KR102117155B1 - 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 약액 공급 방법, 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 525
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 91
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 489
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 174
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 66
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 164
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 32
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 19
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Thereafter Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(과제) 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급하는 것을 목적으로 한다.
(해결수단) 약액 공급 장치는, 약액을 소정의 공급 대상에 공급하는 약액 공급 장치로서, 일단이 상온의 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 공급 대상에 접속되고, 공급원으로부터 공급 대상에 약액을 유도하는 공급 유로와, 공급원으로부터 공급 유로에 도입되는 상온의 약액 중의 파티클을 제거하는 제 1 필터와, 제 1 필터를 통과한 약액을 가열하는 가열부와, 가열부에 의해 가열되어 공급 유로를 공급 대상을 향해 흐르는 고온의 약액 중의 파티클을 제거하는 제 2 필터를 구비하며, 제 1 필터는 친수성 필터이고, 제 2 필터는 소수성 필터이다.
(해결수단) 약액 공급 장치는, 약액을 소정의 공급 대상에 공급하는 약액 공급 장치로서, 일단이 상온의 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 공급 대상에 접속되고, 공급원으로부터 공급 대상에 약액을 유도하는 공급 유로와, 공급원으로부터 공급 유로에 도입되는 상온의 약액 중의 파티클을 제거하는 제 1 필터와, 제 1 필터를 통과한 약액을 가열하는 가열부와, 가열부에 의해 가열되어 공급 유로를 공급 대상을 향해 흐르는 고온의 약액 중의 파티클을 제거하는 제 2 필터를 구비하며, 제 1 필터는 친수성 필터이고, 제 2 필터는 소수성 필터이다.
Description
본 발명은, 기판의 처리를 실시하는 약액 공급 기술, 기판 처리 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
기판에 부착되는 파티클을 줄이기 위해서, 약액을 순환시켜, 순환 관로에 형성한 필터에 의해 약액 중의 파티클을 제거하는 기술이 알려져 있다.
이와 같은 기술로서, 특허문헌 1 에는, 필터를 통과한 약액의 일부를 노즐로부터 토출시킴과 함께, 나머지의 약액을 필터의 1 차측으로 되돌리고, 후속의 토출 동작시에, 되돌려진 당해 나머지의 약액과, 공급원으로부터 새롭게 보충된 약액을, 다시 필터로 여과하는 기술이 개시되어 있다.
또, 특허문헌 2 에는, 노즐이 약액의 토출을 정지하고 있는 사이에, 필터가 형성된 순환 관로에 있어서 약액을 순환시키는 기술이 개시되어 있다.
기판에 형성되는 디바이스의 미세화가 진행되면, 제거 대상이 되는 파티클의 크기가 작아지기 때문에, 필터의 포어경 (徑) 도 작게 할 필요가 있다. 필터의 포어경이 작아지면, 필터에 약액이 융화되기 어려워지기 (필터의 젖음성이 저하되기) 때문에, 친수성 필터를 사용하여 필터의 젖음성의 저하를 억제함으로써, 필터링 효율의 유지를 도모하는 것이 바람직하다.
고온의 약액을 친수성 필터로 여과하면, 약액 중의 파티클이 증가하는 경우가 있으며, 파티클의 증가는 필터의 사용에서 기인되고 있는 것을, 본건의 발명자의 실험 결과로부터 알았다. 고온의 약액을, 특허문헌 1, 2 의 기술과 같이 순환시키면서 필터로 여과하는 경우에도, 이 문제는 발생한다.
본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제 1 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 약액을 소정의 공급 대상에 공급하는 약액 공급 장치로서, 일단이 상온의 상기 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 상기 공급 대상에 접속되고, 상기 공급원으로부터 상기 공급 대상에 상기 약액을 유도하는 공급 유로와, 상기 공급 유로에 형성되고, 상기 공급원으로부터 상기 공급 유로에 도입되는 상온의 상기 약액 중의 파티클을 제거하는 제 1 필터와, 상기 약액을, 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 공급 대상측의 부분에 있어서 가열하는 가열부와, 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 공급 대상측의 부분에 형성되고, 상기 가열부에 의해 가열되어 상기 공급 유로를 상기 공급 대상을 향해 흐르는 고온의 상기 약액 중의 파티클을 제거하는 제 2 필터를 구비하며, 상기 제 1 필터는 친수성 필터이고, 상기 제 2 필터는 소수성 필터이다.
제 2 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 제 1 양태에 관련된 약액 공급 장치로서, 상기 공급 유로는, 상기 가열부보다 상기 공급원측의 부분에 있어서 상기 공급 유로로부터 분기되어, 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 리턴 배관을 추가로 구비하고, 상기 제 1 필터는, 상기 공급 유로의 일부와, 상기 리턴 배관이 형성하는 환상의 순환 유로에 형성되어 있다.
제 3 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 제 2 양태에 관련된 약액 공급 장치로서, 상기 공급 유로 중 상기 순환 유로보다 상기 공급 대상측의 부분이 형성하는 유로를, 상기 가열부보다 상기 공급원측에 있어서 개폐 가능한 밸브를 추가로 구비한다.
제 4 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 제 2 양태에 관련된 약액 공급 장치로서, 상기 공급 유로는, 상기 순환 유로의 일부를 형성하여 상기 약액을 저류 가능한 탱크를 포함하고, 상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 탱크보다 상기 공급 대상측의 부분으로부터 분기되어 상기 탱크에 접속한다.
제 5 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 제 1 양태에 관련된 약액 공급 장치로서, 상기 공급 유로는, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 공급 대상측의 부분으로부터 분기되어, 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 고온 약액용의 리턴 배관을 추가로 구비하고, 상기 가열부 및 상기 제 2 필터는, 상기 공급 유로의 일부와, 상기 고온 약액용의 리턴 배관이 형성하는 고온 약액용의 환상의 순환 유로에 형성되어 있다.
제 6 양태에 관련된 약액 공급 장치는, 제 1 양태에 관련된 약액 공급 장치로서, 상기 제 1 필터의 포어경이 상기 제 2 필터의 포어경보다 작다.
제 7 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 제 1 내지 제 6 중 어느 하나의 양태에 관련된 약액 공급 장치와, 상기 공급 대상으로서의 처리부를 구비하고, 상기 처리부는, 상기 약액 공급 장치로부터 공급되는 약액을 기판에 공급하여 당해 기판을 처리한다.
제 8 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 약액을 소정의 공급 대상에 공급하는 약액 공급 방법으로서, 일단이 상온의 상기 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 상기 공급 대상에 접속되고, 상기 공급원으로부터 상기 공급 대상에 상기 약액을 유도하는 공급 유로에 상기 공급원으로부터 도입되는 상온의 상기 약액 중의 파티클을 상기 공급 유로에 형성된 제 1 필터에 의해 제거하는 제 1 제거 공정과, 상기 약액을, 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 공급 대상측의 부분에 있어서 가열부에 의해 가열하는 가열 공정과, 상기 가열 공정에 의해 가열되어 상기 공급 유로를 상기 공급 대상을 향해 흐르는 고온의 상기 약액 중의 파티클을 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 공급 대상측의 부분에 형성된 제 2 필터로 제거하는 제 2 제거 공정을 구비하며, 상기 제 1 필터는 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써 파티클을 제거하고, 상기 제 2 필터는, 걸러냄으로써 파티클을 제거하며, 상기 제 2 필터는, 상기 제 1 필터보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작다.
제 9 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 제 8 양태에 관련된 약액 공급 방법으로서, 상기 제 1 제거 공정은, 상기 공급 유로가 포함하는 환상의 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 순환 유로에 형성한 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정이고, 상기 순환 유로는, 리턴 배관과, 상기 공급 유로의 일부에 의해 형성되어 있고, 상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 공급원측의 부분으로부터 분기되어 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 배관이다.
제 10 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 제 9 양태에 관련된 약액 공급 방법으로서, 상기 제 1 제거 공정은, 상기 공급 유로 중 상기 순환 유로보다 상기 공급 대상측의 부분이 형성하는 유로를, 상기 가열부보다 상기 공급원측에 있어서 폐쇄한 상태에서, 상기 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정이다.
제 11 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 제 9 양태에 관련된 약액 공급 방법으로서, 상기 공급 유로는, 상기 순환 유로의 일부를 형성하여 상기 약액을 저류 가능한 탱크를 포함하고, 상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 탱크보다 상기 공급 대상측의 부분으로부터 분기되어 상기 탱크에 접속하고, 상기 제 1 제거 공정은, 상기 탱크를 포함하는 상기 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정이다.
제 12 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 제 8 양태에 관련된 약액 공급 방법으로서, 상기 가열 공정은, 상기 공급 유로가 포함하는 고온 약액용의 환상 유로에 형성된 상기 가열부에 의해, 상기 고온 약액용의 순환 유로를 흐르는 상기 약액을 가열하는 공정이고, 상기 제 2 제거 공정은, 상기 고온 약액용의 환상 유로에 형성된 상기 제 2 필터에 의해, 당해 고온 약액용의 순환 유로를 흐르는 상기 약액으로부터 파티클을 제거하는 공정이고, 상기 고온 약액용의 환상 유로는, 고온 약액용의 리턴 배관과, 상기 공급 유로의 일부에 의해 형성되어 있고, 상기 고온 약액용의 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 공급 대상측의 부분으로부터 분기되어 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 배관이다.
제 13 양태에 관련된 약액 공급 방법은, 제 8 양태에 관련된 약액 공급 방법으로서, 상기 제 1 필터의 포어경이 상기 제 2 필터의 포어경보다 작다.
제 14 양태에 관련된 기판 처리 방법은, 제 8 내지 제 13 중 어느 하나의 양태에 관련된 약액 공급 방법과, 상기 공급 대상으로서의 처리부에 의해 기판을 처리하는 처리 공정을 구비하고, 상기 처리부는, 상기 약액 공급 방법에 의해 공급되는 약액을 상기 기판에 공급하여 당해 기판을 처리한다.
제 1 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 필터는, 친수성 필터로서, 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써, 상온의 약액 중의 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다. 제 2 필터는, 소수성 필터로서, 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거하기 때문에, 제 2 필터의 파티클 제거 능력은, 약액이 상온으로부터 고온이 되었다고 해도 그다지 저하되지 않는다. 당해 발명에 의하면, 상온의 약액에 대해 높은 파티클 제거 능력을 갖는 제 1 필터에 의해 상온의 약액으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있고, 약액이 고온이 된 후에, 약액의 온도 변화에 의한 파티클 제거 능력의 변동이 작은 제 2 필터에 의해, 약액 중에 잔류하고 있는 파티클을 추가로 제거할 수 있다. 따라서, 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급할 수 있다.
제 8 양태에 관련된 발명에 의하면, 제 1 필터는 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써, 상온의 약액 중의 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다. 제 2 필터는, 걸러냄으로써 파티클을 제거하고, 제 2 필터는, 제 1 필터보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작기 때문에, 제 2 필터의 파티클 제거 능력은, 약액이 상온으로부터 고온이 되었다고 해도 그다지 저하되지 않는다. 당해 발명에 의하면, 상온의 약액에 대해 높은 파티클 제거 능력을 갖는 제 1 필터에 의해 상온의 약액으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있고, 약액이 고온이 된 후에, 약액의 온도 변화에 의한 파티클 제거 능력의 변동이 작은 제 2 필터에 의해, 약액 중에 잔류하고 있는 파티클을 추가로 제거할 수 있다. 따라서, 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급할 수 있다.
제 2 및 제 9 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 공급 유로의 일부와 리턴 배관이 형성하는 환상의 순환 유로 내에서 상온의 약액을 순환시키면서, 당해 약액 중의 파티클을 당해 환상 유로에 형성되어 있는 제 1 필터에 의해 반복 제거할 수 있다. 따라서, 제 1 필터에 의한 파티클의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
제 3 및 제 10 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 공급 유로 중 순환 유로보다 공급 대상측의 부분이 형성하는 유로를, 가열부보다 공급원측에 있어서 폐쇄하여, 순환 유로 내에서 상온의 약액을 효율적으로 순환시킬 수 있다. 따라서, 제 1 필터에 의한 상온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
제 4 및 제 11 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 공급 유로는, 순환 유로의 일부를 형성하여 약액을 저류 가능한 탱크를 포함하고, 리턴 배관은, 공급 유로 중 탱크보다 공급 대상측의 부분으로부터 분기되어 탱크에 접속한다. 따라서, 탱크에 의한 버퍼 작용에 의해 순환 유로에 있어서의 약액의 순환을 원활화할 수 있다. 따라서, 제 1 필터에 의한 파티클의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
제 5 및 제 12 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 가열부 및 제 2 필터는, 공급 유로의 일부와, 고온 약액용의 리턴 배관이 형성하는 고온 약액용의 환상의 순환 유로에 형성되어 있다. 따라서, 고온 약액용의 순환 유로에 있어서, 고온의 약액을 순환시키면서, 제 2 필터에 의해 당해 약액 중의 파티클을 반복 제거할 수 있기 때문에, 제 2 필터에 의한 고온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
제 6 및 제 13 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 제 1 필터의 포어경이 제 2 필터의 포어경보다 작기 때문에, 제 1 필터에 의한 상온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
제 7 및 제 14 중 어느 양태에 관련된 발명에 의해서도, 처리부는, 파티클이 효율적으로 제거된 고온의 약액이 약액 공급 장치로부터 공급되어, 당해 약액에 의해 기판을 처리할 수 있다.
도 1 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2 는 실시형태 2 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3 은 실시형태 3 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4 는 실시형태 4 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5 는 실시형태 5 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 6 은 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 처리부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 7 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 8 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 9 는 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 10 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 2 는 실시형태 2 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3 은 실시형태 3 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4 는 실시형태 4 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5 는 실시형태 5 에 관련된 약액 공급 장치를 구비한 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 6 은 도 1 의 기판 처리 장치가 구비하는 처리부의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 7 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 8 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 9 는 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 10 은 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 이하의 실시형태는 본 발명을 구체화한 일례이며, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 도면에서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 동일한 부호가 부여되어, 하기 설명에서는 중복 설명이 생략된다. 또, 각 도면은 모식적으로 나타낸 것이다.
＜1. 실시형태 1 에 대해＞
＜1-1. 기판 처리 장치 (500A) 의 전체 구성＞
기판 처리 장치 (500A) 의 구성에 대해, 도 1, 도 6 을 참조하면서 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 약액 공급 장치 (1A) 를 구비한 기판 처리 장치 (500A) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 6 은, 기판 처리 장치 (500A) 가 구비하는 처리부 (「공급 대상」) (200) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 후술하는 실시형태 2 ∼ 5 에 관련된 기판 처리 장치 (500B ∼ 500E) 도 처리부 (200) 를 구비하고 있다.
기판 처리 장치 (500A) 는, 약액 공급 장치 (1A) 와 처리부 (200) 를 구비한다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 상온 (예를 들어, 20 ℃ ∼ 25 ℃) 보다 고온 (예를 들어, 40 ℃ ∼ 80 ℃) 의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다. 처리부 (200) 는, 약액 공급 장치 (1A) 로부터 공급되는 고온의 약액을 사용하여 기판 (W) 에 처리를 실시한다.
＜처리부 (200) 에 대해＞
처리부 (200) 는, 기판 (W) 을 스핀 척 (221) 에 의해 하방으로부터 유지하면서, 소정의 회전축을 중심으로 회전시킨다. 노즐 (251) 은, 기판 (W) 의 상방에 배치되어 있고, 약액 공급 장치 (1A) 로부터 공급 유로 (「공급계」, 혹은 「약액 공급계」라고도 불린다) (40) 를 통해 약액이 공급된다. 노즐 (251) 은, 공급된 약액을 스핀 척 (221) 에 의해 회전되고 있는 기판 (W) 의 주면 (主面) 에 토출한다. 기판 (W) 의 주면은, 당해 약액에 의해 처리된다.
기판 (W) 의 표면 형상은 대략 원형이다. 기판 (W) 의 처리부 (200) 에 대한 반입 반출은, 노즐 (251) 이 소정의 이동 기구에 의해 대피 위치에 배치된 상태에서, 로봇 등에 의해 실시된다. 처리부 (200) 에 반입된 기판 (W) 은, 스핀 척 (221) 에 의해 자유롭게 착탈할 수 있게 유지된다.
처리부 (200) 로서, 약액 공급 장치 (1A) 가 공급하는 약액을 처리조에 저류하고, 저류된 약액에 배치 세트된 복수의 기판 (W) 을 침지함으로써, 복수의 기판 (W) 에 대해 일괄적으로 약액을 사용한 처리를 실시하는 배치식의 처리부가 채용되어도 된다.
＜약액 공급 장치 (1A) 의 구성＞
약액 공급 장치 (1A) 는, 파티클의 함유량이 적은 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급한다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 공급 유로 (40) 와, 필터 (「제 1 필터」) (F1) 와, 히터 (「가열부」) (101) 와, 필터 (「제 2 필터」) (F2) 를 구비한다.
약액 공급 장치 (1A) 는, 제어부 (130) 를 추가로 구비한다. 히터 (101) 와, 후술하는 펌프 (P1, P2), 밸브 (71, 72) 는, 제어부 (130) 와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부 (130) 에 의한 제어에 따라 동작한다. 제어부 (130) 로는, 예를 들어, 일반적인 컴퓨터와 동일한 것을 채용할 수 있다. 즉, 제어부 (130) 는, 예를 들어, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓰기 가능한 메모리인 RAM, 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부 (130) 에 있어서는, 프로그램에 기술된 순서에 따라 주제어부로서의 CPU 가 연산 처리를 실시함으로써, 약액 공급 장치 (1A) 의 각 부를 제어한다.
공급 유로 (40) 의 일단은, 상온의 약액을 공급하는 공급원 (「약액 공급원」) (31) 에 접속되어 있다. 공급원 (31) 은, 상온의 약액을 저류하고 있고, 펌프 등 (도시 생략) 에 의해 당해 약액을 공급 유로 (40) 에 공급한다. 공급 유로 (40) 의 타단은, 처리부 (200) 에 접속되어 있다. 공급 유로 (40) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급되는 약액을 처리부 (200) 에 유도한다. 공급원 (31) 의 동작은, 예를 들어, 제어부 (130) 에 의해 제어된다.
공급 유로 (40) 에는, 공급원 (31) 측으로부터 처리부 (200) 측을 향해, 즉 공급 유로 (40) 에 있어서의 약액의 유통 방향을 따라, 필터 (F1, F2) 가 이 순서로 형성되어 있다. 공급원 (31) 측이 약액의 유통 방향의 상류측이고, 처리부 (200) 측이 약액의 유통 방향의 하류측이다.
또, 공급 유로 (40) (보다 상세하게는, 후술하는 배관 (43)) 에는, 히터 (101) 도 형성되어 있다. 필터 (F1), 히터 (101) 도, 약액의 유통 방향을 따라 이 순서로 공급 유로 (40) 에 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 필터 (F1) 를 통과한 약액을 가열한다. 히터 (101) 에 의해 가열되어 고온이 된 약액은, 필터 (F2) 를 통과할 때에 필터 (F2) 에 의해 여과되어, 파티클이 제거된다.
공급 유로 (40) 는, 공급원 (31) 에 일단이 연통 접속하는 배관 (41) 과, 배관 (41) 의 타단에 연통 접속하는 탱크 (21) 와, 탱크 (21) 에 일단이 연통 접속하는 배관 (42) 과, 배관 (42) 의 타단에 연통 접속하는 탱크 (22) 와, 탱크 (22) 에 일단이 연통 접속하고, 타단이 처리부 (200) 에 연통 접속하는 배관 (43) 을 구비하고 있다.
배관 (41) 의 경로 도중에는, 약액에 포함되는 소정의 메탈을 제거 가능한 메탈 제거 필터 (FM) 가 형성되어 있다. 공급원 (31) 으로부터 배관 (41) 에 도입된 약액은, 메탈 제거 필터 (FM) 를 통과할 때에, 함유하는 소정의 메탈이 제거되어 탱크 (21) 에 유입되고, 일단 탱크 (21) 에 저류된다.
배관 (42) 의 경로 도중에는, 제어부 (130) 의 제어에 따라 배관 (42) 의 유로를 개폐 가능한 밸브 (71) 가 형성되어 있다.
공급 유로 (40) 는, 배관 (42) 으로부터 분기되는 리턴 배관 (81) 을 추가로 포함하고 있다. 배관 (42) 은, 공급 유로 (40) 중 탱크 (21) 보다 처리부 (200) 측의 부분이고, 또한, 공급 유로 (40) 중 히터 (101) 보다 공급원 (31) 측의 부분이다. 보다 상세하게는, 리턴 배관 (81) 은, 배관 (42) 중 밸브 (71) 보다 공급원 (31) 측의 부분으로부터 분기되어 있다.
배관 (42) 으로부터 분기된 리턴 배관 (81) 은, 당해 분기된 부분보다 공급원 (31) 측에서 다시 공급 유로 (40) 에 접속한다. 도 1 의 예에서는, 리턴 배관 (81) 은, 탱크 (21) 에 접속하고 있다.
공급 유로 (40) 의 일부, 즉 배관 (42) 중 탱크 (21) 로부터 리턴 배관 (81) 의 분기 지점 (처리부 (200) 측의 분기 지점) 까지의 부분 배관 (42a) 과, 리턴 배관 (81) 과, 탱크 (21) 는 환상의 순환 유로 (「순환 관로」) (91) 를 형성하고 있다. 밸브 (71) 는, 공급 유로 (40) 중 순환 유로 (91) 보다 처리부 (200) 측의 부분이 형성하는 유로를, 히터 (101) 보다 공급원 (31) 측에 있어서 개폐할 수 있다.
약액 공급 장치 (1A) 에 있어서, 필터 (F1) 는, 바람직하게는 부분 배관 (42a) 에 형성되지만, 리턴 배관 (81) 에 형성되어도 된다. 즉, 필터 (F1) 는, 순환 유로 (91) 에 형성된다. 부분 배관 (42a) 에는, 펌프 (P1) 도 형성되어 있다. 펌프 (P1) 는, 제어부 (130) 에 구동됨으로써, 탱크 (21) 로부터 탱크 (22) 측으로 약액을 보내는 송액 동작을 실시한다.
필터 (F1) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급 유로 (40) 에 도입되는 상온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F1) 는, 그 세공에 의해 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F1) 로는, 예를 들어, 필터의 젖음성을 높이는 세공을 갖는 수지에 친수화 처리가 실시된 친수성 필터가 채용된다.
밸브 (71) 가 닫혀 있는 상태에서, 펌프 (P1) 가 구동함으로써, 상온의 약액은, 탱크 (21) 로부터 부분 배관 (42a) 을 따라 처리부 (200) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (81) 의 분기 지점으로부터 리턴 배관 (81) 에 유입되어, 리턴 배관 (81) 을 탱크 (21) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (81) 으로부터 다시 탱크 (21) 로 되돌아가는 경로에 의해, 순환 유로 (91) 를 순환한다.
약액이 순환 유로 (91) 를 순환하는 과정에서, 상온의 약액 중의 파티클은 필터 (F1) 의 세공에 의해 걸러내짐과 함께, 화학적으로 흡착됨으로써 효율적으로 제거된다. 약액 중의 파티클량은, 시간이 경과함에 따라 감소되어 간다. 순환 유로 (91), 펌프 (P1), 및 필터 (F1) 는, 상온의 상태에서 약액을 순환시키면서, 약액 중의 파티클을 줄이는 프리 (Pre) 순환계를 구성하고 있다.
제어부 (130) 는, 예를 들어, 순환 유로 (91) 에 있어서의 약액의 순환을 개시하고 나서 소정의 시간이 경과하면 밸브 (71) 를 개방한다. 밸브 (71) 가 열려 있는 상태에서 펌프 (P1) 가 구동함으로써, 파티클이 감소된 상온의 약액이, 배관 (42) 을 거쳐 탱크 (22) 에 유입되고, 일단 탱크 (22) 에 저류된다.
탱크 (22) 에 접속하는 배관 (43) 의 경로 도중에는, 제어부 (130) 의 제어에 따라 배관 (43) 의 유로를 개폐 가능한 밸브 (72) 가 형성되어 있다. 배관 (43) 중 밸브 (72) 보다 공급원 (31) 측의 부분에는, 히터 (101) 와 필터 (F2) 가 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 예를 들어, 배관 (43) 을 둘러싸도록 배관 (43) 의 외주면에 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 필터 (F1) 를 통과한 상온의 약액을 가열한다. 히터 (101) 에 의해 가열되어 고온이 된 약액은, 필터 (F2) 를 통과할 때에 필터 (F2) 에 의해 여과된다.
공급 유로 (40) 는, 배관 (43) 으로부터 분기되는 고온 약액용의 리턴 배관 (82) 을 추가로 포함하고 있다. 리턴 배관 (82) 은, 공급 유로 (40) 중 히터 (101) 보다 처리부 (200) 측으로서, 밸브 (72) 보다 공급원 (31) 측의 부분으로부터 분기되어, 당해 분기된 부분보다 공급원 (31) 측에서 다시 공급 유로 (40) 에 접속한다. 도 1 의 예에서는, 리턴 배관 (82) 은, 탱크 (22) 에 접속하고 있다. 배관 (43) 중 탱크 (22) 로부터 리턴 배관 (82) 의 분기 지점 (처리부 (200) 측의 분기 지점) 까지의 부분 배관 (43a) 과, 리턴 배관 (82) 과, 탱크 (22) 는 고온 약액용의 환상의 순환 유로 (「순환 관로」) (92) 를 형성하고 있다. 약액 공급 장치 (1A) 에 있어서, 필터 (F2) 는, 바람직하게는 부분 배관 (43a) 에 형성되지만, 리턴 배관 (82) 에 형성되어도 된다. 즉, 필터 (F2) 는, 순환 유로 (92) 에 형성된다. 히터 (101) 도 순환 유로 (92) 에 형성된다. 히터 (101) 는, 바람직하게는 부분 배관 (43a) 에 있어서, 필터 (F2) 보다 공급원 (31) 측에 형성된다. 부분 배관 (43a) 에는, 펌프 (P2) 도 형성되어 있다. 펌프 (P2) 는, 제어부 (130) 에 구동됨으로써, 탱크 (22) 로부터 처리부 (200) 측으로 약액을 보내는 송액 동작을 실시한다. 도 1 의 예에서는, 순환 유로 (92) 에 탱크 (22), 히터 (101), 필터 (F2) 가, 약액의 유통 방향을 따라 이 순서로 형성되어 있지만, 탱크 (22), 필터 (F2), 히터 (101) 가, 약액의 유통 방향을 따라 이 순서로 순환 유로 (92) 에 형성되어도 된다.
필터 (F2) 는, 히터 (101) 에 의해 가열되어 공급 유로 (40) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F2) 는, 그 세공으로 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F2) 로는, 예를 들어, 소수성 필터가 채용된다.
예를 들어, 친수성 필터는, 화학적으로 흡착하는 것에 의해서도, 약액 중의 파티클을 제거한다. 이 때문에, 약액이 상온으로부터 고온이 되면, 친수성 필터는, 흡착하여 유지되어 있는 파티클을 떼어 놓아 버려, 파티클의 발생원이 될 수 있다고 생각된다. 또, 친수성 필터는 친수화 처리되는 과정에서 오염되기 때문에, 소수성막보다 청정도가 떨어지는 것이 알려져 있으며, 약액이 상온으로부터 고온이 되면, 흡착된 파티클을 재방출하고 있는 것보다 친수성 필터 자체로부터 오염물이 나오고 있다고도 생각한다. 고온의 약액을 친수성 필터로 여과하면 약액 중의 파티클이 증가하는 경우가 있는 것의 원인으로서, 예를 들어 상기 서술한 두 가지의 가능성이 생각된다.
이에 대하여, 예를 들어 소수성 필터는, 일반적으로 이와 같은 성질을 갖고 있지 않으며, 약액이 상온으로부터 고온이 되었다고 해도, 파티클 제거 능력은 크게 변동되지 않는 경향이 있다. 즉, 필터 (F2) 는, 일반적으로 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작은 경향이 있다. 따라서, 필터 (F2) 는, 필터 (F1) 에 비해, 고온의 약액을 여과할 때에 파티클의 발생원이 되기 어렵다.
필터 (F2) 로서, 친수화 처리 이외의 표면 처리가 되어 있고, 고온의 약액에 대한 파티클 제거 성능이, 상온의 약액에 대한 파티클 제거 성능과 대략 동등한 고온 대응 필터가 사용되어도 된다.
또, 필터 (F1) 의 포어경은, 바람직하게는 필터 (F2) 의 포어경보다 작게 설정된다. 이로써, 필터 (F1) 에 의한 상온의 약액 중의 파티클의 제거 능력을 향상시킬 수 있다. 필터 (F1) 의 포어경은, 예를 들어 7 ㎚ 이하가 되고, 필터 (F2) 의 포어경은, 예를 들어 10 ㎚ 이상이 된다. 필터 (F1) 의 소재가 되는 수지 등과, 필터 (F2) 의 소재가 되는 수지 등은, 동일한 재질이어도 되고 상이해도 된다.
밸브 (72) 가 닫혀 있는 상태에서, 펌프 (P2) 가 구동함으로써, 탱크 (22) 내의 약액은, 탱크 (22) 로부터 부분 배관 (43a) 을 따라 처리부 (200) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (82) 의 분기 지점으로부터 리턴 배관 (82) 에 유입되어, 리턴 배관 (82) 을 탱크 (22) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (82) 으로부터 다시 탱크 (22) 로 되돌아가는 경로에 의해, 순환 유로 (92) 를 순환한다.
약액이 순환 유로 (92) 를 순환하는 과정에서, 약액은, 히터 (101) 에 의해 가열되어 고온의 약액이 되고, 필터 (F2) 를 통과한다. 그 때에, 당해 고온의 약액 중의 파티클은 필터 (F2) 의 세공에 의해 걸러내짐으로써 제거된다. 필터 (F2) 는, 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작기 때문에, 약액이 고온이어도 약액 중으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있다. 약액 중의 파티클량은, 시간이 경과함에 따라 감소해 간다. 순환 유로 (92), 히터 (101), 펌프 (P2), 및 필터 (F2) 는, 고온의 약액을 순환시키면서, 약액 중의 파티클을 줄이는 본 순환계를 구성하고 있다.
제어부 (130) 는, 예를 들어, 순환 유로 (92) 에 있어서 약액의 순환을 개시하고 나서 소정의 시간이 경과하면 밸브 (72) 를 개방한다. 밸브 (72) 가 열려 있는 상태에서 펌프 (P2) 가 구동함으로써, 파티클이 감소된 고온의 약액이, 밸브 (72) 를 거쳐 처리부 (200) 에 공급되고, 처리부 (200) 의 노즐 (251) 로부터 기판 (W) 에 공급된다.
＜1-2. 약액 공급 장치 (1A) 의 동작＞
다음으로, 약액 공급 장치 (1A) 의 동작의 일례에 대해 설명한다. 도 7 ∼ 도 10 은, 약액 공급 장치 (1A) 의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 7 은, 약액 공급 장치 (1A) 의 전체 동작의 개략을 나타낸다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 약액 공급 장치 (1A) 는, 스텝 S10 에 있어서, 상온의 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 1 제거 공정」) 를 실시한다. 제 1 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1A) 가, 공급 유로 (40) 에 공급원 (31) 으로부터 도입되는 상온의 약액 중의 파티클을 필터 (F1) 에 의해 제거하는 공정이다.
스텝 S20 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 제 1 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 상온의 약액의 가열 처리 (「가열 공정」) 를 실시한다. 가열 공정은, 약액 공급 장치 (1A) 가, 공급 유로 (40) 중 필터 (F1) 보다 처리부 (200) 측의 부분에 형성된 히터 (101) 에 의해 필터 (F1) 를 통과한 약액을 가열하는 공정이다.
스텝 S30 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 가열 공정에 있어서 고온으로 가열된 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 2 제거 공정」) 를 실시한다. 제 2 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1A) 가, 가열 공정에 의해 가열되어 공급 유로 (40) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액 중의 파티클을 필터 (F2) 로 제거하는 공정이다.
스텝 S40 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 제 2 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급하고, 당해 약액에 의한 기판 (W) 의 처리를 실시한다.
도 8 은, 약액 공급 장치 (1A) 가 도 7 의 스텝 S10 의 제 1 제거 공정을 실시할 때의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 8 의 예에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 제 1 제거 공정에 있어서, 환상의 순환 유로 (91) 를 따라 상온의 약액을 순환시키면서, 순환 유로 (91) 에 형성한 필터 (F1) 에 의해 약액 중의 파티클을 제거한다.
약액 공급 장치 (1A) 는, 제 1 제거 공정을 개시하면, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S110 에 있어서, 밸브 (「제 1 밸브」) (71), 밸브 (「제 2 밸브」) (72) 를 폐쇄한다.
스텝 S120 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 공급원 (31) 으로부터 상온의 약액이 공급된다. 당해 약액은, 공급원 (31) 으로부터 배관 (41) 에 도입되고, 배관 (41) 을 통해 탱크 (21) 에 공급된다. 약액은, 배관 (41) 을 통과하는 과정에서, 메탈 제거 필터 (FM) 를 통과하며, 메탈 제거 필터 (FM) 에 의해 여과되어 소정의 메탈이 제거된다. 그 후, 약액은 탱크 (21) 에 공급된다.
스텝 S130 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 상온의 약액에 대해 파티클의 제거 처리를 실시한다. 구체적으로는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 펌프 (P1) 를 구동함으로써, 탱크 (21) 에 저류된 상온의 상태의 약액을, 프리 순환계 (순환 유로 (91)) 에 있어서 순환시킨다. 이로써, 상온의 약액이 필터 (F1) 를 통과할 때에, 약액 중의 파티클이, 필터 (F1) 에 의해 반복 제거되고, 시간이 경과함에 따라 약액 중의 파티클이 감소한다.
스텝 S140 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 의 제어부 (130) 는, 소정의 시간이 경과하는 것을 대기한다. 당해 시간은, 예를 들어, 순환 유로 (91) 를 순환하는 상온의 약액 중의 파티클량이 소정의 기준값 이하가 되는 시간이며, 미리, 실험 등에 의해 구해져 제어부 (130) 의 자기 디스크 등에 기억되어 있다. 스텝 S140 을 거쳐, 상온의 약액 중의 파티클량 (농도) 은, 소정의 기준값 이하가 된다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 도 8 의 동작을 종료하고, 처리를 도 7 의 스텝 S20 으로 이행한다.
도 9 는, 약액 공급 장치 (1A) 가 도 7 의 스텝 S20 의 가열 공정을 실시할 때의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
약액 공급 장치 (1A) 는, 가열 공정을 개시하면, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S210 에 있어서 밸브 (71) 를 개방한다.
스텝 S220 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 프리 순환계로부터, 순환 유로 (92), 히터 (101), 펌프 (P2), 및 필터 (F2) 를 포함하는 본 순환계로 약액을 공급한다. 펌프 (P2) 가 구동하고 있는 상태에서, 약액 공급 장치 (1A) 가 밸브 (71) 를 개방하면, 약액은, 탱크 (22) 에 공급되어 저류되고, 탱크 (22) 로부터 배관 (43) 에 도입된다.
스텝 S230 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 는, 본 순환계에 있어서 약액의 가열을 개시한다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 히터 (101) 에 통전하여 히터 (101) 를 발열시킴으로써 배관 (43) 내의 약액의 가열을 개시한다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 도 9 의 동작을 종료하고, 처리를 도 7 의 스텝 S30 으로 이행한다.
도 10 은, 약액 공급 장치 (1A) 가 도 7 의 스텝 S30 의 제 2 제거 공정을 실시할 때의 동작의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
약액 공급 장치 (1A) 는, 제 2 제거 공정을 개시하면, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S310 에 있어서, 펌프 (P2) 를 구동함으로써, 본 순환계에 있어서 약액의 순환을 개시한다. 이로써, 약액은, 순환 유로 (92) 를 순환하고, 히터 (101) 에 의해 가열되면서, 필터 (F2) 에 의해 파티클이 제거된다.
스텝 S320 에서는, 약액 공급 장치 (1A) 의 제어부 (130) 는, 소정의 시간이 경과하는 것을 대기한다. 당해 시간은, 예를 들어, 순환 유로 (92) 를 순환하는 상온의 약액 중의 파티클량이 소정의 기준값 이하가 됨과 함께, 소정의 고온에 도달하는 시간이며, 미리, 실험 등에 의해 구해져 제어부 (130) 의 자기 디스크 등에 기억되어 있다. 스텝 S320 을 거쳐, 약액 중의 파티클량 (농도) 은, 소정의 기준값 이하가 되고, 약액의 온도는 소정의 고온이 된다. 약액 공급 장치 (1A) 는, 도 10 의 동작을 종료하고, 처리를 도 7 의 스텝 S40 으로 이행한다. 당해 고온의 약액은, 스텝 S40 에 있어서, 처리부 (200) 에 공급되고, 기판 (W) 의 처리에 사용된다.
＜2. 실시형태 2 에 대해＞
＜2-1. 기판 처리 장치 (500B) 의 전체 구성＞
기판 처리 장치 (500B) 의 구성에 대해, 도 2 를 참조하면서 설명한다. 도 2 는, 실시형태 2 에 관련된 약액 공급 장치 (1B) 를 구비한 기판 처리 장치 (500B) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치 (500B) 는, 약액 공급 장치 (1B) 와 처리부 (200) 를 구비한다. 약액 공급 장치 (1B) 는, 상온보다 고온의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다.
＜약액 공급 장치 (1B) 의 구성＞
약액 공급 장치 (1B) 는, 파티클의 함유량이 적은 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급한다. 약액 공급 장치 (1B) 는, 공급 유로 (「공급계」, 혹은 「약액 공급계」라고도 불린다) (50) 를 구비함과 함께, 실시형태 1 의 약액 공급 장치 (1A) 와 동일하게, 필터 (F1) 와, 히터 (101) 와, 필터 (F2) 와, 제어부 (130) 를 구비한다.
공급 유로 (50) 의 일단은, 상온의 약액을 공급하는 공급원 (31) 에 접속되어 있다. 공급 유로 (50) 의 타단은, 처리부 (200) 에 접속되어 있다. 공급 유로 (50) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급되는 약액을 처리부 (200) 에 유도한다.
공급 유로 (50) 는, 공급원 (31) 에 일단이 연통 접속하는 배관 (51) 과, 배관 (51) 의 타단에 연통 접속하는 탱크 (21) 와, 탱크 (21) 에 일단이 연통 접속하고, 타단이 처리부 (200) 에 연통 접속하는 배관 (52) 을 구비하고 있다.
공급 유로 (50) (배관 (52)) 에는, 공급원 (31) 측으로부터 처리부 (200) 측을 향해, 즉 공급 유로 (50) 에 있어서의 약액의 유통 방향을 따라, 필터 (F1), 히터 (101), 필터 (F2) 가 이 순서로 형성되어 있다.
배관 (51) 의 경로 도중에는, 약액에 포함되는 소정의 메탈을 제거 가능한 메탈 제거 필터 (FM) 가 형성되어 있다. 공급원 (31) 으로부터 배관 (51) 에 도입된 약액은, 메탈 제거 필터 (FM) 를 통과할 때에, 함유하는 소정의 메탈이 제거되어 탱크 (21) 에 유입되고, 일단 탱크 (21) 에 저류된다.
배관 (52) 의 경로 도중에는, 제어부 (130) 의 제어에 따라 배관 (52) 의 유로를 개폐 가능한 밸브 (71) 가 형성되어 있다.
공급 유로 (50) 는, 배관 (52) 으로부터 분기되는 리턴 배관 (81) 을 추가로 포함하고 있다. 배관 (52) 은, 공급 유로 (50) 중 탱크 (21) 로부터 처리부 (200) 에 이르는 부분이다. 보다 상세하게는, 리턴 배관 (81) 은, 배관 (52) 중 밸브 (71) 보다 공급원 (31) 측의 부분으로부터 분기되어 있다.
배관 (52) 으로부터 분기된 리턴 배관 (81) 은, 당해 분기된 부분보다 공급원 (31) 측에서 다시 공급 유로 (50) 에 접속한다. 도 2 의 예에서는, 리턴 배관 (81) 은, 탱크 (21) 에 접속하고 있다.
공급 유로 (50) 의 일부, 즉 배관 (52) 중 탱크 (21) 로부터 리턴 배관 (81) 의 분기 지점 (처리부 (200) 측의 분기 지점) 까지의 부분 배관 (52a) 과, 리턴 배관 (81) 과, 탱크 (21) 는 환상의 순환 유로 (91) 를 형성하고 있다. 밸브 (71) 는, 공급 유로 (50) 중 순환 유로 (91) 보다 처리부 (200) 측의 부분이 형성하는 유로를, 히터 (101) 보다 공급원 (31) 측에 있어서 개폐 가능하다.
필터 (F1) 는, 바람직하게는 부분 배관 (52a) 에 형성되지만, 리턴 배관 (81) 에 형성되어도 된다. 즉, 필터 (F1) 는, 순환 유로 (91) 에 형성된다. 부분 배관 (52a) 에는, 펌프 (P1) 도 형성되어 있다. 펌프 (P1) 는, 제어부 (130) 에 구동됨으로써, 탱크 (21) 로부터 처리부 (200) 측으로 약액을 보내는 송액 동작을 실시한다.
필터 (F1) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급 유로 (50) 에 도입되는 상온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다.
밸브 (71) 가 닫혀 있는 상태에서, 펌프 (P1) 가 구동함으로써, 상온의 약액은, 탱크 (21) 로부터 부분 배관 (52a) 을 따라 처리부 (200) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (81) 의 분기 지점으로부터 리턴 배관 (81) 에 유입되어, 리턴 배관 (81) 을 탱크 (21) 측으로 흐르고, 리턴 배관 (81) 으로부터 다시 탱크 (21) 로 되돌아가는 경로에 의해, 순환 유로 (91) 를 순환한다.
약액이 순환 유로 (91) 를 순환하는 과정에서, 상온의 약액 중의 파티클은 필터 (F1) 의 세공에 의해 걸러내짐과 함께, 화학적으로 흡착됨으로써 효율적으로 제거된다. 약액 중의 파티클량은, 시간이 경과함에 따라 감소해 간다. 순환 유로 (91), 펌프 (P1), 및 필터 (F1) 는, 약액 공급 장치 (1A) 에 있어서의 프리 순환계와 동일한 프리 순환계를 구성하고 있으며, 상온의 상태에서 약액을 순환시키면서, 약액 중의 파티클을 줄인다.
제어부 (130) 는, 예를 들어, 순환 유로 (91) 에 있어서의 약액의 순환을 개시하고 나서 소정의 시간이 경과하면 밸브 (71) 를 개방한다.
배관 (52) 중 순환 유로 (91) 보다 처리부 (200) 측의 부분, 보다 정확하게는 밸브 (71) 보다 처리부 (200) 측의 부분에는, 히터 (101) 와 필터 (F2) 가 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 예를 들어, 배관 (52) 을 둘러싸도록 배관 (52) 의 외주면에 형성되어 있다. 배관 (52) 중 필터 (F2) 보다 처리부 (200) 측의 부분에는, 제어부 (130) 의 제어에 따라 배관 (43) 의 유로를 개폐 가능한 밸브 (72) 가 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 필터 (F1) 를 통과한 상온의 약액을 가열한다. 히터 (101) 에 가열되어 고온이 된 약액은, 필터 (F2) 를 통과할 때에 필터 (F2) 에 의해 여과된다.
필터 (F2) 는, 히터 (101) 에 의해 가열되어 공급 유로 (50) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F2) 는, 그 세공으로 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거한다.
약액은, 히터 (101) 에 의해 가열되어 고온의 약액이 되고, 필터 (F2) 를 통과한다. 그 때에, 당해 고온의 약액 중의 파티클은 필터 (F2) 의 세공에 의해 걸러내짐으로써 제거된다. 필터 (F2) 는, 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작기 때문에, 약액이 고온이어도 약액 중으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있다. 약액 공급 장치 (1B) 는, 약액 공급 장치 (1A) 와 상이하게, 고온의 상태에서 약액을 순환시키면서, 약액 중의 파티클을 줄이는 본 순환계를 구비하고 있지 않다.
제어부 (130) 가 밸브 (72) 를 개방하면, 파티클이 감소된 고온의 약액이, 펌프 (P2) 의 송액 동작에 의해 밸브 (72) 를 거쳐 처리부 (200) 에 공급되고, 처리부 (200) 의 노즐 (251) 로부터 기판 (W) 에 공급된다.
＜2-2. 약액 공급 장치 (1B) 의 동작＞
다음으로, 약액 공급 장치 (1B) 의 동작의 일례에 대해 설명한다. 약액 공급 장치 (1B) 는, 약액 공급 장치 (1A) 와 동일하게, 도 7 에 나타내는 동작을 실시한다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 약액 공급 장치 (1B) 는, 스텝 S10 에 있어서, 상온의 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 1 제거 공정」) 를 실시한다. 제 1 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1B) 가, 공급 유로 (50) 에 공급원 (31) 으로부터 도입되는 상온의 약액 중의 파티클을 필터 (F1) 에 의해 제거하는 공정이다.
약액 공급 장치 (1B) 는, 제 1 제거 공정에 있어서, 약액 공급 장치 (1A) 와 동일하게, 환상의 순환 유로 (91) 를 따라 상온의 약액을 순환시키면서, 순환 유로 (91) 에 형성한 필터 (F1) 에 의해 약액 중의 파티클을 제거한다. 제 1 제거 공정에 있어서의 약액 공급 장치 (1B) 의 구체적인 동작은, 도 8 을 참조하면서 상기 서술한 약액 공급 장치 (1A) 의 제 1 제거 공정에 있어서의 동작의 설명에 있어서, 공급 유로 (40), 배관 (41) 을, 공급 유로 (50), 배관 (51) 으로 바꾸어 읽은 동작에 의해 설명된다.
도 7 의 스텝 S20 에서는, 약액 공급 장치 (1B) 는, 제 1 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 상온의 약액의 가열 처리 (「가열 공정」) 를 실시한다. 가열 공정은, 약액 공급 장치 (1B) 가, 공급 유로 (50) 중 필터 (F1) 보다 처리부 (200) 측의 부분에 형성된 히터 (101) 에 의해 필터 (F1) 를 통과한 약액을 가열하는 공정이다.
약액 공급 장치 (1B) 는, 가열 공정에 있어서, 밸브 (71) 를 개방하고, 배관 (52) 중 히터 (101) 및 필터 (F2) 를 포함하는 부분에 약액을 공급한다. 약액 공급 장치 (1B) 는, 히터 (101) 에 통전하여 히터 (101) 를 발열시킴으로써 배관 (52) 내의 약액의 가열을 개시한다.
도 7 의 스텝 S30 에서는, 약액 공급 장치 (1B) 는, 가열 공정에 있어서 고온으로 가열된 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 2 제거 공정」) 를 실시한다. 제 2 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1B) 가, 가열 공정에 의해 가열되어 공급 유로 (50) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액 중의 파티클을 필터 (F2) 로 제거하는 공정이다.
약액 공급 장치 (1B) 는, 밸브 (72) 를 개방하고, 펌프 (P1) 의 송액 동작에 의해, 약액을 처리부 (200) 측에 공급한다. 약액은, 히터 (101) 에 의해 가열되어 고온이 된 후, 필터 (F2) 를 통과한다. 필터 (F2) 는, 고온의 약액을 여과하여 파티클을 제거한다.
도 7 의 스텝 S40 에서는, 약액 공급 장치 (1B) 는, 제 2 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급하고, 당해 약액에 의한 기판 (W) 의 처리를 실시한다.
＜3. 실시형태 3 에 대해＞
＜3-1. 기판 처리 장치 (500C) 의 전체 구성＞
기판 처리 장치 (500C) 의 구성에 대해, 도 3 을 참조하면서 설명한다. 도 3 은, 실시형태 3 에 관련된 약액 공급 장치 (1C) 를 구비한 기판 처리 장치 (500C) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치 (500C) 는, 약액 공급 장치 (1C) 와 처리부 (200) 를 구비한다. 약액 공급 장치 (1C) 는, 상온보다 고온의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다. 기판 처리 장치 (500C) 는, 약액 공급 장치 (1A) 대신에, 약액 공급 장치 (1C) 를 구비하는 것을 제외하고, 기판 처리 장치 (500A) 와 동일한 구성을 구비한다.
＜약액 공급 장치 (1C) 의 구성＞
약액 공급 장치 (1C) 는, 파티클의 함유량이 적은 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급한다. 약액 공급 장치 (1C) 는, 공급 유로 (40) 와, 필터 (F1) 와, 히터 (101) 와, 필터 (F2) 를 구비하고, 제어부 (130) 를 추가로 구비한다. 약액 공급 장치 (1C) 는, 배관 (43) 에 있어서, 밸브 (72) 보다 처리부 (200) 측에 필터 (F3) 를 추가로 구비하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1A) 와 동일하게 구성되어 있다. 도 3 의 예에서는, 탱크 (22), 히터 (101), 필터 (F2) 가, 약액의 유통 방향을 따라 이 순서로 순환 유로 (92) 에 형성되어 있지만, 탱크 (22), 필터 (F2), 히터 (101) 가, 약액의 유통 방향을 따라 이 순서로 순환 유로 (92) 에 형성되어도 된다.
필터 (F3) 는, 필터 (F2) 를 통과한 고온의 약액을 추가로 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F3) 는, 필터 (F2) 와 동일하게 그 세공으로 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F3) 는, 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작다. 필터 (F3) 로는, 필터 (F2) 와 동일하게, 예를 들어 소수성 필터가 채용된다. 필터 (F3) 의 포어경은, 예를 들어, 필터 (F2) 의 포어경과 동일한 정도의 사이즈로 설정된다.
＜3-2. 약액 공급 장치 (1C) 의 동작＞
약액 공급 장치 (1C) 는, 필터 (F3) 를 추가로 구비하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1A) 와 동일하게 구성되어 있다. 이 때문에, 약액 공급 장치 (1C) 는, 필터 (F2) 에 의한 제 2 제거 공정 후에, 필터 (F3) 에 의해 고온의 약액 중의 파티클을 추가로 제거한 후에 당해 약액을 처리부 (200) 에 공급하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1A) 와 동일한 동작을 실시한다.
＜4. 실시형태 4 에 대해＞
＜4-1. 기판 처리 장치 (500D) 의 전체 구성＞
기판 처리 장치 (500D) 의 구성에 대해, 도 4 를 참조하면서 설명한다. 도 4 는, 실시형태 4 에 관련된 약액 공급 장치 (1D) 를 구비한 기판 처리 장치 (500D) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치 (500D) 는, 약액 공급 장치 (1D) 와 처리부 (200) 를 구비한다. 약액 공급 장치 (1D) 는, 상온보다 고온의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다. 기판 처리 장치 (500D) 는, 약액 공급 장치 (1B) 대신에, 약액 공급 장치 (1D) 를 구비하는 것을 제외하고, 기판 처리 장치 (500B) 와 동일한 구성을 구비한다.
＜약액 공급 장치 (1D) 의 구성＞
약액 공급 장치 (1D) 는, 파티클의 함유량이 적은 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급한다. 약액 공급 장치 (1D) 는, 공급 유로 (50) 와, 필터 (F1) 와, 히터 (101) 와, 필터 (F2) 를 구비하고, 제어부 (130) 를 추가로 구비한다. 약액 공급 장치 (1D) 는, 배관 (52) 에 있어서, 밸브 (72) 보다 처리부 (200) 측에 필터 (F3) 를 추가로 구비하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1B) 와 동일하게 구성되어 있다.
필터 (F3) 는, 필터 (F2) 를 통과한 고온의 약액을 추가로 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F3) 는, 필터 (F2) 와 동일하게 그 세공으로 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거한다.
＜4-2. 약액 공급 장치 (1D) 의 동작＞
약액 공급 장치 (1D) 는, 필터 (F3) 를 추가로 구비하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1B) 와 동일하게 구성되어 있다. 이 때문에, 약액 공급 장치 (1D) 는, 필터 (F2) 에 의한 제 2 제거 공정 후에, 필터 (F3) 에 의해 고온의 약액 중의 파티클을 추가로 제거한다. 당해 약액은, 처리부 (200) 에 공급된다. 약액 공급 장치 (1D) 는, 필터 (F3) 에 의한 파티클의 제거 처리를 실시하는 것을 제외하고, 약액 공급 장치 (1B) 와 동일한 동작을 실시한다.
＜5. 실시형태 5 에 대해＞
＜5-1. 기판 처리 장치 (500E) 의 전체 구성＞
기판 처리 장치 (500E) 의 구성에 대해, 도 5 를 참조하면서 설명한다. 도 5 는, 실시형태 5 에 관련된 약액 공급 장치 (1E) 를 구비한 기판 처리 장치 (500E) 의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
기판 처리 장치 (500E) 는, 약액 공급 장치 (1E) 와 처리부 (200) 를 구비한다. 약액 공급 장치 (1E) 는, 상온보다 고온의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다. 처리부 (200) 는, 약액 공급 장치 (1E) 로부터 공급되는 고온의 약액을 사용하여 기판 (W) 에 처리를 실시한다.
＜약액 공급 장치 (1E) 의 구성＞
약액 공급 장치 (1E) 는, 파티클의 함유량이 적은 고온의 약액을, 당해 약액의 공급 대상인 처리부 (200) 에 공급한다. 약액 공급 장치 (1E) 는, 공급 유로 (「공급계」, 혹은 「약액 공급계」라고도 불린다) (60) 와, 필터 (F1) 와, 히터 (101) 와, 필터 (F2) 를 구비한다. 공급 유로 (60) 는, 그 일단이 공급원 (31) 에 연통 접속하고, 타단이 처리부 (200) 에 연통 접속하고 있다. 보다 상세하게는, 공급 유로 (60) 는, 일단이 공급원 (31) 에 연통 접속하고, 타단이 처리부 (200) 에 연통 접속하는 배관 (61) 을 구비한다. 배관 (61) 에는, 필터 (F1) 와, 히터 (101) 와, 필터 (F2) 가 형성되어 있다. 히터 (101) 는, 예를 들어, 배관 (61) 을 둘러싸도록 배관 (61) 의 외주면에 형성되어 있다. 공급 유로 (60) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급되는 약액을 처리부 (200) 에 유도한다.
공급 유로 (60) (배관 (61)) 에는, 공급원 (31) 측으로부터 처리부 (200) 측을 향해, 즉 공급 유로 (60) 에 있어서의 약액의 유통 방향을 따라, 필터 (F1), 히터 (101), 및 필터 (F2) 가 이 순서로 형성되어 있다.
공급 유로 (60) 에는, 추가로 메탈 제거 필터 (FM), 펌프 (P1), 밸브 (72) 가 형성되어 있다. 메탈 제거 필터 (FM) 는, 필터 (F1) 보다 공급원 (31) 측에 형성되어 있다. 밸브 (72) 는, 필터 (F2) 보다 처리부 (200) 측에 형성되어 있다.
필터 (F1) 는, 공급원 (31) 으로부터 공급 유로 (60) 에 도입되는 상온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다. 히터 (101) 는, 필터 (F1) 를 통과한 약액을 가열한다. 필터 (F2) 는, 히터 (101) 에 의해 가열되어 공급 유로 (60) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액을 여과하여, 당해 약액 중의 파티클을 제거한다.
필터 (F1) 는, 그 세공에 의해 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F2) 는, 그 세공으로 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거한다. 필터 (F2) 는, 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작다. 필터 (F1) 는, 예를 들어 친수성 필터이고, 필터 (F2) 는, 예를 들어 소수성 필터이다.
＜5-2. 약액 공급 장치 (1E) 의 동작＞
다음으로, 약액 공급 장치 (1E) 의 동작의 일례에 대해 설명한다. 약액 공급 장치 (1E) 는, 도 7 에 나타내는 동작을 실시한다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 약액 공급 장치 (1E) 는, 스텝 S10 에 있어서, 상온의 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 1 제거 공정」) 를 실시한다. 제 1 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1E) 가, 공급 유로 (60) 에 공급원 (31) 으로부터 도입되는 상온의 약액 중의 파티클을 필터 (F1) 에 의해 제거하는 공정이다. 보다 정확하게는, 약액은, 공급 유로 (60) 를 따라 필터 (F1) 를 통과하기 전에, 메탈 제거 필터 (FM) 를 통과하며, 메탈 제거 필터 (FM) 에 의해 여과되어 소정의 메탈이 제거되고, 그 후, 필터 (F1) 에 의해 파티클이 제거된다.
스텝 S20 에서는, 약액 공급 장치 (1E) 는, 제 1 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 상온의 약액의 가열 처리 (「가열 공정」) 를 실시한다. 가열 공정은, 약액 공급 장치 (1E) 가, 공급 유로 (60) 중 필터 (F1) 보다 처리부 (200) 측의 부분에 형성된 히터 (101) 에 의해 필터 (F1) 를 통과한 약액을 가열하는 공정이다.
스텝 S30 에서는, 약액 공급 장치 (1E) 는, 가열 공정에 있어서 고온으로 가열된 약액 중의 파티클을 제거하는 파티클 제거 처리 (「제 2 제거 공정」) 를 실시한다. 제 2 제거 공정은, 약액 공급 장치 (1E) 가, 가열 공정에 의해 가열되어 공급 유로 (60) 를 처리부 (200) 를 향해 흐르는 고온의 약액 중의 파티클을 필터 (F2) 로 제거하는 공정이다.
스텝 S40 에서는, 약액 공급 장치 (1E) 는, 제 2 제거 공정에 있어서 파티클이 제거된 고온의 약액을 처리부 (200) 에 공급하고, 당해 약액에 의한 기판 (W) 의 처리를 실시한다.
약액 공급 장치 (1A ∼ 1E) 가 사용하는 약액으로는, 바람직하게는, 고온으로 함으로써 처리 능력이 향상되는 것이 채용된다. 이와 같은 약액으로는, 예를 들어, 기판 (W) 의 건조 처리에 사용되는 IPA 등의 유기 용제가 채용된다. 유기 용제인 약액은, IPA 에는 한정되지 않는다. 또, 약액의 용도도 건조에는 한정되지 않는다. 약액으로서, 예를 들어, 케톤류 (아세톤, 디에틸케톤 등), 에테르류 (메틸에테르, 에틸에테르 등), 다가 알코올 (에틸렌글리콜 등) 이 채용되어도 된다.
또, 약액으로는, 유기 용제 이외에, 예를 들어, 황산, SC-1 (암모니아와 과산화수소수의 혼합액) 이나, SC-2 (염산과 과산화수소수의 혼합액) 등을 사용할 수 있다. SC-1 은, 예를 들어, 파티클이나 각종 금속 불순물 등의 불요물을 제거하는 세정 처리에 사용되는 약액이고, SC-2 는, 예를 들어, 파티클이나 각종 금속 불순물 등의 불요물을 제거하는 세정 또는 에칭 처리에 사용되는 약액이다. 이들 약액은, 예를 들어 40 ∼ 60 ℃ 로 온도 조절되어 처리부 (200) 에 공급된다.
또, 약액으로서, 예를 들어, 기판 상의 레지스트 박리 처리에 사용되는 SPM (황산과 과산화수소수의 혼합액) 이 채용되어도 된다. SPM 은, 예를 들어, 100 ℃ 이상 (예를 들어, 160 ℃) 으로 온도 조정되어 처리부 (200) 에 공급된다.
상기 서술한 약액 공급 장치 (1A, 1C) 는, 프리 순환계와 본 순환계의 쌍방을 구비하고 있지만, 약액 공급 장치 (1A, 1C) 가, 예를 들어, 프리 순환계와 본 순환계 중 본 순환계만을 구비해도 된다.
또, 상기 서술한 약액 공급 장치 (1A ∼ 1E) 는, 가열부로서 히터 (101) 를 채용하고 있었지만, 가열부는 히터에 한정되지 않는다. 가열부는, 예를 들어, 필터 (F1) 에 의해 여과된 상온의 약액에, 고온의 약액을 혼합함으로써 약액을 가열하는 것이어도 된다. 혼합되는 고온의 약액은, 미리 파티클이 제거되어 있는 것이 바람직하다.
또, 약액으로서 SPM 을 사용하는 경우에는, 가열부로서, 황산에 과산화수소수를 혼합하여, 반응열에 의해 약액을 고온으로 하는 구성이 채용되어도 된다.
이상과 같이 구성된 본 실시형태 1 ∼ 5 중 어느 약액 공급 장치에 의해서도, 필터 (F1) 는, 친수성 필터로서, 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써, 상온의 약액 중의 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다. 필터 (F2) 는, 소수성 필터로서, 걸러냄으로써 약액 중의 파티클을 제거하기 때문에, 필터 (F2) 의 파티클 제거 능력은, 약액이 상온으로부터 고온이 되었다고 해도 그다지 저하되지 않는다. 당해 발명에 의하면, 상온의 약액에 대해 높은 파티클 제거 능력을 갖는 필터 (F1) 에 의해 상온의 약액으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있고, 약액이 고온이 된 후에, 약액의 온도 변화에 의한 파티클 제거 능력의 변동이 작은 필터 (F2) 에 의해, 약액 중에 잔류하고 있는 파티클을 추가로 제거할 수 있다. 따라서, 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급할 수 있다.
또, 이상과 같은 본 실시형태 1 ∼ 5 중 어느 약액 공급 방법에 의해서도, 필터 (F1) 는 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써, 상온의 약액 중의 파티클을 효율적으로 제거할 수 있다. 필터 (F2) 는, 걸러냄으로써 파티클을 제거하고, 필터 (F2) 는, 필터 (F1) 보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작기 때문에, 필터 (F2) 의 파티클 제거 능력은, 약액이 상온으로부터 고온이 되었다고 해도 그다지 저하되지 않는다. 당해 발명에 의하면, 상온의 약액에 대해 높은 파티클 제거 능력을 갖는 필터 (F1) 에 의해 상온의 약액으로부터 효율적으로 파티클을 제거할 수 있고, 약액이 고온이 된 후에, 약액의 온도 변화에 의한 파티클 제거 능력의 변동이 작은 필터 (F2) 에 의해, 약액 중에 잔류하고 있는 파티클을 추가로 제거할 수 있다. 따라서, 효율적으로 파티클이 제거된 고온의 약액을 공급할 수 있다.
또, 본 실시형태 1 ∼ 4 중 어느 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법에 의해서도, 공급 유로 (40 (50)) 의 일부와 리턴 배관 (81) 이 형성하는 환상의 순환 유로 (91) 내에서 상온의 약액을 순환시키면서, 당해 약액 중의 파티클을 당해 환상 유로에 형성되어 있는 필터 (F1) 에 의해 반복 제거할 수 있다. 따라서, 필터 (F1) 에 의한 파티클의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태 1 ∼ 4 중 어느 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법에 의해서도, 공급 유로 (40 (50)) 중 순환 유로 (91) 보다 처리부 (200) 측의 부분이 형성하는 유로를, 히터 (101) 보다 공급원 (31) 측에 있어서 밸브 (71) 로 폐쇄하여, 순환 유로 (91) 내에서 상온의 약액을 효율적으로 순환시킬 수 있다. 따라서, 필터 (F1) 에 의한 상온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태 1 ∼ 4 중 어느 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법에 의해서도, 공급 유로 (40 (50)) 는, 순환 유로 (91) 의 일부를 형성하여 약액을 저류 가능한 탱크 (21) 를 포함하고, 리턴 배관 (81) 은, 공급 유로 (40) 중 탱크 (21) 보다 처리부 (200) 측의 부분으로부터 분기되어 탱크 (21) 에 접속한다. 따라서, 탱크 (21) 에 의한 버퍼 작용에 의해 순환 유로 (91) 에 있어서의 약액의 순환을 원활화할 수 있다. 따라서, 필터 (F1) 에 의한 파티클의 제거 효율을 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태 1 또는 3 의 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법에 의하면, 히터 (101) 및 필터 (F2) 는, 공급 유로 (40) 의 일부와, 고온 약액용의 리턴 배관 (82) 이 형성하는 고온 약액용의 환상의 순환 유로 (92) 에 형성되어 있다. 따라서, 고온 약액용의 순환 유로 (91) 에 있어서, 고온의 약액을 순환시키면서, 필터 (F2) 에 의해 당해 약액 중의 파티클을 반복 제거할 수 있기 때문에, 필터 (F2) 에 의한 고온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태 1 ∼ 5 중 어느 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법에 의해서도, 필터 (F1) 의 포어경이 필터 (F2) 의 포어경보다 작기 때문에, 필터 (F1) 에 의한 상온 약액 중의 파티클의 제거 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시형태 1 ∼ 5 중 어느 기판 처리 장치 및 약액 처리 방법에 의해서도, 처리부는, 파티클이 효율적으로 제거된 고온의 약액이 약액 공급 장치로부터 공급되어, 당해 약액에 의해 기판을 처리할 수 있다.
본 발명은 상세하게 나타나고 기술되었지만, 상기 기술은 모든 양태에 있어서 예시로서 한정적이 아니다. 따라서, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 실시형태를 적절히 변형, 생략하는 것이 가능하다.
1A, 1B, 1C, 1D, 1E : 약액 공급 장치
200 : 처리부 (공급 대상)
500A, 500B, 500C, 500D, 500E : 기판 처리 장치
221 : 스핀 척
251 : 노즐
31 : 공급원
40, 50, 60 : 공급 유로
41, 42, 43 : 배관
51, 52, 61 : 배관
81 : 리턴 배관
82 : 리턴 배관 (고온 약액용의 리턴 배관)
91 : 순환 유로
92 : 순환 유로 (고온 약액용의 순환 유로)
71, 72 : 밸브
21, 22 : 탱크
101 : 히터 (가열부)
130 : 제어부
P1, P2 : 펌프
F1 : 필터
F2 : 필터
F3 : 필터
FM : 메탈 제거 필터
W : 기판
200 : 처리부 (공급 대상)
500A, 500B, 500C, 500D, 500E : 기판 처리 장치
221 : 스핀 척
251 : 노즐
31 : 공급원
40, 50, 60 : 공급 유로
41, 42, 43 : 배관
51, 52, 61 : 배관
81 : 리턴 배관
82 : 리턴 배관 (고온 약액용의 리턴 배관)
91 : 순환 유로
92 : 순환 유로 (고온 약액용의 순환 유로)
71, 72 : 밸브
21, 22 : 탱크
101 : 히터 (가열부)
130 : 제어부
P1, P2 : 펌프
F1 : 필터
F2 : 필터
F3 : 필터
FM : 메탈 제거 필터
W : 기판
Claims (14)
- 약액을 기판을 약액으로 처리하기 위한 처리부에 공급하는 약액 공급 장치로서,
일단이 상온의 상기 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 상기 처리부에 접속되고, 상기 공급원으로부터 상기 처리부에 상기 약액을 유도하는 공급 유로와,
상기 공급 유로에 형성되고, 상기 공급원으로부터 상기 공급 유로에 도입되는 상온의 상기 약액 중의 파티클을 제거하는 제 1 필터와,
상기 약액을, 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 처리부측의 부분에 있어서 가열하는 가열부와,
상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 처리부측의 부분에 형성되고, 상기 가열부에 의해 가열되어 상기 공급 유로를 상기 처리부를 향해 흐르는 고온의 상기 약액 중의 파티클을 제거하는 제 2 필터를 구비하며,
상기 제 1 필터는 친수성 필터이고, 상기 제 2 필터는 소수성 필터인, 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 공급 유로는, 상기 가열부보다 상기 공급원측의 부분에 있어서 상기 공급 유로로부터 분기되어, 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 리턴 배관을 추가로 구비하고,
상기 제 1 필터는,
상기 공급 유로의 일부와, 상기 리턴 배관이 형성하는 환상의 순환 유로에 형성되어 있는, 약액 공급 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 공급 유로 중 상기 순환 유로보다 상기 처리부측의 부분이 형성하는 유로를, 상기 가열부보다 상기 공급원측에 있어서 개폐 가능한 밸브를 추가로 구비하는, 약액 공급 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 공급 유로는, 상기 순환 유로의 일부를 형성하여 상기 약액을 저류 가능한 탱크를 포함하고,
상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 탱크보다 상기 처리부측의 부분으로부터 분기되어 상기 탱크에 접속하는, 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 공급 유로는, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 처리부측의 부분으로부터 분기되어, 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 고온 약액용의 리턴 배관을 추가로 구비하고,
상기 가열부 및 상기 제 2 필터는,
상기 공급 유로의 일부와, 상기 고온 약액용의 리턴 배관이 형성하는 고온 약액용의 환상의 순환 유로에 형성되어 있는, 약액 공급 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 필터의 포어경이 상기 제 2 필터의 포어경보다 작은, 약액 공급 장치. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 약액 공급 장치와,
상기 처리부를 구비하고,
상기 처리부는, 상기 약액 공급 장치로부터 공급되는 약액을 기판에 공급하여 당해 기판을 처리하는, 기판 처리 장치. - 약액을 기판을 약액으로 처리하기 위한 처리부에 공급하는 약액 공급 방법으로서,
일단이 상온의 상기 약액의 공급원에 접속됨과 함께, 타단이 상기 처리부에 접속되고, 상기 공급원으로부터 상기 처리부에 상기 약액을 유도하는 공급 유로에 상기 공급원으로부터 도입되는 상온의 상기 약액 중의 파티클을 상기 공급 유로에 형성된 제 1 필터에 의해 제거하는 제 1 제거 공정과,
상기 약액을, 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 처리부측의 부분에 있어서 가열부에 의해 가열하는 가열 공정과,
상기 가열 공정에 의해 가열되어 상기 공급 유로를 상기 처리부를 향해 흐르는 고온의 상기 약액 중의 파티클을 상기 공급 유로 중 상기 제 1 필터보다 상기 처리부측의 부분에 형성된 제 2 필터로 제거하는 제 2 제거 공정을 구비하며,
상기 제 1 필터는 걸러냄과 함께, 화학적으로 흡착함으로써 파티클을 제거하고, 상기 제 2 필터는, 걸러냄으로써 파티클을 제거하며, 상기 제 2 필터는, 상기 제 1 필터보다 파티클을 제거하는 능력의 온도 의존성이 작은, 약액 공급 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 제거 공정은,
상기 공급 유로가 포함하는 환상의 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 순환 유로에 형성한 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정이고,
상기 순환 유로는, 리턴 배관과, 상기 공급 유로의 일부에 의해 형성되어 있고,
상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 공급원측의 부분으로부터 분기되어 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 배관인, 약액 공급 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 제거 공정은,
상기 공급 유로 중 상기 순환 유로보다 상기 처리부측의 부분이 형성하는 유로를, 상기 가열부보다 상기 공급원측에 있어서 폐쇄한 상태에서, 상기 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정인, 약액 공급 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 공급 유로는, 상기 순환 유로의 일부를 형성하여 상기 약액을 저류 가능한 탱크를 포함하고,
상기 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 탱크보다 상기 처리부측의 부분으로부터 분기되어 상기 탱크에 접속하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 탱크를 포함하는 상기 순환 유로를 따라 상온의 상기 약액을 순환시키면서, 상기 제 1 필터에 의해 상기 파티클을 제거하는 공정인, 약액 공급 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 가열 공정은,
상기 공급 유로가 포함하는 고온 약액용의 환상 유로에 형성된 상기 가열부에 의해, 상기 고온 약액용의 순환 유로를 흐르는 상기 약액을 가열하는 공정이고,
상기 제 2 제거 공정은,
상기 고온 약액용의 환상 유로에 형성된 상기 제 2 필터에 의해, 당해 고온 약액용의 순환 유로를 흐르는 상기 약액으로부터 파티클을 제거하는 공정이고,
상기 고온 약액용의 환상 유로는, 고온 약액용의 리턴 배관과, 상기 공급 유로의 일부에 의해 형성되어 있고,
상기 고온 약액용의 리턴 배관은, 상기 공급 유로 중 상기 가열부보다 상기 처리부측의 부분으로부터 분기되어 당해 분기된 부분보다 상기 공급원측에서 다시 상기 공급 유로에 접속하는 배관인, 약액 공급 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 필터의 포어경이 상기 제 2 필터의 포어경보다 작은, 약액 공급 방법. - 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 약액 공급 방법과,
상기 처리부에 의해 기판을 처리하는 처리 공정을 구비하고,
상기 처리부는, 상기 약액 공급 방법에 의해 공급되는 약액을 상기 기판에 공급하여 당해 기판을 처리하는, 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-157115 | 2017-08-16 | ||
| JP2017157115A JP6900274B2 (ja) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190019007A KR20190019007A (ko) | 2019-02-26 |
| KR102117155B1 true KR102117155B1 (ko) | 2020-05-29 |
Family
ID=65360380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180078063A KR102117155B1 (ko) | 2017-08-16 | 2018-07-05 | 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 약액 공급 방법, 및 기판 처리 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10816141B2 (ko) |
| JP (1) | JP6900274B2 (ko) |
| KR (1) | KR102117155B1 (ko) |
| CN (1) | CN109411387B (ko) |
| TW (1) | TWI721284B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102622445B1 (ko) | 2020-04-24 | 2024-01-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 액 공급 방법 |
| KR102616521B1 (ko) * | 2020-10-08 | 2023-12-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660676B1 (ko) | 2002-04-04 | 2006-12-21 | 니프로 가부시키가이샤 | 약액 용기 |
| KR100841085B1 (ko) | 2007-02-01 | 2008-06-24 | 세메스 주식회사 | 액체 공급 장치 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4004587A (en) * | 1975-06-13 | 1977-01-25 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | Parenteral liquid administration set with non-air blocking filter |
| KR200143993Y1 (ko) * | 1993-05-20 | 1999-06-15 | 구본준 | 소수성필터의 웨팅장치 |
| JP3562910B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置のフィルタ |
| JP2994288B2 (ja) * | 1996-12-12 | 1999-12-27 | 山形日本電気株式会社 | 薬液用フィルターの処理方法およびその装置 |
| TW504400B (en) * | 2001-01-31 | 2002-10-01 | Toshiba Corp | Filtering apparatus, back wash method therefor, filtering device and power plant |
| DE10115345A1 (de) * | 2001-03-28 | 2002-10-02 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur Aufreinigung von korrosiv wirkenden Gasen |
| TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2004330056A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Ebara Corp | 電子素子基板表面処理液用フィルターカートリッジ |
| US7981286B2 (en) * | 2004-09-15 | 2011-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and method of removing particles |
| JP4786238B2 (ja) | 2005-07-19 | 2011-10-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法、ろ過装置、レジスト組成物の塗布装置 |
| JP4828948B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-11-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| TWI334624B (en) | 2006-01-30 | 2010-12-11 | Dainippon Screen Mfg | Apparatus for and method for processing substrate |
| JP2008135557A (ja) * | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5173500B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 |
| JP5218153B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-06-26 | 株式会社日立プラントテクノロジー | 微生物検出装置、検出方法、及びそれに用いられる試料容器 |
| US8382885B2 (en) | 2009-10-28 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Fluid filtration for substrate processing chamber |
| JP5439579B2 (ja) | 2012-02-27 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP5795983B2 (ja) | 2012-03-27 | 2015-10-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6118577B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-04-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP5728517B2 (ja) | 2013-04-02 | 2015-06-03 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| US20140374352A1 (en) | 2013-06-21 | 2014-12-25 | Pall Corporation | System and method for treating fluid mixtures including aqueous and organic phases |
| JP6020405B2 (ja) | 2013-10-02 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
| DE102014017402A1 (de) * | 2014-11-25 | 2016-05-25 | Fidica Gmbh & Co. Kg | Anordnung zur Speicherung und Verabreichung von Spüllösungen |
| JP6468916B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US10717117B2 (en) * | 2017-02-22 | 2020-07-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP6979852B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2021-12-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
-
2017
- 2017-08-16 JP JP2017157115A patent/JP6900274B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-27 TW TW107122125A patent/TWI721284B/zh active
- 2018-06-28 US US16/021,358 patent/US10816141B2/en active Active
- 2018-07-05 KR KR1020180078063A patent/KR102117155B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-27 CN CN201810842099.8A patent/CN109411387B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100660676B1 (ko) | 2002-04-04 | 2006-12-21 | 니프로 가부시키가이샤 | 약액 용기 |
| KR100841085B1 (ko) | 2007-02-01 | 2008-06-24 | 세메스 주식회사 | 액체 공급 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190056066A1 (en) | 2019-02-21 |
| TW201919745A (zh) | 2019-06-01 |
| JP2019036639A (ja) | 2019-03-07 |
| KR20190019007A (ko) | 2019-02-26 |
| CN109411387A (zh) | 2019-03-01 |
| US10816141B2 (en) | 2020-10-27 |
| JP6900274B2 (ja) | 2021-07-07 |
| CN109411387B (zh) | 2022-03-25 |
| TWI721284B (zh) | 2021-03-11 |
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