or less is more preferable. The YI value of the polyimide film obtained can be made into 30 or less by heating in the atmosphere whose oxygen concentration is 2,000 mass ppm or less.

폴리이미드 수지막의 사용 용도·목적에 따라서는, 상기 가열 공정의 후, 지지체로부터 수지막을 박리하는 박리 공정이 필요해진다. 이 박리 공정은, 지지체 상의 수지막을, 실온 ∼ 50 ℃ 정도까지 냉각시킨 후에, 실시하는 것이 바람직하다.The peeling process of peeling a resin film from a support body is needed after the said heating process depending on the use use/purpose of a polyimide resin film. It is preferable to perform this peeling process, after cooling the resin film on a support body to room temperature - about 50 degreeC.

이 박리 공정으로는, 예를 들어 하기의 (1) ∼ (4) 의 양태를 들 수 있다.As this peeling process, the aspect of following (1)-(4) is mentioned, for example.

(1) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 제조한 후, 그 구조체의 지지체측으로부터 레이저를 조사하여, 지지체와 폴리이미드 수지막의 계면을 어블레이션 가공함으로써, 폴리이미드 수지를 박리하는 방법. 레이저의 종류로는, 고체 (YAG) 레이저, 가스 (UV 엑시머) 레이저 등을 들 수 있다. 파장 308 ㎚ 등의 스펙트럼을 사용하는 것이 바람직하다 (일본 공표특허공보 2007-512568 공보, 일본 공표특허공보 2012-511173 공보 등을 참조).(1) After producing a structure including a polyimide resin film/support by the above method, laser is irradiated from the support side of the structure, and the interface between the support and the polyimide resin film is ablated by ablation processing, thereby polyimide resin How to peel. As a kind of laser, a solid-state (YAG) laser, a gas (UV excimer) laser, etc. are mentioned. It is preferable to use a spectrum with a wavelength of 308 nm or the like (refer to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-512568, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-511173, etc.).

(2) 지지체에 수지 조성물을 도공하기 전에, 지지체에 박리층을 형성하고, 그 후 폴리이미드 수지막/박리층/지지체를 포함하는 구성체를 얻어, 폴리이미드 수지막을 박리하는 방법. 박리층으로는, 파릴렌 (등록상표, 닛폰 파릴렌 합동회사 제조), 산화텅스텐을 사용하는 방법;식물유계, 실리콘계, 불소계, 알키드계 등의 이형제를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. (일본 공개특허공보 2010-67957 공보, 일본 공개특허공보 2013-179306 공보 등을 참조).(2) Before coating the resin composition on the support, a release layer is formed on the support, and then a polyimide resin film/release layer/support-containing structure is obtained, and the polyimide resin film is peeled off. Examples of the release layer include a method using parylene (registered trademark, manufactured by Nippon Parylene Co., Ltd.) and tungsten oxide; a method using a release agent such as vegetable oil, silicone, fluorine, or alkyd. (Refer to Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-67957, Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-179306, etc.).

이 방법 (2) 와 상기 (1) 의 레이저 조사를 병용해도 된다.You may use this method (2) and the laser irradiation of said (1) together.

(3) 지지체로서 에칭 가능한 금속 기판을 사용하여, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 에천트로 금속을 에칭함으로써, 폴리이미드 수지 필름을 얻는 방법. 금속으로는, 예를 들어, 구리 (구체예로는, 미츠이 금속 광업 주식회사 제조의 전해 동박 「DFF」), 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 에천트로는, 구리에 대해서는 염화제2철 등을, 알루미늄에 대해서는 희염산 등을 사용할 수 있다.(3) A method of obtaining a polyimide resin film by using an etchable metal substrate as a support to obtain a structure including a polyimide resin film/support and then etching the metal with an etchant. As a metal, copper (As a specific example, the electrolytic copper foil "DFF" manufactured by Mitsui Metals Mining Co., Ltd.), aluminum, etc. can be used, for example. As the etchant, ferric chloride or the like for copper and dilute hydrochloric acid or the like can be used for aluminum.

(4) 상기 방법에 의해, 폴리이미드 수지막/지지체를 포함하는 구성체를 얻은 후, 폴리이미드 수지막 표면에 점착 필름을 첩부 (貼付) 하여, 지지체로부터 점착 필름/폴리이미드 수지막을 분리하고, 그 후 점착 필름으로부터 폴리이미드 수지막을 분리하는 방법.(4) After obtaining a structure containing a polyimide resin film/support body by the said method, an adhesive film is affixed on the polyimide resin film surface, and an adhesive film/polyimide resin film is separated from the support body, and the A method of separating a polyimide resin film from a post-adhesive film.

이들 박리 방법 중에서도, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 표리의 굴절률차, YI 치, 및 신장도의 관점에서, 방법 (1) 또는 (2) 가 적절하고, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 표리의 굴절률차의 관점에서 방법 (1) 이 보다 적절하다.Among these peeling methods, from the viewpoint of the refractive index difference, YI value, and elongation of the front and back of the polyimide resin film obtained, method (1) or (2) is suitable, and the viewpoint of the difference in refractive index between the front and back of the polyimide resin film obtained. In method (1), it is more appropriate.

또한, 방법 (3) 에 있어서, 지지체로서 구리를 사용한 경우에는, 얻어지는 폴리이미드 수지 필름의 YI 치가 커지고, 신장도가 작아지는 경향이 보인다. 이것은, 구리 이온의 영향인 것으로 생각된다.Moreover, in the method (3), when copper is used as a support body, the YI value of the polyimide resin film obtained becomes large, and the tendency for elongation to become small is seen. This is thought to be the influence of a copper ion.

상기 방법에 의해 얻어지는 수지 필름의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 200 ㎛ 의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛ 이다.Although the thickness of the resin film obtained by the said method is not specifically limited, It is preferable that it is the range of 1-200 micrometers, More preferably, it is 5-100 micrometers.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하일 수 있다. 또, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하일 수 있다. 특히, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 가 30 이하이고, 또한, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하일 수 있다. 이와 같은 특성은, 예를 들어, 본 개시의 수지 전구체를, 질소 분위기하 (예를 들어 산소 농도 2,000 ppm 이하의 질소 중), 바람직하게는 300 ℃ ∼ 550 ℃, 보다 바람직하게는 350 ℃ ∼ 450 ℃ 에 있어서 이미드화함으로써, 양호하게 실현된다.The resin film according to the present embodiment may have a yellowness YI of 30 or less at a thickness of 10 µm. In addition, the residual stress may be 25 MPa or less. In particular, the yellowness YI in the 10 μm film thickness may be 30 or less, and the residual stress may be 25 MPa or less. Such characteristics are, for example, the resin precursor of the present disclosure in a nitrogen atmosphere (for example, in nitrogen with an oxygen concentration of 2,000 ppm or less), preferably 300 ° C. to 550 ° C., more preferably 350 ° C. to 450 ° C. It is realized favorably by imidating at °C.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 또한, 인장 신장도가 15 % 이상일 수 있다. 수지 필름의 인장 신장도는, 또한 20 % 이상일 수 있으며, 특히 30 % 이상일 수 있다. 이 인장 신장도는, 10 ㎛ 막두께의 수지 필름을 시료로 하여, 시판되는 인장 시험기를 사용하여 측정할 수 있다.The resin film according to the present embodiment may further have a tensile elongation of 15% or more. The tensile elongation of the resin film may also be 20% or more, and particularly may be 30% or more. This tensile elongation degree can be measured using a commercially available tensile tester using a resin film with a film thickness of 10 micrometers as a sample.

본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 전술한 수지 조성물에 함유되어 있던 (a1) 폴리이미드 전구체가 열 이미드화된 폴리이미드로 이루어지는 필름이다. 따라서, 하기 일반식 (11):The resin film which concerns on this embodiment is a film which consists of the polyimide by which the (a1) polyimide precursor contained in the above-mentioned resin composition was thermally imidated. Therefore, the following general formula (11):

[화학식 29] [Formula 29]

Figure pat00029
Figure pat00029

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 상기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는다.{Wherein, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is at least 1 sort(s) selected from the group which consists of said General formula (3), (4) and (5). l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfy 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.}

l / (l + m) 의 하한은, 0.05 여도 되고, 0.10 이어도 되고, 0.20 이어도 되고, 0.30 이어도 되고, 0.40 이어도 된다.The lower limit of l/(l+m) may be 0.05, 0.10, 0.20, 0.30, or 0.40.

l / (l + m) 의 상한은, 0.95 여도 되고, 0.90 이어도 되고, 0.80 이어도 되고, 0.70 이어도 되고, 0.60 이어도 된다.The upper limit of l/(l+m) may be 0.95, 0.90, 0.80, 0.70, or 0.60 may be sufficient as it.

전술한 바와 같이, 바람직하게는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, YI 가 30 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 신장도가 15 % 이상이며, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상이다.As described above, preferably, the residual stress is 25 MPa or less, YI is 30 or less, the glass transition temperature is 400°C or more, the elongation is 15% or more, and the breaking strength is 250 MPa or more.

또, 제 2 양태로는, 전술한 수지 조성물에 함유되어 있던 (a2) 폴리이미드 전구체가 열 이미드화된 폴리이미드로 이루어지는 필름이다. 따라서, 하기 일반식 (12):Moreover, as a 2nd aspect, it is a film which consists of the polyimide by which the (a2) polyimide precursor contained in the above-mentioned resin composition was thermally imidated. Therefore, the following general formula (12):

[화학식 30][Formula 30]

Figure pat00030
Figure pat00030

{식 중, X3 은 4,4'-옥시디프탈산 2무수물 (ODPA), 비페닐테트라카르복실산 2무수물 (BPDA), 및 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물) (TAHQ), 에서 선택되는 적어도 1 종에서 유래하는 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 으로 나타내는 구조 단위를 갖고, 신장도가 15 % 이상인, 수지 필름이며, 바람직하게는 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, YI 가 30 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상이다.{wherein, X 3 is 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), and 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) ) (TAHQ), represents a tetravalent group derived from at least one selected from R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b, and c are integers from 0 to 4.} It is a resin film having a structural unit represented by } and having an elongation of 15% or more, preferably a residual stress of 25 MPa or less, and YI of 30 or less, The glass transition temperature is 400° C. or higher, and the breaking strength is 250 MPa or higher.

<적층체><Laminate>

본 발명의 다른 양태는, 지지체와, 그 지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물로부터 형성된 폴리이미드 수지막을 포함하는, 적층체를 제공한다.Another aspect of the present invention provides a laminate comprising a support and a polyimide resin film formed from the resin composition described above on the surface of the support.

또 본 발명의 또 다른 양태는, 상기 적층체의 제조 방법을 제공한다.Moreover, another aspect of this invention provides the manufacturing method of the said laminated body.

본 실시형태에 있어서의 적층체는,The laminate in this embodiment,

지지체의 표면 상에, 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과, The process of forming a coating film by apply|coating the above-mentioned resin composition on the surface of a support body (application process);

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 을 포함하는, 적층체의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.It can obtain with the manufacturing method of a laminated body including the process (heating process) of imidating the polyimide precursor contained in the coating film by heating the said support body and the said coating film, and forming a polyimide resin film.

상기의 적층체의 제조 방법은, 예를 들어, 박리 공정을 실시하지 않는 것 외에는, 전술한 수지 필름의 제조 방법과 동일하게 하여 실시할 수 있다.The manufacturing method of said laminated body can carry out similarly to the manufacturing method of the above-mentioned resin film, for example, except not implementing a peeling process, and can be implemented.

이 적층체는, 예를 들어, 플렉시블 디바이스의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.This laminated body can be used suitably for manufacture of a flexible device, for example.

더욱 상세하게 설명하면, 이하와 같다.In more detail, it is as follows.

플렉시블 디스플레이를 형성하는 경우, 유리 기판을 지지체로서 사용하여, 그 위에 플렉시블 기판을 형성하고, 또한 그 위에 TFT 등의 형성을 실시한다. 플렉시블 기판 상에 TFT 등을 형성하는 공정은, 전형적으로는, 150 ∼ 650 ℃ 의 넓은 범위의 온도에서 실시된다. 그러나, 현실적으로 소망되는 성능을 구현하기 위해서는, 250 ℃ ∼ 450 ℃ 부근의 고온에 있어서, 무기물 재료를 사용하여, TFT-IGZO (InGaZnO) 산화물 반도체 또는 TFT (a-Si-TFT, poly-Si-TFT) 를 형성하는 것을 필요로 한다.When forming a flexible display, a glass substrate is used as a support body, a flexible board|substrate is formed on it, and TFT etc. are formed on it. The process of forming TFT etc. on a flexible substrate is typically performed at the temperature of the wide range of 150-650 degreeC. However, in order to realistically realize the desired performance, at a high temperature around 250 ° C. to 450 ° C., using an inorganic material, TFT-IGZO (InGaZnO) oxide semiconductor or TFT (a-Si-TFT, poly-Si-TFT) ) is required to form

한편, 이들 열 이력에 의해, 폴리이미드 필름의 여러 물성 (특히 황색도나 신장도) 은 저하되는 경향이 있고,, 400 ℃ 를 초과하면, 특히, 황색도나 신장도는 저하된다. 그런데, 본 발명에 관련된 폴리이미드 전구체로부터 얻어지는 폴리이미드 필름은, 400 ℃ 이상의 고온 영역에서도, 황색도나 신장도의 저하가 매우 적어, 당해 영역에서 양호하게 사용할 수 있다.On the other hand, by these thermal histories, various physical properties (especially yellowness and elongation) of a polyimide film tend to fall, and when it exceeds 400 degreeC, especially yellowness and elongation fall. By the way, the polyimide film obtained from the polyimide precursor which concerns on this invention has very little fall of yellowness and elongation also in the high temperature area|region of 400 degreeC or more, and can be used favorably in the said area|region.

또한, 본 실시형태에서는, 하기 일반식 (13) 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 층을 포함하는 적층체를 제공할 수 있다.Moreover, in this embodiment, the laminated body containing the polyimide film layer containing the polyimide represented by following General formula (13), and a LTPS (low-temperature polysilicon TFT) layer can be provided.

[화학식 31] [Formula 31]

Figure pat00031
Figure pat00031

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} {Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.}

당해 적층체의 제조 방법으로는 전술한 지지체와, 그 지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물로부터 형성된 폴리이미드 수지막을 포함하는, 적층체를 제조한 후에, 아모르퍼스 Si 층을 형성하고, 400 ∼ 450 ℃ 에서 0.5 ∼ 3 시간 정도 탈수소 어닐을 실시한 후에, 엑시머 레이저 등으로 결정화함으로써 LTPS 층을 형성할 수 있다. 그 후, 레이저 박리 등으로 유리와 폴리이미드 필름을 박리함으로써, 상기 적층체를 얻을 수 있다.As a manufacturing method of the said laminated body, after manufacturing the laminated body containing the above-mentioned support body and the polyimide resin film formed from the above-mentioned resin composition on the surface of the support body, an amorphous Si layer is formed, and 400-450. After performing dehydrogenation annealing at about 0.5 to 3 hours at 占폚, the LTPS layer can be formed by crystallization with an excimer laser or the like. Then, the said laminated body can be obtained by peeling glass and a polyimide film by laser peeling etc.

일반식 (13) 으로 나타내는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름층과, LTPS (저온 폴리실리콘 TFT) 층, 을 포함하는 적층체는, 히트 사이클 시험 후의 박리나 부풀음이 적고, 기판 휨이 적다.The laminate containing the polyimide film layer containing the polyimide represented by the general formula (13) and the LTPS (low temperature polysilicon TFT) layer has little peeling or swelling after the heat cycle test, and there is little substrate warpage.

또, 플렉시블 기판과 폴리이미드 수지막에 발생하는 잔류 응력이 높으면, 양자로 이루어지는 적층체가 고온의 TFT 공정에 있어서 팽창한 후, 상온 냉각시에 수축할 때, 유리 기판의 휨 및 파손, 플렉시블 기판의 유리 기판으로부터의 박리 등의 문제가 발생할 수 있다. 일반적으로, 유리 기판의 열팽창 계수는 수지와 비교하여 작기 때문에, 그 유리 기판과 플렉시블 기판의 사이에 잔류 응력이 발생한다. 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 상기 서술한 바와 같이, 유리 기판과의 사이에 발생하는 잔류 응력을 25 ㎫ 이하로 할 수 있기 때문에, 플렉시블 디스플레이의 형성에 적합하게 사용할 수 있다.In addition, when the residual stress generated in the flexible substrate and the polyimide resin film is high, when the laminate formed of both expands in a high-temperature TFT process and then contracts at room temperature cooling, the glass substrate warps and breaks, and the flexible substrate Problems, such as peeling from a glass substrate, may arise. Generally, since the thermal expansion coefficient of a glass substrate is small compared with resin, residual stress generate|occur|produces between the glass substrate and a flexible substrate. Since the resin film which concerns on this embodiment can make the residual stress which generate|occur|produces between a glass substrate 25 Mpa or less as above-mentioned, it can be used suitably for formation of a flexible display.

또한, 본 실시형태에 관련된 폴리이미드 필름은, 10 ㎛ 막두께에 있어서의 황색도 YI 를 30 이하로 할 수 있고, 인장 신장도를 15 % 이상으로 할 수 있다. 이에 따라, 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 플렉시블 기판을 취급할 때의 파단 강도가 우수하고, 따라서 플렉시블 디스플레이를 제조할 때의 수율을 향상시킬 수 있다.Moreover, the polyimide film which concerns on this embodiment can make yellowness YI in 10 micrometers film thickness into 30 or less, and can make tensile elongation into 15 % or more. Thereby, the resin film which concerns on this embodiment is excellent in the breaking strength at the time of handling a flexible substrate, Therefore, the yield at the time of manufacturing a flexible display can be improved.

또, 다른 양태로서, 400 ℃ 이상에서 가열한 후의 막두께 10 미크론에 있어서의 황색도가 20 이하이고, 막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 그리고 신장도가 15 % 이상인, 폴리이미드 필름을 제공할 수 있다.Further, as another aspect, the yellowness at a film thickness of 10 microns after heating at 400°C or higher is 20 or less, the absorbance at 308 nm when the film thickness is 0.1 microns is 0.6 or more and 2.0 or less, and the elongation is 15 % or more, a polyimide film can be provided.

YI 를 20 이하로 함으로써, 디스플레이로 했을 때의 화질을 떨어뜨리지 않고, 플렉시블 기판을 제조할 수 있다. By setting YI to 20 or less, a flexible board|substrate can be manufactured, without degrading the image quality at the time of setting it as a display.

보다 바람직하게는 18 이하이고, 특히 16 이하인 것이 바람직하다.More preferably, it is 18 or less, and it is especially preferable that it is 16 or less.

막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하 또한 신장도 15 % 이상으로 함으로써, 예를 들어 유리 기판으로부터 폴리이미드 필름을 레이저로 용이하게 떼어낼 수 있다. 레이저 박리 후의 애쉬를 억제하는 관점에서, 0.6 이상 1.5 이하 또한 신장도 20 % 이상이 바람직하고, 예를 들어 유기 EL 소자의 성능을 떨어뜨리지 않는 관점에서, 0.6 이상 1.0 이하 또한 신장도 20 % 이상이 특히 바람직하다.When the absorbance at 308 nm when the film thickness is 0.1 microns is 0.6 or more and 2.0 or less and the elongation is 15% or more, the polyimide film can be easily removed from the glass substrate with a laser, for example. From the viewpoint of suppressing ash after laser exfoliation, 0.6 or more and 1.5 or less and 20% or more of elongation are preferable, for example, from the viewpoint of not degrading the performance of the organic EL device, 0.6 or more and 1.0 or less, and 20% or more of elongation Especially preferred.

신장도의 상한은 특별히 없지만, 80 % 이하여도 되고, 70 % 이하여도 되고, 60 % 이하여도 되고, 50 % 이하여도 되고, 40 % 이하여도 된다.Although there is no upper limit in particular of elongation, 80 % or less may be sufficient, 70 % or less may be sufficient, 60 % or less may be sufficient, 50 % or less may be sufficient, and 40 % or less may be sufficient.

또한, 레이저 박리시에 레이저 광으로 폴리이미드 필름이 타 버리는 경우가 있으며, 그 타고 남은 것이 애쉬이다. In addition, the polyimide film may be burned by laser light at the time of laser peeling, and what remains after the burning is ash.

따라서, 본 발명의 다른 양태는, 디스플레이 기판을 제공한다.Accordingly, another aspect of the present invention provides a display substrate.

또 본 발명의 또 다른 양태는, 상기 디스플레이 기판을 제조하는 방법을 제공한다.Another aspect of the present invention provides a method for manufacturing the display substrate.

본 실시형태에 있어서의 디스플레이 기판의 제조 방법은,The manufacturing method of the display board|substrate in this embodiment,

지지체의 표면 상에 전술한 수지 조성물을 도포함으로써 도막을 형성하는 공정 (도포 공정) 과,A step of forming a coating film by applying the resin composition described above on the surface of the support (application step);

상기 지지체 및 상기 도막을 가열함으로써, 그 도막에 포함되는 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드 수지막을 형성하는 공정 (가열 공정) 과, a step of imidizing a polyimide precursor contained in the coating film by heating the support and the coating film to form a polyimide resin film (heating process);

상기 폴리이미드 수지막 상에 소자 또는 회로를 형성하는 공정 (소자·회로 형성 공정) 과,forming an element or circuit on the polyimide resin film (element/circuit formation process);

상기 소자 또는 회로가 형성된 폴리이미드 수지막을 상기 지지체로부터 박리하는 공정 (박리 공정) Step of peeling the polyimide resin film on which the element or circuit is formed from the support (peeling step)

을 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it includes.

상기 방법에 있어서, 도포 공정, 가열 공정, 및 박리 공정은, 각각, 상기 서술한 수지 필름의 제조 방법과 동일하게 하여 실시할 수 있다. The said method WHEREIN: An application|coating process, a heating process, and a peeling process can each carry out similarly to the manufacturing method of the above-mentioned resin film, and can implement it.

소자·회로 형성 공정은, 당업자에게 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.The device/circuit forming step can be performed by a method known to those skilled in the art.

상기 물성을 충족하는 본 실시형태에 관련된 수지 필름은, 기존의 폴리이미드 필름이 갖는 황색에 의해 사용이 제한된 용도, 특히 플렉시블 디스플레이용 무색 투명 기판, 컬러 필터용 보호막 등의 용도에 적합하게 사용된다. 나아가서는, 예를 들어, 보호막, TFT-LCD 등에 있어서의 산광 시트 및 도막 (예를 들어, TFT-LCD 의 인터레이어, 게이트 절연막, 액정 배향막 등), 터치 패널용 ITO 기판, 스마트폰용 커버 유리 대체 수지 기판 등의, 무색 투명성, 또한 저복굴절이 요구되는 분야에 있어서도 사용 가능하다. 액정 배향막으로서 본 실시형태에 관련된 폴리이미드를 적용하면, 개구율이 높고, 콘트라스트비가 높은 TFT-LCD 의 제조가 가능해진다.The resin film according to the present embodiment that satisfies the above physical properties is suitably used for applications where use is restricted due to the yellow color of the existing polyimide films, in particular, a colorless transparent substrate for flexible displays, a protective film for color filters, and the like. Furthermore, for example, the light-diffusing sheet and coating film in a protective film, TFT-LCD, etc. (For example, the interlayer of TFT-LCD, a gate insulating film, a liquid crystal aligning film, etc.), ITO board|substrate for touch panels, cover glass replacement for smartphones It can be used also in the field|area in which colorless transparency and low birefringence are requested|required, such as a resin substrate. When the polyimide which concerns on this embodiment is applied as a liquid crystal aligning film, an aperture ratio will be high and manufacture of TFT-LCD with high contrast ratio will become possible.

본 실시형태에 관련된 폴리이미드 전구체, 수지 전구체를 사용하여 제조되는 수지 필름 및 적층체는, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등으로서 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디바이스의 제조에 있어서, 특히 기판으로서 적합하게 이용할 수 있다. 여기서, 본 실시형태에 관련된 수지 필름 및 적층체를 적용 가능한 플렉시블 디바이스로는, 예를 들어, 플렉시블 디스플레이, 플렉시블 태양 전지, 플렉시블 터치 패널 전극 기판, 플렉시블 조명, 플렉시블 배터리 등을 들 수 있다.The polyimide precursor which concerns on this embodiment, the resin film manufactured using the resin precursor, and a laminated body are applicable as a semiconductor insulating film, a TFT-LCD insulating film, an electrode protective film, etc., for example, and manufacture of a flexible device In particular, it can be suitably used as a board|substrate. Here, as a flexible device to which the resin film and laminated body which concern on this embodiment are applicable, a flexible display, a flexible solar cell, a flexible touch panel electrode board|substrate, a flexible lighting, a flexible battery etc. are mentioned, for example.

실시예Example

이하, 본 발명에 대해, 실시예에 기초하여 더욱 상세히 서술하는데, 이들은 설명을 위해서 기술되는 것으로서, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, which are described for the purpose of explanation, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.

실시예 및 비교예에 있어서의 각종 평가는 다음과 같이 실시하였다.Various evaluations in Examples and Comparative Examples were performed as follows.

<중량 평균 분자량의 측정><Measurement of weight average molecular weight>

중량 평균 분자량 (Mw) 및 수 평균 분자량 (Mn) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 로, 하기의 조건에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.

용매로서, N,N-디메틸포름아미드 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 고속 액체 크로마토그래프용, 측정 직전에 24.8 m㏖/ℓ 의 브롬화리튬 1수화물 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 순도 99.5 %) 및 63.2 m㏖/ℓ 의 인산 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 고속 액체 크로마토 그래프용) 을 첨가하여 용해한 것) 를 사용하였다. 중량 평균 분자량을 산출하기 위한 검량선은, 스탠더드 폴리스티렌 (토소사 제조) 을 사용하여 작성하였다.As a solvent, N,N-dimethylformamide (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for high performance liquid chromatography, 24.8 mmol/L lithium bromide monohydrate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., purity 99.5%) just before measurement) and 63.2 m mol/L phosphoric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for high-performance liquid chromatography) was added and dissolved) was used. The analytical curve for calculating a weight average molecular weight was created using standard polystyrene (made by Tosoh Corporation).

칼럼:Shodex KD-806M (쇼와 전공사 제조) Column: Shodex KD-806M (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.)

유속:1.0 ㎖/분 Flow rate: 1.0 ml/min

칼럼 온도:40 ℃ Column temperature: 40°C

펌프:PU-2080Plus (JASCO 사 제조) Pump: PU-2080Plus (manufactured by JASCO)

검출기:RI-2031Plus (RI:시차 굴절계, JASCO 사 제조) 및 UV-2075Plus (UV-VIS:자외 가시 흡광계, JASCO 사 제조) Detector: RI-2031Plus (RI: Differential Refractometer, manufactured by JASCO) and UV-2075Plus (UV-VIS: Ultraviolet-Visible Absorber, manufactured by JASCO)

<분자량 1,000 미만의 분자의 함유량 (저분자량체 함유량) 의 평가><Evaluation of content of molecules having a molecular weight of less than 1,000 (low molecular weight content)>

수지에 있어서의 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은, 상기에서 얻어진 GPC 의 측정 결과를 이용하여, 분자량 1,000 미만의 성분이 차지하는 피크 면적이 분자량 분포 전체의 피크 면적에서 차지하는 비율 (백분율) 로서 산출하였다.The content of molecules having a molecular weight of less than 1,000 in the resin was calculated as the ratio (percentage) of the peak area occupied by the component having a molecular weight of less than 1,000 to the peak area of the entire molecular weight distribution using the measurement result of GPC obtained above.

<수분량의 평가><Evaluation of moisture content>

합성 용제 및 수지 조성물 (바니시) 의 수분량은, 칼피셔 수분 측정 장치 (미량 수분 측정 장치 AQ-300, 히라누마 산업사 제조) 를 사용하여 측정을 실시하였다.The moisture content of the synthetic solvent and the resin composition (varnish) was measured using a Karl Fischer moisture measuring apparatus (a trace moisture measuring apparatus AQ-300, the Hiranuma Industrial Co., Ltd. make).

<수지 조성물의 점도 안정성의 평가><Evaluation of viscosity stability of resin composition>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물에 대해,About the resin composition prepared in each of an Example and a comparative example,

조제 후에 실온에서 3 일간 정치 (靜置) 한 샘플을 조제 후의 샘플로 하여 23 ℃ 에 있어서의 점도 측정을 실시하고;After preparation, the sample left still at room temperature for 3 days is used as the sample after preparation, and the viscosity in 23 degreeC is measured;

그 후 또한 실온에서 2 주간 정치한 샘플을 2 주일 후의 샘플로 하여, 재차 23 ℃ 에 있어서의 점도 측정을 실시하였다. 이들 점도 측정은, 온조기가 부착된 점도계 (토키 산업계사 제조 TV-22) 를 사용하여 실시하였다.Then, the sample left still at room temperature for 2 weeks was made into the sample 2 weeks later, and the viscosity measurement in 23 degreeC was performed again. These viscosity measurements were performed using a viscometer with a temperature controller (TV-22 manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

상기 측정값을 사용하여, 하기 수식에 의해 실온 2 주간 점도 변화율을 산출하였다.Using the measured value, the rate of change in viscosity for 2 weeks at room temperature was calculated by the following formula.

실온 2 주간 점도 변화율 (%) = [(2 주일 후의 샘플의 점도) ― (조제 후의 샘플의 점도)] / (조제 후의 샘플의 점도) × 100 Rate of change in viscosity for 2 weeks at room temperature (%) = [(viscosity of sample after 2 weeks)-(viscosity of sample after preparation)] / (viscosity of sample after preparation) x 100

실온 2 주간 점도 변화율은, 하기 기준으로 평가하였다.The rate of change of the viscosity for 2 weeks at room temperature was evaluated on the basis of the following criteria.

◎:점도 변화율이 5 % 이하 (보존 안정성 「우량」) ◎: Viscosity change rate of 5% or less (storage stability "excellent")

○:점도 변화율이 5 초과 10 % 이하 (보존 안정성 「양호」) ○: Viscosity change rate of more than 5 and 10% or less (storage stability "good")

×:점도 변화율이 10 % 초과 (보존 안정성 「불량」) x: Viscosity change rate exceeds 10% (storage stability "poor")

<바니시 도포성의 평가><Evaluation of varnish applicability>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물을, 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 15 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다.The resin composition prepared in each of Examples and Comparative Examples was coated on an alkali-free glass substrate (size 37 × 47 mm, thickness 0.7 mm) using a bar coater to a film thickness of 15 µm after curing, and then at 140°C. It was pre-baked for 60 minutes.

바니시의 도포성을, 단차계 (Tencor 사 제조, 형식명 P-15) 를 사용하여 도막 표면의 단차를 측정하여 평가하였다.The applicability of the varnish was evaluated by measuring the level difference on the surface of the coating film using a step meter (manufactured by Tencor, model name P-15).

◎:표면의 단차가 0.1 ㎛ 이하 (도포성 「우량」) ◎: Surface level difference of 0.1 μm or less (applicability “excellent”)

○:표면의 단차가 0.1 초과 0.5 ㎛ 이하 (도포성 「양호」) ○: Surface level difference greater than 0.1 and less than or equal to 0.5 μm (applicability “good”)

×:표면의 단차가 0.5 ㎛ 초과 (도포성 「불량」) ×: The step difference of the surface exceeds 0.5 μm (applicability “poor”)

<잔류 응력의 평가><Evaluation of residual stress>

미리 「휨량」 을 측정해 둔, 두께 625 ㎛ ± 25 ㎛ 의 6 인치 실리콘 웨이퍼 상에, 각 수지 조성물을 스핀 코터에 의해 도포하고, 100 ℃ 에 있어서 7 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 (縱型) 큐어 로 (爐) (코요 린드버그 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에 있어서 1 시간의 가열 경화 처리 (큐어 처리) 를 실시하고, 경화 후 막두께 10 ㎛ 의 폴리이미드 수지막이 붙은 실리콘 웨이퍼를 제조하였다.Each resin composition was apply|coated with the spin coater on the 6-inch silicon wafer of 625 micrometers +/-25 micrometers in which "deflection amount" was measured beforehand, and it prebaked in 100 degreeC for 7 minutes. Then, using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindbergh, model name VF-2000B), the oxygen concentration in the warehouse is adjusted to be 10 mass ppm or less, and heating at 430°C for 1 hour A hardening process (cure process) was performed, and the silicon wafer with a 10-micrometer-thick polyimide resin film was manufactured after hardening.

이 웨이퍼의 휨량을, 잔류 응력 측정 장치 (텐코르사 제조, 형식명 FLX-2320) 를 사용하여 측정하고, 실리콘 웨이퍼와 수지막 사이에 발생한 잔류 응력을 평가하였다.The amount of warpage of this wafer was measured using a residual stress measuring apparatus (manufactured by Tencor Corporation, model name: FLX-2320), and the residual stress generated between the silicon wafer and the resin film was evaluated.

◎:잔류 응력이 ―5 초 15 ㎫ 이하 (잔류 응력의 평가 「우량」) (double-circle): Residual stress -15 MPa or less for -5 seconds (evaluation of residual stress "excellent")

○:잔류 응력이 15 초과 25 ㎫ 이하 (잔류 응력의 평가 「양호」) ○: Residual stress greater than 15 and less than or equal to 25 MPa (evaluation of residual stress “good”)

×:잔류 응력이 25 ㎫ 초과 (잔류 응력의 평가 「불량」) x: residual stress exceeds 25 MPa (residual stress evaluation "bad")

<무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가><Evaluation of warpage of polyimide resin film in which inorganic film was formed>

실시예 및 비교예의 각각에서 조제한 수지 조성물을, 표면에 알루미늄 증착층을 형성한 6 인치 실리콘 웨이퍼 기판에, 경화 후 막두께가 10 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 100 ℃ 에서 7 분간 프리베이크하였다. 그 후, 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 웨이퍼를 제조하였다. 이 웨이퍼를 사용하여, 폴리이미드 수지막 상에, CVD 법에 의해, 무기막인 질화규소 (SiNx) 막을 350 ℃ 에 있어서 100 ㎚ 의 두께로 형성하고, 무기막/폴리이미드 수지가 형성된 적층체 웨이퍼를 얻었다.The resin composition prepared in each of Examples and Comparative Examples was spin-coated on a 6-inch silicon wafer substrate having an aluminum vapor deposition layer formed on its surface so that the film thickness after curing was 10 µm, and pre-baked at 100°C for 7 minutes. Thereafter, using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindbergh, model name: VF-2000B), the oxygen concentration in the warehouse was adjusted to be 10 mass ppm or less, and heat-hardening treatment was performed at 430°C for 1 hour, A wafer with a mid resin film formed thereon was manufactured. Using this wafer, a silicon nitride (SiNx) film, which is an inorganic film, is formed to a thickness of 100 nm at 350° C. by a CVD method on a polyimide resin film, and an inorganic film/polyimide resin is formed on the laminate wafer. got it

상기에서 얻어진 적층체 웨이퍼를 희염산 수용액에 침지하고, 무기막 및 폴리이미드 필름의 2 층을 일체로 하여 웨이퍼로부터 박리함으로써, 표면에 무기막이 형성된 폴리이미드 필름의 샘플을 얻었다. 이 샘플을 사용하여, 폴리이미드 수지막의 휨을 평가하였다.The laminate wafer obtained above was immersed in a dilute hydrochloric acid aqueous solution, and the sample of the polyimide film in which the inorganic film was formed on the surface was obtained by peeling from the wafer by integrating two layers of an inorganic film and a polyimide film. Using this sample, warpage of the polyimide resin film was evaluated.

◎:휨이 없는 것 (휨 「우량」) ◎: No warpage (bending “good”)

○:조금 밖에 휨이 없는 것 (휨 「양호」) ○: There is only a little warpage (bending “good”)

×:휨에 의해 필름이 둥글게 되어 있는 것 (휨 「불량」) ×: Film is rounded due to warping (warpage “defective”)

<황색도 (YI 치) 의 평가><Evaluation of yellowness (YI value)>

상기 <무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가> 와 동일하게 하여 웨이퍼 (무기막이 형성되어 있지 않은 것) 를 제조하였다. 그 웨이퍼를 희염산 수용액에 침지하고, 폴리이미드 수지막을 박리함으로써, 수지 필름을 얻었다.It carried out similarly to the said <warpage evaluation of the polyimide resin film in which the inorganic film was formed>, and manufactured the wafer (the thing in which the inorganic film is not formed). The wafer was immersed in a dilute hydrochloric acid aqueous solution, and the polyimide resin film was peeled, and the resin film was obtained.

얻어진 폴리이미드 수지 필름에 대해, 닛폰 전색 공업 (주) 제조 (Spectrophotometer:SE600) 로 D65 광원을 이용하여 YI 치 (막두께 10 ㎛ 환산) 를 측정하였다.About the obtained polyimide resin film, the YI value (10 micrometers of film thickness conversion) was measured by the Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. product (Spectrophotometer: SE600) using the D65 light source.

<신장도 및 파단 강도의 평가><Evaluation of elongation and breaking strength>

상기 <무기막을 형성한 폴리이미드 수지막의 휨 평가> 와 동일하게 하여 웨이퍼 (무기막이 형성되어 있지 않은 것) 를 제조하였다. 다이싱 소 (주식회사 디스코 제조 DAD 3350) 를 사용하여 그 웨이퍼의 폴리이미드 수지막에 3 ㎜ 폭의 새김눈을 넣은 후, 희염산 수용액에 하룻밤 담가 수지막 편 (片) 을 박리하고, 건조시켰다. 이것을, 길이 50 ㎜ 로 컷하고, 샘플로 하였다.It carried out similarly to the said <warpage evaluation of the polyimide resin film in which the inorganic film was formed>, and manufactured the wafer (the thing in which the inorganic film is not formed). Using a dicing saw (DAD 3350 manufactured by Disco Co., Ltd.), cuts of 3 mm in width were placed in the polyimide resin film of the wafer, and then soaked in an aqueous dilute hydrochloric acid solution overnight to peel the resin film piece and dried. This was cut to 50 mm in length, and it was set as the sample.

상기의 샘플에 대해, TENSILON (오리엔텍사 제조 UTM-II-20) 을 사용하여, 시험 속도 40 ㎜/min, 초기 가중 0.5 fs 로 신장도 및 파단 강도를 측정하였다.For the above samples, using TENSILON (UTM-II-20 manufactured by Orientec), elongation and breaking strength were measured at a test speed of 40 mm/min and an initial weight of 0.5 fs.

<폴리이미드 수지막의 308 ㎚ 에 있어서의 흡광도 측정><Measurement of absorbance at 308 nm of polyimide resin film>

석영 유리 기판 상에 상기 바니시를 각각을 스핀 코트하고, 질소 분위기하, 430 ℃ 에 있어서 1 시간 가열함으로써, 막두께 0.1 ㎛ 의 폴리이미드 수지막을 각각 얻었다. 이들 폴리이미드막에 대해, UV-1600 (시마즈사 제조) 을 사용하여 308 ㎚ 에 있어서의 흡광도를 측정하였다.Each of the said varnishes was spin-coated on the quartz glass substrate, and the polyimide resin film with a film thickness of 0.1 micrometer was obtained by heating at 430 degreeC in nitrogen atmosphere for 1 hour, respectively. About these polyimide films, the absorbance in 308 nm was measured using UV-1600 (made by Shimadzu Corporation).

[실시예 1] [Example 1]

질소 치환한 500 ㎖ 세퍼러블 플라스크에, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 을 96 g 넣고, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB) 를 17.71 g (77.6 m㏖) 및 4,4'-디아미노디페닐술폰 (DAS) 을 4.82 g (19.4 m㏖) 넣고, 교반하여 APAB 및 DAS 를 용해시켰다. 그 후, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물 (BPDA) 을 29.42 g (100 m㏖) 첨가하고, 질소 플로우하에서 80 ℃ 에 있어서 3 시간 교반하에 중합 반응을 실시하였다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 상기 NMP 를 첨가하여 용액 점도가 51,000 mPa·s 가 되도록 조정함으로써, 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 한다) P-1 을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 65,000 이었다.In a 500 ml separable flask purged with nitrogen, 96 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was placed, and 17.71 g (77.6 mmol) and 4 of 4-aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB) were added. , 4.82 g (19.4 mmol) of 4'-diaminodiphenylsulfone (DAS) was added and stirred to dissolve APAB and DAS. Then, 29.42 g (100 mmol) of biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (BPDA) was added, and the polymerization reaction was carried out under nitrogen flow at 80°C under stirring for 3 hours. carried out. Then, the NMP solution (henceforth a varnish) P-1 of polyamic acid was obtained by cooling to room temperature, adding said NMP, and adjusting so that a solution viscosity might be set to 51,000 mPa*s. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyamic acid was 65,000.

[실시예 2 ∼ 21 및 비교예 1 ∼ 5] [Examples 2 to 21 and Comparative Examples 1 to 5]

상기 실시예 1 에 있어서, 원료의 투입량 (몰비), 사용 용매의 종류, 중합 온도, 및 중합 시간을, 각각, 표 1 에 기재된 대로 변경한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 바니시 P-2 ∼ P-26 을 얻었다.In Example 1, except that the input amount (molar ratio) of the raw material, the type of solvent used, the polymerization temperature, and the polymerization time were respectively changed as described in Table 1, in the same manner as in Example 1, varnish P- 2-P-26 was obtained.

각 바니시에 함유되는 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 을, 표 1 에 합쳐 나타내었다.Table 1 shows the weight average molecular weight (Mw) of the polyamic acid contained in each varnish.

Figure pat00032
Figure pat00032

표 1 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각, 이하의 의미이다.The abbreviation of each component in Table 1 has the following meaning, respectively.

BPDA:3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

PMDA:피로멜리트산 2무수물 PMDA: pyromellitic dianhydride

TAHQ:p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물) TAHQ: p-phenylenebis (trimellitate anhydride)

APAB:4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트APAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate

ATAB:2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트ATAB: 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate

BABB:[4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 BABB: [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate

BAFL:9,9-비스(아미노페닐)플루오렌BAFL: 9,9-bis(aminophenyl)fluorene

BFAF:9,9-비스(4-아미노-3-플루오로페닐)플루오렌 BFAF: 9,9-bis(4-amino-3-fluorophenyl)fluorene

TFMB:2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine

DAS:4,4'-디아미노디페닐술폰 DAS: 4,4'-diaminodiphenylsulfone

NMP:N-메틸-2-피롤리돈 NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

DMF:N,N-디메틸포름아미드 DMF: N,N-dimethylformamide

DMAc:N,N-디메틸아세트아미드DMAc: N,N-dimethylacetamide

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 바니시 P-1 ∼ P-26 을, 그대로 수지 조성물로서 사용하고, 상기 서술한 방법에 따라 평가를 실시하였다. 평가 결과는 표 2 에 나타내었다.The varnishes P-1 to P-26 obtained by the said Example and the comparative example were used as it was as a resin composition, and it evaluated according to the method mentioned above. The evaluation results are shown in Table 2.

Figure pat00033
Figure pat00033

표 1 및 표 2 로부터 분명한 바와 같이, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위만을 포함하는, 비교예 1, 2 에서 얻어진 폴리이미드 필름은, 필름이 물러, 신장도 등의 물성 평가를 할 수 없었다. 또, 잔류 응력도 높은 결과가 되었다. 또, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위만을 포함하는, 비교예 3 에서 얻어진 폴리이미드 필름은, 잔류 응력이 높아, 무기막을 형성한 후에 휨이 발생하고, 신장도도 낮았다.As is clear from Tables 1 and 2, the polyimide films obtained in Comparative Examples 1 and 2 containing only the structural unit represented by the general formula (1) were brittle and were not able to evaluate physical properties such as elongation. In addition, the result was also high in residual stress. Moreover, the polyimide film obtained by the comparative example 3 containing only the structural unit represented by General formula (2) had high residual stress, and curvature generate|occur|produced after forming an inorganic film, and also had low elongation.

한편, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 단위와, 일반식 (2) 로 나타내는 구조 단위를, 몰비 99/1 ∼ 1/99 로 포함하는, 실시예 1 ∼ 21 로부터 얻어진 폴리이미드 필름은, 황색도가 20 이하로 낮고, 잔류 응력도 25 ㎫ 이하로 낮고, 신장도는 20 % 이상으로 높은 결과가 되었다. 또, 무기막을 형성한 후의 휨도 발생하지 않거나, 또는 발생하였다고 해도 극히 미미하였다.On the other hand, the polyimide film obtained from Examples 1-21 which contains the structural unit represented by General formula (1), and the structural unit represented by General formula (2) at a molar ratio 99/1-1/99 is yellowness was as low as 20 or less, the residual stress was also as low as 25 MPa or less, and the elongation was as high as 20% or more. Moreover, the curvature after formation of an inorganic film also did not generate|occur|produce, or even if it generate|occur|produced, it was very insignificant.

상기 표 2 의 결과로부터, 본 발명에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 수지 필름은, 황색도가 작고, 잔류 응력이 낮고, 기계적 물성이 우수한 수지 필름인 것이 확인되었다.From the result of said Table 2, it was confirmed that the polyimide resin film obtained from the resin composition which concerns on this invention is a resin film excellent in mechanical properties with a small yellowness degree and low residual stress.

구체적으로는, 본 발명에서는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, 황색도 YI 가 30 이하이고, 신장도가 15 % 이상인 수지 필름이 얻어진다.Specifically, in the present invention, a resin film having a residual stress of 25 MPa or less, a yellowness YI of 30 or less, and an elongation of 15% or more is obtained.

[실시예 22] [Example 22]

질소 치환한 500 ㎖ 세퍼러블 플라스크에, 18 ℓ 캔 개봉 직후의 N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) (수분량 250 질량ppm) 을, 고형분 함유량 17 wt% 에 상당하는 양을 넣고, 4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 (APAB, 순도 99.5 %, 니혼 쥰료 약품 주식회사 제조) 5.71 g (25.0 m㏖) 을 넣고, 교반하여 APAB 를 용해시켰다. 그 후, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 2무수물 (BPDA, 순도 99.5 %, 마나크 주식회사 제조) 을 7.36 g (25.0 m㏖) 첨가하고, 질소 플로우하에서 80 ℃ 에 있어서 3 시간 교반하에 중합 반응을 실시하였다. 그 후, 실온까지 냉각시키고, 상기 NMP 를 첨가하여 용액 점도가 51,000 mPa·s 가 되도록 조정함으로써, 폴리아미드산의 NMP 용액 (이하, 바니시라고도 한다) P-27 을 얻었다. 얻어진 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 128,000 이고, 분자량 1,000 미만의 분자의 함유량은 0.01 질량% 였다.In a 500 ml separable flask purged with nitrogen, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) (water content 250 mass ppm) immediately after opening an 18 L can was placed in an amount corresponding to 17 wt% solid content, 4- 5.71 g (25.0 mmol) of aminophenyl-4-aminobenzoate (APAB, purity 99.5%, Nippon Pharmaceutical Co., Ltd. make) was put, it stirred, and APAB was dissolved. Thereafter, 7.36 g (25.0 mmol) of biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (BPDA, purity 99.5%, manufactured by Manak Corporation) was added, and 80°C under a nitrogen flow The polymerization reaction was carried out under stirring for 3 hours. Then, the NMP solution (henceforth a varnish) P-27 of polyamic acid was obtained by cooling to room temperature, adding the said NMP and adjusting so that a solution viscosity might be set to 51,000 mPa*s. The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyamic acid was 128,000, and content of the molecule|numerator of molecular weight less than 1,000 was 0.01 mass %.

[실시예 23 ∼ 33 및 비교예 6 ∼ 11] [Examples 23 to 33 and Comparative Examples 6 to 11]

상기 실시예 22 에 있어서, 원료의 종류, 원료의 투입량, 사용 용매의 종류, 중합 온도, 및 중합 시간을, 각각, 표 3 에 기재된 대로 변경한 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 하여, 바니시 P-28 ∼ P-44 를 얻었다.In Example 22, the same as in Synthesis Example 1, except that the type of raw material, the input amount of the raw material, the type of solvent used, the polymerization temperature, and the polymerization time were changed as described in Table 3, respectively, varnish P -28 to P-44 were obtained.

각 바니시에 함유되는 폴리아미드산의 중량 평균 분자량 (Mw) 을, 표 3 에 함께 나타내었다.Table 3 also shows the weight average molecular weight (Mw) of the polyamic acid contained in each varnish.

Figure pat00034
Figure pat00034

표 3 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각, 이하의 의미이다.The abbreviation of each component in Table 3 has the following meaning, respectively.

BPDA:비페닐테트라카르복실산 2무수물, 순도 99.5 %, 미츠비시 화학 주식회사 제조 BPDA: Biphenyltetracarboxylic dianhydride, purity 99.5%, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

TAHQ:p-페닐렌비스(트리멜리테이트산 무수물), 순도 99.5 %, 마나크 주식회사 제조 TAHQ: p-phenylenebis (trimellitate acid anhydride), purity 99.5%, manufactured by Manarch Corporation

PMDA:피로멜리트산 2무수물 PMDA: pyromellitic dianhydride

APAB:4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트, 순도 99.5 % APAB: 4-aminophenyl-4-aminobenzoate, purity 99.5%

4,3-APAB:4-아미노페닐-3-아미노벤조에이트, 순도 99.5 % 4,3-APAB: 4-aminophenyl-3-aminobenzoate, purity 99.5%

ATAB:2-메틸-4-아미노페닐-4-아미노벤조에이트 ATAB: 2-methyl-4-aminophenyl-4-aminobenzoate

BABB:[4-(4-아미노벤조일)옥시페닐]4-아미노벤조에이트 BABB: [4-(4-aminobenzoyl)oxyphenyl]4-aminobenzoate

NMP 1:18 ℓ 캔 개봉 직후의 것, 수분량 250 ppmNMP 1:18 ℓ Immediately after opening the can, moisture content 250 ppm

NMP 2:500 ㎖ 병에 들은 물품을 개봉 후 1 개월 방치한 것, 수분량 3,070 ppmNMP 2: 500 ㎖ bottles left for 1 month after opening, moisture content 3,070 ppm

DMF:500 ㎖ 병에 들은 것 개봉 후의 것, 수분량 3510 ppmDMF: 500 ml bottled, unopened, moisture content 3510 ppm

DMAc:500 ㎖ 병에 들은 것 개봉 후의 것, 수분량 3430 ppmDMAc: 500 ml bottled, unopened, moisture content 3430 ppm

[실시예 22 ∼ 33 및 비교예 6 ∼ 11] [Examples 22 to 33 and Comparative Examples 6 to 11]

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 바니시 P-27 ∼ P-44 를, 그대로 수지 조성물로서 사용하고, 상기 서술한 방법에 따라 평가를 실시하였다. 평가 결과는 표 4 에 나타내었다.The varnishes P-27-P-44 obtained by the said Example and the comparative example were used as it was as a resin composition, and it evaluated according to the method mentioned above. The evaluation results are shown in Table 4.

Figure pat00035
Figure pat00035

표 3 및 표 4 로부터 분명한 바와 같이, 폴리이미드 전구체 (바니시) 의 중량 평균 분자량이 3,0000 이하인 비교예 6 (P-39), 비교예 7 (P-40), 비교예 8 (P-41), 비교예 10 (P-43) 및 비교예 11 (P-44) 에서는, 잔류 응력이 크고, 휨도 컸다. 또 황색도가 크고, 신장도 및 파단 강도도 작았다. 특히, 수분량이 많은 비교예 10, 11 에서는, 막이 매우 물렀다.As is clear from Tables 3 and 4, the weight average molecular weight of the polyimide precursor (varnish) is 30,000 or less, Comparative Example 6 (P-39), Comparative Example 7 (P-40), Comparative Example 8 (P-41) ), Comparative Example 10 (P-43) and Comparative Example 11 (P-44) had a large residual stress and large warpage. Moreover, the yellowness was large, and the elongation and breaking strength were also small. In particular, in Comparative Examples 10 and 11 with a large amount of moisture, the film was very soft.

한편, 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 30,0000 이상인 비교예 9 (P-42) 에서는, 잔류 응력, 휨은 작고, 황색도도 낮고, 신장도 및 파단 강도도 컸지만, 도포성이 나빠져 버렸다.On the other hand, in Comparative Example 9 (P-42) in which the weight average molecular weight of the polyimide precursor was 30000 or more, residual stress and warpage were small, yellowness was also low, and elongation and breaking strength were also large, but applicability deteriorated. .

이에 반해, 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 폴리이미드 전구체 P-27 ∼ P-38 을 사용한 실시예 22 ∼ 실시예 33 에서는, 잔류 응력이 낮고, 휨도 작고, 황색도가 낮고, 신장도 및 파단 강도도 큰, 어느 특성에서도 우수한 결과가 얻어졌다.In contrast, in Examples 22 to 33 using polyimide precursors P-27 to P-38 having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less, residual stress is low, warpage is small, yellowness is low, elongation and The result which was excellent also in any characteristic with a large breaking strength was obtained.

상기 표 4 의 결과로부터, 본 발명에 관련된 수지 조성물로부터 얻어지는 폴리이미드 수지 필름은, 황색도가 작고, 잔류 응력이 낮고, 기계적 물성이 우수한 수지 필름인 것이 확인되었다.From the result of said Table 4, it was confirmed that the polyimide resin film obtained from the resin composition which concerns on this invention is a resin film excellent in mechanical properties with a small yellowness and low residual stress.

구체적으로는, 본 발명에서는, 잔류 응력이 25 ㎫ 이하이고, 황색도 YI 가 20 이하이고, 유리 전이 온도가 400 ℃ 이상이고, 신장도가 15 % 이상이며, 그리고 파단 강도가 250 ㎫ 이상인 수지 필름이 얻어진다.Specifically, in the present invention, a resin film having a residual stress of 25 MPa or less, a yellowness YI of 20 or less, a glass transition temperature of 400° C. or more, an elongation of 15% or more, and a breaking strength of 250 MPa or more. this is obtained

다음에 나타내는 실시예 34 ∼ 실시예 45 에서는, 수지 조성물에 계면 활성제 및 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 첨가했을 경우의 효과에 대해 실험을 실시하였다.In Examples 34 to 45 shown below, an experiment was conducted on the effect when at least one selected from the group consisting of a surfactant and an alkoxysilane compound was added to the resin composition.

[실시예 34] [Example 34]

먼저, 상기 실시예 22 에서 얻어진 바니시 P-27 을 수지 조성물로서 그대로 사용하여, 이하의 순서에 의해 도공 줄무늬의 평가를 실시하였다.First, the varnish P-27 obtained in the said Example 22 was used as it is as a resin composition, and the following procedure evaluated coating stripes.

<도공 줄무늬의 평가 (도공성)><Evaluation of coating stripes (coatability)>

상기의 수지 조성물을, 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 15 ㎛ 가 되도록 도공하였다. 도공 후, 실온에 있어서 10 분간 방치한 후, 얻어진 도막에 도공 줄무늬가 발생되어 있지 않은지를 육안으로 확인하였다. 동일한 수지 조성물을 사용하여 3 회의 도공을 실시하고, 각 도막에 대해 도공 줄무늬의 갯수를 조사하고, 그 평균값을 사용하여 하기 기준에 의해 평가를 실시하였다.The said resin composition was coated on the alkali-free-glass board|substrate (size 37x47mm, thickness 0.7mm) using the bar coater so that it might become the film thickness after a cure of 15 micrometers. After coating and leaving it to stand for 10 minutes in room temperature, it was visually confirmed whether coating streaks had not generate|occur|produced in the obtained coating film. Coating was performed three times using the same resin composition, the number of coating stripes was investigated about each coating film, and the following reference|standard evaluated using the average value.

◎:폭 1 ㎜ 이상, 길이 1 ㎜ 이상이 연속한 도공 줄무늬가 0 개 (도공 줄무늬의 평가 「우량」) ◎: 0 continuous coating stripes with a width of 1 mm or more and a length of 1 mm or more (evaluation of coating stripes “excellent”)

○:상기 도공 줄무늬가 1 또는 2 개 (도공 줄무늬의 평가 「양호」) ○: 1 or 2 above coating stripes (Evaluation of coating stripes “good”)

△:상기 도공 줄무늬가 3 ∼ 5 개 (도공 줄무늬의 평가 「좋음」) △: 3 to 5 of the coating stripes (Evaluation of coating stripes “good”)

평가 결과는 표 5 에 나타내었다.The evaluation results are shown in Table 5.

[실시예 35 ∼ 45] [Examples 35 to 45]

상기 실시예 22 에서 얻어진 바니시 P-27 에, 추가 첨가제로서 표 5 에 나타낸 종류 및 양의 계면 활성제 또는 알콕시실란 화합물을 각각 첨가한 후, 0.1 ㎛ 의 필터로 여과함으로써, 수지 조성물을 조제하였다.A resin composition was prepared by adding a surfactant or an alkoxysilane compound in the type and amount shown in Table 5 as additional additives to the varnish P-27 obtained in Example 22, respectively, and then filtering with a 0.1 µm filter.

상기 수지 조성물을 사용하여, 실시예 34 와 동일하게 하여 도공 줄무늬의 평가를 실시하였다. 결과를 표 5 에 나타내었다.Using the said resin composition, it carried out similarly to Example 34, and evaluated the coating stripe. The results are shown in Table 5.

Figure pat00036
Figure pat00036

표 5 에 있어서의 각 성분의 약칭은, 각각 이하의 의미이다. 표 5 에 있어서의 이들 성분의 사용량은, 각각, 바니시에 함유되는 폴리이미드 전구체 100 질량부에 대한 배합량 (사용량) 이다. 실시예 39 및 45 에 있어서는, 계면 활성제 1 과 알콕시실란 화합물 1 을 병용하였다.The abbreviation of each component in Table 5 has the following meaning, respectively. The usage-amount of these components in Table 5 is a compounding quantity (usage amount) with respect to 100 mass parts of polyimide precursors respectively contained in a varnish. In Examples 39 and 45, the surfactant 1 and the alkoxysilane compound 1 were used together.

계면 활성제 1:DBE-821, 제품명, 실리콘계 계면 활성제, Gelest 제조Surfactant 1: DBE-821, product name, silicone surfactant, Gelest manufacturing

계면 활성제 2:메가팍 F171, 제품명, 불소계 계면 활성제, DIC 제조Surfactant 2: Megapac F171, product name, fluorine-based surfactant, manufactured by DIC

알콕시실란 화합물 1:하기 일반식 (AS-1) 로 나타내는 화합물 Alkoxysilane compound 1: a compound represented by the following general formula (AS-1)

알콕시실란 화합물 2:하기 일반식 (AS-2) 로 나타내는 화합물 Alkoxysilane compound 2: a compound represented by the following general formula (AS-2)

[화학식 32][Formula 32]

Figure pat00037
Figure pat00037

표 5 로부터 분명한 바와 같이, 계면 활성제 또는 알콕시실란 화합물을 함유한 실시예 35 ∼ 실시예 39, 및 실시예 41 ∼ 45 에서는, 함유하지 않는 실시예 34 및 40 에 비해 도공 줄무늬의 발생이 억제되고, 표면 평활성이 우수한 폴리이미드 수지막이 얻어지는 것을 알 수 있었다.As is clear from Table 5, in Examples 35 to 39 and Examples 41 to 45 containing a surfactant or an alkoxysilane compound, the generation of coating streaks was suppressed compared to Examples 34 and 40 not containing it, It turned out that the polyimide resin film excellent in surface smoothness was obtained.

[실시예 46] [Example 46]

바니시 P-27 을 무알칼리 유리 기판 (사이즈 37 × 47 ㎜, 두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 10 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다. 계속해서 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 유리 기판을 제조하였다. 이 폴리이미드 필름 상에 아모르퍼스 실리콘층을 형성하고, 430 ℃ 에서 1 시간 탈수소 어닐을 실시하고, 계속해서 엑시머 레이저를 조사함으로써, LTPS 층을 형성하였다. 엑시머 레이저 (파장 308 ㎚, 반복 주파수 300 ㎐) 에 의해 유리 기판을 박리하고, 폴리이미드 필름과 LTPS 층을 포함하는 적층체를 얻었다. After apply|coating varnish P-27 so that it might become a film thickness of 10 micrometers after curing using a bar coater on an alkali free glass substrate (size 37x47mm, thickness 0.7mm), it prebaked at 140 degreeC for 60 minutes. Then, using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindbergh, model name: VF-2000B), the oxygen concentration in the warehouse is adjusted to be 10 mass ppm or less, and heat curing treatment is performed at 430° C. for 1 hour, polyimide A glass substrate with a resin film was prepared. An amorphous silicon layer was formed on this polyimide film, the LTPS layer was formed by performing dehydrogenation annealing at 430 degreeC for 1 hour, and then irradiating an excimer laser. The glass substrate was peeled off with an excimer laser (wavelength 308 nm, repetition frequency 300 Hz), and the laminated body containing a polyimide film and a LTPS layer was obtained.

이 적층체는 휨이 없고 황색도도 20 이하였다.This laminate had no warpage and had a yellowness of 20 or less.

[실시예 47] [Example 47]

바니시 P-1 을 사용하는 것 이외에는, 실시예 46 과 동일한 방법으로 적층체를 얻었다. 이 적층체는 휨이 없고 황색도도 20 이하였다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 46 except for using the varnish P-1. This laminate had no warpage and had a yellowness of 20 or less.

[비교예 12][Comparative Example 12]

바니시 P-24 를 사용하는 것 이외에는, 실시예 46 과 동일한 방법으로 적층체를 얻었다. 이 적층체는 휨이 크고, 폴리이미드 필름의 일부에 균열이 들어갔다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 46 except for using the varnish P-24. This laminate had large warpage, and cracks entered a part of the polyimide film.

[합성예] [Synthesis Example]

딘스타크 장치 및 환류기를 장착한 세퍼러블 플라스크에, 질소 분위기하, APAB 를 2.24 g (9.8 m㏖), NMP 를 16.14 g 및 톨루엔을 50 g 넣고, 교반하에 APAB 를 용해시켰다. 거기에, H-PMDA 를 2.24 g (10.0 m㏖) 첨가하여, 180 ℃ 에 있어서 2 시간 환류한 후, 3 시간 걸쳐 공비 용매인 톨루엔을 제거하였다. 플라스크의 내용물을 40 ℃ 까지 냉각시키고, IR 로부터 아미드 결합에서 유래하는 1,650 ㎝-1 부근의 흡수 (C=O) 가 소실되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, APAB 를 8.95 g (39.2 m㏖), NMP 를 121.6 g, PMDA 를 6.54 g (30.0 m㏖) 및 6FDA 를 4.44 g (10.0 m㏖) 첨가하여 80 ℃ 에 있어서 4 시간 교반함으로써, 폴리이미드-폴리아미드산 중합체의 바니시를 얻었다 (P-45). 얻어진 폴리이미드-폴리아미드산 중합체의 중량 평균 분자량 (Mw) 은 82,000 이었다.In a separable flask equipped with a Dean-Stark apparatus and a reflux device, 2.24 g (9.8 mmol) of APAB, 16.14 g of NMP, and 50 g of toluene were put in a nitrogen atmosphere, and APAB was dissolved under stirring. After adding 2.24 g (10.0 mmol) of H-PMDA there and refluxing in 180 degreeC for 2 hours, the toluene which is an azeotropic solvent was removed over 3 hours. The contents of the flask were cooled to 40°C, and it was confirmed from IR that absorption (C=O) in the vicinity of 1,650 cm -1 derived from the amide bond had disappeared. Then, by adding 4.44 g (10.0 mmol) of 6.54 g (30.0 mmol) and 6FDA for 8.95 g (39.2 mmol), NMP, and PMDA for 8.95 g (39.2 mmol) and NMP, and stirring at 80 degreeC for 4 hours, polyimide -A varnish of polyamic acid polymer was obtained (P-45). The weight average molecular weight (Mw) of the obtained polyimide-polyamic acid polymer was 82,000.

[실시예 48 ∼ 53, 비교예 13] [Examples 48 to 53, Comparative Example 13]

도 1 에 나타내는 바와 같은 유기 EL 기판을 제조하였다.An organic EL substrate as shown in Fig. 1 was prepared.

폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) 를 마더 글라스 기판 (두께 0.7 ㎜) 상에 바 코터를 사용하여, 큐어 후 막두께 10 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 140 ℃ 에 있어서 60 분간 프리베이크하였다. 계속해서 종형 큐어로 (코요 린드버그사 제조, 형식명 VF-2000B) 를 사용하여, 창고 내의 산소 농도가 10 질량ppm 이하가 되도록 조정하여, 430 ℃ 에서 1 시간의 가열 경화 처리를 실시하고, 폴리이미드 수지막이 형성된 유리 기판을 제조하였다.A polyimide precursor varnish (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) was applied on a mother glass substrate (thickness 0.7 mm) using a bar coater, After apply|coating so that it might become a film thickness of 10 micrometers after curing, it prebaked in 140 degreeC for 60 minutes. Then, using a vertical curing furnace (manufactured by Koyo Lindbergh, model name: VF-2000B), the oxygen concentration in the warehouse is adjusted to be 10 mass ppm or less, and heat curing treatment is performed at 430° C. for 1 hour, polyimide A glass substrate with a resin film was prepared.

계속해서 CVD (Chemical Vapor Deposition) 법에 의해 SiN 층을 두께 100 ㎚ 로 성막하였다.Then, the SiN layer was formed into a film to a thickness of 100 nm by CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

계속해서 티탄을 스퍼터링법에 의해 성막하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해 패터닝을 실시하고, 주사 신호선을 형성하였다.Then, titanium was formed into a film by the sputtering method, and thereafter, it patterned by the photolithographic method, and the scanning signal line was formed.

다음으로, 주사 신호선이 형성된 유리 기판 전체에, CVD 법에 의해 SiN 층을 두께 100 ㎚ 로 성막하였다. (여기까지를 하부 기판 (2a) 으로 한다) Next, a SiN layer was formed to a thickness of 100 nm by the CVD method on the entire glass substrate on which the scanning signal lines were formed. (Let this be the lower substrate 2a)

계속해서 하부 기판 (2a) 상에 아모르퍼스 실리콘층 (256) 을 형성하고, 430 ℃ 에서 1 시간 탈수소 어닐을 실시하고, 계속해서 엑시머 레이저를 조사함으로써, LTPS 층을 형성하였다.Subsequently, the amorphous silicon layer 256 was formed on the lower substrate 2a, dehydrogenation annealing was performed at 430 degreeC for 1 hour, and the LTPS layer was formed by continuing excimer laser irradiation.

그 후에 하부 기판 (2a) 의 전체면에 스핀 코트법으로 감광성의 아크릴 수지를 코트하고, 포토리소그래피법에 의해 노광, 현상을 실시하여 복수의 컨택트홀 (257) 을 구비한 층간 절연막 (258) 을 형성하였다. 이 컨택트홀 (257) 에 의해, 각 LTPS (256) 의 일부가 노출된 상태로 하였다.After that, the entire surface of the lower substrate 2a is coated with a photosensitive acrylic resin by spin coating, and exposed and developed by photolithography to form an interlayer insulating film 258 having a plurality of contact holes 257. formed. A part of each LTPS 256 was exposed by this contact hole 257 .

다음으로 층간 절연막 (258) 이 형성된 하부 기판 (2a) 의 전체면에 스퍼터법으로 ITO 막을 성막하고, 포토리소그래피법에 의해 노광, 현상을 실시하고, 에칭 법에 의해 패터닝을 실시하고, 각 LTPS 와 쌍을 이루도록 하부 전극 (259) 을 형성하였다.Next, an ITO film is formed on the entire surface of the lower substrate 2a on which the interlayer insulating film 258 is formed by a sputtering method, exposure and development are performed by a photolithography method, patterning is performed by an etching method, and each LTPS and A lower electrode 259 was formed to form a pair.

또한, 각 컨택트홀 (257) 에 있어서, 층간 절연막 (258) 을 관통하는 하부 전극 (252) 과 LTPS (256) 를 전기적으로 접속하였다. Further, in each contact hole 257 , the lower electrode 252 passing through the interlayer insulating film 258 and the LTPS 256 were electrically connected.

다음으로 격벽 (251) 을 형성한 후에, 격벽 (251) 으로 구획된 각 공간 내에, 정공 수송층 (253), 발광층 (254) 을 형성하였다. 또, 발광층 (254) 및 격벽 (251) 을 덮도록 상부 전극 (255) 을 형성하였다. 상기 공정에 의해 유기 EL 기판 (25) 을 제조하였다.Next, after forming the partition wall 251, the hole transport layer 253 and the light emitting layer 254 were formed in each space partitioned by the partition wall 251. Moreover, the upper electrode 255 was formed so that the light emitting layer 254 and the partition 251 might be covered. The organic EL substrate 25 was produced by the above process.

다음으로, 유리 기판과 본 실시형태의 폴리이미드 필름과 SiN 층이 이 순서로 형성된 봉지 기판 (2b) 의 주변에 자외선 경화 수지를 코트하고, 아르곤 가스 분위기 중에서 봉지 기판 (2b) 과 유기 EL 기판을 접착시킴으로써, 유기 EL 소자를 봉입하였다. 이에 따라, 각 유기 EL 소자와 봉지 기판 (2b) 사이에는 중공부 (261) 를 형성하였다.Next, an ultraviolet curable resin is coated around the glass substrate, the polyimide film of this embodiment, and the sealing substrate 2b in which the SiN layer is formed in this order, and the sealing substrate 2b and the organic EL substrate are heated in an argon gas atmosphere. By bonding, the organic EL element was sealed. Thereby, the hollow part 261 was formed between each organic electroluminescent element and the sealing substrate 2b.

이와 같이 형성한 적층체의 하부 기판 (2a) 측, 및 봉지 기판 (2b) 측으로부터 엑시머 레이저 (파장 308 ㎚, 반복 주파수 300 ㎐) 를 조사하고, 전체면을 박리하는 데에 필요한 최소 에너지로 박리를 실시하였다.Excimer laser (wavelength 308 nm, repetition frequency 300 Hz) is irradiated from the lower substrate 2a side and the sealing substrate 2b side of the laminate formed in this way, and peels with the minimum energy required to peel the entire surface. was carried out.

이 적층체에 대해, 박리 후의 기판 휨, 점등 시험, 적층체의 백탁 평가, 의 유무 평가를 실시하였다. 또, 히트 사이클 시험에 대해서도 실시하였다. 결과를 표 6 에 나타낸다.About this laminated body, the board|substrate curvature after peeling, the lighting test, cloudiness evaluation of the laminated body, and the presence or absence evaluation were performed. Moreover, it implemented also about the heat cycle test. A result is shown in Table 6.

<기판 휨><Board warpage>

◎:휨이 없는 것◎: No warpage

○:조금 밖에 휨이 없는 것○: There is only a little warp

△:휨에 의해 둥글게 되어 있는 것△: Rounded by bending

<점등 시험><lighting test>

○:점등한 것○: lighted

×:점등하지 않은 것×: Not lit

<적층체 백탁 평가><Laminate cloudiness evaluation>

적층체를 형성한 후에, 디바이스 전체가 투명한 것을 ○, 약간 백탁하고 있는 것을 △, 백탁한 것을 × 로 하였다.After forming the laminated body, the transparent thing of the whole device was made into (circle), the thing which is slightly cloudy was made into (triangle|delta), and the thing which was cloudy was made into x.

<히트 사이클 시험><Heat cycle test>

에스펙 제조 히트 사이클 시험기를 사용하여, ―5 ℃ 와 60 ℃ 를 각각 30 분 (조 (槽) 의 이동 시간 1 분) 에서 1000 사이클 시험한 후의 외관 관찰을 실시하였다.Appearance observation after testing -5 degreeC and 60 degreeC for 1000 cycles in 30 minutes (bath movement time 1 minute), respectively using the SPEC product heat cycle tester was implemented.

박리나 부풀음이 없는 것을 ○, 시험 후에 박리나 부풀음이 극히 일부 관찰된 것을 △, 시험 후에 전면적으로 박리나 부풀음이 관찰된 것을 × 로 하였다.A thing in which peeling or swelling was not observed was made into (circle), a thing in which peeling or swelling was observed very partially after a test was made into (triangle|delta), and what peeling or swelling was observed entirely after a test was made into x.

Figure pat00038
Figure pat00038

[실시예 54 ∼ 58, 비교예 14] [Examples 54 to 58, Comparative Example 14]

폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) 를 사용하고 상기의 적층체 제조시에, LTPS 를 IGZO 로 한 것 이외에는 적층체 제조를 실시하고, 상기 시험을 실시하였다. 결과를 표 7 에 나타낸다.Polyimide precursor varnish (P-1, P-11, P-20, P-22, P-27, P-33, P-45) was used and LTPS was IGZO at the time of manufacturing the above laminate In addition, the laminate was manufactured and the said test was implemented. A result is shown in Table 7.

Figure pat00039
Figure pat00039

[실시예 59 ∼ 63, 비교예 15] [Examples 59 to 63, Comparative Example 15]

YI 가 20 이하, 막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하이고, 신장도가 15 % 이상을 부여하는 폴리이미드 전구체 바니시 (P-1, P-11, P-20, P-27, P-33, P-45) 에 대해, 상기의 레이저 박리시의 레이저 박리에 필요로 하는 최소 에너지, 및 최소 에너지에 10 mJ/㎠ 를 더한 에너지로 조사했을 때의 애쉬 (회분 (灰分)) 에 대해 평가를 실시하였다. 애쉬가 전혀 발생하지 않은 것을 ○, 가장자리에 조금 애쉬가 관찰된 것을 △, 전면적으로 애쉬가 관찰된 것을 × 로 하였다. 결과를 표 8 에 나타낸다.Polyimide precursor varnishes (P-1, P-11, P-20, P having YI of 20 or less and a film thickness of 0.1 microns, absorbance at 308 nm of 0.6 or more and 2.0 or less, and giving 15% or more of elongation) -27, P-33, and P-45), the minimum energy required for laser peeling at the time of laser peeling, and the ash (ash content) when irradiated with energy obtained by adding 10 mJ/cm 2 to the minimum energy )) was evaluated. What ash did not generate|occur|produce at all was made into (circle), what a little ash was observed at the edge was made into (triangle|delta), and what ash was observed entirely was made into *. A result is shown in Table 8.

Figure pat00040
Figure pat00040

본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다.This invention is not limited to the said embodiment, It is possible to carry out various changes in the range which does not deviate from the meaning of invention.

본 발명의 폴리이미드 전구체로부터 형성되는 수지 필름은, 예를 들어, 반도체 절연막, TFT-LCD 절연막, 전극 보호막 등에 적용할 수 있는 것 외에, 플렉시블 디스플레이의 제조, 터치 패널 ITO 전극용 기판 등에 있어서, 특히 기판으로서 적합하게 이용할 수 있다.The resin film formed from the polyimide precursor of the present invention can be applied to, for example, a semiconductor insulating film, a TFT-LCD insulating film, an electrode protective film, and the like, and in the production of a flexible display, a substrate for a touch panel ITO electrode, etc., particularly It can be used suitably as a board|substrate.

Claims (13)

(a1) 하기 일반식 (1):
Figure pat00041

(식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드 전구체를 포함하고,
추가로, (c) 계면 활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하고,
플렉시블 디스플레이에 사용되는 수지 조성물.
(a1) the following general formula (1):
Figure pat00041

(Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a and b and c are integers of 0 to 4), including a polyimide precursor having a structural unit represented by
Further, (c) a surfactant, and (d) at least one selected from the group consisting of an alkoxysilane compound,
A resin composition used for a flexible display.
제 1 항에 있어서,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 수지 조성물.
The method of claim 1,
A resin composition having a weight average molecular weight of 30,000 or more and 300,000 or less of the polyimide precursor.
수지 조성물의 제조 방법으로서,
테트라카르복실산 2무수물과,
하기 일반식 (6) :
Figure pat00042

(식 중, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) 로 나타내는 디아민의 중축합 반응을 포함하고,
상기 수지 조성물은, 플렉시블 디스플레이에 사용되는 수지 조성물의 제조 방법.
A method for producing a resin composition, comprising:
tetracarboxylic dianhydride;
The following general formula (6):
Figure pat00042

(Wherein, R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.) Including the polycondensation reaction of the diamine represented by
The said resin composition is the manufacturing method of the resin composition used for a flexible display.
수지 조성물의 제조 방법으로서,
테트라카르복실산 2무수물과,
하기 일반식 (6) :
Figure pat00043

(식 중, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.) 로 나타내는 디아민의 중축합 반응을 실시하는 공정, 및,
상기 공정에 의해 얻어진 바니시에 (c) 계면활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 첨가하는 공정을 포함하는 수지 조성물의 제조 방법.
A method for producing a resin composition, comprising:
tetracarboxylic dianhydride;
The following general formula (6):
Figure pat00043

(Wherein, R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b and c are integers from 0 to 4.) a step of carrying out a polycondensation reaction of the diamine represented by
The manufacturing method of the resin composition including the process of adding at least 1 sort(s) chosen from the group which consists of (c) surfactant and (d) an alkoxysilane compound to the varnish obtained by the said process.
하기 일반식 (11) :
Figure pat00044

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 탄소수 4 ∼ 32 의 2 가의 유기기이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드, 및
(c) 계면활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 폴리이미드 필름.
The following general formula (11):
Figure pat00044

{Wherein, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is a C4-C32 divalent organic group. l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfy 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.};
(c) A polyimide film comprising at least one selected from the group consisting of a surfactant and (d) an alkoxysilane compound.
하기 일반식 (11) :
Figure pat00045

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 탄소수 4 ∼ 32 의 2 가의 유기기이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름으로서,
잔류 응력이 25 ㎫ 이하인 폴리이미드 필름.
The following general formula (11):
Figure pat00045

{Wherein, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is a C4-C32 divalent organic group. l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfy 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.} A polyimide film comprising a polyimide having a structural unit represented by
A polyimide film having a residual stress of 25 MPa or less.
하기 일반식 (11) :
Figure pat00046

{식 중, X1, X2 는 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다. Y 는 탄소수 4 ∼ 32 의 2 가의 유기기이다. l, m 은 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내고, 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99 를 만족한다.} 로 나타내는 구조 단위를 갖는 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름으로서,
막두께 0.1 미크론일 때의 308 ㎚ 의 흡광도가 0.6 이상 2.0 이하인, 폴리이미드 필름.
The following general formula (11):
Figure pat00046

{Wherein, X 1 and X 2 represent a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. And a, b, and c are integers from 0 to 4. Y is a C4-C32 divalent organic group. l and m each independently represent an integer of 1 or more and satisfy 0.01 ≤ l / (l + m) ≤ 0.99.} A polyimide film comprising a polyimide having a structural unit represented by
The polyimide film whose absorbance at 308 nm at the time of a film thickness of 0.1 micron is 0.6 or more and 2.0 or less.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Y 가, 하기 일반식 (3), (4) 및 (5) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 폴리이미드 필름.
Figure pat00047

Figure pat00048

Figure pat00049

{식 중, R4 ∼ R11 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. Z 는 각각 독립적으로 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 에테르 또는 케톤을 나타낸다. d ∼ k 는 0 ∼ 4 의 정수이다.}
8. The method according to any one of claims 5 to 7,
The polyimide film whose said Y is at least 1 sort(s) selected from the group which consists of following general formula (3), (4) and (5).
Figure pat00047

Figure pat00048

Figure pat00049

{In the formula, R 4 to R 11 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. Each Z independently represents a single bond, a methylene group, an ethylene group, an ether or a ketone. d to k are integers from 0 to 4.}
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.A flexible display comprising the polyimide film according to any one of claims 5 to 7. 하기 일반식 (13) :
Figure pat00050

{식 중, X1 은 탄소수 4 ∼ 32 의 4 가의 기를 나타낸다. R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기를 나타낸다. n 은 0 또는 1 을 나타낸다. 그리고 a 와 b 와 c 는 0 ∼ 4 의 정수이다.} 로 나타내는 폴리이미드, 그리고,
(c) 계면활성제, 및 (d) 알콕시실란 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 폴리이미드 필름을 포함하는 플렉시블 디스플레이.
The following general formula (13):
Figure pat00050

{Wherein, X 1 represents a tetravalent group having 4 to 32 carbon atoms. R 1 , R 2 , and R 3 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. n represents 0 or 1. and a, b, and c are integers of 0 to 4. A polyimide represented by };
(c) a surfactant, and (d) a flexible display comprising a polyimide film containing at least one selected from the group consisting of an alkoxysilane compound.
제 10 항에 있어서,
저온 폴리실리콘 TFT 층 및 IGZO (InGaZnO) TFT 층에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 플렉시블 디스플레이.
11. The method of claim 10,
A flexible display comprising at least one selected from a low temperature polysilicon TFT layer and an IGZO (InGaZnO) TFT layer.
폴리이미드와 지지체를 포함하는 적층체의 제조 방법으로서,
폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드로 하는 공정과,
상기 폴리이미드와 지지체를 포함하는 적층체를 400 ℃ 이상으로 가열하는 공정을 포함하고,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 적층체의 제조 방법.
A method for producing a laminate comprising a polyimide and a support, comprising:
Imidizing a polyimide precursor to obtain a polyimide;
heating the laminate including the polyimide and the support to 400° C. or higher,
The manufacturing method of the laminated body whose weight average molecular weights of the said polyimide precursor are 30,000 or more and 300,000 or less.
플렉시블 디스플레이의 제조 방법으로서,
폴리이미드 전구체를 이미드화하여 폴리이미드로 하는 공정과,
상기 폴리이미드 상에 저온 폴리실리콘 TFT 층을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 폴리이미드 전구체의 중량 평균 분자량이 30,000 이상, 300,000 이하인 플렉시블 디스플레이의 제조 방법.
A method for manufacturing a flexible display, comprising:
Imidizing a polyimide precursor to obtain a polyimide;
forming a low-temperature polysilicon TFT layer on the polyimide;
A method of manufacturing a flexible display having a weight average molecular weight of the polyimide precursor of 30,000 or more and 300,000 or less.
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