KR102066484B1 - 바이폴라 이온교환시트 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 바이폴라 이온교환시트 및 바이폴라 이온교환시트의 제조방법에 대한 것이다. 구체적으로 촉매층(100) 일면에 형성되는 음이온교환시트(200);, 상기 촉매층 타면에 형성되는 양이온교환시트(300);, 상기 음이온교환시트와 접촉되는 제1스페이서(400);, 상기 양이온교환시트와 접촉되는 제2스페이서(500);를 포함한다.
Description
본 발명은 바이폴라 이온교환시트 및 바이폴라 이온교환시트의 제조방법에 대한 것이다.
특허발명 001은 음이온교환막의 제조방법 및 이로부터 제조된 음이온교환막에 관한 기술을 제시하고 있다. 구체적으로 교환막의 제조방법은 폴리 비닐 알코올매트릭스내에서 음이온교환관능기를 가지는 모노머와이드록시틸메타크릴레이트를 공중합 시킴으로써, 불활성 분위기가 아닌 일반작업 환경조건에서 이온교환막을 제조하는 기술에 대하여 제시하며, 교환막에 음이온관능기를 부여하기 위한 염화메틸화와 아민화반응을 생략할 수 있는 기술을 제시하고 있다.
특허발명 002는 (a) 제1 세공 이온교환막을 제조하는 단계, (b) 상기 제1 세공 이온교환막의 일면에 촉매층을 형성하는 단계, (c) 상기 촉매층의 상부면에 제2 세공 이온교환막을 형성하여 바이폴라막을 제조하는 단계, (d) 바이폴라막의 양면에 극성이 서로 같은 이온교환수지용액을 도포하거나 시트형태로 부착하여 이온교환수지층을 형성하는 단계, 및 (e) 압축하는 단계를 포함하는 바이폴라 이온교환시트의 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조되는 바이폴라 이온교환시트를 제시하고 있다.
특허발명 003은 (a) 바이폴라막의 일면에 접합면과 동일한 극성을 갖는 선택성 흡착제용액을 도포하거나 시트형태로 부착하여 특정 이온흡착층을 형성하는 단계, (b) 상기 특정 이온흡착층과 대응하는 바이폴라막의 이면에 접합면과 동일한 극성을 갖는 이온교환수지용액을 도포하거나 시트형태로 부착하여 이온교환수지층을 형성하는 단계, 및 (c) 압축하는 단계를 포함하는 유가자원회수용 바이폴라 이온교환시트의 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조되는 유가자원회수용 바이폴라 이온교환시트에 대하여 제시하고 있다.
특허발명 004는 a) 부직포일면 또는 양면을 모소처리(singeing) 하는단계; b) 상기 모소처리한 부직포에 전자선을 조사함과 동시에 롤투롤방식으로 세퍼레이터와 함께 권취하는 단계; c) 권취된 롤을 반응기에 도입하고 제1 반응용액을 공급하여 그라프팅중합을 진행하는 단계; d) 상기 제1 반응용액을 제거하고 용매를 공급하여 잔류단량체를 제거하는 단계; e) 반응기에서 용매를 제거한 후 제2 반응용액을 공급하여 관능기를 도입하는 단계; 및 f) 제2 반응용액을 제거하고, 세정 및 건조하는 단계;를 포함하는 부직포형 이온교환섬유제조방법에 대하여 제시하고 있다.
본 발명은 바이폴라 이온교환시트 및 바이폴라 이온교환시트의 제조방법에 대한 것이다. 특히 이온교환시트를 제조하는 과정에서 이온교환막과 유로층을 동시에 형성하는 기술을 특징으로 한다.
본 발명은 바이폴라 이온교환시트에 대한 것으로서, 구체적으로 촉매층(100) 일면에 형성되는 음이온교환시트(200);, 상기 촉매층 타면에 형성되는 양이온교환시트(300);, 상기 음이온교환시트와 접촉되는 제1스페이서(400);, 상기 양이온교환시트와 접촉되는 제2스페이서(500);로 형성된다.
본 발명은 바이폴라 이온교환시트는 앞에서 제시된 촉매층, 음이온교환시트, 양이온교환시트, 제1스페이서, 제2스페이서로 구성되며, 추가적으로 상기 음이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제1다공성층(210);, 상기 음이온교환시트 타면에 형성되는 음이온멤브레인(220);, 상기 양이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제2다공성층(310);, 상기 양이온교환시트 타면에 형성되는 양이온멤브레인(320);, 상기 음이온멤브레인(220)과 양이온멤브레인(320)이 촉매층양측면에 접촉되는 것;을 부가한다.
본 발명은 바이폴라 이온교환시트는 앞에서 제시된 촉매층, 음이온교환시트, 양이온교환시트, 제1스페이서, 제2스페이서로 구성되며, 추가적으로 상기 제1스페이서(400) 및 제2스페이서(500)를 형성하는 메시망(410, 510);을 부가한다.
본 발명은 바이폴라 이온교환시트 제조방법에 대한 방법발명으로서, 이형필름 일면에 음이온교환시트를 형성하는 제1시트층 형성단계(S100);, 상기 제1시트층 형성단계 후, 음이온교환시트로부터 이형필름을 분리하는 분리단계(S200);, 상기 분리단계 후, 분리면에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성단계(S300);, 상기 촉매층에 양이온교환시트를 형성하는 제2시트층 형성단계(S400);의 시계열적 단계로 형성된다.
바이폴라 이온교환시트 제조방법은 제1스페이서 일측에 음이온멤브레인층을 형성하는 음이온층 형성단계(S10);, 제2스페이서 일측에 양이온멤브레인층을 형성하는 양이온층 형성단계(S20);, 상기 음이온층일측 및 양이온층일측 사이에 촉매층을 삽입하여 부착하는 결합단계(S30);의 시계열적 단계로 형성된다.
본 발명은 케미컬을 사용하지 않고 전기적인 방법으로 이온을 흡착 및 탈착 할 수 있는 바이폴라 이온교환시트를 제조할 수 있다.
본 발명의 이온교환시트는 이온교환용량을 높이며, 전기저항을 낮추며, 기계적 강성을 확보할 수 있다.
본 발명은 바인더를 사용하지 않아도되며 이온교환용액에 의해 막을 형성하므로 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 단면형상.
도 2는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 단면형상.
도 3은 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
도 4는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
도 5는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
도 2는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 단면형상.
도 3은 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
도 4는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
도 5는 본 발명의 바이폴라 이온교환시트의 제조공정 순서도.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다.
[실시예 1-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 촉매층(100) 일면에 형성되는 음이온교환시트(200);, 상기 촉매층 타면에 형성되는 양이온교환시트(300);, 상기 음이온교환시트와 접촉되는 제1스페이서(400);, 상기 양이온교환시트와 접촉되는 제2스페이서(500);로 형성된다.
본 발명은 물분자를 전기분해하여 수소이온(H+) 및 수산이온(OH-)을 형성하며, 상기 수소이온 및 수산이온은 바이폴라 이온교환시트의 음극 및 양극으로 이동하여 산/염기를 제조 한다. 제1스페이서 및 제2스페이서는 음이온교환시트 및 양이온교환시트에 수용되며, 이온교환시트 외부로 도출된 스페이서는 유로를 형성한다.
[실시예 1-2] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-1에 있어서, 상기 음이온교환시트는 음이온교환수지분말, 음이온교환용액 및 첨가제의 혼합으로 형성되며, 또한, 상기 양이온교환시트는 양이온교환수지분말, 양이온교환용액 및 첨가제의 혼합으로 형성된다.
상기 음이온교환용액은 음이온고분자전해질을 용해할 수 있는 용매에 녹여 생성하며, 상기 양이온교환용액은 양이온고분자전해질을 용해할 수 있는 용매에 녹여 생성한다. 용매는 극성용매, 양쪽성용매, 비극성용매로 음이온전해질과 양이온전해질을 용해할 수 있는 것이면 제한되지 않고 사용할 수 있다.
구체적인 실시예로서, 상기 음이온교환용액은 음이온고분자전해질을 NMP(n-Methyl pyrrolidone)용매에 녹여 생성하며, 상기 양이온교환용액은 양이온고분자전해질을 DMAC(Dimethylacetamide)용매에 녹여 생성한다.
첨가제는 다공성을 갖고 있는 실리카, 활성탄소을 사용하거나 또는 물에 용해되어 기공을 형성할 수 있는 솔트(salt)를 사용할 수 있다. 상기 첨가제는 물과 결합되어 용출되는 효과를 발휘하는 대상으로 치환되어 사용될 수 있다.
[실시예 1-3] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-1에 있어서, 상기 촉매층은 물분해 촉매로 형성된다.
[실시예 1-4] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-3에 있어서, 상기 음이온교환시트 일면에 촉매층을 코팅한 후, 상기 음이온교환시트 대향면에 양이온교환시트를 형성한다.
상기 촉매 코팅층은 음이온교환시트 일면에 먼저 형성된 후, 촉매 코팅층 타면에 양이온교환시트를 형성한다. 상기 촉매층은 금속수산화물 나노입자를 용매에 분산시켜 촉매 슬러리를 제조한 후, 음이온교환시트 일면에 상기 촉매 슬러리를 캐스팅하며, 캐스팅된 슬러리를 건조시켜, 촉매 코팅층을 형성한다.
[실시예 1-5] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-2에 있어서, 상기 음이온교환수지분말 및 양이온교환수지분말의 평균입경은 1 내지 500μm로 형성된다.
상기 음이온교환용액 및 양이온교환액은 혼합물 함량이 5 내지 70 중량%를 형성되며, 상기 음이온교환수지 및 양이온교환수지는 혼합물 함량의 30 내지 95중량%를 형성한다. 상기 양이온교환시트 및 음이온교환시트 두께는 각각 50 내지 1,0000μm이며, 바람직하게는 150 내지 500μm를 형성한다.
[실시예 2-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-1에 있어서, 상기 음이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제1다공성층(210);, 상기 음이온교환시트 타면에 형성되는 음이온멤브레인(220);, 상기 양이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제2다공성층(310);, 상기 양이온교환시트 타면에 형성되는 양이온멤브레인(320);, 상기 음이온멤브레인(220)과 양이온멤브레인(320)이 촉매층양측면에 접촉되는 것;을 포함한다.
[실시예 2-2] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 2-1에 있어서, 상기 음이온멤브레인 및 양이온멤브레인의 두께는 2 내지 100μm로 형성되는 것을 포함한다.
이온교환시트 제조를 위해, 이온교환수지분말 및 이온교환용액을 혼합하여 슬러리를 형성하며, 상기 슬러리를 건조시키면 솔벤트 증발에 의한 기공을 형성하며, 상기 기공은 이온교환시트 내부에 위치되어 다공성 이온교환시트를 형성한다. 상기 이온교환수지분말은 이온교환용액에 용해되지 않는다. 또한 슬러리 내부의 이온교환용액은 중력에 의해 하부층에 모아지며, 하부층에 모아진 이온교환용액은 이온교환멤브레인을 형성한다.
또한 음이온교환용액과 양이온교환용액에 가교제(Crosslinking agent)를 첨가하거나 가교가 가능할 수 있도록 음/양이온 고분자 전해질을 개질(Modification)하여 사용할 수 있으며, 열(Thermal) 및 광(UV, 방사선)가교 방법으로 가교된 이온교환멤브레인을 형성한다.
[실시예 3-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 1-1에 있어서, 상기 제1스페이서(400) 및 제2스페이서(500)를 형성하는 메시망(410, 510);을 포함한다.
[실시예 3-2] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 3-1에 있어서, 상기 메시망은 직포 또는 부직포로 치환될 수 있다.
상기 스페이서는 이온교환시트의 강성확보 및 유로형성을 위한 것이다. 상기 메시망은 균일한 크기의 메시로 형성된다. 상기 메시망은 바이폴라 이온교환시트의 일정한 강성을 가지며, 내부에 유로공간을 형성하는 목적으로 사용된다. 상기 메시망은 직포 또는 부직포를 사용할 수 있으며, 이와 동일한 형상조건의 구성이 치환될 수 있다.
[실시예 3-3] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트는 실시예 3-1에 있어서, 상기 제1스페이서가 상기 음이온교환시트 일면에 부분 돌출되는 것을 포함하며, 상기 제2스페이서가 상기 양이온교환시트 일면에 부분 돌출되는 것을 포함한다.
상기 스페이서가 슬러리 일면에 교합된 후, 이온교환용액 건조에 의해, 슬러리 두께가 얇아지면, 스페이서 일부는 외부로 도출된다. 따라서, 돌출된 스페이서는 유로를 형성하게 되며, 슬러리는 고화되어 이온교환시트를 형성한다.
다른 실시예로서, 슬러리의 고화과정 중, 스페이서 일부가 슬러리 일부에 안착되며, 스페이서 일부분은 슬러리 내부에 부분 수용된다. 이후, 슬러리가 완전 고화되면, 이온교환시트 내부에 스페이서가 부분수용되는 이온교환시트를 제조할 수 있다.
다른 실시예로서, 스페이서 전체가 슬러리와 교합되며, 슬러리 일부가 건조되어 두께가 얇아지면, 스페이서 일부가 외부로 돌출된다. 슬러리는 고화되어 이온교환시트를 형성한다. 이온교환시트 내부에 수용된 스페이서는 시트의 강성을 유지하며, 이온교환시트 외부로 돌출된 스페이서는 유로를 형성한다.
[실시예 4-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 제조방법은 이형필름 일면에 음이온교환시트를 형성하는 제1시트층 형성단계(S100);, 상기 제1시트층 형성단계 후, 음이온교환시트로부터 이형필름을 분리하는 분리단계(S200);, 상기 분리단계 후, 분리면에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성단계(S300);, 상기 촉매층에 양이온교환시트를 형성하는 제2시트층 형성단계(S400);를 포함하는 시계열적 단계로 이루어진다.
[실시예 5-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 제조방법은 이형필름 일면에 양이온교환시트를 형성하는 제1시트층 형성단계(S100);, 상기 제1시트층 형성단계 후, 양이온교환시트로부터 이형필름을 분리하는 분리단계(S200);, 상기 분리단계 후, 분리면에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성단계(S300);, 상기 촉매층에 음이온교환시트를 형성하는 제2시트층 형성단계(S400);를 한다.
[실시예 5-2] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 4-1 및 실시예 5-1에 있어서, 상기 제1시트층 형성단계는 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제1슬러리를 이형필름 일면에 캐스팅하는 제1캐스팅단계(S110)를 포함하거나 또는 상기 제2시트층 형성단계는 양이온교환수지분말 및 양이온교환용액으로 제조된 제2슬러리를 촉매층 일면에 캐스팅하는 제2캐스팅단계(S410)를 포함한다.
[실시예 5-3] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 4-1 및 실시예 5-1에 있어서, 상기 제1시트층 형성단계는 양이온교환수지분말 및 양이온교환용액으로 제조된 제1슬러리를 이형필름 일면에 캐스팅하는 제1캐스팅단계(S110)를 포함하거나 또는 상기 제2시트층 형성단계는 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제2슬러리를 촉매층 일면에 캐스팅하는 제2캐스팅단계(S410)를 포함한다.
[실시예 5-4] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 5-2 및 실시예 5-3에 있어서, 상기 제1캐스팅단계의 이온교환용액은 용매에 고분자전해질을 용해하는 제1용해단계(S111)를 포함하거나 또는 상기 제2캐스팅단계의 이온교환용액은 용매에 고분자전해질을 용해하는 제2용해단계(S411)를 포함한다.
[실시예 5-5] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 5-2 또는 실시예 5-3에 있어서, 상기 제1캐스팅단계 후, 제1슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제1부착단계(S120);, 상기 제1부착단계 후, 제1슬러리를 건조하는 제1건조단계(S130);를 포함하거나 또는 상기 제2캐스팅단계 후, 제2슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제2부착단계(S420);, 상기 제2부착단계 후, 제2슬러리를 건조하는 제2건조단계(S430);를 포함한다.
[실시예 5-6] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 4-1 및 실시예 5-1에 있어서, 상기 제2시트층 형성단계 후, 제1시트층 및 제2시트층을 압착하는 압착단계(S510);를 포함한다.
[실시예 5-7] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 5-6에 있어서, 상기 압착단계 중, 열을 부여하는 가열단계(S520);를 포함한다.
[실시예 5-8] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 4-1 및 실시예 5-1에 있어서, 상기 촉매층 형성단계는 금속수산화물 나노입자를 용매에 분산시켜 촉매슬러리를 생성하는 촉매슬러리생성단계(S310);, 상기 촉매슬러리를 음이온교환시트에 캐스팅하는 촉매캐스팅단계(S320);, 상기 촉매캐스팅단계 후, 건조하는 촉매층건조단계(S330)를 포함한다.
[실시예 6-1] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 제조방법은 제1스페이서 일측에 음이온멤브레인층을 형성하는 음이온층 형성단계(S10);, 제2스페이서 일측에 양이온멤브레인층을 형성하는 양이온층 형성단계(S20);, 상기 음이온층 일측 및 양이온층 일측사이에 촉매층을 삽입하여 부착하는 결합단계(S30);를 포함한다.
[실시예 6-2] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 음이온층 형성단계는 제1이형필름 일면에 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제1슬러리를 캐스팅하는 제1캐스팅단계(S11);, 상기 제1캐스팅단계 후, 제1슬러리에 제1스페이서를 부착하는 제1스페이서 부착단계(S12);, 상기 제1스페이서 부착단계 후, 제1이형필름을 제거하는 제1필름제거단계(S13);를 포함한다.
[실시예 6-3] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 양이온층 형성단계는 제2이형필름 일면에 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제2슬러리를 캐스팅하는 제2캐스팅단계(S21);, 상기 제2캐스팅단계 후, 제2슬러리에 제2스페이서를 부착하는 제2스페이서 부착단계(S22);, 상기 제2스페이서 부착단계 후, 제2이형필름을 제거하는 제2필름제거단계(S23); 를 포함한다.
[실시예 6-4] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-2 및 실시예 6-3에 있어서, 상기 제1캐스팅단계 및 제2캐스팅단계의 이온교환용액은 용매에 고분자전해질을 용해하는 제1용해단계(S14)를 포함하거나 또는 상기 제2캐스팅단계의 이온교환용액은 용매에 고분자전해질을 용해하는 제2용해단계(S15)를 포함한다.
[실시예 6-5]본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-2 및 실시예 6-3에 있어서, 상기 촉매층 형성단계는 실시예 5-8과 같이 양이온교환시트 혹은 음이온교환시트의 이온교환막면에 총매층을 형성하는 것을 포함한다.
[실시예 6-6] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-1에 있어서, 상기 결합단계 후, 음이온층 및 양이온층을 압착하는 압착단계(S50);를 포함한다.
[실시예 6-7] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트 제조방법은 실시예 6-5에 있어서, 촉매층이 있는 이온교환시트와 촉매층이 없는 이온교환시트의 한쪽 면에 양이온 혹은 음이온고분자 전해질을 녹인 용매를 약간 뿌려준 후 압착하여 시트의 결착력을 높여 줄 수 있도록 용매의 분사단계를 더 포함할 수 있다.
[실시예 6-8] 본 발명의 바이폴라 이온교환시트제조방법은 실시예 6-5에 있어서, 상기 압착단계 중, 열을 부여하는 가열단계(S60);를 포함한다.
100 : 촉매층
200 : 음이온교환시트
210 : 제1다공성층
220 : 음이온멤브레인
300 : 양이온교환시트
310 : 제2다공성층
320 : 양이온멤브레인
400 : 제1스페이서
410 : 메시망
500 : 제2스페이서
510 : 메시망
200 : 음이온교환시트
210 : 제1다공성층
220 : 음이온멤브레인
300 : 양이온교환시트
310 : 제2다공성층
320 : 양이온멤브레인
400 : 제1스페이서
410 : 메시망
500 : 제2스페이서
510 : 메시망
Claims (6)
- 바이폴라 이온교환시트에 있어서,
촉매층(100) 일면에 형성되는 음이온교환시트(200);,타면에 형성되는 양이온교환시트(300);,
상기 음이온교환시트와 접촉되는 제1스페이서(400);,
상기 양이온교환시트와 접촉되는 제2스페이서(500);
상기 제1스페이서(400) 및 제2스페이서(500)를 형성하는 메시망(410, 510);,
상기 제1스페이서가 상기 음이온교환시트 일면에 부분 돌출되는 것을 포함하며, 상기 제2스페이서가 상기 양이온교환시트 일면에 부분 돌출되는 것;
상기 음이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제1다공성층(210);,
상기 음이온교환시트 타면에 형성되는 음이온멤브레인(220);,
상기 양이온교환시트 일면에 형성되며, 내부에 복수의 기공을 형성하는 제2다공성층(310);,
상기 양이온교환시트 타면에 형성되는 양이온멤브레인(320);,
상기 음이온멤브레인(220)과 양이온멤브레인(320)이 촉매층양측면에 접촉되는 것;을 포함하는 바이폴라 이온교환시트.
- 삭제
- 삭제
- 바이폴라 이온교환시트 제조방법에 있어서,
이형필름 일면에 음이온교환시트를 형성하는 제1시트층 형성단계(S100);,
상기 제1시트층 형성단계 후, 음이온교환시트로부터 이형필름을 분리하는 분리단계(S200);,
상기 분리단계 후, 분리면에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성단계(S300);,
상기 촉매층에 양이온교환시트를 형성하는 제2시트층 형성단계(S400);,
상기 제2시트층 형성단계 후, 제1시트층 및 제2시트층을 압착하는 압착단계(S510);,
상기 압착단계 중, 열을 부여하는 가열단계(S520);,
상기 제1시트층 형성단계는 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제1슬러리를 이형필름 일면에 캐스팅하는 제1캐스팅단계(S110);,
제1캐스팅단계 후, 제1슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제1부착단계(S120);,
상기 제1부착단계 후, 제1슬러리를 건조하는 제1건조단계(S130);,
상기 제2시트층 형성단계는 양이온교환수지분말 및 양이온교환용액으로 제조된 제2슬러리를 촉매층 일면에 캐스팅하는 제2캐스팅단계(410);,
제2캐스팅단계 후, 제2슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제2부착단계(S420);,
상기 제2부착단계 후, 제2슬러리를 건조하는 제2건조단계(S430);를 포함하는 이온교환시트 제조방법.
- 바이폴라 이온교환시트 제조방법에 있어서,
이형필름 일면에 양이온교환시트를 형성하는 제1시트층 형성단계(S100);,
상기 제1시트층 형성단계 후, 양이온교환시트로부터 이형필름을 분리하는 분리단계(S200);,
상기 분리단계 후, 분리면에 촉매층을 형성하는 촉매층 형성단계(S300);,
상기 촉매층에 음이온교환시트를 형성하는 제2시트층 형성단계(S400);,
상기 제2시트층 형성단계 후, 제1시트층 및 제2시트층을 압착하는 압착단계(S510);,
상기 압착단계 중, 열을 부여하는 가열단계(S520);,
상기 제1시트층 형성단계는 양이온교환수지분말 및 양이온교환용액으로 제조된 제1슬러리를 이형필름 일면에 캐스팅하는 제1캐스팅단계(S110);,
제1캐스팅단계 후, 제1슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제1부착단계(S120);,
상기 제1부착단계 후, 제1슬러리를 건조하는 제1건조단계(S130);,
상기 제2시트층 형성단계는 음이온교환수지분말 및 음이온교환용액으로 제조된 제2슬러리를 촉매층 일면에 캐스팅하는 제2캐스팅단계(410);,
제2캐스팅단계 후, 제2슬러리 일면에 스페이서를 부착하는 제2부착단계(S420);,
상기 제2부착단계 후, 제2슬러리를 건조하는 제2건조단계(S430);를 포함하는 이온교환시트 제조방법.
- 삭제
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KR1020180012130A KR102066484B1 (ko) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 바이폴라 이온교환시트 및 이의 제조방법 |
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KR1020180012130A KR102066484B1 (ko) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 바이폴라 이온교환시트 및 이의 제조방법 |
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