KR102116290B1 - 도전성 페이스트, 도전성 패턴의 형성 방법 및 도전성 패턴 인쇄물 - Google Patents

도전성 페이스트, 도전성 패턴의 형성 방법 및 도전성 패턴 인쇄물 Download PDF

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Abstract

베젤(bezel) 패턴을 갖는 그라비어판(版)에서 그라비어 오프셋 인쇄해도, 직선성이 우수하여 단선(斷線)이나 단락(短絡) 등이 없는, 의도한 도전성 패턴이 얻어지는 도전성 페이스트를 얻는다. 도전성 금속 입자(A)와, 50℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(B)과, 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과, 상기 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제(D)를 함유하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 베젤 패턴 인쇄용 도전성 페이스트 및 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 도전성 패턴의 형성 방법에서, 상기 도전성 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성 방법.

Description

도전성 페이스트, 도전성 패턴의 형성 방법 및 도전성 패턴 인쇄물{CONDUCTIVE PASTE, METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE PATTERN, AND OBJECT WITH PRINTED CONDUCTIVE PATTERN}
본 발명은, 도전성 피막을 형성하기 위한 도전성 페이스트, 도전 패턴의 형성 방법 및 도전성 패턴 인쇄물에 관한 것이다.
터치 패널, 전자 페이퍼, 및 각종 전자 부품에 사용되는 도전 회로, 전극 등의 도전성 패턴의 형성 방법으로서는, 인쇄법 또는 에칭법이 알려져 있다.
에칭법에 의해 도전 패턴을 형성하는 경우, 각종 금속막을 증착한 기판 위에 포트리소그래피에 의해 패턴화된 레지스트막을 형성한 후에, 불필요한 증착 금속막을 화학적 혹은 전기 화학적으로 용해 제거하고, 마지막으로 레지스트막을 제거할 필요가 있어 그 공정은 매우 번잡하여 양산성이 부족하다.
한편, 인쇄법에서는, 원하는 패턴을 저비용으로 대량 생산을 행하는 것이 가능하며, 추가로 인쇄 도막을 건조 또는 경화시킴으로써 용이하게 도전성을 부여할 수 있다. 이들 인쇄 방식으로서는, 형성하고 싶은 패턴의 선폭, 두께, 생산 속도에 맞춰서 플렉소(flexo) 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 그라비어 오프셋 인쇄, 잉크젯 인쇄 등이 제안되어 있다. 최근에는, 인쇄 패턴으로서는 전자 디바이스의 소형화, 의장성 향상 등의 관점에서 현재 다용되고 있는, 스크린 인쇄에서는 인쇄가 곤란한, 예를 들면, 선폭 50㎛ 이하의 고정세(高精細)한 도전성 패턴의 형성이 요구되고 있다.
또한, 전자 디바이스의 박형화, 경량화, 플렉시블화에의 요구가 높아지는 것이나, 생산성이 높은 롤투롤 인쇄에 대응하기 위해서, 플라스틱 필름 위에 인쇄해서 저온 단시간의 소성에 의해 높은 도전성, 기재(基材) 밀착성, 막경도 등이 얻어지는 도전성 페이스트가 요구되고 있다. 또한, 플라스틱 필름 중에서도, 저렴하며 투명성이 높은 PET 필름이나, PET 필름 위에 ITO막이 형성된 투명 도전 필름과 같은 피인쇄물 위에 인쇄했을 때에, 상기한 물성이 얻어지는 도전성 페이스트가 요구되고 있다.
이러한 관점에서, 상기한 각종 인쇄 방식 중에서도, 스크린 인쇄법 대신에, 보다 고정세한 도전성 패턴을 보다 생산성 높게 얻기 위해서, 페이스트가 충전되는 획선(畵線)에 대응하는 오목부가 마련된 그라비어판(版)과, 페이스트를 그라비어판의 오목부에 충전하는 닥터와, 이 그라비어판의 오목부로부터 페이스트가 전달되는 블랭킷동(胴)과, 이 블랭킷동에 대향되며 블랭킷동과의 사이에 피인쇄물이 공급되는 압동(壓胴)을 사용해서, 미세 배선 패턴을 인쇄에 의해 행하는 그라비어 오프셋 인쇄법이 주목되고 있다.
이러한, 수지 성분을 함유하는 도전성 페이스트를 사용해서, 그라비어 오프셋 인쇄 방법에 의해 피인쇄물 위에 인쇄를 행하고, 소성해서 도전성 패턴을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 에틸셀룰로오스와 같은 그 자체가 50℃에서 고체인 수지를 사용하는 방법(특허문헌 1∼2 참조)이나, 이들 수지에 옥세탄계, 에폭시계 혹은 비닐에테르계 모노머와 같은 50℃에서 액체인 수지를 병용하는 방법(특허문헌 3 참조)이 알려져 있다.
그러나, 이들 특허문헌 1∼3에서 사용되고 있는 그라비어판은, 페이스트가 충전되는 오목부가 직선 형상이며, 실제 전자 부품에 적용되는 정 L자형, 역 L자형, コ자형, 역 コ자형 혹은 ロ자형과 같은, 2개 이상의 직선 형상의 오목부가 연결되어 형성된, 이른바 베젤(bezel) 패턴의 오목부를 갖는 그라비어판이 아니었다.
일본국 특개 2010-159350 공보 일본국 특개 2010-235780 공보 일본국 특개 2011-37999 공보
상기한 바와 같이 베젤 패턴과 같은, 복잡한 형상의 오목부를 포함하는 그라비어판을 사용해서, 실제로 인쇄 적성을 평가한다는 것은, 지금까지 행해지고 있지 않다.
그 때문에, 예를 들면, 상기 특허문헌 1∼3에서 사용되고 있는 도전성 페이스트를, 거기에 기재된 직선 등의 단순한 형상의 오목부를 갖는 그라비어판을 사용한 경우에는, 직선성이 우수하여 단선(斷線)이나 단락(短絡) 등이 없는, 의도한 도전성 패턴이 얻어지지만, 한편, 특허문헌 1∼3에서 사용되고 있는 도전성 페이스트를, 실제 전자 부품에 적용되는, 베젤 패턴과 같은 복잡한 오목부를 갖는 그라비어판에서의 인쇄에 사용하면, 상기한 소기의 성능이 얻어지지 않는다는 문제가 빈발한다는 결점이 있었다.
상기 문제는, 종래보다 더욱 좁은 선폭의 베젤 패턴과 같은, 보다 세선(細線)화된 복잡한 형상의 오목부를 포함하는 그라비어판을 사용한 그라비어 오프셋 인쇄에서, 특히 현저한 현상이라고 추찰된다.
그래서, 본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해, 예의 연구한 결과, 상기 유기 화합물(B)의 불휘발분 함유율을, 도전성 금속 입자(A)∼유기 용제(D)의 4성분의 합계에 대해서, 종래보다 낮춤과 함께, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 불휘발분과, 상기 도전성 금속 입자(A)와의 질량비 R/P도, 종래보다 작게 해서, 복잡한 형상의 오목부를 포함하는 그라비어판에 적합하도록, 도전성 페이스트를 조정함으로써, 상기한 결점이 해소되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉 본 발명은, 도전성 금속 입자(A)와, 50℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(B)과, 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과, 상기 성분 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제(D)를 함유하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 베젤 패턴 인쇄용 도전성 페이스트로서,
상기 (B)의 불휘발분을, 상기 (A)∼(D)의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 하며, 또한,
불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트를 제공한다.
또한 본 발명은, 페이스트가 충전되는 베젤 패턴을 포함하는 오목부가 마련된 그라비어판과, 페이스트를 그라비어판의 오목부에 충전하는 닥터와, 이 그라비어판의 오목부로부터 페이스트가 전달되는 블랭킷과, 이 블랭킷에 대향시키도록 피인쇄물을 공급하고, 양자를 압접시켜서 블랭킷 위의 미세 배선 패턴에 대응하는 패턴을 피인쇄물에 인쇄하고, 이어서 소성을 행하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 도전성 패턴의 형성 방법에서, 상기 페이스트로서, 상기 도전성 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성 방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 상기 도전성 페이스트로 형성된 도전성 패턴 인쇄물을 제공한다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 상기 유기 화합물(B)의 불휘발분 함유율을, 도전성 금속 입자(A)∼유기 용제(D)의 4성분의 합계에 대해서, 종래보다 낮춤과 함께, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 불휘발분과, 상기 도전성 금속 입자(A)와의 질량비 R/P도, 종래보다 작아지도록 조정되어 있으므로, 베젤 패턴과 같은 복잡한 오목부를 갖는 그라비어판을 사용해서 인쇄를 행해도, 직선성이 우수하여 단선이나 단락 등이 없는, 의도한 도전성 패턴이 얻어진다는 각별히 현저한 효과를 나타낸다. 또, 본 발명에서, 고정세란, 얻는 도전성 패턴의 형상에도 의존하지만, 선폭으로 말하면, 50㎛ 이하, 그 중에서도 15∼35㎛라는 종래보다 가는 획선(세선)을 말한다. 본 발명의 도전성 패턴의 형성 방법은, 상기한 특정의 도전성 페이스트를 사용하고 있으므로, 직선성이 우수하여 단선이나 단락 등이 없는, 의도한 도전성 패턴 및 그 인쇄물이 얻어진다는 각별히 현저한 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명에서 얻는, 미세 배선 패턴인 베젤 패턴의 일례를 나타내는 평면도.
본 발명의 도전성 페이스트는, 도전성 금속 입자(A)와, 50℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(B)과, 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과, 상기 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제(D)를 함유하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 베젤 패턴 인쇄용 도전성 페이스트로서,
상기 (B)의 불휘발분을, 상기 (A)∼(D)의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 하며, 또한, 불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이다.
(도전성 금속 입자)
본 발명에서 사용하는 도전성 금속 입자(A)로서는, 공지의 것을 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 니켈, 동, 금, 은, 알루미늄, 아연, 니켈, 주석, 납, 크롬, 플래티나, 팔라듐, 텅스텐, 몰리브데늄 등, 그리고 이들 2종 이상의 합금, 혼합체, 혹은 이들 금속의 화합물로 양호한 도전성을 갖는 것 등을 들 수 있다. 특히, 은분(銀粉)은, 안정적인 도전성을 실현하기 쉽고, 또한 열전도 특성도 양호하기 때문에 바람직하다.
(은분)
본 발명에 있어서의 도전성 금속 입자(B)로서 은분를 사용하는 경우, 평균 입자 직경으로서 메디안 입경(D50)이 0.1∼10㎛인 구 형상 은분을 사용하는 것이 바람직하며, 0.1∼3㎛인 것이 보다 바람직하다. 이 범위는, 그라비어 오프셋 인쇄법에서, 인쇄기 위에서의 연속적으로 인쇄한 경우에도, 트러블이 발생하기 어려워 안정적으로 양호한 도전성 패턴을 얻기 쉬워진다.
이러한 은분으로서는, 예를 들면, AG2-1C(DOWA일렉트로닉스(주)제, 평균 입경 D50: 0.8㎛), SPQ03S(미쓰이킨조쿠코잔(주)제, 평균 입경 D50: 0.5㎛), EHD(미쓰이킨조쿠코잔(주)제, 평균 입경 D50: 0.5㎛), 실베스트 C-34((주)토쿠리키카가쿠 켄큐쇼제, 평균 입경 D50: 0.35㎛), AG2-1(DOWA일렉트로닉스(주)제, 평균 입경 D50: 1.3㎛), 실베스트 AgS-050((주)토쿠리키카가쿠 켄큐쇼제, 평균 입경 D50: 1.4㎛) 등을 들 수 있다.
이 도전성 금속 입자(A)는, 표면 피복이 전혀 되어 있지 않은, 금속면이 노출된 것이어도, 미리, 각종 지방산 또는 그 염, 각 극성 또는 무극성의 계면활성제 등에 의해 표면 피복된 것이어도, 혹은 금속면의 일부에 금속 산화물이 존재하는 것이어도 된다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 불휘발분의 유기 화합물 성분으로서, 50℃에서 고체인 유기 화합물(B) 성분 및 50℃에서 액체인 유기 화합물(C) 성분을 함유한다. 이들 각 유기 화합물 성분은, 인쇄 후에는, 일체로 되어 건조 피막을 형성하고, 뒤에 기재하는 피인쇄물 위에, 도전성 금속 입자(A)를 고착한다.
(25℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물)
본 발명의 도전성 페이스트에 사용하는, 50℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(B)은, 당해 유기 화합물 단독으로 양호한 피막을 형성할 수 있어, 뒤에 기재하는 블랭킷 위에서 양호한 피막을 형성하는 것, 그리고 당해 페이스트 피막이 블랭킷으로부터 피인쇄물에의 완전 전사하는 것을 가능하게 하는 것이다. 그 자체가 50℃에서 고체임과 함께, 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하고, 뒤에 기재하는 유기 용제(D)에 가용(可溶)이며, 소성 온도 이하에서 용융하고 유동하기 쉬운 것이 바람직하다.
이러한 유기 화합물(B)로서는, 각종 합성 수지가 있고, 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리염화비닐이나 염화비닐과 다른 불포화 이중 결합 함유 모노머와의 공중합체, (메타)아크릴산에스테르의 단독 중합체나 (메타)아크릴산에스테르와 그 밖의 불포화 이중 결합 함유 모노머와의 공중합체, 폴리스티렌이나 스티렌 모노머와 그 밖의 불포화 이중 결합 함유 모노머와의 공중합체, 케톤-포름알데히드 축합체나 그 수소 첨가물, 다관능 에폭시 수지, 폴리비닐아세탈, 폴리우레탄 등을 들 수 있다. 이들은, 단독 또는 이들에서 선택되는 1종 이상을 병용할 수 있다. 다관능 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀F 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀S 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 및 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
피인쇄물이, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)인 경우, 이 유기 화합물(B)로서는, 그 자체의 PET에의 밀착성이 양호한, 케톤-포름알데히드 축합체나 그 수소 첨가물, 폴리에스테르, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리비닐아세탈로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 50℃에서 고체인 열가소성 수지가 호적(好適)하게 사용된다. 이러한 케톤-포름알데히드 축합체나 그 수소 첨가물로서는, 에보닉데구사재팬(주) TEGO(등록 상표) VariPlus 시리즈(SK, AP 등), 폴리에스테르로서는, 토요보 가부시키가이샤제의 바이론(등록 상표) 시리즈(바이론 200 등)가, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체로서는, 닛신카가쿠코교 가부시키가이샤제의 솔바인(등록 상표) 시리즈(솔바인 AL 등)가, 폴리비닐아세탈로서는, 세키스이카가쿠코교 가부시키가이샤제의 에스렉크(등록 상표) 시리즈(에스렉크 KS-10 등)를 들 수 있다.
물론, 유기 화합물(B)은, 그 자체가 50℃에서 고체이기 때문에, 뒤에 기재하는 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과 반드시 반응하여 공유 결합시킬 필요는 없지만, 이 반응에 있어서의 공유 결합을 목적으로, 유기 화합물(B)은, 뒤에 기재하는 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 것인 것이, 피인쇄물에의 도전성 패턴의 고착성이나 내열성의 관점에서 바람직하다.
그 중에서도, 유기 화합물(C)과 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 유기 화합물(B)로서는, 수산기를 함유하는 열가소성 수지 및/또는 다관능 에폭시 화합물, 그 중에서도, 케톤-포름알데히드 축합체의 수소 첨가물, 수산기 함유 폴리에스테르, 수산기 함유 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 수산기 함유 스티렌계 수지, 수산기 함유 아크릴계 수지, 수산기 함유 폴리비닐아세탈로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 수산기를 함유하는 열가소성 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
유기 화합물(B)의 불휘발분은, 상기 (A)∼(D)의 각 성분의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 한다. 이는, 본 발명자가 지견한, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의해 베젤 패턴을 인쇄할 때에, 불가결한 기술적 요건이다. 일반적으로, 유기 화합물(B)의 불휘발분의 함유율은, 2∼20%가 바람직하다고 되어 있지만, 이는, 직선으로 이루어지는 오목부만이 마련된 그라비어판을 사용해서 인쇄하는 경우의 호적 범위를 의미하고 있는 것에 불과하고, 대략 L자 형상이나 대략 역 L자 형상과 같은 2개의 직선이 교차한 형상이나, 이들이 한 쌍으로 조합된 형상으로 대표되는 베젤 패턴의 인쇄에서는, 상기 범위 외의 불휘발분 함유율로는, 본 발명과 같은 우수한 인쇄 적성을 얻는 것은 어렵다. 1질량% 이상인 경우, 블랭킷 위에서 양호한 베젤 패턴의 도전성 페이스트막을 형성하는 것이 용이해지며, 도전성 페이스트 막이 블랭킷으로부터 피인쇄물에의 완전 전사하는 것이 용이해진다. 또한, 3질량% 이하인 경우, 페이스트 점도가 보다 적정해져, 베젤 형상의 도전성 패턴을 갖는 그라비어판에 도전성 페이스트를 공급하는 공정이 용이해진다.
(50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물)
본 발명의 도전성 페이스트에 사용하는, 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)은, 그 중에서도, 그 자체가 50℃에서 액체인 것, 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과함과 함께, 뒤에 기재하는 유기 용제(D)에 가용이며, 유동하기 쉬운 것이 바람직하다.
이러한 것으로서는, 각종 유기 화합물이 있으며, 예를 들면, 다관능 에폭시 화합물, 고분자 폴리올 화합물, 옥세탄 화합물, 비닐에테르 화합물, 폴리이소시아네이트 화합물, 블록 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 단독 또는 이들에서 선택되는 1종 이상을 병용할 수 있다.
이러한 다관능 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카복실레이트, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 트리스(히드록시페닐)메탄트리글리시딜에테르 등이, 고분자 폴리올 화합물로서는, 예를 들면, 분자량 800 이상의 공지 관용의 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리카보네이트폴리올, 폴리카프로락톤폴리올 등이, 옥세탄 화합물로서는, 예를 들면, 3-에틸-3{[(3-에틸옥세탄-3-일)메톡시]메틸}옥세탄 등을 들 수 있다.
다관능 에폭시 화합물의 경화제(경화 촉매)로서는, 필요에 따라, 공지 관용의 산무수물, 아민류, 이미다졸류, 페놀 수지 등을 사용할 수 있다.
폴리이소시아네이트 화합물로서는, 방향족, 지방족, 지환족 디이소시아네이트, 디이소시아네이트의 변성에 의한 2 또는 3량체, 말단 이소시아네이트기 함유 화합물 등이 있다. 이들은 단독으로 사용해도 병용해도 된다. 방향족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 디아니시딘디이소시아네이트, m-자일릴렌디이소시아네이트, p-자일릴렌디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 지방족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 1,4-테트라메틸렌디이소시아네이트, 1,5-펜타메틸렌디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다. 지환족 디이소시아네이트로서는, 예를 들면, 이소포론디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아나토메틸)시클로헥산, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트 등을 들 수 있고, 또한 이들 디이소시아네이트의 변성에 의한 2 또는 3량체를 들 수 있다. 변성의 방법으로서는 뷰렛화, 이소시아누레이트화 등을 들 수 있다. 혹은 상술한 디 또는 폴리이소시아네이트 화합물과 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리아미드 등의 활성 수소 화합물을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트기 함유 화합물 등을 들 수 있다.
유기 화합물(C)은, 인쇄 후의 소성 공정에 있어서의 공유 결합 생성에 의한 열경화를 목적으로 한, 상기 유기 화합물(B)과 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 것인 것, 혹은, 2종 이상의 50℃에서 액체이며, 상온에서 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)을 사용한 경우에는, 이들이 모두 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 것인 것이, 피인쇄물에의 도전성 패턴의 고착성이나 내열성의 관점에서 바람직하다. 50℃에서 액체인 유기 화합물(C)은, 상기한 반응에서의 일체화에 의해, 50℃에서 고체가 되고, 도전성 패턴의 고착성(접착성, 밀착성이라 하는 경우도 있음)이나 내열성을 발현한다.
폴리이소시아네이트 화합물은, 이소시아나토기가 노출한 상태(유리(遊離) 이소시아나토기인 상태)이면 흡습하거나, 수산기를 함유하는 유기 화합물과 공존시키면 우레탄화 반응이 경시적으로 진행하기 때문에, 도전성 페이스트를 조제하면 즉시 사용할 필요가 있다.
그래서, 필요한 시기에 반응을 행함에 있어서는, 블록제에서, 그 유리 이소시아나토기를 봉지(封止)한, 이른바 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 뒤에 기재하는 바와 같이, 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C) 사이, 혹은 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리 사이에 있어서의 각 유기 화합물의 조합에서, 열경화계를 선택하는 경우에는, 예를 들면, 블록 폴리이소시아네이트 화합물과, 유리 이소시아나토기와 반응할 수 있는 관능기를 함유하는 유기 화합물을 사용함으로써, 도전성 페이스트의 보존 안정성을 향상시킬 수 있고, 조제 후의 필요한 시기에 가열에 의해, 그 블록제를 해리시켜, 양자 사이에서 반응시키는 것이 가능해진다.
블록화 폴리이소시아네이트 화합물은, 50℃에서 액체이며, 300℃ 이하에서의 가열에 의해 블록제가 해리한 후에 생성하는 폴리이소시아네이트 화합물도, 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하므로, 본 발명에서는 유기 화합물(C)로 분류한다.
블록제로서는, 예를 들면, 페놀, 메틸에틸케톡심, 중아황산소다 등의 공지 관용의 블록제를 들 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트로부터의 도전성 패턴을, 유리, 금속, 실리카 혹은 세라믹스 등의 내열성 기재 위에 마련하는 경우에는, 이들 블록제로서는 어떠한 것이나 사용할 수 있지만, 그것을 PET 필름이나 투명 ITO 전극 필름 등의 비내열성 기재 위에 마련하는 경우에는, 블록제가 보다 저온에서 해리해서 이소시아나토기가 유리하는 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 플라스틱필름으로서, PET 필름을 기재로 사용하는 경우에는, 이소시아나토기가 생성할 때의 온도가 70∼125℃가 되는 블록제를 사용한 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 도전성 페이스트에 함유시키도록 하면, PET 필름에 휨 등을 발생시키지 않고, 그 위에 도전성 패턴을 형성시킬 수 있다.
이러한, 보다 저온에서 해리 가능한 블록제로서는, 활성 메틸렌 화합물 또는 피라졸 화합물을 들 수 있다. 활성 메틸렌 화합물로서는, 멜드럼산, 말론산디알킬, 아세토아세트산알킬, 2-아세토아세톡시에틸메타크릴레이트, 아세틸아세톤, 시아노아세트산에틸 등을 들 수 있고, 피라졸 화합물로서는, 피라졸, 3,5-디메틸피라졸, 3-메틸피라졸, 4-벤질-3,5-디메틸피라졸, 4-니트로-3,5-디메틸피라졸, 4-브로모-3,5-디메틸피라졸, 3-메틸-5-페닐피라졸 등을 들 수 있다. 그 중에서도 말론산디에틸, 3,5-디메틸피라졸 등이 바람직하다.
블록제가 열해리해서 유리 이소시아나토기를 발생하는 블록 폴리이소시아네이트 화합물은, 유리 이소시아나토기를 갖는 폴리이소시아네이트 화합물에 대해서, 적외선 흡수 스펙트럼을 감시하면서, 이소시아나토기에 의거하는 고유 흡수 스펙트럼이 소실할 때까지, 블록제를 반응시켜 감으로써 용이하게 얻을 수 있다.
호적한 블록 폴리이소시아네이트의 시판품으로서는, 블록제가 활성 메틸렌 화합물인 것에서는 듀라네이트(등록 상표) MF-K60B(아사히카세이케미컬사제), 데스모듈(등록 상표) BL-3475(스미카바이엘우레탄사제)가, 한편, 블록제가 피라졸 화합물인 것에서는 TRIXENE BI-7982(바쿠센덴사제), 활성 메틸렌 화합물과 피라졸 화합물의 혼합 타입에서는 TRIXENE BI-7992(바쿠센덴사제)를 들 수 있다.
상기한 바와 같은, 반응에 의한 피인쇄물 위에서의 상태 변화 및 그것에 의거해서 얻어지는 피막으로 이루어지는 인쇄 패턴의 피인쇄물에의 보다 우수한 고착성을 기대할 수 있다는 점에서, 구체적으로 유기 화합물(C)로서는, 블록 폴리이소시아네이트 화합물과, 다관능 에폭시 화합물 및/또는 고분자 폴리올을 포함하도록 하는 것이 바람직하다.
소성함으로써 도전성을 발현하는 본 발명의 도전성 페이스트는, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)을, 혹은 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리에서, 공유 결합을 생성시키기 위한 경화계로서, 자외선이나 전자선과 같은 활성 에너지선 경화계보다, 열경화계를 선택하는 것이 바람직하다. 도전성 금속 입자(A) 자체는, 활성 에너지선에 대한 광 투과성이 거의 없다. 따라서, 도전성 금속 입자(A)와 각 유기 화합물(B)∼(C)를 함유하는 페이스트는, 피막화해도, 활성 에너지선이 막두께 방향의 심부(深部)까지는 도달하지 않고, 표면을 경화시키는 것에 그쳐, 피막 심부까지 충분히 경화를 행하는 것이 곤란해졌다. 한편, 열로 경화시키는 경우에는, 경화에 필요한 에너지가 막두께 방향의 심부까지 도달한다.
열경화성 도전성 페이스트는, 편의적으로, 그것만으로는 경화하지 않는 주제(主劑)와, 경화제(경화 촉매)의 조합으로 이루어진다. 주제와, 경화제(촉매)는, 양쪽이 혼합되어 있어도, 상온에서는 반응하지 않고, 가열함으로써 비로소 경화하도록 각각이 선택된다. 이들 주제와 경화제는, 상기한 유기 화합물(B) 및 유기 화합물(C)에서 선택할 수 있다.
이러한 열경화성 도전성 페이스트로서는, 예를 들면, 유기 화합물(B) 또는 유기 화합물(C)로서 다관능 에폭시 화합물과, 상기한 바와 같은 경화제(경화 촉매)의 조합, 유기 화합물(B)로서 수산기를 함유하는 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 수산기를 함유하는 폴리에스테르 수지, 수산기를 함유하는 아크릴 수지 등의 수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지와, 유기 화합물(C)로서 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 조합을 들 수 있다. 물론, 유기 화합물(B)로서 상기 수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지와, 유기 화합물(C)로서 다관능 에폭시 화합물과 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 조합해서, 본 발명의 도전성 페이스트를 조제해도 된다.
특히, 블록 폴리이소시아네이트 화합물과, 수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지의 조합은, 도전성 금속 입자(A)의 분산성이 우수하여 보다 많이 페이스트 중에 함유시킬 수 있고, 그 결과 도전성을 보다 높일 수 있으며, 또한 경화시에 있어서의 피인쇄물에의 밀착성이 우수하므로 바람직하다. 이 밀착성은, 도전성 패턴을 형성하는 대상인 피인쇄물이, 플렉시블한 비내열성의 소재인 경우에, 도전성 회로가 마련된 전기 전자 부품의 굴곡성을 높일 수 있는 점, 고집적화가 가능한 점에서 매우 유리하다.
수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지와, 블록 폴리이소시아네이트 화합물과 같은 이소시아네이트 경화제의 조합을 필수 성분으로 하는 열경화성 도전성 페이스트에서는, 질량 환산으로, 블록제를 제외한 폴리이소시아네이트 화합물의 불휘발분 100부당, 수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지의 불휘발분이 5∼50부인 것이, 인쇄 적성이 우수하다는 점에서 보다 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 블록 폴리이소시아네이트 화합물에는, 필요하다면 경화 촉매를 병용할 수 있다. 이 경화 촉매로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 유기 암모늄염 또는 유기 아미딘염인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 유기 암모늄으로는 테트라알킬암모늄할로겐화물, 테트라알킬암모늄수산화물, 테트라알킬암모늄유기산염 등, 유기 아미딘염으로는 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7(이하, DBU), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5(이하, DBN)의 페놀염, 옥틸산염, 올레산염, p-톨루엔설폰산염, 포름산염 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, DBU-페놀염, DBU-옥틸산염, DBN-옥틸산염 등을 사용하는 것이 바람직하다. 시판품으로서는, 유기 암모늄으로는 TOYOCAT-TR20(토소사제), 유기 아미딘염으로는 U-CAT SA1, U-CAT SA102, U-CAT SA106, U-CAT SA506, U-CAT SA603, U-CAT SA1102(산아프로사제)를 들 수 있다. 유기 암모늄염 또는 유기 아미딘염은, 블록 폴리이소시아네이트 화합물의 블록제 해리 촉매로서 작용할 뿐만 아니라, 상기한 다관능 에폭시 화합물의 에폭시기의 개환(開環) 촉매로서도 작용한다.
블록 폴리이소시아네이트 화합물의 반응 촉매는, 질량 환산으로, 블록 폴리이소시아네이트 화합물 100부당 3∼30부인 것이, 최종적으로 얻어지는 도전성, 내용제성 등의 도전성 패턴의 성능을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에서, 도전성 금속 입자(A)와 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C)의 비율은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15가 되도록 조제하는 것이, 얻어지는 도전성 패턴의 도전성의 관점에서 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에서는, 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리 사이에 있어서의 각 유기 화합물의 조합에서, 열경화계를 선택하는 경우에는, 유기 화합물(B)이 함유되어 있어도, 사용한 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리가 반응할 수 있는 관능기가 모두 소비되는 것만을 고려해서, 각각의 당량이 화학량론적으로 동일해지도록, 각각의 유기 화합물(C)의 불휘발분 사용량을 선택하면 된다.
그러나, 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C) 사이, 혹은, 그것과, 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리 사이에 있어서의 각 유기 화합물의 조합에서, 열경화계를 선택하는 경우에는, 사용하는 유기 화합물(B) 및 유기 화합물(C)이 반응할 수 있는 관능기가 모두 소비되도록, 각각의 당량이 화학량론적으로 동일해지도록, 각각의 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C)의 불휘발분 사용량을 선택하는 것이 바람직하다.
물론, 관능기를 화학량론적으로 당량이 되도록, 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C)의 불휘발분 사용량을 선택한 것에서는, 반응률의 관계에서 충분한 반응이 일어나기 어려운 경우에는, 가장 이 반응의 반응률이 높아지도록, 당량을 중심으로, 유기 화합물의 불휘발분의 사용량을 증감해도 된다.
본 발명에서 적용하는 그라비어 오프셋 인쇄법에서는, 원하는 인쇄 패턴에 대응하는 오목부가 형성된 그라비어판과, 페이스트를 그라비어판의 오목부에 충전하는 닥터와, 표면이, 예를 들면, 실리콘 고무로 이루어지는 블랭킷이 사용된다. 이 그라비어판에는, 도전성 페이스트가 충전되는 베젤 패턴에 대응한 오목부를 갖는 홈이 마련된다. 이 그라비어판의 홈인 오목부로부터 도전성 페이스트가 블랭킷에 전달된다. 이 블랭킷에 대향시키도록 피인쇄물을 공급하고, 양자를 압접시켜, 블랭킷 위의 미세 배선 패턴에 대응하는 패턴을 피인쇄물에 인쇄함으로써, 인쇄 패턴이 형성된다. 이 인쇄 패턴은, 소성함으로써 도전성을 갖는 미세 배선 패턴(도전성 패턴)이 된다.
즉, 그라비어 오프셋 인쇄의 공정은, 크게 나누어, 그라비어판의 홈인 오목부에 도전성 페이스트를 충전하는 닥터링 공정과, 오목부에 충전된 도전성 페이스트를 블랭킷의 표면에 전이하는 오프 공정과, 블랭킷으로 이동한 도전성 페이스트를 피인쇄물에 전사하는 세트 공정을 구비한다. 이 인쇄법에 의하면, 오목부의 형상에 따라 인쇄 패턴의 형상을 자재(自在)로 설정할 수 있고, 또한 블랭킷으로부터 피인쇄물에의 도전성 페이스트의 전사율도 높기 때문에, 미세 배선 패턴에 대응하는 인쇄 패턴을 정밀하게 형성할 수 있다.
그라비어 오프셋 인쇄법에서는, 공지 관용의 오목판, 유리판 위의 감광성 수지를 노광, 현상, 세정에 의해 형성한 오목판, 유리판, 금속판, 금속롤을 케미컬 에칭 및 레이저 에칭에 의해 형성한 오목판을 사용할 수 있다.
또한 그라비어판으로서는, 공지 관용의 선폭, 깊이의, 베젤 패턴에 대응하는 홈에 상당하는 오목부를 포함하는 판을 사용할 수 있지만, 보다 고밀도의 배선 패턴에서, 보다 다수의 인쇄에서도 우수한 직선성을 확보할 수 있으며, 또한 단선 등의 문제도 보이지 않는다는 점에서, 베젤 패턴에 대응하는 선폭 10∼50㎛, 깊이 5∼20㎛의 오목부를 갖는 그라비어판을 사용하는 것이 바람직하다.
그라비어 오프셋 인쇄법에서는, 매엽의 피인쇄물을, 그라비어판으로서 평면 형상의 판을, 블랭킷으로서 원통 형상의 블랭킷을 각각 사용해서, 블랭킷을 피인쇄물에 압접하여, 블랭킷 위의 패턴을 피인쇄물에 전사 인쇄하도록 해도 되며, 롤 형상으로 감은 장척의 피인쇄물을, 그라비어판으로서 원통 형상의 판을, 블랭킷으로서 원통 형상의 블랭킷을, 원통 형상의 압동을 각각 사용해서, 블랭킷을 피인쇄물에 압접하여, 연속적으로 블랭킷 위의 패턴을 피인쇄물에 전사 인쇄하도록 해도 된다.
또한, 오목부에 충전된 도전성 페이스트를 블랭킷의 표면에 전이하는 오프 공정에서는, 도전성 페이스트 중에 함유되는 유기 용제(D)가 블랭킷에 흡수되어, 보다 불휘발분이 높아지고, 그것이 세트 공정에서 피인쇄물에 전사된다. 따라서, 인쇄 사이클을 반복함으로써, 도전성 페이스트 중의 유기 용제(D)가, 인쇄마다 블랭킷에 축적되게 된다. 블랭킷이 흡수할 수 있는 유기 용제(D)의 체적은 당연히 한계가 있기 때문에, 이 한계를 초과하면, 세트 공정에서 피인쇄물에 적정한 전사가 행해지지 않게 되어, 인쇄 패턴이 흐트러진다는 등의 문제가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 하나의 블랭킷을 사용해서, 다수의 인쇄를 행하는 경우에는, 피인쇄물에의 인쇄 후에, 유기 용제(D)를 흡수한 블랭킷을 건조시키는 공정을 포함시키는 것이 바람직하다. 이 건조 공정은, 1회의 인쇄 사이클마다 행해도 되고, 간격을 두고, 5∼20회의 인쇄 사이클마다 행해도 된다.
본 발명에서는, 상기 유기 화합물(B)의 불휘발분을, 상기 (A)∼(D)의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 하며, 또한, 불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15로 함으로써, 첫 베젤 패턴 인쇄에서, 우수한 도전성을 갖는 미세 배선 패턴을, 핀홀, 단선, 단락 등의 문제를 발생시키지 않고, 형성할 수 있다.
(상기 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제)
본 발명에서 사용되는 유기 화합물(B) 및 유기 화합물(C)은, 그라비어 오프셋 인쇄법에 적합하도록, 통상은, 용매에 용해하며, 또한 도전성 금속 입자(A)는 이들의 혼합물에 분산해서 페이스트화한 후에, 피인쇄물 위에 도전성 페이스트의 세선 패턴을 도포하거나 인쇄하는 것이 필요하게 된다. 그 때문에, 열경화성 도전성 페이스트를 구성하는 주제 및 경화제의 선택에 있어서는, 용매에의 용해성을 고려하는 것이 바람직하다.
이러한 관점에서, 상기 용매로서, 상기 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제(D)를 사용한다. 유기 용제(D)는, 상기를 만족시키는 공지 관용의 유기 용제를 모두 사용할 수 있다. 유기 용제(D)는, 1종을 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 된다.
그라비어 오프셋 인쇄법에서는, 블랭킷이 사용된다. 블랭킷으로서는, 예를 들면, 실리콘 고무층, PET층, 스펀지층과 같은 층 구조를 갖는 시트를 들 수 있다. 통상은, 블랭킷동이라 하는 강성이 있는 원통에 권부(卷付)한 상태로 사용된다.
그라비어 오프셋 인쇄법에서는, 블랭킷이 사용된다. 블랭킷으로서는, 예를 들면, 실리콘 고무층, PET층, 스펀지층과 같은 층 구조를 갖는 시트를 들 수 있다. 통상은, 블랭킷동이라 하는 강성이 있는 원통에 권부한 상태로 사용된다.
본 발명에서는, 그라비어 오프셋 인쇄법을 채용하기 위해서, 유기 용제(D)로서는, 블랭킷 팽윤률이 5∼20%인 유기 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 유기 용제로서는, 이하의 표에 기재된 것을 들 수 있다.
여기에서, 표 안의 비점은, 상압에 있어서의 비점이며, 한편, 블랭킷 팽윤률이란, 블랭킷을 2㎝각으로 잘라내어 측량해 두고, 각종 유기 용제에 블랭킷을 침지시켜, 1시간 후에 블랭킷을 유기 용제 중에서 취출하고, 다시 측량하여, 침지 전후에서 있어서의 중량 증가율을 구한 것이다.
[표 1]
Figure 112014105478093-pct00001
*1) 산쿄카가쿠(주) 제품명
*2) KH네오켐(주) 제품명
*3) 토호카가쿠코교(주) 제품명
[표 2]
Figure 112014105478093-pct00002
*4) 등록 상표 (주)구라레 제품명
상기한 유기 용제(D)로서는, 베젤 패턴의 최초의 인쇄시와, 보다 다수의 인쇄시에서, 모두 직선성이 우수하여 단선 등이 일어나기 어려운 인쇄 패턴이 얻어진다는 점에서, 프로필렌글리콜디아세테이트(PDGA), 3-메톡시-3-메틸부탄올(솔핏) 등이 바람직하고, 그 중에서도, 베젤 패턴의 최초의 인쇄시보다, 보다 다수의 인쇄를 행했을 때가, 직선성이 우수하여 단선 등이 일어나기 어려운 인쇄 패턴이 얻어진다는 점에서, 그 중에서도, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(BDGAC), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(EDGAC), 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(메틸트리글라임), 이염기산에스테르(DBE) 등이 특히 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트 중에 있어서의 유기 용제(D)의 함유율은, 그라비어 오프셋 인쇄법에서, 상기한 효과가 얻어지는 범위이면 특별히 제한은 없지만, 5∼30질량%인 것이 바람직하고, 그 중에서도 7∼15질량%이면 더욱 바람직하다. 이 범위이면, 페이스트 점도가 보다 적정해지며, 특히, 그라비어 오프셋 인쇄에서, 획선의 코너 부분이나 매트릭스의 교차점에 핀홀 결함을 일으키지 않아, 보다 고정세한 인쇄 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에는, 상기한 바와 같은 공지 관용의 원료 성분 외에, 인산기, 인산염기, 인산에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 관능기를 함유하는 유기 화합물을 더 함유시킬 수 있다.
도전성 페이스트로부터의 도전성 패턴 형성에서, 상기 그라비어 오프셋 인쇄 방법을 채용한 경우, 블랭킷에는, 오목판으로부터의 전사성, 및 피인쇄물에의 전사성이 요구된다. 피인쇄물에의 충분한 전사성을 얻기 위해서는, 블랭킷의 표면에서, 도전성 페이스트 중의 액체 성분을 일정 비율로 흡수할 필요가 있다. 흡수가 불충분하면 피인쇄물에의 전사시에 도전성 페이스트층이 층간 박리를 일으키기 쉽고, 반대로, 일정 비율을 초과해서 흡수하면 블랭킷의 표면에서 도전성 페이스트가 건조되어, 피인쇄물에의 전사 불량을 일으키기 쉽다.
그 중에서도, 베젤 패턴의 인쇄를 목적으로 한 그라비어 오프셋 인쇄를 행함에 있어서, 거기에 적용하는 도전성 페이스트는, 시어 레이트(shear rate) 1s-1에서의 페이스트 점도를 100Pa·s 이하, 또한 동(同) 시어 레이트 100s-1에서의 페이스트 점도를 2.0∼5.0Pa·s로 하는 것이, 상기한 직선성이 우수하여, 단선 등의 결함이 없는 인쇄 패턴을 얻는다는 점에서 바람직하다. 이러한 호적한 페이스트 점도는, 상기한 공지 관용의 원료 성분의 선택만으로도 조정 가능하지만, 인산기, 인산염기, 인산에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 관능기를 함유하는 유기 화합물을 더 병용함으로써, 보다 용이하게 조정할 수 있다. 본 발명에서는, 유기 화합물(B) 및 유기 화합물(C)의 정의에는, 인산기, 인산염기, 인산에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 관능기를 함유하는 유기 화합물은 포함시키지 않는 것으로 한다.
인산기란, -H2PO4로 표시되는 기(P원자는 5가)이며, 인산염기란, -H2PO4에 있어서의 수소 원자 중 적어도 하나가 알칼리 금속 이온이나 알칼리토류 금속 이온에 의해 치환된 염의 형태로 된 기이다. 또한, 인산에스테르기는, -H2PO4에 있어서의 수소 원자 중 적어도 하나가 알킬기나 페닐기에 의해 치환된 기이다. 이하에, 인산기를 함유하는 유기 화합물, 인산염기를 함유하는 유기 화합물, 인산에스테르기를 함유하는 유기 화합물은, 통합해서, 인산기 함유 유기 화합물이라 약기한다.
이러한 인산기를 함유하는 유기 화합물로서는, 예를 들면, 폴리알킬렌글리콜모노인산에스테르, 폴리알킬렌글리콜모노알킬에테르모노인산에스테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시알킬렌인산에스테르, 퍼플루오로알킬설폰아미드폴리옥시알킬렌인산에스테르와 같은 저분자 화합물, 비닐포스폰산, 애시드포스폭시에틸모노(메타)아크릴레이트, 애시드포스폭시프로필모노(메타)아크릴레이트, 애시드포스폭시폴리옥시알킬렌글리콜모노(메타)아크릴레이트의 호모 폴리머 또는 상기 모노머와 그 밖의 코모노머와의 코폴리머와 같은 인산기 함유 폴리머를 고분자 화합물로서 들 수 있다.
또, 상기에는, 구체예로서, 인산기를 함유하는 유기 화합물만을 예시했지만, 인산염기를 함유하는 유기 화합물은, 인산기를 함유하는 유기 화합물에, 알칼리 금속 수산화물이나 알칼리토류 금속 수산화물을 반응시킴으로써, 용이하게 얻을 수 있고, 인산에스테르기를 함유하는 유기 화합물은, 인산염화물기를 함유하는 유기 화합물과 알코올의 탈수 축합에 의해, 역시 용이하게 얻어진다.
인산기 함유 유기 화합물로서는, 동량의 불휘발분 사용량에 있어서의 대비에서, 보다 낮은 점도 및 보다 낮은 체적 저항률을 겸비할 수 있다는 점에서, 인산에스테르기를 함유하는 유기 화합물에 비하면, 인산기를 함유하는 유기 화합물이나 인산염기를 함유하는 유기 화합물 쪽이 바람직하다.
상기한 저분자 화합물로서는, 예를 들면, 치바스페셜티사제 EFKA 시리즈나 다이이치코교세이야쿠사 프라이사프 시리즈에서, 한편, 고분자 화합물로서는, 예를 들면, 빅케미사제 DISPERBYK(등록 상표) 시리즈에서, 각각 선택해서 사용할 수 있다.
상기 고분자 화합물로서는, 수평균 분자량 1,000 이상, 그 중에서도 수평균 분자량 1,000∼10,000의 인산기 함유 폴리머가, 동일 사용량에서는, 상기한 저분자 화합물에 비해서, 도전성을 손상시키지 않고, 도전성 잉크 조성물의 유동성의 개량 효과가 높으므로 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 인산기 함유 유기 화합물의 사용량은, 도전성 금속 입자(A), 유기 화합물(B), 유기 화합물(C) 및 유기 용제(D)의 질량 환산 합계100부당, 0.1∼3부로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트에는, 상술한 성분 이외에도, 필요에 따라, 분산제, 소포제, 박리제, 레벨링제, 가소제 등의 각종 첨가제를 적의(適宜) 적량 배합할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 임의의 방법에 의해, 예를 들면, 플라스틱 필름, 세라믹 필름, 실리콘 웨이퍼, 유리 또는 금속 플레이트 중 어느 하나의 피인쇄물 위에, 도포 또는 인쇄함으로써 인쇄 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 도전성 페이스트의 진가를 여하 없이 발휘할 수 있는 것은, 도전성 패턴을 얻을 때에, 피인쇄물로서, 고온에 노출할 수 없는 PET 필름 혹은 그것을 지지체로 한, ITO 필름과 같은 투명 도전성 필름이다.
본 발명의 도전성 페이스트를 조제함에 있어서는, 인쇄해야 하는 피인쇄물이 플라스틱 필름과 같이 내열성이 뒤떨어지는 경우에는, 유기 화합물(B)의 분해 온도 이상, 도전성 금속 입자(A)의 융점 미만에서 용융하고, 상기 도전성 금속 입자(A)를 피인쇄물에 결착시키는 기능을 갖는, 예를 들면, 유리 프리트(glass frit)와 같은 무기 결착제를 함유시키지 않는 것이 바람직하다. 본 발명의 도전성 페이스트에서는, 오로지 유기 화합물(B) 및 유기 화합물(C)에 의거하여, 도전성 금속 입자(A)를 피인쇄물에 고착시키는 것을 의도하고 있고, 이 무기 결착제를 함유시킴으로써, 도전성 금속 입자(A) 자체의 함유율을 저하시키지 않을 수 없게 되고, 거기에 의거하는 우수한 도전성이 달성하기 어려워짐과 함께, 피인쇄물에의 고착성이 저하하는 것은 바람직하지 않다.
상기한 그라비어 오프셋 인쇄에서 피인쇄물 위에 형성된, 베젤 패턴을 포함하는 미세 배선 패턴에 대응하는 인쇄 패턴을 소성함으로써, 도전성을 갖는 미세 배선 패턴을 얻을 수 있다. 이 소성에 있어서는, 당해 페이스트에 함유되어 있는 유기 용제(D)의 제거와, 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C)의 경화 반응의 발생을 이 순서로 행해도 되고, 이들을 동시에 행해도 된다.
유기 용제(D)의 제거와, 유기 화합물(B)과 유기 화합물(C) 사이, 혹은 그것과, 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리 사이에 있어서의 각 유기 화합물의 조합에서의 경화 반응의 발생에 있어서는, 열원(熱源)에 의한 가열, 제논 플래쉬 램프의 조사(照射), 극초단파의 조사, 근적외선의 조사, 원적외선의 조사 등, 극초단파의 조사 공지 관용의 수단을 채용할 수 있다. 피인쇄물로서, 고온에 노출할 수 없는 PET 필름 혹은 그것을 지지체로 한, ITO 필름과 같은 투명 도전성 필름을 사용하는 경우에는, 상기한 경화 반응이 150℃ 이하에서 일어나도록, 페이스트 원료를 선정하고, 150℃ 이하에서 소성을 행하는 것이 바람직하다.
유기 화합물(B)과 유기 화합물(C) 사이, 혹은, 그것과, 2종 이상의 유기 화합물(C)끼리 사이에 있어서의 각 유기 화합물의 조합에서는, 피인쇄물로서, 유리 등과 같은 내열성이 우수한 피인쇄물을 사용하는 경우에는, 비교적 높은 온도에서의 경화를 행할 수 있기 때문에, 본 발명의 도전성 페이스트로서, 유기 화합물(B)로서의 다관능 에폭시 화합물과 유기 화합물(C)로서의 다관능 에폭시 화합물과, 경화 촉매를 함유하는 열경화성 도전성 페이스트를 사용할 수 있지만, PET 필름과 같은 내열성이 뒤떨어지는 피인쇄물을 사용하는 경우는, 반응이 150℃ 이하, 그 중에서도 100∼140℃에서 일어나는 본 발명의 도전성 페이스트로서, 유기 화합물(B)로서의 수산기를 함유하는 피막 형성성의 열가소성 수지와, 유기 화합물(B), 유기 화합물(C) 중 어느 한쪽 또는 양쪽으로서의 다관능 에폭시 화합물과, 유기 화합물(C)로서의 활성 메틸렌 화합물 또는 피라졸 화합물을 블록제로서 사용한 블록 폴리이소시아네이트 화합물 및 필요에 따라 경화 촉매를 함유하는 열경화성 도전성 페이스트를 사용할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에는, 유기 용제(D)가 함유되어 있지만, 닥터링 공정에서 페이스트가 박막화되어, 그 표면으로부터는 비점 미만이어도 휘발이 진행하고 또한, 다음의 오프 공정에서는, 그라비어판으로부터 전사된 인쇄 패턴 자체로부터 블랭킷이 추가로 당해 유기 용제(D)를 흡수한다는 점에서, 세트 공정에서, 블랭킷으로부터 피인쇄물 위에 전사된 인쇄 패턴 중의 유기 용제(D)는, 닥터링 공정 전의 페이스트 중에 비해서, 그 함유율이 대폭 저감되어 있다. 따라서, 실제로 사용한 도전성 페이스트에 함유된 유기 용제(D)의 비점 이상까지 가열을 행하지 않아도, 당해 유기 용제(D)를 제거하는 것은 가능하다.
이렇게 해서, 본 발명에서 호적한 열경화성 도전성 페이스트를 사용해서 피인쇄물 위에 마련된 인쇄 패턴은, 예를 들면, 100∼140℃에서 30∼5분 가열함으로써 경화 피막이 되고, 도전성 패턴이 되어 도전성을 발현된다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 호적한 도전성 페이스트로부터의 도전성 패턴은, 종래보다 저온이며, 또한 단시간에 형성할 수 있다는 점에서, 본 발명의 호적한 도전성 페이스트의 특징은, 세라믹 필름, 유리 또는 금속 플레이트와 같은 내열성이 높은 피인쇄물보다, 내열성이 보다 낮아 열변형하기 쉬운, 비내열성의 피인쇄물 위에 도전성 패턴을 형성할 때에, 특히 현저하게 발휘된다. 이렇게 해서, 본 발명의 호적한 도전성 페이스트의 경화 피막이 비내열성의 피인쇄물 위에 형성된 도전성 패턴은, 비내열성의 피인쇄물 위에 형성된 도전성 회로로서 호적하게 사용할 수 있다.
이렇게 해서 본 발명의 도전성 페이스트에서, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의해 형성된 베젤 패턴을 포함하는 도전성을 갖는 미세 배선 패턴이 마련된 각종 피인쇄물은, 도전성 회로로서, 필요에 따라 추가로 배선 등을 행함으로써, 각종 전기 부품, 전자 부품으로 할 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트에 의거해서 얻어진 도전성을 갖는 미세 배선 패턴은, 투명 ITO 전극과 같은 투명 도전 필름에의 밀착성도 우수하다.
본 발명의 도전성 페이스트에서, 피인쇄물 위에 형성하는 미세 배선 패턴으로서는, 예를 들면, 전극부와 배선부를 갖고, 터치 패널의 표시 영역의 가장자리부를 따라 형성되는, 이른바 베젤 패턴(1)을 들 수 있다.
베젤 패턴(1)은, 예를 들면, 투명 전극과 접속되는 세선의 집합체이며, 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 소정의 방향으로 뻗은 제1 세선 패턴(2)과, 제1 세선 패턴(2)과 대략 직교하는 방향으로 제1 세선 패턴(2)의 일단부로부터 뻗은 제2 세선 패턴(3)으로 이루어지는 한 쌍의 대략 L자 형상의 배선 패턴(4, 4)을 갖고 있다. 제2 세선 패턴(3)의 선단부에는, 제1 세선 패턴(2)과 반대측으로 뻗은 복수의 세선에 의해 전극 패턴(5)이 형성되어 있고, 한 쌍의 대략 L자 형상의 배선 패턴(4, 4)은, 전극 패턴(5, 5)끼리가 소정의 간격을 두고 대향하며, 또한 제1 세선 패턴(2, 2)끼리가 대략 평행하게 되도록 배치되어 있다. 제1 세선 패턴(2) 및 제2 세선 패턴(3)의 선폭은, 예를 들면, 10㎛∼100㎛로 할 수 있다. 또한, 전극 패턴(5)은, 예를 들면, 폭 200㎛×길이 2000㎛ 정도의 대략 장방 형상의 영역에 형성할 수 있다. 도 1에서는, 수직 방향으로 인쇄가 행해지는 경우에는, 제1 세선 패턴(2, 2)은 Machine Direction(MD) 방향의 세선이 되고, 한편, 거기에 직교하는 방향의 제2 세선 패턴(3, 3)은, Transverse Direction(TD) 방향의 세선이 된다.
본 발명의 도전성 페이스트는, 대략 L자 형상, 대략 역 L자 형상, 이들의 조합 혹은 대략 ロ자 형상과 같은, 2개 이상의 직선 형상의 오목부가 연결되어 형성된 베젤 패턴 뿐만 아니라, 종래의 직선 패턴을 얻는데에도 적용할 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트에 의해, 단순한 직선 패턴의 형성과, 그들의 교차 부분과 같은 복잡 패턴의 형성에서, 성질이 서로 다른 최적의 도전성 페이스트 2개 이상을 준비하고, 이들 페이스트를 인쇄해야 하는 패턴의 복잡함에 따라 달리 사용한다는 수고가 불필요하게 되고, 본 발명의 도전성 페이스트 하나로, 1회의 인쇄에서, 복잡한 베젤 패턴과, 그 이외의 단순한 직선 패턴을 한번에 형성하는 것도 가능해졌다.
최종 제품으로서는, 예를 들면 터치 패널의 취출 전극이나 디스플레이의 취출 전극, 전자 페이퍼, 태양 전지, 그 밖의 배선품 등을 들 수 있다.
[실시예]
이하에, 실시예를 가지고 본 발명을 구체적으로 설명한다. 여기에서, 「%」는, 특별히 언급하지 않는 한 「질량%」이다.
각 원료를 표 1에 기재된 질량부수가 되도록 사용하고, 이들 원료를 충분히 혼합해서, 실시예인 본 발명의 각 도전성 페이스트 및 비교예인 종래의 각 도전성 페이스트를 조제했다.
이들 각 도전성 페이스트에 대해서, 이하의 측정 항목에서, 도전 페이스트 자체의 특성 및 거기에서 얻어지는 도전성 패턴의 특성을 평가했다. 그 평가 결과도 이하의 각 표에 통합해서 나타냈다.
(시어 레이트)
회전식 레오미터(rheometer)를 사용해서, 25℃에서, 각 도전성 페이스트의 1s-1 및 100s-1의 시어 레이트에서의 각 점도를 측정했다.
(인쇄 적성)
실시예 및 비교예의 각 도전성 페이스트를 사용해서, 하기의 방법에 의해 그라비어 오프셋 인쇄를 행하여, 베젤 패턴을 포함하는 도전성 패턴을 각각 작성했다.
홈의 선폭 30㎛이고 홈의 깊이 10㎛의, 도 1의 베젤 패턴에 대응하는 홈이 마련된, 유리제의 평판 형상의 오목판에 각 도전성 페이스트를 닥터 블레이드에 의해 잉킹(inking)한 후에, 실리콘 블랭킷을 권부한 실린더에 압압(押壓), 접촉시켜, 원하는 패턴을 블랭킷 위에 전이시켰다. 그 후, 당해 블랭킷 위의 도막을, 평판 형상의 피인쇄물인, 매엽의 투명 도전성 필름의 ITO막면에 압압, 전사해서 인쇄하여, 선폭 약 30㎛의 인쇄 패턴을 작성했다. 인쇄된 선폭 약 30㎛의 베젤 패턴의 TD 방향에 상당하는 선(도 1에 있어서의 제2 세선 패턴(3, 3))을 현미경 관찰하고, 세선 재현성을 이하의 기준에 따라, 첫회 인쇄 후로서 평가했다. 인쇄를 반복해서, 인쇄 100회(100매) 후에 있어서의 인쇄물에 대해서도, 연속 인쇄 후로서 상기와 마찬가지로 평가했다. 인쇄 5회(5매)마다, 실리콘 블랭킷에 드라이어에 의해 열풍을 송풍하고, 블랭킷에 침투한 유기 용제가 휘산(揮散)한 것을 확인한 후에, 다음의 인쇄를 행하도록 했다.
◎: 선의 직선성이 특히 우수하며, 단선 개소 없음
○: 선의 직선성이 우수하며, 단선 개소 없음
△: 선의 직선성이 뒤떨어지며, 단선 개소 없음
×: 선의 직선성이 뒤떨어지며, 단선 개소 있음
(체적 저항률)
애플리케이터(applicator)를 사용해서 투명 도전성 필름 위(ITO막면)에 도전성 페이스트를 소성 후의 막두께가 4㎛가 되도록 도포하고 125℃에서 30분 소성시켰다. 이 소성 도막을 사용해서, 로레스타 GP MCP-T610(미쓰비시카가쿠(주)제)에 의해 4단자법으로 측정했다. 체적 저항률은, 도전성의 높고 낮음의 척도이다. 또, 실시예 6의 도전성 페이스트에 대해서는, 상기 소성 조건으로는 충분한 체적 저항률이 얻어지지 않았기 때문에, 투명 도전성 필름 대신에 유리판을 사용해서, 도포하고, 180℃에서 30분 소성시킨 후에, 상기와 마찬가지로 평가했다.
○: 5×10-4Ω·㎝ 이하
△: 5∼10×10-4Ω·㎝
×: 10×10-4Ω·㎝ 이상
[표 3]
Figure 112014105478093-pct00003
*1) 도전성 금속 입자(A), 유기 화합물(B)의 불휘발분, 유기 화합물(C)의 불휘발분 및 유기 용제(D)의 합계에 대한 유기 화합물(B)의 불휘발분의 질량 비율(이하, 동일함)
*2) 불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비(R/P)(이하, 동일함)
[표 4]
Figure 112014105478093-pct00004
[표 5]
Figure 112014105478093-pct00005
상기 표에 있어서의 도전성 페이스트의 조제에 사용하는 각 원료의 약칭이 의미하는 바는 이하와 같다.
<도전성 금속 입자>
·AG2-1C: DOWA일렉트로닉스(주)의 평균 입경 D50이 0.8㎛인 은분.
<유기 화합물(B)>
·TEGO(등록 상표) VARIPLUS SK: 에보닉데구사재팬(주)의 케톤-포름알데히드 축합체의 수소 첨가물. 수산기를 함유한다.
·바이론(등록 상표) 200: 토요보세키(주)의 수산기를 함유하는 열가소성 폴리에스테르 수지.
·에스렉크(등록 상표) KS-10: 세키스이카가쿠코교(주)의 수산기를 함유하는 폴리비닐아세탈 수지.
·EPICLON(등록 상표) 5800: DIC(주)의 노볼락형 에폭시 수지.
<유기 화합물(C)>
·TRIXENE BI 7982: 바쿠센덴사의, 블록제가 3,5-디메틸피라졸인 블록 폴리이소시아네이트.
·데나콜(등록 상표) EX-321: 나가세켐텍스(주)의 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르.
·폴리라이트(등록 상표) OD-X-2900: DIC(주)의 평균 분자량 800 이상의 방향족 폴리에스테르폴리올
·EPICLON(등록 상표) 830: DIC(주)의 비스페놀F 디글리시딜에테르형 에폭시 수지
<유기 용제(D)>
·BDGAC: 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트
<인산기 함유 화합물>
·DISPERBYK(등록 상표)-111: 빅케미사의 수평균 분자량 1,000∼10,000의 범위에 있는 인산기 함유 폴리머.
<경화제(경화 촉매)>
·U-CAT SA 102: 산아프로(주)의 DBU-옥틸산염.
·큐아졸(등록 상표) 2E4MZ: 시코쿠카세이코교(주)의 2-에틸-4-메틸이미다졸
표의 실시예 1과 비교예 1∼2의 평가 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명에 있어서의 상기 (B)의 불휘발분을, 상기 (A)∼(D)의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 하는 규정과, 불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 양자의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15로 하는 규정 중, 어느 한쪽이 규정하는 수치 한정의 범위 외인 비교예 1∼2의 도전성 페이스트는, 상기 양쪽 모두가 수치 한정의 범위 내인 실시예 1의 동 도전성 페이스트와 같이, 선의 직선성이 우수하며, 단선 개소가 없는, 베젤 패턴 형상의 도전성 패턴은 얻어지지 않는 것을 알 수 있다.
또한, 표의 실시예 1과 실시예 2의 평가 결과에서 알 수 있듯이, 인산기, 인산염기, 인산에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 관능기를 함유하는 유기 화합물을 함유하며, 시어 레이트 1s-1에서의 점도가 100Pa·s 이하, 또한 시어 레이트 100s-1에서의 점도가 2.0∼5.0Pa·s의 범위에 있는 실시예 2의 도전성 페이스트는, 상기한 인산기 함유 유기 화합물을 함유하지 않고, 시어 레이트 1s-1에서의 점도가 100Pa·s를 초과한 실시예 1의 도전성 페이스트에 비해서, 연속 인쇄 후의 인쇄 적성이 보다 우수한 것을 알 수 있다.
또한, 유기 화합물(B)로서 수산기를 함유하는 열가소성 수지를 사용한 각 실시예의 도전성 페이스트는, 유기 화합물(B)로서 다관능 에폭시 화합물을 사용한 실시예 6의 도전성 페이스트에 비해서, 보다 낮은 온도에서 소성하는 것이 가능하며, 소성에 필요로 하는 에너지를 삭감할 수 있고 또한, 내열성이 뒤떨어지는 플라스틱 필름이나 그것을 지지체로 한 투명 도전성 필름에 대해서도, 직선만인 것 보다 복잡한, 도전성을 갖는 베젤 패턴을 형성할 수 있는 것을 알 수 있다.
본 발명의 블록 폴리이소시아네이트 화합물을 사용한 실시예의 각 도전성 페이스트는, 종래보다, 보다 저온에서 블록제를 해리시킬 수 있다는 점에서, 투명 도전성 필름이나 PET 필름과 같은 비내열성의 피인쇄물 위에서도, 휨 등이 없이 저온 단시간에 경화 피막으로 이루어지는 도전성 패턴을 형성할 수 있고, 얻어진 도전성 패턴은, 도전성, 기재 밀착성에서도 충분히 만족스러운 것이었다.
[산업상의 이용 가능성]
본 발명의 도전성 페이스트는, 각종 전기 부품·전자 부품의 도전성 패턴 형성용으로서 이용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 도전성 금속 입자(A)와, 50℃에서 고체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(B)과, 50℃에서 액체이며 상압에 있어서의 비점이 300℃를 초과하는 유기 화합물(C)과, 상기 (B) 및 (C) 이외의, 상기 (B) 및 (C)와 반응성을 갖지 않는 상압에 있어서의 비점 170∼300℃의 유기 용제(D)를 함유하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 베젤(bezel) 패턴 인쇄용 도전성 페이스트로서,
    상기 (B)의 불휘발분을, 상기 (A)∼(D)의 합계에 대해서, 질량 환산으로 1.0∼3.0%로 하며, 또한,
    불휘발분의 질량 환산으로, 상기 유기 화합물(B)과 상기 유기 화합물(C)의 합계 사용량을 R, 상기 도전성 금속 입자(A)의 사용량을 P로 했을 때의 상기 R과 P의 질량비 R/P를, 0.07∼0.15로 하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 용제(D)가, 블랭킷 팽윤률 5∼20%의 유기 용제인 도전성 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    시어 레이트(shear rate) 1s-1에서의 페이스트 점도를 100Pa·s 이하, 또한 시어 레이트 100s-1에서의 페이스트 점도를 2.0∼5.0Pa·s인 도전성 페이스트.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    인산기, 인산염기, 인산에스테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 관능기를 함유하는 유기 화합물을 더 함유하는 도전성 페이스트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유기 화합물(B)이, 수산기를 함유하는 열가소성 수지를 포함하는 도전성 페이스트.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 유기 화합물(B)이, 수산기를 함유하는 열가소성 수지를 포함하며, 또한, 상기 유기 화합물(C)이, 블록 폴리이소시아네이트 화합물;과, 다관능 에폭시 화합물 및 고분자 폴리올 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 1종 이상;을 포함하는 도전성 페이스트.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    유기 화합물(B)의 분해 온도 이상, 도전성 금속 입자의 융점 미만에서 용융하는, 상기 도전성 금속 입자를 피인쇄물에 결착시키는 무기 결착제를 함유하지 않는 도전성 페이스트.
  8. 페이스트가 충전되는 베젤 패턴을 포함하는 오목부가 마련된 그라비어판(版)과, 페이스트를 그라비어판의 오목부에 충전하는 닥터와, 이 그라비어판의 오목부로부터 페이스트가 전달되는 블랭킷과, 이 블랭킷에 대향시키도록 피인쇄물을 공급하고, 상기 블랭킷을 상기 피인쇄물에 압접시켜서 블랭킷 위의 미세 배선 패턴에 대응하는 패턴을 피인쇄물에 인쇄하고, 이어서 소성을 행하는, 그라비어 오프셋 인쇄법에 의한 도전성 패턴의 형성 방법에서, 상기 페이스트로서, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전성 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    그라비어판이, 베젤 패턴에 대응하는, 선폭 10∼50㎛, 깊이 5∼20㎛의 오목부를 포함하는 그라비어판인 도전성 패턴의 형성 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    피인쇄물에의 인쇄 후에, 유기 용제(D)를 흡수한 블랭킷을 건조시키는 공정을 포함시키는 도전성 패턴의 형성 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    소성을 150℃ 이하에서 행하는 도전성 패턴의 형성 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    피인쇄물이, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 또는 그것을 지지체로 한 투명 도전성 필름인 도전성 패턴의 형성 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 기재된 도전성 페이스트로 형성된 도전성 패턴 인쇄물.
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