CN104508980A - 用于控制至少一个晶体管的装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于控制至少一个晶体管(2)的装置(1)，包括：所述晶体管(2)，该晶体管包括控制电极和两个其他电极，主控制电路(3)，其连接至所述晶体管(2)的控制电极，并且构造为，在主操作模式中，控制所述晶体管(2)的状态，以及辅助控制电路(5)，其构造为，在辅助操作模式中，注入与在主控制电路(3)和晶体管(2)的控制电极之间流动的电流相反的辅助电流(i_g0)。

Description

用于控制至少一个晶体管的装置

技术领域

本发明涉及一种用于控制至少一个晶体管的装置。

背景技术

晶体管通常用于静态转换器的分支的构造。这些晶体管通常由控制电路控制，控制电路也被称为“驱动器”，并且控制电路构造为将电流注入晶体管的控制电极以使其导通并且当晶体管被切断时使得电流能够从该控制电极被接收。

当晶体管被切断时，在其端子处可出现过电压，为了本发明的目的，在晶体管的端子处的电压是晶体管的除了晶体管控制电极之外的电极之间的电压。当晶体管被切断时在晶体管的端子的过电压的出现的示例在下文中给出。

当晶体管属于产生短路的分支时，在该分支中流动的电流显著升高。期望切断晶体管，以避免由于在该分支中流动的高电流而导致的晶体管的过热。然而，当晶体管以这种方式被切断时，在其端子处可能出现相当大的过电压，因为在晶体管的端子处的电压可能变成等于分支的电压和在晶体管中的寄生电感的端子处的电压的和。该过电压可能使晶体管退化或甚至损毁晶体管。

从而存在当晶体管被切断时降低在晶体管中出现的过电压的需要，特别是在晶体管属于静态转换器的分支并且当所述分支形成短路时晶体管随后被切断的情况下。

已知的用于降低该过电压的解决方案包括：

-通过高电压二极管，以及如果需要的话通过串联的齐纳二极管和电阻，来限制晶体管的除了控制电极之外的电极之间的电压，

-使用晶体管的控制电路，该控制电路设定了用于晶体管的控制电极的两个不同电势值，即对应于晶体管切换到导通状态的第一值，和对应于切断晶体管的低于第一值的第二值。由于当晶体管被切断时控制电极的电势较低，从而降低了过电压，

-在控制电极和控制电路之间提供两个不同的栅极电阻，一个栅极电阻用于当晶体管所属的分支产生短路时切断晶体管，而另一个用于其他切断情况，用于在短路情况下切断晶体管的栅极电阻具有的值高于另一栅极电阻，以限制过电压。

这些解决方案都不能实现下列因素之间的令人满意的折衷：解决方案的成本、反应速度、由该解决方案的实施所占据的空间、以及当解决方案实施时导致的电损失。

存在对克服前述解决方案的缺点的需求。

发明内容

本发明意于满足这种需求，并且根据本发明的一个方面，本发明借助于用于控制至少一个晶体管的装置而实现了该目标，所述装置包括：

-所述晶体管，该晶体管包括控制电极和两个其他电极，

-主控制电路，其连接至晶体管的控制电极并且构造为在主操作模式中控制晶体管的状态，以及

-辅助控制电路，其构造为在辅助操作模式中注入与在主控制电路和晶体管的控制电极之间流动的电流相反的辅助电流。

本发明特别地利用这样的事实，当晶体管被切断时，其用作晶体管的控制电极和其它电极中的一个之间的电容。由于辅助电流的注入导致的从控制电极流向主控制电路的电流的减小使得能够降低在晶体管的其它电极之间流动的电流的时间性变化，并且从而能够降低部分地由于寄生电感产生的晶体管中的过电压。

因此，辅助电流的注入使得可以从时间意义上减缓晶体管的除了其控制电极之外的电极之间流动的电流的变化。

根据本发明的辅助控制电路可当在晶体管的一个或多个寄生电感的端子处检测到高电压出现时提供快速反应，而不会在装置中占用大量空间，不会产生高的成本，并且不会导致高损耗。

此外，辅助控制电路可与传统驱动器兼容并且可用于补充传统的驱动器。

为了本发明的目的，术语“连接”在没有进一步限定的情况下可表示“直接连接”，也就是说没有任何中间部件，或“间接连接”，也就是说经由一个或多个中间部件。

在主操作模式中，仅主控制电路与晶体管相互作用，而在辅助操作模式中，辅助控制电路也与晶体管相互作用。

辅助模式的使用可以取决于预定条件的存在。

预定条件可涉及在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数值，或更精确地，涉及该值与阈值的比较结果。

辅助控制电路可被构造为，当电流从晶体管的控制电极流向主控制电路时，注入辅助电流。该情况对应于晶体管的切断。该切断能够以受控的方式实现。

如果在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数的该值大于阈值，可通过注入辅助电流来使用辅助操作模式。如果晶体管形成了静态转换器的分支的一部分，该阈值可被选择为当短路在所述分支中已经发生之后晶体管被切断时被超过。由于该阈值已经被超过，当晶体管被切断时，有害的过电压可能出现在晶体管的端子处。

在变型中，阈值可被选择为当晶体管被切断而晶体管所属的分支中没有短路的初步产生时被超过。

该装置可包括用于检测预定条件存在的元件。该元件，例如是用于测量跨过晶体管的另一电极的寄生电感的端子的电压。该电压测量值是在该电极中流动的电流的时间导数的线性图像，该电压测量值使得能够进行前述的比较。所关注的寄生电感具有例如是几nH的数量级的值。

该装置可包括插置在控制电极和主控制电路之间的控制电阻(类似于上述栅极电阻)。辅助控制电路可被布置为将辅助电流注入插置在控制电阻和控制电极之间的节点中。通过与已知的解决方案对比，例如没有提供用于晶体管的切断的具体情况的其他控制电阻。

该装置可包括功率放大电路，特别是“推挽”类型的，该功率放大电路定位在主控制电路和晶体管的控制电极之间，该辅助控制电路布置为使得，当使用辅助操作模式时，被注入的辅助电流流动通过功率放大电路。因为功率放大电路的辅助控制电路上游的位置，该辅助控制电路的部件可被设计用于较低功率，并且它们的成本也较低。

辅助控制电路可被构造为将在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数值锁定在设定值附近。该设定值可选择为防止该晶体管的退化。该设定值可低于或等于阈值，该阈值可被选择为或不被选择为当分支已经产生短路后晶体管被切断时或当无论该短路是否产生而晶体管被切断时被超过。

辅助控制电路包括，例如：

-第一电阻，其串联在晶体管的其它电极中的一个和形成用于检测预定条件存在的元件的一部分的晶体管之间，以及

-第二电阻，其串联在所述形成用于检测预定条件存在的元件的一部分的晶体管和电压源之间，连接到用于检测预定条件存在的元件的晶体管的该第二电阻的端子还额外地连接到当辅助电流注入时该辅助电流所流过的晶体管的控制电极。

还锁定可通过选择第一和第二电阻之间的比值而实现。该比值例如在1-10的范围内，例如等于5。

在一个变型中，该装置可不包括这种类型的功率放大电路。

在进一步的变型中，该装置可包括功率放大电路，特别是“推挽”类型的，该功率放大电路定位在主控制电路和控制电极之间，该辅助控制电路布置为使得，当使用辅助操作模式时，将电流注入在该功率放大电路和晶体管之间。

该晶体管为IGBT类型，控制电极为栅极。在该情况下，当晶体管被切断时，可认为电容器存在于晶体管的栅极和发射极之间。为了确定是否满足预定条件，可监控发射极的寄生电感中的电流的时间性变化。

在该情况下，且如果晶体管形成包括两个串联的晶体管的分支的一部分，发射极的寄生电感如下：

-对于在分支的下部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端(也称为“晶体管的控制发射极”)和电源接地端之间，

-对于在分支的上部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端和另一晶体管的集电极之间。

在一个变型中，晶体管可以是场效应晶体管，控制电极是栅极。在该情况下，当晶体管被切断时，可认为在晶体管的栅极和源极之间存在电容器。为了确定是否满足预定条件，可监控源极的寄生电感中的电流的时间性变化。

在该情况下，如果晶体管形成包括两个串联的晶体管的分支的一部分，源极的寄生电感如下：

-对于在分支的下部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端(也称为“晶体管的控制源极”)和电源接地端之间，

-对于在分支的上部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端和另一晶体管的漏极之间。

在一个变型中，晶体管可以是双极晶体管，控制电极是基极。在该情况下，当晶体管被切断时，可认为在晶体管的基极和发射极之间存在电容器。为了确定是否满足预定条件，可监控发射极的寄生电感中的电流的时间性变化。

在该情况下，如果晶体管形成包括两个串联的晶体管的分支的一部分，发射极的寄生电感如下：

-对于在分支的下部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端(也称为“晶体管的控制发射极”)和电源接地端之间，

-对于在分支的上部部分中的晶体管，寄生电感在晶体管的控制接地端和另一晶体管的集电极之间。

辅助控制电路可包括用于产生辅助电流的电能量源。该电能量源可形成辅助控制电路的一部分，或不形成辅助控制电路的一部分，例如与主控制电路共享。

该装置可用于控制多个晶体管，例如属于同一分支的多个晶体管或在同一分支中并联的多个晶体管或属于不同分支的多个晶体管。

该分支所属的静态转换器可形成车辆上车载电路的一部分，例如混合动力或电动车辆。该静态转换器可形成用于车辆的高电压电池的充电电路的一部分。在一个变型中，其可形成向车辆的电马达的转子或定子提供动力的电路的一部分。在进一步的变型中，其可形成为高电压电池充电的并且还为电马达的定子提供动力的电路的一部分，这种类型的电路的示例在申请WO2010/057893中公开。

该静态转换器可以是DC至DC电压转换器或DC至AC电压转换器，也称为换流器或整流器，取决于其使用。

在本发明的另一方面中，本发明还提出一种用于借助于一装置来控制晶体管的方法，该晶体管包括控制电极和两个其他电极，该装置除了晶体管外还包括：

-主控制电路，其连接至晶体管的控制电极并且构造为在主操作模式中控制晶体管的状态，以及

-辅助控制电路，其构造为在辅助操作模式中将辅助电流注入晶体管的控制电极中以抵抗在主控制电路和晶体管的控制电极之间流动的电流，

当预定条件存在时使用辅助操作模式。

预定条件可涉及在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数值，或更精确地，涉及该值与阈值的比较结果。

该阈值可被选择为，当晶体管所属的静态转换器的所述分支中已经产生短路后晶体管被切断时，被在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数所取的值超过。该分支可包括与晶体管串联的至少一个开关单元。在该情况下，辅助电路用于在分支中的短路后切断晶体管。

在一个变型中，该阈值可被选择为，当晶体管被切断时，被在晶体管的除了控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数所取的值超过，无短路不必已经发生在所述分支中。在该情况下，如果存在晶体管变得退化的风险，辅助电路可对晶体管的每次切断使用辅助模式。

为了检测预定条件，例如可以测量晶体管的除了控制电极外的电极中的一个的寄生电感的端子处的电压，例如在双极或IGBT晶体管情况下的发射极，或在场效应晶体管的情况下的源极。

关于上述装置提到的一些或所有特征可应用于控制方法。更具体地，该静态转换器可以是DC至DC电压转换器或DC至AC电压转换器。

附图说明

本发明将通过阅读其下列示例性实施例的描述并通过参照附图而被更容易地理解，其中：

图1以示意性的方式示出了根据现有技术的用于晶体管的控制装置，

图2以示意性的方式示出了当晶体管被切断时图1的装置的晶体管的等效模型，

图3以示意性的方式示出了根据本发明的控制装置，

图4示出了根据图3的装置的示例性实施例，

图5示出了与根据图1的装置和根据图4的装置的晶体管相关联的不同电量，以及

图6示出了根据图3的装置的另一示例性实施例。

具体实施方式

图1示出了根据现有技术的用于控制至少一个晶体管101的装置100的示例。除了晶体管101(其在该例中为IGBT类型的晶体管)之外，装置100包括主控制电路102，其有时被称为术语“驱动器”，构造为控制晶体管101的状态，。栅极电阻103插置在主控制电路102和晶体管101的栅极之间，在栅极和主控制电路102之间流动的电流经过该栅极电阻103。

图1还示出了晶体管101的发射极的寄生电感106。

图2示出了当晶体管101被切断时可用于晶体管101的栅极和发射极之间的等效模型。电流i_g从而从晶体管101的栅极朝向主控制电路流动，该情况对应于根据图2的模型的电容器的放电。

响应于现有技术解决方案的缺点而由本发明提出的解决方案现在将参考图3以示意性的方式描述。

图3示出了用于控制至少一个晶体管2的装置1。在这里描述的示例中，该晶体管形成静态转换器的分支的一部分，该静态转换器例如是DC至DC电压转换器或DC至AC电压转换器，更通常地成为换流器或整流器。续流二极管(未示出)可反并联于晶体管2装配，以形成用于该分支的开关单元。

在这里描述的示例中，晶体管2是IGBT类型的，并且包括作为栅极的控制电极以及作为发射极和集电极的两个其他电极。

在这里考虑的示例中，分支的所有晶体管可同时处于导通状态，使得分支可产生短路。在晶体管2的除了控制电极之外的电极之间流动的电流则可显著升高。

装置1还包括：

-主控制电路3，连接至晶体管2的栅极，并且构造为在主操作模式中控制晶体管的状态，以及

-辅助控制电路5，其在图3中以高度示意方式示出。

电路5构造为通过将辅助电流i_g0注入晶体管2的栅极而使用辅助操作模式，如下文中描述的，辅助电流i_g0在节点12处注入，该节点12在图3的示例中定位在晶体管2的栅极和与主控制电路3串联装配的控制电阻14之间。

如图3所示，辅助控制电路5可包括元件16，该元件构造为在使用辅助操作模式之前检测预定条件的存在。在这里描述的示例中，该预定条件涉及在晶体管发射极中的电流的时间导数值与阈值的比较。该预定条件，特别地，使得能够确定当分支(晶体管2形成该分支的一部分)中已经产生短路时晶体管2的切断是否发生，该短路的出现通过当晶体管2切断时在晶体管2的发射极和集电极之间流动的电流的时间导数的突变而指示。因此，阈值可被选择为使得当已经产生短路时检测到晶体管的该切断。

在本例中，检测元件16测量晶体管2的寄生电感19的端子处的电压。如果晶体管位于转换器分支的下部部分中，该电压出现在晶体管2的控制接地端和晶体管2的电源接地端，这两个接地端可在所使用的晶体管模块中取得。

根据由元件16进行的电压的阈值和测量值之间的比较，当晶体管2被切断时传递命令到开关18，以允许或防止辅助电流i_g0的注入。该开关18，例如在电源20和节点12之间串联装配。电能量源20传输例如将15V的电压，并且在描述的示例中该电源形成主控制电路3的一部分。

如果需要，阻抗22也可并入辅助控制电路5。

注入节点12的电流i_g0选择为使得其相反于在晶体管2的栅极中流动的电流i_g。因此，在晶体管的栅极中流动的电流不再为i_g并且变为i_g-i_g0。电流i_g0的幅值可以在1A到10A的范围内。

当晶体管2切断时，也就是当根据图2或3的模型的电容器放电时，在晶体管2的栅极中流动的电流减小，从而也减小了在晶体管2的发射极和集电极之间流动的电流的时间性(temporal)变化。如前所述，该时间性变化引起可使晶体管2退化的过电压。因此，当晶体管被切断时，在晶体管的端子处出现的过电压降低。

图4示出了装置1的示例的结构。晶体管2属于分支27，该分支的其他的晶体管28以电感的形式示出，使得分支27中的短路的建立仅取决于晶体管2的状态。

如示出的，元件16包括双极晶体管30以及两个电阻31、32。在该示例中，晶体管30是NPN类型的。晶体管30的发射极直接连接到晶体管2的发射极，而其基极直接连接到电阻31的第一端，该电阻31的第二端连接到晶体管2的输出端子，而晶体管2的输出端子可连接到接地端或可不连接到接地端，取决于静态转换器的分支中的晶体管2的位置。电阻32装配在晶体管30的基极和其发射极之间。

因此，元件16使得能够测量寄生电感19的端子处的、存在于晶体管2的发射极和其输出端子之间的电压。如果在电感19的端子处的电压变得大于阈值，那么晶体管30改变状态并且变为导通，并且该状态变化被开关18感知，导致开关18闭合，以允许电流i_g0从电能量源20注入节点12。

在图4的示例中，开关18是MOSFET类型的场效应晶体管，并且与两个电阻36和37相关联。电阻36插置在晶体管18的栅极和双极晶体管30的集电极之间，而电阻37插置在晶体管18的栅极和源极之间。电能量源20连接到晶体管18的源极。晶体管18的漏极还连接到电阻22。

下列数值，例如选择为用于图4的控制装置1的元件。电阻14、22、31、32、36和37分别具有4.7Ω、1Ω、100Ω、1kΩ、4.7Ω和1kΩ的阻抗。电能量源20供应约15V的电压。寄生电感19具有例如2.7nH的值。

图5示出：

-在其上部部分中，在晶体管2的集电极和发射极之间的电压变化(以V计)，

-在其中部部分中，在晶体管2的栅极和发射极之间的电压变化(以V计)，

-在其下部部分中，从晶体管2的集电极流向发射极的电流变化(以kA计)。

在这里示出的示例中，晶体管2在时刻5μs和15μs之间是导通的，并且在15μs时被切断。因为为另一晶体管28选择的模型，在时刻5μs和15μs之间在分支27中建立短路。

在图5的每个部分中，曲线a)对应于根据图1的装置100，而曲线b)对应于根据图4的装置1。如可在图5的下部部分中看到的，由于晶体管2的到切断状态的变化而导致的晶体管2的集电极和发射极之间流动电流的减小与当根据本发明的辅助控制电路5将辅助电流i_g0注入到晶体管2的控制电极中时相比慢得多。因此，如在图5的上部部分中示出的，时刻15μs时出现在晶体管2的集电极和发射极之间的过电压显著降低。

例如，可在该图5的上部部分中看出，根据曲线a)的过电压是大于250V的数量级，而根据曲线b)的过电压仅仅是约80V的数量级。从而该过电压以及与其相关联的负面影响显著降低。

图3中示出的控制装置1的另一个示例性实施例将参考图6描述。在该情况下，检测元件16包括MOSFET类型的场效应晶体管30，该晶体管30的栅极连接到晶体管2的输出端子，而该晶体管30的源极经由滤波器连接到晶体管2的发射极，该滤波器通过第一电阻40和电容器41的并联布置而形成。

此外，电阻43连接在晶体管2的栅极和其发射极之间。

在该示例中，装置1包括推挽类型的功率放大器44。该电路44以已知的方式形成，使用在共用集电极电路中具有相同增益的NPN晶体管和PNP晶体管。这些晶体管的基极也直接连接。在该示例中，电阻14插置在主电路3和电路44的晶体管的基极之间，而另一电阻45插置在推挽电路44和晶体管2之间。

辅助控制电路5的开关18在该示例中是MOSFET晶体管，该MOSFET晶体管的栅极连接到检测元件16的晶体管30的漏极，该MOSFET晶体管的源极连接到电能量源20，并且该MOSFET晶体管的漏极连接到电路44的晶体管的基极。

第二电阻50与晶体管MOSFET 18关联，而晶体管MOSFET 18将该晶体管18的栅极连接到其源极。

在该示例中，阈值不被选择为当在分支27中的短路之后晶体管2被切断时被超过。当晶体管2被切断而在分支27中没有短路的前述产生时，该阈值可被超过。

下列数值，例如选择为用于图6的控制装置1的元件。电阻14、40、43、45和50分别具有100Ω、200Ω、47kΩ、3Ω和1kΩ的阻抗。电能量源提供约15V的电压。寄生电感19具有例如2nH的值。电容器41具有例如220pF的电容值。在该示例中，第一电阻40和第二电阻50之间的比值为5，并且该比值使得在寄生电感19的端子处的电压能够被锁定在不使晶体管2退化的值。

如果在寄生电感19的端子处的电压在阈值之上，晶体管30变得导通，从而也使得晶体管18导通。电流i_g0从而可从电源20流动通过晶体管18、电路44、以及直到晶体管2的栅极。

本发明并不限于上述示例。

特别地，虽然晶体管2已经被描述为IGBT类型的晶体管，但是其也可以是场效应晶体管或双极晶体管。

虽然在这里描述的示例中，仅一个晶体管被控制装置1控制，但在静态转换器的同一分支中的多个晶体管可被装置1控制以约束它们的切断。

术语“包括”将被理解为与术语“包括至少一个”同义，除非另外说明。

Claims (11)

1.一种用于控制至少一个晶体管(2)的装置(1)，包括：

-所述晶体管(2)，该晶体管包括控制电极和两个其他电极，

-主控制电路(3)，其连接至所述晶体管(2)的控制电极，并且构造为在主操作模式中控制所述晶体管(2)的状态，

-辅助控制电路(5)，其构造为在辅助操作模式中注入与在所述主控制电路(3)和所述晶体管(2)的控制电极之间流动的电流(i_g)相反的辅助电流(i_g0)，以及

-功率放大电路(44)，特别是“推挽”类型的，所述功率放大电路定位在所述主控制电路(3)和所述晶体管的控制电极之间，所述辅助控制电路(5)布置为使得，当使用所述辅助操作模式时，被注入的电流(i_g0)流动通过所述功率放大电路(44)。

2.如权利要求1所述的装置，当预定条件存在时，使用所述辅助操作模式。

3.如权利要求2所述的装置，所述预定条件涉及在所述晶体管(2)的除了所述控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数的值。

4.如权利要求3所述的装置，包括用于检测所述预定条件存在的元件(16)，所述元件构造为测量所述晶体管(2)的除了所述晶体管(2)的控制电极之外的电极中的一个的寄生电感(19)的端子处的电压。

5.如前述任一权利要求所述的装置，包括插置在所述主控制电路(3)和所述晶体管(2)的控制电极之间的控制电阻(14)，所述辅助控制电路(5)被布置为将所述辅助电流(i_g0)注入到插置在所述控制电阻(14)和所述晶体管(2)的控制电极之间的节点(12)中。

6.如权利要求1到5的任意一项所述的装置，所述辅助控制电路(5)被构造为将在所述晶体管(2)的除了所述控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数值锁定在设定值附近。

7.根据权利要求4和6所述的装置，其中所述辅助控制电路(5)还包括：

-第一电阻(40)，其串联在所述晶体管(2)的其它电极中的一个和形成用于检测所述预定条件存在的元件(16)的一部分的晶体管(30)之间，以及

-第二电阻(50)，其串联在形成用于检测所述预定条件存在的元件(16)的一部分的所述晶体管(30)和电压源(20)之间，连接到用于检测所述预定条件存在的元件(16)的晶体管(30)的该第二电阻(50)的端子还额外地连接到当辅助电流注入时所述辅助电流(i_g0)所流动通过的晶体管(18)的控制电极，

所述锁定通过选择所述第一电阻(40)和第二电阻(50)之间的比值而实现。

8.一种用于控制晶体管(2)的方法，所述晶体管(2)包括控制电极和两个其他电极，借助于装置(1)而控制，所述装置(1)除了所述晶体管(2)外还包括：

-主控制电路(3)，其连接至所述晶体管(2)的控制电极，并且构造为在主操作模式中控制所述晶体管(2)的状态，

-辅助控制电路(5)，其构造为在辅助操作模式中将辅助电流(i_g0)注入所述晶体管(2)的控制电极中以抵抗在所述主控制电路(3)和所述晶体管(2)的控制电极之间流动的电流，以及

-功率放大电路(44)，特别是“推挽”类型的，所述功率放大电路定位在所述主控制电路(3)和所述晶体管的控制电极之间，所述辅助控制电路(5)布置为使得，当使用所述辅助操作模式时，被注入的电流(i_g0)流动通过该功率放大电路(44)，

当检测到预定条件时使用所述辅助操作模式。

9.如权利要求8所述的方法，所述预定条件涉及在所述晶体管(2)的除了所述控制电极之外的电极之间流动的电流的时间导数值。

10.如权利要求9所述的方法，所述晶体管(2)属于静态转换器的分支(27)，所述分支额外地包括与所述晶体管(2)串联的至少一个开关单元，在该方法中，所述预定条件使得能够确定当短路在所述分支(27)中已经先发生时所述晶体管(2)是否切断。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述预定条件的存在通过测量所述晶体管(2)的除了控制电极之外的电极中的一个的寄生电感的端子处的电压而检测。