KR101996678B1 - Ultraviolet irradiation apparatus and substrate treating apparatus - Google Patents

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Abstract

기판에 대한 자외선 조사를 실시하는 처리실과, 적어도 처리실 내의 기판을 가열하는 가열 기구와, 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지하도록 처리실 내에 기체를 공급하는 기체 공급부와, 자외선 조사 장치 내로 기판을 반입하기 위한 기판 반입구와 처리실 사이에 적어도 형성되며, 처리실에 연통됨으로써 처리실 내를 소정 분위기로 유지하는 예비실을 구비한 자외선 조사 장치에 관한 것이다.A heating mechanism for heating at least a substrate in the processing chamber; a gas supply unit for supplying gas into the processing chamber to maintain the inside of the processing chamber in a deoxygenated and dehydrated state; The present invention relates to an ultraviolet irradiator having at least a preliminary chamber which is formed at least between a substrate inlet for introducing and a process chamber and which communicates with the process chamber to maintain the process chamber in a predetermined atmosphere.

Description

자외선 조사 장치 및 기판 처리 장치{ULTRAVIOLET IRRADIATION APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an ultraviolet irradiator,

본 발명은, 자외선 조사 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ultraviolet irradiation apparatus and a substrate processing apparatus.

본원은, 2011년 11월 18일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2011-252455호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-252455 filed on November 18, 2011, the contents of which are incorporated herein by reference.

액정 디스플레이 등의 표시 패널을 구성하는 유리 기판 상에는, 배선 패턴이나 전극 패턴 등의 미세한 패턴이 형성되어 있다. 일반적으로 이와 같은 패턴은, 예를 들어 포토리소그래피 등의 수법에 의해 형성된다. 포토리소그래피법에서는, 레지스트막을 유리 기판에 도포하는 공정, 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후의 레지스트막을 현상하는 공정 및 현상 후의 레지스트막에 대하여 자외선을 조사하는 공정이 실시된다.On a glass substrate constituting a display panel such as a liquid crystal display, fine patterns such as wiring patterns and electrode patterns are formed. Generally, such a pattern is formed by a technique such as photolithography. In the photolithography method, a step of applying a resist film to a glass substrate, a step of exposing a resist film, a step of developing a resist film after exposure, and a step of irradiating ultraviolet rays to the developed resist film are performed.

자외선 조사 공정에서는, 예를 들어 기판을 챔버 내에 수용하고, 기판을 반송시키면서 당해 기판에 자외선을 조사하는 자외선 조사 장치가 사용된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이와 같은 자외선 조사 장치에서는, 챔버 내의 기판 반송 경로에 있어서 탈수분 및 탈산소 상태의 환경일 것이 요구되고 있다.In the ultraviolet ray irradiation step, for example, an ultraviolet ray irradiation apparatus for irradiating the substrate with ultraviolet rays while holding the substrate in a chamber and transporting the substrate is used (for example, refer to Patent Document 1). In such an ultraviolet irradiating apparatus, it is required that the substrate transport path in the chamber be an environment of dehydrated and deoxygenated state.

일본 공개특허공보 2011-96839호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-96839

그러나, 상기 종래 기술에서는, 진공 펌프를 사용함으로써 챔버 (처리실) 내를 진공화하는 것에 의해 상기 서술한 바와 같은 탈수분 및 탈산소 상태의 환경으로 유지하고 있기 때문에, 진공 펌프를 사용함으로써 장치의 비용이 높아지거나, 혹은 장치가 대형화되어 설치 면적이 커진다는 문제가 발생하고 있었다.However, in the above-mentioned prior art, since the inside of the chamber (treatment chamber) is evacuated by using a vacuum pump, the environment is maintained in the dehydrated state and the deoxygenated state as described above, Or the size of the apparatus becomes large, resulting in a problem that the installation area becomes large.

본 발명은, 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 소형화 및 비용 저감을 실현한 자외선 조사 장치 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an ultraviolet irradiating apparatus and a substrate processing apparatus which realize downsizing and cost reduction.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 자외선 조사 장치는, 기판에 대한 자외선 조사를 실시하는 처리실과, 적어도 상기 처리실 내의 상기 기판을 가열하는 가열 기구와, 상기 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지하도록 그 처리실 내에 기체를 공급하는 기체 공급부와, 당해 자외선 조사 장치 내로 상기 기판을 반입하기 위한 기판 반입구와 상기 처리실 사이에 적어도 형성되며, 상기 처리실에 연통됨으로써 그 처리실 내를 소정 분위기로 유지하는 예비실을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an ultraviolet irradiating apparatus of the present invention comprises a processing chamber for irradiating ultraviolet light to a substrate, a heating mechanism for heating at least the substrate in the processing chamber, At least a substrate feeding port for feeding the substrate into the ultraviolet ray irradiating apparatus and a processing chamber, at least at a position between the substrate inlet port and the processing chamber for communicating with the processing chamber to maintain the inside of the processing chamber in a predetermined atmosphere And a spare room.

본 발명의 자외선 조사 장치에 의하면, 예비실을 구비함으로써 기판 반입시에 처리실 내로의 산소 및 수분의 혼입을 방지하면서, 기체 공급부에 의해 처리실 및 그 처리실에 연통되는 예비실 내에 기체를 공급함으로써 처리실 내를 소정 분위기로 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 진공 펌프를 필요로 하지 않게 할 수 있으므로, 장치의 소형화 및 저비용화를 실현할 수 있다.According to the ultraviolet irradiating apparatus of the present invention, since the preliminary chamber is provided, gas is supplied into the processing chamber and the preliminary chamber communicated with the processing chamber by the gas supply unit while preventing the introduction of oxygen and moisture into the processing chamber at the time of substrate loading, Can be stably maintained in a predetermined atmosphere. Therefore, since the vacuum pump is not required, it is possible to achieve downsizing and cost reduction of the apparatus.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 예비실을 복수 구비하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable that a plurality of the preliminary chambers are provided.

이 구성에 의하면, 복수의 예비실 내의 분위기를 단계적으로 변화시킴으로써 처리실 내의 분위기를 소정 값으로 안정적으로 유지할 수 있다.According to this configuration, the atmosphere in the treatment chamber can be stably maintained at a predetermined value by changing the atmosphere in the plurality of spare chambers step by step.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 기체 공급부는, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiating apparatus, it is preferable that the gas supply unit supplies an inert gas into the treatment chamber.

이 구성에 의하면, 처리실 내에 불활성 가스를 공급함으로써 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지할 수 있다.According to this configuration, by supplying the inert gas into the process chamber, the inside of the process chamber can be maintained in the deoxygenated and dehydrated state.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 기체 공급부는, 상기 불활성 가스로서 질소 가스를 공급하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable that the gas supply unit supplies nitrogen gas as the inert gas.

이와 같이 질소 가스를 공급함으로써 처리실 내를 양호하게 탈산소 및 탈수분 상태로 유지할 수 있다.By supplying the nitrogen gas in this way, it is possible to maintain the inside of the treatment chamber in deoxygenation and dehydration state well.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 복수의 예비실에 있어서의 내부 압력은, 상기 처리실측에서부터 상기 기판 반입구측을 향하여 점차 낮아지도록 설정되는 것이 바람직하다.It is preferable that in the ultraviolet irradiation apparatus, the internal pressure in the plurality of spare chambers is set so as to gradually decrease from the processing chamber side toward the substrate inlet port side.

이 구성에 의하면, 복수의 예비실 내의 내부 압력을 처리실측에서부터 기판 반입구측을 향하여 점차 낮아지도록 설정함으로써 처리실 내의 분위기를 안정시킬 수 있다.According to this configuration, the atmosphere in the processing chamber can be stabilized by setting the internal pressure in the plurality of reserve chambers to gradually decrease from the processing chamber side toward the substrate inlet port side.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 예비실 및 상기 처리실 사이에 있어서 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 기구를 추가로 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable that the ultraviolet irradiator further comprises a substrate moving mechanism for moving the substrate between the preliminary chamber and the processing chamber.

이 구성에 의하면, 예비실 및 처리실 사이에 있어서 기판을 이동시킴으로써 장치 내를 통과할 때에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.According to this configuration, it is possible to shorten the time required to pass through the apparatus by moving the substrate between the reserve chamber and the processing chamber.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 가열 기구는, 상기 기판을 유지한 상태에서 가열하는 플레이트를 포함하고, 상기 기판 이동 기구의 일부는, 상기 플레이트에 형성된 홈부 내를 이동하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiating apparatus, the heating mechanism preferably includes a plate for heating while holding the substrate, and a part of the substrate moving mechanism preferably moves in a groove formed in the plate.

이 구성에 의하면, 기판 이동 기구가 플레이트의 홈부 내를 이동함으로써 이동 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 기판 이동 기구의 일부가 플레이트 내의 홈에 형성됨으로써, 먼지 등의 이물질이 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.According to this configuration, the movement time can be shortened by moving the substrate moving mechanism in the groove portion of the plate. In addition, since a part of the substrate moving mechanism is formed in the groove in the plate, it is possible to prevent foreign matter such as dust from adhering to the substrate.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 가열 기구는, 상기 예비실 내의 상기 기판도 가열하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable that the heating mechanism also heats the substrate in the preliminary chamber.

이 구성에 의하면, 예비실 내에 있어서 기판을 미리 가열할 수 있기 때문에, 처리실 내에 있어서 기판을 소정 온도까지 단시간에 가열할 수 있다.According to this configuration, since the substrate can be heated in advance in the preliminary chamber, the substrate can be heated to a predetermined temperature in a short time in the processing chamber.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 예비실은, 내부 분위기를 순환시키는 순환 기구를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 처리실 내에도 순환 기구를 형성하도록 해도 된다.In the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable that the preparatory chamber has a circulation mechanism for circulating the internal atmosphere. Further, a circulation mechanism may be formed in the treatment chamber.

이 구성에 의하면, 순환 기구에 의해 예비실 내의 분위기가 순환되므로, 예비실 내의 분위기를 안정시킬 수 있다.According to this configuration, since the atmosphere in the reserve chamber is circulated by the circulation mechanism, the atmosphere in the reserve chamber can be stabilized.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 순환 기구는, HEPA 필터를 사용하여 상기 내부 분위기의 순환을 실시하는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiation apparatus, it is preferable that the circulation mechanism circulates the internal atmosphere using a HEPA filter.

이 구성에 의하면, HEPA 필터를 사용함으로써 예비실 내의 이물질을 제거한 상태에서 내부 분위기 순환을 실시할 수 있다.According to this configuration, by using the HEPA filter, the inner atmosphere can be circulated in the state that the foreign material in the reserve room is removed.

또한, 상기 자외선 조사 장치에 있어서는, 상기 예비실은, 당해 자외선 조사 장치 내로부터 상기 기판을 반출하기 위한 기판 반출구와 상기 처리실 사이에도 형성되어 있는 것이 바람직하다.In the ultraviolet irradiating apparatus, it is preferable that the preliminary chamber is also formed between a substrate transfer port for transferring the substrate from the ultraviolet irradiating apparatus and the processing chamber.

이 구성에 의하면, 기판 반출구로부터 기판을 반출할 때에 처리실 내에 산소 및 수분이 혼입되는 것을 방지하여, 보다 처리실 내의 분위기를 안정시킬 수 있다.According to this configuration, oxygen and moisture are prevented from being mixed into the processing chamber when the substrate is taken out from the substrate delivery port, and the atmosphere in the processing chamber can be more stabilized.

본 발명의 기판 처리 장치는, 기판에 처리액의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와, 상기 기판에 도포된 상기 처리액의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와, 상기 기판에 자외선 조사 처리를 실시하는 자외선 조사 장치와, 상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 자외선 조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치, 상기 자외선 조사 장치 및 상기 관련 장치 사이를 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 처리 장치로서, 상기 자외선 조사 장치로서, 상기 자외선 조사 장치가 사용되고 있는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus comprising a coating apparatus for applying a treatment liquid to a substrate, a developing device for developing the treatment liquid applied to the substrate, an ultraviolet ray And a related device for performing the related processing of the coating treatment, the developing treatment and the ultraviolet ray irradiation treatment, wherein the coating device, the developing device, the ultraviolet ray irradiation device, A substrate processing apparatus for carrying a substrate, characterized in that the ultraviolet irradiating apparatus is used as the ultraviolet irradiating apparatus.

본 발명의 기판 처리 장치에 의하면, 소형화 및 저비용화가 도모된 자외선 조사 장치가 사용되고 있기 때문에, 기판 처리 장치 자체도 저비용 또한 소형이며 신뢰성이 높은 것을 제공할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the present invention, since the ultraviolet irradiating apparatus which is downsized and reduced in cost is used, the substrate processing apparatus itself can be provided at a low cost, a small size, and a high reliability.

본 발명의 자외선 조사 방법은, 자외선 처리 장치의 기판 반입구로부터 그 자외선 조사 장치 내로 기판을 반입하는 기판 반입 공정과, 상기 자외선 조사 장치의 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지하도록 그 처리실 내에 기체를 공급하는 기체 공급 공정과, 상기 기판 반입구와 상기 처리실 사이에 적어도 형성되며, 상기 처리실에 연통되는 예비실에 의해, 상기 처리실 내를 소정 분위기로 유지하는 분위기 유지 공정과, 적어도 상기 기판을 가열하는 가열 처리 공정과, 상기 처리실에 있어서, 상기 기판에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.The ultraviolet irradiation method of the present invention comprises a substrate carrying-in step of carrying a substrate into the ultraviolet irradiating apparatus from a substrate refill of the ultraviolet irradiating apparatus, a step of bringing the substrate into the ultraviolet irradiating apparatus, An atmosphere holding step of keeping the inside of the processing chamber at a predetermined atmosphere by at least a preliminary chamber formed at least between the substrate inlet and the processing chamber and communicating with the processing chamber; And a ultraviolet irradiation step of irradiating the substrate with ultraviolet rays in the processing chamber.

본 발명의 자외선 조사 방법에 의하면, 예비실에 의해 기판 반입시에 처리실 내로의 산소 및 수분의 혼입을 방지하면서, 기체 공급부에 의해 처리실 및 그 처리실에 연통되는 예비실 내에 기체를 공급함으로써 처리실 내를 소정 분위기로 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 진공 펌프를 필요로 하지 않게 할 수 있으므로, 장치의 소형화 및 저비용화를 실현할 수 있다.According to the ultraviolet irradiation method of the present invention, gas is supplied into the process chamber and the preliminary chamber communicated with the process chamber by the gas supply unit while preventing the introduction of oxygen and moisture into the process chamber at the time of bringing the substrate into the preliminary chamber, It can be stably maintained in a predetermined atmosphere. Therefore, since the vacuum pump is not required, it is possible to achieve downsizing and cost reduction of the apparatus.

본 발명에 의하면, 소형화 및 비용 저감을 할 수 있다.According to the present invention, downsizing and cost reduction can be achieved.

도 1 은, 기판 처리 장치를 나타내는 평면도.
도 2 는, 자외선 처리 유닛을 +Z 측에서 보았을 때의 구성을 나타내는 평면도.
도 3 은, 자외선 처리 유닛을 +Y 측에서 보았을 때의 구성을 나타내는 측면도.
도 4 는, 자외선 처리 유닛의 단면도.
도 5 는, 도 4 의 주요부 확대 단면도.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a plan view showing a configuration when the ultraviolet processing unit is viewed from the + Z side; Fig.
3 is a side view showing a configuration when the ultraviolet processing unit is viewed from the + Y side.
4 is a sectional view of the ultraviolet processing unit.
5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of Fig.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하여, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대하여 설명한다. 수평면 내의 소정 방향을 X 축 방향, 수평면 내에 있어서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향, X 축 방향 및 Y 축 방향 각각과 직교하는 방향 (즉 연직 방향) 을 Z 축 방향으로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of the respective members is described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A direction orthogonal to the X-axis direction is defined as a Y-axis direction, and a direction perpendicular to each of the X-axis direction and Y-axis direction (i.e., vertical direction) is defined as a Z-axis direction.

이하, 본 발명의 자외선 조사 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치에 관련된 실시예에 대하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments related to the ultraviolet irradiation apparatus of the present invention and a substrate processing apparatus having the same will be described.

도 1 은 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (SPA) 를 나타내는 평면도이다. 기판 처리 장치 (SPA) 는, 예를 들어 X 방향으로 일렬로 배치된 로더·언로더 (LU), 도포 현상 처리부 (CD) 및 인터페이스부 (IF) 를 구비하고 있다. 기판 처리 장치 (SPA) 는, 도포 현상 처리부 (CD) 가 로더·언로더 (LU) 와 인터페이스부 (IF) 에 의해 사이에 끼워져 배치된 구성으로 되어 있다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus (SPA) according to this embodiment. The substrate processing apparatus SPA includes, for example, a loader / unloader (LU), a coating / developing processing unit (CD) and an interface unit IF arranged in a row in the X direction. The substrate processing apparatus SPA has a configuration in which the coating and development processing unit CD is interposed between the loader unloader LU and the interface unit IF.

(로더·언로더)(Loader, unloader)

로더·언로더 (LU) 는, 복수의 기판 (G) 을 수용하는 카세트 (C) 의 반입 및 반출을 실시하는 부분이다. 로더·언로더 (LU) 는, 카세트 대기부 (10) 및 반송 기구 (11) 를 갖고 있다.The loader unloader (LU) is a portion for carrying in and out cassettes (C) accommodating a plurality of substrates (G). The loader / unloader (LU) has a cassette standby portion (10) and a transport mechanism (11).

카세트 대기부 (10) 는, 예를 들어 기판 처리 장치 (SPA) 의 -X 측의 단부(端部)에 배치되어 있고, 복수의 카세트 (C) 를 수용한다. 카세트 대기부 (10) 에 수용된 카세트 (C) 는, 예를 들어 Y 방향으로 배열되도록 되어 있다. 카세트 대기부 (10) 는, -X 측에 도시 생략된 개구부가 형성되어 있고, 당해 개구부를 개재하여 기판 처리 장치 (SPA) 의 외부와의 사이에서 카세트 (C) 의 수수가 이루어지도록 되어 있다.The cassette standby portion 10 is disposed at, for example, an end of the -X side of the substrate processing apparatus SPA, and accommodates a plurality of cassettes C. [ The cassettes C accommodated in the cassette standby portion 10 are arranged, for example, in the Y direction. The cassette standby portion 10 is provided with an opening (not shown) on the -X side, and the cassette C is exchanged with the outside of the substrate processing apparatus SPA via the opening portion.

반송 기구 (11) 는, 카세트 대기부 (10) 의 +X 측에 배치되어 있고, 카세트 (C) 와 도포 현상 처리부 (CD) 사이에서 기판 (G) 의 반송을 실시한다. 반송 기구 (11) 는, 예를 들어 Y 방향을 따라 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 구체적으로 반송 기구 (11) 는 -Y 측으로 이동함으로써, 로더·언로더 (LU) 로부터 도포 현상 처리부 (CD) 에 기판 (G) 을 반송한다. 또한, 반송 기구 (11) 는 +Y 측으로 이동함으로써, 도포 현상 처리부 (CD) 로부터 로더·언로더 (LU) 에 기판 (G) 을 반송한다.The transport mechanism 11 is disposed on the + X side of the cassette standby portion 10 and carries the substrate G between the cassette C and the coating and development processing portion CD. The transport mechanism 11 is configured to be movable along, for example, the Y direction. Specifically, the transport mechanism 11 moves to the -Y side to transport the substrate G from the loader / unloader LU to the coating and developing treatment section CD. Further, the transport mechanism 11 moves toward the + Y side to transport the substrate G from the coating and development processing unit CD to the loader / unloader unit LU.

반송 기구 (11) 는 반송 아암 (12) 을 갖고 있다. 반송 아암 (12) 은, 유리 기판을 유지하는 유지부를 갖고, 예를 들어 일 방향으로 신축될 수 있도록 형성되어 있다. 반송 아암 (12) 은, θZ 방향으로 회전할 수 있도록 형성되어 있다. 반송 아암 (12) 은, 예를 들어 θZ 방향으로 회전함으로써, 카세트 대기부 (10) 와 도포 현상 처리부 (CD) 각각의 방향을 향하게 할 수 있도록 되어 있다. 반송 아암 (12) 은, 반송 아암 (12) 을 신축시킴으로써, 카세트 대기부 (10) 및 도포 현상 처리부 (CD) 각각에 액세스할 수 있도록 되어 있다.The transport mechanism 11 has a transport arm 12. The carrying arm 12 has a holding portion for holding the glass substrate, and is formed so as to be able to be expanded and contracted in one direction, for example. The transfer arm 12 is formed so as to be rotatable in the? Z direction. The transport arm 12 can be oriented in the direction of each of the cassette standby portion 10 and the coating and developing treatment portion CD by rotating in the? Z direction, for example. The transport arm 12 is capable of accessing each of the cassette standby portion 10 and the coating and developing processing portion CD by expanding and contracting the transport arm 12.

(도포 현상 처리부)(Coating and development processing unit)

도포 현상 처리부 (CD) 는, 기판 (G) 에 레지스트 도포 및 현상을 포함한 일련의 처리를 실시하는 부분이다. 도포 현상 처리부 (CD) 는, 스크러버 유닛 (SR), 탈수 베이크 유닛 (DH), 도포 유닛 (CT), 프리베이크 유닛 (PR), 인터페이스부 (IF), 현상 유닛 (DV), 자외선 조사 유닛 (UV) 및 포스트베이크 유닛 (PB) 을 갖고 있다.The coating and developing treatment portion CD is a portion for carrying out a series of treatments including coating and developing on the substrate G. [ The coating and developing unit CD includes a scrubber unit SR, a dehydrating bake unit DH, a coating unit CT, a prebake unit PR, an interface unit IF, a developing unit DV, UV and a post-baking unit PB.

도포 현상 처리부 (CD) 는, Y 방향으로 분할된 구성으로 되어 있고, -Y 측의 부분에서는, 로더·언로더 (LU) 로부터의 기판 (G) 이 인터페이스부 (IF) 를 향하여 +X 방향으로 반송되도록 되어 있다. +Y 측의 부분에서는, 인터페이스부 (IF) 로부터의 기판 (G) 이 로더·언로더 (LU) 를 향하여 -X 방향으로 반송되도록 되어 있다.The substrate G from the loader unloader LU is moved in the + X direction toward the interface IF in the portion on the -Y side, And is conveyed. In the portion on the + Y side, the substrate G from the interface unit IF is transported in the -X direction toward the loader / unloader LU.

스크러버 유닛 (SR) 은, 로더·언로더 (LU) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 의 세정을 실시하는 유닛이다. 스크러버 유닛 (SR) 은, 드라이 세정 장치 (41), 웨트 세정 장치 (42) 및 에어나이프 장치 (43) 를 갖고 있다. 드라이 세정 장치 (41) 의 -X 측 및 에어나이프 장치 (43) 의 +X 측에는, 각각 컨베이어 기구 (CV1, CV2) 가 형성되어 있다.The scrubber unit SR is connected downstream of the loader / unloader (LU), and is a unit for cleaning the substrate (G). The scrubber unit SR has a dry cleaning device 41, a wet cleaning device 42 and an air knife device 43. Conveyor mechanisms CV1 and CV2 are formed on the -X side of the dry cleaning device 41 and the + X side of the air knife device 43, respectively.

컨베이어 기구 (CV1, CV2) 에는, 기판 (G) 을 반송시키는 도시 생략된 벨트 기구가 형성되어 있다.In the conveyor mechanisms CV1 and CV2, a belt mechanism (not shown) for conveying the substrate G is formed.

드라이 세정 장치 (41) 는, 예를 들어 기판 (G) 에 엑시머 레이저 등의 자외선을 조사함으로써, 기판 (G) 상의 유기물을 제거한다. 웨트 세정 장치 (42) 는, 예를 들어 도시 생략된 스크러빙 브러시를 갖고 있다. 웨트 세정 장치 (42) 는, 세정액 및 당해 스크러빙 브러시를 사용하여 기판 (G) 을 세정한다. 에어나이프 장치 (43) 는, 예를 들어 도시 생략된 에어나이프 분사 기구를 갖고 있다. 에어나이프 장치 (43) 는, 에어나이프 분사 기구를 사용하여 기판 (G) 상에 에어나이프를 형성하여, 기판 (G) 상의 불순물을 제거한다.The dry cleaning apparatus 41 removes organic substances on the substrate G by, for example, irradiating the substrate G with ultraviolet rays such as an excimer laser. The wet cleaning device 42 has, for example, a scrubbing brush (not shown). The wet cleaning apparatus 42 cleans the substrate G using the cleaning liquid and the scrubbing brush. The air knife device 43 has, for example, an air knife injection mechanism (not shown). The air knife device 43 forms an air knife on the substrate G using an air knife injection mechanism to remove impurities on the substrate G. [

탈수 베이크 유닛 (DH) 은, 스크러버 유닛 (SR) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 상을 탈수하는 유닛이다. 탈수 베이크 유닛 (DH) 은, 가열 장치 (44) 및 냉각 장치 (45) 를 갖고 있다. 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 는, Z 방향으로 겹쳐진 상태로 배치되어 있다. Z 방향에서 보아 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 와 겹치는 위치에 컨베이어 기구 (CV3) 가 형성되어 있고, Z 방향에서 보아 냉각 장치 (45) 와 겹치는 위치에 컨베이어 기구 (CV4) 가 형성되어 있다. 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 와, 냉각 장치 (45) 사이에는, 기판 (G) 을 반송시키는 반송 기구 (TR1) 가 형성되어 있다. 반송 기구 (TR1) 에 대해서는, 예를 들어 로더·언로더 (LU) 에 형성된 반송 기구 (11) 와 동일한 구성으로 할 수 있다.The dewatering bake unit DH is connected to the downstream of the scrubber unit SR and is a unit for dewatering the substrate G. The dewatering bake unit DH has a heating device 44 and a cooling device 45. The heating device 44 and the HMDS device 46 are arranged so as to overlap in the Z direction. A conveyor mechanism CV3 is formed at a position overlapping with the heating device 44 and the HMDS device 46 in the Z direction and a conveyor mechanism CV4 is formed at a position overlapping with the cooling device 45 in the Z direction have. A transport mechanism TR1 for transporting the substrate G is formed between the heating device 44 and the HMDS device 46 and the cooling device 45. [ The transport mechanism TR1 can be configured in the same manner as the transport mechanism 11 formed in, for example, the loader / unloader (LU).

가열 장치 (44) 는, 예를 들어 기판 (G) 을 수용할 수 있는 챔버 내에 히터를 갖는 구성으로 되어 있다. 가열 장치 (44) 는, Z 방향으로 예를 들어 복수 단 배치되어 있다. 가열 장치 (44) 는, 기판 (G) 을 소정 온도에서 가열한다. HMDS 장치 (46) 는, HMDS 가스를 기판 (G) 에 작용시켜 소수화 처리를 실시하여, 도포 유닛 (CT) 에 있어서 기판 (G) 에 도포하는 레지스트막과 기판 (G) 의 밀착성을 향상시키는 장치이다. 냉각 장치 (45) 는, 예를 들어 기판 (G) 을 수용할 수 있는 챔버 내에 온조 (溫調) 기구를 가져, 기판 (G) 을 소정 온도로 냉각시킨다.The heating device 44 is configured to have a heater in a chamber capable of accommodating the substrate G, for example. The heating devices 44 are arranged in a plurality of stages in the Z direction, for example. The heating device 44 heats the substrate G at a predetermined temperature. The HMDS device 46 is a device for enhancing the adhesion between the resist film to be coated on the substrate G and the substrate G in the coating unit CT by applying hydrophobic treatment to HMDS gas on the substrate G to be. The cooling device 45 has a temperature adjusting mechanism in a chamber capable of accommodating the substrate G to cool the substrate G to a predetermined temperature, for example.

도포 유닛 (CT) 은, 탈수 베이크 유닛 (DH) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 상의 소정 영역에 레지스트막을 형성한다. 도포 유닛 (CT) 은, 도포 장치 (47), 감압 건조 장치 (48), 둘레 가장자리부 제거 장치 (49) 를 갖고 있다. 도포 장치 (47) 는, 기판 (G) 상에 레지스트막을 도포하는 장치이다. 도포 장치 (47) 로는, 예를 들어 회전식 도포 장치, 논스핀식 도포 장치, 슬릿 노즐 도포 장치 등이 사용된다. 이들 각종 도포 장치를 교환 가능한 구성으로 해도 상관없다. 감압 건조 장치 (48) 는, 레지스트막을 도포한 후의 기판 (G) 의 표면을 건조시킨다. 둘레 가장자리부 제거 장치 (49) 는, 기판 (G) 의 둘레 가장자리부에 도포된 레지스트막을 제거하여, 레지스트막의 형상을 다듬는 장치이다.The coating unit CT is connected to the downstream side of the dewatering baking unit DH to form a resist film on a predetermined area on the substrate G. [ The coating unit CT has a coating unit 47, a reduced-pressure drying unit 48, and a peripheral edge removing unit 49. The application device 47 is a device for applying a resist film on the substrate G. As the application device 47, for example, a rotary application device, a non-spin application device, a slit nozzle application device or the like is used. These various coating devices may be exchangeable. The reduced-pressure drying apparatus 48 dries the surface of the substrate G after applying the resist film. The perimeter edge remover 49 removes the resist film applied to the periphery of the substrate G and corrects the shape of the resist film.

프리베이크 유닛 (PR) 은, 도포 유닛 (CT) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 에 프리베이크 처리를 실시하는 유닛이다. 프리베이크 유닛 (PR) 은, 가열 장치 (50) 및 냉각 장치 (51) 를 갖고 있다. 가열 장치 (50) 와 냉각 장치 (51) 는, 반송 기구 (TR2) 를 사이에 두도록 Y 방향을 따라 배치되어 있다.The prebake unit PR is connected to the downstream side of the coating unit CT and is a unit for prebaking the substrate G. [ The pre-bak unit (PR) has a heating device (50) and a cooling device (51). The heating device 50 and the cooling device 51 are arranged along the Y direction so as to sandwich the transporting mechanism TR2 therebetween.

현상 유닛 (DV) 은, 프리베이크 유닛 (PR) 의 냉각 장치 (51) 의 -X 측에 접속되어 있고, 노광 후의 기판 (G) 의 현상 처리를 실시한다. 현상 유닛 (DV) 은, 현상 장치 (55), 린스 장치 (56) 및 에어나이프 장치 (57) 를 갖고 있다. 현상 장치 (55) 는, 기판 (G) 에 현상액을 공급하여 현상 처리를 실시한다. 린스 장치 (56) 는, 현상 후의 기판 (G) 에 린스액을 공급하여, 기판 (G) 을 세정한다. 에어나이프 장치 (57) 는, 기판 (G) 상에 에어나이프를 형성하여, 기판 (G) 상을 건조시킨다.The developing unit DV is connected to the -X side of the cooling unit 51 of the prebake unit PR and performs development processing of the exposed substrate G. [ The developing unit DV has a developing device 55, a rinsing device 56 and an air knife device 57. [ The developing device 55 supplies a developer to the substrate G to perform development processing. The rinsing device 56 supplies the rinsing liquid to the developed substrate G to clean the substrate G. [ The air knife device 57 forms an air knife on the substrate G to dry the substrate G. [

현상 장치 (55) 의 +X 측에는 컨베이어 기구 (CV9) 가 형성되어 있고, 에어나이프 장치 (57) 의 -X 측에는 컨베이어 기구 (CV10) 가 형성되어 있다.A conveyor mechanism CV9 is formed on the + X side of the developing device 55 and a conveyor mechanism CV10 is formed on the -X side of the air knife device 57. [

자외선 처리 유닛 (자외선 조사 장치) (UV) 은, 현상 유닛 (DV) 의 하류측에 접속되어 있고, 현상 후의 기판 (G) 에 예를 들어 i 선 등의 자외선을 조사한다.The ultraviolet processing unit (ultraviolet irradiation apparatus) UV is connected to the downstream side of the developing unit DV and irradiates the developed substrate G with ultraviolet rays such as i-line.

포스트베이크 유닛 (PB) 은, 자외선 처리 유닛 (UV) 의 하류측에 접속되어 있고, 자외선 처리 후의 기판 (G) 을 베이크한다. 포스트베이크 유닛 (PB) 은, 가열 장치 (59) 및 냉각 장치 (60) 를 갖고 있다. 가열 장치 (59) 는, 현상 후의 기판 (G) 에 포스트베이크를 실시한다. 냉각 장치 (60) 는, 포스트베이크 후의 기판 (G) 을 냉각시킨다.The post-baking unit PB is connected to the downstream side of the ultraviolet processing unit UV to bake the substrate G after the ultraviolet processing. The post bake unit (PB) has a heating device (59) and a cooling device (60). The heating device 59 performs post-baking on the post-development substrate G. The cooling device 60 cools the substrate G after the post-baking.

인터페이스부 (IF) 는, 노광 장치 (EX) 에 접속되는 부분이다. 인터페이스부 (IF) 는, 버퍼 장치 (52), 반송 기구 (TR3), 컨베이어 기구 (CV7, CV8) 및 주변 노광 장치 (EE) 를 갖고 있다. 버퍼 장치 (52) 는, 프리베이크 유닛 (PR) 의 반송 기구 (TR2) 의 +X 측에 배치되어 있다. 버퍼 장치 (52) 의 +X 측에는, 반송 기구 (TR3) 가 형성되어 있다.The interface unit IF is a part connected to the exposure apparatus EX. The interface unit IF has a buffer unit 52, a transport mechanism TR3, conveyor mechanisms CV7 and CV8, and an edge exposure apparatus EE. The buffer device 52 is disposed on the + X side of the transport mechanism TR2 of the pre-bake unit PR. On the + X side of the buffer device 52, a transport mechanism TR3 is formed.

버퍼 장치 (52) 는, 기판 (G) 을 일시적으로 대기시켜 두는 장치이다. 버퍼 장치 (52) 에는, 기판 (G) 을 수용하는 도시 생략된 챔버나, 당해 챔버 내의 온도를 조정하는 온조 장치, 챔버 내에 수용된 기판 (G) 의 θZ 방향의 위치를 조정하는 회전 제어 장치 등이 형성되어 있다. 버퍼 장치 (52) 의 챔버 내에서는, 기판 (G) 의 온도를 소정 온도로 유지할 수 있도록 되어 있다. 컨베이어 기구 (CV7, CV8) 는, 프리베이크 유닛 (PR) 의 냉각 장치 (51) 를 X 방향으로 사이에 두도록 배치되어 있다.The buffer device 52 is a device for temporarily holding the substrate G. The buffer device 52 is provided with a chamber (not shown) for accommodating the substrate G, a temperature control device for controlling the temperature in the chamber, a rotation control device for adjusting the position of the substrate G housed in the chamber in the? Respectively. In the chamber of the buffer device 52, the temperature of the substrate G can be maintained at a predetermined temperature. The conveyor mechanisms CV7 and CV8 are arranged so as to place the cooling device 51 of the pre-baking unit PR in the X direction.

(자외선 조사 장치)(Ultraviolet irradiation apparatus)

도 2 는, 자외선 처리 유닛 (UV) 을 +Z 측에서 보았을 때의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 3 은, 자외선 처리 유닛 (UV) 을 +Y 측에서 보았을 때의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 4 는, 도 2 에 있어서의 자외선 처리 유닛 (UV) 의 단면 구성을 나타내는 도면이고, 도 5 는 도 4 의 주요부 확대 단면도이다. 또한, 도 2 ∼ 도 5 에 있어서는, 도면을 판별하기 쉽게 하기 위하여, 각각 일부의 구성을 생략하여 나타내고 있다.Fig. 2 is a plan view showing the structure when the ultraviolet processing unit UV is viewed from the + Z side. Fig. 3 is a side view showing the structure when the ultraviolet processing unit UV is viewed from the + Y side. Fig. 4 is a diagram showing a sectional configuration of the ultraviolet processing unit UV in Fig. 2, and Fig. 5 is an enlarged sectional view of the main part in Fig. 2 to 5, a part of the configuration is omitted for easy identification of the drawings.

도 2, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 자외선 처리 유닛 (UV) 은, 제 1 ∼ 제 4 예비실 (80 ∼ 83) 과, 자외선 처리실 (84) 과, 이들 예비실 (80 ∼ 83) 및 자외선 처리실 (84) 사이에서 기판 (G) 을 이동시키는 기판 이동 기구 (85) 를 갖고 있다. 제 1 ∼ 제 4 예비실 (80 ∼ 83) 은, 후술하는 바와 같이 자외선 처리실 (84) 내를 소정 분위기로 유지하기 위한 것이다.2 and 3, the ultraviolet processing unit UV includes first to fourth preliminary chambers 80 to 83, an ultraviolet processing chamber 84, these preparatory chambers 80 to 83, And a substrate moving mechanism 85 for moving the substrate G between the substrates 84. [ The first to fourth preparatory chambers 80 to 83 are for maintaining the inside of the ultraviolet processing chamber 84 in a predetermined atmosphere as will be described later.

제 1 예비실 (80) 은, 서브 챔버 (110), 메인 챔버 (111), 승강 기구 (112) 및 가열 기구 (113) 를 갖고 있다. 서브 챔버 (110) 는 현상 유닛 (DV) 에 접속되어, 현상 처리 후의 기판 (G) 을 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 반입하기 위한 것이다.The first reserve chamber 80 has a sub chamber 110, a main chamber 111, a lifting mechanism 112 and a heating mechanism 113. The sub-chamber 110 is connected to the developing unit DV to bring the substrate G after the development processing into the ultraviolet processing unit UV.

메인 챔버 (111) 는, 서브 챔버 (110) 와의 접속 부분에 기판 반입구 (111a) 를 갖고 있고, 그 기판 반입구 (111a) 는 도시 생략된 개폐 셔터에 의해 개폐할 수 있도록 되어 있다. 즉, 서브 챔버 (110) 는 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 기판 (G) 을 반입하기 위한 기판 반입구 (도시 생략) 를 구성하고 있다. 메인 챔버 (111) 는 후술하는 소정 분위기에 있어서 기판 (G) 을 가열한 상태에서 수용하기 위한 것이다. 또한, 메인 챔버 (111) 는 순환 기구 (150) 에 접속되어 있어, 내부 분위기가 순환되도록 되어 있다.The main chamber 111 has a substrate inlet port 111a at a connection portion with the sub-chamber 110 and the substrate inlet port 111a can be opened and closed by a not shown shutter. That is, the sub-chamber 110 constitutes a substrate inlet (not shown) for loading the substrate G into the ultraviolet processing unit UV. The main chamber 111 is for accommodating the substrate G in a heated state in a predetermined atmosphere to be described later. Further, the main chamber 111 is connected to the circulation mechanism 150, so that the internal atmosphere is circulated.

서브 챔버 (110) 에는 배기 덕트 (110a) 가 접속되어 있어, 서브 챔버 (110) 내의 분위기가 배기되도록 되어 있다. 이로써, 서브 챔버 (110) 내의 내부 압력이 거의 일정하게 유지되도록 되어 있다. 서브 챔버 (110) 에는, 도시 생략된 기류 조정부가 형성되어 있고, 그 기류 조정부에 의해, 메인 챔버 (111) 로부터 서브 챔버 (110) 에 흐른 질소 화소가 배기 덕트 (110a) 에 흐르도록 되어 있다. 또한, 서브 챔버 (110) 의 반입구가 개구되었을 때에도, 대기가 배기 덕트 (110a) 측에 흐르도록 되어 있다.An exhaust duct 110a is connected to the sub-chamber 110, so that the atmosphere in the sub-chamber 110 is exhausted. Thereby, the internal pressure in the sub-chamber 110 is kept substantially constant. The sub-chamber 110 is provided with an air flow adjusting section (not shown). The air flow adjusting section allows a nitrogen pixel flowing from the main chamber 111 to the sub-chamber 110 to flow into the air exhaust duct 110a. Further, even when the inlet port of the sub-chamber 110 is opened, air is allowed to flow to the side of the exhaust duct 110a.

순환 기구 (150) 는 메인 챔버 (111) 내의 분위기를 기판 (G) 의 일단측으로부터 흡기한 분위기를 필터 (151) 에 투과시킴으로써 그 기판 (G) 의 타단측에 배출하도록 되어 있다 (도 3 참조). 필터 (151) 로는, HEPA 필터를 사용하고 있고, 이로써 내부 분위기 중에 함유된 이물질을 제거한 상태에서 메인 챔버 (111) 내에 순환시키도록 하고 있다.The circulation mechanism 150 is configured to discharge the atmosphere in the main chamber 111 to the other end side of the substrate G by transmitting the atmosphere inhaled from the one end side of the substrate G to the filter 151 ). As the filter 151, a HEPA filter is used so that the foreign substances contained in the internal atmosphere are removed and circulated in the main chamber 111.

승강 기구 (112) 는, Z 방향으로 이동할 수 있도록 형성되어 있다. 승강 기구 (112) 의 +Z 측에는, 예를 들어 복수의 지지 핀 (112a) 이 형성되어 있다. 복수의 지지 핀 (112a) 의 +Z 측의 단부는, 예를 들어 XY 평면과 평행한 동일면 내에 형성되어 있다. 이 때문에, 복수의 지지 핀 (112a) 에 의해 기판 (G) 이 XY 평면과 평행하게 지지되도록 되어 있다.The lifting mechanism 112 is formed so as to be movable in the Z direction. On the + Z side of the lifting mechanism 112, for example, a plurality of support pins 112a are formed. The end portions of the plurality of support pins 112a on the + Z side are formed, for example, in the same plane parallel to the XY plane. Therefore, the substrate G is supported by the plurality of support pins 112a in parallel with the XY plane.

승강 기구 (112) 는, 메인 챔버 (111) 내에 수용되는 기판 (G) 을 지지하면서, 당해 기판 (G) 을 메인 챔버 (111) 내의 Z 방향을 따라 승강시킬 수 있도록 되어 있다. 승강 기구 (112) 는, 예를 들어 로봇 아암 등에 의해 현상 유닛 (DV) 으로부터 반입된 기판 (G) 을 수취하기 위한 것이다. 승강 기구 (112) 는, 상승시킨 지지 핀 (112a) 사이의 간극에 로봇 아암을 삽입시킴으로써 로봇 아암과의 사이에서 기판 (G) 의 수수를 실시할 수 있다.The lifting mechanism 112 is capable of lifting the substrate G along the Z direction in the main chamber 111 while supporting the substrate G accommodated in the main chamber 111. [ The lifting mechanism 112 is for receiving the substrate G carried in from the developing unit DV by, for example, a robot arm or the like. The elevating mechanism 112 can carry the substrate G between the robot arm and the robot arm by inserting the robot arm into the gap between the raised support pins 112a.

가열 기구 (113) 는, 기판 (G) 을 가열한 상태에서 유지하는 핫 플레이트 (114) 를 주체로 구성되는 것이다. 핫 플레이트 (114) 에 있어서의 X 방향을 따른 단면에는, 후술하는 기판 이동 기구 (85) 의 일부를 이동시킬 수 있게 하는 홈부 (114a) 가 형성되어 있다 (도 3 참조). 또한, 핫 플레이트 (114) 의 표면 온도는 예를 들어 100 ℃ 로 설정되어 있다.The heating mechanism 113 is composed mainly of a hot plate 114 that holds the substrate G in a heated state. On the end face of the hot plate 114 along the X direction, a groove portion 114a is formed to allow a part of the substrate moving mechanism 85, which will be described later, to move (see Fig. 3). In addition, the surface temperature of the hot plate 114 is set at, for example, 100 占 폚.

제 2 예비실 (81) 은, 챔버 (121) 및 가열 기구 (123) 를 갖고 있다. 챔버 (121) 는, 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111) 와의 접속 부분에 기판 반입부 (122) 를 갖고 있고, 기판 반입부 (122) 는 셔터 구조에 의해 개폐할 수 있도록 되어 있다. 챔버 (121) 는 후술하는 소정 분위기에 있어서 기판 (G) 을 가열한 상태에서 수용하기 위한 것이다. 또한, 챔버 (121) 는 필터 (151) 를 개재하여 순환 기구 (150) 에 접속되어 있어, 내부 분위기가 순환되도록 되어 있다.The second reserve chamber (81) has a chamber (121) and a heating mechanism (123). The chamber 121 has a substrate carry-in portion 122 at a connection portion of the first reserve chamber 80 with the main chamber 111 and the substrate carry-in portion 122 can be opened and closed by a shutter structure . The chamber 121 is for accommodating the substrate G in a heated state in a predetermined atmosphere to be described later. Further, the chamber 121 is connected to the circulation mechanism 150 via the filter 151, so that the internal atmosphere is circulated.

가열 기구 (123) 는, 기판 (G) 을 가열한 상태에서 유지하는 핫 플레이트 (124) 를 주체로 구성되는 것이다. 핫 플레이트 (124) 에 있어서의 X 방향을 따른 단면에는, 후술하는 기판 이동 기구 (85) 의 일부를 이동시킬 수 있게 하는 홈부 (124a) 가 형성되어 있다 (도 3 참조). 또한, 핫 플레이트 (124) 의 표면 온도는 예를 들어 100 ℃ 로 설정되어 있다.The heating mechanism 123 is composed mainly of a hot plate 124 that holds the substrate G in a heated state. On the end surface of the hot plate 124 along the X direction, there is formed a groove portion 124a for moving a part of the substrate moving mechanism 85 described later (see FIG. 3). In addition, the surface temperature of the hot plate 124 is set at, for example, 100 占 폚.

제 3 예비실 (82) 은, 챔버 (131) 및 가열 기구 (133) 를 갖고 있다. 챔버 (131) 는, 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (111) 와의 접속 부분에 간격벽 (132) 을 갖고 있다. 또한, 간격벽 (132) 은 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 와 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 는 연통된 상태로 형성되어 있다. 챔버 (131) 는 후술하는 소정 분위기에 있어서 기판 (G) 을 가열한 상태에서 수용하기 위한 것이다. 또한, 챔버 (131) 는 필터 (151) 를 개재하여 순환 기구 (150) 에 접속되어 있어, 내부 분위기가 순환되도록 되어 있다.The third reserve chamber (82) has a chamber (131) and a heating mechanism (133). The chamber 131 has a spacing wall 132 at a connecting portion of the second preliminary chamber 81 with the chamber 111. The gap wall 132 is formed so that the chamber 131 of the third reserve chamber 82 and the chamber 121 of the second reserve chamber 81 are communicated with each other. The chamber 131 is for accommodating the substrate G in a heated state in a predetermined atmosphere to be described later. Further, the chamber 131 is connected to the circulation mechanism 150 through the filter 151, so that the internal atmosphere is circulated.

가열 기구 (133) 는, 기판 (G) 을 가열한 상태에서 유지하는 핫 플레이트 (134) 를 주체로 구성되는 것이다. 핫 플레이트 (134) 에 있어서의 X 방향을 따른 단면에는, 후술하는 기판 이동 기구 (85) 의 일부를 이동시킬 수 있게 하는 홈부 (134a) 가 형성되어 있다 (도 3 참조). 또한, 핫 플레이트 (134) 의 표면 온도는 예를 들어 100 ℃ 로 설정되어 있다.The heating mechanism 133 is composed mainly of a hot plate 134 that holds the substrate G in a heated state. On the end face of the hot plate 134 along the X direction, there is formed a groove portion 134a for moving a part of the substrate moving mechanism 85 described later (see Fig. 3). Further, the surface temperature of the hot plate 134 is set to, for example, 100 占 폚.

제 4 예비실 (83) 은, 서브 챔버 (140), 메인 챔버 (141), 승강 기구 (142) 및 가열 기구 (143) 를 갖고 있다. 서브 챔버 (140) 는 포스트베이크 유닛 (PB) 에 접속되어, 자외선 조사 처리 후의 기판 (G) 을 포스트베이크 유닛 (PB) 내에 반입하기 위한 것이다. 즉, 서브 챔버 (140) 는 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 을 반출하기 위한 기판 반출구를 구성하고 있다.The fourth reserve chamber 83 has a sub chamber 140, a main chamber 141, a lifting mechanism 142, and a heating mechanism 143. The sub-chamber 140 is connected to the post-baking unit PB for bringing the substrate G after the ultraviolet ray irradiation processing into the post-baking unit PB. That is, the sub-chamber 140 constitutes a substrate transfer port for transferring the substrate G from within the ultraviolet processing unit UV.

메인 챔버 (141) 는, 서브 챔버 (140) 와의 접속 부분에 기판 반입구 (141a) 를 갖고 있고, 그 기판 반입구 (141a) 는 도시 생략된 개폐 셔터에 의해 개폐할 수 있도록 되어 있다. 메인 챔버 (141) 는 자외선의 조사 처리가 실시된 기판 (G) 을 수용한다. 메인 챔버 (141) 는 후술하는 소정 분위기에 있어서 기판 (G) 을 가열한 상태에서 수용하기 위한 것이다. 또한, 메인 챔버 (141) 는 필터 (151) 를 개재하여 순환 기구 (150) 에 접속되어 있어, 내부 분위기가 순환되도록 되어 있다.The main chamber 141 has a substrate inlet opening 141a at a connection portion with the sub-chamber 140 and the substrate inlet opening 141a can be opened and closed by a not shown shutter. The main chamber 141 receives the substrate G on which the ultraviolet ray irradiation processing has been performed. The main chamber 141 is for accommodating the substrate G in a heated state in a predetermined atmosphere to be described later. Further, the main chamber 141 is connected to the circulation mechanism 150 via the filter 151, so that the internal atmosphere is circulated.

승강 기구 (142) 는, Z 방향으로 이동할 수 있도록 형성되어 있다. 승강 기구 (142) 의 +Z 측에는, 예를 들어 복수의 지지 핀 (142a) 이 형성되어 있다. 복수의 지지 핀 (142a) 의 +Z 측의 단부는, 예를 들어 XY 평면과 평행한 동일면 내에 형성되어 있다. 이 때문에, 복수의 지지 핀 (142a) 에 의해 기판 (G) 이 XY 평면과 평행하게 지지되도록 되어 있다.The lifting mechanism 142 is formed so as to be movable in the Z direction. On the + Z side of the lifting mechanism 142, for example, a plurality of support pins 142a are formed. The end portions of the plurality of support pins 142a on the + Z side are formed, for example, in the same plane parallel to the XY plane. Therefore, the substrate G is supported by the plurality of support pins 142a in parallel with the XY plane.

승강 기구 (142) 는, 메인 챔버 (141) 내에 수용되는 기판 (G) 을 지지하면서, 당해 기판 (G) 을 메인 챔버 (141) 내의 Z 방향을 따라 승강시킬 수 있도록 되어 있다. 승강 기구 (142) 는, 예를 들어 로봇 아암 등에 의해, 서브 챔버 (140) 를 개재하여 포스트베이크 유닛 (PB) 과의 사이에서 기판 (G) 의 수수를 실시하기 위한 것이다. 승강 기구 (112) 는, 상승시킨 지지 핀 (112a) 사이의 간극에 로봇 아암을 삽입시킴으로써 로봇 아암과의 사이에서 기판 (G) 의 수수를 실시할 수 있다.The lifting mechanism 142 is capable of lifting the substrate G along the Z direction in the main chamber 141 while supporting the substrate G accommodated in the main chamber 141. [ The lifting mechanism 142 is for carrying the substrate G to and from the post bake unit PB via a sub-chamber 140 by, for example, a robot arm or the like. The elevating mechanism 112 can carry the substrate G between the robot arm and the robot arm by inserting the robot arm into the gap between the raised support pins 112a.

가열 기구 (143) 는, 기판 (G) 을 가열한 상태에서 유지하는 핫 플레이트 (144) 를 주체로 구성되는 것이다. 핫 플레이트 (144) 에 있어서의 X 방향을 따른 단면에는, 후술하는 기판 이동 기구 (85) 의 일부를 이동시킬 수 있게 하는 홈부 (144a) 가 형성되어 있다 (도 3 참조). 또한, 핫 플레이트 (144) 의 표면 온도는 예를 들어 100 ℃ 로 설정되어 있다.The heating mechanism 143 is mainly composed of a hot plate 144 for holding the substrate G in a heated state. On the end surface of the hot plate 144 along the X direction, there is formed a groove portion 144a for allowing a part of the substrate moving mechanism 85, which will be described later, to move (see Fig. 3). Further, the surface temperature of the hot plate 144 is set at, for example, 100 占 폚.

자외선 처리실 (84) 은, 챔버 (161), 챔버 (161) 내의 기판 (G) 에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사부 (162), 가열 기구 (163) 및 챔버 (161) 내에 불활성 가스 (기체) 를 공급하는 가스 공급부 (165) 를 갖고 있다.The ultraviolet processing chamber 84 is provided with a chamber 161, an ultraviolet irradiating portion 162 for irradiating the substrate G in the chamber 161 with ultraviolet rays, a heating mechanism 163 and an inert gas (gas) in the chamber 161 And a gas supply unit 165 for supplying the gas.

챔버 (161) 는 자외선의 조사 처리가 실시되는 기판 (G) 을 수용한다. 자외선 조사부 (162) 는, X 방향을 따라 주사하면서 챔버 (161) 내의 기판 (G) 에 대하여 자외선을 조명하도록 챔버 (161) 의 상면에 장착되어 있다. 또한, 챔버 (161) 는, 도시 생략된 영역에 있어서 필터 (151) 를 개재하여 순환 기구 (150) 에 접속되어 있어, 내부 분위기가 순환되도록 되어 있다.The chamber 161 accommodates the substrate G on which the ultraviolet ray irradiation processing is performed. The ultraviolet irradiation unit 162 is mounted on the upper surface of the chamber 161 to illuminate the substrate G in the chamber 161 with ultraviolet rays while scanning along the X direction. In addition, the chamber 161 is connected to the circulation mechanism 150 via a filter 151 in an unillustrated area, so that the internal atmosphere is circulated.

챔버 (161) 는, 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 와의 접속 부분에 기판 반입부 (161a) 를 갖고 있고, 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (141) 와의 접속 부분에 기판 반출부 (161b) 를 갖고 있다. 이들 기판 반입부 (161a) 및 기판 반출부 (161b) 는 셔터 구조에 의해 개폐할 수 있도록 되어 있다.The chamber 161 is provided with a substrate carry-in portion 161a at the connection portion of the third reserve chamber 82 with the chamber 131 and a substrate holding portion 161a at the connection portion of the fourth reserve chamber 83 with the main chamber 141. [ And a carry-out section 161b. The substrate carry-in portion 161a and the substrate carry-out portion 161b can be opened and closed by a shutter structure.

자외선 조사부 (162) 는, 기판 (G) 에 조사하는 자외선을 조명한다. 자외선 조사부 (162) 는, 자외선을 조사하는 광원 (86) 을 갖고, 그 광원 (86) 이 기판 (G) 에 대하여 X 방향으로 주사될 수 있도록 구성되어 있다. 광원 (86) 으로는, 자외선 (예를 들어 i 선 등) 을 조사하는 광원이 사용되고 있다. 광원 (86) 으로서, 파장 340 ㎚ ∼ 420 ㎚ 의 범위의 자외선을 조사하는 메탈 할라이드 램프, LED 램프, 및 고압 수은 램프 등을 예시할 수 있다. 구체적으로 본 실시형태에서는, 고압 수은 램프를 채용하였다. 또한, 광원 (86) 에 소정 파장의 자외선만을 투과시키는 자외선 컷을 형성하고, 상기 i 선을 조사하도록 해도 상관없다. 광원 (86) 은, 상기 i 선을 조사함으로써, 기판 (G) 에 형성된 레지스트막 표면을 큐어하여, 레지스트 이후의 공정에 있어서 레지스트막에 열 등에 의한 처짐이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The ultraviolet ray irradiating unit 162 illuminates the ultraviolet rays irradiated to the substrate G. [ The ultraviolet ray irradiating unit 162 has a light source 86 that emits ultraviolet rays and the light source 86 is configured to be able to scan the substrate G in the X direction. As the light source 86, a light source for irradiating ultraviolet rays (e.g., i-line) is used. As the light source 86, a metal halide lamp, an LED lamp, and a high-pressure mercury lamp that emit ultraviolet rays in a wavelength range of 340 nm to 420 nm can be exemplified. Specifically, in the present embodiment, a high-pressure mercury lamp is employed. It is also possible to form an ultraviolet ray cut through the light source 86 to transmit only ultraviolet rays of a predetermined wavelength, and irradiate the i-line. The light source 86 can cure the surface of the resist film formed on the substrate G by irradiating the i-line, thereby preventing deflection of the resist film due to heat or the like in the process after the resist.

가열 기구 (163) 는 기판 (G) 을 가열한 상태에서 유지하는 핫 플레이트 (164) 를 주체로 구성되는 것이다. 핫 플레이트 (164) 에 있어서의 X 방향을 따른 단면에는, 후술하는 기판 이동 기구 (85) 의 일부를 이동시킬 수 있게 하는 홈부 (164a) 가 형성되어 있다. 또한, 핫 플레이트 (164) 의 표면 온도는 예를 들어 100 ℃ 로 설정되어 있다.The heating mechanism 163 is mainly composed of a hot plate 164 for holding the substrate G in a heated state. On the end surface of the hot plate 164 along the X direction, a groove portion 164a is formed to allow a part of the substrate moving mechanism 85, which will be described later, to move. Further, the surface temperature of the hot plate 164 is set at, for example, 100 占 폚.

가스 공급부 (165) 는, 챔버 (161) 내에 불활성 가스 (기체) 를 공급하기 위한 것이다. 상기 불활성 가스로는 질소 가스를 사용하는 것이 바람직하고, 가스 공급부 (165) 는 질소 가스를 챔버 (161) 내에 공급함으로써 저산소 상태 (탈산소 및 탈수분 상태) 로 유지하고 있다. 구체적으로 가스 공급부 (165) 는, 챔버 (161) 내의 산소 농도가 100 ppm 정도가 되도록 챔버 (161) 내에 질소 가스를 공급한다. 또한, 자외선 처리 유닛 (UV) 은, 장치의 시동시에, 처리실 (84) 이외의 예비실 (80 ∼ 83) 에도 도시 생략된 가스 공급부로부터 질소 가스를 도입하여, 예비실 (80 ∼ 83) 및 처리실 (84) 전체를 탈산소, 탈수분 상태로 유지하도록 하고 있다.The gas supply unit 165 is for supplying an inert gas (gas) into the chamber 161. The inert gas is preferably nitrogen gas, and the gas supply unit 165 maintains the nitrogen gas in a low oxygen state (deoxygenation and dehydration state) by supplying nitrogen gas into the chamber 161. Specifically, the gas supply unit 165 supplies nitrogen gas into the chamber 161 so that the oxygen concentration in the chamber 161 is about 100 ppm. The ultraviolet processing unit UV also introduces nitrogen gas from a gas supply unit (not shown) to the spare chambers 80 to 83 other than the process chamber 84 at the time of starting the apparatus, And the entire processing chamber 84 is maintained in a deoxygenated and dehydrated state.

상기 서술한 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111), 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121), 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131), 처리실 (84) 의 내부 압력은, 도시 생략된 압력 조정 기구에 의해 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 측에서부터 서브 챔버 (110) 측을 향하여 점차 낮아지도록 설정되어 있다. 또한, 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (141) 의 내부 압력은, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 보다 낮게 설정되어 있다. 즉, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 는, 다른 챔버 (111, 121, 131, 141) 에 대하여 정압 (正壓) 상태로 되어 있다.The pressure in the main chamber 111 of the first reserve chamber 80, the chamber 121 of the second reserve chamber 81, the chamber 131 of the third reserve chamber 82, Is set to gradually decrease from the chamber 161 side of the ultraviolet processing chamber 84 toward the sub-chamber 110 side by a pressure adjusting mechanism (not shown). The internal pressure of the main chamber 141 of the fourth reserve chamber 83 is set lower than that of the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84. That is, the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 is in a positive pressure state with respect to the other chambers 111, 121, 131, and 141.

이 구성에 기초하여, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내로 가스 공급부 (165) 에 의해 공급된 질소 가스는, 챔버 (161) 내에 기판 (G) 을 반입할 때에 기판 반입부 (161a) 의 셔터가 열리면 상대적으로 압력이 낮은 챔버 (131) 및 그 챔버 (131) 에 연통하는 챔버 (121) 내로 유입되도록 되어 있다. 또한, 챔버 (121) 내의 질소 가스는, 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111) 로부터 챔버 (121) 내에 기판 (G) 을 반입할 때에 기판 반입부 (122) 의 셔터가 열리면 상대적으로 압력이 낮은 메인 챔버 (111) 내로 유입되도록 되어 있다. 또한, 챔버 (161) 내의 질소 가스는, 챔버 (161) 내로부터 기판 (G) 을 반출할 때에 기판 반입부 (161a) 의 셔터가 열리면 상대적으로 압력이 낮은 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (111) 내로 유입되도록 되어 있다.The nitrogen gas supplied by the gas supply unit 165 into the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 is supplied to the chamber 161 from the substrate transfer unit 161a when the substrate G is carried into the chamber 161. [ When the shutter is opened, the chamber 131 is relatively inflowed into the chamber 131 and the chamber 121 communicating with the chamber 131. The nitrogen gas in the chamber 121 can be reliably introduced into the chamber 121 when the shutter of the substrate carry-in part 122 is opened when the substrate G is carried into the chamber 121 from the main chamber 111 of the first reserve chamber 80 So that the pressure is introduced into the main chamber 111 with low pressure. The nitrogen gas in the chamber 161 is supplied to the main chamber of the fourth reserve chamber 83 having a relatively low pressure when the shutter of the substrate loading portion 161a is opened when the substrate G is carried out from the chamber 161. [ (Not shown).

이로써, 챔버 (161) 측에 가까운 챔버 (141, 131, 121, 111) 순으로 산소 농도가 낮은 상태가 유지되도록 되어 있다.Thus, the state of low oxygen concentration is maintained in the order of the chambers 141, 131, 121, and 111 close to the chamber 161 side.

구체적으로 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111) 의 산소 농도는, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 의 산소 농도를 100 ％ 로 하였을 때의 70 ％ 정도로 설정되고, 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 의 산소 농도는 80 ％ 정도, 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 및 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (141) 의 산소 농도는 90 ％ 정도로 설정되어 있다.Specifically, the oxygen concentration in the main chamber 111 of the first reserve chamber 80 is set to about 70% of the oxygen concentration in the chamber 161 of the ultraviolet treatment chamber 84, assuming that the oxygen concentration is 100% The oxygen concentration in the chamber 131 of the third reserve chamber 82 and the oxygen concentration of the main chamber 141 of the fourth reserve chamber 83 are set to about 80% .

도 4 에 나타내는 바와 같이 기판 이동 기구 (85) 는, 기판 유지 부재 (170) 와, 그 기판 유지 부재 (170) 를 가이드하는 가이드부 (171) 와, 가이드부 (171) 를 따라 기판 유지 부재 (170) 를 구동시키는 구동 기구 (172) 를 갖고 있다. 기판 유지 부재 (170) 는, 기판 (G) 의 Y 방향에 있어서의 양 단부의 이면측을 유지하는 유지부 (170a) 를 갖는다. 또한, 기판 유지 부재 (170) 는, 동시에 4 장의 기판 (G) 을 유지할 수 있는 크기를 갖고 있다. 가이드부 (171) 는 예비실 (80 ∼ 83) 및 자외선 처리실 (84) 사이의 각 챔버를 연통한 상태로 형성되어 있다. 기판 유지 부재 (170) 는 구동 기구 (172) 에 의해 X 방향 및 Z 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.4, the substrate moving mechanism 85 includes a substrate holding member 170, a guide portion 171 for guiding the substrate holding member 170, and a substrate holding member 170 And a drive mechanism 172 for driving the drive wheels 172 and 170. The substrate holding member 170 has a holding portion 170a for holding the back side of both ends of the substrate G in the Y direction. Further, the substrate holding member 170 has a size capable of holding four substrates G at the same time. The guide portion 171 is formed in a state in which the chambers between the preparatory chambers 80 to 83 and the ultraviolet treatment chamber 84 communicate with each other. The substrate holding member 170 is capable of moving in the X and Z directions by the driving mechanism 172.

이와 같은 구성에 기초하여, 기판 이동 기구 (85) 는, 기판 유지 부재 (170) 를 X 방향으로 이동시킴으로써 복수 (최대로 4 장) 의 기판 (G) 을 동시에 각 챔버 (111, 121, 131, 161, 141) 내에서 이동시킬 수 있도록 되어 있다. 이로써, 자외선 처리 유닛 (UV) 내를 통과하는 기판 (G) 의 택트를 단축시킬 수 있다.Based on such a configuration, the substrate moving mechanism 85 moves the substrate holding member 170 in the X direction so that a plurality of (at most four) substrates G are simultaneously moved to the chambers 111, 121, 131, 161, and 141, respectively. Thus, the tact of the substrate G passing through the ultraviolet processing unit UV can be shortened.

도 2 에 나타낸 바와 같이 기판 유지 부재 (170) 는, 유지부 (170a) 가 핫 플레이트 (114) 의 홈부 (114a), 핫 플레이트 (124) 의 홈부 (124a), 핫 플레이트 (134) 의 홈부 (134a), 및 핫 플레이트 (144) 의 홈부 (144a) 내를 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 상기 핫 플레이트 (114, 124, 134, 144, 164) 각각에는, 상기 홈 (114a, 124a, 134a, 144a, 164a) 에 연통하는 절결 (114b, 124b, 134b, 144b, 164b) (이하, 절결 (114b ∼ 164b) 이라고 하는 경우도 있다) 이 각각 형성되어 있다.As shown in Fig. 2, the substrate holding member 170 is configured such that the holding portion 170a contacts the groove portion 114a of the hot plate 114, the groove portion 124a of the hot plate 124, 134a, and the groove portion 144a of the hot plate 144, respectively. Each of the hot plates 114, 124, 134, 144, and 164 is provided with cutouts 114b, 124b, 134b, 144b, and 164b Are also referred to as cutouts 114b to 164b).

구동 기구 (172) 는, 상기 절결 (114b ∼ 164b) 을 개재하여 기판 유지 부재 (170) 의 유지부 (170a) 를 핫 플레이트 (114 ∼ 164) 의 상방에 돌출시킬 수 있도록 되어 있다.The driving mechanism 172 is capable of projecting the holding portion 170a of the substrate holding member 170 above the hot plates 114 to 164 via the cutouts 114b to 164b.

한편, 기판 (G) 을 유지한 기판 유지 부재 (170) 의 유지부 (170a) 는, 각 절결 (114b ∼ 164b) 을 개재하여 하강함으로써 각 핫 플레이트 (114 ∼ 164) 내에 수용되는 것에 의해 대응하는 핫 플레이트에 기판 (G) 을 양호하게 재치 (載置) 할 수 있다. 이와 같은 구성에 기초하여, 기판 유지 부재 (170) 는 핫 플레이트 (114 ∼ 164) 와의 사이에서 기판 (G) 의 수수 또는 수취를 실시할 수 있도록 되어 있다.On the other hand, the holding portion 170a of the substrate holding member 170 holding the substrate G is accommodated in each of the hot plates 114 to 164 by falling through the notches 114b to 164b, The substrate G can be well placed on the hot plate. Based on such a configuration, the substrate holding member 170 can transfer or receive the substrate G to / from the hot plates 114 to 164.

이상과 같이 구성된 기판 처리 장치 (SPA) 를 사용하는 기판 처리 방법을 설명한다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus (SPA) configured as described above will be described.

먼저, 기판 (G) 이 수용된 카세트 (C) 를 로더·언로더 (LU) 의 카세트 대기부 (10) 에 로드한다. 카세트 (C) 내의 기판 (G) 은, 반송 기구 (11) 를 개재하여 스크러버 유닛 (SR) 에 반송된다.First, the cassette C containing the substrate G is loaded on the cassette-waiting portion 10 of the loader / unloader LU. The substrate G in the cassette C is conveyed to the scrubber unit SR via the conveying mechanism 11. [

스크러버 유닛 (SR) 에 반송된 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV1) 를 개재하여 드라이 세정 장치 (41) 에 반송된다. 이 기판 (G) 은, 드라이 세정 장치 (41), 웨트 세정 장치 (42) 및 에어나이프 장치 (43) 순으로 처리된다. 에어나이프 장치 (43) 로부터 반출된 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV2) 를 개재하여 탈수 베이크 유닛 (DH) 으로 반송된다.The substrate G conveyed to the scrubber unit SR is conveyed to the dry-cleaning apparatus 41 via the conveyor mechanism CV1. The substrate G is processed in the order of the dry cleaning device 41, the wet cleaning device 42 and the air knife device 43 in this order. The substrate G taken out from the air knife device 43 is conveyed to the dewatering bake unit DH via the conveyor mechanism CV2.

탈수 베이크 유닛 (DH) 에서는, 먼저 가열 장치 (44) 에 의해 기판 (G) 의 가열 처리가 실시된다. 가열 후의 기판 (G) 은, 예를 들어 Z 방향으로 반송되어, HMDS 장치 (46) 에 있어서 HMDS 가스에 의한 처리가 실시된다. HMDS 처리 후의 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR1) 에 의해 냉각 장치 (45) 에 반송되어, 냉각 처리가 실시된다. 냉각 처리 후의 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV4) 에 의해 도포 유닛 (CT) 에 반송된다.In the dehydration bake unit DH, the substrate G is first subjected to the heat treatment by the heating device 44. The substrate G after the heating is transported in the Z direction, for example, and the HMDS device 46 performs the treatment with the HMDS gas. The substrate G after HMDS processing is transported to the cooling device 45 by the transport mechanism TR1, and subjected to a cooling process. The substrate G after the cooling process is conveyed to the coating unit CT by the conveyor mechanism CV4.

그 후, 기판 (G) 은 도포 유닛 (CT) 에 있어서 레지스트막의 도포 처리가 실시된다. 도포 처리 후의 기판 (G) 은 프리베이크 유닛 (PR) 에 반송되어, 가열 장치 (50) 에 있어서 프리베이크 처리가 실시되고, 냉각 장치 (51) 에 있어서 냉각 처리가 실시된다. 프리베이크 유닛 (PR) 에서의 처리를 완료시킨 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR2) 에 의해 인터페이스부 (IF) 에 반송된다.Thereafter, the substrate G is subjected to a coating treatment of the resist film in the coating unit CT. The substrate G after the coating treatment is conveyed to the prebaking unit PR, the prebaking treatment is performed in the heating device 50, and the cooling process is performed in the cooling device 51. [ The substrate G that has been processed in the pre-bak unit PR is transported to the interface unit IF by the transport mechanism TR2.

인터페이스부 (IF) 에서는, 예를 들어 버퍼 장치 (52) 에 있어서 온도 조정이 이루어진 후, 주변 노광 장치 (EE) 에 있어서 주변 노광이 실시된다. 주변 노광 후, 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR3) 에 의해 노광 장치 (EX) 에 반송되어, 노광 처리가 실시된다. 노광 처리 후의 기판 (G) 은, 가열 처리 및 냉각 처리가 실시된 후, 현상 유닛 (DV) 에 반송된다.In the interface unit IF, ambient temperature is adjusted in the buffer device 52, for example, and ambient exposure is performed in the peripheral exposure apparatus EE. After peripheral exposure, the substrate G is transported to the exposure apparatus EX by the transport mechanism TR3, and subjected to exposure processing. The substrate G after the exposure process is subjected to the heating process and the cooling process, and then is returned to the developing unit DV.

현상 유닛 (DV) 에 있어서, 기판 (G) 에는 현상 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 순서대로 실시된다. 건조 처리 후, 컨베이어 기구 (CV10) 에 의해 기판 (G) 은 자외선 처리 유닛 (UV) 으로 반송된다.In the developing unit DV, development processing, rinsing processing, and drying processing are sequentially performed on the substrate G. [ After the drying process, the substrate G is conveyed by the conveyor mechanism CV10 to the ultraviolet processing unit UV.

또한, 이하에서는, 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 반입된 1 장의 기판 (G) 이 각 챔버 사이를 이동하는 공정에 대하여 설명한다.In the following, the process of moving one substrate G carried in the ultraviolet processing unit UV between the chambers will be described.

먼저, 처음으로 자외선 처리 유닛 (UV) 에서는, 서브 챔버 (110) (기판 반입구 (111a)) 를 개재하여 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111) 내로 도시 생략된 로봇 아암에 의해 기판 (G) 이 반송된다. 이 때, 승강 기구 (112) 는 지지 핀 (112a) 을 +Z 측으로 이동시켜, 로봇 아암의 높이보다 높은 위치 (+Z 측의 위치) 까지 기판 (G) 을 들어올린다. 이로써, 로봇 아암으로부터 지지 핀 (112a) 으로 기판 (G) 이 수수된다. 기판 (G) 의 수수 후, 로봇 아암을 메인 챔버 (111) 내로부터 퇴피시키고, 메인 챔버 (111) 를 밀폐한다.First, in the ultraviolet ray processing unit (UV), a robot arm (not shown) is inserted into the main chamber 111 of the first preliminary chamber 80 via the sub chamber 110 (substrate inlet port 111a) (G) is transported. At this time, the lifting mechanism 112 moves the support pin 112a to the + Z side to lift the substrate G to a position higher than the height of the robot arm (position on the + Z side). Thereby, the substrate G is transferred from the robot arm to the support pin 112a. After transfer of the substrate G, the robot arm is retracted from the main chamber 111 and the main chamber 111 is sealed.

기판 (G) 을 수취한 후, 승강 기구 (112) 는 지지 핀 (112a) 을 하강시킴으로써 기판 (G) 을 핫 플레이트 (114) 상에 재치한다. 기판 (G) 은 핫 플레이트 (114) 에 의해 100 ℃ 에서 가열된다. 이와 같이 제 1 예비실 (80) 내에 있어서 기판 (G) 을 미리 가열함으로써 자외선 처리실 (84) 내에 있어서 기판 (G) 을 소정 온도까지 단시간에 가열할 수 있다. 또한, 챔버 (111) 내는, 순환 기구 (150) 에 의해 내부 분위기가 필터 (151) 를 개재하여 순환되기 때문에, 깨끗한 분위기가 안정적으로 유지되고 있다 (도 5 참조). 또한, 도 5 는 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 내에 있어서의 내부 분위기의 순환 상태를 나타내는 것이기는 하지만, 제 1 예비실 (80) 의 챔버 (111) 내에 있어서도 동일하다. 구체적으로 챔버 (111) 내의 내부 분위기는 챔버 (121) 의 측방의 하부에 형성된 분위기 도입부 (125) 를 개재하여 순환 기구 (150) 로 유도되도록 되어 있다. 내부 분위기는 분위기 도입부 (125) 를 개재하여 상방으로 유도되는 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들어 내부 분위기 중에 승화물 등의 이물질이 포함된 경우에 그 이물질은 분위기 도입부 (125) 에 형성된 도시 생략된 필터 등에 의해 포획될 수 있다. 따라서, 순환 기구 (150) 에 대하여 이물질을 제거한 기체를 공급할 수 있다.After receiving the substrate G, the elevating mechanism 112 places the substrate G on the hot plate 114 by lowering the support pin 112a. The substrate G is heated by the hot plate 114 at 100 占 폚. The substrate G can be heated to a predetermined temperature in a short time in the ultraviolet processing chamber 84 by preliminarily heating the substrate G in the first preliminary chamber 80. [ In the chamber 111, the inner atmosphere is circulated through the filter 151 by the circulation mechanism 150, so that a clean atmosphere is stably maintained (see Fig. 5). 5 shows the circulation state of the internal atmosphere in the chamber 121 of the second preliminary chamber 81. The same holds true in the chamber 111 of the first preliminary chamber 80 as well. Concretely, the internal atmosphere in the chamber 111 is guided to the circulation mechanism 150 via the atmosphere introduction part 125 formed at the lower side of the chamber 121. The inner atmosphere is guided upward through the atmosphere introducing portion 125. Therefore, when foreign substances such as a sludge are contained in the internal atmosphere, the foreign substances are not formed in the atmosphere introducing portion 125 Filter or the like. Therefore, it is possible to supply the circulation mechanism 150 with the gas from which foreign matter has been removed.

기판 (G) 을 핫 플레이트 (114) 에 의해 소정 시간 가열한 후, 구동 기구 (172) 는 절결 (114b) 을 개재하여 핫 플레이트 (114) 내에 수용되어 있는 기판 유지 부재 (170) 의 유지부 (170a) 를 +Z 방향으로 상승시킨다.After the substrate G is heated by the hot plate 114 for a predetermined time, the driving mechanism 172 is moved to the holding portion (not shown) of the substrate holding member 170 accommodated in the hot plate 114 via the cutout 114b 170a in the + Z direction.

이로써, 핫 플레이트 (114) 에 유지되어 있던 기판 (G) 은 유지부 (170a) 에 의해 핫 플레이트 (114) 의 상방으로 들어올려진다.As a result, the substrate G held by the hot plate 114 is lifted above the hot plate 114 by the holding portion 170a.

계속해서, 구동 기구 (172) 는, 기판 유지 부재 (170) 를 사용하여 기판 (G) 을 제 1 예비실 (80) 내로부터 제 2 예비실 (81) 내로 이동시킨다. 자외선 처리 유닛 (UV) 에서는, 기판 유지 부재 (170) 가 4 개의 기판 (G) 을 동시에 재치할 수 있는 크기를 갖고 있기 때문에 인접하는 챔버 사이에 있어서 기판 (G) 을 이동시킬 때, 기판 유지 부재 (170) 가 일체로 이동하는 구성으로 되어 있다. 그 때문에, 기판 반입부 (122), 기판 반입부 (161a), 기판 반출부 (161b) 의 셔터를 동시에 엶으로써, 구동 기구 (172) 가 기판 유지 부재 (170) 를 X 방향을 따라 이동할 수 있는 구성으로 하고 있다.Subsequently, the drive mechanism 172 moves the substrate G from the first preliminary chamber 80 into the second preliminary chamber 81 by using the substrate holding member 170. Subsequently, In the ultraviolet processing unit UV, since the substrate holding member 170 has a size capable of simultaneously mounting the four substrates G, when the substrate G is moved between adjacent chambers, (170) are integrally moved. Therefore, by simultaneously closing the shutters of the substrate carry-in unit 122, the substrate carry-in unit 161a and the substrate carry-out unit 161b, the drive mechanism 172 can move the substrate holding member 170 along the X direction .

기판 (G) 을 유지한 기판 유지 부재 (170) 는, 구동 기구 (172) 에 의해 -X 방향으로 이동하여, 기판 반입부 (122) 를 개재하여 제 2 예비실 (81) 내에 기판 (G) 을 반입한다. 구동 기구 (172) 는, 절결 (124b) 과 유지부 (170a) 가 Z 방향에서 보아 겹치는 위치까지 기판 유지 부재 (170) 를 이동시키고, 기판 유지 부재 (170) 의 유지부 (170a) 를 하강시킴으로써 유지부 (170a) 를 홈부 (124a) 내에 수용한다. 이로써, 기판 (G) 은, 기판 유지 부재 (170) 로부터 핫 플레이트 (124) 로 수수된다. 기판 (G) 은 핫 플레이트 (124) 에 의해 100 ℃ 에서 가열된다.The substrate holding member 170 holding the substrate G is moved in the -X direction by the driving mechanism 172 to move the substrate G in the second preliminary chamber 81 via the substrate carrying- . The drive mechanism 172 moves the substrate holding member 170 to a position where the notch 124b and the holding portion 170a overlap each other in the Z direction and moves down the holding portion 170a of the substrate holding member 170 And the holding portion 170a is accommodated in the groove portion 124a. As a result, the substrate G is transferred from the substrate holding member 170 to the hot plate 124. The substrate G is heated by the hot plate 124 at 100 占 폚.

이와 같이 제 2 예비실 (81) 내에 있어서 기판 (G) 을 미리 가열함으로써 자외선 처리실 (84) 내에 있어서 기판 (G) 을 소정 온도까지 단시간에 가열할 수 있다.The substrate G can be heated to a predetermined temperature in a short time in the ultraviolet processing chamber 84 by preliminarily heating the substrate G in the second preliminary chamber 81. [

또한, 챔버 (121) 내는, 순환 기구 (150) 에 의해 내부 분위기가 필터 (151) 를 개재하여 순환되기 때문에, 깨끗한 분위기가 안정적으로 유지되고 있다 (도 5 참조). 기판 유지 부재 (170) 는, 구동 기구 (172) 에 의해, 기판 (G) 을 핫 플레이트 (124) 에 수수한 후, 홈부 (124a) 내를 지나 초기 위치로 되돌아간다. 이와 같이 기판 유지 부재 (170) 는, 핫 플레이트 (124) 의 홈부 (124a) 내를 이동함으로써 이동에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.Further, the inside atmosphere of the chamber 121 is circulated through the filter 151 by the circulation mechanism 150, so that a clean atmosphere is stably maintained (see Fig. 5). The substrate holding member 170 moves the substrate G to the initial position after passing through the groove portion 124a after the substrate G is transferred to the hot plate 124 by the drive mechanism 172. [ Thus, the substrate holding member 170 can move within the groove portion 124a of the hot plate 124 to shorten the time required for the movement.

또한, 기판 유지 부재 (170) 를 초기 위치로 되돌리는 타이밍에, 서브 챔버 (110) (기판 반입구 (111a)) 를 개재하여 제 1 예비실 (80) 의 메인 챔버 (111) 내에는 로봇 아암 (도시 생략) 에 의해 다른 기판 (G) 이 순차적으로 반송되고 있다. 이 다른 기판은, 먼저 반입되어 있는 기판 (G) 과 동일하게, 제 2 예비실 (81), 제 3 예비실 (82), 자외선 처리실 (84), 제 4 예비실 (83) 을 거쳐 자외선 처리 유닛 (UV) 으로부터 반출되도록 되어 있다. 즉, 본 실시형태에 관련된 자외선 처리 유닛 (UV) 에 의하면, 동시에 4 장의 기판 (G) 을 인접하는 챔버 사이에서 반송할 수 있도록 되어 있다.In the main chamber 111 of the first reserve chamber 80 via the sub-chamber 110 (substrate inlet port 111a) at the timing of returning the substrate holding member 170 to the initial position, (Not shown), the other substrate G is successively transported. This other substrate is irradiated with ultraviolet rays through the second preliminary chamber 81, the third preliminary chamber 82, the ultraviolet processing chamber 84, and the fourth preliminary chamber 83, And is taken out from the unit (UV). That is, according to the ultraviolet processing unit UV according to the present embodiment, four substrates G can be transported between adjacent chambers at the same time.

기판 (G) 을 핫 플레이트 (124) 에 의해 소정 시간 가열한 후, 구동 기구 (172) 는 절결 (124b) 을 개재하여 유지부 (170a) 를 +Z 방향으로 상승시킴으로써 핫 플레이트 (124) 의 상방으로 기판 (G) 을 들어올린다. 그리고, 구동 기구 (172) 는 기판 유지 부재 (170) 를 -X 방향으로 이동시킴으로써 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 내의 기판 (G) 을 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 내로 이동시킨다.After the substrate G is heated by the hot plate 124 for a predetermined time, the driving mechanism 172 raises the holding portion 170a in the + Z direction via the cutout 124b, The substrate G is lifted. The drive mechanism 172 moves the substrate G in the chamber 121 of the second preliminary chamber 81 to the chamber 131 of the third preliminary chamber 82 by moving the substrate holding member 170 in the- ).

구동 기구 (172) 는, 절결 (134b) 을 개재하여 기판 유지 부재 (170) (유지부 (170a)) 를 홈부 (134a) 에 수용함으로써 기판 (G) 을 제 3 예비실 (82) 의 핫 플레이트 (134) 에 수수한다. 구동 기구 (172) 는 기판 유지 부재 (170) 를 초기 위치까지 되돌린다. 이와 같이 기판 유지 부재 (170) 는, 핫 플레이트 (134) 의 홈부 (134a) 내를 이동함으로써 이동에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.The drive mechanism 172 is a mechanism in which the substrate G is accommodated in the groove portion 134a by the substrate holding member 170 (the holding portion 170a) via the cutout 134b, (134). The driving mechanism 172 returns the substrate holding member 170 to the initial position. As described above, the substrate holding member 170 can move within the groove portion 134a of the hot plate 134 to shorten the time required for the movement.

기판 (G) 은 핫 플레이트 (134) 에 의해 소정 시간 100 ℃ 에서 가열된다. 이와 같이 제 3 예비실 (82) 내에 있어서 기판 (G) 을 미리 가열함으로써 자외선 처리실 (84) 내에 있어서 기판 (G) 을 소정 온도까지 단시간에 가열할 수 있다.The substrate G is heated by the hot plate 134 at 100 DEG C for a predetermined time. The substrate G can be heated to a predetermined temperature in a short time in the ultraviolet processing chamber 84 by preliminarily heating the substrate G in the third reserve chamber 82. [

또한, 챔버 (131) 내는, 순환 기구 (150) 에 의해 내부 분위기가 필터 (151) 를 개재하여 순환되기 때문에, 깨끗한 분위기가 안정적으로 유지되고 있다 (도 5 참조).In the chamber 131, the inner atmosphere is circulated through the filter 151 by the circulation mechanism 150, so that a clean atmosphere is stably maintained (see Fig. 5).

또한, 제 1 예비실 (80) 내의 핫 플레이트 (114) 에 다른 기판 (G) 이 재치되어 있는 경우에 있어서는, 제 2 예비실 (81) 내로부터 제 3 예비실 (82) 내로 기판 (G) 이 반송되는 타이밍과 동시에, 기판 유지 부재 (170) 에 의해 다른 기판 (G) 이 제 1 예비실 (80) 내로부터 제 2 예비실 (81) 내로 반송된다.When another substrate G is placed on the hot plate 114 in the first preliminary chamber 80, the substrate G is transferred from the second preliminary chamber 81 into the third preliminary chamber 82, The other substrate G is transported from the first preliminary chamber 80 into the second preliminary chamber 81 by the substrate holding member 170 at the same time as the substrate W is transported.

기판 (G) 을 핫 플레이트 (134) 에 의해 소정 시간 가열한 후, 구동 기구 (172) 는 절결 (134b) 을 개재하여 유지부 (170a) 를 +Z 방향으로 상승시킴으로써 핫 플레이트 (134) 의 상방으로 기판 (G) 을 들어올린다. 그리고, 구동 기구 (172) 는 기판 유지 부재 (170) 를 -X 방향으로 이동시킴으로써 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 내의 기판 (G) 을 기판 반입부 (161a) 를 개재하여 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내로 이동시킨다.After the substrate G is heated for a predetermined time by the hot plate 134, the driving mechanism 172 raises the holding portion 170a in the + Z direction via the cutout 134b, The substrate G is lifted. The driving mechanism 172 moves the substrate G in the chamber 131 of the third preliminary chamber 82 to the ultraviolet processing chamber 162 via the substrate loading portion 161a by moving the substrate holding member 170 in the- Into the chamber 161 of the chamber 84.

구동 기구 (172) 는, 절결 (164b) 을 개재하여 기판 유지 부재 (170) (유지부 (170a)) 를 홈부 (164a) 에 수용함으로써 기판 (G) 을 자외선 처리실 (84) 의 핫 플레이트 (164) 에 수수한다. 구동 기구 (172) 는 기판 유지 부재 (170) 를 초기 위치까지 되돌린다. 이와 같이 기판 유지 부재 (170) 는, 핫 플레이트 (164) 의 홈부 (164a) 내를 이동함으로써 이동에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.The drive mechanism 172 is a mechanism in which the substrate G is accommodated in the hot plate 164 of the ultraviolet processing chamber 84 by accommodating the substrate holding member 170 (holding portion 170a) in the groove portion 164a via the notch 164b. ). The driving mechanism 172 returns the substrate holding member 170 to the initial position. Thus, the substrate holding member 170 can move within the groove portion 164a of the hot plate 164 to shorten the time required for the movement.

이상에 의해, 자외선 처리실 (84) 로의 기판 (G) 의 반입 동작이 완료된다.Thus, the carrying-in operation of the substrate G into the ultraviolet processing chamber 84 is completed.

그런데, 자외선 처리 유닛 (UV) 내에서 기판 (G) 의 반입이 이루어지면, 서브 챔버 (110, 140) 를 개재하여 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 외기가 들어가, 자외선 처리 유닛 (UV) 내부의 산소 농도가 상승할 가능성이 있다. 특히 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내의 산소 농도가 상승하면 기판 (G) 의 표면에 있어서 화학 반응이 발생하여, 불순물이 생성됨으로써 자외선 조사 처리를 양호하게 실시할 수 없게 되어 버릴 가능성이 있다.When the substrate G is carried in the ultraviolet processing unit UV, the outside air enters into the ultraviolet processing unit UV via the sub-chambers 110 and 140 and oxygen in the ultraviolet processing unit UV There is a possibility that the concentration increases. Particularly, when the oxygen concentration in the chamber 161 of the ultraviolet ray treatment chamber 84 rises, a chemical reaction occurs on the surface of the substrate G, and impurities are generated, so that there is a possibility that the ultraviolet ray irradiation treatment can not be performed well .

이에 반해, 본 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 와 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 기판 (G) 을 반입하기 위한 기판 반입구를 이루는 서브 챔버 (110) 사이에 제 1 예비실 (80) 내지 제 3 예비실 (82) 을 형성하고 있다.In contrast, in the present embodiment, as described above, between the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 and the sub chambers 110 constituting the substrate reflux port for bringing the substrate G into the ultraviolet processing unit UV The first preliminary chamber 80 to the third preliminary chamber 82 are formed.

이것에 의하면, 자외선 처리 유닛 (UV) 에 대하여 기판 (G) 의 반입을 실시한 경우라 하더라도, 상기 제 1 예비실 (80) 내지 제 3 예비실 (82) 에 의해 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내의 분위기가 변동하는 것을 방지할 수 있어, 챔버 (161) 내를 소정 분위기 (저산소 분위기) 로 유지할 수 있다.Even when the substrate G is carried into the ultraviolet processing unit UV, the first preliminary chamber 80 to the third preliminary chamber 82 can be used to transfer the substrate G to the chamber (not shown) of the ultraviolet processing chamber 84 161 can be prevented from fluctuating and the inside of the chamber 161 can be maintained in a predetermined atmosphere (low oxygen atmosphere).

구체적으로 기판 (G) 의 반입시에 기판 반입부 (161a) 의 셔터가 열리면, 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 내에는 상대적으로 내부 압력이 높은 상태 (정압 상태) 로 되는 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내로부터 질소 가스가 유입됨으로써 산소 농도가 낮은 상태 (챔버 (161) 의 산소 농도의 90 ％ 정도) 로 유지된다. 또한, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 는, 가스 공급부 (165) 에 의해 질소 가스가 공급됨으로써 소정의 저산소 분위기로 유지할 수 있다.Specifically, when the shutter of the substrate carrying-in section 161a is opened at the time of carrying the substrate G, the chamber 131 of the third reserve chamber 82 is filled with the ultraviolet ray, which is relatively high in the internal pressure (About 90% of the oxygen concentration in the chamber 161) by the introduction of nitrogen gas from the chamber 161 of the chamber 84. The chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 can be maintained in a predetermined low-oxygen atmosphere by supplying nitrogen gas by the gas supply unit 165.

또한, 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 와 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 는 연통되어 있기 때문에 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 내에는 상대적으로 내부 압력이 높은 상태 (정압 상태) 로 되는 제 3 예비실 (82) 의 챔버 (131) 내로부터 질소 가스가 유입됨으로써 산소 농도가 낮은 상태 (챔버 (161) 의 산소 농도의 80 ％ 정도) 로 유지된다.Since the chamber 131 of the third reserve chamber 82 and the chamber 121 of the second reserve chamber 81 are communicated with each other, the chamber 121 of the second reserve chamber 81 is relatively filled with the internal pressure (Approximately 80% of the oxygen concentration in the chamber 161) due to the introduction of nitrogen gas from the chamber 131 of the third reserve chamber 82, which is in a high state (constant pressure state).

또한, 기판 (G) 의 반입시에 기판 반입부 (122) 의 셔터가 열리면, 제 1 예비실 (80) 의 챔버 (111) 내에는 상대적으로 내부 압력이 높은 상태 (정압 상태) 로 되는 제 2 예비실 (81) 의 챔버 (121) 내로부터 질소 가스가 유입됨으로써 산소 농도가 낮은 상태 (챔버 (161) 의 산소 농도의 70 ％ 정도) 로 유지된다.When the shutter of the substrate loading portion 122 is opened at the time of loading the substrate G into the chamber 111 of the first preliminary chamber 80, The nitrogen concentration is kept low (about 70% of the oxygen concentration in the chamber 161) by the introduction of the nitrogen gas from the chamber 121 of the reserve chamber 81.

이와 같이 본 실시형태에 있어서는, 기판 (G) 을 자외선 처리 유닛 (UV) 내에 반입한 경우라 하더라도, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내를 소정 분위기로 유지할 수 있다.As described above, in the present embodiment, even when the substrate G is carried into the ultraviolet processing unit UV, the inside of the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 can be maintained in a predetermined atmosphere.

기판 (G) 이 반입된 후, 자외선 처리실 (84) 은, 핫 플레이트 (164) 에 의해 가열되는 기판 (G) 에 대하여 자외선 조사부 (162) 의 광원 (86) 으로부터 자외선 (i 선) 을 조사한다. 여기서, 챔버 (161) 내는 상기 서술한 바와 같이 가스 공급부 (165) 에 의해 질소 가스가 공급됨으로써 저산소 상태로 되어 있기 때문에, 기판 (G) 에 형성된 현상 패턴에 화학 변화 등을 발생시키지 않고, 양호하게 자외선 조사 처리를 실시할 수 있다.After the substrate G is carried in, the ultraviolet processing chamber 84 irradiates ultraviolet rays (i-line) from the light source 86 of the ultraviolet ray irradiating section 162 to the substrate G heated by the hot plate 164 . Here, since the chamber 161 is in a low-oxygen state by the supply of the nitrogen gas by the gas supply unit 165 as described above, the chemical pattern formed on the substrate G is not changed, Ultraviolet ray irradiation treatment can be performed.

자외선 조사 처리 후, 구동 기구 (172) 는 절결 (164b) 을 개재하여 유지부 (170a) 를 +Z 방향으로 상승시킴으로써 핫 플레이트 (164) 의 상방으로 기판 (G) 을 들어올린다. 그리고, 구동 기구 (172) 는 기판 유지 부재 (170) 를 -X 방향으로 이동시킴으로써 기판 (G) 을 기판 반출부 (161b) 를 개재하여 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (141) 내로 반입한다.After the ultraviolet ray irradiation processing, the driving mechanism 172 raises the holding portion 170a in the + Z direction via the notch 164b to raise the substrate G above the hot plate 164. The drive mechanism 172 moves the substrate holding member 170 in the -X direction so that the substrate G is brought into the main chamber 141 of the fourth reserve chamber 83 via the substrate carry- do.

구동 기구 (172) 는, 절결 (164b) 과 유지부 (170a) 가 Z 방향에서 보아 겹치는 위치까지 기판 유지 부재 (170) 를 이동시킨 후, 기판 유지 부재 (170) 를 하강시킴으로써 유지부 (170a) 를 홈부 (144a) 내에 수용한다. 이로써, 기판 (G) 이 핫 플레이트 (144) 에 수수된다. 구동 기구 (172) 는, 기판 (G) 을 핫 플레이트 (144) 에 수수한 후, 홈부 (144a) 내를 지나 기판 유지 부재 (170) 를 초기 대기 위치까지 되돌린다. 기판 (G) 은 핫 플레이트 (144) 에 의해 소정 시간 100 ℃ 에서 가열된다. 이와 같이 제 4 예비실 (83) 내에 있어서 기판 (G) 을 미리 가열함으로써 포스트베이크 유닛 (PB) 내에 있어서 기판 (G) 을 소정 온도까지 단시간에 가열할 수 있다.The drive mechanism 172 moves the substrate holding member 170 to a position where the notch 164b and the holding portion 170a overlap each other in the Z direction and then moves down the substrate holding member 170 to move the holding portion 170a, Is accommodated in the groove portion 144a. Thereby, the substrate G is transferred to the hot plate 144. The drive mechanism 172 returns the substrate holding member 170 to the initial standby position after passing through the groove portion 144a after the substrate G is transferred to the hot plate 144. [ The substrate G is heated by the hot plate 144 at 100 DEG C for a predetermined time. As described above, the substrate G in the post-baking unit PB can be heated to a predetermined temperature in a short time by preliminarily heating the substrate G in the fourth reserve chamber 83. [

또한, 메인 챔버 (141) 내는, 순환 기구 (150) 에 의해 내부 분위기가 필터 (151) 를 개재하여 순환되기 때문에, 깨끗한 분위기가 안정적으로 유지되고 있다 (도 5 참조).In addition, a clean atmosphere is stably maintained in the main chamber 141 because the internal atmosphere is circulated through the filter 151 by the circulation mechanism 150 (see Fig. 5).

계속해서, 서브 챔버 (140) (기판 반출구 (141b)) 를 개재하여 제 4 예비실 (83) 의 메인 챔버 (141) 내에 로봇 아암 (도시 생략) 이 침입하여, 기판 (G) 을 반출한다. 이 때, 승강 기구 (142) 는 지지 핀 (142a) 을 +Z 측에 이동시켜, 로봇 아암의 높이보다 높은 위치 (+Z 측의 위치) 까지 기판 (G) 을 들어올리고, 기판 (G) 의 이면에 로봇 아암이 삽입된 상태에서 지지 핀 (142a) 을 하강시킨다. 이로써, 지지 핀 (142a) 으로부터 로봇 아암으로 기판 (G) 의 수수를 실시할 수 있다. 기판 (G) 의 수수 후, 로봇 아암을 메인 챔버 (141) 내로부터 퇴피시키고, 메인 챔버 (141) 를 밀폐한다. 그리고, 로봇 아암은, 서브 챔버 (140) 를 거쳐 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 반출한 기판 (G) 을 포스트베이크 유닛 (PB) 내로 반입한다.Subsequently, a robot arm (not shown) enters the main chamber 141 of the fourth reserve chamber 83 via the sub-chamber 140 (substrate transfer port 141b) to take out the substrate G . At this time, the lifting mechanism 142 moves the support pin 142a to the + Z side to lift the substrate G to a position higher than the height of the robot arm (position on the + Z side) And the support pin 142a is lowered in a state where the robot arm is inserted into the back surface. Thereby, the transfer of the substrate G from the support pin 142a to the robot arm can be performed. After receiving the substrate G, the robot arm is retracted from the main chamber 141 and the main chamber 141 is closed. The robot arm then loads the substrate G carried out from the ultraviolet processing unit UV via the sub-chamber 140 into the post-baking unit PB.

그런데, 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 을 반출할 때, 서브 챔버 (140) 를 개재하여 외기가 들어감으로써 자외선 처리 유닛 (UV) 내부 (메인 챔버 (141)) 의 산소 농도가 상승할 가능성이 있다. 특히 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내의 산소 농도가 상승하면 기판 (G) 의 표면에 있어서 화학 반응이 발생하여, 불순물이 생성됨으로써 자외선 조사 처리를 양호하게 실시할 수 없게 되어 버릴 가능성이 있다.When the substrate G is taken out from the ultraviolet processing unit UV, the oxygen concentration in the ultraviolet processing unit UV (main chamber 141) is increased by the outside air entering through the sub-chamber 140 There is a possibility of doing. Particularly, when the oxygen concentration in the chamber 161 of the ultraviolet ray treatment chamber 84 rises, a chemical reaction occurs on the surface of the substrate G, and impurities are generated, so that there is a possibility that the ultraviolet ray irradiation treatment can not be performed well .

이에 반해, 본 실시형태에서는, 상기 서술한 바와 같이 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 와 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 의 반출을 실시하기 위한 기판 반출구를 이루는 서브 챔버 (140) 사이에 제 4 예비실 (83) 을 형성하고 있다.In contrast, in the present embodiment, as described above, the sub chamber (sub chamber) constituting the substrate exit port for carrying the substrate G out of the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 and the ultraviolet processing unit UV 140 of the first preliminary chamber 83 are formed.

이것에 의하면, 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 의 반출을 실시하는 경우라 하더라도, 상기 제 4 예비실 (83) 에 의해 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내의 분위기가 변동하는 것을 방지할 수 있어, 챔버 (161) 내를 소정 분위기 (저산소 분위기) 로 유지할 수 있다.According to this, even when the substrate G is carried out from the ultraviolet processing unit UV, the atmosphere in the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 is changed by the fourth preliminary chamber 83 And the inside of the chamber 161 can be maintained in a predetermined atmosphere (low-oxygen atmosphere).

구체적으로 기판 (G) 의 반출시에 기판 반출부 (161b) 의 셔터가 열리면, 메인 챔버 (141) 에는 상대적으로 내부 압력이 높은 상태 (정압 상태) 로 되는 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내에 공급된 질소 가스가 유입됨으로써 산소 농도가 낮은 상태 (챔버 (161) 의 산소 농도의 80 ％ 정도) 로 유지된다. 또한, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 는, 가스 공급부 (165) 에 의해 질소 가스가 공급됨으로써 소정의 저산소 분위기로 유지할 수 있다.The chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 in which the internal pressure is relatively high (in a constant pressure state) is formed in the main chamber 141 when the shutter of the substrate carry- (Approximately 80% of the oxygen concentration in the chamber 161) by the introduction of the nitrogen gas supplied into the chamber 161. The chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 can be maintained in a predetermined low-oxygen atmosphere by supplying nitrogen gas by the gas supply unit 165.

이와 같이 본 실시형태에 있어서는, 기판 (G) 을 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 을 반출한 경우라 하더라도, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내를 소정 분위기로 유지할 수 있다.As described above, in the present embodiment, even if the substrate G is taken out of the ultraviolet processing unit UV, the inside of the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 can be maintained in a predetermined atmosphere .

포스트베이크 유닛 (PB) 내에 반입된 기판 (G) 은 가열 장치 (59) 에 있어서 포스트베이크 처리가 실시되고, 냉각 장치 (60) 에 있어서 냉각된다. 냉각 처리 후, 기판 (G) 은 반송 기구 (11) 를 개재하여 카세트 (C) 에 수용된다. 이와 같이 하여, 기판 (G) 에 대하여 도포 처리, 노광 처리 및 현상 처리의 일련의 처리가 실시되게 된다.The substrate G carried into the post bake unit PB is post baked in the heating unit 59 and cooled in the cooling unit 60. [ After the cooling process, the substrate G is accommodated in the cassette C via the transport mechanism 11. [ In this manner, the substrate G is subjected to a series of processes of coating, exposure and development.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 제 1 예비실 (80) 내지 제 4 예비실 (83) 을 구비함으로써 기판 (G) 의 반입, 반출시에 자외선 처리실 (84) 내로의 산소 및 수분의 혼입을 방지하면서, 자외선 처리실 (84) 내를 소정의 저산소 분위기로 안정적으로 유지할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 저산소를 유지하기 위한 진공 펌프가 불필요해지므로, 자외선 조사 유닛 (UV) 의 소형화 및 저비용화를 실현할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the first preliminary chamber 80 to the fourth preliminary chamber 83 are provided so that the introduction of oxygen and water into the ultraviolet processing chamber 84 It is possible to stably maintain the inside of the ultraviolet ray processing chamber 84 in a predetermined low-oxygen atmosphere. Therefore, since a vacuum pump for maintaining a low oxygen concentration as in the prior art becomes unnecessary, miniaturization and cost reduction of the ultraviolet irradiation unit (UV) can be realized.

본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가할 수 있다.The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed within the scope of the present invention.

예를 들어, 상기 실시형태에서는, 기판 유지 부재 (170) 가 복수 (4 장) 의 기판 (G) 을 동시에 지지하는 구성을 예로 들었지만, 기판 유지 부재 (170) 가 1 장씩의 기판 (G) 을 재치하고, 구동 기구 (172) 에 의해 각각이 독립적으로 챔버 사이를 이동하는 구성을 채용해도 상관없다.For example, in the above embodiment, the substrate holding member 170 simultaneously supports a plurality of (four) substrates G, but the substrate holding member 170 may be formed by stacking one substrate G It is also possible to adopt a configuration in which each of them is independently moved between the chambers by the driving mechanism 172. [

또한, 상기 실시형태에서는, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 와 자외선 처리 유닛 (UV) 내로부터 기판 (G) 을 반출하기 위한 기판 반출구를 이루는 서브 챔버 (140) 사이에 제 4 예비실 (83) 을 형성하는 경우를 예로 설명하였지만, 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 와 자외선 처리 유닛 (UV) 내로 기판 (G) 을 반입하기 위한 기판 반입구를 이루는 서브 챔버 (110) 사이에 제 1 예비실 (80) 내지 제 3 예비실 (82) 만이 형성된 구성이어도 상관없다.In the above embodiment, in the chamber 131 between the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 and the sub chamber 140 constituting the substrate transfer port for carrying the substrate G from within the ultraviolet processing unit UV, Between the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 and the sub chamber 110 constituting the substrate inlet port for carrying the substrate G into the ultraviolet processing unit UV, Only the first to third preliminary chambers 80 to 82 may be formed.

또한, 상기 실시형태에서는, 가스 공급부 (165) 가 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 에만 형성되는 구성을 예로 들었지만, 제 1 예비실 (80) 내지 제 3 예비실 (82) 의 각 챔버 (111 내지 141) 각각에 가스 공급부 (165) 를 형성하도록 해도 상관없다.In the above embodiment, the gas supply unit 165 is formed only in the chamber 161 of the ultraviolet treatment chamber 84. However, the gas supply unit 165 may be provided in each of the chambers of the first to third preparatory chambers 80 to 82 111 to 141, respectively.

또한, 상기 실시형태에서는, 각 챔버 (111 내지 141) 에 형성한 핫 플레이트 (114 내지 143) 에 대하여 자외선 처리실 (84) 의 챔버 (161) 내에 설치되는 핫 플레이트 (164) 와 동일한 온도 (100 ℃) 에서 기판 (G) 을 가열하는 구성으로 하였지만, 챔버 (161) 측으로부터 이간됨에 따라 핫 플레이트 (114 내지 143) 의 온도를 순차적으로 낮추는 구성을 채용할 수도 있다.In the above embodiment, the temperature of the hot plate 164 provided in the chamber 161 of the ultraviolet processing chamber 84 is set to the same temperature (100 DEG C) as that of the hot plate 164 provided in the chambers 111 to 141, The temperature of the hot plates 114 to 143 may be sequentially lowered as they are separated from the chamber 161. In this case,

UV : 자외선 처리 유닛,
SPA : 기판 처리 장치,
47 : 도포 장치,
55 : 현상 장치,
80 : 제 1 예비실,
81 : 제 2 예비실,
82 : 제 3 예비실,
83 : 제 4 예비실,
84 : 자외선 처리실,
85 : 기판 이동 기구,
110 : 서브 챔버 (기판 반입구),
140 : 서브 챔버 (기판 반출구),
113, 123, 133, 143, 163 : 가열 기구,
114, 124, 134, 144, 164 : 핫 플레이트,
114a, 124a, 134a, 144a, 164a : 홈,
114b, 124b, 134b, 144b, 164b : 절결,
150 : 순환 기구,
151 : 필터,
162 : 자외선 조사부,
165 : 가스 공급부,
170 : 기판 유지 부재,
170a : 유지부UV: UV treatment unit,
SPA: substrate processing equipment,
47:
55: developing device,
80: first reserve room,
81: second reserve room,
82: the third reserve room,
83: fourth reserve room,
84: ultraviolet treatment chamber,
85: substrate moving mechanism,
110: Sub chamber (substrate inlet),
140: Sub chamber (substrate outlet),
113, 123, 133, 143, 163: heating mechanism,
114, 124, 134, 144, and 164: a hot plate,
114a, 124a, 134a, 144a, 164a: grooves,
114b, 124b, 134b, 144b, and 164b:
150: circulation apparatus,
151: filter,
162: ultraviolet ray irradiation part,
165: gas supply unit,
170: a substrate holding member,
170a:

Claims (13)

기판에 대한 자외선 조사를 실시하는 처리실과,
적어도 상기 처리실 내의 상기 기판을 가열하는 가열 기구와,
상기 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지하도록 그 처리실 내에 기체를 공급하는 기체 공급부와,
당해 자외선 조사 장치 내로 상기 기판을 반입하기 위한 기판 반입구와 상기 처리실 사이에 적어도 형성되며, 상기 처리실에 연통됨으로써 그 처리실 내를 소정 분위기로 유지하는 예비실을 구비하고,
상기 예비실은, 내부 분위기를 순환시키는 순환 기구를 갖고,
상기 예비실의 하부에는, 상기 내부 분위기를 상기 순환 기구로 유도하는 분위기 도입부가 형성되고,
상기 분위기 도입부에는, 상기 내부 분위기 중의 이물질을 포획하는 필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.A processing chamber for irradiating the substrate with ultraviolet light,
A heating mechanism for heating at least the substrate in the processing chamber,
A gas supply unit for supplying a gas into the treatment chamber so as to maintain the inside of the treatment chamber in deoxygenation and dehydration,
And a preliminary chamber formed at least between the substrate inlet port for bringing the substrate into the ultraviolet irradiator and the process chamber and communicating with the process chamber to maintain the inside of the process chamber in a predetermined atmosphere,
The preliminary chamber has a circulation mechanism for circulating the internal atmosphere,
An atmosphere introducing portion for introducing the internal atmosphere into the circulating mechanism is formed in a lower portion of the reserve chamber,
Wherein the atmosphere introducing portion is provided with a filter for capturing foreign matter in the internal atmosphere. 제 1 항에 있어서,
상기 예비실을 복수 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the preliminary chambers are provided. 제 1 항에 있어서,
상기 기체 공급부는, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas supply unit supplies an inert gas into the process chamber. 제 3 항에 있어서,
상기 기체 공급부는, 상기 불활성 가스로서 질소 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method of claim 3,
Wherein the gas supply unit supplies nitrogen gas as the inert gas. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 예비실에 있어서의 내부 압력은, 상기 처리실측에서부터 상기 기판 반입구측을 향하여 점차 낮아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the internal pressure of the plurality of preparatory chambers is set so as to gradually decrease from the processing chamber side toward the substrate inlet port side. 제 1 항에 있어서,
상기 예비실 및 상기 처리실 사이에 있어서 상기 기판을 이동시키는 기판 이동 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a substrate moving mechanism for moving the substrate between the preliminary chamber and the processing chamber. 제 6 항에 있어서,
상기 가열 기구는, 상기 기판을 유지한 상태에서 가열하는 플레이트를 포함하고,
상기 기판 이동 기구의 일부는, 상기 플레이트에 형성된 홈부 내를 이동하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 6,
Wherein the heating mechanism includes a plate for heating while holding the substrate,
Wherein a part of the substrate moving mechanism moves in a groove formed in the plate. 제 1 항에 있어서,
상기 가열 기구는, 상기 예비실 내의 상기 기판도 가열하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating mechanism also heats the substrate in the preliminary chamber. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 순환 기구는, HEPA 필터를 사용하여 상기 내부 분위기의 순환을 실시하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the circulation mechanism circulates the internal atmosphere using a HEPA filter. 제 1 항에 있어서,
상기 예비실은, 당해 자외선 조사 장치 내로부터 상기 기판을 반출하기 위한 기판 반출구와 상기 처리실 사이에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자외선 조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the preliminary chamber is also formed between a substrate transfer port for carrying the substrate out of the ultraviolet irradiating apparatus and the processing chamber. 기판에 처리액의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와,
상기 기판에 도포된 상기 처리액의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와,
상기 기판에 자외선 조사 처리를 실시하는 자외선 조사 장치와,
상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 자외선 조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치, 상기 자외선 조사 장치 및 상기 관련 장치 사이를 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 처리 장치로서,
상기 자외선 조사 장치로서, 제 1 항에 기재된 자외선 조사 장치가 사용되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A coating device for applying a treatment liquid to the substrate,
A developing device for carrying out development processing of the treatment liquid applied to the substrate;
An ultraviolet irradiator for irradiating the substrate with ultraviolet light;
And an associated device for performing the related processing of the coating treatment, the developing treatment and the ultraviolet ray irradiation treatment, wherein the substrate is conveyed in series between the coating device, the developing device, the ultraviolet ray irradiating device and the related device A substrate processing apparatus comprising:
The ultraviolet irradiating apparatus according to claim 1, wherein the ultraviolet irradiator is used. 자외선 처리 장치의 기판 반입구로부터 그 자외선 조사 장치 내로 기판을 반입하는 기판 반입 공정과,
상기 자외선 조사 장치의 처리실 내를 탈산소 및 탈수분 상태로 유지하도록 그 처리실 내에 기체를 공급하는 기체 공급 공정과,
상기 기판 반입구와 상기 처리실 사이에 적어도 형성되며, 상기 처리실에 연통되는 예비실에 의해, 상기 처리실 내를 소정 분위기로 유지하는 분위기 유지 공정과,
적어도 상기 기판을 가열하는 가열 처리 공정과,
상기 처리실에 있어서, 상기 기판에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사 공정을 갖는 자외선 조사 방법으로서,
상기 예비실은, 내부 분위기를 순환시키는 순환 기구를 갖고,
상기 예비실의 하부에는, 상기 내부 분위기를 상기 순환 기구로 유도하는 분위기 도입부가 형성되고,
상기 분위기 도입부에는, 상기 내부 분위기 중의 이물질을 포획하는 필터가 형성되고,
상기 분위기 유지 공정은, 상기 처리실의 내부 분위기를 상기 분위기 도입부를 개재하여 상기 순환 기구로 유도하고, 상기 내부 분위기 중의 이물질을 상기 필터에 의해 제거하고, 상기 이물질이 제거된 내부 분위기를 상기 처리실에 순환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는, 자외선 조사 방법.A substrate carrying step of carrying a substrate into the ultraviolet irradiating apparatus from a substrate refill opening of the ultraviolet irradiating apparatus,
A gas supplying step of supplying gas into the treatment chamber so as to maintain the inside of the treatment chamber of the ultraviolet irradiating apparatus in deoxygenation and dehydration state;
An atmosphere holding step of holding the inside of the processing chamber at a predetermined atmosphere by a preliminary chamber at least formed between the substrate inlet port and the processing chamber and communicating with the processing chamber;
A heat treatment step of heating at least the substrate,
In the treatment chamber, an ultraviolet ray irradiation method having an ultraviolet ray irradiation step for irradiating the substrate with ultraviolet rays,
The preliminary chamber has a circulation mechanism for circulating the internal atmosphere,
An atmosphere introducing portion for introducing the internal atmosphere into the circulating mechanism is formed in a lower portion of the reserve chamber,
A filter for capturing foreign matter in the internal atmosphere is formed in the atmosphere introduction portion,
Wherein the atmosphere holding step is a step of guiding an internal atmosphere of the treatment chamber to the circulation mechanism through the atmosphere introduction portion, removing foreign substances in the internal atmosphere by the filter, and circulating the internal atmosphere from which the foreign substance is removed Wherein the ultraviolet light is irradiated by ultraviolet light.
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