KR102104504B1 - 저항 변화 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 - Google Patents
저항 변화 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 저항 변화 메모리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 저항 변화 메모리 장치의 리드 제어 회로 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 저항 변화 메모리 장치의 리드 제어 회로의 온도보상부를 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 저항 변화 메모리 장치의 외부 온도 변화에 따라 전류 레벨을 변화시켜 저항 레벨을 리드하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 6은 일반적인 저항 변화 메모리 장치의 외부 온도 변화에 따라 전압 레벨을 변화시켜 저항 레벨을 리드하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 저항 변화 메모리 장치의 센싱 마진을 나타내는 도면이다.
Claims (11)
- 복수의 저항 변화 메모리 셀이 배열되는 메모리 셀 어레이; 및
상기 메모리 셀 어레이와 연결되고, 상기 복수의 저항 변화 메모리 셀 중 선택된 메모리 셀의 온도의 변화를 감지하여, 감지된 온도 변화에 따라 상기 선택된 메모리 셀의 리드 전류 레벨이 변하도록 제어하는 리드 제어 회로를 포함하며,
상기 리드 제어 회로는,
상기 선택된 셀의 상기 온도 변화에 따라 가변되는 전류를 출력하는 저항, 및
상기 저항의 출력 터미널과 연결되어 상기 저항의 출력 전류 및 미리 설정된 기준 전류를 비교하는 센싱 마진 리드부를 포함하며,
상기 온도가 높아지면 상기 저항의 출력 전류가 증대되고,
상기 온도가 낮아지면 상기 저항의 출력 전류가 감소되는 저항 변화 메모리 장치. - ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 리드 제어 회로는
상기 저항과 연결되고, 바이어스 전압에 응답하여 동작 전압을 상기 저항에 제공하는 피모스 트랜지스터를 더 포함하는 저항 변화 메모리 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는,
상변화 메모리 셀로 이루어지는 저항 변화 메모리 장치. - 복수의 상변화 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및
상기 메모리 셀 어레이와 연결되며, 선택된 메모리 셀에 리드 바이어스를 제공하여, 선택된 상변화 메모리 셀의 저항 레벨을 리드하는 리드 제어 회로를 포함하고,
상기 리드 제어 회로는,
동작 전압(VPP)에 연결되는 피모스 트랜지스터,
상기 피모스 트랜지스터와 직렬로 연결되는 저항; 및
상기 저항의 출력 노드에서 발생되는 전류 및 기준 전류를 비교하여 센싱 마진을 검증하는 센싱 마진 리드부를 포함하며,
상기 저항의 출력 노드에서 발생되는 상기 전류는 상기 메모리 셀의 온도 변화에 따라 가변되는 레벨을 출력하여, 온도 변화에 따른 상기 메모리 셀의 리드 전류를 보상하는 저항 변화 메모리 시스템. - 삭제
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