KR102060583B1 - 유기전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

유기전계발광소자(1)를 제공하고, 양극(20), 음극(80), 및 유기층을 포함하고, 유기층은 정공주입층(30), 정공수송층(40), 전자주입층(70), 전자수송층(60), 발광층(50) 중 적어도 발광층(50)을 포함하는 한 층 또는 다층이고; 발광층(50)은 호스트 물질과 게스트 물질로 구성된 호스트-게스트 도핑 시스템이고, 발광층(50)의 발광구역은 490 내지 750nm이고, 호스트 물질은 식(I) 구조의 화합물을 가지고 있고, 상기 유기전계소자 적색광 및 녹색광은 전계발광효율이 우수하며 색 순도가 탁월할 뿐만 아니라 수명이 긴 장점을 나타낸다.
Figure 112017088013406-pct00067

Description

유기전계발광소자
본 발명은 유기전계발광소자 디스플레이 기술분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 새로운 유기 호스트 물질로 제조한 유기전계발광 녹색광 및 적색광 소자에 관한 것이다.
유기전계발광소자는 새로운 디스플레이 기술로서 자체발광, 광시야각과 함께 에너지 소모가 낮고 효율이 높으며 얇고 색채가 풍부하며 반응속도가 빠르고 적용 온도 범위가 넓으며 구동전압이 낮고 구부릴 수 있고 투명한 디스플레이 패널을 제작할 수 있으며 친환경적이라는 독특한 장점 등을 갖추고 있다. 따라서 유기전계발광소자 기술은 평면 디스플레이와 차세대 조명뿐만 아니라 LCD의 백라이트로도 사용할 수 있다.
유기전계발광소자는 2개 금속 전극 사이에서 한 층의 유기재료를 스핀코팅 또는 침전시켜 제조한 소자로서, 전형적인 3층 유기전계발광소자는 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함한다. 양극에서 생성되는 정공은 정공수송층을 거쳐 음극에서 생성되는 전자와 함께 전자수송층을 거쳐 발광층에서 결합해 엑시톤을 형성한 후 발광한다. 유기전계발광소자는 발광층의 재료를 변화시켜 적색광, 녹색광 및 청색광을 발사한다. 따라서 안정적이고 효율이 높으며 색 순도가 높은 유기전계발광물질은 유기전계발광소자의 응용과 보급에 있어서 중요한 역할을 하는 동시에, OLEDs 대화면 패널 디스플레이의 응용과 보급에 상당히 필요하다.
삼원색(적색, 청색, 녹색) 중에서 적색과 녹색 재료는 최근 이미 상당한 발전이 이루어졌고, 비록 적색광 및 녹색광 유기전계발광소자의 효능에 있어서 이미 확실한 향상을 얻었고, 패널의 시장 수요에도 부합하지만, 그 효율과 안정성은 여전히 한층 더 발전하고 있다. 따라서, 재료의 설계 및 소자 구조에서부터가 상기 문제를 해결하는데 이 분야 연구의 주요 쟁점이다. 염료가 도핑된 유기전계발광소자에 있어서, 호스트 물질은 도핑 발광체의 에너지 전이 효율에 소자의 효능과 안정성 매우 큰 영향을 미친다. 종종 사용되는 호스트 물질은 mCP와 26DCzPPy 및 그 유도체를 포함하고, 모두 질소 원자를 함유한다. 탄화수소를 함유한 물질이어야만 상대적으로 안정성이 비교적 높고, 공업상 응용 및 상품화에 적합하다. 적색과 녹색 형광 염료 도핑 소자의 호스트 물질의 경우 일련의 상품화된 재료가 있기도 한데, 그 중 초기에 비교적 많이 사용된 것은 8-히드록시퀴놀린 알루미늄염(Alq3) 화합물이다. 이 화합물로 제조한 소자는 효율이 비교적 높기는 하나 안정성이 비교적 떨어져 대량 사용이 어렵다.
Figure 112017088013406-pct00001
본 발명의 목적은 전계발광효율과 색순도가 우수하며 수명이 긴 형광염료가 도핑된 적색광 및 녹색광 발광 소자를 제공함으로써 상기 소자의 결함을 극복하는 데에 있다.
본 발명의 유기전계발광소자에 있어서, 양극, 음극, 및 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 발광층 중 적어도 발광층을 포함하는 한 층 또는 다층이고; 상기 발광층은 호스트 물질과 게스트 물질로 구성된 호스트-게스트 도핑 시스템이고, 발광층의 발광구역은 490 내지 750nm이고, 상기 호스트 물질은 식(I) 구조의 화합물을 가지고 있고,
Figure 112017088013406-pct00002
여기에서 R1-R17은 독립적으로 수소, 듀테륨 원자, 할로겐, 시아노, 니트로, C1-C8 알킬, C1-C8 알콕시, C6-C30 치환 또는 미치환의 아릴, C3-C30 치환 또는 미치환의 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 아릴, C2-C8 치환 또는 미치환의 알콕시, C2-C8 치환 또는 미치환의 알키닐 알킬을 나타내고, 여기에서 Ar1-Ar3은 독립적으로 C6-C60 치환 또는 미치환의 아릴, C6-C60 치환 또는 미치환의 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 헤테로아릴, 트리아릴(C6-C30)아미노를 나타낸다.
바람직하게는, 여기에서 R1-R17은 독립적으로 수소, 할로겐, 시아노, 니트로, C1-C8 알킬, C1-C8 알콕시, C2-C8 치환 또는 미치환의 알케닐 알킬, C2-C8 치환 또는 미치환의 알키닐 알킬, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 페닐, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 나프틸을 나타내거나, 또는 C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 플루오렌일을 결합하고; Ar1-Ar3은 독립적으로 C1-C4 알킬 또는 C6-C30 아릴 치환의 페닐, C1-C4 알킬 또는 C6-C30 아릴 치환의 나프틸, 페닐, 나프틸, 피리딜, N-C6-C30의 아릴 또는 C1-C4 알킬 치환의 카르바졸, 디벤조티오펜설폰, 디벤조퓨란, 안트릴, 페난트릴, 파이레닐, 페릴렌, 플루오란센, (9,9-디알킬) 플루오렌일, (9,9-디알킬 치환 또는 미치환의 아릴)플루오렌일, 9,9- 스피로플루오렌일을 나타낸다.
바람직하게는, 여기에서 R1-R2는 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C4의 알킬, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 페닐, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 나프틸을 나타내거나, 또는 C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 플루오렌일을 결합하고; 여기에서 R3-R17은 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C4의 알킬, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 페닐, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 나프틸을 나타내고, 바람직하게는 Ar1-Ar3은 독립적으로 페닐, 메틸 페닐, 디메틸 페닐, tert-부틸페닐, 나프틸, 피리딜, 메틸 나프탈렌, 비페닐, 디페닐 페닐, 나프틸 페닐, 디페닐 비페닐, 비스아로마틱 아미노 페닐, N-페닐 카르바졸릴, (9,9-디알킬)플루오렌일, (9,9-디알킬 치환 또는 미치환의 페닐)플루오렌일, 9,9-스피로플루오렌일을 나타낸다.
바람직하게는, 여기에서 R3-R17은 수소를 나타내고, R1, R2는 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, t-부틸, 페닐, 비페닐, 나프틸을 나타내거나, 또는 플루오렌일을 결합할 수 있고; Ar1-Ar3은 독립적으로 페닐, 피리딜, 메틸페닐, 디메틸페닐, 나프틸, 메틸나프탈렌, 비페닐, 디페닐 페닐, 나프틸 페닐, 디페닐 비페닐, (9,9-디알킬)플루오렌일, (9,9-디메틸 치환 또는 미치환의 페닐)플루오렌일, 9,9-스피로플루오렌일을 나타낸다.
바람직하게는, 여기에서 R3-R17은 수소를 나타내고, R1, R2는 독립적으로 수소, 메틸을 나타내거나, 또는 플루오렌일을 결합하고; Ar1, Ar2, Ar3은 독립적으로 페닐, 나프틸을 나타낸다.
바람직하게는, 식(I)의 화합물은 이하 구조의 화합물이다.
Figure 112017088013406-pct00003
상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자주입층, 전자수송층 중 한 층 또는 다층이다. 상기 유기층은 수요에 따라 이러한 유기층의 각 층이 반드시 존재할 필요는 없다.
상기 정공수송층, 전자수송층 및/또는 발광층 내에는 식(I)의 화합물이 포함된다.
상기 식(I)의 화합물은 발광층에 위치한다.
본 발명의 유기전계발광소자는 한 층의 발광층을 포함하고, 상기 발광층의 발광구역은 490 내지 750nm이고, 바람직하게는 적색광 또는 녹색광을 발사하고, 적색광 범위는 590 내지 750nm이고, 녹색광 범위는 490 내지 580nm이다.
상기 발광층은 호스트 물질과 게스트 물질로 구성된 호스트-게스트 도핑 시스템이다.
상기 식(I)의 화합물은 호스트 물질이다.
도핑 시스템에 있어서, 호스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 20 내지 99.9%이고, 바람직하게는 80 내지 99%이고, 더 바람직하게는 90 내지 99%이다. 이에 상응하여 게스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 0.01 내지 80%이고, 바람직하게는 1 내지 20%이고, 더 바람직하게는 1 내지 10%이다.
본 발명의 전자소자 유기층의 총 두께는 1 내지 1000nm이고, 바람직하게는 1 내지 500nm이고, 더 바람직하게는 50 내지 300nm이다.
상기 유기층은 증착 또는 스핀코팅을 통해 박막을 형성한다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 식(I)의 화합물은 이하와 같으나, 나열된 구조로 한정되지 않는다.
Figure 112017088013406-pct00004
Figure 112017088013406-pct00005
Figure 112017088013406-pct00006
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본 발명의 정공수송층과 정공주입층에 있어서, 필요한 재료는 아주 우수한 정공수송성능을 갖추어 효과적으로 정공을 양극에서 유기발광층으로 수송할 수 있다. 본 발명에서 채용한 구조식(I)의 화합물 이외에, 저분자와 고분자 유기재료를 더 포함할 수 있고, 트리아로마틱 아민 화합물, 벤지딘 화합물, 티아졸 화합물, 옥사졸 화합물, 이미다졸 화합물, 플루오렌 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene), 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7',8,8'-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜, 폴리에틸렌, 폴리페닐렌 설폰산을 포함할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 유기전계발광층은 본 발명의 구조식(I) 화합물 외에도 나프탈렌 화합물, 피렌 화합물, 플루오렌 화합물, 페난트렌 화합물, 크리센 화합물, 플루오란센 화합물, 안트라센 화합물, 펜타센 화합물, 페릴렌 화합물, 디아릴에텐 화합물, 트리페닐아민 에틸렌 화합물, 아민 화합물, 벤즈이미다졸 화합물, 퓨란 화합물, 유기금속 킬레이트를 더 포함할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 유기전자소자에 사용하는 유기전자수송재료는 아주 우수한 전자수송성능을 가지고 효과적으로 전자를 음극에서 발광층 내로 수송할 수 있어야 하며, 본 발명의 구조식(I) 화합물 이외에 옥사졸, 티아졸 화합물, 트리아졸 화합물, 트리아진 화합물, 트리아자페닐 화합물, 퀴녹살린 화합물, 페나진 화합물, 실리콘을 포함한 헤테로 고리 화합물, 퀴놀린 화합물, 페난트롤린 화합물, 금속 킬레이트, 플루오르 치환 벤젠 화합물에서 더 선택할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 유기전자소자는 수요에 따라 한 층의 전자주입층을 추가할 수 있으며, 상기 전자주입층은 효과적으로 전자를 음극에서 유기층 내로 주입할 수 있고, 본 발명의 구조식(I) 화합물 이외에 주로 알칼리 금속 또는 알칼리 금속 화합물에서 선택하거나 알칼리 토금속 또는 알칼리 토금속에서 선택할 수 있고, 리튬, 불화리튬, 산화리튬, 질화리튬, 8-하이드록시퀴놀리놀라토 리튬, 세슘, 탄산세슘, 8-하이드록시퀴놀리놀라토 세슘, 칼슘, 불화칼슘, 산화칼슘, 마그네슘, 불화마그네슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘을 선택할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
소자 실험에 따르면, 본 발명의 유기전계발광소자는 전계발광효율이 우수하며 색 순도가 탁월할 뿐만 아니라 수명이 긴 장점을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 소자 구조도이고, 여기에서 10은 유리기판이고, 20은 양극이고, 30은 정공주입층이고, 40은 정공수송층이고, 50은 발광층이고, 60은 전자수송층이고, 70은 전자주입층이고, 80은 음극이고;
도 2는 화합물 89의 1H NMR도이고;
도 3은 화합물 89의 13C NMR도이고;
도 4는 화합물 89의 HPLC도이고;
도 5는 화합물 89의 TGA도이고;
도 6은 실시예 4 및 실시예 5의 전압-전류 밀도 곡선도이고;
도 7은 실시예 6 및 실시예 7의 전압-전류 밀도 곡선도이고;
도 8은 실시예 4 및 실시예 5의 밝기-전류 효율 곡선도이고;
도 9는 실시예 6 및 실시예 7의 밝기-전류 효율 곡선도이고;
도 10은 실시예 4 및 실시예 5의 전계발광 스펙트럼이고;
도 11은 실시예 6 및 실시예 7의 전계발광 스펙트럼이고; 및
도 12는 비교예 1 및 비교예 2의 전계발광 스펙트럼이다.
이하에서는, 본 발명의 예시적인 실시형태들을 도면을 통해 보다 상세히 설명하나 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
실시예 1
Figure 112017088013406-pct00031
중간체 1c의 합성
반응 플라스크에 1a(240.00g, 0.88mol), 1b(496.32g, 1.76mol), Pd(PPh3)4(20.35g, 17.60mmol), 탄산칼륨(302.52g, 2.20mol), 톨루엔(2400mL), 순수(pure water, 1200mL)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 반응온도가 95 내지 105℃에 도달할 때까지 가열하여 상기 온도를 8 내지 12시간 유지하고, TLC 및 HPLC 샘플을 취하고, 원료를 완전히 반응시켰다. 가열을 중단하고 20 내지 30℃까지 온도를 강하시키고 추출 여과를 진행하여 여과액에서 유기층을 분리해내고, 수층은 다시 에틸아세테이트로 추출하고, 유기층을 합병하고, 다시 물로 세척하고, 무수 황산마그네슘은 건조하고, 추출 여과를 진행하여 여과액을 농축하여 암황색의 고형 조생성물을 수득하였다. 석유 에테르를 재결정하여 회백색의 고형 제품을 수득하였으며 수율은 90%, 순도는 95%이었다.
중간체 1d의 합성
반응 플라스크에 상응하는 비율의 1c(302g, 0.78mol), B(OEt)3(142g, 0.97mol), n-BuLi/THF(1.6M, 600mL), 무수 THF(3000mL)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 반응온도를 -75 내지 -65℃까지 강하하고, n-BuLi/THF 용액을 천천히 점적하고, 반응 온도는 -75 내지 -65℃로 제어하고, 점적을 완료한 후 계속하여 상기 온도를 유지하여 30분 내지 1시간 반응시켰다. 그 후 일정량의 B(OEt)3을 점적 추가하고, 반응 온도는 -75 내지 -65℃로 제어하고, 점적을 완료한 후 계속하여 상기 온도를 유지하여 30분 내지 1시간 반응시킨 후 반응액을 실온으로 옮겨 자연적으로 온도를 상승시켜 4 내지 6시간 반응시켰다. 그 후 2M 희염산을 첨가하여 pH값은 2 내지 3으로 조절하고 약 1시간 교반한 후 반응을 중지하였다. 에틸아세테이트를 첨가하여 추출을 진행하고, 수층은 EA로 다시 추출하여 유기층을 합병하고 무수 황산마그네슘을 건조한 후 추출 여과를 진행하고, 여과액을 농축하여 회백색의 고형 제품을 수득하였으며 순도는 95%, 수율은 62.5%이었다.
중간체 1f의 합성
반응 플라스크에 1d(150g, 0.43mol), 1e(500g, 0.86mol), Pd(PPh3)4(5.0g, 0.44mmol), 탄산칼륨(130g, 0.92mol), 톨루엔(1000mL), 순수(pure water, 500mL)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 반응온도가 95 내지 105℃에 도달할 때까지 가열하여 상기 온도를 8 내지 12시간 유지하고, TLC 및 HPLC 샘플을 취하고, 원료를 완전히 반응시켰다. 가열을 중단하고 20 내지 30℃까지 온도를 강하시키고 추출 여과를 진행하여 여과액에서 유기층을 분리해내고, 수층은 다시 에틸아세테이트로 추출하고, 유기층을 합병하고, 무수 황산마그네슘은 건조하고, 추출 여과를 진행하여 여과액을 농축하여 암황색의 고형 조생성물을 수득하였고, 순도는 80%, 수율은 78.1%이었다.
중간체 1g의 합성
반응 플라스크에 1f(210g, 0.42mol), NBS(135 g, 0.71mol), DMF(5L)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 반응온도가 60 내지 65℃에 도달할 때까지 가열하여 상기 온도를 6 내지 8시간 유지하고, TLC 및 HPLC 샘플을 취하고, 원료를 완전히 반응시켰다. 가열을 중단하고 20 내지 30℃까지 온도를 강하시키고 반응액을 얼음물 속에 부어 암황색 고체를 석출하고, 추출 여과를 진행하여 황색 고체를 수득하고 건조하여 1g의 조생성물을 수득하였다. 조생성물에 용액이 약간 혼탁해질 때까지 DCM/MeOH를 첨가하고, 약 30분간 계속 교반하여 대량의 고체를 석출하고, 여과 추출을 진행하여 담황색 고형 제품을 수득하였으며 수율은 54.05%, 순도는 98.5%이었다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 8.64 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 7.99 - 7.90 (m, 4H), 7.87 (t, J = 1.6 Hz, 1H), 7.78 (dd, J = 9.3, 2.3 Hz, 6H), 7.61 (ddd, J = 8.8, 6.5, 1.1 Hz, 2H), 7.56 - 7.48 (m, 6H), 7.46 - 7.38 (m, 4H).
13C NMR (76 MHz, CDCl3) δ 142.67 (s), 142.03 (s), 141.26 (s), 140.69 (s), 137.83 (s), 137.52 (s), 131.87 (s), 131.24 (s), 130.44 (s), 129.09 (s), 128.80 (s), 128.38 - 127.40 (m), 127.18 (s), 126.05 - 125.21 (m), 123.08 (s), 77.74 (s), 77.31 (s), 76.89 (s), 30.10 (s).
화합물 1의 합성
500mL 3구 플라스크에 1g(9.5g, 16.92mmol), 1h(6.41g, 30.51mmol), Pd(PPh3)4(1.5g, 1.3mmol), 탄산칼륨(5.84g, 42.3mmol), 톨루엔(150mL), 순수(75mL)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 105℃에서 반응시켰다. 액상에서 반응 종료 시간을 검측하였는데 약 12시간이었다. 반응 개시 시 반응액은 촉매의 황갈색이었으며 그 후 천천히 황색 용액으로 변하였고, 반응 종료 후 상층은 맑고 옅은 황색이었고 하층은 물이었다. 반응 종료 후 여과하여 에틸아세테이트를 이용해 여과 찌꺼기에 산물이 없어질 때까지 세정하여 여과액을 수집하고, 회전 건조하여 대량의 회백색 고체를 석출하고, 여과 찌꺼기를 건조하여 목표 산물을 수득하였으며 순도는 98%였다. 진공 승화하여 순도 99.5%의 회백색 고형 분말을 수득하였다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3) δ 8.10-8.21 (d，2H)，7.96-7.98 (dd，3H)，7.87-7.89 (m，2H)，7.81-7.86 (m，4H)，7.78-7.81 (d，4H), 7.62-7.65 (m，2H)，7.59 (s，1H)，7.51-7.57 (m，5H)，7.45-7.48 (m，2H)，7.36-7.43 (m，7H)，3.88 (s，2H).
실시예 2
화합물 3의 합성
Figure 112017088013406-pct00032
500mL 3구 플라스크에 1g(9.5g, 16.92mmol), 3a(7.25g, 30.46mmol), Pd(PPh3)4(1.5g, 1.3mmol), 탄산칼륨(5.84g, 42.3mmol), 톨루엔(150mL), 순수(75mL)를 첨가하였다. 질소를 3회 배출한 후 105℃에서 반응시켰다. 액상에서 반응 종료 시간을 검측하였는데 약 12시간이었다. 반응 개시 시 반응액은 촉매의 황갈색이었으며 그 후 천천히 황색 용액으로 변하였고, 반응 종료 후 상층은 맑고 옅은 황색이었고 하층은 물이었다. 반응 종료 후 여과하여 에틸아세테이트를 이용해 여과 찌꺼기에 산물이 없어질 때까지 세정하여 여과액을 수집하고, 회전 건조하여 대량의 회백색 고체를 석출하고, 여과 찌꺼기를 건조하여 목표 산물을 수득하였으며 순도는 98%였다. 진공 승화하여 순도 99.7%의 회백색 고형 분말을 수득하였다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3) δ 8.1-8.2 (d，2H)，7.96-7.99 (dd，3H)，7.88-7.89 (m，2H)，7.81-7.86 (m，4H)，7.78-7.81 (d，4H), 7.61-7.65 (m，2H)，7.59 (s，1H)，7.51-7.56 (m，5H)，7.46-7.48 (m，2H)，7.35-7.43 (m，7H)，1.61 (s，6H).
실시예 3
화합물 89의 합성
Figure 112017088013406-pct00033
반응용기에 순서대로 1g(10.0g, 17.8mmol), 89a(7.1g, 19.6mmol), Pd(PPh3)4(432.2mg, 0.35mmol), K2CO3(6.14g, 44.5mmol), 톨루엔(300mL) 및 물(150mL)을 첨가하고, 장치를 탈기시키고 질소를 충전하여 보호한 후, 100℃까지 가열하여 하룻밤 동안 반응시킨다. DCM:PE=1:5의 비율 플레이트를 이용하였으며, 산물점은 365nm 파장 길이의 자외선 램프 하에서 강렬한 청색광을 발사했으며 Rf값은 약 0.2였다. 반응액은 실리카겔을 이용해 추출 여과한 후 여과 케이크는 에틸아세테이트(100mL)로 2회 세정하여 액을 분리하고, 에틸아세테이트(100mL)를 이용해 수층을 1회 추출하고 유기층을 합방하고, 다시 물(200mL)로 유기상을 1회 세정하고 회전 건조하여 용매를 제거하였다. 조생성물은 120mL DCM/MeOH로 재결정하고, 추출 여과하여 황색 고형 분말 13.1g을 수득하였으며, 순도는 98.7%이고 수율은 92.2%였다. 진공 승화하여 순도가 99.7%인 담황색 고형 분말을 수득하였다. m/z = 797.
도 2 및 3에서 도시하는 바와 같이, 화합물 89의 1H NMR도와 13C NMR도의 구조는 완전히 일치한다. 도 4 화합물 89의 HPLC도에서 도시하는 바와 같이 본 발명의 합성 방법으로 제조한 산물은 순도가 높다. 도 5 화합물 89의 열중량분석도에서 도시하는 바와 같이 이러한 유형의 화합물의 분해온도는 400℃보다 높은데 이는 상당히 높은 열안정성을 갖고 있다는 것을 의미한다.
실시예 4
유기전계발광소자 1의 제조
본 발명의 유기전자재료를 사용한 OLED 제조에 있어서,
먼저 투명전도 ITO 유리기판(10)(상면에 양극(20)이 있음)을 순서대로 세정제 용액과 탈이온수, 에탄올, 아세톤, 탈이온수로 세정하고, 다시 산소 플라스마를 이용해 30초간 처리한다.
그 다음, ITO에 10nm 두께의 HAT-CN6을 정공주입층(30)으로 증착한다.
그 다음, NPB를 증착하고, 30nm 두께의 정공수송층(40)을 형성한다.
그 다음, 정공수송층에 30nm 두께의 C545T(2%)과 화합물 3(98%)을 발광층(50)으로 증착한다.
그 다음, 발광층에 15nm 두께의 TPBi를 전자수송층(60)으로 증착한다.
마지막으로, 15nm BPhen:Li의 전자주입층(70)과 150nm Al의 소자 음극(80)을 증착한다.
제조한 소자는 20mA/cm2의 작업 전류 밀도 하의 전압은 5.57V이고, 1000cd/m2 밝기 하의 전류 효율은 7.26cd/A에 달하였으며, 녹색광 발사 피크는 500nm였다.
소자 중 상기 구조식
Figure 112017088013406-pct00034
Figure 112017088013406-pct00035
실시예 5
유기전계발광소자 2의 제조
방법은 실시예 4와 동일하며, 화합물 3을 화합물 89로 바꾸어 유기전계발광소자를 제조하였다.
제조한 소자는 20mA/cm2의 작업 전류 밀도 하의 전압은 5.73V이고, 1000cd/m2 밝기 하의 전류 효율은 7.81cd/A에 달하였으며, 녹색광 발사 피크는 504nm였다.
실시예 6
유기전계발광소자 3의 제조
방법은 실시예 4와 동일하며, 화합물 C545T을 화합물 DCJTB로 바꾸어 유기전계발광소자를 제조하였다.
제조한 소자는 20mA/cm2의 작업 전류 밀도 하의 전압은 7.54V이고, 1000cd/m2 밝기 하의 전류 효율은 4.24cd/A에 달하였으며, 적색광 발사 피크는 592nm였다.
실시예 7
유기전계발광소자 4의 제조
방법은 실시예 6과 동일하며, 화합물 3을 화합물 89로 바꾸어 유기전계발광소자를 제조하였다.
제조한 소자는 20mA/cm2의 작업 전류 밀도 하의 전압은 8.23V이고, 1000cd/m2 밝기 하의 전류 효율은 3.65cd/A에 달하였으며, 적색광 발사 피크는 600nm였다.
비교예 1
유기전계발광소자 5의 제조
방법은 실시예 4와 동일하며, 100% 화합물 3을 발광층(50)으로 삼아 비교용 유기전계발광소자를 제조하였다.
제조한 소자의 청색광 발사 피크는 448nm였다.
비교예 2
유기전계발광소자 6의 제조
방법은 실시예 4와 동일하며, 100% 화합물 89를 발광층(50)으로 삼아 비교용 유기전계발광소자를 제조하였다.
제조한 소자의 청색광 발사 피크는 448nm였다.
실시예 4, 5, 6 및 7은 본 발명 재료를 구체적으로 응용한 것이며, 제조한 소자 1과 2는 녹색광을, 소자 3과 4는 적색광을 발사하며, 효율과 밝기는 우수하다. 실시예 4와 6의 전계발광 스펙트럼은 비교예 1의 전계발광 스펙트럼과 비교할 때, 호스트 물질에서 게스트 물질로의 에너지 전이가 상당히 효과적이다. 마찬가지로 실시예 5와 7은 비교예 2에 비해 효과가 우수하다. 따라서 본 발명의 재료는 안정성이 높고, 본 발명에서 제조한 유기전계발광소자는 효율과 색순도가 모두 높다.

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 양극, 음극, 및 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 발광층 중 적어도 발광층을 포함하는 한 층 또는 다층이고; 상기 발광층은 호스트 물질과 게스트 물질로 구성된 호스트-게스트 도핑 시스템이고,
    상기 게스트 물질은
    Figure 112019035689599-pct00080
    이고,
    발광층의 발광구역은 적색광 590-750nm이고;
    또는, 상기 게스트 물질은
    Figure 112019035689599-pct00081
    이고,
    발광층의 발광구역은 녹색광 490-580nm이고,
    상기 호스트 물질은 식(I) 구조의 화합물을 가지고 있고,
    Figure 112019035689599-pct00036

    상기 R1-R2은 독립적으로 수소, C1-C8 알킬, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 페닐을 나타내거나, 또는 C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 플루오렌일을 결합하고, R3-R17은 독립적으로 수소를 나타내고; 상기 Ar1-Ar3은 독립적으로 C1-C4 알킬 치환의 페닐, 페닐을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 R1-R2는 독립적으로 수소, C1-C4의 알킬, C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 페닐을 나타내거나, 또는 C1-C4 알킬 치환 또는 미치환의 플루오렌일을 결합하고; 여기에서, 상기 R3-R17은 독립적으로 수소를 나타내고, 상기 Ar1-Ar3은 독립적으로 페닐, 메틸 페닐, tert-부틸페닐을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 R3-R17은 수소를 나타내고, 상기 R1, R2는 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, t-부틸, 페닐을 나타내거나, 또는 플루오렌일을 결합하고; 상기 Ar1-Ar3은 독립적으로 페닐, 메틸페닐을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 R3-R17은 수소를 나타내고; 상기 R1, R2는 독립적으로 수소, 메틸을 나타내거나, 또는 플루오렌일을 결합하고; 상기 Ar1, Ar2, Ar3은 독립적으로 페닐을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 식(I)의 화합물이 이하의 구조 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자:
    Figure 112019035689599-pct00037

    Figure 112019035689599-pct00038

    Figure 112019035689599-pct00039

    Figure 112019035689599-pct00040

    Figure 112019035689599-pct00082

    Figure 112019035689599-pct00083

    Figure 112019035689599-pct00084

    Figure 112019035689599-pct00059

    Figure 112019035689599-pct00085

    Figure 112019035689599-pct00086

    Figure 112019035689599-pct00063
    .
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 식（I）의 화합물이 이하의 구조 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자:
    Figure 112019035689599-pct00064
  8. 제 2항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 호스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 20 내지 99.9%이고, 상기 게스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 0.01 내지 80%인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 호스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 80 내지 99%이고, 상기 게스트 물질의 농도는 전체 발광층 중량의 1 내지 20%인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 식(I)에 있어서 상기 화합물은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및/또는 전자주입층에 더 위치하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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