KR102105988B1 - 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법 - Google Patents

감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 특정 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법에 관한 것으로, (i) 알칼리성 수용액을 이용하여 감광성 수지 표면에 대해 세정 및 예비 활성화를 진행하는 전처리 단계; (ii) 감광성 수지를 표면 개질제 속에 침지하여 유기 개질층을 형성하는 표면 개질 단계; (iii) 촉매 금속 이온을 첨가하여, 유기 개질층과 촉매 금속 이온이 금속 이온 착물을 형성하도록 하는 표면 활성화 단계; (iv) 환원제를 이용하여 금속 이온 착물을 나노 금속 촉매로 환원시키는 환원 반응 단계; (v) 감광성 수지를 화학 증착액 속에 침지하여 도전 금속층을 형성하는 화학 증착 단계; (vi) 감광성 수지를 100-250℃ 조건에서 베이킹하는 열처리 단계; 및 (vii) 베이킹된 감광성 수지에 대해 전기도금을 진행하여 도전 금속층의 두께를 증가시키는 전기도금에 의한 두께 증가 단계를 포함한다.

Description

감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법{METHOD OF FORMING A METAL LAYER ON A PHOTOSENSITIVE RESIN}
본 발명은 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법에 관한 것이며, 특히 특정 감광성 폴리이미드 수지 표면을 금속화하여 금속층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
폴리이미드는 연성 인쇄회로기판 및 IC 패키징 업계에서 흔히 이용하는 기재 재료이며, 유연성, 내화학용매성(내화학성), 내고온성 및 비도전성을 가진 유기 재료이다. 전자 제품의 박형화와 다기능화의 추세에 따라, 고도의 배선밀도와 비아홀의 미세화는 연성 인쇄회로기판의 기본 요구이다. 그러나, 일반적인 비감광성 폴리이미드는 내화학성이 좋아 화학 에칭에 의해 평면 및 수직 도체의 홈을 제작하기 어려우며 흔히 레이저에 의한 천공 또는 건식 에칭에 의한 구멍 형성에 포토레지스트를 결합하여 미세 비아홀의 가공을 진행한 후 다시 화학 처리를 진행하여 활성화해야만 금속층을 형성할 수 있어 제조공정이 복잡하다. 그러나 설사 비감광성 폴리이미드 상에 금속층을 형성할 수 있다고 해도, 이 금속층과 폴리이미드의 결합 강도가 높지 않으며, 또한 다층 판으로 제작하는 경우, 고온 베이킹 및 가압 공정에 의해 파괴되기 쉽다.
감광성 폴리이미드는 종래의 폴리이미드와는 달리, 감광에 의해 구멍을 형성하는 가공 특성을 가지며, 별도의 레이저 천공 또는 건식 에칭에 의한 구멍 형성에 포토레지스트를 결합시켜 수직 도전 유닛을 제작할 필요가 없다. 그러나 종래에는 아직 감광성 폴리이미드 수지 상에 결합강도가 높은 금속층을 형성할 수 있는 실용적인 방법이 없다.
본 발명은 특정 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 전처리 단계, 습식 화학 표면 개질 단계, 및 금속화 단계를 포함한다. 상기 방법은 특정 감광성 폴리이미드 수지에 적용할 수 있으며, 상기 수지의 감광에 의한 구멍 형성 특성을 결합하여, 다층 적층체의 수직 도전 유닛의 금속 도선 제작 공정을 더 간소화할 수 있다.
본 발명은 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 감광성 수지는 (a) 에폭시 화합물, (b) 감광성 폴리이미드 및 (c) 광 개시제를 포함한다. 에폭시 화합물은 감광성 수지의 고형분 중량의 5-40%를 차지한다. 감광성 폴리이미드는 식 (1)의 구조를 가진다.
Figure 112018062639212-pat00001
(1)
식 (1)에서 m, n은 각각 독립적으로 1 내지 600이고, X는 4가 유기 그룹이고 그 주쇄 부분은 지환족 그룹을 포함하며, Y는 2가 유기 그룹이고 그 주쇄 부분은 실록산 그룹을 포함하며, Z는 2가 유기 그룹이고 그 측쇄 부분은 적어도 페놀기 또는 카르복실기를 포함하며, 이 감광성 폴리이미드는 감광성 수지의 고형분 중량의 30-90%를 차지한다. 광 개시제는 감광성 수지의 고형분 중량의 0.1-15%를 차지한다.
상기 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법은,
(i) 알칼리성 수용액을 이용하여 감광성 수지 표면에 대해 세정 및 예비 활성화를 진행하는 전처리 단계;
(ii) 감광성 수지를 표면 개질제 속에 침지하여 감광성 수지 상에 유기 개질층을 형성하는 단계로서, 표면 개질제는 식 (2) 내지 식 (6)에서 선택된 적어도 하나의 아미노 화합물의 수용액인 표면 개질 단계;
Figure 112018062639212-pat00002
(2),
Figure 112018062639212-pat00003
(3),
Figure 112018062639212-pat00004
(4),
Figure 112018062639212-pat00005
(5) 및
Figure 112018062639212-pat00006
(6),
(여기서 n=1-3이고, R1은 NH2, NHCH3 또는 N(CH3)2, R2는 H 또는 CmH2mNH2, m=1-3, R3은 NH2, SH 또는 OH, R4는 SH,
Figure 112020024643713-pat00007
,
Figure 112020024643713-pat00008
, 또는
Figure 112020024643713-pat00009
이다);
(iii) 촉매 금속 이온을 첨가하여, 유기 개질층과 촉매 금속 이온이 상기 감광성 수지 표면에서 금속 이온 착물을 형성하도록 하는 표면 활성화 단계;
(iv) 환원제를 이용하여 감광성 수지 표면에 부착된 금속 이온 착물을 나노 금속 촉매로 환원시키는 환원 반응 단계;
(v) 나노 금속 촉매를 형성한 감광성 수지를 화학 증착액 속에 침지하여 도전 금속층을 형성하는 화학 증착 단계;
(vi) 도전 금속층을 형성한 감광성 수지를 100-250℃ 조건에서 베이킹하는 열처리 단계; 및
(vii) 베이킹된 감광성 수지에 대해 전기도금하여 도전 금속층의 두께를 증가시키는 전기도금에 의한 두께 증가 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 표면 개질 단계(ii) 중의 침지 시간은 1-20분이고, 표면 개질제 중 아미노 화합물의 농도는 0.1-10g/L이고, 온도는 30-75℃이다.
일 실시예에서, 표면 활성화 단계(iii)에서 첨가되는 촉매 금속 이온은 Cu, Ni, Ag, Au 또는 Pd 이온을 포함한 산성 수용액이다.
일 실시예에서, 환원 반응 단계(iv)에서 첨가되는 환원제는 차아인산나트륨, 수소화붕소나트륨, 디메틸아민 보란 또는 히드라진(
Figure 112018062639212-pat00011
) 수용액이다.
일 실시예에서, 화학 증착 단계(v)에서 첨가되는 화학 증착액은 구리 이온, 니켈 이온, 킬레이트제, 환원제, pH 완충제, 계면 활성제 및 pH 조절제를 포함한다.
일 실시예에서, 화학 증착액 중의 구리 이온은 질산구리, 황산구리, 염화구리 또는 아미노황산구리(구리 설파메이트)에서 유래한다.
일 실시예에서, 화학 증착액 중의 니켈 이온은 황산니켈, 질산니켈, 염화니켈, 황산니켈 또는 아미노황산니켈(니켈 설파메이트)에서 유래한다.
일 실시예에서, 화학 증착액 중의 킬레이트제는 구연산나트륨, 주석산칼륨 나트륨 또는 에틸렌디아민테트라아세트산이다.
일 실시예에서, 화학 증착 단계(v)에서 형성된 도전 금속층의 두께는 50-200nm이다.
일 실시예에서, 열처리 단계(vi)의 베이킹 시간은 10-60분이다.
일 실시예에서, 전처리 단계(i)는 평행 자외광 또는 플라즈마를 이용하여 감광성 수지 표면에 대해 세정 및 예비 활성화하는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에서, 평행 자외광을 이용하여 전처리 단계(i)를 진행하는 경우, 평행 자외광의 조사 파장은 100-280nm이고, 표면 누적 방사선 강도는 1-20 J/cm2이고 조사 시간은 1-30분이다.
일 실시예에서, 플라즈마를 이용하여 전처리 단계(i)를 진행하는 경우, 출력 파워는 100-5000W이고, 처리 시간은 0.5-30분이다.
일 실시예에서, 전기도금에 의한 두께 증가 단계(vii)에서는 도전 금속층의 두께를 12-18μm로 증가시킨다.
이하, 상세한 설명내용과 함께 실시예에 기초하여, 본 발명의 상술한 특징 및 기타 특징을 보다 명확하게 이해하게 될 것이다.
본 발명에 따른 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법은, 아래 단계를 포함한다.
(i) 표면 처리(전처리)
(ii) 표면 고리 개방(개질)
(iii) 촉매 입자 흡착(표면 활성화)
(iv) 촉매 입자 환원
(v) 화학 증착(무전해 도금)
(vi) 열처리
(vii) 전기도금
(viii) 수분제거 및 에어 건조
본 발명에서 기재(기판)으로서 위에 금속층이 형성되는 감광성 수지의 주성분은 감광성 폴리이미드이다. 감광성 수지의 성분은 (a) 에폭시 화합물, (b) 감광성 폴리이미드 및 (c) 광 개시제를 포함한다. 감광성 폴리이미드는 식 (1)의 구조를 가진다.
Figure 112018062639212-pat00012
(1)
식 (1)에서 m, n은 각각 독립적으로 1 내지 600이고, X는 4가 유기 그룹이고 그 주쇄 부분은 지환족 그룹을 포함하며, 바람직하게는 벤젠 고리를 포함하지 않은 지환족 그룹이며,
Figure 112018062639212-pat00013
,
Figure 112018062639212-pat00014
및
Figure 112018062639212-pat00015
을 포함한다(단 이에 한정되지 않는다).
Y는 2가 유기 그룹이며, 그 주쇄 부분은 실록산 그룹을 포함하며, 예를 들어 아래에 나타낸 바와 같다.
Figure 112018062639212-pat00016
여기서 Y의 사슬 길이는 짧은 것이 바람직하며(p=0), 최장 p=20일 수 있다. 너무 길면 감광성 폴리이미드의 성질이 파괴될 수 있다. Z는 2가 유기 그룹이고 그 측쇄 부분은 적어도 페놀기 또는 카르복실기를 포함한다. 페놀기 또는 카르복실기의 함량은 대략 감광성 폴리이미드의 몰수의 5-30%를 차지하고, 측쇄 커버 그룹의 몰 비를 조정함으로써 현상 시간을 제어할 수 있다. 측쇄 페놀기 또는 카르복실기의 함량이 높으면, 알칼리성 현상액에 의한 용해성이 바람직하여, 그 현상성을 높일 수 있다. Z는 아래 그룹을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
Figure 112018062639212-pat00017
,
Figure 112018062639212-pat00018
,
Figure 112018062639212-pat00019
,
Figure 112018062639212-pat00020
,
Figure 112018062639212-pat00021
및
Figure 112018062639212-pat00022
.
감광성 폴리이미드는 감광성 수지의 고형분 중량의 30-90%를 차지하고, 에폭시 화합물은 감광성 수지의 고형분 중량의 5-40%를 차지하며, 광 개시제는 감광성 수지의 고형분 중량의 0.1-15%를 차지한다. 이러한 감광성 폴리이미드는 표면에 실록산 그룹, 이미드 고리 그룹과 카르복실기 등 그룹을 포함하여, 본 발명에서 이용되는 표면 개질제의 아민기와 쉽게 커플링 반응을 진행한다.
(i) 표면 처리(전처리)
먼저, 감광성 수지 기재에 대해 표면 세정과 예비 활성화를 진행한다. 이용하는 방법으로는, 평행 자외광 조사, 플라즈마 조사, 및 알칼리성 수용액 침지를 포함하며, 그 중의 하나를 선택하여 이용하거나 또는 다수를 함께 이용할 수 있다. 평행 자외광을 이용하여 전처리를 진행하는 경우, 평행 자외광의 조사 파장은 100-280nm이고, 표면 누적 방사선 강도는 1-20 J/cm2이며, 조사 시간은 1-30분이다. 플라즈마를 이용하여 전처리를 진행하는 경우, 출력 파워는 100-5000W이고 처리 시간은 0.5-30분이다. 본 실시예에서는 평행 자외광으로 10분 조사하고 이어서 40℃, 5M 농도의 KOH 수용액에 감광성 수지 기재를 수 분간 침지한 후 꺼낸다. 알칼리성 수용액에 침지하는 목적은 식 (1)의 감광성 수지 표면의 카르보닐기(C=O)의 고리를 열어, 대량의 카르복실기(COOH)를 함유한 한 층의 유기 개질층을 형성하기 위해서다. 이어서 순수를 이용하여 세정하여 표면에 잔류한 알칼리성 수용액을 제거하거나, 또는 기타 유기물을 이용하여 깨끗이 세정한다.
(ii) 표면 개질
이어서, 감광성 수지를 표면 개질제 속에 침지하여 감광성 수지 표면의 카르복실기(COOH) 및 히드록시(OH) 기능기 표면을 더 개질한다. 표면 개질제는 이하 식 (2) 내지 식 (6) 중의 적어도 하나의 아미노 화합물의 수용액이며, 아미노 화합물의 농도는 0.1-10g/L이다.
Figure 112018062639212-pat00023
(2),
Figure 112018062639212-pat00024
(3),
Figure 112018062639212-pat00025
(4),
Figure 112018062639212-pat00026
(5) 및
Figure 112018062639212-pat00027
(6),
여기서 n=1-3이고, R1은 NH2, NHCH3 또는 N(CH3)2이며, R2는 H 또는 CmH2mNH2이며, m은 1-3이며, R3은 NH2, SH 또는 OH이며, R4는 SH,
Figure 112020024643713-pat00028
,
Figure 112020024643713-pat00029
, 또는
Figure 112020024643713-pat00030
이다. 또한 개질 반응 온도는 30-75℃이고(바람직하게는 50℃), 침지 시간은 1- 20분이다. 표면 개질제는 감광성 수지 표면의 실록산 그룹, 이미드 고리 그룹 및 카르복실기 등 유기 그룹과 커플링 반응을 진행할 수 있다.
(iii) 표면 활성화
이어서, 감광성 수지 기재를 활성화 액에 침지한다. 활성화 액은 예를 들어 팔라듐 금속 이온을 함유한 수용액이며, 이 수용액은 0.4g/L의 염화팔라듐과 0.4g/L의 염화암모늄을 포함하고, 온도는 30℃, 침지 시간은 2분이며, 활성화 액 중의 금속 이온은 유기 개질층과 착물을 형성한다. 다른 실시예에서는 다른 금속 이온 예를 들어 Cu, Ni, Ag 또는 Au 금속 이온의 산성 수용액을 활성화 액으로서 이용할 수 있다.
(iv) 환원 반응
이어서, 상기 단계(iii)에서 활성화된 감광형 수지 기재를 환원제를 함유한 수용액 속에 침지하여, 팔라듐 금속 이온의 환원 반응을 진행한다. 환원액의 조성은 28.6g/L의 차아인산나트륨과 순수를 함유하고, 작업 온도는 30℃, 침지 시간은 2분이다. 수소화붕소나트륨, 디메틸아민 보란 또는 히드라진 수용액 등과 같은 다른 유형의 환원제를 이용할 수도 있다.
(v) 화학 증착
종래의 감광성 수지 기재의 표면에는 촉매 이온이 환원하여 형성한 금속 팔라듐이 존재한다. 이어서, 무전해 전기도금을 진행하여, 나노 금속 입자가 감광형 폴리이미드 기판 표면에 증착되어 금속 도전층(막)이 형성되도록 한다. 그 증착 두께는 50-200nm이다. 무전해 전기도금액은 포름알데히드 성분이 없는 무전해 전기도금액으로서, pH=9로 조제되고 작업 온도가 50℃인 수용액을 선택하는 것이 바람직하다.
일 실시예에서, 화학 증착액은 구리 이온, 니켈 이온, 킬레이트제, 환원제, pH 완충제, 계면 활성제와 pH 조절제를 포함하는 것이 바람직하다. 여기서 구리 이온은 질산구리, 황산구리, 염화구리 또는 아미노황산구리(구리 설파메이트)에서 유래하고, 니켈 이온은 황산니켈, 질산니켈, 염화니켈, 황산니켈 또는 아미노황산니켈(니켈 설파메이트)에서 유래하며, 킬레이트제는 구연산나트륨, 주석산칼륨 나트륨 또는 에틸렌디아민테트라아세트산에서 유래한다.
(vi) 열처리
이어서, 열처리에 의해, 감광성 수지 기재 표면과 금속 도전층의 가교 반응을 진행하여, 감광성 수지 기재 표면과 금속 도전층 간의 부착력을 증가시킨다. 본 실시예에서 열처리의 작업 온도 범위는 150℃이고 반응 시간은 60분이나, 시간과 온도는 필요에 따라 조정할 수 있다.
(vii) 전기도금
마지막으로, 화학 첨가제가 포함된 구리 전기도금액을 이용하여 전기도금에 의한 두께 증가를 진행하여 금속 도전층의 두께를 증가시키며, 그 전기도금 두께는 18μm이다. 이용되는 구리 전기도금액의 조성은 아래와 같다.
CuSO4 . 5H2O : 100 g/L
H2SO4: 127.4 g/L
PEG8000(폴리에틸렌글리콜): 0.2 g/L
SPS(소듐디티오프로판술포네이트;
Figure 112018062639212-pat00032
): 0.004 g/L
상기 실시예의 단계를 처리한 후, 감광성 수지 상에 형성된 금속층은 그 인열 강도가 0.7 kgf/cm에 달할 수 있으며, 150℃ 온도에서 168시간 방치한 후, 그 인열 강도는 여전히 0.6 kgf/cm를 유지할 수 있었다. 반대로, 표면 개질(단계 ii를 수행하지 않음)을 진행하지 않고 바로 형성된 금속층은 그 인열 강도가 0.2 kgf/cm 안팎에만 불과하다. 이로써, 본 발명에 따른 방법이 금속층의 인열 강도를 3배 이상에 달하도록 높일 수 있음을 알 수 있다.
한편, 일반적인 다층 회로기판의 제조공정은 각 층의 금속층이 완성된 후 순환 베이킹 및 가압 공정을 통해, 두께가 증가한 고분자층과 금속층을 수회의 고온 고압 공정 방식으로 가압 접합하여, 이질 재료 층간의 밀착도를 증가시킬 필요가 있다. 그러나 폴리이미드/감광성 폴리이미드 상에 금속층을 형성하는 종래의 방법은, 이를 통해 형성된 금속층이 순환 베이킹 및 가압 처리를 거친 후, 금속층의 인열 강도가 오히려 크게 저하된다(1/10 미만). 그러나, 본 발명에 따라 감광성 수지 상에 형성된 금속층은 수회의 고온 185℃와 고압 24.5kgf/cm의 순환 베이킹 및 가압 공정을 거친 후, 그 인열 강도가 여전히 0.5 kgf/cm 안팎을 유지할 수 있으므로, 다층 판의 제작에 이용할 수 있다.
정리하면, 본 발명의 단계에 따라 감광성 수지 상에 형성한 금속층은 높은 인열 강도를 가질 뿐만 아니라, 다층의 연성 인쇄회로기판, 다층의 HDI 인쇄회로기판의 층 증가 공정 및 IC 캐리어판의 세미 애디티브 공정에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법은 종래의 비감광성 수지 및 다른 비감광성 고분자의 습식 금속화 및 층 증가 공정에 비해 상대적으로 간단하고 쉽다. 종래의 비감광성 수지는 모두 건식 에칭, 레이저 천공 및 기계 천공의 가공 방법에 의존하고, 이어서 접착제 쓰레기 제거/ 포토레지스트 제거, 중화 처리, 거칠게 하기 및 금속화 공정 등의 제작 절차를 진행한다. 본 발명에서 이용되는 감광성 수지는 자외광 조사에 의해 성형될 수 있어, 접착제 쓰레기가 발생하지 않아 접착제 쓰레기 제거와 중화 처리 절차를 생략할 수 있다. 따라서 공정 원가를 효과적으로 절약하고, 다수의 약물 처리에 의한 유효성 상실률을 저감시켜 생산효율을 향상할 수 있다.
비록 본 발명은 실시예를 이용하여 상기와 같이 설명했으나, 이들 실시예는 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니다. 본 분야의 통상의 기술자는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주 내에서 이들 실시예에 대해 등가적 실시 또는 변경을 진행할 수 있다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 후술되는 청구범위를 기준으로 해야 한다.

Claims (17)

  1. 감광성 수지 표면에 금속층을 형성하는 방법에 있어서,
    상기 감광성 수지는 (a) 에폭시 화합물, (b) 감광성 폴리이미드, 및 (c) 광 개시제를 포함하고, 상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지의 고형분 중량의 5-40%를 차지하며, 상기 감광성 폴리이미드는 식 (1)의 구조를 가지며,
    Figure 112020024643713-pat00033
    (1)
    식 (1)에서 m, n은 각각 독립적으로 1 내지 600이고, X는 4가 유기 그룹이고 벤젠 고리를 포함하지 않은 지환족 그룹이며, Y는 2가 유기 그룹이고 그 주쇄 부분은 실록산 그룹을 포함하며, Z는 2가 유기 그룹이고 그 측쇄 부분은 적어도 페놀기 또는 카르복실기를 포함하며, 상기 감광성 폴리이미드는 상기 감광성 수지의 고형분 중량의 30-90%를 차지하고, 상기 광 개시제는 상기 감광성 수지의 고형분 중량의 0.1-15%를 차지하며,
    상기 방법은,
    (i) 알칼리성 수용액을 이용하여 상기 감광성 수지 표면에 대해 세정 및 예비 활성화를 진행하는 전처리 단계;
    (ii) 상기 감광성 수지를 표면 개질제 속에 침지하여 상기 감광성 수지에 유기 개질층을 형성하는 단계로서, 상기 표면 개질제는 식 (2) 내지 식 (6)에서 선택된 적어도 하나의 아미노 화합물의 수용액인 표면 개질 단계;
    Figure 112020024643713-pat00034
    (2),
    Figure 112020024643713-pat00035
    (3),

    Figure 112020024643713-pat00036
    (4),
    Figure 112020024643713-pat00037
    (5) 및
    Figure 112020024643713-pat00038
    (6),
    (여기서 n=1-3이고, R1은 NHCH3 또는 N(CH3)2, R2는 H 또는 CmH2mNH2, m=1-3, R3은 NH2, SH 또는 OH, R4는 SH,
    Figure 112020024643713-pat00039
    ,
    Figure 112020024643713-pat00040
    , 또는
    Figure 112020024643713-pat00041
    이다);
    (iii) 촉매 금속 이온을 첨가하여, 상기 유기 개질층과 상기 촉매 금속 이온이 상기 감광성 수지 표면에 금속 이온 착물을 형성하도록 하는 표면 활성화 단계;
    (iv) 환원제를 이용하여 상기 감광성 수지 표면에 부착된 상기 금속 이온 착물을 나노 금속 촉매로 환원시키는 환원 반응 단계;
    (v) 나노 금속 촉매를 형성한 상기 감광성 수지를 화학 증착액 속에 침지하여 도전 금속층을 형성하는 화학 증착 단계;
    (vi) 도전 금속층을 형성한 상기 감광성 수지를 100-250℃ 조건에서 베이킹하는 열처리 단계; 및
    (vii) 베이킹된 감광성 수지에 대해 전기도금하여 상기 도전 금속층의 두께를 증가시키는 전기도금에 의한 두께 증가 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표면 개질 단계(ii) 중의 침지 시간은 1-20분이고, 상기 표면 개질제 중 아미노 화합물의 농도는 0.1-10g/L이고, 온도는 30-75℃인 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표면 활성화 단계(iii)에서 첨가되는 상기 촉매 금속 이온은 Cu, Ni, Ag, Au 또는 Pd 이온을 포함한 산성 수용액인 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 환원 반응 단계(iv)에서 첨가되는 상기 환원제는 차아인산나트륨, 수소화붕소나트륨, 디메틸아민 보란 또는 히드라진 수용액인 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학 증착 단계(v)에서 첨가되는 상기 화학 증착액은 구리 이온, 니켈 이온, 킬레이트제, 환원제, pH 완충제, 계면 활성제와 pH 조절제를 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 구리 이온은 질산구리, 황산구리, 염화구리 또는 구리 설파메이트에서 유래하는 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 니켈 이온은 황산니켈, 질산니켈, 염화니켈, 황산니켈 또는 니켈 설파메이트에서 유래하는 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 구연산나트륨, 주석산칼륨 나트륨 또는 에틸렌디아민테트라아세트산인 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화학 증착 단계(v)에서 형성된 상기 도전 금속층의 두께는 50-200nm인 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 열처리 단계(vi)의 베이킹 시간은 10-60분인 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 전처리 단계(i)는 평행 자외광 또는 플라즈마를 이용하여 상기 감광성 수지 표면을 세정 및 예비 활성화하는 단계를 더 포함하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    평행 자외광을 이용하여 전처리를 진행하는 경우, 상기 평행 자외광의 조사 파장은 100-280nm이고, 표면 누적 방사선 강도는 1-20 J/cm2이고 조사 시간은 1-30분인 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 전처리를 진행하는 경우, 출력 파워는 100-5000W이고 처리 시간은 0.5-30분인 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전기도금에 의한 두께 증가 단계(vii)에서는 상기 도전 금속층의 두께를 12-18μm로 증가시키는 방법.
  15. 제1항에 있어서,상기 X는
    Figure 112019121031248-pat00043
    ,
    Figure 112019121031248-pat00044
    , 및
    Figure 112019121031248-pat00045
    로부터 선택되는 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 Y는 p가 0 내지 20의 정수인
    Figure 112019121031248-pat00046
    에서 선택되는 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 Z는
    Figure 112019121031248-pat00047
    ,
    Figure 112019121031248-pat00048
    ,
    Figure 112019121031248-pat00049
    ,
    Figure 112019121031248-pat00050
    , 및
    Figure 112019121031248-pat00051
    로부터 선택되는 방법.
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