KR102040975B1 - 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법 - Google Patents

마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102040975B1
KR102040975B1 KR1020180060716A KR20180060716A KR102040975B1 KR 102040975 B1 KR102040975 B1 KR 102040975B1 KR 1020180060716 A KR1020180060716 A KR 1020180060716A KR 20180060716 A KR20180060716 A KR 20180060716A KR 102040975 B1 KR102040975 B1 KR 102040975B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass paste
glass
color conversion
lattice
grating
Prior art date
Application number
KR1020180060716A
Other languages
English (en)
Inventor
박태호
권광우
박영수
Original Assignee
주식회사 베이스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 베이스 filed Critical 주식회사 베이스
Priority to KR1020180060716A priority Critical patent/KR102040975B1/ko
Priority to CN201980002466.6A priority patent/CN110785850A/zh
Priority to PCT/KR2019/006339 priority patent/WO2019231197A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102040975B1 publication Critical patent/KR102040975B1/ko
Priority to US16/682,277 priority patent/US20200083411A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법은, 기판 상에 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계와, 격벽용 유리 페이스트를 소결하여 격벽 구조체를 형성하는 단계와, 격벽 구조체 내의 격자를 인접한 3개의 격자를 1군으로 하는 복수의 격자군으로 구획하고, 각각의 복수의 격자군의 제1 격자 내에 제1 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제1 유리 페이스트를 주입하고, 각각의 격자군의 제2 격자 내에 제2 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계와, 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계와, 격벽 구조체를 기판으로부터 분리하는 단계와, 제1 유리 페이스트와 제2 유리 페이스트가 담긴 격벽 구조체의 격자 상에 소정의 광을 차단하는 광차단 필름을 부착하는 단계를 포함한다.

Description

마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF COLOR CONVERSION STRUCTURE FOR MICRO LED DISPLAY}
본 발명은 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
마이크로 LED는 100㎛ 이하의 크기를 갖는 초소형의 LED로서, 높은 명암비와 빠른 응답 속도를 갖고 전력 효율이 우수하며 그 작은 크기로 인하여 휘어질 때 깨어지는 문제가 발생하지 않는 이점이 있다. 이에, 최근 이를 이용한 마이크로 LED 디스플레이가 차세대 디스플레이로서 주목받고 있다.
마이크로 LED 디스플레이에서는 적색, 녹색, 청색 3개의 LED 칩으로 하나의 화소를 구성해야 하고, 이에 따라 적색, 녹색, 청색 LED 칩 각각을 기판 상의 정해진 위치에 순차적으로 조립해야 한다. 하지만, 마이크로 LED 디스플레이를 고해상도로 구현하기 위하여는 많은 수 - 예를 들어 FHD급(1,920X1,080) 해상도를 구현하기 위하여는 약 622만 개(R, G, B 칩 기준) - 의 마이크로 LED가 필요하고, 이들을 각각 정해진 위치에 조립하기 위하여는 상당한 공정시간이 소요된다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 기판 상에 단색의 마이크로 LED를 조립한 후 형광체를 이용하여 LED 칩에서 출사되는 광의 색을 변환하는 방법을 고려할 수 있다. 이 경우, 마이크로 LED를 셀프 어셈블리(self assembly) 등의 방법으로 조립함으로써 조립 시간을 줄일 수 있지만, 마이크로 LED 각각에 색변환 소자를 추가로 적용해야 한다. 특히, 색변환 소자를 적용함에 있어서, 퀀텀닷(quantum dot; QD)과 같이 색재현율이 우수하지만 열과 습기에 취약한 재료를 사용하는 경우, 색변환 소자를 외부의 열과 습기로부터 보호해야 하는 문제가 있다.
이처럼, 마이크로 LED 디스플레이를 구현하기 위하여는 공정시간을 절감시키면서도 특성의 변환 없이 우수한 색변환 효율을 갖는 색변환 소자를 적용시킬 수 있는 기술 개발이 요구되는 실정이다.
한국등록특허 제10-1265727호(2013.05.13.)
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 마이크로 LED 디스플레이의 공정시간을 절감할 수 있는 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 LED 칩에서 출사되는 광의 색변환을 위해 사용되는 형광체의 특성 저하를 방지할 수 있는 색변환 구조체의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법은, 기판 상에 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계와, 격벽용 유리 페이스트를 소결하여 격벽 구조체를 형성하는 단계와, 격벽 구조체 내의 격자를 인접한 3개의 격자를 1군으로 하는 복수의 격자군으로 구획하고, 각각의 복수의 격자군의 제1 격자 내에 제1 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제1 유리 페이스트를 주입하고, 각각의 격자군의 제2 격자 내에 제2 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계와, 제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계와, 격벽 구조체를 기판으로부터 분리하는 단계와, 제1 유리 페이스트와 제2 유리 페이스트가 담긴 격벽 구조체의 격자 상에 소정의 광을 차단하는 광차단 필름을 부착하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 유리 페이스트와 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계는 각각의 복수의 격자군의 제3 격자 내에 유리 분말을 포함하는 제3 유리 페이스트를 주입하는 단계를 포함할 수 있고, 제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계는 제3 유리 페이스트를 소결하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트에 포함되는 반사성 물질은 TiO2를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트에 포함되는 유리 분말은 300℃ 이하로 소결할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 유리 페이스트에 포함되는 제1 색변환 물질 및 제2 유리 페이스트에 포함되는 제2 색변환 물질은 퀀텀닷을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 유리 페이스트에 포함되는 제1 색변환 물질은 적색 형광체를 포함하고, 제2 유리 페이스트에 포함되는 제2 색변환 물질은 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 격벽 구조체의 격자 상에 블루 컷 필터(blue cut filter) 필름이 부착될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계에서는, 상기 격벽용 유리 페이스트를 도포하는 면적을 상기 격벽 구조체의 사전 설정된 면적보다 15% 내지 20% 넓게 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 격벽 구조체의 기판으로부터의 분리는 레이저 리프트 오프 방식, 케미칼 리프트 오프 방식, 화학적 기계적 연마 방식 및 기계적 연마 방식 중 어느 하나의 방식을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 방법은 제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계 이후에 격벽 구조체, 제1 유리 및 제2 유리의 일면을 평탄화하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 단일 색상의 LED 기판 상에 안착시킬 수 있는 색변환 구조체를 제공함으로써 LED 칩의 조립 시간을 절감할 수 있고, 이에 따라 마이크로 LED 디스플레이의 공정시간을 절감할 수 있다.
또한, LED 칩에서 출사되는 광의 색변환을 위한 형광체를 유리 분말과 혼합하고 이를 소결하여 색변환 소자를 형성함으로써 열과 수분에 의한 형광체의 특성 저하를 방지하고, 이에 따라 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체를 적용하기 전과 후의 LED 칩 어레이의 발광색을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 과정을 나타낸 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 과정을 순차적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명한다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 본 발명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
본 명세서에서 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "위"에 있다 라고 기재된 경우, 이는 다른 구성요소 "바로 위"에 위치하는 경우뿐만 아니라 이들 사이에 또 다른 구성요소가 존재하는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 등은 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명은 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
즉, 명세서에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 일 실시예로부터 다른 실시예로 변경되어 구현될 수 있으며 개별 구성요소의 위치 또는 배치도 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 행하여지는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 특허청구범위의 청구항들이 청구하는 범위 및 그와 균등한 모든 범위를 포괄하는 것으로 받아들여져야 한다.
마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체
도 1 및 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 평면도 및 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체(100)는 격벽 구조체(120)를 포함하고, 격벽 구조체(120) 내에는 복수의 격자가 형성된다. 본 실시예에 따르면, 격벽 구조체(120)는 종방향 및 횡방향을 따라 형성되는 격벽(110)으로 이루어지며, 이들 격벽(110)의 교차에 의해 복수의 격자가 형성된다.
격벽 구조체(120)의 격벽(110)은 반사성 물질을 포함하는 유리로 이루어질 수 있다. 여기에서, 반사성 물질은 TiO2, Y2O3, Ta2O5, Al2O3, Bi2O3, Nb2O5, SiO2 등의 고반사 또는 고굴절 물질일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 격벽 구조체(120) 내에 형성되는 복수의 격자는 인접하는 3개의 격자(1301, 1302, 1303)를 1군으로 하는 복수의 격자군(130)으로 구획될 수 있다. 각각의 격자군(130)은 마이크로 LED 색변환 구조체(100)가 마이크로 LED 기판(200) 상에 배치될 때 3개의 마이크로 LED 칩(210) 상에 배치되어, 3개의 마이크로 LED 칩에서 방출된 광이 격자군(130)을 통과하면서 각각 적색, 녹색, 청색이 발현될 수 있도록 한다.
이를 위하여, 각각의 격자군(130)의 격자 내에는 색변환 물질이 담겨있을 수 있다. 구체적으로, 본 실시예에서는 하나의 격자군(130)이 제1 격자(1301), 제2 격자(1302) 및 제3 격자(1303)를 포함하고, 이 중 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)에는 색변환 물질을 포함하는 제1 유리(140) 및 제2 유리(150)가 담기며, 제3 격자(1303)는 어떠한 물질도 담기지 않은 빈 공간으로 형성된다. 이를 통해, 단일 색상의 LED 칩(210) 상에 색변환 구조체(100)가 배치되면, 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)를 투과하는 광은 색변환이 이루어지게 되고, 제3 격자(1303)를 투과하는 광은 색변환이 없이 출사되어, 서로 다른 색이 발현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체를 적용하기 전과 후의 마이크로 LED 칩 어레이의 발광색을 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 마이크로 LED 기판(200)에 청색의 단일 LED 칩(210)만을 배치하는 경우, 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)에 각각 청색광을 적색 및 녹색으로 변환할 수 있는 색변환 물질을 포함하는 제1 유리(140) 및 제2 유리(150)가 담기게 되고, 이를 통해 하나의 격자군의 제1 내지 제3 격자(1301, 1302, 1303)를 투과하는 광이 각각 적색, 녹색 및 청색으로 발현될 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 격자 내에 담기는 제1 유리(140) 및 제2 유리(150)에 포함되는 색변환 물질은 퀀텀닷일 수 있다. 마이크로 LED의 경우, LED 칩의 크기가 100㎛ 이하, 경우에 따라서는 30㎛∼50㎛로 작기 때문에, 중심 입경이 10㎛∼30㎛인 YAG, LuAG, α-SiAlON, β SiAlON, CaSiN, KSF 등과 같은 색변환 소자를 마이크로 LED에 적용하는 것은 한계가 있다. 따라서, 마이크로 LED에는 중심 입경이 나노 사이즈인 퀀텀닷과 같은 색변환 소자를 적용할 필요가 있다. 퀀텀닷은 그 입자의 크기에 따라, 방출하는 광의 색상이 달라질 수 있기에, 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)에 각기 다른 입자 크기를 갖는 퀀텀닷을 사용하여 서로 다른 파장의 색으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 LED 기판(200) 상에 청색의 단일 LED 칩(210)만이 배치되는 경우, RGB 디스플레이를 구현하기 위해서는 제1 유리(140)는 입자 크기가 약 6nm인 퀀텀닷을 포함하고, 제2 유리(150)는 입자 크기가 약 3nm인 퀀텀닷을 포함하여, LED 칩(210)에서 발현되는 청색광을 각각 적색 및 녹색으로 변환할 수 있다.
청색을 방출하는 퀀텀닷의 경우 입자의 크기가 약 2nm로 매우 작기 때문에 녹색 및 적색을 방출하는 퀀텀닷보다 상대적으로 제조에 어려움이 따른다. 따라서, 본 실시예에서는 LED 칩으로 청색의 LED 칩(210)을 사용하고, 색변환 물질을 상대적으로 제조가 용이한 적색 및 녹색을 방출하는 퀀텀닷으로 사용하였으며, 이에 의해 전체적인 공정 시간과 제조 비용을 절감할 수 있다.
한편, 퀀텀닷은 색재현율이 우수하나, 습기로 인해 입자가 분해될 수 있고 소정의 온도 이상에서는 입자의 양자 효율이 급격히 떨어질 수 있다. 이에, 본 발명에서는 퀀텀닷을 열과 수분으로부터 보호하기 위하여 유리에 퀀텀닷을 포함시킨다. 이의 구체적인 제조 방법은 후술하기로 한다.
본 실시예에서는 색변환 물질로 퀀텀닷을 사용하고 있으나, 물론 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 바와 같이, 중심 입경이 나노 사이즈인 다른 공지의 색변환 소자 등을 사용할 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302) 내에만 색변환 물질이 담겨 있는 것으로 예시하고 있으나, 마이크로 LED 칩에서 방출되는 광의 색상에 따라 RGB 화소를 구현하기 위하여 제3 격자(1303) 내에도 색변환 물질이 담길 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체(100)는 광차단 필름(170)을 더 포함한다. 광차단 필름(170)은 색변환 물질이 담기는 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302) 상에 배치되어 마이크로 LED 칩(210)에서 출사된 광이 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)에 담긴 색변환 물질을 통과하는 과정에서 일부 색변환이 이루어지지 않은 광을 차단하여 색의 순도를 높일 수 있다.
본 실시예에서는 광차단 필름(170)으로 블루 컷 필터(blue cut filter) 필름을 사용하여, 마이크로 LED 칩(210)에서 출사되어 제1 격자(1301) 및 제2 격자(1302)를 통과하면서 색변환이 이루어지지 않은 청색광을 차단할 수 있다. 다만, 광차단 필름(170)의 종류 및 배치는 사용하는 마이크로 LED 칩(210)의 색상 및 배열에 따라 변경할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 일 실시예에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 격자군을 구성하는 제1 격자(1301), 제2 격자(1302) 및 제3 격자(1303)가 일렬로 배열되어 있으나, 하나의 격자군을 구성하는 격자의 배치 방법은 다양한 방법으로 변경할 수 있다. 예를 들어, 도 4은 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 평면도로서, 이를 참조하면 하나의 격자군(130')에서는 제1 격자(1301'), 제2 격자(1302') 및 제3 격자(1303')가 삼각형 형상으로 배치되고, 인접하는 격자군에서는 격자들이 역삼각형 형상으로 배치될 수 있다.
본 발명은 상술한 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체를 제조하는 방법에 일 특징이 있는 것으로서, 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법을 구체적으로 설명한다.
LED 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 구조체의 제조 과정을 나타낸 순서도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 색변환 구조체의 제조 과정을 순차적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체(100)를 제조하기 위하여, 도 6의 (a)에서와 같이, 우선 기판(300)을 준비하고 기판(300) 상에 격벽용 유리 페이스트(1101)를 도포한다(S110). 본 실시예에서는 횡방향 및 종방향을 따라 격자 형태로 격벽용 유리 페이스트(1101)를 도포한다.
기판(300)은 유리, 사파이어 등으로 이루어질 수 있고, 기판(300) 상에 도포되는 격벽용 유리 페이스트(1101)는 유리 분말과 반사성 물질을 포함할 수 있다. 유리 분말은 격벽(110)을 형성하는데 있어서 모재의 역할을 하는 것으로서, SiO2, Al2O3, 알칼리토금속산화물(MgO, CrO, SrO, BaO) 또는 B2O3를 주성분으로 하는 알루미노보로실리케이트 유리 성분을 포함할 수 있으며, 이외에 공지의 유리 성분으로 구성될 수도 있다. 또한, 격벽용 유리 페이스트(1101)에 포함되는 반사성 물질은 백색안료로서, 높은 굴절율을 가지고 정확한 입도와 분산성을 갖는 TiO2일 수 있다.
격벽용 유리 페이스트(1101)는 바인더 수지와 용매를 더 포함할 수 있다. 바인더 수지는 유리 분말 사이의 결합력을 제공하기 위해 첨가될 수 있으며, PVB(polyvinyl butyral), PVA(polyvinyl alcohol), 아크릴계, 셀루로오스계 등 공지된 수지를 사용할 수 있다. 용매는 유리 페이스트의 점도를 조절하는 역할을 하는 것으로, 건조 과정에서 휘발되어 제거되며, 알코올계 용매, 케톤계 용매 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
이어서, 기판(300) 상에 격자 형태로 도포된 격벽용 유리 페이스트(1101)를 소결하는 1차 소성을 진행한다(S120). 1차 소성은 300℃ 보다 높은 온도에서 진행할 수 있으며, 바람직하게는 격벽 구조체(120)가 충분한 기계 강도를 갖고 1차 소성 단계에서 소성의 치밀성을 확보하기 위하여 600℃ 이상의 온도에서 진행될 수 있다. 이에 의해, 본 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체의 격벽 구조체(120)가 형성된다.
이처럼, 본 실시예에 따른 격벽 구조체(120)는 반사성 물질인 TiO2를 포함하여 형성되므로 격벽을 형성한 후 반사성 물질을 코팅하는 공정을 생략할 수 있어 마이크로 LED 디스플레이 색변환 구조체의 공정시간 및 제조비용을 절감하는 효과를 가져올 수 있다.
한편, 기판(300) 상에 도포된 격벽용 유리 페이스트(1101)가 소결되는 과정에서 밀도가 증가하면서 수축이 일어날 수 있다. 따라서, 기판(300) 상에 격벽용 유리 페이스트(1101)를 도포할 때에는 형성하고자 하는 격벽의 단면적보다 넓은 면적으로 격벽용 유리 페이스트(1101)를 도포한다. 예를 들어, 격벽용 유리 페이스트(1101)의 도포 면적을 형성하고자 하는 격벽 구조체(120)의 단면적보다 15%∼20% 넓게 형성한다.
다음으로, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 격벽 구조체(120)의 격자 내에 색변환 물질을 포함하는 유리 페이스트를 주입한다(S130). 구체적으로, 1개의 격자군을 구성하는 인접한 3개의 격자 중 2개의 격자(제1 격자 및 제2 격자)에 각각 제1 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제1 유리 페이스트(1401) 및 제2 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제2 유리 페이스트(1501)를 주입한다.
제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트의 유리 분말은 색변환 소자를 형성하는데 있어 모재의 역할을 하는 것으로서, 소결 과정에서 색변환 물질의 변성이 이루어지지 않도록 저온 소성이 가능한 재질, 예를 들어 P2O5-SnO2 계, P2O5-SnO2-SnF 계, P2O5-ZnO-SnO 계로 이루어진다. 또한, 제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트는 격벽용 유리 페이스트와 마찬가지로 색변환 물질과 유리분말 이외에 바인더 수지와 용매를 더 포함할 수 있다.
제1 유리 페이스트 및 제2 유리 페이스트에 포함되는 제1 색변환 물질 및 제2 색변환 물질은 LED 칩에서 출사되는 광을 서로 다른 색상으로 변환하는 물질로서, 본 실시예에서는 제1 색변환 물질 및 제2 색변환 물질로서 퀀텀닷을 사용한다. 구체적으로는, 상술한 바와 같이 제1 색변환 물질과 제2 색변환 물질로서 입자 크기를 달리하는 퀀텀닷을 사용하여, 각각 청색 LED 칩에서 출사되는 광을 적색 및 녹색으로 변환시킨다.
격자 내에 유리 페이스트를 주입한 후에는 주입된 유리 페이스트(1401,1501)를 소결하는 공정인 2차 소성을 진행한다(S140).
본 실시예에서는 2차 소성을 120℃ ~ 300℃의 온도로 진행한다. 만일 소성 온도가 120℃보다 낮은 경우에는 소성 온도가 연화 거동 온도보다 낮아 소성이 제대로 되지 않는 관계로 유리 내에 다량의 기포가 발생하여 광투과율이 저하될 수 있다. 소성 온도가 300℃보다 높은 경우에는 유리 페이스트에 포함되는 색변환 물질이 변성되어 원하는 색변환 기능을 수행할 수 없게 된다. 특히, 상술한 바와 같이 본 실시예에서 색변환 물질로 사용하는 퀀텀닷은 열에 매우 취약하므로, 본 실시예에서는 퀀텀닷의 변성을 방지하기 위하여 300℃ 미만, 더욱 바람직하게는 250℃ 미만의 온도에서 2차 소성을 진행한다.
2차 소성 후에는 소결된 격벽(110), 제1 유리(140) 및 제2 유리(150)의 노출된 일면을 평탄화할 수 있다. 격벽용 유리 페이스트(1101) 및 유리 페이스트(1401, 1501)를 소결하는 과정에서, 유리 페이스트에 포함된 물질 간의 반응 및 수축으로 인하여 노출되는 면이 불규칙적으로 형성될 수 있으며, LED 칩에서 출사된 광이 이러한 불규칙한 면을 투과하는 경우 산란이 일어나게 되어 색재현율이 저하될 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 2차 소성 이후 격벽(110), 제1 유리(140) 및 제2 유리(150)의 일면을 평탄화하는 공정을 수행하여 색재현율 저하를 방지한다. 평탄화 공정은 CMP 공정 등 공지의 방법을 적용할 수 있다.
이어서, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 격벽 구조체(120)를 기판(300)으로부터 분리한다(S150). 본 실시예에서는 격벽 구조체(120)를 기판(300)으로부터 분리하기 위하여 레이저 리프트 오프(laser lift off) 방식을 적용하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 케미칼 리프트 오프(CLO) 방식, 화학적 기계적 연마(CMP) 방식, 기계적 연마(MP) 방식이 적용될 수 있으며, 이외에 다른 공지의 방법을 통해 격벽 구조체(120)를 분리할 수도 있다.
마지막으로, 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 색변환 물질이 담겨 있는 격자 상에 광차단 필름을 부착한다(S160). 상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 각각의 격자군에서 제1 격자 및 제2 격자에 각각 적색 및 녹색으로 변환하기 위한 제1 색변환 물질 및 제2 색변환 물질이 담기게 되고, 이를 통해 청색 LED 칩에서 출사되는 광을 각각 적색 및 녹색으로 변환하여 RGB 화소를 구현한다. 이에, 본 실시예에서는 광차단 필름(170)으로 블루 컷 필터 필름을 제1 격자 및 제2 격자 상에 부착하여 제1 격자 및 제2 격자를 통과하면서 색변환이 이루어지지 않은 청색광을 차단하여 색순도를 높일 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체와 그 제조 방법에 의하면, 단일 색상 LED 칩으로 구성된 LED 기판을 사용하여 RGB 디스플레이를 구현할 수 있기 때문에, 마이크로 LED 디스플레이 제조 과정 중 기판 상에 LED 칩을 조립하는 시간을 현저히 단축할 수 있다. 또한, LED 칩에서 출사되는 광의 색변환을 위해 퀀텀닷과 같은 색변환 물질을 포함하는 유리 페이스트를 구조체 내에 주입하고 소결하여 색변환 구조체를 형성함으로써 색변환 물질을 열과 수분으로 보호하여 이로 인한 특성 저하를 방지할 수 있다. 또한, 블루 컷 필터 필름을 격자 상에 부착하여 색변환되지 않은 미량의 청색광을 차단함으로써 마이크로 LED 디스플레이의 색재현율 및 색순도를 높일 수도 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
100: 색변환 구조체
110: 격벽
1101: 격벽용 유리 페이스트
120: 격벽 구조체
130: 격자군
140: 제1 유리
1401: 제1 유리 페이스트
150: 제2 유리
1501: 제2 유리 페이스트
170: 광차단 필름
200: LED 기판
210: LED 칩
300: 기판

Claims (10)

  1. 기판 상에 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계,
    상기 격벽용 유리 페이스트를 소결하여 격벽 구조체를 형성하는 단계,
    상기 격벽 구조체 내의 격자를 인접한 3개의 격자를 1군으로 하는 복수의 격자군으로 구획하고, 각각의 상기 복수의 격자군의 제1 격자 내에 제1 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제1 유리 페이스트를 주입하고, 각각의 상기 격자군의 제2 격자 내에 제2 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계,
    상기 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계,
    상기 격벽 구조체를 상기 기판으로부터 분리하는 단계 및
    상기 제1 유리 페이스트와 상기 제2 유리 페이스트가 주입된 상기 격벽 구조체의 격자 상에 소정 파장의 광을 차단하는 광차단 필름을 부착하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트에 포함되는 유리 분말은 소성 온도가 300℃ 이하인,
    마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유리 페이스트와 상기 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계는 각각의 상기 복수의 격자군의 제3 격자 내에 유리 분말을 포함하는 제3 유리 페이스트를 주입하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계는 상기 제3 유리 페이스트를 소결하는 단계를 포함하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트에 포함되는 반사성 물질은 TiO2를 포함하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유리 페이스트에 포함되는 제1 색변환 물질 및 상기 제2 유리 페이스트에 포함되는 제2 색변환 물질은 퀀텀닷을 포함하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유리 페이스트에 포함되는 제1 색변환 물질은 적색 형광체를 포함하고, 제2 유리 페이스트에 포함되는 제2 색변환 물질은 녹색 형광체를 포함하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 격벽 구조체의 격자 상에 부착되는 광차단 필름은 블루 컷 필터(blue cut filter) 필름인, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계에서는, 상기 격벽용 유리 페이스트를 도포하는 면적을 상기 격벽 구조체의 사전 설정된 면적보다 15% 내지 20% 넓게 형성하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  9. 기판 상에 반사성 물질과 유리 분말을 포함하는 격벽용 유리 페이스트를 격자 형태로 도포하는 단계,
    상기 격벽용 유리 페이스트를 소결하여 격벽 구조체를 형성하는 단계,
    상기 격벽 구조체 내의 격자를 인접한 3개의 격자를 1군으로 하는 복수의 격자군으로 구획하고, 각각의 상기 복수의 격자군의 제1 격자 내에 제1 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제1 유리 페이스트를 주입하고, 각각의 상기 격자군의 제2 격자 내에 제2 색변환 물질과 유리 분말을 포함하는 제2 유리 페이스트를 주입하는 단계,
    상기 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계,
    상기 격벽 구조체를 상기 기판으로부터 분리하는 단계 및
    상기 제1 유리 페이스트와 상기 제2 유리 페이스트가 주입된 상기 격벽 구조체의 격자 상에 소정 파장의 광을 차단하는 광차단 필름을 부착하는 단계
    를 포함하고,
    상기 격벽 구조체의 상기 기판으로부터의 분리는 레이저 리프트 오프 방식, 케미칼 리프트 오프 방식, 화학적 기계적 연마 방식 및 기계적 연마 방식 중 어느 하나의 방식을 이용하는, 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유리 페이스트 및 상기 제2 유리 페이스트를 소결하는 단계 이후에 상기 격벽 구조체, 상기 제1 유리 페이스트가 소결된 제1 유리 및 상기 제2 유리 페이스트가 소결된 제2 유리의 일면을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 마이크로 LED 디스플레이용 색변환 구조체 제조 방법.
KR1020180060716A 2018-05-28 2018-05-28 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법 KR102040975B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180060716A KR102040975B1 (ko) 2018-05-28 2018-05-28 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법
CN201980002466.6A CN110785850A (zh) 2018-05-28 2019-05-27 微型led显示器用颜色变换结构体的制造方法
PCT/KR2019/006339 WO2019231197A1 (ko) 2018-05-28 2019-05-27 마이크로 엘이디 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법
US16/682,277 US20200083411A1 (en) 2018-05-28 2019-11-13 Manufacturing method of color conversion structure for micro led display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180060716A KR102040975B1 (ko) 2018-05-28 2018-05-28 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102040975B1 true KR102040975B1 (ko) 2019-11-06

Family

ID=68541506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180060716A KR102040975B1 (ko) 2018-05-28 2018-05-28 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200083411A1 (ko)
KR (1) KR102040975B1 (ko)
CN (1) CN110785850A (ko)
WO (1) WO2019231197A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797846B (zh) * 2021-11-24 2023-04-01 財團法人工業技術研究院 色彩轉換單元、應用其之色彩轉換結構及應用其之發光二極體顯示器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003335550A (ja) * 2002-03-13 2003-11-25 Toray Ind Inc ガラスペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイ
KR101265727B1 (ko) 2011-12-16 2013-05-20 한국과학기술원 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP2013115351A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｌｅｄ波長変換部材とその製造方法
KR20140054626A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 연세대학교 산학협력단 발광 효율을 개선할 수 있는 구조를 갖는 led 패키지 및 그 제조방법
KR20150030324A (ko) * 2013-09-11 2015-03-20 주식회사 베이스 Led용 색변환 소재 제조 방법
KR20180018945A (ko) * 2016-08-11 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031135A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Toppan Printing Co Ltd 反射型カラープラズマディスプレイの背面板およびその製造方法
KR100499036B1 (ko) * 2003-04-25 2005-07-01 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법
CN1835896A (zh) * 2003-08-11 2006-09-20 日本电气硝子株式会社 玻璃膏及其制造方法
JP6168284B2 (ja) * 2013-04-03 2017-07-26 日本電気硝子株式会社 波長変換材料、波長変換部材及び発光デバイス
US9806240B2 (en) * 2014-03-10 2017-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element, method for producing a wavelength conversion element and method for producing a light-emitting semiconductor component including a wavelength conversion element
KR20160038094A (ko) * 2014-09-26 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003335550A (ja) * 2002-03-13 2003-11-25 Toray Ind Inc ガラスペーストならびにそれを用いたディスプレイ用部材およびディスプレイ
JP2013115351A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｌｅｄ波長変換部材とその製造方法
KR101265727B1 (ko) 2011-12-16 2013-05-20 한국과학기술원 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR20140054626A (ko) * 2012-10-29 2014-05-09 연세대학교 산학협력단 발광 효율을 개선할 수 있는 구조를 갖는 led 패키지 및 그 제조방법
KR20150030324A (ko) * 2013-09-11 2015-03-20 주식회사 베이스 Led용 색변환 소재 제조 방법
KR20180018945A (ko) * 2016-08-11 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN110785850A (zh) 2020-02-11
US20200083411A1 (en) 2020-03-12
WO2019231197A1 (ko) 2019-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102555242B1 (ko) 발광소자 패키지
KR100665219B1 (ko) 파장변환형 발광다이오드 패키지
KR102444287B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107993583A (zh) 微型发光二极管显示装置及其制作方法
US10700246B2 (en) Semiconductor light emitting device
US20200350471A1 (en) Light source device and light emitting device
JP2019153783A (ja) 画像表示素子
KR20190099050A (ko) 포토레지스트의 광발광 패드들을 포함하는 광전자 디바이스를 제조하기 위한 프로세스
JP6093127B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP5724684B2 (ja) 発光デバイス用セル及び発光デバイス
JP2020145425A (ja) 画像表示素子
TWI719794B (zh) 具有光學元件之像素化發光二極體陣列
KR20220101763A (ko) 다공성 입자들을 포함하는 반사성 측벽들을 갖는 발광 다이오드들
CN112420897A (zh) 电子装置
KR102040975B1 (ko) 마이크로 led 디스플레이용 색변환 구조체의 제조 방법
JP6652025B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
CN111613712A (zh) 发光二极管、包括多个发光二极管的像素及其制造方法
US8993367B2 (en) Method for producing cell for light-emitting device and method for producing light-emitting device
JP2024500034A (ja) 横方向に不均質な波長変換層
TW201624775A (zh) 用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法
KR102103881B1 (ko) Uv led칩을 이용하는 백색 발광소자
KR101470295B1 (ko) 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자
TW201543713A (zh) 用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法
JP6427816B2 (ja) 発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法
CN110873978A (zh) 彩色滤光片及液晶显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant