KR102060217B1 - 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치 - Google Patents

적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102060217B1
KR102060217B1 KR1020157003149A KR20157003149A KR102060217B1 KR 102060217 B1 KR102060217 B1 KR 102060217B1 KR 1020157003149 A KR1020157003149 A KR 1020157003149A KR 20157003149 A KR20157003149 A KR 20157003149A KR 102060217 B1 KR102060217 B1 KR 102060217B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
auxiliary
control
control electrode
control circuit
Prior art date
Application number
KR1020157003149A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150036409A (ko
Inventor
보리스 부셰
마티우 그레니에르
Original Assignee
발레오 시스템므 드 꽁트롤르 모뙤르
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 발레오 시스템므 드 꽁트롤르 모뙤르 filed Critical 발레오 시스템므 드 꽁트롤르 모뙤르
Publication of KR20150036409A publication Critical patent/KR20150036409A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102060217B1 publication Critical patent/KR102060217B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/166—Soft switching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

적어도 하나의 트랜지스터(2)를 제어하는 장치(1)에 있어서, - 제어 전극 및 2개의 다른 전극을 구비한 상기 트랜지스터(2)와, - 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터(2)의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로(3)와, - 보조 동작 모드에서, 상기 주 제어 회로(3)와 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극 간에 흐르는 전류에 반대되는 보조 전류(ig0)를 주입하도록 구성된 보조 제어 회로(5)를 포함한 장치(1)를 제공한다.

Description

적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치{DEVICE FOR CONTROLLING AT LEAST ONE TRANSISTOR}
본 발명은 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치에 관한 것이다.
트랜지스터는 일반적으로 정지형 컨버터(static converter)의 분기(branch)를 구성하기 위해 사용된다. 이러한 트랜지스터는 일반적으로 트랜지스터를 전도 상태로 하기 위해 트랜지스터의 제어 전극에 전류를 주입하고 트랜지스터가 컷오프될 때 상기 제어 전극으로부터 전류가 수신되게 하도록 구성된 "드라이버"라고도 부르는 제어 회로에 의해 제어된다.
트랜지스터가 컷오프될 때, 그 단자에서 과전압이 나타나고, 트랜지스터의 단자에서의 전압은, 본 발명의 목적상, 트랜지스터의 제어 전극이 아닌 트랜지스터의 전극들 간의 전압이다. 트랜지스터가 컷오프될 때 트랜지스터의 단자에서 과전압이 나타나는 예는 뒤에서 설명한다.
트랜지스터가 단락 회로를 야기하는 분기에 속한 때, 이 분기로 흐르는 전류는 크게 증가한다. 분기에서 흐르는 고전류에 기인하는 트랜지스터의 과열을 피하기 위해 트랜지스터를 컷오프하는 것이 바람직하다. 그러나, 트랜지스터가 이 방식으로 컷오프될 때, 트랜지스터의 단자에서의 전압이 분기에서의 전압과 트랜지스터의 기생 인덕턴스의 단자에서의 전압의 합과 동일하게 되기 때문에, 그 단자에서 상당한 과전압이 나타날 수 있다. 이 과전압은 트랜지스터를 열화시키고 또는 파괴할 수도 있다.
따라서, 트랜지스터가 컷오프될 때, 특히 트랜지스터가 정지형 컨버터의 분기에 속하고 트랜지스터가 그 다음에 상기 분기가 단락 회로를 형성할 때 컷오프되는 경우에 나타나는 과전압을 감소시킬 필요가 있다. 이러한 과전압을 감소시키는 종래의 해법은 하기의 것들을 포함한다.
- 트랜지스터의 제어 전극이 아닌 전극들 간의 전압을 고전압 다이오드에 의해, 및 만일 필요하다면 제너다이오드와 저항의 직렬 접속에 의해 제한한다.
- 트랜지스터의 제어 전극의 2개의 상이한 전위 값, 즉 트랜지스터를 전도 상태로 스위칭하는 것에 대응하는 제1 값, 및 상기 제1 값보다 낮고 상기 트랜지스터를 컷오프시키는 것에 대응하는 제2 값을 설정하는 트랜지스터의 제어 회로를 이용한다. 상기 제어 전극의 전위는 트랜지스터가 컷오프될 때 더 낮기 때문에 과전압이 감소된다,
- 제어 전극과 제어 회로 사이에 2개의 상이한 게이트 저항을 제공한다. 하나의 게이트 저항은 트랜지스터가 속하는 분기가 단락 회로를 발생할 때 상기 트랜지스터를 컷오프하기 위해 사용되고, 다른 하나의 게이트 저항은 다른 컷오프의 경우에 대하여 사용된다. 단락 회로의 경우에 컷오프를 위해 사용되는 게이트 저항은 과전압을 제한하기 위해 다른 게이트 저항보다 더 높은 값을 갖는다.
상기 해법들은 그 어느 것도 상기 해법의 비용, 반응 속도, 상기 해법의 구현에 의해 점유되는 공간, 및 상기 해법이 구현될 때 야기되는 전기적 손실 등의 인자(factor) 중에서 만족할만한 타협을 달성하지 못한다.
전술한 해법들의 단점을 극복할 필요가 있다.
본 발명은 상기 필요성에 부합하기 위해 의도된 것이고, 이 목적은 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치에 의해 본 발명의 양태 중의 하나에 따라 달성된다. 상기 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치는,
- 제어 전극 및 2개의 다른 전극을 구비한 상기 트랜지스터와,
- 트랜지스터의 제어 전극에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로와,
- 보조 동작 모드에서, 상기 주 제어 회로와 상기 트랜지스터의 제어 전극 간에 흐르는 전류에 반대되는 보조 전류를 주입하도록 구성된 보조 제어 회로를 포함한다.
본 발명은 트랜지스터가 컷오프될 때 트랜지스터가 트랜지스터의 제어 전극과 다른 전극들 중의 하나 사이에서 커패시터로서 작용한다는 사실을 특히 이용한다. 보조 전류의 주입에 의해 상기 제어 전극으로부터 상기 주 제어 회로로 흐르는 전류의 감소는 트랜지스터의 다른 전극들 사이에서 흐르는 전류의 시간적 변화를 감소시키고, 그에 따라서 트랜지스터의 과전압을 감소시킬 수 있다. 이것은 부분적으로 기생 인덕턴스에 기인한다.
그러므로, 보조 전류의 주입은 트랜지스터의 제어 전극 이외의 다른 전극들 간에 흐르는 전류의 변동을 시간적 관점에서 감속시킬 수 있다.
본 발명에 따른 보조 제어 회로는, 고전압의 발생이 트랜지스터의 기생 인덕턴스 또는 인덕턴스들의 단자에서 검출될 때, 장치의 공간을 다량으로 점유하지 않고 높은 비용을 발생시키지 않으며 높은 손실을 야기함이 없이 고속 반응을 제공할 수 있다.
또한, 보조 제어 회로는 종래의 드라이버와 호환될 수 있고 상기 종래의 드라이버를 보충하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 목적상, 추가의 한정이 없는 용어 "접속된"은 임의의 중간 컴포넌트가 없는 "직접 접속된"을 나타내거나, 또는 하나 이상의 중간 컴포넌트를 통한 "간접 접속된"을 나타낼 수 있다.
주 동작 모드에서는 주 제어 회로만이 트랜지스터와 상호작용할 수 있지만, 보조 동작 모드에서는 보조 제어 회로가 또한 트랜지스터와 상호작용한다.
보조 모드의 사용은 미리 정해진 조건의 존재에 의존할 수 있다. 상기 미리 정해진 조건은 트랜지스터의 제어 전극 이외의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수(time derivative)의 값, 더 엄밀히 말하면 이 값을 역치와 비교한 결과와 관련될 수 있다.
보조 제어 회로는 전류가 트랜지스터의 제어 전극으로부터 주 제어 회로 쪽으로 흐를 때 보조 전류를 주입하도록 구성될 수 있다. 이 경우는 트랜지스터의 컷오프에 대응한다. 이 컷오프는 제어형 방식으로 실행될 수 있다.
만일 트랜지스터의 제어 전극 이외의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 이 값이 상기 역치보다 더 크면, 보조 전류를 주입함으로써 보조 동작 모드가 사용될 수 있다. 만일 트랜지스터가 정지형 컨버터의 분기의 일부를 형성하면, 상기 역치는 상기 분기에서 단락 회로가 발생된 후 트랜지스터가 컷오프될 때 초과되어지도록 선택될 수 있다. 역치가 초과되었기 때문에, 트랜지스터가 컷오프될 때 트랜지스터의 단자에서 해로운 과전압이 나타날 수 있다.
변형 예로서, 상기 역치는 트랜지스터가 속하는 분기에서 단락 회로의 예비 발생 없이 트랜지스터가 컷오프될 때 초과되어지도록 선택될 수 있다.
장치는 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소를 포함할 수 있다. 이 요소는 예를 들면 트랜지스터의 다른 전극의 기생 인덕턴스의 단자 양단 전압을 측정하기 위한 요소이다. 이 전극에서 흐르는 전류의 시간 도함수의 선형 이미지인 상기 전압 측정치는 전술한 비교가 이루어질 수 있게 한다. 당해 기생 인덕턴스는 예를 들면 수 nH 정도의 값을 갖는다.
장치는 제어 전극과 주 제어 회로 사이에 개재된 제어 저항(전술한 게이트 저항과 유사함)을 포함할 수 있다. 보조 제어 회로는 상기 제어 저항과 제어 전극 사이에 개재된 노드에 보조 전류를 주입하도록 구성될 수 있다. 공지의 해법과는 대조적으로, 예를 들면 트랜지스터의 특별한 컷오프 경우를 위한 다른 제어 저항이 제공되지 않는다.
장치는 상기 주 제어 회로와 트랜지스터의 제어 전극 사이에 배치된 전력 증폭기 회로, 특히 "푸시풀"형의 전력 증폭기 회로를 포함할 수 있고, 상기 보조 제어 회로는 보조 동작 모드가 사용될 때 상기 주입된 보조 전류가 상기 전력 증폭기 회로를 통해 흐르게 하는 방식으로 구성된다. 상기 전력 증폭기 회로의 상류에 있는 상기 보조 제어 회로의 위치 때문에, 이 보조 제어 회로의 컴포넌트들은 저전력용으로 설계되어 그들의 비용을 낮출 수 있다.
상기 보조 제어 회로는 설정 값(setpoint value) 주위에서 상기 제어 전극이 아닌 트랜지스터의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 값을 고정시키도록 구성될 수 있다. 이 설정 값은 트랜지스터의 열화를 방지하도록 선택될 수 있다. 상기 설정 값은 분기가 단락 회로를 발생한 후에 트랜지스터가 컷오프될 때 또는 상기 단락 회로의 발생과 상관없이 트랜지스터가 컷오프될 때 초과되도록 선택될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있는 역치 이하일 수 있다.
상기 보조 제어 회로는, 예를 들면,
- 트랜지스터의 다른 전극들 중 하나와 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소의 일부를 형성하는 트랜지스터 사이에 직렬로 접속된 제1 저항과,
- 상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소의 일부를 형성하는 상기 트랜지스터와 전압원 사이에 직렬로 접속된 제2 저항을 포함하며, 상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소의 트랜지스터에 접속된 상기 제2 저항의 단자는 보조 전류가 주입될 때 그 보조 전류가 흐르는 트랜지스터의 제어 전극에 추가로 접속된다.
상기 고정은 상기 제1 저항과 상기 제2 저항 간의 비율 값의 선택에 의해 달성될 수 있다. 이 비율은 예를 들면 1-10의 범위, 예를 들면 5일 수 있다.
변형 예로서, 장치는 이 유형의 전력 증폭기 회로를 포함하지 않을 수 있다.
추가의 변형 예로서, 장치는 상기 주 제어 회로와 제어 전극 사이에 배치된 전력 증폭기 회로, 특히 "푸시풀"형의 전력 증폭기 회로를 포함할 수 있고, 상기 보조 제어 회로는 보조 동작 모드가 사용될 때 상기 전력 증폭기 회로와 상기 트랜지스터 사이에 전류를 주입하도록 구성된다.
트랜지스터는 IGBT 형 트랜지스터일 수 있고, 상기 제어 전극은 게이트이다. 이 경우에, 상기 트랜지스터가 컷오프될 때 커패시터가 상기 트랜지스터의 게이트와 에미터 사이에 존재하는 것으로 생각할 수 있다. 미리 정해진 조건이 부합되는지를 결정하기 위해 에미터의 기생 인덕턴스에서 전류의 시간적 변화를 모니터링할 수 있다.
이 경우에, 및 만일 트랜지스터가 2개의 직렬 접속된 트랜지스터를 포함하는 분기의 일부를 형성하면, 에미터의 기생 인덕턴스는 다음과 같다.
- 상기 분기의 하부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드("트랜지스터의 제어 에미터"라고도 부름)와 전력 그라운드 사이의 기생 인덕턴스이다.
- 상기 분기의 상부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드와 다른 트랜지스터의 컬렉터 사이의 기생 인덕턴스이다.
변형 예로서, 상기 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터일 수 있고, 상기 제어 전극은 게이트이다. 이 경우에, 상기 트랜지스터가 컷오프될 때, 커패시터가 상기 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 존재하는 것으로 생각할 수 있다. 미리 정해진 조건이 부합되는지를 결정하기 위해 소스의 기생 인덕턴스에서 전류의 시간적 변화를 모니터링할 수 있다.
이 경우에, 및 만일 트랜지스터가 2개의 직렬 접속된 트랜지스터를 포함하는 분기의 일부를 형성하면, 소스의 기생 인덕턴스는 다음과 같다.
- 상기 분기의 하부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드("트랜지스터의 제어 소스"라고도 부름)와 전력 그라운드 사이의 기생 인덕턴스이다.
- 상기 분기의 상부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드와 다른 트랜지스터의 드레인 사이의 기생 인덕턴스이다.
변형 예로서, 상기 트랜지스터는 바이폴라 트랜지스터일 수 있고, 상기 제어 전극은 베이스이다. 이 경우에, 상기 트랜지스터가 컷오프될 때, 커패시터가 상기 트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 존재하는 것으로 생각할 수 있다. 미리 정해진 조건이 부합되는지를 결정하기 위해 에미터의 기생 인덕턴스에서 전류의 시간적 변화를 모니터링할 수 있다.
이 경우에, 및 만일 트랜지스터가 2개의 직렬 접속된 트랜지스터를 포함하는 분기의 일부를 형성하면, 에미터의 기생 인덕턴스는 다음과 같다.
- 상기 분기의 하부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드("트랜지스터의 제어 에미터"라고도 부름)와 전력 그라운드 사이의 기생 인덕턴스이다.
- 상기 분기의 상부의 트랜지스터인 경우에, 기생 인덕턴스는 트랜지스터의 제어 그라운드와 다른 트랜지스터의 컬렉터 사이의 기생 인덕턴스이다.
보조 제어 회로는 보조 전류를 생성하기 위한 전기 에너지 소스를 포함할 수 있다. 이 전기 에너지 소스는 예를 들면 주 제어 회로와 공유되는 보조 제어 회로의 일부를 형성할 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
장치는 복수의 트랜지스터를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 상기 복수의 트랜지스터는 예를 들면 동일한 분기에 속할 수 있고, 동일한 분기에서 병렬로 접속될 수 있으며, 또는 다른 분기에 속할 수도 있다.
분기가 속하는 정지형 컨버터는 차량, 예를 들면 하이브리드 또는 전기 자동차에서 온보드(on-board) 회로의 일부를 형성할 수 있다. 이 정지형 컨버터는 차량용 고전압 배터리의 충전 회로의 일부를 형성할 수 있다. 변형 예로서, 상기 정지형 컨버터는 차량용 전기 모터의 고정자 또는 회전자에 전력을 공급하는 회로의 일부를 형성할 수 있다. 다른 변형 예로서, 상기 정지형 컨버터는 고전압 배터리를 충전하고 또한 전기 모터의 고정자에 전력을 공급하는 회로의 일부를 형성할 수 있으며, 이러한 유형의 회로의 예는 WO 2010/057893호의 출원에 개시되어 있다.
상기 정지형 컨버터는 DC-DC 전압 컨버터 또는 DC-AC 전압 컨버터일 수 있고, 그 용도에 따라서 정류기 또는 인버터라고도 부른다.
다른 양태에 있어서, 본 발명은 트랜지스터 외에 하기의 컴포넌트를 포함하는 장치에 의해 제어 전극과 2개의 다른 전극을 포함하는 트랜지스터를 제어하는 방법을 또한 제공한다.
- 트랜지스터의 제어 전극에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로와,
- 보조 동작 모드에서, 상기 주 제어 회로와 상기 트랜지스터의 제어 전극 간에 흐르는 전류에 반대되는 보조 전류를 상기 트랜지스터의 제어 전극에 주입하도록 구성된 보조 제어 회로.
상기 보조 동작 모드는 미리 정해진 조건이 존재할 때 사용된다.
상기 미리 정해진 조건은 트랜지스터의 제어 전극 이외의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 값, 더 엄밀히 말하면 이 값을 역치와 비교한 결과와 관련될 수 있다.
상기 역치는 트랜지스터가 속하는 정지형 컨버터의 상기 분기에서 단락 회로가 발생된 후 상기 트랜지스터가 컷오프될 때 상기 트랜지스터의 제어 전극 이외의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수에 의해 취해진 값만큼 초과되도록 선택될 수 있다. 이 분기는 상기 트랜지스터와 직렬로 적어도 하나의 스위칭 셀을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 보조 회로는 분기에서의 단락 회로 후에 상기 트랜지스터를 컷오프하기 위해 사용된다. 변형 예로서, 상기 역치는 상기 분기에서 반드시 단락 회로가 발생할 필요 없이 트랜지스터가 컷오프될 때 상기 트랜지스터의 제어 전극 이외의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수에 의해 취해진 값만큼 초과되도록 선택될 수 있다. 이 경우에, 상기 보조 회로는, 만일 트랜지스터가 열화할 위험성이 있으면, 트랜지스터의 각각의 컷오프를 위해 보조 모드를 이용할 수 있다. 상기 미리 정해진 조건을 검출하기 위해, 예를 들면 트랜지스터의 제어 전극 외의 전극들 중의 하나, 예컨대 바이폴라 또는 IGBT 트랜지스터인 경우에는 에미터, 또는 전계 효과 트랜지스터인 경우에는 소스의 기생 인덕턴스의 단자에서 전압을 측정할 수 있다.
상기 장치와 관련하여 언급한 특징들 중의 일부 또는 전부는 제어 방법에 적용할 수 있다. 더 구체적으로, 상기 정지형 컨버터는 DC-DC 전압 컨버터 또는 DC-AC 전압 컨버터일 수 있다.
본 발명은 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명을 읽음으로써, 및 첨부 도면을 참조함으로써 더 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 트랜지스터 제어 장치의 개략도이다.
도 2는 트랜지스터가 컷오프될 때 도 1의 장치의 트랜지스터의 등가 모델의 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제어 장치의 개략도이다.
도 4는 도 3에 따른 장치의 예시적인 실시형태를 보인 도이다.
도 5는 도 1에 따른 장치 및 도 4에 따른 장치의 트랜지스터와 관련된 상이한 전기적 양을 보인 도이다.
도 6은 도 3에 따른 장치의 다른 예시적인 실시형태를 보인 도이다.
도 1은 종래 기술에 따라 적어도 하나의 트랜지스터(101)를 제어하기 위한 장치(100)의 예를 보인 도이다. 이 예에서는 IGBT형 트랜지스터인 트랜지스터(101) 외에, 장치(100)는 상기 트랜지스터(101)의 상태를 제어하도록 구성된, 가끔은 "드라이버"라고도 부르는, 주 제어 회로(102)를 포함한다. 게이트 저항(103)이 상기 주 제어 회로(102)와 상기 트랜지스터(101)의 게이트 사이에 개재되고, 상기 게이트와 상기 주 제어 회로(102) 사이에서 흐르는 전류가 상기 게이트 저항(103)을 통과한다.
도 1은 트랜지스터(101)의 에미터의 기생 인덕턴스(106)를 또한 도시한다.
도 2는 트랜지스터(101)가 컷오프될 때 트랜지스터(101)의 에미터와 게이트 사이에서 사용될 수 있는 등가 모델을 보인 도이다. 전류(ig)가 트랜지스터(101)의 게이트로부터 주 제어 회로(102) 쪽으로 흐르고, 이 조건은 도 2의 모델에 따라 커패시터의 방전에 대응한다.
이제, 종래 기술 해법의 단점과 관련하여 본 발명에 의해 제공되는 해법을 도 3을 참조하여 개략적으로 설명한다.
도 3은 적어도 하나의 트랜지스터(2)를 제어하는 장치(1)를 보인 도이다. 여기에서 설명하는 예에 있어서, 이 트랜지스터는 더 일반적으로 인버터 또는 정류기라고 알려져 있는 정지형 컨버터, 예를 들면 DC-DC 전압 컨버터 또는 DC-AC 전압 컨버터의 분기의 일부를 형성한다. 프리휠 다이오드(도시 생략됨)가 트랜지스터(2)와 역평행으로 설치되어 상기 분기에 대한 스위칭 셀을 형성할 수 있다.
여기에서 설명하는 예에 있어서, 상기 트랜지스터(2)는 IGBT형의 것이고 제어 전극(게이트)과 2개의 다른 전극(에미터, 컬렉터)을 포함한다.
여기에서 설명하는 예에 있어서, 분기의 모든 트랜지스터는 상기 분기가 단락 회로를 발생하는 방식으로 동시에 전도 상태로 될 수 있다. 이때 상기 제어 전극이 아닌 트랜지스터(2)의 다른 전극들 사이에서 흐르는 전류가 크게 증가할 수 있다.
상기 장치(1)는 또한,
- 트랜지스터(2)의 게이트에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로(3)와,
- 도 3에 개략적으로 도시된 보조 제어 회로(5)를 포함한다.
보조 제어 회로(5)는, 도 3의 예에서, 상기 주 제어 회로(3)에 직렬 접속된 제어 저항(14)과 상기 트랜지스터(2)의 게이트 사이에 배치된 노드(12)에서, 뒤에서 설명하는 바와 같이, 보조 전류(ig0)를 상기 트랜지스터(2)의 게이트에 주입함으로써 보조 동작 모드를 이용하도록 구성된다.
도 3에 도시된 것처럼, 보조 제어 회로(5)는 보조 동작 모드를 사용하기 전에 미리 정해진 조건의 존재를 검출하도록 구성된 요소(16)를 포함할 수 있다. 여기에서 설명하는 예에서, 상기 미리 정해진 조건은 트랜지스터의 에미터에서 전류의 시간 도함수의 값과 역치 간의 비교 결과에 관련된다. 상기 미리 정해진 조건은 특히 상기 트랜지스터(2)가 일부를 형성하는 분기에서 단락 회로가 발생한 때 상기 트랜지스터(2)의 컷오프가 발생하였는지 여부를 결정할 수 있게 한다. 상기 단락 회로의 발생은 트랜지스터(2)가 컷오프될 때 상기 트랜지스터(2)의 에미터와 컬렉터 사이에서 흐르는 전류의 시간 도함수에 있어서의 갑작스러운 변화에 의해 표시된다. 따라서, 상기 역치는 단락 회로가 발생한 때 트랜지스터의 컷오프가 검출되게 하는 방식으로 선택될 수 있다.
이 경우에, 상기 검출 요소(16)는 트랜지스터(2)의 기생 인덕턴스(19)의 단자에서의 전압을 측정한다. 만일 트랜지스터가 컨버터 분기의 하부에 위치하면, 이 전압은 트랜지스터(2)의 제어 그라운드와 트랜지스터(2)의 전력 그라운드 사이에서 나타나고, 상기 2개의 그라운드는 사용하는 트랜지스터 모듈에서 접근가능하다.
상기 검출 요소(16)가 상기 측정치와 전압 역치를 비교한 결과에 따라서, 상기 트랜지스터(2)가 컷오프인 때 커맨드가 스위치(18)에 인가되어 보조 전류(ig0)의 주입을 허가하거나 금지시킨다. 이 스위치(18)는 예를 들면 전기 에너지 소스(20)와 노드(12) 사이에 직렬로 설치된다. 전기 에너지 소스(20)는 예를 들면 15 V의 전압을 제공하고, 이 예에서 주 제어 회로(3)의 일부를 형성한다.
만일 필요하면, 저항(22)이 또한 보조 제어 회로(5)에 통합될 수 있다.
노드(12)에 주입되는 전류(ig0)는 트랜지스터(2)의 게이트에 흐르는 전류(ig)와 반대가 되도록 선택된다. 따라서 트랜지스터의 게이트에 흐르는 전류는 ig로 되는 것이 중지되고 ig - ig0로 된다. 전류(ig0)의 진폭은 1-10 A의 범위일 수 있다.
트랜지스터(2)가 컷오프인 때, 즉 도 2 및 도 3의 모델에 따른 커패시터가 방전될 때, 트랜지스터(2)의 게이트에 흐르는 전류는 감소되고, 이것에 의해 트랜지스터(2)의 에미터와 컬렉터 사이에서 흐르는 전류의 시간적 변화가 또한 감소된다. 전술한 바와 같이, 이 시간적 변화는 과전압으로의 상승을 제공하여 트랜지스터(2)를 열화시킬 수 있다. 따라서 트랜지스터의 단자에서 나타나는 과전압은 트랜지스터가 컷오프인 때 감소된다.
도 4는 장치(1)의 일례의 구조를 보인 도이다. 트랜지스터(2)는 다른 트랜지스터(28)를 인덕턴스의 형태로 도시한 분기(27)에 속하고, 그래서 분기(27)에서 단락 회로의 확립은 트랜지스터(2)의 상태에만 의존한다.
도시된 것처럼, 요소(16)는 바이폴라 트랜지스터(30)와 2개의 저항(31, 32)을 포함한다. 이 예에서, 트랜지스터(30)는 NPN형의 것이다. 그 에미터는 트랜지스터(2)의 에미터에 직접 접속되고, 그 베이스는 저항(31)의 제1 단부에 직접 접속되며, 저항(31)의 제2 단부는 트랜지스터(2)의 출력 단자에 접속되고, 트랜지스터(2)의 출력 단자는 정지형 컨버터의 분기에서 트랜지스터(2)의 위치에 따라 그라운드에 접속될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 저항(32)은 트랜지스터(30)의 베이스와 그 에미터 사이에 설치된다.
따라서, 요소(16)는 트랜지스터(2)의 에미터와 그 출력 단자 사이에 있는 기생 인덕턴스의 단자에서 전압을 측정할 수 있다. 만일 인덕턴스(19)의 단자에서의 전압이 역치보다 더 커지면, 트랜지스터(30)는 상태를 변경하여 전도 상태로 되고, 이러한 상태 변경은 스위치(18)에 의해 인지되어 스위치(18)를 닫음으로써 전류(ig0)가 전기 에너지 소스(20)로부터 노드(12)로 주입되게 한다.
도 4에 도시된 예에서, 상기 스위치(18)는 MOSFET형의 전계 효과 트랜지스터이고, 2개의 저항(36, 37)과 연합된다. 저항(36)은 트랜지스터(18)의 게이트와 바이폴라 트랜지스터(30)의 컬렉터 사이에 개재되고, 저항(37)은 트랜지스터(18)의 게이트와 소스 사이에 개재된다. 전기 에너지 소스(20)는 트랜지스터(18)의 소스에 접속된다. 트랜지스터(18)의 드레인은 저항(22)에 또한 접속된다.
예를 들면 하기의 수치들이 도 4의 제어 장치(1)의 요소들에 대하여 선택된다. 저항(14, 22, 31, 32, 36, 37)들은 각각 4.7 Ω, 1 Ω, 100 Ω, 1 kΩ, 4.7 Ω 및 1 kΩ의 임피던스를 갖는다. 전기 에너지 소스(20)는 약 15 V의 전압을 공급한다. 기생 인덕턴스(19)는 예를 들면 2.7 nH의 값을 갖는다.
도 5는 하기의 것들을 도시하고 있다.
- 그 상부에서, 트랜지스터(2)의 컬렉터와 에미터 간의 전압의 변화(V),
- 그 중간부에서, 트랜지스터(2)의 게이트와 에미터 간의 전압의 변화(V),
- 그 하부에서, 트랜지스터(2)의 컬렉터로부터 에미터로 흐르는 전류의 변화(kA).
여기에 도시한 예에서, 트랜지스터(2)는 순간 5 ㎲와 15 ㎲ 사이에서 전도하고 15 ㎲에서 컷오프된다. 다른 트랜지스터(28)용으로 선택된 모델 때문에, 단락 회로는 순간 5 ㎲와 15 ㎲ 사이에서 분기(27)에 확립된다.
도 5의 각 부분에서, 곡선 a는 도 1에 따른 장치(100)에 대응하고 곡선 b는 도 4에 따른 장치(1)에 대응한다. 도 5의 하부에서 알 수 있는 바와 같이, 트랜지스터(2)의 컷오프 상태로의 변화에 기인하는 트랜지스터(2)의 에미터와 컬렉터 사이에서 흐르는 전류의 감소는 본 발명에 따른 보조 제어 회로(5)가 보조 전류(ig0)를 트랜지스터(2)의 제어 전극에 주입할 때 훨씬 더 느려진다. 따라서, 도 5의 상부에 도시한 것처럼, 트랜지스터(2)의 컬렉터와 에미터 사이에서 순간 15 ㎲에 나타나는 과전압은 크게 감소된다.
예를 들면, 곡선 a에 따른 과전압은 약 250 V 이상이고 곡선 b에 따른 과전압은 약 80 V에 불과하다는 것을 도 5의 상부로부터 알 수 있다. 따라서, 이 과전압 및 그와 관련된 부정적인 결과는 크게 감소된다.
이제, 도 3에 도시한 제어 장치(1)의 다른 예시적인 실시형태를 도 6을 참조하면서 설명한다. 이 경우에, 검출 요소(16)는 게이트가 트랜지스터(2)의 출력 단자에 접속되고 소스가 제1 저항(40)과 커패시터(41)의 병렬 구성에 의해 형성된 필터를 통하여 트랜지스터(2)의 에미터에 접속된 MOSFET 형의 전계 효과 트랜지스터(30)를 포함한다.
또한, 저항(43)이 트랜지스터(2)의 게이트와 그 에미터 사이에 접속된다.
이 예에서, 장치(1)는 푸시풀형의 전력 증폭기(44)를 포함한다. 이 회로(44)는 공통 컬렉터 회로에서 동일한 이득을 갖는 PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터를 이용하여 공지의 방법으로 형성된다. 이들 트랜지스터의 베이스는 또한 직접 접속된다.이 예에서, 저항(14)은 주 제어 회로(3)와 회로(44)의 트랜지스터들의 베이스 사이에 개재되고, 다른 저항(45)은 푸시풀 회로(44)와 트랜지스터(2) 사이에 개재된다.
이 예에서 보조 제어 회로(5)의 스위치(18)는 게이트가 검출 요소(16)의 트랜지스터(30)의 드레인에 접속되고 소스가 전기 에너지 소스(20)에 접속되며 드레인이 회로(44)의 트랜지스터들의 베이스에 접속된 MOSFET 트랜지스터이다.
제2 저항(50)은 MOSFET 트랜지스터(18)와 연합되고, 상기 제2 저항(50)은 이 트랜지스터(18)의 게이트를 그 소스에 접속한다.
이 예에서, 역치는 분기(27)에서의 단락 회로 후에 트랜지스터(2)가 컷오프될 때 초과되도록 선택되지 않는다. 역치는 분기(27)에서 이전에 단락 회로가 발생하지 않고 트랜지스터(2)가 컷오프될 때 초과될 수 있다.
예를 들면 하기의 수치들이 도 6의 제어 장치(1)의 요소들에 대하여 선택된다. 저항(14, 40, 43, 45, 50)들은 각각 100 Ω, 200 Ω, 47 kΩ, 3 Ω 및 1 kΩ의 임피던스를 갖는다. 전기 에너지 소스는 약 15 V의 전압을 제공한다. 기생 인덕턴스(19)는 예를 들면 2 nH의 값을 갖는다. 커패시터(41)는 예를 들면 220 pF의 용량을 갖는다. 이 예에서, 제1 저항(40)과 제2 저항(50) 간의 비율은 5이고, 이 비율은 기생 인덕턴스(19)의 단자에서의 전압이 트랜지스터(2)가 열화되지 않는 값으로 고정되게 한다.
만일 기생 인덕턴스(19)의 단자들에서의 전압이 역치 이상이면, 트랜지스터(30)는 전도 상태로 되어 트랜지스터(18)를 또한 전도 상태로 만든다. 이때 전류(ig0)는 소스(20)로부터 트랜지스터(18) 및 회로(44)를 통하여 트랜지스터(2)의 게이트까지 흐를 수 있다.
본 발명은 여기에서 설명한 예로 제한되지 않는다.
특히, 여기에서는 트랜지스터(2)를 IGBT형 트랜지스터로서 설명하였지만, 트랜지스터(2)는 전계 효과 트랜지스터 또는 바이폴라 트랜지스터일 수 있다.
비록 여기에서 설명한 예에서는 하나의 트랜지스터만이 제어 장치(1)에 의해 제어되고 있지만, 정지형 컨버터의 동일 분기 내의 복수의 트랜지스터가 그들의 컷오프를 강제하도록 장치(1)에 의해 제어될 수 있다.
여기에서 사용하는 용어 "포함하는"("comprising a")은 다르게 특정하지 않는 한 "적어도 하나를 포함하는"의 표현과 동의어로서 이해하여야 한다.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 트랜지스터(2)를 제어하는 장치(1)에 있어서,
    - 제어 전극 및 2개의 다른 전극을 구비한 상기 트랜지스터(2)와,
    - 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터(2)의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로(3)와,
    - 보조 동작 모드에서, 상기 주 제어 회로(3)와 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극 간에 흐르는 전류(ig)에 반대되는 보조 전류(ig0)를 주입하도록 구성된 보조 제어 회로(5)와,
    - 상기 주 제어 회로(3)와 상기 트랜지스터의 제어 전극 사이에 배치된 전력 증폭기 회로(44)로서, 상기 보조 제어 회로(5)는, 상기 보조 동작 모드가 사용될 때 상기 주입된 보조 전류(ig0)가 상기 전력 증폭기 회로(44)를 통해 흐르게 하는 방식으로 구성되고, 상기 보조 동작 모드는 미리 정해진 조건이 존재할 때 사용되고, 상기 미리 정해진 조건은 상기 제어 전극 이외의 상기 트랜지스터(2)의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 값과 관련된 것인, 전력 증폭기 회로(44)와,
    - 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극 이외의 상기 트랜지스터(2)의 전극들 중 하나의 기생 인덕턴스(19)의 단자들에서의 전압을 측정하도록 구성된, 상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소(16)
    를 포함하는 트랜지스터(2) 제어 장치(1).
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극과 상기 주 제어 회로(3) 사이에 개재된 제어 저항(14)을 포함하고, 상기 보조 제어 회로(5)는 상기 제어 저항(14)과 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극 간에 개재된 노드(12)에 상기 보조 전류(ig0)를 주입하도록 구성된 것인, 트랜지스터(2) 제어 장치(1).
  6. 제1항에 있어서, 상기 보조 제어 회로(5)는 설정 값 주위에서 상기 제어 전극 이외의 상기 트랜지스터(2)의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 값을 고정(locking)하도록 구성된 것인, 트랜지스터(2) 제어 장치(1).
  7. 제6항에 있어서, 상기 보조 제어 회로(5)는,
    - 상기 트랜지스터(2)의 다른 전극들 중 하나와 상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소(16)의 일부를 형성하는 트랜지스터(30) 사이에 직렬로 접속된 제1 저항(40)과,
    - 상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소(16)의 일부를 형성하는 상기 트랜지스터(30)와 전압원(20) 사이에 직렬로 접속된 제2 저항(50)을 포함하며,
    상기 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소(16)의 트랜지스터(30)에 접속된 상기 제2 저항(50)의 단자는, 보조 전류가 주입될 때 그 보조 전류(ig0)가 흐르는 트랜지스터(18)의 제어 전극에 추가로 접속되고,
    상기 고정(locking)은 상기 제1 저항(40)과 상기 제2 저항(50) 간의 비율 값의 선택에 의해 달성되는 것인, 트랜지스터(2) 제어 장치(1).
  8. 장치(1)에 의해, 제어 전극 및 2개의 다른 전극을 구비한 트랜지스터(2)를 제어하는 방법에 있어서,
    상기 장치(1)는, 상기 트랜지스터(2) 외에,
    - 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극에 접속되고 주 동작 모드에서 상기 트랜지스터(2)의 상태를 제어하도록 구성된 주 제어 회로(3)와,
    - 보조 제어 회로(5)와,
    - 전력 증폭기 회로(44)와,
    - 상기 트랜지스터(2)의 상기 제어 전극 외의 전극들 중 하나의 기생 인덕턴스의 단자들에서의 전압을 측정함으로써 미리 정해진 조건의 존재를 검출하기 위한 요소
    를 포함하고,
    상기 미리 정해진 조건은 상기 제어 전극 이외의 상기 트랜지스터(2)의 전극들 간에 흐르는 전류의 시간 도함수의 값과 관련된 것이고,
    상기 방법은,
    - 상기 보조 제어 회로에 의해, 보조 동작 모드에서, 상기 주 제어 회로(3)와 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극 간에 흐르는 전류에 반대되는 보조 전류(ig0)를 상기 트랜지스터(2)의 제어 전극에 주입하는 단계
    를 포함하고,
    상기 전력 증폭기 회로(44)는 상기 주 제어 회로(3)와 상기 트랜지스터의 제어 전극 사이에 배치되고, 상기 보조 제어 회로(5)는, 상기 보조 동작 모드가 사용될 때 상기 주입된 보조 전류(ig0)가 상기 전력 증폭기 회로(44)를 통해 흐르게 하는 방식으로 구성되고,
    상기 보조 동작 모드는 상기 미리 정해진 조건이 검출될 때 사용되는 것인, 트랜지스터(2) 제어 방법.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서, 상기 트랜지스터(2)는 정지형 컨버터의 분기(branch)(27)에 속하는 것이고, 상기 분기는 상기 트랜지스터(2)와 직렬인 적어도 하나의 스위칭 셀(switching cell)을 추가로 포함하며, 상기 방법에서 상기 미리 정해진 조건은 단락(short circuit)이 상기 분기(27)에서 앞서 발생되었을 때 상기 트랜지스터(2)가 컷오프(cut off)되는지를 결정할 수 있게 하는 것인, 트랜지스터(2) 제어 방법.
  11. 삭제
KR1020157003149A 2012-07-13 2013-07-11 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치 KR102060217B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1256834 2012-07-13
FR1256834A FR2993422B1 (fr) 2012-07-13 2012-07-13 Dispositif de commande d'au moins un transistor
PCT/FR2013/051664 WO2014009668A1 (fr) 2012-07-13 2013-07-11 Dispositif de commande d'au moins un transistor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150036409A KR20150036409A (ko) 2015-04-07
KR102060217B1 true KR102060217B1 (ko) 2019-12-27

Family

ID=47191886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157003149A KR102060217B1 (ko) 2012-07-13 2013-07-11 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9484907B2 (ko)
EP (1) EP2873153B1 (ko)
JP (1) JP6431840B2 (ko)
KR (1) KR102060217B1 (ko)
CN (1) CN104508980B (ko)
FR (1) FR2993422B1 (ko)
HU (1) HUE044498T2 (ko)
WO (1) WO2014009668A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105814781B (zh) * 2013-11-14 2018-10-12 Tm4股份有限公司 换向单元、电力变换器和具有动态控制的电压增益的补偿电路
FR3041193B1 (fr) * 2015-09-11 2018-11-09 Valeo Systemes De Controle Moteur Dispositif electronique de controle d'un commutateur, notamment pour vehicule automobile
FR3043287B1 (fr) * 2015-10-28 2017-12-22 Valeo Systemes De Controle Moteur Dispositif de commande pour transistors
FR3056859B1 (fr) * 2016-09-23 2018-11-30 Alstom Transport Technologies Procede de pilotage d'un transistor du type igbt et dispositif de pilotage associe
FR3068848B1 (fr) * 2017-07-06 2019-08-23 Alstom Transport Technologies Circuit de protection contre les courts-circuits de dispositif de commutation pour transistor sic ou gan mosfet et procede associe

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005520477A (ja) 2002-07-10 2005-07-07 オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー 過電圧を制限する方法および回路構成
JP2005253183A (ja) 2004-03-03 2005-09-15 Mitsubishi Electric Corp 車両用電力変換装置
JP2009290749A (ja) 2008-05-30 2009-12-10 Mitsubishi Electric Corp 電力素子駆動回路
JP2012039458A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Honda Motor Co Ltd 半導体素子の駆動装置及び方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2671241B1 (fr) * 1990-12-27 1997-04-30 Peugeot Circuit de commande d'un transistor de puissance utilise en commutation forcee.
JP3132648B2 (ja) * 1996-09-20 2001-02-05 富士電機株式会社 電力変換器におけるゲート駆動回路
US6459324B1 (en) * 2000-10-23 2002-10-01 International Rectifier Corporation Gate drive circuit with feedback-controlled active resistance
JP4752811B2 (ja) * 2007-06-06 2011-08-17 日産自動車株式会社 電圧駆動型素子の駆動回路
US8593773B2 (en) * 2008-11-05 2013-11-26 Osram Gesellschaft Mit Berschraenkter Haftung Half-bridge circuit protected against short circuits and having semiconductor switches
FR2944391B1 (fr) 2008-11-18 2013-03-22 Valeo Sys Controle Moteur Sas Procede et dispositif electrique combine d'alimentation et de charge a moyens de compensation
WO2011052398A1 (ja) * 2009-10-26 2011-05-05 日産自動車株式会社 スイッチング素子の駆動回路および電力変換装置
JP5423377B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-19 三菱電機株式会社 イグナイタ用電力半導体装置
US8749278B2 (en) * 2010-08-09 2014-06-10 Honda Motor Co., Ltd. Semiconductor device driving unit and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005520477A (ja) 2002-07-10 2005-07-07 オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー 過電圧を制限する方法および回路構成
JP2005253183A (ja) 2004-03-03 2005-09-15 Mitsubishi Electric Corp 車両用電力変換装置
JP2009290749A (ja) 2008-05-30 2009-12-10 Mitsubishi Electric Corp 電力素子駆動回路
JP2012039458A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Honda Motor Co Ltd 半導体素子の駆動装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2993422A1 (fr) 2014-01-17
EP2873153B1 (fr) 2019-02-13
JP6431840B2 (ja) 2018-11-28
EP2873153A1 (fr) 2015-05-20
US20150180462A1 (en) 2015-06-25
WO2014009668A1 (fr) 2014-01-16
CN104508980A (zh) 2015-04-08
US9484907B2 (en) 2016-11-01
HUE044498T2 (hu) 2019-10-28
KR20150036409A (ko) 2015-04-07
CN104508980B (zh) 2018-10-26
FR2993422B1 (fr) 2015-05-01
JP2015525034A (ja) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102060217B1 (ko) 적어도 하나의 트랜지스터를 제어하는 장치
US9461457B2 (en) Driver for target switching element and control system for machine using the same
CN103208908B (zh) 开关元件的驱动器及使用该驱动器的旋转机器的控制系统
US9059709B2 (en) Gate drive circuit for transistor
US9825555B2 (en) Semiconductor control device, switching device, inverter, and control system
US8134350B2 (en) Device for precharging a voltage converter, and an assembly and aircraft including such a device
US20150123637A1 (en) Power supply device
JP5195220B2 (ja) 電力変換回路の駆動回路
CN104852714A (zh) 栅极驱动器
JP5812191B2 (ja) 電力変換器
US9130366B2 (en) Electronic ignition system for an engine of a vehicle in case of failure
KR20140069147A (ko) 보호 기능이 구비된 스위칭 전원 회로
US11251790B2 (en) Power relay assembly for an electric vehicle and driving method thereof
JP5328917B2 (ja) Ｄｃ／ｄｃ変換器
JP2012186605A (ja) 電力用半導体素子の駆動保護回路
KR102087702B1 (ko) 전기차용 파워 릴레이 어셈블리 구동 장치 및 방법
JP4350295B2 (ja) 半導体装置および半導体装置モジュール
KR20200084455A (ko) Fail-Safety 기능을 구비하는 파워 릴레이 어셈블리 및 그 구동 방법
US9088159B2 (en) Limiting circuit for a semiconductor transistor and method for limiting the voltage across a semiconductor transistor
US10615682B2 (en) Electrically driven vehicle inverter device
CN210007436U (zh) 防止反向电压的电路
CN219287363U (zh) 一种用于逆变器的过流保护电路和逆变器
US20230253783A1 (en) Method for reducing in-rush currents in battery charging applications
CN210806716U (zh) 一种电动汽车电机控制器驱动电源过流保护电路
CN220492637U (zh) 一种防正负浪涌电流冲击的抑制电路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right