JP6690204B2 - Wiring board manufacturing method, data correction device, wiring pattern forming system, and data correction method - Google Patents
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Description
本発明は、配線基板の製造方法、データ補正装置、配線パターン形成システム及びデータ補正方法に関するものであり、特には電子機器等に用いられる微細回路を有する配線基板の製造に用いられる配線基板の製造方法、データ補正装置、配線パターン形成システム及びデータ補正方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board, a data correction device, a wiring pattern forming system, and a data correction method, and in particular, a method for manufacturing a wiring board used for manufacturing a wiring board having a fine circuit used in electronic devices and the like. The present invention relates to a method, a data correction device, a wiring pattern forming system, and a data correction method.
電子機器の高機能化、小型化の動向から、電子機器に用いられる配線基板に対しても、配線パターンの細線化による高密度化が求められている。 Due to the trend toward higher functionality and smaller size of electronic devices, wiring boards used in electronic devices are also required to have high density by thinning wiring patterns.
このような配線パターンの細線化による高密度化に対応するための配線パターン形成方法としては、感光性レジストに露光パターンをレーザー光やUV−LED光などで直接照射する直接描画式の露光装置(DI:Direct Imaging)と、エッチング等で実際に形成された実パターンを反射光で読み取って元データ(設計データ)との比較を行う光学式の検査装置(AOI::Automatic Optical Inspection)を組み合わせて、エッチング後の実際の仕上りのデータを検査装置(AOI)に取り込み、露光装置(DI)にフィードバックする方法が考えられている(特許文献1〜3)。
As a wiring pattern forming method for coping with such a high density due to the thinning of the wiring pattern, a direct drawing type exposure apparatus for directly irradiating a photosensitive resist with an exposure pattern by laser light or UV-LED light ( DI: Direct Imaging) and an optical inspection device (AOI :: Automatic Optical Inspection) that reads the actual pattern actually formed by etching with reflected light and compares it with the original data (design data). A method is proposed in which actual finish data after etching is taken into an inspection apparatus (AOI) and fed back to an exposure apparatus (DI) (
しかし、パターン幅の変動要因はいくつもあり、パターンの形状・粗密等による変動のように、製造ロットが変わっても、同じ配線パターンを有する製品では、ある程度一定になる要因もあれば、エッチング液の変動等のように、同じ製品であっても、製造プロセスの状態変化によって、製造ロット毎に変動する要因もある。このため、特許文献1〜3のような従来の配線パターン形成方法では、配線パターン幅の変動を抑制できない場合が考えられる。このため、従来のように、検査装置(AOI)のデータをフィードバックする方法では、微細回路の精度向上に対してあまり有効とは言えない面があった。
However, there are many factors that cause the pattern width to change, and even if there are changes in the manufacturing lot, such as due to changes in the pattern shape, density, etc., some products that have the same wiring pattern may be constant to some extent. There is also a factor such as a fluctuation in the same product that varies from manufacturing lot to manufacturing lot due to changes in the manufacturing process. For this reason, the conventional wiring pattern forming methods as disclosed in
これに対しては、例えば、製造ロット毎に先行して作製した実パターン基板の検査装置(AOI)の検査データをフィードバックする方法が考えられるが、検査装置(AOI)の検査データは膨大であるため、フィードバックするデータの処理に長時間を要する問題がある。また、製造ロット毎に先行して作製した実パターン基板の検査データを少なくして、データの処理を早くすることが考えられるが、検査データを少なくすると、イレギュラーなデータを含む場合にその影響が大きく、その実パターン基板を作製する時点での製造プロセスの状態を正しく反映できず、かえって精度が低下する問題がある。 For this, for example, a method of feeding back the inspection data of the inspection device (AOI) of the actual pattern substrate which is produced in advance for each manufacturing lot can be considered, but the inspection data of the inspection device (AOI) is enormous. Therefore, there is a problem that it takes a long time to process the data to be fed back. In addition, it is possible to reduce the inspection data of the actual pattern substrate that was produced in advance for each manufacturing lot to speed up the processing of the data. However, if the inspection data is reduced, the effect will occur when irregular data is included. However, there is a problem in that the state of the manufacturing process at the time of manufacturing the actual pattern substrate cannot be reflected correctly and the accuracy is rather lowered.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in addition to variations in the line width of the wiring pattern depending on the wiring pattern specifications such as pattern gap, pattern size, pattern thickness, and pattern position, a photosensitive resist, Even if the line width of the wiring pattern changes due to changes in the manufacturing process conditions such as the etching liquid and etching liquid, the exposure data can be corrected with higher accuracy so that the line width accuracy during fine circuit formation can be improved. The purpose is to improve.
本発明は、以下に関する。
(1) 目標とする配線パターンの元データに基づいて露光データを作成する工程(A)と、この露光データを用いて形成した実パターン基板から実パターンデータを作成する工程(B)と、前記元データと実パターンデータとの差分に基づいて、前記元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C)と、を有し、前記補正データを作成する工程(C)が、前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、前記合成した補正関数を用いて前記配線パターンの元データ又は露光データを補正する工程(C−4)と、を有する配線基板の製造方法。
(2) 前記複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、実パターン基板を用いて作成された一次補正関数と、他の実パターン基板を用いて作成された二次補正関数とを作成し、前記合成した補正関数を作成する工程(C−3)では、前記一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成し、前記元データ又は露光データを補正する工程(C−4)では、前記三次補正関数を用いて、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する、項1に記載の配線基板の製造方法。
(3) 前記複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、前記二次補正関数とは別に、さらに他の実パターン基板を用いて作成された他の二次補正関数を作成し、前記合成した補正関数を作成する工程(C−3)では、前記三次補正関数と前記さらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する、項2に記載の配線基板の製造方法。
(4) 前記複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板と、他の二次補正関数を作成するのに用いた他の実パターン基板又はさらに他の実パターン基板とが、同一の配線パターンを有する、項2又は3に記載の配線基板の製造方法。
(5) 前記複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、前記二次補正関数の後に作成される他の二次補正関数が、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作成される、項2から4の何れか1項に記載の配線基板の製造方法。
(6) 前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子が、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せである、項1から5の何れか1項に記載の配線基板の製造方法。
(7) 前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子として、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せに対応する実パターンデータを用いる項6に記載の配線基板の製造方法。
(8) 項1から7の何れか1項に記載の配線基板の製造方法に用いる、配線パターンの元データ又は露光データのデータ補正装置であって、目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、前記露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した実パターンデータとの差分から差分データを作成し(C−1)、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と前記差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成し(C−2)、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成し(C−3)、前記複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて補正した前記配線パターンの元データ又は露光データの補正データを作成する(C−4)、データ補正装置。
(9) 複数の補正関数を作成する際(C−2)には、実パターン基板を用いて作成された一次補正関数と、他の実パターン基板を用いて作成された二次補正関数とを作成し、前記合成した補正関数を作成する際(C−3)には、前記一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成し、前記元データ又は露光データを補正する(C−4)には、前記三次補正関数を用いて、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する、項8に記載のデータ補正装置。
(10) 前記複数の補正関数を作成する際(C−2)には、前記二次補正関数とは別に、さらに他の実パターン基板を用いて作成された他の二次補正関数を作成し、前記合成した補正関数を作成する際(C−3)には、前記三次補正関数と前記さらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する、項9に記載のデータ補正装置。
(11) 前記複数の補正関数を作成する際(C−2)には、一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板と、他の二次補正関数を作成するのに用いた他の実パターン基板又はさらに他の実パターン基板とが、同一の配線パターンを有する、項9又は10に記載のデータ補正装置。
(12) 前記複数の補正関数を作成する際(C−2)には、前記二次補正関数の後に作成される他の二次補正関数が、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作成される、項9から11の何れか1項に記載のデータ補正放置。
(13) 前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子が、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せである、項8から12の何れか1項に記載の配線基板の製造方法。
(14) 前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子として、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せに対応する実パターンデータを用いる項13に記載の配線基板の製造方法。
(15) 項8から14の何れか1項に記載のデータ補正装置と、前記データ補正装置により補正された元データから作成された露光データ又は前記データ補正装置により補正された露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光装置と、前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成装置と、前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成装置と、前記実パターンから実パターンデータを作成する実パターンデータ作成装置と、を有する配線パターン形成システム。
(16) 項8から14の何れか1項に記載のデータ補正装置を用いる、配線パターンの元データ又は露光データのデータ補正方法であって、目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、前記露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した実パターンデータとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と前記差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、前記複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて補正した前記配線パターンの元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C−4)と、を有するデータ補正方法。
The present invention relates to the following.
(1) A step (A) of creating exposure data based on original data of a target wiring pattern, a step (B) of creating actual pattern data from an actual pattern substrate formed using this exposure data, A step (C) of creating correction data of the original data or the exposure data based on a difference between the original data and the actual pattern data, wherein the step (C) of creating the correction data comprises the actual pattern From the relationship between the step (C-1) of creating difference data from the difference between the data and the original data or the exposure data and the relationship between the difference data and the factor causing the difference, the factor causing the difference and the difference are suppressed. Step (C-2) of creating a plurality of correction functions that define the relationship between the correction amount of the original data or the correction amount of the exposure data, and a correction function that combines the plurality of correction functions. A method of manufacturing a wiring board, which includes a step (C-3) of creating a number and a step (C-4) of correcting the original data or the exposure data of the wiring pattern using the combined correction function.
(2) In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, a primary correction function created using an actual pattern substrate and a secondary correction function created using another actual pattern substrate are used. In the step (C-3) of creating and synthesizing the combined correction function, a step of creating a third-order correction function that combines the first-order correction function and the second-order correction function and correcting the original data or the exposure data (C In -4), the method for manufacturing a wiring board according to
(3) In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, in addition to the secondary correction function, another secondary correction function created by using another actual pattern substrate is created,
(4) In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, the actual pattern substrate used to create the primary correction function and the other actual pattern substrate used to create another secondary correction function.
(5) In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, another secondary correction function created after the secondary correction function is used for each manufacturing lot of the actual pattern substrate or each actual pattern substrate.
(6) Factors that cause a difference between the actual pattern data and the original data or exposure data are the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position of the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate.
(7) Factors that cause a difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data include the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position of the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate. 7. The method for manufacturing a wiring board according to
(8) A data correction device for original data of a wiring pattern or exposure data, which is used in the method for manufacturing a wiring board according to any one of
(9) When creating a plurality of correction functions (C-2), a primary correction function created using an actual pattern substrate and a secondary correction function created using another actual pattern substrate are used. When the created correction function is created (C-3), a tertiary correction function that combines the primary correction function and the secondary correction function is created, and the original data or the exposure data is corrected (C Item 4) is the data correction apparatus according to
(10) When creating the plurality of correction functions (C-2), in addition to the quadratic correction function, another quadratic correction function created by using another actual pattern substrate is created. When creating the combined correction function (C-3), the third-order correction function and the further created second-order correction function are combined to create another third-order correction function. The data correction device described.
(11) When creating the plurality of correction functions (C-2), the actual pattern substrate used to create the primary correction function and the other used to create another secondary correction function Item 11. The data correction device according to
(12) When creating the plurality of correction functions (C-2), another secondary correction function created after the secondary correction function is used for each manufacturing lot of the actual pattern substrate or each actual pattern substrate. The data correction neglected according to any one of Items 9 to 11, which is created in 1.
(13) Factors that cause a difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data are the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position of the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate. 13. The method for manufacturing a wiring board according to any one of
(14) Factors that cause a difference between the actual pattern data and the original data or exposure data include the pattern gap, pattern size, pattern thickness, and pattern position of the original data or exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate.
(15) Based on the data correction device according to any one of
(16) A data correction method of original data of a wiring pattern or exposure data using the data correction device according to any one of
本発明によれば、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることができる。 According to the present invention, in addition to the fluctuation of the line width of the wiring pattern due to the wiring pattern specifications such as the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position, the state of the manufacturing process of the photosensitive resist, the developing solution, the etching solution, etc. Even if the line width of the wiring pattern is changed due to the change, the exposure data can be corrected with higher accuracy so that the line width accuracy at the time of forming a fine circuit can be improved.
(配線基板の製造方法:第1の実施形態)
<<工程(A)>>
本発明の第1の実施形態の配線基板の製造方法を説明する。図1に示すように、本実施の形態の配線基板の製造方法は、まず、目標とする配線パターンの元データに基づいて露光データを作成する工程(A)を有している。目標とする配線パターンとは、回路加工後の実パターンとして形成しようとする配線パターンをいい、配線基板として機能させるための製品パターン及び後述する補正関数を作成するためのテストパターンを含む。また、実パターンとは、回路加工を行なって実際に形成された実パターン基板の配線パターンをいう。目標とする配線パターンには特に限定はなく、任意の配線パターンを用いることができる。
(Wiring Board Manufacturing Method: First Embodiment)
<< Process (A) >>
A method of manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment first has a step (A) of creating exposure data based on original data of a target wiring pattern. The target wiring pattern is a wiring pattern to be formed as a real pattern after circuit processing, and includes a product pattern for functioning as a wiring board and a test pattern for creating a correction function described later. Further, the actual pattern means a wiring pattern of the actual pattern substrate which is actually formed by performing circuit processing. The target wiring pattern is not particularly limited, and any wiring pattern can be used.
配線パターンの元データとは、目標とする配線パターンの設計データのことをいい、形成しようとする目標の配線パターンを数値化し、例えば、座標とパターン幅、座標とパターン間隙の数値で表すものである。露光に必要な情報を付加されたデータを有していてもよい。元データは、設計データを作成する装置(CAD:Computer Aided Design)等を用いて作成される。 The original data of the wiring pattern is the design data of the target wiring pattern, and is the one that digitizes the target wiring pattern to be formed, and is represented by the numerical values of the coordinate and the pattern width, the coordinate and the pattern gap, for example. is there. It may have data to which information necessary for exposure is added. The original data is created using a device (CAD: Computer Aided Design) or the like that creates design data.
露光データとは、配線パターンに対応する露光パターンを、レーザ光又はUV光等を用いた直線描画装置等のパターン露光手段によって、感光性レジストを感光させて形成するためのデータをいう。露光データは、元データに基づいて露光データを作成する装置(CAM:Computer Aided Manufacturing)等を用いて作成される。 The exposure data refers to data for forming an exposure pattern corresponding to a wiring pattern by exposing a photosensitive resist to light with a pattern exposure unit such as a linear drawing device using laser light or UV light. The exposure data is created using a device (CAM: Computer Aided Manufacturing) that creates the exposure data based on the original data.
<<工程(B)>>
次に、図1に示すように、本実施の形態の配線基板の製造方法は、この露光データを用いて形成した実パターン基板から実パターンデータを作成する工程(B)を有しており、実パターンデータを作成する工程(B)は、パターン露光工程(B−1)、現像パターン形成工程(B−2)、実パターン形成工程(B−3)、パターン検査工程(B−4)を有している。
<< Process (B) >>
Next, as shown in FIG. 1, the method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment has a step (B) of creating actual pattern data from an actual pattern board formed using this exposure data, The step (B) of creating actual pattern data includes a pattern exposure step (B-1), a development pattern forming step (B-2), an actual pattern forming step (B-3), and a pattern inspection step (B-4). Have
<工程(B−1)>
パターン露光工程(B−1)では、露光データを用いて、配線パターンに対応する露光パターンを、レーザ光又はUV光等を用いた直線描画装置等のパターン露光装置によって、感光性レジストを感光させて形成する。ここで、パターン露光装置とは、露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する露光装置のことをいう。パターン露光装置としては、レーザ光又はUV−LED光を用いて、直接感光性レジストに露光パターンを露光させる直接描画装置(DI:Direct Imaging)等が挙げられる。また、感光性レジストとは、フォトリソ法によって、銅箔等の金属箔をエッチングしたり、銅等の金属をめっきすることにより、配線パターンを形成する際に用いるエッチングレジスト又はめっきレジストのことをいう。露光パターンとは、露光データに基づいて、感光性レジストに露光されたパターンをいい、その後の現像によって形成される現像パターンに対応するものである。
<Process (B-1)>
In the pattern exposure step (B-1), the exposure data is used to expose an exposure pattern corresponding to the wiring pattern to a photosensitive resist by a pattern exposure device such as a linear drawing device using laser light or UV light. To form. Here, the pattern exposure apparatus refers to an exposure apparatus that exposes a photosensitive resist arranged on a substrate with an exposure pattern based on exposure data. Examples of the pattern exposure device include a direct writing device (DI: Direct Imaging) that directly exposes a photosensitive resist with an exposure pattern using laser light or UV-LED light. The photosensitive resist refers to an etching resist or a plating resist used when forming a wiring pattern by etching a metal foil such as a copper foil or plating a metal such as copper by a photolithography method. . The exposure pattern refers to a pattern exposed on the photosensitive resist based on the exposure data, and corresponds to a development pattern formed by subsequent development.
<工程(B−2)>
現像パターン形成工程(B−2)では、パターン露光によって形成された、実パターン形成に必要な露光パターンを残して、感光性レジストを除去する。ここで、現像パターンとは、露光後の感光性レジストを現像することによって現れるパターンをいう。現像パターン形成装置によって形成することができ、現像パターン形成装置としては、露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像装置が挙げられる。
<Process (B-2)>
In the development pattern forming step (B-2), the photosensitive resist is removed, leaving an exposure pattern formed by pattern exposure and necessary for forming an actual pattern. Here, the development pattern means a pattern that appears when the photosensitive resist after exposure is developed. It can be formed by a development pattern forming device, and the development pattern forming device includes a developing device that develops a photosensitive resist having an exposed exposure pattern to form a development pattern.
<工程(B−3)>
実パターン形成工程(B−3)では、回路加工を行って実パターンを有する実パターン基板を作製する。ここで、回路加工とは、実パターンを形成することをいい、例えば、サブトラクト法により金属箔をエッチングして導体パターンを形成することが挙げられる。実パターンとは、回路加工を行って実際に形成される導体パターンをいい、実パターン形成装置によって形成することができる。実パターン形成装置とは、現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する装置をいい、エッチング装置が挙げられる。
<Process (B-3)>
In the actual pattern forming step (B-3), circuit processing is performed to produce an actual pattern substrate having an actual pattern. Here, the circuit processing means forming an actual pattern, and examples thereof include forming a conductor pattern by etching a metal foil by a subtract method. The actual pattern refers to a conductor pattern that is actually formed by performing circuit processing, and can be formed by an actual pattern forming device. The actual pattern forming apparatus is an apparatus for forming an actual pattern by performing circuit processing on a substrate on which a developed pattern is formed, and an etching apparatus can be used.
<工程(B−4)>
パターン検査工程(B−4)では、実パターン基板の実パターンから実パターンデータを取得する。ここで、実パターン基板とは、回路加工を行って実際に形成された導体パターン(実パターン)を有する基板をいい、例えば、サブトラクト法により金属箔をエッチングして得られた導体パターンを有する基板が挙げられる。また、実パターンデータとは、光学式外観検査装置(AOI:Automatic Optical Inspection)、測定顕微鏡等を用いて実パターンから得られる仕上りのデータをいう。光学式外観検査装置とは、一般に実パターンの上面(トップ)から反射する光を検出してそのパターンを数値化し、座標とパターン幅やパターン間隙等の数値で表されたデータとするものである。一方、測定顕微鏡とは、本実施の形態においては、実パターンの上面(トップ)と実パターンの底面(ボトム)の両方の線幅を測定してデータ化するのに用いることができるものである。
<Process (B-4)>
In the pattern inspection step (B-4), the real pattern data is acquired from the real pattern of the real pattern substrate. Here, the actual pattern substrate refers to a substrate having a conductor pattern (actual pattern) actually formed by circuit processing, for example, a substrate having a conductor pattern obtained by etching a metal foil by the subtract method. Is mentioned. Further, the actual pattern data refers to finish data obtained from the actual pattern by using an optical visual inspection apparatus (AOI: Automatic Optical Inspection), a measuring microscope, or the like. The optical appearance inspection device is generally a device that detects light reflected from the upper surface (top) of an actual pattern and digitizes the pattern to obtain data represented by numerical values such as coordinates, pattern width, and pattern gap. . On the other hand, in the present embodiment, the measuring microscope can be used to measure the line widths of both the top surface (top) of the actual pattern and the bottom surface (bottom) of the actual pattern and convert them into data. .
<<工程(C)>>
次に、本実施の形態の配線パターンの形成方法は、元データ又は露光データと実パターンデータとの差分に基づいて、前記元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C)を有している。ここで、元データ又は露光データの補正データとは、補正を行なった後の元データ又は露光データ、つまり補正した元データ又は露光データのことをいう。また、図1に示すように、この補正データを作成する工程(C)には、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと差分を生じさせる因子との関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データの補正量又は露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、合成した補正関数を用いて配線パターンの元データ又は露光データを補正する工程(C−4)を有している。
<< Step (C) >>
Next, the wiring pattern forming method of the present embodiment has a step (C) of creating correction data of the original data or exposure data based on the difference between the original data or exposure data and the actual pattern data. ing. Here, the correction data of the original data or the exposure data means the original data or the exposure data after the correction, that is, the corrected original data or the exposure data. Further, as shown in FIG. 1, in the step (C) of creating the correction data, the step (C-1) of creating difference data from the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data, and the difference A step of creating a plurality of correction functions that define the relationship between the factor that causes the difference and the correction amount of the original data or the correction amount of the exposure data for suppressing the difference from the relationship between the data and the factor that causes the difference ( C-2), a step of creating a correction function that combines the plurality of correction functions (C-3), and a step of correcting the original data or the exposure data of the wiring pattern using the combined correction function (C-4). )have.
エッチングによる回路加工では、実パターン基板の表裏面のそれぞれで、エッチング液の当たり方が異なるので、エッチング処理の傾向が変化する。したがって、実パターン基板の表裏面のそれぞれについて、補正関数を作成するのが望ましい。これにより、実パターン基板の表裏面における面の違いによる実パターンのライン幅等の仕上り値の変動を抑制することが可能になる。 In circuit processing by etching, since the etching solution is applied differently to the front and back surfaces of the actual pattern substrate, the tendency of the etching process changes. Therefore, it is desirable to create a correction function for each of the front and back surfaces of the actual pattern substrate. As a result, it is possible to suppress variations in the finish value such as the line width of the actual pattern due to the difference in the front and back surfaces of the actual pattern substrate.
また、エッチングによる回路加工においては、実パターン基板の表裏面の一方の面内においても、配線パターンの方向によって、実パターン基板の搬送方向やエッチング液の当たる方向等との関係が変化するので、エッチング処理に方向性やエッチング量のむらが生じる傾向がある。このため、実パターン基板に配置される配線パターンの方向によっても、エッチング処理の傾向が変化する。したがって、実パターン基板に配置される縦方向と横方向の配線パターンのそれぞれについて補正関数を作成するのが望ましい。これにより、配線パターンの方向による実パターンのライン幅等の仕上り値の変動を抑制することが可能になる。 Further, in the circuit processing by etching, even in one of the front and back surfaces of the actual pattern substrate, the direction of the wiring pattern changes the relationship with the transport direction of the actual pattern substrate, the direction in which the etching liquid strikes, etc. The etching process tends to have unevenness in directionality and etching amount. Therefore, the tendency of the etching process also changes depending on the direction of the wiring pattern arranged on the actual pattern substrate. Therefore, it is desirable to create a correction function for each of the vertical and horizontal wiring patterns arranged on the actual pattern substrate. As a result, it is possible to suppress variations in the finish value such as the line width of the actual pattern depending on the direction of the wiring pattern.
また、エッチングによる回路加工においては、実パターン基板の表裏面の一方の面内においても、配線パターンの配置された位置によって、実パターン基板の搬送方向やエッチング液の当たる方向等との関係が変化するので、エッチング処理に方向性やエッチング量のむらが生じる傾向がある。このため、実パターン基板の面内を複数の領域に分け、これらの領域のそれぞれについて、補正関数を作成するのが望ましい。また、特に実パターン基板の端部周辺部では、エッチング処理のむらに加えて、めっき厚さの変動による銅箔の厚さのむら等も加わるため、実パターン基板の中央部に比べて、端部周辺部では、より領域を細かく分けて、領域毎に補正関数を作成するのが望ましい。これにより、実パターン基板の面内の位置による実パターンのライン幅等の仕上り値の変動を抑制することが可能になる。 Also, in circuit processing by etching, the relationship between the transfer direction of the actual pattern substrate and the direction in which the etching liquid hits changes depending on the position where the wiring pattern is placed, even on one of the front and back surfaces of the actual pattern substrate. Therefore, the etching process tends to have unevenness in directionality and etching amount. Therefore, it is desirable to divide the in-plane of the actual pattern substrate into a plurality of areas and create a correction function for each of these areas. In addition, especially in the peripheral area of the edge of the actual pattern board, in addition to the unevenness of the etching process, the unevenness of the copper foil thickness due to the variation of the plating thickness is also added. It is desirable that the section further divides the area into smaller pieces and creates a correction function for each area. As a result, it becomes possible to suppress the variation of the finished value such as the line width of the actual pattern due to the in-plane position of the actual pattern substrate.
<工程(C−1)>
実パターンデータと元データ又は露光データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)では、パターン検査工程(B−4)で得られた実パターンデータと元データ又は露光データとの比較から、差分データを作成する。ここで、実パターンデータと実パターンの元データ又は露光データとの差分とは、具体的には、同一の座標における実パターンデータと実パターンの元データ又は露光データとのパターン間隙、パターン幅等の差異をいう。また、同一の座標とは、元データ(設計データ)における同一の座標であり、同一の座標においてはパターン間隙等は同一の設計値となる。このため、同一の座標におけるパターン間隙等の差異は、配線パターンのうち、同一の設計値を有する個所同士を比較して求めた差異であることを示す。差分データとは、この差分を座標とパターン間隙、パターン幅等で表したデータをいう。差分データは、実パターンデータと実パターンの元データ又は露光データとの差分から、コンピュータを用いて作成することができる。
<Step (C-1)>
In the step (C-1) of creating difference data from the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data, the actual pattern data obtained in the pattern inspection step (B-4) is compared with the original data or the exposure data. Then, the difference data is created. Here, the difference between the actual pattern data and the original data or exposure data of the actual pattern is, specifically, the pattern gap between the actual pattern data and the original data or exposure data of the actual pattern at the same coordinates, the pattern width, etc. Is the difference. The same coordinates are the same coordinates in the original data (design data), and the pattern gaps and the like have the same design values in the same coordinates. Therefore, it is indicated that the difference in the pattern gap or the like at the same coordinate is the difference obtained by comparing the portions having the same design value in the wiring pattern. The difference data refers to data in which this difference is represented by coordinates, pattern gaps, pattern widths, and the like. The difference data can be created using a computer from the difference between the actual pattern data and the original data or exposure data of the actual pattern.
<工程(C−2)>
複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データの補正量又は露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する。ここで、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子とは、元データ又は露光データの配線パターン仕様の中で、それが変動することによって、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分に変化を生じさせる因子をいう。このような因子として、例えば、実パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターン幅、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せが挙げられる。また、差分を抑制するための元データの補正量又は露光データの補正量としては、例えば、実パターンデータと実パターンの元データ又は露光データとの差分そのものを用いることができる。これは、実パターンデータと実パターンの元データ又は露光データとの差分を、現在の元データ又は露光データに加える又は差し引くといった補正を行えば、実パターンデータが元データ又は露光データの数値に近づくことによるものである。
<Step (C-2)>
In the step (C-2) of creating a plurality of correction functions, from the relationship between the difference data and the factor causing the difference, the factor causing the difference and the correction amount of the original data for suppressing the difference or the exposure data Create a plurality of correction functions that define the relationship with the correction amount. Here, the factor that causes the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data is the variation in the wiring pattern specifications of the original data or the exposure data, which causes the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data. A factor that causes a change in the difference from the data. Examples of such factors include any one or a combination of two or more of the pattern gap of the original data of the actual pattern or the exposure data, the pattern width, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position. Further, as the correction amount of the original data or the correction amount of the exposure data for suppressing the difference, for example, the difference itself between the actual pattern data and the original data or the exposure data of the actual pattern can be used. This is because if the difference between the actual pattern data and the original data or exposure data of the actual pattern is corrected by adding to or subtracting from the current original data or exposure data, the actual pattern data approaches the numerical value of the original data or exposure data. This is due to the fact.
補正関数とは、差分を生じさせる因子と差分データとの関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データ又は露光データの補正量との関係を規定したものである。また、補正関数は、差分を生じさせる因子と差分データとの関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データ又は露光データの補正量との関係を求める演算機能を備えたコンピュータにより作成することができる。補正関数の一例として、図6に、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子として、実パターン基板の配線パターンのパターン間隙を用いて補正関数を作成した例を示す。即ち、図6の補正関数は、横軸を実パターン基板の配線パターンのパターン間隙、縦軸を補正量としている。 The correction function defines the relationship between the factor causing the difference and the difference data and the correction amount of the original data or the exposure data for suppressing the difference from the relation between the factor causing the difference and the difference data. Further, the correction function is a computer having a calculation function for obtaining the relationship between the factor causing the difference and the correction amount of the original data or the exposure data for suppressing the difference from the relation between the factor causing the difference and the difference data. Can be created by. As an example of the correction function, FIG. 6 shows an example in which the correction function is created using the pattern gap of the wiring pattern of the actual pattern substrate as a factor that causes the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data. That is, in the correction function of FIG. 6, the horizontal axis is the pattern gap of the wiring pattern of the actual pattern substrate, and the vertical axis is the correction amount.
補正関数における、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子として、実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データのパターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置の何れか又は何れか2以上の組み合せに対応する実パターンデータを用いるのが望ましい。 As a factor that causes a difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data in the correction function, any one of the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, and the pattern position of the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate Alternatively, it is desirable to use actual pattern data corresponding to any two or more combinations.
これについて、以下、図6の補正関数の例を用いて説明する。図6の補正関数では、横軸を、実パターン基板の配線パターンのパターン間隙としているが、このパターン間隙の数値として用いるデータの例としては、実パターン基板の配線パターンの元データ、露光データ、実パターンデータが考えられる。これらのうち、元データ又は露光データを用いる場合、補正関数はパターン間隙の元データ又は露光データと元データ又は露光データに対する補正量との関係を示すこととなり、補正量は実パターンデータと元データ又は露光データとの差分データに基づいているため、この場合でも、パターン間隙の元データ又は露光データに対してある程度正確な補正量を求めることができる。 This will be described below using the example of the correction function in FIG. In the correction function of FIG. 6, the horizontal axis is the pattern gap of the wiring pattern of the actual pattern substrate, but as an example of data used as the numerical value of this pattern gap, original data of the wiring pattern of the actual pattern substrate, exposure data, Actual pattern data is possible. When the original data or the exposure data is used among these, the correction function indicates the relationship between the original data or the exposure data of the pattern gap and the correction amount for the original data or the exposure data, and the correction amount is the actual pattern data and the original data. Alternatively, since it is based on the difference data from the exposure data, even in this case, it is possible to obtain the correction amount to some extent with respect to the original data of the pattern gap or the exposure data.
しかし、この場合は、元データ又は露光データに対する補正量は、元データ(設計値)とは異なる実パターンデータ(仕上り値)となる場合の差分データに基づいていることになり、実際に求められるのは、元データ(設計値)のとおりに実パターンデータ(仕上り値)が仕上がること、つまり、元データ(設計値)と実パターンデータ(仕上り値)が一致するための補正量であるため、このような元データ(設計値)とは異なる実パターンデータ(仕上り値)となる場合の差分データに基づいた補正量とは、ずれが生じることが考えられる。 However, in this case, the correction amount for the original data or the exposure data is based on the difference data when the actual pattern data (finished value) is different from the original data (design value), and is actually obtained. Since the actual pattern data (finished value) is finished according to the original data (designed value), that is, the correction amount for matching the original data (designed value) and the actual pattern data (finished value), It is conceivable that there is a deviation from the correction amount based on the difference data when the actual pattern data (finished value) is different from the original data (design value).
一方、図6の補正関数の横軸に用いる実パターン基板の配線パターンのパターン間隙の数値として、実パターンデータ(実測値)を用いる場合、補正関数は、パターン間隙の実パターンデータ(実測値)と元データ又は露光データに対する補正量との関係を示すこととなる。この横軸の元データ(設計値)又は露光データに対応する実パターンデータ(実測値)を、目標とする元データ(設計値)又は露光データであるとみなすことができ、実パターンデータ(実測値)の補正量が、目標とする元データ(設計値)又は露光データとするための補正量であることになる。これにより、実パターンデータ(実測値)が、目標である元データ(設計値)又は露光データのとおりに仕上がる場合に必要な元データ(設計値)又は露光データの補正量をより正確に設定することが可能になる。 On the other hand, when the actual pattern data (measured value) is used as the numerical value of the pattern gap of the wiring pattern of the actual pattern substrate used on the horizontal axis of the correction function of FIG. 6, the correction function uses the actual pattern data (measured value) of the pattern gap. And the correction amount for the original data or the exposure data will be shown. The original data (design value) on the horizontal axis or the actual pattern data (actual measurement value) corresponding to the exposure data can be regarded as the target original data (design value) or the exposure data. The correction amount of (value) is a correction amount for obtaining target original data (design value) or exposure data. Thereby, the correction amount of the original data (design value) or the exposure data necessary when the actual pattern data (actual measurement value) is finished as the target original data (design value) or the exposure data is set more accurately. It will be possible.
また、補正関数は、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分に変化を生じさせる因子である、パターン間隙、パターン幅、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等を変化させた配線パターンを有する複数の実パターン基板を用いて作成することができる。補正関数を作成するのに用いる配線パターンとしては、配線基板の製品として用いられる配線パターンを用いることもできるが、図2に示すような、差分を生じさせる因子(図2では、パターン間隙、パターン幅、パターン形状、パターンサイズ)を変化させたテストパターンを用いると、必要なデータを得やすく、より高精度な補正関数を作成できる点で望ましい。 In addition, the correction function is a factor that causes a change in the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data, that is, a wiring pattern in which the pattern gap, the pattern width, the pattern size, the pattern thickness, the pattern position, etc. are changed. It can be created by using a plurality of actual pattern substrates. As the wiring pattern used to create the correction function, a wiring pattern used as a product of a wiring board can be used, but a factor that causes a difference as shown in FIG. 2 (pattern gap, pattern in FIG. 2). It is desirable to use a test pattern in which the width, the pattern shape, and the pattern size) are changed, because necessary data can be easily obtained and a more accurate correction function can be created.
また、図3に示すように、同一の配線パターンを有する比較的小面積のテストパターンの一単位が、実パターン基板内に多数配置されるような実パターン基板(以下、テストパターン基板)を用いると、実パターン基板内全体に亘って同じ配線パターン仕様に関するデータを取得でき、実パターン基板内のばらつきに関するデータも取得できる点で望ましい。 Further, as shown in FIG. 3, an actual pattern substrate (hereinafter referred to as a test pattern substrate) is used in which a large number of one unit of a relatively small area test pattern having the same wiring pattern is arranged in the actual pattern substrate. It is desirable that the data regarding the same wiring pattern specifications can be obtained over the entire real pattern substrate, and the data regarding the variation within the real pattern substrate can be obtained.
本実施の形態においては、複数の補正関数として、複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、実パターン基板を用いて作成された一次補正関数と、他の実パターン基板を用いて作成された二次補正関数とを作成する。ここで、他の実パターン基板とは、一次補正関数を作成したときの実パターン基板とは別の実パターン基板であることをいい、配線パターン自体は同じであっても、異なっていてもかまわない。このように、一次補正関数と二次補正関数とを別々に作成することにより、例えば、テストパターンを配置した実パターン基板を用いて、基準となる一次補正関数を作成しておき、実際に作成する製品パターンを配置した実パターン基板を作製するタイミングで、再び、他の実パターン基板を用いて、そのときの生産ラインの状態を反映した二次補正関数を作成したうえで、これらの一次補正関数と二次補正関数とを合成することができる。つまり、基準となる一次補正関数をベースとして、生産ラインの状況に応じたより適切な補正関数への修正を、二次補正関数を用いて行なうことが可能になる。 In the present embodiment, in the step (C-2) of creating a plurality of correction functions as the plurality of correction functions, the primary correction function created using the actual pattern substrate and another actual pattern substrate are used. Create the created secondary correction function and. Here, the other actual pattern board means an actual pattern board different from the actual pattern board when the primary correction function is created, and the wiring patterns themselves may be the same or different. Absent. In this way, by separately creating the primary correction function and the secondary correction function, for example, using the actual pattern substrate on which the test pattern is arranged, the reference primary correction function is created and actually created. At the timing of manufacturing the actual pattern board on which the product pattern is placed, another primary pattern board is used again to create a secondary correction function that reflects the state of the production line at that time, and then these primary corrections are performed. The function and the quadratic correction function can be combined. That is, it becomes possible to correct the correction function to a more appropriate correction function according to the situation of the production line by using the secondary correction function based on the reference primary correction function.
一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板と、他の二次補正関数を作成するのに用いた他の実パターン基板とが、同一の配線パターンを有するのが望ましい。複数の補正関数は、同じ配線パターンを有する複数の実パターン基板を用いて作成されても、異なる配線パターンを有する複数の実パターン基板を用いて作成されてもよいが、前者の方が、補正関数の精度を高めることができる点で望ましい。例えば、図3、図4、図5に示すように、実パターン基板A(図3)、実パターン基板B(図4)、実パターン基板C(図5)が、同一のテストパターンを有することで、他の部分の配線パターンが変化しても、常に同一のテストパターンの部分を用いて補正関数を作成することが可能になる。 It is desirable that the actual pattern substrate used to create the primary correction function and the other actual pattern substrate used to create another secondary correction function have the same wiring pattern. The plurality of correction functions may be created using a plurality of real pattern boards having the same wiring pattern or a plurality of real pattern boards having different wiring patterns. It is desirable because it can improve the accuracy of the function. For example, as shown in FIGS. 3, 4, and 5, the real pattern substrate A (FIG. 3), the real pattern substrate B (FIG. 4), and the real pattern substrate C (FIG. 5) have the same test pattern. Thus, even if the wiring pattern of another portion changes, it is possible to always create a correction function using the same test pattern portion.
複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、前記二次補正関数が、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作成されるのが望ましい。これにより、実パターン基板を製造する際の製造プロセスの状態を反映した補正関数を作成することが可能になる。 In the step (C-2) of creating a plurality of correction functions, it is preferable that the secondary correction function is created for each manufacturing lot of real pattern substrates or for each real pattern substrate. This makes it possible to create a correction function that reflects the state of the manufacturing process when manufacturing the actual pattern substrate.
<工程(C−3)>
複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)では、複数の補正関数を作成する工程(C−2)で作成した複数の補正関数を合成して一つの補正関数を作成する。
<Step (C-3)>
In the step (C-3) of creating a correction function that combines a plurality of correction functions, the plurality of correction functions created in the step (C-2) of creating a plurality of correction functions are combined to create one correction function. To do.
本実施の形態では、一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成する。例えば、図6に示すように、まず、実パターン基板を用いて、基準となる一次補正関数を作成し、次に、図7に示すように、この一次補正関数とは別の実パターン基板を用いて二次補正関数を作成し、図8に示すように、一次補正関数と二次補正関数を合成して三次補正関数を作成する。つまり、基準となる一次補正関数は常に固定であるため、安定した三次補正関数を得ることができるため、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作製される二次補正関数が、測定誤差やイレギュラーな測定値を含んだとしても影響を小さくすることができる。 In the present embodiment, a third-order correction function is created by combining the first-order correction function and the second-order correction function. For example, as shown in FIG. 6, first, a reference primary correction function is created using an actual pattern substrate, and then, as shown in FIG. 7, an actual pattern substrate different from this primary correction function is created. A second-order correction function is created using this, and as shown in FIG. 8, a first-order correction function and a second-order correction function are combined to create a third-order correction function. In other words, since the reference first-order correction function is always fixed, a stable third-order correction function can be obtained, so that the second-order correction function produced for each manufacturing lot of actual pattern boards or each actual pattern board is measured. Even if it includes an error or irregular measurement value, the influence can be reduced.
複数の補正関数を合成する方法としては、製造プロセスの状態が比較的安定な場合は、より多くのデータを用いて作成した補正関数の合成比率を大きくした加重平均を用いるのが、補正関数の精度向上のために望ましい。例えば、基準となる補正関数として、多くの差分データを用いた一次補正関数を作成しておき、次に、製造プロセスの状態を反映する二次補正関数として、実パターン基板を作製する際に比較的少ない差分データを用いた二次補正関数を作成し、これらの一次補正関数と二次補正関数を合成するような場合は、基準となる一次補正関数の合成比率を大きくすることで、測定誤差やイレギュラーなデータによる影響を抑制することが可能になる。一方で、製造プロセスの状態が比較的不安定な場合は、上記の例では、二次補正関数の合成比率を大きくする方が、より製造プロセスの状態を反映した適切な補正関数を求めることができる。このように、加重平均の際の合成比率は、補正関数を作成する際の差分データの数や、製造プロセスの状態等に応じて任意に設定すればよく、例えば、比較的安定な製造プロセスに対しては、基準となる一次補正関数と、実パターン基板作製時に作成する二次補正関数との合成比率であれば、0.1〜0.4の範囲で設定することが望ましい。一方、比較的不安定な製造プロセスに対しては、基準となる一次補正関数と、実パターン基板作製時に作成する二次補正関数との合成比率を、0.3〜0.7の範囲で設定することが望ましい。なお、ここでの合成比率とは、一次補正関数と二次補正関数を合わせた全体を1とした場合における、二次補正関数の割合をいう。 As a method of synthesizing a plurality of correction functions, if the manufacturing process is relatively stable, using a weighted average with a large synthesizing ratio of the correction functions created using more data is Desirable for improving accuracy. For example, a primary correction function that uses a lot of difference data is created as a reference correction function, and then, as a secondary correction function that reflects the state of the manufacturing process, a comparison is made when an actual pattern substrate is manufactured. If you create a secondary correction function that uses less differential data and combine these primary and secondary correction functions, increase the combination ratio of the primary correction function that serves as the reference to increase the measurement error. It is possible to suppress the influence of irregular data. On the other hand, when the state of the manufacturing process is relatively unstable, in the above example, it is possible to obtain an appropriate correction function that reflects the state of the manufacturing process more by increasing the synthesis ratio of the secondary correction function. it can. In this way, the synthesis ratio in the weighted average may be set arbitrarily according to the number of difference data when creating the correction function, the state of the manufacturing process, etc., for example, in a relatively stable manufacturing process. On the other hand, it is desirable to set in the range of 0.1 to 0.4 as long as it is a composite ratio of the primary correction function serving as a reference and the secondary correction function created when the actual pattern substrate is manufactured. On the other hand, for a relatively unstable manufacturing process, the composite ratio of the reference primary correction function and the secondary correction function created at the time of manufacturing the actual pattern substrate is set within the range of 0.3 to 0.7. It is desirable to do. The term "composite ratio" here means the ratio of the secondary correction function when the total of the primary correction function and the secondary correction function is 1.
<工程(C−4)>
合成した補正関数を用いて配線パターンの元データ又は露光データを補正する工程(C−4)では、合成した補正関数を用いて、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分に変化を生じさせる因子である、パターン間隙、パターン幅等に対応する補正量を算出し、得られた補正量を元データ又は露光データに加えたり、差し引いたりすることで、配線パターンの元データ又は露光データを補正する。
<Step (C-4)>
In the step (C-4) of correcting the original data or the exposure data of the wiring pattern using the combined correction function, the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data is changed by using the combined correction function. The original data of the wiring pattern or the exposure data is calculated by calculating the correction amount corresponding to the pattern gap, the pattern width, etc., which are the factors to be added, and adding or subtracting the obtained correction amount to the original data or the exposure data. to correct.
本実施の形態では、元データ又は露光データを補正する工程(C−4)では、三次補正関数を用いて、実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する。 In the present embodiment, in the step (C-4) of correcting the original data or the exposure data, the third-order correction function is used to correct the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate.
(作用・効果)
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、このように、複数の補正関数を合成することで、基本となる一次補正関数を作成しておき、製造プロセスの変動に対応するため、実パターン基板を作製するタイミングに合わせて、一補正関数よりも少ないデータで二次補正関数を作成する場合でも、測定誤差やイレギュラーな測定値による影響を小さくすることができ、実際の製造プロセスの状況を反映した適切な補正関数を得ることができる。このため、生産数の増加等によっても、生産プロセスの状態が変動し難い、比較的安定な場合に好適である。したがって、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることができる。
(Action / effect)
According to the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, a basic primary correction function is created by synthesizing a plurality of correction functions in this way, and in order to cope with variations in the manufacturing process, Even when the secondary correction function is created with less data than the one correction function at the timing of manufacturing the patterned substrate, the effects of measurement errors and irregular measured values can be reduced, and the actual manufacturing process An appropriate correction function that reflects the situation can be obtained. Therefore, it is suitable when the state of the production process is unlikely to change even if the number of productions increases, and is relatively stable. Therefore, in addition to fluctuations in the line width of the wiring pattern due to the wiring pattern specifications such as pattern gap, pattern size, pattern thickness, pattern position, etc., the wiring pattern due to changes in the manufacturing process status of photosensitive resist, developer, etching solution, etc. The line width accuracy at the time of forming a fine circuit can be improved by correcting the exposure data with higher accuracy to cope with the fluctuation of the line width.
(配線基板の製造方法:第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態の配線基板の製造方法を説明する。なお、本実施の形態については、主に第1の実施形態と異なる点を説明する。
(Wiring Board Manufacturing Method: Second Embodiment)
A method of manufacturing the wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. It should be noted that points of the present embodiment that are different from the first embodiment will be mainly described.
<工程(A)、(B)、(C−1)>
本実施の形態においては、実施形態1と同様にして、まず、工程(A)、(B)、(C−1)までを行い、実パターンデータと前記元データとの差分から差分データを作成する。
<Steps (A), (B), (C-1)>
In this embodiment, similarly to the first embodiment, first, steps (A), (B), and (C-1) are performed, and difference data is created from the difference between the actual pattern data and the original data. To do.
<工程(C−2)>
複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、実パターン基板を用いて作成された一次補正関数と、他の実パターン基板を用いて作成された二次補正関数とを作成する。その後、この二次補正関数とは別に、さらに他の実パターン基板を用いて作成された他の二次補正関数を作成する。
<Step (C-2)>
In the step (C-2) of creating a plurality of correction functions, a primary correction function created using an actual pattern substrate and a secondary correction function created using another actual pattern substrate are created. Then, in addition to this quadratic correction function, another quadratic correction function created using another real pattern substrate is created.
<工程(C−3)>
次に、複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)で、一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成する。その後、この三次補正関数と、工程(C−2)でさらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する。
<Step (C-3)>
Next, in a step (C-3) of creating a correction function that combines a plurality of correction functions, a third-order correction function that combines the first-order correction function and the second-order correction function is created. After that, this third-order correction function is combined with another second-order correction function further created in the step (C-2) to create another third-order correction function.
具体的には、例えば、図6に示すように、まず、実パターン基板を用いて一次補正関数を作成し、次に、図7に示すように、この一次補正関数とは別の実パターン基板を用いて二次補正関数を作成し、図8に示すように、一次補正関数と二次補正関数を合成して三次補正関数を作成する。さらに、図9に示すように、さらに二次補正関数を作成して、三次補正関数と合成し他の三次補正関数を作成する。つまり、三次補正関数は二次補正関数と合成を繰り返し累積されたものとなるため、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作製される二次補正関数が、測定誤差やイレギュラーな測定値を含んだとしても影響を小さくすることができる。 Specifically, for example, as shown in FIG. 6, first, a primary correction function is created using an actual pattern substrate, and then, as shown in FIG. 7, another actual pattern substrate different from this primary correction function is created. A second-order correction function is created using, and a third-order correction function is created by synthesizing the first-order correction function and the second-order correction function as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 9, a second-order correction function is further created and combined with the third-order correction function to create another third-order correction function. In other words, since the third-order correction function is a cumulative value obtained by repeatedly combining the second-order correction function and the second-order correction function, the second-order correction function produced for each manufacturing lot of the actual pattern substrate or each actual pattern substrate causes a measurement error or irregularity. Even if the measured value is included, the influence can be reduced.
(作用・効果)
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数に対して、実パターン基板を作製する毎に新たに作成される他の二次補正関数を合成することで、他の三次補正関数を作成する。つまり、元データ又は露光データの補正に用いる三次補正関数が二次補正関数を繰り返し累積したものであるため、製造プロセスの状況が、生産数の累積等によって、特定の方向に向かって変動する傾向がある場合に好適である。したがって、実施形態1と同様の作用・効果を得ることができるとともに、このような場合に、より安定した補正を行うことが可能になる。
(Action / effect)
According to the method for manufacturing a wiring board of the present embodiment, a secondary correction function that is newly created each time an actual pattern board is manufactured is used for a third-order correction function that is a combination of a first-order correction function and a second-order correction function. Another third-order correction function is created by combining the functions. In other words, since the third-order correction function used to correct the original data or the exposure data is an accumulation of the second-order correction function repeatedly, the manufacturing process situation tends to change toward a specific direction due to the accumulation of the number of productions. It is suitable when there is. Therefore, it is possible to obtain the same actions and effects as those of the first embodiment, and in such a case, more stable correction can be performed.
(データ補正装置:第3の実施形態)
本発明の第3の実施形態であるデータ補正装置を説明する。図10に示すように、本実施の形態のデータ補正装置は、コンピュータを用いており、コンピュータは、処理部(プロセッサ)、表示部、入力部、記憶部、通信部、及び、これらの各構成部品を接続するバスを備えている。表示部はコンピュータにおいて実行されるプログラムによって出力される画像を表示する。入力部は入力を受け付けるものであり、例えば、キーボードやマウスである。記憶部は不揮発性メモリや揮発性メモリ、ハードディスク等の情報を格納できるものである。記憶部には、元データ、露光データ、実パターンデータ、差分データ、補正関数、補正データ等のデータと、元データ又は露光データを補正するまでの工程(図1の補正データ作成工程(C))を実行するための補正プログラムが格納される。通信部は、無線通信やUSBケーブル等を用いた有線通信を行う。通信部を介して、元データ、露光データ、実パターンデータ、差分データ等を取得してもよい。補正プログラムが実行されると、処理部(プロセッサ)は元データ又は露光データ補正のための工程(図1の補正データ作成工程(C))を実行する。データ補正装置は、汎用コンピュータである必要はなく、各工程のすべて又は一部を実行するためのハードウェアとこれと協働して動作するソフトウェアによって実現されてもよい。
(Data correction device: third embodiment)
A data correction apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 10, the data correction apparatus of this embodiment uses a computer, and the computer has a processing unit (processor), a display unit, an input unit, a storage unit, a communication unit, and each of these components. It has a bus to connect the parts. The display unit displays an image output by the program executed by the computer. The input unit receives an input, and is, for example, a keyboard or a mouse. The storage unit can store information such as a non-volatile memory, a volatile memory, and a hard disk. The storage unit stores data such as original data, exposure data, actual pattern data, difference data, correction function, and correction data, and a process until the original data or the exposure data is corrected (correction data creation process (C) in FIG. 1). ) Is stored. The communication unit performs wireless communication or wired communication using a USB cable or the like. The original data, the exposure data, the actual pattern data, the difference data and the like may be acquired via the communication unit. When the correction program is executed, the processing unit (processor) executes the process for correcting the original data or the exposure data (correction data creating process (C) in FIG. 1). The data correction device does not have to be a general-purpose computer, and may be realized by hardware for executing all or part of each process and software that operates in cooperation with the hardware.
本実施の形態のデータ補正装置は、図1の(C)データ作成工程の(C−1)に示すように、目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した実パターンデータとの差分から差分データを作成する。 The data correction apparatus according to the present embodiment, as shown in (C-1) of the (C) data creation process of FIG. 1C, is original data of a target wiring pattern or exposure data created based on this original data. And difference data with the actual pattern data created from the actual pattern substrate formed using the exposure data.
次に、図1の(C)データ作成工程の(C−2)に示すように、差分データと差分を生じさせる因子との関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データの補正量又は露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する。補正関数の一例として、図6に、実パターンデータと元データ又は露光データとの差分を生じさせる因子として、配線パターンのパターン間隙を用いて補正関数を作成した例を示す。即ち、図6の補正関数は、横軸を配線パターンのパターン間隙、縦軸を補正量としている。 Next, as shown in (C-2) of the (C) data creation process of FIG. 1, from the relationship between the difference data and the factor that causes the difference, the factor that causes the difference and the original data for suppressing the difference. A plurality of correction functions that define the relationship between the correction amount and the exposure data correction amount are created. As an example of the correction function, FIG. 6 shows an example in which the correction function is created using the pattern gap of the wiring pattern as a factor that causes a difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data. That is, in the correction function of FIG. 6, the horizontal axis is the pattern gap of the wiring pattern, and the vertical axis is the correction amount.
本実施の形態においては、複数の補正関数を作成する際(C−2)には、複数の補正関数として、実パターン基板を用いて作成された一次補正関数と、他の実パターン基板を用いて作成された二次補正関数とを作成する。このように、一次補正関数と二次補正関数とを別々に作成することにより、例えば、テストパターンを配置した実パターン基板を用いて、基準となる一次補正関数を作成しておき、実際に作成する製品パターンを配置した実パターン基板を作製するタイミングで、再び、他の実パターン基板を用いて、そのときの生産ラインの状況を反映した二次補正関数を作成したうえで、これらの一次補正関数と二次補正関数とを合成することができる。つまり、基準となる一次補正関数をベースとして、生産ラインの状況に応じたより適切な補正関数への修正を、二次補正関数を用いて行なうことが可能になる。 In the present embodiment, when creating a plurality of correction functions (C-2), a primary correction function created using an actual pattern board and another actual pattern board are used as the plurality of correction functions. And a secondary correction function created by In this way, by separately creating the primary correction function and the secondary correction function, for example, using the actual pattern substrate on which the test pattern is arranged, the reference primary correction function is created and actually created. At the timing of manufacturing the actual pattern board on which the product pattern is placed, another primary pattern board is used again to create a quadratic correction function that reflects the situation of the production line at that time. The function and the quadratic correction function can be combined. That is, it becomes possible to correct the correction function to a more appropriate correction function according to the situation of the production line by using the secondary correction function based on the reference primary correction function.
次に、図1の(C)データ作成工程の(C−3)に示すように、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する。 Next, as shown in (C-3) of the (C) data creation process of FIG. 1, a correction function that combines the plurality of correction functions is created.
本実施の形態では、一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成する。例えば、図6に示すように、まず、実パターン基板を用いて、基準となる一次補正関数を作成し、次に、図7に示すように、この一次補正関数とは別の実パターン基板を用いて二次補正関数を作成し、図8に示すように、一次補正関数と二次補正関数を合成して三次補正関数を作成する。これにより、基準となる一次補正関数は常に固定であるため、安定した三次補正関数を得ることができるため、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作製される二次補正関数が、測定誤差やイレギュラーな測定値を含んだとしても影響を小さくすることができる。 In the present embodiment, a third-order correction function is created by combining the first-order correction function and the second-order correction function. For example, as shown in FIG. 6, first, a reference primary correction function is created using an actual pattern substrate, and then, as shown in FIG. 7, an actual pattern substrate different from this primary correction function is created. A second-order correction function is created using this, and as shown in FIG. 8, a first-order correction function and a second-order correction function are combined to create a third-order correction function. As a result, since the reference first-order correction function is always fixed, a stable third-order correction function can be obtained, so that the second-order correction function produced for each manufacturing lot of real pattern substrates or each real pattern substrate is Even if the measurement error or irregular measurement value is included, the influence can be reduced.
次に、図1の(C)データ作成工程の(C−4)に示すように、複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて補正した配線パターンの元データ又は露光データの補正データを作成する。 Next, as shown in (C-4) of the (C) data creation process of FIG. 1, correction of the original data of the wiring pattern or the exposure data corrected using the correction function created by combining a plurality of correction functions. Create the data.
本実施の形態では、元データ又は露光データを補正する際(C−4)には、三次補正関数を用いて、実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する。 In the present embodiment, when correcting the original data or the exposure data (C-4), the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate is corrected by using the cubic correction function.
複数の補正関数を作成する際(C−2)には、一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板と、他の二次補正関数を作成するのに用いた他の実パターン基板又はさらに他の実パターン基板とが、同一の配線パターンを有するのが望ましい。複数の補正関数は、同じ配線パターンを有する複数の実パターン基板を用いて作成されても、異なる配線パターンを有する複数の実パターン基板を用いて作成されてもよいが、前者の方が、補正関数の精度を高めることができる点で望ましい。例えば、図3、図4、図5に示すように、実パターン基板A(図3)、実パターン基板B(図4)、実パターン基板C(図5)が、同一のテストパターンを有することで、他の部分の配線パターンが変化しても、常に同一のテストパターンの部分を用いて補正関数を作成することが可能になる。 When creating a plurality of correction functions (C-2), the actual pattern board used to create the primary correction function and another actual pattern board used to create another secondary correction function, or It is desirable that the other real pattern substrate has the same wiring pattern. The plurality of correction functions may be created using a plurality of real pattern boards having the same wiring pattern or a plurality of real pattern boards having different wiring patterns. It is desirable because it can improve the accuracy of the function. For example, as shown in FIGS. 3, 4, and 5, the real pattern substrate A (FIG. 3), the real pattern substrate B (FIG. 4), and the real pattern substrate C (FIG. 5) have the same test pattern. Thus, even if the wiring pattern of another portion changes, it is possible to always create a correction function using the same test pattern portion.
複数の補正関数を作成する際(C−2)には、二次補正関数の後に作成される他の二次補正関数が、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作成されるのが望ましい。これにより、実パターン基板を製造する際の製造プロセスの状態を反映した補正関数を作成することが可能になる。 When creating a plurality of correction functions (C-2), another secondary correction function created after the secondary correction function is created for each manufacturing lot of the actual pattern substrate or for each actual pattern substrate. Is desirable. This makes it possible to create a correction function that reflects the state of the manufacturing process when manufacturing the actual pattern substrate.
(作用・効果)
本実施の形態のデータ補正装置によれば、実施形態1と同様に、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることができる。
(Action / effect)
According to the data correction apparatus of the present embodiment, similarly to the first embodiment, in addition to the fluctuation of the line width of the wiring pattern depending on the wiring pattern specifications such as the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, the pattern position, etc. Even when the line width of the wiring pattern changes due to changes in the manufacturing process such as resist, developing solution, etching solution, etc., the exposure data can be corrected with higher accuracy so that the line can be used during fine circuit formation. The width accuracy can be improved.
(データ補正装置:第4の実施形態)
本発明の第4の実施形態であるデータ補正装置を説明する。なお、本実施の形態については、主に第1の実施形態と異なる点を説明する。
(Data Correction Device: Fourth Embodiment)
A data correction device according to a fourth embodiment of the present invention will be described. It should be noted that points of the present embodiment that are different from the first embodiment will be mainly described.
本実施の形態のデータ補正装置は、上述した第3の実施形態のデータ補正装置と同様に図10に示した構成を備えている。 The data correction apparatus according to the present embodiment has the configuration shown in FIG. 10 similarly to the data correction apparatus according to the third embodiment described above.
また、複数の補正関数を作成する際(C−2)には、二次補正関数とは別に、さらに他の実パターン基板を用いて作成された他の二次補正関数を作成し、合成した補正関数を作成する際(C−3)には、三次補正関数と前記さらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する。 When creating a plurality of correction functions (C-2), in addition to the quadratic correction function, another quadratic correction function created using another actual pattern substrate is created and synthesized. When creating a correction function (C-3), another tertiary correction function is created by synthesizing the third-order correction function and the further created second-order correction function.
具体的には、例えば、図6に示すように、まず、実パターン基板を用いて一次補正関数を作成し、次に、図7に示すように、この一次補正関数とは別の実パターン基板を用いて二次補正関数を作成し、図8に示すように、一次補正関数と二次補正関数を合成して三次補正関数を作成する。さらに、図9に示すように、さらに二次補正関数を作成して、三次補正関数と合成し他の三次補正関数を作成する。つまり、三次補正関数は二次補正関数と合成を繰り返し累積されたものとなるため、実パターン基板の製造ロット毎又は実パターン基板毎に作製される二次補正関数が、測定誤差やイレギュラーな測定値を含んだとしても影響を小さくすることができる。 Specifically, for example, as shown in FIG. 6, first, a primary correction function is created using an actual pattern substrate, and then, as shown in FIG. 7, another actual pattern substrate different from this primary correction function is created. A second-order correction function is created using, and a third-order correction function is created by synthesizing the first-order correction function and the second-order correction function as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 9, a second-order correction function is further created and combined with the third-order correction function to create another third-order correction function. In other words, since the third-order correction function is a cumulative value obtained by repeatedly combining the second-order correction function and the second-order correction function, the second-order correction function produced for each manufacturing lot of the actual pattern substrate or each actual pattern substrate has a measurement error or irregular Even if the measured value is included, the influence can be reduced.
(作用・効果)
本実施の形態のデータ補正装置によれば、実施形態3と同様の作用・効果を得ることができるとともに、元データ又は露光データの補正に用いる三次補正関数が二次補正関数を繰り返し累積したものであるため、製造プロセスの状況が、生産数の累積等によって、特定の方向に向かって変動する傾向がある場合に、より安定した補正を行うことが可能になる。
(Action / effect)
According to the data correction apparatus of the present embodiment, it is possible to obtain the same actions and effects as those of the third embodiment, and the third-order correction function used for correcting the original data or the exposure data is obtained by repeatedly accumulating the second-order correction function. Therefore, when the situation of the manufacturing process tends to change in a specific direction due to the accumulation of the number of productions or the like, more stable correction can be performed.
(配線パターン形成システム:第5の実施形態)
本発明の第5の実施形態である配線パターン形成システムを説明する。図11に示すように、本実施の形態の配線パターン形成システムは、まず、データ補正装置を有している。データ補正装置としては、実施形態3又は4と同様に、コンピュータを用いており、コンピュータは、処理部(プロセッサ)、表示部、入力部、記憶部、通信部、及び、これらの各構成部品を接続するバスを備えている。
(Wiring pattern forming system: fifth embodiment)
A wiring pattern forming system according to a fifth embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 11, the wiring pattern forming system of the present embodiment first has a data correction device. As in the third or fourth embodiment, a computer is used as the data correction device, and the computer includes a processing unit (processor), a display unit, an input unit, a storage unit, a communication unit, and each of these components. It has a bus to connect to.
次に、データ補正装置により補正された元データから作成された露光データ又はデータ補正装置により補正された露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光装置を有する。本実施の形態において、基板とは、ガラスエポキシ等の絶縁層上に銅箔や銅めっき等の金属箔を有するものをいい、銅張積層板等が挙げられる。パターン露光装置とは、露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光する露光装置のことをいう。レーザ光又はUV−LED光を用いて、直接感光性レジストに露光パターンを露光させる直接描画装置(DI:Direct Imaging)等が挙げられる。 Next, based on the exposure data created from the original data corrected by the data correction device or the exposure data corrected by the data correction device, the pattern exposure is performed to expose the exposure pattern on the photosensitive resist arranged on the substrate. Have a device. In the present embodiment, the substrate refers to one having a copper foil or a metal foil such as copper plating on an insulating layer such as glass epoxy, and examples thereof include a copper clad laminate. The pattern exposure apparatus refers to an exposure apparatus that exposes a photosensitive resist arranged on a substrate with an exposure pattern based on exposure data. A direct drawing device (DI: Direct Imaging) that directly exposes an exposure pattern on a photosensitive resist using laser light or UV-LED light can be used.
次に、露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成装置を有する。現像パターン形成装置としては、フォトリソグラフィで用いられる現像装置が挙げられる。 Next, it has a development pattern formation device which develops the photosensitive resist which the exposure pattern was exposed to, and forms a development pattern. Examples of the development pattern forming device include a development device used in photolithography.
次に、現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成装置を有する。実パターン形成装置としては、配線基板の回路加工で用いられるエッチング装置、めっき装置が挙げられる。 Next, there is an actual pattern forming device for forming an actual pattern by performing circuit processing on the substrate on which the developed pattern is formed. Examples of the actual pattern forming device include an etching device and a plating device used in circuit processing of a wiring board.
次に、実パターンから実パターンデータを作成する実パターンデータ作成装置を有する。
実パターンデータ作成装置としては、光学式外観検査装置(AOI:Automatic Optical Inspection)、測定顕微鏡等が挙げられる。光学式外観検査装置は、実パターンの上面(トップ)から反射する光を検出してそのパターンを数値化し、座標とパターン幅やパターン間隙等の数値で表されたデータとするものである。一方、測定顕微鏡は、実パターンの上面(トップ)又は下面(ボトム)の何れについても、線幅を測定してデータ化するのに用いることができる。
Next, it has a real pattern data creation device for creating real pattern data from a real pattern.
Examples of the actual pattern data creation device include an optical appearance inspection device (AOI: Automatic Optical Inspection), a measuring microscope, and the like. The optical appearance inspection device detects light reflected from the upper surface (top) of an actual pattern and digitizes the pattern to obtain data represented by numerical values such as coordinates and pattern width and pattern gap. On the other hand, the measuring microscope can be used to measure the line width and convert it into data on either the upper surface (top) or the lower surface (bottom) of the actual pattern.
本実施の形態の配線パターン形成システムにおいては、データ補正装置が、実パターンデータ作成装置から実パターンデータを受取り、図1に示すように、この実パターンデータと元データ又は露光データとの差分から差分データを作成し(C−1)、差分とこの差分を生じさせる因子との関係から、差分を生じさせる因子と差分を抑制するための元データの補正量又は露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成し(C−2)、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成し(C−3)、合成した補正関数を用いて配線パターンの元データ又は露光データを補正する(C−4)。 In the wiring pattern forming system according to the present embodiment, the data correction device receives the actual pattern data from the actual pattern data creating device and, as shown in FIG. 1, calculates the difference between the actual pattern data and the original data or the exposure data. Difference data is created (C-1), and from the relationship between the difference and the factor that causes this difference, the relationship between the factor that causes the difference and the correction amount of the original data or the correction amount of the exposure data for suppressing the difference. Is created (C-2), a correction function that combines the plurality of correction functions is created (C-3), and the original data or exposure data of the wiring pattern is created using the combined correction function. Is corrected (C-4).
(作用・効果)
本実施の形態の配線パターン形成システムによれば、実施形態1と同様に、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることができる。
(Action / effect)
According to the wiring pattern forming system of the present embodiment, similarly to the first embodiment, in addition to the fluctuation of the line width of the wiring pattern due to the wiring pattern specifications such as the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, the pattern position, etc. Even if the line width of the wiring pattern changes due to changes in the manufacturing process such as a conductive resist, a developing solution, an etching solution, etc. The line width accuracy can be improved.
(データ補正方法:第6の実施形態)
本発明の第6の実施形態であるデータ補正方法を説明する。本実施の形態のデータ補正方法は、図10に示すデータ補正放置を用いるものであり、図1の(C)補正データ作成工程に示すように、目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、前記露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した実パターンデータとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と前記差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、前記複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて補正した前記配線パターンの元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C−4)と、を有する。
(Data correction method: sixth embodiment)
A data correction method according to the sixth embodiment of the present invention will be described. The data correction method of the present embodiment uses the data correction neglected state shown in FIG. 10, and as shown in (C) correction data creation process of FIG. 1, the original data of the target wiring pattern or this original data. A step (C-1) of creating difference data from a difference between the exposure data created based on the exposure data and the actual pattern data created from the actual pattern substrate formed using the exposure data, and the difference data and the difference. Creating a plurality of correction functions that define the relationship between the factor that causes the difference and the correction amount of the original data or the correction amount of the exposure data for suppressing the difference, from the relationship with the factor that causes the difference. (C-2) and a step (C-3) of creating a correction function by synthesizing the plurality of correction functions, and the arrangement corrected by using the correction function created by synthesizing the plurality of correction functions. It has a step (C-4) for creating correction data of the original data or exposure data pattern.
(作用・効果)
本実施の形態の配線パターン形成システムによれば、実施形態1と同様に、パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等の配線パターン仕様による配線パターンのライン幅等の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させることができる。
(Action / effect)
According to the wiring pattern forming system of the present embodiment, similarly to the first embodiment, in addition to the fluctuation of the line width of the wiring pattern due to the wiring pattern specifications such as the pattern gap, the pattern size, the pattern thickness, the pattern position, etc. Even if the line width of the wiring pattern changes due to changes in the manufacturing process such as a conductive resist, a developing solution, an etching solution, etc. The line width accuracy can be improved.
以下に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は実施例に限定されない。 The present invention will be described below based on examples, but the present invention is not limited to the examples.
(実施例1)
<一次補正関数の作成>
まず、一次補正関数を作成するため、テストパターン1と製品パターン7とを配置した実パターン基板C4cを作製するための基板として、絶縁層の表裏に5μmの銅箔を有した厚さ0.22mm、縦440mm、横510mmのMCL−E−700G(日立化成株式会社製 商品名、「MCL」は登録商標。)の銅張積層板の銅箔上に電気銅めっきで約9μmのめっきを施し、表裏面のそれぞれの面の全体の銅厚を約14μmとしたものを準備した。次に、表裏面の銅箔上に感光性のエッチングレジストを貼り合せ、製品パターン7と図2のテストパターン1を露光し、水平搬送型のエッチング装置を用いてエッチングによる回路形成を行い、図5に示すような実パターン基板C4cを、9枚作製した。図2に示したテストパターンの元データ(設計値)は、パターン幅(パターン3の幅)を100μmで固定し、パターン間隙2を14〜150μmの範囲で24段階に変化させた線状の配線パターンを、表裏面のそれぞれについて、縦方向及び横方向に配置したものであり、この元データに基づいて作成した当初の露光データも元データ(設計値)と同じである。図5は実パターン基板C4cの概要を示したものであり、本実施例では実際には、製品パターン7以外に、縦方向に11個、横方向に11個、全部で121個のテストパターン1を、実パターン基板C4cの表裏面のそれぞれの面内に均等に配置した。
(Example 1)
<Creation of primary correction function>
First, as a substrate for producing the actual pattern substrate C4c on which the
実パターン基板C4cに対して、光学式自動外観検査装置を用いて実パターンデータ(仕上り値)を取得した。このときの測定ポイント数は、各テストパターン毎に縦方向と横方向の線状の配線パターンについて各1か所ずつであり、このため、実パターン基板C4cの表裏面のそれぞれの面内で、縦方向及び横方向の線状の配線パターンについて各121ポイント、9枚の合計では縦方向及び横方向の線状の配線パターンについて、面毎に各1089ポイントである。次に、テストパターン1の同一の座標、つまり、パターン間隙が同一の設計値を有する個所同士で、各設計値におけるパターン間隙毎に、実パターンデータ(仕上り値)と元データ(設計値)との差分データを作成した。ここで、実パターンデータ(仕上り値)は、24段階のパターン間隙のそれぞれについて、面毎に1089ポイント(1枚当り121ポイント)の実パターンデータ(仕上り値)を取得し、同じ位置のポイント毎に(121のポイント毎に)平均した値である。
The actual pattern data (finished value) was acquired for the actual pattern substrate C4c using an optical automatic visual inspection apparatus. The number of measurement points at this time is one for each of the vertical and horizontal linear wiring patterns for each test pattern. Therefore, in each of the front and back surfaces of the actual pattern substrate C4c, Each of the vertical and horizontal linear wiring patterns has 121 points, and a total of 9 sheets has 1089 points for each of the vertical and horizontal linear wiring patterns. Next, at the same coordinates of the
エッチングによる回路加工においては、実パターン基板の表裏面の一方の面内においても、配線パターンの配置された位置によって、実パターン基板の搬送方向やエッチング液の当たる方向等との関係が変化するので、エッチング処理に方向性やエッチング量のむらが生じる傾向がある。また、特に実パターン基板の端部周辺部では、エッチング処理のむらに加えて、めっき厚さの変動による銅箔の厚さのむら等も加わるため、さらにこの傾向が強い。このため、本実施例では、実パターン基板の面内を複数の領域に分け、しかも、実パターン基板の中央部に比べて、端部周辺部では、より領域を細かく分けて、これらの領域毎に補正関数を作成した。具体的には、実パターン基板の面内に均等に配置された121ポイントの実パターンデータのうち、実パターン基板の中央部から2ポイント、端部周辺部から40ポイントの合計42ポイントを選択して、これらの各ポイント毎に補正関数を作成した。以下では、42ポイントのうち、実パターン基板の中央部の1ポイントを用いて説明する。 In circuit processing by etching, even in one of the front and back surfaces of the actual pattern substrate, the relationship with the transfer direction of the actual pattern substrate, the direction in which the etching liquid strikes, etc. changes depending on the position where the wiring pattern is arranged. However, the etching process tends to have unevenness in directionality and etching amount. In addition, in particular, in the peripheral portion of the end portion of the actual pattern substrate, in addition to the unevenness of the etching process, the unevenness of the thickness of the copper foil due to the variation of the plating thickness and the like are added. For this reason, in this embodiment, the in-plane of the actual pattern substrate is divided into a plurality of regions, and moreover, the peripheral region of the end is divided into smaller regions than the central region of the actual pattern substrate, and each of these regions is divided. A correction function was created for. Specifically, from 121 points of actual pattern data evenly arranged in the plane of the actual pattern substrate, 2 points from the central portion of the actual pattern substrate and 40 points from the edge peripheral portion are selected for a total of 42 points. Then, a correction function was created for each of these points. In the following, one of the 42 points at the center of the actual pattern substrate will be used for description.
また、エッチングによる回路加工では、実パターン基板の表裏面のそれぞれで、エッチング液の当たり方が異なるので、エッチング処理の傾向が変化する。このため、本実施例では、実パターン基板の表裏面のそれぞれについて、一次補正関数を作成したが、以下では、表面側(水平搬送でのエッチングによる回路形成時に、上側となった面)についてのみ説明し、裏面側については説明を省略する。 Further, in the circuit processing by etching, since the etching liquid is applied differently on the front and back surfaces of the actual pattern substrate, the tendency of the etching process changes. Therefore, in this embodiment, the primary correction function is created for each of the front and back surfaces of the actual pattern substrate, but in the following, only the front surface side (the surface that is the upper side when the circuit is formed by etching during horizontal transfer) The description will be omitted for the back side.
さらに、エッチングによる回路加工においては、実パターン基板の表裏面の一方の面内においても、配線パターンの方向によって、実パターン基板の搬送方向やエッチング液の当たる方向等との関係が変化するので、エッチング処理に方向性やむらが生じる傾向がある。このため、本実施例では、テストパターンの縦方向と横方向の線状の配線パターンのそれぞれについて、一次補正関数を作成した。が、以下では、横方向についてのみ説明し、縦方向については説明を省略する。 Further, in circuit processing by etching, even in one of the front and back surfaces of the actual pattern substrate, the direction of the wiring pattern changes the relationship with the transport direction of the actual pattern substrate, the direction in which the etching liquid strikes, etc. The etching process tends to have directionality and unevenness. Therefore, in this embodiment, a primary correction function is created for each of the vertical wiring pattern and the horizontal wiring pattern of the test pattern. However, in the following, only the horizontal direction will be described and the vertical direction will be omitted.
次に、この差分データと差分を生じさせる因子であるパターン間隙との関係を調べ、このパターン間隙と差分を抑制するための元データの補正量との関係として、図12に示すような一次補正関数を作成した。 Next, the relationship between the difference data and the pattern gap, which is a factor that causes the difference, is examined, and as the relationship between the pattern gap and the correction amount of the original data for suppressing the difference, the primary correction as shown in FIG. I created a function.
図12の表に示したパターン間隙の設計値(単位はμm)は、テストパターンの元データのパターン間隙(差分を生じさせる因子)の数値である。パターン間隙の仕上り値(単位はμm)は、光学式自動外観検査装置を用いて実パターンデータから取得したパターン間隙の実測値である。片側補正量(単位はμm)は、パターン間隙の仕上り値と元データとの差分を抑制するための露光データの補正量であり、下式(1)によって求めた。ここで、片側補正量としているのは、露光データを補正する際に、パターン間隙の両側に同じ量の補正を行うためである。
片側補正量(μm)=(パターン間隙の仕上り値(μm)−設計値(μm))/2 …(1)
The design value (unit: μm) of the pattern gap shown in the table of FIG. 12 is a numerical value of the pattern gap (factor that causes a difference) of the original data of the test pattern. The finish value (unit: μm) of the pattern gap is an actual measurement value of the pattern gap acquired from the actual pattern data using the optical automatic appearance inspection device. The one-sided correction amount (unit: μm) is the correction amount of the exposure data for suppressing the difference between the finish value of the pattern gap and the original data, and was calculated by the following formula (1). Here, the one-sided correction amount is used to correct the same amount on both sides of the pattern gap when correcting the exposure data.
One-sided correction amount (μm) = (finish value of pattern gap (μm) -design value (μm)) / 2 (1)
<一次補正関数を用いた露光データの補正>
一次補正関数を用いた製品パターン7の露光データへの補正処理は、例えば、製品パターン7の露光データにおいて、設計値が30μmの個所に対しては、図12の表のパターン間隙の仕上り値が28.5μm(片側補正量が4.3μm)と、仕上り値が33.2μm(片側補正量が5.6μm)の各データから、仕上り値が30μmである場合の片側補正量の値は、これらのデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。このようにして計算で取得したパターン間隙の仕上り値が30μmのときの片側補正量は4.7μmであり、露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)に対して片側4.7μmずつパターン間隙を狭くする補正処理を行った。つまり、製品パターン7のパターン間隙の設計データ(設計値)が30μmの箇所については、パターン間隙の補正処理後の露光データは20.6μmとなるようにした。
<Correction of exposure data using primary correction function>
The exposure data of the
このとき、製品パターン7の露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した一次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さないようにした。テストパターン1については、常に一次補正関数を作成したときと同じ露光データを用いて実パターンを作製し、二次補正関数を作成するための実パターンデータを採取するためである。
At this time, the exposure data of the product pattern 7 (here, the initial exposure data is meant and is the same as the original data) is subjected to correction processing using the primary correction function created above, and the exposure data of the
<二次補正関数の作成>
次に、二次補正関数を作成するため、一次補正関数を作製するときと同様の基板を準備し、図5に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン7を混在させた実パターン基板C4cを、1枚作製した。テストパターン1は、一次補正関数を作製するときと同じ設計データを用いたものであり、製品パターン7は、パターンの幅/パターン間隙の設計値が30μm/30μmである箇所を有する設計データのものである。図5は実パターン基板C4cの概要を示したものであり、本実施例では実際には、全部で42個のテストパターン1を、実パターン基板C4c内に配置した。なお、実パターン基板C4c内に配置した42個のテストパターン1の実パターン基板C4c内における位置は、図18に示した一次補正関数を作成するのに用いた実パターン基板C4c内の42ポイントのテストパターン1の位置と対応している。
<Creation of secondary correction function>
Next, in order to create a secondary correction function, a substrate similar to the one used to create the primary correction function is prepared, and the actual pattern substrate C4c in which the
次に、実パターン基板C4cに対して、光学式自動外観検査装置を用いて実パターンデータ(仕上り値)を取得した。このときの測定ポイント数は、42ポイントである。また、ここでは、図2のテストパターンのパターン間隙2を14〜150μmの範囲で24段階に変化させた線状の配線パターンのうち、図13の表に示すように、20、30、45、60、80、130μmの6段階についてのみ実パターンデータを取得した。次に、この6段階のパターン間隙のそれぞれについて、42のポイント毎に、実パターンデータを平均し、この平均した実パターンデータを用いて、一次補正関数を作成する場合と同様にして、図13に示すような二次補正関数を作成した。これ以外の段階のパターン間隙2については、実パターンデータを取得した段階のパターン間隙2の実パターンデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。つまり、図13の表には示さないが、実際に実パターンデータを取得したのは6段階についてのみであり、これを基にして24段階全ての実パターンデータを推定した。これにより、取得する実パターンデータを少なくし、データ処理の負荷を軽減した。
Next, real pattern data (finished value) was acquired for the real pattern substrate C4c using an optical automatic visual inspection apparatus. The number of measurement points at this time is 42 points. Further, here, among the linear wiring patterns in which the
<三次補正関数の作成>
次に、一次補正関数による補正量と二次補正関数による補正量の全体における一次補正関数による補正量の合成比率(割合)を、0.5、0.7、0.3として、三次補正関数を作成した。図14には、一次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合を示す。具体的には、一次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合、二次補正関数による補正量の合成比率(割合)は0.5であるため、各パターン間隙毎の片側補正量を、下式(2)によって合成した。
三次補正関数の片側補正量(μm)=一次補正関数の片側補正量(μm)×0.5
+二次補正関数の片側補正量(μm)×0.5 …(2)
ここで、二次補正関数を作成したときの片側補正量のデータは、一次補正関数を作成したときの24段階よりも少ない6段階のパターン間隙についてしか取得していないが、上述したように、一次補正関数を作成したときと同じ24段階についてのデータとなるよう計算により推定した。
<Creation of cubic correction function>
Next, the composite ratio (ratio) of the correction amount by the primary correction function in the entire correction amount by the primary correction function and the correction amount by the secondary correction function is set to 0.5, 0.7, 0.3, and the tertiary correction function is set. It was created. FIG. 14 shows a case where the combined ratio (ratio) of the correction amounts by the primary correction function is 0.5. Specifically, when the composite ratio (ratio) of the correction amounts by the primary correction function is 0.5, the composite ratio (ratio) of the correction amounts by the secondary correction function is 0.5. The one-sided correction amount of was synthesized by the following equation (2).
One-sided correction amount of the third-order correction function (μm) = One-sided correction amount of the first-order correction function (μm) × 0.5
+ One-sided correction amount (μm) of secondary correction function × 0.5 (2)
Here, the data of the one-sided correction amount when the secondary correction function is created is acquired only for the 6-step pattern gaps, which is less than the 24 steps when the primary correction function is created, but as described above, It was estimated by calculation so as to obtain the same data for 24 steps as when the primary correction function was created.
<三次補正関数を用いた露光データの補正>
三次補正関数を用いた製品パターン7の露光データへの補正処理は、例えば、一次補正関数による補正量と二次補正関数による補正量の全体に対する一次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合、製品パターン7の露光データにおいて、設計値が30μmの個所に対しては、図14の表のパターン間隙の仕上り値が26.8μm(片側補正量が3.4μm)と、仕上り値が31.0μm(片側補正量が4.5μm)の各データから、仕上り値が30μmである場合の片側補正量の値は、これらのデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。このようにして計算で取得したパターン間隙の仕上り値が30μmのときの片側補正量は4.2μmであり、露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)に対して片側4.2μmずつパターン間隙を狭くする補正処理を行った。つまり、製品パターン7のパターン間隙の設計データ(設計値)が30μmの箇所については、パターン間隙の補正処理後の露光データは21.6μmとなるようにした。また、実パターン基板C4c内に配置された製品パターン(図示しない。)の元データ又は露光データの補正に用いる三次補正関数は、それぞれの製品パターンと位置関係が最も近いテストパターン1を用いて作成した三次補正関数を用いた。
<Correction of exposure data using a cubic correction function>
The correction process for the exposure data of the
このとき、二次補正関数を作成したときと同様に、製品パターン7の露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した三次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さないようにした。テストパターン1については、常に一次補正関数を作成したときと同じ露光データを用いて実パターンを作製し、これ以降の二次補正関数を作成するための実パターンデータを採取するためである。
At this time, as in the case of creating the second-order correction function, the third-order correction function created above is used for the exposure data of the product pattern 7 (here, it means the initial exposure data and is the same as the original data). The exposure data of the
<評価用の実パターン基板の作成>
次に、評価用の実パターン基板を作成するため、上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、図5に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン7を混在させた実パターン基板C4cを、3枚作製した。なお、製品パターン7の露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した三次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さない露光データを作成して露光を行った。
<Creation of actual pattern board for evaluation>
Next, in order to create a real pattern substrate for evaluation, a real pattern in which the
(比較例1)
上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、図5に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン7を混在させた実パターン基板C4cを、3枚作製した。なお、製品パターン7の露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した一次補正関数のみを用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さない露光データを作成して露光を行った。それ以外は、実施例1と同様である。
(Comparative Example 1)
In the same manner as when the above-described secondary correction function was created, three actual pattern substrates C4c in which the
(比較例2)
上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、図5に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン7を混在させた実パターン基板C4cを、3枚作製した。なお、製品パターン7の露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した二次補正関数のみを用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さない露光データを作成して露光を行った。それ以外は、実施例1と同様である。
(Comparative example 2)
In the same manner as when the above-described secondary correction function was created, three actual pattern substrates C4c in which the
<工程能力の評価>
実施例1、比較例1、2で作製した評価用の実パターン基板について、製品パターン7のうち、パターンの幅/パターン間隙の設計値が30μm/30μmである箇所(121ポイント/枚×3枚)に対し、測定顕微鏡を用いて、200倍の倍率でパターン幅を測定し、元データ(設計値)との差分から工程能力を調査した。その結果を、表1に示す。工程能力の右欄に記載した±10μm、±12μmとは、パターンの幅/パターン間隙の設計値(30μm/30μm)対する変動の許容範囲を示し、Cp、Cpkとは、工程能力指数を示す。
Regarding the actual pattern substrates for evaluation produced in Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, the
表1に示すように、本実施例においては、一次補正関数による補正量と二次補正関数による補正量の全体における一次補正関数の補正量の合成比率(割合)を、0.5、0.7、0.3として、三次補正関数を作成した実施例では、何れも十分な工程能力が得られ、一次補正関数の合成比率が0.5のときが最もよい結果であった。一方、比較例1、2では、実施例に比べて工程能力が低下する傾向がある。 As shown in Table 1, in the present embodiment, the combined ratio (ratio) of the correction amount of the primary correction function and the correction amount of the secondary correction function is 0.5, 0. In the examples in which the third-order correction function was created as 7 and 0.3, sufficient process capability was obtained in all cases, and the best result was obtained when the synthesis ratio of the first-order correction function was 0.5. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the process capability tends to be lower than that in Examples.
(実施例2)
実施例1と同様にして、<一次補正関数の作成>、<一次補正関数を用いた露光データの補正>、<二次補正関数の作成>、<三次補正関数の作成>、<三次補正関数を用いた露光データの補正>までを行なった。
(Example 2)
Similar to the first embodiment, <creation of primary correction function>, <correction of exposure data using primary correction function>, <creation of secondary correction function>, <creation of tertiary correction function>, <tertiary correction function> Correction of exposure data using.
<他の二次補正関数の作成>
次に、他の二次補正関数を作成するため、上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、図5に概略を示すようなテストパターン1と製品パターン7を混在させた実パターン基板C4cを、1枚作製した。なお、製品パターン7の露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した三次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さない露光データを作成して露光を行った。
<Creation of other secondary correction functions>
Next, in order to create another quadratic correction function, the actual pattern in which the
次に、実パターン基板C4cに対して、光学式自動外観検査装置を用いて実パターンデータ(仕上り値)を取得し、上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、図15に示すような二次補正関数を作成した。また、これ以外の段階のパターン間隙2については、上述した二次補正関数を作成したときと同様にして、実パターンデータを取得した段階のパターン間隙2の実パターンデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。つまり、図15の表には示さないが、実際に実パターンデータを取得したのは6段階についてのみであり、これを基にして24段階全ての実パターンデータを推定した。これにより、取得する実パターンデータを少なくし、データ処理の負荷を軽減した。
Next, with respect to the actual pattern substrate C4c, the actual pattern data (finishing value) is acquired by using the optical automatic appearance inspection device, and the same as when the above-described secondary correction function is created, as shown in FIG. A quadratic correction function like this was created. Further, regarding the
<他の三次補正関数の作成>
次に、上述した三次補正関数を作成したときと同様にして、図16に示すように、一次補正関数による補正量と他の二次補正関数による補正量の合成比率(割合)を、0.5として、他の三次補正関数を作成した。具体的には、各パターン間隙毎の片側補正量を、下式(3)によって合成した。
他の三次補正関数の片側補正量(μm)=(一次補正関数の片側補正量(μm)
+他の二次補正関数の片側補正量(μm))/2 …(3)
つまり、本実施例では、一次補正関数を固定し、この同じ一次補正関数に対して、実パターン基板を作製する毎に新たに作成される他の二次補正関数を合成することで、他の三次補正関数を作成する。このため、生産数の増加等によっても、生産プロセスの状況が変動し難い、比較的安定な場合に好適である。ここで、他の二次補正関数を作成したときの片側補正量のデータは、一次補正関数を作成したときの24段階よりも少ない6段階のパターン間隙についてしか取得していないが、上述したように、一次補正関数を作成したときと同じ24段階についてのデータとなるよう計算により推定した。
<Creation of other cubic correction function>
Next, as in the case of creating the above-described third-order correction function, as shown in FIG. 16, the combined ratio (rate) of the correction amount by the first-order correction function and the correction amount by the other second-order correction function is set to 0. 5, another third-order correction function was created. Specifically, the one-sided correction amount for each pattern gap is combined by the following equation (3).
One-sided correction amount (μm) of other cubic correction function = (One-sided correction amount (μm) of primary correction function)
+ One-sided correction amount (μm) of other secondary correction function) / 2 (3)
That is, in the present embodiment, the primary correction function is fixed, and another secondary correction function newly created each time an actual pattern substrate is manufactured is combined with this same primary correction function to obtain another Create a cubic correction function. Therefore, it is suitable when the situation of the production process is unlikely to change even if the number of productions increases, and is relatively stable. Here, the data of the one-sided correction amount when the other secondary correction function is created is acquired only for the pattern gap of 6 steps which is less than the 24 steps when the primary correction function is created, but as described above. In addition, it was estimated by calculation so as to obtain the same data for 24 steps as when the primary correction function was created.
<他の三次補正関数を用いた露光データの補正>
他の三次補正関数を用いた製品パターン7の露光データへの補正処理は、例えば、一次補正関数による補正量と他の二次補正関数による補正量の全体に対する一次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合、製品パターン7の露光データにおいて、設計値が30μmの個所に対しては、図16の表のパターン間隙の仕上り値が28.6μm(片側補正量が4.3μm)と、仕上り値が32.9μm(片側補正量が5.4μm)の各データから、仕上り値が30μmである場合の片側補正量の値は、これらのデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。このようにして計算で取得したパターン間隙の仕上り値が30μmのときの片側補正量は4.7μmであり、露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)に対して片側4.7μmずつパターン間隙を狭くする補正処理を行った。つまり、製品パターン7のパターン間隙の設計データ(設計値)が30μmの箇所については、パターン間隙の補正処理後の露光データは20.6μmとなるようにした。
<Correction of exposure data using another cubic correction function>
The correction process for the exposure data of the
このとき、製品パターン7の露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した他の三次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さないようにした。テストパターン1については、常に一次補正関数を作成したときと同じ露光データを用いて実パターンを作製し、これ以降の二次補正関数を作成するための実パターンデータを採取するためである。
At this time, the exposure data of the product pattern 7 (here, the initial exposure data is meant and is the same as the original data) is subjected to correction processing using the other cubic correction function created above, and the
(実施例3)
実施例2と同様にして、<一次補正関数の作成>、<一次補正関数を用いた露光データの補正>、<二次補正関数の作成>、<三次補正関数の作成>、<三次補正関数を用いた露光データの補正>、<他の二次補正関数の作成>までを行なった。
(Example 3)
Similar to the second embodiment, <creation of primary correction function>, <correction of exposure data using primary correction function>, <creation of secondary correction function>, <creation of cubic correction function>, <cubic correction function> Correction of exposure data using <> and <Creation of other secondary correction function> were performed.
<他の三次補正関数の作成>
次に、上記で作成した三次補正関数による補正量と他の二次補正関数による補正量の全体における三次補正関数による補正量の合成比率(割合)を、0.5、0.7、0.3として、他の三次補正関数を作成した。図17には、三次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合を示す。具体的には、三次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合、他の二次補正関数による補正量の合成比率(割合)は0.5であるため、各パターン間隙毎の片側補正量を、下式(4)によって合成した。
他の三次補正関数の片側補正量(μm)=三次補正関数の片側補正量(μm)×0.5
+他の二次補正関数の片側補正量(μm)×0.5 …(4)
つまり、本実施例では、一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数に対して、実パターン基板を作製する毎に新たに作成される他の二次補正関数を合成することで、他の三次補正関数を作成する。このため、元データ又は露光データの補正に用いる三次補正関数が二次補正関数を繰り返し累積したものであるため、製造プロセスの状況が、生産数の累積等によって、特定の方向に向かって変動する傾向がある場合に好適である。ここで、他の二次補正関数を作成したときの片側補正量のデータは、三次補正関数を作成したときの24段階よりも少ない6段階のパターン間隙についてしか取得していないが、上述したように、三次補正関数を作成したときと同じ24段階についてのデータとなるよう計算により推定した。
<Creation of other cubic correction function>
Next, the combined ratio (ratio) of the correction amount by the third-order correction function to the entire correction amount by the third-order correction function and the correction amount by the other second-order correction function created above is 0.5, 0.7, 0. As for 3, another third-order correction function was created. FIG. 17 shows a case where the composite ratio (ratio) of the correction amounts by the tertiary correction function is 0.5. Specifically, when the synthesis ratio (ratio) of the correction amounts by the third-order correction function is set to 0.5, the synthesis ratio (ratio) of the correction amounts by the other secondary correction functions is 0.5, so that each pattern The one-sided correction amount for each gap was synthesized by the following equation (4).
One-sided correction amount (μm) of another cubic correction function = One-sided correction amount (μm) of the third-order correction function × 0.5
+ One-sided correction amount (μm) of another secondary correction function × 0.5 (4)
That is, in the present embodiment, by synthesizing another secondary correction function newly created every time the actual pattern substrate is manufactured, with respect to the tertiary correction function that is a combination of the primary correction function and the secondary correction function, Create another cubic correction function. Therefore, the third-order correction function used for correcting the original data or the exposure data is a cumulative result of the second-order correction function repeatedly, so that the situation of the manufacturing process fluctuates in a specific direction due to the accumulation of the number of productions. It is suitable when there is a tendency. Here, the data of the one-sided correction amount when the other secondary correction function is created is acquired only for the pattern gaps of 6 steps, which is less than the 24 steps when the tertiary correction function is created, but as described above. In addition, it was estimated by calculation so as to obtain the same data for 24 steps as when the third-order correction function was created.
<他の三次補正関数を用いた露光データの補正>
他の三次補正関数を用いた製品パターン7の露光データへの補正処理は、例えば、三次補正関数による補正量と他の二次補正関数による補正量の全体に対する三次補正関数による補正量の合成比率(割合)を0.5とした場合、製品パターン7の露光データにおいて、設計値が30μmの個所に対しては、図17の表のパターン間隙の仕上り値が27.8μm(片側補正量が3.9μm)と、仕上り値が31.8μm(片側補正量が4.9μm)の各データから、仕上り値が30μmである場合の片側補正量の値は、これらのデータ同士を結んだ直線上にあると仮定して計算により取得した。このようにして計算で取得したパターン間隙の仕上り値が30μmのときの片側補正量は4.5μmであり、露光データ(ここでは補正後の露光データではなく、初期の露光データを意味し、元データと同じ。)に対して片側4.5μmずつパターン間隙を狭くする補正処理を行った。つまり、製品パターン7のパターン間隙の設計データ(設計値)が30μmの箇所については、パターン間隙の補正処理後の露光データは21.0μmとなるようにした。
<Correction of exposure data using another cubic correction function>
The correction process for the exposure data of the
このとき、製品パターン7の露光データ(ここでは初期の露光データを意味し、元データと同じ。)には、上記で作成した他の三次補正関数を用いて補正処理を施し、テストパターン1の露光データには補正処理を施さないようにした。テストパターン1については、常に一次補正関数を作成したときと同じ露光データを用いて実パターンを作製し、これ以降の二次補正関数を作成するための実パターンデータを採取するためである。
At this time, the exposure data of the product pattern 7 (here, the initial exposure data is meant and is the same as the original data) is subjected to correction processing using the other cubic correction function created above, and the
1:テストパターン
2:パターン間隙
3:パターン
4:実パターン基板
4a:実パターン基板A(テスト基板)
4b:実パターン基板B(テスト基板)
4c:実パターン基板C(製品基板)
5:基材
6:製品パターン領域
7:製品パターン
8:データ補正装置
9:バス
10:配線パターン形成システム
1: test pattern 2: pattern gap 3: pattern 4: actual pattern substrate 4a: actual pattern substrate A (test substrate)
4b: Actual pattern board B (test board)
4c: Actual pattern board C (product board)
5: Base material 6: Product pattern area 7: Product pattern 8: Data correction device 9: Bus 10: Wiring pattern forming system
Claims (14)
この露光データを用いて形成した実パターン基板から、前記実パターン基板に実際に加工された配線パターンを表す実パターンデータを作成する工程(B)と、
前記元データと実パターンデータとの差分に基づいて、前記元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C)と、を有し、
前記補正データを作成する工程(C)が、
前記実パターンデータと前記元データ又は露光データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、
この差分データと、前記実パターンデータから特定された配線パターンの仕様に関連する前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、
この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、
前記合成した補正関数を用いて前記元データ又は前記露光データ中の前記因子に対応する値に対応する補正量を算出し、前記補正量を用いて前記配線パターンの前記元データ又は前記露光データを補正する工程(C−4)と、
を有する配線基板の製造方法。 A step (A) of creating exposure data based on the original data of the target wiring pattern,
A step (B) of creating real pattern data representing a wiring pattern actually processed on the real pattern substrate from the real pattern substrate formed using the exposure data;
A step (C) of creating correction data of the original data or the exposure data based on a difference between the original data and the actual pattern data,
The step (C) of creating the correction data includes
Creating difference data from the difference between the actual pattern data and the original data or exposure data (C-1);
From the relationship between the difference data and the factor causing the difference related to the specification of the wiring pattern specified from the actual pattern data , the factor causing the difference and the correction amount of the original data for suppressing the difference Or a step (C-2) of creating a plurality of correction functions that define a relationship with the correction amount of the exposure data,
A step (C-3) of creating a correction function that combines the plurality of correction functions,
Calculates a correction amount corresponding to the value corresponding to the factors of the original data or the exposure in data by using the correction function obtained by the synthesis, the original data or the exposure data of the wiring pattern by using the correction amount Compensating step (C-4),
A method of manufacturing a wiring board having the following.
前記合成した補正関数を作成する工程(C−3)では、前記一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成し、
前記元データ又は露光データを補正する工程(C−4)では、前記三次補正関数を用いて、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する、請求項1に記載の配線基板の製造方法。 In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, a primary correction function created using an actual pattern substrate and a secondary correction function created using another actual pattern substrate are created,
In the step (C-3) of creating the combined correction function, a tertiary correction function is created by combining the primary correction function and the secondary correction function,
The wiring board according to claim 1, wherein in the step (C-4) of correcting the original data or the exposure data, the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern board is corrected using the cubic correction function. Manufacturing method.
前記合成した補正関数を作成する工程(C−3)では、前記三次補正関数と前記さらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する、請求項2に記載の配線基板の製造方法。 In the step (C-2) of creating the plurality of correction functions, in addition to the quadratic correction function, another quadratic correction function created using another real pattern substrate is created.
3. The step (C-3) of creating the combined correction function creates the other tertiary correction function by combining the tertiary correction function and the further created secondary correction function. Manufacturing method of wiring board.
目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、前記露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した、前記実パターン基板に実際に加工された配線パターンを表す実パターンデータとの差分から差分データを作成し(C−1)、
この差分データと前記実パターンデータから特定された配線パターンの仕様に関連する前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と前記差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成し(C−2)、
この複数の補正関数を合成した補正関数を作成し(C−3)、
前記複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて補正した前記元データ又は前記露光データ中の前記因子に対応する値に対応する補正量を算出し、前記補正量を用いて前記配線パターンの前記元データ又は前記露光データを補正して補正データを作成する(C−4)、データ補正装置。 A data correction device for original data of a wiring pattern or exposure data, which is used for manufacturing a wiring board ,
Original data of the target wiring pattern or exposure data created based on this original data, and a wiring pattern actually processed on the actual pattern substrate created from the actual pattern substrate formed using the exposure data create the differential data from the difference between the actual pattern data representing (C-1),
From the relationship between the difference data and the factor causing the difference related to the specification of the wiring pattern specified from the actual pattern data , the factor causing the difference and the correction amount of the original data for suppressing the difference. Alternatively, a plurality of correction functions that define the relationship with the correction amount of the exposure data are created (C-2),
A correction function is created by synthesizing the plurality of correction functions (C-3),
A correction amount corresponding to a value corresponding to the factor in the original data or the exposure data corrected using a correction function created by combining the plurality of correction functions is calculated, and the wiring is calculated using the correction amount. It said pattern by correcting the original data or the exposure data to create the correction data (C-4), the data correction apparatus.
前記合成した補正関数を作成する際(C−3)には、前記一次補正関数と二次補正関数を合成した三次補正関数を作成し、
前記元データ又は露光データを補正する(C−4)には、前記三次補正関数を用いて、前記実パターン基板の配線パターンの元データ又は露光データを補正する、請求項7に記載のデータ補正装置。 When creating a plurality of correction functions (C-2), a primary correction function created using an actual pattern substrate and a secondary correction function created using another actual pattern substrate are created,
When creating the combined correction function (C-3), create a tertiary correction function that combines the primary correction function and the secondary correction function,
8. The data correction according to claim 7 , wherein in correcting (C-4) the original data or the exposure data, the third-order correction function is used to correct the original data or the exposure data of the wiring pattern of the actual pattern substrate. apparatus.
前記合成した補正関数を作成する際(C−3)には、前記三次補正関数と前記さらに作成された他の二次補正関数を合成して他の三次補正関数を作成する、請求項8に記載のデータ補正装置。 When creating the plurality of correction functions (C-2), in addition to the secondary correction function, another secondary correction function created by using another actual pattern substrate is created.
Wherein the time of creating the synthesized correction function (C-3), by combining the other of the secondary correction function said further created when the three-order correction function to create other tertiary correction function, to claim 8 The data correction device described.
前記データ補正装置により補正された元データから作成された露光データ又は前記データ補正装置により補正された露光データに基づいて、基板上に配置された感光性レジストに、露光パターンを露光するパターン露光装置と、
前記露光パターンが露光された感光性レジストを現像して現像パターンを形成する現像パターン形成装置と、
前記現像パターンを形成した基板に対して回路加工を行ない実パターンを形成する実パターン形成装置と、
前記実パターンから実パターンデータを作成する実パターンデータ作成装置と、を有する配線パターン形成システム。 A data correction device according to any one of claims 7 to 12 ,
A pattern exposure apparatus that exposes an exposure pattern on a photosensitive resist disposed on a substrate based on exposure data created from original data corrected by the data correction apparatus or exposure data corrected by the data correction apparatus When,
A developing pattern forming apparatus for forming a developing pattern by developing the photosensitive resist having the exposed exposure pattern;
An actual pattern forming device for forming an actual pattern by performing circuit processing on the substrate on which the development pattern is formed;
An actual pattern data creating apparatus for creating actual pattern data from the actual pattern, the wiring pattern forming system.
目標とする配線パターンの元データ又はこの元データに基づいて作成された露光データと、前記露光データを用いて形成した実パターン基板から作成した、前記実パターン基板に実際に加工された配線パターンを表す実パターンデータとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、
この差分データと前記実パターンデータから特定された配線パターンの仕様に関連する前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と前記差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、
この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)と、
前記複数の補正関数を合成して作成した補正関数を用いて前記元データ又は前記露光データ中の前記因子に対応する値に対応する補正量を算出し、前記補正量を用いて前記配線パターンの前記元データ又は前記露光データを補正して補正データを作成する工程(C−4)と、
を有するデータ補正方法。 A data correction method of original data of a wiring pattern or exposure data, which uses the data correction device according to claim 7 .
Original data of the target wiring pattern or exposure data created based on this original data, and a wiring pattern actually processed on the actual pattern substrate created from the actual pattern substrate formed using the exposure data A step (C-1) of creating difference data from the difference from the actual pattern data represented ,
From the relationship between the difference data and the factor causing the difference related to the specification of the wiring pattern specified from the actual pattern data , the factor causing the difference and the correction amount of the original data for suppressing the difference. Or a step (C-2) of creating a plurality of correction functions that define a relationship with the correction amount of the exposure data,
A step (C-3) of creating a correction function that combines the plurality of correction functions,
A correction amount corresponding to a value corresponding to the factor in the original data or the exposure data is calculated by using a correction function created by combining the plurality of correction functions, and the correction amount is used to calculate the wiring pattern of the wiring pattern. the original data or the step of creating correction data by correcting the exposure data and (C-4),
A data correction method having.
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