KR102033755B1 - Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof - Google Patents

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KR102033755B1
KR102033755B1 KR1020130028543A KR20130028543A KR102033755B1 KR 102033755 B1 KR102033755 B1 KR 102033755B1 KR 1020130028543 A KR1020130028543 A KR 1020130028543A KR 20130028543 A KR20130028543 A KR 20130028543A KR 102033755 B1 KR102033755 B1 KR 102033755B1
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Abstract

본 발명은 유기 발광다이오드; 유기 발광다이오드에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트전극에 구동전압을 공급하는 커패시터; 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 초기화전압을 공급하는 초기화 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 초기화전압을 공급함과 더불어 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 데이터전압을 공급하고 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드를 데이터전압과 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 보상회로; 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 고전위전압을 공급하는 스위칭 트랜지스터; 및 유기 발광다이오드에 구동 트랜지스터로부터 발생하는 구동전류를 공급하는 발광제어 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention is an organic light emitting diode; A driving transistor supplying a driving current to the organic light emitting diode; A capacitor supplying a driving voltage to the gate electrode of the driving transistor; An initialization transistor for supplying an initialization voltage to the drain electrode node of the driving transistor; A compensation circuit for supplying an initialization voltage to the gate electrode node of the driving transistor, supplying a data voltage to the source electrode node of the driving transistor, and sampling the gate electrode node of the driving transistor as a difference between the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor; A switching transistor supplying a high potential voltage to a source electrode node of the driving transistor; And a light emitting control transistor for supplying a driving current generated from the driving transistor to the organic light emitting diode.

Description

유기전계발광표시장치와 이의 구동방법{Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof}Organic Light Emitting Display Device and Driving Method

본 발명은 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a driving method thereof.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.The organic light emitting display device used in the organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes. In the organic light emitting display device, electrons and holes are injected into the light emitting layer from an electron injection electrode and a hole injection electrode, respectively, and an exciton in which the injected electrons and holes combine is excited. The device emits light when it falls from the ground state to the ground state.

유기전계발광소자를 이용한 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 및 양면발광(Dual-Emission) 등이 있고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어진다.An organic light emitting display device using an organic light emitting display device includes a top emission type, a bottom emission type, and a dual emission type according to a direction in which light is emitted. According to this, it is divided into passive matrix type and active matrix type.

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display device, when a scan signal, a data signal, and a power are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixel emits light, thereby displaying an image.

유기전계발광표시장치는 서브 픽셀 내에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱전압이 이동하기 때문에 시간에 따라 구동전류가 낮아져 소자의 수명이 감소한다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치는 구동 트랜지스터의 문턱전압 이동 특성에 대한 보상을 수행하기 위해 보상회로를 사용한다.In the organic light emitting display device, since the threshold voltage of the driving transistor included in the subpixel is shifted, the driving current decreases with time, thereby reducing the lifetime of the device. Accordingly, the organic light emitting display device uses a compensation circuit to compensate for the threshold voltage shift characteristic of the driving transistor.

그런데, 종래 유기전계발광표시장치는 보상회로의 복잡도가 높은 탓에 균일한 화질 특성을 확보하기 어렵고 또한 고해상도 구현시 레이아웃 효율이 저하되는 단점이 있어 이의 개선이 요구된다.However, the conventional organic light emitting display device has a disadvantage in that it is difficult to secure uniform image quality characteristics due to the high complexity of the compensation circuit and the layout efficiency is degraded when high resolution is implemented.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압 편차 보상을 통해 히스테리시스(Hysteresis) 특성에 따른 잔상 현상을 억제하고 리플을 최소화하여 균일한 표시품질을 표현할 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 표시패널 구성시 효율적인 레이아웃을 구현할 수 있는 서브 픽셀의 회로 구성을 제공하는 것이다.The present invention to solve the problems of the above-described background technology, an organic light emitting display capable of suppressing afterimage phenomenon due to hysteresis characteristics and minimizing ripple through compensating threshold voltage deviation of a driving transistor to express a uniform display quality. It is to provide a device and a driving method thereof. In addition, the present invention provides a circuit configuration of a subpixel that can implement an efficient layout in the display panel configuration.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 유기 발광다이오드; 유기 발광다이오드에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트전극에 구동전압을 공급하는 커패시터; 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 초기화전압을 공급하는 초기화 트랜지스터; 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 초기화전압을 공급함과 더불어 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 데이터전압을 공급하고 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드를 데이터전압과 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 보상회로; 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 고전위전압을 공급하는 스위칭 트랜지스터; 및 유기 발광다이오드에 구동 트랜지스터로부터 발생하는 구동전류를 공급하는 발광제어 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention as a means for solving the above problems is an organic light emitting diode; A driving transistor supplying a driving current to the organic light emitting diode; A capacitor supplying a driving voltage to the gate electrode of the driving transistor; An initialization transistor for supplying an initialization voltage to the drain electrode node of the driving transistor; A compensation circuit which supplies an initialization voltage to the gate electrode node of the driving transistor, supplies a data voltage to the source electrode node of the driving transistor, and samples the gate electrode node of the driving transistor as a difference between the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor; A switching transistor supplying a high potential voltage to a source electrode node of the driving transistor; And a light emitting control transistor for supplying a driving current generated from the driving transistor to the organic light emitting diode.

초기화 트랜지스터는 제1스캔신호에 응답하여 동작하고, 보상회로는 제2스캔신호에 응답하여 동작하고, 제1 및 제2스위칭 트랜지스터는 제3스캔신호에 응답하여 동작하며, 초기화 트랜지스터와 보상회로의 턴온 구간은 일부 중첩할 수 있다.The initialization transistor operates in response to the first scan signal, the compensation circuit operates in response to the second scan signal, and the first and second switching transistors operate in response to the third scan signal. Turn-on intervals may overlap some.

초기화 트랜지스터의 턴온 구간은 보상회로의 턴온 구간과 동기 되거나 이보다 앞서고, 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 보상회로의 턴온 구간과 동기 되는 경우, 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧고, 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 보상회로의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧거나 동일할 수 있다.When the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with or ahead of the turn-on period of the compensation circuit, and when the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter than the time when the compensation circuit is turned on, and the initialization is performed. When the turn-on period of the transistor is ahead of the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on may be shorter or the same as the time when the compensation circuit is turned on.

보상회로의 턴온 구간과 제1 및 제2스위칭 트랜지스터의 턴온 구간 사이에는 모든 트랜지스터가 턴오프되는 홀드 구간이 존재할 수 있다.There may be a hold period in which all transistors are turned off between the turn-on period of the compensation circuit and the turn-on period of the first and second switching transistors.

보상회로는 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 드레인전극 노드 사이에 위치하는 제1보상 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드와 데이터전압을 공급하는 데이터라인 사이에 위치하는 제2보상 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 제2보상 트랜지스터의 게이트전극 노드 사이에 위치하는 보상 커패시터를 포함할 수 있다.The compensation circuit includes a first compensation transistor positioned between a gate electrode node and a drain electrode node of the driving transistor, a second compensation transistor positioned between a source electrode node of the driving transistor and a data line supplying a data voltage, It may include a compensation capacitor located between the gate electrode node and the gate electrode node of the second compensation transistor.

보상회로는 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 드레인전극 노드 사이에 위치하는 제1보상 트랜지스터와, 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드와 데이터전압을 공급하는 데이터라인 사이에 위치하는 제2보상 트랜지스터를 포함할 수 있다.The compensation circuit may include a first compensation transistor positioned between a gate electrode node and a drain electrode node of the driving transistor, and a second compensation transistor positioned between a source electrode node of the driving transistor and a data line supplying a data voltage. .

초기화 트랜지스터는 제1스캔신호가 공급되는 제1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 초기화전압이 공급되는 초기화전압단에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제2전극이 연결되고, 제1보상 트랜지스터는 제2스캔신호가 공급되는 제2스캔라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 제2전극이 연결되고, 제2보상 트랜지스터는 제2스캔라인에 게이트전극이 연결되고 데이터전압이 공급되는 데이터라인에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 제2전극이 연결되고, 커패시터는 고전위전압이 공급되는 고전위전압단에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 타단이 연결되며, 스위칭 트랜지스터는 제3스캔신호가 공급되는 제3스캔라인에 게이트전극이 연결되고 고전위전압단에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 제2전극이 연결되고, 발광제어 트랜지스터는 제3스캔라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제1전극이 연결되며 유기 발광다이오드의 애노드전극에 제2전극이 연결되고, 유기 발광다이오드는 발광제어 트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 저전위전압이 공급되는 저전위전압단에 캐소드전극이 연결될 수 있다.In the initialization transistor, a gate electrode is connected to a first scan line to which a first scan signal is supplied, a first electrode is connected to an initialization voltage terminal to which an initialization voltage is supplied, and a second electrode is connected to a drain electrode node of a driving transistor. In the first compensation transistor, a gate electrode is connected to a second scan line to which a second scan signal is supplied, a first electrode is connected to a drain electrode node of a driving transistor, a second electrode is connected to a gate electrode node of a driving transistor, and a second In the compensation transistor, a gate electrode is connected to a second scan line, a first electrode is connected to a data line supplied with a data voltage, a second electrode is connected to a source electrode node of a driving transistor, and a capacitor is provided with a high potential voltage. One end is connected to the upper voltage terminal and the other end is connected to the gate electrode node of the driving transistor, and the switching transistor is connected to the third scan scene. A gate electrode is connected to a third scan line to which an arc is supplied, a first electrode is connected to a high potential voltage terminal, a second electrode is connected to a source electrode node of a driving transistor, and a light emission control transistor is connected to a gate electrode of a third scan line. The first electrode is connected to the drain electrode node of the driving transistor, the second electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode, and the organic light emitting diode is connected to the anode electrode of the light emitting control transistor, and the low potential voltage is The cathode electrode may be connected to the supplied low potential voltage terminal.

다른 측면에서 본 발명은 초기화 트랜지스터를 턴온하여 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 초기화전압을 공급하는 단계; 보상회로에 포함된 트랜지스터들을 턴온하여 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 초기화전압을 공급함과 더불어 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 데이터전압을 공급하고 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드를 데이터전압과 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 단계; 및 스위칭 트랜지스터를 턴온하여 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 고전위전압을 공급하고, 발광제어 트랜지스터를 턴온하여 유기 발광다이오드에 구동 트랜지스터로부터 발생하는 구동전류를 공급하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 구동방법을 제공한다.In another aspect, the present invention includes the steps of turning on the initialization transistor to supply an initialization voltage to the drain electrode node of the driving transistor; The transistors included in the compensation circuit are turned on to supply an initialization voltage to the gate electrode node of the driving transistor, supply a data voltage to the source electrode node of the driving transistor, and supply a gate voltage to the gate electrode node of the driving transistor. Sampling with a difference value; And turning on the switching transistor to supply a high potential voltage to the source electrode node of the driving transistor, and turning on the emission control transistor to supply a driving current generated from the driving transistor to the organic light emitting diode. It provides a driving method.

초기화 트랜지스터는 제1스캔신호에 응답하여 동작하고, 보상회로는 제2스캔신호에 응답하여 동작하고, 제1 및 제2스위칭 트랜지스터는 제3스캔신호에 응답하여 동작하며, 초기화 트랜지스터와 보상회로의 턴온 구간은 일부 중첩할 수 있다.The initialization transistor operates in response to the first scan signal, the compensation circuit operates in response to the second scan signal, and the first and second switching transistors operate in response to the third scan signal. Turn-on intervals may overlap some.

초기화 트랜지스터의 턴온 구간은 보상회로의 턴온 구간과 동기 되거나 이보다 앞서고, 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 보상회로의 턴온 구간과 동기 되는 경우, 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧고, 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 보상회로의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧거나 동일할 수 있다.When the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with or ahead of the turn-on period of the compensation circuit, and when the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter than the time when the compensation circuit is turned on, and the initialization is performed. When the turn-on period of the transistor is ahead of the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on may be shorter or the same as the time when the compensation circuit is turned on.

보상회로의 턴온 구간과 제1 및 제2스위칭 트랜지스터의 턴온 구간 사이에는 모든 트랜지스터가 턴오프되는 홀드 구간이 존재할 수 있다.There may be a hold period in which all transistors are turned off between the turn-on period of the compensation circuit and the turn-on period of the first and second switching transistors.

본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압 편차 보상을 통해 히스테리시스(Hysteresis) 특성에 따른 잔상 현상을 억제하고 리플을 최소화하여 균일한 표시품질을 표현할 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 표시패널 구성시 효율적인 레이아웃을 구현할 수 있는 서브 픽셀의 회로 구성을 제공하여 고해상도 및 고개구율을 확보할 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다.The present invention has an effect of providing an organic light emitting display device and a driving method thereof capable of suppressing afterimage phenomenon due to hysteresis characteristics and minimizing ripple through compensation of threshold voltage deviation of a driving transistor to express a uniform display quality. have. In addition, the present invention has the effect of providing an organic light emitting display device and a driving method thereof that can provide a high-resolution and high aperture ratio by providing a circuit configuration of the sub-pixel to implement an efficient layout when configuring the display panel.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도.
도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성 예시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.
도 4는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 제1구동 파형도.
도 5는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 제2구동 파형도.
도 6 내지 도 9는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 동작을 구간별로 설명하기 위한 도면.
도 10은 문턱전압 변동에 따른 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드의 변동 특성을 나타낸 시뮬레이션 파형도.
도 11은 문턱전압 변동에 따른 전류 변화를 나타낸 파형도.
도 12는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.
1 is a schematic configuration diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic circuit diagram illustrating a subpixel.
3 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a first driving waveform diagram of the subpixel illustrated in FIG. 3.
FIG. 5 is a second driving waveform diagram of the subpixel shown in FIG. 3; FIG.
6 to 9 are diagrams for explaining the operation of the subpixel illustrated in FIG. 3 for each section.
10 is a simulation waveform diagram illustrating variation characteristics of a gate electrode node of a driving transistor according to variation of a threshold voltage.
11 is a waveform diagram showing a change in current according to a threshold voltage variation.
12 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a modified embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the specific content for the practice of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도이고, 도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성 예시도 이다.1 is a schematic configuration diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exemplary circuit configuration diagram of a subpixel.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에는 타이밍제어부(110), 데이터구동부(130), 스캔구동부(120) 및 표시패널(160)이 포함된다.As shown in FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a timing controller 110, a data driver 130, a scan driver 120, and a display panel 160.

타이밍제어부(110)는 외부로부터 공급된 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 클럭신호(CLK) 등의 타이밍신호를 이용하여 데이터구동부(130)와 스캔구동부(120)의 동작 타이밍을 제어한다. 타이밍제어부(110)는 1 수평 기간의 데이터 인에이블 신호(DE)를 카운트하여 프레임기간을 판단할 수 있으므로 외부로부터 공급되는 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 타이밍제어부(110)에서 생성되는 제어신호들에는 스캔구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)가 포함된다.The timing controller 110 uses a timing driver such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal Data Enable, DE, and a clock signal CLK. 130 and the operation timing of the scan driver 120. Since the timing controller 110 may determine the frame period by counting the data enable signal DE of one horizontal period, the vertical synchronization signal Vsync and the horizontal synchronization signal Hsync supplied from the outside may be omitted. The control signals generated by the timing controller 110 include a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 120 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130. ) Is included.

스캔구동부(120)는 타이밍제어부(110)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트 구동전압의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 순차적으로 생성한다. 스캔구동부(120)는 표시패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 연결된 스캔라인들(SL1 ~ SLm)을 통해 스캔신호를 공급한다.The scan driver 120 sequentially generates scan signals while shifting the level of the gate driving voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 110. The scan driver 120 supplies a scan signal through scan lines SL1 to SLm connected to the subpixels SP included in the display panel 160.

데이터구동부(130)는 타이밍제어부(110)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍제어부(110)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 데이터구동부(130)는 데이터신호(DATA)를 감마 기준전압으로 변환한다. 데이터구동부(130)는 표시패널(160)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 연결된 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 공급한다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 110 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 110 to convert the data signal DATA into data of a parallel data system. . The data driver 130 converts the data signal DATA into a gamma reference voltage. The data driver 130 supplies the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn connected to the subpixels SP included in the display panel 160.

표시패널(160)은 매트릭스형태로 배치된 서브 픽셀들(SP)을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)에는 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀이 포함되고 경우에 따라 백색 서브 픽셀이 포함되기도 한다. 한편, 백색 서브 픽셀이 포함된 표시패널(160)은 각 서브 픽셀들(SP)의 발광층이 적색, 녹색 및 청색을 발광하지 않고 백색을 발광할 수 있다. 이 경우, 백색으로 발광된 광은 RGB 컬러필터에 의해 적색, 녹색 및 청색으로 변환된다.The display panel 160 includes subpixels SP arranged in a matrix. The subpixels SP include a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel, and in some cases, a white subpixel. In the display panel 160 including the white subpixels, the light emitting layers of the subpixels SP may emit white light without emitting red, green, and blue light. In this case, the light emitted in white is converted into red, green and blue by the RGB color filter.

도 2에 도시된 바와 같이, 표시패널(160)에 포함된 서브 픽셀에는 유기 발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst), 스위칭 트랜지스터(T1), 보상회로(CC), 초기화 트랜지스터(T4) 및 발광제어 트랜지스터(T5)가 포함된다.As shown in FIG. 2, an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, a capacitor Cst, a switching transistor T1, a compensation circuit CC, and an initialization are provided in a subpixel included in the display panel 160. The transistor T4 and the light emission control transistor T5 are included.

서브 픽셀을 구성하는 각 소자의 역할에 대해 간략히 설명하면 다음과 같다.The role of each device constituting the subpixel will be briefly described as follows.

구동 트랜지스터(DT)는 유기 발광다이오드(OLED)에 구동전류를 공급하는 역할을 한다. 커패시터(Cst)는 프로그래밍된 데이터전압으로 구동 트랜지스터(DT)를 구동하는 역할을 한다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 고전위전압을 공급하는 역할을 한다. 초기화 트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd) 및 게이트전극 노드(Vg)에 초기화전압을 공급하는 역할을 한다. 발광제어 트랜지스터(T5)는 유기 발광다이오드(OLED)에 구동 트랜지스터(DT)로부터 발생하는 구동전류를 공급하는 역할을 한다. 보상회로(CC)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 초기화전압을 공급함과 더불어 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 데이터전압을 공급하고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)를 데이터전압과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 역할을 한다.The driving transistor DT supplies a driving current to the organic light emitting diode OLED. The capacitor Cst serves to drive the driving transistor DT with a programmed data voltage. The switching transistor T1 supplies a high potential voltage to the source electrode node Vs of the driving transistor DT. The initialization transistor T4 serves to supply an initialization voltage to the drain electrode node Vd and the gate electrode node Vg of the driving transistor DT. The light emission control transistor T5 supplies a driving current generated from the driving transistor DT to the organic light emitting diode OLED. The compensation circuit CC supplies an initialization voltage to the gate electrode node Vg of the driving transistor DT, supplies a data voltage to the source electrode node Vs of the driving transistor DT, and provides a gate of the driving transistor DT. The electrode node Vg serves to sample the difference between the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor DT.

앞서 설명된 초기화 트랜지스터(T4)는 제1스캔라인(SCAN1)을 통해 공급된 제1스캔신호에 대응하여 턴온/턴오프되고, 보상회로(CC)는 제2스캔라인(SCAN2)을 통해 공급된 제2스캔신호에 대응하여 턴온/턴오프되며, 스위칭 트랜지스터 및 발광제어 트랜지스터(T1, T5)는 제3스캔라인(EM)을 통해 공급된 제3스캔신호에 대응하여 턴온/턴오프된다.The initialization transistor T4 described above is turned on / off in response to the first scan signal supplied through the first scan line SCAN1, and the compensation circuit CC is supplied through the second scan line SCAN2. The transistor is turned on / off in response to the second scan signal, and the switching transistors and the light emission control transistors T1 and T5 are turned on / off in response to the third scan signal supplied through the third scan line EM.

본 발명의 일 실시예에 따르면 보상회로(CC)는 제1 및 제2보상 트랜지스터와 보상 커패시터로 이루어지는데, 이하 서브 픽셀의 상세 회로 구성도를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치에 대한 설명을 구체화한다.According to an embodiment of the present invention, the compensation circuit CC includes first and second compensation transistors and a compensation capacitor. Hereinafter, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described with reference to a detailed circuit diagram of a subpixel. The description of the display device is specified.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이고, 도 4는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 제1구동 파형도이며, 도 5는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 제2구동 파형도이다.3 is a circuit diagram of a subpixel according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 4 is a first driving waveform diagram of the subpixel illustrated in FIG. 3, and FIG. 5 is a second diagram of the subpixel illustrated in FIG. 3. This is a drive waveform diagram.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀에는 유기 발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst), 스위칭 트랜지스터(T1), 제1보상 트랜지스터(T3), 제2보상 트랜지스터(T2), 보상 커패시터(Cb), 초기화 트랜지스터(T4) 및 발광제어 트랜지스터(T5)가 포함된다.As illustrated in FIG. 3, an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, a capacitor Cst, a switching transistor T1, and a first compensation transistor T3 include a subpixel according to an exemplary embodiment of the present invention. The second compensation transistor T2, the compensation capacitor Cb, the initialization transistor T4, and the light emission control transistor T5 are included.

본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀을 구성하는 각 소자의 전기적인 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.Referring to the electrical connection relationship between the elements constituting the sub-pixel according to an embodiment of the present invention.

초기화 트랜지스터(T4)는 제1스캔신호가 공급되는 제1스캔라인(SCAN1)에 게이트전극이 연결되고 초기화전압이 공급되는 초기화전압단(VINIT)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제2전극이 연결된다. 제1보상 트랜지스터(T3)는 제2스캔신호가 공급되는 제2스캔라인(SCAN2)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 제2전극이 연결된다. 제2보상 트랜지스터(T2)는 제2스캔라인(SCAN2)에 게이트전극이 연결되고 데이터전압이 공급되는 데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 제2전극이 연결된다. 보상 커패시터(Cb)는 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 일단이 연결되고 데이터라인(DL1)에 타단이 연결된다. 커패시터(Cst)는 고전위전압이 공급되는 고전위전압단(EVDD)에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 타단이 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 제3스캔신호가 공급되는 제3스캔라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 고전위전압단(EVDD)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 제2전극이 연결된다. 발광제어 트랜지스터(T5)는 제3스캔라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제1전극이 연결되며 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 발광제어 트랜지스터(T5)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 저전위전압이 공급되는 저전위전압단(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다.In the initialization transistor T4, a gate electrode is connected to the first scan line SCAN1 to which the first scan signal is supplied, and a first electrode is connected to the initialization voltage terminal VINIT to which the initialization voltage is supplied. The second electrode is connected to the drain electrode node Vd. In the first compensation transistor T3, a gate electrode is connected to the second scan line SCAN2 to which the second scan signal is supplied, and a first electrode is connected to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT. The second electrode is connected to the gate electrode node Vg of the DT. In the second compensation transistor T2, a gate electrode is connected to the second scan line SCAN2, and a first electrode is connected to the data line DL1 to which the data voltage is supplied, and the source electrode node Vs of the driving transistor DT is connected. The second electrode is connected to. One end of the compensation capacitor Cb is connected to the source electrode node Vs of the driving transistor DT and the other end thereof is connected to the data line DL1. One end of the capacitor Cst is connected to the high potential voltage terminal EVDD to which the high potential voltage is supplied, and the other end is connected to the gate electrode node Vg of the driving transistor DT. The switching transistor T1 has a gate electrode connected to a third scan line EM to which a third scan signal is supplied, a first electrode connected to a high potential voltage terminal EVDD, and a source electrode node of the driving transistor DT. The second electrode is connected to Vs). The light emission control transistor T5 has a gate electrode connected to the third scan line EM, a first electrode connected to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT, and a first electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. Two electrodes are connected. In the organic light emitting diode OLED, an anode electrode is connected to the second electrode of the light emission control transistor T5, and a cathode electrode is connected to the low potential voltage terminal EVSS to which the low potential voltage is supplied.

앞서 설명된 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(T1), 제1보상 트랜지스터(T3), 제2보상 트랜지스터(T2), 초기화 트랜지스터(T4) 및 발광제어 트랜지스터(T5)는 P-Type 박막 트랜지스터(PMOS)로 형성된다.The driving transistor DT, the switching transistor T1, the first compensation transistor T3, the second compensation transistor T2, the initialization transistor T4, and the light emission control transistor T5 described above are P-type thin film transistors. PMOS).

본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀은 도 4와 같이 초기화 구간(①), 샘플링 구간(②), 홀드 구간(③) 및 발광 구간(④) 이상 4개의 구간으로 구분되어 동작한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀은 도 5와 같이 더미 구간(⑤), 초기화 구간(①), 샘플링 구간(②), 홀드 구간(③) 및 발광 구간(④) 이상 5개의 구간으로 구분되어 동작한다. 여기서, 더미 구간(⑤)은 스캔구동부의 회로 구성상 내부 또는 외부에 멀티플렉서(또는 먹스)가 포함된 경우 그에 따른 동작 특성에 의해 존재한다. 따라서, 스캔구동부에 멀티플렉서가 미포함된 경우 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀은 도 4와 같은 구동 파형에 대응하여 동작하게 된다.The subpixel according to an exemplary embodiment of the present invention operates as divided into four sections including an initialization section ①, a sampling section ②, a hold section ③, and a light emitting section ④ as shown in FIG. 4. In addition, as shown in FIG. 5, the sub-pixel according to an embodiment of the present invention includes five sections including a dummy section ⑤, an initialization section ①, a sampling section ②, a hold section ③, and a light emitting section ④. It is divided and operated. Here, the dummy section ⑤ is present due to an operation characteristic when a multiplexer (or mux) is included inside or outside of the circuit structure of the scan driver. Therefore, when the multiplexer is not included in the scan driver, the subpixel according to the exemplary embodiment of the present invention operates in response to the driving waveform shown in FIG. 4.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀이 도 4 및 도 5와 같은 구동 파형으로 구동될 경우, 초기화 트랜지스터(T4)의 턴온 구간은 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)의 턴온 구간과 동기 되거나 이보다 앞서게 된다.Meanwhile, when the subpixel according to the exemplary embodiment of the present invention is driven with the driving waveforms as shown in FIGS. 4 and 5, the turn-on periods of the initialization transistor T4 are the first and second compensations included in the compensation circuit CC. It is synchronized with or is ahead of the turn-on period of the transistors T3 and T4.

도 4와 같이 초기화 트랜지스터(T4)의 턴온 구간이 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)의 턴온 구간과 동기 되는 경우, 초기화 트랜지스터(T4)가 턴온되는 시간은 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)가 턴온되는 시간보다 짧다. 즉, 제1스캔신호(Scan1)는 제2스캔신호(Scan2) 대비 로직 로우를 유지하는 시간이 짧다. 달리 설명하면, 제1 및 제2스캔신호(Scan1, Scan2)는 로직 하이에서 로직 로우로 전환되는 시간이 동일하다. 그러나 제1스캔신호(Scan1)는 로직 로우에서 로직 하이로 전환되는 시간이 제2스캔신호(Scan2) 대비 앞선다.As shown in FIG. 4, when the turn-on period of the initialization transistor T4 is synchronized with the turn-on periods of the first and second compensation transistors T3 and T4 included in the compensation circuit CC, the time when the initialization transistor T4 is turned on Is shorter than the time when the first and second compensation transistors T3 and T4 included in the compensation circuit CC are turned on. That is, the time for which the first scan signal Scan1 maintains a logic low compared to the second scan signal Scan2 is short. In other words, the first and second scan signals Scan1 and Scan2 have the same time of switching from logic high to logic low. However, the time when the first scan signal Scan1 transitions from logic low to logic high is earlier than the second scan signal Scan2.

도 5와 같이 초기화 트랜지스터(T4)의 턴온 구간이 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 초기화 트랜지스터(T4)가 턴온되는 시간은 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)가 턴온되는 시간보다 짧거나 동일하다. 즉, 제1스캔신호(Scan1)는 제2스캔신호(Scan1, Scan2) 대비 로직 로우를 유지하는 시간이 짧거나 동일하다. 달리 설명하면, 제1스캔신호(Scan1)는 로직 하이에서 로직 로우로 전환되는 시간이 제2스캔신호(Scan1, Scan2)와 다르다. 그리고 제1스캔신호(Scan1)는 로직 하이에서 로직 로우로 전환되는 시간이 제2스캔신호(Scan1, Scan2) 대비 앞선다.As shown in FIG. 5, when the turn-on period of the initialization transistor T4 is earlier than the turn-on periods of the first and second compensation transistors T3 and T4 included in the compensation circuit CC, the time when the initialization transistor T4 is turned on The first and second compensation transistors T3 and T4 included in the compensation circuit CC are shorter or equal to the time when they are turned on. In other words, the first scan signal Scan1 has a short or the same time for maintaining a logic low compared to the second scan signals Scan1 and Scan2. In other words, the time when the first scan signal Scan1 is changed from logic high to logic low is different from the second scan signals Scan1 and Scan2. The time at which the first scan signal Scan1 transitions from logic high to logic low is earlier than the second scan signals Scan1 and Scan2.

한편, 도 5와 같이 초기화 트랜지스터(T4)의 턴온 구간이 보상회로(CC)에 포함된 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T4)의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 충분한 시간을 갖고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg) 및 드레인전극 노드(Vd)에 초기화전압을 공급할 수 있게 된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 픽셀이 도 5와 같은 구동 파형으로 동작하게 되면 잔존하는 전압에 의해 블랙 계열의 영상의 표시품질이 저하되는 문제는 방지된다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, when the turn-on period of the initialization transistor T4 is earlier than the turn-on periods of the first and second compensation transistors T3 and T4 included in the compensation circuit CC, the driving transistor DT has a sufficient time. The initialization voltage can be supplied to the gate electrode node Vg and the drain electrode node Vd. Therefore, when the sub-pixel according to the exemplary embodiment of the present invention operates with the driving waveform as shown in FIG. 5, the display quality of the black-based image is reduced by the remaining voltage.

이하, 설명의 이해를 돕기 위해 도 4 또는 도 5에 도시된 구동 파형을 참조하여 서브 픽셀의 구간별 동작 상태에 대해 설명을 구체화한다.Hereinafter, a description will be given of the operation state for each section of the subpixel with reference to the driving waveform shown in FIG. 4 or FIG. 5 for better understanding of the description.

도 6 내지 도 9는 도 3에 도시된 서브 픽셀의 동작을 구간별로 설명하기 위한 도면이고, 도 10은 문턱전압 변동에 따른 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드의 변동 특성을 나타낸 시뮬레이션 파형도이며, 도 11은 문턱전압 변동에 따른 전류 변화를 나타낸 파형도이다.6 to 9 are diagrams for explaining the operation of the sub-pixel shown in FIG. 3 for each section, and FIG. 10 is a simulation waveform diagram illustrating variation characteristics of a gate electrode node of a driving transistor according to variation of a threshold voltage. Is a waveform diagram showing the current change according to the variation of the threshold voltage.

[초기화 구간(①)][Initialization section (①)]

도 4 및 도 6에 도시된 바와 같이, 로직 하이의 제3스캔신호(Em)에 의해 스위칭 트랜지스터(T1) 및 발광제어 트랜지스터(T5)는 턴온된다.4 and 6, the switching transistor T1 and the light emission control transistor T5 are turned on by the third scan signal Em having a logic high.

로직 로우의 제1스캔신호(Scan1)에 의해 초기화 트랜지스터(T4)는 턴온되고 초기화전압단(VINIT)을 통해 공급된 초기화전압은 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 공급된다.The initialization transistor T4 is turned on by the first scan signal Scan1 of the logic low and the initialization voltage supplied through the initialization voltage terminal VINIT is supplied to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT.

로직 로우의 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제1보상 트랜지스터(T3)는 턴온되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 공급된 초기화전압은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 공급된다. 또한, 로직 로우의 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제2보상 트랜지스터(T2)는 턴온되고 데이터라인(DL1)을 통해 공급된 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 공급된다.The first compensation transistor T3 is turned on by the second scan signal Scan2 of the logic low and the initialization voltage supplied to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT is the gate electrode node of the driving transistor DT. Vg). In addition, the second compensation transistor T2 is turned on by the second scan signal Scan2 of the logic low and the data voltage supplied through the data line DL1 is supplied to the source electrode node Vs of the driving transistor DT. do.

초기화 구간(①)이 진행되면 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd) 및 게이트전극 노드(Vg)는 초기화전압에 의해 초기화된다. 이를 위해, 초기화전압은 그라운드 레벨에 가까운 전압이나 음의 전압 등을 사용할 수 있다.When the initialization period ① progresses, the drain electrode node Vd and the gate electrode node Vg of the driving transistor DT are initialized by the initialization voltage. To this end, the initialization voltage may use a voltage close to the ground level or a negative voltage.

[샘플링 구간(②)][Sampling section (②)]

도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 이전과 동일하게 공급된 로직 하이의 제3스캔신호(Em)에 의해 스위칭 트랜지스터(T1) 및 발광제어 트랜지스터(T5)는 턴온된 상태를 유지하게 된다.As shown in FIG. 4 and FIG. 7, the switching transistor T1 and the light emission control transistor T5 are kept turned on by the third scan signal Em having the logic high supplied as before.

로직 로우에서 로직 하이로 전환된 제1스캔신호(Scan1)에 의해 초기화 트랜지스터(T4)는 턴오프되고 초기화전압단(VINIT)을 통해 공급된 초기화전압은 차단된다.The initialization transistor T4 is turned off by the first scan signal Scan1 switched from logic low to logic high and the initialization voltage supplied through the initialization voltage terminal VINIT is cut off.

이전과 동일하게 공급된 로직 로우의 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제1보상 트랜지스터(T3)는 턴온 상태를 유지하게 되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 공급된 초기화전압은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 공급된다. 또한, 이전과 동일하게 공급된 로직 로우의 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제2보상 트랜지스터(T2)는 턴온 상태를 유지하게 되고 데이터라인(DL1)을 통해 공급된 데이터전압은 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 공급된다.As described above, the first compensation transistor T3 remains turned on by the second scan signal Scan2 of the logic low, and the initialization voltage supplied to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT is The gate electrode node Vg of the driving transistor DT is supplied. In addition, the second compensation transistor T2 remains turned on by the second scan signal Scan2 of the logic row supplied as before, and the data voltage supplied through the data line DL1 is the driving transistor DT. Is supplied to the source electrode node Vs.

초기화전압이 차단되고 데이터전압이 공급됨에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)는 데이터전압(Vdata)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 차이값(Vg = Vdata - Vth)으로 샘플링된다.As the initialization voltage is cut off and the data voltage is supplied, the gate electrode node Vg of the driving transistor DT has a difference (Vg = Vdata-Vth) between the data voltage Vdata and the threshold voltage Vth of the driving transistor DT. Is sampled by).

구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 변동되면 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)의 전압 또한 변동된다. 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth) 변동에 따른 구동 트랜지스터(ST)의 게이트전극 노드(Vg)의 변동 특성은 도 10의 시뮬레이션 파형도를 참조한다.When the threshold voltage Vth of the driving transistor DT varies, the voltage of the gate electrode node Vg of the driving transistor DT also changes. The variation characteristic of the gate electrode node Vg of the driving transistor ST according to the variation of the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is referred to the simulation waveform diagram of FIG. 10.

한편, 보상 커패시터(Cb)에는 로직 로우의 제2스캔신호(Scan2)와 초기화전압의 차이값에 해당하는 보상전압이 충전된다. 보상 커패시터(Cb)에 충전되는 보상전압은 커패시터(Cst)에 충전되는 구동전압보다 작은 용량을 갖는다. 보상 커패시터(Cb)는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트/소오스전극 노드(Vgs)를 작게 형성하여 서브 픽셀이 블랙(Black)을 표현할 때 연한 블랙이 표시되는 문제를 방지하는 역할을 한다.The compensation capacitor Cb is charged with a compensation voltage corresponding to a difference value between the second scan signal Scan2 of the logic low and the initialization voltage. The compensation voltage charged in the compensation capacitor Cb has a smaller capacity than the driving voltage charged in the capacitor Cst. The compensation capacitor Cb forms a small gate / source electrode node Vgs of the driving transistor DT to prevent a problem of light black being displayed when the subpixel represents black.

[홀드 구간(③)][Hold section (③)]

도 4 및 도 8에 도시된 바와 같이, 이전과 동일하게 공급된 로직 하이의 제1스캔신호(Scan1)에 의해 초기화 트랜지스터(T4)는 턴오프된 상태를 유지하게 된다. 그리고 로직 로우에서 로직 하이로 전환된 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T2)는 턴오프된다. 그리고 이전과 동일하게 공급된 로직 하이의 제3스캔신호(Em)에 의해 스위칭 트랜지스터(T1) 및 발광제어 트랜지스터(T5)는 턴온된 상태를 유지하게 된다. 즉, 홀드 구간(③) 동안 모든 트랜지스터는 턴오프된 상태(또는 플로팅된 상태)를 갖게 된다. 모든 트랜지스터들이 턴오프 상태가 됨에 따라 구동 트랜지스터(DT)의 각 노드(Vs, Vg, Vd)의 전압은 유지된다.As shown in FIG. 4 and FIG. 8, the initialization transistor T4 is turned off by the first scan signal Scan1 of logic high supplied as before. The first and second compensation transistors T3 and T2 are turned off by the second scan signal Scan2 switched from logic low to logic high. The switching transistor T1 and the light emission control transistor T5 are kept turned on by the third scan signal Em having the logic high supplied as before. That is, all the transistors are turned off (or floated) during the hold period ③. As all the transistors are turned off, the voltages of the nodes Vs, Vg, and Vd of the driving transistor DT are maintained.

한편, 구동 방식에 따라 홀드 구간(③)은 생략될 수도 있다. 그러나, 각 노드(Vs, Vg, Vd)의 전압 특성이 유지되도록 홀드 구간(③)을 기입 하면 내부 또는 외부 노이즈 등에 의한 신호의 리플 등의 영향을 최소화할 수 있게 되므로 보상능력을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, the hold section ③ may be omitted depending on the driving scheme. However, if the holding period ③ is written so that the voltage characteristics of each node Vs, Vg, and Vd are maintained, the effects of signal ripple and the like due to internal or external noise can be minimized, thereby improving the compensating ability. .

[발광 구간(④)][Emitting section (④)]

도 4 및 도 9에 도시된 바와 같이, 이전과 동일하게 공급된 로직 하이의 제1스캔신호(Scan1)에 의해 초기화 트랜지스터(T4)는 턴오프된 상태를 유지하게 된다. 그리고 이전과 동일하게 공급된 로직 하이의 제2스캔신호(Scan2)에 의해 제1 및 제2보상 트랜지스터(T3, T2)는 턴오프된다.As shown in FIG. 4 and FIG. 9, the initialization transistor T4 is turned off by the first scan signal Scan1 of logic high supplied as before. The first and second compensation transistors T3 and T2 are turned off by the second scan signal Scan2 of the logic high supplied as before.

로직 하이에서 로직 로우로 전환된 제3스캔신호(Em)에 의해 스위칭 트랜지스터(T1)는 턴온되고 고전위전압단(EVDD)을 통해 공급된 고전위전압은 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 공급된다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)의 전압은 Vdata - Vth이고, 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)의 전압은 VDD이므로 구동 트랜지스터(DT)의 소오스/게이트전극 노드(Vs, Vg)의 전압(Vsg)은 Vgs = VDD - Vdata - Vth가 된다.The switching transistor T1 is turned on by the third scan signal Em switched from logic high to logic low, and the high potential voltage supplied through the high potential voltage terminal EVDD is a source electrode node of the driving transistor DT. Vs). Accordingly, since the voltage of the gate electrode node Vg of the driving transistor DT is Vdata-Vth and the voltage of the source electrode node Vs of the driving transistor DT is VDD, the source / gate electrode of the driving transistor DT is provided. The voltage Vsg of the nodes Vs and Vg becomes Vgs = VDD-Vdata-Vth.

또한, 로직 하이에서 로직 로우로 전환된 제3스캔신호(Em)에 의해 발광제어 트랜지스터(T5)는 턴온되고 구동 트랜지스터(DT)는 구동전류를 발생하게 된다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 발생하는 전류에 의해 발광을 하게 된다. 이를 정리하면 결국, 유기 발광다이오드(OLED)를 통해 흐르는 구동전류(Ioled)는 다음의 수학식 1과 같다.In addition, the light emission control transistor T5 is turned on and the driving transistor DT generates a driving current by the third scan signal Em switched from logic high to logic low. The organic light emitting diode OLED emits light by a current generated from the driving transistor DT. In summary, the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED is represented by Equation 1 below.

Figure 112013023063260-pat00001
Figure 112013023063260-pat00001

위의 수학식 1에서 미설명된 k는 구동 트랜지스터의 상수값이다. 통상 k는 k = μ ·Cox·W/L로 표현되며, μ는 구동 트랜지스터의 전류의 이동도이고, Cox는 구동 트랜지스터의 단위 면적당 커패시턴스이며, W는 구동 트랜지스터의 채널의 폭이며, L은 구동 트랜지스터의 채널의 길이이다.K not described in Equation 1 above is a constant value of the driving transistor. K is usually expressed as k = μCoxW / L, μ is the mobility of the current of the driving transistor, Cox is the capacitance per unit area of the driving transistor, W is the width of the channel of the driving transistor, and L is driving The channel length of the transistor.

위의 수학식 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)이 제거되므로 유기 발광다이오드(OLED)는 문턱전압(Vth)의 편차 및 변동과 무관하게 발광을 할 수 있게 된다. 여기서, 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)의 변동에 따른 유기 발광다이오드(OLED)의 구동전류(Ioled)에 대한 변동량의 변화는 도 11을 참조한다.As shown in Equation 1, according to an embodiment of the present invention, since the threshold voltage Vth of the driving transistor DT is removed, the organic light emitting diode OLED is independent of the variation and variation of the threshold voltage Vth. It is possible to emit light. Here, FIG. 11 illustrates a change in the variation amount of the organic light emitting diode OLED with respect to the driving current Ioled according to the variation of the threshold voltage Vth of the driving transistor DT.

이하, 본 발명의 변형된 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, modified embodiments of the present invention will be described.

도 12는 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.12 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a modified embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀에는 유기 발광다이오드(OLED), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(Cst), 스위칭 트랜지스터(T1), 제1보상 트랜지스터(T3), 제2보상 트랜지스터(T2), 초기화 트랜지스터(T4) 및 발광제어 트랜지스터(T5)가 포함된다.As shown in FIG. 12, a subpixel according to a modified embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a driving transistor DT, a capacitor Cst, a switching transistor T1, and a first compensation transistor T3. ), A second compensation transistor T2, an initialization transistor T4, and a light emission control transistor T5.

본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀을 구성하는 각 소자의 전기적인 접속 관계를 설명하면 다음과 같다.Referring to the electrical connection relationship of each device constituting the sub-pixel according to the modified embodiment of the present invention.

초기화 트랜지스터(T4)는 제1스캔신호가 공급되는 제1스캔라인(SCAN1)에 게이트전극이 연결되고 초기화전압이 공급되는 초기화전압단(VINIT)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제2전극이 연결된다. 제1보상 트랜지스터(T3)는 제2스캔신호가 공급되는 제2스캔라인(SCAN2)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 제2전극이 연결된다. 제2보상 트랜지스터(T2)는 제2스캔라인(SCAN2)에 게이트전극이 연결되고 데이터전압이 공급되는 데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 제2전극이 연결된다. 커패시터(Cst)는 고전위전압이 공급되는 고전위전압단(EVDD)에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극 노드(Vg)에 타단이 연결된다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 제3스캔신호가 공급되는 제3스캔라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 고전위전압단(EVDD)에 제1전극이 연결되며 구동 트랜지스터(DT)의 소오스전극 노드(Vs)에 제2전극이 연결된다. 발광제어 트랜지스터(T5)는 제3스캔라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 드레인전극 노드(Vd)에 제1전극이 연결되며 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 발광제어 트랜지스터(T5)의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 저전위전압이 공급되는 저전위전압단(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다.In the initialization transistor T4, a gate electrode is connected to the first scan line SCAN1 to which the first scan signal is supplied, and a first electrode is connected to the initialization voltage terminal VINIT to which the initialization voltage is supplied. The second electrode is connected to the drain electrode node Vd. In the first compensation transistor T3, a gate electrode is connected to the second scan line SCAN2 to which the second scan signal is supplied, and a first electrode is connected to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT. The second electrode is connected to the gate electrode node Vg of the DT. In the second compensation transistor T2, a gate electrode is connected to the second scan line SCAN2, and a first electrode is connected to the data line DL1 to which the data voltage is supplied, and the source electrode node Vs of the driving transistor DT is connected. The second electrode is connected to. One end of the capacitor Cst is connected to the high potential voltage terminal EVDD to which the high potential voltage is supplied, and the other end is connected to the gate electrode node Vg of the driving transistor DT. The switching transistor T1 has a gate electrode connected to a third scan line EM to which a third scan signal is supplied, a first electrode connected to a high potential voltage terminal EVDD, and a source electrode node of the driving transistor DT. The second electrode is connected to Vs). The light emission control transistor T5 has a gate electrode connected to the third scan line EM, a first electrode connected to the drain electrode node Vd of the driving transistor DT, and a first electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED. Two electrodes are connected. In the organic light emitting diode OLED, an anode electrode is connected to the second electrode of the light emission control transistor T5, and a cathode electrode is connected to the low potential voltage terminal EVSS to which the low potential voltage is supplied.

앞서 설명된 구동 트랜지스터(DT), 스위칭 트랜지스터(T1), 제1보상 트랜지스터(T3), 제2보상 트랜지스터(T2), 초기화 트랜지스터(T4) 및 발광제어 트랜지스터(T5)는 P-Type 박막 트랜지스터(PMOS)로 형성된다.The driving transistor DT, the switching transistor T1, the first compensation transistor T3, the second compensation transistor T2, the initialization transistor T4, and the light emission control transistor T5 described above are P-type thin film transistors. PMOS).

본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀 또한 도 4와 같이 초기화 구간(①), 샘플링 구간(②), 홀드 구간(③) 및 발광 구간(④) 이상 4개의 구간으로 구분되어 동작한다. 또한, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀 또한 도 5와 같이 더미 구간(⑤), 초기화 구간(①), 샘플링 구간(②), 홀드 구간(③) 및 발광 구간(④) 이상 5개의 구간으로 구분되어 동작한다. 여기서, 더미 구간(⑤)은 스캔구동부의 회로 구성상 내부 또는 외부에 멀티플렉서(또는 먹스)가 포함된 경우 그에 따른 동작 특성에 의해 존재한다. 따라서, 스캔구동부에 멀티플렉서가 미포함된 경우 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀은 도 4와 같은 구동 파형에 대응하여 동작하게 된다.The subpixel according to the modified embodiment of the present invention is also divided into four sections, including the initialization section ①, the sampling section ②, the hold section ③, and the light emitting section ④ as shown in FIG. 4. In addition, as shown in FIG. 5, the sub-pixel according to the modified embodiment of the present invention also has five dummy periods (⑤), an initialization period (①), a sampling period (②), a hold period (③), and a light emission period (④). It is divided into sections. Here, the dummy section ⑤ is present due to an operation characteristic when a multiplexer (or mux) is included inside or outside of the circuit structure of the scan driver. Therefore, when the multiplexer is not included in the scan driver, the subpixel according to the modified embodiment of the present invention operates in response to the driving waveform shown in FIG. 4.

한편, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 서브 픽셀은 보상 커패시터가 삭제된 구조를 갖는 것을 제외하고 본 발명의 일 실시예와 같은 구동 파형으로 동작을 하게 되므로 이에 대한 설명은 생략한다.Meanwhile, since the subpixel according to the modified embodiment of the present invention operates with the same driving waveform as in the exemplary embodiment of the present invention except that the compensation capacitor has an erased structure, a description thereof will be omitted.

이상 본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압 편차 보상을 통해 히스테리시스(Hysteresis) 특성에 따른 잔상 현상을 억제하고 리플을 최소화하여 균일한 표시품질을 표현할 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 표시패널 구성시 효율적인 레이아웃을 구현할 수 있는 서브 픽셀의 회로 구성을 제공하여 고해상도 및 고개구율을 확보할 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법을 제공하는 효과가 있다.As described above, the present invention provides an organic light emitting display device and a driving method thereof capable of expressing uniform display quality by suppressing afterimage phenomenon due to hysteresis characteristics and minimizing ripple through compensation of threshold voltage deviation of a driving transistor. There is. In addition, the present invention has the effect of providing an organic light emitting display device and a driving method thereof that can provide a high-resolution and high aperture ratio by providing a circuit configuration of the sub-pixel to implement an efficient layout when configuring the display panel.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above may be modified in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be appreciated that it may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

110: 타이밍제어부 130: 데이터구동부
120: 스캔구동부 160: 표시패널
OLED: 유기 발광다이오드 DT: 구동 트랜지스터
Cst: 커패시터 T1: 스위칭 트랜지스터
CC: 보상회로 T5: 발광제어 트랜지스터
T3: 제1보상 트랜지스터 T2: 제2보상 트랜지스터
Cb: 보상 커패시터 T4: 초기화 트랜지스터
110: timing controller 130: data driver
120: scan driver 160: display panel
OLED: organic light emitting diode DT: driving transistor
Cst: Capacitor T1: Switching Transistor
CC: compensation circuit T5: light emission control transistor
T3: first compensation transistor T2: second compensation transistor
Cb: compensation capacitor T4: initialization transistor

Claims (13)

유기 발광다이오드;
상기 유기 발광다이오드에 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트전극에 구동전압을 공급하는 커패시터;
상기 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 초기화전압을 공급하는 초기화 트랜지스터;
상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 상기 초기화전압을 공급함과 더불어 상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 데이터전압을 공급하고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드를 상기 데이터전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 보상회로;
상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 고전위전압을 공급하는 스위칭 트랜지스터; 및
상기 유기 발광다이오드에 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 상기 구동전류를 공급하는 발광제어 트랜지스터를 포함하고,
상기 초기화 트랜지스터는 제1스캔신호에 응답하여 동작하고,
상기 보상회로는 제2스캔신호에 응답하여 동작하고,
상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 발광제어 트랜지스터는 제3스캔신호에 응답하여 동작하며,
상기 초기화 트랜지스터와 상기 보상회로의 턴온 구간은 일부 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
Organic light emitting diodes;
A driving transistor supplying a driving current to the organic light emitting diode;
A capacitor supplying a driving voltage to the gate electrode of the driving transistor;
An initialization transistor for supplying an initialization voltage to the drain electrode node of the driving transistor;
The initialization voltage is supplied to a gate electrode node of the driving transistor, a data voltage is supplied to a source electrode node of the driving transistor, and the gate electrode node of the driving transistor is a difference between the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor. A compensation circuit for sampling;
A switching transistor supplying a high potential voltage to a source electrode node of the driving transistor; And
A light emission control transistor for supplying the drive current generated from the drive transistor to the organic light emitting diode;
The initialization transistor operates in response to the first scan signal,
The compensation circuit operates in response to the second scan signal,
The switching transistor and the light emission control transistor operate in response to a third scan signal,
And a turn-on period of the initialization transistor and the compensation circuit is partially overlapped.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간은 상기 보상회로의 턴온 구간과 동기 되거나 이보다 앞서고,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 상기 보상회로의 턴온 구간과 동기 되는 경우, 상기 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 상기 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧고,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 상기 보상회로의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 상기 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 상기 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧거나 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The turn-on period of the initialization transistor is synchronized with or earlier than the turn-on period of the compensation circuit,
When the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter than the time when the compensation circuit is turned on,
And when the turn-on period of the initialization transistor precedes the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter or equal to the time when the compensation circuit is turned on.
제3항에 있어서,
상기 보상회로의 턴온 구간과 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 발광제어 트랜지스터의 턴온 구간 사이에는 모든 트랜지스터가 턴오프되는 홀드 구간이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 3,
And a hold period in which all transistors are turned off between a turn-on period of the compensation circuit and a turn-on period of the switching transistor and the light emitting control transistor.
제4항에 있어서,
상기 보상회로는
상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 드레인전극 노드 사이에 위치하는 제1보상 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드와 상기 데이터전압을 공급하는 데이터라인 사이에 위치하는 제2보상 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 상기 제2보상 트랜지스터의 게이트전극 노드 사이에 위치하는 보상 커패시터를 포함하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 4, wherein
The compensation circuit
A first compensation transistor positioned between the gate electrode node and the drain electrode node of the driving transistor;
A second compensation transistor positioned between a source electrode node of the driving transistor and a data line supplying the data voltage;
And a compensation capacitor positioned between the gate electrode node of the driving transistor and the gate electrode node of the second compensation transistor.
제4항에 있어서,
상기 보상회로는
상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드와 드레인전극 노드 사이에 위치하는 제1보상 트랜지스터와,
상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드와 상기 데이터전압을 공급하는 데이터라인 사이에 위치하는 제2보상 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 4, wherein
The compensation circuit
A first compensation transistor positioned between the gate electrode node and the drain electrode node of the driving transistor;
And a second compensation transistor positioned between a source electrode node of the driving transistor and a data line supplying the data voltage.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 초기화 트랜지스터는 상기 제1스캔신호가 공급되는 제1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 초기화전압이 공급되는 초기화전압단에 제1전극이 연결되며 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제2전극이 연결되고,
상기 제1보상 트랜지스터는 상기 제2스캔신호가 공급되는 제2스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제1전극이 연결되며 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 제2전극이 연결되고,
상기 제2보상 트랜지스터는 상기 제2스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 데이터전압이 공급되는 데이터라인에 제1전극이 연결되며 상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 제2전극이 연결되고,
상기 커패시터는 상기 고전위전압이 공급되는 고전위전압단에 일단이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 타단이 연결되며,
상기 스위칭 트랜지스터는 상기 제3스캔신호가 공급되는 제3스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 고전위전압단에 제1전극이 연결되며 상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 제2전극이 연결되고,
상기 발광제어 트랜지스터는 상기 제3스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 제1전극이 연결되며 상기 유기 발광다이오드의 애노드전극에 제2전극이 연결되고,
상기 유기 발광다이오드는 상기 발광제어 트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 저전위전압이 공급되는 저전위전압단에 캐소드전극이 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 5 or 6,
In the initialization transistor, a gate electrode is connected to a first scan line to which the first scan signal is supplied, a first electrode is connected to an initialization voltage terminal to which the initialization voltage is supplied, and a second electrode is connected to a drain electrode node of the driving transistor. Connected,
In the first compensation transistor, a gate electrode is connected to a second scan line to which the second scan signal is supplied, a first electrode is connected to a drain electrode node of the driving transistor, and a second electrode is connected to a gate electrode node of the driving transistor. Connected,
The second compensation transistor has a gate electrode connected to the second scan line, a first electrode connected to a data line supplied with the data voltage, and a second electrode connected to a source electrode node of the driving transistor.
One end of the capacitor is connected to a high potential voltage terminal to which the high potential voltage is supplied, and the other end of the capacitor is connected to a gate electrode node of the driving transistor.
The switching transistor has a gate electrode connected to a third scan line to which the third scan signal is supplied, a first electrode connected to the high potential voltage terminal, and a second electrode connected to a source electrode node of the driving transistor.
In the light emitting control transistor, a gate electrode is connected to the third scan line, a first electrode is connected to a drain electrode node of the driving transistor, and a second electrode is connected to an anode electrode of the organic light emitting diode.
And the organic light emitting diode is connected to a second electrode of the light emission control transistor and a cathode electrode is connected to a low potential voltage terminal to which a low potential voltage is supplied.
초기화 트랜지스터를 턴온하여 구동 트랜지스터의 드레인전극 노드에 초기화전압을 공급하는 단계;
보상회로에 포함된 트랜지스터들을 턴온하여 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드에 상기 초기화전압을 공급함과 더불어 상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 데이터전압을 공급하고 상기 구동 트랜지스터의 게이트전극 노드를 상기 데이터전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이값으로 샘플링하는 단계; 및
스위칭 트랜지스터를 턴온하여 상기 구동 트랜지스터의 소오스전극 노드에 고전위전압을 공급하고, 발광제어 트랜지스터를 턴온하여 유기 발광다이오드에 상기 구동 트랜지스터로부터 발생하는 구동전류를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 초기화 트랜지스터는 제1스캔신호에 응답하여 동작하고,
상기 보상회로는 제2스캔신호에 응답하여 동작하고,
상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 발광제어 트랜지스터는 제3스캔신호에 응답하여 동작하며,
상기 초기화 트랜지스터와 상기 보상회로의 턴온 구간은 일부 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
Turning on the initialization transistor to supply an initialization voltage to the drain electrode node of the driving transistor;
The transistors included in the compensation circuit are turned on to supply the initialization voltage to the gate electrode node of the driving transistor, the data voltage is supplied to the source electrode node of the driving transistor, and the gate electrode node of the driving transistor is connected to the data voltage and the voltage. Sampling the difference value of the threshold voltage of the driving transistor; And
Turning on a switching transistor to supply a high potential voltage to a source electrode node of the driving transistor, and turning on a light emitting control transistor to supply a driving current generated from the driving transistor to an organic light emitting diode;
The initialization transistor operates in response to the first scan signal,
The compensation circuit operates in response to the second scan signal,
The switching transistor and the light emission control transistor operate in response to a third scan signal,
And a turn-on period of the initialization transistor and the compensation circuit is partially overlapped.
삭제delete 제8항에 있어서,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간은 상기 보상회로의 턴온 구간과 동기 되거나 이보다 앞서고,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 상기 보상회로의 턴온 구간과 동기 되는 경우, 상기 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 상기 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧고,
상기 초기화 트랜지스터의 턴온 구간이 상기 보상회로의 턴온 구간보다 앞서는 경우, 상기 초기화 트랜지스터가 턴온되는 시간은 상기 보상회로가 턴온되는 시간보다 짧거나 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 8,
The turn-on period of the initialization transistor is synchronized with or earlier than the turn-on period of the compensation circuit,
When the turn-on period of the initialization transistor is synchronized with the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter than the time when the compensation circuit is turned on,
And when the turn-on period of the initialization transistor precedes the turn-on period of the compensation circuit, the time when the initialization transistor is turned on is shorter than or equal to the time when the compensation circuit is turned on.
제10항에 있어서,
상기 보상회로의 턴온 구간과 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 발광제어 트랜지스터의 턴온 구간 사이에는 모든 트랜지스터가 턴오프되는 홀드 구간이 존재하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 구동방법.
The method of claim 10,
And a hold period in which all transistors are turned off between a turn-on period of the compensation circuit and a turn-on period of the switching transistor and the light emitting control transistor.
제7항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 제1보상 트랜지스터, 상기 제2보상 트랜지스터, 상기 초기화 트랜지스터 및 상기 발광제어 트랜지스터는 P-Type 박막 트랜지스터인 유기전계발광표시장치.
The method of claim 7, wherein
The driving transistor, the switching transistor, the first compensation transistor, the second compensation transistor, the initialization transistor, and the light emission control transistor are P-type thin film transistors.
제1항에 있어서,
상기 초기화전압은
그라운드 레벨에 가까운 전압 또는 음의 전압인 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The initialization voltage is
An organic light emitting display device having a voltage close to ground level or a negative voltage.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106910460B (en) 2017-04-28 2019-07-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Pixel-driving circuit and display panel
KR102344732B1 (en) * 2017-07-26 2021-12-30 엘지디스플레이 주식회사 Light Emitting Display Device and Driving Method thereof
KR102407490B1 (en) * 2017-09-15 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 Light Emitting Display Device and Driving Method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703430B1 (en) * 2005-08-01 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same
KR100732842B1 (en) * 2005-11-09 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 Organic Light Emitting Display
KR100865396B1 (en) * 2007-03-02 2008-10-24 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display
KR101720340B1 (en) * 2010-10-21 2017-03-27 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device
KR101834012B1 (en) * 2011-04-13 2018-03-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11696475B2 (en) 2020-06-01 2023-07-04 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a fifth transistor connected between the power line and the light emitting diode

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