KR102068735B1 - 플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치 - Google Patents

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Abstract

일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하여, 상부 전극 및 하부 전극 중 1 전극에 공급한다. 정합 회로 및 급전 라인이, 고주파 전원과 1 전극의 사이에 설치되어 있다. 프로브 검출기가, 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하고, 프로브 장치의 처리부가, 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성한다. 처리부는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환에 대응한 펄스 신호를 받아, 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 당해 1 이상의 샘플값 중 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용한다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치{PLASMA PROCESSING DEVICE AND PROBE DEVICE}
본 발명의 실시예는 플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 일반적으로 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 처리 가스의 플라즈마를 생성함으로써, 피처리 기체에 대한 에칭 또는 성막과 같은 처리가 행해진다. 예를 들면, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하고, 처리 용기 내에 설치된 상부 전극과 하부 전극의 일방에 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 양 전극 간에 고주파 전계를 발생시킴으로써, 처리 가스의 플라즈마를 생성하고 있다.
또한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원과 전극의 사이에 정합기가 설치되어 있고, 정합기로부터 출력되는 고주파 전력이 급전 라인을 거쳐 전극에 공급된다. 이와 같이 정합기를 설치함으로써, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서는, 전극의 입력 임피던스와 고주파 전원의 출력 임피던스를 정합시켜, 처리 용기 내에서 효율 좋게 플라즈마를 발생시키는 것이 가능하게 되어 있다.
이러한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서 발생하는 플라즈마 상태는, 전극에 공급되는 고주파 전력, 전압 및 전류, 그리고 부하 임피던스와 같은 전기적 파라미터에 의존한다. 따라서, 이들 전기적 파라미터를 구하여, 당해 전기적 파라미터에 기초하여 플라즈마 처리 장치의 제어 파라미터를 조정하면, 플라즈마 상태의 최적화 및 안정화를 도모할 수 있다. 이러한 전기적 파라미터를 구하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치는, 예를 들면 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
특허 문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 하부 전극과 정합기를 접속하는 급전봉을 가지고 있고, 당해 급전봉에 장착된 프로브 검출기를 가지고 있다. 이 플라즈마 처리 장치에서는, 예를 들면 프로브 검출기를 이용하여 급전봉에서의 전류 및 전압을 계측함으로써 얻은 계측 신호를 해석 유닛이 해석함으로써, 상술한 전기적 파라미터를 구하고 있다.
보다 구체적으로, 특허 문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치는, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력이 연속적으로 하부 전극에 공급되는 것을 상정하고 있고, 프로브 검출기에 의해 계측된 전류 및 전압 등의 계측 신호를 일정한 주기로 연속적으로 샘플링하여 검출값(즉, 표본화한 디지털값)을 얻고 있다.
한편, 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서는, 하부 전극에 대하여 펄스 형상의 고주파 전력을 부여하는 경우가 있다. 즉, 고주파 전력의 ON과 OFF를 교호로 전환함으로써, 하부 전극에 대한 고주파 전력의 공급과 공급 정지를 교호로 전환하는 경우가 있다. 이에 의해, 예를 들면 하부 전극에 대한 고주파 전력의 공급을 정지하여 피처리 기체 상의 플라즈마 시스를 소실시키고, 또한 상부 전극에 음의 전압을 부여하여 음이온 또는 전자를 피처리 기체에 대하여 공급하여, 피처리 기체의 대전을 중화시킬 수 있고, 그 결과, 후속하는 피처리 기체의 에칭에서의 양이온의 직진성을 높일 수 있다.
일본특허공개공보 2009-231683호
특허 문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에서는, 상술한 바와 같이, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력이 연속적으로 하부 전극에 공급되고 있으므로, 급전봉에서의 전기 특성을 프로브 검출기를 이용하여 계측함으로써 얻은 계측 신호의 시간적인 변동은 작다. 따라서, 특허 문헌 1에 기재된 플라즈마 처리 장치에서는, 일정한 주기로 연속적으로 계측 신호의 샘플링을 행해도 안정된 검출값이 얻어진다.
그러나, 고주파 전력의 ON과 OFF를 교호로 전환하는 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전력이 시간적으로 변동하므로, 계측 신호의 레벨도 시간적으로 크게 변동한다. 따라서, 계측 신호의 샘플링을 행함으로써 얻어지는 검출값은, 샘플링의 타이밍에 의존하여 크게 변동한다. 그 결과, 상술한 전기적 파라미터를 정밀도 좋게 구할 수 없게 된다.
이러한 배경 하에, 본 기술 분야에서는, 전극에 공급하는 고주파 전력의 ON과 OFF를 교호로 전환 가능한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서, 정합기와 전극의 사이의 급전 라인으로부터 프로브 검출기에 의해 얻어지는 계측 신호의 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감하는 것이 요청되고 있다.
본 발명의 일측면에 따른 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기, 가스 공급부, 상부 전극, 재치대, 고주파 전원, 정합 회로, 급전 라인 및 프로브 장치를 구비하고 있다. 가스 공급부는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급한다. 상부 전극은 처리 용기 내에 설치되어 있다. 재치대는, 처리 용기 내에서 상부 전극과 대향 배치된 하부 전극을 가진다. 고주파 전원은 고주파 전력을 발생한다. 고주파 전원은 상기 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환할 수 있다. 정합 회로는, 고주파 전원과 상부 전극 또는 하부 전극 중 일방의 전극의 사이에 설치되어 있다. 급전 라인은 정합 회로와 상기 일방의 전극의 사이에 설치되어 있다. 프로브 장치는, 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하는 프로브 검출기, 및 상기 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성하는 처리부를 가지고 있다. 처리부는, 고주파 전력이 ON의 기간에 제 1 레벨을 취하고 고주파 전력이 OFF의 동안에 제 2 레벨을 취하는 펄스 신호를 받아, 상기 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 상기 1 이상의 샘플값 중 상기 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용한다.
그 ON과 OFF를 전환하여 펄스 형상으로 고주파 전력을 전극에 공급하는 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서는, 급전 라인에서의 고주파 전력이, 고주파 전력을 ON으로 제어한 후에 안정된 레벨에 이르기까지 시간을 요한다. 이 시간은, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하는 주파수에도 의존할 수 있다. 본 발명의 상기 측면에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 프로브 장치의 처리부에, 고주파 전력이 ON의 기간에 제 1 레벨을 취하고 고주파 전력이 OFF의 동안에 제 2 레벨을 취하는 펄스 신호가 부여된다. 이 처리부는, 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 프로브 검출기의 계측 신호를 샘플링하고, 얻어진 1 이상의 샘플값 중 펄스 신호의 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용하고 있다. 즉, 본 플라즈마 처리 장치에서는, 펄스 신호의 하락 타이밍을 트리거로서 이용하여, 펄스 신호의 하락 타이밍의 직전에 얻어진 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용하고 있다. 이러한 검출값은, 급전 라인에서의 고주파 전력이 안정된 레벨에 이르렀을 때의 계측 신호에 기초하는 값이 될 수 있다. 따라서, 이와 같이 검출값을 얻음으로써, 시간적으로 변동하는 계측 신호의 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 펄스 신호의 하락 타이밍을 트리거로서 검출값이 얻어지므로, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하는 주파수(이하, '전환 주파수'라고 함)가 변경되어도, 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감할 수 있다.
일실시예에 있어서는, 처리부는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환 주파수에 기초하여, 주파수에 따라 미리 정해진 채용하는 샘플값의 개수를 구하고, 구한 개수의 샘플값을 검출값으로서 채용해도 된다. 이 실시예에 따르면, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 일정한 기간의 경과 후에 얻어지는 검출값의 개수가 동수가 되도록, 하나의 펄스의 기간에서 얻어지는 샘플값 중 검출값으로서 채용하는 샘플값의 개수를 미리 설정해 둘 수 있다. 이에 의해, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 일정한 기간의 경과 후에, 동수의 검출값을 얻는 것이 가능해진다. 따라서, 예를 들면 처리부가 복수의 검출값에 기초하는 해석값을 출력하는 경우에, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 상기 해석값의 출력 타이밍을 동일하게 하는 것이 가능해진다. 또한 해석값으로서는, 예를 들면 복수의 검출값에 FFT(고속 푸리에 변환)를 적용함으로써 얻어지는 값이 예시된다. 또한 일실시예에 있어서는, 플라즈마 처리 장치는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환 주파수를 설정하는 제어부를 더 구비하고, 처리부는, 상기 주파수를 특정하는 정보를 상기 제어부로부터 받아, 샘플값의 개수를 상기 정보에 기초하여 구해도 된다. 또한 다른 실시예에서는, 처리부는, 상기 펄스 신호를 해석하여 고주파 전력의 ON과 OFF와의 전환 주파수를 구해도 된다.
일실시예에 있어서는, 플라즈마 처리 장치는, 프로브 장치의 처리부에 상기 펄스 신호를 공급하고, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하기 위한 펄스 신호를 고주파 전원에 공급하는 펄스 제어부를 더 구비하고 있어도 된다. 이 실시예의 플라즈마 처리 장치는, (a) 상기 고주파 전력의 주파수와는 상이한 주파수를 가지고, 상기 고주파 전력이 ON의 기간에 ON이 되고 상기 고주파 전력이 OFF의 동안에 OFF가 되는 다른 고주파 전력을 발생하는 다른 고주파 전원과, (b) 다른 고주파 전원과 급전 라인의 사이에 설치된 다른 정합 회로를 더 구비하고, 펄스 제어부가, 다른 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하기 위한 펄스 신호를 다른 고주파 전원에 공급해도 된다. 다른 실시예에서는, 고주파 전원이, 프로브 장치의 처리부에 공급하는 상기 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부를 가지고 있어도 된다.
본 발명의 다른 측면은, 급전 라인을 거쳐 상부 전극 및 하부 전극의 일방에 공급하는 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환 가능한 플라즈마 처리 장치의 상기 급전 라인에서의 전기적 특성의 검출값을 생성하는 프로브 장치이다. 이 프로브 장치는, 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하는 프로브 검출기와, 상기 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성하는 처리부를 구비하고 있다. 처리부는, 고주파 전력이 ON의 기간에 제 1 레벨을 취하고 고주파 전력이 OFF의 동안에 제 2 레벨을 취하는 펄스 신호를 받아, 상기 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 상기 1 이상의 샘플값 중 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용한다. 본 프로브 장치는, 시간적으로 변동하는 계측 신호의 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감하는 것이 가능하다. 또한, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하는 주파수(즉, 전환 주파수)가 변경되어도, 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감할 수 있다.
일실시예에 있어서는, 처리부는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환 주파수를 특정하는 정보를 받아, 주파수에 따라 미리 정해진 채용하는 샘플값의 개수를 상기 정보에 기초하여 구하고, 구한 상기 개수의 샘플값을 검출값으로서 채용해도 된다. 이 실시예에 따르면, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 일정한 기간의 경과 후에 얻어지는 검출값의 개수가 동수가 되도록, 하나의 펄스의 기간에서 얻어지는 샘플값 중 검출값으로서 채용하는 샘플값의 개수를 미리 설정해 둘 수 있다. 이에 의해, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 일정한 기간의 경과 후에, 동수의 검출값을 얻는 것이 가능해진다. 따라서, 예를 들면 처리부가 복수의 검출값에 기초하는 해석값을 출력하는 경우에, 전환 주파수가 상이한 복수의 주파수 중 어느 것이라도, 상기 해석값의 출력 타이밍을 동일하게 하는 것이 가능해진다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 발명의 다양한 측면 및 실시예에 따르면, 전극에 공급하는 고주파 전력의 ON과 OFF를 교호로 전환 가능한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치에서, 정합기와 전극의 사이의 급전 라인으로부터 프로브 검출기에 의해 얻어지는 계측 신호의 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감하는 것이 가능해진다.
도 1은 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 도이다.
도 2는 일실시예에 따른 전원 시스템의 구성을 도시한 도이다.
도 3은 일실시예에 따른 직류 전원의 구성을 도시한 회로도이다.
도 4는 고주파 전원의 출력 파형과 직류 전원의 출력 전압의 파형을 예시하는 타이밍 차트이다.
도 5는 프로브 검출기의 계측 신호의 파형, 및 프로브 장치의 처리부에 공급되는 펄스 신호의 파형의 일례를 도시한 도이다.
도 6은 프로브 검출기의 계측 신호의 파형, 및 프로브 장치의 처리부에 공급되는 펄스 신호의 파형의 일례를 도시한 도이다.
도 7은 프로브 검출기의 계측 신호의 파형, 및 프로브 장치의 처리부에 공급되는 펄스 신호의 파형의 일례를 도시한 도이다.
도 8a 및 도 8b는 일실시예에서의 검출값의 채용 방법을 설명하기 위한 도이다.
도 9는 샘플링부가 참조하는 테이블의 일례를 나타낸 도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 전원 시스템의 구성을 도시한 도이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
도 1은 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 도시한 도이다. 도 1에 도시한 플라즈마 처리 장치(10)는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치이며, 대략 원통 형상의 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는, 예를 들면 그 표면에서 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 이 처리 용기(12)는 보안 접지되어 있다.
처리 용기(12)의 저부 상에는 절연 재료로 구성된 원통 형상의 지지부(14)가 배치되어 있다. 이 지지부(14)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 금속으로 구성된 기대(基臺)(16)를 지지하고 있다. 이 기대(16)는 처리 용기(12) 내에 설치되어 있고, 일실시예에서는 하부 전극을 구성하고 있다.
기대(16)의 상면에는 정전 척(18)이 설치되어 있다. 정전 척(18)은 기대(16)와 함께 일실시예의 재치대를 구성하고 있다. 정전 척(18)은, 도전막인 전극(20)을 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 간에 배치한 구조를 가지고 있다. 전극(20)에는 직류 전원(22)이 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(18)은, 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의해 발생한 쿨롱력 등의 정전력에 의해 피처리 기체(W)를 흡착 보지(保持)할 수 있다.
기대(16)의 상면으로서, 정전 척(18)의 주위에는, 포커스 링(FR)이 배치되어 있다. 포커스 링(FR)은 에칭의 균일성을 향상시키기 위하여 설치되어 있다. 포커스 링(FR)은 피에칭층의 재료에 의해 적절히 선택되는 재료로 구성되어 있고, 예를 들면 실리콘 또는 석영으로 구성될 수 있다.
기대(16)의 내부에는 냉매실(24)이 설치되어 있다. 냉매실(24)에는, 외부에 설치된 칠러 유닛으로부터 배관(26a, 26b)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예를 들면 냉각수가 순환 공급된다. 이와 같이 순환되는 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전 척(18) 상에 재치된 피처리 기체(W)의 온도가 제어된다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)에는 가스 공급 라인(28)이 설치되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(18)의 상면과 피처리 기체(W)의 이면과의 사이로 공급한다.
또한, 처리 용기(12) 내에는 상부 전극(30)이 설치되어 있다. 이 상부 전극(30)은, 하부 전극인 기대(16)의 상방에서 당해 기대(16)와 대향 배치되어 있고, 기대(16)와 상부 전극(30)은 서로 대략 평행하게 설치되어 있다. 이들 상부 전극(30)과 하부 전극(16)의 사이에는, 피처리 기체(W)에 플라즈마 에칭을 행하기 위한 처리 공간(S)이 구획 형성되어 있다.
상부 전극(30)은 절연성 차폐 부재(32)를 개재하여 처리 용기(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은 전극판(34) 및 전극 지지체(36)를 포함할 수 있다. 전극판(34)은 처리 공간(S)에 면하고 있고, 복수의 가스 토출홀(34a)을 구획 형성하고 있다. 이 전극판(34)은 줄열이 적은 저저항의 도전체 또는 반도체로 구성될 수 있다.
전극 지지체(36)는 전극판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 전극 지지체(36)는 수냉 구조를 가질 수 있다. 전극 지지체(36)의 내부에는 가스 확산실(36a)이 설치되어 있다. 이 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출홀(34a)에 연통하는 복수의 가스 통류홀(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 또한, 전극 지지체(36)에는 가스 확산실(36a)로 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있고, 이 가스 도입구(36c)에는 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는 밸브(42) 및 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(44)를 개재하여 가스원(40)이 접속되어 있다. 또한, MFC 대신에 FCS가 설치되어 있어도 된다. 가스원(40)은, 예를 들면 C4F8 가스와 같은 플루오르카본계 가스(CxFy)를 포함하는 처리 가스의 가스원이다. 이 가스원(40)으로부터의 처리 가스는, 가스 공급관(38)으로부터 가스 확산실(36a)에 도달하여, 가스 통류홀(36b) 및 가스 토출홀(34a)을 거쳐 처리 공간(S)에 토출된다. 가스원(40), 밸브(42), MFC(44), 가스 공급관(38) 그리고 가스 확산실(36a), 가스 통류홀(36b) 및 가스 토출홀(34a)을 구획 형성하는 상부 전극(30)은 일실시예에서의 가스 공급부를 구성하고 있다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 접지 도체(12a)를 더 구비할 수 있다. 접지 도체(12a)는 대략 원통 형상의 접지 도체이며, 처리 용기(12)의 측벽으로부터 상부 전극(30)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 설치되어 있다.
또한 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12)의 내벽을 따라 퇴적물 실드(46)가 착탈 가능하게 설치되어 있다. 또한, 퇴적물 실드(46)는 지지부(14)의 외주에도 설치되어 있다. 퇴적물 실드(46)는 처리 용기(12)에 에칭 부생물(퇴적물)이 부착되는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
처리 용기(12)의 저부측에서는, 지지부(14)와 처리 용기(12)의 내벽과의 사이에 배기 플레이트(48)가 설치되어 있다. 배기 플레이트(48)는 예를 들면, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방에서 처리 용기(12)에는 배기구(12e)가 형성되어 있다. 배기구(12e)에는 배기관(52)을 개재하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있고, 처리 용기(12) 내를 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또한, 처리 용기(12)의 측벽에는 피처리 기체(W)의 반입출구(12g)가 형성되어 있고, 이 반입출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
또한, 처리 용기(12)의 내벽에는 도전성 부재(GND 블록)(56)가 설치되어 있다. 도전성 부재(56)는, 높이 방향에서 피처리 기체(W)와 대략 동일한 높이에 위치하도록 처리 용기(12)의 내벽에 장착되어 있다. 이 도전성 부재(56)는 그라운드에 DC적으로 접속되어 있고, 이상 방전 방지 효과를 발휘한다. 또한, 도전성 부재(56)는 플라즈마 생성 영역에 설치되어 있으면 되고, 그 설치 위치는 도 1에 도시한 위치에 한정되지 않는다. 예를 들면 도전성 부재(56)는, 기대(16)의 주위에 설치되는 등 기대(16)측에 설치되어도 되고, 또한 상부 전극(30)의 외측에 링 형상으로 설치되는 등 상부 전극(30)의 근방에 설치되어도 된다.
일실시예에서는, 플라즈마 처리 장치(10)는, 하부 전극을 구성하는 기대(16)에 고주파 전력을 공급하기 위한 급전봉(58)을 더 구비하고 있다. 급전봉(58)은 일실시예에 따른 급전 라인을 구성하고 있다. 급전봉(58)은 동축 이중관 구조를 가지고 있고, 봉 형상 도전 부재(58a) 및 통 형성 도전 부재(58b)를 포함하고 있다. 봉 형상 도전 부재(58a)는, 처리 용기(12) 밖으로부터 처리 용기(12)의 저부를 통하여 처리 용기(12) 내까지 대략 수직 방향으로 연장되어 있고, 당해 봉 형상 도전 부재(58a)의 상단은 기대(16)에 접속되어 있다. 또한, 통 모양 도전 부재(58b)는, 봉 형상 도전 부재(58a)의 주위를 둘러싸도록 당해 봉 형상 도전 부재(58a)와 동축에 설치되어 있고, 처리 용기(12)의 저부에 지지되어 있다. 이들 봉 형상 도전 부재(58a) 및 통 형상 도전 부재(58b)의 사이에는, 대략 환상(環狀)의 2 매의 절연 부재(58c)가 개재되어, 봉 형상 도전 부재(58a)와 통 형상 도전 부재(58b)를 전기적으로 절연하고 있다.
또한 일실시예에서, 플라즈마 처리 장치(10)는 정합기(MU)를 더 구비할 수 있다. 정합기(MU)에는 봉 형상 도전 부재(58a) 및 통 형상 도전 부재(58b)의 하단이 접속되어 있다. 이 정합기(MU)에는 전원 시스템(PS)이 접속되어 있다. 또한, 전원 시스템(PS)에는 상부 전극(30)도 접속되어 있다. 일실시예에서는, 전원 시스템(PS)은 하부 전극을 구성하는 기대(16)에 두 개의 상이한 고주파 전력을 공급하고, 상부 전극(30)에 직류 전압을 인가할 수 있다. 이 전원 시스템(PS)의 상세에 대해서는 후술한다.
또한 일실시예에서는, 플라즈마 처리 장치(10)는 제어부(Cnt)를 더 구비할 수 있다. 이 제어부(Cnt)는 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부, 예를 들면 전원계 또는 가스 공급계, 구동계 및 전원 시스템(PS) 등을 제어한다. 이 제어부(Cnt)에서는, 입력 장치를 이용하여, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행할 수 있고, 또한 표시 장치에 의해 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한 제어부(Cnt)의 기억부에는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 및 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된다.
이하, 도 2를 참조하여, 전원 시스템(PS)에 대하여 설명한다. 도 2는 일실시예에 따른 전원 시스템의 구성을 도시한 도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 일실시예에서는, 전원 시스템(PS)은 직류 전원(60), 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)을 구비하고 있다.
제 1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제 1 고주파(RF : Radio Frequency) 전력을 발생하는 전원이며, 27 ~ 100 MHz의 주파수, 일례에서는 40 MHz의 고주파 전력을 발생한다. 제 1 고주파 전원(62)은 배선(L10)을 개재하여 정합기(MU)에 접속되어 있다. 이 정합기(MU)는 정합 회로(66a), 필터 회로(66b), 정합 회로(68a) 및 필터 회로(68b)를 포함하고 있다. 정합 회로(66a)에는 제 1 고주파 전원(62)이 접속되어 있고, 당해 정합 회로(66a)는 필터 회로(66b)를 개재하여 급전봉(58)에 접속되어 있다. 정합 회로(66a)는 제 1 고주파 전원(62)의 제 1 고주파 전력이 ON이 되어 있을 때, 즉, 제 1 고주파 전원(62)으로부터 제 1 고주파 전력이 정합 회로(66a)에 공급되고 있을 때, 제 1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(16)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로이다. 필터 회로(66b)는 후술하는 제 2 고주파 전력이 정합 회로(66a)에 침입하는 것을 방지하는 회로이다.
제 2 고주파 전원(64)은 기대(16)에 고주파 바이어스를 인가하고, 피처리 기체(W)에 이온을 인입하기 위한 제 2 고주파 전력을 발생한다. 제 2 고주파 전력의 주파수는 400 kHz ~ 13.56 MHz의 범위 내의 주파수이며, 일례에서는 3 MHz이다. 제 2 고주파 전원(64)은 배선(L12)을 개재하여 정합 회로(68a)에 접속되어 있다. 이 정합 회로(68a)는 필터 회로(68b)를 개재하여 급전봉(58)에 접속되어 있다. 정합 회로(68a)는, 제 2 고주파 전원(64)의 제 2 고주파 전력이 ON이 되어 있을 때, 즉 제 2 고주파 전원(64)으로부터 제 2 고주파 전력이 정합 회로(68a)에 공급되고 있을 때, 제 2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(16)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로이다. 필터 회로(68b)는 제 1 고주파 전력이 정합 회로(68a)에 침입하는 것을 방지하는 회로이다.
일실시예에서는, 전원 시스템(PS)은 펄스 제어부(PC)를 더 구비할 수 있다. 펄스 제어부(PC)는, 고주파 전원(62, 64) 각각이 발생하는 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하기 위한 펄스 신호를 발생한다. 펄스 제어부(PC)는 고주파 전원(62, 64)에 배선(L14, L16)을 개재하여 접속되어 있다. 이 펄스 제어부(PC)는 배선(L14)을 거쳐 제 1 고주파 전원(62)에 펄스 신호(PS1)를 공급한다. 펄스 신호(PS1)는, 제 1 고주파 전력을 ON으로 하기 위하여 제 1 레벨(예를 들면, 고레벨)을 취하고, 제 1 고주파 전력을 OFF로 하기 위하여 제 2 레벨(예를 들면, 저레벨)을 취한다. 또한, 펄스 제어부(PC)는 배선(L16)을 거쳐 제 2 고주파 전원(64)에 펄스 신호(PS2)를 공급한다. 펄스 신호(PS2)는, 제 2 고주파 전력을 ON으로 하기 위하여 제 1 레벨(예를 들면, 고레벨)을 취하고, 제 2 고주파 전력을 OFF로 하기 위하여 제 2 레벨(예를 들면, 저레벨)을 취할 수 있다.
펄스 제어부(PC)에 의해 발생되는 펄스 신호(PS1 및 PS2)의 주파수 및 듀티비는 제어부(Cnt)에 의해 조정된다. 구체적으로, 제어부(Cnt)는 펄스 신호의 주파수 및 듀티비를 설정하는 제어 신호(CS1)를, 배선(DL10)을 거쳐 펄스 제어부(PC)에 송출한다. 이 제어 신호(CS1)를 받으면, 펄스 제어부(PC)는, 당해 제어 신호에 따른 주파수 및 듀티비를 가지는 펄스 신호(PS1 및 PS2)를 발생한다.
제 1 고주파 전원(62)은, 펄스 제어부(PC)로부터 공급되는 펄스 신호(PS1)에 따라, 당해 펄스 신호(PS1)의 주파수에 대응하는 전환 주파수로, 제 1 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환한다. 또한 제 2 고주파 전원(64)도, 펄스 제어부(PC)로부터 공급되는 펄스 신호(PS2)에 따라, 당해 펄스 신호(PS2)의 주파수에 대응하는 전환 주파수로, 제 2 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환한다. 이에 의해, 처리 용기(12) 내에서 플라즈마가 존재하고 있는 상태와 플라즈마가 소멸된 상태가 교호로 형성된다.
일실시예에서는, 제 1 고주파 전원(62)은, 펄스 신호(PS1)의 상승 타이밍으로부터 약간 지연되어 고주파 전력을 ON으로 하고, 또한 펄스 신호(PS1)의 상승 타이밍으로부터 약간 지연되어 고주파 전력을 OFF로 할 수 있다. 또한, 제 2 고주파 전원(64)도 마찬가지로, 펄스 신호(PS2)의 상승 타이밍으로부터 약간 지연되어 고주파 전력을 ON으로 하고, 또한 펄스 신호(PS2)의 상승 타이밍으로부터 약간 지연되어 고주파 전력을 OFF로 할 수 있다. 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)의 이러한 지연량은 공통의 지연량이며, 이들 전원에 설정될 수 있다.
또한 이하의 설명에서는, 제 1 고주파 전원(62)에 공급되는 펄스 신호(PS1)와 제 2 고주파 전원(64)에 공급되는 펄스 신호(PS2)는 동기하고 있는 것으로 한다. 즉, 이들 펄스 신호(PS1 및 PS2)의 위상은 일치되어 있다. 그러나 다른 실시예에서는, 펄스 신호(PS1)와 펄스 신호(PS2)의 사이에는 소정의 위상차가 설정되어 있어도 된다. 즉, 제 1 고주파 전원(62)이 제 1 고주파 전력을 출력하고 있는 기간 중의 일부 기간에서 제 2 고주파 전원(64)에 의해 제 2 고주파 전력이 출력되어도 된다. 또한 이 경우에는, 후술하는 펄스 신호(PS6)는 펄스 신호(PS2)와 동기하고 있어도 된다.
또한 펄스 제어부(PC)는, 제 1 고주파 전원(62)의 제 1 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환에, 정합 회로(66a)의 정합 동작이 동기하도록 당해 정합 회로(66a)를 제어한다. 또한 펄스 제어부(PC)는, 제 2 고주파 전원(64)의 제 2 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환에, 정합 회로(68a)의 정합 동작이 동기하도록 당해 정합 회로(68a)를 제어한다. 이 때문에, 펄스 제어부(PC)는 배선(L18, L20)을 개재하여 정합 회로(66a, 68a)에 각각 접속되어 있다. 펄스 제어부(PC)는, 배선(L18)을 개재하여 정합 회로(66a)에 펄스 신호(PS3)를 공급하고, 배선(L20)을 개재하여 정합 회로(68a)에 펄스 신호(PS4)를 공급한다. 펄스 신호(PS3)는 펄스 신호(PS1)에 동기하고, 펄스 신호(PS4)는 펄스 신호(PS2)에 동기할 수 있다.
또한 도 2에 도시한 바와 같이, 전원 시스템(PS)의 직류 전원(60)은 로우 패스 필터(70)를 개재하여 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 이 직류 전원(60)은 음의 직류 전압을 상부 전극(30)에 출력한다. 일실시예에서는, 이 직류 전원(60)은 배선(L22)을 개재하여 펄스 제어부(PC)에 접속되어 있고, 당해 배선(L22)을 거쳐 펄스 제어부(PC)로부터 펄스 신호(PS5)를 받는다. 이하, 도 2와 더불어 도 3을 참조하여, 직류 전원(60)에 대하여 더 설명한다. 도 3은 일실시예에 따른 직류 전원의 구성을 도시한 회로도이다. 도 3에 도시한 직류 전원(60)은 제 1 직류 전원부(72), 제 2 직류 전원부(74), 선택 회로(76), 방전 회로(78)를 구비하고 있다.
제 1 직류 전원부(72)는 선택 회로(76)에 전기적으로 접속되어 있고, 음의 직류 전압인 제 1 직류 전압을 발생한다. 제 1 직류 전압은 예를 들면 0 ~ -800 V의 사이로 설정된다. 일실시예에서는, 제 1 직류 전원부(72)와 선택 회로(76)의 사이에는, 제 1 직류 전압의 값을 안정시키기 위한 회로부(80)가 설치되어 있다. 이 회로부(80)는 콘덴서(80a, 80b) 및 저항 소자(80c)를 가지고 있다. 저항 소자(80c)의 일단은 제 1 직류 전원부(72)에 접속되어 있고, 당해 저항 소자(80c)의 타단은 선택 회로(76)에 접속되어 있다. 또한, 콘덴서(80a 및 80b)의 일단은 접지 전위에 접속되어 있고, 이들 콘덴서의 타단은, 제 1 직류 전원부(72)와 저항 소자(80c)의 사이의 노드에 접속되어 있다. 콘덴서(80a, 80b)는 예를 들면 1 μF의 용량을 가지고, 저항 소자(80c)는 예를 들면 50 Ω의 저항값을 가진다.
제 2 직류 전원부(74)는 선택 회로(76)에 전기적으로 접속되어 있고, 음의 직류 전압인 제 2 직류 전압을 발생한다. 제 2 직류 전압의 절대값은 제 1 직류 전압의 절대값보다 크다. 제 2 직류 전압은 예를 들면 -2000 V보다 낮은 전압으로서 설정될 수 있다. 제 2 직류 전원부(74)와 선택 회로(76)의 사이에는, 제 2 직류 전압의 값을 안정시키기 위한 회로부(82)가 설치되어 있다. 이 회로부(82)는 콘덴서(82a, 82b) 및 저항 소자(82c)를 가지고 있다. 저항 소자(82c)의 일단은 제 2 직류 전원부(74)에 접속되어 있고, 당해 저항 소자(82c)의 타단은 선택 회로(76)에 접속되어 있다. 또한, 콘덴서(82a 및 82b)의 일단은 접지 전위에 접속되어 있고, 이들 콘덴서의 타단은, 제 2 직류 전원부(74)와 저항 소자(82c)의 사이의 노드에 접속되어 있다. 콘덴서(82a, 82b)는 예를 들면 1 μF의 용량을 가지고, 저항 소자(82c)는 예를 들면 50 Ω의 저항값을 가진다.
선택 회로(76)는, 제 1 직류 전원부(72)와 제 2 직류 전원부(74)를 선택적으로 상부 전극(30)에 접속한다. 일실시예에서는, 선택 회로(76)는 두 개의 스위치 소자(76a 및 76b)를 가지고 있다. 스위치 소자(76a 및 76b)는 각각, 제 1 단자, 제 2 단자, 및 제어 단자를 가지고 있다. 스위치 소자(76b)의 제 1 단자는 제 1 직류 전원부(72)에 전기적으로 접속되어 있다. 스위치 소자(76a)의 제 1 단자는 제 2 직류 전원부(74)에 전기적으로 접속되어 있다. 스위치 소자(76a)의 제 2 단자 및 스위치 소자(76b)의 제 2 단자는 서로 전기적으로 접속되어 있고, 이들 출력 단자의 사이의 노드는 로우 패스 필터(70)를 개재하여 상부 전극(30)에 접속하고 있다. 또한 로우 패스 필터(70)는, 제 1 고주파 전원(62) 및 제 2 고주파 전원(64)으로부터의 고주파를 트랩하는 것이며, 예를 들면 LR 필터 또는 LC 필터로 구성될 수 있다.
스위치 소자(76a)의 제어 단자 및 스위치 소자(76b)의 제어 단자는 회로부(84)를 개재하여 펄스 제어부(PC)에 접속되어 있다. 회로부(84)는 스위치 소자(76a)에 접속된 반전 회로(84a), 및 스위치 소자(76b)에 접속된 비반전 회로(84b)를 포함하고 있다. 펄스 제어부(PC)로부터 출력되는 펄스 신호(PS5)는 회로부(84)의 반전 회로(84a) 및 비반전 회로(84b)에 공급된다. 반전 회로(84a)는 펄스 신호(PS5)의 반전 신호를 스위치 소자(76a)의 제어 단자에 공급한다. 한편, 비반전 회로(84b)는, 펄스 신호(PS5)의 비반전 신호를 스위치 소자(76b)의 제어 단자에 공급한다. 이에 의해, 선택 회로(76)는, 제 1 고주파 전원(62)이 제 1 고주파 전력을 출력하고 있는 기간에서, 제 1 직류 전원부(72)를 선택적으로 상부 전극(30)에 접속하고, 제 1 고주파 전원(62)이 제 1 고주파 전력의 출력을 정지하고 있는 기간에서, 제 2 직류 전원부(74)를 선택적으로 상부 전극(30)에 선택적으로 접속한다.
또한 일실시예에서는, 펄스 제어부(PC)로부터 직류 전원(60)에 공급되는 펄스 신호(PS5)는, 펄스 제어부(PC)로부터 고주파 전원(62 및 64)에 공급되는 펄스 신호(PS1 및 PS2)와 동기하고 있다. 다른 실시예에서는, 펄스 신호(PS5)와 펄스 신호(PS1)의 사이에는 소정의 위상차가 설정되어 있어도 된다. 즉, 제 1 고주파 전원(62)이 제 1 고주파 전력을 출력하고 있는 기간 중의 일부 기간에서 제 1 직류 전원부(72)가 선택적으로 상부 전극(30)에 접속되고, 제 1 고주파 전원(62)이 제 1 고주파 전력의 출력을 정지하고 있는 기간 중의 일부 기간에서, 제 2 직류 전원부(74)가 선택적으로 상부 전극(30)에 접속되도록, 펄스 신호(PS1)와 펄스 신호(PS5)의 사이에는 소정의 위상차가 설정되어 있어도 된다.
일실시예에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 직류 전원(60)은 방전 회로(78)를 더 구비하고 있다. 방전 회로(78)는, 제 1 직류 전원부(72)와 선택 회로(76)의 사이의 노드(N1)에 접속하고 있다. 이 노드(N1)는, 구체적으로 스위치 소자(76b)의 입력 단자와 회로부(80)의 사이에 설치되어 있다. 방전 회로(78)는, 상부 전극(30)에 접속하는 직류 전원부가, 제 2 직류 전원부(74)로부터 제 1 직류 전원부(72)로 전환될 시, 처리 용기(12) 내에 축적되어 있는 전하를 접지 전위에 대하여 방전한다. 일실시예에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 방전 회로(78)는 저항 소자(Rs)를 포함하고 있다. 이 저항 소자(Rs)의 일단은 접지 전위에 접속되어 있고, 그 타단은 노드(N1)에 접속된다. 저항 소자(Rs)는 예를 들면 50 ~ 100 kΩ의 저항값을 가지고, 예를 들면 200 Ω의 저항값을 가질 수 있다.
이와 같이, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 상부 전극(30)에 접속하는 직류 전원부가 제 2 직류 전원부(74)로부터 제 1 직류 전원부(72)로 전환될 때, 처리 용기(12) 내에 축적되어 있는 전자가, 방전 회로(78)를 통하여 급속히 방전된다. 이에 의해, 상부 전극(30)에 접속하는 직류 전원부가 제 2 직류 전원부(74)로부터 제 1 직류 전원부(72)로 전환될 시, 직류 전원(60)의 출력 전압은 제 1 직류 전압으로 급속히 제어된다. 따라서, 상부 전극(30)에 부여되는 절대값이 상이한 음의 직류 전압의 고주파의 전환에, 직류 전원(60)의 출력 전압을 추종시키는 것이 가능해진다. 또한 다른 실시예에서는, 방전 회로(78)는 정전류 회로여도 된다.
또한 도 3에 도시한 바와 같이, 일실시예에서는, 직류 전원(60)은 스위치 회로(86)를 더 구비할 수 있다. 이 스위치 회로(86)는 방전 회로(78)와 노드(N1)의 사이에 설치되어 있다. 스위치 회로(86)는 방전 회로(78)를 노드(N1)에 선택적으로 접속할 수 있다. 구체적으로, 제 1 직류 전원부(72)와 제 2 직류 전원부(74)를 교호로 상부 전극(30)에 접속할 경우에는, 스위치 회로(86)를 닫아, 방전 회로(78)를 노드(N1)에 접속할 수 있다. 한편, 제 1 직류 전원부(72) 및 제 2 직류 전원부(74) 중 일방만을 연속적으로 상부 전극(30)에 접속할 경우에는, 스위치 회로(86)를 열어, 노드(N1)로부터 방전 회로(78)를 분리할 수 있다.
이 플라즈마 처리 장치(10)를 이용하여 에칭을 행할 때에는, 정전 척(18) 상에 피처리 기체(W)가 재치된다. 피처리 기체(W)는 피에칭층과, 당해 에칭층 상에 설치된 레지스트 마스크를 가질 수 있다. 그리고, 배기 장치(50)에 의해 처리 용기(12) 내를 배기하면서, 가스원(40)으로부터의 처리 가스를 소정의 유량으로 처리 용기(12) 내로 공급하고, 처리 용기(12) 내의 압력을 예를 들면 0.1 ~ 50 Pa의 범위 내로 설정한다. 또한 처리 가스로서는, 예를 들면 C4F8 가스와 같은 플루오르카본계 가스(CxFy)로 대표되는 할로겐 원소를 함유하는 가스를 이용할 수 있다. 또한 처리 가스에는, Ar 가스 또는 O2 가스 등의 다른 가스가 포함되어 있어도 된다.
이어서, 펄스 신호(PS1)가 고레벨인 것에 따라, 도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 고주파 전원(62)이, 기간(A1)에서, 제 1 고주파 전력(도 4의 파형(G1)을 참조)을 하부 전극(16)에 공급한다. 또한, 펄스 신호(PS2)가 고레벨인 것에 따라, 제 2 고주파 전원(64)이, 기간(A1)에서 제 2 고주파 전력(도 4의 파형(G2)를 참조)을 하부 전극(16)에 공급한다. 또한 펄스 신호(PS5)가 고레벨인 것에 따라, 직류 전원(60)이, 제 1 직류 전압(V1)(도 4의 파형(G3)을 참조)을 상부 전극(30)에 공급한다. 이에 의해, 상부 전극(30)과 하부 전극(16)의 사이에 고주파 전계가 형성되고, 처리 공간(S)으로 공급된 처리 가스가 플라즈마화된다. 이 플라즈마로 생성되는 양이온 및 라디칼에 의해 피처리 기체(W)의 피에칭층이 에칭된다.
이어서, 펄스 신호(PS1)가 저레벨인 것에 따라, 제 1 고주파 전원(62)이, 기간(A2)에서 제 1 고주파 전력(도 4의 파형(G1)을 참조)의 공급을 정지한다. 또한, 펄스 신호(PS2)가 저레벨인 것에 따라, 제 2 고주파 전원(64)이, 기간(A2)에서 제 2 고주파 전력(도 4의 파형(G2)을 참조)의 공급을 정지한다. 또한 펄스 신호(PS5)가 저레벨인 것에 따라, 직류 전원(60)이, 제 2 직류 전압(V2)(도 4의 파형(G3)을 참조)을 상부 전극(30)에 공급한다. 이에 의해, 기간(A2)에서는, 피처리 기체(W) 상의 플라즈마 시스가 소멸 또는 감소한다. 이 상태에서, 처리 공간(S) 내의 양이온이 상부 전극(30)에 충돌함으로써 발생하는 2 차 전자가, 피처리 기체(W)를 향해 가속되고, 당해 피처리 기체(W)에 조사된다. 이에 의해, 피처리 기체(W)의 대전 상태가 중화되고, 또한 레지스트 마스크가 개질된다. 그 결과, 레지스트 마스크의 플라즈마 내성을 강화하고, 또한 에칭에 기여하는 이온의 직진성을 높여, 피에칭층의 선택성 및 피에칭층에 형성하는 홀의 수직성을 향상할 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조한다. 이 플라즈마 처리 장치(10)는 또한 프로브 장치(PA)를 더 구비하고 있다. 프로브 장치(PA)는 프로브 검출기(Pd1 및 Pd2), 처리부(PU)를 포함하고 있다. 프로브 검출기(Pd1 및 Pd2)는 하부 전극(16)과 고주파 전원(62 및 64)을 접속하는 급전 라인, 즉 본 실시예에서 급전봉(58)에서의 전기적 특성을 계측하여, 계측 신호를 출력한다. 이들, 프로브 검출기(Pd1 및 Pd2)는 예를 들면 통 형상 도전 부재(58b)에 장착될 수 있다. 일실시예에서는, 프로브 검출기(Pd1)는 급전봉(58)의 봉 형상 도전 부재(58a)를 흐르는 전류를 측정하는 전류 프로브 검출기이며, 프로브 검출기(Pd2)는 급전봉(58)의 봉 형상 도전 부재(58a)에서의 전압을 측정하는 전압 프로브 검출기일 수 있다. 이들 프로브 검출기(Pd1 및 Pd2)는 봉 형상 도전 부재(58a)에 직접적으로 접촉하여, 전류 또는 전압을 측정해도 되고, 혹은 봉 형상 도전 부재(58a)의 정전기적인 표면 전위를 정전 용량을 개재하여 비접촉으로 측정해도 된다. 또한, 프로브 검출기(Pd1 및 Pd2)는 급전봉(58)에서 진행파 전력 및 반사파 전력을 계측해도 되고, 혹은 프로브 장치(PA)는 진행파 전력 및 반사파 전력을 계측하는 다른 프로브 검출기를 더 가지고 있어도 된다.
프로브 검출기(Pd1 및 Pd2)는 처리부(PU)에 접속되어 있다. 일실시예에서는, 처리부(PU)는 샘플링부(90), 기억부(92) 및 해석부(94)를 가질 수 있다. 샘플링부(90)는 프로브 검출기(Pd1, Pd2)에 배선(L30, L32)을 개재하여 접속되어 있다. 샘플링부(90)는 검출기(Pd1, Pd2)로부터, 배선(L30, L32)을 거쳐 계측 신호를 받는다. 또한, 샘플링부(90)는 배선(L34)을 개재하여 펄스 제어부(PC)에 접속되어 있고, 당해 배선(L34)을 거쳐 펄스 제어부(PC)로부터 펄스 신호(PS6)를 받는다. 이 펄스 신호(PS6)는, 제 1 고주파 전력 또는 제 2 고주파 전력이 ON이 되는 기간에 제 1 레벨(예를 들면, 고레벨)이 되고, OFF가 되는 기간에 제 2 레벨(예를 들면, 저레벨)이 되는 펄스 신호이다. 일실시예에서는, 펄스 신호(PS6)는 펄스 신호(PS1)와 동기될 수 있다. 또한 샘플링부(90)는, 제어부(Cnt)에 배선(DL12)을 개재하여 접속되어 있어도 된다. 샘플링부(90)는 제어부(Cnt)가 펄스 제어부(PC)에 대하여 설정한 펄스 신호의 주파수 및 듀티비를 특정하는 정보(CS2)를 배선(DL12)을 거쳐 받을 수도 있다.
여기서 도 5 ~ 도 7에, 프로브 검출기의 계측 신호의 파형, 및 프로브 장치(PA)의 처리부(PU)에 공급되는 펄스 신호(PS6)의 파형을 예시한다. 도 5에는, 주파수 5 kHz 및 듀티비(온 듀티) 60 %의 펄스 신호(PS6)의 파형(PW)과, 당해 펄스 신호(PS6)에 동기한 펄스 신호(PS1 및 PS2)가 고주파 전원(62 및 64)에 각각 공급되었을 때의 계측 신호의 파형(RW)이 도시되어 있다. 도 6에는, 주파수 10 kHz 및 듀티비(온 듀티) 60 %의 펄스 신호(PS6)의 파형(PW)과, 당해 펄스 신호(PS6)에 동기한 펄스 신호(PS1 및 PS2)가 고주파 전원(62 및 64)에 각각 공급되었을 때의 계측 신호의 파형(RW)이 도시되어 있다. 또한 도 7에는, 주파수 40 kHz 및 듀티(온 듀티)비 60 %의 펄스 신호(PS6)의 파형(PW)과, 당해 펄스 신호(PS6)에 동기한 펄스 신호(PS1 및 PS2)가 고주파 전원(62 및 64)에 각각 공급되었을 때의 계측 신호의 파형(RW)이 도시되어 있다. 또한 도 5 ~ 도 7의 각 도에서는, 파형(RW)에 대해서는 그 포락선이, 파형(PW)에 대해서는 그 선도가 그려져 있다.
도 5 ~ 도 7에 도시한 바와 같이, 급전봉(58)에서의 전기적 특성은, 펄스 신호(PS1 및 PS2)에 따라 변동하기 때문에, 프로브 검출기에 의해 계측되는 계측 신호(파형(RW)을 참조)도 변동한다. 또한 도 5 ~ 도 7에 도시한 바와 같이, 급전봉(58)에서의 전기적 특성, 즉 프로브 검출기에 의해 계측되는 계측 신호의 레벨은, 펄스 신호(PS1 및 PS2)의 상승 타이밍 후에 증가하여, 당해 상승 타이밍으로부터 지연되어, 어느 레벨에 도달한다. 따라서, 일정한 샘플링 간격으로 연속적으로 계측 신호를 샘플링함으로써 얻어지는 샘플값은 크게 변동한다. 이와 같이 크게 변동하는 샘플값을 검출값으로서 이용해도, 당해 검출값으로부터는, 플라즈마 처리 장치(10)의 적절한 전기적 파라미터를 구할 수는 없다.
따라서 플라즈마 처리 장치(10)의 처리부(PU)에서는, 이하에 설명한 바와 같이 검출값을 취득한다. 여기서, 도 8a 및 도 8b를 참조한다. 도 8a 및 도 8b는 일실시예에서의 검출값의 취득 방법을 설명하기 위한 도이다. 도 8a는, 주파수 40 kHz 및 듀티비 60 %의 펄스 신호(PS1)에 동기한 펄스 신호(PS6)와 당해 펄스 신호(PS1) 및 펄스 신호(PS2)가 고주파 전원(62 및 64)에 공급된 경우의 프로브 검출기의 계측 신호(MS)를 나타내고 있다. 도 8b는, 주파수 5 kHz 및 듀티비 60 %의 펄스 신호(PS1)에 동기한 펄스 신호(PS6)와 당해 펄스 신호(PS1) 및 펄스 신호(PS2)가 고주파 전원(62 및 64)에 공급된 경우의 프로브 검출기의 계측 신호(MS)를 나타내고 있다.
처리부(PU)의 샘플링부(90)에는, 상술한 바와 같이 펄스 신호(PS1)에 동기한 펄스 신호(PS6)가 입력된다. 샘플링부(90)는, 도 8a 및 도 8b에 나타낸 바와 같이, 입력되는 펄스 신호(PS6)의 상승 타이밍(Le)으로부터 소정의 마스크 기간(MP)의 경과 후에 계측 신호(MS)의 샘플링을 개시하고, 샘플링을 당해 펄스 신호의 하락 타이밍(Te)까지 계속한다. 이 소정의 마스크 기간(MP)은 샘플링부(90)가 보지하는 소정의 파라미터여도 되고, 혹은 제어부(Cnt)에 의해 샘플링부(90)에 설정되어도 된다. 또한, 샘플링부(90)가 하나의 샘플값(Si)을 얻기 위한 기간, 즉 샘플링 기간(SD) 및 인접하는 샘플링 기간의 간격, 즉 샘플링 간격(SI)도, 샘플링부(90)가 보지하는 소정의 파라미터여도 되고, 혹은 제어부(Cnt)에 의해 샘플링부(90)에 설정되어도 된다. 또한 본 실시예에서는, 샘플링 간격(SI)은 샘플링 기간(SD)과 동일 시간 길이의 간격이다.
샘플링부(90)는, 이와 같이 하여 하나의 펄스의 동안에 얻은 샘플값을 기억부(92)에 저장할 수 있다. 샘플링부(90)는, 하나의 펄스에 대하여 얻어져 기억부(92)에 저장된 샘플값(Si) 중, 당해 펄스 신호의 하락 타이밍(Te)에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링으로 얻어지는 샘플값을 검출값으로서 채용한다. 이에 의해, 샘플링부(90)는, 상승 타이밍(Le) 후에, 어느 레벨에 도달한 계측 신호의 샘플링값을 검출값으로서 채용할 수 있다. 따라서, 샘플링부(90)는 계측 신호의 샘플링의 타이밍에 의존하는 검출값의 변동을 저감하는 것이 가능하다.
또한 일실시예에서는, 샘플링부(90)는, 하나의 펄스의 동안에 얻어지는 샘플값 중, 펄스 신호(PS1)의 주파수, 즉 전환 주파수에 따른 개수의 샘플값을 검출값으로서 채용할 수 있다. 이 때문에, 상술한 바와 같이, 제어부(Cnt)는 펄스 제어부(PC)에 대하여 설정한 펄스 신호(PS1)의 주파수 및 듀티비를 특정하는 정보(CS2)를, 배선(DL12)을 거쳐 받는다. 그리고, 샘플링부(90)는 정보(CS2)에 기초하여 특정되는 주파수 및 듀티비에 따른 샘플값의 개수를 구한다.
이 때문에, 일실시예에서는, 기억부(92)에 도 9에 나타낸 테이블(TB)이 기억되어 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 테이블(TB)에는, 펄스 신호의 주파수와 듀티비에 대응되어, 검출값으로서 채용하는 샘플값의 개수가 등록되어 있다. 일실시예에서는, 테이블(TB)에 등록되어 있는 샘플값의 채용 개수는, 일정한 기간의 경과 후에 얻어지는 검출값의 개수가 펄스 신호(PS1)의 주파수 및 듀티비에 관계없이 동수가 되도록 설정되어 있다.
이러한 테이블(TB)을 참조함으로써, 샘플링부(90)는 정보(CS2)에 기초하여 특정되는 주파수 및 듀티비에 따른 채용 개수를 특정한다. 그리고, 샘플링부(90)는 하나의 펄스의 동안에 얻어지는 샘플값 중, 펄스 신호의 하락 타이밍(Te)에 대하여 최종의 1 이상의 샘플값이며, 특정된 채용 개수의 샘플값을 검출값으로서 채용한다.
보다 상세한 예를 설명하면, 샘플링부(90)는 펄스 신호(PS1)의 주파수가 40 kHz이며, 그 듀티비(온 듀티)가 60 %인 경우에는, 테이블(TB)을 참조함으로써, 검출값으로서 채용하는 샘플값의 개수가 '1'인 것을 특정한다(도 9 참조). 또한, 펄스 신호(PS1)의 주파수가 40 kHz이며, 그 듀티비가 60 %인 경우에는, 하나의 펄스가 제 1 레벨(예를 들면, 고레벨)에 있는 기간은 15 μsec이다. 이 경우에, 마스크 기간(MP)을 10 μsec로 하고, 샘플링 기간(SD)(즉, 샘플링 간격(SI))을 5 μsec로 하면, 펄스 신호(PS1)에 동기한 펄스 신호(PS6)의 하나의 펄스의 동안에 얻어지는 샘플값은, 도 8a에 나타낸 바와 같이 샘플값(S1)만이 된다. 이 경우에는, 샘플링부(90)는 샘플값(S1), 즉 최종의 하나의 샘플값(Sn)을 검출값으로서 채용한다.
또한, 샘플링부(90)는 펄스 신호(PS1)의 주파수가 5 kHz이며, 그 듀티(온 듀티)비가 60 %인 경우에는, 테이블(TB)을 참조함으로써, 검출값으로서 채용하는 샘플값의 개수가 '8'인 것을 특정한다. 또한, 펄스 신호(PS1)의 주파수가 5 kHz이며, 그 듀티비가 60 %인 경우에는, 하나의 펄스가 고레벨에 있는 기간은 120 μsec이다. 이 경우에, 마스크 기간(MP)을 10 μsec로 하고, 샘플링 기간(SD)(즉, 샘플링 간격(SI))을 5 μsec로 하면, 펄스 신호(PS1)에 동기한 펄스 신호(PS6)의 하나의 펄스의 동안에 얻어지는 샘플값은, 도 8b에 나타낸 바와 같이 22 개의 샘플값(S1 ~ Sn)이 된다. 이 경우에는, 샘플링부(90)는 샘플값(S1 ~ Sn) 중 최종의 8 개의 샘플값(Sn ~ Sn -7)을 검출값으로서 채용한다.
도 9에 나타낸 테이블에 등록되어 있는 채용 개수는, 일정한 기간의 경과 후에 얻어지는 검출값의 개수가, 펄스 신호(PS1)의 주파수 및 듀티비에 관계없이 동수가 되도록 설정되어 있다. 예를 들면, 펄스 신호(PS1)의 주파수가 40 kHz이며, 그 듀티비(온 듀티)가 60 %인 경우에는, 25 μsec의 일주기의 동안에 하나의 검출값이 얻어지고, 일정한 기간, 즉 25.6 msec의 동안에 1024 개의 검출값이 얻어진다. 또한, 펄스 신호(PS1)의 주파수가 5 kHz이며, 그 듀티비(온 듀티)가 60 %인 경우에는, 200 μsec의 일주기의 동안에 8 개의 검출값이 얻어지고, 일정한 기간, 즉 25.6 msec의 동안에 1024 개의 검출값이 얻어진다. 이와 같이 검출값으로서 채용하는 샘플값의 채용 개수를 설정해 둠으로써, 펄스 신호(PS1)의 주파수 및 듀티비에 관계없이 일정한 기간에 동수의 검출값을 얻을 수 있다.
일실시예에서는, 처리부(PU)의 해석부(94)는 샘플링부(90)에 의해 출력되는 검출값을 취득한다. 해석부(94)는 취득한 검출값에 소정의 해석 처리를 실시함으로써, 플라즈마 처리 장치(10)의 전기적 파라미터를 산출한다. 전기적 파라미터로서는, 제 1 고주파 전력의 주파수 및 제 2 고주파 전력의 주파수의 각각에 대한 전압, 전류, 전력 및 부하 임피던스가 예시된다. 이러한 전기적 파라미터를 구하기 위하여, 해석부(94)는 취득한 검출값에 대하여 FFT(고속 푸리에 변환)를 적용할 수 있다. 이와 같이, 해석부(94)가 산출하는 전기적 파라미터는, 어느 개수의 검출값에 기초하고 있고, 또한 상술한 바와 같이, 샘플링부(90)는 일정한 기간에 동수의 검출값을 출력할 수 있다. 따라서, 해석부(94)는 펄스 신호(PS1)의 주파수 및 듀티비에 관계없이 일정한 갱신 속도로 전기적 파라미터를 산출할 수 있다.
일실시예에서는, 해석부(94)는 이와 같이 하여 얻은 전기적 파라미터를, 배선(DL14)을 거쳐 제어부(Cnt)에 보낼 수 있다. 전기적 파라미터가 송신되면, 제어부(Cnt)는 배선(DL16, DL18, DL20, DL22)을 거쳐 제 1 고주파 전원(62), 제 2 고주파 전원(64), 정합 회로(66a), 정합 회로(68a)에 각각, 제어 신호를 송출한다. 제어부(Cnt)는, 이와 같이 제어 신호를 송출함으로써, 제 1 고주파 전력의 전력값, 제 2 고주파 전력의 전력값 및 정합기(MU)의 정합 회로(66a 및 68b)의 용량성 리액턴스 성분의 크기를 제어할 수 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치(10)에서의 플라즈마의 최적화와 안정화가 도모된다.
이상, 다양한 실시예에 대하여 설명했지만, 이들 실시예에 한정되지 않고 다양한 변형 태양을 구성 가능하다. 예를 들면, 도 2에 도시한 실시예에서는, 샘플링부(90)가, 제어부(Cnt)로부터 보내지는 정보(CS)에 기초하여, 주파수 및 듀티비를 특정하여 샘플값의 채용 개수를 특정하고 있지만, 해석부(94)가 펄스 신호(PS6)를 해석함으로써 펄스 신호(PS6)의 주파수 및 듀티비를 구하고, 당해 주파수 및 듀티비에 기초하여 샘플값의 채용 개수를 특정해도 된다.
또한 상술한 실시예에서는, 하부 전극(16)에 두 개의 고주파 전원이 접속되어 있지만, 하부 전극(16)과 상부 전극(30) 중 일방에 제 1 고주파 전원이 접속되고, 타방에 제 2 고주파 전원이 접속되어 있어도 된다. 또한, 직류 전원(60)은 단일의 직류 전원부만을 구비하고, 당해 단일의 직류 전원부의 ON과 OFF를 펄스 신호(PS5)에 기초하여 제어해도 된다.
또한 상술한 실시예에서는, 두 개의 고주파 전원(62 및 64)의 고주파 전력의 ON 및 OFF가 전환되고 있지만, 다른 실시예에서는, 이들 두 개의 고주파 전원 중 어느 일방의 고주파 전력의 ON 및 OFF가 전환되어도 된다. 당해 다른 실시예의 일례를 도 10에 도시한다. 도 10은 다른 실시예에 따른 전원 시스템의 구성을 도시한 도이다. 도 10에 도시한 플라즈마 처리 장치(10A)는 펄스 제어부(PC)를 구비하고 있지 않고, 제 1 고주파 전원(62A)에 펄스 발생부(62p)가 설치되어 있다.
펄스 발생부(62p)는 제어부(Cnt)로부터 배선(DL10)을 거쳐 공급되는 제어 신호(CS1)에 따른 전환 주파수 및 듀티비로, 제 1 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환한다. 이 실시예에서는, 제 2 고주파 전원(64A)은 상시 고주파 전력을 출력하고, 또한 직류 전원(60A)으로부터는 일정한 직류 전압이 상시 상부 전극(30)에 부여된다. 또한, 펄스 발생부(62p)는 제어 신호(CS1)에 따른 전환 주파수 및 듀티비를 가지는 펄스 신호(PS3)를 발생하여, 당해 펄스 신호(PS3)를 배선(L18)을 거쳐 정합 회로(66a)에 공급한다. 또한 펄스 발생부(62p)는, 제어 신호(CS1)에 따른 전환 주파수 및 듀티비를 가지는 펄스 신호(PS6)를 발생하여, 당해 펄스 신호(PS6)를 배선(L62)을 거쳐 샘플링부(90)에 공급할 수 있다. 샘플링부(90)는 펄스 신호(PS6)에 기초하여, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)와 마찬가지로 검출값을 취득할 수 있다.
또한 다른 예에서는, 제 1 고주파 전원(62A)은 상시 고주파 전력을 출력하고, 제 2 고주파 전원(64A)이 펄스 발생부(62p)와 동일한 펄스 발생부를 가지고, 제 2 고주파 전원(64A)의 고주파 전력의 ON과 OFF가 전환되어도 된다. 이 다른 예에서는, 제 2 고주파 전원(64A)의 펄스 발생부로부터, 펄스 신호(PS4)가 정합 회로(68a)에 공급되고, 펄스 신호(PS6)가 샘플링부(90)에 부여된다.
10 : 플라즈마 처리 장치
12 : 처리 용기
16 : 기대(하부 전극)
18 : 정전 척
30 : 상부 전극
40 : 가스원
58 : 급전봉(급전 라인)
PS : 전원 시스템
60 : 직류 전원
62 : 제 1 고주파 전원
64 : 제 2 고주파 전원
MU : 정합기
66a : 정합 회로
68a : 정합 회로
PA : 프로브 장치
Pd1, Pd2 : 프로브 검출기
PU : 처리부
90 : 샘플링부
92 : 기억부
94 : 해석부
Cnt : 제어부
PC : 펄스 제어부
W : 피처리 기체

Claims (7)

  1. 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 처리 용기 내에 설치된 상부 전극과,
    상기 처리 용기 내에서 상기 상부 전극과 대향 배치된 하부 전극을 가지는 재치대와,
    고주파 전력을 발생하는 고주파 전원이며, 상기 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하는 상기 고주파 전원과,
    상기 고주파 전원과 상기 상부 전극 또는 하부 전극 중 일방의 전극의 사이에 설치된 정합 회로와,
    상기 정합 회로와 상기 일방의 전극의 사이에 설치된 급전 라인과,
    상기 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하는 프로브 검출기, 및 상기 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성하는 처리부를 가지는 프로브 장치를 구비하고,
    상기 처리부는, 상기 고주파 전력이 ON의 기간에 제 1 레벨을 취하고 상기 고주파 전력이 OFF의 동안에 제 2 레벨을 취하는 펄스 신호를 받아, 상기 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 상기 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 상기 1 이상의 샘플값 중 상기 하락 타이밍 전에 수행된 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값으로부터 검출값을 채용하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환 주파수에 기초하여, 주파수에 따라 미리 정해진 채용하는 샘플값의 개수를 구하고, 구한 상기 개수의 샘플값을 상기 검출값으로서 채용하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 프로브 장치의 상기 처리부에 상기 펄스 신호를 공급하고, 상기 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하기 위한 펄스 신호를 상기 고주파 전원에 공급하는 펄스 제어부를 더 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 고주파 전력의 주파수와는 상이한 주파수를 가지고, 상기 고주파 전력이 ON의 기간에 ON이 되고 상기 고주파 전력이 OFF의 동안에 OFF가 되는 다른 고주파 전력을 발생하는 다른 고주파 전원과,
    상기 다른 고주파 전원과 상기 급전 라인과의 사이에 설치된 다른 정합 회로를 더 구비하고,
    상기 펄스 제어부는, 상기 다른 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하기 위한 펄스 신호를 상기 다른 고주파 전원에 공급하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고주파 전원은, 상기 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부를 가지는 플라즈마 처리 장치.
  6. 급전 라인을 거쳐 상부 전극 및 하부 전극의 일방에 공급하는 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환 가능한 플라즈마 처리 장치의 상기 급전 라인에서의 전기적 특성의 검출값을 생성하는 프로브 장치로서,
    상기 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하는 프로브 검출기와,
    상기 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성하는 처리부를 구비하고,
    상기 처리부는, 상기 고주파 전력이 ON의 기간에 제 1 레벨을 취하고 상기 고주파 전력이 OFF의 동안에 제 2 레벨을 취하는 펄스 신호를 받아, 상기 펄스 신호의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스 신호의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 상기 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 상기 1 이상의 샘플값 중 상기 하락 타이밍 전에 수행된 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값으로부터 검출값을 채용하는 프로브 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환 주파수에 기초하여, 주파수에 따라 미리 정해진 채용하는 샘플값의 개수를 구하고, 구한 상기 개수의 샘플값을 상기 검출값으로서 채용하는 프로브 장치.

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