KR102047562B1 - 칩 전자부품 및 그 제조방법 - Google Patents

칩 전자부품 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102047562B1
KR102047562B1 KR1020140096821A KR20140096821A KR102047562B1 KR 102047562 B1 KR102047562 B1 KR 102047562B1 KR 1020140096821 A KR1020140096821 A KR 1020140096821A KR 20140096821 A KR20140096821 A KR 20140096821A KR 102047562 B1 KR102047562 B1 KR 102047562B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
magnetic
electronic component
chip electronic
pvb
Prior art date
Application number
KR1020140096821A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160014495A (ko
Inventor
박기현
안일호
곽태도
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020140096821A priority Critical patent/KR102047562B1/ko
Priority to US14/807,517 priority patent/US20160035484A1/en
Publication of KR20160014495A publication Critical patent/KR20160014495A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102047562B1 publication Critical patent/KR102047562B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/02—Casings
    • H01F27/022—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H01F27/255—Magnetic cores made from particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 내부 코일부가 매설된 자성체 본체를 포함하는 칩 전자부품에 있어서, 상기 자성체 본체는 금속자성입자; 열경화성 수지; 및 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 분산제;를 포함하는 칩 전자부품에 관한 것이다.

Description

칩 전자부품 및 그 제조방법{Chip electronic component and manufacturing method thereof}
본 발명은 칩 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
칩 전자부품 중 하나인 인덕터(inductor)는 저항, 커패시터와 더불어 전자회로를 이루어 노이즈(Noise)를 제거하는 대표적인 수동소자이다.
박막형 인덕터는 내부 코일부를 형성한 후, 자성입자 및 수지를 혼합시켜 형성한 자성체 시트를 적층, 압착 및 경화하여 제조한다.
한국공개특허 제2013-0072816호 일본공개특허 제2008-166455호
본 발명은 자성입자의 분산성 및 침강 안정성을 개선하고, 충진율을 향상시켜 높은 인덕턴스를 구현할 수 있는 칩 전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 내부 코일부가 매설된 자성체 본체를 포함하는 칩 전자부품에 있어서, 상기 자성체 본체는 금속자성입자; 열경화성 수지; 및 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 분산제;를 포함하는 칩 전자부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 자성입자의 우수한 분산 특성 및 침강 방지 효과를 얻을 수 있으며, 균일성이 높은 자성체 시트를 제조할 수 있다.
또한, 자성입자의 분산성이 개선됨에 따라 충진율이 향상되고, 높은 인덕턴스를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 내부 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도 4는 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 슬러리(slurry)의 침강 안정성(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 슬러리(slurry)의 침강 안정성(b)을 비교한 그래프이다.
도 5는 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 막 밀도(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 막 밀도(b)를 비교한 그래프이다.
도 6은 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 표면 조도(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 표면 조도(b)를 비교한 그래프이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
칩 전자부품
이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품을 설명하되, 특히 박막형 인덕터로 설명하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 내부 코일부가 나타나게 도시한 개략 사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선에 의한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 칩 전자부품의 일 예로써 전원 공급 회로의 전원 라인에 사용되는 박막형 인덕터(100)가 개시된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품(100)은 자성체 본체(50), 상기 자성체 본체(50)의 내부에 매설된 내부 코일부(42, 44) 및 상기 자성체 본체(50)의 외측에 배치되어 상기 내부 코일부(42, 44)와 전기적으로 연결된 외부전극(80)을 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품(100)에 있어서, '길이' 방향은 도 1의 'L' 방향, '폭' 방향은 'W' 방향, '두께' 방향은 'T' 방향으로 정의하기로 한다.
상기 자성체 본체(50)는 박막형 인덕터(100)의 외관을 이루며, 자성입자를 포함하여 시트 형태로 제조되는 자성체 시트를 적층하고 압착 및 경화하여 형성된다.
자성체 본체(50)를 이루는 자성입자로는 금속계 연자성 재료인 금속자성입자가 사용된다.
상기 금속자성입자는 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속자성입자는 Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속 입자일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속자성입자는 입자 직경이 0.1㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
상기 금속자성입자는 열경화성 수지에 분산된 형태로 포함된다.
상기 열경화성 수지는 에폭시(epoxy) 수지 및 폴리이미드(polyimide) 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
금속자성입자는 보다 고기능을 구현하기 위해 사이즈가 점차 감소하여 미립화되고 있으며, 사이즈가 다른 2종 혹은 그 이상의 분말을 혼합하여 사용된다. 따라서 금속자성입자의 분산은 더 어려워지고, 이에 따라 보다 효과적인 분산성을 구현할 수 있는 방법들이 요구되고 있다.
이에 본 발명의 일 실시형태는 상기 금속자성입자의 분산성을 향상시키기 위한 분산제로써 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함한다.
분산제는 금속자성입자에 흡착되어 금속자성입자 간의 입체 장애를 일으켜 서로 응집이 일어나지 않도록 하고, 입자 재배열을 통해 충진율을 향상시킨다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 예를 들어, 히드록시기(-OH)와 같은 흡착기가 금속자성입자에 보다 효과적으로 흡착되기 때문에 금속자성입자의 침강 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 이외에 기타 분산제와 함께 사용하여 분산성 향상의 효과를 극대화할 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지는 평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000일 수 있다.
상기 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 평균 분자량이 50,000 내지 100,000일 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지의 평균 분자량이 500,000 미만 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 평균 분자량이 50,000 미만일 경우 고분자 사슬이 상대적으로 짧아 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 뭉침 발생으로 인하여 자성체 시트의 막 밀도가 저하되고, 인덕턴스가 저하될 수 있다.
한편, 아크릴(Acryl)계 수지의 평균 분자량이 1,000,000 초과 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 평균 분자량이 100,000 초과할 경우 고분자 사슬이 너무 길어 사슬이 잘 펴지지 않아 입체 장애 효과, 열경화성 수지와의 가교성 효과가 떨어져 침강 안정성 향상의 효과가 미미할 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 분산제는 상기 열경화성 수지에 대하여 1wt% 내지 5wt% 포함될 수 있다.
상기 분산제가 1wt% 미만으로 포함될 경우 분산성 및 침강 안정성이 저하되고, 금속자성입자가 응집되어 충진율이 감소하고, 인덕턴스가 저하될 수 있다.
한편, 상기 분산제가 5wt%를 초과할 경우 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 사슬이 서로 얽혀 상기 분산제와 금속자성입자가 다시 뭉치게 되는 재응집이 발생될 수 있기 때문에 침강 안정성이 다시 저하되고, 자성체 시트의 막 밀도가 감소하여 인덕턴스가 저하될 수 있으며, 자성체 시트의 표면 조도가 커질 수 있다. 또한, 상기 분산제가 5wt%를 초과할 경우 경화 과정에서 상기 분산제가 가소되면서 칩 터짐이 발생할 수 있다.
상기 자성체 본체(50)의 내부에 배치되는 절연 기판(20)은 예를 들어, 폴리프로필렌글리콜(PPG) 기판, 페라이트 기판 또는 금속계 연자성 기판 등으로 형성될 수 있다.
상기 절연 기판(20)의 중앙부는 관통되어 홀을 형성하고, 상기 홀은 금속계 연자성 재료 등의 자성체로 충진되어 코어부(55)를 형성할 수 있다. 자성체로 충진되는 코어부(55)를 형성함에 따라 인덕턴스(Inductance, L)를 향상시킬 수 있다.
상기 절연 기판(20)의 일면에는 코일 형상의 패턴을 가지는 내부 코일부(42)가 형성될 수 있으며, 상기 절연 기판(20)의 반대 면에도 코일 형상 패턴의 내부 코일부(44)가 형성될 수 있다.
상기 내부 코일부(42, 44)는 스파이럴(spiral) 형상으로 코일 패턴이 형성될 수 있으며, 상기 절연 기판(20)의 일면과 반대 면에 형성되는 내부 코일부(42, 44)는 상기 절연 기판(20)에 형성되는 비아 전극(46)을 통해 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 내부 코일부(42, 44) 및 비아 전극(46)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
절연 기판(20)의 일면에 형성되는 내부 코일부(42)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 일 단면으로 노출될 수 있으며, 절연 기판(20)의 반대 면에 형성되는 내부 코일부(44)의 타 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 타 단면으로 노출될 수 있다.
상기 자성체 본체(50)의 양 단면으로 노출되는 상기 내부 코일부(42, 44)의 인출부와 각각 접속하도록 자성체 본체(50)의 양 단면에 외부전극(80)이 형성될 수 있다.
상기 외부전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
칩 전자부품의 제조방법
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 칩 전자부품의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도 3을 참조하면, 먼저, 절연 기판(20)에 내부 코일부(42, 44)를 형성한다.
상기 절연 기판(20)은 특별하게 제한되지 않으며, 예를 들어, 폴리프로필렌글리콜(PPG) 기판, 페라이트 기판 또는 금속계 연자성 기판 등을 사용할 수 있다. 상기 절연 기판(20)은 40㎛ 내지 100㎛의 두께일 수 있다.
상기 내부 코일부(42, 44)의 형성 방법으로는, 예를 들면, 전기 도금법을 들 수 있으나, 이에 반드시 제한되지는 않는다.
상기 내부 코일부(42, 44)는 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하여 형성할 수 있고, 예를 들어, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 이들의 합금 등을 사용할 수 있다.
상기 절연 기판(20)의 일부에는 홀을 형성하고 전도성 물질을 충진하여 비아 전극(46)을 형성할 수 있으며, 상기 비아 전극(46)을 통해 절연 기판(20)의 일면과 반대 면에 형성되는 내부 코일부(42, 44)를 전기적으로 접속시킬 수 있다.
상기 절연 기판(20)의 중앙부에는 드릴, 레이저, 샌드 블래스트, 펀칭 가공 등을 수행하여 절연 기판(20)을 관통하는 관통홀을 형성할 수 있다.
다음으로, 내부 코일부(42, 44)를 피복하는 절연막을 형성할 수 있다.
상기 절연막은 스크린 인쇄법, 포토레지스트(photo resist, PR)의 노광, 현상을 통한 공정, 스프레이(spray) 도포 공정 등 공지의 방법으로 형성할 수 있으나, 이에 반드시 제한되지는 않는다.
다음으로, 내부 코일부(42, 44)가 형성된 절연 기판(20)의 상부 및 하부에 자성체 시트를 적층하여 내부 코일부(42, 44)가 매설된 자성체 본체(50)를 형성한다.
자성체 시트의 제조에 사용되는 슬러리(Slurry)는 자성입자와 열경화성 수지, 경화제, 증점제, 유기용매 및 금속자성입자의 분산성을 향상시킬 수 있는 분산제 등을 포함할 수 있다.
상기 자성체 시트의 제조에 사용되는 자성입자는 금속계 연자성 재료인 금속자성입자가 사용된다.
상기 금속자성입자는 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있다. 예를 들어, 상기 금속자성입자는 Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속 입자일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 금속자성입자는 입자 직경이 0.1㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
상기 금속자성입자를 열경화성 수지와 혼합하여 슬러리(Slurry)를 형성하고, 형성된 슬러리(Slurry)를 캐리어 필름(carrier film)상에 도포 및 건조하여 자성체 시트를 제조할 수 있다.
상기 열경화성 수지는 에폭시(epoxy) 수지 및 폴리이미드(polyimide) 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
이때, 자성체 시트의 제조에 사용되는 슬러리(Slurry)는 열경화성 수지에 금속자성입자를 효과적으로 분산시키기 위한 분산제로써 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함한다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 예를 들어, 히드록시기(-OH)와 같은 흡착기가 금속자성입자에 보다 효과적으로 흡착되기 때문에 금속자성입자의 침강 안정성을 향상시킬 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 이외에 기타 분산제와 함께 사용하여 분산성 향상의 효과를 극대화할 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지는 평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000일 수 있다.
상기 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 평균 분자량이 50,000 내지 100,000일 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지의 평균 분자량이 500,000 미만 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 평균 분자량이 50,000 미만일 경우 고분자 사슬이 상대적으로 짧아 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 뭉침 발생으로 인하여 슬러리(Slurry)의 비중이 저하되고, 자성체 시트의 막 밀도가 저하되며, 인덕턴스가 저하될 수 있다.
한편, 아크릴(Acryl)계 수지의 평균 분자량이 1,000,000 초과 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 평균 분자량이 100,000 초과할 경우 고분자 사슬이 너무 길어 사슬이 잘 펴지지 않아 입체 장애 효과, 열경화성 수지와의 가교성 효과가 떨어져 침강 안정성 향상의 효과가 미미할 수 있다.
상기 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 분산제는 상기 열경화성 수지에 대하여 1wt% 내지 5wt% 포함될 수 있다.
상기 분산제가 1wt% 미만으로 포함될 경우 분산성 및 침강 안정성이 저하되고, 금속자성입자가 응집되어 충진율이 감소하고, 인덕턴스가 저하될 수 있다.
한편, 상기 분산제가 5wt%를 초과할 경우 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 사슬이 서로 얽혀 상기 분산제와 금속자성입자가 다시 뭉치게 되는 재응집이 발생될 수 있기 때문에 침강 안정성이 다시 저하되고, 자성체 시트의 막 밀도가 감소하여 인덕턴스가 저하될 수 있으며, 자성체 시트의 표면 조도가 커질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 자성체 시트는 막 밀도가 5.4g/cm3 이상일 수 있으며, 표면 조도는 0.9㎛ 이하를 만족할 수 있다.
하기 표 1 및 표 2는 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 슬러리(Slurry)의 침강 안정성 및 자성체 시트의 물성을 나타낸 것이다.

 함량(wt%) 침강 높이
(mm)		 막 밀도
(g/cm3)		 표면 조도
(㎛)		 접착성
(gf)
아크릴계 수지 열경화성 수지
1 0 100 4.0 5.510 0.560 1.5
2 1 99 3.8 5.522 0.653 1.6
3 3 97 3.0 5.545 0.729 1.8
4 5 95 2.8 5.614 0.827 2.0
5 10 90 3.1 5.387 0.931 2.5
6 20 80 3.6 5.241 1.159 4.5
7 50 50 4.0 5.115 1.533 5.1
8 100 0 4.2 4.887 1.821 6.3

함량(wt%) 침강 높이
(mm)		 막 밀도
(g/cm3)		 표면 조도
(㎛)		 접착성
(gf)
PVB계 수지 열경화성 수지
1 0 100 4.0 5.510 0.560 1.5
2 1 99 3.7 5.527 0.641 1.6
3 3 97 3.1 5.532 0.699 1.7
4 5 95 2.9 5.603 0.857 1.9
5 10 90 3.2 5.377 0.943 2.4
6 20 80 3.5 5.231 1.147 4.4
7 50 50 4.1 5.011 1.521 5.1
8 100 0 4.3 4.862 1.798 6.0
도 4는 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 슬러리(slurry)의 침강 안정성(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 슬러리(slurry)의 침강 안정성(b)을 비교한 그래프이다.
표 1, 표 2 및 도 4에서 알 수 있듯이, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%까지 증가할 경우에는 슬러리(Slurry)의 분리층의 침강 높이가 감소하는 것으로 나타났다.
그러나, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%를 초과할 경우 침강 높이가 다시 커지는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 막 밀도(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 막 밀도(b)를 비교한 그래프이다.
표 1, 표 2 및 도 5에서 알 수 있듯이, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%까지 증가할 경우에는 자성체 시트의 막 밀도가 증가하는 것으로 나타났다.
그러나, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%를 초과할 경우 막 밀도가 다시 감소하는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 표면 조도(a) 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 자성체 시트의 표면 조도(b)를 비교한 그래프이다.
표 1, 표 2 및 도 6에서 알 수 있듯이, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%를 초과할 경우 표면 조도가 0.9㎛를 초과하여 커지는 것으로 나타났다.
다음으로, 상기 자성체 시트를 절연 기판(20)의 양면에 적층하고 라미네이트법이나 정수압 프레스법을 통해 압착 및 경화하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다.
이때, 상기 분산제가 5wt%를 초과할 경우 경화 과정에서 상기 분산제가 가소되면서 칩 터짐이 발생할 수 있다.
하기 표 3은 아크릴(Acryl)계 수지의 함량에 따른 경화 전/후의 칩 강도와 고온고습 상황에서의 칩 터짐 빈도를 나타낸 것이며, 표 4는 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량에 따른 경화 전/후의 칩 강도와 고온고습 상황에서의 칩 터짐 빈도를 나타낸 것이다.

 함량(wt%) 경화 전/후의
칩 강도(HV)		 칩 터짐 빈도(%)
분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만		 분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만		 분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만
1 0 0 0 7.3/12.3 7.3/12.3 7.3/12.3 0 0 0
2 1 1 1 7.3/12.4 8.2/13.2 10.2/16.5 0 0 0
3 3 3 3 7.4/12.8 8.4/13.2 10.5/16.7 0 0 0
4 5 5 5 7.6/13.0 8.5/13.6 10.7/17.1 0 0 0
5 10 10 10 8.1/13.5 9.2/14.2 11.5/18.2 4 9 15
6 20 20 20 8.5/13.5 9.6/14.8 11.9/18.5 19 22 47
7 50 50 50 8.9/13.8 10.5/15.9 12.3/19.2 49 51 86
8 100 100 100 9.1/14.2 12.0/16.0 13.9/19.7 81 87 100

함량(wt%) 경화 전/후의
칩 강도(HV)		 칩 터짐 빈도(%)
분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만		 분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만		 분자량 50만 분자량
70만		 분자량
100만
1 0 0 0 7.1/12.3 7.1/12.3 7.1/12.3 0 0 0
2 1 1 1 7.1/12.4 8.3/13.1 10.2/15.2 0 0 0
3 3 3 3 7.2/12.8 8.4/13.4 10.4/15.5 0 0 0
4 5 5 5 7.5/13.0 8.7/13.7 10.4/15.9 0 0 0
5 10 10 10 7.9/13.5 9.5/14.5 11.7/16.5 6 12 20
6 20 20 20 8.1/13.5 9.9/14.9 12.0/17.1 23 32 45
7 50 50 50 8.4/13.8 10.7/15.5 12.8/18.2 52 61 90
8 100 100 100 8.6/14.2 11.5/16.5 13.7/18.9 86 95 100
표 3 및 표 4에서 알 수 있듯이, 칩 강도는 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 증가할수록 증가하였다. 다만, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지의 함량이 5wt%를 초과할 경우 칩 터짐이 발생하였으며, 분자량이 커질수록 칩 터짐 비율이 상승하는 것으로 나타났다.
다음으로, 상기 자성체 본체(50)의 양 단면으로 노출되는 내부 코일부(42, 44)의 인출부와 접속되도록 자성체 본체(50)의 양 단면에 외부전극(80)을 형성할 수 있다.
상기 외부전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속을 포함하는 페이스트를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn) 또는 은(Ag) 등의 단독 또는 이들의 합금 등을 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다.
상기 외부전극(80)을 형성하는 방법은 외부전극(80)의 형상에 따라 프린팅 뿐만 아니라 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100 : 박막형 인덕터
20 : 절연 기판
42, 44 : 내부 코일부
46 : 비아 전극
50 : 자성체 본체
55 : 코어부
80 : 외부전극

Claims (16)

  1. 내부 코일부가 매설된 자성체 본체를 포함하는 칩 전자부품에 있어서,
    상기 자성체 본체는 금속자성입자;
    열경화성 수지; 및
    아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 분산제;
    를 포함하고,
    상기 금속자성입자는 상기 열경화성 수지에 분산된 형태로 포함되고,
    상기 분산제는 상기 금속자성입자에 흡착되어 있으며, 상기 열경화성 수지에 대하여 1wt% 내지 5wt% 포함되는 칩 전자부품.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 아크릴(Acryl)계 수지는 평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000인 칩 전자부품.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 평균 분자량이 50,000 내지 100,000인 칩 전자부품.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 열경화성 수지는 에폭시(epoxy) 수지 및 폴리이미드(polyimide) 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 칩 전자부품.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 금속자성입자는 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금인 칩 전자부품.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 금속자성입자는 입자 직경은 0.1㎛ 내지 30㎛인 칩 전자부품.
  8. 절연 기판의 적어도 일면에 내부 코일부를 형성하는 단계; 및
    상기 내부 코일부가 형성된 절연 기판의 상부 및 하부에 자성체 시트를 적층하여 내부 코일부가 매설된 자성체 본체를 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 자성체 시트는 금속자성입자 및 열경화성 수지와, 아크릴(Acryl)계 수지 및 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고 상기 금속자성입자에 흡착되는 분산제를 포함하여 형성하고,
    상기 금속자성입자는 상기 열경화성 수지에 분산된 형태로 포함되고,
    상기 분산제는 상기 열경화성 수지에 대하여 1wt% 내지 5wt% 포함하는 칩 전자부품의 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 자성체 시트는 막 밀도가 5.4g/cm3 이상인 칩 전자부품의 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 자성체 시트는 표면 조도가 0.9㎛ 이하인 칩 전자부품의 제조방법.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 아크릴(Acryl)계 수지는 평균 분자량이 500,000 내지 1,000,000인 칩 전자부품의 제조방법.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 폴리비닐부티랄(PVB)계 수지는 평균 분자량이 50,000 내지 100,000인 칩 전자부품의 제조방법.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 열경화성 수지는 에폭시(epoxy) 수지 및 폴리이미드(polyimide) 수지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 칩 전자부품의 제조방법.
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 금속자성입자는 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금인 칩 전자부품의 제조방법.
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 금속자성입자는 입자 직경이 0.1㎛ 내지 30㎛인 칩 전자부품의 제조방법.
KR1020140096821A 2014-07-29 2014-07-29 칩 전자부품 및 그 제조방법 KR102047562B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140096821A KR102047562B1 (ko) 2014-07-29 2014-07-29 칩 전자부품 및 그 제조방법
US14/807,517 US20160035484A1 (en) 2014-07-29 2015-07-23 Chip electronic component and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140096821A KR102047562B1 (ko) 2014-07-29 2014-07-29 칩 전자부품 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160014495A KR20160014495A (ko) 2016-02-11
KR102047562B1 true KR102047562B1 (ko) 2019-11-21

Family

ID=55180739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140096821A KR102047562B1 (ko) 2014-07-29 2014-07-29 칩 전자부품 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20160035484A1 (ko)
KR (1) KR102047562B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030091866A1 (en) * 2001-06-01 2003-05-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium
US20090091412A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Isu Corporation Coil Integrated Inductor
US20120038532A1 (en) * 2009-03-27 2012-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Core-shell magnetic material, method for producing core-shell magnetic material, device, and antenna device
WO2014068928A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 パナソニック株式会社 複合磁性体およびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5215803A (en) * 1989-09-14 1993-06-01 Konica Corporation Magnetic recording medium
JP5115691B2 (ja) 2006-12-28 2013-01-09 Ｔｄｋ株式会社 コイル装置、及びコイル装置の製造方法
JP2009054270A (ja) * 2007-05-31 2009-03-12 Fujifilm Corp 磁気記録媒体、磁気信号再生システムおよび磁気信号再生方法
TWI417908B (zh) * 2009-12-25 2013-12-01 Ind Tech Res Inst 具可撓性之高導磁率片材及其製作方法
KR101228675B1 (ko) * 2010-12-06 2013-01-31 삼성전기주식회사 내부 전극용 도전성 페이스트 및 이를 포함한 적층 세라믹 전자부품
JP2012234868A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Taiyo Yuden Co Ltd コイル部品
KR20130072816A (ko) 2011-12-22 2013-07-02 삼성전기주식회사 인덕터의 제조 방법
KR101514500B1 (ko) * 2012-03-28 2015-04-22 삼성전기주식회사 공통 모드 필터용 기판 제조 방법 및 이에 따라 제조된 공통 모드 필터용 기판
KR101823542B1 (ko) * 2012-10-04 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 무선충전용 전자기 부스터 및 그 제조방법
JP2016006822A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 株式会社巴川製紙所 複合磁性体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030091866A1 (en) * 2001-06-01 2003-05-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium
US20090091412A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Isu Corporation Coil Integrated Inductor
US20120038532A1 (en) * 2009-03-27 2012-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Core-shell magnetic material, method for producing core-shell magnetic material, device, and antenna device
WO2014068928A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 パナソニック株式会社 複合磁性体およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160035484A1 (en) 2016-02-04
KR20160014495A (ko) 2016-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102138887B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
US9536660B2 (en) Chip electronic component and method of manufacturing the same
KR101607026B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
KR102007295B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터의 실장 기판
KR101832545B1 (ko) 칩 전자부품
KR101588966B1 (ko) 칩 전자부품
KR101477430B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품, 그 제조방법 및 적층 세라믹 전자부품의 실장 기판
KR102047564B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
KR101922871B1 (ko) 적층형 전자부품, 그 제조방법 및 그 실장기판
KR20160126751A (ko) 코일 전자부품 및 그 제조방법
KR102052766B1 (ko) 칩 전자부품
KR101832554B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
WO2013031243A1 (ja) 磁性材料およびコイル部品
JP2018098278A (ja) コイル部品
JP6058584B2 (ja) 積層型電子部品及びその製造方法
KR101659248B1 (ko) 인덕터 및 이의 제조방법
KR102105390B1 (ko) 자성 분말 및 이를 포함하는 코일 전자부품
CN104700980A (zh) 多层电子元件及其制造方法
JP2016225611A (ja) チップインダクター
KR102463335B1 (ko) 코일 전자부품
KR101994732B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
KR102047562B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
KR102396598B1 (ko) 코일 부품
JP2006237249A (ja) コイル部品
KR102052767B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right