KR102027962B1 - 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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Abstract

화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 적용한 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
상기 화학식 1에 대한 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치{ORGANIC COMPOUND FOR OPTOELECTRIC DEVICE AND ORGANIC OPTOELECTRIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
유기 광전자 소자(organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤(exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼(organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치(flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며, 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112016044992289-pat00001
상기 화학식 1에서,
Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합이고,
상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
또 다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다. 본 발명의 일예에서, "치환"이란 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴기, C6 내지 C30 헤테로아릴기, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있다.
본 발명의 일예에서, "치환"이란 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C10 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, C6 내지 C18 헤테로아릴기, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있다. 본 발명의 가장 구체적인 일 예에서, "치환"이란 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 페닐기, 카바졸일기, 디벤조퓨란일기, 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것일 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서,
탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고,
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며,
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, 플루오레닐기 등을 들 수 있다.
아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로아릴기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 단일 결합이란 탄소 또는 탄소 이외의 헤테로 원자를 경유하지 않고 직접 연결되는 결합을 의미하는 것으로, 구체적으로 L이 단일 결합이라는 의미는 L과 연결되는 치환기가 중심 코어에 직접 연결되는 것을 의미한다. 즉, 본 명세서에서 단일 결합이란 탄소를 경유하는 메틸렌 등을 의미하는 것이 아니다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장(electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1로 표현된다.
[화학식 1]
Figure 112016044992289-pat00002
상기 화학식 1에서,
Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합이고,
상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
상기 화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물은 융합고리 안쪽에 위치하는 6각 고리 내 N과 인접한 위치(Ar)에 치환기를 가짐으로써 물질의 안정성을 확보하여 소자에서 수명적인 부분이 향상될 수 있다. 만약 N과 인접한 위치가 Ar로 치환되지 않는다면, 물질이 불안정하여, 소자에서 수명이 좋지 않게 된다.
예컨대 N과 인접한 위치가 Ar로 치환되지 않은 하기 화학식 A로 표현되는 화합물과 비교하여 수명 측면에서 상기 화학식 1로 표현되는 화합물이 더 우수하다.
[화학식 A]
Figure 112016044992289-pat00003
상기 화학식 1은 구체적으로 하기 화학식 2로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112016044992289-pat00004
상기 화학식 2에서 Ar, La 및 L3, L4, R3 및 R4의 정의는 전술한 바와 같다.
본 발명의 일 구현예에 따른 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기일 수 있다.
Ar이 아릴기 또는 헤테로고리기인 경우, 전자가 잘 흐를수 있으며, 유기 광전자 소자에서의 열안정성도 향상되는 장점이 있다. Ar이 알킬기인 경우 Tg가 낮아져 유기 광전자 소자에서의 열안정성이 저하되어, 수명이 현격히 저하된다.
상기 Ar이 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 때 구체적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있다.
또한, 상기 Ar이 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기일 때 구체적으로 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 이소인돌일기, 치환 또는 비치환된 아자인돌일기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아졸일기, 치환 또는 비치환된 아자트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 아자페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기일 수 있다.
더욱 구체적으로 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기일 수 있으며,
예컨대 하기 그룹 1에 나열된 치환기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure 112016044992289-pat00005
본 발명의 일 구현예에 따른 상기 La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기일 수 있고, 구체적으로 단일결합, 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기, 또는 카바졸일렌기일 수 있으며, 가장 구체적인 예로서 하기 그룹 2에 나열된 연결기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure 112016044992289-pat00006
상기 그룹 2에서, *은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 R1 내지 R4는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합일 수 있고,
구체적으로, 상기 R1 및 R2는 모두 수소이고, 상기 R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기일 수 있다.
본 발명의 가장 구체적인 일 실시예에서, Ar, R3 및 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기일 수 있고, La, L3, 및 L4은 단일결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기일 수 있고, R1 및 R2는 모두 수소이고, L1 및 L2는 모두 단일 결합일 수 있다.
상기 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 3]
1 2 3 4 5
Figure 112016044992289-pat00007
6 7 8 9
Figure 112016044992289-pat00008
10 11 12 13 14
Figure 112016044992289-pat00009
15 16 17 18 19
Figure 112016044992289-pat00010
20 21 22
Figure 112016044992289-pat00011
23 24 25 26
Figure 112016044992289-pat00012
27 28 29 30
Figure 112016044992289-pat00013
31 32 33 34
Figure 112016044992289-pat00014
35 36 37 38
Figure 112016044992289-pat00015
39 40 41 42
Figure 112016044992289-pat00016
43 44 45 46
Figure 112016044992289-pat00017
47 48 49
Figure 112016044992289-pat00018
이하 상술한 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함할 수 있고, 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자(100)는 서로 마주하는 양극(120)과 음극(110), 그리고 양극(120)과 음극(110) 사이에 위치하는 유기층(105)을 포함한다.
양극(120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극(120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극(110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극(110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층(105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 발광층(130)을 포함한다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소자용 화합물 중 적어도 두 종류를 혼합하여 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수도 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 발광층의 호스트로 포함될 수 있고, 가장 구체적인 예로서 레드 호스트로서 포함될 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자(200)는 발광층(130) 외에 정공 보조층(140)을 더 포함한다. 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층(140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다. 전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 발광층(130)에 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기층(105)으로서 추가로 전자 수송층, 전자주입층, 정공주입층 등을 더 포함한 유기 발광 소자일 수도 있다.
유기 발광 소자(100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
합성예 및 실시예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은 특별한 언급이 없는한 Sigma-Aldrich 社 또는 TCI 社에서 구입하였다.
(유기 광전자 소자용 화합물의 합성)
이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은 특별한 언급이 없는 한 Sigma-Aldrich 社 또는 TCI 社에서 구입하였다.
합성예 1: 화합물 4의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 4를 하기 3단계의 경로를 통해 합성하였다.
Figure 112016044992289-pat00019
제 1 단계: 중간체 L-1의 합성
1000mL 플라스크에 2-아미노벤지미다졸 10.0 g (75.10 mmol), 2-브로모벤조익에시드 1eq, 포타슘카보네이트 1eq, Cu 0.08eq, 쇼듐아이오다이드 0.01eq와 DMF 250 mL을 넣고 150℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 교반하는 물에 부엇다. 감압을 통하여 여과하여 중간체 L-1을 12.1 g (수율: 68%)을 수득하였다.
제 2 단계: 중간체 L-2의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 L-1 10.0 g (42.50 mmol), 포스포릴클로라이드 15eq 넣고 110℃로 overnight 동안 교반시켰다. 반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, ice bath 하에 천천히 물을 첨가한다.
다량의 물과 교반 후 감압을 통하여 여과하여 중간체 L-2를 8.4 g (수율: 74%)을 수득하였다.
제 3 단계: 화합물 4의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 L-2 10.0 g (39.42 mmol), 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일)-9H-카바졸 1.1eq, 포타슘카보네이트 2.5eq, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압 하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 컬럼을 통하여 화합물 4를 13.2 g (수율: 73%)을 수득하였다.
합성예 2: 화합물 7의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 7를 하기 2단계의 경로를 통해 합성하였다.
Figure 112016044992289-pat00020
제 1 단계: 중간체 L-3의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 L-2 10.0 g (39.42 mmol), 3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일)-9H-카바졸 1.1eq, 포타슘카보네이트 2.5eq, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 중간체 L-3를 11.5 g (수율: 76%)을 수득하였다.
제 2 단계: 화합물 7의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 L-3 10.0 g (26.01 mmol), 2-브로모디벤조퓨란 1.1eq, 트리스(다이벤지리딘아세톤)다이팔라듐 0.03eq, 트리테트라부틸포스핀 0.15eq, 쇼듐터셔리부톡사이드 1.5eq와 톨루엔 100ml 넣고 110℃로 overnight 동안 교반시켰다. 반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 컬럼을 통하여 화합물 7을 9.9 g (수율: 69%)을 수득하였다.
합성예 3: 화합물 11의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 11를 하기 1단계의 경로를 통해 합성하였다.
Figure 112016044992289-pat00021
1000mL 플라스크에 중간체 L-2 10.0 g (39.42 mmol), 4-페닐-2-(3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일)페닐)퀴나졸린 1.1eq, 포타슘카보네이트 2.5eq, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 컬럼을 통하여 화합물 11를 14.4 g (수율: 73%)을 수득하였다.
합성예 4: 화합물 17의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 17를 하기 5단계의 경로를 통해 합성하였다.
Figure 112016044992289-pat00022
제 1 단계: 중간체 M-1의 합성
1000mL 플라스크에 4-브로모-1,2-다이아미노벤젠 10.0 g (53.46 mmol)과 메탄올 400ml와 물 400ml 넣고 교반한다. 시아노겐 브로마이드 3eq을 반응물에 넣고 50℃로 1시간 가열시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 중화시킨 후 EA로 추출하였다. 중간체 M-1를 9.5 g (수율: 84%)을 수득하였다.
제 2-4 단계: 중간체 M-2, M-3 및 M-4의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 M-1 10.0 g (47.16 mmol), 디벤조싸이오펜-2-보로닉 에시드 1.1eq, 포타슘카보네이트 2.5eq, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 중간체 M-2를 12.2 g (수율: 82%)을 수득하였다.
중간체 M-3, 및 중간체 M-4는 위 합성예 1과 동일하게 반응시켜 각각 62%, 67%의 수율로 얻었다.
제 5 단계: 화합물 17의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 M-4 10.0 g (22.94 mmol), 페닐보로닉 에시드 1.1eq, 포타슘 카보네이트 2.5eq, 테트라 키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 컬럼을 통하여 화합물 17를 8.45 g (수율: 77%)을 수득하였다.
합성예 5: 화합물 32의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 32를 하기 2단계의 경로를 통해 합성하였다.
Figure 112016044992289-pat00023
제 1 단계 : 중간체 L-4의 합성
1000mL 플라스크에 중간체 L-2 10.0 g (39.42 mmol), 4-클로로벤젠 보로닉 에시드 1.1eq, 포타슘카보네이트 2.5eq, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 0.05eq와 THF 200 mL, 물 100ml을 넣고 90℃로 overnight 동안 교반시켰다.
반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 중간체 L-4를 10.6 g (수율: 82%)을 수득하였다.
제 2 단계 : 화합물 32의 합성
1000mL 플라스크에 L-4 10.0 g (30.32 mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-비스카바졸 1.1eq, 트리스(다이벤지리딘아세톤)다이팔라듐 0.03eq, 트리테트라부틸포스핀 0.15eq, 쇼듐터셔리부톡사이드 1.5eq와 톨루엔 100ml 넣고 110℃로 overnight 동안 교반시켰다. 반응종료를 TLC로 확인한 후 식히고, 감압하에 반응물을 여과한 후 메탄올과 물로 여러 번 씻어준 후, 컬럼을 통하여 화합물 32을 17.7 g (수율: 83%)을 수득하였다.
비교 합성예 1
[화학식 a]
Figure 112016044992289-pat00024
비교 합성예 2
[화학식 b]
Figure 112016044992289-pat00025
(유기 발광 소자의 제작)
실시예 1
합성예 1에서 얻은 화합물 4를 호스트로 사용하고, (piq)2Ir(acac)를 도펀트로 사용하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
양극으로는 ITO를 1000 Å의 두께로 사용하였고, 음극으로는 알루미늄(Al)을 1000 Å의 두께로 사용하였다. 구체적으로, 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/cm2의 면저항값을 가진 ITO 유리 기판을 50mm × 50 mm × 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코올과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650×10-7Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 N4,N4'-디(나프탈렌-1-일)-N4,N4'-디페닐비페닐-4,4'-디아민 (N4,N4'-di(naphthalen-1-yl)-N4,N4'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine:NPB) (80 nm)를 증착하여 800 Å의 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 동일한 진공 증착조건에서 합성예 1에서 얻은 화합물 4를 이용하여 막 두께 300 Å의 발광층을 형성하였고, 이 때, 인광 도펀트인 (piq)2Ir(acac)을 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량%로 하였을 때, 인광 도펀트의 배합량이 3 중량%가 되도록 증착하였다.
상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀레이토)알루미늄(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium: BAlq)를 증착하여 막 두께 50 Å의 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Alq3를 증착하여, 막 두께 200 Å의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 Al을 순차적으로 증착하여 유기 광전자 소자를 제작하였다.
상기 유기 광전자 소자의 구조는 ITO/ NPB (80 nm)/ EML (화합물 4 (97 중량%) + (piq)2Ir(acac) (3 중량%), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (20 nm)/ LiF (1 nm) / Al (100 nm)의 구조로 제작하였다
실시예 2 내지 5
실시예 1의 화합물 4 대신 합성예 2의 화합물 7, 합성예 3의 화합물 11, 합성예 4의 화합물 17, 및 합성예 5의 화합물 32를 각각 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
참고예 1 및 2
실시예 1의 화합물 4 대신 비교 합성예 1의 화학식 a, 및 비교 합성예 2의 화학식 b를 각각 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자 제작에 사용된 NPB, BAlq, CBP 및 (piq)2Ir(acac) 구조는 하기와 같다.
Figure 112016044992289-pat00026
(유기발광소자의 성능 측정)
실시예 1 내지 5, 참고예 1 및 2에 따른 유기발광소자의 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도 변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
휘도(cd/m2)를 5000 cd/m2 로 유지하고 전류 효율(cd/A)이 90%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
No. 발광층 구동전압 (V) 색
(EL color)		 효율
(cd/A)		 90% 수명 (h)
At 5000 cd/m2
실시예 1 화합물 4 4.47 Red 11.2 108h
실시예 2 화합물 7 4.86 Red 10.7 97h
실시예 3 화합물 11 4.40 Red 8.3 104h
실시예 4 화합물 17 4.52 Red 13.4 125h
실시예 5 화합물 32 4.39 Red 18.8 180h
참고예 1 화학식 a 4.49 Red 12.5 10h
참고예 2 화학식 b 5.50 Red 6.4 14h
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 본원 발명의 화합물은 참고예 1 및 2에 비해 수명 측면에서 월등히 개선된 특성을 보이는 것을 알 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112019033395210-pat00027

    상기 화학식 1에서,
    Ar은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이고,
    La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기, 또는 카바졸일렌기이고,
    R1 및 R2는 각각 수소이고,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이고,
    Ar, R3 및 R4 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이며,
    상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112019033395210-pat00028

    상기 화학식 2에서,
    Ar은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이고,
    La, L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합, 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기, 또는 카바졸일렌기이고,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이고,
    Ar, R3 및 R4 중 어느 하나는 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸일기이며,
    상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 Ar은 하기 그룹 1에 나열된 치환기 중 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
    [그룹 1]
    Figure 112019033395210-pat00029

    상기 그룹 1에서,
    *은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일결합이거나 하기 그룹 2에 나열된 연결기 중 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
    [그룹 2]
    Figure 112019033395210-pat00030

    상기 그룹 2에서,
    *은 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
  7. 제1항에 있어서,
    하기 그룹 3에 나열된 화합물 중 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
    [그룹 3]
    1 2 3 4 5
    Figure 112016044992289-pat00031

    6 7 8 9
    Figure 112016044992289-pat00032

    10 11 12 13 14
    Figure 112016044992289-pat00033

    15 16 17 18 19
    Figure 112016044992289-pat00034

    20 21 22
    Figure 112016044992289-pat00035

    23 24 25 26
    Figure 112016044992289-pat00036

    27 28 29 30
    Figure 112016044992289-pat00037

    31 32 33 34
    Figure 112016044992289-pat00038

    35 36 37 38
    Figure 112016044992289-pat00039

    39 40 41 42
    Figure 112016044992289-pat00040

    43 44 45 46
    Figure 112016044992289-pat00041

    47 48 49
    Figure 112016044992289-pat00042
    .
  8. 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고
    상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 제1항, 제2항, 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유기층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
  11. 제8항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치.
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