KR102038985B1 - 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
가요성 표시 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102038985B1 KR102038985B1 KR1020130018837A KR20130018837A KR102038985B1 KR 102038985 B1 KR102038985 B1 KR 102038985B1 KR 1020130018837 A KR1020130018837 A KR 1020130018837A KR 20130018837 A KR20130018837 A KR 20130018837A KR 102038985 B1 KR102038985 B1 KR 102038985B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel portion
- flexible display
- pixel
- display device
- area
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 5
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/03—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes specially adapted for displays having non-planar surfaces, e.g. curved displays
- G09G3/035—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes specially adapted for displays having non-planar surfaces, e.g. curved displays for flexible display surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2340/00—Aspects of display data processing
- G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image
- G09G2340/0407—Resolution change, inclusive of the use of different resolutions for different screen areas
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
접히는 밴딩 영역 및 접히지 않는 평탄한 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 구동 박막트랜지스터를 포함하는 소자/배선층; 상기 소자/배선층 상에서 상기 평탄한 영역에 형성된 복수의 제1 픽셀부; 및 상기 소자/배선층 상에서 상기 밴딩 영역에 형성된 복수의 제2 픽셀부;를 포함하며, 상기 제1 픽셀부의 픽셀간 간격과 상기 제2 픽셀부의 픽셀간 간격이 서로 다른 가요성 표시 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 가요성 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 얼룩 현상을 개선한 가요성 표시장치에 관한 것이다.
표시 장치란 영상 신호를 표시하는 장치를 의미한다. 이러한 표시 장치는 텔레비전, 컴퓨터 모니터, PDA 및 최근 폭발적으로 수요가 증가한 스마트 기기 등 외부에서 입력되는 영상 신호를 표시하는 모든 장치를 포함한다.
상기 표시 장치에 유기 발광 표시 패널, 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전기 영동 표시 패널 등과 같은 고화질의 평판형 표시 모듈이 사용되고 있다.
최근에는 경량화 및 박형화가 가능하고, 휴대성을 높일 수 있는 가요성 표시 장치가 개발되고 있다. 가요성 표시 장치는 가요성 기판을 사용하여 곡면 형태를 유지 또는 곡면 형태로 변형 가능한 디스플레이를 의미한다. 가요성 표시 장치는 제조 및 구동에 있어서 기존의 디스플레이와 상이하여, 제조 및 구동 분야의 연구가 요구된다.
상기 과제를 해결하기 위하여 얼룩현상을 개선한 가요성 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 접히는 밴딩 영역 및 접히지 않는 평탄한 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 구동 박막트랜지스터를 포함하는 소자/배선층; 상기 소자/배선층 상에서 상기 평탄한 영역에 형성된 복수의 제1 픽셀부; 및 상기 소자/배선층 상에서 상기 밴딩 영역에 형성된 복수의 제2 픽셀부;를 포함하며, 상기 제1 픽셀부의 픽셀간 간격과 상기 제2 픽셀부의 픽셀간 간격이 서로 다른 가요성 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제2 픽셀부의 픽셀간 간격은 상기 제1 픽셀부의 픽셀간 간격보다 더 작을 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제2 픽셀부의 픽셀간 간격은, 상기 밴딩 영역이 접히는 경우, 상기 제2 픽셀부의 단위 면적당 픽셀 수가 상기 평탄한 영역의 상기 제1 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수와 동일한 값을 갖질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 평탄한 영역은 상기 가요성 표시 장치를 밴딩하는 경우, 압축 및 인장 응력이 발생하지 않으며, 상기 밴딩 영역은 상기 가요성 장치를 밴딩하는 경우, 상부 밴딩 영역의 상부 표면은 인장응력을 상기 밴딩 영역의 하부 표면은 압축 응력이 발생할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 밴딩 영역은, 접힌 상태로 고정될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는, 유기 발광층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 형성된 봉지층;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 봉지층은, 무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막을 포함할 수 있다.
또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 접히지 않은 평탄한 영역과 접힌 상태로 그 형태가 고정된 밴딩 영역을 포함하는 기판; 상기 평탄한 영역에 형성된 복수의 제1 픽셀부; 및 상기 밴딩 영역에 형성된 복수의 제2 픽셀부;를 포함하며, 상기 제1 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수와 상기 제2 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수가 서로 동일한 가요성 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 밴딩 영역은, 0도 보다 더 크고 180도 이하의 값을 갖도록 밴딩되어 고정될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 폴리이미드를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는, 유기 발광층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 형성된 봉지층;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 봉지층은, 무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막을 포함할 수 있다.
또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 접히지 않는 평탄한 영역과 접힌 상태로 고정되는 밴딩 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 밴딩 영역이 접히는 경우의 곡률 반지름을 계산하는 단계; 및 상기 곡률 반지름에 기초하여 상기 밴딩 영역이 접힌 상태에서의 단위 면적당 픽셀수와 상기 평탄한 영역에서의 단위 면적당 픽셀수가 서로 동일하도록, 상기 평탄한 영역에 복수의 제1 픽셀부 및 상기 밴딩 영역에 복수의 제2 픽셀부를 형성하는 단계;를 포함하는 가요성 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 형성하는 단계는, 상기 제2 픽셀부의 픽셀간 간격이 상기 제1 픽셀부의 픽셀간 간격보다 더 작을 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는, 유기 발광층을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 봉지층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 봉지층은, 무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막일 수 있다.
미리 산화반응을 유도하여 제1 무기막을 형성하므로, 유기 발광부의 제2 전극이 산화되는 것을 방지할 수 있으며, 유기발광 표시장치의 광투과율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 가요성 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 가요성 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1의 가요성 표시 장치의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 가요성 표시 장치의 일 픽셀부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 가요성 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 가요성 표시 장치의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 형성하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 도 1의 가요성 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1의 가요성 표시 장치의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 가요성 표시 장치의 일 픽셀부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 가요성 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 가요성 표시 장치의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 형성하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 가요성 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 가요성 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
본 발명의 실시예에 따른 가요성 표시 장치(1)는 밴딩 영역(II)의 접힌 상태가 유지되도록 케이스에 고정되며, 평탄한 영역(I)과 밴딩 영역(II) 모두에서 픽셀이 동작하는 경우에 얼룩 현상을 방지할 수 있다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치(1)는 기판(10), 상기 기판(10) 상에 형성된 버퍼층(20), 상기 버퍼층(20) 상에 형성된 복수의 박막 트랜지스터(미도시)를 포함하는 소자/배선층(30), 상기 소자/배선층(30) 상에 형성된 복수의 픽셀부(PX1, ..., PX9), 및 상기 복수의 픽셀부(PX1, ..., PX9) 상에 형성된 봉지층(40)을 포함한다.
상기 기판(10)은 평탄한 영역(I) 및 밴딩 영역(II)을 포함한다. 상기 평탄한 영역(I)은 접히지 않는 영역을 의미하며, 상기 밴딩 영역(II)은 접히는 영역을 의미한다. 또한, 상기 밴딩 영역(II)은 접힌 상태로 케이스(미도시)에 실장된다.
또한, 상기 기판(10)은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드 등과 같은 플라스틱으로 구성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(10)은 가요성이 있는 다양한 소재로 구성될 수 있다.
상기 기판(10) 상에는 버퍼층(20)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층(20)은 수분이나 산소와 같은 외부의 이물질이 상기 기판(10)을 투과하여 상기 소자/배선층(30) 및/또는 상기 픽셀부(PX1, ..., PX9) 등에 침투하는 것을 방지한다.
상기 버퍼층(20) 상에는 소자/배선층(30)이 배치될 수 있으며, 상기 소자/배선층(30)에는 상기 픽셀부(PX1, ..., PX9)를 구동시키는 구동 박막트랜지스터(TFT), 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 커패시터, 상기 박막트랜지스터나 커패시터에 연결되는 배선들(미도시)이 포함될 수 있다.
상기 소자/배선층(30) 상에는 복수의 픽셀부(PX1, ..., PX9)가 배치된다.
상기 복수의 픽셀부(PX1, ..., PX9)는 평탄한 영역(I)에 형성되는 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9) 및 밴딩 영역(II)에 형성되는 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 평탄한 영역(I)에 형성되는 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀간 간격(d1)은 서로 동일하며, 상기 밴딩 영역(II)에 형성되는 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격(d2)은 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀간 간격(d1) 보다 더 작은 값을 갖는다. 즉, 밴딩 전 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 단위 면적당 픽셀 수는 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 단위 면적당 픽셀 수보다 더 크다.
상기 가요성 표시 장치(1)가 접힌 상태로 케이스(미도시) 실장되는 경우, 상기 밴딩 영역(II)의 상부표면은 압축 응력(compressive stress)을 받으며, 상기 밴딩 영역(II)의 하부 표면은 인장 응력(tensile stress)을 받는다.
따라서, 밴딩이 되지 않는 상기 평탄한 영역(I)의 픽셀 간 거리는 변함없이 일정한 값을 가지나, 상기 밴딩 영역(II)은 밴딩이 되어 곡률 반지름이 증가하므로, 픽셀 간 간격이 밴딩 전과 비교하여 더 큰 값을 갖게 된다.
이로 인하여, 밴딩 영역과 평탄한 영역의 구분없이 동일한 간격으로 픽셀을 형성하고, 밴딩이 되는 경우, 상기 평탄한 영역(I)과 상기 밴딩 영역(II)은 단위 면적당 서로 다른 픽셀 수를 가지므로, 얼룩 현상이 발생하는 문제점이 있다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 평탄한 영역(I)과 밴딩 영역(II)을 구분하고, 상기 밴딩 영역(II)에서의 픽셀간 간격을 상기 평탄한 영역(I)의 픽셀간 간격과 비교하여 더 좁게 형성한다.
따라서, 상기 가요성 표시 장치(1)의 상기 밴딩 영역(II)이 밴딩된 상태로 케이스에 실장 되더라도, 상기 평탄한 영역(I)과 상기 밴딩 영역(II)에서 서로 동일한 단위 면적당 픽셀 수를 가질 수 있으므로, 가요성 표시 장치(1)의 얼룩 현상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 밴딩 영역(II)과 상기 평탄한 영역(I)의 경계 부근에 형성된 픽셀부(PX3 및 PX4, PX6 및 PX7)의 픽셀 간의 거리(d3)는 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀간 거리(d1)와 같거나 또는 더 작을 수 있다.
상기 밴딩 영역(II)에서의 픽셀 간 간격(d2)은 상기 밴딩 영역(II)의 두께, 곡률 반지름의 크기, 접히는 정도 등을 고려하여 결정할 수 있다. 또한, 상기 평탄한 영역(I)과 상기 밴딩 영역(II)의 경계에서의 픽셀간 거리(d3)도 상기 밴딩 영역(II)의 두께, 곡률 반지름의 크기, 접히는 정도 등을 고려하여 결정할 수 있다.
그러므로, 상기 밴딩 영역(II)의 접히는 정도에 관계없이, 밴딩 후 상기 밴딩 영역(II) 상부 표면의 곡률 반지름을 계산하여 상기 밴딩 영역(II)의 픽셀 간 간격을 조절할 수 있으므로, 곡률 반지름의 크기에 관계없이 상기 가요성 표시 장치(1)의 색상 왜곡을 방지할 수 있다.
또한, 위에서는 픽셀부를 9개를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 밴딩 영역(II)의 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)는 3개의 픽셀을 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 밴딩 영역(II)의 면적, 접히는 정도 등에 따라서 그 수는 달라질 수 있다.
도 3은 도 1의 가요성 표시 장치(1)의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다. 상기 가요성 표시 장치(1)은 도 3에 도시된 바와 같이 밴딩 영역(II)이 고정되어 케이스(미도시)에 실장된다.
도 3을 참조하면, 밴딩 후, 밴딩 영역(II)에서의 픽셀 간 간격(d1)과 평탄한 영역(I)에서의 픽셀 간 간격(d1)이 서로 동일한 것을 알 수 있다.
상기 평탄한 영역(I) 및 상기 밴딩 영역(II)은 단위 면적당 동일한 픽셀 수를 가지므로, 상기 영역(I, II) 간에 색 차이가 발생하지 않는다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 평탄한 영역(I)과 밴딩 영역(II)을 분리하여, 각 영역(I, II)에서의 픽셀 간 간격을 달리함으로써, 각 영역(I, II) 간에 색 차이를 방지하여 얼룩 현상을 방지할 수 있다.
도 4는 도 1의 가요성 표시 장치의 일 픽셀부(A)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(10) 상에는 버퍼층(20) 및 소자/배선층(30)이 배치되며, 상기 소자/배선층(30)은 구동 박막트랜지스터(TFT), 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 커패시터, 상기 박막트랜지스터나 커패시터에 연결되는 배선들(미도시)을 포함할 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(32)과, 게이트 전극(34)과, 소스 전극 및 드레인 전극(36a, 36b)을 포함한다.
상기 소자/배선층(30) 상에 배치되는 픽셀부(PX)는 화소 전극(221), 상기 화소 전극(221) 상에 배치된 유기 발광층(222) 및, 상기 유기 발광층(222) 상에 형성된 대향 전극(223)을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 화소 전극(221)은 애노드(anode)이고, 상기 대향 전극(223)은 캐소드(cathode)로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 가요성 표시 장치(1)의 구동 방법에 따라 상기 화소 전극(221)이 캐소드이고, 상기 대향 전극(223)이 애노드일 수도 있다. 상기 화소 전극(221) 및 상기 대향 전극(223)으로부터 각각 정공과 전자가 상기 유기 발광층(222) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 광을 방출한다.
상기 화소 전극(221)은 상기 소자/배선층(30)에 형성된 구동 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서는, 상기 픽셀부(PX)가 구동 박막트랜지스터(TFT)가 배치된 소자/배선층(30) 상에 배치된 구조에 관하여 기재하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 픽셀부(PX)의 상기 화소 전극(221)이 박막트랜지스터(TFT)의 상기 활성층(32)과 동일층에 형성된 구조, 또는 상기 화소 전극(221)이 상기 게이트 전극(34)과 동일층에 형성된 구조, 또는 상기 화소 전극(221)이 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극(36a, 36b)과 동일 층에 형성된 구조 등 다양한 형태로 변형이 가능하다.
또한, 본 실시예에서 구동 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 전극(34)이 상기 활성층(32) 상에 배치되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 상기 게이트 전극(34)이 상기 활성층(32)의 하부에 배치될 수도 있다.
본 실시예의 상기 픽셀부(PX)에 구비된 상기 화소 전극(221)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다.
상기 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
상기 화소 전극(221)과 대향되도록 배치된 상기 대향 전극(223)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O-3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 상기 대향 전극(223)은 상기 픽셀부(PX)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다.
상기 화소 전극(221)과 상기 대향 전극(223)의 사이에는 유기 발광층(222)이 배치되며, 상기 유기 발광층(222)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
상기 화소 전극(221)과 상기 대향 전극(223)의 사이에는 상기 유기 발광층(222) 이외에, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 중간층이 선택적으로 배치될 수 있다.
상기 유기 발광층(222)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 상기 화소 전극(221)에 의해 반사되어, 상기 대향 전극(223) 측으로 방출되는 전면 발광형일 수 있다.
그러나, 본 발명의 가요성 표시 장치(1)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 상기 유기 발광층(222)에서 방출된 광이 상기 기판(10) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 상기 화소 전극(221)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 상기 대향 전극(223)은 반사 전극으로 구성될 수 있다.
또한, 가요성 표시 장치(1)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
상기 대향 전극(223) 상에는 봉지층(40)이 배치될 수 있다. 상기 봉지층 (40)은 다층으로 형성된 무기막, 또는 무기막과 유기막을 포함하는 박막으로 구성될 수 있다. 상기 봉지층(40)는 외부의 수분과 산소 등이 상기 픽셀부 (PXL)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 가요성 표시 장치(2)를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 가요성 표시 장치(2)의 접힌 형태를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5에서, 도 1의 가요성 표시 장치(1)와 동일한 구성요소에는 동일한 참조부호를 사용하며, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 5를 참조하면, 가요성 표시 장치(2)는 기판(10)이 접히지 않는 영역에 해당하는 평탄한 영역(I) 및 상기 기판(10)이 접히는 영역에 해당하는 밴딩 영역(II)을 포함한다.
상기 평탄한 영역(I)에 형성되는 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀간 간격(d5)은 서로 동일하며, 상기 밴딩 영역(II)에 형성되는 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격(d4)은 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9) 의 픽셀간 간격(d5) 보다 더 작은 값을 갖는다.
도 5의 밴딩 영역(II)은 상기 밴딩 영역(II)이 90도로 접히기 전의 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격(d4)을 나타낸다. 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격(d4)은 상기 밴딩 영역(II)이 90도로 접히는 경우의 곡률 반지름을 미리 계산하여, 밴딩 후 상기 평탄한 영역(I) 및 상기 밴딩 영역(II)에서의 단위 면적당 픽셀수가 서로 동일하도록 조절할 수 있다.
또한, 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격(d4)은 상기 밴딩 영역(II)의 접히는 정도에 따라서 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 밴딩 영역(II)이 접히는 정도에 따라 곡률 반지름이 증가하는 경우, 밴딩 후 밴딩 영역(II)의 단위면적당 픽셀수와 상기 평탄한 영역(I)의 단위 면적당 픽셀 수가 서로 같도록 하기 위하여, 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀 간 간격이 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 간격보다 더 작도록 조정할 수 있다.
도 6은 도 5의 가요성 표시 장치(2)의 밴딩 영역(II)이 90도로 접힌 경우의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 밴딩 영역(II)에서의 픽셀간 간격(d5)은 평탄한 영역(I)에서의 픽셀간 간격(d5)과 동일하다.
즉, 상기 평탄한 영역(I)은 가요성 표시 장치(2)에서 접히지 않는 영역이므로, 상기 밴딩 영역(II)의 밴딩 전후 동일한 픽셀간 거리(d5)를 나타내며, 상기 밴딩 영역(II)은 밴딩 전 픽셀간 간격(d4)이 밴딩 후 d5로 증가하게 된다.
따라서, 상기 평탄한 영역(I) 및 상기 밴딩 영역(II)에서의 단위 면적당 픽셀수는 동일하므로, 가요성 표시 장치(2)의 얼룩 현상을 방지할 수 있다.
위에서는 밴딩 영역(II)이 90도 및 180도로 밴딩되어 케이스(미도시)에 고정되는 경우를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 밴딩 영역(II)은 0도 보다 더 크고 180도 이하의 값을 갖도록 밴딩되어 상기 케이스게 고정될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치를 형성하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5 및 도 7을 함께 참조하면, 접히지 않는 평탄한 영역(I)과 접힌 상태로 고정되는 밴딩 영역(II)을 포함하는 기판(10)을 준비한다(S1).
상기 기판(10) 상에 버퍼층(20)을 더 포함할 수 있으며, 상기 버퍼층(20) 상에 박막 트랜지스터(미도시)를 포함하는 소자/배선층(30)을 형성한다.
상기 소자/배선층(30) 상에 복수의 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX4, PX5, PX6, PX7, PX8, PX9)를 형성한다.
상기 복수의 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX4, PX5, PX6, PX7, PX8, PX9)는 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9) 및 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)를 포함한다. 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)는 상기 평탄한 영역(I)에 형성되며, 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)는 상기 밴딩 영역(II)에 형성된다.
상기 밴딩 영역(II)에 형성되는 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀 간격은 상기 평탄한 영역(I)에 형성되는 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀간 간격보다 더 좁다.
따라서, 상기 밴딩 영역(I)의 마스크 패턴 간격이 상기 평탄한 영역(I)의 마스크 패턴 간격보다 더 작은 마스크를 이용하여, 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9) 및 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)를 형성할 수 있다.
상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀 간 간격과 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀 간 간격은, 마스크를 이용하는 포토 공정을 통하여 물리적으로 달라질 수 있다.
또한, 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀 간 간격과 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀 간 간격이 물리적으로 달라지는 경우, 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9) 및 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀을 구동하는 상기 소자/배선층(30)의 박막트랜지스터(TFT)의 간격 또한 다르게 설계되어야 한다.
예를 들어, 밴딩 영역(II)에서의 픽셀간 간격(d4)이 평탄한 영역(I)에서의 픽셀간 간격(d5) 보다 더 좁은 경우, 상시 소자/배선층(30)에서 상기 밴딩 영역(II)의 픽셀을 구동하는 박막트랜지스터(TFT)의 간격은, 상기 평탄한 영역(I)의 픽셀을 구동하는 박막트랜지스터(TFT)의 간격보다 더 좁게 설계되어야 한다.
상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀간 간격을 결정하는 방법을 보다 구체적으로 살펴보면, 상기 밴딩 영역(II)이 접히는 경우의 곡률 반지름을 계산한다(S2).
다음으로, 상기 가요성 표시 장치(2)의 밴딩 영역(II)이 접히는 경우, 평탄한 영역(I) 및 밴딩 영역(II)의 픽셀간 거리(d5)가 서로 동일하도록, 상기 계산된 곡률 반지름에 기초하여 상기 밴딩 영역(II)에서의 픽셀간 간격(d4)을 조정한다(S3).
상기 밴딩 영역(II)에서의 픽셀간 간격(d4)의 조정은 전술한 마스크 패턴의 간격을 조정하여 실행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 가요성 표시장치 형성방법에 따르면, 가요성 표시장치에서 서로 동일한 간격을 갖도록 픽셀을 형성하는 것이 아니라, 평탄한 영역(I) 및 밴딩 영역(II)을 구분하여 상기 영역(I, II)에서 서로 다른 간격을 갖도록 픽셀을 형성할 수 있다.
따라서, 상기 밴딩 영역(II)이 밴딩 되어 케이스에 실장되는 경우, 상기 평탄한 영역(I)과 동일한 단위면적당 픽셀수를 구현할 수 있고, 이로 인하여 얼룩 현상을 방지하고, 일정 곡률 이상에서 발생했던 색상 왜곡을 방지하여 가요성 표시장치의 신뢰도를 높일 수 있다.
또한, 위에서는 픽셀간 간격(d4)의 조정을 통하여, 단위 면적당 동일한 픽셀수를 구현하는 것을 설명하였으나, 전술한바와 같이 픽셀간 간격을 조정함에 따라, 상기 픽셀을 동작시키는 구동 박막트랜지스터(TFT)의 간격 또한 조정되어야 한다.
또한, 위에서는 상기 복수의 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX4, PX5, PX6, PX7, PX8, PX9)에서 픽셀 각각의 크기가 서로 동일한 경우를 예를 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제2 픽셀부(PX4, PX5, PX6)의 픽셀 크기가 상기 제1 픽셀부(PX1, PX2, PX3, PX7, PX8, PX9)의 픽셀 크기보다 더 크도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 밴딩 영역(II)이 밴딩되어 고정되는 경우, 상기 평탄한 영역(I)과 단위 면적당 픽셀 수가 동일하도록, 상기 밴딩 영역(II)의 픽셀 간격을 조절하여, 본 발명의 기술적 특징인 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1, 2: 가요성 표시 장치 10: 기판
20: 버퍼층 30: 소자/배선층
32: 활성층 34: 게이트 전극
40: 봉지층 36a, 36b: 소스 전극, 드레인 전극
221: 화소 전극 222: 유기 발광층
223: 대향 전극 PX: 픽셀부
20: 버퍼층 30: 소자/배선층
32: 활성층 34: 게이트 전극
40: 봉지층 36a, 36b: 소스 전극, 드레인 전극
221: 화소 전극 222: 유기 발광층
223: 대향 전극 PX: 픽셀부
Claims (20)
- 접을 수 있는 밴딩 영역 및 접히지 않은 평탄한 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 구동 박막트랜지스터를 포함하는 소자/배선층;
상기 소자/배선층 상에서 상기 평탄한 영역에 형성된 복수의 제1 픽셀부; 및
상기 소자/배선층 상에서 상기 밴딩 영역에 형성된 복수의 제2 픽셀부;
를 포함하며, 상기 평탄한 영역 내에 배치된 상기 제1 픽셀부의 상기 기판과 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격과, 접히기 전의 밴딩 영역 내에 배치된 상기 제2 픽셀부의 상기 기판과 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격이 서로 다른 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 접히기 전의 밴딩 영역 내에 배치된 상기 제2 픽셀부의 상기 기판과 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격은, 상기 평탄한 영역 내에 배치된 상기 제1 픽셀부의 상기 기판과 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격보다 더 작은 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 밴딩 영역이 접히는 경우, 접힌 밴딩 영역 내에 배치된 상기 제2 픽셀부의 단위 면적당 픽셀 수가 상기 평탄한 영역 내에 배치된 상기 제1 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수와 동일한 값을 갖도록 하는 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 평탄한 영역은 상기 가요성 표시 장치를 밴딩하는 경우, 압축 및 인장 응력이 발생하지 않으며,
상기 밴딩 영역은 상기 가요성 표시 장치를 밴딩하는 경우, 상부 밴딩 영역의 상부 표면은 인장응력을 상기 밴딩 영역의 하부 표면은 압축 응력이 발생하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 밴딩 영역은,
접힌 상태로 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는,
유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 형성된 봉지층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 봉지층은,
무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 접히지 않은 평탄한 영역과 접힌 상태로 그 형태가 고정된 밴딩 영역을 포함하는 기판;
상기 평탄한 영역에 형성된 복수의 제1 픽셀부; 및
상기 밴딩 영역에 형성된 복수의 제2 픽셀부;
를 포함하며, 상기 제1 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수와 상기 제2 픽셀부의 단위 면적당 픽셀수가 서로 동일한 가요성 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 밴딩 영역은,
상기 평탄한 영역에 대해여 0도 보다 더 크고 180도 이하의 값을 갖도록 밴딩되어 고정되는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 기판은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는,
유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 형성된 봉지층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 봉지층은,
무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치. - 접히지 않는 평탄한 영역과 접을 수 있는 밴딩 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
상기 평탄한 영역에 복수의 픽셀을 구비한 제1 픽셀부, 및 상기 접을 수 있는 밴딩 영역에 복수의 픽셀을 구비한 제2 픽셀부를 형성하는 단계; 및
상기 밴딩 영역을 접는 단계;를 포함하고,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 형성하는 단계는, 상기 밴딩 영역이 접힌 상태에서, 상기 밴딩 영역의 단위 면적당 픽셀수와 상기 평탄한 영역에서의 단위 면적당 픽셀수가 서로 동일하도록 형성하는 단계;
를 포함하는 가요성 표시 장치의 제조방법. - 제16항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 형성하는 단계는,
상기 밴딩 영역을 접기 전 상태에서, 상기 밴딩 영역 내에 배치된 상기 제2 픽셀부의 상기 기판과 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격은, 상기 평탄한 영역 내에 배치된 상기 제1 픽셀부의 상기 기판에 나란한 방향으로 서로 인접한 픽셀간 간격보다 더 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조방법. - 제16항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부는,
유기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조방법. - 제16항에 있어서,
상기 제1 픽셀부 및 상기 제2 픽셀부를 덮도록 봉지층을 형성하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조방법. - 제19항에 있어서,
상기 봉지층은,
무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되거나 또는 다층으로 형성된 무기막인 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130018837A KR102038985B1 (ko) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 |
US14/023,502 US9305980B2 (en) | 2013-02-21 | 2013-09-11 | Flexible display device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130018837A KR102038985B1 (ko) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140104844A KR20140104844A (ko) | 2014-08-29 |
KR102038985B1 true KR102038985B1 (ko) | 2019-11-01 |
Family
ID=51350551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130018837A KR102038985B1 (ko) | 2013-02-21 | 2013-02-21 | 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9305980B2 (ko) |
KR (1) | KR102038985B1 (ko) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102061684B1 (ko) * | 2013-04-29 | 2020-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
US9450038B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display |
US10347702B2 (en) * | 2014-10-22 | 2019-07-09 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device |
US9627463B2 (en) * | 2014-11-28 | 2017-04-18 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with space reducing wire configuration |
CN104575322B (zh) | 2014-12-30 | 2017-07-28 | 上海中航光电子有限公司 | 一种平面显示面板及显示装置 |
KR102366270B1 (ko) * | 2015-01-16 | 2022-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
KR102383076B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2022-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102405257B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102361711B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102412468B1 (ko) * | 2015-08-11 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102463838B1 (ko) | 2015-08-24 | 2022-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법 |
US10181504B2 (en) * | 2015-10-14 | 2019-01-15 | Apple Inc. | Flexible display panel with redundant bent signal lines |
KR102439506B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102396460B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2022-05-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 곡면부를 갖는 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 |
US10361385B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
JP6727843B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-07-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6608758B2 (ja) * | 2016-04-11 | 2019-11-20 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル、有機el表示装置、及びその製造方法 |
CN105842908B (zh) * | 2016-06-15 | 2022-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种虚拟曲面显示面板及显示装置 |
US10707285B2 (en) | 2016-09-13 | 2020-07-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
JP2018049193A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6998652B2 (ja) * | 2016-11-11 | 2022-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI612505B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN106782091B (zh) * | 2016-12-19 | 2019-06-04 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法、显示设备和便携式终端 |
CN106783920B (zh) * | 2016-12-21 | 2019-10-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 基于柔性oled的显示面板、无缝拼接显示装置及其制作方法 |
US10411204B2 (en) * | 2017-07-05 | 2019-09-10 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co.. Ltd. | Flexible display panel and method for fabricating thereof, flexible display apparatus |
KR102499852B1 (ko) * | 2017-09-07 | 2023-02-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2019066697A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN107958920B (zh) * | 2017-11-23 | 2020-10-09 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置及其制备方法 |
KR102418578B1 (ko) * | 2017-12-20 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 접착제 및 이를 적용한 플렉서블 디스플레이 |
KR102448066B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2022-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 |
KR102403929B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2022-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN108878479A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 曲面显示屏、显示模组及显示终端 |
US10651247B2 (en) | 2018-06-05 | 2020-05-12 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Curved display, display module and display terminal |
CN112639923A (zh) * | 2018-08-08 | 2021-04-09 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性显示装置 |
CN109166866B (zh) * | 2018-08-28 | 2020-12-04 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN109192144B (zh) * | 2018-10-26 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 补偿子像素单元、制作及驱动方法、像素结构及显示面板 |
KR102666210B1 (ko) * | 2019-12-30 | 2024-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 데이터 처리 방법 |
CN115425388A (zh) * | 2020-04-08 | 2022-12-02 | 群创光电股份有限公司 | 电磁波发射结构 |
CN111489645B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制造方法、显示装置 |
KR20210154005A (ko) * | 2020-06-11 | 2021-12-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US11983040B2 (en) * | 2020-10-15 | 2024-05-14 | Dell Products L.P. | Multi-axis edge bended display for infinity portable information handling system |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101094772B1 (ko) | 2004-06-30 | 2011-12-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 타일형 표시장치 |
GB0426563D0 (en) * | 2004-12-03 | 2005-01-05 | Plastic Logic Ltd | Alignment tolerant patterning on flexible substrates |
EP2359355A4 (en) * | 2008-11-10 | 2015-05-06 | Pix20 Corp | PORTABLE LARGE SCREEN DISPLAY |
KR101082029B1 (ko) | 2009-01-23 | 2011-11-10 | 주식회사 엘지화학 | 컬러 필터 및 이의 제조 방법 |
US8896505B2 (en) * | 2009-06-12 | 2014-11-25 | Global Oled Technology Llc | Display with pixel arrangement |
-
2013
- 2013-02-21 KR KR1020130018837A patent/KR102038985B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-11 US US14/023,502 patent/US9305980B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140104844A (ko) | 2014-08-29 |
US9305980B2 (en) | 2016-04-05 |
US20140231763A1 (en) | 2014-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102038985B1 (ko) | 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 | |
US11815960B2 (en) | Flexible display apparatus and method of manufacturing the same | |
US9972809B2 (en) | Array substrate, organic light-emitting diode display panel, and display device | |
US10381427B2 (en) | Curved display device | |
KR102539196B1 (ko) | 플렉서블 표시 장치 | |
KR102116469B1 (ko) | 터치 패널 표시 장치 | |
US8759145B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
KR102288845B1 (ko) | 터치 센서를 포함하는 표시 장치 | |
US20100244682A1 (en) | Organic electroluminescent display device | |
US11088236B2 (en) | Display apparatus | |
KR102597309B1 (ko) | 플렉서블 표시장치 | |
US11387294B2 (en) | Display device | |
WO2020107718A1 (zh) | 抗反射底发光型oled显示装置及其制作方法 | |
KR20200026231A (ko) | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 | |
KR102446338B1 (ko) | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 | |
KR101950472B1 (ko) | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 | |
KR102085321B1 (ko) | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 | |
US20230165083A1 (en) | Display device | |
KR20220133828A (ko) | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |