KR102103881B1 - Uv led칩을 이용하는 백색 발광소자 - Google Patents

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Abstract

백색 발광소자가 개시된다. 이 백색 발광소자는, 기판과, 상기 기판 상에 실장된 UV LED칩과, 상기 UV LED칩으로부터의 UV 광이 통과하는 위치에 배치된 유리-형광체 복합체를 포함한다. 상기 유리-형광체 복합체는 상기 UV LED칩과 함께 백색광을 만드는 복수 종의 형광체 5-30wt%와 유리프릿 70-95wt%를 혼합하여 만들어진다.

Description

UV LED칩을 이용하는 백색 발광소자{WHITE LIGHT EMITTING DEVICE USING UV LED CHIP}
본 발명은 UV LED칩을 이용하는 백색 발광다이오드 소자에 관한 것이다. 더 상세하게는, UV LED칩과 더불어, 형광체를 포함하는 유리 담지체, 즉, 유리 형광체 복합체(glass-phosphor composite)를 이용함으로써, 발광 효율이 향상되고 수명이 증가된 백색 발광소자에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 디스플레이의 백라이트 광원, 표시소자, 조명장치 등에 사용되고 있다. 백색 발광 다이오드는 빛의 3원색의 조합으로 백색광을 구현한다. 발광 다이오드로부터 백색을 구현하는 방식은 청색 LED칩과 황색 형광체의 조합을 이용하는 방식과, UV LED칩과 적색, 녹색 그리고 청색의 3가지 형광체를 조합하는 방식이 보편적이다. 통상 형광체는 분말 형태로 에폭시 또는 실리콘 담지체에 혼합되어 LED칩 상부에 도포된 형태로 이용되고 있다.
형광체를 이용하는 구체적인 방식으로, LED칩의 주변을 둘러싸는 담지체로 된 봉지부에 형광체를 분산시키는 방법이 주로 사용되고 있다. 그런데, 조명용 백색 발광소자는 고휘도, 고출력이 요구되므로, LED칩 주변온도가 200℃ 이상으로 상승할 수 있다. 이때, 에폭시 또는 실리콘 등과 같은 물질로 형성된 담지체는 LED칩 및 형광체의 변성온도에 비해 낮은 변성온도를 가지므로, 형광체 분말의 담지체(특히, 에폭시 또는 실리콘)가 변성되는 현상, 즉, 황변 또는 갈변 등의 현상이 발생한다.
담지체의 변성은 백색 발광소자의 광출력을 저하시키며, 백색 발광소자 전체의 수명을 감소시키는 원인이 된다. 게다가, 에폭시 바인더는 자외선에 노출될 경우에도 황변 현상이 일어나며, 따라서, 수명이 짧고 야외 조명용 발광소자로의 적용에 부적합하다.
LED칩 상에 형광체를 형성하는 방법은 여러로 다양하게 이용될 수 있는데, 특히, 최근에는 LED칩 위에 형광체를 담은 층을 두는 방법이 효과적이라는 연구결과가 있다(Luo, H. et al., Applied Physics Letters 86, no. 24 (Jun 13 2005)). 그러나, 위와 같은 층은 얇은 디스크 형태로 형성되므로, LED 광원으로부터 방출된 광이 형광체에 의해 변환되지 않고 외부로 투과될 수 있다. 따라서, 1종의 형광체(황색 형광체) 또는 2종의 형광체(녹색 형광체 및 적색 형광체)를 적용하여 백색광의 구현이 가능한, 청색 LED칩을 포함하는 백색 발광소자에서 제한적으로 이루어지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 우수한 기계적 강도와, 고온 및 자외선 노출 환경에서의 화학적 안정성을 갖는 유리 담지체 및 형광체들을 포함하는 유리-형광체 복합체 및 이를 갖는 백색 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, UV LED칩 및 유리-형광체 복합체를 포함하는 백색 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자는, UV LED칩; 유리-형광체 복합체를 포함하며, 상기 유리-형광체 복합체는 복수 종의 형광체 5-30wt%와 유리프릿 70-95wt%를 포함할 수 있다.
상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 다른 색의 광을 발하는 3종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 두 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체와, 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 한 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 UV LED칩은 200nm~420nm 범위의 파장을 가질 수 있다.
한편, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 및 양자점 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
나아가, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함할 수 있고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함할 수 있고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함할 수 있고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함할 수 있고, 상기 양자점 형광체는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 및 GaAs중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖는 것일 수 있다.
또한, 상기 유리프릿은 Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있고, 또는, 상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있다.
나아가, 상기 유리프릿은 Al 또는 Zr를 포함하는 구조 안정제를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca를 포함하는 금속 산화물 또는 불화물을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 상기 유리-형광체 복합체는 단일 유리 담지체에 복수 종의 형광체가 담지되고, 상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 것일 수 있다.
또는, 상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 복수의 유리 담지체가 적층된 구조를 포함하고, 상기 복수의 유리 담지체는 각각 서로 다른 종류의 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, UV LED칩과 더불어 백색광을 만드는 형광체들이 유리 담지체에 담지된 구조의 유리-형광체 복합체가 이용된다. 유리 담지체는, 종래 형광체의 담지체로 사용되었던 에폭시나 실리콘과 비교할 때, 녹는점이 높아 열적 안정성이 뛰어나고 그와 동시에 화학적 안정성이 우수하다. 유리-형광체 복합체는 UV LED칩 동작시 발생하는 열 및 UV 광에 의한 열화, 즉 갈변이나 황변 현상이 일어나지 않는 장점을 갖는다. 또한, 유리 담지체로, 에폭시에 비해 고굴절률인 유리 재료를 이용함으로써, 굴절률 차이로 인한 전반사를 줄일 수 있고, 이에 의해, 광의 손실을 크게 줄일 수 있다. 또한, 유리 재료를 형광체 담지체로 이용할 경우, 대면적화가 용이하다는 장점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 3종 이상의 형광체를 포함하는 유리-형광체 복합체를 제공함으로써, 기존 유기 담지체와 비교하여 열적 안정성을 증가시켜, 갈변, 황변 등으로 인한 수명 단축을 방지할 수 있다. 또한 유리 담지체의 적용으로 인해, 광적 특성을 변화시킬 수 있는 기술 개발의 여지를 증가된다.
도 1은 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자를 도시한 단면도이고,
도 2는 도 1에 도시된 백색 발광소자에 적용되는 유리-형광체 복합체의 성형 방식을 설명하기 위한 도면이며,
도 3은 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 색좌표를 실험 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고,
도 4의 (a) 및 (b)는 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 발광사진을 보여주는 도면들이며,
도 5는 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하여 제조된 유리-형광체 복합체들 각각을 포함하는 백색 발광소자의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이며,
도 6 내지 도 8은 본 발명의 여러 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광소자(1)는 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 UV LED칩(4)과 상기 UV LED칩(4)의 상부면에 부착된 유리-형광체 복합체(6)과, 상기 UV LED칩(4) 및 상기 유리-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함한다. 상기 실란트(8)는 투광성을 갖는 수지, 예컨대, 에폭시 또는 실리콘 등으로 형성될 수 있다.
본 명세서에서, 용어 "백색광" 또는 "백색 발광"은 백색으로 인지되는 2000K 내지 10,000K의 상관색온도(Correlated Color Temperature, CCT) 범위를 가지는 광 또는 그러한 광의 방출을 의미한다.
상기 기판(2)은 상기 UV LED칩(4)과 전기적으로 연결되는 도전성 전극 패턴 을 구비한 PCB(Print Circuit Board)일 수 있다. 또는, 상기 기판(2)은 도전성 기판 또는 절연성 기판일 수 있으며, 그 형태는 제한되지 않는다. 상기 UV LED칩(4)는 200nm~420nm 범위 파장의 자외선 광을 발하도록 구성될 수 있다.
상기 유리-형광체 복합체(6)는 디스크 형태를 가질 수 있다. 또한, 유리-형광체 복합체(6)는 복수의 형광체 및 유리 담지체(61)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 유리-형광체 복합체(6)는 UV LED칩(4)과 함께 백색광을 만드는 3종 이상의 형광체(62R, 62G, 62B)가 유리 담지체(61)에 담지된 구조로 이루어진다. 상기 유리-형광체 복합체(6)는 이하 자세히 설명되는 바와 같이 5-30wt% 형광체와 70-95wt% 유리프릿(glass frits)이 균일하게 혼합되어 형성될 수 있다. 상기 3종 이상의 형광체는 적색 형광체(62R), 녹색 형광체(62G) 및 청색 형광체(62G)를 포함할 수 있다.
이제 전술한 유리-형광체 복합체를 구성하는 요소들인 형광체 및 유리프릿과 이들 요소들을 이용하여 유리-형광체 복합체를 만드는 방법에 대하여 보다 구제적으로 설명한다.
- 형광체 -
유리-형광체 복합체에는 UV LED칩과 함께 백색광을 만드는 복수 종의 형광체들이 제공된다. 이러한 형광체들은 적색, 녹색, 그리고 청색 3가지 형광체를 포함할 수 있다. 단, 두 가지 색을 발하는 형광체(예컨대, Mn과 Eu 등 전이금속과 희토류 등 두가지 원소를 동시에 포함한 형광체)의 경우, 앞에서 언급한 3가지 형광체 중 두 가지 형광체를 대체한다.
또한 앞에서 언급된 적색, 녹색 그리고 청색 이외에 다른 색을 포함할 수 있다. 형광체는 형광 물질로 이루어지며, 형광 물질은 무기 입자, 유기 입자 또는 유기 분자 또는 그 조합일 수 있다.
적합한 무기 입자는 도핑된 가닛(garnet)(예를 들어, YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함하는), 알루미네이트(예를 들어, BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu, 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 나이트라이드(예를 들어, CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 실리케이트(예를 들어, SrBaSiO:Eu를 포함하는), 설파이드(예를 들어, ZnS:Ag, CaS:Eu, 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함하는), 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드(예를 들어, β-SiAlON:Eu을 포함하는), 포스페이트, 클로-포스페이트(예를 들어, Sr5(PO4)3Cl:Eu을 포함하는), 보레이트 및 텅스테이트(예를 들어, CaWO4를 포함하는)를 포함한다. 이들 물질은 통상적인 형광체 분말 또는 나노입자형 형광체 분말의 형태일 수도 있다. 적합한 무기 입자의 다른 부류로는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP,InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, 또는 GaAs 및 그 조합을 포함하는 반도체 나노입자로 만들어진 소위 양자점 형광체(quantum dot phosphor)가 있다.
- 유리프릿 -
유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖는 유리 재료일 수 있다. 또한 상기 유리프릿은, 예를 들어, Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산물화물을 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함할 수 있다.
나아가, 유리프릿은 구조 안정제를 포함할 수 있으며, 이 구조 안정제로는 예를 들어, Al 또는 Zr이 사용될 수 있다. 더 나아가, 상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca 등의 알칼리 (또는 알칼리토) 금속 산화물 또는 불화물을 포함할 수 있다.
- 형광체-유리 복합체의 제조예 -
50B2O3-20ZnO-30Bi2O3 (mol%, 굴절률 n=1.9)를 얻기 위해, B2O3과 ZnO, Bi2O3 시약을 적절히 칭량한 후, 혼합한다. 알루미나 도가니에 담은 후, 900℃ 전기로에서 40분간 녹인다. 그 후, 청동판 위에서 급냉시킨다. 이후, 상기 전기로를 거친 혼합물을 알루미나 막자사말을 이용하여 분쇄한다. 이후 45㎛이하의 입자를 고르기 위하여 체 고르기를 한다. 이를 통해 얻어진 파우더는 "유리프릿"으로서, 형광체-유리 복합체에서 UV LED칩과 함께 백색광을 만드는 형광체들을 담지하는 재료로 이용한다.
형광체는 적색 CaAlSiN3:Eu , 녹색 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, 청색 Sr5(PO4)3Cl:Eu 을 이용하였고, 유리프릿과 형광체 총량의 비율에 따라서 RGB 비율이 정해진다. 전체 중량에 대하여 유리프릿의 양을 90wt%, 총 형광체양을 10wt%로 할 경우, 형광체간 무게비율은 적색 7, 녹색 100, 청색 36 으로 맞춘다. 전체 중량에 대하여 유리프릿의 양을 70wt%, 총 형광체양을 30wt%로 할 경우, 형광체 무게비율을 적색 3, 녹색 100, 청색 66 으로 맞춘 후, 형광체와 유리프릿을 함께 균일하게 혼합한다.
유리프릿과 형광체가 균일하게 혼합된 혼합물을 도 2에 도시된 것과 같은 금속 몰드에 넣은 후, 20kg/cm2, 2분 동안 프레스 과정을 통하여, 디스크 형태를 갖는 유리-형광체 복합체로 제조한다. 이후 유리-형광체 복합체를 전기로에 넣고 490℃에서 30분간 소결과정을 거친다. 이후, 연마과정을 통해, 유리-형광체 복합체의 표면을 매끄럽게 다듬는다.
이러한 과정을 통해서 디스크형태를 갖는 유리-형광체 복합체를 최종적으로 얻어질 수 있다.
- 실험예 -
도 3은 유리와 형광체 비율을 9:1과 7:3으로 달리하면서 전술한 방법으로 제조된 유리-형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용하여 색좌표를 측정한 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고, 도 4의 (a) 및 (b)는 동일한 방법으로 제조된 유리-형광체 복합체를 동일 백색 발광소자에 적용한 후의 발광사진을 보여주며, 도 5는 동일 백색 발광소자의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, UV LED칩과 유리-형광체 복합체를 이용하여 의도한 색좌표의 광을 발하는 백색 발광소자가 구현됨을 알 수 있다.
이하, 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자들을 설명한다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 백색 발광소자들을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 6에 도시된 백색 발광소자(1)는, 도 1에 도시된 백색 발광소자와 마찬가지로, 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 UV LED칩(4)과 상기 UV LED칩(4)의 상부면에 부착된 유리-형광체 복합체(6)과, 상기 UV LED칩(4) 및 상기 유리-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함한다. 단일 판 형태의 유리-형광체 복합체를 이용하는 앞선 실시예의 백색 발광소자와 달리, 도 6에 도시된 백색 발광소자는 3개의 단위 유리-형광체 복합체들(6R, 6G, 6B)이 적층되어 하나의 유리-형광체 복합체(6)를 구성한다. 그리고, 각 단위 유리-형광체 복합체(6R, 6G 또는 6B)는 디스크 형태를 갖는 유리 담지체 각각이 형광체(62R, 62G 또는 62B)를 담지하는 구조로 이루어진다.
상기 복수 종의 단위 유리-형광체 복합체들 중, 제1 단위 유리-형광체 복합체(6R)는 적색 형광체(62R)를 포함하고, 제2 단위 유리-형광체 복합체(6G)는 녹색 형광체(62G)를 포함하고, 제3 단위 유리-형광체 복합체(62B)를 포함한다. 각 단위 형광체-복합체를 제조하는 방법은 앞에서 설명한 유리-형광체 복합체의 제조 방식과 동일 또는 유사하게 유리프릿과 형광체가 균일하게 혼합된 혼합물(6')을 몰드(M)를 이용하여 프레스 성형하고 열처리하여 방식을 이용할 수 있다.
도 7에 도시된 백색 발광소자는 도 1에 도시된 백색 발광소자와 마찬가지로 적색 형광체(62R), 녹색 형광체(62G) 및 청색 형광체(62R)가 균일하게 분산되어 있는 단일 판 형태의 유리-형광체 복합체(6)를 포함한다. 앞선 실시예들과 달리, 본 실시예에 따른 백색 발광소자는 캐비티(21)가 형성된 리플렉터 타입의 기판(2)을 포함한다. 이때, 실란트(8)는 유리-형광체 복합체(6)의 상기 캐비티(21) 내에서 상기 유리-형광체 복합체(6)의 상부와 하부에 형성되어 있다. 상기 실란트(8)는 상기 유리-형광체 복합체(6) 하부에서 상기 UV LED칩(2)의 측면 둘레를 덮는다.
도 8에 도시된 백색 발광소자는, 도 6에 도시된 백색 발광소자와 동일하게, 3개의 단위 유리-형광체 복합체들이(6R, 6G, 6B)가 적층되어 형성된 유리-형광체 복합체(6)를 포함하는 한편, 도 7에 도시된 백색 발광소자와 동일하게, 캐비티(21)를 갖는 리플렉터 타입의 기판(2)을 포함한다. 유리-형광체 복합체(6)를 기준으로 상기 캐비티(21) 하부에서는, 실란트(8)가 UV LED칩(2)의 측면 둘레를 덮고 있다. 이때, 적층되는 유리-형광체 복합체들이 갖는 형광체의 종류는 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 하부에는 적색 형광체, 중간부분에는 녹색 형광체, 상부에는 청색 형광체가 위치하도록 할 수 있다. 이에 따라, 형광체에 여기된 광이 다시 다른 형광체에 여기되지 않고 외부로 방출될 수 있다.
이상에서, 본 발명의 다양한 실시예들에 대하여 설명하였지만, 상술한 다양한 실시예들 및 특징들에 본 발명이 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위에 의한 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능하다.

Claims (13)

  1. UV LED칩;
    유리-형광체 복합체; 및
    상기 유리-형광체 복합체를 덮도록 형성된 투광성 수지를 포함하며,
    상기 유리-형광체 복합체는 복수 종의 형광체 5-30wt%와 유리프릿 70-95wt%를 포함하고,
    상기 유리프릿은 150 - 450℃의 유리 전이 온도를 갖고,
    상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 두 가지 색을 동시에 발하는 1종 이상의 형광체와, 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 한 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체를 포함하고,
    상기 두 가지 색을 발하는 1종 이상의 형광체는 서로 다른 두 종류의 희토류 원소를 동시에 포함하며,
    상기 유리-형광체 복합체는 상기 UV LED 칩의 상부면에 접하여 배치된 백색 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수 종의 형광체는 상기 UV LED칩의 UV 광에 의해 여기되어 다른 색의 광을 발하는 3종 이상의 형광체를 포함하는 백색 발광소자.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 UV LED칩은 200nm~420nm 범위의 파장을 갖는 백색 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 및 양자점 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 및 BAM:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고,
    상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 및 SrGa2S4:Eu 중 적어도 하나를 포함하고,
    옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고,
    상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고,
    상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고,
    상기 양자점 형광체는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 및 GaAs중 적어도 하나를 포함하는 백색 발광소자.
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리프릿은 Sn, Zn, Pb, Sb 또는 Bi의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함하는 백색 발광소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리프릿은 B, P, Si 또는 Ge의 산화물, 불화물 또는 산불화물을 포함하는 백색 발광소자.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리프릿은 Al 또는 Zr를 포함하는 구조 안정제를 포함하는 백색 발광소자.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리프릿은 Li, Na, K 또는 Ca를 포함하는 금속 산화물 또는 불화물을 포함하는 백색 발광소자.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리-형광체 복합체는 단일 유리 담지체에 복수 종의 형광체가 담지되고,
    상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 백색 발광소자.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 유리-형광체 복합체는 디스크 형태를 갖는 복수의 유리 담지체가 적층된 구조를 포함하고,
    상기 복수의 유리 담지체는 각각 서로 다른 종류의 형광체를 포함하는 백색 발광소자.
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