KR102095243B1 - 열전소자 - Google Patents
열전소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102095243B1 KR102095243B1 KR1020190036097A KR20190036097A KR102095243B1 KR 102095243 B1 KR102095243 B1 KR 102095243B1 KR 1020190036097 A KR1020190036097 A KR 1020190036097A KR 20190036097 A KR20190036097 A KR 20190036097A KR 102095243 B1 KR102095243 B1 KR 102095243B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin layer
- electrodes
- disposed
- metal substrate
- region
- Prior art date
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 211
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 211
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 124
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 124
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 29
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 8
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920005678 polyethylene based resin Polymers 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000003752 polymerase chain reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003018 immunoassay Methods 0.000 description 1
- 238000000338 in vitro Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000554 physical therapy Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H01L35/24—
-
- H01L35/04—
-
- H01L35/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/856—Thermoelectric active materials comprising organic compositions
Abstract
본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되며, 상기 제1 금속기판과 직접 접촉하는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 열전 레그, 상기 복수의 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치된 제2 금속기판을 포함하고, 상기 제1 수지층은 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하고, 상기 복수의 제1 전극의 측면의 적어도 일부는 상기 제1 수지층 내에 매립된다.
Description
본 발명은 열전소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전소자의 접합 구조에 관한 것이다.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.
열전소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다.
열전소자는 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다.
열전소자는 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전소자는 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.
열전소자는 기판, 전극 및 열전 레그를 포함하며, 상부기판과 하부기판 사이에 복수의 열전 레그가 어레이 형태로 배치되며, 복수의 열전 레그와 상부기판 사이에 복수의 상부 전극이 배치되고, 복수의 열전 레그와 및 하부기판 사이에 복수의 하부전극이 배치된다.
일반적으로, 열전소자는 금속 지지체 상에 배치될 수 있다. 열전소자에 포함되는 상부기판 및 하부기판이 세라믹 기판인 경우, 세라믹 기판과 금속 지지체의 계면에서의 열저항으로 인하여 열손실이 발생할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전소자의 접합 구조를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자는 제1 금속기판, 상기 제1 금속기판 상에 배치되며, 상기 제1 금속기판과 직접 접촉하는 제1 수지층, 상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 열전 레그, 상기 복수의 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고 상기 제2 수지층 상에 배치된 제2 금속기판을 포함하고, 상기 제1 수지층은 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하고, 상기 복수의 제1 전극의 측면의 적어도 일부는 상기 제1 수지층 내에 매립된다.
상기 제1 수지층 내에 매립된 상기 측면의 높이는 상기 복수의 제1 전극의 두께의 0.1 내지 1배일 수 있다.
이웃하는 두 개의 제1 전극 사이에서 상기 제1 수지층의 두께는 각 제1 전극의 측면으로부터 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역으로 갈수록 감소할 수 있다.
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층의 두께는 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역에서의 상기 제1 수지층의 두께보다 작을 수 있다.
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 분포는 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 분포와 상이할 수 있다.
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 입자크기 D50은 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 입자크기 D50보다 작을 수 있다.
상기 제1 금속기판의 상기 제1 수지층과 마주보는 면은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 내부에 배치되는 제2 영역을 포함하며, 상기 제2 영역의 표면거칠기는 상기 제1 영역의 표면거칠기보다 크고, 상기 제1 수지층은 상기 제2 영역 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 금속기판과 상기 제2 금속기판 사이에 배치되는 실링부를 더 포함하고, 상기 실링부는 상기 제1 영역 상에 배치될 수 있다.
상기 실링부는, 상기 제1 수지층의 측면 및 상기 제2 수지층의 측면으로부터 소정 거리 이격되어 배치되는 실링 케이스, 그리고 상기 실링 케이스와 상기 제1 영역 사이에 배치되는 실링재를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지층은 상기 고분자 수지 20 내지 40wt% 및 상기 무기충전재 60 내지 80wt%를 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지, EVA(Ethylene-Vinyl Acetate copolymer)계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 PVC(PolyVinyl Chloride)계 수지 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 무기충전재는 산화알루미늄, 질화붕소 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지층은 상기 제1 수지층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 열전도도가 우수하고, 열손실이 낮으며, 신뢰성이 높은 열전소자를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 금속 지지체와의 접합 강도가 높고, 제작 공정이 간단하다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판 측의 단면도이다.
도 4는 도 3의 한 영역의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이다.
도 6은 도 5의 금속기판을 포함하는 열전소자의 금속기판 측의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다.
도 8은 도 7에 따른 열전소자의 사시도이다.
도 9는 도 7에 따른 열전소자의 분해사시도이다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 제작 방법을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기의 블록도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 냉장고의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판 측의 단면도이다.
도 4는 도 3의 한 영역의 확대도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이다.
도 6은 도 5의 금속기판을 포함하는 열전소자의 금속기판 측의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도이다.
도 8은 도 7에 따른 열전소자의 사시도이다.
도 9는 도 7에 따른 열전소자의 분해사시도이다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 제작 방법을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기의 블록도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 냉장고의 블록도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이며, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 금속기판 측의 단면도이고, 도 4는 도 3의 한 영역의 확대도이다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전소자에 포함되는 금속기판의 상면도이고, 도 6은 도 5의 금속기판을 포함하는 열전소자의 금속기판 측의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 열전소자(100)는 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130), 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150) 및 제2 수지층(160)을 포함한다.
복수의 제1 전극(120)은 제1 수지층(110)과 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 하면 사이에 배치되고, 복수의 제2 전극(150)은 제2 수지층(160)과 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 상면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)는 복수의 제1 전극(120) 및 복수의 제2 전극(150)에 의하여 전기적으로 연결된다. 제1 전극(120)과 제2 전극(150) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 단위 셀을 형성할 수 있다.
각 제1 전극(120)에는 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)가 배치될 수 있으며, 각 제2 전극(150) 상에는 각 제1 전극(120)에 배치된 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 중 하나가 겹쳐지도록 한 쌍의 N형 열전 레그(140) 및 P형 열전 레그(130)가 배치될 수 있다.
여기서, 제1 전극(120) 및 제2 전극(150)에 전압을 인가하면, 펠티에 효과로 인하여 P형 열전 레그(130)로부터 N형 열전 레그(140)로 전류가 흐르는 기판은 열을 흡수하여 냉각부로 작용하고, N형 열전 레그(140)로부터 P형 열전 레그(130)로 전류가 흐르는 기판은 가열되어 발열부로 작용할 수 있다. 또는, 제1 전극(120) 및 제2 전극(150) 간 온도 차를 가해주면, 제백 효과로 인하여 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 내 전하가 이동하며, 전기가 발생할 수도 있다.
여기서, P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)를 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. P형 열전 레그(130)는 전체 중량 100wt%에 대하여 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Se-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다. N형 열전 레그(140)는 전체 중량 100wt%에 대하여 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Sb-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다.
P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 P형 열전 레그(130) 또는 벌크형 N형 열전 레그(140)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 적층형 P형 열전 레그(130) 또는 적층형 N형 열전 레그(140)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.
이때, 한 쌍의 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140)는 동일한 형상 및 체적을 가지거나, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(130)와 N형 열전 레그(140)의 전기 전도 특성이 상이하므로, N형 열전 레그(140)의 높이 또는 단면적을 P형 열전 레그(130)의 높이 또는 단면적과 다르게 형성할 수도 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 성능은 열전성능 지수로 나타낼 수 있다. 열전성능 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
여기서, α는 제벡계수[V/K]이고, σ는 전기 전도도[S/m]이며, α2σ는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고, T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는 a·cp·ρ로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp 는 비열[J/gK]이며, ρ는 밀도[g/cm3]이다.
열전소자의 열전성능 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 제벡 지수(ZT)를 계산할 수 있다.
여기서, 제1 수지층(110)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 복수의 제1 전극(120), 그리고 제2 수지층(160)과 P형 열전 레그(130) 및 N형 열전 레그(140) 사이에 배치되는 복수의 제2 전극(150)은 구리(Cu), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 제1 수지층(110)과 제2 수지층(160)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제1 수지층(110)과 제2 수지층(160) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다.
이때, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 원통 형상, 다각 기둥 형상, 타원형 기둥 형상 등을 가질 수 있다.
또는, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 적층형 구조를 가질 수도 있다. 예를 들어, P형 열전 레그 또는 N형 열전 레그는 시트 형상의 기재에 반도체 물질이 도포된 복수의 구조물을 적층한 후, 이를 절단하는 방법으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 재료의 손실을 막고 전기 전도 특성을 향상시킬 수 있다.
또는, P형 열전 레그(130) 또는 N형 열전 레그(140)는 존 멜팅(zone melting) 방식 또는 분말 소결 방식에 따라 제작될 수 있다. 존 멜팅 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳(ingot)을 제조한 후, 잉곳에 천천히 열을 가하여 단일의 방향으로 입자가 재배열되도록 리파이닝하고, 천천히 냉각시키는 방법으로 열전 레그를 얻는다. 분말 소결 방식에 따르면, 열전 소재를 이용하여 잉곳을 제조한 후, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득하고, 이를 소결하는 과정을 통하여 열전 레그를 얻는다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 금속기판(170)에 제1 금속기판(170)과 직접 접촉하도록 제1 수지층(110)이 배치되고, 제2 금속기판(180)에 제2 금속기판(180)과 직접 접촉하도록 제2 수지층(160)이 배치될 수 있다.
제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 알루미늄-구리 합금 등으로 이루어질 수 있다. 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150), 제2 수지층(160) 등을 지지할 수 있으며, 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180) 중 적어도 하나는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자(100)가 적용되는 애플리케이션에 직접 부착되는 영역일 수 있다. 이에 따라, 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)은 각각 제1 금속지지체 및 제2 금속지지체와 혼용될 수 있다.
제1 금속기판(170)의 면적은 제1 수지층(110)의 면적보다 클 수 있으며, 제2 금속기판(180)의 면적은 제2 수지층(160)의 면적보다 클 수 있다. 즉, 제1 수지층(110)은 제1 금속기판(170)의 가장자리로부터 소정 거리만큼 이격된 영역 내에 배치될 수 있고, 제2 수지층(160)은 제2 금속기판(180)의 가장자리로부터 소정 거리만큼 이격된 영역 내에 배치될 수 있다.
이때, 제1 금속기판(170)의 폭 길이는 제2 금속기판(180)의 폭 길이보다 크거나, 제2 금속기판(180)의 두께는 제1 금속기판(170)의 두께보다 클 수 있다. 또는, 제1 금속기판(170)의 총 면적은 제2 금속기판(180)의 총 면적보다 클 수 있다. 제1 금속기판(170)은 열을 방출하는 방열부이고, 제2 금속기판(180)은 열을 흡수하는 흡열부일 수 있다. 이를 위하여, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면의 반대 면 및 제2 금속기판(180)의 양면 중 제2 수지층(160)이 배치되는 면의 반대 면 중 적어도 한 면에는 복수의 돌출패턴이 배치될 수 있다. 이러한 돌출 패턴은 히트싱크가 될 수 있다.
제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)은 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하는 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 여기서, 고분자 수지는 절연, 접착 또는 방열의 기능이 부여된 고분자 물질을 포함하는 경우 어떠한 물질도 가능하다. 예를 들어, 고분자 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지, EVA(Ethylene-Vinyl Acetate copolymer)계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 PVC(PolyVinyl Chloride)계 수지 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 바람직하게는, 고분자 수지는 에폭시 수지일 수 있다. 여기서, 에폭시 수지는 20 내지 40wt%로 포함되고, 무기충전재는 60 내지 80wt%로 포함될 수 있다. 무기충전재가 60wt%미만으로 포함되면, 열전도 효과가 낮을 수 있으며, 무기충전재가 80wt%를 초과하여 포함되면 수지층과 금속기판 간의 접착력이 낮아질 수 있으며, 수지층이 쉽게 깨질 수 있다.
제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)의 두께는 20 내지 200㎛일 수 있으며, 열전도도는 1W/mK이상, 바람직하게는 10W/mK이상, 더욱 바람직하게는 20W/mK 이상일 수 있다. 제1 수지층(110)과 제2 수지층(160)의 두께가 이러한 수치범위를 만족할 경우, 제1 수지층(110) 및 제2 수지층(160)이 온도 변화에 따라 수축 및 팽창을 반복하더라도, 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접합 및 제2 수지층(160)과 제2 금속기판(180) 간의 접합에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
이를 위하여, 에폭시 수지는 에폭시 화합물 및 경화제를 포함할 수 있다. 이때, 에폭시 화합물 10 부피비에 대하여 경화제 1 내지 10 부피비로 포함될 수 있다. 여기서, 에폭시 화합물은 결정성 에폭시 화합물, 비결정성 에폭시 화합물 및 실리콘 에폭시 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 결정성 에폭시 화합물은 메조겐(mesogen) 구조를 포함할 수 있다. 메조겐(mesogen)은 액정(liquid crystal)의 기본 단위이며, 강성(rigid) 구조를 포함한다. 그리고, 비결정성 에폭시 화합물은 분자 중 에폭시기를 2개 이상 가지는 통상의 비결정성 에폭시 화합물일 수 있으며, 예를 들면 비스페놀 A 또는 비스페놀 F로부터 유도되는 글리시딜에테르화물일 수 있다. 여기서, 경화제는 아민계 경화제, 페놀계 경화제, 산무수물계 경화제, 폴리메르캅탄계 경화제, 폴리아미노아미드계 경화제, 이소시아네이트계 경화제 및 블록 이소시아네이트계 경화제 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 2 종류 이상의 경화제를 혼합하여 사용할 수도 있다.
무기충전재는 산화알루미늄 또는 질화물을 포함할 수 있으며, 질화물은 무기충전재의 55 내지 95wt%로 포함될 수 있으며, 더 좋게는 60~80wt% 일 수 있다. 질화물이 이러한 수치범위로 포함될 경우, 열전도도 및 접합 강도를 높일 수 있다. 여기서, 질화물은, 질화붕소 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 질화붕소는 판상 질화붕소이거나, 판상 질화붕소가 뭉쳐진 질화붕소 응집체일 수 있으며, 질화붕소의 표면은 고분자 수지로 코팅될 수 있다. 여기서, 질화붕소와 결합할 수 있거나, 질화붕소의 표면을 코팅할 수 있다면, 어떠한 고분자 수지도 이용될 수 있다. 고분자 수지는, 예를 들어 아크릴계 고분자 수지, 에폭시계 고분자 수지, 우레탄계 고분자 수지, 폴리아미드계 고분자 수지, 폴리에틸렌계 고분자 수지, EVA(ethylene vinyl acetate copolymer)계 고분자 수지, 폴리에스테르계 고분자 수지 및 PVC(polyvinyl chloride)계 고분자 수지로 이루어진 그룹에서 선택될 수 있다. 그리고, 고분자 수지는 하기 단위체 1을 가지는 고분자 수지일 수도 있다.
단위체 1은 다음과 같다.
[단위체 1]
여기서, R1, R2, R3 및 R4 중 하나는 H이고, 나머지는 C1~C3 알킬, C2~C3 알켄 및 C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 선택되고, R5는 선형, 분지형 또는 고리형의 탄소수 1 내지 12인 2가의 유기 링커일 수 있다.
한 실시예로, R1, R2, R3 및 R4 중 H를 제외한 나머지 중 하나는 C2~C3 알켄에서 선택되며, 나머지 중 다른 하나 및 또 다른 하나는 C1~C3 알킬에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지는 하기 단위체 2를 포함할 수 있다.
[단위체 2]
또는, 상기 R1, R2, R3 및 R4 중 H를 제외한 나머지는 C1~C3 알킬, C2~C3 알켄 및 C2~C3 알킨으로 구성된 그룹에서 서로 상이하도록 선택될 수도 있다.
이와 같이, 단위체 1 또는 단위체 2에 따른 고분자 수지가 질화붕소에 코팅되면 작용기를 형성하기 용이해지며, 질화붕소 상에 작용기가 형성되면, 수지와의 친화도가 높아질 수 있다.
이때, 질화붕소의 입자크기 D50은 산화알루미늄의 입자크기 D50보다 클 수 있다. 예를 들어, 질화붕소의 입자크기 D50은 40 내지 200㎛이고, 산화알루미늄의 입자크기 D50은 10 내지 30㎛일 수 있다. 질화붕소의 입자크기 D50과 산화알루미늄의 입자크기 D50이 이러한 수치 범위를 만족할 경우, 질화붕소와 산화알루미늄이 에폭시 수지 조성물 내에 고르게 분산될 수 있으며, 이에 따라 수지층 전체적으로 고른 열전도 효과 및 접착 성능을 가질 수 있다.
이와 같이, 제1 금속기판(170)과 복수의 제1 전극(120) 사이에 제1 수지층(110)이 배치되면, 별도의 세라믹 기판 없이도 제1 금속기판(170)과 복수의 제1 전극(120) 사이의 열전달이 가능하며, 제1 수지층(110) 자체의 접착 성능으로 인하여 별도의 접착제 또는 물리적인 체결 수단이 필요하지 않다. 특히, 제1 수지층(110)은 기존 세라믹 기판에 비하여 현저하게 얇은 두께로 구현할 수 있으므로, 복수의 제1 전극(120)과 제1 금속기판(170) 간의 열전달 성능을 개선할 수 있으며, 열전소자(100)의 전체적인 사이즈를 줄일 수도 있다.
여기서, 제1 금속기판(170)은 제1 수지층(110)과 직접 접촉할 수 있다. 이를 위하여, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면, 즉 제1 금속기판(170)의 제1 수지층(110)과 마주보는 면에는 표면거칠기가 형성될 수 있다. 이에 따르면, 제1 금속기판(170)과 제1 수지층(110) 간의 열압착 시 제1 수지층(110)이 들뜨는 문제를 방지할 수 있다. 본 명세서에서, 표면거칠기는 요철을 의미하며, 표면 조도와 혼용될 수도 있다.
도 2 내지 4를 참조하면, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면, 즉 제1 금속기판(170)의 제1 수지층(110)과 마주보는 면은 제1 영역(172) 및 제2 영역(174)을 포함하며, 제2 영역(174)은 제1 영역(172)의 내부에 배치될 수 있다. 즉, 제1 영역(172)은 제1 금속기판(170)의 가장자리로부터 가운데 영역을 향하여 소정 거리 내에 배치될 수 있으며, 제1 영역(172)은 제2 영역(174)을 둘러쌀 수 있다.
이때, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 영역(172)의 표면거칠기보다 크고, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174) 상에 배치될 수 있다. 여기서, 제1 수지층(110)은 제1 영역(172)과 제2 영역(174) 간의 경계로부터 소정 거리만큼 이격되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174) 상에 배치되되, 제1 수지층(110)의 가장자리는 제2 영역(174) 내부에 위치할 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈(400)의 적어도 일부에는 제1 수지층(110)의 일부, 즉 제1 수지층(110)에 포함되는 에폭시 수지(600) 및 무기충전재의 일부(604)가 스며들 수 있으며, 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착력이 높아질 수 있다.
다만, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 수지층(110)에 포함되는 무기충전재 중 일부의 입자크기 D50보다는 크고, 다른 일부의 입자크기 D50보다는 작게 형성될 수 있다. 여기서, 입자크기 D50은 입도분포곡선에서 중량 백분율의 50%에 해당하는 입경, 즉 통과질량 백분율이 50%가 되는 입경을 의미하며, 평균 입경과 혼용될 수 있다. 제1 수지층(110)이 무기충전재로 산화알루미늄과 질화붕소를 포함할 경우를 예로 들면, 산화알루미늄은 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착 성능에 영향을 미치지 않지만, 질화붕소는 표면이 매끄러우므로 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170) 간의 접착 성능에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기를 제1 수지층(110)에 포함되는 산화알루미늄의 입자크기 D50보다는 크되, 질화붕소의 입자크기 D50보다는 작게 형성하면, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈 내에는 산화알루미늄만이 배치되며, 질화붕소는 배치되기 어려우므로, 제1 수지층(110)과 제1 금속기판(170)은 높은 접합 강도를 유지할 수 있다.
이에 따라, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제1 수지층(110) 내에 포함된 무기충전재 중 크기가 상대적으로 작은 무기충전재(604), 예를 들어 산화알루미늄의 입자크기 D50의 1.05 내지 1.3배이고, 제1 수지층(110) 내에 포함된 무기충전재 중 크기가 상대적으로 큰 무기충전재(602), 예를 들어 질화붕소의 입자크기 D50보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 40㎛ 미만, 바람직하게는 10.5 내지 39㎛일 수 있다. 이에 따르면, 제2 영역(174)의 표면거칠기에 의하여 형성된 홈 내에 배치되는 질화붕소를 최소화할 수 있다.
이러한 표면거칠기는 표면거칠기 측정기를 이용하여 측정될 수 있다. 표면거칠기 측정기는 탐침을 이용하여 단면 곡선을 측정하며, 단면 곡선의 산봉우리선, 골바닥선, 평균선 및 기준길이를 이용하여 표면거칠기를 산출할 수 있다. 본 명세서에서, 표면거칠기는 중심선 평균 산출법에 의한 산술평균 거칠기(Ra)를 의미할 수 있다. 산술평균 거칠기(Ra)는 아래 수학식 2를 통하여 얻어질 수 있다.
즉, 표면거칠기 측정기의 탐침을 얻은 단면 곡선을 기준길이 L만큼 뽑아내어 평균선 방향을 x축으로 하고, 높이 방향을 y축으로 하여 함수(f(x))로 표현하였을 때, 수학식 2에 의하여 구해지는 값을 ㎛미터로 나타낼 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 도 5 내지 6을 참조하면, 제1 금속기판(170)의 양면 중 제1 수지층(110)이 배치되는 면, 즉 제1 금속기판(170)의 제1 수지층(110)과 마주보는 면은 제1 영역(172) 및 제1 영역(172)에 의하여 둘러싸이고, 제1 영역(172)보다 표면거칠기가 크게 형성된 제2 영역(174)을 포함하되, 제3 영역(176)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 제3 영역(176)은 제2 영역(174)의 내부에 배치될 수 있다. 즉, 제3 영역(176)은 제2 영역(174)에 의하여 둘러싸이도록 배치될 수 있다. 그리고, 제2 영역(174)의 표면거칠기는 제3 영역(176)의 표면거칠기보다 크게 형성될 수 있다.
이때, 제1 수지층(110)은 제1 영역(172)과 제2 영역(174) 간 경계로부터 소정 거리 이격되도록 배치되되, 제1 수지층(110)은 제2 영역(174)의 일부 및 제3 영역(176)를 커버하도록 배치될 수 있다.
한편, 다시 도 1을 참조하면, 복수의 제1 전극(120)의 측면(121)의 적어도 일부는 제1 수지층(110) 내에 매립된다. 이때, 제1 수지층(110) 내에 매립된 복수의 제1 전극(120)의 측면(121)의 높이(H1)는 복수의 제1 전극(120)의 두께(H)의 0.1 내지 1배, 바람직하게는 0.2 내지 0.9배, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 0.8배일 수 있다. 이와 같이, 복수의 제1 전극(120)의 측면(121)의 적어도 일부가 제1 수지층(110) 내에 매립되면, 복수의 제1 전극(120)과 제1 수지층(110) 간의 접촉 면적이 넓어지게 되며, 이에 따라 복수의 제1 전극(120)과 제1 수지층(110) 간의 열전달 성능 및 접합 강도가 더욱 높아질 수 있다. 제1 수지층(110) 내에 매립된 복수의 제1 전극(120)의 측면(121)의 높이(H1)가 복수의 제1 전극(120)의 두께(H)의 0.1배 미만일 경우, 복수의 제1 전극(120)과 제1 수지층(110) 간의 열전달 성능 및 접합 강도를 충분히 얻기 어려울 수 있고, 제1 수지층(110) 내에 매립된 복수의 제1 전극(120)의 측면(121)의 높이(H1)가 복수의 제1 전극(120)의 두께(H)의 1배를 초과할 경우 제1 수지층(110)이 복수의 제1 전극(120) 상으로 올라올 수 있으며, 이에 따라 전기적으로 단락될 가능성이 있다.
더욱 자세하게는, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이에서 제1 수지층(110)의 두께는 각 전극의 측면으로부터 중심영역으로 갈수록 감소할 수 있다. 여기서, 중심영역은 두 개의 제1 전극(120) 사이의 가운데 지점을 포함하는 소정의 영역을 의미할 수 있다. 즉, 제1 수지층(110)의 두께는 하나의 제1 전극(120)의 측면으로부터 멀어질수록 점점 줄어들다가 이웃하는 다른 제1 전극(120)의 측면에 가까워질수록 점점 커질 수 있다. 이때, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이에서 제1 수지층(110)의 두께는 완만하게 줄어들다가 커질 수 있다. 이에 따라, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이에서 제1 수지층(110)의 상면은 꼭지점이 완만한 'V'자 형상을 가질 수 있다. 따라서, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110)은 두께의 편차를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(120)의 측면(121)과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 높이(T2)가 가장 높으며, 중심영역에서의 제1 수지층(110)의 높이(T3)는 제1 전극(120)의 측면(121)과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 높이(T2)보다 낮을 수 있다. 즉, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110)의 중심영역 높이(T3)는 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110) 내에서 가장 낮을 수 있다.
다만, 각 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110)의 높이(T1)는 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110)의 중심영역의 높이(T3)보다 더 낮을 수 있다. 즉, 제1 전극(120)의 측면과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 높이(T2), 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 중심영역에서의 제1 수지층(110)의 높이(T3) 및 각 제1 전극(120) 아래에 배치된 제1 수지층(110)의 높이(T1)를 비교할 때, T2>T3>T1의 순으로 높이의 편차가 발생할 수 있다.
이러한 높이의 편차는 미경화 또는 반경화 상태의 제1 수지층(110)을 이루는 조성물 상에 복수의 제1 전극(120)을 배치하여 가압한 후 제1 수지층(110)을 이루는 조성물이 경화되는 과정에서 조성물 내부의 공기가 열에너지에 의하여 배출되는 것에 의하여 형성될 수 있다. 즉, 복수의 제1 전극(120)의 측면은 제1 수지층(110)을 이루는 조성물 내부의 공기가 배출되는 채널이 될 수 있으며, 이에 따라, 제1 수지층(110)을 이루는 조성물은 복수의 제1 전극(120)의 측면을 따라 중력 방향으로 하강하는 형태로 경화될 수 있다.
이때, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110)의 두께(T1)는 20 내지 80㎛이고, 제1 전극(120)의 측면(121)과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 두께(T2)는 각 제1 전극(120) 아래에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(T1)의 1.5 내지 4배, 바람직하게는 2 내지 4배, 더욱 바람직하게는 3 내지 4배일 수 있다. 그리고, 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 중심영역에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(T3)는 각 제1 전극(120) 아래에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(T1)의 1.1 내지 3배, 바람직하게는 1.1 내지 2.5배, 더욱 바람직하게는 1.1 내지 2배일 수 있다. 또한, 제1 전극(120)의 측면(121)과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 두께(T2)는 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 중심영역에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(T3)의 1.5 내지 3.5배, 바람직하게는 2 내지 3배, 더욱 바람직하게는 2.2 내지 2.7배일 수 있다. 이와 같이, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110)의 두께(T1), 제1 전극(120)의 측면(121)과 직접 접촉하는 영역에서의 제1 수지층(110)의 두께(T2) 및 이웃하는 두 개의 제1 전극(120) 사이의 중심영역에 배치된 제1 수지층(110)의 두께(T3)가 서로 상이할 경우, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110) 내 무기충전재의 분포는 복수의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110) 내 무기충전재의 분포와 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 수지층(110)이 D50이 40 내지 200㎛인 질화붕소 및 D50이 10 내지 30㎛인 산화알루미늄을 포함하는 경우, 질화붕소 및 산화알루미늄이 제1 수지층(110) 내에 전체적으로 고르게 분산되더라도, 부분적으로는 그 분포가 상이할 수 있다. 예를 들어, D50이 40 내지 200㎛인 질화붕소의 밀도는 약 2.1g/cm3이고, D50이 10 내지 30㎛인 산화알루미늄의 밀도는 약 3,95 내지 4.1g/cm3이다. 이에 따라, 밀도가 높고 크기가 작은 산화알루미늄은 상대적으로 밀도가 낮고 크기가 큰 질화붕소에 비하여 밑으로 가라앉는 경향이 있다. 특히, 제1 수지층(110) 내 복수의 제1 전극(120) 아래에 배치되는 영역, 즉 두께가 T1인 영역에서는 T1에 비하여 입자 크기가 큰 무기충전재는 복수의 제1 전극(120) 사이의 영역, 즉 두께가 T2 내지 T3인 영역으로 밀려날 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110) 내 무기충전재의 분포는 복수의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110) 내 무기충전재 분포와 상이할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110) 내 전체 무기충전재에 대한 질화붕소의 함량 비(예, 중량비)는 복수의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110) 내 전체 무기충전재에 대한 질화붕소의 함량 비(예, 중량비)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 전극(120) 아래의 제1 수지층(110) 내 무기충전재의 입자 크기 D50은 복수의 제1 전극(120) 사이의 제1 수지층(110) 내 무기충전재의 입자 크기 D50보다 작을 수 있다. 산화알루미늄은 제1 수지층(110)과 복수의 제1 전극(120) 간의 접착 성능에 영향을 미치지 않지만, 질화붕소는 표면이 매끄러우므로 제1 수지층(110)과 복수의 제1 전극(120) 간의 접착 성능에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다. 본 발명의 실시예와 같이 복수의 제1 전극(120)이 제1 수지층(110) 내에 매립되면 복수의 제1 전극(120) 아래에 배치되는 제1 수지층(110) 내 질화붕소의 함량이 줄어들게 되며, 이에 따라 복수의 제1 전극(120)이 제1 수지층(110) 내에 매립되지 않는 경우에 비하여 복수의 제1 전극(120)과 제1 수지층(110) 간의 접합 강도를 높일 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도이고, 도 8은 도 7에 따른 열전소자의 사시도이며, 도 9는 도 7에 따른 열전소자의 분해사시도이다. 도 1 내지 6에서 설명한 내용과 동일한 내용은 중복된 설명을 생략한다.
도 7 내지 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자(100)는 실링부(190)를 포함한다.
실링부(190)는 제1 금속기판(170) 상에서 제1 수지층(110)의 측면과 제 2수지층(160)의 측면에 배치될 수 있다, 즉, 실링부(190)는 제 1금속기판(170)과 제 2금속기판(180) 사이에 배치되며, 복수의 제1 전극(120)의 최외곽, 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 최외곽, 복수의 제2 전극(150)의 최외곽 및 제2 수지층(160)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130), 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150) 및 제2 수지층은 외부의 습기, 열, 오염 등으로부터 실링될 수 있다.
이때, 실링부(190)는 제1 영역(172) 상에 배치될 수 있다. 이와 같이, 표면거칠기가 작은 제1 영역(172) 상에 실링부(190)가 배치되면, 실링부(190) 와 제1 금속기판(170) 간의 실링 효과를 높일 수 있다.
여기서, 실링부(190)는 제1 수지층(110)의 측면, 복수의 제1 전극(120)의 최외곽, 복수의 P형 열전 레그(130) 및 복수의 N형 열전 레그(140)의 최외곽, 복수의 제2 전극(150)의 최외곽 및 제2 수지층(160)의 측면으로부터 소정 거리 이격되어 배치되는 실링 케이스(192), 실링 케이스(192)와 제1 금속기판(170)의 제1 영역(172) 사이에 배치되는 실링재(194), 실링케이스(192)와 제2 금속기판(180)의 측면 사이에 배치되는 실링재(196)를 포함할 수 있다. 이와 같이, 실링케이스(192)는 실링재(194, 196)를 매개로 하여 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 실링케이스(192)가 제1 금속기판(170) 및 제2 금속기판(180)과 직접 접촉할 경우 실링케이스(192)를 통해 열전도가 일어나게 되고, 결과적으로 △T가 낮아지는 문제를 방지할 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에 따르면, 실링케이스(192)의 내벽의 일부는 경사지도록 형성되며, 실링재(196)는 제2 금속기판(180)의 측면에서 제2 금속기판(180)과 실링케이스(192) 사이에 배치된다. 이에 따라, 실링케이스(192)와 제2 금속기판(180) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있으며, 제1 금속기판(170)과 제2 금속기판(180) 사이의 부피가 커지게 되어, 열교환이 활발해지므로, 보다 높은 △T를 얻을 수 있다.
여기서, 실링재(194, 196)는 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나를 포함하거나, 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나가 양면에 도포된 테이프를 포함할 수 있다. 실링재(194, 196)는 실링케이스(192)와 제1 금속기판(170) 사이 및 실링케이스(192)와 제2 금속기판(180) 사이를 기밀하는 역할을 하며, 제1 수지층(110), 복수의 제1 전극(120), 복수의 P형 열전 레그(130), 복수의 N형 열전 레그(140), 복수의 제2 전극(150) 및 제2 수지층(160)의 실링 효과를 높일 수 있고, 마감재, 마감층, 방수재, 방수층 등과 혼용될 수 있다.
한편, 실링 케이스(192)에는 전극에 연결된 와이어(200, 202)를 인출하기 위한 가이드 홈(G)이 형성될 수 있다. 이를 위하여, 실링 케이스(192)는 플라스틱 등으로 이루어진 사출 성형물일 수 있으며, 실링 커버와 혼용될 수 있다.
여기서, 제1 금속기판(170)은 열을 방출하는 방열부 또는 발열부이고, 제2 금속기판(180)은 열을 흡수하는 흡열부 또는 냉각부일 수 있다. 이를 위하여, 제1 금속기판(170)의 폭 길이는 제2 금속기판(180)의 폭 길이보다 크거나, 제1 금속기판(170)의 두께는 제2 금속기판(180)의 두께보다 얇을 수 있다. 이에 따라, 방열부 또는 발열부인 제1 금속기판(170)은 열저항이 작도록 구현될 수 있으며, 실링부(190)가 안정적으로 배치될 수 있다. 특히, 제1 금속기판(170)은 실링부(190)를 안정적으로 배치하기 위하여, 제1 영역(172)에 해당하는 면적만큼 제2 금속기판(180)보다 크게 형성될 수 있다. 흡열부 또는 냉각부인 제2 금속기판(180)은 접촉하는 대상물과 최소한의 면적으로 접촉할 수 있으므로, 열손실을 최소화할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 냉각을 위한 애플리케이션에 적용되는 경우, 제2 금속기판(180)의 두께는 요구되는 냉각 시스템의 열용량에 따라 달라질 수 있다.
도 7 내지 9에서 설명한 실시예는, 제1 금속기판(170)이 제1 영역(172)과 제2 영역(174)을 포함하는 도 1 내지 4의 실시예뿐만 아니라, 제1 금속기판(170)이 제1 영역(172), 제2 영역(174) 및 제3 영역(176)을 포함하는 도 5 내지 6의 실시예에도 적용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 열전소자의 제작 방법을 나타낸다.
도 10을 참조하면, 금속기판의 양면 중 한 면에 표면 거칠기를 형성한다(S1000). 표면거칠기는 샌드블라스팅, 소잉(sawing), 캐스팅(casting), 포깅(forging), 선삭, 밀링, 보링, 드릴링, 방전가공 등의 다양한 방법으로 수행될 수 있으며, 이로 제한되는 것은 아니다. 전술한 바와 같이, 표면거칠기는 금속기판의 양면 중 한 면 내 일부 영역에만 수행될 수 있다. 예를 들어, 표면거칠기는 도 1 내지 4의 실시예와 같이 금속기판의 가장자리를 포함하는 일부 영역, 즉 제1 영역을 제외하고, 금속기판의 가운데를 포함하는 나머지 영역, 즉 제2 영역에 수행될 수 있다. 또는, 표면거칠기는 도 5 내지 6의 실시예와 같이 금속간의 가장자리를 포함하는 일부 영역, 즉 제1 영역 및 금속기판의 가운데를 포함하는 일부 영역, 즉 제3 영역을 제외하고, 나머지 영역, 즉 제2 영역에 수행될 수도 있다.
그리고, 금속기판 상에 수지층을 이루는 수지 조성물, 예를 들어 에폭시 수지 조성물을 도포한다(S1010). 이때, 에폭시 수지 조성물은 80 내지 180㎛의 두께로 도포될 수 있다. 수지층이 미경화 또는 반경화인 상태에서, 수지층 상에 복수의 전극을 배치한다(S1020). 복수의 전극은 어레이 형태로 정렬된 후 배치될 수 있다. 이때, 복수의 전극은 Cu층을 포함할 수 있으며, Cu층 상에 순차적으로 도금된 Ni층 및 Au층을 더 포함하거나, Cu층 상에 순차적으로 도금된 Ni층 및 Sn층을 더 포함할 수도 있다.
그리고, 금속기판의 아래 및 복수의 전극의 위에서 열 압착을 한다(S1030). 이를 위하여, 필름 상에 어레이 형태로 배치된 복수의 전극이 미경화 또는 반경화 상태의 수지층을 향하도록 배치된 후, 열 압착을 수행하고, 필름을 제거할 수 있다. 이에 따라, 복수의 전극의 측면의 일부가 수지층 내에 매립된 상태에서 수지층이 경화될 수 있다.
이하에서는 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 정수기에 적용된 예를 설명한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기의 블록도이다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 정수기(1)는 원수 공급관(12a), 정수 탱크 유입관(12b), 정수탱크(12), 필터 어셈블리(13), 냉각 팬(14), 축열조(15), 냉수 공급관(15a), 및 열전장치(1000)을 포함한다.
원수 공급관(12a)은 수원으로부터 정수 대상인 물을 필터 어셈블리(13)로 유입시키는 공급관이고, 정수 탱크 유입관(12b)은 필터 어셈블리(13)에서 정수된 물을 정수 탱크(12)로 유입시키는 유입관이고, 냉수 공급관(15a)은 정수 탱크(12)에서 열전장치(1000)에 의해 소정 온도로 냉각된 냉수가 최종적으로 사용자에게 공급되는 공급관이다.
정수 탱크(12)는 필터 어셈블리(13)를 경유하며 정수되고 정수 탱크 유입관(12b)을 통해 유입된 물을 저장 및 외부로 공급하도록 정수된 물을 잠시 수용한다.
필터 어셈블리(13)는 침전 필터(13a)와, 프리 카본 필터(13b)와, 멤브레인 필터(13c)와, 포스트 카본 필터(13d)로 구성된다.
즉, 원수 공급관(12a)으로 유입되는 물은 필터 어셈블리(13)를 경유하며 정수될 수 있다.
축열조(15)가 정수 탱크(12)와, 열전장치(1000)의 사이에 배치되어, 열전장치(1000)에서 형성된 냉기가 저장된다. 축열조(15)에 저장된 냉기는 정수 탱크(12)로 인가되어, 정수 탱크(120)에 수용된 물을 냉각시킨다.
냉기 전달이 원활하게 이루어질 수 있도록, 축열조(15)는 정수 탱크(12)와 면접촉될 수 있다.
열전장치(1000)은 상술한 바와 같이, 흡열면과 발열면을 구비하며, P 형 반도체 및 N형 반도체 상의 전자 이동에 의해, 일측은 냉각되고, 타측은 가열된다.
여기서, 일측은 정수 탱크(12) 측이며, 타측은 정수 탱크(12)의 반대측일 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 열전장치(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 정수기 내에서 정수 탱크(12)를 효율적으로 냉각할 수 있다.
이하에서는 도 12를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 냉장고에 적용된 예를 설명한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 적용된 냉장고의 블록도이다.
냉장고는 심온 증발실내에 심온 증발실 커버(23), 증발실 구획벽(24), 메인 증발기(25), 냉각팬(26) 및 열전장치(1000)을 포함한다.
냉장고 내는 심온 증발실 커버(23)에 의하여 심온 저장실과 심온 증발실로 구획된다.
상세히, 상기 심온 증발실 커버(23)의 전방에 해당하는 내부 공간이 심온 저장실로 정의되고, 심온 증발실 커버(23)의 후방에 해당하는 내부 공간이 심온 증발실로 정의될 수 있다.
심온 증발실 커버(23)의 전면에는 토출 그릴(23a)과 흡입 그릴(23b) 이 각각 형성될 수 있다.
증발실 구획벽(24)은 인너 캐비닛의 후벽으로부터 전방으로 이격되는 지점에 설치되어, 심온실 저장 시스템이 놓이는 공간과 메인 증발기(25)가 놓이는 공간을 구획한다.
메인 증발기(25)에 의하여 냉각되는 냉기는 냉동실로 공급된 뒤 다시 메인 증발기 쪽으로 되돌아간다.
열전장치(1000)은 심온 증발실에 수용되며, 흡열면이 심온 저장실의 서랍 어셈블리 쪽을 향하고, 발열면이 증발기 쪽을 향하는 구조를 이룬다. 따라서, 열전장치(1000)서 발생되는 흡열 현상을 이용하여 서랍 어셈블리에 저장된 음식물을 섭씨 영하 50도 이하의 초저온 상태로 신속하게 냉각시키는데 사용될 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 열전장치(1000)은 방수 및 방진 성능이 우수하며, 열 유동 성능이 개선되어, 냉장고 내에서 서랍 어셈블리를 효율적으로 냉각할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 발전용 장치, 냉각용 장치, 온열용 장치 등에 작용될 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 주로 광통신 모듈, 센서, 의료 기기, 측정 기기, 항공 우주 산업, 냉장고, 칠러(chiller), 자동차 통풍 시트, 컵 홀더, 세탁기, 건조기, 와인셀러, 정수기, 센서용 전원 공급 장치, 서모파일(thermopile) 등에 적용될 수 있다.
여기서, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 예로, PCR(Polymerase Chain Reaction) 기기가 있다. PCR 기기는 DNA를 증폭하여 DNA의 염기 서열을 결정하기 위한 장비이며, 정밀한 온도 제어가 요구되고, 열 순환(thermal cycle)이 필요한 기기이다. 이를 위하여, 펠티어 기반의 열전소자가 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 다른 예로, 광 검출기가 있다. 여기서, 광 검출기는 적외선/자외선 검출기, CCD(Charge Coupled Device) 센서, X-ray 검출기, TTRS(Thermoelectric Thermal Reference Source) 등이 있다. 광 검출기의 냉각(cooling)을 위하여 펠티어 기반의 열전소자가 적용될 수 있다. 이에 따라, 광 검출기 내부의 온도 상승으로 인한 파장 변화, 출력 저하 및 해상력 저하 등을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 면역 분석(immunoassay) 분야, 인비트로 진단(In vitro Diagnostics) 분야, 온도 제어 및 냉각 시스템(general temperature control and cooling systems), 물리 치료 분야, 액상 칠러 시스템, 혈액/플라즈마 온도 제어 분야 등이 있다. 이에 따라, 정밀한 온도 제어가 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 의료 기기에 적용되는 또 다른 예로, 인공 심장이 있다. 이에 따라, 인공 심장으로 전원을 공급할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 항공 우주 산업에 적용되는 예로, 별 추적 시스템, 열 이미징 카메라, 적외선/자외선 검출기, CCD 센서, 허블 우주 망원경, TTRS 등이 있다. 이에 따라, 이미지 센서의 온도를 유지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 열전소자가 항공 우주 산업에 적용되는 다른 예로, 냉각 장치, 히터, 발전 장치 등이 있다.
이 외에도 본 발명의 실시예에 따른 열전소자는 기타 산업 분야에 발전, 냉각 및 온열을 위하여 적용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (20)
- 제1 금속기판,
상기 제1 금속기판 상에 배치되며, 상기 제1 금속기판과 직접 접촉하는 제1 수지층,
상기 제1 수지층 상에 배치된 복수의 제1 전극,
상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 열전 레그,
상기 복수의 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극,
상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고
상기 제2 수지층 상에 배치된 제2 금속기판을 포함하고,
상기 제1 수지층은 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하고,
상기 복수의 제1 전극의 측면의 일부는 상기 제1 수지층 내에 매립되고,
상기 복수의 제1 전극 중 서로 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이에 배치된 상기 제1 수지층은, 상기 두 개의 제1 전극의 각 측면으로부터 상기 서로 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역으로 갈수록 두께가 감소하는 영역을 포함하는 열전소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 수지층 내에 매립된 상기 측면의 높이는 상기 복수의 제1 전극의 두께의 0.2 내지 0.9배인 열전소자. - 제2항에 있어서,
상기 제1 수지층 내에 매립되지 않은 상기 제1 전극의 측면은 외부로 노출된 열전소자. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층의 두께는 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역에서의 상기 제1 수지층의 두께보다 작은 열전소자. - 제4항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 분포는 상기 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 상기 제1 수지층 내 상기 무기충전재의 분포와 상이한 열전소자. - 제4항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층의 두께는 20 내지 80㎛인 열전소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 금속기판의 상기 제1 수지층과 마주보는 면은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 내부에 배치되는 제2 영역을 포함하며,
상기 제2 영역의 표면거칠기는 상기 제1 영역의 표면거칠기보다 크고,
상기 제1 수지층은 상기 제2 영역 상에 배치되는 열전소자. - 제7항에 있어서,
상기 제1 금속기판과 상기 제2 금속기판 사이에 배치되는 실링부를 더 포함하고,
상기 실링부는 상기 제1 영역 상에 배치되는 열전소자. - 제8항에 있어서,
상기 실링부는,
상기 제1 수지층의 측면 및 상기 제2 수지층의 측면으로부터 소정 거리 이격되어 배치되는 실링 케이스, 그리고
상기 실링 케이스와 상기 제1 영역 사이에 배치되는 실링재를 포함하는 열전소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제1 수지층은 상기 고분자 수지 20 내지 40wt% 및 상기 무기충전재 60 내지 80wt%를 포함하는 열전소자. - 제 10항에 있어서,
상기 고분자 수지는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에틸렌계 수지, EVA(Ethylene-Vinyl Acetate copolymer)계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 PVC(PolyVinyl Chloride)계 수지 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 무기충전재는 산화알루미늄, 질화붕소 및 질화알루미늄 중 적어도 하나를 포함하는 열전소자. - 제 1항에 있어서,
상기 제2 수지층은 상기 제1 수지층과 동일한 물질을 포함하는 열전소자. - 제 6항에 있어서,
상기 서로 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역에서의 상기 제1 수지층의 두께는 상기 복수의 제1 전극 아래의 상기 제1 수지층의 두께의 1.1 내지 3배인 열전소자. - 제1 금속기판,
상기 제1 금속기판 상에 배치되며, 상기 제1 금속기판과 직접 접촉하고, 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하는 제1 수지층,
상기 제1 수지층 상에 배치되고, 측면의 일부가 상기 제1 수지층과 직접 접촉하는 복수의 제1 전극,
상기 복수의 제1 전극 상에 배치된 복수의 열전 레그,
상기 복수의 열전 레그 상에 배치된 복수의 제2 전극,
상기 복수의 제2 전극 상에 배치되는 제2 수지층, 그리고
상기 제2 수지층 상에 배치된 제2 금속기판을 포함하고,
상기 복수의 제1 전극 중 적어도 하나의 아래에 배치된 제1 수지층의 두께(T1),
적어도 하나의 제1 전극의 측면과 직접 접촉하는 영역에서의 상기 제1 수지층의 두께(T2), 및
상기 적어도 하나의 제1 전극과 이웃하는 적어도 다른 하나의 제1 전극 사이의 중심영역에서의 상기 제1 수지층의 두께(T3)는 다음의 관계를 만족하는 열전소자:
상기 T2는 상기 T3보다 크고, 상기 T3는 상기 T1보다 크다. - 제 14항에 있어서,
상기 제1 수지층은 상기 적어도 하나의 제1 전극의 측면과 직접 접촉하는 영역으로부터 상기 중심 영역으로 갈수록 두께가 감소하는 영역을 포함하는 열전소자. - 제 15항에 있어서,
상기 T2는 상기 T1의 1.5 내지 4배인 열전소자. - 제 15항에 있어서,
상기 T3는 상기 T1의 1.1 내지 3배인 열전소자. - 제 15항에 있어서,
상기 T2는 상기 T3의 1.5 내지 3.5배인 열전소자. - 제 15항에 있어서,
상기 제1 수지층과 직접 접촉하지 않는 상기 적어도 하나의 제1 전극의 측면은 외부로 노출된 열전소자. - 금속기판을 준비하는 단계;
상기 금속기판 상에 고분자 수지 및 무기충전재를 포함하고 유동성을 갖는 제1 수지층을 배치하는 단계;
상기 제1 수지층 상에 복수의 제1 전극을 배치하는 단계;
상기 금속기판 및 상기 복수의 제1 전극에 열과 압력을 가하는 단계;
상기 복수의 제1 전극의 측면의 일부가 상기 제1 수지층에 매립되는 단계;
상기 제1 수지층이 경화되는 단계;를 포함하고,
상기 제1 수지층이 경화되는 단계에서는,
상기 복수의 제1 전극 중 서로 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이에 배치된 상기 제1 수지층이 상기 두 개의 제1 전극의 각 측면으로부터 상기 서로 이웃하는 두 개의 제1 전극 사이의 중심 영역으로 갈수록 두께가 감소하는 영역을 포함하도록 경화되는 열전소자의 전극 형성 방법.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311446808.8A CN117460387A (zh) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 热电元件 |
| PCT/KR2019/003878 WO2019194539A1 (ko) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 열전소자 |
| CN201980024692.4A CN112041996B (zh) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 热电元件 |
| EP23200135.4A EP4277454A3 (en) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | Thermoelectric element |
| CN202311444909.1A CN117460386A (zh) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 热电元件 |
| JP2020553583A JP7442456B2 (ja) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 熱電素子 |
| EP19781406.4A EP3764410B1 (en) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | Thermoelectric element |
| CN202311444498.6A CN117460385A (zh) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | 热电元件 |
| US17/041,695 US20210050504A1 (en) | 2018-04-04 | 2019-04-02 | Thermoelectric element |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20180039307 | 2018-04-04 | ||
| KR1020180039307 | 2018-04-04 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200035660A Division KR102249018B1 (ko) | 2018-04-04 | 2020-03-24 | 열전소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190116066A KR20190116066A (ko) | 2019-10-14 |
| KR102095243B1 true KR102095243B1 (ko) | 2020-04-01 |
Family
ID=68171788
Family Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190036097A KR102095243B1 (ko) | 2018-04-04 | 2019-03-28 | 열전소자 |
| KR1020200035660A KR102249018B1 (ko) | 2018-04-04 | 2020-03-24 | 열전소자 |
| KR1020200152752A KR102392651B1 (ko) | 2018-04-04 | 2020-11-16 | 열전소자 |
| KR1020220051423A KR102596839B1 (ko) | 2018-04-04 | 2022-04-26 | 열전소자 |
| KR1020230145502A KR20230153977A (ko) | 2018-04-04 | 2023-10-27 | 열전소자 |
Family Applications After (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200035660A KR102249018B1 (ko) | 2018-04-04 | 2020-03-24 | 열전소자 |
| KR1020200152752A KR102392651B1 (ko) | 2018-04-04 | 2020-11-16 | 열전소자 |
| KR1020220051423A KR102596839B1 (ko) | 2018-04-04 | 2022-04-26 | 열전소자 |
| KR1020230145502A KR20230153977A (ko) | 2018-04-04 | 2023-10-27 | 열전소자 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210050504A1 (ko) |
| EP (2) | EP4277454A3 (ko) |
| JP (1) | JP7442456B2 (ko) |
| KR (5) | KR102095243B1 (ko) |
| CN (4) | CN117460387A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022050820A1 (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 모듈 및 이를 포함하는 발전 장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210088980A (ko) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전소자 |
| KR20210122606A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 소자 |
| KR20210122605A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전소자 |
| KR20220013223A (ko) * | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 소자 |
| WO2022131395A1 (ko) * | 2020-12-16 | 2022-06-23 | 엘티메탈 주식회사 | 열전 변환 모듈 |
| KR102473032B1 (ko) | 2021-01-18 | 2022-12-01 | 전주대학교 산학협력단 | 열전소자 유닛 |
| KR20230139705A (ko) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 주식회사 세진이에스 | 발전 모듈 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030127725A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US20130081663A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thermoelectric module |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11168245A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Yazaki Corp | 熱電変換装置 |
| JP4121679B2 (ja) | 1998-11-18 | 2008-07-23 | 株式会社小松製作所 | 温度調節器及びその製造方法 |
| US6444893B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-09-03 | Yamaha Corporation | High-converting efficiency large-mechanical strength thermoelectric module |
| JP3570345B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2004-09-29 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュール |
| JP2002280621A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザーモジュール、ペルチェモジュールおよびペルチェモジュール一体型ヒートスプレッダー |
| US6826916B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module, Peltier module, and Peltier module integrated heat spreader |
| JP2003046147A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-14 | Matsushita Refrig Co Ltd | 熱電素子モジュール及びその製造方法 |
| JP2003243563A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属配線基板と半導体装置及びその製造方法 |
| JP4116814B2 (ja) | 2002-04-25 | 2008-07-09 | 京セラ株式会社 | 熱電素子モジュールならびに半導体素子収納用パッケージおよび半導体モジュール |
| JP2005340565A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | 熱電交換モジュール用セラミック基板 |
| JP2007035974A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換装置 |
| US20090236087A1 (en) * | 2008-03-19 | 2009-09-24 | Yamaha Corporation | Heat exchange device |
| KR100999506B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-12-09 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
| US20110290293A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Samsung Electro-Mechanics Co. | Thermoelectric module and method for manufacturing the same |
| JP2012044133A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
| KR20130009443A (ko) * | 2011-07-15 | 2013-01-23 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈 |
| KR20130009442A (ko) * | 2011-07-15 | 2013-01-23 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈 |
| WO2014064755A1 (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び熱電発電電子機器 |
| US20150311420A1 (en) * | 2012-11-29 | 2015-10-29 | Kyocera Corporation | Thermoelectric module |
| CN105190921B (zh) * | 2013-03-21 | 2018-04-17 | 国立大学法人长冈技术科学大学 | 热电转换元件 |
| JP5931790B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 熱電発電モジュール |
| KR102111604B1 (ko) * | 2014-05-13 | 2020-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전환장치 |
| JP6430781B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-11-28 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
| KR20160117944A (ko) * | 2015-04-01 | 2016-10-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치 |
| KR102304713B1 (ko) * | 2015-04-24 | 2021-09-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치 |
| CN111344874A (zh) * | 2017-11-13 | 2020-06-26 | 株式会社朝日精细橡胶研究所 | 热电转换装置 |
-
2019
- 2019-03-28 KR KR1020190036097A patent/KR102095243B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-02 CN CN202311446808.8A patent/CN117460387A/zh active Pending
- 2019-04-02 JP JP2020553583A patent/JP7442456B2/ja active Active
- 2019-04-02 EP EP23200135.4A patent/EP4277454A3/en active Pending
- 2019-04-02 CN CN201980024692.4A patent/CN112041996B/zh active Active
- 2019-04-02 EP EP19781406.4A patent/EP3764410B1/en active Active
- 2019-04-02 CN CN202311444498.6A patent/CN117460385A/zh active Pending
- 2019-04-02 US US17/041,695 patent/US20210050504A1/en active Pending
- 2019-04-02 CN CN202311444909.1A patent/CN117460386A/zh active Pending
-
2020
- 2020-03-24 KR KR1020200035660A patent/KR102249018B1/ko active IP Right Grant
- 2020-11-16 KR KR1020200152752A patent/KR102392651B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-04-26 KR KR1020220051423A patent/KR102596839B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-10-27 KR KR1020230145502A patent/KR20230153977A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030127725A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Metal wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| US20130081663A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Thermoelectric module |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022050820A1 (ko) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 모듈 및 이를 포함하는 발전 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117460385A (zh) | 2024-01-26 |
| US20210050504A1 (en) | 2021-02-18 |
| KR102249018B1 (ko) | 2021-05-07 |
| KR102596839B9 (ko) | 2024-02-08 |
| KR102392651B9 (ko) | 2023-03-23 |
| CN117460386A (zh) | 2024-01-26 |
| EP3764410A4 (en) | 2021-12-08 |
| KR20230153977A (ko) | 2023-11-07 |
| KR20200034983A (ko) | 2020-04-01 |
| CN117460387A (zh) | 2024-01-26 |
| JP7442456B2 (ja) | 2024-03-04 |
| KR20200131794A (ko) | 2020-11-24 |
| EP4277454A3 (en) | 2024-01-10 |
| KR102596839B1 (ko) | 2023-11-02 |
| EP3764410B1 (en) | 2023-11-08 |
| JP2021520627A (ja) | 2021-08-19 |
| KR20220057508A (ko) | 2022-05-09 |
| EP3764410A1 (en) | 2021-01-13 |
| CN112041996A (zh) | 2020-12-04 |
| EP4277454A2 (en) | 2023-11-15 |
| KR102392651B1 (ko) | 2022-05-02 |
| CN112041996B (zh) | 2023-11-24 |
| KR20190116066A (ko) | 2019-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102095243B1 (ko) | 열전소자 | |
| CN111699562B (zh) | 热电装置 | |
| KR20230141663A (ko) | 열전소자 | |
| JP7344882B2 (ja) | 熱電素子およびその製造方法 | |
| KR102434260B1 (ko) | 열전소자 | |
| KR102511769B1 (ko) | 열전모듈 | |
| KR102459953B1 (ko) | 열전 레그 및 이를 포함하는 열전소자 | |
| JP2024056966A (ja) | 熱電素子 | |
| KR102310807B1 (ko) | 열전소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR102055428B1 (ko) | 열전소자 | |
| KR102434259B1 (ko) | 열전소자 | |
| KR102478825B1 (ko) | 열전모듈 | |
| KR20200071488A (ko) | 열전모듈 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| GRNT | Written decision to grant |