KR102013314B1 - 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치는, 기판, 기판의 제1 면 상에 형성된 발광 표시부, 발광 표시부 상에 형성된 봉지층 및 제1 면과 대향하는 기판의 제2 면 상에 형성된 전도성 막을 포함하고, 전도성 막은 도전체를 포함하고, 도전체는 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나이다. 이에 의해, 정전기에 의한 발광 표시부의 특성 변화를 방지할 수 있다.

Description

플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법{Flexible display device and manufacturing method thereof}
본 발명은 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이 관련 기술의 발달과 함께, 접거나 롤(Roll) 형상으로 말 수 있는 플렉서블한 디스플레이 장치들이 연구 및 개발되고 있다.
한편, 유기 발광 디스플레이 패널은 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답속도, 소비전력 등의 측면에서 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대폰 등과 같은 개인용 휴대기기에서 텔레비젼(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다. 또한, 유기 발광 디스플레이 패널은 자발광 특성을 가지므로 별도의 광원을 필요로 하지 않기 때문에 두께와 무게를 줄일 수 있다.
이러한 유기 발광 디스플레이 패널은 플라스틱 기판을 이용하여 플렉서블하게 구현할 수 있다. 일반적으로 플렉서블한 유기 발광 디스플레이 패널은, 유리 등의 재질로 형성된 캐리어 기판 상에 유기 발광 소자 등을 형성한 후, 레이저를 조사하여 캐리어 기판을 플라스틱 기판으로부터 분리함으로써 형성할 수 있다.
다만, 캐리어 기판의 분리를 위한 레이저의 조사 시, 캐리어 기판과 플라스틱 기판 사이에서 정전기가 발생하고, 발생한 정전기는 TFT의 전압을 포지티브 방향으로 이동시키는 등의 유기 발광 소자의 전기적인 특성을 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 플렉서블 디스플레이 패널의 신뢰성 및 구동의 안정성이 저하될 수 있다.
본 발명의 목적은, 정전기에 의한 발광 표시부의 특성 변화를 방지할 수 있는 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치는, 기판, 기판의 제1 면 상에 형성된 발광 표시부, 발광 표시부 상에 형성된 봉지층 및 제1 면과 대향하는 기판의 제2 면 상에 형성된 전도성 막을 포함하고, 전도성 막은 도전체를 포함하고, 도전체는 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나이다.
또한, 전도성 막은 기판을 가로지르게 형성된다.
또한, 전도성 막의 두께는 10 내지 30㎛이다.
또한, 도전체는 상기 전도성 막 전체에 대해 5 내지 10wt%로 포함된다.
또한, 전도성 막의 하면에는 전도성을 가지는 실레인 유도체층이 더 형성될 수 있다.
또한, 기판과 발광 표시부 사이에는 소자 및 배선층이 형성된다.
또한, 발광 표시부는 유기 발광 디스플레이 패널이다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법은, 캐리어 기판 상에 전도성 막을 형성하는 단계, 전도성 막 상에 기판을 형성하는 단계, 기판 상에 발광 표시부를 형성하는 단계, 발광 표시부 상에 봉지층을 형성하는 단계 및 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하고, 전도성 막은 도전체를 포함하고, 도전체는 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나이다.
또한, 전도성 막은, 도전체를 포함하는 용액을 캐리어 기판 상에 도포하고, 도포된 용액을 건조 및 소성하여 형성한다.
또한, 전도성 막은, 도전체, 유리 프릿, 바인더 및 용매를 포함하는 페이스트를 캐리어 기판 상에 스크린 프린트 하여 형성한다.
또한, 캐리어 기판의 제거는 물리적인 방법에 의한다.
또한, 전도성 막은 10 내지 30㎛의 두께로 형성된다.
또한, 도전체는 전도성 막 전체에 대해 5 내지 10wt%로 포함된다.
또한, 전도성 막은 기판을 가로지른다.
또한, 기판과 전도성 막 사이의 접합력이 캐리어 기판과 전도성 막 사이의 접합력 보다 크다.
또한, 전도성 막을 형성하기 전에, 캐리어 기판 상에 전도성을 가지는 실레인 유도체층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 발광 표시부의 일면상에 전도성 막을 형성 함으로써, 정전기에 의한 발광 표시부의 특성 변화를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 표시 패널부의 일 화소 영역의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법을 도시한 도면들이다.
도 7은 캐리어 기판의 탈착 전후의 전압 전이 곡선을 도시한 도이다.
도 8은 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 전압 전이 곡선을 도시한 도이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 보다 상세하게 설명한다.
이하의 도면에서, 각 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한, 각 구성요소의 설명에 있어서, '상(on)'에 또는 '하(under)'에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, '상(on)'과 '하(under)'는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, '상(on)' 및 '하(under)'에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 표시 패널부의 일 화소 영역의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(10)는, 표시 패널부(200)와 표시 패널부(200)의 하면에 형성된 전도성 막(100)을 포함할 수 있다.
표시 패널부(200)는 플렉서블한 성질을 가지고, 이에 따라 접거나 말 수 있는바, 보관 및 휴대성이 우수할 수 있다. 표시 패널부(200)는 유기 발광 디스플레이 패널, 액정 디스플레이 패널 등일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 한편, 도 2는 표시 패널부(200)의 일 예로 유기 발광 디스플레이 패널을 도시하고 있다.
도 2를 참조하면, 표시 패널부(200)는 기판(210), 기판(210)의 제1 면 상에 배치된 발광 표시부(220) 및 발광 표시부(220) 상에 기판(210)과 대향하도록 배치되고, 발광 표시부(220)를 밀봉하는 봉지층(230)을 포함할 수 있다. 또한, 기판(210)과 발광 표시부(220)의 사이에는 베리어막(240)과 소자 및 배선층(250)이 형성될 수 있다.
기판(210)은 표시 패널부(200)가 플렉서블한 성질을 가질 수 있도록, 아크릴, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 및 폴리이미드 등과 같은 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 다만, 기판(210)은 이에 한정되지 않으며, 가요성이 있는 다양한 소재로 구성될 수 있다.
기판(210) 상에는 베리어막(240)이 배치될 수 있다. 베리어막(240)은 수분이나 산소와 같은 외부의 이물질이 기판(210)을 투과하여 구동 박막 트랜지스터(TFT) 및/또는 발광 표시부(220) 등에 침투하는 것을 방지한다.
베리어막(240) 상에는 소자/배선층(250)이 배치될 수 있으며, 소자/배선층(250)에는 발광 표시부(OLED, 220)를 구동시키는 구동 박막트랜지스터(TFT), 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 커패시터, 상기 박막트랜지스터나 커패시터에 연결되는 배선들(미도시)이 포함될 수 있다.
구동 박막 트랜지스터(TFT)는 활성층(251)과, 게이트 전극(253)과, 소스 전극 및 드레인 전극(255a, 255b)을 포함한다.
소자/배선층(250) 상에는 발광 표시부(220)가 배치된다. 발광 표시부(220)는 화소 전극(221)과, 화소 전극(221) 상에 배치된 유기 발광층(222)과, 유기 발광층(222) 상에 형성된 대향 전극(223)을 포함한다.
본 실시예에서, 화소 전극(221)은 애노드(anode)이고, 대향 전극(223)은 캐소드(cathode)로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 표시 패널부(200)의 구동 방법에 따라 화소 전극(221)이 캐소드이고, 대향 전극(223)이 애노드일 수도 있다. 화소 전극(221) 및 대향 전극(223)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(222) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 광을 방출한다.
화소 전극(221)은 소자/배선층(250)에 형성된 구동 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서는, 발광 표시부(220)가 구동 박막트랜지스터(TFT)가 배치된 소자/배선층(250) 상에 배치된 구조에 관하여 기재하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 발광 표시부(220)의 화소 전극(221)이 구동 박막트랜지스터(TFT)의 활성층(251)과 동일층에 형성된 구조, 또는 화소 전극(221)이 게이트 전극(253)과 동일층에 형성된 구조, 또는 화소 전극(221)이 소스 전극 및 드레인 전극(255a, 255b)과 동일 층에 형성된 구조 등 다양한 형태로 변형이 가능하다.
또한, 본 실시예에서 구동 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(253)이 활성층(251) 상에 배치되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 게이트 전극(253)이 활성층(251)의 하부에 배치될 수도 있다.
본 실시예의 발광 표시부(220)에 구비된 화소 전극(221)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다.
상기 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(221)과 대향되도록 배치된 대향 전극(223)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다. 따라서, 대향 전극(223)은 유기 발광층(222)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다.
화소 전극(221)과 대향 전극(223)의 사이에는 유기 발광층(222)이 배치되며, 유기 발광층(222)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
화소 전극(221)과 대향 전극(223)의 사이에는 유기 발광층(222) 이외에, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 중간층이 선택적으로 배치될 수 있다.
유기 발광층(222)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(221)에 의해 반사되어, 대향 전극(223) 측으로 방출되는 전면 발광형일 수 있다.
그러나, 본 발명의 표시 패널부(200)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(222)에서 방출된 광이 기판(210) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(221)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(223)은 반사 전극으로 구성될 수 있다.
대향 전극(223) 상에는 봉지층(230)이 배치될 수 있다. 봉지층(230)은 다층으로 형성된 무기막, 또는 무기막과 유기막을 포함하는 박막으로 구성될 수 있다. 봉지층(230)은 외부의 수분과 산소 등이 발광 표시부(220)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
전도성 막(100)은 기판(210)의 제1 면과 대향하는 제2 면 상에 형성된다. 전도성 막(100)은 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나의 도전체를 포함하며, 전도성 막(100)의 적어도 일부가 기판(210)을 가로 지르도록 형성된다. 즉, 전도성 막(100)은 기판(210)의 일측 모서리와 이와 대향하는 기판(210)의 타측 모서리를 잇도록 기판(210)을 가로 지르며 형성될 수 있다. 이때, 탄소 나노 튜브 등은 큰 종횡비를 가지므로, 전도성 막(100)은 얇은 두께를 가지더라도 단락된 부위 없이 기판(210)을 가로지르는 도전 라인을 형성할 수 있다.
또한, 전도성 막(100)은 표시 패널부(200)와 전도성 막(100)을 감싸는 프레임(미도시) 등에 접지될 수 있다. 따라서, 기판(210) 상의 일부 영역에 정전기가 발생하더라도, 전도성 막(100)을 통해 발생된 정전기를 효과적으로 제거할 수 있고, 그 결과 정전기에 의해 구동 박막트랜지스터(TFT) 등의 전기적 특성이 변화되는 것을 방지할 수 있다. 그 밖에, 전도성 막(100)은 산소 및 수분에 대한 낮은 내성을 가지는 플락스틱으로 형성된 기판(210)을 통해 산소 및 수분이 표시 패널부(200)로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 전도성 막(100)은 10 내지 30㎛의 두께를 가지고 형성될 수 있다. 전도성 막(100)의 두께가 30㎛보다 크면, 플렉서블 디스플레이 장치(10)의 플렉서블한 성질이 저하될 수 있으며, 전도성 막(100)의 두께가 10㎛보다 작은 경우는 전도성 막(100)이 충분한 도전성을 가지기 어렵기 때문에 기판(210)에 대전된 전하들을 효율적으로 제거하기 어려울 수 있다. 따라서, 전도성 막(100)은 10 내지 30㎛의 두께를 가지고 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 형성된 전도성 막(100)에 포함된 탄소 나노 튜브 등의 도전체는 전도성 막(100) 전체에 대해 5 내지 10wt%로 포함되는 것이 바람직하다.
탄소 나노 튜브 등의 도전체의 함량이 전도성 막(100) 대비 5wt% 보다 작은 경우는, 전도성 막(100)이 충분한 도전성을 가지기 어렵기 때문에 대전된 전하들을 효율적으로 제거하기 어려울 수 있다. 반면에, 탄소 나노 튜브 등의 도전체의 함량이 전도성 막(100) 대비 10wt% 보다 큰 경우는, 전도성 막(100)이 균일한 두께를 가지고 형성되기 어려워 표시 패널부(200)의 플렉서블한 성질을 저감시킬 수 있다.
하기의 표 1은 본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치(10)와 종래의 플렉서블 디스플레이 장치 즉, 전도성 막(100)이 형성되지 않은 경우의 대전된 전하의 값을 측정한 결과이다. 구체적으로, 표 1에서는 정전기 건(Gun)을 사용하여 플렉서블 디스플레이 장치(10)의 일 꼭지점에서 정전기를 유도한 후, 정전기가 유도된 지점과 대칭인 지점에서 정전기의 값을 측정한 결과이다.
Figure 112012051902767-pat00001
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 전도성 막(100)이 형성되지 않은 비교예는 측정된 정전기의 값이 OKV임에 반해, 본 발명에 따라 전도성 막(100)이 형성된 실시예는 측정된 정전기가 1.7~2 KV임을 알 수 있다. 즉, 본 발명에 따라 전도성 막(100)이 형성되면, 대전된 전하가 전도성 막(100)을 통해 용이하게 외부로 배출될 수 있음을 알 수 있고, 이에 의해 정전기에 의해 구동 박막트랜지스터(TFT) 등의 전기적 특성이 변화되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 전도성 막(100)의 하면에는 전도성을 가지는 실레인(Silane) 유도체층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 실레인 유도체층(미도시)은 사이올 기(-SH)를 치환기로 가지는 실리콘(Silicone) 일 수 있다.
이와 같은 실레인 유도체층(미도시)은 전도성을 가지므로, 기판(210)의 일부 영역에 발생된 정전기를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 후술하는 바와 같이, 캐리어 기판(도 3의 300)의 분리를 더욱 용이하게 할 수 있다. 즉, 물리적인 방법에 의해 캐리어 기판(도 3의 300)을 분리할 때, 실레인 유도체층(미도시)이 가지는 싸이올 기(-SH)를 포함한 치환기가 끊어지면서, 캐리어 기판(도 3의 300)은 더욱 용이하게 분리될 수 있다.
도 3 내지 도 6은 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법을 도시한 도면들이다.
이하에서는, 도 3 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(300) 상에 전도성 막(100)을 형성한다.
캐리어 기판(300)은 글라스 등과 같이 고열에도 잘 견딜 수 있는 재질로 형성된 것을 이용한다. 또한, 그 기계적 강도가 충분하여 상부에 다양한 소자 또는 층들이 형성될 경우에도 변형이 없는 재질로 형성된 것을 이용하는 것이 바람직하다.
전도성 막(100)은 일 예로, 캐리어 기판(300) 상에 유기 용매에 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌, 나노 와이어 등의 도전체가 용해된 용액을 스핀코팅, 딥코팅, 슬릿 코팅 등에 의해 도포하고, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
여기서, 용매는 탄소 나노 튜브 등의 용해도가 높은 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 용매는 i)헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소 용매, 피리딘, 메시틸렌 등의 방향족계 탄화수소 용매, ii)메틸 이소부틸 케톤, 시클로헥산온, 아세톤 등의 케톤계 용매, iii)이소프로필 에테르 등의 에테르계 용매, iv)에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트 등의 아세테이트계 용매 등일 수 있으나, 이에 한정하지 않으며, 실리콘계, 아미드계 용매 등을 사용할 수 있다.
또한, 다른 예로, 전도성 막(100)은 탄소 나노 튜브 등의 도전체, 유리 프릿(Glass frit), 바인더, 용매 등을 포함하는 페이스트를 캐리어 기판(300) 상에 도포하여 형성할 수 있다.
여기서, 유리 프릿은 SiO2-PbO계, SiO2-PbO-B2O3계 및 Bi2O3-B2O3-SiO2계 분말로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
바인더는 페이스트의 소성 전에 각 성분의 결합재로 기능하는 것으로 예를 들면, 셀룰로오스(Celluose), 부틸카르비톨(Butyl carbitol), 및 터피네올(terpineol)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
용매는 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되는 것을 사용할 수 있다. 이에는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di-propylene glycol monomethyl ether)등 알데히드기를 포함하는 것 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
이러한 페이스트의 인쇄는 일 예로, 스크린 마스크를 위치시킨 후, 스퀴즈 러버를 이동하여 페이스트의 인쇄를 수행하는 스크린 프린트 법에 의할 수 있다.
그 밖에, 전도성 막(100)은 CVD법 등에 의해 캐리어 기판(300) 상에 직접 형성할 수도 있으며, 탄소 나노 튜브 등의 도전체를 포함하는 필름을 라미네이팅하여 캐리어 기판(300) 상에 부착함으로써 형성할 수도 있다.
한편, 도 4는 형성되는 전도성 막(100)의 다양한 형상들을 예시하고 있다. 전도성 막(100)은 도 4의 (a)와 같이 캐리어 기판(300) 상에 전체적으로 형성될 수도 있고, 도 4의 (b)와 같이 원형으로 형성될 수 있다. 또한, 도 4의 (c)와 같이 서로 나란한 복수의 스트라이프 패턴을 가지고 형성될 수 있다. 이와는 달리, 도면에 도시되지는 않았으나 전도성 막(100)은 격자 패턴을 가지고 형성될 수도 있다.
다만, 형성되는 전도성 막(100)은, 전도성 막(100)의 적어도 일부가 후술하는 전도성 막(100) 상에 형성되는 기판(210)을 가로지르도록 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 전도성 막(100)이 기판(210)의 일측 모서리와 이와 대향하는 기판(210)의 타측 모서리를 잇도록 기판(210)을 가로지르며 형성되면, 기판(210) 상의 일부 영역에 정전기가 발생하더라도, 전도성 막(100)을 통해 발생된 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 전도성 막(100)의 형성 전에 캐리어 기판(300) 상에 전도성을 가지는 실레인 유도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 실레인 유도체층(미도시)은, 에탄, 메탄 등의 알코올계 용매에 싸이올 기(-SH)를 포함한 치환기를 가지는 실리콘이 용해된 용액을 도포하고 건조함으로써 형성할 수 있다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이 전도성 막(100) 상에 순차적으로 기판(210), 발광 표시부(220) 및 봉지층(230)을 형성한다.
기판(210)은 아크릴, 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 및 폴리이미드 등과 같은 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
기판(210) 상에는 화소 전극(도 2, 221), 유기 발광층(도 2, 222) 및 대향 전극(도 2, 223) 등을 순차적으로 형성하여 발광 표시부(220)를 형성하고, 발광 표시부(220) 상에는 이를 덮도록 봉지층(230)를 형성한다. 봉지층(230)은 다층의 무기막 또는 무기막과 유기막으로 구성된 박막으로 형성될 수 있다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(210)로부터 캐리어 기판(300)을 분리한다.
캐리어 기판(300)은 물리적인 방법에 의해 기판(210)으로부터 분리될 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 캐리어 기판(300)은 종래와 같이 레이저를 조사하여 분리하는 대신에 캐리어 기판(300)과 전도성 막(100) 간의 접착력과 전도성 막(100)과 기판(210) 간의 접착력을 조절하여 용이하게 캐리어 기판(300)을 분리할 수 있다. 예를 들어, 기판(210)과 전도성 막(100) 사이의 접합력을 캐리어 기판(300)과 전도성 막(100) 사이의 접합력 보다 크게 형성할 수 있다.
따라서, 종래 캐리어 기판(300)을 분리하기 위해 캐리어 기판(300)으로 레이저를 조사할 때, 캐리어 기판(300)과 기판(210) 사이에 발생하는 정전기를 방지할 수 있으며, 또한, 캐리어 기판(300)의 탈착 수율이 향상될 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 전도성 막(100)과 캐리어 기판(300) 사이에 전도성을 가지는 실레인 유도체층(미도시)을 형성하면, 물리적인 방법에 의해 캐리어 기판(300)을 분리할 때, 실레인 유도체층(미도시)이 가지는 싸이올 기(-SH)를 포함한 치환기가 끊어지면서, 캐리어 기판(300)은 더욱 용이하게 분리될 수 있다.
하기의 표 2는 종래의 방법 즉, 전도성 막(100)이 없는 상태에서 레이저를 조사하여 캐리어 기판(300)을 분리한 비교예와, 본 발명에 따라 물리적인 방법으로 캐리어 기판(300)을 제거한 실시예에서 각각 발생한 정전기의 량을 측정한 결과이다.
Figure 112012051902767-pat00002
상기 표 2에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따라 물리적인 방법으로 캐리어 기판(300)을 제거한 경우, 정전기의 발생이 효과적으로 감소된 것을 알 수 있다.
도 7은 캐리어 기판의 탈착 전후로 나타나는 전압 전이 곡선(Voltage transfer curve)을 도시한 도로, 도 7의 (a)는 상기 표 2에서 비교예와 동일하게 플렉서블 디스플레이 장치를 제조한 결과이며, 도 7의 (b)는 상기 표 2에서 실시예와 동일하게 플렉서블 디스플레이 장치를 제조한 결과이다.
도 7의 (a)에서도 알 수 있듯이, 종래 레이저를 조사하여 캐리어 기판(300)을 제거하면, 상기 표 2에서 나타나는 바와 같이 캐리어 기판(300)과 기판(210) 사이에 정전기가 발생하고, 그 결과 구동 박막트랜지스터(TFT)의 Vg가 포지티브 방향으로 이동하는 등의 전기적 특성이 변화하는 반면, 본 발명에 의하면 캐리어 기판(300)의 탈착 전후로 전압 전이 곡선의 변화가 거의 없는 것을 알 수 있다.
도 8은 도 1의 플렉서블 디스플레이 장치의 전압 전이 곡선을 도시한 도로, 도 8의 (a)는 캐리어 기판(300)의 탈착 전의 전압 전이 곡선이며, 도 8의 (b)는 캐리어 기판(300)의 탈착 후의 전압 전이 곡선이다.
또한, 하기의 표 3은 도 8의 (a) 및 (b)에 대한 Vth, 이동성(Movility), S factor를 측정한 결과를 나타낸다.
Figure 112012051902767-pat00003
상기 표 3 및 도 8에서 알 수 있듯이, 본 발명에 의핸 플렉서블 디스플레이 장치는 정전기에 의한 발광 표시부의 특성 변화를 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
10: 플렉서블 디스플레이 장치 100: 전도성 막
200: 표시 패널부 210: 기판
220: 발광 표시부 230: 봉지층
240: 베리어막 250: 소자 및 배선층
300: 캐리어 기판

Claims (16)

  1. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판의 제1 면 상에 형성되고, 유기 발광층을 포함하는 발광 표시부;
    상기 발광 표시부 상에 형성되고, 상기 발광 표시부를 밀봉하는 봉지층;
    상기 플렉서블 기판의 제1 면과 상기 발광 표시부 사이의 소자 및 배선층;
    상기 제1 면의 반대면인 상기 플렉서블 기판의 제2 면 상에 형성된 전도성 막; 및
    상기 전도성 막의 하면에 위치하고, 전도성을 가지는 실레인 유도체층;을 포함하고,
    상기 전도성 막은 도전체를 포함하고, 상기 도전체는 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나인 플렉서블 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 막은 상기 플렉서블 기판을 가로지르는 플렉서블 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 막의 두께는 10 내지 30㎛인 플렉서블 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 전도성 막 전체에 대해 5 내지 10wt%로 포함된 플렉서블 디스플레이 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 캐리어 기판 상에 전도성을 가지는 실레인 유도체층을 형성하는 단계;
    상기 실레인 유도체층 상에 전도성 막을 형성하는 단계;
    상기 전도성 막 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    상기 플렉서블 기판 상에 소자 및 배선층을 형성하는 단계;
    상기 소자 및 배선층 상에 유기 발광층을 포함하는 발광 표시부를 형성하는 단계;
    상기 발광 표시부를 밀봉하는 봉지층을 형성하는 단계; 및
    상기 실레인 유도체층과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;를 포함하고,
    상기 전도성 막은 도전체를 포함하고, 상기 도전체는 탄소 나노 튜브(CNT), 플러렌 및 나노 와이어 중 적어도 어느 하나인 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전도성 막은, 상기 도전체를 포함하는 용액을 상기 캐리어 기판 상에 도포하고, 도포된 상기 용액을 건조 및 소성하여 형성하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 전도성 막은, 상기 도전체, 유리 프릿, 바인더 및 용매를 포함하는 페이스트를 상기 캐리어 기판 상에 스크린 프린트 하여 형성하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 실레인 유도체층과 상기 캐리어 기판의 분리는 물리적인 방법에 의하는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 전도성 막의 두께는 10 내지 30㎛인 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 도전체는 상기 전도성 막 전체에 대해 5 내지 10wt%로 포함된 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 전도성 막은 상기 플렉서블 기판을 가로지르는 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  15. 제8항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판과 상기 전도성 막 사이의 접합력이 상기 캐리어 기판과 상기 실레인 유도체층 사이의 접합력 보다 큰 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법.
  16. 삭제
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