KR101998453B1 - 연마 방법 및 연마 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 과제는, 웨이퍼 등의 기판의 연마 중에 에러가 발생한 경우에는, 그 기판의 막 두께를 측정하는 공정을 실행하는 연마 방법 및 연마 장치를 제공하는 것이다. 연마 방법은, 복수의 기판을 연마하고, 연마된 복수의 기판 중 미리 지정된 적어도 1매의 기판의 막 두께를 측정하고, 복수의 기판 중 어느 1개의 기판을 연마하고 있을 때 연마 에러가 발생하였을 때에는, 그 기판의 막 두께를 측정하는 공정을 포함한다.

Description

연마 방법 및 연마 장치{POLISHING METHOD AND POLISHING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼 등의 기판을 연마하는 연마 방법 및 연마 장치에 관한 것으로, 특히 기판을 연마한 후에 기판의 막 두께 측정을 실행하는 연마 방법 및 연마 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공장에서는, 연마 장치의 가동률을 높이는 것을 목적으로 하여 스루풋의 향상이 요구되고 있다. 연마 장치는, 웨이퍼가 올바르게 연마되었는지의 여부를 판단하기 위해, 연마된 웨이퍼의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정기를 구비하고 있다. 이 막 두께 측정에는 어느 정도의 시간이 걸리기 때문에, 모든 웨이퍼 중 미리 지정된 웨이퍼에 대해서만 막 두께가 측정된다. 예를 들어, 1매째의 웨이퍼, 5매째의 웨이퍼, 10매째의 웨이퍼만이 막 두께 측정기에 반송되고, 여기서 막 두께가 측정된다.
최첨단의 반도체 디바이스 프로세스에 있어서는, 수율의 향상도 중요한 과제이다. 이와 같은 관점에서, 웨이퍼의 연마 중에 어떠한 에러가 발생한 경우에는, 그 웨이퍼를 재연마하여 그 웨이퍼의 폐기 처분을 회피하는 것이 요구된다. 따라서, 웨이퍼의 재연마가 필요한지의 여부를 판단하기 위한 지표로서, 막 두께의 측정 데이터가 사용된다.
일본 특허 공개 제2009-274139호 공보
그러나, 상술한 바와 같이, 막 두께 측정은 미리 지정된 웨이퍼에 대해서만 행해진다. 이로 인해, 연마 중에 에러가 발생한 웨이퍼는, 상기 지정된 웨이퍼가 아닌 경우도 있다. 이와 같은 경우, 그 에러 웨이퍼에 관한 막 두께 측정 데이터가 얻어지지 않아, 재연마를 실행해야 하는지의 여부를 판단할 수 없다.
따라서, 본 발명은 웨이퍼 등의 기판의 연마 중에 에러가 발생한 경우에는, 그 기판의 막 두께를 측정하는 공정을 실행하는 연마 방법 및 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태는, 복수의 기판을 연마하고, 연마된 상기 복수의 기판 중 미리 지정된 적어도 1매의 기판의 막 두께를 측정하고, 상기 복수의 기판 중 어느 1개의 기판을 연마하고 있을 때에 연마 에러가 발생하였을 때는, 그 기판의 막 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
본 발명의 바람직한 형태는, 연마된 상기 복수의 기판을 세정하고, 세정된 상기 복수의 기판을 건조시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 복수의 기판 중 어느 1개의 기판을 연마하고 있을 때 연마 에러가 발생하였을 때에는, 그 기판의 연마 종료 후에 상기 기판의 막 두께를 측정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 연마 에러가 발생하였는지의 여부의 판단은, 기판의 연마 종료 후에 행해지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태는, 기판을 연마하는 연마 유닛과, 연마된 상기 기판의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정기와, 복수의 기판을 상기 연마 유닛에 순차 반송하고, 또한 연마된 상기 복수의 기판 중 미리 지정된 적어도 1매의 기판을 상기 막 두께 측정기에 반송하는 반송 장치를 구비하고, 상기 반송 장치는, 상기 복수의 기판 중 어느 1개의 기판을 연마하고 있을 때에 연마 에러가 발생하였을 때는, 그 기판을 상기 막 두께 측정기에 반송하는 것을 특징으로 하는 연마 장치이다.
본 발명의 바람직한 형태는, 기판을 세정하는 세정 유닛과, 기판을 건조시키는 건조 유닛을 더 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 연마 후에 막 두께를 측정하는 기판으로서 지정되어 있지 않은 기판이어도, 그 기판의 연마 중에 연마 에러가 발생한 경우에는, 그 기판의 막 두께가 측정된다. 따라서, 얻어진 막 두께 측정 데이터로부터 기판의 재연마가 필요한지의 여부를 판단할 수 있다. 결과로서, 기판의 폐기 처분을 회피할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 연마 장치를 도시하는 도면.
도 2는 제1 연마 유닛을 모식적으로 도시하는 사시도.
도 3은 프론트 로드부에 탑재되는 기판 카세트를 도시하는 모식도.
도 4는 기판 카세트 내에 수용된 웨이퍼의 번호와, 웨이퍼 각각에 관한 막 두께 측정의 지정 상태를 나타내는 도면.
도 5는 웨이퍼의 지정 상태에 따라서 바뀌는 웨이퍼의 처리의 흐름을 나타내는 도면.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 연마 장치를 도시하는 도면이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 이 연마 장치는, 대략 직사각 형상의 하우징(1)을 구비하고 있고, 하우징(1)의 내부는 격벽(1a, 1b)에 의해 로드/언로드부(2)와 연마부(3)와 세정부(4)로 구획되어 있다. 연마 장치는, 웨이퍼 처리 동작을 제어하는 동작 제어부(5)를 갖고 있다.
로드/언로드부(2)는 다수의 웨이퍼(기판)를 스톡하는 기판 카세트가 적재되는 프론트 로드부(20)를 구비하고 있다. 이 로드/언로드부(2)에는, 프론트 로드부(20)의 배열을 따라 주행 기구(21)가 부설되어 있고, 이 주행 기구(21) 상에 기판 카세트의 배열 방향을 따라 이동 가능한 반송 로봇(로더)(22)이 설치되어 있다. 반송 로봇(22)은 주행 기구(21) 상을 이동함으로써 프론트 로드부(20)에 탑재된 기판 카세트에 액세스할 수 있도록 되어 있다.
연마부(3)는 웨이퍼의 연마가 행해지는 영역이며, 제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C), 제4 연마 유닛(3D)을 구비하고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 연마 유닛(3A)은, 연마면을 갖는 연마 패드(10)가 설치된 제1 연마 테이블(30A)과, 웨이퍼를 보유 지지하고 또한 웨이퍼를 연마 테이블(30A) 상의 연마 패드(10)에 압박하면서 연마하기 위한 제1 톱 링(31A)과, 연마 패드(10)에 연마액(예를 들어, 슬러리)이나 드레싱액(예를 들어, 순수)을 공급하기 위한 제1 연마액 공급 노즐(32A)과, 연마 패드(10)의 연마면의 드레싱을 행하기 위한 제1 드레서(33A)와, 액체(예를 들어, 순수)와 기체(예를 들어, 질소 가스)의 혼합 유체를 분무 상태로 하여 연마면에 분사하는 제1 아토마이저(34A)를 구비하고 있다.
마찬가지로, 제2 연마 유닛(3B)은, 연마 패드(10)가 설치된 제2 연마 테이블(30B)과, 제2 톱 링(31B)과, 제2 연마액 공급 노즐(32B)과, 제2 드레서(33B)와, 제2 아토마이저(34B)를 구비하고 있고, 제3 연마 유닛(3C)은, 연마 패드(10)가 설치된 제3 연마 테이블(30C)과, 제3 톱 링(31C)과, 제3 연마액 공급 노즐(32C)과, 제3 드레서(33C)와, 제3 아토마이저(34C)를 구비하고 있고, 제4 연마 유닛(3D)은, 연마 패드(10)가 설치된 제4 연마 테이블(30D)과, 제4 톱 링(31D)과, 제4 연마액 공급 노즐(32D)과, 제4 드레서(33D)와, 제4 아토마이저(34D)를 구비하고 있다.
제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)은, 서로 동일한 구성을 갖고 있으므로, 이하, 제1 연마 유닛(3A)에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 제1 연마 유닛(3A)을 모식적으로 도시하는 사시도이다. 또한, 도 2에 있어서, 드레서(33A) 및 아토마이저(34A)는 생략되어 있다.
연마 테이블(30A)은, 테이블 축(30a)을 통해 그 하방에 배치되는 테이블 모터(19)에 연결되어 있고, 이 테이블 모터(19)에 의해 연마 테이블(30A)이 화살표로 나타내는 방향으로 회전되도록 되어 있다. 이 연마 테이블(30A)의 상면에는 연마 패드(10)가 부착되어 있고, 연마 패드(10)의 상면이 웨이퍼(W)를 연마하는 연마면(10a)을 구성하고 있다. 톱 링(31A)은 톱 링 샤프트(16)의 하단부에 연결되어 있다. 톱 링(31A)은, 진공 흡인에 의해 그 하면에 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 톱 링 샤프트(16)는 도시하지 않은 상하 이동 기구에 의해 상하 이동하도록 되어 있다.
제1 연마 유닛(3A)은, 웨이퍼(W)의 연마를 검출하기 위한 연마 종점 검출 장치(39)를 구비하고 있다. 이 연마 종점 검출 장치(39)는 웨이퍼(W)의 막 두께에 따라서 변화되는 막 두께 신호를 취득하는 막 두께 센서(40)와, 막 두께 신호로부터 연마 종점을 결정하는 막 두께 감시부(45)를 구비하고 있다. 막 두께 센서(40)는 연마 테이블(30A)의 내부에 배치되어 있다. 막 두께 센서(40)는 기호 A로 나타내는 바와 같이 연마 테이블(30A)과 일체로 회전하고, 톱 링(31A)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 막 두께 신호를 취득한다. 막 두께 센서(40)는 막 두께 감시부(45)에 접속되어 있고, 막 두께 센서(40)에 의해 취득된 막 두께 신호는 막 두께 감시부(45)에 보내지도록 되어 있다. 막 두께 감시부(45)는 막 두께 신호가 미리 설정된 목표값에 도달한 시점인 연마 종점을 결정한다.
웨이퍼(W)의 연마는 다음과 같이 하여 행해진다. 톱 링(31A) 및 연마 테이블(30A)을 각각 화살표로 나타내는 방향으로 회전시키고, 연마액 공급 노즐(32A)로부터 연마 패드(10) 상에 연마액(슬러리)을 공급한다. 이 상태에서, 톱 링(31A)은, 웨이퍼(W)를 연마 패드(10)의 연마면(10a)에 압박한다. 웨이퍼(W)의 표면은, 연마액에 포함되는 지립의 기계적 작용과 연마액의 화학적 작용에 의해 연마된다. 연마 종료 후에는 드레서(33A)에 의한 연마면(10a)의 드레싱(컨디셔닝)이 행해지고, 또한 아토마이저(34A)로부터 고압의 유체가 연마면(10a)에 공급되어, 연마면(10a)에 잔류하는 연마 부스러기나 지립 등이 제거된다.
도 1로 되돌아가, 제1 연마 유닛(3A) 및 제2 연마 유닛(3B)에 인접하여, 제1 리니어 트랜스포터(6)가 배치되어 있다. 이 제1 리니어 트랜스포터(6)는, 4개의 반송 위치[제1 반송 위치(TP1), 제2 반송 위치(TP2), 제3 반송 위치(TP3), 제4 반송 위치(TP4)]의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 기구이다. 또한, 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)에 인접하여, 제2 리니어 트랜스포터(7)가 배치되어 있다. 이 제2 리니어 트랜스포터(7)는, 3개의 반송 위치[제5 반송 위치(TP5), 제6 반송 위치(TP6), 제7 반송 위치(TP7)]의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 기구이다.
웨이퍼는, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 의해 연마 유닛(3A, 3B)에 반송된다. 제1 연마 유닛(3A)의 톱 링(31A)은, 그 스윙 동작에 의해 연마 테이블(30A)의 상방 위치와 제2 반송 위치(TP2) 사이를 이동한다. 따라서, 톱 링(31A)과 제1 리니어 트랜스포터(6) 사이에서의 웨이퍼의 전달은 제2 반송 위치(TP2)에서 행해진다.
마찬가지로, 제2 연마 유닛(3B)의 톱 링(31B)은 연마 테이블(30B)의 상방 위치와 제3 반송 위치(TP3) 사이를 이동하고, 톱 링(31B)과 제1 리니어 트랜스포터(6) 사이에서의 웨이퍼의 전달은 제3 반송 위치(TP3)에서 행해진다. 제3 연마 유닛(3C)의 톱 링(31C)은 연마 테이블(30C)의 상방 위치와 제6 반송 위치(TP6) 사이를 이동하고, 톱 링(31C)과 제2 리니어 트랜스포터(7) 사이에서의 웨이퍼의 전달은 제6 반송 위치(TP6)에서 행해진다. 제4 연마 유닛(3D)의 톱 링(31D)은 연마 테이블(30D)의 상방 위치와 제7 반송 위치(TP7) 사이를 이동하고, 톱 링(31D)과 제2 리니어 트랜스포터(7) 사이에서의 웨이퍼의 전달은 제7 반송 위치(TP7)에서 행해진다.
제1 반송 위치(TP1)에 인접하여, 반송 로봇(22)으로부터 웨이퍼를 수취하기 위한 리프터(11)가 배치되어 있다. 웨이퍼는 이 리프터(11)를 통해 반송 로봇(22)으로부터 제1 리니어 트랜스포터(6)로 전달된다. 리프터(11)와 반송 로봇(22) 사이에 위치하여, 셔터(도시하지 않음)가 격벽(1a)에 설치되어 있고, 웨이퍼의 반송 시에는 셔터가 개방되어 반송 로봇(22)으로부터 리프터(11)로 웨이퍼가 전달되도록 되어 있다.
제1 리니어 트랜스포터(6)와, 제2 리니어 트랜스포터(7)와, 세정부(4) 사이에는 스윙 트랜스포터(12)가 배치되어 있다. 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제2 리니어 트랜스포터(7)로의 웨이퍼의 반송은, 스윙 트랜스포터(12)에 의해 행해진다. 웨이퍼는, 제2 리니어 트랜스포터(7)에 의해 제3 연마 유닛(3C) 및/또는 제4 연마 유닛(3D)에 반송된다.
반송 로봇(22)에 인접하여 막 두께 측정기(80)가 설치되어 있다. 웨이퍼는, 연마 전 및/또는 연마 후에, 반송 로봇(22)에 의해 막 두께 측정기(80)에 반송되고, 여기서 웨이퍼의 막 두께가 측정된다. 막 두께 측정기(80)는 광학식 막 두께 측정기 또는 와전류식 막 두께 측정기이다. 광학식 막 두께 측정기는, 웨이퍼로부터의 반사광에 포함되는 광학 정보로부터 웨이퍼의 막 두께를 결정하는 장치이다. 보다 구체적으로는, 광학식 막 두께 측정기는, 웨이퍼의 표면에 광을 조사하고, 웨이퍼로부터 되돌아오는 반사광을 파장에 따라서 분해하고, 분해된 반사광의 강도에 기초하여 막 두께를 결정한다. 와전류식 막 두께 측정기는, 코일에 고주파의 교류 전류를 흘려 도전막에 와전류를 유기시키고, 이 와전류의 자계에 기인하는 임피던스의 변화로부터 도전막의 두께를 검출하도록 구성된다. 막 두께 측정기(80)로서는, 이와 같은 공지의 기술을 사용한 광학식 막 두께 측정기 또는 와전류식 막 두께 측정기가 사용된다. 또한, 막 두께 측정기(80)로서 별도의 타입의 막 두께 측정기를 사용해도 된다.
스윙 트랜스포터(12)의 측방에는, 도시하지 않은 프레임에 설치된 웨이퍼의 가배치대(72)가 배치되어 있다. 이 가배치대(72)는 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 인접하여 배치되어 있고, 제1 리니어 트랜스포터(6)와 세정부(4) 사이에 위치하고 있다. 스윙 트랜스포터(12)는, 제4 반송 위치(TP4), 제5 반송 위치(TP5) 및 가배치대(72)의 사이를 이동한다. 상술한 실시예에서는, 각 연마 유닛(3A-3D) 사이에서 웨이퍼가 수수될 때에는, 웨이퍼는 톱 링으로부터 이탈되고, 리니어 트랜스포터(6, 7)를 통해 다른 연마 유닛으로 반송되지만, 연마 유닛간의 웨이퍼의 전달 기구는 상술한 예로 한정되지 않고, 예를 들어 웨이퍼를 보유 지지한 채로 톱 링이 직접 다른 연마 유닛으로 이동함으로써 웨이퍼를 반송해도 된다.
가배치대(72)에 적재된 웨이퍼는, 세정부(4)의 제1 반송 로봇(77)에 의해 세정부(4)에 반송된다. 도 1에 도시한 바와 같이, 세정부(4)는 연마된 웨이퍼를 세정액으로 세정하는 제1 세정 유닛(73) 및 제2 세정 유닛(74)과, 세정된 웨이퍼를 건조하는 건조 유닛(75)을 구비하고 있다. 제1 반송 로봇(77)은 웨이퍼를 가배치대(72)로부터 제1 세정 유닛(73)으로 반송하고, 또한 제1 세정 유닛(73)으로부터 제2 세정 유닛(74)으로 반송하도록 동작한다. 제2 세정 유닛(74)과 건조 유닛(75) 사이에는, 제2 반송 로봇(78)이 배치되어 있다. 이 제2 반송 로봇(78)은 웨이퍼를 제2 세정 유닛(74)으로부터 건조 유닛(75)으로 반송하도록 동작한다.
도 3은 프론트 로드부(20)에 탑재되는 기판 카세트(85)를 도시하는 모식도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 카세트(85)의 내부에는 복수의(예를 들어, 25매의) 웨이퍼가 수용되어 있다. 반송 로봇(22)은 기판 카세트(85)로부터 웨이퍼를 1매씩 취출하여, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 전달하고, 또한 웨이퍼는 제1 리니어 트랜스포터(6) 및/또는 제2 리니어 트랜스포터(7)를 경유하여 연마 유닛(3A∼3D) 중 어느 하나에 반송된다. 웨이퍼는, 연마 유닛(3A∼3D)의 어느 하나로 연마된다. 웨이퍼가 연마 유닛(3A∼3D) 중 어느 하나로 연마된 후, 또한 연마 유닛(3A∼3D) 중 별도의 연마 유닛에 반송되어 더 연마되어도 된다.
연마된 웨이퍼는, 제1 리니어 트랜스포터(6) 및/또는 제2 리니어 트랜스포터(7), 스윙 트랜스포터(12), 반송 로봇(77)을 경유하여 제1 세정 유닛(73) 및 제2 세정 유닛(74)에 반송되고, 연마된 웨이퍼는 이들 제1 세정 유닛(73) 및 제2 세정 유닛(74)에 의해 순차 세정된다. 또한, 세정된 웨이퍼는 반송 로봇(78)에 의해 건조 유닛(75)에 반송되고, 여기서 세정된 웨이퍼가 건조된다.
건조된 웨이퍼는, 반송 로봇(22)에 의해 건조 유닛(75)으로부터 취출되고, 막 두께 측정기(80)에 반송된다. 막 두께 측정기(80)는 연마된 웨이퍼의 막 두께를 측정한다. 그 후, 웨이퍼는 반송 로봇(22)에 의해 막 두께 측정기(80)로부터 취출되고, 프론트 로드부(20) 상의 기판 카세트(85)로 복귀된다. 이와 같이 하여, 연마, 세정, 건조 및 막 두께 측정을 포함하는 일련의 처리가 웨이퍼에 대해 행해진다. 웨이퍼를 연마하기 전에, 웨이퍼를 막 두께 측정기(80)에 반송하여, 연마 전의 웨이퍼의 막 두께를 측정해도 된다.
본 실시 형태에서는, 반송 로봇(22), 제1 리니어 트랜스포터(6), 제2 리니어 트랜스포터(7), 스윙 트랜스포터(12) 및 반송 로봇(77, 78)은, 기판 카세트(85) 내의 복수의 웨이퍼를 연마 유닛(3A∼3D)에 순차 반송하고, 또한 복수의 웨이퍼 중 미리 지정된 적어도 1매의 웨이퍼를 막 두께 측정기(80)에 반송하는 반송 장치를 구성한다. 이 반송 장치의 동작은, 동작 제어부(5)에 의해 제어된다.
도 4는 기판 카세트(85) 내에 수용된 웨이퍼의 번호와, 웨이퍼 각각에 관한 막 두께 측정의 지정 상태를 나타내는 도면이다. 도 4에 있어서, 「전측정 웨이퍼」는 웨이퍼의 연마 전에 웨이퍼의 막 두께가 측정되는 웨이퍼인 것을 나타내고, 「후측정 웨이퍼」는 웨이퍼의 연마 후에 웨이퍼의 막 두께가 측정되는 웨이퍼인 것을 나타내고, 「비측정 웨이퍼」는, 막 두께가 측정되지 않는 웨이퍼인 것을 나타내고 있다.
기판 카세트(85) 내의 모든 웨이퍼는, 「전측정 웨이퍼」, 「후측정 웨이퍼」 및 「비측정 웨이퍼」 중 적어도 하나로서 미리 지정되어 있다. 예를 들어, 도 4에 나타내는 1번째의 웨이퍼는 「전측정 웨이퍼」 및 「후측정 웨이퍼」로서 지정되고, 2번째의 웨이퍼는 「후측정 웨이퍼」로서 지정되고, 3번째, 4번째 및 5번째의 웨이퍼는 「비측정 웨이퍼」로서 지정되어 있다. 전측정 웨이퍼 및 후측정 웨이퍼인 1번째의 웨이퍼는, 연마 전 및 연마 후에 막 두께 측정기(80)에 반송되어, 그 막 두께가 측정된다. 후측정 웨이퍼로서 지정된 2번째의 웨이퍼는, 연마 후에 막 두께 측정기(80)에 반송되어, 그 막 두께가 측정된다. 비측정 웨이퍼로서 지정된 3번째, 4번째 및 5번째의 웨이퍼는 막 두께 측정기(80)에 반송되지 않고, 그 막 두께는 측정되지 않는다.
웨이퍼의 지정은, 동작 제어부(5)에 의해 실행된다. 보다 구체적으로는, 동작 제어부(5)에는, 기판 카세트(85) 내의 각 웨이퍼의 번호와, 대응하는 웨이퍼의 지정 타입의 관계를 나타내는 지정 레시피가 미리 기억되어 있다. 이 지정 레시피에 기초하여, 동작 제어부(5)는 기판 카세트(85) 내의 웨이퍼의 배열 순서에 따라서 웨이퍼의 각각을 「전측정 웨이퍼(전측정 기판)」, 「후측정 웨이퍼(후측정 기판)」, 또는 「비측정 웨이퍼(비측정 기판)」로 지정한다. 도 4에 나타내는 1번째의 웨이퍼와 같이, 1매의 웨이퍼를 「전측정 웨이퍼」 및 「후측정 웨이퍼」의 양쪽으로서 지정하는 것도 가능하다.
도 5는 웨이퍼의 지정 상태에 따라서 바뀌는 웨이퍼의 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 전측정 웨이퍼로서 지정되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 1). 웨이퍼가 전측정 웨이퍼로서 지정되어 있는 경우, 이어서, 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 이미 연마되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 2). 웨이퍼가 아직 연마되어 있지 않은 경우에는, 웨이퍼는 막 두께 측정기(80)에 반송되고, 여기서 연마 전의 웨이퍼의 막 두께가 측정된다.
스텝 1에 있어서 웨이퍼가 전측정 웨이퍼로서 지정되어 있지 않은 경우 및 스텝 2에 있어서 웨이퍼가 이미 연마되어 있는 경우, 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 후측정 웨이퍼로서 지정되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 3). 웨이퍼가 후측정 웨이퍼로서 지정되어 있는 경우, 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 이미 연마되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 4). 웨이퍼가 이미 연마되어 있는 경우에는, 웨이퍼는 막 두께 측정기(80)에 반송되고, 여기서 연마 후의 웨이퍼의 막 두께가 측정된다. 웨이퍼가 아직 연마되어 있지 않은 경우에는, 처리 플로우가 종료된다.
스텝 3에 있어서 웨이퍼가 후측정 웨이퍼로서 지정되어 있지 않은 경우, 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 5). 웨이퍼가 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있지 않은 경우에는, 처리 플로우가 종료된다. 웨이퍼가 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있는 경우, 동작 제어부(5)는 웨이퍼가 이미 연마되어 있는지의 여부를 판단한다(스텝 6). 웨이퍼가 아직 연마되어 있지 않은 경우에는, 처리 플로우가 종료된다. 웨이퍼가 이미 연마되어 있는 경우에는, 동작 제어부(5)는 비측정 웨이퍼로서 지정된 웨이퍼의 연마 중에 연마 에러가 발생하였는지의 여부를 판단한다(스텝 7).
연마 에러는, 연마 유닛(3A, 3B, 3C, 3D) 중 어느 하나에서 웨이퍼가 연마되어 있을 때에 발생한 연마 이상이다. 연마 에러는, 도 1에 도시하는 연마 에러 검출부(90)에 의해 검출된다. 이 연마 에러 검출부(90)는 연마 유닛(3A, 3B, 3C, 3D) 및 동작 제어부(5)에 접속되어 있다. 연마 에러 검출부(90)는 웨이퍼의 연마 중에 발생한 연마 에러를 검출하고, 동작 제어부(5)에 연마 에러 신호를 송신하도록 구성되어 있다. 연마 에러의 예로서는, 웨이퍼를 연마 패드에 압박하는 하중의 이상, 연마 패드에 공급되는 연마액(슬러리)의 유량 이상, 웨이퍼의 연마 종점의 검출 실패 등을 들 수 있다. 예를 들어, 연마액의 유량이 소정의 임계값에 도달한 경우에는, 연마 에러 검출부(90)는 연마 에러 신호를 동작 제어부(5)에 송신한다.
스텝 7에 있어서 비측정 웨이퍼로서 지정된 웨이퍼의 연마 중에 연마 에러가 발생한 경우, 즉 동작 제어부(5)가 연마 에러 신호를 연마 에러 검출부(90)로부터 받은 경우에는, 그 웨이퍼는 막 두께 측정기(80)에 반송되고, 여기서 연마 후의 웨이퍼의 막 두께가 측정된다. 보다 구체적으로는, 그 웨이퍼는 연마가 종료된 후, 제1 세정 유닛(73) 및 제2 세정 유닛(74)에 이 순서로 반송되어 세정되고, 또한 세정된 웨이퍼는 건조 유닛(75)에 의해 건조된다. 그리고, 건조된 웨이퍼는 막 두께 측정기(80)에 반송되어, 그 막 두께가 측정된다. 이와 같이, 막 두께 측정기(80)에 반송되기 전에 웨이퍼는 세정 및 건조되므로, 막 두께 측정기(80)는 정확한 막 두께를 측정할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 건조된 웨이퍼가 기판 카세트(85)로 복귀되기 전에, 막 두께 측정기(80)에 의해 웨이퍼의 막 두께가 측정되지만, 건조된 웨이퍼가 기판 카세트(85)로 복귀된 후에, 막 두께 측정기(80)에 의해 웨이퍼의 막 두께가 측정되어도 된다.
스텝 7에 있어서 비측정 웨이퍼로서 지정된 웨이퍼의 연마 중에 연마 에러가 발생하지 않았던 경우에는, 처리 플로우가 종료된다. 막 두께 측정기(80)에 의해 후측정 웨이퍼 및 비측정 웨이퍼의 막 두께가 측정된 후, 동작 제어부(5)는 막 두께 측정기(80)로부터 측정 데이터를 수신하고, 측정 데이터의 정당성을 확인한다(스텝 8). 막 두께 측정기(80)로부터 보내지는 측정 데이터(막 두께 측정값)에는, 막 두께 측정값의 정당성(즉, 측정 결과의 정당성)을 나타내는 타당값이 부속되어 있다. 이 타당값은, 막 두께 측정값의 타당성 또는 신뢰성을 나타내는 지표값이며, 막 두께 측정기(80)에 의해 작성된다. 동작 제어부(5)는 타당 지표값에 기초하여 측정 데이터(막 두께 측정값)가 정당한지의 여부를 결정한다. 측정 데이터가 정당한 경우에는, 웨이퍼의 처리 플로우가 종료된다. 측정 데이터가 정당하지 않는 경우에는, 그 웨이퍼의 막 두께는 막 두께 측정기(80)에 의해 다시 측정되고, 동작 제어부(5)는 측정 데이터의 재수신을 행한다.
기판 카세트(85)에 수용되어 있는 25매의 웨이퍼 중, 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있는 웨이퍼는 15매이다. 이들 15매의 비측정 웨이퍼 중 어느 1개를 연마하고 있을 때에 연마 에러가 발생한 경우에는, 그 웨이퍼는 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있음에도 불구하고, 막 두께 측정기(80)에 반송되어, 그 막 두께가 측정된다. 이와 같이, 비측정 웨이퍼로서 지정되어 있는 웨이퍼이어도 막 두께가 측정되므로, 웨이퍼의 재연마가 필요한지의 여부를 판단할 수 있다. 결과로서, 웨이퍼의 폐기 처분을 회피할 수 있다.
도 5에 나타내는 처리 플로우는, 웨이퍼가 연마되기 전 및 웨이퍼가 연마된 후의 2회 실행된다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼를 로드/언로드부(2)로부터 취출하기 전에 처리 플로우를 실행하고, 웨이퍼를 연마, 세정 및 건조한 후[반송 로봇(22)이 웨이퍼를 건조 유닛(75)으로부터 취출하기 전]에 다시 처리 플로우가 실행된다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 사람이 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태로 한정되지 않고, 특허청구범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.
1 : 하우징
2 : 로드/언로드부
3 : 연마부
3A, 3B, 3C, 3D : 연마 유닛
4 : 세정부
5 : 동작 제어부
6 : 제1 리니어 트랜스포터
7 : 제2 리니어 트랜스포터
10 : 연마 패드
11 : 리프터
12 : 스윙 트랜스포터
16 : 톱 링 샤프트
19 : 테이블 모터
20 : 프론트 로드부
21 : 주행 기구
22 : 반송 로봇
30A, 30B, 30C, 30D : 연마 테이블
31A, 31B, 31C, 31D : 톱 링
32A, 32B, 32C, 32D : 연마액 공급 노즐
33A, 33B, 33C, 33D : 드레서
34A, 34B, 34C, 34D : 아토마이저
39 : 연마 종점 검출 장치
40 : 막 두께 센서
45 : 막 두께 감시부
72 : 가배치대
73 : 제1 세정 유닛
74 : 제2 세정 유닛
75 : 건조 유닛
77 : 제1 반송 로봇
78 : 제2 반송 로봇
80 : 막 두께 측정기
85 : 기판 카세트
90 : 연마 에러 검출부

Claims (12)

  1. 연마 후에 막 두께가 측정되는 기판으로서 지정된 적어도 1매의 후측정 기판과, 막 두께가 측정되지 않는 기판으로서 지정된 적어도 1매의 비측정 기판을 포함하는 복수의 기판을 연마하고,
    상기 후측정 기판의 연마 후에 해당 후측정 기판의 막 두께를 측정하고,
    상기 비측정 기판의 연마 중에 연마 에러가 발생했는지 여부를 검출하고,
    상기 비측정 기판의 연마 중에 연마 에러가 발생한 것을 검출한 경우에, 상기 비측정 기판의 연마 후에 해당 비측정 기판의 막 두께를 측정하고,
    재연마가 필요한지의 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    연마된 상기 복수의 기판을 세정하고,
    세정된 상기 복수의 기판을 건조시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비측정 기판의 연마 중에 연마 에러가 발생하였는지의 여부의 판단은, 상기 비측정 기판의 연마 종료 후에 행해지는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판의 각각을 전측정 기판, 후측정 기판, 또는 비측정 기판 중 어느 것으로 지정하는 공정을 더 포함하고, 상기 전측정 기판은 연마 전에 막 두께가 측정되는 기판이고, 상기 후측정 기판은 연마 후에 막 두께가 측정되는 기판이고, 상기 비측정 기판은 막 두께가 측정되지 않는 기판인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 후측정 기판의 막 두께 측정값이 정당한지의 여부를 결정하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 후측정 기판의 막 두께 측정값이 정당하지 않는 경우에는, 상기 후측정 기판의 막 두께를 다시 측정하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 비측정 기판의 막 두께 측정값이 정당한지의 여부를 결정하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 비측정 기판의 막 두께 측정값이 정당하지 않는 경우에는, 상기 비측정 기판의 막 두께를 다시 측정하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 연마 에러는, 상기 비측정 기판을 연마 패드에 압박하는 하중의 이상, 연마 패드에 공급되는 연마액의 유량 이상, 및 상기 비측정 기판의 연마 종점의 검출 실패 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
  10. 연마 후에 막 두께가 측정되는 기판으로서 지정된 적어도 1매의 후측정 기판과, 막 두께가 측정되지 않는 기판으로서 지정된 적어도 1매의 비측정 기판을 포함하는 복수의 기판을 연마하는 연마 유닛과,
    연마된 상기 후측정 기판의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정기와,
    상기 비측정 기판의 연마 중에 연마 에러가 발생한 것을 검출하는 연마 에러 검출부와,
    상기 복수의 기판을 상기 연마 유닛에 순차 반송하고, 또한 연마된 상기 후측정 기판을 상기 막 두께 측정기에 반송하는 반송 장치를 구비하고,
    상기 반송 장치는, 상기 비측정 기판을 연마하고 있을 때에 연마 에러가 발생한 경우에는, 상기 비측정 기판을 상기 막 두께 측정기에 반송하고, 연마 장치는 재연마가 필요한지의 여부를 결정하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    기판을 세정하는 세정 유닛과,
    기판을 건조시키는 건조 유닛을 더 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 연마 에러는, 상기 비측정 기판을 연마 패드에 압박하는 하중의 이상, 연마 패드에 공급되는 연마액의 유량 이상, 및 상기 비측정 기판의 연마 종점의 검출 실패 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 연마 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9505101B1 (en) * 2015-06-24 2016-11-29 The Boeing Company Automated sanding system and method
US11400563B2 (en) * 2018-12-07 2022-08-02 Disco Corporation Processing method for disk-shaped workpiece
KR20210041654A (ko) * 2019-10-07 2021-04-16 삼성전자주식회사 반도체 기판 측정 장치, 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치 및 반도체 소자 형성 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093180A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009274139A (ja) 2008-05-12 2009-11-26 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
KR100253085B1 (ko) * 1997-07-10 2000-04-15 윤종용 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법
US7097534B1 (en) * 2000-07-10 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Closed-loop control of a chemical mechanical polisher
US6447370B1 (en) * 2001-04-17 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Inline metrology device
US6967715B2 (en) * 2002-12-06 2005-11-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for optical film measurements in a controlled environment
US7118451B2 (en) * 2004-02-27 2006-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP apparatus and process sequence method
JP2006231471A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機とその定寸制御方法
ITBO20070504A1 (it) * 2007-07-20 2009-01-21 Marposs Spa Apparecchiatura e metodo per il controllo dello spessore di un elemento in lavorazione
JP2009050944A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の厚さ測定方法および基板の加工装置
US20140141694A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-22 Applied Materials, Inc. In-Sequence Spectrographic Sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093180A (ja) 2004-09-21 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009274139A (ja) 2008-05-12 2009-11-26 Ebara Corp 研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム

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