KR102017726B1 - 멀티 칩 패키지 시스템 - Google Patents

멀티 칩 패키지 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102017726B1
KR102017726B1 KR1020130040066A KR20130040066A KR102017726B1 KR 102017726 B1 KR102017726 B1 KR 102017726B1 KR 1020130040066 A KR1020130040066 A KR 1020130040066A KR 20130040066 A KR20130040066 A KR 20130040066A KR 102017726 B1 KR102017726 B1 KR 102017726B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
semiconductor chips
transmission line
termination
signal
Prior art date
Application number
KR1020130040066A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140122954A (ko
Inventor
정춘석
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020130040066A priority Critical patent/KR102017726B1/ko
Priority to US13/935,966 priority patent/US9275984B2/en
Priority to CN201310378796.XA priority patent/CN104103610B/zh
Publication of KR20140122954A publication Critical patent/KR20140122954A/ko
Priority to US15/009,435 priority patent/US20160148908A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102017726B1 publication Critical patent/KR102017726B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/025Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in signal lines
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/02Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
    • G11C29/028Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2207/00Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/10Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
    • G11C2207/105Aspects related to pads, pins or terminals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/20Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

다수의 반도체 칩을 구비하는 멀티 칩 패키지 시스템에 관한 것으로, 다수의 반도체 칩에 공통으로 연결되는 신호 전송 라인, 및 상기 신호 전송 라인의 로딩 값을 검출하여 상기 신호 전송 라인의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 터미네이션 제어부를 구비하는 멀티 칩 패키지 시스템이 제공된다.

Description

멀티 칩 패키지 시스템{MULTI CHIP PAKAGE SYSTEM}
본 발명은 반도체 설계 기술에 관한 것으로, 특히 다수의 반도체 칩을 구비하는 멀티 칩 패키지 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous DRAM)을 비롯한 반도체 장치는 사용자의 요구를 충족시키기 위하여 여러 가지 다양한 방향으로 발전하고 있으며, 그 발전 방향 중에는 패키지(package) 기술이 있다. 요즈음에는 반도체 장치의 패키지 기술로 멀티 칩 패키지(multi chip package)가 제안되고 있다. 멀티 칩 패키지는 다수의 반도체 칩으로 하나의 단일 칩을 구성하는 것을 말하며, 메모리 기능을 가지는 메모리 칩을 다수 개 사용하여 메모리 용량을 증대하거나 서로 다른 기능을 가지는 반도체 칩을 사용하여 원하는 성능을 향상시키는 것이 가능하다. 참고로, 멀티 칩 패키지는 구성에 따라 단층형 멀티 칩 패키지와 다층형 멀티 칩 패키지로 나뉠 수 있으며, 단층형 멀티 칩 패키지는 다수의 반도체 칩이 평면상에 나란히 배치되고 다층형 멀티 칩 패키지는 다수의 반도체 칩이 적층되어 배치된다.
도 1 은 일반적인 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1 을 참조하면, 멀티 칩 패키지는 다수의 반도체 칩(110)과 이를 제어하기 위한 컨트롤러(120)를 구비한다. 다수의 반도체 칩(110)과 컨트롤러(120)는 신호 전송 라인(LL)으로 연결되어 있으며, 컨트롤러(120)는 이 신호 전송 라인(LL)을 통해 예정된 신호를 전송하여 다수의 반도체 칩(110)을 제어한다.
한편, 요즈음 반도체 장치는 보다 많은 데이터를 저장하기 위해 그리고, 보다 빠르고 보다 다양한 동작을 수행하기 위하여 발전하고 있으며, 이를 위하여 위에서 설명한 바와 같이, 멀티 칩 패키지로 구성되는 다수의 반도체 칩(110)의 개수는 점점 늘어나고 있다. 다수의 반도체 칩(110)의 개수가 늘어난다는 것은 컨트롤러(120)와 연결되는 신호 전송 라인(LL)의 로딩이 그만큼 커진다는 것을 의미한다. 그리고, 신호 전송 라인(LL)의 로딩이 커진다는 것은 신호 전송 라인(LL)을 통해 전달되는 신호에 커진 로딩만큼의 지연량이 추가적으로 반영된다는 것을 의미하고, 만약 이 지연량이 매우 크게 되면 신호를 고속으로 전달할 수 없는 문제점이 발생한다.
다수의 반도체 칩에 공통으로 연결되는 전송 라인의 상태에 따라 신호 전달 상태를 제어할 수 있는 멀티 칩 패키지 시스템을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템은, 다수의 반도체 칩에 공통으로 연결되는 신호 전송 라인; 및 상기 신호 전송 라인의 로딩 값을 검출하여 상기 신호 전송 라인의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 터미네이션 제어부를 구비할 수 있다.
바람직하게, 상기 터미네이션 제어부는 상기 로딩 값이 예정된 값 이상인 경우 터미네이션 동작을 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템은, 다수의 반도체 칩의 활성화 동작을 제어하기 위한 활성화 신호를 생성하는 컨트롤러; 상기 활성화 신호에 응답하여 상기 다수의 반도체 칩 중 활성화되는 반도체 칩에 대응하는 신호 전송 라인을 하나의 신호 전송 라인으로 연결하기 위한 스위칭부; 및 상기 활성화 신호에 응답하여 상기 하나의 신호 전송 라인의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 터미네이션 제어부를 구비할 수 있다.
바람직하게, 상기 터미네이션 제어부는 상기 다수의 반도체 칩의 활성화 신호 중 예정된 반도체 칩의 활성화 신호에 응답하여 터미네이션 동작을 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지는, 예정된 신호를 전송하기 위한 관통 비아가 연결된 다수의 반도체 칩을 구비하되, 상기 다수의 반도체 칩 각각은, 해당 반도체 칩의 칩 아이디를 생성하기 위한 칩 아이디 생성부; 및 상기 칩 아이디 생성부의 출력 신호에 응답하여 상기 관통 비아의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 터미네이션 제어부를 구비할 수 있다.
바람직하게, 상기 검출 신호를 상기 다수의 반도체 칩 각각으로 전달하기 위한 관통 비아를 더 구비할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템은, 예정된 신호를 전송하기 위한 관통 비아가 연결된 다수의 반도체 칩을 구비하는 멀티 칩 패키지; 및 상기 다수의 반도체 칩의 개수에 응답하여 상기 관통 비아의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 컨트롤러를 구비할 수 있다.
바람직하게, 상기 멀티 칩 패키지는 상기 다수의 반도체 칩 각각의 칩 아이디를 카운팅하여 상기 컨트롤러에 제공하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템은 다수의 반도체 칩에 공통으로 연결되는 신호 전송 라인의 상태에 따라 신호 전달 상태를 제어하는 것이 가능하다. 보다 자세히 말하면, 공통으로 연결된 전송 라인의 로딩 값에 따라 신호 전송 라인의 터미네이션 동작을 제어하는 것이 가능하다.
신호 전송 라인의 로딩에 따라 터미네이션 동작을 제어하는 것이 가능하기 때문에 신호를 전송하는데 있어서 고속화 측면이나 전력 소모 측면에서 보다 효율적인 동작 가능한 효과를 얻을 수 있다.
도 1 은 일반적인 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 블록도이다.
도 5 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 6 은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2 를 참조하면, 멀티 칩 패키지 시스템은 다수의 반도체 칩(210)과, 컨트롤러(220), 및 터미네이션 제어부(230)를 구비한다.
다수의 반도체 칩(210)은 컨트롤러(220)에 의하여 제어되며, 다수의 반도체 칩(210)과 컨트롤러(220)는 신호 전송 라인(LL)에 공통으로 연결되어 있다. 컨트롤러(220)는 이 신호 전송 라인(LL)을 통해 예정된 신호를 전송하여 다수의 반도체 칩(210)을 제어한다.
이어서, 터미네이션 제어부(230)는 신호 전송 라인(LL)의 로딩 값을 검출하여 신호 전송 라인(LL)의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 것으로, 로딩 값 검출부(231)와 터미네이션 동작부(232)를 구비한다. 여기서, 로딩 값 검출부(231)는 신호 전송 라인(LL)의 로딩 값을 검출하여 검출 신호(DET)로 출력하고, 터미네이션 동작부(232)는 검출 신호(DET)에 응답하여 신호 전송 라인(LL)에 터미네이션 동작을 수행한다.
한편, 본 발명의 실시예는 터미네이션 동작을 통해 신호 전송 라인(LL)을 통해 전달되는 신호의 스윙 폭을 제어하는 것이 가능하다. 즉, 터미네이션 동작이 이루어진 신호 전송 라인(LL)은 전달되는 신호의 스윙 폭이 작아지며 때문에 그만큼 고속 동작이 가능하다. 하지만, 터미네이션 동작을 수행하는 경우 신호 전송 라인(LL)을 예정된 전압 레벨로 구동해주어야 하기 때문에 그만큼 전력 소모가 크다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 신호 전송 라인(LL)의 로딩 값에 따라 터미네이션 동작 여부를 제어하여 고속화와 저전력화를 모두 확보하는 것이 가능하다. 다시 말하면, 신호 전송 라인(LL)의 로딩 값이 비교적 작은 경우 터미네이션 동작을 수행하지 않아 소모되는 전력을 줄여줄 수 있으며, 신호 전송 라인(LL)의 로딩 값이 비교적 큰 경우 터미네이션 동작을 수행하여 고속 동작이 가능하다.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3 을 참조하면, 멀티 침 패키지 시스템은 다수의 반도체 칩(310, 320, 330)과, 컨트롤러(340)와, 스위칭부(350), 및 터미네이션 제어부(360)를 구비한다.
다수의 반도체 칩(310, 320, 330)은 도 2 에서와 마찬가지로 컨트롤러(340)에 의하여 제어되며, 설명의 편의를 위하여 3 개의 반도체 칩인 제1 내지 제3 반도체 칩(310, 320, 330)을 일례로 한다.
이어서, 컨트롤러(340)는 제1 내지 제3 반도체 칩(310, 320, 330)의 활성화 동작을 제어하기 위한 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, EN3)를 생성한다. 여기서, 제1 활성화 신호(EN1)는 제1 반도체 칩(310)을 활성화시키기 위한 신호로써, 도면에 도시는 하지 않았지만 제1 반도체 칩(310)으로 인가되어 활성화 동작을 제어할 수도 있다. 제2 및 제3 활성화 신호(EN2, EN3) 역시 제2 및 제3 반도체 칩(320, 330) 각각을 활성화시키기 위한 신호로써, 마찬가지로 제2 및 제3 반도체 칩(320, 330) 각각으로 인가되어 활성화 동작을 제어할 수도 있다.
이어서, 스위칭부(350)는 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, EN3)에 응답하여 활성화되는 반도체 칩에 대응하는 신호 전송 라인을 하나의 신호 전송 라인으로 연결하기 위한 것으로, 제1 내지 제3 스위칭부(SW1, SW2, SW3)를 구비한다. 여기서, 제1 스위칭부(SW1)는 제1 활성화 신호(EN1)에 응답하여 제1 반도체 칩(310)에 대응하는 제1 신호 전송 라인(LL1)을 신호 전송 라인(LL)과 연결하고, 제2 스위칭부(SW2)는 제2 활성화 신호(EN2)에 응답하여 제2 반도체 칩(320)에 대응하는 제2 신호 전송 라인(LL2)을 제1 신호 전송 라인(LL1)과 연결하며, 제3 스위칭부(SW3)는 제3 활성화 신호(EN3)에 응답하여 제3 반도체 칩(330)에 대응하는 제3 신호 전송 라인(LL3)을 제2 신호 전송 라인(LL2)과 연결한다. 예컨대, 제1 및 제2 활성화 신호(EN1, EN2)가 활성화되는 경우 컨트롤러(340)와 제1 및 제2 반도체 칩(310, 320)은 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1, LL2)으로 연결된다.
마지막으로, 터미네이션 제어부(360)는 제3 활성화 신호(EN3)에 응답하여 신호 전송 라인(LL)의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 것으로, 활성화 검출부(361)와, 터미네이션 동작부(362)를 구비한다. 여기서, 활성화 검출부(361)는 제3 활성화 신호(EN3)가 활성화되는 것을 검출하여 검출 신호(DET)로 출력하고, 터미네이션 동작부(362)는 검출 신호(DET)에 응답하여 신호 전송 라인(LL)에 터미네이션 동작을 수행한다.
도 3 의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템에서는 제3 활성화 신호(EN)가 활성화되는 경우 다시 말하면, 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, EN3)가 활성화되어 컨트롤러(340)와 제1 내지 제3 반도체 칩(310, 320, 330)이 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1, LL2, LL3)으로 연결되는 경우 터미네이션 동작을 수행하는 것을 일례로 한다. 따라서, 활성화 검출부(361)는 제3 활성화 신호(EN3)를 입력받아 제3 활성화 신호(EN3)의 활성화 여부를 검출한다.
이하, 간단한 회로 동작을 살펴보기로 한다.
우선, 제1 활성화 신호(EN1)만 활성화되는 경우 컨트롤러(340)와 제1 반도체 칩(310)은 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1)으로 연결된다. 제3 활성화 신호(EN3)에 응답하여 터미네이션 동작 여부를 제어하는 도 3 의 구성에서는 제1 활성화 신호(EN1)에 의하여 연결된 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1)은 로딩 값이 비교적 작다고 가정된 것이다. 때문에, 제1 활성화 신호(EN1)에 의하여 연결된 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1)에는 터미네이션 동작이 수행되지 않는다. 따라서, 신호를 전달하는데 있어서 터미네이션 동작에 의한 전력 소모가 발생하지 않는다.
다음으로, 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, EN3)가 활성화되는 경우 컨트롤러(340)와 제1 내지 제3 반도체 칩(310, 320, 330)은 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1, LL2, LL3)으로 연결된다. 도 3 의 구성에서는 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, NE3)에 의하여 연결되는 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1, LL2, LL3)은 로딩 값이 비교적 크다고 가정된 것이다. 때문에, 제1 내지 제3 활성화 신호(EN1, EN2, NE3)에 의하여 연결되는 하나의 신호 전송 라인(LL, LL1, LL2, LL3)에는 터미네이션 동작이 수행된다. 따라서, 전달되는 신호는 터미네이션 동작에 의하여 작은 스윙 폭으로 빠르게 전달된다.
본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지는 활성화되는 반도체 장치끼리 연결되는 하나의 신호 전송 라인의 로딩 값을 검출하고 이 검출 결과에 따라 터미네이션 동작 여부를 제어하는 것이 가능하다.
도 4 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 블록도로서, 3 개의 반도체 칩(410, 420, 430)을 구비하는 경우를 일례로 한다.
도 4 를 참조하면, 멀티 칩 패키지 시스템은 제1 내지 제3 반도체 칩(410, 420, 430)을 구비하며, 제1 내지 제3 반도체 칩(410, 420, 430)은 예정된 신호를 전송하기 위한 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아와, 검출 신호(DET)를 전송하기 위한 'TSV_DET' 관통 실리콘 비아에 연결된다. 이하 설명의 편의를 위한 제1 반도체 칩(410)을 대표로 설명하기로 한다.
제1 반도체 칩(410)은 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 연결되는 송신부(TX)와 수신부(RX)를 구비하고 있으며, 칩 아이디 생성부(411), 및 터미네이션 제어부(412)를 구비한다.
송신부(TX)는 제1 반도체 칩(410)에 전달되는 신호를 입력받아 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아로 전달하고, 수신부(RX)는 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아를 통해 전달되는 신호를 내부 회로로 전달한다.
이어서, 칩 아이디 생성부(411)는 제1 반도체 칩(410)에 칩 아이디(chip ID)를 부여한다. 도 4 와 같이 제1 반도체 칩(410)이 가장 아래 배치되고 제3 반도체 칩(430)이 가장 위에 배치되는 구성에서는 예컨대, 제1 반도체 칩(410)의 칩 아이디 생성부(411)는 '1' 에 대응하는 칩 아이디를 제1 반도체 칩(410)에 부여하고, 제2 반도체 칩(420)에 해당하는 칩 아이디 생성부는 제1 반도체 칩(410)의 '1' 에 대응하는 칩 아이디를 입력받아 '2' 에 대응하는 칩 아이디를 제2 반도체 칩(420)에 부여하며, 제3 반도체 칩(430)에 해당하는 칩 아이디 생성부는 제2 반도체 칩(420)의 '2' 에 대응하는 칩 아이디를 입력받아 '3' 에 대응하는 제3 반도체 칩(430)에 부여한다.
마지막으로, 터미네이션 제어부(412)는 칩 아이디 생성부(411)의 출력 신호에 응답하여 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 것으로, 칩 아이디 검출부(412_1)와, 터미네이션 동작부(412_2)를 구비한다. 여기서, 칩 아이디 검출부(412_1)는 '1' 에 대응하는 칩 아이디와 예정된 칩 아이디를 비교하여 검출 신호(DET)를 생성하고, 터미네이션 동작부(412_2)는 검출 신호(DET)에 응답하여 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 터미네이션 동작을 수행한다. 이때, 검출 신호(DET)는 'TSV_DET' 관통 실리콘 비아를 통해 제1 내지 제3 반도체 칩(410, 420, 430)에 모두 전달되는 것이 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지는 해당 반도체 칩의 칩 아이디와 예정된 칩 아이디를 비교하고 그 비교 결과에 따라 터미네이션 동작 여부를 제어하는 것이 가능하다. 여기서, 예정된 칩 아이디는 적층되는 반도체 칩이 몇 개 이상 되었을 때 터미네이션 동작을 수행하겠다는 정보이다. 그래서, 만약 예정된 칩 아이디가 '3' 에 대응한다고 가정하면, 적층되는 반도체 칩이 3 개 이상인 경우 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 터미네이션 동작이 수행되고, 적층되는 반도체 칩이 3 개 보다 작은 경우 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 터미네이션 동작이 수행되지 않는다.
한편, 도 4 의 실시예에서는 예정된 칩 아이디가 제1 내지 제3 반도체 칩 각각의 칩 아이디 검출부에 저장될 수 있다. 즉, 도 4 의 실시예에서는 멀티 칩 패키지 내부에서 터미네이션 동작 여부를 결정하였다. 이하, 살펴볼 도 5 의 실시예에서는 외부에서 터미네이션 동작 여부를 결정하는 하는 것이 가능하다.
도 5 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5 를 참조하면, 멀티 칩 패키지 시스템은 컨트롤러(510)와, 멀티 칩 패키지(520)를 구비한다.
컨트롤러(510)는 커맨드(CMD), 어드레스(ADD), 데이터(DAT) 등을 이용하여 멀티 칩 패키지(520)를 제어하고, 이후 설명될 아이디 정보(INF_ID)에 응답하여 멀티 칩 패키지(520)의 터미네이션 동작을 제어한다. 멀티 칩 패키지(520)는 컨트롤러(510)에 의하여 제어되는 다수의 반도체 칩(521)을 구비하고 있으며, 다수의 반도체 칩(521)은 예정된 신호를 다수의 반도체 칩(521)으로 전송하기 위한 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 연결된다.
한편, 컨트롤러(510)는 아이디 정보(INF_ID)에 응답하여 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아의 터미네이션 동작을 제어하는데, 이때 아이디 정보(INF_ID)는 도 4 에서 설명한 칩 아이디가 될 수 있다. 즉, 멀티 칩 패키지(520)에 구비되는 다수의 반도체 칩(521) 각각은 칩 아이디를 카운팅하여 자신을 인식하기 위한 칩 아이디로 부여하는데, 아이디 정보(INF_ID)는 최종적으로 카운팅된 칩 아이디가 될 수 있다. 그리고, 컨트롤러(510)는 이렇게 카운팅된 칩 아이디를 예정된 칩 아이디와 비교하여 그 비교 결과에 따라 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아의 터미네이션 동작 여부를 결정한다.
도 6 은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 도 6 의 멀티 칩 패키지 시스템은 도 5 의 멀티 칩 패키지 시스템과 비교하여 터미네이션 동작부(610)의 위치만 다르다. 즉, 도 6 의 터미네이션 동작부(610)는 컨트롤러(510) 외부에 배치되며, 컨트롤러(510)보다 멀티 칩 패키지(520)와 인접하게 배치된다.
도 6 을 참조하면, 컨트롤러(510)는 멀티 칩 패키지(520)로부터 생성되는 아이디 정보(INF_ID)에 응답하여 터미네이션 동작을 제어하기 위한 제어 신호(CTR)를 생성하고, 터미네이션 동작부(610)는 이 제어 신호(CTR)에 응답하여 멀티 칩 패키지(520)에 연결되는 'TSV_LL' 관통 실리콘 비아에 터미네이션 동작을 수행한다.
도 5 및 도 6 에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 멀티 칩 패키지 시스템은 멀티 칩 패키지에서 카운팅된 아이디 정보를 검출하고 이 검출 결과에 따라 터미네이션 동작 여부를 제어하는 것이 가능하다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예는 신호 전송 라인의 로딩 값에 따라 터미네이션 동작 여부를 결정하는 것이 가능하며, 다른 실시예에서는 신호 전송 라인을 연결하기 위한 활성화 신호에 따라 터미네이션 동작 여부를 결정하는 것 역시 가능하며, 또 다른 실시예에서는 관통 실리콘 비아로 연결된 다수의 반도체 칩의 칩 아이디 정보에 따라 터미네이션 동작 여부를 결정하는 것 역시 가능하다. 결국, 본 발명의 실시예는 터미네이션 동작 여부를 효율적으로 제어함으로써, 신호를 전송하는데 있어서 고속화 측면이나 전력 소모 측면에서 이득을 가져다 준다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 이상에서 설명한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경으로 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
210 : 다수의 반도체 칩
220 : 컨트롤러
230 : 터미네이션 제어부

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 예정된 신호를 전송하기 위한 관통 비아가 연결된 다수의 반도체 칩을 구비하되,
    상기 다수의 반도체 칩 각각은,
    해당 반도체 칩의 칩 아이디를 생성하기 위한 칩 아이디 생성부; 및
    상기 칩 아이디 생성부의 출력 신호에 응답하여 상기 관통 비아의 터미네이션 동작을 제어하기 위한 터미네이션 제어부
    를 구비하는 멀티 칩 패키지.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제7항에 있어서,
    상기 터미네이션 제어부는 예정된 칩 아이디에 따라 터미네이션 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제7항에 있어서,
    상기 터미네이션 제어부는,
    상기 칩 아이디 생성부에서 생성되는 칩 아이디와 예정된 칩 아이디를 비교하여 검출 신호로 출력하기 위한 칩 아이디 검출부; 및
    상기 검출 신호에 응답하여 상기 관통 비아에 터미네이션 동작을 수행하기 위한 동작부를 구비하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
  10. ◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제9항에 있어서,
    상기 검출 신호를 상기 다수의 반도체 칩 각각으로 전달하기 위한 관통 비아를 더 구비하는 멀티 칩 패키지.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
KR1020130040066A 2013-04-11 2013-04-11 멀티 칩 패키지 시스템 KR102017726B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130040066A KR102017726B1 (ko) 2013-04-11 2013-04-11 멀티 칩 패키지 시스템
US13/935,966 US9275984B2 (en) 2013-04-11 2013-07-05 Multi-chip package system
CN201310378796.XA CN104103610B (zh) 2013-04-11 2013-08-27 多芯片封装系统
US15/009,435 US20160148908A1 (en) 2013-04-11 2016-01-28 Multi-chip package system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130040066A KR102017726B1 (ko) 2013-04-11 2013-04-11 멀티 칩 패키지 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140122954A KR20140122954A (ko) 2014-10-21
KR102017726B1 true KR102017726B1 (ko) 2019-09-03

Family

ID=51671624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130040066A KR102017726B1 (ko) 2013-04-11 2013-04-11 멀티 칩 패키지 시스템

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9275984B2 (ko)
KR (1) KR102017726B1 (ko)
CN (1) CN104103610B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102048254B1 (ko) * 2013-04-11 2020-01-08 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 출력 회로 및 그의 구동 방법
TWI579856B (zh) * 2014-09-12 2017-04-21 東芝股份有限公司 Semiconductor device
FR3047380B1 (fr) 2016-01-29 2018-05-18 STMicroelectronics (Alps) SAS Detection d'un branchement analogique dans un decodeur video
US11735565B2 (en) 2020-07-31 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacture

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7788468B1 (en) * 2005-12-15 2010-08-31 Nvidia Corporation Synchronization of threads in a cooperative thread array
KR101398633B1 (ko) * 2008-01-28 2014-05-26 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 칩 식별신호 발생방법
KR101069710B1 (ko) * 2009-10-29 2011-10-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치 및 이의 칩 선택방법
KR20110112707A (ko) 2010-04-07 2011-10-13 삼성전자주식회사 층간 연결 유닛을 갖는 적층 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템, 및 전송선의 지연시간 보상 방법
KR101751045B1 (ko) 2010-05-25 2017-06-27 삼성전자 주식회사 3d 반도체 장치
KR101710658B1 (ko) 2010-06-18 2017-02-27 삼성전자 주식회사 관통 전극을 갖는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 시그널링 방법
KR101703040B1 (ko) 2010-10-29 2017-02-06 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
KR101208959B1 (ko) * 2010-11-17 2012-12-06 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
KR20130003551A (ko) * 2011-06-30 2013-01-09 삼성전자주식회사 온 다이 터미네이션을 포함하는 반도체 메모리 장치, 메모리 콘트롤러, 메모리 시스템 및 온 다이 터미네이션 제어방법
KR101857677B1 (ko) * 2011-07-21 2018-05-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 집적회로 및 그의 신호 전달 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9275984B2 (en) 2016-03-01
CN104103610B (zh) 2018-12-14
US20160148908A1 (en) 2016-05-26
CN104103610A (zh) 2014-10-15
KR20140122954A (ko) 2014-10-21
US20140306753A1 (en) 2014-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8837191B2 (en) Semiconductor apparatus
KR102084553B1 (ko) 메모리 시스템
KR102017726B1 (ko) 멀티 칩 패키지 시스템
US9224722B2 (en) Semiconductor apparatus capable of detecting whether pad and bump are stacked
US9336857B2 (en) Semiconductor memory device including stacked memory chips
US8477545B2 (en) Semiconductor apparatus
KR20140115551A (ko) 스택 패키지
US20150235715A1 (en) Stacked semiconductor memory apparatus and test circuit therefor
US20230048103A1 (en) Memory die and logic die with wafer-on-wafer bond
US9058854B2 (en) Semiconductor memory apparatus
KR101110820B1 (ko) 슬레이브 장치, 마스터 장치와 슬레이브 장치를 포함하는 시스템 및 동작방법, 칩 패키지
US9293225B2 (en) Semiconductor devices and semiconductor systems including the same
US9502384B2 (en) Semiconductor devices and semiconductor systems including the same
US9013220B2 (en) Semiconductor apparatus and semiconductor system
US9508394B2 (en) Integrated circuit system and memory system
KR102036693B1 (ko) 반도체 메모리 시스템 및 그의 동작 방법
US9959184B2 (en) Input/output (I/O) line test device and method for controlling the same
US9466555B2 (en) Semiconductor chip and stack type semiconductor apparatus using the same
US9600424B2 (en) Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same
KR20170016582A (ko) 복수의 전원을 사용하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템
KR102088453B1 (ko) 반도체 장치
US8947152B2 (en) Multi-chip package
US20230395566A1 (en) Repeater scheme for inter-die signals in multi-die package
US20140241079A1 (en) Chip die and semiconductor memory device including the same
KR20160149783A (ko) 멀티 칩 패키지 및 그의 동작 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant