KR102129711B1 - A Band Pass Filter Circuit - Google Patents

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Abstract

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700), CLK 발생부 (701), Band Pass Filter부 (702) 로 구성된다.
S_1 신호 입력 Transistor (706)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_1 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.
S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_2 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.
상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는, 상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해, 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다.
복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하기 위해서는 Band Pass Filter를 이용하여 특정 주파수에서만 동작신호를 발생하도록 하는 것이 필요하다.
Band Pass Filter부는 Antenna 소자와 Capacitor 소자가 직렬로 연결되어 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.Sensing Detection Voltage Generation The strong-ARM Latch amplification circuit block consists of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700, CLK generation unit 701, and Band Pass Filter unit 702.
The S_1 signal input transistor 706 is a transistor element for inputting the S_1 signal of the Band Pass Filter unit 702.
S_2 Signal Input Sensing Detection Voltage Generation Transistor 707 is a transistor element to input S_2 signal of Band Pass Filter unit 702.
The S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Transistor 707 is configured by connecting a plurality of Transistors in series or connected in parallel in order to generate Sensing Detection Voltage characteristics of a predetermined value different from the S_1 signal input Transistor 706. It is characterized in that it is different from the S_1 signal input transistor 706 in the current driving capability.
In order to distinguish and select and control each load when a plurality of loads are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, it is necessary to generate an operation signal only at a specific frequency using a band pass filter.
The Band Pass Filter unit is configured by connecting the Antenna element and the Capacitor element in series to perform the Band Pass Filter operation at a specific radio frequency (RF) frequency, and selectively connecting to one terminal among S_1 or S_2 signal terminals.

Description

Band Pass Filter 회로 장치{A Band Pass Filter Circuit}Band Pass Filter Circuit Device{A Band Pass Filter Circuit}

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부, Band Pass Filter부로 구성된다.Sensing Detection Voltage Generation The strong-ARM Latch amplification circuit block consists of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification section, CLK generation section, and Band Pass Filter section.

복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하기 위해서는 Band Pass Filter를 이용하여 특정 주파수에서만 동작신호를 발생하도록 하는 것이 필요하다.In order to distinguish and select and control each load when a plurality of loads are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, it is necessary to generate an operation signal only at a specific frequency using a band pass filter.

Band Pass Filter부는 Antenna 소자와 Capacitor 소자가 직렬로 연결되어 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부의 S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.
The Band Pass Filter unit performs the Band Pass Filter operation at a specific radio frequency (RF) frequency by connecting the Antenna element and the Capacitor element in series. It is composed by connecting to two terminals.

고 전압의 교류 전원에서 저 전압의 직류 전원으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서 통상 변압 회로(100)는 회로의 구성에 많은 면적과 비용을 유발하는 회로 영역이 된다. In a voltage converter that converts a high voltage AC power supply to a low voltage DC power supply, the transformer circuit 100 is a circuit area that incurs a large area and cost in the circuit configuration.

따라서 저 비용의 회로를 구성하는데 있어서 방해 요인으로 작용하게 된다. 한편, 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역은 정 전압의 출력 전압 특성을 확보하기 위해 정류 회로(102)의 출력 단자에 병렬로 배치하여 사용하게 된다. Therefore, it is an obstacle to constructing a low-cost circuit. On the other hand, the Zener diode (Zener diode) (104) circuit area is used to be arranged in parallel to the output terminal of the rectifier circuit 102 to ensure the output voltage characteristics of the constant voltage.

최근에는 통신 분야의 system transients와 lightning-induced transients로부터 시스템을 보호해주는 써지 보호 역할과, 이동 통신 단말기, 노트북 PC, 전자수첩, PDA등의 정전 기에 대하여 회로를 보호해주는 ESD(electrostatic discharge) protection의 역할로서 PN 바리스터(Varistor)가 필요하다.Recently, the surge protection role that protects the system from system transients and lightning-induced transients in the communication field, and the role of electrostatic discharge (ESD) protection that protects circuits against static electricity in mobile communication terminals, notebook PCs, electronic notebooks, PDAs, etc. As, PN Varistor is required.

각종 정보기기, 제어기기 등 전기를 사용하는 제품에 갑작스런 전압의 변화(surge) 가전제품에 대한 기기 손상을 방지하기 위한 써지 흡수소자로서 사용 된다. 또한 발전소, 변전소, 송전소 같은 전력 기기 분야에서 낙뢰로부터 설비를 안전하게 보호하기 위한 전력용 피뢰기의 핵심 소자에 이르기까지 다양한 부분에 사용된다. It is used as a surge absorber to prevent equipment damage to electrical appliances such as sudden voltage changes in products that use electricity, such as various information devices and controllers. In addition, it is used in various parts, ranging from lightning strikes to core elements of power arresters to safely protect equipment in power equipment fields such as power plants, substations, and transmission stations.

이에 따라 이들 장비에 발생하는 전원서지, 낙뇌서지 등으로부터 시스템을 보호하기 위한 필요성이 그 어느 때보다도 강하게 요구되고 있다.Accordingly, the need to protect the system from power surges, lightning surges, and the like generated in these equipment is more strongly demanded than ever.

전력 계통에 설치되는 전자기기들을 이러한 과도 외부 서지로부터 파괴, 또는 오동작하지 않도록 서지를 차단하기 위해서는 서지 보호 장치(Surge Protection Device: SPD, Voltage Transient Management System: VTMS, or Transient Voltage Surge Suppressor: TVSS)를 설치한다. 또한, 전력 계통에 설치되는 전자기기들은 이상 전류, 이상 전압 혹은 누설 전류와 같은 각종 고장 사고에 의한 재해를 방지할 수 있는 감지(Sensing) 보호 장치를 설치하여야 한다.Surge protection device (SPD, Voltage Transient Management System: VTMS, or Transient Voltage Surge Suppressor: TVSS) is used to block surges to prevent electronic devices installed in the power system from being destroyed or malfunctioned from such excessive external surges. Install it. In addition, electronic devices installed in the power system should be provided with a sensing protection device that can prevent a disaster caused by various failure accidents such as an abnormal current, an abnormal voltage, or a leakage current.

본 발명의 실시예는 다음과 같은 특징을 갖는다. The embodiments of the present invention have the following features.

첫째, 통상 변압 회로(100) 영역의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 영역에서 차지하는 면적을 제거하여 저 비용 회로의 구현이 가능하게 하는 특징을 갖는다. First, the configuration of the region of the conventional transformer circuit 100 is removed to remove the area occupied by the region of the typical transformer circuit 100, thereby enabling the implementation of a low-cost circuit.

둘째, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부 및 Band Pass Filter부로 구성되게 하는 특징을 갖는다.Second, the block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit generating the Sensing Detection Voltage has the feature to be composed of the strong-ARM amplification section, the CLK generation section, and the Band Pass Filter section generating the Sensing Detection Voltage.

셋째, 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복되는 특징을 갖는다.Third, while power is being supplied, amplification and precharge operations are periodically repeated in response to a certain frequency period of CLK.

넷째, 복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하는 특징을 갖는다.
Fourth, when a plurality of loads are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, each load is distinguished and selected and controlled.

고 전압의 교류 및 직류 전원에서 저 전압의 직류 전원으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서, 통상 변압 회로(100)의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 구성에서 차지하는 많은 면적을 제거하여 저 비용의 회로를 구성할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. In a voltage conversion device for converting a high voltage AC and DC power supply to a low voltage DC power supply, the configuration of the normal transformer circuit 100 is removed to remove a large area occupied by the configuration of the normal transformer circuit 100, thereby reducing the cost. It is characterized in that the circuit can be configured.

또한 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700), CLK 발생부 (701) 및 Band Pass Filter부 (702) 로 구성된다.In addition, the block configuration of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplification circuit consists of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700, the CLK generation unit 701, and the Band Pass Filter unit 702.

S_1 신호 입력 Transistor (706)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_1 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_1 signal input transistor 706 is a transistor element for inputting the S_1 signal of the Band Pass Filter unit 702.

S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_2 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.S_2 Signal Input Sensing Detection Voltage Generation Transistor 707 is a transistor element to input S_2 signal of Band Pass Filter unit 702.

상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to generate a Sensing Detection Voltage characteristic of a predetermined value different from the S_1 signal input transistor 706, a plurality of transistors are connected in series or configured in parallel so that the current driving capability differs from the S_1 signal input transistor 706. It is characterized by.

복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하기 위해서는 Band Pass Filter를 이용하여 특정 주파수에서만 동작신호를 발생하도록 하는 것이 필요하다.In order to distinguish and select and control each load when a plurality of loads are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, it is necessary to generate an operation signal only at a specific frequency using a band pass filter.

Band Pass Filter부는 Antenna 소자와 Capacitor 소자가 직렬로 연결되어 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부의 S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.
The Band Pass Filter unit performs the Band Pass Filter operation at a specific radio frequency (RF) frequency by connecting the Antenna element and the Capacitor element in series. It is composed by connecting to two terminals.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예는 다음과 같은 효과를 갖는다. As described above, the embodiment of the present invention has the following effects.

첫째, 통상 변압 회로(100) 영역의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 영역에서 차지하는 면적을 제거하여 저 비용 회로의 구현이 가능하도록 한다. First, by removing the configuration of the area of the normal transformer circuit 100, the area occupied by the area of the normal transformer circuit 100 is removed to enable implementation of a low-cost circuit.

둘째, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부, Band Pass Filter부 (702) 로 구성됨을 특징으로 하는 효과를 제공한다. Second, the block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit generating the Sensing Detection Voltage provides an effect characterized by being composed of a strong-ARM amplification unit, a CLK generation unit, and a Band Pass Filter unit 702 generating the Sensing Detection Voltage.

셋째, 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복됨을 특징으로 하는 효과를 제공한다.Third, while power is being supplied, an amplification operation and a precharge operation are periodically repeated in response to a certain frequency period of CLK.

넷째, 복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어함을 특징으로 하는 효과를 제공한다.Fourth, when a plurality of loads (Load) are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, it provides an effect characterized by distinguishing and selecting and controlling each load.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
In addition, the preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, replacements, and additions through the technical spirit and scope of the appended claims, such modifications and the like as follows. You should see it as being in scope.

도 1은 통상의 전압 변환 회로의 구성도.
도 2는 본 발명의 반파 정류 VDD 전원 발생 회로의 구성도
도 3은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 구성도.
도 4은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 동작 파형도.
도 5는 본 발명 Band Pass Filter부 (702) 의 상세 회로도.
도 6은 본 발명 복수개의 부하 배치의 상세 회로도.1 is a block diagram of a conventional voltage conversion circuit.
2 is a block diagram of a half-wave rectified VDD power generation circuit of the present invention
Figure 3 is a configuration diagram of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplifying circuit of the present invention.
Figure 4 is an operational waveform diagram of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplification circuit of the present invention.
5 is a detailed circuit diagram of the Band Pass Filter unit 702 of the present invention.
6 is a detailed circuit diagram of a plurality of load arrangements of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 통상의 전압 변환 회로의 구성도이다.1 is a block diagram of a typical voltage conversion circuit.

교류 입력 전원(100)에서 저 전압의 직류 전원의 전압으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서 통상 변압회로(101), 정류 회로(102), 및 제너 다이오드(Zener diode)(104)의 회로 영역으로 구성된다. 통상 변압 회로(100)는 고 전압의 입력 전원을 저 전압으로 변환하는 회로 영역이다. In a voltage converter that converts an AC input power source 100 to a voltage of a low-voltage DC power supply, it is usually composed of circuit regions of a transformer circuit 101, a rectifying circuit 102, and a Zener diode 104. do. Typically, the transformer circuit 100 is a circuit region that converts a high voltage input power source to a low voltage.

정류 회로(102)는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 반파 혹은 전파 정류 다이오드로 구성된 회로 영역이다. 통상 변압 회로(100)는 회로의 구성에 많은 면적과 비용을 유발하는 회로 영역이 된다. The rectifying circuit 102 is a circuit region composed of half-wave or full-wave rectifying diodes that convert AC power into DC power. Typically, the transformer circuit 100 is a circuit area that causes a large area and cost in the circuit configuration.

따라서 저 비용의 회로를 구성하는데 있어서 방해 요인으로 작용하게 된다.Therefore, it is an obstacle to constructing a low-cost circuit.

한편, 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역은 정 전압의 출력 전압 특성을 확보하기 위해 정류 회로(102)의 출력 단자(103)에 병렬로 배치하여 사용하게 된다. On the other hand, the Zener diode (Zener diode) (104) circuit region is used to be arranged in parallel to the output terminal 103 of the rectifier circuit 102 to ensure the output voltage characteristics of the constant voltage.

정류 회로(102)의 출력 단자(103)는 최종 출력 제1 전력 공급 단자(105)로 사용된다.The output terminal 103 of the rectifying circuit 102 is used as the final output first power supply terminal 105.

도 2는 본 발명의 반파 정류 VDD 전원 발생 회로의 구성도이다.2 is a block diagram of a half-wave rectifying VDD power generating circuit of the present invention.

본 발명의 교류 입력 전원에서 저 전압의 직류 전원의 전압으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서, 교류 입력 전원(200)의 한쪽 전극(201)은 반파 정류 회로의 한쪽 입력 단에 연결된다.In the voltage conversion device for converting the AC input power of the present invention to a voltage of a low-voltage DC power supply, one electrode 201 of the AC input power supply 200 is connected to one input terminal of the half-wave rectifying circuit.

교류 입력 전원(200)의 다른 쪽 전극(202)은 공통의 접지 단자인 GND에 연결된다.The other electrode 202 of the AC input power source 200 is connected to the common ground terminal GND.

교류 입력 전원(200)의 한쪽 전극(201)은 Diode D4의 Anode 전극에 연결된다.One electrode 201 of the AC input power source 200 is connected to the Anode electrode of Diode D4.

Diode D4의 Cathode 전극은 전류 제한 소자인 저항 R1의 한쪽 단자에 연결된다.Diode D4's Cathode electrode is connected to one terminal of the current-limiting resistor R1.

저항 R1의 다른 쪽 단자(204)는 Zener diode (206)의 Cathode 와 Diode D5의 Anode 전극에 공통으로 연결된다.The other terminal 204 of the resistor R1 is commonly connected to the Cathode of the Zener diode 206 and the Anode electrode of Diode D5.

상기 Zener diode (206)의 Anode 단자는 공통의 접지 단자인 GND에 연결된다.The Anode terminal of the Zener diode 206 is connected to GND, which is a common ground terminal.

상기 D5의 Cathode 전극에는 저 전압 출력 단자인 VDD 전원 단자가 연결된다.A low voltage output terminal, a VDD power terminal, is connected to the cathode electrode of D5.

VDD 전원 단자는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 VDD 전원 단자에 연결된다.The VDD power terminal is connected to the VDD power terminal of the strong-ARM Latch amplification circuit generated by the Sensing Detection Voltage.

도 3은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 구성도이다.3 is a block diagram of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplifying circuit of the present invention.

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700), CLK 발생부 (701), Band Pass Filter부 (702) 로 구성된다.Sensing Detection Voltage Generation The strong-ARM Latch amplification circuit block consists of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700, CLK generation unit 701, and Band Pass Filter unit 702.

상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)는 out- 단자의 precharge transistor (703), out+ 단자의 precharge transistor (704), Latch 증폭부 (705), S_1 신호 입력 Transistor (706), S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707) 및 활성화 제어 Transistor (708) 로 구성된다.The sensing detection voltage generation strong-ARM amplification unit 700 includes an out- terminal precharge transistor 703, an out+ terminal precharge transistor 704, a latch amplification unit 705, an S_1 signal input transistor 706, and an S_2 signal. It consists of input Sensing Detection Voltage generation Transistor (707) and activation control Transistor (708).

상기 precharge transistor (703) 와 precharge transistor (704)는 out- 단자와 out+ 단자를 High 전압으로 Precharge 시키는 사용되는 Transistor 이다.The precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are used to precharge the out- and out+ terminals with a high voltage.

Latch 증폭부 (705)는 out- 단자와 out+ 단자를 증폭시키기 위한 회로이다.The latch amplification unit 705 is a circuit for amplifying out- and out+ terminals.

S_1 신호 입력 Transistor (706)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_1 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_1 signal input transistor 706 is a transistor element for inputting the S_1 signal of the Band Pass Filter unit 702.

S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는 Band Pass Filter부 (702) 의 S_2 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.S_2 Signal Input Sensing Detection Voltage Generation Transistor 707 is a transistor element to input S_2 signal of Band Pass Filter unit 702.

또한, 상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는, 상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해, 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_1 신호 입력 Transistor (706)와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다.In addition, the S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Transistor 707 is configured by connecting a plurality of Transistors in series or in parallel in order to generate Sensing Detection Voltage characteristics of a predetermined value different from the S_1 signal input Transistor 706. It is characterized in that the current driving capability is different from the S_1 signal input transistor 706 in connection.

상기 활성화 제어 Transistor (708)는 CLK 신호가 High 일 때는 동작을 활성화 시키고, CLK 신호가 Low 일 때는 Precharge 시키는 동작을 수행한다. The activation control transistor 708 activates an operation when the CLK signal is high, and precharges when the CLK signal is low.

상기 CLK 발생부 (701)는 전원을 인가하면 자체적으로 일정 주기의 clock 신호인 CLK 을 발생함을 특징으로 하는 회로 Block이다.The CLK generating unit 701 is a circuit block characterized in that when power is applied, a clock signal of a certain cycle is generated by itself.

상기 Band Pass Filter부 (702) 는 온도 Sensor, 자기 Sensor, 가스 Sensor 등 각종 Sensor 신호를 발생하는 Sensor 회로 Block이다.The Band Pass Filter unit 702 is a sensor circuit block that generates various sensor signals such as a temperature sensor, a magnetic sensor, and a gas sensor.

도 4는 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 동작 파형도이다.4 is an operational waveform diagram of the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplifying circuit of the present invention.

상기 CLK 발생부 (701)의 CLK 신호가 Low인 구간에서는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)가 비활성화 되어 Precharge 동작을 수행한다.In the section where the CLK signal of the CLK generation unit 701 is low, the strong-ARM amplification unit 700 generating the Sensing Detection Voltage is deactivated to perform a precharge operation.

한편, 상기 CLK 발생부 (701)의 CLK 신호가 High인 구간에서는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)가 활성화 되어 정상 증폭 동작을 수행한다.Meanwhile, in a section in which the CLK signal of the CLK generation unit 701 is high, the strong-ARM amplification unit 700 generating the Sensing Detection Voltage is activated to perform a normal amplification operation.

본 발명의 회로는 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복됨을 특징으로 한다.The circuit of the present invention is characterized in that the amplification operation and the precharge operation are periodically repeated in response to a certain frequency period of the CLK while the power is being supplied.

도 5는 본 발명 Band Pass Filter부 (702) 의 상세 회로도이다.5 is a detailed circuit diagram of the Band Pass Filter unit 702 of the present invention.

복수개의 LED 조명 장치 같이 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하기 위해서는 Band Pass Filter를 이용하여 특정 주파수에서만 동작신호를 발생하도록 하는 것이 필요하다.In order to distinguish and select and control each load when a plurality of loads are scattered in a certain space area, such as a plurality of LED lighting devices, it is necessary to generate an operation signal only at a specific frequency using a band pass filter.

Band Pass Filter부 (702)는 Antenna (501) 소자와 Capacitor C1(502) 소자가 직렬로 연결되어 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)의 S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.The Band Pass Filter unit 702 is connected to the Antenna 501 device and the Capacitor C1 (502) device in series to perform the Band Pass Filter operation at a specific radio frequency (RF) frequency, and generates strong sensing detection voltage. It is configured by selectively connecting to one terminal among the S_1 signal or S_2 signal terminal of the unit 700.

radio frequency (RF) 단말기에서 특정 radio frequency (RF) 주파수 신호를 송신한다.A radio frequency (RF) terminal transmits a specific radio frequency (RF) frequency signal.

도 6은 본 발명 복수개의 부하 배치의 상세 회로도이다.6 is a detailed circuit diagram of a plurality of load arrangements according to the present invention.

제1 Band Pass Filter부 (702)는 Antenna_1 (601) 소자와 Capacitor C1(602) 소자가 직렬로 연결되어 제1 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, 제1 증폭부_1 (604)의 S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.In the first band pass filter unit 702, the antenna_1 (601) element and the capacitor C1 (602) element are connected in series to perform a band pass filter operation at a first specific radio frequency (RF) frequency, and the first amplification unit It is configured by selectively connecting to one of the S_1 signal or S_2 signal terminals of _1 (604).

제1 증폭부_1 (604)는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)로 구성되고, out+ 단자 혹은 out- 중에서 선택적으로 한 단자가 제1 부하 제어 회로인 Load_1 (606) 에 연결되게 된다.The first amplification unit_1 604 is composed of a strong-ARM amplification unit 700 generating a Sensing Detection Voltage, and one terminal selectively selected from out+ terminals or out- is connected to the first load control circuit Load_1 606. do.

제2 Band Pass Filter부 (702)는 Antenna_2 (608) 소자와 Capacitor C2(610) 소자가 직렬로 연결되어 제2 특정 radio frequency (RF) 주파수에서 Band Pass Filter 동작을 수행하게 되고, 제2 증폭부_2 (612)의 S_1 신호 혹은 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하여 구성된다.In the second band pass filter unit 702, the antenna_2 608 element and the capacitor C2 610 element are connected in series to perform a band pass filter operation at a second specific radio frequency (RF) frequency, and the second amplification unit It is configured by selectively connecting to one terminal among S_1 signal or S_2 signal terminals of _2 (612).

제2 증폭부_2 (612)는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)로 구성되고, out+ 단자 혹은 out- 중에서 선택적으로 한 단자가 제2 부하 제어 회로인 Load_2 (614) 에 연결되게 된다.
The second amplification unit _2 612 is composed of a strong-ARM amplification unit 700 generating a Sensing Detection Voltage, and one terminal selectively selected from out+ terminals or out- is connected to the second load control circuit Load_2 614. do.

100 입력 전원
101 변압 회로
102 정류 회로
104 제너 다이노드(Zener diode)
105 제1 전력 공급 단자
200 입력 전원100 input power
101 transformer circuit
102 rectifier circuit
104 Zener diode
105 1st power supply terminal
200 input power

Claims (1)

Band Pass Filter 적용 증폭 회로 장치에 있어서,
Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700); 및
CLK 발생부 (701); 및
Band Pass Filter부 (702) 로 구성되고,
상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)에서,
상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)는 out- 단자의 precharge transistor (703), out+ 단자의 precharge transistor (704), Latch 증폭부 (705), S_1 신호 입력 Transistor (706), S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707) 및 활성화 제어 Transistor (708) 로 구성되고,
상기 precharge transistor (703) 와 상기 precharge transistor (704)의 2개의 Drain 단자는 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자와 각각 연결되고,
상기 precharge transistor (703) 와 상기 precharge transistor (704)의 2개의 Gate 단자는 상기 CLK 발생부(701)의 CLK 신호에 연결되어 상기 CLK 신호에 따라 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자를 High 전압으로 Precharge 시키고,
상기 Latch 증폭부 (705)는 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자를 증폭시키고,
상기 Latch 증폭부 (705)의 서로 다른 2개의 Source 단자는 상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)의 Drain 단자와 상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Drain 단자와 각각 연결되고,
상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)의 Gate 단자는 상기 Band Pass Filter부 (702) 의 S_1 신호를 입력 시키고,
상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Gate 단자는 상기 Band Pass Filter부 (702) 의 S_2 신호를 입력 시키고,
상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는, 상기 Band Pass Filter부 (702) 의 상기 S_1 신호와 상기 S_2 신호 전압이 같은 크기로 입력될 경우에, 상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)의 전류 구동 능력 대비 상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 전류 구동 능력은 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 하고,
상기 S_1 신호 입력 Transistor (706)의 Source 단자와 상기 S_2 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Source 단자는 공통으로 상기 활성화 제어 Transistor (708)의 Drain 단자에 연결되고,
상기 활성화 제어 Transistor (708)의 Gate 단자는 상기 CLK 신호가 연결되고,
상기 활성화 제어 Transistor (708)는 상기 CLK 신호가 High 일 때는 상기 Latch 증폭부(705)의 동작을 활성화 시키고, 상기 CLK 신호가 Low 일 때는 상기 Latch 증폭부(705)를 Precharge 시키는 동작을 수행하고,
상기 CLK 발생부 (701)는 전원을 인가하면 자체적으로 일정 주기의 clock 신호인 상기 CLK 신호를 발생하고,
상기 Band Pass Filter부 (702) 에 있어서,
상기 Band Pass Filter부 (702)는 일정 공간 영역에 복수개의 부하(Load)가 산재하여 있을 때 각 부하를 구별 및 선택하여 제어하고,
상기 Band Pass Filter부 (702)는 Antenna 소자와 Capacitor 소자가 직렬로 연결되고, 상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부의 상기 S_1 신호 혹은 상기 S_2 신호 단자 중에서 선택적으로 한 개의 단자에 연결하게 하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로 장치.
In the band pass filter applied amplification circuit device,
Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700; And
CLK generator 701; And
It consists of a Band Pass Filter unit 702,
In the Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700,
The sensing detection voltage generation strong-ARM amplification unit 700 includes an out- terminal precharge transistor 703, an out+ terminal precharge transistor 704, a latch amplification unit 705, an S_1 signal input transistor 706, and an S_2 signal. It consists of input Sensing Detection Voltage generation Transistor (707) and activation control Transistor (708),
The two drain terminals of the precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are respectively connected to the out- terminal and the out+ terminal,
Two gate terminals of the precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are connected to the CLK signal of the CLK generator 701 to precharge the out- terminal and the out+ terminal with a high voltage according to the CLK signal. And
The Latch amplification unit 705 amplifies the out- terminal and the out+ terminal,
Two different source terminals of the Latch amplification unit 705 are respectively connected to the Drain terminal of the S_1 signal input transistor 706 and the Drain terminal of the S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Transistor 707,
The Gate terminal of the S_1 signal input transistor 706 inputs the S_1 signal of the Band Pass Filter unit 702,
The S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Gate terminal of the Transistor 707 inputs the S_2 signal of the Band Pass Filter unit 702,
The S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Transistor 707 is the current of the S_1 signal input Transistor 706 when the S_1 signal and the S_2 signal voltage of the Band Pass Filter unit 702 are input with the same magnitude. The current driving capability of the S_2 signal input Sensing Detection Voltage generation Transistor (707) compared to the driving capability is characterized by making a difference,
The Source terminal of the S_1 signal input Transistor 706 and the Source terminal of the S_2 signal input Sensing Detection Voltage generating Transistor 707 are commonly connected to the Drain terminal of the activation control Transistor 708,
The CLK signal is connected to the gate terminal of the activation control transistor 708,
The activation control transistor 708 activates the operation of the latch amplification unit 705 when the CLK signal is high, and precharges the latch amplification unit 705 when the CLK signal is low,
When the power is applied to the CLK generator 701, the CLK signal, which is a clock signal of a certain period, is generated by itself.
In the Band Pass Filter unit 702,
The Band Pass Filter unit 702 distinguishes and selects and controls each load when a plurality of loads are scattered in a certain space area,
The Band Pass Filter unit 702 is characterized in that the antenna element and the capacitor element are connected in series, and selectively connected to one terminal among the S_1 signal or the S_2 signal terminal of the strong-ARM amplifying unit generating the Sensing Detection Voltage. Amplifying circuit device.
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JP2006211057A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Oki Electric Ind Co Ltd Triplexer
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