KR102086497B1 - Exposure data correction apparatus, wiring pattern forming system, and manufacturing method of wiring board - Google Patents

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Abstract

하저 데이터의 수동 측정에 의한 수고를 저감시키면서, 노광 데이터 보정량의 오차를 억제하여, 회로 폭 정밀도를 향상시킨다. 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 제1 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하고, 제1 실패턴의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하고, 제1 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정하고, 제1 실패턴의 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하고, 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 제2 상저 데이터 및 상관 관계에 기초하여, 보정 함수를 결정하고, 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 보정 함수에 기초하여 보정하는, 노광 데이터 보정 장치.While reducing the effort by manual measurement of bottom and bottom data, the error of the exposure data correction amount is suppressed and the circuit width accuracy is improved. Acquire the first bottom data based on the data obtained from the bottom of the first fail turn obtained by the circuit processing using the exposure data based on the design data, and the bottom data based on the data obtained from the bottom of the first fail turn. Determine the correlation between the first lower data and the lower data, and obtain the data obtained from the upper floor in the region including the different regions of the first failure turn or the second lower turn different from the first failure turn. Acquire a second bottom data based on the data, and determine a correction function based on the design data for the failure turn, the second bottom data, and the correlation used to obtain the second bottom data, and determine the second bottom data. An exposure data correcting apparatus for correcting exposure data for a failure turn used to obtain based on a correction function.

Figure R1020177037572
Figure R1020177037572

Description

노광 데이터 보정 장치, 배선 패턴 형성 시스템 및 배선 기판의 제조 방법Exposure data correction apparatus, wiring pattern forming system, and manufacturing method of wiring board

본 발명은 노광 데이터 보정 장치, 배선 패턴 형성 시스템 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이고, 특히 전자 기기 등에 사용되는 배선 기판의 제조에 사용되는 노광 데이터 보정 장치, 배선 패턴 형성 시스템 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure data compensating apparatus, a wiring pattern forming system, and a manufacturing method of a wiring board, and in particular, an exposure data compensating apparatus, a wiring pattern forming system, and a manufacturing method of a wiring board used in the manufacture of a wiring board used for electronic equipment and the like. It is about.

전자 기기의 고기능화, 소형화의 동향으로부터, 전자 기기에 사용되는 배선 기판에 대해서도, 배선 패턴의 세선화에 의한 고밀도화가 요구되고 있다.Due to the trend of higher functionality and miniaturization of electronic devices, higher density due to thinning of wiring patterns is also required for wiring boards used in electronic devices.

이러한 배선 패턴의 세선화에 의한 고밀도화에 대응하기 위한 배선 패턴 형성 방법으로서는, 감광성 레지스트에 노광 패턴을 레이저광이나 UV-LED 광 등으로 직접 조사하는 직접 묘화식의 노광 장치(DI)와, 에칭 등으로 실제로 형성된 실패턴을 반사광으로 판독하여 원데이터(설계 데이터)와의 비교를 행하는 광학식 검사 장치(AOI)를 조합하고, 에칭 후의 실제의 결과 데이터를 광학식 외관 검사 장치(AOI)에 도입하여, 노광 장치(DI)에 피드백하는 방법이 생각되고 있다(특허문헌 1 내지 3).As a wiring pattern formation method for coping with the densification by thinning the wiring pattern, a direct drawing type exposure apparatus DI for directly irradiating an exposure pattern to a photosensitive resist with laser light or UV-LED light, etching, etc. By combining the optical inspection device AOI which reads the failure turn actually formed by the reflected light and compares it with the original data (design data), and introduces the actual result data after etching into the optical appearance inspection device AOI. The method of feeding back to (DI) is considered (patent documents 1-3).

일본 특허 공개 제2005-116929호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-116929 일본 특허 공개 제2006-303229호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-303229 일본 특허 공개 제2007-033764호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-033764

도 17에 도시한 바와 같이, 실패턴은, 상저(톱)와 하저(보텀)를 갖는 볼록상의 형상을 갖는 것이며, 결과값, 예를 들어 배선 패턴(이하, 간단히 「패턴」이라 하는 경우가 있다)의 회로 폭은 톱 폭(1702)과 보텀 폭(1704)에서 상이하다. 배선 패턴의 고밀도화에 있어서는, 설계값과 보텀 폭의 오차를 작게 하는 것이 중요하다. 광학식 외관 검사 장치(AOI)를 사용하면, 결과값 측정을 비교적 용이하게 행할 수 있지만, AOI에 의해 측정되는 결과값은 톱 폭이며, 보텀 폭의 데이터는 얻지 못한다. 이 때문에 AOI의 측정값을 사용하여 DI에 피드백하여 노광 데이터의 보정을 행해도, 톱 폭과 보텀 폭의 차분에 의한 오차가 발생하는 문제가 있다.As shown in FIG. 17, the failure turn has a convex shape having an upper (top) and a lower (bottom) shape, and a result value, for example, a wiring pattern (hereinafter, simply referred to as a "pattern"). ) Has a different circuit width at top width 1702 and bottom width 1704. In densification of the wiring pattern, it is important to reduce the error between the design value and the bottom width. When the optical appearance inspection device AOI is used, the result value can be measured relatively easily, but the result value measured by the AOI is the saw width, and data of the bottom width is not obtained. For this reason, even if the exposure data is corrected by feeding back to DI using the measured value of AOI, there is a problem that an error due to the difference between the top width and the bottom width occurs.

현미경을 사용함으로써 보텀 폭을 측정하는 것은 가능한데, 수동으로 행할 필요가 있기 때문에 방대한 측정 시간이 필요해진다. 측정 부담을 경감시키기 위하여 측정 개소를 저감시켜 측정을 행한 경우에는, 충분한 샘플을 취할 수 없기 때문에, 정확한 피드백을 행할 수 없다는 문제가 있다.Although it is possible to measure the bottom width by using a microscope, a large measurement time is needed because it needs to be performed manually. In order to reduce the measurement burden, when the measurement point is reduced and the measurement is performed, there is a problem that accurate feedback cannot be performed because sufficient samples cannot be taken.

본 발명은 하저(보텀) 데이터의 수동 측정에 의한 수고를 저감시키면서, 노광 데이터 보정량의 오차를 억제하여, 미세 회로 형성 시의 회로 폭 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 노광 데이터 보정 장치, 배선 패턴 형성 시스템 및 배선 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides an exposure data correction device, a wiring pattern forming system, which can reduce the error of the exposure data correction amount while reducing the effort by manual measurement of the bottom (bottom) data and improve the circuit width accuracy at the time of forming a fine circuit. It aims at providing the manufacturing method of a wiring board.

본 발명은 상기한 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 이하와 같은 특징을 갖고 있다. 즉 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 장치는, 목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하고, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하고, 상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하고, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하고, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하고, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and has the following characteristics. That is, the exposure data correcting apparatus of one embodiment of the present invention includes at least a portion of the convex first failing turn having an upper and a lower bottom obtained by circuit processing using exposure data based on design data for a target wiring pattern. Acquiring the first bottom data based on the data obtained from the bottom in the area, acquiring the bottom bottom data based on the data obtained from the bottom in at least a part of the first failure turn, and obtaining the first bottom data. And a second failure turn different from the first failure turn or the data obtained from the bottom in an area including a region different from at least a portion of the first failure turn and determining a correlation between the lower and lower data. To obtain second bottom data based on data obtained from the bottom bottom, and to obtain the second bottom bottom data. On the basis of the design data for the failure turn used, the second bottom data and the correlation, a factor for generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn and for suppressing the difference. A correction function indicating the relationship between the correction amounts is determined, and the exposure data for the failure turn used to obtain the second bottom data is corrected based on the correction function.

본 발명에 있어서의 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 것은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제1 가보정 함수를 결정하고, 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제2 가보정 함수를 결정하고, 상기 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분에 기초하여 보정량 차분 함수를 작성하는 것을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 것은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 제3 가보정 함수를 결정하고, 상기 보정량 차분 함수에 기초하여 상기 제3 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함해도 된다.The first bottom data in the present invention is a result determined in the result value measured at the bottom in at least a portion of the first fail turn and the design data for the first fail turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference between the values, wherein the bottom data includes a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a value for the first failure turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference between the result values determined in the design data, wherein the second bottom data is measured at an upper floor in an area including an area different from an area of at least a portion of the first failure turn. Correction amount data based on a difference between a result value and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value; or And correction amount data based on a difference between a result value measured at the bottom of a second failure turn different from the first failure turn and a result value determined in design data for the second failure turn corresponding to the result value. The determining of the correlation may include determining a first provisional correction function based on the correction amount data in the first upper row data, and determining a second provisional correction function based on the correction amount data in the lower row data. And generating a correction amount difference function based on the difference between the correction amount obtained from the first provisional correction function and the correction amount obtained from the second provisional correction function corresponding to the correction amount, wherein determining the correction function comprises: A third provisional correction based on the design data for the failure turn used to acquire the bottom data and the second bottom data Determining the number, and based on the correction amount function by modifying the difference of the third temporary correction function may include determining the correction function.

또한, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 것은, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제1 결과값 함수를 결정하고, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 하저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제2 결과값 함수를 결정하고, 상기 제1 결과값 함수와 제2 결과값 함수의 차분에 기초하는 결과값 차분 함수를 결정하는 것을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 것은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고, 상기 결과값 차분 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함해도 된다.Further, the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn, and the bottom data is in at least a portion of the bottom of the first failure turn. The second bottom data includes the measured result value, and the second bottom data corresponds to the result value measured at the bottom of the area including an area different from at least a part of the first failure turn and the result value. Correction amount data based on the difference of the determined result value in the design data for the first fail turn or the result value measured at the bottom of the second fail turn different from the first fail turn and the second corresponding to the result value. The correction amount data based on the difference of the result value determined in the design data for the failure turn, and determining the correlation is determined in the design data. A first result function indicating a relationship between a factor that generates a difference between a result value between an overvalue and a failure turn and a result value in the first upper floor data is determined, and the result value and the failure turn determined in the design data are determined. A second result function indicating a relationship between a factor for generating a difference of the result value in the result value and the result value in the bottom data, and determining a result based on the difference between the first result function and the second result function Determining a value difference function, wherein determining the correction function comprises: determining a provisional correction function based on design data for the failure turn and the second bottom data used to obtain the second bottom data, The correction function may be determined by modifying the provisional correction function based on the result difference function.

또한, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 것은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량의 보정량 상관 함수를 결정하는 것을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 것은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고, 상기 보정량 상관 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함해도 된다.Further, the first bottom data is a difference between a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first fail turn and a result value determined in design data for the first fail turn corresponding to the result value. And the correction data based on the data, and the lower data includes the result value measured at the lower part of at least a portion of the first failure turn and the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the result value determined in the above, wherein the second bottom data includes a result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn; Correction amount data or the first failure based on the difference of the result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value And the correction amount data based on the difference between the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the result value determined in the design data for the second failure turn corresponding to the result value, and the correlation Determining includes determining a correction amount correlation function of the correction amount indicated in the correction amount data in the first upper and lower data and the correction amount appearing in the correction amount data in the lower data corresponding to the correction amount. Determining is based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data and the second bottom data to determine the provisional correction function, and based on the correction amount correlation function to correct the temporary correction function And determining the correction function.

또한, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 것은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서 측정된 결과값과 하저 데이터에 있어서 측정된 결과값의 결과값 상관 함수를 결정하는 것을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 것은, 상기 결정된 결과값 상관 함수에 기초하여, 상기 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값에 기초하여 당해 결과값에 대응하는 하저에 있어서의 결과값의 추정값을 계산하고, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 추정된 하저에 있어서의 결과값의 차분에 기초하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함해도 된다.Further, the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn, and the bottom data is in at least a portion of the bottom of the first failure turn. The second bottom data includes a measured result value, and the second bottom data is different from the result value measured at the bottom or the first failure turn in an area including an area different from at least a part of the first failure turn. And including a result value measured at the bottom of the different second failure turn, and determining the correlation: a result correlation function of the result value measured in the first bottom data and the result value measured in the bottom data. Determining, and determining the correction function based on the result value in the second bottom data based on the determined result correlation function. The result value determined in the design data for the failure turn used to calculate an estimate value of the result value at the bottom corresponding to and the second bottom data, and the result at the estimated bottom corresponding to the result value. It may include determining the correction function based on the difference of the values.

상기 제1 및 제2 상저 데이터에 포함되는 결과값은 광학식 외관 검사 장치에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이고, 상기 하저 데이터는 현미경에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이어도 된다.The resultant values contained in the first and second bottom data may be based on data obtained by an optical appearance inspection apparatus, and the bottom data may be based on data obtained by a microscope.

상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판면의 영역마다 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each region of the same substrate surface on which the wiring pattern is arranged.

상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판의 상면 및 하면마다 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each of the upper and lower surfaces of the same substrate on which the wiring pattern is arranged.

상기 보정 함수가, 배선 패턴에 있어서의 세로 라인 및 가로 라인의 각각에 대하여 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each of the vertical line and the horizontal line in the wiring pattern.

또한 본 발명의 배선 패턴 형성 시스템은, 목표로 하는 배선 패턴의 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 작성하는 노광 데이터 작성 수단과, 노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에, 노광 패턴을 노광하는 패턴 노광 수단과, 상기 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하는 현상 패턴 형성 수단과, 상기 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여 실패턴을 형성하는 실패턴 형성 수단과, 상기 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 상저 데이터를 작성하는 상저 데이터 작성 수단과, 상기 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 작성하는 하저 데이터 작성 수단과, 상기 상저 데이터, 하저 데이터 및 설계 데이터에 기초하여 노광 데이터를 보정하는 전술한 노광 데이터 보정 장치를 구비한다.Moreover, the wiring pattern forming system of this invention exposes an exposure pattern to the exposure data creation means which produces exposure data based on the design data of the target wiring pattern, and the photosensitive resist arrange | positioned on a board | substrate based on exposure data. Pattern exposure means for forming, developing pattern forming means for developing a photosensitive resist exposed to the exposure pattern to form a development pattern, and fail turn forming means for performing a circuit processing on the substrate on which the development pattern is formed to form a failure turn. And bottom data creation means for creating bottom data based on data obtained from the bottom of at least a portion of the failed turn, and bottom based on data obtained from the bottom in at least a portion of the failed turn. Bottom data creation means for creating data, and the bottom data, bottom Based on the data and design data includes the above-described exposure data correction apparatus for correcting an exposure data.

또한, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 노광 데이터를 보정하기 위한 프로그램은, 컴퓨터에, 목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정을 실행시킨다.Moreover, the program for correcting exposure data in one Embodiment of this invention is a convex which has the upper and lower sides obtained by the circuit processing which used the exposure data based on the design data for the target wiring pattern in a computer. Acquiring first bottom data based on data obtained from the bottom of at least a portion of the first failed turn of the image; and based on data obtained from the bottom of the at least one region of the first failed turn; A process of obtaining lower and lower data, a process of determining a correlation between the first lower data and the lower data, and an area different from an area that is different from at least a portion of the first failure turn Data based on data or data obtained from the bottom of a second failure turn that is different from the first failure turn; And a result value determined in the design data and the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data, and the correlation. Determining a correction function indicative of a relationship between a factor for generating a difference in the resultant value and a correction amount for suppressing the difference, and exposure data for a failure turn used to obtain the second upper floor data. The correction process is performed based on the above.

또한, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 노광 데이터를 보정하기 위한 방법이며, 목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정을 포함한다.Moreover, it is a method for correct | amending the exposure data in one Embodiment of this invention, The convex 1st which has an upper and lower bottom obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. Acquiring first bottom data based on data obtained from the bottom of at least a portion of the failed turn; and bottom data based on data obtained from the bottom of the at least one region of the first failed turn. Data obtained from an upper floor in an area including a step of acquiring, a step of determining a correlation between the first bottom data and the bottom data, and an area different from at least a part of the first failure turn; A second bottom day based on data obtained from a bottom of a second fail turn that is different from the first fail turn And a result value determined in the design data and a result in the failure turn, based on the design data for the failure turn, the second bottom data, and the correlation, which are used to obtain the second bottom data. Determining a correction function indicative of a relationship between a factor causing a difference in value and a correction amount for suppressing the difference, and exposure data for a failure turn used to obtain the second upper floor data based on the correction function. Calibration process.

또한, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 배선 기판 제조 방법은, 목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정과, 상기 노광 데이터에 기초하여 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.Moreover, the wiring board manufacturing method in one Embodiment of this invention is a convex 1st failure turn which has the upper and lower bottoms obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. Obtaining first bottom data based on data obtained from the bottom of at least part of the area; and obtaining bottom data based on the data obtained from the bottom of at least part of the first failure turn. And a step of determining a correlation between the first bottom data and the bottom data, and data obtained from a bottom bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn. The second low data obtained based on the data obtained from the low bottom of the second failure turn different from the pattern is obtained. And a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn, based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor to be generated and a correction amount for suppressing the difference, correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function; And forming a wiring pattern based on the exposure data.

또한, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제1 가보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제2 가보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분에 기초하여 보정량 차분 함수를 작성하는 공정을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 공정은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 제3 가보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 보정량 차분 함수에 기초하여 상기 제3 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함해도 된다.Further, the first bottom data is a difference between a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first fail turn and a result value determined in design data for the first fail turn corresponding to the result value. And the correction data based on the data, and the lower data includes the result value measured at the lower part of at least a portion of the first failure turn and the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the result value determined in the above, wherein the second bottom data includes a result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn; Correction amount data or the first failure based on the difference of the result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value And the correction amount data based on the difference between the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the result value determined in the design data for the second failure turn corresponding to the result value, and the correlation The determining step includes determining a first provisional correction function based on the correction amount data in the first upper and lower data, and determining a second provisional correction function based on the correction amount data in the lower and lower data. And generating a correction amount difference function based on the difference between the correction amount obtained from the first provisional correction function and the correction amount obtained from the second provisional correction function corresponding to the correction amount, wherein the determining of the correction function comprises: A third design based on the design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data And the step of determining the correction function, the correction amount based on the differential function modifying the third temporary correction function may include the step of determining the correction function.

상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제1 결과값 함수를 결정하는 공정과, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 하저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제2 결과값 함수를 결정하는 공정과, 상기 제1 결과값 함수와 제2 결과값 함수의 차분에 기초하는 결과값 차분 함수를 결정하는 공정을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 공정은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 결과값 차분 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함해도 된다.The first bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn, and the bottom data is measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn. The second bottom data includes a result value, and the second bottom data includes a result value measured at an upper floor in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and the first value corresponding to the result value. Correction value data based on the difference of the determined result value in the design data for the failure turn or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the second failure turn corresponding to the result value And the correction amount data based on the difference of the result value determined in the design data for the data, and the step of determining the correlation includes the result determined in the design data. Determining a first result function representing a relationship between a factor causing a difference between a result value and a result value in a failure turn and a result value in the first bottom data; and the result value and the actual result value determined in the design data. Determining a second resultant function indicating a relationship between a factor causing a difference in the resultant value in the pattern and a resultant value in the bottom data, and a difference between the first resultant function and the second resultant function. Determining a resultant difference function based on the step of determining a correction function, wherein the step of determining the correction function is based on design data for the failure turn and the second bottom data used for obtaining the second bottom data. A step of determining a positive function, and a step of modifying the provisional correction function based on the result difference function, determine a correction function.

상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량의 보정량 상관 함수를 결정하는 공정을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 공정은, 상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 보정량 상관 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함해도 된다.The first bottom data is based on a difference between a result value measured at the bottom in at least a portion of the first failure turn and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. And the correction data, wherein the lower data is determined in the result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. A correction value data based on the difference between the result values, and the second bottom data includes the result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and the result. The correction amount data or the first failure turn based on the difference of the result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the value; A correction amount data based on the difference between the result value measured at the bottom of the different second failure turn and the result value determined in the design data for the second failure turn corresponding to the result value, and determining the correlation. The step includes determining a correction amount correlation function of the correction amount indicated in the correction amount data in the first upper and lower data and the correction amount indicated in the correction amount data in the lower data corresponding to the correction amount. The determining step may include determining a provisional correction function based on the design data for the failure turn used to obtain the second upper floor data and the second lower data, and the temporary correction based on the correction amount correlation function. The function may be modified to determine the correction function.

상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값을 포함하고, 상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서 측정된 결과값과 하저 데이터에 있어서 측정된 결과값의 결과값 상관 함수를 결정하는 공정을 포함하고, 상기 보정 함수를 결정하는 공정은, 상기 결정된 결과값 상관 함수에 기초하여, 상기 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값에 기초하여 당해 결과값에 대응하는 하저에 있어서의 결과값의 추정값을 계산하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 추정된 하저에 있어서의 결과값의 차분에 기초하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함해도 된다.The first bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn, and the bottom data is measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn. The second bottom data, including a result value, is a result value measured at an upper floor in an area including an area different from at least a part of the first failure turn, or a different value from the first failure turn. And a result value measured at the upper and lower ends of two failure turns, wherein the determining of the correlation comprises determining a result correlation function between the result measured in the first lower data and the result measured in lower data. And a step of determining the correction function, based on the determined result correlation function, based on the result value in the second bottom data. Calculating the estimated value of the resultant value at the bottom, and the resultant value determined in the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data and the estimated bottom value corresponding to the resultant value. The process of determining a correction function based on the difference of the result value of may be included.

상기 제1 및 제2 상저 데이터에 포함되는 결과값은 광학식 외관 검사 장치에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이고, 상기 하저 데이터는 현미경에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이어도 된다.The resultant values contained in the first and second bottom data may be based on data obtained by an optical appearance inspection apparatus, and the bottom data may be based on data obtained by a microscope.

상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판면의 영역마다 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each region of the same substrate surface on which the wiring pattern is arranged.

상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판의 상면 및 하면마다 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each of the upper and lower surfaces of the same substrate on which the wiring pattern is arranged.

상기 보정 함수가, 배선 패턴에 있어서의 세로 라인 및 가로 라인의 각각에 대하여 결정되어도 된다.The correction function may be determined for each of the vertical line and the horizontal line in the wiring pattern.

본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 배선 기판 제조 방법은, 목표로 하는 배선 패턴의 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 작성하는 공정과, 노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에, 노광 패턴을 노광하는 공정과, 상기 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하는 공정과, 상기 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여 제1 실패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 작성하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과, 상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정과, 상기 보정된 노광 데이터에 기초하여 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.In the wiring board manufacturing method in one embodiment of the present invention, an exposure pattern includes a step of creating exposure data based on design data of a target wiring pattern, and a photosensitive resist disposed on the substrate based on the exposure data. Exposing the photosensitive resist exposed to the exposure pattern, forming a development pattern, and performing a circuit processing on the substrate on which the development pattern is formed to form a first failure turn; A process of creating first bottom data based on data obtained from the bottom of at least a portion of one failure turn, and bottom data based on data obtained from the bottom of at least a portion of the first failure turn; And a step of determining a correlation between the first bottom data and the bottom data; A process of creating second bottom data based on data obtained from the bottom in an area including an area different from at least a part of the pattern or data obtained from the bottom of a second failure turn different from the first failure turn And a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn, based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor to be generated and a correction amount for suppressing the difference, correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function; And forming a wiring pattern based on the corrected exposure data.

본 발명에 따르면, 하저 데이터의 수동 측정에 의한 수고를 저감시키면서, 상저 데이터(AOI 측정 데이터)와 실패턴의 하저 데이터의 상관 관계에 기초하여, 노광 데이터 보정량의 오차분을 억제하여, 미세 회로 형성 시의 회로 폭 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 노광 데이터 보정 장치, 배선 패턴 형성 시스템 및 배선 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, while reducing the effort by manual measurement of the bottom and bottom data, based on the correlation between the bottom and bottom data (AOI measurement data) and the bottom and bottom data of the failure turn, the error of the exposure data correction amount is suppressed to form a fine circuit. The exposure data correction apparatus, the wiring pattern forming system, and the manufacturing method of a wiring board which can improve the circuit width precision at the time can be provided.

도 1은 본 발명의 실시 형태의 배선 패턴 형성 시스템의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 노광 데이터 보정 장치의 하드웨어 구성도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 방법의 흐름도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 공정의 흐름도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 공정의 흐름도를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태의 가보정 함수를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태의 가보정 함수 및 보정 함수를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 공정의 흐름도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태의 결과값 함수를 나타낸다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태의 가보정 함수 및 보정 함수를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 공정의 흐름도를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태의 보정량 상관 함수를 나타낸다.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태의 가보정 함수 및 보정 함수를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태의 노광 데이터 보정 공정의 흐름도를 나타낸다.
도 15는 본 발명의 일 실시 형태의 결과값 상관 함수를 나타낸다.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태의 보정 함수를 나타낸다.
도 17은 실패턴의 단면 형상의 개략도를 도시한다.
1 shows a schematic diagram of a wiring pattern forming system according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 shows a hardware configuration diagram of the exposure data correction device in the embodiment of the present invention.
3 shows a flowchart of an exposure data correction method of an embodiment of the present invention.
4 shows a flowchart of an exposure data correction process in one embodiment of the present invention.
5 shows a flowchart of an exposure data correction process of an embodiment of the present invention.
Fig. 6 shows a temporary correction function in one embodiment of the present invention.
7 shows a provisional correction function and a correction function in one embodiment of the present invention.
8 shows a flowchart of an exposure data correction process in one embodiment of the present invention.
9 shows a result function of an embodiment of the present invention.
10 shows a provisional correction function and a correction function in one embodiment of the present invention.
11 shows a flowchart of an exposure data correction process in one embodiment of the present invention.
12 shows a correction amount correlation function in one embodiment of the present invention.
13 shows a temporary correction function and a correction function in one embodiment of the present invention.
14 shows a flowchart of an exposure data correction process in one embodiment of the present invention.
15 shows the result correlation function of one embodiment of the present invention.
16 shows a correction function of one embodiment of the present invention.
17 shows a schematic diagram of the cross-sectional shape of a failure turn.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

도 1에 본 발명의 일 실시 형태에 관한 배선 패턴 형성 시스템(100)의 구성도를 도시한다. 배선 패턴 형성 시스템(100)은, 설계 데이터 작성 장치(101), 노광 데이터 작성 장치(102), 노광 장치(104), 현상 패턴 작성 장치(106), 실패턴 작성 장치(108), 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110) 및 노광 데이터 보정 장치(112)를 구비한다.The structural diagram of the wiring pattern formation system 100 which concerns on FIG. 1 at one Embodiment of this invention is shown. The wiring pattern forming system 100 includes a design data creating apparatus 101, an exposure data creating apparatus 102, an exposure apparatus 104, a developing pattern creating apparatus 106, a fail-turn creating apparatus 108, a bottom and a bottom. The data creation apparatus 110 and the exposure data correction apparatus 112 are provided.

설계 데이터 작성 장치(101)는 설계 데이터를 작성하는 장치이며, 본 실시 형태에 있어서는 CAD(Computer Aided Design)를 사용한다. 배선 패턴의 설계 데이터(원데이터)는, 형성하려고 하는 목표의 배선 패턴을 데이터화한 것이며, 예를 들어 좌표와 회로 폭으로 나타내는 것이다. 노광에 필요한 정보가 부가된 데이터를 갖고 있어도 된다. 본 발명에 있어서는, 임의의 배선 패턴을 사용할 수 있다.The design data generating apparatus 101 is an apparatus which creates design data, and uses CAD (Computer Aided Design) in this embodiment. The design data (original data) of the wiring pattern is a data of a wiring pattern of a target to be formed, and is represented by coordinates and a circuit width, for example. You may have data to which the information required for exposure was added. In the present invention, any wiring pattern can be used.

노광 데이터 작성 장치(102)는, 설계 데이터로부터 노광 데이터를 작성하는 장치이며, 여기에서는 CAM(Computer Aided Manufacturing)을 사용한다. 노광 장치(104)는, 노광 데이터 작성 장치(102)에 의해 작성된 노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에, 노광 패턴을 노광하는 장치이다. 예를 들어, 레이저광 또는 UV-LED 광을 사용하여, 직접 감광성 레지스트에 노광 패턴을 노광시키는 직접 묘화 장치(DI: Direct Imaging)를 사용할 수 있다. 노광 데이터는, 배선 패턴에 대응하는 노광 패턴을, 레이저광 또는 UV 광 등을 사용한 직선 묘화 장치 등의 노광 장치에 의해, 감광성 레지스트를 감광시켜 형성하기 위한 데이터이다.The exposure data creation apparatus 102 is an apparatus which creates exposure data from design data, and uses CAM (Computer Aided Manufacturing) here. The exposure apparatus 104 is an apparatus which exposes an exposure pattern to the photosensitive resist arrange | positioned on the board | substrate based on the exposure data created by the exposure data creation apparatus 102. FIG. For example, direct imaging apparatus (DI) which uses laser light or UV-LED light to expose an exposure pattern to a direct photosensitive resist can be used. Exposure data is data for exposing and forming a photosensitive resist by exposure apparatuses, such as a linear drawing apparatus using a laser beam, UV light, etc., in the exposure pattern corresponding to a wiring pattern.

감광성 레지스트란, 포토리소법에 의해, 구리박 등의 금속박을 에칭함으로써, 배선 패턴을 형성할 때에 사용하는 에칭 레지스트를 의미한다. 노광 패턴이란, 노광 데이터에 기초하여, 감광성 레지스트에 노광된 패턴을 의미하며, 그 후의 현상에 의해 형성되는 현상 패턴에 대응하는 것이다. 현상 패턴 작성 장치(106)는 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하는 장치이다.The photosensitive resist means the etching resist used when forming a wiring pattern by etching metal foil, such as copper foil, by the photolithographic method. An exposure pattern means the pattern exposed to the photosensitive resist based on exposure data, and corresponds to the developing pattern formed by subsequent image development. The development pattern preparation device 106 is an apparatus for developing a photosensitive resist exposed to an exposure pattern to form a development pattern.

실패턴 작성 장치(108)는 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여, 실패턴을 형성하는 장치이다. 예를 들어, 에칭 장치를 사용할 수 있다. 회로 가공이란, 실패턴을 형성하는 것을 의미하는데, 예를 들어 서브트랙트법에 의해 금속박을 에칭하여 배선 패턴을 형성하는 것을 들 수 있다. 실패턴은 실패턴 형성 수단에 의해 형성할 수 있다. 실패턴이란, 회로 형성을 행하여 실제로 형성되는 배선 패턴을 의미하며, 예를 들어 서브트랙트법에 의해 금속박을 에칭하여 얻어진 배선 패턴을 들 수 있다.The fail turn device 108 is a device for performing a circuit process on a substrate on which a development pattern is formed to form a fail turn. For example, an etching apparatus can be used. Circuit processing means forming a failure turn, for example, forming a wiring pattern by etching a metal foil by a subtract method. The failure turn can be formed by the failure turn forming means. A failure turn means the wiring pattern actually formed by performing circuit formation, for example, the wiring pattern obtained by etching metal foil by the subtract method.

상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)는 실패턴의 상저(톱) 및 하저(보텀)의 좌표와 회로 폭이나 간극 폭 등의 결과값으로 표시된 데이터를 작성하는 장치이다. 본 실시 형태에 있어서는, 상저 데이터의 작성을 위하여 광학식 외관 검사 장치(AOI: Automatic Optical Inspection)를 사용한다. AOI는, 실패턴의 상저(톱)로부터 반사하는 광을 검출하여 그 패턴을 수치화하고, 좌표와 회로 폭이나 간극 폭 등의 결과값으로 표시된 데이터로 하는 데 사용할 수 있다. 또한, 하저 데이터의 작성을 위하여, 측정 기능을 갖는 금속 현미경(간단히, 「현미경」이라 하는 경우가 있다)을 사용할 수 있다. 여기에서는, 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)는 현미경을 사용하여 측정된 하저 결과값의 입력을 접수하고, 이것에 기초하여 하저 데이터를 작성한다.The upper and lower data generating apparatus 110 is an apparatus which creates data displayed by the coordinates of the upper and lower (bottom) and the lower (bottom) of the failure turn and the resultant values such as the circuit width and the gap width. In the present embodiment, an optical appearance inspection device (AOI: Automatic Optical Inspection) is used to create the bottom data. The AOI can be used to detect light reflected from the top of the failure turn (top), digitize the pattern, and use the data displayed as coordinates, and result values such as circuit width and gap width. In addition, a metal microscope (sometimes referred to simply as a "microscope") having a measurement function can be used to create bottom and bottom data. Here, the upper and lower data generation apparatus 110 receives the input of the lower and lower result values measured using the microscope, and creates the lower and lower data based on this.

노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득하고, 제1 상저 데이터 및 하저 데이터의 상관 관계를 결정한다. 또한, 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득한다. 그리고, 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 제2 상저 데이터 및 결정된 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하고, 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 보정 함수에 기초하여 보정한다.The exposure data correction apparatus 112 acquires the first bottom data and the bottom data created by the upper and lower data creation apparatus 110, and determines the correlation between the first upper and lower data. Further, a second thread different from the first failure turn or the data obtained from the bottom in the region including the region different from at least a portion of the first failure turn, which is created by the upper and lower data creation apparatus 110. The second bottom data is obtained based on the data obtained from the bottom of the pattern. And generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn, the second bottom data and the determined correlation used to obtain the second bottom data. A correction function indicating the relationship between the factor and the correction amount for suppressing the difference is determined, and the exposure data for the failure turn used to obtain the second bottom data is corrected based on the correction function.

설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자란, 설계 데이터의 배선 패턴 사양 중에서, 그것이 변동함으로써, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분에 변화를 발생시키는 인자를 의미한다. 이러한 인자로서, 예를 들어 실패턴의 설계 데이터의 패턴 간극, 패턴 사이즈, 패턴 두께, 패턴 위치, 패턴 조밀, 패턴 형상 등의 어느 것 또는 어느 2 이상의 조합을 들 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 실패턴 데이터와 원데이터의 차분을 발생시키는 인자로서, 배선 패턴의 패턴 간극(여기서는, 라인과 라인의 간극)을 사용한다. 보정 함수란, 차분을 발생시키는 인자와 차분을 억제하기 위한 노광 데이터의 보정량의 관계를 규정한 것이다.The factor that causes the difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn is the result value determined in the design data and the result value in the failure turn due to variations in the wiring pattern specification of the design data. Means a factor that causes a change in the difference. As such a factor, any or any combination of two or more of the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, the pattern position, the pattern density, the pattern shape, etc. of the design data of a failure turn are mentioned, for example. In the present embodiment, as a factor for generating a difference between the failure turn data and the original data, a pattern gap of a wiring pattern (here, a gap between a line and a line) is used. The correction function defines a relationship between a factor for generating a difference and a correction amount of exposure data for suppressing the difference.

노광 데이터 보정 장치(112)로서, 본 실시 형태에 있어서는, 도 2에 도시하는 하드웨어 구성을 구비하는 컴퓨터(200)를 사용한다. 컴퓨터(200)는 처리부(프로세서)(201), 표시부(202), 입력부(203), 기억부(204), 통신부(205) 및 이들의 각 구성 부품을 접속하는 버스(210)를 구비한다. 표시부(202)는 컴퓨터(200)에 있어서 실행되는 프로그램에 의해 출력되는 화상을 표시한다. 입력부(203)는 유저로부터의 입력을 접수하는 것이며, 예를 들어 키보드나 마우스이다. 기억부(204)는 불휘발성 메모리나 휘발성 메모리, 하드 디스크 등의 정보를 저장할 수 있는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 노광 데이터 보정을 위한 공정을 실행하기 위한 프로그램(206)이 기억부(204)에 저장된다. 통신부(205)는, 무선 통신이나 이더넷(등록 상표) 케이블, USB 케이블 등을 사용한 유선 통신을 행한다. 통신부(205)를 통하여, 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득해도 된다. 프로그램(206)이 실행되면, 처리부(프로세서)(201)는 노광 데이터 보정을 위한 공정을 실행한다. 노광 데이터 보정 장치(112)는, 범용 컴퓨터일 필요는 없고, 각 공정의 모두 또는 일부를 실행하기 위한 하드웨어와 이것과 협동하여 동작하는 소프트웨어에 의해 실현되어도 된다.As the exposure data correction device 112, in the present embodiment, a computer 200 having a hardware configuration shown in FIG. 2 is used. The computer 200 includes a processing unit (processor) 201, a display unit 202, an input unit 203, a storage unit 204, a communication unit 205, and a bus 210 for connecting each component thereof. The display unit 202 displays an image output by a program executed in the computer 200. The input unit 203 accepts input from a user, for example, a keyboard or a mouse. The storage unit 204 may be anything as long as it can store information such as a nonvolatile memory, a volatile memory, a hard disk, and the like. A program 206 for executing a process for correcting exposure data is stored in the storage unit 204. The communication unit 205 performs wireless communication, wired communication using an Ethernet (registered trademark) cable, a USB cable, or the like. Through the communication unit 205, the bottom and bottom data and the bottom and bottom data created by the upper and lower data creation apparatus 110 may be acquired. When the program 206 is executed, the processing unit (processor) 201 executes a process for correcting exposure data. The exposure data correction device 112 does not need to be a general-purpose computer, but may be realized by hardware for performing all or part of each step and software operating in cooperation with this.

본 실시 형태에 있어서의 시스템의 동작 플로우를 도 3에 도시한다. 먼저, 설계 데이터 작성 장치(101)가 제1 실패턴을 위한 설계 데이터를 작성하고(공정(301)), 이 설계 데이터에 기초하여, 노광 데이터 작성 장치(102)가 노광 데이터를 작성한다(공정(302)). 노광 장치(104)가, 노광 데이터 작성 장치(102)에 의해 작성된 노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에 노광 패턴을 노광한다(공정(304)). 현상 패턴 작성 장치(106)가 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하고(공정(306)), 실패턴 작성 장치(108)가 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여, 제1 실패턴을 형성한다(공정(308)). 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)가 제1 상저 및 하저 데이터를 작성한다(공정(310)). 제2 상저 데이터가 제1 실패턴의 상저로부터 작성되는 경우에는, 여기에서 제2 상저 데이터도 작성한다. 또한, 제1 실패턴으로부터 얻어지는 전체의 데이터를 제2 상저 데이터로 하고, 그의 일부를 제1 상저 데이터로 할 수도 있다.The operation flow of the system in this embodiment is shown in FIG. First, the design data creation device 101 creates the design data for the first failure turn (step 301), and the exposure data creation device 102 creates the exposure data based on this design data (step) (302)). The exposure apparatus 104 exposes an exposure pattern to the photosensitive resist disposed on the substrate based on the exposure data created by the exposure data generating apparatus 102 (step 304). The developing pattern producing device 106 develops the photosensitive resist exposed to the exposure pattern to form a developing pattern (step 306), and the fail-turn producing device 108 performs circuit processing on the substrate on which the developing pattern is formed. Form a first failure turn (step 308). The upper and lower data generation apparatus 110 creates the first upper and lower data (step 310). When the second bottom data is generated from the bottom of the first failure turn, the second bottom data is also created here. Moreover, the whole data obtained from a 1st failure turn can also be made into 2nd bottom data, and one part can also be made into 1st bottom data.

이어서, 노광 데이터 보정을 위하여 제2 실패턴을 작성할 필요가 있는지 여부를 판정한다(공정(312)). 예를 들어, 제2 상저 데이터가 제1 실패턴의 상저로부터 얻어지는 경우에는, 제2 실패턴을 작성할 필요는 없다. 필요하면, 설계 데이터 작성 공정(301)으로 되돌아가, 마찬가지의 공정을 행하여 제2 실패턴을 형성하고, 공정(310)에 있어서 제2 실패턴의 상저 데이터를 작성한다. 제2 실패턴의 하저 데이터는 작성하지 않는다. 제2 실패턴의 상저 데이터를 작성하지 않는 경우, 또는 제2 실패턴을 작성한 후는 노광 데이터 보정 공정(314)을 행하고, 노광 데이터 보정을 위한 동작 플로우를 종료한다. 그 후, 보정된 노광 데이터에 기초하여, 예를 들어 노광 장치(104), 현상 패턴 작성 장치(106), 실패턴 작성 장치(108)를 사용하여, 배선 패턴을 형성하여, 배선 기판을 제조한다.Next, it is determined whether it is necessary to create a second failure turn for exposure data correction (step 312). For example, when the second bottom data is obtained from the bottom of the first failure turn, it is not necessary to create the second failure turn. If necessary, the process returns to the design data creation step 301, and the same process is performed to form the second failure turn, and in step 310, the bottom bottom data of the second failure turn is generated. The bottom data of the second failure turn are not created. When the bottom bottom data of the second failure turn is not generated or after the second failure turn is generated, the exposure data correction step 314 is performed to end the operation flow for exposure data correction. Thereafter, based on the corrected exposure data, for example, the wiring pattern is formed using the exposure apparatus 104, the developing pattern generating apparatus 106, and the fail-turn generating apparatus 108 to manufacture a wiring board. .

도 4에 있어서, 노광 데이터 보정 공정(314)을 보다 구체적으로 설명한다. 먼저, 노광 데이터 보정 장치(112)가 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하고(공정(401)), 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하고(공정(402)), 제1 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정한다(공정(404)). 또한, 노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득한다(공정(406)). 그리고, 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 제2 상저 데이터 및 공정(404)에 있어서 작성된 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하고(공정(408)), 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 보정 함수에 기초하여 보정한다(공정(410)).In FIG. 4, the exposure data correction step 314 will be described in more detail. First, the exposure data correction device 112 obtains the first bottom data based on the data obtained from the bottom bottom in at least a portion of the first failure turn created by the bottom and bottom data creation apparatus 110 (step (401), the bottom data based on the data obtained from the bottom in at least one area of the first failure turn is acquired (step 402), and the correlation between the first bottom data and the bottom data is determined ( Process 404). In addition, the exposure data correction device 112 is configured to obtain data or data obtained from the bottom of the bottom in an area including a region different from at least a portion of the first failure turn, which is created by the bottom and bottom data generation device 110. The second bottom data is acquired based on the data obtained from the bottom of the second failure turn different from the one failure turn (step 406). And the result value determined in the design data and the result in the failure turn, based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data, and the correlation created in the process 404. A correction function indicating a relationship between a factor causing a difference in value and a correction amount for suppressing the difference is determined (step 408), and the exposure data for the failure turn used to obtain the second upper floor data is converted into the correction function. Based on the correction (step 410).

하저로부터 얻어진 하저 데이터와 상저로부터 얻어진 상저 데이터의 상관 관계는, 패턴 간극, 패턴 사이즈, 패턴의 두께, 패턴 위치, 패턴 조밀, 패턴 형상 등에 의존하는 것이라고 생각된다. 따라서, 한번, 상관 관계를 결정한 후는 마찬가지의 패턴 간극 등에 대해서는, 그 상관 관계를 AOI 데이터에 의해 얻어진 다른 상저 데이터에 적용함으로써, 당해 다른 상저 데이터에 대응하는 새로운 하저의 결과값을 수동으로 측정하지 않고, 하저 데이터를 정확하게 추정하는 것이 가능해진다. 그리고, 이 추정된 하저 데이터에 기초하여, 보정 함수를 작성함으로써, 노광 데이터 보정량의 오차를 억제하여, 미세 회로 형성 시의 회로 폭 정밀도를 향상시키는 것이 가능해진다.The correlation between the bottom data obtained from the bottom and the bottom data obtained from the bottom is considered to depend on the pattern gap, the pattern size, the thickness of the pattern, the pattern position, the pattern density, the pattern shape, and the like. Therefore, once the correlation is determined, the same pattern gap and the like are applied to other bottom data obtained by the AOI data, so that the new bottom value corresponding to the other bottom data is not manually measured. It is possible to accurately estimate the bottom and bottom data. By creating a correction function based on this estimated bottom data, the error of the exposure data correction amount can be suppressed and the circuit width accuracy at the time of fine circuit formation can be improved.

보정 함수는 데이터를 취득하는 기판 위의 영역에 따라 변화하는 것으로 생각된다. 한편, 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계는, 데이터를 취득하는 기판 위의 영역에 따라서는 비교적 변화하지 않는다고 생각된다. 이 때문에, 예를 들어 상관 관계를 결정하기 위한 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 위한 측정은 제1 실패턴의 한정된 영역에서만 행함으로써 적은 수고로 상관 관계를 결정하고, 결정된 상관 관계를 이 제1 실패턴 전체로부터 AOI를 사용하여 취득된 제2 상저 데이터에 적용함으로써, 제1 실패턴 그 자체에 대해서도, 수고를 경감하면서, 기판 전체의 경향을 고려한 보다 정확한 보정 함수를 얻을 수 있다.The correction function is considered to change depending on the area on the substrate from which data is acquired. On the other hand, it is considered that the correlation between the bottom data and the bottom data does not change relatively depending on the area on the substrate from which the data is acquired. For this reason, for example, the measurement of the first bottom data and the bottom data for determining the correlation is performed only in a limited area of the first failure turn to determine the correlation with little effort, and the determined correlation is determined in this first thread. By applying to the second bottom data obtained using the AOI from the entire pattern, a more accurate correction function can be obtained in consideration of the tendency of the entire substrate while reducing the effort for the first failure turn itself.

상관 관계 및 보정 함수가, 기판 위의 영역에 의해 변화하는 경우가 있기 때문에, 상관 관계 및 보정 함수를 배선 패턴이 배치된 동일 기판면의 영역마다 결정해도 된다. 설계 데이터와 결과값의 관계는, 동일 기판 위에도 영역에 따라서는 특이한 관계가 되는 경우가 있다. 예를 들어, 기판의 중앙 부근에 있어서는 에칭액이 고이기 쉽고 에칭 속도가 느리기 때문에, 패턴 간극이 좁아지는 경향이 있고, 기판 주변에 있어서는 에칭 속도가 빠르기 때문에, 패턴 간극이 넓어지는 경향이 있다. 또한, 기판각에 있어서는, 전기 도금에 의한 구리막 형성 시에 있어서 전류가 집중하기 때문에, 구리막이 두꺼워지는 경향이 있어, 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계가 다른 영역과 상이하다고 생각된다. 이로 인해, 동일 기판면의 영역마다, 본 실시 형태에 따라, 상관 관계 및 보정 함수를 결정함으로써, 더 정밀도가 높은 회로 형성을 행하는 것이 가능해진다.Since a correlation and a correction function may change with the area | region on a board | substrate, you may determine a correlation and a correction function for every area | region of the same board | substrate surface in which wiring pattern was arrange | positioned. The relationship between the design data and the resultant value may be a unique relationship depending on the area even on the same substrate. For example, in the vicinity of the center of the substrate, the etching liquid tends to be high and the etching speed is low. Therefore, the pattern gap tends to be narrow, and in the vicinity of the substrate, the etching rate is fast, so the pattern gap tends to be wide. In addition, at the substrate angle, since the current concentrates at the time of forming the copper film by electroplating, the copper film tends to be thick, and it is considered that the correlation between the bottom data and the bottom data is different from other regions. For this reason, it becomes possible to form a circuit with higher precision by determining a correlation and a correction function according to this embodiment for every area | region of the same board | substrate surface.

또한, 보정 함수를 배선 패턴이 배치된 동일 기판의 상면 및 하면마다 결정해도 된다. 기판면의 영역과 마찬가지로, 상관 관계 및 보정 함수가 상이한 경우가 있다. 예를 들어, 상면 쪽이 에칭액이 고이기 쉽고 에칭 속도가 느리기 때문에, 패턴 간극이 좁아지는 경향이 있고, 하면에 있어서는 에칭 속도가 빠르기 때문에, 패턴 간극이 넓어지는 경향이 있다. 이로 인해, 동일 기판면의 상면 및 하면마다, 본 실시 형태에 따라 상관 관계 및 보정 함수를 결정함으로써, 더 정밀도가 높은 회로 형성을 행하는 것이 가능해진다.In addition, you may determine a correction function for every upper surface and lower surface of the same board | substrate with which the wiring pattern was arrange | positioned. Similar to the area of the substrate surface, the correlation and the correction function may be different. For example, since the upper surface has a tendency for the etching liquid to be easy and the etching speed is slow, the pattern gap tends to be narrow, and the lower surface tends to be fast, so the pattern gap tends to be wide. For this reason, it becomes possible to form a circuit with higher precision by determining a correlation and a correction function for every upper surface and lower surface of the same board | substrate surface according to this embodiment.

또한, 배선 패턴에 있어서의 설계 데이터와 결과값의 관계가 상이한 경우가 있기 때문에, 보정 함수를 배선 패턴에 있어서의 세로 라인 및 가로 라인의 각각에 대하여 결정해도 된다.In addition, since the relationship between the design data and the resultant value in the wiring pattern may be different, a correction function may be determined for each of the vertical line and the horizontal line in the wiring pattern.

[제2 실시 형태]Second Embodiment

본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 이하에 설명한다. 본 실시 형태는 제1 실시 형태의 공정(314)(도 3, 4) 대신, 공정(500)(도 5)을 채용한 점에서 제1 실시 형태와 상이하지만, 그 밖의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시 형태와 상이한 부분만을 설명하고, 마찬가지의 부분은 생략한다.2nd Embodiment of this invention is described below. This embodiment differs from the first embodiment in that the process 500 (FIG. 5) is employed instead of the process 314 (FIGS. 3 and 4) of the first embodiment, but the other points are the first embodiment. Same as In the following description, only the part different from 1st Embodiment is demonstrated, and the same part is abbreviate | omitted.

발명의 이해를 위하여, 기판으로서 절연층 위에 5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭(기판 전체의 구리 두께를 얇게 하기 위한 전체면 에칭 처리)에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 제1 실패턴으로서의 테스트 패턴을 노광하고, 회로 형성을 행하여, 상관 관계 추출용 기판을 제작한 경우를 예로 들어 설명한다.For understanding of the invention, a copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm on an insulating layer as a substrate was prepared, and was about 19 µm by electroplating. Plating was carried out, the copper thickness was set to about 18 µm by half etching (full surface etching treatment for thinning the copper thickness of the entire substrate), the test pattern as the first failed turn was exposed, and the circuit was formed. The case where the board | substrate for correlation extraction was produced is demonstrated as an example.

본 실시 형태에 있어서, 공정(310)에 있어서 작성되는 제1 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 하저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함한다.In the present embodiment, the first bottom data generated in the step 310 is configured for the result value measured at the bottom in at least a portion of the first failure turn and for the first failure turn corresponding to the result value. Correction data based on the difference between the result values determined in the design data, wherein the bottom data includes a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a first room corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the determined result value in the design data for the pattern.

본 실시 형태에 있어서는, 결과값으로서 배선 패턴의 간극 폭을 사용하는데, 예를 들어 회로 폭 등 다른 결과값을 사용한 경우에도 마찬가지로 본 발명을 실시 가능한 것은 당업자에게는 명확하다. 이하에 설명하는 다른 실시 형태에 있어서도 마찬가지로 한다.In this embodiment, although the gap width of a wiring pattern is used as a result value, it is clear to those skilled in the art that similarly the present invention can be implemented also when other result values, such as a circuit width, are used. The same applies to other embodiments described below.

여기에서는, 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙의 소정의 영역에 있어서 상저에 있어서의 간극 폭을 AOI를 사용하여 측정하고, 각각의 간극 폭을 측정한 좌표에 있어서의 설계 데이터에서 결정된 간극 폭과의 차분을 보정량 데이터로서 산출한다. 마찬가지로, 하저 데이터의 보정량으로서, 현미경을 사용하여 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙의 소정의 영역의 하저에 있어서의 간극 폭을 측정하고, 각각의 간극 폭을 측정한 좌표에 있어서의 설계 데이터의 간극 폭과의 차분을 보정량 데이터로서 산출한다. 여기에서는, 상저 및 하저 데이터를 위한 측정을 행하는 영역을 동일한 영역으로 한다. 동일한 영역으로부터 얻어진 데이터 사이에서 비교함으로써 보다 정확한 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 취득할 수 있다.Here, in the four corners of the first failing turn and the predetermined area in the center, the gap width at the bottom is measured using the AOI, and the gap width determined from the design data in the coordinates at which the gap widths are measured. Is calculated as the correction amount data. Similarly, as a correction amount of the bottom data, the gap width at the bottom of the four corners of the first failed turn and the predetermined region in the center is measured using a microscope, and the design data in the coordinates at which the gap widths are measured. The difference with the gap width is calculated as the correction amount data. Here, the area | region where measurement for upper and lower data is made into the same area. By comparing between the data obtained from the same area, it is possible to obtain a more accurate correlation between the bottom data and the bottom data.

전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터는 이하와 같다.The correction amount data in the first bottom data and the bottom data created from the correlation extraction substrate obtained based on the conditions described above are as follows.

Figure 112017130184458-pct00001
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표 1에 있어서의 CAD 데이터는 설계 데이터에 있어서 결정된 간극(갭) 폭(㎛)을 나타낸다. AOI 측정의 결과값은, 설계 데이터에 있어서 결정된 간극 폭에 대응하는 AOI 측정에 의해 얻어진 테스트 패턴의 네 코너 및 중앙 영역에서의 상저의 간극 폭(㎛)을 나타내는 것이며, 보정량은 CAD 데이터의 간극 폭(㎛)과 AOI 측정의 간극 폭의 차분을 1/2로 한 것이다. 1/2로 하는 것은, 간극의 양단에 대하여 적용하는 보정량이라는 의미이다. 현미경 측정에 대해서도 마찬가지이다. 현미경 측정의 결과값은, 현미경 측정에 의해 얻어진 테스트 패턴의 네 코너 및 중앙 영역에서의 하저의 간극 폭을 나타내는 것이며, 보정량은 CAD 데이터의 간극 폭과 현미경 측정의 간극 폭의 차분을 1/2로 한 것이다. 예를 들어, CAD 데이터=20, AOI 측정 결과값=44.1, 현미경 측정 결과값=28.4는, 설계로서는 20㎛의 간극이 되어야 할 곳이, AOI에 의해 측정된 상저에 있어서의 간극 폭은 44.1㎛이며, 현미경에 의해 측정된 간극 폭은 28.4㎛였음을 의미한다. 그리고, AOI 측정 결과값에 기초하면, CAD 데이터의 이 간극은 양단에서 12.0㎛ 보정해야 하며, 현미경 측정에 기초하면, 4.2㎛ 보정하게 된다.CAD data in Table 1 shows the gap width (micrometer) determined in the design data. The resultant value of the AOI measurement indicates the gap width (μm) of the upper bottom at the four corners and the center region of the test pattern obtained by the AOI measurement corresponding to the gap width determined in the design data, and the correction amount is the gap width of the CAD data. (Μm) and the difference between the gap widths of the AOI measurements were made 1/2. 1/2 means the amount of correction applied to both ends of the gap. The same applies to the microscopic measurement. The result of the microscopic measurement indicates the gap width at the bottom of the four corners and the center region of the test pattern obtained by the microscopic measurement, and the correction amount is 1/2 the difference between the gap width of the CAD data and the gap width of the microscopic measurement. It is. For example, the CAD data = 20, the AOI measurement result value = 44.1, and the microscopic measurement result value = 28.4, the design should be a gap of 20 µm, and the gap width at the bottom measured by AOI is 44.1 µm. And the gap width measured by the microscope was 28.4 μm. And based on the AOI measurement result, this clearance of CAD data should be corrected by 12.0 micrometers at both ends, and based on microscope measurement, 4.2 micrometers will be corrected.

이어서, 노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 데이터 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 공정(310)에 있어서 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득하고(공정(501, 502)), 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제1 가보정 함수를 결정하고(공정(504)), 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제2 가보정 함수를 결정하고(공정(506)), 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분(시프트양)에 기초하여 보정량 차분 함수를 작성한다(공정(508)).Subsequently, the exposure data correction device 112 acquires the first bottom data and the bottom data created in the step 310 by the bottom data and the bottom data creation device 110 (steps 501 and 502). The first provisional correction function is determined based on the correction amount data in the first bottom data (step 504), and the second provisional correction function is determined based on the correction amount data in the bottom data (step 506). Based on the difference (shift amount) between the correction amount obtained from the first provisional correction function and the second provisional correction function corresponding to the correction amount, a correction amount difference function is created (step 508).

본 실시 형태에 있어서 제1 가보정 함수는, 표 1 및 도 6에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 AOI 측정 간극 폭을 위한 보정량을 나타내는 함수(AOI 측정 보정 함수(에칭 커브))이며, 제2 가보정 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 현미경 측정 간극 폭을 위한 보정량을 나타내는 함수(현미경 측정 보정 함수)이다. 여기에서는, 표 1 및 도 6에 도시된 각 설계 데이터에 있어서의 간극과 보정량의 관계를 각각의 가보정 함수로 하지만, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 가보정 함수를 결정해도 된다. 그리고, 보정량 차분 함수는, 표 1 및 도 6에 도시하는 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분(시프트양)을 나타내는 함수이다. 가보정 함수와 마찬가지로, 표 1 및 도 6에 도시된 각 설계 데이터에 있어서의 간극과 시프트양의 관계를 보정량 차분 함수로 하는데, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 보정량 차분 함수를 결정해도 된다.In this embodiment, a 1st provisional correction function is a function (AOI measurement correction function (etching curve)) which shows the correction amount for AOI measurement gap width with respect to the gap width in the design data shown in Table 1 and FIG. The second temporary correction function is a function (microscope measurement correction function) indicating a correction amount for the microscopic measurement gap width with respect to the gap width in the design data. Here, although the relationship between the clearance gap and the correction amount in each design data shown in Table 1 and FIG. 6 is each temporary correction function, the temporary correction function may be determined by an approximation formula based on the measurement data. The correction amount difference function is a difference between the correction amount obtained from the first provisional correction function with respect to the gap width in the design data shown in Table 1 and FIG. 6 and the correction amount obtained from the second provisional correction function corresponding to the correction amount (shift. Function). Similarly to the provisional correction function, the relationship between the gap and the shift amount in each of the design data shown in Table 1 and FIG. 6 is used as a correction amount difference function. The correction amount difference function may be determined by an approximation equation based on the measurement data.

이어서, 공정(510)에 있어서 제2 상저 데이터를 취득한다. 본 실시 형태에 있어서 제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함한다.Next, in step 510, the second bottom bottom data is acquired. In the present embodiment, the second bottom data includes a result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and the first failure turn corresponding to the result value. In the correction value data based on the difference of the determined result value in the design data or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn, and the design data for the second failure turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the determined result value.

그리고, 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 제2 상저 데이터에 기초하여 제3 가보정 함수를 결정하고(공정(512)), 보정량 차분 함수에 기초하여 제3 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하고(공정(514)), 이 보정 함수에 기초하여 노광 데이터를 보정한다(공정(516)).Then, the third provisional correction function is determined based on the design data for the failure turn and the second phase data used to acquire the second bottom data (step 512), and the third temporary correction is based on the correction amount difference function. The function is corrected to determine a correction function (step 514), and the exposure data is corrected based on this correction function (step 516).

여기에서는, 제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙을 포함하는 실패턴 전체에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하는 것으로 한다. 따라서, 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴은, 제1 실패턴이다.Here, the second bottom data includes the result value measured at the upper floor of the entire failure turn including the four corners and the center of the first failure turn, and the design data for the first failure turn corresponding to the result value. It is assumed that the correction amount data based on the difference of the determined result value is included. Therefore, the failure turn used to acquire the second bottom data is the first failure turn.

전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제2 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터는 이하와 같다.The correction amount data in the second bottom bottom data created from the correlation extraction substrate obtained based on the conditions described above are as follows.

Figure 112017130184458-pct00002
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표 2에 있어서의 CAD 데이터는 설계 데이터에 있어서 결정된 간극 폭(㎛)을 나타낸다. AOI 측정의 보정량은, AOI 측정에 의해 얻어진 테스트 패턴의 상저에 있어서의 간극 폭(㎛)과 CAD 데이터의 간극 폭(㎛)의 차분을 1/2로 한 것이다. 시프트양은 표 1의 시프트양(AOI 측정을 위한 보정량과 현미경 측정을 위한 보정량의 차분)이다. 본 실시 형태에 있어서 보정량 차분 함수는, 표 2 및 도 7에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 시프트양을 나타내는 함수이다.CAD data in Table 2 shows the gap width (micrometer) determined in the design data. The correction amount of the AOI measurement is a half of the difference between the gap width (µm) and the gap width (µm) of the CAD data at the bottom of the test pattern obtained by the AOI measurement. The shift amount is the shift amount in Table 1 (the difference between the correction amount for AOI measurement and the correction amount for microscope measurement). In this embodiment, the correction amount difference function is a function indicating a shift amount with respect to the gap width in the design data shown in Table 2 and FIG. 7.

본 실시 형태에 있어서 제3 가보정 함수는, 표 2 및 도 7에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 AOI 측정 간극 폭을 위한 보정량을 나타내는 함수(AOI 측정 보정 함수(에칭 커브))이다. 그리고, 제3 가보정 함수를 보정량 차분 함수(시프트양)에 의해 시프트함으로써 수정한다. 여기에서는, 각 설계 데이터의 간극값에 대한 AOI 측정을 위한 보정량으로부터 시프트양을 감산함으로써, 보정 함수를 얻는다. 보정 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 수정된 보정량(표 2의 시프트 후의 보정량)을 나타내는 함수이다. 여기에서는, 표 2 및 도 7에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 시프트 후 보정량의 관계를 보정 함수로 하지만, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 보정 함수를 결정해도 된다.In the present embodiment, the third provisional correction function is a function (AOI measurement correction function (etching curve)) indicating a correction amount for the AOI measurement gap width with respect to the gap width in the design data shown in Table 2 and FIG. 7. . Then, the third temporary correction function is corrected by shifting by the correction amount difference function (shift amount). Here, a correction function is obtained by subtracting the shift amount from the correction amount for the AOI measurement for the gap value of each design data. The correction function is a function indicating a corrected correction amount (correction amount after shift in Table 2) with respect to the gap width in the design data. Here, although the relationship of the amount of correction after shift with respect to the gap width in the design data shown in Table 2 and FIG. 7 is used as a correction function, the correction function may be determined by an approximation equation based on the measurement data.

본 실시 형태에 있어서는, 제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙을 포함하는 실패턴 전체에 있어서의 상저에서 측정된 결과값에 기초하여 얻어졌지만, 제1 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙을 포함하지 않는 부분만으로 해도 되고, 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴에 있어서의 상저에서 측정된 결과값에 기초해도 된다. 다른 실시 형태에 있어서도 마찬가지로 한다.In the present embodiment, although the second bottom data is obtained based on the result value measured at the bottom of the entire failure turn including the four corners and the center of the first failure turn, it is used to obtain the first bottom data. It may be only a portion not including the four corners and the center of the first failed turn, and may be based on the result value measured at the bottom of the second failed turn different from the first failed turn. The same applies to other embodiments.

[실시 형태 3]Embodiment 3

본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 이하에 설명한다. 본 실시 형태는 제1 실시 형태의 공정(314)(도 3, 4) 대신, 공정(800)(도 8)을 채용한 점에서 제1 실시 형태와 상이하지만, 그 밖의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시 형태와 상이한 부분만을 설명하고, 마찬가지의 부분은 생략한다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서 설명된 조건과 동일 조건에 의해 작성된 상관 관계 추출용 기판을 예로 들어 설명한다.A third embodiment of the present invention will be described below. This embodiment differs from the first embodiment in that the process 800 (FIG. 8) is employed instead of the process 314 (FIGS. 3 and 4) of the first embodiment, but the other points are the first embodiment. Same as In the following description, only the part different from 1st Embodiment is demonstrated, and the same part is abbreviate | omitted. In addition, the correlation extraction board | substrate created on the conditions same as the conditions demonstrated in 2nd Embodiment is demonstrated as an example.

본 실시 형태에 있어서, 공정(310)에 있어서 작성되는 제1 상저 데이터는, 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 하저 데이터는, 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함한다. 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙의 소정의 영역에 있어서 상저에 있어서의 간극 폭을 AOI를 사용하여 상저 데이터를 측정하고, 하저 데이터로서 현미경을 사용하여 마찬가지로 제1 실패턴의 네 코너 및 중앙의 소정의 영역의 하저에 있어서의 간극 폭을 측정한다.In this embodiment, the 1st bottom data created in the process 310 contains the result value measured in the at least one area | region of the top bottom of a 1st failure turn, and the bottom data is the It includes the result measured in at least a portion of the bottom. In the four corners of the first failing turn and the predetermined area in the center, the gap width at the bottom is measured using AOI, and the bottom corner data is measured using a microscope as the bottom and bottom data. The gap width at the bottom of the predetermined area is measured.

노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 데이터 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 공정(310)에 있어서 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득하고(공정(801, 802)), 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 제1 상저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제1 결과값 함수를 결정하고(공정(804)), 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 하저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제2 결과값 함수를 결정하고(공정(806)), 제1 결과값 함수와 제2 결과값 함수의 차분에 기초하는 결과값 차분 함수를 결정한다(공정(808)). 이에 의해, 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정한다.The exposure data correction device 112 acquires the first bottom data and the bottom data created in the step 310 by the bottom data and the bottom data creation device 110 (steps 801 and 802), and the design data is added to the design data. The first result function representing the relationship between the factor causing the difference between the result value determined in the step and the result value in the failure turn and the result value in the first bottom data is determined (step 804). Determine a second result function representing the relationship between the factor causing the difference between the determined result value and the result value in the failure turn and the result value in the bottom data (step 806), and the first result function And a result difference function based on the difference between the second result function and the second result function (step 808). This determines the correlation between the bottom data and the bottom data.

전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터에 있어서의 결과값 데이터는 이하와 같다.The resultant data in the 1st bottom data and the bottom data which were created from the correlation extraction board | substrate obtained based on the conditions mentioned above are as follows.

Figure 112017130184458-pct00003
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표 1과 마찬가지로, 표 3에 있어서의 CAD 데이터는 설계 데이터에 있어서 결정된 간극 폭(㎛)을 나타내고, AOI 측정 및 현미경의 결과값은 설계 데이터에 있어서 결정된 간극 폭에 대응하는 측정에 의해 얻어진 테스트 패턴의 네 코너 및 중앙 영역에 있어서의 상저 및 하저의 간극 폭(㎛)을 나타낸다. 표 3에 있어서의 측정된 결과값은, 표 1에 나타난 것과 동일한 것을 사용한다. 차분은 각 CAD 데이터의 간극 폭에 대응하는 AOI 측정의 간극 폭과 현미경 측정의 간극 폭의 차분을 1/2로 한 것이다. 예를 들어, CAD 데이터=20, AOI 측정 결과값=44.1, 현미경 측정 결과값=28.4는, 설계로서는 20㎛의 간극이 되어야 할 곳이, AOI에 의해 측정된 상저에 있어서의 간극 폭은 44.1㎛이며, 현미경에 의해 측정된 간극 폭은 28.4㎛였음을 의미한다. 그리고, AOI 측정 결과값과 현미경 측정 결과값의 차분은 15.7이며, 그 1/2의 값을 반올림한 값으로서, 결과값 차분=7.8㎛가 얻어졌다.As in Table 1, the CAD data in Table 3 represents the gap width (µm) determined in the design data, and the AOI measurement and the results of the microscope are the test patterns obtained by the measurement corresponding to the gap width determined in the design data. The gap width (micrometer) of an upper bottom and a lower bottom in four corners and a center area | region is shown. As the measured result value in Table 3, the same thing as what was shown in Table 1 is used. The difference is 1/2 of the difference between the gap width of the AOI measurement and the gap width of the microscope measurement corresponding to the gap width of each CAD data. For example, the CAD data = 20, the AOI measurement result value = 44.1, and the microscopic measurement result value = 28.4, the design should be a gap of 20 µm, and the gap width at the bottom measured by AOI is 44.1 µm. And the gap width measured by the microscope was 28.4 μm. And the difference of the AOI measurement result value and the microscopic measurement result value is 15.7, and the value difference = 7.8 micrometers was obtained as the value which rounded the half value.

본 실시 형태에 있어서 제1 결과값 함수는, 표 3 및 도 9에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 AOI 측정 간극 폭의 결과값을 나타내는 함수(AOI 측정 결과값 함수)이며, 제2 결과값 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 현미경 측정 간극 폭의 결과값을 나타내는 함수(현미경 측정 결과값 함수)이다. 여기에서는, 표 3 및 도 9에 도시된 각 설계 데이터에 있어서의 간극과 결과값의 관계를 각각의 결과값 함수로 하지만, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 결과값 함수를 결정해도 된다. 그리고, 결과값 차분 함수는, 표 3 및 도 9에 도시되는 각 설계 데이터에 있어서의 간극에 대한 AOI 측정 결과값과 현미경 측정 결과값의 차분을 나타내는 함수이다. 결과값 함수와 마찬가지로, 표 3 및 도 9에 도시된 각 설계 데이터에 있어서의 간극에 대한 AOI 측정 결과값과 현미경 측정 결과값의 차분의 관계를 결과값 차분 함수로 하는데, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 결과값 차분 함수를 결정해도 된다.In this embodiment, a 1st result value function is a function (AOI measurement result value function) which shows the result value of AOI measurement gap width with respect to the gap width in the design data shown in Table 3 and FIG. A result value function is a function (microscope measurement result function) which shows the result value of the microscopic measurement gap width with respect to the gap width in design data. Here, although the relationship between the clearance gap and the result value in each design data shown in Table 3 and FIG. 9 is used as a result value function, the result value function may be determined by an approximation formula based on the measurement data. The resultant difference function is a function indicating the difference between the AOI measurement result and the microscope measurement result with respect to the gap in the design data shown in Table 3 and FIG. 9. Similarly to the resultant function, the relationship between the difference between the AOI measurement result and the microscope measurement result with respect to the gaps in the design data shown in Table 3 and Fig. 9 is used as the resultant difference function, which is an approximation based on the measurement data. The result difference function may be determined by an equation.

이어서, 공정(810)에 있어서, 제2 상저 데이터를 취득한다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함한다.Next, in step 810, second bottom bottom data is acquired. In the present embodiment, the second bottom data includes a result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and a first failure turn corresponding to the result value. The correction value data based on the difference of the determined result value in the design data for the second data or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the determined result value.

그리고, 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고(공정(812)), 결과값 차분 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정한다(공정(814)).Then, a temporary correction function is determined based on the design data for the failure turn and the second bottom data used to acquire the second bottom data (step 812), and the temporary correction function is based on the result difference function. The correction is made to determine the correction function (step 814).

여기에서는, 제2 상저 데이터는, 제2 실시 형태와 동일한 것을 사용한다. 전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제2 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터(AOI 측정)는 표 4에 나타내는 대로이며, 이것은 표 2에 나타낸 것과 동일하다.Here, the same thing as 2nd Embodiment is used for 2nd bottom bottom data. The correction amount data (AOI measurement) in the second bottom data generated from the correlation extraction substrate obtained based on the above conditions is as shown in Table 4, which is the same as that shown in Table 2.

Figure 112017130184458-pct00004
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본 실시 형태에 있어서 가보정 함수는, 표 4 및 도 10에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 AOI 측정 간극 폭을 위한 보정량을 나타내는 함수(AOI 측정 보정 함수(에칭 커브))이다. 그리고, 이 가보정 함수를 결과값 차분 함수에 의해 시프트함으로써 수정한다. 여기에서는, 각 설계 데이터의 간극값에 대한 AOI 측정을 위한 보정량으로부터 결과값 차분(시프트양)을 감산함으로써 보정 함수를 얻는다. 보정 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 수정된 보정량을 나타내는 함수이다. 여기에서는, 표 4 및 도 10에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 시프트 후 보정량의 관계를 보정 함수로 하지만, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 보정 함수를 결정해도 된다.In this embodiment, the provisional correction function is a function (AOI measurement correction function (etching curve)) indicating the correction amount for the AOI measurement gap width with respect to the gap width in the design data shown in Table 4 and FIG. 10. Then, the temporary correction function is corrected by shifting the resultant difference function. Here, a correction function is obtained by subtracting the result value difference (shift amount) from the correction amount for the AOI measurement for the gap value of each design data. The correction function is a function indicating the corrected correction amount with respect to the gap width in the design data. Here, although the relationship of the amount of correction after shift with respect to the gap width in the design data shown in Table 4 and FIG. 10 is used as a correction function, the correction function may be determined by an approximation equation based on the measurement data.

[실시 형태 4]Embodiment 4

본 발명의 제4 실시 형태에 대하여 이하에 설명한다. 본 실시 형태는 제1 실시 형태의 공정(314)(도 3, 4) 대신, 공정(1100)(도 11)을 채용한 점에서 제1 실시 형태와 상이하지만, 그 밖의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시 형태와 상이한 부분만을 설명하고, 마찬가지의 부분은 생략한다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서 설명된 조건과 동일 조건에 의해 제작된 상관 관계 추출용 기판을 예로 들어 설명한다.A fourth embodiment of the present invention will be described below. This embodiment differs from the first embodiment in that the process 1100 (FIG. 11) is employed instead of the process 314 (FIGS. 3 and 4) of the first embodiment, but the other points are the first embodiment. Same as In the following description, only the part different from 1st Embodiment is demonstrated, and the same part is abbreviate | omitted. In addition, the board | substrate for correlation extraction manufactured on the same conditions as the conditions demonstrated in 2nd Embodiment is demonstrated as an example.

본 실시 형태에 있어서, 공정(310)에 있어서 작성되는 제1 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고, 하저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함한다.In the present embodiment, the first bottom data generated in the step 310 is configured for the result value measured at the bottom in at least a portion of the first failure turn and for the first failure turn corresponding to the result value. Correction data based on the difference between the result values determined in the design data, wherein the bottom data includes a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a first room corresponding to the result value. Correction amount data based on the difference of the determined result value in the design data for the pattern.

제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함한다.The second bottom data is determined in the result value measured at the bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. The difference between the resultant value measured at the bottom of the second failure turn different from the correction amount data or the first failure turn based on the difference of the resultant value, and the resultant value determined in the design data for the second failure turn corresponding to the resultant value. Correction amount data based on the data.

노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 데이터 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 공정(310)에 있어서 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득하고(공정(1101, 1102)), 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량의 보정량 상관 함수를 결정한다(공정(1104)). 이에 의해, 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정한다.The exposure data correction device 112 acquires the first bottom data and the bottom data created in the step 310 by the bottom bottom data and the bottom bottom data creating device 110 (steps 1101 and 1102), and the first bottom bottom. The correction amount correlation function of the correction amount indicated in the correction amount data in the data and the correction amount shown in the correction amount data in the bottom data corresponding to the correction amount is determined (step 1104). This determines the correlation between the bottom data and the bottom data.

그리고, 제2 상저 데이터를 취득한 후(공정(1106)), 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고(공정(1108)), 보정량 상관 함수에 기초하여 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하고(공정(1110)), 이 보정 함수에 기초하여 노광 데이터를 보정한다(공정(1112)).After acquiring the second bottom data (step 1106), the provisional correction function is determined based on the design data for the failure turn and the second bottom data used to acquire the second bottom data (step 1108). ), The provisional correction function is corrected based on the correction amount correlation function to determine a correction function (step 1110), and the exposure data is corrected based on this correction function (step 1112).

전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터는 실시 형태 2에 관련하여 표 1에 나타낸 대로이다. 표 1에 있어서의 AOI 측정에 기초하는 보정량에 대한 현미경 측정에 기초하는 보정량의 관계를 그래프에 나타낸 것이 도 12이다. 예를 들어, CAD 데이터=20의 행을 보면, AOI 측정에 기초하는 보정량=12.1이며, 이에 반하여 현미경 측정에 기초하는 보정량=4.2이다. 이 경우, (x, y)=(12.1, 4.2)의 좌표를 플롯한다. 이것을 모든 데이터에 대하여 행한 후, 근사식에 의해 상관 관계식을 결정한다. 여기에서는 선형 근사에 의해 상관 관계식을 결정하고, 보정량 상관 함수로서 y=1.2861x-10.563을 얻었다.The correction amount data in the first bottom data and the bottom data created from the correlation extraction substrate obtained on the basis of the conditions described above are as shown in Table 1 in relation to the second embodiment. It is FIG. 12 which showed the relationship of the correction amount based on the microscopic measurement with respect to the correction amount based on AOI measurement in Table 1 in FIG. For example, looking at the rows of CAD data = 20, the correction amount based on the AOI measurement = 12.1, while the correction amount based on the microscopic measurement = 4.2. In this case, the coordinates of (x, y) = (12.1, 4.2) are plotted. After this is done for all data, the correlation is determined by an approximation equation. Here, the correlation was determined by linear approximation, and y = 1.2861x-10.563 was obtained as the correction amount correlation function.

상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제2 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터는 이하에 나타내는 바와 같다. AOI 측정에 기초하는 보정량을 x로 하고, 전술한 보정량 상관 함수(y=1.2861x-10.563)에 대입함으로써, 수정된 보정량 y를 산출한다.The correction amount data in the second bottom bottom data created from the correlation extraction substrate is as shown below. The corrected correction amount y is calculated by setting the correction amount based on the AOI measurement as x and substituting it into the correction amount correlation function (y = 1.2861x-10.563) described above.

Figure 112017130184458-pct00005
Figure 112017130184458-pct00005

본 실시 형태에 있어서 가보정 함수는, 표 5 및 도 13에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 AOI 측정 간극 폭을 위한 보정량을 나타내는 함수(AOI 측정 보정 함수(에칭 커브))이다. 그리고, 가보정 함수를 보정량 상관 함수에 의해 수정함으로써 보정 함수를 얻는다. 보정 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 수정된 보정량을 나타내는 함수이다. 여기에서는, 표 5 및 도 13에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 수정 후 보정량의 관계를 보정 함수로 하지만, 측정 데이터에 기초하는 근사식에 의해 보정 함수를 결정해도 된다.In this embodiment, the temporary correction function is a function (AOI measurement correction function (etching curve)) indicating the correction amount for the AOI measurement gap width with respect to the gap width in the design data shown in Table 5 and FIG. 13. The correction function is obtained by correcting the provisional correction function with the correction amount correlation function. The correction function is a function indicating the corrected correction amount with respect to the gap width in the design data. Here, although the relationship of the correction amount with respect to the clearance width in the design data shown in Table 5 and FIG. 13 is a correction function, you may determine a correction function by the approximation formula based on measurement data.

[실시 형태 5][Embodiment 5]

본 발명의 제5 실시 형태에 대하여 이하에 설명한다. 본 실시 형태는 제1 실시 형태의 공정(314)(도 3, 4) 대신, 공정(1400)(도 14)을 채용한 점에서 제1 실시 형태와 상이하지만, 그 밖의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 이하의 설명에 있어서는, 제1 실시 형태와 상이한 부분만을 설명하고, 마찬가지의 부분은 생략한다. 또한, 제2 실시 형태에 있어서 설명된 조건과 동일 조건에 의해 제작된 상관 관계 추출용 기판을 예로 들어 설명한다.A fifth embodiment of the present invention will be described below. This embodiment differs from the first embodiment in that the process 1400 (FIG. 14) is employed instead of the process 314 (FIGS. 3 and 4) of the first embodiment, but the other points are the first embodiment. Same as In the following description, only the part different from 1st Embodiment is demonstrated, and the same part is abbreviate | omitted. In addition, the board | substrate for correlation extraction manufactured on the same conditions as the conditions demonstrated in 2nd Embodiment is demonstrated as an example.

본 실시 형태에 있어서, 공정(310)에 있어서 작성되는 제1 상저 데이터는, 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고, 하저 데이터는, 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함한다.In this embodiment, the 1st bottom data created in the process 310 contains the result value measured in the at least one area | region of the top bottom of a 1st failure turn, and the bottom data is the It includes the result measured in at least a portion of the bottom.

노광 데이터 보정 장치(112)는, 상저 데이터 및 하저 데이터 작성 장치(110)에 의해 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터를 취득하고(공정(1401, 1402)), 제1 상저 데이터에 있어서 측정된 결과값과 하저 데이터에 있어서 측정된 결과값의 결과값 상관 함수를 결정한다(공정(1404)). 이에 의해, 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정한다.The exposure data correction device 112 acquires the first bottom data and the bottom data created by the bottom data and the bottom data creation device 110 (steps 1401 and 1402), and the result measured in the first bottom data. A result correlation function of the measured result value in the value and the bottom data is determined (step 1404). This determines the correlation between the bottom data and the bottom data.

공정(1406)에 있어서, 제2 상저 데이터를 취득한다. 제2 상저 데이터는, 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값 또는 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값을 포함한다.In step 1406, the second bottom bottom data is acquired. The second bottom data is a result measured at the bottom in an area including an area different from at least a portion of the first failure turn or a result measured at the bottom of a second failure turn different from the first failure turn. Contains a value.

결정된 결과값 상관 함수에 기초하여, 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값으로부터 대응하는 하저에 있어서의 결과값의 추정값을 계산하고(공정(1408)), 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 추정된 하저에 있어서의 결과값의 차분에 기초하여 보정 함수를 결정한다(공정(1410)). 이 보정 함수에 기초하여 노광 데이터를 보정한다(공정(1412)).Based on the determined result correlation function, the estimated value of the result value at the corresponding bottom is calculated from the result value in the second bottom data (step 1408), and the failure turn used to obtain the second bottom data is calculated. The correction function is determined based on the difference between the result value determined in the design data and the result value at the estimated bottom corresponding to the result value (step 1410). The exposure data is corrected based on this correction function (step 1412).

전술한 조건에 기초하여 얻어진 상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제1 상저 데이터 및 하저 데이터에 있어서의 결과값은 제3 실시 형태에 관련하여 표 3에 나타낸 대로이다. 표 3에 있어서의 AOI 측정에 기초하는 결과값에 대한 현미경 측정에 기초하는 결과값의 관계를 그래프에 나타낸 것이 도 15이다. 예를 들어, CAD 데이터=20의 행을 보면, AOI 측정에 있어서의 결과값=44.1이며, 이에 반하여 현미경 측정에 기초하는 결과값=28.4이다. 이 경우, (x, y)=(44.1, 28.4)의 좌표를 플롯한다. 이것을 모든 데이터에 대하여 행한 후, 근사식에 의해 상관 관계식을 결정한다. 여기에서는 선형 근사에 의해 상관 관계식을 결정하고, 결과값 상관 함수로서 y=1.0177x-13.389를 얻었다.The resultant values in the first bottom data and the bottom data created from the correlation extraction substrate obtained based on the conditions described above are as shown in Table 3 in relation to the third embodiment. It is FIG. 15 which showed the relationship of the result value based on the microscopic measurement with respect to the result value based on AOI measurement in Table 3 in FIG. For example, looking at the row of CAD data = 20, the result value in AOI measurement = 44.1, On the other hand, the result value based on a microscope measurement = 28.4. In this case, plot the coordinates of (x, y) = (44.1, 28.4). After this is done for all data, the correlation is determined by an approximation equation. Here, the correlation was determined by linear approximation, and y = 1.0177x-13.389 was obtained as a result correlation function.

상관 관계 추출용 기판으로부터 작성된 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값 데이터는 이하에 나타내는 바와 같다. AOI 측정에 기초하는 결과값을 x로 하고, 전술한 보정량 상관 함수(y=1.0177x-13.389)에 대입함으로써, 추정되는 하저 결과값(간극 폭)을 산출한다. 그리고, 그 산출된 추정 결과값(간극 폭)과 CAD 데이터에 있어서의 설계상의 결과값의 차분을 1/2로 한 것을 보정량으로 한다.The resultant data in the 2nd bottom bottom data created from the correlation extraction board | substrate are as showing below. The resultant value based on AOI measurement is set to x, and substituted into the correction amount correlation function (y = 1.0177x-13.389) mentioned above, and computes the estimated bottom result value (gap width). Then, the difference between the calculated estimated result value (gap width) and the design result value in the CAD data is defined as a correction amount.

Figure 112017130184458-pct00006
Figure 112017130184458-pct00006

이 표에 나타낸 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 보정량을 보정 함수(에칭 커브)로서 나타내면 도 16과 같이 된다. 여기서 보정 함수는, 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 추정된 결과값에 기초하는 보정량을 나타내는 함수이다. 여기에서는, 표 6 및 도 16에 도시된 설계 데이터에 있어서의 간극 폭에 대한 보정량의 관계를 보정 함수로 하지만, 산출된 데이터에 기초하는 근사식에 의해 보정 함수를 결정해도 된다.The correction amount with respect to the gap width in the design data shown in this table is expressed as a correction function (etching curve) as shown in FIG. 16. The correction function is a function indicating a correction amount based on the estimated result value for the gap width in the design data. Here, although the relationship of the correction amount with respect to the clearance width in the design data shown in Table 6 and FIG. 16 is made into a correction function, you may determine a correction function by the approximation formula based on the calculated data.

실시예Example

본 실시 형태의 효과를 확인하기 위하여, 5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 상술한 실시 형태 2 내지 5에 의해 얻어진 보정 함수로 노광 데이터를 보정하고, 실패턴의 노광·현상·회로 형성을 행하여, 회로 형성 기판을 제작했다. 실시 형태 2 내지 5의 공정에 의해 작성된 보정 함수를 사용하여 형성된 회로 형성 기판을 각각 실시예 1 내지 4로 한다.In order to confirm the effect of this embodiment, a copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name, manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm was prepared, and electroplated copper plate of about 19 µm The plating was performed, the copper thickness was set to about 18 µm by half etching, the exposure data was corrected by the correction function obtained in the above-described embodiments 2 to 5, and the exposure, development, and circuit formation of the failed turn were performed, The formation substrate was produced. The circuit forming board | substrates formed using the correction function created by the process of Embodiments 2-5 are Example 1-4, respectively.

[비교예 1]Comparative Example 1

비교예 1로서, 5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 테스트 패턴을 노광하고, 회로 형성을 행하여, 보정 함수 추출용 기판을 제작했다. 그리고, 이 보정 함수 추출용 기판을 현미경으로 회로 폭 및 간극 폭을 측정하고, 이 측정값으로부터 보정 함수(에칭 커브)를 작성했다.As Comparative Example 1, a copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm was prepared, and electroplated copper plating was carried out at about 19 µm, The copper thickness was about 18 micrometers by half etching, the test pattern was exposed, the circuit formation was performed, and the board | substrate for correction function extraction was produced. And the circuit width and the gap width were measured with the microscope for this correction function extraction board | substrate, and the correction function (etching curve) was created from this measured value.

5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 상기 보정 함수(보텀 폭)로 노광 데이터를 보정하고, 실패턴의 노광·현상·회로 형성을 행하여, 회로 형성 기판을 제작했다.A copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm was prepared, plated at about 19 µm by electroplating, and copper was plated by half etching. The thickness was made about 18 micrometers, exposure data was corrected with the said correction function (bottom width), exposure, development, and circuit formation of a failure turn were performed, and the circuit formation board | substrate was produced.

[비교예 2]Comparative Example 2

5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 테스트 패턴을 노광하고, 회로 형성을 행하여, 보정 함수 추출용 기판을 제작한다. 보정 함수 추출용 기판을 광학식 자동 외관 검사 장치로 회로 폭 및 간극 폭을 측정하여, 상기 측정값으로부터 보정 함수(에칭 커브)를 작성했다.A copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm was prepared, plated at about 19 µm by electroplating, and copper was plated by half etching. The thickness is about 18 µm, the test pattern is exposed, the circuit is formed, and the substrate for correction function extraction is produced. The circuit width and the gap width were measured by the optical automatic appearance inspection apparatus on the board | substrate for correction function extraction, and the correction function (etching curve) was created from the said measured value.

5㎛의 구리박을 갖는 두께 0.22㎜의 MCL-E-700G(히타치 가세이 가부시끼가이샤제 상품명)의 동장 적층판을 준비하고, 전기 구리 도금으로 약 19㎛의 도금을 실시하고, 하프 에칭에 의해 구리 두께를 약 18㎛로 하고, 보정 함수(톱 폭)로 노광 데이터를 보정하고, 실패턴의 노광·현상·회로 형성을 행하여, 회로 형성 기판을 제작했다.A copper clad laminate of 0.22 mm thick MCL-E-700G (trade name manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) having a copper foil of 5 µm was prepared, plated at about 19 µm by electroplating, and copper was plated by half etching. The thickness was made about 18 micrometers, exposure data was corrected with the correction function (top width), exposure, development, and circuit formation of a failure turn were performed, and the circuit formation board was produced.

[비교][compare]

표 7 및 8에 실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 비교예 2의 측정 결과를 나타낸다. 표 7 및 8의 각 항목은, 라인(회로 폭)에 관한 설계값 및 현미경 측정값을 나타낸다. 또한, 표 7의 「L/S=50/40」은, L(라인: 회로 폭)이 50㎛, S(스페이스: 간극 폭)가 40㎛인 설계 사양임을 나타내고, 표 8의 「L/S=50/50」은, L(라인: 회로 폭)이 50㎛, S(스페이스: 간극 폭)가 50㎛인 설계 사양임을 나타낸다. 실시예 1 및 2는 상저 데이터와 하저 데이터의 상관 관계를 결정할 때, 상저 및 결과값에 기초하는 보정량의 차분에 기초하는지, 결과값 그 자체의 차분에 기초하는지의 차이뿐이기 때문에, 최종적으로 얻어지는 보정 함수는 동일해진다. 그로 인해, 실시예 1 및 2에 의해 얻어지는 결과도 동일해진다.In Tables 7 and 8, measurement results of Examples 1 to 4, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 are shown. Each item of Tables 7 and 8 shows the design value and the microscope measurement value regarding a line (circuit width). In addition, "L / S = 50/40" of Table 7 shows that L (line: circuit width) is a design specification of 50 micrometers, and S (space: gap width) is 40 micrometers, and "L / S of Table 8 is shown. = 50/50 "denotes a design specification in which L (line: circuit width) is 50 µm and S (space: gap width) is 50 µm. Examples 1 and 2 are finally obtained because the difference is based on the difference between the amount of correction based on the bottom and the result value or on the difference of the result value itself when determining the correlation between the bottom and bottom data. The correction function is the same. Therefore, the result obtained by Examples 1 and 2 also becomes the same.

Figure 112017130184458-pct00007
Figure 112017130184458-pct00007

Figure 112017130184458-pct00008
Figure 112017130184458-pct00008

표 7에 나타내는 바와 같이, L/S=50/40의 설계 사양에 대해서는, 실시예 1 및 2에 있어서의 회로 폭의 치수 정밀도(변동: 3σ)는, 상면 6.7, 하면 8.8㎛이며, 실시예 3에 있어서는 상면 6.5, 하면 8.4㎛, 실시예 4에 있어서는 상면 6.7, 하면 9.0㎛였다. 이에 반하여, 비교예 1에 있어서는 상면 7.1, 하면 9.7㎛이며, 비교예 2에 있어서는, 상면 7.6, 하면 20.5㎛였다.As shown in Table 7, for the design specifications of L / S = 50/40, the dimensional accuracy (variation: 3σ) of the circuit width in Examples 1 and 2 is 6.7 on the upper surface and 8.8 µm on the lower surface. In 3, it was upper surface 6.5, lower surface 8.4 micrometer, and in Example 4, it was upper surface 6.7, lower surface 9.0 micrometer. In contrast, in Comparative Example 1, the upper surface was 7.1 and the lower surface was 9.7 µm, and in Comparative Example 2, the upper surface was 7.6 and the lower surface was 20.5 µm.

또한, 표 8에 나타내는 바와 같이, L/S=50/50의 설계 사양에 대해서는, 실시예 1 및 2에 있어서의 회로 폭의 치수 정밀도(변동: 3σ)는 상면 6.0, 하면 7.7㎛이며, 실시예 3에 있어서는 상면 5.8, 하면 7.4㎛, 실시예 4에 있어서는 상면 6.0, 하면 8.3㎛였다. 이에 반하여, 비교예 1에 있어서는 상면 6.4, 하면 9.2㎛이며, 비교예 2에 있어서는, 상면 6.0, 하면 8.8㎛였다.In addition, as shown in Table 8, about the design specification of L / S = 50/50, the dimensional precision (variation: 3σ) of the circuit width in Example 1 and 2 is 6.0 at the upper surface, 7.7 micrometer at the bottom, In Example 3, it was upper surface 5.8, lower surface 7.4 micrometer, and in Example 4, upper surface 6.0 and lower surface 8.3 micrometer. In contrast, in Comparative Example 1, the upper surface was 6.4 and the lower surface was 9.2 µm, and in Comparative Example 2, the upper surface was 6.0 and the lower surface was 8.8 µm.

이 결과로부터, 상면 및 하면에 있어서의 변동에 있어서 본 발명의 실시예 1 내지 4는 모두 비교예와 비교하여 더 나은 특성을 나타내고, 본 발명을 사용함으로써 회로 폭 정밀도가 향상됨을 알 수 있다.From these results, it can be seen that in the fluctuations in the upper and lower surfaces, Examples 1 to 4 of the present invention all show better characteristics than the comparative examples, and the circuit width precision is improved by using the present invention.

이상으로 설명한 각 실시 형태는, 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 한, 다양한 형태에서 실시할 수 있다.Each embodiment described above is an illustration for explaining the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments. The present invention can be implemented in various forms without departing from the gist thereof.

100: 배선 패턴 형성 시스템
101: 설계 데이터 작성 장치
102: 노광 데이터 작성 장치
104: 노광 장치
106: 현상 패턴 작성 장치
108: 실패턴 작성 장치
110: 상저 및 하저 데이터 작성 장치
112: 노광 데이터 보정 장치
200: 컴퓨터
201: 처리부
202: 표시부
203: 입력부
204: 기억부
205: 통신부
206: 노광 데이터 보정 프로그램
1700: 기판
1701: 배선 패턴
1702: 상저(톱) 폭
1704: 하저(보텀) 폭
100: wiring pattern forming system
101: design data generator
102: exposure data generating device
104: exposure apparatus
106: developing pattern generator
108: fail turn device
110: lower and lower data generation device
112: exposure data correction device
200: computer
201 processing part
202: display unit
203: input unit
204 memory
205: communication unit
206: exposure data correction program
1700: substrate
1701: wiring pattern
1702: top width
1704: bottom width

Claims (22)

배선 패턴을 작성하기 위한 노광 데이터를 보정하는 노광 데이터 보정 장치이며,
목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하고,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하고,
상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하고,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하고,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하고,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는,
노광 데이터 보정 장치.
An exposure data correction device for correcting exposure data for creating a wiring pattern,
The first upper floor based on the data obtained from the upper floor in the at least one area | region of the convex 1st failure turn which has the upper and lower bottom obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. Get the data,
Acquiring the bottom data based on the data obtained from the bottom in at least one area of the first failure turn,
Determine a correlation between the first bottom data and the bottom data,
Second bottom data based on data obtained from a bottom in an area including an area different from at least a portion of the first fail turn or data obtained from a bottom of a second fail turn different from the first fail turn; To obtain the
Generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determine a correction function indicating the relationship between the factor and the correction amount for suppressing the difference,
Correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function,
Exposure data correction device.
제1항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 것은,
상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제1 가보정 함수를 결정하고,
상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제2 가보정 함수를 결정하고,
상기 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분에 기초하여 보정량 차분 함수를 작성하는 것을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 것은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 제3 가보정 함수를 결정하고,
상기 보정량 차분 함수에 기초하여 상기 제3 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함하는, 노광 데이터 보정 장치.
The method of claim 1, wherein the first bottom data is determined in a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first failure turn and in design data for the first failure turn corresponding to the result value. Includes correction amount data based on the difference of the result values,
The bottom data is based on a difference between a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Including correction amount data,
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
Determining the correlation,
A first provisional correction function is determined based on the correction amount data in the first bottom data;
A second provisional correction function is determined based on the correction amount data in the bottom data,
Creating a correction amount difference function based on the difference between the correction amount obtained from the first provisional correction function and the correction amount obtained from the second provisional correction function corresponding to the correction amount;
Determining the correction function,
Determine a third provisional correction function based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data and the second bottom data,
And correcting the third provisional correction function based on the correction amount difference function to determine a correction function.
제1항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 것은,
설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제1 결과값 함수를 결정하고,
설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 하저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제2 결과값 함수를 결정하고,
상기 제1 결과값 함수와 제2 결과값 함수의 차분에 기초하는 결과값 차분 함수를 결정하는 것을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 것은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고,
상기 결과값 차분 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함하는, 노광 데이터 보정 장치.
The method according to claim 1, wherein the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn,
The bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn;
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
Determining the correlation,
Determining a first result function indicating a relationship between a factor that generates a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn and the result value in the first bottom data;
Determining a second result function indicating a relationship between a factor for generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn and the result value in the bottom data;
Determining a result difference function based on the difference between the first result function and the second result function;
Determining the correction function,
Determine a provisional correction function based on the design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data,
And correcting the provisional correction function based on the result difference function to determine a correction function.
제1항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 것은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량의 보정량 상관 함수를 결정하는 것을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 것은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하고,
상기 보정량 상관 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함하는, 노광 데이터 보정 장치.
The method of claim 1, wherein the first bottom data is determined in a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first failure turn and in design data for the first failure turn corresponding to the result value. Includes correction amount data based on the difference of the result values,
The bottom data is based on a difference between a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Including correction amount data,
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
Determining the correlation includes determining a correction amount correlation function of a correction amount appearing in the correction amount data in the first upper and lower data and a correction amount appearing in the correction amount data in the lower data corresponding to the correction amount. ,
Determining the correction function,
Determine a provisional correction function based on the design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data,
And correcting the provisional correction function based on the correction amount correlation function to determine a correction function.
제1항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 것은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서 측정된 결과값과 하저 데이터에 있어서 측정된 결과값의 결과값 상관 함수를 결정하는 것을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 것은,
상기 결정된 결과값 상관 함수에 기초하여, 상기 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값에 기초하여 당해 결과값에 대응하는 하저에 있어서의 결과값의 추정값을 계산하고,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 추정된 하저에 있어서의 결과값의 차분에 기초하여 보정 함수를 결정하는 것을 포함하는, 노광 데이터 보정 장치.
The method according to claim 1, wherein the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn,
The bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn;
The second bottom data is measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn or at a bottom of a second failure turn different from the first failure turn. Contains the measured results,
Determining the correlation includes determining a resultant correlation function of the resultant value measured in the first upper and lower data and the resultant value measured in the lower and lower data,
Determining the correction function,
Based on the determined result correlation function, the estimated value of the result value at the bottom corresponding to the result value is calculated on the basis of the result value in the second bottom data,
Determining a correction function based on the difference between the result value determined in the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data and the result value at the estimated bottom corresponding to the result value; Exposure data correction device.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 상저 데이터에 포함되는 결과값은 광학식 외관 검사 장치에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이고, 상기 하저 데이터는 현미경에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것인, 노광 데이터 보정 장치.The resultant value contained in the said 1st and 2nd bottom data is a thing based on the data obtained by the optical visual inspection apparatus, The said bottom data is the data obtained by a microscope. Exposure data correction apparatus which is based on. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판면의 영역마다 결정되는, 노광 데이터 보정 장치.The exposure data correction device according to any one of claims 1 to 5, wherein the correction function is determined for each region of the same substrate surface on which the wiring pattern is arranged. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판의 상면 및 하면마다 결정되는, 노광 데이터 보정 장치.The exposure data correction device according to any one of claims 1 to 5, wherein the correction function is determined for each of the upper and lower surfaces of the same substrate on which the wiring pattern is arranged. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴에 있어서의 세로 라인 및 가로 라인의 각각에 대하여 결정되는, 노광 데이터 보정 장치.The exposure data correction device according to any one of claims 1 to 5, wherein the correction function is determined for each of the vertical line and the horizontal line in the wiring pattern. 목표로 하는 배선 패턴의 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 작성하는 노광 데이터 작성 수단과,
노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에, 노광 패턴을 노광하는 패턴 노광 수단과,
상기 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하는 현상 패턴 형성 수단과,
상기 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여 실패턴을 형성하는 실패턴 형성 수단과,
상기 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 상저 데이터를 작성하는 상저 데이터 작성 수단과,
상기 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 작성하는 하저 데이터 작성 수단과,
상기 상저 데이터, 하저 데이터 및 설계 데이터에 기초하여 노광 데이터를 보정하는, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 노광 데이터 보정 장치를 구비하는, 배선 패턴 형성 시스템.
Exposure data creation means for creating exposure data based on design data of a target wiring pattern;
Pattern exposure means for exposing the exposure pattern to the photosensitive resist disposed on the substrate based on the exposure data;
Developing pattern forming means for developing a photosensitive resist exposed to the exposure pattern to form a developing pattern;
Failure turn forming means for performing a circuit processing on the substrate on which the development pattern is formed to form a failure turn;
Bottom data preparation means for creating bottom data based on data obtained from the bottom in at least a portion of the failure turn;
Bottom data creation means for creating bottom data based on data obtained from the bottom in at least a portion of the failure turn;
The wiring pattern forming system provided with the exposure data correction apparatus in any one of Claims 1-5 which corrects exposure data based on the said bottom data, bottom data, and design data.
배선 패턴을 작성하기 위한 노광 데이터를 보정하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체로서, 컴퓨터에,
목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정을 실행시키는 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체.
A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for correcting exposure data for creating a wiring pattern, comprising:
The first upper floor based on the data obtained from the upper floor in the at least one area | region of the convex 1st failure turn which has the upper and lower bottom obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. The process of acquiring data,
Acquiring the bottom data based on the data obtained from the bottom in at least a portion of the first failure turn;
Determining a correlation between the first bottom data and the bottom data;
Second bottom data based on data obtained from a bottom in an area including an area different from at least a portion of the first fail turn or data obtained from a bottom of a second fail turn different from the first fail turn. Process of acquiring
Generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor and a correction amount for suppressing the difference,
And a program for executing a process of correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function.
배선 패턴을 작성하기 위한 노광 데이터를 보정하기 위한 방법이며,
목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정을 포함하는, 방법.
A method for correcting exposure data for creating a wiring pattern,
The first upper floor based on the data obtained from the upper floor in the at least one area | region of the convex 1st failure turn which has the upper and lower bottom obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. The process of acquiring data,
Acquiring the bottom data based on the data obtained from the bottom in at least a portion of the first failure turn;
Determining a correlation between the first bottom data and the bottom data;
Second bottom data based on data obtained from a bottom in an area including an area different from at least a portion of the first fail turn or data obtained from a bottom of a second fail turn different from the first fail turn; Process of acquiring
Generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor and a correction amount for suppressing the difference,
Correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function.
목표로 하는 배선 패턴을 위한 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 사용한 회로 가공에 의해 얻어진 상저 및 하저를 갖는 볼록상의 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 취득하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정과,
상기 노광 데이터에 기초하여 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
The first upper floor based on the data obtained from the upper floor in the at least one area | region of the convex 1st failure turn which has the upper and lower bottom obtained by the circuit processing using exposure data based on the design data for the target wiring pattern. The process of acquiring data,
Acquiring the bottom data based on the data obtained from the bottom in at least a portion of the first failure turn;
Determining a correlation between the first bottom data and the bottom data;
Second bottom data based on data obtained from a bottom in an area including an area different from at least a portion of the first fail turn or data obtained from a bottom of a second fail turn different from the first fail turn. Process of acquiring
Generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor and a correction amount for suppressing the difference,
Correcting exposure data for the failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function;
The wiring board manufacturing method including the process of forming a wiring pattern based on the said exposure data.
제13항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 공정은,
상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제1 가보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 기초하여 제2 가보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 제1 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 제2 가보정 함수로부터 얻어지는 보정량의 차분에 기초하여 보정량 차분 함수를 작성하는 공정을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 공정은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 제3 가보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 보정량 차분 함수에 기초하여 상기 제3 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
The method of claim 13, wherein the first bottom data is determined in a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first failure turn and in design data for the first failure turn corresponding to the result value. Includes correction amount data based on the difference of the result values,
The bottom data is based on a difference between a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Including correction amount data,
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
The process of determining the correlation,
Determining a first provisional correction function based on the correction amount data in the first upper floor data;
Determining a second provisional correction function based on the correction amount data in the bottom data;
A step of creating a correction amount difference function based on the difference between the correction amount obtained from the first provisional correction function and the correction amount obtained from the second provisional correction function corresponding to the correction amount;
The process of determining the correction function,
Determining a third provisional correction function based on the design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data;
And modifying the third provisional correction function based on the correction amount difference function to determine a correction function.
제13항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 공정은,
설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제1 결과값 함수를 결정하는 공정과,
설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 상기 하저 데이터에 있어서의 결과값의 관계를 나타내는 제2 결과값 함수를 결정하는 공정과,
상기 제1 결과값 함수와 제2 결과값 함수의 차분에 기초하는 결과값 차분 함수를 결정하는 공정을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 공정은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 결과값 차분 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
The method of claim 13, wherein the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn,
The bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn;
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
The process of determining the correlation,
A step of determining a first result function indicating a relationship between a factor for generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn and the result value in the first bottom data;
Determining a second resultant function indicating a relationship between a factor for generating a difference between the resultant value determined in the design data and the resultant value in the failure turn and the resultant value in the bottom data;
Determining a result difference function based on the difference between the first result function and the second result function;
The process of determining the correction function,
Determining a provisional correction function based on design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data;
And modifying the provisional correction function based on the result difference function to determine a correction function.
제13항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제1 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 제2 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값의 차분에 기초하는 보정량 데이터를 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량과 당해 보정량에 대응하는 상기 하저 데이터에 있어서의 보정량 데이터에 있어서 나타나는 보정량의 보정량 상관 함수를 결정하는 공정을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 공정은,
상기 제2 상저 데이터를 취득하기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터 및 상기 제2 상저 데이터에 기초하여 가보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 보정량 상관 함수에 기초하여 상기 가보정 함수를 수정하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
The method of claim 13, wherein the first bottom data is determined in a result value measured at an upper floor in at least a portion of the first failure turn and in design data for the first failure turn corresponding to the result value. Includes correction amount data based on the difference of the result values,
The bottom data is based on a difference between a result value measured at the bottom of at least a portion of the first failure turn and a result value determined in the design data for the first failure turn corresponding to the result value. Including correction amount data,
The second bottom data is a result value measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn and design data for the first failure turn corresponding to the result value. In the correction amount data based on the difference of the result value determined in the or the result value measured at the bottom of the second failure turn different from the first failure turn and the design data for the second failure turn corresponding to the result value A correction amount data based on the difference of the determined result value,
The step of determining the correlation includes determining a correction amount correlation function of the correction amount indicated in the correction amount data in the first upper and lower data and the correction amount indicated in the correction amount data in the lower data corresponding to the correction amount. Including,
The process of determining the correction function,
Determining a provisional correction function based on design data for the failure turn used to acquire the second bottom data and the second bottom data;
And modifying the provisional correction function based on the correction amount correlation function to determine a correction function.
제13항에 있어서, 상기 제1 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 상저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 하저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 하저의 적어도 일부의 영역에 있어서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 제2 상저 데이터는, 상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저에서 측정된 결과값 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저에서 측정된 결과값을 포함하고,
상기 상관 관계를 결정하는 공정은, 상기 제1 상저 데이터에 있어서 측정된 결과값과 하저 데이터에 있어서 측정된 결과값의 결과값 상관 함수를 결정하는 공정을 포함하고,
상기 보정 함수를 결정하는 공정은,
상기 결정된 결과값 상관 함수에 기초하여, 상기 제2 상저 데이터에 있어서의 결과값에 기초하여 당해 결과값에 대응하는 하저에 있어서의 결과값의 추정값을 계산하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용한 실패턴을 위한 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 당해 결과값에 대응하는 상기 추정된 하저에 있어서의 결과값의 차분에 기초하여 보정 함수를 결정하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
The method of claim 13, wherein the first bottom data includes a result value measured in at least a portion of an area of the bottom of the first failure turn,
The bottom data includes a result value measured in at least a portion of the bottom of the first failure turn;
The second bottom data is measured at a bottom in an area including an area different from at least a part of the first failure turn or at a bottom of a second failure turn different from the first failure turn. Contains the measured results,
The step of determining the correlation includes a step of determining a resultant correlation function of the resultant value measured in the first upper and lower data and the resultant value measured in the lower and lower data,
The process of determining the correction function,
Calculating an estimated value of a result value at the bottom corresponding to the result value based on the result value in the second bottom data based on the determined result value correlation function;
Determining a correction function based on the difference between the result value determined in the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data and the result value at the estimated bottom corresponding to the result value. , Wiring board manufacturing method.
제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 상저 데이터에 포함되는 결과값은 광학식 외관 검사 장치에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것이고, 상기 하저 데이터는 현미경에 의해 얻어지는 데이터에 기초하는 것인, 배선 기판 제조 방법.18. The data obtained according to any one of claims 13 to 17, wherein the resultant values included in the first and second bottom data are based on data obtained by an optical appearance inspection device, and the bottom data is data obtained by a microscope. It is based on the wiring board manufacturing method. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판면의 영역마다 결정되는, 배선 기판 제조 방법.The wiring board manufacturing method according to any one of claims 13 to 17, wherein the correction function is determined for each region of the same substrate surface on which the wiring pattern is arranged. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴이 배치된 동일 기판의 상면 및 하면마다 결정되는, 배선 기판 제조 방법.The wiring board manufacturing method in any one of Claims 13-17 in which the said correction function is determined for every upper surface and lower surface of the same board | substrate with which the wiring pattern was arrange | positioned. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보정 함수가, 배선 패턴에 있어서의 세로 라인 및 가로 라인의 각각에 대하여 결정되는, 배선 기판 제조 방법.The wiring board manufacturing method according to any one of claims 13 to 17, wherein the correction function is determined for each of the vertical line and the horizontal line in the wiring pattern. 목표로 하는 배선 패턴의 설계 데이터에 기초하는 노광 데이터를 작성하는 공정과,
노광 데이터에 기초하여, 기판 위에 배치된 감광성 레지스트에, 노광 패턴을 노광하는 공정과,
상기 노광 패턴이 노광된 감광성 레지스트를 현상하여 현상 패턴을 형성하는 공정과,
상기 현상 패턴을 형성한 기판에 대하여 회로 가공을 행하여 제1 실패턴을 형성하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제1 상저 데이터를 작성하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역에 있어서의 하저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 하저 데이터를 작성하는 공정과,
상기 제1 상저 데이터와 상기 하저 데이터의 상관 관계를 결정하는 공정과,
상기 제1 실패턴의 적어도 일부의 영역과는 상이한 영역을 포함하는 영역에 있어서의 상저로부터 얻어진 데이터 또는 상기 제1 실패턴과는 상이한 제2 실패턴의 상저로부터 얻어진 데이터에 기초하는 제2 상저 데이터를 작성하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 설계 데이터, 상기 제2 상저 데이터 및 상기 상관 관계에 기초하여, 설계 데이터에 있어서 결정된 결과값과 실패턴에 있어서의 결과값의 차분을 발생시키는 인자와 당해 차분을 억제하기 위한 보정량의 관계를 나타내는 보정 함수를 결정하는 공정과,
상기 제2 상저 데이터를 얻기 위하여 사용된 실패턴을 위한 노광 데이터를 상기 보정 함수에 기초하여 보정하는 공정과,
상기 보정된 노광 데이터에 기초하여 배선 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 배선 기판 제조 방법.
A process of creating exposure data based on design data of a target wiring pattern;
Exposing the exposure pattern to a photosensitive resist disposed on the substrate based on the exposure data;
Developing a photosensitive resist exposed to the exposure pattern to form a development pattern;
Performing a circuit processing on the substrate on which the development pattern is formed to form a first failure turn;
Creating first bottom data based on data obtained from the bottom in at least a portion of the first failure turn;
Creating bottom data based on data obtained from bottom in at least a portion of said first failure turn;
Determining a correlation between the first bottom data and the bottom data;
Second bottom data based on data obtained from a bottom in an area including an area different from at least a portion of the first fail turn or data obtained from a bottom of a second fail turn different from the first fail turn. To create a process,
Generating a difference between the result value determined in the design data and the result value in the failure turn based on the design data for the failure turn used to obtain the second bottom data, the second bottom data and the correlation. Determining a correction function indicating a relationship between a factor and a correction amount for suppressing the difference,
Correcting exposure data for a failure turn used to obtain the second bottom data based on the correction function;
And forming a wiring pattern based on the corrected exposure data.
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