KR102112256B1 - 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법 - Google Patents

고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법 Download PDF

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강신길
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Abstract

본 발명은 고유연성 디스플레이용 투명전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기재에 산소 플라즈마 처리 후 IZTO 박막을 증착시켜 접힘 가능한 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제조함에 있어 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 가지도록 하는 스퍼터링의 최적 조건을 제공하기 위한 것으로서, 다수의 제1 대체 기재(10)의 이송속도를 일정하게 유지하고 아르곤:산소의 비율을 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제1 대체 기재(10)에 스퍼터링으로 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 박막(50)을 증착하는 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)와; 다수 투명전극 기판의 특성 측정값을 기초로 하여 아르곤:산소의 최적 비율을 결정하는 가스비율 결정 단계(S200)와; 다수의 제2 대체 기재(20)에 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리 후, 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하고, 상기 제2 대체 기재(20)의 이송속도를 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제2 대체 기재(20)에 스퍼터링으로 IZTO 박막(50)을 증착하는 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)와; 다수 투명전극 기판의 특성 측정값을 기초로 하여 기재의 최적 이송속도를 결정하는 이송속도 결정 단계(S400)와; 메인 기재(30)에 산소 플라즈마 처리 후, 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하는 동시에 기재의 이송속도를 최적 이송속도로 유지하여 상기 메인 기재(30)에 스퍼터링으로 IZTO 박막(50)을 증착하는 고정 스퍼터링 단계(S500)를 포함하여, 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있도록 하는 것이다.

Description

고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법{Method for manufacturing the transparent electrode for display having high flexibility}
본 발명은 고유연성 디스플레이용 투명전극 및 그 제조방법에 관한 것으로서 특히, 기재에 산소 플라즈마 처리 후 IZTO 박막을 증착시켜 접힘 가능한 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제조함에 있어 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 가지도록 하는 스퍼터링의 최적 조건을 제공하기 위한 것으로써, 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 투명전극이란 광 투과성과 전도성을 모두 가진 전극을 의미하는 것으로, 산화 주석, 산화 인듐, 백금, 금 등의 박막을 투명한 기재에 피복한 것이 사용된다.
이러한 투명전극은 디스플레이용으로 개발되고 있는 실정이며, 기재에 ITO 박막을 증착시킨 투명전극과 IZTO 박막을 증착시킨 투명전극이 널리 사용되고 있다.
ITO(Indium Tin Oxide)는 인듐(In)과 주석(Sn)의 3성분계 산화물이며, IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)는 인듐과 주석에 아연(Zn)이 추가된 4성분계 산화물이다.
기재로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 사용하는 ITO 투명전극은 비용이 저렴하다는 이점을 지니고 있어 진공 증착 기술의 발달에 따라 현재 터치스크린 디스플레이 용도로 가장 널리 사용되고 있으나, 휨이나 변형에 취약하다는 단점을 지니고 있다.
예를 들어, 기재로 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 사용하는 ITO 투명전극은 대략 300~400℃의 열처리 공정 중 결정화되기 때문에 접힘 가능한 고유연성 디스플레이 용도로 사용하는 데에는 한계가 있다는 종래 기술상의 문제점이 있었다.
게다가, 기재로 폴리이미드 필름을 사용하는 IZTO 투명전극은 고유연성을 지닐 수는 있지만 IZTO 박막을 증착하는 공정에 수많은 환경 변수가 관여하기 때문에 투과율이나 면 저항을 소망하는 수준까지 얻지 못하여 제품화 하는 데에는 한계가 있는 것이었다.
국내 공개특허공보 제2014-117155호 국내 등록특허공보 제10-1439753호
본 발명은 상기의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 부여할 뿐 아니라 수많은 반복적인 벤딩시험에도 특성의 저감을 최소화 할 수 있는 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제공함으로써 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있도록 하는 고유연성 디스플레이용 투명전극 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
이러한 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법은, 다수의 제1 대체 기재를 준비한 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 타겟으로 하며, 상기 제1 대체 기재의 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 아르곤:산소의 비율을 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제1 대체 기재에 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 박막을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 가스비율 변경 스퍼터링 단계와; 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 아르곤:산소의 최적 비율을 결정하는 가스비율 결정 단계와; 다수의 제2 대체 기재에 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 상기 제2 대체 기재의 이송속도를 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제2 대체 기재에 IZTO 박막을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 이송속도 변경 스퍼터링 단계와; 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 기재의 최적 이송속도를 결정하는 이송속도 결정 단계와; 메인 기재에 산소 플라즈마 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하는 동시에 상기 이송속도 결정 단계에서 결정된 기재의 최적 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하여 상기 메인 기재에 IZTO 박막을 증착하여 투명전극 기판을 형성하는 고정 스퍼터링 단계를 포함함으로써 달성된다.
이때, 상기 고정 스퍼터링 단계 이후, 서로 다른 다수의 메인 기재로부터 형성된 다수의 투명전극 기판에 대하여 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 면 저항, 그리고 반사색도를 측정하며, 측정값이 미리 정해진 기준값 이상인지 판단하는 검증 단계가 추가 구성되는 것이 양호하다.
또한, 상기 제1 대체 기재와 상기 제2 대체 기재 둘 모두는 유리(glass) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 필름이며, 상기 메인 기재는 폴리이미드(polyimid; PI) 필름인 것이 좋다.
게다가, 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계 및 상기 고정 스퍼터링 단계의 산소 플라즈마 처리는 직류 전원(DC) 50W~5kW, 아르곤:산소의 비율 375:150, 기재의 이송속도 1.0m/min에서 실시되어 산소 플라즈마 층을 형성하는 것이 바람직하다.
여기에서, 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계, 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계, 그리고 상기 고정 스퍼터링 단계는, 상기 스퍼터링 장치를 직류전원 펄스 파워(DC Pulse Power) 4~6kW, 직류 전압(VDC) 360~380, 직류 전류(IDC) 13.2~13.8로 설정하고, 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율이 85:11:4~85:9:6 상태에서 스퍼터링이 실시되며; 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계는, 아르곤:산소의 비율을 350:5부터 350:40까지 산소의 비율을 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되며; 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계는, 기재의 이송속도를 0.2m/min부터 0.6m/min까지 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되는 것이 바람직할 것이다.
특히, 상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율은 350:25 내지 350:35이며; 상기 이송속도 결정 단계에서 결정된 기재의 최적 이송속도는 0.2m/min인 것이 가장 바람직할 것이다.
또한, 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극은, 상술한 방법으로 제조되는 것으로써 달성될 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명은 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 부여할 뿐 아니라 수많은 반복적인 벤딩시험에도 특성의 저감을 최소화 할 수 있는 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제공함으로써 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있는 발명인 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법을 도시하는 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 가스비율 변경 스퍼터링 단계를 도시하는 도,
도 3은 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 이송속도 변경 스퍼터링 단계를 도시하는 도,
도 4는 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 고정 스퍼터링 단계를 도시하는 도,
도 5는 본 발명의 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 대한 변형예를 도시하는 순서도.
도 1은 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법을 도시하는 순서도이다.
그리고, 도 2는 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 가스비율 변경 스퍼터링 단계를 도시하는 도이며, 도 3은 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 이송속도 변경 스퍼터링 단계를 도시하는 도이고, 도 4는 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 있어서 고정 스퍼터링 단계를 도시하는 도이다.
또한, 도 5는 본 발명의 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 대한 변형예를 도시하는 순서도이다.
본 발명의 실시예에서 제시되는 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있다. 또한 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경물, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 본 발명에서 제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소들과 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.
어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 또는 "직접 접촉되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 고유연성 디스플레이용 투명전극 및 그 제조방법은 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 부여할 뿐 아니라 수많은 반복적인 벤딩시험에도 특성의 저감을 최소화 할 수 있는 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제공함으로써 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있는 것을 그 기술상의 기본 특징으로 한다.
본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법은 도 1 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 다수의 제1 대체 기재(10)를 준비한 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 타겟으로 하며, 상기 제1 대체 기재(10)의 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 아르곤:산소의 비율을 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제1 대체 기재(10)에 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 박막(50)을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)와; 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 아르곤:산소의 최적 비율을 결정하는 가스비율 결정 단계(S200)와; 다수의 제2 대체 기재(20)에 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계(S200)에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 상기 제2 대체 기재(20)의 이송속도를 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제2 대체 기재(20)에 IZTO 박막(50)을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)와; 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 기재의 최적 이송속도를 결정하는 이송속도 결정 단계(S400)와; 메인 기재(30)에 산소 플라즈마 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계(S200)에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하는 동시에 상기 이송속도 결정 단계(S400)에서 결정된 기재의 최적 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하여 상기 메인 기재(30)에 IZTO 박막(50)을 증착하여 투명전극 기판을 형성하는 고정 스퍼터링 단계(S500)를 포함하는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법은 도 1과 같이 크게 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100), 가스비율 결정 단계(S200), 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300), 이송속도 결정 단계(S400), 그리고 고정 스퍼터링 단계(S500)를 포함하고 있다.
특히, 본 발명에 있어서는 최종적으로 메인 기재(30)에 IZTO 박막을 증착하여 비정질 상태로 고유연성을 지닌, 즉 접힘이 가능한 디스플레이용 투명전극을 제공할 것이다.
하지만, 이와 같은 특성을 제공할 수 있는 메인 기재(30)는 고가이어서, 본 발명에 있어서는 상기 메인 기재(30)와 특성 차이가 비교적 적은 반면 가격이 저렴한 대체 기재를 이용하여 IZTO 박막을 증착하기 위한 최적의 공정 조건을 도출해내고, 이후 이 최적의 조건을 메인 기재(30)에 적용하여 최종적인 디스플레이용 투명전극을 제공하게 될 것이다.
이를 위해, 우선, 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에서는 다수의 제1 대체 기재(10)를 준비하게 된다.
상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에서 준비한 제1 대체 기재(10)는 유리(glass) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 필름이 바람직할 것이며, 두께 50~250㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이 보다 바람직할 것이다.
본 출원인은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 소재로 하여 8개의 제1 대체 기재(10)를 준비하고, 각각 1번부터 8번까지 시편 번호를 부여하였다.
이와 같이 준비한 8개의 제1 대체 기재(10)를 스퍼터링 장치에서 스퍼터링을 실시하여 각각의 제1 대체 기재(10) 상에 IZTO 박막을 증착시켰다.
이때, 스퍼터링 장치의 설정 조건은 다음과 같다.
우선, 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기를 조성하고, 타겟으로는 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 사용하였으며, 여기에서 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율은 적절하게 설정될 수 있으나, 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율은 바람직하게 85:11:4~85:9:6이며, 보다 바람직하게는 85:10:5일 것이다.
그리고, 상기 스퍼터링 장치에 있어서, 직류전원 펄스 파워(DC Pulse Power)는 바람직하게 4~6kW, 보다 바람직하게는 5kW이고, 직류 전압(VDC)은 바람직하게 360~380, 보다 바람직하게는 361~365이며, 직류 전류(IDC)는 바람직하게 13.2~13.8, 보다 바람직하게는 13.7~13.8로 설정되었다.
특히, 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에 있어서는 스퍼터링 시, 상기 제1 대체 기재(10) 각각의 이송속도를 예를 들어 0.5m/min으로 일정하게 유지하지만, 아르곤:산소의 비율을 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제1 대체 기재(10)에 IZTO 박막(50)을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하게 된다.
이때, 아르곤:산소의 비율을 350:5부터 350:40까지 산소의 비율을 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되는 것이 바람직할 것이며, 보다 바람직하게는 아르곤:산소의 비율을 350:5부터 350:40까지 산소의 비율을 5단위로 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되었다.
가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에 있어서 스퍼터링 조건을 정리하면 아래 표 1과 같다.
[표 1]
Figure 112018129094356-pat00001
즉, 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에 있어서 8개의 제1 대체 기재(10)에 대하여 스퍼터링 시 이송속도는 0.5m/min으로 모두 일정하게 유지하지만, 아르곤:산소의 비율은 350:5부터 350:40까지 산소의 비율을 5단위로 증가시키면서 반복적으로 각각 스퍼터링을 실시하였다.
그 결과 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에서는 8개의 제1 대체 기재(10) 각각에 스퍼터링을 실시하여 도 2와 같이 서로 다른 특성을 나타내는 IZTO 박막(50)이 증착된다.
상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100) 이후 가스비율 결정 단계(S200)에서는, 상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 특성을 측정하게 된다.
이러한 투명전극 기판에 있어서 특성의 예로는, 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항 등이 포함될 수 있을 것이다.
여기에서, 기판 제외 투과율은 제1 대체 기재(10)를 제외한 오직 IZTO 박막(50)에 대한 투과율을 의미하는 것으로, 400~700nm 파장 대역의 평균값 또는 550nm 중심파장의 빛을 이용하여 측정될 수 있을 것이다.
그리고, 기판 포함 투과율은 제1 대체 기재(10)를 포함한 전체 투명전극에 대한 투과율을 의미하는 것으로, 이 또한 400~700nm 파장 대역의 평균값 또는 550nm 중심파장의 빛을 이용하여 측정될 수 있을 것이다.
또한, 면 저항은 얇은 막의 저항값을 특징짓는 지표로서, 흔히 박막의 단위 두께당 비저항으로 표시하며, [Ω/□]의 단위로 표시될 수 있을 것이다.
이와 같이 측정된 투명전극의 특성에 있어서, 투과율은 가급적 높을수록, 그리고 면 저항은 가급적 낮을수록 양호한 투명전극 기판으로 판단할 수 있을 것이다.
가스비율 결정 단계(S200)에 있어서 측정된 각 투명전극 기판의 특성인 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 정리하면 아래 표 2와 같다.
[표 2]
Figure 112018129094356-pat00002
이에 따르면, 5번 내지 7번 시편의 투명전극에서 면 저항이 53~59Ω/□로 다른 시편 보다 매우 낮게 나타났으며, 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 제외 투과율은 각각 86.4~86.6 및 87.5~87.7로 비교적 높게 나타나고, 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 포함 투과율 또한 각각 77.2~77.5 및 78.0~78.1로 다른 시편 보다 높게 나타나는 것을 확인하였다.
그 결과, 가스비율 결정 단계(S200)에서는 투명전극의 특성 측정값을 기초로 하여 아르곤:산소의 최적 비율을 결정할 수 있을 것이며, 스퍼터링 시 아르곤:산소의 최적 비율은 350:25 내지 350:35, 보다 바람직하게는 350:30 임을 확인할 수 있었다.
다음으로, 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서는 스퍼터링 시 기재의 이송속도를 다양하게 변경하게 될 것이며, 이러한 기재의 이송속도는 스퍼터링에 의해 증착되는 IZTO 박막(50)의 두께에 영향을 미치게 된다.
즉, 기재의 이송속도가 빠를수록 증착되는 IZTO 박막(50)의 두께는 얇을 것이며, 기재의 이송속도가 느릴수록 증착되는 IZTO 박막(50)의 두께는 두꺼울 것이다.
우선, 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서는 다수의 제2 대체 기재(20)를 준비하게 된다.
여기에서 상기 제2 대체 기재(20)는 앞서 설명한 제1 대체 기재(10)와 동일한 소재로 준비한 투명 필름이지만, 각 단계에 있어 대체 기재의 인용에 혼동을 피하기 위하여 제1 대체 기재(10)와 제2 대체 기재(20)로 구분하여 이하 설명할 뿐이다.
따라서, 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서 준비한 제2 대체 기재(20) 또한 바람직하게는 두께 50~250㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이다.
본 출원인은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 소재로 하여 5개의 제2 대체 기재(20)를 새롭게 준비하고, 각각 1번부터 5번까지 시편 번호를 부여하였다.
이와 같이 준비한 5개의 제2 대체 기재(20)에 대한 스퍼터링에 앞서, 우선적으로 각각의 제2 대체 기재(20)에 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 실시하였다.
이때, 상기 제2 대체 기재(20)에 대한 산소 플라즈마 처리는 직류 전원(DC) 50W~5kW, 아르곤:산소의 비율 375:150, 기재의 이송속도 1.0m/min에서 실시되어 산소 플라즈마 층(40)을 형성하는 것이 바람직할 것이다.
즉, 도 3에 도시한 바와 같이 각각의 제2 대체 기재(20) 상에 산소 플라즈마 층(40)을 형성하게 되며, 그 결과 이후에 증착될 IZTO 박막(50)에 대한 접착력을 크게 증대시키게 된다.
이후, 산소 플라즈마 처리된 5개의 제2 대체 기재(20)를 스퍼터링 장치에서 스퍼터링을 실시하여 각각의 제2 대체 기재(20) 상에 IZTO 박막을 증착시켰다.
이때, 스퍼터링 장치의 설정 조건은 다음과 같다.
우선, 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기를 조성하고, 타겟으로는 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 사용하였으며, 여기에서 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율은 상술한 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)와 동일하게 85:11:4~85:9:6이며, 보다 바람직하게는 85:10:5일 것이다.
그리고, 상기 스퍼터링 장치에 있어서, 직류전원 펄스 파워(DC Pulse Power)는 바람직하게 4~6kW, 보다 바람직하게는 5kW이고, 직류 전압(VDC)은 바람직하게 360~380, 보다 바람직하게는 372~378이며, 직류 전류(IDC)는 바람직하게 13.2~13.8, 보다 바람직하게는 13.2~13.4로 상술한 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100)와 동일하게 설정되었다.
특히, 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에 있어서는 스퍼터링 시, 아르곤:산소의 비율을 상기 가스비율 결정 단계(S200)에 결정된 최적 비율인 350:25 내지 350:35, 보다 바람직하게는 350:30으로 일정하게 유지하지만, 상기 제2 대체 기재(20)의 이송속도를 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제2 대체 기재(20)에 IZTO 박막(50)을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하게 된다.
이때, 상기 제2 대체 기재(20)의 이송속도를 0.2m/min부터 0.6m/min까지 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되는 것이 바람직할 것이며, 보다 바람직하게는 상기 제2 대체 기재(20)의 이송속도를 0.2m/min부터 0.6m/min까지 0.1m/min 단위로 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되었다.
이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에 있어서 스퍼터링 조건을 정리하면 아래 표 3과 같다.
[표 3]
Figure 112018129094356-pat00003
즉, 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에 있어서 5개의 제2 대체 기재(20)에 대하여 스퍼터링 시 아르곤:산소의 비율은 350:30으로 모두 일정하게 유지하지만, 이송속도는 0.2m/min부터 0.6m/min까지 0.1m/min 단위로 증가시키면서 반복적으로 각각 스퍼터링을 실시하였다.
그 결과 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서는 5개의 제2 대체 기재(20) 각각에 스퍼터링을 실시하여 도 3과 같이 서로 다른 특성을 나타내는 IZTO 박막(50)이 증착된다.
상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300) 이후 이송속도 결정 단계(S400)에서는, 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 특성을 측정하게 된다.
이때에도 마찬가지로, 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항 등을 투명전극 기판의 특성으로 하여 측정하였다.
이송속도 결정 단계(S400)에 있어서 측정된 투명전극 기판의 특성인 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 정리하면 아래 표 4와 같다.
[표 4]
Figure 112018129094356-pat00004
이에 따르면, 1번 내지 5번 시편의 투명전극 모두에서 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 제외 투과율은 각각 85.5~97.8 및 85.9~91.5로 고르게 높게 나타나고, 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 포함 투과율 또한 각각 76.5~87.7 및 76.6~81.9로 고르게 높게 나타났으며, 특히 1번 시편의 투명전극에서 면 저항이 22Ω/□로 가장 낮음을 확인하였다.
그 결과, 이송속도 결정 단계(S400)에서는 투명전극의 특성 측정값을 기초로 하여 기재의 최적 이송속도를 결정할 수 있을 것이며, 스퍼터링 시 기재의 최적 이송속도는 0.2m/min 임을 확인할 수 있었다.
다음으로, 고정 스퍼터링 단계(S500)에서는 메인 기재(30)를 준비하게 된다.
상기 고정 스퍼터링 단계(S500)에서 준비한 메인 기재(30)는 폴리이미드(polyimid; PI) 필름인 것이 가장 바람직할 것이다.
이와 같이 준비한 메인 기재(30)에 대한 스퍼터링에 앞서, 우선적으로 메인 기재(30)에 산소 플라즈마 처리를 실시하였으며, 이때, 상기 메인 기재(30)에 대한 산소 플라즈마 처리는 직류 전원(DC) 50W~5kW, 아르곤:산소의 비율 375:150, 기재의 이송속도 1.0m/min에서 실시되어, 상술한 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)와 동일하게 산소 플라즈마 층(40)을 형성하였다.
따라서, 도 4에 도시한 바와 같이 메인 기재(30) 상에 산소 플라즈마 층(40)을 형성하여, 이후에 증착될 IZTO 박막(50)에 대한 접착력을 크게 증대시키게 된다.
이후, 산소 플라즈마 처리된 메인 기재(30)를 스퍼터링 장치에서 스퍼터링을 실시하여 메인 기재(30) 상에 IZTO 박막을 증착시켰다.
이때, 스퍼터링 장치의 설정 조건은 다음과 같다.
우선, 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기를 조성하고, 타겟으로는 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 사용하였으며, 여기에서 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율은 상술한 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100) 및 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)와 동일하게 85:11:4~85:9:6이며, 보다 바람직하게는 85:10:5이다.
그리고, 상기 스퍼터링 장치에 있어서, 직류전원 펄스 파워(DC Pulse Power)는 바람직하게 4~6kW, 보다 바람직하게는 5kW이고, 직류 전압(VDC)은 바람직하게 360~380, 보다 바람직하게는 372~378이며, 직류 전류(IDC)는 바람직하게 13.2~13.8, 보다 바람직하게는 13.2~13.4로 이 또한 상술한 가스비율 변경 스퍼터링 단계(S100) 및 이송속도 변경 스퍼터링 단계(S300)와 동일하게 설정되었다.
특히, 상기 고정 스퍼터링 단계(S500)에 있어서는 스퍼터링 시, 아르곤:산소의 비율을 상기 가스비율 결정 단계(S200)에 결정된 최적 비율인 350:25 내지 350:35, 보다 바람직하게는 350:30으로 일정하게 유지하는 동시에, 상기 이송속도 결정 단계(S400)에서 결정된 기재의 최적 이송속도인 0.2m/min을 일정하게 유지하는 상태에서 상기 메인 기재(30)에 IZTO 박막(50)을 증착하여 투명전극 기판을 형성하게 된다.
즉, 고정 스퍼터링 단계(S500)에 있어서 메인 기재(30)에 대하여 스퍼터링 시 아르곤:산소의 비율은 350:30으로 모두 일정하게 유지하는 동시에 기재의 이송속도를 0.2m/min로 일정하게 유지하는 상태에서 스퍼터링이 실시된다.
그 결과 고정 스퍼터링 단계(S500)에서는 메인 기재(30)에 스퍼터링을 실시하여 도 4와 같이 IZTO 박막(50)이 증착된다.
따라서, 상술한 고정 스퍼터링 단계(S500)를 통해 폴리이미드 필름을 기재로 하여 산소 플라즈마 처리를 실시한 후, 스퍼터링으로 IZTO 박막(50)을 증착시킴으로써, 면 저항은 낮으면서도 투과율이 높은 양질의 투명전극 기판을 제조하는 것이 가능해진다.
이와 같이 메인 기재(30)를 이용하여 제조한 투명전극 기판에 대한 특성 검증을 위해, 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법에 대한 변형예는 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 고정 스퍼터링 단계(S500) 이후, 서로 다른 다수의 메인 기재(30)로부터 형성된 다수의 투명전극 기판에 대하여 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 면 저항, 그리고 반사색도를 측정하며, 측정값이 미리 정해진 기준값 이상인지 판단하는 검증 단계(S600)가 추가 구성될 수 있을 것이다.
상기 검증 단계(S600)를 위해 본 출원인은 두께 50㎛와 30㎛로 시판 중인 5가지 폴리이미드 필름을 메인 기재(30)로 선정하여 시편 A 내지 시편 E를 아래의 표 5와 같이 준비하였다.
[표 5]
Figure 112018129094356-pat00005
이때, 시편 D 및 시편 E는 시편 B 및 시편 C와 각각 두께 및 투과율은 동일하지만, 접착력을 향상시키기 위한 프라이머 코팅 여부에만 차이가 있는 것이다.
이와 같이 준비한 시편 A 내지 시편 E에 대한 스퍼터링에 앞서, 산소 플라즈마 처리를 상술한 고정 스퍼터링 단계(S500)와 동일 조건 하에서 실시하여 산소 플라즈마 층(40)을 형성하고, 스퍼터링 장치에서 스퍼터링을 실시하여 IZTO 박막(50)을 증착시켰다.
이때, 스퍼터링 장치의 설정 조건 또한 상기 고정 스퍼터링 단계(S500)와 모두 동일한 상태 하에서 스퍼터링을 실시하였다.
그 결과, 폴리이미드 필름인 시편 A 내지 시편 E를 기재로 하여 산소 플라즈마 처리를 실시한 후, 스퍼터링으로 IZTO 박막(50)을 증착시킴으로써, 투명전극 기판을 완성시켰다.
이후, 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 면 저항, 그리고 반사색도를 투명전극 기판의 특성으로 하여 측정하고, 이를 정리하면 아래 표 6과 같다.
[표 6]
Figure 112018129094356-pat00006
이에 따르면, 시편 B 내지 시편 E의 투명전극에서 면 저항이 21~24Ω/□로 낮게 나타났으며, 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 제외 투과율은 시편 모두 81.6~87.7 및 85.3~88.9로 고르게 높게 나타나고, 파장 550nm 및 400~700nm의 빛에 대한 기판 포함 투과율 또한 각각 72.2~78.1 및 75.0~77.9로 고르게 높게 나타났다.
그 결과, 30㎛ 두께이고 프라이머가 코팅 되지 않은 시편 C의 폴리이미드 필름에 산소 플라즈마 처리 후, IZTO 박막(50)을 스퍼터링으로 증착시킴으로써 최적의 투명전극 기판을 제조할 수 있음을 확인하였다.
이후, 본 출원인은 시험 전, 면 저항 20.2Ω/□인 시편을 이용하여 접힘 반경 3mm의 5만회 벤딩시험을 실시하여 시험 후의 면 저항 변화율이 2.47% 미만, 즉 20.7Ω/□미만이고, 시편 길이의 신축이 3% 미만인 기준을 모두 만족하는 것도 확인하였으며, 이를 통해 수많은 접힘 벤딩에도 특성 변화가 거의 없는 양질의 비정질 투명전극 기판을 제조하는 것이 가능해진다.
마지막으로, 본 발명에 따른 고유연성 디스플레이용 투명전극은 상술한 방법으로 제조되는 고유연성 디스플레이용 투명전극일 것이다.
따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 고유연성 디스플레이용 투명전극 및 그 제조방법은, 롤 상태로 기재를 공급하여 연속적인 스퍼터링으로 IZTO 박막(50)을 증착을 시킨 후 롤 상태의 투명전극 기판으로 제조하는 롤투롤(roll to roll) 방식으로 연속 제조하는 것이 가능해진다.
게다가, 저온 스퍼터링을 통해 높은 투과율과 낮은 면 저항 특성을 부여할 뿐 아니라 수많은 반복적인 벤딩시험에도 특성의 저감을 최소화 할 수 있는 고유연성 디스플레이용 투명전극을 제공함으로써, 접힘 가능한 비정질 디스플레이용 투명전극에 대한 상품성 및 시장 경쟁력을 극대화시킬 수 있다는 탁월한 이점을 지닌 발명인 것이다.
상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명의 범위는 상기의 도면이나 실시예에 한정되지 않는다.
10 : 제1 대체 기재 20 : 제2 대체 기재
30 : 메인 기재 40 : 산소 플라즈마 층
50 : IZTO 박막 S100 : 가스비율 변경 스퍼터링 단계
S200 : 가스비율 결정 단계 S300 : 이송속도 변경 스퍼터링 단계
S400 : 이송속도 결정 단계 S500 : 고정 스퍼터링 단계
S600 : 검증 단계

Claims (7)

  1. 다수의 제1 대체 기재를 준비한 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤(Ar)과 함께 반응성 가스로 산소(O2)를 포함하는 분위기에서 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn)을 타겟으로 하며, 상기 제1 대체 기재의 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 아르곤:산소의 비율을 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제1 대체 기재에 IZTO(Indium Zinc Tin Oxide) 박막을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 가스비율 변경 스퍼터링 단계와;
    상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 아르곤:산소의 최적 비율을 결정하는 가스비율 결정 단계와;
    다수의 제2 대체 기재에 산소 플라즈마(O2 plasma) 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하되, 상기 제2 대체 기재의 이송속도를 반복적으로 변경시키면서 각각의 상기 제2 대체 기재에 IZTO 박막을 증착하여 다수의 투명전극 기판을 형성하는 이송속도 변경 스퍼터링 단계와;
    상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계에서 얻은 다수의 투명전극 기판에 대하여 각각 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 그리고 면 저항을 측정하며, 측정값을 기초로 하여 기재의 최적 이송속도를 결정하는 이송속도 결정 단계와;
    메인 기재에 산소 플라즈마 처리를 실시하여 접착력을 증대시킨 후, 스퍼터링 장치에 있어서 아르곤과 함께 반응성 가스로 산소를 포함하는 분위기에서 인듐, 아연, 주석을 타겟으로 하며, 상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율을 일정하게 유지하는 동시에 상기 이송속도 결정 단계에서 결정된 기재의 최적 이송속도를 일정하게 유지하여 스퍼터링을 실시하여 상기 메인 기재에 IZTO 박막을 증착하여 투명전극 기판을 형성하는 고정 스퍼터링 단계를 포함하되;
    상기 고정 스퍼터링 단계 이후, 서로 다른 다수의 메인 기재로부터 형성된 다수의 투명전극 기판에 대하여 기판 제외 투과율, 기판 포함 투과율, 면 저항, 그리고 반사색도를 측정하며, 측정값이 미리 정해진 기준값 이상인지 판단하는 검증 단계가 추가 구성되며;
    상기 제1 대체 기재와 상기 제2 대체 기재 둘 모두는 유리(glass) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate; PET) 필름이며, 상기 메인 기재는 폴리이미드(polyimid; PI) 필름이고;
    상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계 및 상기 고정 스퍼터링 단계의 산소 플라즈마 처리는 직류 전원(DC) 50W~5kW, 아르곤:산소의 비율 375:150, 기재의 이송속도 1.0m/min에서 실시되어 산소 플라즈마 층을 형성하며;
    상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계, 상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계, 그리고 상기 고정 스퍼터링 단계는, 상기 스퍼터링 장치를 직류전원 펄스 파워(DC Pulse Power) 4~6kW, 직류 전압(VDC) 360~380, 직류 전류(IDC) 13.2~13.8로 설정하고, 타겟의 인듐:아연:주석 함량(at%) 조성비율이 85:11:4~85:9:6 상태에서 스퍼터링이 실시되며;
    상기 가스비율 변경 스퍼터링 단계는, 아르곤:산소의 비율을 350:5부터 350:40까지 산소의 비율을 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되며;
    상기 이송속도 변경 스퍼터링 단계는, 기재의 이송속도를 0.2m/min부터 0.6m/min까지 점차적으로 증가시키면서 반복적으로 스퍼터링이 실시되고;
    상기 가스비율 결정 단계에서 결정된 아르곤:산소의 최적 비율은 350:25 내지 350:35이며;
    상기 이송속도 결정 단계에서 결정된 기재의 최적 이송속도는 0.2m/min인 것을 특징으로 하는 고유연성 디스플레이용 투명전극 제조방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07272852A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20120097580A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 재단법인 구미전자정보기술원 Ｉｚｔｏ계 투명 박막 트랜지스터
KR101439753B1 (ko) 2013-03-19 2014-09-16 경희대학교 산학협력단 유연성을 가지는 비정질 투명 전극 소자
KR20140117155A (ko) 2013-03-26 2014-10-07 한국산업기술대학교산학협력단 산화물 기반의 고 유연성 투명전극
KR20150048944A (ko) * 2013-10-28 2015-05-11 도레이첨단소재 주식회사 유연성 투명전극 및 그 제조방법
KR20150096875A (ko) * 2014-02-17 2015-08-26 엔젯 주식회사 투명전극 제조시스템 및 이를 이용한 투명전극 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07272852A (ja) * 1994-03-31 1995-10-20 Nippondenso Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20120097580A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 재단법인 구미전자정보기술원 Ｉｚｔｏ계 투명 박막 트랜지스터
KR101439753B1 (ko) 2013-03-19 2014-09-16 경희대학교 산학협력단 유연성을 가지는 비정질 투명 전극 소자
KR20140117155A (ko) 2013-03-26 2014-10-07 한국산업기술대학교산학협력단 산화물 기반의 고 유연성 투명전극
KR20150048944A (ko) * 2013-10-28 2015-05-11 도레이첨단소재 주식회사 유연성 투명전극 및 그 제조방법
KR20150096875A (ko) * 2014-02-17 2015-08-26 엔젯 주식회사 투명전극 제조시스템 및 이를 이용한 투명전극 제조방법

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