KR102107301B1 - 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

청징관 내를 흐르는 용융 유리를 균일하게 교반하는 효과가 높은 유리 기판의 제조 방법을 제공한다. 유리 기판의 제조 방법은, 유리 원료를 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 공정과, 청징관 내에서 상기 용융 유리의 청징을 행하는 청징 공정을 구비한다. 상기 청징 공정에서는, 상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 액면의 상방에 기상 공간이 형성되도록 상기 용융 유리를 흘리면서 청징을 행하고, 상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 배치된 판 부재의 쌍을 사용하여, 상기 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해한다. 상기 판 부재는, 상기 용융 유리의 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되어 있다. 상기 쌍 중, 상기 액면에 가장 접근하여 배치된 제1 판 부재의 상단부와 상기 액면의 제1 거리는, 상기 청징관의 내벽의 저부에 가장 접근하여 배치된 제2 판 부재의 하단부와 상기 저부의 제2 거리보다도 짧다.

Description

유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치{METHOD FOR MANUFACTURING GLASS SUBSTRATE AND GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 관한 것이다.
유리 기판은, 일반적으로, 유리 원료로부터 용융 유리를 생성시킨 후, 용융 유리를 유리 기판으로 성형하는 공정을 거쳐 제조된다. 상기의 공정 중에는, 용융 유리가 내포하는 미소한 기포를 제거하는 공정(이하, 청징이라고도 함)이 포함된다. 청징은, 청징관의 본체를 가열하면서, 이 청징관 본체에 청징제를 배합시킨 용융 유리를 통과시켜, 청징제의 산화 환원 반응에 의해 용융 유리 중의 기포가 제거됨으로써 행해진다. 보다 구체적으로는, 개략 용해된 용융 유리의 온도를 더 올려 청징제를 기능시켜 기포를 부상 탈포시킨 후, 온도를 내림으로써, 다 탈포되지 않고 남은 비교적 작은 기포는 용융 유리에 흡수시키도록 하고 있다. 즉, 청징은, 기포를 부상 탈포시키는 처리(이하, 탈포 처리 또는 탈포 공정이라고도 함) 및 소 기포를 용융 유리에 흡수시키는 처리(이하, 흡수 처리 또는 흡수 공정이라고도 함)를 포함한다. 이 때문에, 청징 공정에서는, 기포의 부상 탈포를 행하기 위한 기상 공간이 청징관 내에 형성된다. 기상 공간은, 용융 유리의 액면과, 청징관의 내벽 사이에 형성되도록 용융 유리를 청징관 내에 흘림으로써 형성된다.
청징 공정에서는, 청징관 내의 용융 유리의 균질성을 높이기 위해, 교반 수단을 청징관 내에 설치하고, 용융 유리를 교반하는 것을 행하는 경우가 있다. 예를 들어, 교반 수단으로서, 청징관 내에, 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 설치된 판 부재를 사용하여, 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하는 것이 행해지는 경우가 있다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2017-065973호 공보
청징 공정에 있어서는, 청징관을 통과하는 용융 유리의 속도는, 벽면 저항이 있기 때문에, 액면 부근의 쪽이 청징관의 내벽의 근방보다도 빨라진다. 한편, 청징관 내에서는, 실리카 등을 많이 포함하는 비중이 작은 용융 유리가 액면 부근의 상층 영역을 흘러, 청징관의 저부 부근의 하층 영역을 흐르는 용융 유리보다 빠르게 흐르는 경향이 있다. 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 흐르는 속도가 상이하면, 상기 판 부재를 사용하여 용융 유리를 교반해도, 용융 유리가 균질하게 교반되기 어려워, 청징이 불충분해질 우려가 있다. 청징이 불충분하면, 용융 유리에 기포가 남아 유리 품질이 저하될 우려가 있다.
본 발명은 청징관 내를 흐르는 용융 유리를 균일하게 교반하는 효과가 높은 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 하기 (1)∼(7)의 형태의 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치를 포함한다.
(1) 유리 기판의 제조 방법으로서,
유리 원료를 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 공정과,
청징관 내에서 상기 용융 유리의 청징을 행하는 청징 공정을 구비하고,
상기 청징 공정에서는, 상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 액면의 상방에 기상 공간이 형성되도록 상기 용융 유리를 흘리면서 청징을 행하고,
상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 배치된 판 부재의 쌍을 사용하여, 상기 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하고,
상기 판 부재는, 상기 용융 유리의 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되고,
상기 쌍 중, 상기 액면에 가장 접근하여 배치된 제1 판 부재의 상단부와 상기 액면의 제1 거리는, 상기 청징관의 내벽의 저부에 가장 접근하여 배치된 제2 판 부재의 하단부와 상기 저부의 제2 거리보다도 짧은 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.
(2) 상기 청징 공정에서는, 상기 흐름 방향을 따라서 상기 용융 유리의 온도 분포가 형성되도록 상기 용융 유리의 가열을 행하고,
상기 용융 유리의 온도가 제1 온도인 제1 흐름 방향 위치에서는, 상기 용융 유리의 온도가, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 제2 흐름 방향 위치와 비교하여, 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리가 짧은, 상기 (1)에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
(3) 상기 청징 공정에서는, 상기 흐름 방향을 따라서 상기 용융 유리의 온도 분포가 형성되도록 상기 용융 유리의 가열을 행하고,
상기 흐름 방향을 따라서 인접하는 상기 판 부재의 간격은, 상기 용융 유리의 온도가 제1 온도인 제1 흐름 방향 위치에 있어서, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 제2 흐름 방향 위치보다도 좁게 되어 있는, 상기 (1) 또는 상기 (2)에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
(4) 상기 제1 판 부재의 상기 저부의 측의 단부의 높이 위치는, 상기 제2 판 부재의 상기 액면의 측의 단부의 높이 위치보다 낮은, 상기 (1) 내지 상기 (3) 중 어느 하나에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
(5) 상기 청징 공정에서는, 상기 액면의 높이를 변동시키면서 상기 용융 유리를 흘리고,
상기 제2 거리는, 상기 액면의 높이가 최고 위치에 있을 때의 상기 제1 거리보다도 큰, 상기 (1) 내지 상기 (4) 중 어느 하나에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
(6) 상기 청징관 내에, 상기 저부와 간격을 두지 않고 배치되는 판 부재는 설치되어 있지 않은, 상기 (1) 내지 상기 (5) 중 어느 하나에 기재된 유리 기판의 제조 방법.
(7) 유리 기판 제조 장치로서,
유리 원료를 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 장치와,
상기 용융 유리의 청징이 행해지는 청징관을 갖는 청징 장치를 구비하고,
상기 청징관 내에서는, 상기 용융 유리의 액면의 상방에 기상 공간이 형성되도록 상기 용융 유리가 흐르면서 청징이 행해지고,
상기 청징관은, 상기 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 배치되어, 상기 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하는 판 부재의 복수의 쌍을 갖고,
상기 쌍의 각각을 이루는 2개의 판 부재는, 상기 용융 유리의 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되고,
상기 쌍의 각각 중, 상기 액면에 가장 접근하여 배치된 제1 판 부재와 상기 액면의 제1 거리는, 상기 청징관 내벽의 저부에 가장 접근하여 배치된 제2 판 부재와 상기 저부의 제2 거리보다도 짧은 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.
본 발명에 따르면, 청징관 내를 흐르는 용융 유리를 균일하게 교반하는 효과가 높다.
도 1은 본 실시 형태의 제조 방법의 플로우를 도시하는 도면.
도 2는 유리 기판 제조 장치의 개략도.
도 3은 도 2에 도시한 청징관의 개략도.
도 4는 청징관의 긴 변 방향에 있어서의 연직 단면도.
이하, 본 발명의 유리 기판 제조 방법 및 유리 기판 제조 장치에 대하여 설명한다.
(유리 기판의 제조 방법의 전체 개요)
도 1은 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법의 공정의 일례를 도시하는 도면이다. 유리 기판의 제조 방법은, 용해 공정(ST1), 청징 공정(ST2), 균질화 공정(ST3), 공급 공정(ST4), 성형 공정(ST5), 서랭 공정(ST6), 및, 절단 공정(ST7)을 주로 갖는다. 이 밖에, 연삭 공정, 연마 공정, 세정 공정, 검사 공정, 곤포 공정 등을 가져도 된다. 제조된 유리 기판은, 필요에 따라서 곤포 공정에서 적층되어, 납입처의 업자에게 반송된다.
용해 공정(ST1)에서는, 유리 원료를 가열함으로써 용융 유리를 만든다.
청징 공정(ST2)에서는, 용융 유리가 승온됨으로써, 용융 유리 중에 포함되는 산소, CO2 혹은 SO2를 포함한 기포가 발생한다. 이 기포가 용융 유리 중에 포함되는 청징제(산화주석 등)의 환원 반응에 의해 발생한 산소를 흡수하여 성장하고, 용융 유리의 액면에 부상하여 방출된다. 그 후, 청징 공정에서는, 용융 유리의 온도를 저하시킴으로써, 청징제의 환원 반응에 의해 얻어진 환원 물질이 산화 반응을 한다. 이에 의해, 용융 유리에 잔존하는 기포 중의 산소 등의 가스 성분이 용융 유리 중에 재흡수되어, 기포가 소멸된다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은, 용융 유리의 온도를 제어함으로써 행해진다. 청징 공정(ST2)은 용융 유리를 청징관(120) 내에 흘리면서 행해진다.
또한, 청징 공정은, 용융 유리에 존재하는 기포를 감압 분위기에서 성장시켜 탈포시키는 감압 탈포 방식을 사용할 수도 있다. 감압 탈포 방식은, 청징제를 사용하지 않는 점에서 유효하다. 그러나, 감압 탈포 방식은 장치가 복잡화 및 대형화된다. 이 때문에, 청징제를 사용하여, 용융 유리 온도를 상승시키는 청징 방법을 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 청징 공정(ST2)에서는, 후술하는 판 부재의 쌍을 사용하여 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하여, 용융 유리를 교반한다. 청징관(120) 내를 흐르는 용융 유리의 체류 시간을 길게 하여, 용융 유리가 탈포되는 시간을 충분히 확보함으로써, 유리 품질을 높이고, 수율을 올릴 수 있다. 또한, 이와 같은 교반을 행함으로써, 용융 유리에 혼입된 이질 소지의 용융 유리에의 용해나, 용융 유리 내의 조성 불균일의 균일화가 촉진된다. 또한, 판 부재의 쌍, 및 판 부재의 쌍을 사용한 청징 공정(ST2)의 상세에 대하여 후술한다.
균질화 공정(ST3)에서는, 교반기를 사용하여 용융 유리를 교반함으로써, 유리 성분의 균질화를 행한다. 이에 의해, 맥리 등의 원인인 유리의 조성 불균일을 저감할 수 있다. 균질화 공정은, 후술하는 교반조에 있어서 행해진다.
공급 공정(ST4)에서는, 교반된 용융 유리가 성형 장치에 공급된다.
성형 공정(ST5) 및 서랭 공정(ST6)은 성형 장치에서 행해진다.
성형 공정(ST5)에서는, 용융 유리를 시트 유리로 성형하고, 시트 유리의 흐름을 만든다. 성형에는 오버플로우 다운드로우법이 사용된다.
서랭 공정(ST6)에서는, 성형되어 흐르는 시트 유리가 원하는 두께로 되고, 내부 왜곡이 발생하지 않도록, 또한, 휨이 발생하지 않도록 냉각된다.
절단 공정(ST7)에서는, 서랭 후의 시트 유리를 소정의 길이로 절단함으로써, 판상의 유리 기판을 얻는다. 절단된 유리 기판은, 또한, 소정의 크기로 절단되어, 목표 사이즈의 유리 기판이 만들어진다.
도 2는 본 실시 형태에 있어서의 용해 공정(ST1)∼절단 공정(ST7)을 행하는 유리 기판 제조 장치의 개략도이다. 유리 기판 제조 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 주로 용해 장치(100)와, 성형 장치(200)와, 절단 장치(300)를 갖는다. 용해 장치(100)는 용해조(101)와, 청징관(120)과, 교반조(103)와, 이송관(104, 105)과, 유리 공급관(106)을 갖는다.
도 2에 도시한 용해조(101)에는, 도시되지 않은 버너 등의 가열 수단이 설치되어 있다. 용해조에는 청징제가 첨가된 유리 원료가 투입되어, 용해 공정(ST1)이 행해진다. 용해조(101)에서 용융된 용융 유리는, 고온(예를 들어 1300℃ 이상)으로 유지된 상태에서, 이송관(104)을 통해 청징관(120)에 공급된다. 고온으로 유지된 용융 유리를 청징관(120)에 공급함으로써, 용융 유리의 점도를 낮게 유지하여, 청징관(120) 내를 흐르는 용융 유리의 유동성을 높일 수 있다.
청징관(120)에서는, 용융 유리 MG의 온도를 조정하여, 청징제의 산화 환원 반응을 이용하여 용융 유리의 청징 공정(ST2)이 행해진다. 구체적으로는, 청징관(120) 내의 용융 유리가 승온됨으로써, 용융 유리 중에 포함되는 산소, CO2 혹은 SO2를 포함한 기포가, 청징제의 환원 반응에 의해 발생한 산소를 흡수하여 성장하고, 용융 유리의 액면에 부상하여 기상 공간으로 방출된다. 기상 공간은, 용융 유리의 액면과, 청징관의 내벽 사이에 형성되도록 용융 유리를 청징관 내에 흘림으로써 형성된다. 그 후, 용융 유리의 온도를 저하시킴으로써, 청징제의 환원 반응에 의해 얻어진 환원 물질이 산화 반응을 한다. 이에 의해, 용융 유리에 잔존하는 기포 중의 산소 등의 가스 성분이 용융 유리 중에 재흡수되어, 기포가 소멸된다. 청징 후의 용융 유리는, 이송관(105)을 통해 교반조(103)에 공급된다.
교반조(103)에서는, 교반자(103a)에 의해 용융 유리가 교반되어 균질화 공정(ST3)이 행해진다. 교반조(103)에서 균질화된 용융 유리는, 유리 공급관(106)을 통해 성형 장치(200)에 공급된다(공급 공정 ST4).
성형 장치(200)에서는, 오버플로우 다운드로우법에 의해, 용융 유리로부터 시트 유리 SG가 성형되고(성형 공정 ST5), 서랭된다(서랭 공정 ST6).
절단 장치(300)에서는, 시트 유리 SG로부터 잘라내진 판상의 유리 기판이 형성된다(절단 공정 ST7).
(청징관의 구성 및 청징 공정)
다음에, 도 3, 도 4를 참조하여, 청징관(120)의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태의 청징관(120)의 구성을 도시하는 개략 사시도이고, 도 4는 청징관(120)의 긴 변 방향에 있어서의 연직 단면도이다.
도 3, 도 4에 도시한 바와 같이, 청징관(120)의 긴 변 방향의 양단 및 그 사이의 위치의 외주면에는, 전극(121a, 121b, 121c)이 설치되어 있고, 청징관(120)의 기상 공간(120a)(도 4 참조)과 접하는 벽에는, 도시되지 않은 배기관이 설치되어 있다.
청징관(120)의 본체, 전극(121a, 121b, 121c) 및 배기관은, 백금족 금속을 포함하고 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「백금족 금속」은, 백금족 원소를 포함하는 금속을 의미하고, 단일의 백금족 원소를 포함하는 금속뿐만 아니라 백금족 원소의 합금을 포함하는 용어로서 사용한다. 여기서, 백금족 원소란, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir)의 6원소를 가리킨다. 백금족 금속은 고가이기는 하지만, 융점이 높고, 용융 유리에 대한 내식성도 우수하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 청징관(120)이 백금족 금속을 포함하고 있는 경우를 구체예로서 설명하지만, 청징관(120)의 일부가, 내화물이나 다른 금속 등을 포함하고 있어도 된다.
전극(121a, 121b, 121c)은 전원 장치(122)에 접속되어 있다. 전극(121a, 121b) 사이, 및 전극(121b, 121c) 사이의 각각에 전압이 인가됨으로써, 전극(121a, 121b) 사이, 및 전극(121b, 121c) 사이의 청징관(120)의 각 부분에 전류가 흘러, 청징관(120)이 통전 가열된다.
전극(121a, 121b) 사이에서는, 탈포 처리가 촉진되는 온도로 가열된다. 구체적으로는, 청징관(120)의 본체의 최고 온도가 예를 들어, 1600℃∼1750℃, 보다 바람직하게는 1630℃∼1750℃로 되도록 가열되고, 이송관(104)으로부터 공급된 용융 유리의 최고 온도는, 탈포에 적합한 온도, 예를 들어 1600℃∼1720℃, 보다 바람직하게는 1620℃∼1720℃로 가열된다.
전극(121b, 121c) 사이에서는, 흡수 처리가 촉진되는 온도로 가열된다. 구체적으로는, 청징관(102)의 최고 온도가 예를 들어, 1590℃∼1670℃, 보다 바람직하게는 1620℃∼1670℃로 되도록 가열되고, 청징관(102) 내를 흐르는 용융 유리의 최고 온도는, 흡수에 적합한 온도 1590℃∼1640℃, 보다 바람직하게는 1610℃∼1640℃로 가열된다.
또한, 통전 가열에 의해 용융 유리의 온도를 제어함으로써, 용융 유리의 점도를 조절하고, 이에 의해 청징관(120)을 통과하는 용융 유리의 유속을 조절할 수 있다.
또한, 전극(121a, 121b, 121c)에는, 도시하지 않은 온도 계측 장치(열전대 등)가 설치되어 있어도 된다. 온도 계측 장치는 전극(121a, 121b, 121c)의 온도를 계측하고, 계측한 결과를, 제어 장치(123)에 출력한다.
제어 장치(123)는 전원 장치(122)가 청징관(120)에 통전시키는 전류량을 제어하고, 이에 의해 청징관(120)을 통과하는 용융 유리의 온도 및 유속을 제어한다. 제어 장치(123)는 CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터이다.
배기관은 기상 공간(120a)의 상부에 설치되어 있다. 배기관은, 기상 공간(120a)(도 4 참조)과, 청징관(120)의 외부 공간을 연통하고 있다. 배기관은, 청징관(120)에 있어서의 용융 유리의 흐름 방향의 전극(121a)과 전극(121b) 사이, 혹은, 전극(121b)과 전극(121c) 사이의 위치에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
청징관(120) 내에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)를 포함하는 판 부재의 쌍(126)이 용융 유리의 흐름 방향(도 4에 있어서 좌측 방향으로부터 우측 방향을 향하는 방향, 즉, 도 4에 도시한 청징관(120)의 길이 방향)으로 간격을 두고 배치되어 있다. 판 부재의 쌍(126)은, 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되어 있다. 판 부재의 쌍(126)은 청징관(120) 내에, 적어도 1쌍 배치되어 있으면 되고, 도 4에 도시한 예에서는 복수 쌍이 배치되어 있고, 청징관(120) 내에 배치되는 판 부재 모두가 판 부재의 쌍(126)을 포함하고 있다. 도 4에 도시한 예에서는, 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)는, 용융 유리의 흐름 방향으로 인접하도록, 교대로 배치되어 있다. 판 부재의 쌍(126)은, 후술하는 용융 유리를 균일하게 교반하는 효과를 청징관(102)의 길이에 의하지 않고 확보하는 관점에서, 청징관(120)의 길이의 10∼40%의 길이의 구간마다 1쌍 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 청징관(120) 내에 배치되는 판 부재의 쌍(126)의 수는, 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들어 4∼10쌍이다. 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)는, 예를 들어 백금족 금속을 포함한다.
용융 유리의 깊이 방향을 따른 제1 판 부재(124)의 배치 범위는, 깊이 방향을 따른 제2 판 부재(125)의 배치 범위와 상이하다. 구체적으로, 제1 판 부재(124)는 용융 유리의 액면 S에 가장 접근하여 배치된다. 제2 판 부재(125)는 청징관(120)의 내벽의 저부(청징관(120)의 내벽의 최하부)에 가장 접근하여 배치된다. 도 4에 도시한 예에서는, 용융 유리의 깊이 방향을 따른 제1 판 부재(124)의 길이는, 제2 판 부재(125)의 길이보다 짧고, 예를 들어 제2 판 부재의 길이의 0.5배∼1배 미만이다.
제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)는, 도 4에 도시한 예와 같이, 청징관(120)의 길이 방향과 수직인 방향으로 연장되어 있는 것이 바람직하다.
제1 판 부재(124)의 상단부와 액면 S의 거리 L1(제1 거리)은, 제2 판 부재(125)의 하단부와 저부의 거리 L2(제2 거리)보다도 짧다. 청징관 내에서는, 일반적으로, 용융 유리의 깊이 영역 중 액면 부근의 상층 영역에서는 용융 유리가 빠르게 흐르는 한편, 청징관의 저부 부근의 하층 영역에서는, 벽면 저항에 의해 용융 유리가 느리게 흐른다. 이 때문에, 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 유속에 차가 발생하여, 용융 유리가 균질하게 교반되기 어려워, 청징이 불충분해질 우려가 있다. 본 실시 형태에서는, 거리 L1 및 거리 L2가 상기 관계를 만족시키도록, 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)가 배치되어 있음으로써, 상층 영역과 하층 영역에서의 용융 유리의 유속의 차를 작게 하여, 용융 유리가 균질해지도록 교반할 수 있다. 이에 의해, 용융 유리의 청징이 충분히 행해져, 유리 품질의 저하가 억제된다.
거리 L1이, 거리 L2와 동일하거나, 혹은 거리 L2보다 길면, 상층 영역을 흐르는 용융 유리의 유속을 저하시키기 어려워, 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 속도차를 작게 하는 것이 곤란하다. 또한, 거리 L2가 거리 L1보다 짧으면, 예를 들어 용해조로부터 용출된 지르코니아 등을 많이 포함한, 비중이 큰 성분이 청징관(120)의 저부에 고이기 쉬워지고, 이것에 기인하여 유리 기판에 맥리가 발생할 우려가 있다.
또한, 거리 L1은 0㎜보다 길다. 거리 L1이 0㎜이면, 즉, 제1 판 부재(124)의 상단부가, 액면 S와 동일한 높이, 혹은 액면 S를 초과하여 배치되어 있으면, 상단부의 백금족 금속이 산화되어 휘발되고, 또한 휘발된 백금족 금속이 환원되어 석출되고, 석출물이 용융 유리 내에 혼입된다는 문제가 발생하기 쉽다. 이 때문에, 용융 유리의 액면이 후술하는 바와 같이 변동되는 경우는, 액면이 가장 낮은 위치로 될 때에 거리 L1이 0㎜보다 길어지도록 설정된다.
거리 L1 및 거리 L2의 비 L1/L2는, 상층 영역과 하층 영역의 용융 유리의 속도차를 작게 하는 효과를 높이는 관점에서, 0.2∼0.8인 것이 바람직하다. 또한, 거리 L1은, 상층 영역의 용융 유리의 유속을 작게 하는 관점에서, 청징관(120) 내에서 액상을 형성하는 용융 유리의 깊이 방향의 영역 중 최상층 20%의 영역에 상당하는 길이보다 짧은 것이 바람직하다. 거리 L2는, 하층 영역을 흐르는 용융 유리의 유속을 크게 하는 관점에서, 용융 유리의 깊이 영역 중 최하층 20%의 영역에 상당하는 길이보다 긴 것이 바람직하고, 용융 유리 전체가 균일하게 교반되도록, 최하층 40%의 영역에 상당하는 길이보다 짧은 것이 바람직하다. 또한, 상층 영역이란, 액면으로부터, 용융 유리의 깊이 방향으로, 예를 들어 용융 유리의 깊이의 40%의 영역을 의미한다. 하층 영역이란, 청징관(120)의 저부로부터, 용융 유리의 깊이 방향으로, 예를 들어 용융 유리의 깊이의 40%의 영역을 의미한다.
청징 공정(ST2)에 있어서, 청징관(120)의 본체가, 전극(121a, 121b) 사이와, 전극(121b, 121c) 사이에서 상이한 온도로 가열되면, 흐름 방향을 따라서 용융 유리의 온도 분포가 형성된다. 이 경우, 용융 유리의 온도가 제1 온도인 제1 흐름 방향 위치에서는, 용융 유리의 온도가, 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 제2 흐름 방향 위치와 비교하여, 거리 L1 및 거리 L2가 각각 짧은 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 용융 유리의 흐름 방향을 따른 위치에 있어서, 용융 유리의 온도가 높은 위치일수록, 거리 L1 및 거리 L2가 짧은 것이 바람직하다. 예를 들어, 전극(121a, 121b) 사이에서는, 전극(121b, 121c) 사이와 비교하여, 거리 L1 및 거리 L2가 각각 짧은 것이 바람직하다. 용융 유리의 온도가 높은 흐름 방향 위치에서는, 용융 유리의 점도가 작기 때문에, 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 속도차가 커서, 용융 유리가 균일하게 교반되기 어렵다. 이 때문에, 용융 유리의 온도가 높은 흐름 방향 위치에서는, 거리 L1이 거리 L2보다 짧은 관계를 유지하면서, 거리 L1 및 거리 L2를 각각 짧게 함으로써, 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 속도차를 작게 할 수 있어, 용융 유리를 균일하게 교반할 수 있다.
또한, 청징 공정(ST2)에 있어서, 흐름 방향을 따라서 용융 유리의 온도 분포가 형성되는 경우, 흐름 방향을 따라서 인접하는 판 부재의 간격 D는, 용융 유리의 온도가 높은 위치(제1 흐름 방향 위치)에 있어서, 용융 유리의 온도가 낮은 위치(제2 흐름 방향 위치)보다도 좁게 되어 있는 것이 바람직하다. 용융 유리의 온도가 높은 흐름 방향 위치에서는, 용융 유리의 점도가 작아, 유속이 크다. 이 때문에, 인접하는 판 부재의 간격 D를 좁게 하여, 용융 유리가 판 부재에 부딪치는 빈도를 증가시킴으로써, 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 속도차를 작게 하는 효과가 높아짐과 함께, 청징관 내에서의 용융 유리의 체류 시간을 길게 하여, 용융 유리가 탈포되는 시간을 충분히 확보할 수 있다.
또한, 간격 D가 너무 길면, 상층 영역과 하층 영역의 속도차를 작게 하는 효과가 낮아지기 때문에, 간격 D는, 예를 들어 청징관(120)의 길이의 1/3, 바람직하게는 1/5 이하의 길이로 설정된다. 간격 D는, 예를 들어 100∼400㎜이다.
제1 판 부재(124)의 저부의 측의 단부(하단)의 높이 위치는, 제2 판 부재(125)의 액면의 측의 단부(상단)의 높이 위치보다 낮은 것이 바람직하다. 이에 의해, 제1 판 부재(124)와 제2 판 부재(125) 사이의 깊이 영역(중층 영역)을, 흐름 방향으로 직선적으로 통과하는 용융 유리의 흐름을 저지하여, 용융 유리가 균질하게 교반되지 않는 것을 회피할 수 있다.
청징 공정(ST2)에서는, 액면 S의 높이를 변동시키면서 용융 유리를 흘리는 것을 행하는 경우가 있다. 예를 들어, 조업 중에, 용해조에 유리 원료가 투입됨으로써, 액면 S의 높이는 변동된다. 이 경우, 거리 L2는, 액면 S의 높이가 최고 위치에 있을 때의 거리 L1보다도 큰 것이 바람직하다. 이에 의해, 청징관(120) 내의 용융 유리의 상층 영역과 하층 영역에서 용융 유리의 속도차를 안정적으로 작게 유지할 수 있다.
청징관(120) 내에, 저부와 간격을 두지 않고 배치되는 판 부재는 설치되어 있지 않은 것이 바람직하다. 즉, 청징관(120) 내에 설치되는 모든 부재가, 저부와 간격을 두고 배치되어 있는 것이 바람직하다. 저부와 간격을 두지 않고 배치되는 판 부재가 청징관(120) 내에 설치되어 있으면, 하층 영역의 용융 유리의 흐름이 방해되어, 상층 영역과의 속도차를 작게 하는 효과가 손상되어 버린다.
한편, 이와 같은 판 부재가 청징관(120) 내에 설치되어 있지 않음으로써, 하층 영역을 흐르는 용융 유리의 유속이, 상층 영역을 흐르는 용융 유리의 유속에 대하여 너무 빨라져, 상층 영역과 하층 영역의 속도차가 오히려 커져 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 상기 거리 L2는, 용융 유리의 깊이 영역 중 최하층 40%의 영역에 상당하는 길이보다 짧은 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 거리 L2는, 흐름 방향으로 인접하는 제2 판 부재(125)끼리의 간격보다 짧은 것이 바람직하고, 또한, 상기 간격 D보다 짧은 것이 바람직하다. 상기 간격 D에 대한 상기 L2의 비(L2/D)는, 예를 들어 0.1∼0.7이다.
본 실시 형태에 따르면, 거리 L1 및 거리 L2가 상기 관계를 만족시키도록, 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)가 배치되어 있음으로써, 상층 영역과 하층 영역에서의 용융 유리의 유속의 차를 작게 하여, 용융 유리가 균질하게 되도록 교반할 수 있다. 이에 의해, 용융 유리의 청징이 충분히 행해져, 유리 품질의 저하가 억제된다.
(유리 기판)
본 실시 형태에 있어서 제조되는 유리 기판의 크기는, 특별히 제한되지는 않지만, 예를 들어 세로 치수 및 가로 치수의 각각이, 500㎜∼3500㎜, 1500㎜∼3500㎜, 1800∼3500㎜, 2000㎜∼3500㎜이고, 2000㎜∼3500㎜인 것이 바람직하다.
유리 기판의 두께는, 예를 들어 0.1∼1.1㎜이고, 보다 바람직하게는 0.75㎜ 이하의 매우 얇은 직사각형의 판이며, 예를 들어 0.55㎜ 이하, 나아가 0.45㎜ 이하의 두께가 보다 바람직하다. 유리 기판의 두께의 하한값은 0.15㎜가 바람직하고, 0.25㎜가 보다 바람직하다.
<유리 조성>
이와 같은 유리 기판으로서, 이하의 유리 조성의 유리 기판이 예시된다. 즉, 이하의 유리 조성의 유리 기판이 제조되도록, 용융 유리의 원료가 조합된다.
SiO2 55∼80몰%,
Al2O3 8∼20몰%,
B2O3 0∼12몰%,
RO 0∼17몰%(RO는 MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량).
SiO2는 60∼75몰%, 나아가 63∼72몰%인 것이 열수축률을 작게 한다는 관점에서 바람직하다.
RO 중, MgO가 0∼10몰%, CaO가 0∼15몰%, SrO가 0∼10%, BaO가 0∼10%인 것이 바람직하다.
또한, SiO2, Al2O3, B2O3 및 RO를 적어도 포함하고, 몰비((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)는 4.5 이상인 유리여도 된다. 또한, MgO, CaO, SrO 및 BaO 중 적어도 어느 것을 포함하고, 몰비 (BaO+SrO)/RO는 0.1 이상인 것이 바람직하다.
또한, 몰% 표시의 B2O3의 함유율의 2배와 몰% 표시의 RO의 함유율의 합계는, 30몰% 이하, 바람직하게는 10∼30몰%인 것이 바람직하다.
또한, 상기 유리 조성의 유리 기판에 있어서의 알칼리 금속 산화물의 함유율은, 0몰% 이상 0.4몰% 이하여도 된다.
또한, 유리 중에서 가수 변동하는 금속의 산화물(산화주석, 산화철)을 합계로 0.05∼1.5몰% 포함하고, As2O3, Sb2O3 및 PbO를 실질적으로 포함하지 않는다는 것은 필수가 아니라 임의이다.
또한, 본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판에는, 무알칼리의 보로알루미노실리케이트 유리 혹은 알칼리 미량 함유 유리가 사용되는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판은, 예를 들어 이하의 조성을 포함하는 무알칼리 유리를 포함하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판의 유리 조성으로서, 예를 들어 다음을 들 수 있다(질량% 표시).
SiO2 : 50∼70%(바람직하게는 57∼64%), Al2O3 : 5∼25%(바람직하게는 12∼18%), B2O3 : 0∼15%(바람직하게는 6∼13%)를 포함하고, 또한, 다음에 나타내는 조성을 임의로 포함해도 된다. 임의로 포함하는 성분으로서, MgO : 0∼10%(바람직하게는 0.5∼4%), CaO : 0∼20%(바람직하게는 3∼7%), SrO : 0∼20%(바람직하게는 0.5∼8%, 보다 바람직하게는 3∼7%), BaO : 0∼10%(바람직하게는 0∼3%, 보다 바람직하게는 0∼1%), ZrO2 : 0∼10%(바람직하게는 0∼4%, 보다 바람직하게는 0∼1%)를 들 수 있다. 또한, R'2O : 0.10%를 초과하고 2.0% 이하(단, R'는 Li, Na 및 K로부터 선택되는 적어도 1종임)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
혹은, SiO2 : 50∼70%(바람직하게는 55∼65%), B2O3 : 0∼10%(바람직하게는 0∼5%, 1.3∼5%), Al2O3 : 10∼25%(바람직하게는 16∼22%), MgO : 0∼10%(바람직하게는 0.5∼4%), CaO : 0∼20%(바람직하게는 2∼10%, 2∼6%), SrO : 0∼20%(바람직하게는 0∼4%, 0.4∼3%), BaO : 0∼15%(바람직하게는 4∼11%), RO : 5∼20%(바람직하게는 8∼20%, 14∼19%)를 함유하는 것이 바람직하다(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택되는 적어도 1종임). 또한, R'2O가 0.10%를 초과하고 2.0% 이하(단, R'는 Li, Na 및 K로부터 선택되는 적어도 1종임)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
<영률>
본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판의 영률로서, 예를 들어 72㎬ 이상이 바람직하고, 75㎬ 이상이 보다 바람직하고, 77㎬ 이상이 보다 더 바람직하다.
<왜곡점>
본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판의 왜곡률로서, 예를 들어 650℃ 이상이 바람직하고, 680℃ 이상이 보다 바람직하고, 700℃ 이상, 720℃ 이상이 보다 더 바람직하다.
<열수축률>
본 실시 형태에 의해 제조되는 유리 기판의 열수축률은, 예를 들어 50ppm 이하이고, 바람직하게는 40ppm 이하, 보다 바람직하게는 30ppm 이하, 보다 더 바람직하게는 20ppm 이하이다. 열수축률을 저감하기 전의 유리 기판의 열수축률의 범위로서는, 10ppm∼40ppm이 바람직하다.
본 실시 형태에서 제조되는 유리 기판은, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판, 커브드 패널 디스플레이용 유리 기판을 포함하는 디스플레이용 유리 기판으로서 적합하고, 예를 들어 액정 디스플레이용 유리 기판 혹은, 유기 EL 디스플레이용의 유리 기판으로서 적합하다. 또한, 본 실시 형태에서 제조되는 유리 기판은, 고정밀 디스플레이에 사용되는, IGZO(인듐, 갈륨, 아연, 산소) 등의 산화물 반도체를 사용한 산화물 반도체 디스플레이용 유리 기판 및 LTPS(저온도 폴리실리콘) 반도체를 사용한 LTPS 디스플레이용 유리 기판에 적합하다.
또한, 본 실시 형태에서 제조되는 유리 기판은, 커버 유리, 자기 디스크용 유리, 태양 전지용 유리 기판 등에도 적용하는 것이 가능하다.
이상, 본 발명의 유리 기판 제조 장치 및 유리 기판의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 다양한 개량이나 변경을 해도 되는 것은 물론이다.
판 부재의 쌍(126)은, 청징관(120) 내에 있어서, 용융 유리의 흐름 방향의 모든 영역에 배치되어 있지 않아도 되고, 흐름 방향의 일부의 영역에만 배치되어 있어도 된다. 예를 들어, 전극(121a, 121b) 사이에만, 판 부재의 쌍(126)은 배치되어 있어도 된다.
또한, 제1 판 부재(124) 및 제2 판 부재(125)는 용융 유리의 흐름 방향으로 교대로 배치되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 청징관(120) 내에, 용융 유리의 흐름 방향으로 동일한 종류의 판 부재가 나란히 배치된 영역이 있어도 된다.
100 : 용해 장치
101 : 용해조
102 : 청징관
103 : 교반조
103a : 교반자
104, 105 : 이송관
106 : 유리 공급관
120 : 청징관
120a : 기상 공간
121a, 121b, 121c : 전극
122 : 전원 장치
123 : 제어 장치
124 : 제1 판 부재
125 : 제2 판 부재
126 : 판 부재의 쌍
200 : 성형 장치
300 : 절단 장치
MG : 용융 유리
SG : 시트 유리

Claims (7)

  1. 유리 기판의 제조 방법으로서,
    유리 원료를 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 공정과,
    청징관 내에서 상기 용융 유리의 청징을 행하는 청징 공정을 구비하고,
    상기 청징 공정에서는, 상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 액면의 상방에 기상 공간이 형성되도록 상기 용융 유리를 흘리면서 청징을 행하고,
    상기 청징관 내에, 상기 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 배치된 판 부재의 쌍을 사용하여, 상기 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하고,
    상기 판 부재는, 용융 유리의 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되고,
    상기 쌍 중, 상기 액면에 가장 접근하여 배치된 제1 판 부재의 상단부와 상기 액면의 제1 거리는, 상기 청징관의 내벽의 저부에 가장 접근하여 배치된 제2 판 부재의 하단부와 상기 저부의 제2 거리보다도 짧고,
    상기 청징관 내에, 상기 저부와 간격을 두지 않고 배치되는 판 부재는 설치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 청징 공정에서는, 상기 흐름 방향을 따라서 상기 용융 유리의 온도 분포가 형성되도록 상기 용융 유리의 가열을 행하고,
    상기 용융 유리의 온도가 제1 온도인 제1 흐름 방향 위치에서는, 상기 용융 유리의 온도가, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 제2 흐름 방향 위치와 비교하여, 상기 제1 거리 및 상기 제2 거리가 짧은 유리 기판의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 청징 공정에서는, 상기 흐름 방향을 따라서 상기 용융 유리의 온도 분포가 형성되도록 상기 용융 유리의 가열을 행하고,
    상기 흐름 방향을 따라서 인접하는 상기 판 부재의 간격은, 상기 용융 유리의 온도가 제1 온도인 제1 흐름 방향 위치에 있어서, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도인 제2 흐름 방향 위치보다도 좁게 되어 있는 유리 기판의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 판 부재의 상기 저부의 측의 단부의 높이 위치는, 상기 제2 판 부재의 상기 액면의 측의 단부의 높이 위치보다 낮은 유리 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 청징 공정에서는, 상기 액면의 높이를 변동시키면서 상기 용융 유리를 흘리고,
    상기 제2 거리는, 상기 액면의 높이가 최고 위치에 있을 때의 상기 제1 거리보다도 큰 유리 기판의 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 유리 기판 제조 장치로서,
    유리 원료를 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 장치와,
    상기 용융 유리의 청징이 행해지는 청징관을 갖는 청징 장치를 구비하고,
    상기 청징관 내에서는, 상기 용융 유리의 액면의 상방에 기상 공간이 형성되도록 상기 용융 유리가 흐르면서 청징이 행해지고,
    상기 청징관은, 상기 용융 유리의 흐름 방향으로 간격을 두고 배치되어, 상기 용융 유리의 흐름을 부분적으로 방해하는 판 부재의 복수의 쌍을 갖고,
    상기 쌍의 각각을 이루는 2개의 판 부재는, 상기 용융 유리의 액면보다 하방의 상하 방향의 상이한 위치에 설치되고,
    상기 쌍의 각각 중, 상기 액면에 가장 접근하여 배치된 제1 판 부재와 상기 액면의 제1 거리는, 상기 청징관 내벽의 저부에 가장 접근하여 배치된 제2 판 부재와 상기 저부의 제2 거리보다도 짧고,
    상기 청징관 내에, 상기 저부와 간격을 두지 않고 배치되는 판 부재는 설치되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 유리 기판 제조 장치.
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