KR102004757B1 - 고체 전해 캐패시터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고체 전해 캐패시터에 관한 것으로, 본 발명은 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성된 칩소결체를 포함하는 고체 전해 캐패시터를 제공한다.
본 발명에 따르면 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 칩소결체를 형성함으로써, 소결 후 함침성이 향상된 고체 전해 캐패시터를 얻을 수 있으며, 높은 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성 구현이 가능하다.
본 발명에 따르면 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 칩소결체를 형성함으로써, 소결 후 함침성이 향상된 고체 전해 캐패시터를 얻을 수 있으며, 높은 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성 구현이 가능하다.
Description
본 발명은 고체 전해 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 함침성이 우수한 칩소결체를 포함함으로써, 높은 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 고체 전해 캐패시터에 관한 것이다.
탄탈(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성, 내식성 등이 우수한 기계적, 물리적 특징으로 인해 전기, 전자를 비롯하여 기계, 화공, 의료뿐만 아니라 우주, 군사 등 산업전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있는 금속이다.
특히 탄탈 소재는 모든 금속 중 가장 안정한 양극 산화피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 현재 소형 커패시터의 양극소재로 널리 이용되고 있다.
더욱이 탄탈 소재는 최근 전자, 정보통신 등 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 10%씩 급격히 증가하고 있다.
탄탈 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 파우더(Tantalum Powder)를 소결하여 굳혔을때 나오는 빈틈을 이용하는 구조로 되어 있으며, 전극 금속으로서의 탄탈 표면에, 양극 산화법에 의해 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이것을 유전체로 하여, 그 위에 전해질로서 이산화망간층(MnO2)을 형성한다.
또한 음극 전극의 도출 때문에 이산화망간(MnO2)층 위에 카본층 및 금속층으로서 은(Ag)층을 형성하게 된다.
최근 소형 고용량화 제품 개발에 따라 탄탈 소자 제조에 나노 미립자를 사용하게 되고, 이에 따라 다공성 소체의 함침성이 취약해지는 문제가 있다.
즉, 탄탈 파우더는 나노 미립자를 이용하여 높은 비표면적을 확보하여 작은 크기로 높은 용량 구현을 목적으로 하나, 나노 미립자를 사용할 경우 음극층으로 사용되는 질산망간 수용액이나 도전성 고분자 중합액의 함침성이 취약해지는 문제가 있다.
이로 인하여, 제품의 용량 구현 및 등가직렬저항(ESR)이 낮은 제품 구현이 어려운 실정이다.
본 발명은 고체 전해 캐패시터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 함침성이 우수한 칩소결체를 포함함으로써, 높은 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있는 고체 전해 캐패시터에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성된 칩소결체를 포함하는 고체 전해 캐패시터를 제공한다.
상기 용제 비가용성 바인더의 입자 크기가 1 μm 내지 10 μm 일 수 있으며, 아크릴계 바인더일 수 있다.
상기 금속 분말은 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 바나듐(V), 티탄(Ti) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 고체 전해 캐패시터는 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선을 더 포함할 수 있다.
상기 칩소결체의 표면에는 유전체 산화 피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 음극 보강층은 카본(Carbon)과 은(Ag)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체; 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임; 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선; 상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및 상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부;를 포함하는 고체 전해 캐패시터를 제공한다.
상기 용제 비가용성 바인더의 입자 크기가 1 μm 내지 10 μm 일 수 있으며, 아크릴계 바인더일 수 있다.
상기 금속 분말은 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 바나듐(V), 티탄(Ti) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 칩소결체의 표면에는 유전체 산화 피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 음극 보강층은 카본(Carbon)과 은(Ag)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 칩소결체를 형성함으로써, 소결 후 함침성이 향상된 고체 전해 캐패시터를 얻을 수 있으며, 높은 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성 구현이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체의 단면도이다.
도 2는 도 1의 성형체의 소결 후의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.
도 2는 도 1의 성형체의 소결 후의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체의 단면도이다.
도 2는 도 1의 성형체의 소결 후의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터는 금속 분말(1), 용제 가용성 바인더(2) 및 용제 비가용성 바인더(3)를 포함하는 성형체(10)를 소결하여 형성된 칩소결체(11)를 포함할 수 있다.
상기 고체 전해 캐패시터는 상기 칩소결체(11) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체(11) 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(12)을 더 포함할 수 있다
상기 칩소결체(11)는 금속 분말(1), 용제 가용성 바인더(2) 및 용제 비가용성 바인더(3)를 포함하는 성형체(10)를 소결하여 형성될 수 있다.
구체적으로, 금속 분말(1), 용제 가용성 바인더(2) 및 용제 비가용성 바인더(3)를 일정비율로 혼합 교반시키고, 혼합 파우더를 압축하여 직육면체로 성형한 후, 이를 고온과 고진동 하에서 소결시켜 제작될 수 있다.
상기 금속 분말(1)은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체에 사용될 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 바나듐(V), 티탄(Ti) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체는 탄탈(Ta) 분말을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 용제 가용성 바인더(2)는 상기 고체 전해 캐패시터의 칩소결체 형성시 사용되는 혼합 파우더에 포함되는 용제에 녹을 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 셀룰로오스계 바인더일 수 있다.
상기 셀룰로오스계 바인더로서는 니트로셀룰로오스(nitrocellulose), 메틸 셀룰로오스(methyl cellulose), 에틸 셀룰로오스(ethyl cellulose) 및 히드록시 프로필 셀룰로오스(hydroxy propyl cellulose)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 칩소결체(11)의 성형 전 성형체(10)는 용제 비가용성 바인더(3)를 일정비율로 포함할 수 있다.
상기 용제 비가용성 바인더(3)는 칩소결체 형성시 사용되는 혼합 파우더에 포함되는 용제에 녹지 않는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 아크릴계 바인더일 수 있으며, 특히 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate), PMMA)일 수 있다.
상기 용제 비가용성 바인더(10)의 입자 크기는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 1 μm 내지 10 μm 일 수 있다.
상기 용제 비가용성 바인더(10)의 입자 크기는 상기 성형체(10)의 소결후 제거되는 용제 비가용성 바인더의 존재 영역이 기공으로 남게 되므로, 소결후의 상기 칩소결체(11)의 함침성이 향상될 수 있는 입자 크기로서, 1 μm 내지 10 μm 일 수 있는 것이다.
상기 용제 비가용성 바인더(10)의 입자 크기가 1 μm 미만의 경우에는 기공 크기가 너무 작아 음극재료의 내부 함침성 향상이 미비할 수 있으며, 10 μm 를 초과하는 경우에는, 기공이 너무 커져서 고체 전해 캐패시터의 용량 확보가 어려울 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기와 같이 칩소결체 형성시 사용되는 혼합 파우더에 용제 비가용성 바인더(3)를 포함함으로써, 소결후 칩소결체(11)에는 상기 용제 비가용성 바인더(3)가 존재하던 영역이 기공(4)으로 남게 되어, 함침성이 우수할 수 있다.
즉, 용제 가용성 바인더만을 사용할 경우에는 소결후 칩소결체에는 내부 기공이 미세하고 균일하게 형성됨으로 인하여, 내부 기공 속으로 음극재료의 함침성이 떨어질 수 있다.
이는 상기 혼합 파우더에 사용되는 금속 분말이 미립화됨에 따라, 내부 기공은 더욱 미세하고 균일하게 형성되므로, 함침성 저하는 더 클 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 혼합 파우더에 입자 크기가 1 ㎛ 내지 10 ㎛인 용제 비가용성 바인더(3)를 포함함으로써, 소결 후 제거되는 상기 용제 비가용성 바인더(3)의 존재 영역이 기공으로 남게 되어, 내부 기공 속으로 음극재료의 함침성이 향상될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 성형체(10)를 소결한 후의 칩소결체(11)에 상기 용제 비가용성 바인더(3)가 제거되어, 기공(4)으로 존재하게 되어 우수한 함침성을 가질 수 있음을 나타내고 있다.
또한, 상기 성형체(10)를 형성하기 위한 혼합 분말은 상기 금속 분말(1), 용제 가용성 바인더(2) 및 용제 비가용성 바인더(3)뿐만 아니라 용제를 포함할 수 있다.
상기 용제는 상술한 바와 같이, 용제 가용성 바인더(2)는 용해시키되, 용제 비가용성 바인더(3)는 용해시키지 않는 것이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 메탄올(Methanol), 에탄올(Ethanol), 헥산(Hexane) 또는 톨루엔(Toluene) 등일 수 있다.
그리고, 양극 인출선(12)은 혼합 파우더를 압축하기 전, 중심으로부터 편심되도록 삽입 장착될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 칩소결체(11)에는 절연층으로서 유전체 산화피막층(13)이 형성될 수 있다.
즉, 상기 유전체 산화피막층(13)은 전기화학 반응을 이용한 화성공정에 의해서 상기 칩소결체(11)의 표면에 산화피막(Ta2O5)을 성장시켜 형성할 수 있다.
이때 상기 유전체 산화피막층(13)은 상기 칩소결체(11)를 유전체로 변화시키게 된다.
그리고, 상기 유전체 산화피막층(13) 상에 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(14)이 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층(14)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 특히 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 이산화망간(MnO2)으로 형성될 경우에는 질산-망간 용액에 상기 유전체 산화피막층(13)으로 포밍된 상기 칩소결체(11)를 함침시켜 그 외표면에 질산-망간 용액이 도포되도록 한 후에 이를 소성시켜 음극을 갖는 이산화망간(MnO2)층인 고체 전해질층(14)이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 고체 전해질층(14)을 형성하기 위해 상기 칩소결체(11)를 함침시키는 과정에서, 상기 용제 비가용성 바인더(3)가 제거되고 남은 기공(4)을 포함하는 상기 칩소결체(11)의 함침성은 매우 우수할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터는 상기와 같이 칩소결체(11)의 음극재료에 대한 함침성이 우수하므로, 높은 정전 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성 구현이 가능하다.
다음으로, 카본층(15)이 상기 고체 전해질층(14) 상에 적층되며, 카본 분말을 에폭시계의 수지를 포함하는 유기 용매에 용해하여, 카본 분말이 용해된 용액에 상기 칩소결체(11)를 함침한 후 유기 용매를 휘발시키기 위해 소정 온도로 건조함으로써 적층된다.
또한, 상기 카본층(15)은 은(Ag) 이온이 통과되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
그 다음, 상기 카본층(15)의 상부면에 은(Ag) 페이스트로 형성된 은(Ag)층(16)을 포함할 수 있다.
상기 은(Ag)층(16)은 도전성이 향상되도록 카본층(15)의 외측에 적층될 수 있다.
또한, 상기 은(Ag)층(16)은 음극층이 가지는 극성에 대한 도전성이 향상되도록 함으로써 극성 전달을 위한 전기적 연결을 용이하게 할 수 있다.
또한, 상기 은(Ag)층(16)은 침지 도장(dip coating) 방식에 의해 적층될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터의 내부 구조에 대한 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터(100)는 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110); 상기 칩소결체(110)가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임(180); 상기 칩소결체(110) 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체(110) 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선(120); 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임(170); 및 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190);를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터(100)는 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체(110)를 포함할 수 있다.
상기 칩소결체(110)의 제조방법은 상술한 바와 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
상기 칩소결체(110)의 표면에는 유전체 산화 피막층(130), 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층(140) 및 음극 보강층(150, 160)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 고체 전해질층(140)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 특히 이산화망간(MnO2)으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 음극 보강층은 카본(Carbon)(150)과 은(Ag)(160)이 순차적으로 도포되어 형성될 수 있다.
상기 유전체 산화 피막층(130), 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 고체 전해질층(140), 카본층(150) 및 은(Ag)층에 관한 특징은 본 발명의 일 실시예에서 설명한 내용과 동일하며, 여기서는 생략하도록 한다.
상기 실장면을 갖는 칩소결체(110)는 은(Ag) 페이스트를 이용하여 음극 리드 프레임(180)에 접착할 수 있다.
또한, 상기 양극 인출선(120)의 비삽입 영역과 양극 리드 프레임(170)을 연결할 수 있다.
상기 양극 인출선(120)과 상기 양극 리드 프레임(170)을 연결하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 전기 용접에 의하여 부착할 수 있으며, 특히 용접은 전기 스폿 용접 방식을 사용하여 수행될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터(100)는 상기 칩소결체(110) 및 상기 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부(190)를 포함할 수 있다.
상기 수지 몰딩부(190)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 상기 칩소결체(110) 및 상기 티탄으로 형성된 양극 인출선(120)을 둘러싸도록 에폭시로 몰딩하여 수행될 수 있다.
상기 수지 몰딩부(190)는 상기 칩소결체(110)를 보호하고 인쇄회로기판(PCB)에 실장이 용이하도록 고체 전해 캐패시터의 형상을 만드는 역할을 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터는 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체를 포함함으로써, 내부 기공 속으로 음극재료의 함침성이 향상될 수 있다.
이로 인하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 전해 캐패시터는 높은 정전 용량 및 우수한 등가직렬저항(ESR) 특성을 가질 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
1 : 금속 분말 2 : 용제 가용성 바인더
3 : 용제 비가용성 바인더 4 : 기공부
11 : 칩소결체 12 : 양극 인출선
13 : 유전체 산화피막층 14 : 고체 전해질층
15 : 카본(Carbon)층 16 : 은(Ag) 층
100 : 고체 전해 캐패시터 110 : 칩소결체
120 : 양극 인출선 130 : 유전체 산화 피막층
140 : 고체 전해질층 150 : 카본(Carbon)층
160 : 은(Ag)층 170 : 양극 리드 프레임
180 : 음극 리드 프레임 190 : 수지 몰딩부
3 : 용제 비가용성 바인더 4 : 기공부
11 : 칩소결체 12 : 양극 인출선
13 : 유전체 산화피막층 14 : 고체 전해질층
15 : 카본(Carbon)층 16 : 은(Ag) 층
100 : 고체 전해 캐패시터 110 : 칩소결체
120 : 양극 인출선 130 : 유전체 산화 피막층
140 : 고체 전해질층 150 : 카본(Carbon)층
160 : 은(Ag)층 170 : 양극 리드 프레임
180 : 음극 리드 프레임 190 : 수지 몰딩부
Claims (15)
- 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성된 칩소결체를 포함하고,
상기 칩소결체 내부에 상기 용제 비가용성 바인더가 존재하던 영역에 형성되는 기공이 배치되는 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 용제 비가용성 바인더의 입자 크기가 1 μm 내지 10 μm 인 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 용제 비가용성 바인더는 아크릴계 바인더인 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 분말은 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 바나듐(V), 티탄(Ti) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상인 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 고체 전해 캐패시터는 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선을 더 포함하는 고체 전해 캐패시터.
- 제1항에 있어서,
상기 칩소결체의 표면에는 유전체 산화 피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이 순차적으로 도포되어 형성된 고체 전해 캐패시터.
- 제6항에 있어서,
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 고체 전해 캐패시터.
- 제6항에 있어서,
상기 음극 보강층은 카본(Carbon)과 은(Ag)이 순차적으로 도포되어 형성된 고체 전해 캐패시터.
- 금속 분말, 용제 가용성 바인더 및 용제 비가용성 바인더를 포함하는 성형체를 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체;
상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임;
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선;
상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및
상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부;
를 포함하는 고체 전해 캐패시터.
- 제9항에 있어서,
상기 용제 비가용성 바인더의 입자 크기가 1 μm 내지 10 μm 인 고체 전해 캐패시터.
- 제9항에 있어서,
상기 용제 비가용성 바인더는 아크릴계 바인더인 고체 전해 캐패시터.
- 제9항에 있어서,
상기 금속 분말은 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 니오브(Nb), 바나듐(V), 티탄(Ti) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상인 고체 전해 캐패시터.
- 제9항에 있어서,
상기 칩소결체의 표면에는 유전체 산화 피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이 순차적으로 도포되어 형성된 고체 전해 캐패시터.
- 제13항에 있어서,
상기 고체 전해질층은 이산화망간(MnO2) 및 전도성 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 고체 전해 캐패시터.
- 제13항에 있어서,
상기 음극 보강층은 카본(Carbon)과 은(Ag)이 순차적으로 도포되어 형성된 고체 전해 캐패시터.
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