KR20150026944A - Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus - Google Patents

Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20150026944A
KR20150026944A KR20140113184A KR20140113184A KR20150026944A KR 20150026944 A KR20150026944 A KR 20150026944A KR 20140113184 A KR20140113184 A KR 20140113184A KR 20140113184 A KR20140113184 A KR 20140113184A KR 20150026944 A KR20150026944 A KR 20150026944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
light irradiation
light
unit
Prior art date
Application number
KR20140113184A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
후토시 시마이
아키히코 사토
히로시 호소다
마사키 지바
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20150026944A publication Critical patent/KR20150026944A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Abstract

A light irradiation apparatus comprises a chamber having a certain surface and storing a substrate; a substrate entering hole formed on a certain surface and having the substrate be taken in and out; a substrate movement part moving the substrate inside the chamber for the substrate which is taken into the inside of the chamber by passing through the substrate entering hole to be discharged to the outside of the chamber after passing through the substrate entering hole; and a light irradiation part irradiating a light of a certain wavelength for the substrate moved inside the chamber.

Description

광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법{LIGHT IRRADIATION APPARATUS, SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING SUBSTRATE TREATING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light irradiation apparatus, a substrate processing apparatus, and a method of manufacturing a substrate processing apparatus,

본 발명은, 광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light irradiation apparatus, a substrate processing apparatus, and a method of manufacturing a substrate processing apparatus.

본원은, 2013년 8월 30일에 일본에 출원된 일본국 특허출원 2013-180667호 및 2014년 6월 27일에 일본에 출원된 일본국 특허출원 2014-132560호에 기초하여 우선권 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2013-180667 filed on August 30, 2013, and Japanese Patent Application No. 2014-132560 filed on June 27, 2014, The contents are used here.

액정 디스플레이 등의 표시 패널을 구성하는 유리 기판 상에는, 배선 패턴이나 전극 패턴 등의 미세한 패턴이 형성되어 있다. 일반적으로 이러한 패턴은, 예를 들어 포토리소그래피 등의 수법에 의해 형성된다. 포토리소그래피법에서는, 레지스트막을 유리 기판에 도포하는 공정, 레지스트막을 노광하는 공정, 노광 후의 레지스트막을 현상하는 공정 및 현상 후의 레지스트막에 대하여 자외선 등의 광을 조사하는 공정 (큐어 공정) 이 실시된다.On a glass substrate constituting a display panel such as a liquid crystal display, fine patterns such as wiring patterns and electrode patterns are formed. Generally, such a pattern is formed by a technique such as photolithography, for example. In the photolithography method, a step of applying a resist film to a glass substrate, a step of exposing a resist film, a step of developing a resist film after exposure, and a step of irradiating a resist film after development with light such as ultraviolet rays (curing step) are performed.

큐어 공정은, 기판에 대하여 광을 조사하는 광조사 장치에 의해 실시된다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 포토리소그래피법에 의해 패턴을 형성하는 기존의 기판 처리 장치 중에는, 큐어 공정을 실시하기 위한 광조사 장치가 탑재되어 있지 않은 경우가 있다. 이 경우, 큐어 공정을 실시하기 위해서는, 기존의 기판 처리 장치에 별도 광조사 장치를 장착할 필요가 있다.The curing process is performed by a light irradiation device that irradiates light onto a substrate (see, for example, Patent Document 1). There is a case where a light irradiation apparatus for carrying out the cure process is not mounted in some existing substrate processing apparatuses for forming a pattern by the photolithography method. In this case, in order to perform the curing process, it is necessary to mount a separate light irradiation device in an existing substrate processing apparatus.

일본 공개특허공보 평4-97515호Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-97515

그러나, 종래의 광조사 장치는, 기판을 수평으로 이동시키는 구성이기 때문에, 기판이 이동하기 위한 스페이스를 확보할 필요가 있다. 이 때문에, 기존의 기판 처리 장치에 장착하는 경우에는, 풋프린트 면에서 문제가 있다.However, since the conventional light irradiation apparatus moves the substrate horizontally, it is necessary to secure a space for moving the substrate. For this reason, there is a problem in terms of footprint when the substrate processing apparatus is mounted on an existing substrate processing apparatus.

이상과 같은 사정을 감안하여, 본 발명은, 풋프린트가 작은 광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a light irradiation apparatus, a substrate processing apparatus, and a manufacturing method of a substrate processing apparatus that have a small footprint.

본 발명의 제 1 양태에 관련된 광조사 장치는, 소정면을 갖고, 기판을 수용 가능한 챔버와, 상기 소정면에 형성되고, 상기 기판의 반입 및 반출이 가능한 기판 반입출구와, 상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 내부에 반입되는 상기 기판이 상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 외부로 반출되도록 상기 챔버의 내부에서 상기 기판을 이동시키는 기판 이동부와, 상기 챔버의 내부를 이동하는 상기 기판에 대하여 소정 파장의 광을 조사하는 광조사부를 구비한다.A light irradiation apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a chamber having a predetermined surface and capable of accommodating a substrate, a substrate loading / unloading outlet formed on the predetermined surface and capable of loading and unloading the substrate, A substrate moving part for moving the substrate inside the chamber so that the substrate carried into the chamber passes through the substrate loading / unloading port and is carried out of the chamber; and a substrate moving part for moving the substrate inside the chamber And a light irradiation unit for irradiating light of a predetermined wavelength.

이 구성에 의하면, 기판의 반입 및 반출이 가능한 기판 반입출구가 소정면에 형성되고, 이 기판 반입출구를 통과하여 챔버의 내부에 반입되는 기판이 기판 반입출구를 통과하여 챔버의 외부로 반출되도록 챔버의 내부에서 기판이 이동하기 때문에, 기판의 반입 및 반출이 챔버의 동일면측 (소정면측) 에서 실시되게 된다. 이것에 의해, 기존의 장치와의 사이의 기판의 수수에 필요한 스페이스를 절약하는 것이 가능해지기 때문에, 풋프린트가 작은 광조사 장치를 제공할 수 있다.According to this configuration, a substrate loading / unloading port capable of loading / unloading the substrate is formed on a predetermined surface, and the substrate, which is carried into the chamber through the substrate loading / unloading port, is transported to the outside of the chamber through the substrate loading / Since the substrate moves inside, the loading and unloading of the substrate is carried out on the same side (the predetermined side) of the chamber. As a result, it is possible to save a space required for transferring the substrate to / from an existing apparatus, and thus a light irradiation apparatus with a small footprint can be provided.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 소정면은, 수평면에 수직인 면을 따라 형성되어 있다.In the light irradiation apparatus, the predetermined surface is formed along a plane perpendicular to the horizontal plane.

이 구성에 의하면, 수평면에 수직인 면에서 기판의 반입 및 반출을 실시하게 되므로, 기존의 장치와의 사이의 기판의 수수에는 기판을 수평하게 반송하는 반송부를 배치하기만 하면 된다. 이것에 의해, 필요한 스페이스를 절약하는 것이 가능해지기 때문에, 풋프린트가 작은 광조사 장치를 제공할 수 있다.According to this configuration, since the carrying-in and carrying-out of the substrate is carried out on the plane perpendicular to the horizontal plane, only the carrying unit for carrying the substrate horizontally is disposed for the transfer of the substrate with the existing apparatus. This makes it possible to save a space required, and thus it is possible to provide a light irradiation apparatus with a small footprint.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 이동부는, 상기 기판을 수평 방향을 따른 제 1 방향으로 반송하는 기판 반송 경로를 갖는다.In the light irradiation apparatus, the substrate moving section has a substrate transport path for transporting the substrate in a first direction along a horizontal direction.

이 구성에 의하면, 기판 이동부가 기판을 수평 방향을 따른 제 1 방향으로 반송하는 기판 반송 경로를 갖기 때문에, 기판을 안정적으로 반송할 수 있다.According to this configuration, since the substrate transfer section has the substrate transfer path for transferring the substrate in the first direction along the horizontal direction, the substrate can be stably transported.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 광조사부는, 상기 기판 반송 경로를 이동하는 상기 기판에 대하여 상기 광을 조사 가능하고 또한 상기 기판 반송 경로를 따른 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있어도 된다.In the light irradiating apparatus, the light irradiating section may be formed so as to be capable of irradiating the light to the substrate moving on the substrate transport path and movable in the direction along the substrate transport path.

이 구성에 의하면, 광조사부와 기판의 상대 속도를 자유롭게 변화시킬 수 있기 때문에, 보다 다양한 형태로 광조사를 실시할 수 있다.According to this configuration, since the relative speed between the light irradiating portion and the substrate can be changed freely, light irradiation can be performed in various forms.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 광조사부는, 상기 기판의 반송 방향에 대하여 순방향으로 이동하면서 상기 광을 조사하는 구성으로 해도 된다.In the light irradiation apparatus, the light irradiation unit may be configured to irradiate the light while moving in the forward direction with respect to the transport direction of the substrate.

이 구성에 의하면, 광조사부와 기판의 상대 속도를 저하시킬 수 있다. 따라서, 광조사부를 이동시키지 않는 경우와 비교하여 기판에 대한 단위 시간당의 광조사량을 증가시킬 수 있다. 또, 동등한 광조사량을 확보하면서 기판 반송 속도를 상승시키거나, 광조사 강도를 저하시키거나 할 수도 있다.According to this configuration, the relative speed between the light irradiation part and the substrate can be lowered. Therefore, the light irradiation amount per unit time with respect to the substrate can be increased as compared with the case where the light irradiation part is not moved. In addition, the substrate transfer speed may be increased or the light irradiation intensity may be lowered while ensuring an equivalent light irradiation amount.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 광조사부는, 상기 기판의 반송 방향에 대하여 역방향으로 이동하면서 상기 광을 조사하는 구성으로 해도 된다.In the light irradiation apparatus, the light irradiation unit may be configured to irradiate the light while moving in a direction opposite to the transport direction of the substrate.

이 구성에 의하면, 광조사부와 기판의 상대 속도를 상승시킬 수 있다. 따라서, 광조사부를 이동시키지 않는 경우와 비교하여 기판에 대한 광조사 시간 (택트 타임) 을 단축할 수 있다.According to this configuration, the relative speed between the light irradiation part and the substrate can be increased. Therefore, the light irradiation time (tact time) on the substrate can be shortened as compared with the case where the light irradiation portion is not moved.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 반송 경로는, 상기 수평 방향에 직교하는 제 2 방향에 복수 단으로 배치되어 있다.In the light irradiation apparatus, the substrate transfer paths are arranged in a plurality of stages in a second direction orthogonal to the horizontal direction.

이 구성에 의하면, 기판 반송 경로가 수평 방향에 직교하는 제 2 방향에 복수 단으로 배치되어 있기 때문에, 복수의 기판을 챔버에 수용하는 경우라도, 효율적으로 반송할 수 있다.According to this configuration, since the substrate transfer paths are arranged at the plural stages in the second direction orthogonal to the horizontal direction, even when a plurality of substrates are housed in the chamber, the substrates can be efficiently transported.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 광조사부는, 복수의 상기 기판 반송 경로 중 상기 제 2 방향의 단 (端) 에 배치되는 상기 기판 반송 경로를 이동하는 상기 기판에 대하여 상기 광을 조사 가능하게 형성되어 있다.In the light irradiating apparatus, the light irradiating section is formed so as to be capable of irradiating the substrate with respect to the substrate moving on the substrate transport path disposed at an end of the plurality of substrate transport paths in the second direction have.

이 구성에 의하면, 광조사부가 복수의 기판 반송 경로 중 제 2 방향의 단에 배치되는 기판 반송 경로를 이동하는 기판에 대하여 전광 (前光) 을 조사 가능하게 형성되어 있기 때문에, 광조사부 및 기판 반송 경로의 배치를 심플하게 할 수 있다.According to this configuration, since the light irradiating portion is formed so as to be able to irradiate the front light to the substrate moving on the substrate transport path disposed on the end of the plurality of substrate transport paths in the second direction, The arrangement of the paths can be simplified.

상기 광조사 장치에 있어서, 복수의 상기 기판 반송 경로 중 적어도 1 개에는, 상기 기판의 온도를 조정하는 온도 조정부가 형성되어 있다.In the light irradiation apparatus, at least one of the plurality of substrate transfer paths is provided with a temperature adjusting section for adjusting the temperature of the substrate.

이 구성에 의하면, 복수의 기판 반송 경로 중 적어도 1 개에는, 기판의 온도를 조정하는 온도 조정부가 형성되어 있기 때문에, 광의 조사를 받을 때의 기판의 온도를 조정할 수 있다.According to this configuration, since at least one of the plurality of substrate transfer paths is provided with the temperature adjusting section for adjusting the temperature of the substrate, the temperature of the substrate upon irradiation with light can be adjusted.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 반입출구는, 상기 기판 반송 경로마다 형성되어 있다.In the light irradiation apparatus, the substrate loading / unloading port is formed for each of the substrate transfer paths.

이 구성에 의하면, 기판 반입출구가 기판 반송 경로마다 형성되어 있기 때문에, 기판을 효율적으로 반입출할 수 있다.According to this configuration, since the substrate loading / unloading port is formed for each substrate transfer path, the substrate can be loaded / unloaded efficiently.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 반입출구는, 상기 제 2 방향에 나란히 배치되어 있다.In the light irradiation apparatus, the substrate loading / unloading ports are arranged side by side in the second direction.

이 구성에 의하면, 기판 반입출구가 제 2 방향에 나란히 배치되어 있기 때문에, 외부로부터 챔버에 기판을 반입할 때 및 기판을 반출할 때에 복수의 기판 반입출구와의 사이에서 기판의 수수를 실시하는 경우, 제 2 방향의 위치만을 구별하면 된다. 이것에 의해, 기판의 수수의 제어를 용이하게 실시할 수 있다.According to this configuration, since the substrate loading / unloading ports are arranged side by side in the second direction, when the substrates are transferred from the outside to the chamber and between the substrate loading / unloading ports when the substrates are unloaded , Only the position in the second direction can be distinguished. This makes it possible to easily control the number of substrates.

상기 광조사 장치에 있어서, 기판 이동부는, 상기 기판을 유지하여 상기 기판 반송 경로를 이동 가능한 기판 유지부를 갖는다.In the light irradiation apparatus, the substrate moving section has a substrate holding section that holds the substrate and is movable on the substrate transfer path.

이 구성에 의하면, 기판을 기판 유지부에 유지시킨 상태로 기판 반송 경로를 이동시킬 수 있다.According to this configuration, the substrate transfer path can be moved in a state in which the substrate is held on the substrate holding portion.

상기 광조사 장치는, 상기 챔버의 내부에 배치되고, 상기 기판 반입출구로부터 반입된 상기 기판을 받는 기판 받이부를 추가로 구비한다.The light irradiating device further includes a substrate receiving part disposed inside the chamber and receiving the substrate carried from the substrate carrying-in / out opening.

이 구성에 의하면, 기판 반입출구로부터 반입된 기판이 기판 받이부에 지지되기 때문에, 챔버 내에서 기판의 자세를 안정시킬 수 있다.According to this configuration, since the substrate carried from the substrate loading / unloading port is supported by the substrate receiving portion, the posture of the substrate in the chamber can be stabilized.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 받이부는, 상기 수평 방향에 직교하는 제 2 방향으로 이동 가능하다.In the light irradiation apparatus, the substrate receiving section is movable in a second direction orthogonal to the horizontal direction.

이 구성에 의하면, 기판 받이부가 제 2 방향으로 이동 가능하기 때문에, 기판의 자세를 안정시킨 채로 반송할 수 있다.According to this configuration, since the substrate receiving portion can move in the second direction, it is possible to carry the substrate while keeping the posture stable.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 기판 받이부는, 상기 기판의 온도를 조정하는 제 2 온도 조정부를 갖는다.In the light irradiation apparatus, the substrate receiving section has a second temperature regulating section for regulating the temperature of the substrate.

이 구성에 의하면, 기판 받이부가 기판의 온도를 조정하는 제 2 온도 조정부를 갖기 때문에, 기판의 온도를 보다 확실히 조정하는 것이 가능해진다.According to this configuration, since the substrate receiving section has the second temperature adjusting section for adjusting the temperature of the substrate, the temperature of the substrate can be adjusted more reliably.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 챔버는, 외부 챔버의 상면에 배치되어 있다.In the light irradiation apparatus, the chamber is disposed on the upper surface of the outer chamber.

이 구성에 의하면, 챔버가 외부 챔버의 상면에 배치되어 있기 때문에, 기존의 장치에 장착하는 경우에, 풋프린트를 거의 요하지 않고 장착할 수 있다.According to this configuration, since the chamber is disposed on the upper surface of the outer chamber, it can be mounted without requiring a footprint when it is mounted on an existing apparatus.

상기 광조사 장치에 있어서, 상기 챔버는, 상기 외부 챔버에 접속 가능한 접속부를 갖는다.In the light irradiation apparatus, the chamber has a connection portion connectable to the outer chamber.

이 구성에 의하면, 챔버가 외부 챔버에 접속 가능한 접속부를 갖기 때문에, 챔버와 외부 챔버의 사이가 보다 확실히 접속되게 된다.According to this configuration, since the chamber has the connecting portion connectable to the outer chamber, the chamber and the outer chamber are more reliably connected.

상기 광조사 장치는, 챔버의 내부에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 챔버의 내부를 배기하는 배기부를 추가로 구비한다.The light irradiation apparatus further includes a gas supply part for supplying an inert gas into the chamber and an exhaust part for exhausting the inside of the chamber.

이 구성에 의하면, 챔버의 내부에 불활성 가스를 순환시킬 수 있다. 이것에 의해, 챔버 내부의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.According to this configuration, the inert gas can be circulated inside the chamber. As a result, the atmosphere inside the chamber can be kept clean.

상기 광조사 장치는, 상기 챔버의 내부에 공급되는 상기 불활성 가스를 가열하는 가스 가열부를 추가로 구비한다.The light irradiation apparatus further includes a gas heating unit for heating the inert gas supplied into the chamber.

이 구성에 의하면, 가열부에 의해 가열된 불활성 가스에 의해, 챔버 내부에 수용되는 기판을 가열할 수 있다.According to this configuration, the substrate accommodated in the chamber can be heated by the inert gas heated by the heating unit.

본 발명의 제 2 양태에 관련된 기판 처리 장치는, 기판에 처리막의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와, 상기 기판에 도포된 상기 처리막의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와, 상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 광조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치 및 상기 관련 장치의 사이에서 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 반송 라인이 형성된 기판 처리 장치로서, 상기 현상 장치 또는 상기 관련 장치의 상면에 배치되고, 현상 후의 상기 처리막에 광조사 처리를 실시하는 광조사 장치와, 상기 기판 반송 라인과 상기 광조사 장치의 사이에서 상기 기판의 수수를 실시하는 기판 반송 장치를 추가로 구비하고, 상기 광조사 장치로서, 제 1 양태에 관련된 광조사 장치가 사용되고 있다.A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention is a substrate processing apparatus including a coating apparatus for applying a treatment film to a substrate, a developing apparatus for performing development processing of the treatment film applied to the substrate, And a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, the developing device, and the associated device, the substrate processing device comprising: A light irradiating device which is disposed on the top surface of the developing device or the related device and performs the light irradiation process on the developed film after development, and a substrate transfer device for transferring the substrate between the substrate transfer line and the light irradiation device Wherein the light irradiation apparatus according to the first aspect is used as the light irradiation apparatus.

이 구성에 의하면, 풋프린트가 작은 광조사 장치가 사용되고 있기 때문에, 장치 전체의 대형화를 억제하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to this configuration, since a light irradiation apparatus having a small footprint is used, it is possible to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing enlargement of the entire apparatus.

본 발명의 제 3 양태에 관련된 기판 처리 장치의 제조 방법은, 기판에 처리막의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와, 상기 기판에 도포된 상기 처리막의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와, 상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 광조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치 및 상기 관련 장치의 사이에서 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 반송 라인이 형성된 기판 처리 장치의 제조 방법으로서, 현상 후의 상기 처리막에 광조사 처리를 실시하는 광조사 장치를, 상기 현상 장치 또는 상기 관련 장치의 상면에 배치하는 공정을 갖고, 상기 광조사 장치로서, 본 발명의 제 1 양태에 관련된 광조사 장치를 사용한다.A manufacturing method of a substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention is a manufacturing method of a substrate processing apparatus including a coating apparatus for applying a treatment film to a substrate, a developing apparatus for performing development processing of the treatment film applied to the substrate, And a substrate processing apparatus in which a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, the developing device, and the associated device is formed, There is provided a method for manufacturing a light irradiation apparatus comprising the steps of arranging a light irradiation apparatus for performing a light irradiation treatment on the processed film after development on the upper surface of the developing apparatus or the related apparatus, Is used.

이 구성에 의하면, 현상 장치 또는 관련 장치의 상면에 광조사 장치를 배치함으로써, 광조사 장치를 용이하게 장착할 수 있다.According to this configuration, the light irradiation device can be easily mounted by arranging the light irradiation device on the top surface of the developing device or the related device.

본 발명에 의하면, 풋프린트가 작은 광조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a light irradiation apparatus, a substrate processing apparatus, and a method of manufacturing a substrate processing apparatus, each of which has a small footprint.

도 1 은 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (SPA) 를 나타내는 평면도.
도 2 는 광처리 유닛 (LP) 을 +Y 방향으로 보았을 때의 구성을 나타내는 도면.
도 3 은 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 4 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 5 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 6 은 제 2 실시형태에 관련된 광처리 유닛 (LP2) 의 구성을 나타내는 도면.
도 7 은 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 8 은 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 9 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 10 은 제 3 실시형태에 관련된 광처리 유닛 (LP3) 의 구성을 나타내는 도면.
도 11 은 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 12 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 13 은 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 14 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.
도 15 는 광처리 유닛 (LP) 의 동작을 나타내는 도면.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus (SPA) according to the first embodiment.
Fig. 2 is a view showing a configuration when the light processing unit LP is viewed in the + Y direction. Fig.
3 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
4 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
5 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
6 is a view showing a configuration of a light processing unit LP2 according to the second embodiment;
7 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
8 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
9 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
10 is a view showing a configuration of a light processing unit LP3 according to the third embodiment.
11 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
12 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
13 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
14 is a view showing the operation of the light processing unit LP;
15 is a view showing the operation of the light processing unit LP;

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 이하의 설명에 있어서는, XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 이 XYZ 직교 좌표계를 참조하면서 각 부재의 위치 관계에 대해서 설명한다. 수평면 내의 소정 방향을 X 축 방향, 수평면 내에서 X 축 방향과 직교하는 방향을 Y 축 방향, X 축 방향 및 Y 축 방향의 각각과 직교하는 방향 (즉 연직 방향) 을 Z 축 방향으로 한다. 또, X 축, Y 축, 및 Z 축 둘레의 회전 (경사) 방향을 각각, θX, θY, 및 θZ 방향으로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of the respective members is described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The direction orthogonal to the X-axis direction is defined as the Y-axis direction, and the direction perpendicular to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is defined as the Z-axis direction. The directions of rotation (inclination) about the X axis, the Y axis, and the Z axis are the? X,? Y, and? Z directions, respectively.

도 1 은 본 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (SPA) 를 나타내는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus (SPA) according to this embodiment.

기판 처리 장치 (SPA) 는, 예를 들어 X 방향으로 일렬로 배치된 로더·언로더 (LU), 도포 현상 처리부 (CD), 인터페이스부 (IF) 및 제어부 (CONT) 를 구비하고 있다. 기판 처리 장치 (SPA) 는, 도포 현상 처리부 (CD) 가 로더·언로더 (LU) 와 인터페이스부 (IF) 에 의해 사이에 끼워져 배치된 구성으로 되어 있다. 제어부 (CONT) 는, 기판 처리 장치 (SPA) 의 각 부를 통괄적으로 처리한다.The substrate processing apparatus SPA includes a loader / unloader (LU), a coating / developing processing unit (CD), an interface unit IF, and a control unit CONT arranged in a row in the X direction, for example. The substrate processing apparatus SPA has a configuration in which the coating and development processing unit CD is interposed between the loader unloader LU and the interface unit IF. The control section CONT processes each section of the substrate processing apparatus SPA in a general manner.

(로더·언로더)(Loader, unloader)

로더·언로더 (LU) 는, 복수의 기판 (G) 을 수용하는 카세트 (C) 의 반입 및 반출을 실시하는 부분이다. 로더·언로더 (LU) 는, 카세트 대기부 (10) 및 반송 기구 (11) 를 갖고 있다.The loader unloader (LU) is a portion for carrying in and out cassettes (C) accommodating a plurality of substrates (G). The loader / unloader (LU) has a cassette standby portion (10) and a transport mechanism (11).

카세트 대기부 (10) 는, 예를 들어 기판 처리 장치 (SPA) 의 -X 측의 단부에 배치되어 있고, 복수의 카세트 (C) 를 수용한다. 카세트 대기부 (10) 에 수용된 카세트 (C) 는, 예를 들어 Y 방향으로 배열되게 되어 있다. 카세트 대기부 (10) 는, -X 측에 도시를 생략한 개구부가 형성되어 있고, 당해 개구부를 통해 기판 처리 장치 (SPA) 의 외부와의 사이에서 카세트 (C) 의 수수가 실시되도록 되어 있다.The cassette standby portion 10 is disposed, for example, at the end of the -X side of the substrate processing apparatus SPA, and accommodates a plurality of cassettes C. [ The cassettes C accommodated in the cassette standby portion 10 are arranged, for example, in the Y direction. The cassette standby portion 10 is provided with an opening (not shown) on the -X side, and the cassette C is carried out with the outside of the substrate processing apparatus SPA through the opening portion.

반송 기구 (11) 는, 카세트 대기부 (10) 의 +X 측에 배치되어 있고, 카세트 (C) 와 도포 현상 처리부 (CD) 의 사이에서 기판 (G) 의 반송을 실시한다. 반송 기구 (11) 는, 예를 들어 Y 방향을 따라 2 개 배치되어 있고, 당해 2 개의 반송 기구 (11) 는 예를 들어 동일한 구성으로 되어 있다. -Y 측에 배치되는 반송 기구 (11a) 는, 로더·언로더 (LU) 로부터 도포 현상 처리부 (CD) 로 기판 (G) 을 반송한다. +Y 측에 배치되는 반송 기구 (11b) 는, 도포 현상 처리부 (CD) 로부터 로더·언로더 (LU) 로 기판 (G) 을 반송한다.The transport mechanism 11 is disposed on the + X side of the cassette standby portion 10 and carries the substrate G between the cassette C and the coating and development processing portion CD. The two transport mechanisms 11 are arranged, for example, along the Y direction, and the two transport mechanisms 11 have the same configuration, for example. The transport mechanism 11a disposed on the -Y side transports the substrate G from the loader / unloader (LU) to the coating and developing treatment section (CD). The transport mechanism 11b disposed on the + Y side transports the substrate G from the coating and development processing section CD to the loader unloader (LU).

반송 기구 (11) 는 반송 아암 (12) (12a, 12b) 을 갖고 있다. 반송 아암 (12) 은, 유리 기판을 유지하는 유지부를 갖고, 예를 들어 일 방향으로 신축 가능하게 형성되어 있다. 반송 아암 (12) 은, θZ 방향으로 회전 가능하게 형성되어 있다. 반송 아암 (12) 은, 예를 들어 θZ 방향으로 회전함으로써, 카세트 대기부 (10) 와 도포 현상 처리부 (CD) 의 각각의 방향을 향하게 하는 것이 가능하게 되어 있다. 반송 아암 (12) 은, 반송 아암 (12) 을 신축시킴으로써, 카세트 대기부 (10) 및 도포 현상 처리부 (CD) 의 각각에 액세스 가능하게 되어 있다.The transport mechanism 11 has transport arms 12 (12a, 12b). The carrying arm 12 has a holding portion for holding the glass substrate, and is formed so as to be able to expand and contract in one direction, for example. The carrying arm 12 is rotatable in the? Z direction. The transport arm 12 can be turned in the direction of the cassette standby portion 10 and the coating and developing treatment portion CD, respectively, for example, by rotating in the θZ direction. The transport arm 12 is accessible to each of the cassette standby portion 10 and the coating and developing processing portion CD by expanding and contracting the transport arm 12.

(도포 현상 처리부)(Coating and development processing unit)

도포 현상 처리부 (CD) 는, 기판 (G) 에 레지스트 도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하는 부분이다. 도포 현상 처리부 (CD) 는, 스크러버 유닛 (SR), 탈수 베이크 유닛 (DH), 도포 유닛 (CT), 프리베이크 유닛 (PR), 인터페이스부 (IF), 현상 유닛 (DV), 광처리 유닛 (LP) 및 포스트 베이크 유닛 (PB) 을 갖고 있다.The coating and developing treatment portion CD is a portion for performing a series of treatments including coating and developing on the substrate G. [ The coating and developing unit CD includes a scrubber unit SR, a dewatering unit DH, a coating unit CT, a prebake unit PR, an interface unit IF, a developing unit DV, a light processing unit LP And a post-baking unit PB.

도포 현상 처리부 (CD) 는, Y 방향으로 분할된 구성으로 되어 있고, -Y 측의 부분에서는, 로더·언로더 (LU) 로부터의 기판 (G) 이 인터페이스부 (IF) 를 향하여 +X 방향으로 반송되게 되어 있다. +Y 측의 부분에서는, 인터페이스부 (IF) 로부터의 기판 (G) 이 로더·언로더 (LU) 를 향하여 -X 방향으로 반송되게 되어 있다.The substrate G from the loader unloader LU is moved in the + X direction toward the interface IF in the portion on the -Y side, It is to be returned. The substrate G from the interface section IF is transported in the -X direction toward the loader unloader LU at the portion on the + Y side.

스크러버 유닛 (SR) 은, 로더·언로더 (LU) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 의 세정을 실시하는 유닛이다. 스크러버 유닛 (SR) 은, 드라이 세정 장치 (41), 웨트 세정 장치 (42) 및 에어나이프 장치 (43) 를 갖고 있다. 드라이 세정 장치 (41) 의 -X 측 및 에어나이프 장치 (43) 의 +X 측에는, 각각 컨베이어 기구 (CV1, CV2) 가 형성되어 있다. 컨베이어 기구 (CV1, CV2) 에는, 기판 (G) 을 반송하는 도시를 생략한 벨트 기구가 형성되어 있다.The scrubber unit SR is connected downstream of the loader / unloader (LU), and is a unit for cleaning the substrate (G). The scrubber unit SR has a dry cleaning device 41, a wet cleaning device 42 and an air knife device 43. Conveyor mechanisms CV1 and CV2 are formed on the -X side of the dry cleaning device 41 and the + X side of the air knife device 43, respectively. The conveyor mechanisms CV1 and CV2 are provided with a belt mechanism for conveying the substrate G (not shown).

드라이 세정 장치 (41) 는, 예를 들어 기판 (G) 에 엑시머 레이저 등의 자외선을 조사함으로써, 기판 (G) 상의 유기물을 제거한다. 웨트 세정 장치 (42) 는, 예를 들어 도시를 생략한 스크러빙 브러시를 갖고 있다. 웨트 세정 장치 (42) 는, 세정액 및 당해 스크러빙 브러시를 사용하여 기판 (G) 을 세정한다. 에어나이프 장치 (43) 는, 예를 들어 도시를 생략한 에어나이프 분사 기구를 갖고 있다. 에어나이프 장치 (43) 는, 에어나이프 분사 기구를 사용하여 기판 (G) 상에 에어나이프를 형성하고, 기판 (G) 상의 불순물을 제거한다.The dry cleaning apparatus 41 removes organic substances on the substrate G by, for example, irradiating the substrate G with ultraviolet rays such as an excimer laser. The wet cleaning device 42 has, for example, a scrubbing brush (not shown). The wet cleaning apparatus 42 cleans the substrate G using the cleaning liquid and the scrubbing brush. The air knife device 43 has, for example, an air knife injection mechanism (not shown). The air knife device 43 forms an air knife on the substrate G using an air knife injection mechanism to remove impurities on the substrate G. [

탈수 베이크 유닛 (DH) 은, 스크러버 유닛 (SR) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 상을 탈수하는 유닛이다. 탈수 베이크 유닛 (DH) 은, 가열 장치 (44), HMDS 장치 (46) 및 냉각 장치 (45) 를 갖고 있다. 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 는, Z 방향으로 겹쳐진 상태로 배치되어 있다. Z 방향에서 보아 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 에 겹쳐지는 위치에 컨베이어 기구 (CV3) 가 형성되어 있고, Z 방향에서 보아 냉각 장치 (45) 에 겹쳐지는 위치에 컨베이어 기구 (CV4) 가 형성되어 있다. 가열 장치 (44) 및 HMDS 장치 (46) 와, 냉각 장치 (45) 의 사이에는, 기판 (G) 을 반송하는 반송 기구 (TR1) 가 형성되어 있다. 반송 기구 (TR1) 에 대해서는, 예를 들어 로더·언로더 (LU) 에 형성된 반송 기구 (11) 와 동일한 구성으로 할 수 있다.The dewatering bake unit DH is connected to the downstream of the scrubber unit SR and is a unit for dewatering the substrate G. The dewatering baking unit DH has a heating device 44, an HMDS device 46, and a cooling device 45. The heating device 44 and the HMDS device 46 are arranged so as to overlap in the Z direction. A conveyor mechanism CV3 is formed at a position overlapping with the heating device 44 and the HMDS device 46 when viewed from the Z direction and a conveyor mechanism CV4 is provided at a position overlapping with the cooling device 45 as viewed in the Z direction Respectively. A transport mechanism TR1 for transporting the substrate G is formed between the heating device 44 and the HMDS device 46 and the cooling device 45. [ The transport mechanism TR1 can be configured in the same manner as the transport mechanism 11 formed in, for example, the loader / unloader (LU).

가열 장치 (44) 는, 예를 들어 기판 (G) 을 수용 가능한 챔버 내에 히터를 갖는 구성으로 되어 있다. 가열 장치 (44) 는, Z 방향으로 예를 들어 복수 단 배치되어 있다. 가열 장치 (44) 는, 기판 (G) 을 소정의 온도에서 가열한다. HMDS 장치 (46) 는, HMDS 가스를 기판 (G) 에 작용시켜 소수화 처리를 실시하고, 도포 유닛 (CT) 에 있어서 기판 (G) 에 도포하는 레지스트막과 기판 (G) 의 밀착성을 향상시키는 장치이다. 냉각 장치 (45) 는, 예를 들어 기판 (G) 을 수용 가능한 챔버 내에 온도 조절 기구를 갖고, 기판 (G) 을 소정의 온도로 냉각시킨다.The heating device 44 is configured to have a heater in a chamber capable of accommodating the substrate G, for example. The heating devices 44 are arranged in a plurality of stages in the Z direction, for example. The heating device 44 heats the substrate G at a predetermined temperature. The HMDS device 46 is a device for enhancing the adhesion between the resist film to be coated on the substrate G and the substrate G in the coating unit CT by hydrophilizing the HMDS gas on the substrate G, to be. The cooling device 45 has, for example, a temperature adjusting mechanism in a chamber capable of accommodating the substrate G, and cools the substrate G to a predetermined temperature.

도포 유닛 (CT) 은, 탈수 베이크 유닛 (DH) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 상의 소정의 영역에 레지스트막을 형성한다. 도포 유닛 (CT) 은, 도포 장치 (47), 감압 건조 장치 (48), 주연부 제거 장치 (49) 를 갖고 있다. 도포 장치 (47) 는, 기판 (G) 상에 레지스트막을 도포하는 장치이다. 도포 장치 (47) 로는, 예를 들어 회전식 도포 장치, 논스핀식 도포 장치, 슬릿 노즐 도포 장치 등이 사용된다. 이들 각종 도포 장치를 교환 가능한 구성이어도 된다. 감압 건조 장치 (48) 는, 레지스트막을 도포한 후의 기판 (G) 의 표면을 건조시킨다. 주연부 제거 장치 (49) 는, 기판 (G) 의 주연부에 도포된 레지스트막을 제거하고, 레지스트막의 형상을 가지런히 하는 장치이다.The coating unit CT is connected downstream of the dewatering baking unit DH to form a resist film on a predetermined area on the substrate G. [ The coating unit CT has a coating unit 47, a reduced-pressure drying unit 48, and a peripheral edge removal unit 49. The application device 47 is a device for applying a resist film on the substrate G. As the application device 47, for example, a rotary application device, a non-spin application device, a slit nozzle application device or the like is used. Or may be configured to exchange these various coating devices. The reduced-pressure drying apparatus 48 dries the surface of the substrate G after applying the resist film. The peripheral edge removing device 49 is a device for removing the resist film applied to the periphery of the substrate G and aligning the shape of the resist film.

프리베이크 유닛 (PR) 은, 도포 유닛 (CT) 의 하류에 접속되어 있고, 기판 (G) 에 프리베이크 처리를 실시하는 유닛이다. 프리베이크 유닛 (PR) 은, 가열 장치 (50) 및 냉각 장치 (51) 를 갖고 있다. 가열 장치 (50) 에 겹쳐지는 위치에 컨베이어 기구 (CV5) 가 형성되어 있다. 냉각 장치 (51) 에 겹쳐지는 위치에 컨베이어 기구 (CV6) 가 형성되어 있다. 가열 장치 (50) 와 냉각 장치 (51) 는, 반송 기구 (TR2) 를 사이에 끼우도록 Y 방향을 따라 배치되어 있다.The prebake unit PR is connected to the downstream side of the coating unit CT and is a unit for prebaking the substrate G. [ The pre-bak unit (PR) has a heating device (50) and a cooling device (51). A conveyor mechanism CV5 is formed at a position overlapping with the heating device 50. [ And a conveyor mechanism CV6 is formed at a position overlapping with the cooling device 51. [ The heating device 50 and the cooling device 51 are arranged along the Y direction so as to sandwich the transporting mechanism TR2 therebetween.

현상 유닛 (DV) 은, 프리베이크 유닛 (PR) 의 냉각 장치 (51) 의 -X 측에 접속되어 있고, 노광 후의 기판 (G) 의 현상 처리를 실시한다. 현상 유닛 (DV) 은, 현상 장치 (55), 린스 장치 (56) 및 에어나이프 장치 (57) 를 갖고 있다. 현상 장치 (55) 는, 기판 (G) 에 현상액을 공급하여 현상 처리를 실시한다. 린스 장치 (56) 는, 현상 후의 기판 (G) 에 린스액을 공급하고, 기판 (G) 을 세정한다. 에어나이프 장치 (57) 는, 기판 (G) 상에 에어나이프를 형성하고, 기판 (G) 상을 건조시킨다. 현상 장치 (55) 의 +X 측에는 컨베이어 기구 (CV9) 가 형성되어 있고, 에어나이프 장치 (57) 의 -X 측에는 반송 기구 (TR4) 가 형성되어 있다.The developing unit DV is connected to the -X side of the cooling unit 51 of the prebake unit PR and performs development processing of the exposed substrate G. [ The developing unit DV has a developing device 55, a rinsing device 56 and an air knife device 57. [ The developing device 55 supplies a developer to the substrate G to perform development processing. The rinsing device 56 supplies the rinsing liquid to the developed substrate G and rinses the substrate G. [ The air knife device 57 forms an air knife on the substrate G and dries the substrate G. [ A conveyor mechanism CV9 is formed on the + X side of the developing device 55 and a conveying mechanism TR4 is formed on the -X side of the air knife device 57. [

광처리 유닛 (LP) 은, 반송 기구 (TR4) 의 +Y 측 (기판 (G) 의 반송 라인의 측방) 에 접속되어 있다. 광처리 유닛 (LP) 은, 현상 후의 기판 (G) 에 예를 들어 소정 파장의 광을 조사한다. 반송 기구 (TR4) 는, 에어나이프 장치 (57) 로부터의 기판 (G) 을 광처리 유닛 (LP) 으로 반송하고, 광처리 유닛 (LP) 으로부터의 기판 (G) 을 포스트 베이크 유닛 (PB) 으로 반송한다. 반송 기구 (TR4) 는, 기판 (G) 을 유지하면서 Z 방향으로 승강 가능한 로봇 아암을 갖고 있다.The light-processing unit LP is connected to the + Y side of the transport mechanism TR4 (the side of the transport line of the substrate G). The light-processing unit LP irradiates the developed substrate G with light of a predetermined wavelength, for example. The transport mechanism TR4 transports the substrate G from the air knife device 57 to the light processing unit LP and transports the substrate G from the light processing unit LP to the post bake unit PB . The transport mechanism TR4 has a robot arm capable of ascending and descending in the Z direction while holding the substrate G.

포스트 베이크 유닛 (PB) 은, 반송 기구 (TR4) 의 하류측에 접속되어 있고, 광처리 후의 기판 (G) 을 베이크한다. 포스트 베이크 유닛 (PB) 은, 가열 장치 (59) 및 냉각 장치 (60) 를 갖고 있다. 가열 장치 (59) 와 냉각 장치 (60) 의 사이에는 반송 기구 (TR5) 가 형성되어 있다. 반송 기구 (TR5) 는, 가열 장치 (59) 로부터 냉각 장치 (60) 로 기판 (G) 을 반송한다. 가열 장치 (59) 는, 현상 후의 기판 (G) 에 포스트 베이크를 실시한다. 냉각 장치 (60) 는, 포스트 베이크 후의 기판 (G) 을 냉각시킨다.The post bake unit PB is connected to the downstream side of the transport mechanism TR4 and bakes the substrate G after the light processing. The post bake unit (PB) has a heating device (59) and a cooling device (60). Between the heating device 59 and the cooling device 60, a transport mechanism TR5 is formed. The transport mechanism TR5 transports the substrate G from the heating device 59 to the cooling device 60. [ The heating device 59 performs post-baking on the post-development substrate G. The cooling device 60 cools the substrate G after the post-baking.

인터페이스부 (IF) 는, 노광 장치 (EX) 에 접속되는 부분이다. 인터페이스부 (IF) 는, 버퍼 장치 (52), 반송 기구 (TR3), 컨베이어 기구 (CV7, CV8) 및 주변 노광 장치 (EE) 를 갖고 있다. 버퍼 장치 (52) 는, 프리베이크 유닛 (PR) 의 반송 기구 (TR2) 의 +X 측에 배치되어 있다. 버퍼 장치 (52) 의 +X 측에는, 반송 기구 (TR3) 가 형성되어 있다.The interface unit IF is a part connected to the exposure apparatus EX. The interface unit IF has a buffer unit 52, a transport mechanism TR3, conveyor mechanisms CV7 and CV8, and an edge exposure apparatus EE. The buffer device 52 is disposed on the + X side of the transport mechanism TR2 of the pre-bake unit PR. On the + X side of the buffer device 52, a transport mechanism TR3 is formed.

버퍼 장치 (52) 는, 기판 (G) 을 일시적으로 대기시켜 두는 장치이다. 버퍼 장치 (52) 에는, 기판 (G) 을 수용하는 도시를 생략한 챔버나, 당해 챔버 내의 온도를 조정하는 온도 조절 장치, 챔버 내에 수용된 기판 (G) 의 θZ 방향의 위치를 조정하는 회전 제어 장치 등이 형성되어 있다. 버퍼 장치 (52) 의 챔버 내에서는, 기판 (G) 의 온도를 소정의 온도로 유지할 수 있도록 되어 있다. 컨베이어 기구 (CV7, CV8) 는, 프리베이크 유닛 (PR) 의 냉각 장치 (51) 를 X 방향으로 사이에 끼우도록 배치되어 있다.The buffer device 52 is a device for temporarily holding the substrate G. The buffer device 52 is provided with a chamber for omitting the substrate G, a temperature adjusting device for adjusting the temperature in the chamber, a rotation control device for adjusting the position of the substrate G housed in the chamber in the? And the like. In the chamber of the buffer device 52, the temperature of the substrate G can be maintained at a predetermined temperature. The conveyor mechanisms CV7 and CV8 are arranged so as to sandwich the cooling device 51 of the pre-baking unit PR in the X direction.

(광조사 장치)(Light irradiation device)

도 2 는, 광처리 유닛 (LP) 을 +Y 방향으로 보았을 때의 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 2 is a view showing the configuration when the light processing unit LP is viewed in the + Y direction.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 광처리 유닛 (LP) 은, 챔버 (80), 광조사부 (81), 제 1 스테이지 (82), 제 1 반송부 (83), 제 2 스테이지 (84) 및 제 2 반송부 (85) 를 갖고 있다. 챔버 (80) 는, 직방체의 상자상으로 형성되어 있다. 챔버 (80) 는, 현상 유닛 (DV) 의 상면 (+Z 측의 면) 에 배치되어 있다.2, the light processing unit LP includes a chamber 80, a light irradiation unit 81, a first stage 82, a first conveyance unit 83, a second stage 84, (85). The chamber 80 is formed in a box shape of a rectangular parallelepiped. The chamber 80 is disposed on the upper surface (+ Z side surface) of the developing unit DV.

챔버 (80) 의 -X 측의 면 (소정면) (80f) 에는, 기판 반입출구 (80a) 가 형성되어 있다. 기판 반입출구 (80a) 는, 챔버 (80) 에 대하여 기판 (G) 의 반입 및 반출을 실시한다. 또한, 챔버 (80) 의 면 (80f) 에는, 현상 유닛 (DV) 에 접속하기 위한 접속부 (80c) 가 형성되어 있다. 접속부 (80c) 는, 챔버 (80) 를 현상 유닛 (DV) 측에 물리적으로 접속함과 함께, 챔버 (80) 의 전기적인 배선 등을 접속시킴으로써, 챔버 (80) 와 현상 유닛 (DV) 을 전기적으로도 접속하고 있다.On the surface (predetermined surface) 80f on the -X side of the chamber 80, a substrate carry-in / out port 80a is formed. The substrate carry-in / out port 80a carries out the carry-in and carry-out of the substrate G with respect to the chamber 80. [ A connection portion 80c for connection to the developing unit DV is formed on the surface 80f of the chamber 80. [ The connecting portion 80c physically connects the chamber 80 to the developing unit DV and connects the chamber 80 and the developing unit DV electrically As shown in FIG.

광조사부 (81) 는, 챔버 (80) 의 +Z 측의 면에 장착되어 있다. 광조사부 (81) 는, 300 ㎚ 이상의 파장의 광을 사출하는 광사출부 (81a) 를 갖고 있다. 광사출부 (81a) 는, -X 방향으로 평행하게 광 (L) 을 사출하는 광원을 갖고 있다. 이러한 광원으로는, 예를 들어 메탈할라이드 램프 등을 들 수 있다. 광사출부 (81a) 는, 광원으로부터 사출되는 광 중 파장이 300 ㎚ 보다 낮은 성분을 커트하는 필터 (81b) 가 형성되어 있다. 광사출부 (81a) 는, 이 필터를 통해 광을 사출하기 때문에, 광사출부 (81a) 로부터 사출되는 광 (L) 의 파장은 300 ㎚ 이상이 된다. 이와 같이 광 (L) 의 파장을 300 ㎚ 이상으로 함으로써, 광 (L) 의 조사에 의해 기판 (G) 의 온도가 지나치게 높아지는 것을 방지할 수 있다. 광조사부 (81) 는, +Z 측의 단부가 챔버 (80) 의 외부에 돌출하도록 배치되어 있다.The light irradiation unit 81 is mounted on the surface of the chamber 80 on the + Z side. The light irradiation unit 81 has a light emission unit 81a for emitting light having a wavelength of 300 nm or more. The light emitting portion 81a has a light source that emits light L in parallel in the -X direction. Examples of such a light source include a metal halide lamp and the like. The light emitting portion 81a is formed with a filter 81b that cuts out components of wavelengths lower than 300 nm out of light emitted from the light source. Since the light emitting portion 81a emits light through this filter, the wavelength of the light L emitted from the light emitting portion 81a becomes 300 nm or more. By setting the wavelength of the light L to 300 nm or more in this way, it is possible to prevent the temperature of the substrate G from being excessively increased by the irradiation of the light L. The light irradiation unit 81 is arranged so that the end on the + Z side protrudes outside the chamber 80.

제 1 스테이지 (82) 는, 챔버 (80) 의 내부에 형성되어 있다. 제 1 스테이지 (82) 는, 챔버 (80) 의 내부에 반입되는 기판 (G) 을 지지한다. 제 1 스테이지 (82) 는, 기판 반입출구 (80a) 의 +X 측에 배치되어 있고, 기판 반입출구 (80a) 로부터 반입되는 기판 (G) 을 지지 가능하다. 제 1 스테이지 (82) 는, 기판 (G) 을 X 방향으로 반송하는 도시를 생략한 반송 기구를 갖고 있다. 또한, 제 1 스테이지 (82) 는, Z 방향으로 승강 가능하다. 제 1 스테이지 (82) 는, 제 1 반송부 (83) 와 동일한 높이 위치 (Z 방향 상의 위치) 와, 제 2 반송부 (85) 와 동일한 높이 위치의 사이를 이동 가능하다. 제 1 스테이지 (82) 는, 제 2 반송부 (85) 와 동일한 높이 위치에 있어서는, 제 2 반송부 (85) 로부터의 기판 (G) 을 지지 가능하다. 또, 제 1 스테이지 (82) 는, 기판 (G) 을 지지한 상태로 승강 가능하다.The first stage 82 is formed inside the chamber 80. The first stage 82 supports a substrate G that is carried into the chamber 80. The first stage 82 is disposed on the + X side of the substrate carry-in / out port 80a and is capable of supporting the substrate G carried from the substrate carry-in / out port 80a. The first stage 82 has a transport mechanism that omits the substrate G for transporting the substrate G in the X direction. Further, the first stage 82 can be elevated in the Z direction. The first stage 82 is movable between the same height position (position in the Z direction) as the first carry section 83 and the same height position as the second carry section 85. The first stage 82 can support the substrate G from the second carry section 85 at the same height position as the second carry section 85. [ Further, the first stage 82 can be raised and lowered while supporting the substrate G.

제 1 반송부 (83) 는, 제 1 스테이지 (82) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 반송한다. 제 1 반송부 (83) 는, 반송 기구 (83a) 및 가열 기구 (83b) 를 갖고 있다. 반송 기구 (83a) 는, 기판 (G) 의 자세를 수평면 (XY 평면) 에 평행하게 유지한 채로 +X 방향으로 반송한다. 반송 기구 (83a) 의 동작을 정지시킨 상태에서는, 기판 (G) 의 자세를 유지한 채로 기판 (G) 을 지지할 수 있게 되어 있다. 가열 기구 (83b) 는, 나중에 광 (L) 의 조사를 받게 되는 기판 (G) 의 온도가 적당한 온도가 되도록 기판 (G) 의 온도를 조정한다. 예를 들어, 가열 기구 (83b) 는, 기판 (G) 의 온도를 100 ℃ 정도로 유지한다.The first conveying section 83 conveys the substrate G conveyed from the first stage 82. The first transport section 83 has a transport mechanism 83a and a heating mechanism 83b. The transport mechanism 83a transports the substrate G in the + X direction while keeping the posture of the substrate G parallel to the horizontal plane (XY plane). The substrate G can be supported while maintaining the posture of the substrate G in a state in which the operation of the transport mechanism 83a is stopped. The heating mechanism 83b adjusts the temperature of the substrate G so that the temperature of the substrate G to be irradiated with the light L later becomes an appropriate temperature. For example, the heating mechanism 83b maintains the temperature of the substrate G at about 100 占 폚.

제 2 스테이지 (84) 는, 챔버 (80) 의 내부로서 +X 측의 단부에 형성되어 있다. 제 2 스테이지 (84) 는, 제 1 반송부 (83) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 지지한다. 제 2 스테이지 (84) 는, 기판 (G) 을 X 방향으로 반송하는 도시를 생략한 반송 기구를 갖고 있다. 또한, 제 2 스테이지 (84) 는, Z 방향으로 승강 가능하다. 제 2 스테이지 (84) 는, 제 1 반송부 (83) 와 동일한 높이 위치 (Z 방향 상의 위치) 와, 제 2 반송부 (85) 와 동일한 높이 위치의 사이를 이동 가능하다. 또한, 제 2 스테이지 (84) 는, 기판 (G) 을 지지한 상태로 승강 가능하다. 제 2 스테이지 (84) 는, 제 2 반송부 (85) 와 동일한 높이 위치에 배치되는 경우, 제 2 반송부 (85) 로 기판 (G) 을 보내는 것이 가능하다.The second stage 84 is formed at the end of the chamber 80 on the + X side. The second stage 84 supports the substrate G conveyed from the first conveying section 83. The second stage 84 has a transport mechanism (not shown) for transporting the substrate G in the X direction. Further, the second stage 84 can be elevated in the Z direction. The second stage 84 is movable between the same height position (position in the Z direction) as the first carry section 83 and the same height position as the second carry section 85. Further, the second stage 84 can be raised and lowered while supporting the substrate G. When the second stage 84 is disposed at the same height position as the second transfer section 85, it is possible to send the substrate G to the second transfer section 85.

제 2 반송부 (85) 는, 제 2 스테이지 (84) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 반송한다. 제 2 반송부 (85) 는, 제 1 반송부 (83) 의 +Z 측에 배치되어 있다. 제 2 반송부 (85) 는, 광조사부 (81) 에 대향하여 배치되어 있다. 제 2 반송부 (85) 는, 반송 기구 (85a) 및 가열 기구 (85b) 를 갖고 있다. 반송 기구 (85a) 는, 기판 (G) 의 자세를 수평면 (XY 평면) 에 평행하게 유지한 채로 -X 방향으로 반송한다. 반송 기구 (85a) 의 동작을 정지시킨 상태에서는, 기판 (G) 의 자세를 유지한 채로 기판 (G) 을 지지할 수 있게 되어 있다. 가열 기구 (85b) 는, Z 방향에 있어서 광조사부 (81) 와의 사이에서 기판 (G) 을 끼우는 위치에 배치되어 있다. 가열 기구 (85b) 는, 광조사부 (81) 에 의해 광의 조사를 받는 기판 (G) 을 -Z 측으로부터 가열한다. 가열 기구 (85b) 는, 반송 기구 (85a) 에 의해 지지된 기판 (G) 을 가열한다. 반송 기구 (85a) 는, 제 2 반송부 (85) 의 -X 측에 제 1 스테이지 (82) 가 배치되어 있는 경우에는, 기판 (G) 을 제 1 스테이지 (82) 로 반송 가능하다.The second conveying section 85 conveys the substrate G conveyed from the second stage 84. The second carry section 85 is disposed on the + Z side of the first carry section 83. The second conveying section 85 is disposed opposite to the light irradiating section 81. The second transport section 85 has a transport mechanism 85a and a heating mechanism 85b. The transport mechanism 85a transports the substrate G in the -X direction while keeping the posture of the substrate G parallel to the horizontal plane (XY plane). The substrate G can be supported while maintaining the posture of the substrate G in a state in which the operation of the transport mechanism 85a is stopped. The heating mechanism 85b is disposed at a position where the substrate G is sandwiched between the heating mechanism 85b and the light irradiation unit 81 in the Z direction. The heating mechanism 85b heats the substrate G, which is irradiated with light by the light irradiation unit 81, from the -Z side. The heating mechanism 85b heats the substrate G supported by the transport mechanism 85a. The transport mechanism 85a is capable of transporting the substrate G to the first stage 82 when the first stage 82 is disposed on the -X side of the second transport section 85. [

기판 반입출구 (80a) 로부터 반입된 기판 (G) 은, 제 1 스테이지 (82) 및 제 1 반송부 (83) 를 거쳐 제 2 스테이지 (84) 로 +X 방향으로 반송된다. 이와 같이, 챔버 (80) 내에는, 기판 (G) 을 일 방향 (+X 방향) 으로 반송하는 제 1 기판 반송 경로 (R1) 가 형성되어 있다. 제 2 스테이지 (84) 에 지지된 기판 (G) 은, 당해 제 2 스테이지 (84) 및 제 2 반송부 (85) 를 거쳐 제 1 스테이지 (82) 로 -X 방향으로 반송된다. 이와 같이, 챔버 (80) 내에는, 기판 (G) 을 일 방향 (-X 방향) 으로 반송하는 제 2 기판 반송 경로 (R2) 가 형성되어 있다. 제 2 기판 반송 경로 (R2) 는, 제 1 기판 반송 경로 (R1) 에 대하여 +Z 방향으로 나란히 배치되어 있다.The substrate G carried from the substrate loading / unloading port 80a is transported in the + X direction to the second stage 84 via the first stage 82 and the first transporting section 83. In this way, in the chamber 80, a first substrate transport path R1 for transporting the substrate G in one direction (+ X direction) is formed. The substrate G supported by the second stage 84 is conveyed in the -X direction to the first stage 82 via the second stage 84 and the second conveying section 85. As described above, in the chamber 80, a second substrate transport path R2 for transporting the substrate G in one direction (-X direction) is formed. The second substrate transport path R2 is arranged in the + Z direction with respect to the first substrate transport path R1.

본 실시형태에 있어서, 광조사부 (81) 는, 광이 조사되는 기판 (G) 의 반송 경로 (제 2 기판 반송 경로 (R2)) 를 따라 이동 가능하게 할 수도 있다. 즉, 광조사부 (81) 는, 도 2 에 있어서의 X 축에 평행한 방향 (D1) 및 방향 (D2) 으로 이동 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 챔버 (80) 에, 광조사부 (81) 를 수평 이동시키는 수평 이동 기구를 형성할 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 광조사부 (81) 를 방향 (D1) 또는 방향 (D2) 으로 이동시키면서 기판 (G) 에 대하여 광을 조사할 수 있다. 이것에 의해, 제 2 반송부 (85) 상에서 -X 방향으로 반송되고 있는 기판 (G) 과 광조사부 (81) 의 상대 속도를 자유롭게 변경할 수 있다. 그 결과, 기판 (G) 에 대한 광조사량이나 택트 타임을 자유롭게 설정할 수 있다.In the present embodiment, the light irradiating unit 81 may be movable along a transport path (second substrate transport path R2) of the substrate G to which light is irradiated. That is, the light irradiation unit 81 can be moved in the directions D1 and D2 parallel to the X-axis in Fig. For example, a horizontal movement mechanism for horizontally moving the light irradiation unit 81 can be formed in the chamber 80. [ With this configuration, light can be irradiated onto the substrate G while moving the light irradiation unit 81 in the direction D1 or D2. As a result, the relative speed between the substrate G and the light irradiating unit 81, which are transported in the -X direction on the second transporting unit 85, can be freely changed. As a result, the light irradiation amount and tact time for the substrate G can be set freely.

구체적으로는, 광조사부 (81) 를 기판 (G) 과 동 방향 (방향 (D1)) 으로 이동시키면서 광조사를 실시함으로써, 기판 (G) 에 대한 광조사부 (81) 의 상대 속도가 저하되기 때문에, 광사출부 (81a) 의 출력을 상승시키지 않아도 기판 (G) 에 대한 광조사량을 증대시킬 수 있다. 이것은, 다른 관점에서는, 반송 속도를 상승시켜도 기판 (G) 에 대한 광조사량을 동등하게 유지할 수 있게 되므로, 장치 내에서의 기판 (G) 의 반송 속도를 상승시켜 스루풋을 향상시킬 수도 있다.Specifically, the light irradiation is performed while moving the light irradiation part 81 in the same direction (direction D1) as the substrate G, so that the relative speed of the light irradiation part 81 with respect to the substrate G is lowered , It is possible to increase the amount of light irradiation to the substrate G without increasing the output of the light emitting portion 81a. This is because, from another point of view, even if the transfer speed is increased, the light irradiation amount with respect to the substrate G can be maintained equally, so that the transfer speed of the substrate G in the apparatus can be increased to improve the throughput.

한편, 광조사부 (81) 를 기판 (G) 과 반대 방향 (방향 (D2)) 으로 이동시키면서 광조사를 실시하면, 기판 (G) 과 광조사부 (81) 의 상대 속도가 상승하기 때문에, 기판 (G) 에 대한 광조사에 요하는 시간 (택트 타임) 이 짧아진다. 이것에 의해, 광조사 공정이 보틀 넥인 경우에는 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 광조사부 (81) 의 이동 속도를 변경함으로써, 기판 (G) 의 반송 속도나 광사출부 (81a) 의 출력을 변경하지 않고, 기판 (G) 에 대한 광조사량의 조정이 가능하다. 광조사부 (81) 를 방향 (D2) 으로 이동시키는 경우에는, 기판 (G) 에 대한 광조사량을 저감시키는 방향의 조정이 용이해진다.On the other hand, when light irradiation is performed while moving the light irradiation unit 81 in the direction opposite to the substrate G (direction D2), the relative speed between the substrate G and the light irradiation unit 81 increases, G) required for light irradiation (tact time) is shortened. Thus, when the light irradiation step is a bottle neck, it is possible to improve the throughput. It is also possible to adjust the light irradiation amount on the substrate G without changing the conveying speed of the substrate G and the output of the light emitting portion 81a by changing the moving speed of the light irradiating portion 81. [ When the light irradiating unit 81 is moved in the direction D2, it is easy to adjust the direction in which the light amount of the substrate G is reduced.

또, 광조사부 (81) 의 이동 방향과, 제 2 반송부 (85) 에 있어서의 기판 반송 방향은, 대략 평행하면 된다. 구체적으로는, 광조사부 (81) 의 이동 방향과, 제 2 반송부 (85) 에 있어서의 기판 반송 방향이 이루는 각도가 30 도 이하이면 된다.The moving direction of the light irradiating unit 81 and the substrate transport direction in the second transport unit 85 may be substantially parallel. Specifically, the angle formed by the moving direction of the light irradiating unit 81 and the substrate conveying direction of the second conveying unit 85 may be 30 degrees or less.

(기판 처리 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Substrate Processing Apparatus)

상기 기판 처리 장치 (SPA) 는, 챔버 (80) 를 포함하는 광처리 유닛 (LP) 을 반송 기구 (TR4) 의 측부에 접속시킴으로써, 용이하게 제조할 수 있다. 이 경우, 챔버 (80) 의 접속부 (80c) 를 반송 기구 (TR4) 측에 접속함으로써, 광처리 유닛 (LP) 과 반송 기구 (TR4) 측의 사이를 물리적으로, 또한 전기적으로 접속하는 것이 가능해진다.The substrate processing apparatus SPA can be easily manufactured by connecting the light processing unit LP including the chamber 80 to the side of the transport mechanism TR4. In this case, by connecting the connection portion 80c of the chamber 80 to the transport mechanism TR4 side, it is possible to physically and electrically connect the light processing unit LP and the transport mechanism TR4 side.

(기판 처리 방법, 자외선 조사 방법)(Substrate processing method, ultraviolet ray irradiation method)

이상과 같이 구성된 기판 처리 장치 (SPA) 를 사용하는 기판 처리 방법을 설명한다.A substrate processing method using the substrate processing apparatus (SPA) configured as described above will be described.

먼저, 기판 (G) 이 수용된 카세트 (C) 를 로더·언로더 (LU) 의 카세트 대기부 (10) 에 로드한다. 카세트 (C) 내의 기판 (G) 은, 반송 기구 (11) 를 통해 스크러버 유닛 (SR) 으로 반송된다.First, the cassette C containing the substrate G is loaded on the cassette-waiting portion 10 of the loader / unloader LU. The substrate G in the cassette C is transported to the scrubber unit SR through the transport mechanism 11. [

스크러버 유닛 (SR) 에 반송된 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV1) 를 통해 드라이 세정 장치 (41) 로 반송된다. 이 기판 (G) 은, 드라이 세정 장치 (41), 웨트 세정 장치 (42) 및 에어나이프 장치 (43) 와 순서대로 처리된다. 에어나이프 장치 (43) 로부터 반출된 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV2) 를 통해 탈수 베이크 유닛 (DH) 으로 반송된다.The substrate G conveyed to the scrubber unit SR is conveyed to the dry-cleaning apparatus 41 through the conveyor mechanism CV1. The substrate G is processed in order with the dry cleaning device 41, the wet cleaning device 42 and the air knife device 43 in this order. The substrate G taken out from the air knife device 43 is conveyed to the dehydrating bake unit DH through the conveyor mechanism CV2.

탈수 베이크 유닛 (DH) 에서는, 먼저 가열 장치 (44) 에 의해 기판 (G) 의 가열 처리가 실시된다. 가열 후의 기판 (G) 은, 예를 들어 Z 방향으로 반송되고, HMDS 장치 (46) 에 있어서 HMDS 가스에 의한 처리가 실시된다. HMDS 처리 후의 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR1) 에 의해 냉각 장치 (45) 에 반송되고, 냉각 처리가 실시된다. 냉각 처리 후의 기판 (G) 은, 컨베이어 기구 (CV4) 에 의해 도포 유닛 (CT) 으로 반송된다.In the dehydration bake unit DH, the substrate G is first subjected to the heat treatment by the heating device 44. The substrate G after the heating is transported in the Z direction, for example, and the HMDS device 46 performs the treatment with the HMDS gas. The substrate G after the HMDS processing is transported to the cooling device 45 by the transport mechanism TR1, and the cooling processing is performed. The substrate G after the cooling process is conveyed to the coating unit CT by the conveyor mechanism CV4.

그 후, 기판 (G) 은 도포 유닛 (CT) 에 있어서 레지스트막의 도포 처리가 실시된다. 도포 처리 후의 기판 (G) 은 프리베이크 유닛 (PR) 으로 반송되고, 가열 장치 (50) 에 있어서 프리베이크 처리가 실시되고, 냉각 장치 (51) 에 있어서 냉각 처리가 실시된다. 프리베이크 유닛 (PR) 에서의 처리를 완료시킨 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR2) 에 의해 인터페이스부 (IF) 로 반송된다.Thereafter, the substrate G is subjected to a coating treatment of the resist film in the coating unit CT. The substrate G after the coating process is transported to the prebake unit PR, the prebaking process is performed in the heating device 50, and the cooling process is performed in the cooling device 51. [ The substrate G on which the processing in the pre-bake unit PR has been completed is transported to the interface unit IF by the transport mechanism TR2.

인터페이스부 (IF) 에서는, 예를 들어 버퍼 장치 (52) 에 있어서 온도 조정이 실시된 후, 주변 노광 장치 (EE) 에서 주변 노광이 실시된다. 주변 노광 후, 기판 (G) 은, 반송 기구 (TR3) 에 의해 노광 장치 (EX) 로 반송되고, 노광 처리가 실시된다. 노광 처리 후의 기판 (G) 은, 가열 처리 및 냉각 처리가 실시된 후, 현상 유닛 (DV) 으로 반송된다.In the interface section IF, for example, after temperature adjustment is performed in the buffer device 52, ambient exposure is performed in the peripheral exposure apparatus EE. After the peripheral exposure, the substrate G is transported to the exposure apparatus EX by the transport mechanism TR3, and subjected to exposure processing. The substrate G after the exposure processing is conveyed to the developing unit DV after the heat treatment and the cooling treatment are performed.

현상 유닛 (DV) 에 있어서, 기판 (G) 에는 현상 처리, 린스 처리 및 건조 처리가 순서대로 실시된다. 건조 처리 후, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암에 의해 기판 (G) 은 광처리 유닛 (LP) 으로 반송된다. 이하, 광처리 유닛 (LP) 에 있어서, 기판 (G) 이 복수 반입되는 경우, 복수의 기판을 반입된 순서대로 G1, G2, G3, … 으로 표기한다.In the developing unit DV, development processing, rinsing processing, and drying processing are sequentially performed on the substrate G. [ After the drying process, the substrate G is transported to the light processing unit LP by the robot arm of the transport mechanism TR4. Hereinafter, in the light-processing unit LP, when a plurality of substrates G are brought in, a plurality of substrates are stacked in the order of G1, G2, G3, ... .

제어부 (CONT) 는, 기판 (G) 을 유지하는 로봇 아암을 +Z 방향으로 이동시키고, 도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (G1) 을 기판 반입출구 (80a) 로부터 챔버 (80) 의 내부에 반입시킨다. 광처리 유닛 (LP) 에서는, 제 1 스테이지 (82) 를 제 1 반송부 (83) 와 동일한 높이 위치에 배치시켜 둔다. 이것에 의해, 챔버 (80) 에 반입된 기판 (G1) 이 제 1 스테이지 (82) 에 재치 (載置) 된다.The control unit CONT moves the robot arm holding the substrate G in the + Z direction and moves the substrate G1 from the substrate carry-in / out port 80a to the chamber 80 And bring it inside. In the light processing unit LP, the first stage 82 is disposed at the same height position as the first conveying unit 83. As a result, the substrate G1 carried into the chamber 80 is placed on the first stage 82.

다음으로, 제어부 (CONT) 는, 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 스테이지 (82) 에 재치된 기판 (G1) 을 +X 방향으로 반송시키고, 제 1 반송부 (83) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (83) 의 X 방향의 거의 중앙부에 기판 (G1) 을 반송시킨 후, 반송 기구 (83a) 를 일시 정지시키고, 가열 기구 (83b) 를 작동시킨다. 이 동작에 의해, 반송 기구 (83a) 에 지지된 기판 (G1) 은, 가열 기구 (83b) 에 의해 원하는 온도로 조정된다.Next, as shown in Fig. 3 (b), the control unit CONT conveys the substrate G1 placed on the first stage 82 in the + X direction and moves it to the first conveying unit 83 . The control section CONT causes the substrate G1 to be transported to the substantially central portion in the X direction of the first transport section 83 and then temporarily stops the transport mechanism 83a to operate the heating mechanism 83b. With this operation, the substrate G1 supported by the transport mechanism 83a is adjusted to a desired temperature by the heating mechanism 83b.

기판 (G1) 을 일정 시간, 예비적으로 가열시킨 후, 제어부 (CONT) 는, 도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 반송 기구 (83a) 에 의해 기판 (G1) 을 +X 방향으로 반송시킨다. 기판 (G1) 은, 제 1 반송부 (83) 로부터 제 2 스테이지 (84) 로 수수된다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 현상 유닛 (DV) 으로부터 반송되는 다른 기판 (G2) 을 챔버 (80) 에 반입시킨다. 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 기판 반입출구 (80a) 까지 이동시키고, 기판 (G2) 을 기판 반입출구 (80a) 로부터 챔버 (80) 의 내부에 반입시킨다. 챔버 (80) 의 내부에 반입된 기판 (G2) 은, 제 1 스테이지 (82) 에 재치된다.After the substrate G1 is preliminarily heated for a predetermined time, the control unit CONT conveys the substrate G1 in the + X direction by the transport mechanism 83a as shown in Fig. 3 (c). The substrate G1 is transferred from the first transfer section 83 to the second stage 84. [ Further, the control unit CONT brings the other substrate G2 conveyed from the developing unit DV into the chamber 80. Further, The control unit CONT moves the robot arm of the transport mechanism TR4 to the substrate loading and unloading port 80a and brings the substrate G2 into the chamber 80 from the substrate loading and unloading port 80a. The substrate G2 loaded into the chamber 80 is placed on the first stage 82. [

다음으로, 제어부 (CONT) 는, 도 4(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (G1) 을 지지한 상태의 제 2 스테이지 (84) 를 +Z 측으로 이동시키고, 제 2 반송부 (85) 의 높이 위치에 맞춘다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (82) 에 재치된 기판 (G2) 을 +X 방향으로 반송시키고, 제 1 반송부 (83) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (83) 의 X 방향의 거의 중앙부에 기판 (G2) 을 반송시킨 후, 반송 기구 (83a) 를 일시 정지시키고, 가열 기구 (83b) 를 작동시킨다. 이 동작에 의해, 반송 기구 (83a) 에 지지된 기판 (G2) 은, 가열 기구 (83b) 에 의해 원하는 온도로 조정된다.4 (a), the control unit CONT moves the second stage 84 in a state in which the substrate G1 is supported to the + Z side, and adjusts the height of the second conveying unit 85 Position. The control unit CONT also conveys the substrate G2 placed on the first stage 82 in the + X direction and moves the substrate G2 to the first carry unit 83. The control unit CONT temporarily holds the transport mechanism 83a after the substrate G2 is transported to the substantially central portion in the X direction of the first transport unit 83 and operates the heating mechanism 83b. By this operation, the substrate G2 supported by the transport mechanism 83a is adjusted to a desired temperature by the heating mechanism 83b.

다음으로, 제어부 (CONT) 는, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 스테이지 (82) 를 +Z 방향으로 이동시키고, 제 2 반송부 (85) 의 높이 위치에 맞춰 둔다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 2 스테이지 (84) 에 재치된 기판 (G1) 을 -X 방향으로 반송시키고, 제 2 반송부 (85) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 2 반송부 (85) 에 반송된 기판 (G1) 에 대하여, 광조사부 (81) 에 의한 광 (L) 의 조사를 실시하게 한다. 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (85a) 를 작동시켜 기판 (G1) 을 -X 방향으로 이동시킴과 함께, 가열 기구 (85b) 를 작동시키고, 기판 (G1) 의 온도를 100 ℃ 정도로 유지한다. 이 상태에서 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (81) 로부터 광 (L) 을 사출시킨다. 광조사부 (81) 로부터 사출된 광 (L) 은, 기판 (G1) 에 조사된다. 이 동작에 의해, 반송 기구 (85a) 에 의해 수평면에 이동하는 기판 (G1) 에 대하여, 300 ㎚ 이상의 파장의 광 (L) 이 조사된다. 광 (L) 의 조사는, 기판 (G1) 의 전체가 광조사부 (81) 를 -X 방향으로 통과할 때까지 실시된다. 제 2 반송부 (85) 에 의해 -X 방향으로 반송된 기판 (G1) 은, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 미리 배치시켜 둔 제 1 스테이지 (82) 에 재치된다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (82) 에 기판 (G1) 이 재치된 후, 제 1 스테이지 (82) 를 -Z 방향으로 이동시키고, 제 1 반송부 (83) 에 높이 위치를 맞춘다.4 (b), the control unit CONT moves the first stage 82 in the + Z direction and aligns the first stage 82 with the height position of the second transport unit 85. [ The control unit CONT also conveys the substrate G1 placed on the second stage 84 in the -X direction and moves it to the second carry unit 85. [ The control unit CONT causes the substrate G1 conveyed to the second conveyance unit 85 to irradiate the light L with the light irradiation unit 81. [ The control unit CONT activates the transport mechanism 85a to move the substrate G1 in the -X direction and operates the heating mechanism 85b to maintain the temperature of the substrate G1 at about 100 ° C. In this state, the control unit CONT causes the light L to be emitted from the light irradiation unit 81. The light L emitted from the light irradiation unit 81 is irradiated to the substrate G1. With this operation, light L of a wavelength of 300 nm or more is irradiated onto the substrate G1 which moves on the horizontal plane by the transport mechanism 85a. Irradiation of the light L is carried out until the entire substrate G1 passes through the light irradiation portion 81 in the -X direction. The substrate G1 conveyed in the -X direction by the second conveying unit 85 is placed on the first stage 82 previously placed as shown in Fig. 4 (c). The controller CONT moves the first stage 82 in the -Z direction after the substrate G1 is placed on the first stage 82 and adjusts the height position of the first stage 82 to the first conveying unit 83. [

다음으로, 제어부 (CONT) 는, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 스테이지 (82) 및 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 사용하여, 제 1 스테이지 (82) 상의 기판 (G1) 을 반출시킨다. 또, 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (83) 에서 예비적인 가열을 실시하고 있던 기판 (G2) 을 +X 방향으로 이동시키고, 제 2 스테이지 (84) 에 재치시킨다.5 (a), the controller CONT uses the robot arms of the first stage 82 and the transport mechanism TR4 to move the substrate G1 on the first stage 82 Out. The control unit CONT moves the substrate G2 which has been preliminarily heated in the first transport unit 83 in the + X direction and places it on the second stage 84. [

다음으로, 제어부 (CONT) 는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (G2) 을 지지한 상태의 제 2 스테이지 (84) 를 +Z 측으로 이동시키고, 제 2 반송부 (85) 의 높이 위치에 맞춘다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (82) 에 재치된 기판 (G3) 을 +X 방향으로 반송시키고, 제 1 반송부 (83) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (83) 의 X 방향의 거의 중앙부에 기판 (G3) 을 반송시킨 후, 반송 기구 (83a) 를 일시 정지시키고, 기판 (G3) 을 예비적으로 가열한다.5 (b), the control unit CONT moves the second stage 84 in a state in which the substrate G2 is supported to the + Z side, and adjusts the height of the second conveying unit 85 Position. The control unit CONT also conveys the substrate G3 placed on the first stage 82 in the + X direction and moves it to the first carrying unit 83. [ The control unit CONT temporarily holds the transport mechanism 83a and preliminarily heats the substrate G3 after transporting the substrate G3 to the substantially central portion of the first transport unit 83 in the X direction.

이후, 제어부 (CONT) 는, 상기와 동일하게 기판 (G2), 기판 (G3) 에 대하여 순서대로 광 (L) 의 조사를 실시하고, 기판 반입출구 (80a) 를 통해 챔버 (80) 로부터 반출시킨다. 또한, 기판 반입출구 (80a) 를 통해 새로운 기판을 챔버 (80) 에 반입시키고, 광 (L) 의 조사를 실시하게 한다. 챔버 (80) 로부터 반출된 기판 (G1 ∼ G3) 은, 반송 기구 (TR4) 를 통해 포스트 베이크 유닛 (PB) 으로 반송된다. 이상의 동작을 반복하여 실시하게 함으로써, 현상 유닛 (DV) 을 거친 기판 (G) 에 대하여 광조사 처리 (큐어 처리) 를 실시할 수 있다.Thereafter, the control unit CONT irradiates the substrate G2 and the substrate G3 in this order with light L in the same manner as described above, and takes it out of the chamber 80 through the substrate loading / unloading outlet 80a . Further, a new substrate is brought into the chamber 80 through the substrate carry-in / out port 80a, and irradiation of the light L is performed. The substrates G1 to G3 taken out of the chamber 80 are transported to the post-baking unit PB via the transport mechanism TR4. By repeating the above operation, the light irradiation process (curing process) can be performed on the substrate G that has passed through the developing unit DV.

다음으로, 기판 (G) 은 가열 장치 (59) 에 있어서 포스트 베이크 처리가 실시되고, 냉각 장치 (60) 에 있어서 냉각된다. 냉각 처리 후, 기판 (G) 은 반송 기구 (11) 를 통해 카세트 (C) 에 수용된다. 이렇게 하여, 기판 (G) 에 대하여 도포 처리, 노광 처리 및 현상 처리의 일련의 처리가 실시되게 된다.Next, the substrate G is post-baked in the heating device 59, and cooled in the cooling device 60. Then, After the cooling process, the substrate G is accommodated in the cassette C through the transport mechanism 11. Thus, the substrate G is subjected to a series of processes of coating, exposure and development.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판 (G) 의 반입 및 반출이 가능한 기판 반입출구 (80a) 가 소정면 (80f) 에 형성되고, 이 기판 반입출구 (80a) 를 통과하여 챔버 (80) 의 내부에 반입되는 기판 (G) 이 기판 반입출구 (80a) 를 통과하여 챔버 (80) 의 외부로 반출되도록 챔버 (80) 의 내부에서 기판 (G) 이 이동하기 때문에, 기판 (G) 의 반입 및 반출이 챔버 (80) 의 동일면측 (소정면측) 에서 실시되게 된다. 이것에 의해, 기존의 장치와의 사이의 기판 (G) 의 수수에 필요한 스페이스를 절약하는 것이 가능해지기 때문에, 풋프린트가 작은 광조사부 (81) 를 제공할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the substrate loading / unloading port 80a capable of loading and unloading the substrate G is formed on the predetermined surface 80f, and the substrate G passing through the substrate loading / The substrate G is moved in the chamber 80 so that the substrate G carried into the chamber 80 is transported to the outside of the chamber 80 through the substrate loading / unloading port 80a. Out of the chamber 80 is performed on the same surface side (predetermined surface side) of the chamber 80. As a result, it is possible to save the space required for the transfer of the substrate G to / from the existing apparatus, so that the light irradiating unit 81 with a small footprint can be provided.

또, 도 4(b) 에 나타내는 광조사 공정에 있어서, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (81) 를 방향 (D1) 또는 방향 (D2) 으로 이동시키면서, 기판 (G1) 에 대하여 광을 조사시킬 수도 있다. 예를 들어, 광조사부 (81) 를 방향 (D1) 으로 이동시키면서 기판 (G1) 에 대하여 광조사를 실시하는 경우, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (81) 를 소정의 이동 개시 위치에 배치한 상태에서, 제 2 스테이지 (84) 로부터 제 2 반송부 (85) 로 기판 (G1) 을 반입하고, 기판 (G1) 의 선단이 상기 이동 개시 위치에 도달했을 때, 광조사부 (81) 를 방향 (D1) 의 이동을 개시함과 함께 기판 (G1) 으로의 광조사를 개시한다. 제어부 (CONT) 는 광조사부 (81) 를 기판 (G1) 보다 느린 속도로 이동시키면서 광을 조사시킨다. 제어부 (CONT) 는, 기판 (G1) 에 늦게 이동하는 광조사부 (81) 가 기판 (G1) 의 후단에 도달하는 위치에서, 광조사부 (81) 의 이동을 정지시킨다. 그 후, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (81) 를 방향 (D2) 으로 이동시키고, 상기 이동 개시 위치에 되돌린다.4 (b), the control unit CONT controls the substrate G1 to irradiate the substrate G1 with light while moving the light irradiation unit 81 in the direction D1 or D2 It is possible. For example, when light irradiation is performed on the substrate G1 while moving the light irradiation unit 81 in the direction D1, the control unit CONT controls the light irradiation unit 81 so that the light irradiation unit 81 is placed at a predetermined movement start position The substrate G1 is transported from the second stage 84 to the second transport section 85 and the light irradiation section 81 is moved in the direction D1) and starts irradiation of light to the substrate G1. The control unit CONT irradiates light while moving the light irradiation unit 81 at a slower speed than the substrate G1. The control unit CONT stops the movement of the light irradiating unit 81 at a position where the light irradiating unit 81 moving later on the substrate G1 reaches the rear end of the substrate G1. Thereafter, the control unit CONT moves the light irradiation unit 81 in the direction D2 and returns it to the movement start position.

[제 2 실시형태][Second Embodiment]

다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태를 설명한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described.

도 6 은, 본 실시형태에 관련된 광처리 유닛 (LP2) 의 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 6 is a diagram showing a configuration of the light processing unit LP2 according to the present embodiment.

도 6 에 나타내는 바와 같이, 광처리 유닛 (LP2) 은, 챔버 (280), 광조사부 (281), 기판 받이부 (282), 기판 가열부 (283), 제 1 스테이지 (284), 제 1 반송부 (285), 제 2 스테이지 (286), 제 2 반송부 (287) 및 제 3 스테이지 (288) 를 갖고 있다. 챔버 (280) 는, 직방체의 상자상으로 형성되어 있다. 챔버 (280) 는, 현상 유닛 (DV) 의 상면 (+Z 측의 면) 에 배치되어 있다.6, the light processing unit LP2 includes a chamber 280, a light irradiation unit 281, a substrate receiving unit 282, a substrate heating unit 283, a first stage 284, A first stage 285, a second stage 286, a second transport section 287 and a third stage 288. The chamber 280 is formed in a box shape of a rectangular parallelepiped. The chamber 280 is disposed on the upper surface (the + Z side surface) of the developing unit DV.

챔버 (280) 는, 직방체의 상자상으로 형성되어 있고, X 방향으로 길게 형성되어 있다. 챔버 (280) 의 -X 측에는, 기판 반입출구 (280a) 및 기판 반입출구 (280b) 가 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 기판 (G) 의 반입 및 반출은, 이 기판 반입출구 (280a) 및 기판 반입출구 (280b) 에서 실시되게 되어 있다.The chamber 280 is formed in a box shape of a rectangular parallelepiped, and is formed long in the X direction. On the -X side of the chamber 280, a substrate loading / unloading port 280a and a substrate loading / unloading port 280b are formed. In this embodiment, the substrate G is loaded and unloaded at the substrate loading / unloading port 280a and the substrate loading / unloading port 280b.

광조사부 (281) 는, 챔버 (280) 의 +Z 측의 면에 장착되어 있다. 광조사부 (281) 는, 300 ㎚ 이상의 파장의 광을 사출하는 광사출부 (281a) 를 갖고 있다. 광사출부 (281a) 는, -X 방향으로 평행하게 광 (L) 을 사출하는 광원을 갖고 있다. 광사출부 (281a) 에는, 광원으로부터 사출되는 광 중 파장이 300 ㎚ 보다 낮은 성분을 커트하는 필터 (281b) 를 갖는다. 광조사부 (281) 는, +Z 측의 단부가 챔버 (280) 의 외부에 돌출하도록 배치되어 있다. 광조사부 (281) 는, 광이 조사되는 기판 (G) 의 반송 경로 (제 1 기판 반송 경로 (R3)) 를 따라 이동 가능하게 할 수도 있다. 즉, 광조사부 (281) 는, 도 6 에 있어서의 X 축에 평행한 방향 (D1) 및 방향 (D2) 으로 이동 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 챔버 (280) 에, 광조사부 (281) 를 수평 이동시키는 수평 이동 기구를 형성할 수 있다.The light irradiation unit 281 is mounted on the + Z side surface of the chamber 280. The light irradiation unit 281 has a light emission unit 281a that emits light having a wavelength of 300 nm or more. The light emitting portion 281a has a light source that emits light L in parallel in the -X direction. The light emitting portion 281a is provided with a filter 281b that cuts off a component whose wavelength is lower than 300 nm out of light emitted from the light source. The light irradiating unit 281 is arranged so that the end on the + Z side protrudes outside the chamber 280. The light irradiating unit 281 may be movable along a transport path (first substrate transport path R3) of the substrate G to which light is irradiated. In other words, the light irradiating unit 281 can be moved in the directions (D1) and (D2) parallel to the X-axis in Fig. For example, a horizontal movement mechanism for horizontally moving the light irradiating unit 281 can be formed in the chamber 280.

또, 광조사부 (281) 의 이동 방향과, 제 1 반송부 (285) 에 있어서의 기판 반송 방향은, 대략 평행하면 된다. 구체적으로는, 광조사부 (281) 의 이동 방향과, 제 1 반송부 (285) 에 있어서의 기판 반송 방향이 이루는 각도가 30 도 이하이면 된다.The moving direction of the light irradiating unit 281 and the substrate transport direction in the first transport unit 285 may be substantially parallel. Specifically, the angle formed by the moving direction of the light irradiating unit 281 and the substrate conveying direction of the first conveying unit 285 may be 30 degrees or less.

기판 받이부 (282) 는, 기판 (G) 의 X 방향 양측의 단변을 유지한다. 이것에 의해, 기판 (G) 이 기판 가열부 (283) 에 의해 가열된 상태에서, -Z 방향으로 이동 (낙하) 하지 않고 지지되게 된다. 기판 가열부 (283) 는, 사각형의 판상으로 형성되어 있고, 내부에는 전열선 등의 가열 기구가 형성되어 있다. 기판 가열부 (283) 는, 챔버 (280) 에 수용되는 기판 (G) 의 온도를 조정한다.The substrate receiving portion 282 holds the short sides of both sides of the substrate G in the X direction. Thereby, the substrate G is supported without being moved (dropped) in the -Z direction in the state of being heated by the substrate heating section 283. The substrate heating section 283 is formed in a rectangular plate shape, and a heating mechanism such as a heating wire is formed inside. The substrate heating section 283 adjusts the temperature of the substrate G accommodated in the chamber 280.

제 1 스테이지 (284) 는, 기판 받이부 (282) 를 개재한 기판 (G) 을 재치한다. 제 1 스테이지 (284) 는, 가열 기구 (284a) 를 갖고 있다. 이것에 의해, 제 1 스테이지 (284) 에 있어서도, 기판 (G) 에 대한 예비적인 가열이 가능하다. 제 1 스테이지 (284) 는, 기판 (G) 을 +X 방향으로 반송하는 도시를 생략한 반송 기구를 갖고 있다.The first stage 284 mounts the substrate G with the substrate receiving portion 282 interposed therebetween. The first stage 284 has a heating mechanism 284a. Thus, even in the first stage 284, preliminary heating of the substrate G is possible. The first stage 284 has a transport mechanism that is omitted in the figure for transporting the substrate G in the + X direction.

제 1 반송부 (285) 는, 제 1 스테이지 (284) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 반송한다. 제 1 반송부 (285) 는, 광조사부 (281) 에 대향하여 배치되어 있다. 제 1 반송부 (285) 는, 반송 기구 (285a) 및 가열 기구 (285b) 를 갖고 있다. 반송 기구 (285a) 는, 기판 (G) 의 자세를 수평면 (XY 평면) 에 평행하게 유지한 채로 -X 방향으로 반송한다. 가열 기구 (285b) 는, Z 방향에 있어서 광조사부 (281) 와의 사이에서 기판 (G) 을 끼우는 위치에 배치되어 있다. 가열 기구 (285b) 는, 광조사부 (281) 에 의해 광의 조사를 받는 기판 (G) 을 -Z 측으로부터 가열한다.The first transport section 285 transports the substrate G transported from the first stage 284. The first carry section 285 is disposed opposite to the light irradiating section 281. The first transport section 285 has a transport mechanism 285a and a heating mechanism 285b. The transport mechanism 285a transports the substrate G in the -X direction while keeping the posture of the substrate G parallel to the horizontal plane (XY plane). The heating mechanism 285b is disposed at a position where the substrate G is interposed between the heating mechanism 285b and the light irradiation portion 281 in the Z direction. The heating mechanism 285b heats the substrate G, which is irradiated with light by the light irradiation unit 281, from the -Z side.

제 2 스테이지 (286) 는, 제 1 반송부 (285) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 지지한다. 제 2 스테이지 (286) 는, 기판 (G) 을 X 방향으로 반송하는 도시를 생략한 반송 기구를 갖고 있다. 또한, 제 2 스테이지 (286) 는, Z 방향으로 승강 가능하다. 제 2 스테이지 (286) 는, 제 1 반송부 (285) 와 동일한 높이 위치 (Z 방향 상의 위치) 와, 제 2 반송부 (287) 와 동일한 높이 위치의 사이를 이동 가능하다. 또, 제 2 스테이지 (286) 는, 기판 (G) 을 지지한 상태에서 승강 가능하다.The second stage 286 supports the substrate G transported from the first transport section 285. The second stage 286 has a transport mechanism that omits the substrate G for transporting the substrate G in the X direction. Further, the second stage 286 is movable in the Z direction. The second stage 286 is movable between the same height position (position in the Z direction) as the first carry section 285 and the same height position as the second carry section 287. Further, the second stage 286 is movable up and down in a state in which the substrate G is supported.

제 2 반송부 (287) 는, 제 2 스테이지 (286) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 반송한다. 제 2 반송부 (287) 는, 제 1 반송부 (285) 의 -Z 측에 배치되어 있다. 제 2 반송부 (287) 는, 반송 기구 (287a) 를 갖고 있다. 반송 기구 (287a) 는, 기판 (G) 의 자세를 수평면 (XY 평면) 에 평행하게 유지한 채로 -X 방향으로 반송한다.The second transport section 287 transports the substrate G transported from the second stage 286. The second carry section 287 is disposed on the -Z side of the first carry section 285. The second transport section 287 has a transport mechanism 287a. The transport mechanism 287a transports the substrate G in the -X direction while keeping the posture of the substrate G parallel to the horizontal plane (XY plane).

제 3 스테이지 (288) 는, 제 2 반송부 (287) 로부터 반송되는 기판 (G) 을 지지한다. 제 3 스테이지 (288) 는, 기판 (G) 을 -X 방향으로 반송하는 도시를 생략한 반송 기구를 갖고 있다.The third stage 288 supports the substrate G transported from the second transport section 287. The third stage 288 has a transport mechanism, not shown, for transporting the substrate G in the -X direction.

기판 반입출구 (280a) 로부터 반입된 기판 (G) 은, 제 1 스테이지 (284) 및 제 1 반송부 (285) 를 거쳐 제 2 스테이지 (286) 로 +X 방향으로 반송된다. 이와 같이, 챔버 (280) 내에는, 기판 (G) 을 일 방향 (+X 방향) 으로 반송하는 제 1 기판 반송 경로 (R3) 가 형성되어 있다. 제 2 스테이지 (286) 에 지지된 기판 (G) 은, 당해 제 2 스테이지 (286) 및 제 2 반송부 (287) 를 거쳐 제 3 스테이지 (288) 로 -X 방향으로 반송된다. 이와 같이, 챔버 (280) 내에는, 기판 (G) 을 일 방향 (-X 방향) 으로 반송하는 제 2 기판 반송 경로 (R4) 가 형성되어 있다. 제 2 기판 반송 경로 (R4) 는, 제 1 기판 반송 경로 (R3) 에 대하여 -Z 방향으로 나란히 배치되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 반입출구 (280a, 280b) 가 기판 반송 경로 (R3, R4) 마다 형성되어 있다.The substrate G carried from the substrate loading / unloading port 280a is transported in the + X direction to the second stage 286 via the first stage 284 and the first transporting section 285. In this way, in the chamber 280, a first substrate transport path R3 for transporting the substrate G in one direction (+ X direction) is formed. The substrate G supported by the second stage 286 is transported in the -X direction to the third stage 288 via the second stage 286 and the second transport section 287. [ In this way, in the chamber 280, a second substrate transport path R4 for transporting the substrate G in one direction (-X direction) is formed. The second substrate transfer paths R4 are arranged side by side in the -Z direction with respect to the first substrate transfer path R3. In the present embodiment, the substrate carry-in / out ports 280a and 280b are formed for each of the substrate transfer paths R3 and R4.

다음으로, 상기와 같이 구성된 광처리 유닛 (LP2) 의 동작을 설명한다.Next, the operation of the light-processing unit LP2 configured as described above will be described.

제어부 (CONT) 는, 기판 (G1) 을 유지하는 로봇 아암을 +Z 방향으로 이동시키고, 도 7(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (G1) 을 +Z 측의 기판 반입출구 (280a) 로부터 챔버 (280) 의 내부에 반입시킨다. 광처리 유닛 (LP2) 에서는, 챔버 (280) 에 반입된 기판 (G1) 이 기판 받이부 (282) 에 의해 지지된다. 이것에 의해, 기판 (G1) 은 기판 가열부 (283) 에 의해 원하는 온도로 조정된다.The control unit CONT moves the robot arm holding the substrate G1 in the + Z direction and moves the substrate G1 from the substrate loading / unloading outlet 280a on the + (280). In the light processing unit LP2, the substrate G1 carried into the chamber 280 is supported by the substrate receiving portion 282. [ Thereby, the substrate G1 is adjusted to a desired temperature by the substrate heating unit 283. [

다음으로, 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 기판 받이부 (282) 에 의한 지지를 해제하고, 기판 (G1) 을 제 1 스테이지 (284) 상에 재치시킨다. 또, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (284) 의 가열 기구 (284a) 를 작동시킨다. 이것에 의해, 기판 (G1) 은, 제 1 스테이지 (284) 상에서 가열되게 된다.Next, as shown in Fig. 7 (b), the control section CONT releases the support by the substrate receiving section 282 and places the substrate G1 on the first stage 284. In addition, the control unit CONT operates the heating mechanism 284a of the first stage 284. Thereby, the substrate G1 is heated on the first stage 284.

다음으로, 도 7(c) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (284) 에 재치된 기판 (G1) 을 +X 방향으로 반송시키고, 제 1 반송부 (285) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (285) 에 반송된 기판 (G1) 에 대하여, 광조사부 (281) 에 의한 광 (L) 의 조사를 실시하게 한다. 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (285a) 를 작동시켜 기판 (G1) 을 +X 방향으로 이동시킴과 함께, 가열 기구 (285b) 를 작동시키고, 기판 (G1) 의 온도를 100 ℃ 정도로 유지한다.Next, as shown in Fig. 7 (c), the control unit CONT conveys the substrate G1 placed on the first stage 284 in the + X direction and moves it to the first transport unit 285 . The control unit CONT causes the substrate G1 conveyed to the first conveyance unit 285 to irradiate the light L with the light irradiation unit 281. [ The control unit CONT activates the transport mechanism 285a to move the substrate G1 in the + X direction and operates the heating mechanism 285b to maintain the temperature of the substrate G1 at about 100 ° C.

이 상태에서 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (281) 로부터 광 (L) 을 사출시킨다. 광조사부 (281) 로부터 사출된 광 (L) 은, 기판 (G1) 에 조사된다. 이 동작에 의해, 반송 기구 (285a) 에 의해 수평면으로 이동하는 기판 (G1) 에 대하여, 300 ㎚ 이상의 파장의 광 (L) 이 조사된다. 광 (L) 의 조사는, 기판 (G1) 의 전체가 광조사부 (281) 를 +X 방향으로 통과할 때까지 실시된다. 제 2 반송부 (287) 에 의해 +X 방향으로 반송된 기판 (G1) 은, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 스테이지 (286) 에 재치된다.In this state, the control unit CONT causes the light L to be emitted from the light irradiation unit 281. The light L emitted from the light irradiation unit 281 is irradiated to the substrate G1. With this operation, the substrate G1 moving to the horizontal plane by the transport mechanism 285a is irradiated with light L having a wavelength of 300 nm or more. The irradiation of the light L is performed until the entire substrate G1 passes through the light irradiation portion 281 in the + X direction. The substrate G1 transported in the + X direction by the second transport section 287 is placed on the second stage 286 as shown in Fig. 8 (a).

또, 제어부 (CONT) 는, 현상 유닛 (DV) 으로부터 반송되는 다른 기판 (G2) 을 챔버 (280) 에 반입시킨다. 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 기판 반입출구 (280a) 까지 이동시키고, 새로운 기판 (G2) 을 기판 반입출구 (280a) 로부터 챔버 (280) 의 내부에 반입시킨다. 챔버 (280) 의 내부에 반입된 기판 (G2) 은, 기판 받이부 (282) 에 의해 지지된다.The control unit CONT also loads another substrate G2 conveyed from the developing unit DV into the chamber 280. [ The control unit CONT moves the robot arm of the transport mechanism TR4 to the substrate loading and unloading port 280a and brings the new substrate G2 into the chamber 280 from the substrate loading and unloading port 280a. The substrate G2 carried into the chamber 280 is supported by the substrate receiving portion 282. [

다음으로, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 2 스테이지 (286) 에 기판 (G1) 이 재치된 후, 제 2 스테이지 (286) 를 -Z 방향으로 이동시키고, 제 2 반송부 (287) 에 높이 위치를 맞춘다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 기판 받이부 (282) 에 의한 지지를 해제하고, 기판 (G2) 을 제 1 스테이지 (284) 상에 재치시킨다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (284) 의 가열 기구 (284a) 를 작동시킨다. 이것에 의해, 기판 (G2) 은, 제 1 스테이지 (284) 상에서 가열된다.8 (b), the control unit CONT moves the second stage 286 in the -Z direction after the substrate G1 is placed on the second stage 286, 2 conveying unit 287. [0086] Further, the control section CONT releases the support by the substrate receiving section 282 and places the substrate G2 on the first stage 284. [ Further, the control unit CONT operates the heating mechanism 284a of the first stage 284. Thereby, the substrate G2 is heated on the first stage 284.

다음으로, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 2 스테이지 (286) 로부터 제 2 반송부 (287) 로 기판 (G1) 을 -X 방향으로 반송시킨다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (284) 에 재치된 기판 (G2) 을 +X 방향으로 반송시키고, 제 1 반송부 (285) 로 이동시킨다. 제어부 (CONT) 는, 제 1 반송부 (285) 에 반송된 기판 (G2) 에 대하여, 광조사부 (281) 에 의한 광 (L) 의 조사를 실시하게 한다. 제어부 (CONT) 는, 기판 (G1) 의 경우와 동일하게, 반송 기구 (285a) 를 작동시켜 기판 (G2) 을 +X 방향으로 이동시킴과 함께, 가열 기구 (285b) 를 작동시키고, 기판 (G2) 의 온도를 100 ℃ 정도로 유지한다. 제 2 반송부 (287) 에 의해 +X 방향으로 반송된 기판 (G2) 은, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 제 2 스테이지 (286) 에 재치된다.Next, as shown in Fig. 8 (c), the control unit CONT conveys the substrate G1 from the second stage 286 to the second transport unit 287 in the -X direction. The control unit CONT also conveys the substrate G2 placed on the first stage 284 in the + X direction and moves the substrate G2 to the first transport unit 285. The control unit CONT causes the light irradiating unit 281 to irradiate the light G on the substrate G2 conveyed to the first conveying unit 285. [ The control unit CONT operates the transport mechanism 285a to move the substrate G2 in the + X direction and actuates the heating mechanism 285b in the same manner as in the case of the substrate G1, ) Is maintained at about 100 ° C. The substrate G2 transported in the + X direction by the second transport section 287 is placed on the second stage 286 as shown in Fig.

이 상태에서 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (281) 로부터 광 (L) 을 사출시킨다. 광조사부 (281) 로부터 사출된 광 (L) 은, 기판 (G2) 에 조사된다. 이 동작에 의해, 반송 기구 (285a) 에 의해 수평면으로 이동하는 기판 (G2) 에 대하여, 300 ㎚ 이상의 파장의 광 (L) 이 조사된다. 광 (L) 의 조사는, 기판 (G2) 의 전체가 광조사부 (281) 를 +X 방향으로 통과할 때까지 실시된다.In this state, the control unit CONT causes the light L to be emitted from the light irradiation unit 281. The light L emitted from the light irradiation unit 281 is irradiated to the substrate G2. With this operation, light L of a wavelength of 300 nm or more is irradiated onto the substrate G2 which moves to the horizontal plane by the transport mechanism 285a. Irradiation of the light L is performed until the entire substrate G2 passes through the light irradiating section 281 in the + X direction.

다음으로, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 2 반송부 (287) 로부터 제 3 스테이지 (288) 로 -X 방향으로 기판 (G1) 을 반송시킴과 함께, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 사용하여, 제 3 스테이지 (288) 에 재치된 기판 (G1) 을 기판 반입출구 (280b) 로부터 챔버 (280) 의 외부로 반출시킨다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 기판 반입출구 (280a) 까지 이동시키고, 새로운 기판 (G3) 을 기판 반입출구 (280a) 로부터 챔버 (280) 의 내부에 반입시킨다. 챔버 (280) 의 내부에 반입된 기판 (G3) 은, 기판 받이부 (282) 에 의해 지지된다. 이상의 동작을 반복하여 실시하게 함으로써, 현상 유닛 (DV) 을 거친 기판 (G) 에 대하여 광조사 처리 (큐어 처리) 를 실시할 수 있다.9, the control unit CONT transports the substrate G1 from the second transport unit 287 to the third stage 288 in the -X direction, and transports the substrate G1 to the transport mechanism TR4, The substrate G1 placed on the third stage 288 is carried out from the substrate loading / unloading port 280b to the outside of the chamber 280 by using the robot arm of the robot arm of FIG. The control unit CONT also moves the robot arm of the transport mechanism TR4 to the substrate loading and unloading port 280a and brings the new substrate G3 into the chamber 280 from the substrate loading and unloading port 280a. The substrate G3 carried into the chamber 280 is supported by the substrate receiving portion 282. [ By repeating the above operation, the light irradiation process (curing process) can be performed on the substrate G that has passed through the developing unit DV.

이와 같이, 본 실시형태에 의하면, 챔버 (280) 의 소정면 (280f) 에 기판 반입출구 (280a) 및 기판 반입출구 (280b) 가 형성되기 때문에, 기판 반입출구 (280a) 로부터 기판 (G) 을 반입하고, 기판 반입출구 (280b) 로부터 기판 (G) 을 반출시킬 수 있다. 이와 같이, 기판 반입출구 (280a, 280b) 가 기판 반송 경로 (R3, R4) 마다 형성되기 때문에, 챔버 (280) 내의 기판 (G) 의 흐름을 순조롭게 할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, since the substrate loading / unloading port 280a and the substrate loading / unloading port 280b are formed on the predetermined surface 280f of the chamber 280, the substrate G is loaded / unloaded from the substrate loading / And the substrate G can be taken out from the substrate loading / unloading port 280b. As described above, since the substrate loading / unloading ports 280a and 280b are formed for each of the substrate transfer paths R3 and R4, the flow of the substrate G in the chamber 280 can be smoothly performed.

또, 도 7(c) 및 도 8(c) 에 나타내는 광조사 공정에 있어서, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (281) 를 방향 (D1) 또는 방향 (D2) 으로 이동시키면서, 기판 (G1) 또는 기판 (G2) 에 대하여 광을 조사시킬 수도 있다. 광조사부 (281) 의 이동 동작은, 제 1 실시형태와 동일한데, 본 실시형태에서는, 제 1 반송부 (285) 에 있어서의 기판 (G1) 및 기판 (G2) 의 이동 방향은 +X 방향이기 때문에, 광조사부 (281) 를 기판 (G1) 또는 기판 (G2) 과 동 방향으로 이동시키는 경우에는, 광조사부 (281) 를 방향 (D2) 으로 이동시킨다.7 (c) and 8 (c), the control unit CONT controls the substrate G1 while moving the light irradiation unit 281 in the direction D1 or D2, Alternatively, the substrate G2 may be irradiated with light. The movement direction of the substrate G1 and the substrate G2 in the first carry section 285 is shifted in the + X direction Therefore, when the light irradiation unit 281 is moved in the same direction as the substrate G1 or the substrate G2, the light irradiation unit 281 is moved in the direction D2.

[제 3 실시형태][Third embodiment]

다음으로, 본 발명의 제 3 실시형태를 설명한다.Next, a third embodiment of the present invention will be described.

도 10(a) 는, 본 실시형태에 관련된 광처리 유닛 (LP3) 을 +Y 방향으로 보았을 때의 구성을 나타내는 도면이다. 도 10(b) 는, 광처리 유닛 (LP3) 을 +Z 방향으로 보았을 때의 구성을 나타내는 도면이다.10 (a) is a view showing a configuration when the light processing unit LP3 according to the present embodiment is viewed in the + Y direction. 10 (b) is a view showing a configuration when the light processing unit LP3 is viewed in the + Z direction.

도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 광처리 유닛 (LP3) 은, 챔버 (380), 광조사부 (381), 기판 지지 부재 (기판 유지부) (382), 트레이 지지 부재 (383), 제 1 스테이지 (384), 제 2 스테이지 (385), 제 3 스테이지 (386), 기체 공급부 (387) 및 배기부 (388) 를 갖고 있다.10A, the light processing unit LP3 includes a chamber 380, a light irradiation portion 381, a substrate support member (substrate holding portion) 382, a tray support member 383, a first stage A first stage 384, a second stage 385, a third stage 386, a gas supply unit 387, and an exhaust unit 388.

챔버 (380) 는, 직방체의 상자상으로 형성되어 있고, X 방향으로 길게 형성되어 있다. 챔버 (380) 의 -X 측에는, 기판 반입구 (380a) 및 기판 반출구 (380b) 가 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 기판 (G) 의 반입은, 기판 반입구 (380a) 에 있어서 실시되고, 기판 (G) 의 반출은 기판 반출구 (380b) 에 있어서 실시된다.The chamber 380 is formed in a box shape of a rectangular parallelepiped, and is formed long in the X direction. On the -X side of the chamber 380, a substrate inlet port 380a and a substrate outlet port 380b are formed. In this embodiment, the substrate G is carried in at the substrate inlet port 380a, and the substrate G is carried out at the substrate outlet port 380b.

광조사부 (381) 는, 챔버 (380) 의 +Z 측의 면에 장착되어 있고, 300 ㎚ 이상의 파장의 광을 사출하는 광사출부 (381a) 를 갖고 있다. 광사출부 (381a) 는, -X 방향으로 평행하게 광을 사출하는 것이고, 광원으로부터 사출되는 광 중 파장이 300 ㎚ 보다 낮은 성분을 커트하는 필터 (381b) 를 갖고 있다. 광사출부 (381a) 는, 이 필터를 통해 광을 사출하기 때문에, 광사출부 (381a) 로부터 사출되는 광 (L) 의 파장은 300 ㎚ 이상이 된다. 이와 같이 광 (L) 의 파장을 300 ㎚ 이상으로 함으로써, 광 (L) 의 조사에 의해 기판 (G) 의 온도가 지나치게 높아지는 것을 방지할 수 있다.The light irradiation unit 381 is mounted on the + Z side surface of the chamber 380 and has a light emission unit 381a for emitting light having a wavelength of 300 nm or more. The light emitting portion 381a emits light in parallel in the -X direction, and has a filter 381b that cuts a component having a wavelength lower than 300 nm out of light emitted from the light source. Since the light emitting portion 381a emits light through this filter, the wavelength of the light L emitted from the light emitting portion 381a is 300 nm or more. By setting the wavelength of the light L to 300 nm or more in this way, it is possible to prevent the temperature of the substrate G from being excessively increased by the irradiation of the light L.

광조사부 (381) 는, 광이 조사되는 기판 (G) 의 반송 경로를 따라 이동 가능하게 할 수도 있다. 즉, 광조사부 (381) 는, 도 10(a) 에 있어서의 X 축에 평행한 방향 (D1) 및 방향 (D2) 으로 이동 가능하게 할 수 있다. 예를 들어, 챔버 (380) 에, 광조사부 (381) 를 수평 이동시키는 수평 이동 기구를 형성할 수 있다. 기판 (G) 이 광이 조사될 때의 반송 경로는, 제 2 스테이지 (385) 로부터 제 3 스테이지 (386) 로 기판 (G) 이 수수되는 경로이다.The light irradiating unit 381 may be movable along a conveying path of the substrate G to which light is irradiated. That is, the light irradiating unit 381 can be movable in the directions D1 and D2 parallel to the X-axis in Fig. 10 (a). For example, a horizontally moving mechanism for horizontally moving the light irradiating unit 381 can be formed in the chamber 380. The transport path when the substrate G is irradiated with light is a path through which the substrate G is delivered from the second stage 385 to the third stage 386.

또, 광조사부 (381) 의 이동 방향과, 기판 (G) 의 반송 방향은, 대략 평행하면 된다. 구체적으로는, 광조사부 (381) 의 이동 방향과, 기판 (G) 의 반송 방향이 이루는 각도가 30 도 이하이면 된다.The moving direction of the light irradiating unit 381 and the carrying direction of the substrate G may be substantially parallel. Specifically, the angle formed by the moving direction of the light irradiating unit 381 and the carrying direction of the substrate G may be 30 degrees or less.

기판 지지 부재 (382) 는, 기판 반입구 (380a) 로부터 반입되는 기판 (G) 을 받기 위해 당해 기판 (G) 을 유지함과 함께, 기판 반출구 (380b) 로부터 반출되는 기판 (G) 을 건네주기 위해 당해 기판 (G) 을 유지한다. 기판 지지 부재 (382) 는, 복수 (예를 들어 6 개) 의 지지핀 (382a) 을 갖고 있다. 지지핀 (382a) 은, Z 방향으로 연장되어 있고, 기판 (G) 의 -Z 측의 기판면을 지지한다. 기판 지지 부재 (382) 는, 도시를 생략한 구동 장치에 의해 Z 방향으로 이동 가능 (승강 가능) 하게 형성되어 있다. 또는, 지지핀 (382a) 이 도시를 생략한 구동 장치에 의해 Z 방향으로 신축 가능하게 형성되어 있다. 상기 구성에서는, 지지핀 (382a) 이 기판 (G) 을 지지한 상태에서 기판 지지 부재 (382) 가 Z 방향으로 이동함으로써, 기판 (G) 이 Z 방향으로 반송된다. 또는, 지지핀 (382a) 이 기판 (G) 을 지지한 상태에서 Z 방향으로 신축됨으로써, 기판 (G) 이 Z 방향으로 반송된다. 이하의 설명에서는, 지지핀 (382a) 이 Z 방향으로 신축됨으로써 기판 (G) 을 Z 방향으로 반송하는 경우를 예로 들지만, 기판 지지 부재 (382) 가 Z 방향으로 이동 (승강) 함으로써 기판 (G) 을 Z 방향으로 반송해도 된다.The substrate support member 382 holds the substrate G to receive the substrate G to be carried in from the substrate inlet port 380a and transfers the substrate G to be carried out from the substrate transfer port 380b Thereby holding the substrate G in question. The substrate support member 382 has a plurality of (for example, six) support pins 382a. The support pin 382a extends in the Z direction and supports the substrate surface on the -Z side of the substrate G. [ The substrate support member 382 is movable (movable) in the Z direction by a driving device (not shown). Alternatively, the support pin 382a is formed so as to be stretchable in the Z direction by a driving device (not shown). In the above configuration, the substrate support member 382 moves in the Z direction with the support pin 382a supporting the substrate G, so that the substrate G is transported in the Z direction. Alternatively, the support pin 382a is expanded and contracted in the Z direction while supporting the substrate G, so that the substrate G is transported in the Z direction. In the following description, the case in which the support pin 382a is extended and contracted in the Z direction to transport the substrate G in the Z direction is exemplified. However, since the substrate support member 382 is moved (lifted and lowered) in the Z direction, May be transported in the Z direction.

도 10(a) 에서는, 제 1 스테이지 (384) 상에 트레이 (T) 가 배치되어 있다. 트레이 (T) 는, 챔버 (380) 에 반입된 기판 (G) 을 수용한다. 트레이 (T) 는, +Z 방향에서 보아 사각형으로 형성되어 있고, 수용한 기판 (G) 을 재치하는 재치면을 갖고 있다. 트레이 (T) 의 당해 재치면은, XY 평면에 평행하게 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 챔버 (380) 내에 있어서, 기판 (G) 을 트레이 (T) 에 수용한 상태에서 트레이 (T) 가 반송된다. 트레이 (T) 는, 상기 지지핀 (382a) 을 통과시키는 도시를 생략한 관통공을 갖고 있다. 또, 당해 트레이 (T) 가 관통공을 갖는 경우, 당해 관통공을 개폐 가능하게 막는 덮개부가 형성된 구성으로 해도 된다. 이 구성에 의하면, 지지핀 (382a) 이 관통공을 통과하는 경우에 덮개부가 관통공을 열고, 지지핀 (382a) 이 관통공을 통과하지 않는 경우에는 덮개부가 관통공을 닫을 수 있다. 이것에 의해, 트레이 (T) 의 온도 분포를 조정할 수 있다. 트레이 (T) 는, 예를 들어 알루미늄 등 열전도성이 높은 금속을 사용하여 형성되어 있다.10 (a), a tray T is disposed on the first stage 384. As shown in FIG. The tray T accommodates the substrate G carried into the chamber 380. The tray T is formed in a rectangular shape in the + Z direction, and has a placement surface on which the accommodated substrate G is placed. The mounting surface of the tray T is formed parallel to the XY plane. In this embodiment, in the chamber 380, the tray T is transported while the substrate G is accommodated in the tray T. The tray T has a through hole (not shown) through which the support pin 382a passes. When the tray T has a through-hole, the cover may be formed so as to open and close the through-hole. According to this structure, when the support pin 382a passes through the through hole, the lid part opens the through hole, and when the support pin 382a does not pass through the through hole, the lid part can close the through hole. Thus, the temperature distribution of the tray T can be adjusted. The tray T is formed using a metal having high thermal conductivity, such as aluminum.

트레이 지지 부재 (383) 는, 제 3 스테이지 (386) 로부터 제 1 스테이지 (384) 로 트레이 (T) 를 이동시키기 위해 트레이 (T) 를 유지한다. 트레이 지지 부재 (383) 는, 복수 (예를 들어 8 개) 의 지지핀 (383a) 을 갖고 있다. 지지핀 (383a) 은, Z 방향으로 연장되어 있고, 트레이 (T) 의 -Z 측의 면을 지지한다. 지지핀 (383a) 은, 도시를 생략한 구동 장치에 의해 Z 방향으로 이동 가능 (승강 가능) 하게 형성되어 있다. 또는, 지지핀 (383a) 이 도시를 생략한 구동 장치에 의해 Z 방향으로 신축 가능하게 형성되어 있다. 상기 구성에서는, 지지핀 (383a) 이 트레이 (T) 를 지지한 상태에서 트레이 지지 부재 (383) 가 Z 방향으로 이동함으로써, 트레이 (T) 가 Z 방향으로 반송된다. 또는, 지지핀 (383a) 이 트레이 (T) 를 지지한 상태에서 Z 방향으로 신축됨으로써, 트레이 (T) 가 Z 방향으로 반송된다. 이하의 설명에서는, 지지핀 (383a) 이 Z 방향으로 신축됨으로써 트레이 (T) 를 Z 방향으로 반송하는 경우를 예로 들지만, 트레이 지지 부재 (383) 가 Z 방향으로 이동 (승강) 함으로써 트레이 (T) 를 Z 방향으로 반송해도 된다.The tray support member 383 holds the tray T to move the tray T from the third stage 386 to the first stage 384. [ The tray supporting member 383 has a plurality of (for example, eight) support pins 383a. The support pin 383a extends in the Z direction and supports the surface of the tray T on the -Z side. The support pin 383a is movable (movable) in the Z direction by a driving device (not shown). Alternatively, the support pin 383a is formed so as to be stretchable in the Z direction by a driving device (not shown). In the above configuration, in the state in which the support pins 383a support the tray T, the tray support member 383 moves in the Z direction, so that the tray T is transported in the Z direction. Alternatively, the support pin 383a is expanded and contracted in the Z direction with the tray T supported, whereby the tray T is transported in the Z direction. In the following description, the tray T is moved in the Z direction by extending and retracting in the Z direction. However, the tray supporting member 383 is moved (moved up and down) in the Z direction, May be transported in the Z direction.

제 1 스테이지 (384) 는, 트레이 (T) 를 재치한다. 제 1 스테이지 (384) 는, +Z 방향에서 보아 사각형으로 형성되어 있고, 복수의 롤러 (384r) 를 갖고 있다. 롤러 (384r) 는, 제 1 스테이지 (384) 의 +Y 측의 변 및 -Y 측의 변의 각각을 따라 일렬로 나란히 배치되어 있다. 각 롤러 (384r) 는, 트레이 (T) 를 X 방향으로 반송하도록, Y 방향을 따른 중심축의 축선 둘레로 회전한다. 제 1 스테이지 (384) 는, 가열 기구 (389) 를 갖고 있다. 가열 기구 (389) 로는, 예를 들어 핫플레이트 등이 사용된다. 가열 기구 (389) 에 의해, 제 1 스테이지 (384) 상의 트레이 (T) 가 가열된다. 트레이 (T) 가 가열됨으로써, 트레이 (T) 에 지지된 기판 (G) 이 가열된다.The first stage 384 places the tray T thereon. The first stage 384 is formed in a rectangular shape in the + Z direction and has a plurality of rollers 384r. The rollers 384r are arranged in a line along the + Y side and the -Y side of the first stage 384, respectively. Each roller 384r rotates about the axis of the central axis along the Y direction so as to transport the tray T in the X direction. The first stage 384 has a heating mechanism 389. As the heating mechanism 389, for example, a hot plate or the like is used. By the heating mechanism 389, the tray T on the first stage 384 is heated. By heating the tray T, the substrate G supported on the tray T is heated.

제 2 스테이지 (385) 는, 제 1 스테이지 (384) 에 대하여 +X 측에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, X 방향으로 늘어서는 스테이지는, 제 1 스테이지 (384) (또는 제 3 스테이지 (386)) 와, 제 2 스테이지 (385) 의 2 개이다. 따라서, 상기 실시형태의 챔버와 비교하여, 챔버 (380) 의 X 방향의 치수를 작게 할 수 있다. 제 2 스테이지 (385) 는, 제 1 스테이지 (384) 로부터 반송되는 트레이 (T) 를 지지한다. 또한, 제 2 스테이지 (385) 는, 트레이 (T) 를 지지한 상태에서 Z 방향으로 승강 가능하게 형성되어 있다. 제 2 스테이지 (385) 는, 제 1 스테이지 (384) 와 동일한 높이 (Z 방향 상의 위치) 인 제 1 위치 (385A) 와, 제 3 스테이지 (386) 와 동일한 높이인 제 2 위치 (385B) 의 사이를 이동 가능하다. 제 2 스테이지 (385) 는, 도시를 생략한 승강 기구에 의해, 트레이 (T) 에 유지되는 기판 (G) 이 XY 평면을 따른 자세가 되도록 조정되면서 승강한다. 제 2 스테이지 (385) 는, 제 2 위치 (385B) 에 배치된 상태에서는, 광조사부 (381) 에 대향하게 된다.The second stage 385 is arranged on the + X side with respect to the first stage 384. In the present embodiment, the stages arranged in the X direction are two of the first stage 384 (or the third stage 386) and the second stage 385. Therefore, the dimension of the chamber 380 in the X direction can be made smaller as compared with the chamber of the above-described embodiment. The second stage 385 supports the tray T conveyed from the first stage 384. The second stage 385 is formed so as to be movable up and down in the Z direction in a state in which the tray T is supported. The second stage 385 has a first position 385A which is the same height (position in the Z direction) as the first stage 384 and a second position 385B which is the same height as the third stage 386 . The second stage 385 lifts and elevates the substrate G while being adjusted by the elevating mechanism (not shown) so that the substrate G held by the tray T is positioned along the XY plane. The second stage 385 is opposed to the light irradiating unit 381 in a state in which the second stage 385 is disposed at the second position 385B.

제 2 스테이지 (385) 는, +Z 방향에서 보아 사각형으로 형성되어 있다. 제 2 스테이지 (385) 는, 트레이 (T) 를 X 방향으로 반송하는 복수의 롤러 (385r) 를 갖고 있다. 롤러 (385r) 는, 제 2 스테이지 (385) 의 +Y 측의 변 및 -Y 측의 변의 각각을 따라 일렬로 나란히 배치되어 있다. 각 롤러 (385r) 는, 트레이 (T) 를 X 방향으로 반송하도록, Y 방향을 따른 중심축의 축선 둘레로 회전한다. 이것에 의해, 제 1 위치 (385A) 에 있어서는, 제 1 스테이지 (384) 로부터의 트레이 (T) 를 소정의 대기 위치까지 +X 방향으로 반송 가능해진다. 또한, 제 2 위치 (385B) 에 있어서는, 트레이 (T) 를 제 3 스테이지 (386) 측으로 -X 방향으로 반송 가능해진다.The second stage 385 is formed in a rectangular shape in the + Z direction. The second stage 385 has a plurality of rollers 385r for conveying the tray T in the X direction. The rollers 385r are arranged in a line along the + Y side and the -Y side of the second stage 385, respectively. Each roller 385r rotates about the axis of the central axis along the Y direction so as to transport the tray T in the X direction. Thus, in the first position 385A, the tray T from the first stage 384 can be transported in the + X direction to a predetermined standby position. Further, at the second position 385B, the tray T can be transported toward the third stage 386 in the -X direction.

제 3 스테이지 (386) 는, 제 2 스테이지 (385) 로부터 반송되는 트레이 (T) 를 지지한다. 제 3 스테이지 (386) 는, X 방향을 따라 2 열로 배치된 복수의 롤러 (386r) 를 갖고 있다. +Y 측의 열에 배치되는 롤러 (386r) 는, 제 1 롤러 지지 부재 (386a) 에 의해 지지되어 있다. -Y 측의 열에 배치되는 롤러 (386r) 는, 제 2 롤러 지지 부재 (386b) 에 의해 지지되어 있다.The third stage 386 supports the tray T conveyed from the second stage 385. The third stage 386 has a plurality of rollers 386r arranged in two rows along the X direction. The roller 386r disposed on the column on the + Y side is supported by the first roller supporting member 386a. The roller 386r disposed in the column on the -Y side is supported by the second roller supporting member 386b.

제 1 롤러 지지 부재 (386a) 및 제 2 롤러 지지 부재 (386b) 는, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, Z 방향에서 보아 각각 챔버 (380) 의 외측으로 이동 가능하게 형성되어 있다. 이 제 1 롤러 지지 부재 (386a) 및 제 2 롤러 지지 부재 (386b) 의 이동에 의해, 롤러 (386r) 가 반송 위치 (P1) 및 퇴피 위치 (P2) 중 어느 위치로 전환되도록 배치된다. 반송 위치 (P1) 는, 롤러 (386r) 가 트레이 (T) 의 Y 방향의 치수보다 작은 간격이 되도록 배치되는 위치이다. 이 때문에, 롤러 (386r) 가 반송 위치 (P1) 에 배치되는 경우, 제 3 스테이지 (386) 에 있어서 트레이 (T) 는 롤러 (386r) 에 의해 지지된다.As shown in Fig. 10 (b), the first roller supporting member 386a and the second roller supporting member 386b are formed so as to be movable outwardly of the chamber 380 when viewed in the Z direction. The roller 386r is arranged to be switched to any of the conveying position P1 and the retracting position P2 by the movement of the first roller supporting member 386a and the second roller supporting member 386b. The conveying position P1 is a position in which the roller 386r is disposed so as to be spaced from the tray T by a distance smaller than the dimension in the Y direction. Therefore, when the roller 386r is disposed at the conveying position P1, the tray T is supported by the roller 386r in the third stage 386. [

한편, 퇴피 위치 (P2) 는, 롤러 (386r) 가 트레이 (T) 의 Y 방향의 치수보다 큰 간격을 두고 배치되는 위치이다. 이 때문에, 롤러 (386r) 가 퇴피 위치 (P2) 에 배치되는 경우, 제 3 스테이지 (386) 에 있어서 트레이 (T) 는 롤러 (386r) 에 의해 지지되지 않게 된다. 롤러 (386r) 가 퇴피 위치 (P2) 에 배치되는 경우, 트레이 지지 부재 (383) 에 의해 트레이 (T) 를 지지한 상태에서, 당해 트레이 (T) 를 제 3 스테이지 (386) 로부터 제 1 스테이지 (384) 로 이동 가능해진다.On the other hand, the retreat position P2 is a position at which the roller 386r is disposed at an interval larger than the dimension of the tray T in the Y direction. Therefore, when the roller 386r is disposed at the retreat position P2, the tray T is not supported by the roller 386r in the third stage 386. [ The tray T is moved from the third stage 386 to the first stage 386 while the tray T is supported by the tray supporting member 383 when the roller 386r is disposed at the retreat position P2. 384, respectively.

또한, 도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 기체 공급부 (387) 는, 챔버 (380) 내에 질소 가스 등의 불활성 가스나 다른 가스를 공급한다. 기체 공급부 (387) 는, 기체 공급원 (387a) 과, 덕트 (387b) 와, 기체 가열부 (387c) 를 갖고 있다. 덕트 (387b) 는, 제 2 위치 (385B) 에 배치되는 제 2 스테이지 (385) 에 대향하여 배치되어 있다. 기체 가열부 (387c) 는, 덕트 (387b) 로부터 챔버 (380) 내에 분출되는 기체를 가열한다. 기체 가열부 (387c) 가 형성됨으로써, 덕트 (387b) 로부터는 가열된 기체가 분출되게 된다. 이 때문에, 덕트 (387b) 에 대향하는 위치에 트레이 (T) 및 기판 (G) 이 배치되어 있는 경우, 기판 (G) 을 가열하는 것이 가능해진다.10 (a), the gas supply unit 387 supplies an inert gas such as nitrogen gas or another gas into the chamber 380. [ The gas supply unit 387 has a gas supply source 387a, a duct 387b, and a gas heating unit 387c. The duct 387b is disposed opposite the second stage 385 disposed in the second position 385B. The gas heating section 387c heats the gas blown into the chamber 380 from the duct 387b. By forming the gas heating portion 387c, the heated gas is ejected from the duct 387b. Therefore, when the tray T and the substrate G are disposed at positions facing the duct 387b, the substrate G can be heated.

배기부 (388) 는, 챔버 (380) 내의 기체를 챔버 (380) 의 외부에 배출한다. 기체 공급부 (387) 에 의해 챔버 (380) 내에 기체를 공급하면서, 배기부 (388) 로부터 챔버 (380) 내의 기체를 배기함으로써, 챔버 (380) 내에는 청정한 기체를 순환시키는 것이 가능해진다. 또, 배기부 (388) 로부터 배기된 기체를 청정화하고, 다시 기체 공급부 (387) 에 되돌리는 구성으로 해도 된다.The exhaust portion 388 discharges the gas in the chamber 380 to the outside of the chamber 380. It is possible to circulate the clean gas in the chamber 380 by exhausting the gas in the chamber 380 from the exhaust portion 388 while supplying the gas into the chamber 380 by the gas supply portion 387. [ Alternatively, the gas evacuated from the evacuation section 388 may be cleaned and then returned to the gas supply section 387.

다음으로, 상기와 같이 구성된 광처리 유닛 (LP3) 의 동작을 설명한다.Next, the operation of the light-processing unit LP3 configured as described above will be described.

제어부 (CONT) 는, 기판 (G) 을 유지하는 로봇 아암을 +Z 방향으로 이동시키고, 기판 반입구 (380a) 로부터 챔버 (380) 의 내부에 반입시킨다. 챔버 (380) 의 내부에 있어서, 제어부 (CONT) 는, 도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 지지핀 (382a) 의 +Z 측의 선단이 기판 (G) 의 저면 (-Z 측의 면) 을 받도록 기판 지지 부재 (382) 를 +Z 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 기판 (G) 이 지지핀 (382a) 에 지지된다. 또, 제어부 (CONT) 는, 도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 2 스테이지 (385) 를 제 1 위치 (385A) 에 배치시켜 둔다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 기체 공급부 (387) 에 의해 챔버 (380) 내에 기체를 공급시킴과 함께, 배기부 (388) 로부터 기체를 배기시킴으로써, 챔버 (380) 내에 기체를 순환시킨다.The control unit CONT moves the robot arm holding the substrate G in the + Z direction and brings it into the chamber 380 from the substrate inlet port 380a. The control section CONT controls the inside of the chamber 380 such that the tip of the support pin 382a on the + Z side is located on the bottom surface (-Z side surface) of the substrate G, The substrate support member 382 is moved in the + Z direction. As a result, the substrate G is supported by the support pins 382a. In addition, the control unit CONT places the second stage 385 at the first position 385A as shown in Fig. 11 (a). The control unit CONT also circulates the gas in the chamber 380 by supplying the gas into the chamber 380 by the gas supply unit 387 and exhausting the gas from the exhaust unit 388. [

다음으로, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 기판 지지 부재 (382) 를 -Z 측으로 이동시키고, 지지핀 (382a) 의 +Z 측의 선단이 트레이 (T) 로부터 가라앉도록 한다. 이 동작에 의해, 기판 (G) 이 트레이 (T) 상에 재치된다. 제어부 (CONT) 는, 기판 (G) 을 트레이 (T) 상에 차위치하는 것에 앞서, 가열 기구 (389) 에 의해 트레이 (T) 를 가열시켜 두어도 된다. 또한, 기판 (G) 이 트레이 (T) 상에 재치된 후, 가열 기구 (389) 에 의해 트레이 (T) 및 기판 (G) 을 가열해도 된다. 가열 기구 (389) 의 가열에 의해, 트레이 (T) 의 온도가 상승하고, 트레이 (T) 를 통해 기판 (G) 이 가열된다.Next, as shown in Fig. 11 (b), the control unit CONT moves the substrate support member 382 to the -Z side, and the tip of the support pin 382a on the + Z side is moved away from the tray T Let's sit down. By this operation, the substrate G is placed on the tray T. The control section CONT may heat the tray T by the heating mechanism 389 prior to placing the board G on the tray T. [ The tray T and the substrate G may be heated by the heating mechanism 389 after the substrate G is placed on the tray T. [ By the heating of the heating mechanism 389, the temperature of the tray T is raised, and the substrate G is heated through the tray T.

다음으로, 도 12(a) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 1 스테이지 (384) 의 롤러 (384r) 를 회전시킴으로써, 트레이 (T) 를 +X 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 트레이 (T) 는 제 1 스테이지 (384) 로부터 제 2 스테이지 (385) 로 이동한다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 제 2 스테이지 (385) 의 롤러 (385r) 를 회전시킴으로써, 트레이 (T) 를 제 2 스테이지 (385) 의 X 방향의 소정 위치에 배치시킨다. 트레이 (T) 는, 제 2 스테이지 (385) 로 이동한 후, 서서히 온도가 저하되어 가는데, 여열에 의해 기판 (G) 을 계속 가열하는 것이 가능하다.Next, as shown in Fig. 12 (a), the control unit CONT moves the tray T in the + X direction by rotating the roller 384r of the first stage 384. As a result, the tray T moves from the first stage 384 to the second stage 385. The controller CONT also rotates the roller 385r of the second stage 385 to arrange the tray T at a predetermined position in the X direction of the second stage 385. [ The temperature of the tray T gradually decreases after moving to the second stage 385, and it is possible to continuously heat the substrate G by the residual heat.

다음으로, 도 12(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 2 스테이지 (385) 상에 트레이 (T) 를 배치한 상태에서, 기판 (G) 의 자세를 유지하면서, 제 2 스테이지 (385) 를 제 2 위치 (385B) 까지 +Z 방향으로 이동시킨다. 제 2 스테이지 (385) 가 제 2 위치 (385B) 로 이동함으로써, 트레이 (T) 및 기판 (G) 이 덕트 (387b) 에 대향 배치된다. 제어부 (CONT) 는, 기체 공급부 (387) 의 기체 가열부 (387c) 에 의해, 덕트 (387b) 로부터 공급되는 기체를 가열시킨다. 이것에 의해, 덕트 (387b) 로부터 트레이 (T) 및 기판 (G) 을 향하여 가열된 기체가 분사된다. 가열된 기체가 트레이 (T) 에 분사됨으로써, 트레이 (T) 가 가열된다. 이 트레이 (T) 의 가열에 의해, 트레이 (T) 를 통해 기판 (G) 이 가열된다. 또한, 가열된 기체 (g) 가 직접 기판 (G) 에 분사됨으로써, 기판 (G) 이 가열된다.Next, as shown in Fig. 12 (b), the control unit CONT controls the second stage 385 while maintaining the attitude of the substrate G while the tray T is disposed on the second stage 385, (385) to the second position (385B) in the + Z direction. As the second stage 385 moves to the second position 385B, the tray T and the substrate G are disposed opposite the duct 387b. The control unit CONT heats the gas supplied from the duct 387b by the gas heating unit 387c of the gas supply unit 387. [ As a result, the heated gas is jetted from the duct 387b toward the tray T and the substrate G. [ As the heated gas is jetted onto the tray T, the tray T is heated. By heating the tray T, the substrate G is heated via the tray T. Further, the heated substrate g is directly sprayed onto the substrate G, whereby the substrate G is heated.

다음으로, 도 13(a) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 덕트 (387b) 로부터의 기체 (g) 에 의해 기판 (G) 을 가열하면서, 제 2 스테이지 (385) 의 롤러 (385r) 및 제 3 스테이지 (386) 의 롤러 (386r) 를 회전시키고, 트레이 (T) 를 -X 방향으로 이동시킨다. 이 상태에서, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (381) 로부터 광 (L) 을 사출시킨다. 광 (L) 은, 광사출부 (381a) 로부터 사출된 광 중, 필터 (381b) 를 통과한 파장 300 ㎚ 이상의 성분이다. 이 동작에 의해, 수평면을 이동하는 기판 (G) 에 대하여, 300 ㎚ 이상의 파장의 광 (L) 이 조사된다. 광 (L) 의 조사는, 기판 (G) 의 전체가 광조사부 (381) 를 +X 방향으로 통과할 때까지 실시된다. 도 13(b) 에 나타내는 바와 같이, 트레이 (T) 는, 광조사부 (381) 를 -X 방향으로 통과한 후, 제 3 스테이지 (386) 에 재치된다.Next, as shown in Fig. 13 (a), the controller CONT controls the roller 385r of the second stage 385 while heating the substrate G by the substrate g from the duct 387b, And the roller 386r of the third stage 386, and moves the tray T in the -X direction. In this state, the control unit CONT causes the light L to be emitted from the light irradiation unit 381. The light L is a component having a wavelength of 300 nm or more that has passed through the filter 381b out of the light emitted from the light emitting portion 381a. With this operation, light L having a wavelength of 300 nm or more is irradiated onto the substrate G moving on the horizontal plane. The irradiation of the light L is performed until the entire substrate G passes through the light irradiation portion 381 in the + X direction. 13 (b), the tray T is placed on the third stage 386 after passing the light irradiation unit 381 in the -X direction.

다음으로, 도 14(a) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 기판 지지 부재 (382) 의 지지핀 (382a) 을 +Z 방향으로 이동시키고, 제 3 스테이지 (386) 상의 트레이 (T) 에 재치된 기판 (G) 을 들어 올리게 한다. 그 후, 제어부 (CONT) 는, 반송 기구 (TR4) 의 로봇 아암을 사용하여, 기판 지지 부재 (382) 에 지지된 기판 (G) 을 기판 반출구 (380b) 로부터 챔버 (380) 의 외부로 반출시킨다.14 (a), the control unit CONT moves the support pins 382a of the substrate support member 382 in the + Z direction and moves the tray T on the third stage 386, Thereby lifting the substrate G placed on the substrate W. The control unit CONT then uses the robot arm of the transport mechanism TR4 to transport the substrate G supported by the substrate support member 382 from the substrate exit port 380b to the outside of the chamber 380 .

다음으로, 도 14(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 기판 지지 부재 (382) 의 지지핀 (382a) 을 -Z 방향으로 이동시켜 소정의 대기 위치에 되돌린다. 또한, 제어부 (CONT) 는, 트레이 지지 부재 (383) 의 지지핀 (383a) 을 +Z 방향으로 이동시키고, 제 3 스테이지 (386) 상의 트레이 (T) 를 들어 올리게 한다. 이것에 의해, 트레이 (T) 가 롤러 (386r) 에 대하여 뜬 상태가 된다.14 (b), the control unit CONT moves the support pin 382a of the substrate support member 382 in the -Z direction and returns it to a predetermined standby position. The control unit CONT also moves the support pin 383a of the tray support member 383 in the + Z direction and lifts the tray T on the third stage 386. [ As a result, the tray T is floated with respect to the roller 386r.

다음으로, 도 15(a) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 제 1 롤러 지지 부재 (386a) 및 제 2 롤러 지지 부재 (386b) 를 Y 방향의 외측으로 이동시킴으로써, 롤러 (386r) 를 퇴피 위치에 이동시킨다. 이것에 의해, 트레이 (T) 를 지지하는 롤러 (386r) 가 퇴피되기 때문에, 트레이 (T) 가 제 1 스테이지 (384) 를 향하여 -Z 방향으로 이동 가능해진다.Next, as shown in Fig. 15A, the controller CONT moves the first roller supporting member 386a and the second roller supporting member 386b outward in the Y direction, thereby moving the roller 386r Move to the retracted position. This allows the tray T to move toward the first stage 384 in the -Z direction because the roller 386r supporting the tray T is retracted.

다음으로, 도 15(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어부 (CONT) 는, 트레이 지지 부재 (383) 의 지지핀 (383a) 을 -Z 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 트레이 (T) 가 제 3 스테이지 (386) 를 -Z 방향으로 통과하여 제 1 스테이지 (384) 측으로 이동한다. 그 후, 제어부 (CONT) 는, 트레이 (T) 를 제 1 스테이지 (384) 상에 재치시킨다. 그리고, 제어부 (CONT) 는, 새로운 기판을 기판 반입구 (380a) 로부터 챔버 (380) 의 내부에 반입시키고, 상기 동작을 반복하여 실시하게 한다. Next, as shown in Fig. 15 (b), the control unit CONT moves the support pin 383a of the tray supporting member 383 in the -Z direction. As a result, the tray T passes through the third stage 386 in the -Z direction and moves toward the first stage 384 side. Thereafter, the control section CONT places the tray T on the first stage 384. [ Then, the control unit CONT brings the new substrate into the chamber 380 from the substrate inlet port 380a, and repeats the above operation.

이와 같이, 본 실시형태에 의하면, X 방향으로 늘어서는 스테이지가, 제 1 스테이지 (384) (또는 제 3 스테이지 (386)) 와, 제 2 스테이지 (385) 의 2 개이기 때문에, 상기 실시형태의 챔버와 비교하여, 챔버 (380) 의 X 방향의 치수를 작게 할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, since the stages arranged in the X direction are two of the first stage 384 (or the third stage 386) and the second stage 385, The dimension in the X direction of the chamber 380 can be made smaller as compared with the chamber.

또, 도 13(a) 에 나타내는 광조사 공정에 있어서, 제어부 (CONT) 는, 광조사부 (381) 를 방향 (D1) 또는 방향 (D2) 으로 이동시키면서, 기판 (G) 에 대하여 광을 조사시킬 수도 있다. 광조사부 (381) 의 이동 동작은, 제 1 실시형태와 동일하다.13 (a), the control unit CONT controls the substrate W to irradiate the substrate G with light while moving the light irradiation unit 381 in the direction D1 or D2 It is possible. The movement of the light irradiation unit 381 is the same as that of the first embodiment.

본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가할 수 있다.The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be appropriately changed within a range not departing from the gist of the present invention.

예를 들어, 상기 실시형태에서는, 광 (L) 의 파장이 300 ㎚ 이상, 기판 (G) 의 온도가 100 ℃ 정도로 하여 광 (L) 의 조사를 실시하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 대하여, 예를 들어 광 (L) 을 조사할 때의 기판 (G) 주위의 수분 농도를 노점 -47 도 정도로 하는 것을 추가해도 된다. 이것에 의해, 기판 (G) 에 도포되는 레지스트의 상태를 더욱 양호하게 할 수 있다.For example, in the above-described embodiment, the case where the light L is irradiated with the wavelength of the light L at 300 nm or more and the temperature of the substrate G at about 100 ° C has been described as an example, , For example, the moisture concentration around the substrate G when the light L is irradiated may be added to the dew point of about -47 degrees. As a result, the state of the resist applied to the substrate G can be improved.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 현상 유닛 (DV) 및 포스트 베이크 유닛 (PB) 사이에서 기판 (G) 의 수수를 실시하는 반송 기구 (TR4) 의 측방 (즉, 기판 (G) 의 반송 라인의 측방) 에 챔버 (80) 를 포함하는 광처리 유닛 (LP) 이 접속된 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광처리 유닛 (LP) 이 현상 유닛 (DV) 의 상면에 배치되어도 된다. 또한, 광처리 유닛 (LP) 은, 현상 유닛 (DV) 의 상면뿐만 아니라, 예를 들어, 예를 들어 도포 유닛 (CT) 이나 포스트 베이크 유닛 등의 다른 유닛 (관련 장치) 의 상면에 배치되어 있어도 된다.In the above embodiment, the side of the transfer mechanism TR4 for transferring the substrate G between the developing unit DV and the post bake unit PB (that is, the side of the transfer line of the substrate G) ) Is connected to the light processing unit LP including the chamber 80, the present invention is not limited to this. For example, the light-processing unit LP may be disposed on the upper surface of the developing unit DV. The light processing unit LP may be disposed not only on the upper surface of the developing unit DV but also on the upper surface of another unit (associated apparatus) such as a coating unit CT or a post bake unit .

이와 같이 광처리 유닛 (LP) 이 현상 유닛 (DV) 또는 다른 유닛의 상면에 배치된 기판 처리 장치는, 기존의 라인을 갖는 장치 중 현상 유닛 (DV) 또는 다른 유닛의 상면에, 챔버 (80) 를 포함하는 광처리 유닛 (LP) 을 접속시킴으로써, 용이하게 제조할 수 있다. 이 경우, 챔버 (80) 의 접속부 (80c) 를 현상 유닛 (DV) 또는 다른 유닛측에 접속함으로써, 광처리 유닛 (LP) 과 현상 유닛 (DV) 또는 다른 유닛측과의 사이를 물리적으로, 또한 전기적으로 접속할 수 있다.The substrate processing apparatus in which the light-processing unit LP is disposed on the upper surface of the developing unit DV or the other unit is provided with a chamber 80 on the upper surface of the developing unit DV or other unit, And the light-emitting units LP including the light-emitting units are connected. In this case, by connecting the connection portion 80c of the chamber 80 to the developing unit DV or the other unit side, it is possible to physically and electrically connect the light processing unit LP and the developing unit DV or the other unit side .

또한, 상기 제 3 실시형태에서는, 기체 공급부 (387) 의 내부에 기체 가열부 (387c) 가 형성된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기체 가열부 (387c) 가 기체 공급부 (387) 와는 별개로 형성된 구성으로 해도 된다. 이 구성이어도, 챔버 (380) 의 내부의 트레이 (T) 및 기판 (G) 을 가열할 수 있다.In the third embodiment, the gas heating unit 387c is provided inside the gas supply unit 387. However, the present invention is not limited to this. For example, the gas heating unit 387c may be formed separately from the gas supply unit 387. [ Even in this configuration, the tray T and the substrate G inside the chamber 380 can be heated.

또한, 상기 제 3 실시형태에서는, 트레이 (T) 가 1 개 배치된 구성을 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 트레이 (T) 와 동일 구성의 트레이가 제 2 스테이지 (385) 또는 제 3 스테이지 (386) 에 배치되고, 복수의 기판 (G) 에 대하여 2 개의 트레이를 교대로 사용하여 반송하는 구성으로 해도 된다. 또, 이 경우, 최초의 기판 (G) 을 챔버 (380) 내에 반입하기 전에 복수의 트레이를 가열하고, 소정의 온도까지 높여 두도록 해도 된다. 예를 들어, 복수의 트레이가 제 1 스테이지 (384) 로부터 제 3 스테이지 (386) 를 거쳐 제 1 스테이지 (384) 에 되돌아가는 경로를 순회하도록 당해 트레이를 반송하는 것을 들 수 있다.In the third embodiment, a configuration in which one tray T is disposed has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, a configuration in which a tray having the same configuration as that of the tray T is disposed in the second stage 385 or the third stage 386 and the two trays are alternately used for transport to the plurality of substrates G . In this case, the plurality of trays may be heated to a predetermined temperature before bringing the first substrate G into the chamber 380. For example, a plurality of trays may be transported from the first stage 384 through the third stage 386 to the first stage 384 so as to circulate the path thereof back to the first stage 384.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되는 것은 아니며, 첨부한 클레임의 범위에 의해서만 한정된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments. Additions, omissions, substitutions, and other modifications of the configuration are possible without departing from the spirit of the present invention. The invention is not limited by the foregoing description, but is only limited by the scope of the appended claims.

SPA : 기판 처리 장치
G : 기판
LP : 광처리 유닛
80 : 챔버
80f : 소정면
80a : 기판 반입출구
82 : 제 1 스테이지 (기판 이동부)
83 : 제 1 반송부 (기판 이동부)
84 : 제 2 스테이지 (기판 이동부)
85 : 제 2 반송부 (기판 이동부)
81 : 광조사부SPA: substrate processing equipment
G: substrate
LP: light processing unit
80: chamber
80f:
80a: substrate loading / unloading port
82: First stage (substrate moving part)
83: First carry section (substrate moving section)
84: Second stage (substrate moving part)
85: Second transfer section (substrate moving section)
81:

Claims (21)

소정면을 갖고, 기판을 수용 가능한 챔버와,
상기 소정면에 형성되고, 상기 기판의 반입 및 반출이 가능한 기판 반입출구와,
상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 내부에 반입되는 상기 기판이 상기 기판 반입출구를 통과하여 상기 챔버의 외부로 반출되도록 상기 챔버의 내부에서 상기 기판을 이동시키는 기판 이동부와,
상기 챔버의 내부를 이동하는 상기 기판에 대하여 소정 파장의 광을 조사하는 광조사부를 구비하는, 광조사 장치.A chamber having a predetermined surface and capable of accommodating the substrate,
A substrate loading / unloading port formed on the predetermined surface and capable of loading / unloading the substrate,
A substrate moving part for moving the substrate inside the chamber so that the substrate carried through the substrate loading / unloading port and carried into the chamber is transported to the outside of the chamber through the substrate loading / unloading outlet;
And a light irradiation unit for irradiating light of a predetermined wavelength to the substrate moving in the chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 소정면은, 수평면에 수직인 면을 따라 형성되어 있는, 광조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the predetermined surface is formed along a plane perpendicular to the horizontal plane. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 이동부는, 상기 기판을 수평 방향을 따른 제 1 방향으로 반송하는 기판 반송 경로를 갖는, 광조사 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the substrate moving section has a substrate transport path for transporting the substrate in a first direction along a horizontal direction. 제 3 항에 있어서,
상기 광조사부는, 상기 기판 반송 경로를 이동하는 상기 기판에 대하여 상기 광을 조사 가능하고 또한 상기 기판 반송 경로를 따른 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있는, 광조사 장치.The method of claim 3,
Wherein the light irradiation unit is formed so as to be capable of irradiating the substrate with respect to the substrate moving along the substrate transport path and movable in a direction along the substrate transport path. 제 4 항에 있어서,
상기 광조사부는, 상기 기판의 반송 방향에 대하여 순방향으로 이동하면서 상기 광을 조사하는, 광조사 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the light irradiation unit irradiates the light while moving in a forward direction with respect to the transport direction of the substrate. 제 4 항에 있어서,
상기 광조사부는, 상기 기판의 반송 방향에 대하여 역방향으로 이동하면서 상기 광을 조사하는, 광조사 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the light irradiation unit irradiates the light while moving in a direction opposite to the conveying direction of the substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 반송 경로는, 상기 수평 방향에 직교하는 제 2 방향에 복수 단으로 배치되어 있는, 광조사 장치.The method of claim 3,
Wherein the substrate transport path is disposed in a plurality of stages in a second direction orthogonal to the horizontal direction. 제 7 항에 있어서,
상기 광조사부는, 복수의 상기 기판 반송 경로 중 상기 제 2 방향의 단에 배치되는 상기 기판 반송 경로를 이동하는 상기 기판에 대하여 상기 광을 조사 가능하게 형성되어 있는, 광조사 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the light irradiation unit is formed so as to be capable of irradiating the substrate with respect to the substrate moving in the substrate transfer path disposed in the second direction among the plurality of substrate transfer paths. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
복수의 상기 기판 반송 경로 중 적어도 1 개에는, 상기 기판의 온도를 조정하는 온도 조정부가 형성되어 있는, 광조사 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein at least one of the plurality of substrate transport paths is provided with a temperature adjusting section for adjusting the temperature of the substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 반입출구는, 상기 기판 반송 경로마다 형성되어 있는, 광조사 장치.The method of claim 3,
And the substrate loading / unloading port is formed for each of the substrate transfer paths. 제 10 항에 있어서,
상기 기판 반입출구는, 상기 제 2 방향에 나란히 배치되어 있는, 광조사 장치.11. The method of claim 10,
And the substrate loading / unloading ports are arranged side by side in the second direction. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 이동부는, 상기 기판을 유지하여 상기 기판 반송 경로를 이동 가능한 기판 유지부를 갖는, 광조사 장치.The method of claim 3,
Wherein the substrate moving section has a substrate holding section capable of holding the substrate and moving the substrate transfer path. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버의 내부에 배치되고, 상기 기판 반입출구로부터 반입된 상기 기판을 받는 기판 받이부를 추가로 구비하는, 광조사 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a substrate receiver disposed inside the chamber and receiving the substrate carried from the substrate loading / unloading port. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 받이부는, 상기 수평 방향에 직교하는 제 2 방향으로 이동 가능한, 광조사 장치.The method according to claim 1,
And the substrate receiving portion is movable in a second direction orthogonal to the horizontal direction. 제 14 항에 있어서,
상기 기판 받이부는, 상기 기판의 온도를 조정하는 제 2 온도 조정부를 갖는, 광조사 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the substrate receiving section has a second temperature regulating section for regulating the temperature of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는, 외부 챔버의 상면에 배치되어 있는, 광조사 장치.The method according to claim 1,
Wherein the chamber is disposed on an upper surface of the outer chamber. 제 16 항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 외부 챔버에 접속 가능한 접속부를 갖는, 광조사 장치.17. The method of claim 16,
Wherein the chamber has a connection portion connectable to the outer chamber. 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 챔버의 내부에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 챔버의 내부를 배기하는 배기부를 추가로 구비하는, 광조사 장치.18. The method according to any one of claims 1 to 17,
A gas supply unit for supplying an inert gas into the chamber,
Further comprising an exhaust part for exhausting the inside of the chamber. 제 18 항에 있어서,
상기 챔버의 내부에 공급되는 상기 불활성 가스를 가열하는 가스 가열부를 추가로 구비하는, 광조사 장치.19. The method of claim 18,
And a gas heating unit for heating the inert gas supplied to the inside of the chamber. 기판에 처리막의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와,
상기 기판에 도포된 상기 처리막의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와,
상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 광조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치 및 상기 관련 장치의 사이에서 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 반송 라인이 형성된 기판 처리 장치로서,
상기 현상 장치 또는 상기 관련 장치의 상면에 배치되고, 현상 후의 상기 처리막에 광조사 처리를 실시하는 광조사 장치와,
상기 기판 반송 라인과 상기 광조사 장치의 사이에서 상기 기판의 수수를 실시하는 기판 반송 장치를 추가로 구비하고,
상기 광조사 장치로서, 제 1 항에 기재된 광조사 장치가 사용되고 있는, 기판 처리 장치.A coating device for applying a treatment film to the substrate,
A developing device for performing development processing of the treatment film applied to the substrate;
And a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, the developing device, and the associated device, and a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, A substrate processing apparatus comprising:
A light irradiation device which is disposed on the upper surface of the developing device or the related device and performs the light irradiation process on the processed film after development,
Further comprising a substrate transfer device for transferring the substrate between the substrate transfer line and the light irradiation device,
The light irradiation apparatus according to claim 1, wherein the light irradiation apparatus is used as the light irradiation apparatus. 기판에 처리막의 도포 처리를 실시하는 도포 장치와,
상기 기판에 도포된 상기 처리막의 현상 처리를 실시하는 현상 장치와,
상기 도포 처리, 상기 현상 처리 및 상기 광조사 처리의 관련 처리를 실시하는 관련 장치를 구비하고, 상기 도포 장치, 상기 현상 장치 및 상기 관련 장치의 사이에서 직렬적으로 상기 기판을 반송하는 기판 반송 라인이 형성된 기판 처리 장치의 제조 방법으로서,
현상 후의 상기 처리막에 광조사 처리를 실시하는 광조사 장치를, 상기 현상 장치 또는 상기 관련 장치의 상면에 배치하는 공정을 갖고,
상기 광조사 장치로서, 제 1 항에 기재된 광조사 장치를 사용하는, 기판 처리 장치의 제조 방법.A coating device for applying a treatment film to the substrate,
A developing device for performing development processing of the treatment film applied to the substrate;
And a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, the developing device, and the associated device, and a substrate transfer line for transferring the substrate in series between the application device, A method of manufacturing a substrate processing apparatus,
And a step of disposing a light irradiation device for performing a light irradiation process on the processed film after development on the upper surface of the developing device or the related device,
The method for manufacturing a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the light irradiation apparatus is used as the light irradiation apparatus.
KR20140113184A 2013-08-30 2014-08-28 Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus KR20150026944A (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013180667 2013-08-30
JPJP-P-2013-180667 2013-08-30
JP2014132560 2014-06-27
JPJP-P-2014-132560 2014-06-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150026944A true KR20150026944A (en) 2015-03-11

Family

ID=53022644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140113184A KR20150026944A (en) 2013-08-30 2014-08-28 Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016027588A (en)
KR (1) KR20150026944A (en)
TW (1) TW201523767A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017083762A (en) * 2015-10-30 2017-05-18 東芝ライテック株式会社 Polarized light irradiation device for optical alignment
US9972516B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method for substrate and substrate processing method
US10236200B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device and substrate processing apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557841B (en) * 2016-02-01 2016-11-11 亞智科技股份有限公司 Transfer-treatment apparatus and transfer-treatment method
US10901328B2 (en) * 2018-09-28 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Method for fast loading substrates in a flat panel tool
JP7405884B2 (en) 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9972516B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method for substrate and substrate processing method
US10236200B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Exposure device and substrate processing apparatus
JP2017083762A (en) * 2015-10-30 2017-05-18 東芝ライテック株式会社 Polarized light irradiation device for optical alignment

Also Published As

Publication number Publication date
TW201523767A (en) 2015-06-16
JP2016027588A (en) 2016-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150026944A (en) Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus
KR101996678B1 (en) Ultraviolet irradiation apparatus and substrate treating apparatus
JP4542577B2 (en) Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR100904392B1 (en) Apparatus for processing a substrate
JPH1084029A (en) Treatment system
JP2009010287A (en) Processing system for substrate
JP2000323370A (en) Substrate treater and substrate treating method
KR20090031271A (en) Normal pressure drying device, substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202034439A (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
JP2020109785A (en) Substrate processing apparatus and substrate transportation method
TW201130572A (en) Substrate processing device
JP6447328B2 (en) Heating device
JP6418932B2 (en) Ultraviolet irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, substrate processing apparatus, and manufacturing method of substrate processing apparatus
KR20200076765A (en) Apparatus and method for treating substrate
JP6349208B2 (en) Ultraviolet irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method, substrate processing apparatus, and manufacturing method of substrate processing apparatus
JP2014123769A (en) Ultraviolet irradiation device and ultraviolet irradiation method
JP5492527B2 (en) Ultraviolet irradiation apparatus, ultraviolet irradiation method and substrate processing apparatus
KR20150026852A (en) Light irradiation apparatus, substrate treating apparatus and method of producing substrate treating apparatus
CN116804827B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102454656B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
CN213149472U (en) Coating and developing apparatus
KR102385847B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008109158A (en) Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, substrate producing method and electronic device
CN116804827A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008124502A (en) Substrate treatment equipment, method for treating substrate, method for manufacturing substrate, and electronic instrument

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination