KR101971363B1 - A Sensing Signal Detection Strong-ARM Amplifier - Google Patents

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KR101971363B1 KR1020170150117A KR20170150117A KR101971363B1 KR 101971363 B1 KR101971363 B1 KR 101971363B1 KR 1020170150117 A KR1020170150117 A KR 1020170150117A KR 20170150117 A KR20170150117 A KR 20170150117A KR 101971363 B1 KR101971363 B1 KR 101971363B1
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Abstract

A block of a sensing detection voltage generation strong-ARM latch amplification circuit comprises a sensing detection voltage generation strong-ARM amplification unit (700), a CLK generation unit (701), a sensor unit (702), and a surge current protection unit (712). An S_OUT signal input transistor (706) is a transistor element for inputting an S_OUT signal of the sensor unit (702). An S_REF signal input sensing detection voltage generation transistor (707) is a transistor element for inputting an S_REF signal of the sensor unit (702). The S_REF signal input sensing detection voltage generation transistor (707) makes a difference from the S_OUT signal input transistor (706) in current driving capability by connecting a plurality of transistors in series or in parallel, in order to generate sensing detection voltage characteristics of designated values different from the S_OUT signal input transistor (706). According to the present invention, a low cost circuit can be realized.

Description

Sensing 신호 Detection strong-ARM증폭 회로 장치 {A Sensing Signal Detection Strong-ARM Amplifier}{Sensing Signal Detection Strong-ARM Amplifier}

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부, Sensor부 (702) 및 Surge Current Protection부 (712)로 구성된다.Sensing Detection Voltage Generation The block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit is composed of a strong ARM amplification section, a CLK generation section, a sensor section 702, and a surge current protection section 712 for generating a sensing detection voltage.

S_OUT 신호 입력 Transistor는 Sensor부의 S_OUT 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.S_OUT signal input Transistor is a transistor element for inputting S_OUT signal of sensor part.

S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage Control Transistor는 Sensor부의 S_REF 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.S_REF signal input Sensing Detection Voltage Control Transistor is a transistor element for inputting S_REF signal of sensor part.

상기 S_OUT 신호 입력 Transistor와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_OUT 신호 입력 Transistor와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다. A plurality of transistors are connected in series or connected in parallel so as to generate Sensing Detection Voltage characteristics of a different value from the S_OUT signal input transistor, thereby making a difference from an S_OUT signal input transistor in the current driving capability.

전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복하는 증폭 회로에 관련된 기술이다.And is an art related to an amplifier circuit that periodically repeats an amplifying operation and a precharge operation corresponding to a certain frequency period of CLK while power is supplied.

고 전압의 교류 전원에서 저 전압의 직류 전원으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서 통상 변압 회로(100)는 회로의 구성에 많은 면적과 비용을 유발하는 회로 영역이 된다. In a voltage converting apparatus for converting a high voltage AC power source to a low voltage DC power source, the normal voltage transforming circuit 100 is a circuit region causing a large area and cost in the circuit configuration.

따라서 저 비용의 회로를 구성하는데 있어서 방해 요인으로 작용하게 된다. 한편, 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역은 정 전압의 출력 전압 특성을 확보하기 위해 정류 회로(102)의 출력 단자에 병렬로 배치하여 사용하게 된다. Therefore, it becomes an obstacle factor in constructing a low cost circuit. On the other hand, the circuit region of the Zener diode 104 is arranged in parallel with the output terminal of the rectifying circuit 102 in order to secure the output voltage characteristic of the constant voltage.

최근에는 통신 분야의 system transients와 lightning-induced transients로부터 시스템을 보호해주는 써지 보호 역할과, 이동 통신 단말기, 노트북 PC, 전자수첩, PDA등의 정전 기에 대하여 회로를 보호해주는 ESD(electrostatic discharge) protection의 역할로서 PN 바리스터(Varistor)가 필요하다.In recent years, the role of surge protection to protect the system from system transients and lightning-induced transients in the field of communication and ESD (electrostatic discharge) protection to protect circuits against static electricity in mobile communication terminals, notebook PCs, A PN varistor is required.

각종 정보기기, 제어기기 등 전기를 사용하는 제품에 갑작스런 전압의 변화(surge) 가전제품에 대한 기기 손상을 방지하기 위한 써지 흡수소자로서 사용 된다. 또한 발전소, 변전소, 송전소 같은 전력 기기 분야에서 낙뢰로부터 설비를 안전하게 보호하기 위한 전력용 피뢰기의 핵심 소자에 이르기까지 다양한 부분에 사용된다. It is used as a surge absorbing element to prevent a sudden change in voltage (surge) to appliances such as various information devices and control devices. It is used in various parts ranging from power devices such as power plants, substations, and power stations to the core devices of lightning arresters for safeguarding equipment from lightning strikes.

이에 따라 이들 장비에 발생하는 전원서지, 낙뇌서지 등으로부터 시스템을 보호하기 위한 필요성이 그 어느 때보다도 강하게 요구되고 있다.Accordingly, there is a strong demand for protecting the system from power surges, ridiculous surges, and the like that occur in these devices.

전력 계통에 설치되는 전자기기들을 이러한 과도 외부 서지로부터 파괴, 또는 오동작하지 않도록 서지를 차단하기 위해서는 서지 보호 장치(Surge Protection Device: SPD, Voltage Transient Management System: VTMS, or Transient Voltage Surge Suppressor: TVSS)를 설치하여야 한다.A surge protection device (SPD, VTMS, or Transient Voltage Surge Suppressor: TVSS) is used in order to prevent surges from destroying or malfunctioning electronic equipment installed in the power system from such transient external surges. Should be installed.

본 발명의 실시예는 다음과 같은 특징을 갖는다. The embodiment of the present invention has the following features.

첫째, 통상 변압 회로(100) 영역의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 영역에서 차지하는 면적을 제거하여 저 비용 회로의 구현이 가능하게 하는 특징을 갖는다. First, the configuration of the region of the normal transforming circuit 100 is removed so that the area occupied in the normal transforming circuit 100 is removed, thereby realizing a low-cost circuit.

둘째, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부 및 Sensor부로 구성되게 하는 특징을 갖는다.Second, Sensing Detection Voltage Generation The block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit is composed of a strong ARM amplification part, a CLK generation part and a sensor part to generate Sensing Detection Voltage.

셋째, 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복되는 특징을 갖는다.Third, the amplifying operation and the precharge operation are periodically repeated in response to a certain frequency period of the CLK while the power is supplied.

고 전압의 교류 및 직류 전원에서 저 전압의 직류 전원으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서, 통상 변압 회로(100)의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 구성에서 차지하는 많은 면적을 제거하여 저 비용의 회로를 구성할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a voltage converting apparatus for converting a high-voltage alternating current and a direct-current power source into a low-voltage direct-current power source by eliminating the configuration of the transformer circuit 100 in general, So that a circuit can be constituted.

또한 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700), CLK 발생부 (701) 및 Sensor부 (702) 로 구성된다.The Block configuration of the strong-ARM Latch amplifying circuit for generating the Sensing Detection Voltage includes a Sensing Detection Voltage generating strong-ARM amplifying unit 700, a CLK generating unit 701 and a sensor unit 702.

S_OUT 신호 입력 Transistor (706)는 Sensor부 (702)의 S_OUT 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_OUT signal input transistor 706 is a transistor element for inputting the S_OUT signal of the sensor unit 702.

S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는 Sensor부 (702)의 S_REF 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_REF signal input sensing sensing voltage generation transistor 707 is a transistor element for inputting the S_REF signal of the sensor unit 702.

상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다.A plurality of transistors are connected in series or connected in parallel so as to generate Sensing Detection Voltage characteristics of a predetermined value different from the S_OUT signal input transistor 706 so as to be different from the S_OUT signal input transistor 706 in current driving capability .

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예는 다음과 같은 효과를 갖는다. As described above, the embodiment of the present invention has the following effects.

첫째, 통상 변압 회로(100) 영역의 구성을 제거하여 통상 변압 회로(100) 영역에서 차지하는 면적을 제거하여 저 비용 회로의 구현이 가능하도록 한다. First, the configuration of the region of the normal transformer circuit 100 is removed to eliminate the area occupied in the region of the transformer circuit 100 in general, thereby realizing a low-cost circuit.

둘째, Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부, CLK 발생부, Sensor부 (702) 및 Surge Current Protection부 (712)로 구성됨을 특징으로 하는 효과를 제공한다. Second, the Block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit for generating a Sensing Detection Voltage includes a strong-ARM amplification section, a CLK generation section, a sensor section 702, and a Surge Current Protection section 712 for generating a Sensing Detection Voltage. Lt; / RTI >

셋째, 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복됨을 특징으로 하는 효과를 제공한다.Third, the amplifying operation and the precharge operation are periodically repeated in response to a certain frequency period of the CLK while the power is being supplied.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions, and substitutions are possible, and that various modifications, additions and substitutions are possible, within the spirit and scope of the appended claims. As shown in Fig.

도 1은 통상의 전압 변환 회로의 구성도.
도 2는 본 발명의 VDD 전원 발생 회로의 구성도
도 3은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 구성도.
도 4은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 동작 파형도.1 is a configuration diagram of a normal voltage conversion circuit.
2 is a configuration diagram of the VDD power supply generating circuit of the present invention
FIG. 3 is a block diagram of a strong-ARM Latch amplification circuit for generating the Sensing Detection Voltage of the present invention.
FIG. 4 is a waveform diagram of the sensing-detection voltage generation strong-ARM latch circuit of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 통상의 전압 변환 회로의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a conventional voltage conversion circuit.

교류 입력 전원(100)에서 저 전압의 직류 전원의 전압으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서 통상 변압회로(101), 정류 회로(102), 및 제너 다이오드(Zener diode)(104)의 회로 영역으로 구성된다. 통상 변압 회로(100)는 고 전압의 입력 전원을 저 전압으로 변환하는 회로 영역이다. A rectifying circuit 102 and a zener diode 104 in a voltage converting apparatus for converting an AC input power supply 100 into a low voltage DC power supply voltage do. The transformer circuit 100 is a circuit region for converting a high voltage input power source to a low voltage.

정류 회로(102)는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 반파 혹은 전파 정류 다이오드로 구성된 회로 영역이다. 통상 변압 회로(100)는 회로의 구성에 많은 면적과 비용을 유발하는 회로 영역이 된다. The rectifying circuit 102 is a circuit region composed of a half-wave or full-wave rectifying diode for converting an AC power source to a DC power source. The transformer circuit 100 is usually a circuit area that causes a large area and cost in the construction of the circuit.

따라서 저 비용의 회로를 구성하는데 있어서 방해 요인으로 작용하게 된다.Therefore, it becomes an obstacle factor in constructing a low cost circuit.

한편, 제너 다이오드(Zener diode)(104)회로 영역은 정 전압의 출력 전압 특성을 확보하기 위해 정류 회로(102)의 출력 단자(103)에 병렬로 배치하여 사용하게 된다. On the other hand, the circuit region of the Zener diode 104 is arranged in parallel with the output terminal 103 of the rectifying circuit 102 in order to secure the output voltage characteristic of the constant voltage.

정류 회로(102)의 출력 단자(103)는 최종 출력 제1 전력 공급 단자(105)로 사용된다.The output terminal 103 of the rectifying circuit 102 is used as the final output first power supply terminal 105. [

도 2는 본 발명의 VDD 전원 발생 회로의 구성도이다.2 is a configuration diagram of the VDD power supply generating circuit of the present invention.

본 발명의 교류 입력 전원에서 저 전압의 직류 전원의 전압으로 변환하는 전압 변환 장치에 있어서, 교류 입력 전원(200)의 한쪽 전극(202)은 전류 제한 소자인 저항 R1의 한쪽 단자에 연결된다.In the voltage converting apparatus for converting from the AC input power supply of the present invention to the voltage of the DC power supply of low voltage, one electrode 202 of the AC input power supply 200 is connected to one terminal of the resistor R1 which is the current limiting element.

저항 R1의 다른 쪽 단자(204)는 Zener diode (206)의 Cathode 와 Diode D1의 P 전극 쪽에 공통으로 연결된다.The other terminal 204 of the resistor R1 is commonly connected to the cathode of the zener diode 206 and the P electrode of the diode D1.

상기 Zener diode (206)의 Anode 단자는 공통의 접지 단자에 연결된다.The anode terminal of the zener diode 206 is connected to a common ground terminal.

상기 Diode D1의 N 전극 쪽에는 저 전압 출력 단자인 VDD가 연결된다.VDD, which is a low voltage output terminal, is connected to the N-electrode side of the diode D1.

교류 입력 전원(200)의 다른 쪽 전극(208)은 전류 제한 소자인 저항 R2의 한쪽 단자에 연결된다.The other electrode 208 of the AC input power supply 200 is connected to one terminal of a resistor R2 which is a current limiting element.

저항 R2의 다른 쪽 단자(210)는 Zener diode (212)의 Cathode 와 Diode D2의 P 전극 쪽에 공통으로 연결된다.The other terminal 210 of the resistor R2 is commonly connected to the cathode of the Zener diode 212 and the P electrode of the diode D2.

상기 Zener diode (212)의 Anode 단자는 공통의 접지 단자에 연결된다.The anode terminal of the Zener diode 212 is connected to a common ground terminal.

상기 Diode D2의 N 전극 쪽에는 저 전압 출력 단자인 VDD가 공통으로 연결된다.And the VDD which is a low voltage output terminal is commonly connected to the N-electrode side of the diode D2.

도 3은 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 구성도이다.3 is a block diagram of a strong-ARM Latch amplifying circuit for generating a Sensing Detection Voltage of the present invention.

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 Block 구성은 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700), CLK 발생부 (701), Sensor부 (702) 및 Surge Current Protection부 (712)로 구성된다.Sensing Detection Voltage Generation The block configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit is composed of a strong-ARM amplification unit 700, a CLK generation unit 701, a sensor unit 702, and a surge current protection unit 712 .

상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)는 out- 단자의 precharge transistor (703), out+ 단자의 precharge transistor (704), Latch 증폭부 (705), S_OUT 신호 입력 Transistor (706), S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707) 및 활성화 제어 Transistor (708) 로 구성된다.The Sensing Detection Voltage generating strong-ARM amplifier 700 includes an out-terminal precharge transistor 703, an out + terminal precharge transistor 704, a latch amplifier 705, an S_OUT signal input transistor 706, an S_REF signal An input Sensing Detection Voltage generating transistor 707 and an activation control transistor 708.

상기 precharge transistor (703) 와 precharge transistor (704)는 out- 단자와 out+ 단자를 High 전압으로 Precharge 시키는 사용되는 Transistor 이다.The precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are used to precharge the out- and out + terminals to a high voltage.

Latch 증폭부 (705)는 out- 단자와 out+ 단자를 증폭시키기 위한 회로이다.The latch amplifier 705 is a circuit for amplifying the out- terminal and the out + terminal.

S_OUT 신호 입력 Transistor (706)는 Sensor부 (702)의 S_OUT 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_OUT signal input transistor 706 is a transistor element for inputting the S_OUT signal of the sensor unit 702.

S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는 Sensor부 (702)의 S_REF 신호를 입력 시키기 위한 Transistor 소자이다.The S_REF signal input sensing sensing voltage generation transistor 707 is a transistor element for inputting the S_REF signal of the sensor unit 702.

또한, 상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는, 상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)와 다른 정해진 값의 Sensing Detection Voltage 특성을 생성하기 위해, 복수개의 Transistor를 직렬로 연결하여 구성하거나 병렬로 연결하여 전류 구동 능력에서 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)와 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 한다.The S_REF signal input sensing voltage generation transistor 707 may be formed by connecting a plurality of transistors serially in series to generate a sensed detection voltage characteristic of a different value from the S_OUT signal input transistor 706, So as to make a difference from the S_OUT signal input transistor 706 in the current driving capability.

상기 활성화 제어 Transistor (708)는 CLK 신호가 High 일 때는 동작을 활성화 시키고, CLK 신호가 Low 일 때는 Precharge 시키는 동작을 수행한다. The activation control transistor 708 activates the operation when the CLK signal is High and precharges the CLK signal when the CLK signal is Low.

상기 CLK 발생부 (701)는 전원을 인가하면 자체적으로 일정 주기의 clock 신호인 CLK 을 발생함을 특징으로 하는 회로 Block이다.The CLK generator 701 generates a clock signal CLK of a predetermined period itself when the power is turned on.

상기 Sensor부 (702)는 온도 Sensor, 자기 Sensor, 가스 Sensor 등 각종 Sensor 신호를 발생하는 Sensor 회로 Block이다.The sensor unit 702 is a sensor circuit block that generates various sensor signals such as a temperature sensor, a magnetic sensor, and a gas sensor.

상기 Sensor부 (702)는 외부의 Sensing 신호 입력 조건에 따라 아주 큰 Level의 Sensing 신호가 유입되어 Surge Current 가 상기 S_OUT 과 S_REF 에 생성되는 경우가 발생하게 된다.The sensor unit 702 generates a surge current at the S_OUT and S_REF due to a very large level of sensing signal flowing in accordance with an external sensing signal input condition.

이러한 Surge Current를 방전시키지 못하면 상기 S_OUT 과 S_REF 에 연결된 Transistor를 파괴하는 경우가 발생한다.If the surge current is not discharged, the transistors connected to the S_OUT and S_REF may be destroyed.

따라서 이러한 Surge Current를 방전할 수 있는 보호 장치가 필요하게 된다.Therefore, a protection device capable of discharging the surge current is required.

상기 Surge Current Protection부 (712)는 상기 Sensor부 (702)부에 유기되는 고 전류 Level의 Surge Current를 Discharge 시켜서 상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)와 상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)를 보호하는 동작을 수행한다.The surge current protection unit 712 discharges a surge current of a high current level induced in the sensor unit 702 and outputs the S_OUT signal input transistor 706 and the S_REF signal input sensing voltage generation transistor 707 And performs a protection operation.

상기 Surge Current Protection부 (712)는 Varistor, PN Diode, MOS Transistor Diode 와 동등한 동작을 수행하는 소자로 구성된다.The surge current protection unit 712 is composed of elements that perform operations equivalent to varistors, PN diodes, and MOS transistor diodes.

도 4는 본 발명의 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로의 동작 파형도이다.4 is an operational waveform diagram of a sensing-detection voltage generation strong-ARM latch amplification circuit of the present invention.

상기 CLK 발생부 (701)의 CLK 신호가 Low인 구간에서는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)가 비활성화 되어 Precharge 동작을 수행한다.In a period in which the CLK signal of the CLK generator 701 is Low, the sensing-detection voltage generation strong-ARM amplifier 700 is deactivated to perform the precharge operation.

한편, 상기 CLK 발생부 (701)의 CLK 신호가 High인 구간에서는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)가 활성화 되어 정상 증폭 동작을 수행한다.On the other hand, in the period when the CLK signal of the CLK generator 701 is High, the sensing-detection voltage generation strong-ARM amplifier 700 is activated and performs a normal amplification operation.

본 발명의 회로는 전원이 공급되고 있는 동안에 CLK의 일정 주파수 주기에 대응하여 증폭 동작과 Precharge 동작을 주기적으로 반복됨을 특징으로 한다.The circuit of the present invention is characterized in that the amplifying operation and the precharge operation are periodically repeated in response to a certain frequency period of the CLK while the power is supplied.

100 입력 전원
101 변압 회로
102 정류 회로
104 제너 다이노드(Zener diode)
105 제1 전력 공급 단자
200 입력 전원100 input power
101 transformer circuit
102 rectifier circuit
104 Zener diode
105 First power supply terminal
200 input power

Claims (1)

Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로 장치의 구성에 있어서,
VDD 전원 발생부; 및
Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700); 및
CLK 발생부 (701); 및
Sensor부 (702)로 구성되고,
상기 VDD 전원 발생부에서,
교류 입력 전원(200)의 한쪽 전극(202)은 전류 제한 소자인 저항 R1의 한쪽 단자에 연결되고,
상기 저항 R1의 다른 쪽 단자(204)는 Zener diode (206)의 Cathode 와 Diode D1의 P 전극 쪽에 공통으로 연결되고,
상기 Zener diode (206)의 Anode 단자는 공통의 접지 단자에 연결되고,
상기 Diode D1의 N 전극 쪽에는 전원 출력 단자인 VDD가 연결되고,
상기 교류 입력 전원(200)의 다른쪽 전극(208)은 전류 제한 소자인 저항 R2의 한쪽 단자에 연결되고,
상기 저항 R2의 다른 쪽 단자(210)는 Zener diode (212)의 Cathode 와 Diode D2의 P 전극 쪽에 공통으로 연결되고,
상기 Zener diode (212)의 Anode 단자는 공통의 접지 단자에 연결되고,
상기 Diode D2의 N 전극 쪽에는 전원 출력 단자인 상기 VDD가 연결되고,
상기 VDD 전원 단자는 다른 회로 장치의 전원 단에 연결됨을 특징으로 하고,
상기 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM 증폭부 (700)는 out- 단자의 precharge transistor (703), out+ 단자의 precharge transistor (704), Latch 증폭부 (705), S_OUT 신호 입력 Transistor (706), S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707) 및 활성화 제어 Transistor (708) 로 구성되고,
상기 precharge transistor (703) 와 상기 precharge transistor (704)의 2개의 Drain 단자는 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자와 각각 연결되고,
상기 precharge transistor (703) 와 상기 precharge transistor (704)의 2개의 Gate 단자는 상기 CLK 발생부(701)의 CLK 신호에 연결되어 상기 CLK 신호에 따라 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자를 High 전압으로 Precharge 시키고,
상기 Latch 증폭부 (705)는 상기 out- 단자와 상기 out+ 단자를 증폭시키고,
상기 Latch 증폭부 (705)의 서로 다른 2개의 Source 단자는 상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)의 Drain 단자와 상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Drain 단자와 각각 연결되고,
상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)의 Gate 단자는 상기 Sensor부 (702)의 S_OUT 신호를 입력 시키고,
상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Gate 단자는 상기 Sensor부 (702)의 S_REF 신호를 입력 시키고,
S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)는, 상기 Sensor부 (702)의 상기 S_OUT 신호와 상기 S_REF 신호 전압이 같은 크기로 입력될 경우에, 상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)의 전류 구동 능력 대비 상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 전류 구동 능력은 차이가 나도록 하는 것을 특징으로 하고,
상기 S_OUT 신호 입력 Transistor (706)의 Source 단자와 상기 S_REF 신호 입력 Sensing Detection Voltage 생성 Transistor (707)의 Source 단자는 공통으로 상기 활성화 제어 Transistor (708)의 Drain 단자에 연결되고,
상기 활성화 제어 Transistor (708)의 Gate 단자는 상기 CLK 신호가 연결되고,
상기 활성화 제어 Transistor (708)는 상기 CLK 신호가 High 일 때는 상기 Latch 증폭부(705)의 동작을 활성화 시키고, 상기 CLK 신호가 Low 일 때는 상기 Latch 증폭부(705)를 Precharge 시키는 동작을 수행하고,
상기 CLK 발생부 (701)는 전원을 인가하면 자체적으로 일정 주기의 clock 신호인 상기 CLK 신호를 발생하고,
상기 Sensor부 (702)는 Sensor 신호인 상기 S_OUT 신호와 상기 S_REF 신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 Sensing Detection Voltage 생성 strong-ARM Latch 증폭 회로 장치. Sensing Detection Voltage Generation In the configuration of the strong-ARM Latch amplification circuit device,
VDD power generator; And
Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700; And
CLK generator 701; And
And a sensor unit 702,
In the VDD power generator,
One electrode 202 of the AC input power supply 200 is connected to one terminal of a resistor R1 which is a current limiting element,
The other terminal 204 of the resistor R1 is commonly connected to the cathode of the zener diode 206 and the P electrode of the diode D1,
The anode terminal of the zener diode 206 is connected to a common ground terminal,
VDD, which is a power output terminal, is connected to the N-electrode side of the diode D1,
The other electrode 208 of the AC input power supply 200 is connected to one terminal of a resistor R2 which is a current limiting element,
The other terminal 210 of the resistor R2 is commonly connected to the cathode of the Zener diode 212 and the P electrode of the diode D2,
The anode terminal of the zener diode 212 is connected to a common ground terminal,
The VDD, which is a power output terminal, is connected to the N-electrode side of the diode D2,
And the VDD power supply terminal is connected to a power supply terminal of another circuit device,
The Sensing Detection Voltage generating strong-ARM amplifier 700 includes an out-terminal precharge transistor 703, an out + terminal precharge transistor 704, a latch amplifier 705, an S_OUT signal input transistor 706, an S_REF signal An input Sensing Detection Voltage generating transistor 707 and an activation control transistor 708,
Two drain terminals of the precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are connected to the out- terminal and the out + terminal, respectively,
The two gate terminals of the precharge transistor 703 and the precharge transistor 704 are connected to the CLK signal of the CLK generator 701 to precharge the out- And,
The Latch amplifying unit 705 amplifies the out- terminal and the out + terminal,
Two different source terminals of the latch amplifier 705 are connected to the drain terminal of the S_OUT signal input transistor 706 and the drain terminal of the S_REF signal input sensing voltage generation transistor 707,
The Gate terminal of the S_OUT signal input transistor 706 inputs the S_OUT signal of the sensor unit 702,
The Gate terminal of the S_REF signal input sensing voltage generation transistor 707 inputs the S_REF signal of the sensor unit 702,
S_REF Signal Input Sensing Detection Voltage Generation Transistor 707 generates the S_REF signal input sensing detection voltage when the S_OUT signal and the S_REF signal voltage of the sensor unit 702 are input to the same magnitude, The current driving capability of the S_REF signal input sensing detection voltage generating transistor 707 is made different,
The source terminal of the S_OUT signal input transistor 706 and the source terminal of the S_REF signal input sensing detection voltage generating transistor 707 are commonly connected to the drain terminal of the activation control transistor 708,
The Gate terminal of the activation control transistor 708 is connected to the CLK signal,
The activation control transistor 708 activates the operation of the latch amplifier 705 when the CLK signal is High and precharges the latch amplifier 705 when the CLK signal is Low,
When the power is applied, the CLK generator 701 generates the CLK signal, which is a clock signal of a predetermined period,
The sensor unit 702 generates the S_OUT signal and the S_REF signal, which are sensor signals, and generates the sensing detection voltage.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20070008100A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Baohua Qi Digital control and detection apparatus using pulse signal processing
KR101734767B1 (en) * 2016-05-09 2017-05-11 강희복 A power supply circuit system using a negative threshold five-terminal NMOS FET device for Offset-decoder strong-ARM amplifier

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