KR102087728B1 - 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 비투광성의 성장기판을 준비하는 단계(S1); 성장기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 을 순서대로 형성하여 반도체 발광부를 형성하는 단계(S2); 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계;로서, 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층의 하면이 제2 반도체층의 상면보다 크고 각각의 반도체 발광부가 일부 식각된 제1 반도체층에 의해 연결되도록 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계(S3); 각각의 반도체 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계(S4); 제1 이송판의 접착층에 각각의 반도체 발광부을 접합하는 단계(S5); 성장기판을 제거하는 단계(S6); 각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 제1 반도체층을 제거하는 단계(S7); 그리고 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계(S8);로서, 제1 전극이 제1 반도체층 하면을 50% 이상 덮도록 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법에 대한 것이다.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 접착물질을 포함한 이송판이 사용된 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자(LED, LD)를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 형성되어 있는 반도체 발광부, 성장 기판(예: 사파이어 기판)이 제거된 측에 형성된 제1 전극(60), 제2 반도체층(50)에 전류를 공급하는 한편 반도체 발광부(30, 40, 50)를 지지하는 지지 기판(70), 그리고 지지 기판(70)에 형성된 제2 전극(80)을 포함한다. 제1 전극(60)은 와이어 본딩을 이용하여 외부와 전기적으로 연결된다. 전극(80)측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 1과 같이 전극(60, 80)이 활성층(40)의 위 및 아래에 1개씩 있는 구조의 반도체 발광소자를 수직형 반도체 발광소자라 한다. 본 명세서에서 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 외부는 PCB(Printed Circuit Board), 서브마운트, TFT(Thin Film Transistor) 등을 의미한다. 수직형 반도체 발광소자에 대한 것은 한국 등록특허공보 제1296946호, 한국 공개특허공보 제2014-0041527호 등에 다수 기재되어 있다.
도 2는 한국 공개특허공보 제2018-0092056호에 기재된 마이크로 반도체 발광소자의 분리 및 전사방법의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
본 발명은 반도체 발광소자 중 평면상에서 최대 폭이 150um 이하 바람직하게는 100um 이하의 크기를 갖는 마이크로 반도체 발광소자의 분리 및 전사방법에 대한 것이다.
성장기판(10) 위에 형성된 복수의 마이크로 반도체 발광소자(20)를 이송판(90)에 접착시킨다. 이후 성장기판(10)을 제거한다. 이후 이송판(90)에 접착되어 있는 복수의 마이크로 반도체 발광소자(20)를 외부(91)에 전사한다. 마이크로 반도체 발광소자의 경우 크기가 작아 외부에 마이크로 반도체 발광소자를 이송하여 전기적으로 연결하는데 어려움이 있으며, 본 발명은 이송판(90)에 정렬된 상태로 마이크로 반도체 발광소자(20)를 한 번에 이송하여 외부(91)에 전기적으로 연결할 수 있도록하여 이러한 문제를 해결한 것이다.
도 3은 이송판에서 수직형 마이크로 반도체 발광소자를 제조하는 경우 문제점을 보여주는 도면이다.
수직형 마이크로 반도체 발광소자(20)를 도 2와 같은 방법에 따라 분리하고 전사하는 방법을 사용하는 경우, 이송판(90)에 복수의 마이크로 반도체 발광부(21)를 접착한 상태에서 복수의 마이크로 반도체 발광부(21)의 성장기판(10)이 제거된 측에 전극(22)을 형성하여 수직형 마이크로 반도체 발광소자(20)를 제조할 수 있다. 성장기판(10)이 제거된 측에 전극(22)을 형성하는 경우 포토레지스트(11, PR)를 사용하여 전극(22)을 형성하는 포토리소그래피 공정이 사용될 수 있다. 그러나 이 경우 포토리소그래피 공정에 사용되는 유기용매(예 : PR 제거액 등)에 의해 이송판(90)에 복수의 마이크로 반도체 발광부(21)를 접착시키는 접착물질(92) 예를 들어 실리콘, 에폭시 등과 같은 접착물질(92)의 접착성이 떨어져 이송판(90)으로부터 복수의 마이크로 반도체 발광부(21) 중 일부가 떨어져 나가거나 배열이 흐트러지는 문제가 발생하였다. 또한 수직형 반도체 발광소자의 제조공정 중 성장기판(10)을 제거하기 위해 LLO(Laser Lift-Off)가 아닌 CLO(Chemical Lift-Off))을 사용하는 경우 성장기판(10)을 제거하기 위해 사용한 화학물질에 의해 접착물질(92)의 접착성이 떨어질 수 있다. 특히 적색광을 발광하는 수직형 반도체 발광소자의 경우 성장기판으로 비투광성의 GaAs 기판을 사용하기 때문에 LLO(Laser Lift-Off)가 아닌 CLO(Chemical Lift-Off)) 공정이 필요하다.
본 개시에서는 이송판을 사용하여 수직형 반도체 발광소자를 제조할 때 이송판과 반도체 발광부 사이의 접합력을 유지한 상태에서 수직형 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 비투광성의 성장기판을 준비하는 단계(S1); 성장기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 을 순서대로 형성하여 반도체 발광부를 형성하는 단계(S2); 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계;로서, 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층의 하면이 제2 반도체층의 상면보다 크고 각각의 반도체 발광부가 일부 식각된 제1 반도체층에 의해 연결되도록 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계(S3); 각각의 반도체 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계(S4); 제1 이송판의 접착층에 각각의 반도체 발광부을 접합하는 단계(S5); 성장기판을 제거하는 단계(S6); 각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 제1 반도체층을 제거하는 단계(S7); 그리고 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계(S8);로서, 제1 전극이 제1 반도체층 하면을 50% 이상 덮도록 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 수직형 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개특허공보 제2018-0092056호에 기재된 마이크로 반도체 발광소자의 분리 및 전사방법이 일 예를 보여주는 도면,
도 3은 이송판에서 수직형 반도체 발광소자를 제조하는 경우 문제점을 보여주는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 5 내지 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4(a)는 사시도이고, 도 4(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.
반도체 발광소자(100)는 반도체 발광부(110), 제1 전극(120), 제2 전극(130)을 포함할 수 있다. 반도체 발광부(110)는 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층(111), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층(113) 및 제1 반도체층(111)과 제2 반도체층(113) 사이에 위치하여 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(112)을 포함할 수 있다. 반도체 발광부(110)의 제1 반도체층(111)의 평면적(S1)이 제2 반도체층(113)의 평면적(S2)보다 큰 것이 바람직하다. 즉 반도체 발광부(110)의 제1 반도체층(111)의 하면(1111)이 제2 반도체층(113)의 상면(1131)보다 큰 것이 바람직하며 이유는 도 5 내지 도 7에서 다시 설명한다. 반도체 발광소자(100)의 반도체 발광부(110)는 성장기판에서 MOCVD와 같은 증착법을 통해 성장되며 성장기판으로부터 제1 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 반도체층(113)의 순서로 증착될 수 있다. 예를 들어 반도체 발광부(110)는 제1 반도체층(111)으로 n형 반도체층(Si-doped GaN)이고 제2 반도체층(113)으로 p형 반도체층(Mg-doped GaN) 및 활성층(예: InGaN/GaN 다중양자우물구조)으로 이루어질 수 있으며, 적색광을 발광하는 경우 AlGaInP계열 활성층(112)을 포함한 반도체 발광부를 성장시킬 수 있다.
제1 전극(120)은 제1 반도체층(111)과 전기적으로 연결된다. 특히 제1 전극(120)은 제1 반도체층(111)의 하면(1111)을 50% 이상 덮어 형성된다. 바람직하게는 제1 반도체층(111)의 하면(1111)을 전부 덮어 형성된다. 도시하지는 않았지만 제1 반도체층(111)의 하면(1111)과 제1 전극(120) 사이에 버퍼층 등 전류 흐름을 방해하지 않는 다른 물질이 위치할 수 있다.
제2 전극(130)은 제2 반도체층(113)과 전기적으로 연결된다. 제2 전극(130)과 제2 반도체층(113) 사이에는 전류 확산을 위해 ITO(150)가 위치할 수 있다.
또한 반도체 발광부(110)의 측면(114)에 절연층(140)이 형성될 수 있다. 절연층(140)은 반도체 발광부(110)를 외부 오염으로부터 보호하고 전기적 쇼트 등을 방지할 수 있다. 절연층(140)이 형성되는 경우 절연층(140)의 하면(141)까지 제1 전극(120)이 형성될 수 있다. 제1 전극(120)이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능하기 때문에 제1 전극(120)은 넓게 형성하는 것이 바람직하다. 전기적 쇼트 방지 등을 위해 절연층(140)은 반도체 발광부 측면(114)뿐 아니라 제2 반도체층(113) 상면(1131) 및 ITO(150)가 있는 경우 ITO(150) 상면도 덮을 수 있다. 도 4(a)에서 반도체 발광소자(100)의 사시도는 사다리꼴 형상으로 도시하였으나 단면 형상이 도 4(b)와 같은 사다리꼴 형상인 경우 사시도 형상은 제한이 없다. 예를 들어 도 4(c)와 같은 형상의 반도체 발광소자도 가능하다. 더 나아가 반도체 발광부(110)의 단면 형상은 제2 반도체층(113)의 상면(1131보다 제1 반도체층(111)의 하면(1111)이 커지도록 형성된 경우 도 4(b)와 같은 사다리꼴 형상에 제한되지 않는다. 예를 들어 반도체 발광부(110)의 단면 형상은 도 4(d)와 같은 형상도 가능하다.
도 5 내지 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 보여주는 도면이다.
먼저 성장 기판(200)을 준비한다(S1). 성장 기판(200)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs 등의 물질로 이루어질 수 있으며, 반도체의 성장이 가능하다면 특별한 제한은 없다. 이하, 반도체로 3족 질화물 반도체를 예로 하고, 성장 기판(200)으로 비투광성의 GaAs 기판을 예로 하여 설명한다. 이후 반도체 발광부(210; 예: LED)를 성장기판(200) 위에 형성한다(S2). 반도체 발광부(210)는 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층(211, 예 : n형 반도체층), 활성층(212), 제2 반도체층(213, 예: p형 반도체층)으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광부(210)는 PN 접합을 이용하고, 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 발광하는 구조라면 특별한 제한은 없다. 반도체 발광부(210)는 MOCVD와 같은 증착법을 통해 성장될 수 있다. 도시하지 않았지만 반도체의 안정적 성장을 위한 버퍼층 내지 씨앗층(예: AlN)을 반도체 발광부(210)를 형성하기 전에 성장 기판(200) 위에 준비할 수 있다. 이후 식각(예 : ICP 에칭)을 통해 반도체 발광부(210)를 복수의 반도체 발광부(210)로 개별화한다(S3). 특히 복수의 반도체 발광부(210)로 개별화하는 경우 각각의 반도체 발광부(220)의 측면(214)은 점선으로 된 제1 반도체층(211)의 하면(2111)이 제2 반도체층(213)의 상면(2131)보다 커지도록 식각한다. 다만 개별화된 각각의 반도체 발광부(210) 사이에 일부만 식각되어 얇은 제1 반도체층(211)을 남겨두어 개별화된 각각의 반도체 발광부(210)가 남겨진 제1 반도체층(211)에 의해 서로 연결되도록 식각한다. 이후 제2 반도체층(213)과 전기적으로 연결된 제2 전극(220)을 형성한다(S4). S3 단계와 S4 단계 사이에 필요에 따라 제2 반도체층(213)과 제2 전극(220) 사이에 ITO(230)을 형성할 수 있으며 절연층(240)을 반도체 발광부(210) 측면(214) 및 상면(2131)에 형성할 수 있다(S3-1). 이후 제1 이송판(250)에 각각의 반도체 발광부(210)를 접착한다(S5). 제1 이송판(250)은 지지판(252)과 접착층(251)으로 구성될 수 있으며, 지지판(252)은 잘 휘지 않는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어 유리나 금속판일 수 있다. 다만 지지판(252)이 테이프와 같이 잘 휘는 재질로 형성되는 것을 배제하는 것은 아니다. 제1 이송판(250)의 접착층(251)에 제2 전극(220) 또는 절연층(240) 중 적어도 하나가 접착된다. 이후 성장기판(200)을 반도체 발광부(220)로부터 분리하는 공정(예: CLO(Chemical Lift-Off))을 사용하여 분리한다(S6). 특히 성장기판(200)이 비투광성의 GaAs 기판인 경우 LLO(Laser Lift-Off)을 사용할 수 없다. CLO 공정에 사용되는 화학물질에 의해 제1 이송판(250)의 접착층(251)의 접착력이 떨어지는 것을 반도체 발광부(210) 사이에 남겨둔 제1 반도체층(211)에 의해 방지할 수 있다. 즉 반도체 발광부(210) 사이에 남겨둔 제1 반도체층(211)이 차단막이 되어 CLO 공정에 사용되는 화학물질이 제1 이송판(250)의 접착층(251)에 흘러 들어가지 않거나 적게 흘러들어가게 하여 도 3에 기재된 문제를 해결할 수 있다. 이후 반도체 발광부(210) 사이에 남겨진 제1 반도체층(211)을 제거한다(S7). 빈도체 발광부(210) 사이에 남겨진 얇은 제1 반도체층(211)은 습식 또는 건식 식각 방법으로 제거할 수 있다(S7). 이후 금속(261)을 증착하여 제1 반도체층(211)과 전기적으로 연결된 제1 전극(260)을 형성한다(S8). 본 개시의 S8 단계처럼 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고 단지 금속 증착만을 통해 제1 전극(260)을 형성하기 때문에 도 3에 기재한 문제를 해결할 수 있다. 다만 금속 증착을 할 때 인접한 반도체 발광소자(270) 사이에 증착된 금속이 서로 연결되는 것을 방지하기 위해서 반도체 발광부(210)의 제1 반도체층(211)의 하면(2111)이 제2 반도체층(213)의 상면(2131)보다 커서 반도체 발광부(210)의 단면 형상이 사다리꼴과 유사한 것이 중요하다. 즉 도 7의 S8과 같이 반도체 발광부(210)의 단면 형상이 제1 반도체층(211)의 하면(2111)이 제2 반도체층(213)의 상면(2131)보다 큰 형태의 사다리꼴과 비슷한 경우 금속(261)이 증착될 때 금속(261)이 제1 반도체층(211)의 하면(2211)을 거의 대부분(50% 이상) 덮어 제1 전극(260)을 형성하지만 빗금 친 부분(280)에는 금속(261)이 증착되지 않아 제1 반도체층(211)의 하면(2111)에 형성된 제1 전극(260)과 제1 이송판(250)에 형성된 금속(261)이 떨어져 형성될 수 있다. 따라서 금속을 증착할 때 인접한 반도체 발광소자(270) 사이에 금속이 서로 연결되는 것을 방지할 수 있다. 물론 반도체 발광부(210)의 단면 형상은 제1 반도체층(211)의 하면(2111)이 제2 반도체층(213)의 상면(2131)보다 큰 조건을 만족하는 한 다양하게 가능하며 도 4(d)에서 다양한 예를 기재하였다. 버퍼층의 두께는 30nm 이하 정도여서 제거를 하지 않아도 문제가 없으며, 필요하다면, 플라즈마를 이용하여 제거하는 것이 가능하다. 도 7에서는 버퍼층을 제거한 상태를 도시하였다. 이후 제1 이송판(250)에 정렬된 상태로 완성된 반도체 발광소자(270)를 외부(290)에 전사한다(S9). 필요한 경우 도시하지 않았지만 외부(290)가 아닌 제2 이송판에 전사할 수도 있다. 본 개시에 따른 제조방법은 수직형 마이크로 반도체 발광소자에 바람직하지만, 마이크로 반도체 발광소자보다 큰 일반 수직형 반도체 발광소자에도 적용할 수 있다. 또한 비투광성의 성장기판을 사용하는 적색광을 발광하는 수직형 반도체 발광소자에 적용하는 것이 가장 바람직하다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 비투광성의 성장기판을 준비하는 단계(S1); 성장기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 을 순서대로 형성하여 반도체 발광부를 형성하는 단계(S2); 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계;로서, 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층의 하면이 제2 반도체층의 상면보다 크고 각각의 반도체 발광부가 제1 반도체층에 의해 연결되도록 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계(S3); 각각의 반도체 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계(S4); 제1 이송판의 접착층에 각각의 반도체 발광부을 접합하는 단계(S5); 성장기판을 제거하는 단계(S6); 각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 제1 반도체층을 제거하는 단계(S7); 그리고 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계(S8);로서, 제1 전극이 제1 반도체층 하면을 50% 이상 덮도록 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
(2) S6 단계는 CLO(Chemical Lift-Off)) 공정을 사용하는 반도체 발광소자의 제조방법.
(3) S7 단계에서 각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 일부 식각된 제1 반도체층을 습식 및 건식식각 중 하나의 방법으로 제거하는 반도체 발광소자의 제조방법.
(4) S3 단계와 S5 단계 사이에 절연층이 반도체 발광부의 측면을 덮는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
(5) S7 단계 이후에 각각의 반도체 발광소자의 제1 전극을 제2 이송판에 접합하고 제1 이송판으로부터 각각의 반도체 발광소자를 떨어뜨리는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
(6) S7 단계에서 제1 전극을 형성하는 물질이 각각의 반도체 발광부 사이의 제1 이송판 위에 부착되는 반도체 발광소자의 제조방법.
본 개시에 의하면, 평면상에서 최대 폭이 100um 이하인 수직형 마이크로 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
또한 본 개시에 의하면, 50um 이하의 두께를 갖는 수직형 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
반도체 발광소자 : 100, 280
이송판 : 90, 160
반도체 발광부 : 21, 110, 220

Claims (6)

  1. 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서,
    비투광성의 성장기판을 준비하는 단계(S1);
    성장기판 위에 제1 도전성을 갖는 제1 반도체층, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층 및 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 갖는 제2 반도체층 을 순서대로 형성하여 반도체 발광부를 형성하는 단계(S2);
    반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계;로서, 각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층의 하면이 제2 반도체층의 상면보다 크고 각각의 반도체 발광부가 일부 식각된 제1 반도체층에 의해 연결되도록 반도체 발광부를 복수 개로 나누는 단계(S3);
    각각의 반도체 발광부의 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계(S4);
    제1 이송판의 접착층에 각각의 반도체 발광부를 접합하는 단계(S5);
    성장기판을 제거하는 단계(S6);
    각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 일부 식각된 제1 반도체층을 제거하는 단계(S7); 그리고
    각각의 반도체 발광부의 제1 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계(S8);로서, 제1 전극이 제1 반도체층 하면을 50% 이상 덮도록 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
    S5 단계에서 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극이 제1 이송판의 접착층에 접촉하며,
    S8 단계에서 제1 전극을 형성하는 물질이 각각의 반도체 발광부 사이에서 각각의 반도체 발광부와 접촉하지 않고 제1 이송판 위의 접착층에 부착되는 반도체 발광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    S6 단계는 CLO(Chemical Lift-Off)) 공정을 사용하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    S7 단계에서 각각의 반도체 발광부를 연결하고 있는 일부 식각된 제1 반도체층을 습식 및 건식식각 중 하나의 방법으로 제거하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    S3 단계와 S5 단계 사이에 절연층이 반도체 발광부의 측면을 덮는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    S7 단계 이후에 각각의 반도체 발광소자의 제1 전극을 제2 이송판에 접합하고 제1 이송판으로부터 각각의 반도체 발광소자를 떨어뜨리는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법.
  6. 삭제
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