KR101989531B1

KR101989531B1 - Producing method of mask

Info

Publication number: KR101989531B1
Application number: KR1020180079989A
Authority: KR
Inventors: 장택용
Original assignee: 주식회사 티지오테크
Priority date: 2018-07-10
Filing date: 2018-07-10
Publication date: 2019-06-14

Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a mask which can clearly control a size and a position of a mask pattern. According to the present invention, the manufacturing method of a mask comprises: (a) a step of providing a conductive base material (50); (b) a step of using the conductive base material (50) as a cathode body, and forming a plating film (110) on one surface of the conductive base material (50) by electroforming; (c) a step of forming a patterned insulation unit (M) on one surface of the plating film (110); (d) a step of forming a first mask pattern (P1) in a prescribed depth by web etching (WE) on one surface of the plating film (110); and (e) a step of forming a second mask pattern (P2) penetrating the other surface of the plating film (110) from the first mask pattern (P1) by laser etching (LE) or dry etching.

Description

PRODUCING METHOD OF MASK

본 발명은 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 마스크 패턴의 크기와 위치를 명확하게 제어할 수 있는 마스크의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a mask. More particularly, the present invention relates to a mask manufacturing method capable of clearly controlling the size and position of a mask pattern.

최근에 박판 제조에 있어서 전주 도금(Electroforming) 방법에 대한 연구가 진행되고 있다. 전주 도금 방법은 전해액에 양극체, 음극체를 침지하고, 전원을 인가하여 음극체의 표면상에 금속박판을 전착시키므로, 극박판을 제조할 수 있으며, 대량 생산을 기대할 수 있는 방법이다.Recently, electroforming methods have been studied in the manufacture of thin plates. In the electroplating method, an anode body and a cathode body are immersed in an electrolytic solution, and a power source is applied to electrodeposit a metal thin plate on the surface of the cathode body, so that an ultra thin plate can be manufactured and mass production can be expected.

한편, OLED 제조 공정에서 화소를 형성하는 기술로, 박막의 금속 마스크(Shadow Mask)를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에 유기물을 증착하는 FMM(Fine Metal Mask) 법이 주로 사용된다.On the other hand, FMM (Fine Metal Mask) method for depositing an organic material at a desired position by bringing a thin film metal mask (Shadow Mask) into close contact with a substrate is mainly used as a technique of forming a pixel in an OLED manufacturing process.

기존의 마스크 제조 방법은, 마스크로 사용될 금속 박판을 마련하고, 금속 박판 상에 PR 코팅 후 패터닝을 하거나, 패턴을 가지도록 PR 코팅한 후, 식각을 통해 패턴을 가지는 마스크를 제조하였다. 하지만, 새도우 이펙트(Shadow Effect)를 막기 위해 테이퍼(Taper) 형상으로 경사지도록 마스크 패턴을 형성하는 것은 쉽지 않고, 별도의 공정이 수반되므로, 공정 시간, 비용이 증가하고, 생산성이 낮아지는 문제점이 있었다.In the conventional mask fabrication method, a metal thin plate to be used as a mask is provided, and PR is coated on the metal thin plate followed by patterning or PR coating to have a pattern, and then a mask having a pattern is formed by etching. However, it is not easy to form a mask pattern so as to be inclined in a taper shape in order to prevent a shadow effect, and a separate process is involved, so that the process time and cost are increased and the productivity is lowered .

초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. 따라서, 마스크 패턴의 크기를 정밀하게 조절하는 기술 개발이 필요한 실정이다.In the case of ultra-high quality OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 PPI (pixel per inch), pixel size is about 30 ~ 50㎛, 4K UHD and 8K UHD high image quality are higher ~ 860 PPI, ~ 1600 PPI Resolution. Therefore, it is necessary to develop a technology for precisely controlling the size of the mask pattern.

한편, 기존의 OLED 제조 공정에서는 마스크를 스틱 형태, 플레이트 형태 등으로 제조한 후, 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용한다. 대면적 OLED 제조를 위해서 여러 개의 마스크를 OLED 화소 증착 프레임에 고정시킬 수 있는데, 프레임에 고정하는 과정에서 각 마스크가 평평하게 되도록 인장을 하게 된다. 여러 개의 마스크를 하나의 프레임에 고정시키는 과정에서 마스크 상호간에, 그리고 마스크 셀들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 있었다. 또한, 마스크를 프레임에 용접 고정하는 과정에서 마스크 막의 두께가 너무 얇고 대면적이기 때문에 하중에 의해 마스크가 쳐지거나 뒤틀어지는 문제점이 있었다.In a conventional OLED manufacturing process, a mask is formed in a stick shape or a plate shape, and then a mask is welded and fixed to an OLED pixel deposition frame. In order to manufacture a large area OLED, several masks can be fixed to the OLED pixel deposition frame. In the process of fixing the frame to the frame, each mask is stretched so as to be flat. There has been a problem in that alignment is not performed between the masks and between the masks in the process of fixing the plurality of masks to one frame. Further, in the process of welding and fixing the mask to the frame, there is a problem that the thickness of the mask film is too thin and the mask is warped due to the load.

이렇듯 초고화질의 OLED의 화소 크기를 고려하여 각 셀들간의 정렬 오차를 수 ㎛ 정도로 감축시켜야 하며, 이를 벗어나는 오차는 제품의 실패로 이어지게 되므로 수율이 매우 낮아지게 될 수 있다. 그러므로, 마스크가 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형을 방지하고, 정렬을 명확하게 할 수 있는 기술, 마스크를 프레임에 고정하는 기술 등의 개발이 필요한 실정이다.Considering the pixel size of the ultra-high-resolution OLED, the alignment error between each cell must be reduced to about several micrometers, and the deviation from the OLED can lead to a product failure, resulting in a very low yield. Therefore, it is necessary to develop techniques for preventing deformation such as masking and twisting, clarifying alignment, fixing the mask to the frame, and the like.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마스크 패턴의 크기를 정밀하게 제어할 수 있는 마스크의 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a mask capable of precisely controlling the size of a mask pattern.

본 발명의 상기의 목적은, (a) 전도성 기재를 제공하는 단계; (b) 전도성 기재를 음극체(Cathode Body)로 사용하고, 전주 도금(Electroforming)으로 전도성 기재의 일면 상에 도금막을 형성하는 단계; (c) 도금막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계; (d) 도금막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; (e) 제1 마스크 패턴 내에 제2 절연부를 채우는 단계; (f) 제1 절연부의 상부에서 노광하고, 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제2 절연부만 남기는 단계; 및 (g) 도금막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 도금막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention is achieved by a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: (a) providing a conductive substrate; (b) forming a plating film on one surface of the conductive substrate by electroforming using the conductive substrate as a cathode body; (c) forming a patterned first insulation on one side of the plated film; (d) forming a first mask pattern by wet etching at a predetermined depth on one surface of the plated film; (e) filling the second insulation portion in the first mask pattern; (f) exposing at an upper portion of the first insulating portion, leaving only the second insulating portion located at the vertical lower portion of the first insulating portion; And (g) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one surface of the plated film.

그리고, 본 발명의 상기의 목적은, (a) 도금막의 일면 상에 패턴화된 제1 절연부를 형성하는 단계; (b) 도금막의 일면에서 습식 식각으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; (c) 제1 마스크 패턴 내에 제2 절연부를 채우는 단계; (d) 제1 절연부의 상부에서 노광하고, 제1 절연부의 수직 하부에 위치한 제2 절연부만 남기는 단계; 및 (e) 도금막의 일면에서 습식 식각으로 제1 마스크 패턴에서부터 도금막의 타면을 관통하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 마스크의 제조 방법에 의해 달성된다.The above object of the present invention can also be achieved by a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) forming a patterned first insulating portion on one surface of a plated film; (b) forming a first mask pattern on the one surface of the plated film by a predetermined depth by wet etching; (c) filling the second insulation portion in the first mask pattern; (d) exposing at an upper portion of the first insulating portion, leaving only a second insulating portion located at a vertical lower portion of the first insulating portion; And (e) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one side of the plated film.

제1 마스크 패턴보다 제2 마스크 패턴의 폭이 좁을 수 있다.The width of the second mask pattern may be narrower than that of the first mask pattern.

제2 마스크 패턴의 폭은 적어도 35㎛보다 작을 수 있다.The width of the second mask pattern may be at least 35 μm.

(d) 단계에서, 소정 깊이의 값은 도금막의 두께보다 적을 수 있다.In the step (d), the value of the predetermined depth may be smaller than the thickness of the plating film.

제1 마스크 패턴 및 제2 마스크 패턴의 형상의 합은 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.The sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern may represent a tapered shape or an inverted taper shape as a whole.

(d) 단계에서, 제1 마스크 패턴은 제1 절연부의 패턴 사이 간격보다 넓은 폭을 가지도록 형성할 수 있다.In the step (d), the first mask pattern may be formed to have a width wider than an interval between the patterns of the first insulation portions.

제1 절연부의 양측 하부에 언더컷(undercut)이 형성될 수 있다.Undercuts may be formed on the lower portions of both sides of the first insulating portion.

(f) 단계에서, 언더컷이 형성되는 공간에 제2 절연부가 남을 수 있다.In the step (f), the second insulating portion may remain in the space where the undercut is formed.

(f) 단계에서, 제1 절연부의 상부에서 노광할 때, 제1 절연부가 제2 절연부에 대해 노광 마스크로 작용할 수 있다.In the step (f), when exposed at the top of the first insulating portion, the first insulating portion may act as an exposure mask with respect to the second insulating portion.

제1 마스크 패턴의 두께가 제2 마스크 패턴의 두께보다 두꺼울 수 있다.The thickness of the first mask pattern may be thicker than the thickness of the second mask pattern.

제1 및 제2 마스크 패턴이 형성된 도금막은 OLED 화소 증착에서 FMM(Fine Metal Mask)으로 사용될 수 있다.The plating film on which the first and second mask patterns are formed can be used as FMM (Fine Metal Mask) in OLED pixel deposition.

도금막은 인바(invar), 슈퍼 인바(super invar), 니켈, 니켈-코발트 중 어느 하나의 재질일 수 있다.The plating film may be made of any one of invar, super invar, nickel, and nickel-cobalt.

도금막의 두께는 2㎛ 내지 50㎛일 수 있다.The thickness of the plated film may be 2 탆 to 50 탆.

기재는 도핑된 단결정 실리콘 재질일 수 있다.The substrate may be a doped monocrystalline silicon material.

기재는 인바(Invar), 슈퍼 인바(Super Invar), Si, Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al₂O₃, 흑연(graphite), 그래핀(graphene), 페로브스카이트(perovskite) 구조의 세라믹, 초내열합금 재질 중 어느 하나일 수 있다.The substrate Invar (Invar), Super Invar (Super Invar), Si, Ti , Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3, graphite (graphite), graphene graphene, perovskite ceramics, super heat resistant alloys, and the like.

기재가 GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 재질 중 하나인 경우, 기재는 적어도 10¹⁹ cm^-3 이상 도핑될 수 있다.When the substrate is one of GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, and Ge materials, the substrate may be doped to at least 10 ¹⁹ cm ^-3 or more.

제1 절연부 및 제2 절연부는 포토레지스트 재질일 수 있다.The first insulating portion and the second insulating portion may be photoresist materials.

제2 절연부는 포지티브 타입(positive type)의 포토레지스트 재질일 수 있다. The second insulating portion may be a positive type photoresist material.

(b) 단계에서, 도금막을 형성한 후 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the step (b), a step of forming a plating film and then performing a heat treatment may be further included.

열처리는 300℃ 내지 800℃로 수행할 수 있다.The heat treatment may be performed at 300 캜 to 800 캜.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 마스크 패턴의 크기와 위치를 정밀하게 제어할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention configured as described above, the size and position of the mask pattern can be precisely controlled.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래의 마스크를 프레임에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 종래의 마스크를 인장하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도 및 측단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 나타내는 개략도이다.
도 7은 종래의 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 테이퍼 각도 조절을 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 15은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 대응하여 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 16는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 프레임의 셀 영역에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강시키는 과정을 나타내는 개략도이다.
도 17는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 이용한 OLED 화소 증착 장치를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional OLED pixel deposition mask.
2 is a schematic view showing a process of bonding a conventional mask to a frame.
FIG. 3 is a schematic view showing an alignment error between cells in a process of stretching a conventional mask. FIG.
4 is a front view and a side sectional view showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view and a side sectional view showing a frame according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic view illustrating a mask according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic view showing a manufacturing process of a conventional mask.
8 to 10 are schematic views showing a process of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.
11 is a schematic view showing a manufacturing process of a mask according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic view illustrating taper angle adjustment according to an embodiment of the present invention.
13 is a graph showing a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention.
14 is a schematic view showing a state in which a mask according to an embodiment of the present invention is associated with a cell region of a frame.
15 is a schematic view showing a process of adhering a mask according to an embodiment of the present invention to a cell region of a frame.
16 is a schematic view illustrating a process of lowering a temperature of a process region after a mask is bonded to a cell region of a frame according to an embodiment of the present invention.
17 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus using a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the present invention.

도 1은 종래의 OLED 화소 증착용 마스크(10)를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic view showing a conventional OLED pixel deposition mask 10;

도 1을 참조하면, 종래의 마스크(10)는 스틱형(Stick-Type) 또는 판형(Plate-Type)으로 제조될 수 있다. 도 1의 (a)에 도시된 마스크(10)는 스틱형 마스크로서, 스틱의 양측을 OLED 화소 증착 프레임에 용접 고정시켜 사용할 수 있다. 도 1의 (b)에 도시된 마스크(100)는 판형(Plate-Type) 마스크로서, 넓은 면적의 화소 형성 공정에서 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1, the conventional mask 10 may be made of a stick-type or a plate-type. The mask 10 shown in Fig. 1 (a) is a stick-shaped mask, and both sides of the stick can be welded and fixed to the OLED pixel deposition frame. The mask 100 shown in FIG. 1 (b) is a plate-type mask and can be used in a pixel forming process with a large area.

마스크(10)의 바디(Body)[또는, 마스크 막(11)]에는 복수의 디스플레이 셀(C)이 구비된다. 하나의 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 셀(C)에는 디스플레이의 각 화소에 대응하도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 셀(C)을 확대하면 R, G, B에 대응하는 복수의 화소 패턴(P)이 나타난다. 일 예로, 셀(C)에는 70 X 140의 해상도를 가지도록 화소 패턴(P)이 형성된다. 즉, 수많은 화소 패턴(P)들은 군집을 이루어 셀(C) 하나를 구성하며, 복수의 셀(C)들이 마스크(10)에 형성될 수 있다.A plurality of display cells C are provided in the body (or mask film 11) of the mask 10. One cell C corresponds to one display such as a smart phone. In the cell C, a pixel pattern P is formed so as to correspond to each pixel of the display. When the cell C is enlarged, a plurality of pixel patterns P corresponding to R, G, and B are displayed. For example, a pixel pattern P is formed in the cell C so as to have a resolution of 70 X 140. That is, a large number of pixel patterns P constitute one cell C in a cluster, and a plurality of cells C can be formed in the mask 10. [

도 2는 종래의 마스크(10)를 프레임(20)에 접착하는 과정을 나타내는 개략도이다. 도 3은 종래의 마스크(10)를 인장(F1~F2)하는 과정에서 셀들간의 정렬 오차가 발생하는 것을 나타내는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시된 6개의 셀(C: C1~C6)을 구비하는 스틱 마스크(10)를 예로 들어 설명한다.2 is a schematic view showing a process of bonding a conventional mask 10 to a frame 20. Fig. FIG. 3 is a schematic view showing that an alignment error occurs between cells in a process of stretching (F1 to F2) a conventional mask 10. A stick mask 10 having six cells C: C1 to C6 shown in FIG. 1 (a) will be described as an example.

도 2의 (a)를 참조하면, 먼저, 스틱 마스크(10)를 평평하게 펴야한다. 스틱 마스크(10)의 장축 방향으로 인장력(F1~F2)을 가하여 당김에 따라 스틱 마스크(10)가 펴지게 된다. 그 상태로 사각틀 형태의 프레임(20) 상에 스틱 마스크(10)를 로딩한다. 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들은 프레임(20)의 틀 내부 빈 영역 부분에 위치하게 된다. 프레임(20)은 하나의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수 있고, 복수의 스틱 마스크(10)의 셀(C1~C6)들이 틀 내부 빈 영역에 위치할 정도의 크기일 수도 있다.Referring to FIG. 2 (a), first, the stick mask 10 should be flattened. Tensile forces F1 to F2 are applied in the longitudinal direction of the stick mask 10 and the stick mask 10 is stretched according to the pulling. In this state, the stick mask 10 is loaded on the frame 20 in a rectangular frame shape. The cells C 1 to C 6 of the stick mask 10 are located in the hollow space portion of the frame 20. The frame 20 may be of a size such that the cells C1 to C6 of one stick mask 10 are located in the hollow space of the frame and the cells C1 to C6 of the plurality of stick masks 10 Or may be of a size large enough to be located in the inner hollow area.

도 2의 (b)를 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절하면서 정렬을 시킨 후, 스틱 마스크(10) 측면의 일부를 용접(W)함에 따라 스틱 마스크(10)와 프레임(20)을 상호 연결한다. 도 2의 (c)는 상호 연결된 스틱 마스크(10)와 프레임의 측단면을 나타낸다.2 (b), after aligning while slightly adjusting the tensile force F1 to F2 applied to each side of the stick mask 10, a part of the side surface of the stick mask 10 is welded The stick mask 10 and the frame 20 are interconnected. 2 (c) shows a cross-sectional side view of the frame and the stick mask 10 connected to each other.

도 3을 참조하면, 스틱 마스크(10)의 각 측에 가하는 인장력(F1~F2)을 미세하게 조절함에도 불구하고, 마스크 셀(C1~C3)들의 상호간에 정렬이 잘 되지 않는 문제점이 나타난다. 가령, 셀(C1~C3)들의 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상호 다르게 되거나, 패턴(P)들이 비뚤어지는 것이 그 예이다. 스틱 마스크(10)는 복수(일 예로, 6개)의 셀(C1~C6)을 포함하는 대면적이고, 수십 ㎛ 수준의 매우 얇은 두께를 가지기 때문에, 하중에 의해 쉽게 쳐지거나 뒤틀어지게 된다. 또한, 각 셀(C1~C6)들을 모두 평평하게 하도록 인장력(F1~F2)을 조절하면서, 각 셀(C1~C6)들간의 정렬 상태를 현미경을 통해 실시간으로 확인하는 것은 매우 어려운 작업이다.Referring to FIG. 3, although the tensile forces F1 to F2 applied to the respective sides of the stick mask 10 are finely adjusted, the alignment of the mask cells C1 to C3 does not work well. For example, the distances D1 to D1 ", D2 to D2 "between the patterns P of the cells C1 to C3 are different from each other, or the patterns P are skewed. The stick mask 10 is large in size including a plurality of (for example, six) cells C1 to C6, and has a very thin thickness on the order of several tens of micrometers, so that it is easily struck or warped by a load. In addition, it is a very difficult task to check the alignment state between the cells C1 to C6 in real time through a microscope while adjusting the tensile forces F1 to F2 to flatten each of the cells C1 to C6.

따라서, 인장력(F1~F2)의 미세한 오차는 스틱 마스크(10) 각 셀(C1~C3)들이 늘어나거나, 펴지는 정도에 오차를 발생시킬 수 있고, 그에 따라 마스크 패턴(P)간에 거리(D1~D1", D2~D2")가 상이해지게 되는 문제점을 발생시킨다. 물론, 완벽하게 오차가 0이 되도록 정렬하는 것은 어려운 것이지만, 크기가 수 내지 수십 ㎛인 마스크 패턴(P)이 초고화질 OLED의 화소 공정에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해서는, 정렬 오차가 3㎛를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 이렇게 인접하는 셀 사이의 정렬 오차를 PPA(pixel position accuracy)라 지칭한다.Therefore, the minute errors of the tensile forces F1 to F2 can cause an error in the extent to which the cells C1 to C3 of the stick mask 10 are elongated or extended, To D1 ", D2 to D2 ") are different from each other. Of course, it is difficult to arrange the mask pattern P so that the error is completely zero. However, in order to prevent the mask pattern P having a size of several to several tens of micrometers from adversely affecting the pixel process of the ultra high definition OLED, . The alignment error between adjacent cells is referred to as pixel position accuracy (PPA).

이에 더하여, 대략 6~20개 정도의 복수의 스틱 마스크(10)들을 프레임(20) 하나에 각각 연결하면서, 복수의 스틱 마스크(10)들간에, 그리고 스틱 마스크(10)의 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태를 명확히 하는 것도 매우 어려운 작업이고, 정렬에 따른 공정 시간이 증가할 수밖에 없게 되어 생산성을 감축시키는 중대한 이유가 된다.In addition to this, a plurality of stick masks 10 of about 6 to 20 are connected to one frame 20, respectively, and a plurality of stick masks 10 and a plurality of cells C It is also a very difficult task to clarify the alignment state between the substrates C6 to C6 and the process time due to the alignment is inevitably increased, which is a significant reason for reducing the productivity.

한편, 스틱 마스크(10)를 프레임(20)에 연결 고정시킨 후에는, 스틱 마스크(10)에 가해졌던 인장력(F1~F2)이 프레임(20)에 역으로 작용할 수 있다. 즉, 인장력(F1~F2)에 의해 팽팽히 늘어났던 스틱 마스크(10)가 프레임(20)에 연결된 후에 프레임(20)에 장력(tension)을 작용할 수 있다. 보통 이 장력이 크지 않아서 프레임(20)에 큰 영향을 미치지 않을 수 있으나, 프레임(20)의 크기가 소형화되고 강성이 낮아지는 경우에는 이러한 장력이 프레임(20)을 미세하게 변형시킬 수 있다. 그리하면 복수의 셀(C~C6)들간에 정렬 상태가 틀어지는 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, after the stick mask 10 is connected and fixed to the frame 20, the tensile forces F1 to F2 applied to the stick mask 10 can be applied to the frame 20 in reverse. That is, the stick mask 10, which has been stretched by the tensile forces F1 to F2, can be tensioned on the frame 20 after it is connected to the frame 20. Normally, this tension is not great and the frame 20 may not have a large influence. However, when the size of the frame 20 is reduced and the rigidity is lowered, such a tension can finely deform the frame 20. Thus, there may arise a problem that the alignment state is changed between a plurality of cells C to C6.

이에, 본 발명은 마스크(100)가 프레임(200)과 일체형 구조를 이룰 수 있게 하는 프레임(200) 및 프레임 일체형 마스크를 제안한다. 프레임(200)에 일체로 형성되는 마스크(100)는 쳐지거나 뒤틀리는 등의 변형이 방지되고, 프레임(200)에 명확히 정렬될 수 있다. 마스크(100)가 프레임(200)에 연결될 때 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않으므로, 마스크(100)가 프레임(200)에 연결된 후 프레임(200)이 변형될 정도의 장력을 가하지 않을 수 있다. 그리고, 마스크(100)를 프레임(200)에 일체로 연결하는 제조시간을 현저하게 감축시키고, 수율을 현저하게 상승시킬 수 있는 이점을 가진다.Accordingly, the present invention proposes a frame 200 and a frame-integrated mask that allow the mask 100 to have an integral structure with the frame 200. The mask 100 formed integrally with the frame 200 is prevented from being deformed such as striking or twisting and can be clearly aligned with the frame 200. [ Since the mask 100 does not apply any tensile force to the frame 200 when the mask 100 is connected to the frame 200, it may not apply enough tension to deform the frame 200 after the mask 100 is connected to the frame 200 . Further, the manufacturing time for integrally connecting the mask 100 to the frame 200 can be remarkably reduced, and the yield can be remarkably increased.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크를 나타내는 정면도[도 4의 (a)] 및 측단면도[도 4의 (b)]이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임을 나타내는 정면도[도 5의 (a)] 및 측단면도[도 5의 (b)]이다.FIG. 4 is a front view (FIG. 4A) and a side sectional view (FIG. 4B) showing a frame-integrated mask according to an embodiment of the present invention, (A) and a side sectional view (Fig. 5 (b)) showing a frame.

도 4 및 도 5를 참조하면, 프레임 일체형 마스크는, 복수의 마스크(100) 및 하나의 프레임(200)을 포함할 수 있다. 다시 말해, 복수의 마스크(100)들을 각각 하나씩 프레임(200)에 접착한 형태이다. 이하에서는, 설명의 편의상 사각 형태의 마스크(100)를 예로 들어 설명하나, 마스크(100)들은 프레임(200)에 접착되기 전에는 양측에 클램핑되는 돌출부를 구비한 스틱 마스크 형태일 수 있으며, 프레임(200)에 접착된 후에 돌출부가 제거될 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the frame-integrated mask may include a plurality of masks 100 and one frame 200. In other words, a plurality of masks 100 are attached to the frame 200 one by one. Hereinafter, a square type mask 100 will be described as an example for convenience of explanation, but the masks 100 may be in the form of a stick mask having projections that are clamped on both sides before being bonded to the frame 200, The protrusions can be removed.

각각의 마스크(100)에는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성되며, 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)이 형성될 수 있다. 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응할 수 있다. 얇은 두께로 형성할 수 있도록, 마스크(100)는 전주도금(electroforming)으로 형성될 수 있다. 마스크(100)는 열팽창계수가 약 1.0 X 10^-6/℃인 인바(invar), 약 1.0 X 10^-7/℃ 인 슈퍼 인바(super invar) 재질일 수 있다. 이 재질의 마스크(100)는 열팽창계수가 매우 낮기 때문에 열에너지에 의해 마스크의 패턴 형상이 변형될 우려가 적어 고해상도 OLED 제조에서 있어서 FMM(Fine Metal Mask), 새도우 마스크(Shadow Mask)로 사용될 수 있다. 이 외에, 최근에 온도 변화값이 크지 않은 범위에서 화소 증착 공정을 수행하는 기술들이 개발되는 것을 고려하면, 마스크(100)는 이보다 열팽창계수가 약간 큰 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co) 등의 재질일 수도 있다. 마스크의 두께는 약 2㎛ 내지 50㎛ 정도로 형성될 수 있다.A plurality of mask patterns P are formed in each of the masks 100, and one cell C may be formed in one of the masks 100. One mask cell C may correspond to one display such as a smart phone. The mask 100 may be formed by electroforming so that it can be formed in a thin thickness. The mask 100 may be a super invar material having a thermal expansion coefficient of about 1.0 X 10 < ^-6 > / DEG C and an invar, about 1.0 X 10 < ^-7 > / DEG C. Since the mask 100 of this material has a very low thermal expansion coefficient, there is little possibility that the pattern shape of the mask is deformed by heat energy, and thus it can be used as FMM (Fine Metal Mask) and shadow mask in manufacturing high resolution OLED. In consideration of the development of techniques for performing the pixel deposition process in a range in which the temperature change value is not large recently, the mask 100 may be formed of nickel (Ni), nickel-cobalt ) Or the like. The thickness of the mask may be about 2 to 50 mu m.

프레임(200)은 복수의 마스크(100)를 접착시킬 수 있도록 형성된다. 프레임(200)은 최외곽 테두리를 포함해 제1 방향(예를 들어, 가로 방향), 제2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 형성되는 여러 모서리를 포함할 수 있다. 이러한 여러 모서리들은 프레임(200) 상에 마스크(100)가 접착될 구역을 구획할 수 있다.The frame 200 is formed so as to adhere a plurality of masks 100 thereto. The frame 200 may include a plurality of edges formed in a first direction (e.g., a horizontal direction) and a second direction (e.g., a vertical direction) including an outermost border. These various edges may define a region on the frame 200 where the mask 100 is to be adhered.

프레임(200)은 대략 사각 형상, 사각틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 포함할 수 있다. 테두리 프레임부(210)의 내부는 중공 형태일 수 있다. 즉, 테두리 프레임부(210)는 중공 영역(R)을 포함할 수 있다. 프레임(200)은 인바, 슈퍼인바, 알루미늄, 티타늄 등의 금속 재질로 구성될 수 있으며, 열변형을 고려하여 마스크와 동일한 열팽창계수를 가지는 인바, 슈퍼 인바, 니켈, 니켈-코발트 등의 재질로 구성되는 것이 바람직하고, 이 재질들은 프레임(200)의 구성요소인 테두리 프레임부(210), 마스크 셀 시트부(220)에 모두 적용될 수 있다.The frame 200 may include a frame portion 210 having a substantially rectangular shape and a rectangular frame shape. The inside of the frame part 210 may be hollow. That is, the frame frame part 210 may include a hollow area R. [ The frame 200 may be made of a metal such as invar, super invar, aluminum, titanium, or the like, and may be made of a material such as Invar, Super Invar, Nickel, or Nickel-Cobalt having the same thermal expansion coefficient as that of the mask And these materials may be applied to both the frame part 210 and the mask cell part 220, which are components of the frame 200.

이에 더하여, 프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하며, 테두리 프레임부(210)에 연결되는 마스크 셀 시트부(220)를 포함할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)는 마스크(100)와 마찬가지로 전주도금으로 형성되거나, 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트(sheet)에 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결할 수 있다. 또는, 마스크 셀 시트부(220)는 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 연결한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성할 수 있다. 본 명세서에서는 마스크 셀 시트부(220)에 먼저 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 형성한 후, 테두리 프레임부(210)에 연결한 것을 주로 상정하여 설명한다.In addition, the frame 200 may include a mask cell sheet portion 220 having a plurality of mask cell regions CR and connected to the frame frame portion 210. The mask cell sheet portion 220 may be formed by electroplating as in the case of the mask 100, or may be formed using another film forming process. The mask cell sheet portion 220 may be connected to the frame portion 210 after forming a plurality of mask cell regions CR on a flat sheet by laser scribing, etching, or the like. Alternatively, the mask cell sheet portion 220 may be formed by connecting a flat sheet to the frame portion 210, and then forming a plurality of mask cell regions CR by laser scribing, etching, or the like. In this specification, it is assumed that a plurality of mask cell regions CR are first formed in the mask cell sheet portion 220 and then connected to the frame portion 210.

마스크 셀 시트부(220)는 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다. 테두리 시트부(221) 및 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)는 동일한 시트에서 구획된 각 부분을 지칭하며, 이들은 상호간에 일체로 형성된다.The mask cell sheet portion 220 may include at least one of a border sheet portion 221 and first and second grid sheet portions 223 and 225. The border sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 refer to respective portions partitioned by the same sheet, and they are integrally formed with each other.

테두리 시트부(221)가 실질적으로 테두리 프레임부(210)에 연결될 수 있다. 따라서, 테두리 시트부(221)는 테두리 프레임부(210)와 대응하는 대략 사각 형상, 사각틀 형상을 가질 수 있다.The frame sheet portion 221 can be substantially connected to the frame frame portion 210. [ Accordingly, the frame sheet portion 221 may have a substantially rectangular shape corresponding to the frame portion 210 and a rectangular frame shape.

또한, 제1 그리드 시트부(223)는 제1 방향(가로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제1 그리드 시트부(223)를 포함하는 경우, 각각의 제1 그리드 시트부(223)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, the first grid sheet portion 223 may be extended in the first direction (horizontal direction). The first grid sheet portion 223 may be formed in a straight line shape so that both ends of the first grid sheet portion 223 may be connected to the border sheet portion 221. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of first grid sheet portions 223, it is preferable that the respective first grid sheet portions 223 are equally spaced.

또한, 이에 더하여, 제2 그리드 시트부(225)가 제2 방향(세로 방향)으로 연장 형성될 수 있다. 제2 그리드 시트부(225)는 직선 형태로 형성되어 양단이 테두리 시트부(221)에 연결될 수 있다. 제1 그리드 시트부(223)와 제2 그리드 시트부(225)는 서로 수직 교차될 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 복수의 제2 그리드 시트부(225)를 포함하는 경우, 각각의 제2 그리드 시트부(225)는 동등한 간격을 이루는 것이 바람직하다.In addition, in addition, the second grid sheet portion 225 can be extended in the second direction (longitudinal direction). The second grid sheet portion 225 may be formed in a straight line shape, and both ends thereof may be connected to the border sheet portion 221. The first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 may be perpendicularly intersected with each other. When the mask cell sheet portion 220 includes a plurality of the second grid sheet portions 225, it is preferable that the respective second grid sheet portions 225 are equally spaced.

한편, 제1 그리드 시트부(223)들 간의 간격과, 제2 그리드 시트부(225)들 간의 간격은 마스크 셀(C)의 크기에 따라서 동일하거나 상이할 수 있다.The space between the first grid sheet portions 223 and the space between the second grid sheet portions 225 may be the same or different depending on the size of the mask cell C. [

제1 그리드 시트부(223) 및 제2 그리드 시트부(225)는 박막 형태의 얇은 두께를 가지지만, 길이 방향에 수직하는 단면의 형상은 직사각형, 평행사변형과 같은 사각형 형상, 삼각형 형상 등일 수 있고, 변, 모서리 부분이 일부 라운딩 될 수도 있다. 단면 형상은 레이저 스크라이빙, 에칭 등의 과정에서 조절 가능하다.Although the first grid sheet portion 223 and the second grid sheet portion 225 have a thin thickness in the form of a thin film, the shape of the cross section perpendicular to the longitudinal direction may be a rectangular shape such as a parallelogram or a quadrangle shape, , Sides, and corners may be rounded. The cross-sectional shape can be adjusted in the course of laser scribing, etching, and the like.

테두리 프레임부(210)의 두께는 마스크 셀 시트부(220)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 테두리 프레임부(210)는 프레임(200)의 전체 강성을 담당하기 때문에 수mm 내지 수cm의 두께로 형성될 수 있다.The thickness of the rim frame portion 210 may be thicker than the thickness of the mask cell sheet portion 220. The frame part 210 may be formed to have a thickness ranging from several millimeters to several centimeters because it is responsible for the overall rigidity of the frame 200.

마스크 셀 시트부(220)의 경우는, 실질적으로 두꺼운 시트를 제조하는 공정이 어렵고, 너무 두꺼우면 OLED 화소 증착 공정에서 유기물 소스(600)[도 17 참조]가 마스크(100)를 통과하는 경로를 막는 문제를 발생시킬 수 있다. 반대로, 두께가 너무 얇아지면 마스크(100)를 지지할 정도의 강성 확보가 어려울 수 있다. 이에 따라, 마스크 셀 시트부(220)는 테두리 프레임부(210)의 두께보다는 얇지만, 마스크(100)보다는 두꺼운 것이 바람직하다. 마스크 셀 시트부(220)의 두께는, 약 0.1mm 내지 1mm 정도로 형성될 수 있다. 그리고, 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)의 폭은 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있다.In the case of the mask cell sheet portion 220, the process of manufacturing a substantially thick sheet is difficult, and if it is too thick, a path through which the organic material source 600 (see FIG. 17) Blocking can cause problems. On the contrary, if the thickness is too small, it may be difficult to secure the rigidity enough to support the mask 100. Accordingly, it is preferable that the mask cell sheet portion 220 is thinner than the frame frame portion 210, but thicker than the mask 100. The thickness of the mask cell sheet portion 220 may be about 0.1 mm to 1 mm. The widths of the first and second grid sheet portions 223 and 225 may be about 1 to 5 mm.

평면의 시트에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외하여, 복수의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)이 제공될 수 있다. 다른 관점에서, 마스크 셀 영역(CR)이라 함은, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R)에서 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)가 점유하는 영역을 제외한, 빈 영역을 의미할 수 있다.A plurality of mask cell regions CR11 to CR56 may be provided except for the region occupied by the border sheet portion 221 and the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the planar sheet. The mask cell region CR refers to a region occupied by the border sheet portion 221, the first and second grid sheet portions 223 and 225 in the hollow region R of the frame portion 210, May mean an empty area, except for the < RTI ID = 0.0 >

이 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)의 셀(C)이 대응됨에 따라, 실질적으로 마스크 패턴(P)을 통해 OLED의 화소가 증착되는 통로로 이용될 수 있게 된다. 전술하였듯이 하나의 마스크 셀(C)은 스마트폰 등의 디스플레이 하나에 대응한다. 하나의 마스크(100)에는 하나의 셀(C)을 구성하는 마스크 패턴(P)들이 형성될 수 있다. 또는, 하나의 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있으나, 마스크(100)의 명확한 정렬을 위해서는 대면적 마스크(100)를 지양할 필요가 있고, 하나의 셀(C)을 구비하는 소면적 마스크(100)가 바람직하다. 또는, 프레임(200)의 하나의 셀 영역(CR)에 복수의 셀(C)을 가지는 하나의 마스크(100)가 대응할 수도 있다. 이 경우, 명확한 정렬을 위해서는 2-3개 정도의 소수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)를 대응하는 것을 고려할 수 있다.The cell C of the mask 100 is associated with the mask cell region CR so that it can be used as a passage through which the pixels of the OLED are substantially deposited through the mask pattern P. [ As described above, one mask cell C corresponds to one display such as a smart phone. In one mask 100, mask patterns P constituting one cell C may be formed. Alternatively, although one mask 100 has a plurality of cells C and each cell C may correspond to a respective cell region CR of the frame 200, a clear alignment of the mask 100 It is necessary to avoid the large-area mask 100, and a small-area mask 100 having one cell C is preferable. Alternatively, one mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one cell region CR of the frame 200. [ In this case, it may be considered to correspond to the mask 100 having about a few number of the cells C for the clear alignment.

프레임(200)은 복수의 마스크 셀 영역(CR)을 구비하고, 각각의 마스크(100)는 각각 하나의 마스크 셀(C)이 마스크 셀 영역(CR)에 대응되도록 접착될 수 있다.The frame 200 has a plurality of mask cell regions CR and each of the masks 100 can be bonded so that one mask cell C corresponds to the mask cell region CR.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 나타내는 개략도이다.6 is a schematic diagram showing a mask 100 according to an embodiment of the present invention.

각각의 마스크(100)는 복수의 마스크 패턴(P)이 형성된 마스크 셀(C) 및 마스크 셀(C) 주변의 더미[셀(C)을 제외한 마스크 막(110) 부분에 대응]를 포함할 수 있다. 더미는 마스크 막(110)만을 포함하거나, 마스크 패턴(P)과 유사한 형태의 소정의 더미 패턴이 형성된 마스크 막(110)을 포함할 수 있다. 마스크 셀(C)은 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고, 더미의 일부 또는 전부가 프레임(200)[마스크 셀 시트부(220)]에 접착될 수 있다. 이에 따라, 마스크(100)와 프레임(200)이 일체형 구조를 이룰 수 있게 된다.Each of the masks 100 may include a mask cell C having a plurality of mask patterns P and a dummy (corresponding to a portion of the mask film 110 excluding the cell C) around the mask cell C have. The dummy may include only the mask film 110 or may include a mask film 110 having a predetermined dummy pattern formed in a shape similar to the mask pattern P. [ The mask cell C corresponds to the mask cell region CR of the frame 200 and part or all of the dummy may be bonded to the frame 200 (mask cell sheet portion 220). As a result, the mask 100 and the frame 200 can have an integrated structure.

한편, 다른 실시예에 따르면, 프레임은 테두리 프레임부(210)에 마스크 셀 시트부(220)를 접착하여 제조하지 않고, 테두리 프레임부(210)의 중공 영역(R) 부분에 테두리 프레임부(210)와 일체인 그리드 프레임[그리드 시트부(223, 225)에 대응]을 곧바로 형성한 프레임을 사용할 수도 있다. 이러한 형태의 프레임도 적어도 하나의 마스크 셀 영역(CR)을 포함하며, 마스크 셀 영역(CR)에 마스크(100)를 대응시켜 프레임 일체형 마스크를 제조할 수 있게 된다.According to another embodiment of the present invention, the frame is not manufactured by adhering the mask cell sheet portion 220 to the rim frame portion 210, but the rim portion 210 (210) is formed in the hollow region R of the rim frame portion 210, (Corresponding to the grid sheet portions 223 and 225), which are integrated with the grid frame portions 223 and 225, may be used. This type of frame also includes at least one mask cell region CR, and the mask 100 can be made to correspond to the mask cell region CR so that a frame-integrated mask can be manufactured.

이하에서는, 마스크(100)를 제조하는 과정에 대해 설명한다.Hereinafter, the process of manufacturing the mask 100 will be described.

도 7은 종래의 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.7 is a schematic view showing a manufacturing process of a conventional mask.

도 7을 참조하면, 종래의 마스크의 제조 과정은, 습식 식각(wet etching)만으로 수행된다.Referring to FIG. 7, the conventional manufacturing process of the mask is performed only by wet etching.

먼저, 도 7의 (a)처럼 평면 도금막(110') 상에 패턴화된 포토레지스트(M)를 형성할 수 있다. 다음으로, 도 7의 (b)처럼 패턴화된 포토레지스트(M)의 사이 공간을 통하여 습식 식각(WE)을 수행한다. 습식 식각(WE) 후에 도금막(110')의 일부 공간이 관통되어 마스크 패턴(P')이 형성될 수 있다. 다음으로, 포토레지스트(M)를 세척하면 마스크 패턴(P')이 형성된 도금막(110'), 즉 마스크(100')의 제조를 완료할 수 있다.First, a patterned photoresist M may be formed on the planar plated film 110 'as shown in FIG. 7 (a). Next, a wet etching (WE) is performed through a space between the patterned photoresist (M) as shown in FIG. 7 (b). After the wet etching (WE), a part of the space of the plating film 110 'is penetrated to form the mask pattern P'. Next, the photoresist M is washed to complete the production of the plating film 110 ', that is, the mask 100', in which the mask pattern P 'is formed.

도 7의 (b)처럼, 종래의 마스크(100')는 마스크 패턴(P')들의 크기가 일정하지 않은 문제점이 있다. 습식 식각(WE)은 등방성으로 수행되기 때문에, 식각되는 형태는 대략 원호 형상을 나타내게 마련이다. 또한, 습식 식각(WE) 과정에서 각각의 부분에 식각되는 속도를 똑같이 수행하기는 매우 어렵기 때문에, 도금막(110')이 관통된 후에 관통된 패턴의 폭(R1', R1", R1"')은 각각 상이할 수 밖에 없다. 특히, 언더컷(undercut; UC)이 많이 발생한 패턴에서 마스크 패턴(P')의 하부 폭(R1")뿐만 아니라 상부 폭(R2")까지도 넓게 형성될 수 있고, 언더컷(UC)이 덜 발생한 패턴에서는 하부 폭(R1', R1"') 및 상부 폭(R2', R2"')이 상대적으로 좁게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 7B, the conventional mask 100 'has a problem that the size of the mask patterns P' is not constant. Since the wet etching (WE) is performed isotropically, the shape to be etched is substantially circular. In addition, since it is very difficult to perform the same etching rate at each portion in the wet etching (WE) process, the widths R1 ', R1' 'and R1' 'of the penetrating pattern after the plating film 110' ') Are different from each other. Particularly, in the pattern in which the undercut UC is frequently generated, not only the bottom width R1 "but also the top width R2" of the mask pattern P 'can be broadly formed, and in the pattern in which the undercut UC is less The lower widths R1 'and R1' 'and the upper widths R2' and R2 '' 'may be formed to be relatively narrow.

결국, 종래의 마스크(100')는 각 마스크 패턴(P')들의 크기가 균일하지 않은 문제점이 있었다. 초고화질의 OLED의 경우, 현재 QHD 화질은 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질은 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 되므로, 사소한 크기 차이도 제품의 실패로 이어질 위험이 있다.As a result, the conventional mask 100 'has a problem that the size of each mask pattern P' is not uniform. In the case of ultra-high quality OLED, QHD image quality is 500 ~ 600 PPI (pixel per inch), pixel size is about 30 ~ 50㎛, 4K UHD and 8K UHD high image quality are higher ~ 860 PPI, ~ 1600 PPI So that there is a risk that the slight difference in size may lead to failure of the product.

따라서, 본 발명은 습식 식각을 2회 수행하여, 습식 식각 과정에서 절연 마스크의 패턴 정밀도를 향상시킨 것을 특징으로 한다.Accordingly, the present invention is characterized in that the wet etching is performed twice to improve the pattern accuracy of the insulating mask in the wet etching process.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.8 to 10 are schematic views showing a process of manufacturing a mask according to an embodiment of the present invention.

도 8의 (a)를 참조하면, 먼저, 전도성 기재(50)를 준비하고, 전도성 기재(50) 상에 전주도금으로 도금막(110)을 형성할 수 있다. 전도성 기재(50)는 전주도금에서 음극체(cathode body)로 사용될 수 있다. 기재(50)의 재질은 인바(Invar), 슈퍼 인바(Super Invar), Si, Ti, Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al₂O₃, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등일 수 있다.8A, first, a conductive base material 50 is prepared, and a plating film 110 is formed on a conductive base material 50 by electroplating. The conductive substrate 50 can be used as a cathode body in electroplating. The material of the substrate 50 is Invar (Invar), Super Invar (Super Invar), Si, Ti , Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3, graphite ( graphite, graphene, and the like.

한편, 메탈 기재의 경우에는 표면에 메탈 옥사이드들이 생성되어 있을 수 있고, 메탈 제조 과정에서 불순물이 유입될 수 있으며, 다결정 실리콘 기재의 경우에는 개재물 또는 결정립계(Grain Boundary)가 존재할 수 있으며, 전도성 고분자 기재의 경우에는 불순물이 함유될 가능성이 높고, 강도. 내산성 등이 취약할 수 있다. 이하에서는 메탈 옥사이드, 불순물, 개재물, 결정립계 등과 같이 음극체(50)의 표면에 전기장이 균일하게 형성되는 것을 방해하는 요소를 "결함"(Defect)으로 지칭한다. 결함(Defect)에 의해, 상술한 재질의 음극체에는 균일한 전기장이 인가되지 못하여 도금막(110)의 일부가 불균일하게 형성될 수 있다.On the other hand, in the case of a metal substrate, metal oxides may be generated on the surface, impurities may be introduced in a metal manufacturing process, and in the case of a polycrystalline silicon substrate, an inclusion or a grain boundary may exist. The possibility of containing impurities is high, and the strength is high. Acid resistance may be weak. Hereinafter, the element that interferes with the uniform formation of the electric field on the surface of the anode body 50, such as metal oxide, impurities, inclusions, grain boundaries, etc., is referred to as "Defect ". Due to the defect, a uniform electric field is not applied to the negative electrode of the above-described material, so that a part of the plating film 110 can be formed non-uniformly.

UHD 급 이상의 초고화질 화소를 구현하는데 있어서 도금막(110) 및 도금막 패턴(P)의 불균일은 화소의 형성에 악영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 현재 QHD 화질의 경우는 500~600 PPI(pixel per inch)로 화소의 크기가 약 30~50㎛에 이르며, 4K UHD, 8K UHD 고화질의 경우는 이보다 높은 ~860 PPI, ~1600 PPI 등의 해상도를 가지게 된다. VR 기기에 직접 적용되는 마이크로 디스플레이, 또는 VR 기기에 끼워서 사용되는 마이크로 디스플레이는 약 2,000 PPI 이상급의 초고화질을 목표로 하고 있고, 화소의 크기는 약 5~10㎛ 정도에 이르게 된다. 이에 적용되는 FMM, 새도우 마스크의 패턴 폭은 수~수십㎛의 크기, 바람직하게는 30㎛보다 작은 크기로 형성될 수 있으므로, 수㎛ 크기의 결함조차 마스크의 패턴 사이즈에서 큰 비중을 차지할 정도의 크기이다.Unevenness of the plated film 110 and the plated film pattern P in implementing ultra high image quality of the UHD class or higher may adversely affect pixel formation. For example, in the case of QHD image quality, the pixel size is about 30 ~ 50 ㎛ with 500 ~ 600 PPI (pixel per inch). In case of 4K UHD and 8K UHD high image quality, ~ 860 PPI, ~ 1600 PPI And so on. A microdisplay directly applied to a VR device or a microdisplay used in a VR device aims at an ultra-high picture quality of about 2,000 PPI or more and a pixel size of about 5 to 10 mu m. Since the pattern width of the FMM and the shadow mask applied thereto can be formed to a size of several to several tens of micrometers, preferably less than 30 micrometers, even a defect of a few micrometers in size may be a size to be.

또한, 상술한 재질의 음극체에서의 결함을 제거하기 위해서는 메탈 옥사이드, 불순물 등을 제거하기 위한 추가적인 공정이 수행될 수 있으며, 이 과정에서 음극체 재료가 식각되는 등의 또 다른 결함이 유발될 수도 있다.Further, in order to remove defects in the cathode body made of the above-mentioned material, an additional process for removing metal oxide, impurities and the like may be performed. In this process, another defect such as etching of the cathode body material may be caused have.

이에 따라, 본 발명의 음극체의 전도성 기재(50)는 단결정 재질의 기재를 사용할 수 있다. 전도성 기재(50)는 단결정 실리콘 재질인 것이 바람직하다. 전도성을 가지도록, 기재(50)는 10¹⁹ 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 도핑은 기재(50)의 전체에 수행될 수도 있으며, 기재(50)의 표면 부분에만 수행될 수도 있다.Accordingly, the conductive base material 50 of the negative electrode body of the present invention can use a substrate made of a single crystal material. The conductive substrate 50 is preferably made of a single crystal silicon material. The substrate 50 may be doped with a high concentration of 10 < ¹⁹ > or more so as to have conductivity. Doping may be performed on the entirety of the substrate 50 and may be performed only on the surface portion of the substrate 50. [

한편, 단결정 재질로는, Ti, Cu, Ag 등의 금속, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge 등의 반도체, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 등의 탄소계 재질, CH₃NH₃PbCl₃, CH₃NH₃PbBr₃, CH₃NH₃PbI₃, SrTiO₃ 등을 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조 등의 초전도체용 단결정 세라믹, 항공기 부품용 단결정 초내열합금 등이 사용될 수 있다. 금속, 탄소계 재질의 경우는 기본적으로 전도성 재질이다. 반도체 재질의 경우에는, 전도성을 가지도록 10¹⁹ 이상의 고농도 도핑이 수행될 수 있다. 기타 재질의 경우에는 도핑을 수행하거나 산소 공공(oxygen vacancy) 등을 형성하여 전도성을 형성할 수 있다.On the other hand, examples of the single crystal material include a metal such as Ti, Cu, Ag, a carbon-based material such as a semiconductor such as GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP or Ge, graphite or graphene _{_{_{, CH 3 NH 3 PbCl 3,}}} CH 3 NH 3 PbBr 3, CH 3 NH 3 PbI 3, SrTiO 3 , etc. page containing the perovskite (perovskite) superconductor single crystalline ceramic, aircraft single crystal second heat-resistant alloy for components for such structures Etc. may be used. In the case of metal and carbon materials, it is basically a conductive material. In the case of a semiconductor material, high concentration doping of 10 ¹⁹ or more can be performed so as to have conductivity. In the case of other materials, doping may be performed or oxygen vacancy may be formed to form conductivity.

단결정 재질의 경우는 결함이 없기 때문에, 전주 도금 시에 표면 전부에서 균일한 전기장 형성으로 인한 균일한 도금막(110)이 생성될 수 있는 이점이 있다. 균일한 도금막(110)을 통해 제조하는 FMM(100)은 OLED 화소의 화질 수준을 더욱 개선할 수 있다. 그리고, 결함을 제거, 해소하는 추가 공정이 수행될 필요가 없으므로, 공정비용이 감축되고, 생산성이 향상되는 이점이 있다.Since there is no defect in the case of a single crystal material, there is an advantage that a uniform plating film 110 due to the formation of a uniform electric field on the entire surface at the time of electroplating can be produced. The FMM 100 manufactured through the uniform plating film 110 can further improve the image quality level of OLED pixels. Further, since there is no need to carry out an additional process for removing and eliminating defects, there is an advantage that the process cost is reduced and the productivity is improved.

양극체(Anode Body, 미도시)는 음극체(50)와 대향하도록 소정 간격 이격 설치되고, 음극체(50)에 대응하는 일측이 평평한 평판 형상 등을 가지며, 도금액 내에 양극체의 전체가 침지될 수 있다. 양극체는 티타늄(Ti), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 등과 같은 불용성 재료로 구성될 수 있다. 음극체(50)와 양극체는 수cm 정도로 이격 설치될 수 있다.An anode body (not shown) is provided at a predetermined interval so as to face the anode body 50 and has a flat plate shape or the like which is flat on one side corresponding to the anode body 50, and the entire anode body is immersed in the plating liquid . The anode may be made of an insoluble material such as titanium (Ti), iridium (Ir), ruthenium (Ru), or the like. The anode body (50) and the anode body may be spaced apart by several centimeters.

전원공급부(미도시)는 음극체(50)와 양극체에 전기 도금에 필요한 전류를 공급할 수 있다. 전원공급부의 (-) 단자는 음극체(50), (+) 단자는 양극체에 연결될 수 있다.A power supply unit (not shown) can supply a current necessary for electroplating to the anode body 50 and the anode body. The (-) terminal of the power supply unit may be connected to the anode body 50, and the (+) terminal may be connected to the anode body.

한편, 전주 도금으로 도금막(110)을 형성한 후, 도금막(110)에 열처리를 수행할 수 있다. 전주 도금막(110)의 열팽창계수를 낮춤과 전주 도금막(110)의 열에 의한 변형을 방지하기 위해, 음극체(50)[전도성 기재(50)] 상에 도금막(110)이 부착된 상태에서 열처리(H)를 수행할 수 있다. 열처리는 300℃ 내지 800℃의 온도로 수행할 수 있다[도 10 참조].On the other hand, after the plating film 110 is formed by electroplating, the plating film 110 can be heat-treated. In order to lower the coefficient of thermal expansion of the electroplated film 110 and prevent deformation of the electroformed plated film 110 by heat, a state in which the plated film 110 is attached on the negative electrode body 50 (the conductive substrate 50) Heat treatment (H) can be performed. The heat treatment can be performed at a temperature of 300 ° C to 800 ° C (see FIG. 10).

일반적으로 압연으로 생성한 인바 박판에 비해, 전주 도금으로 생성한 인바 박판이 열팽창계수가 높다. 그리하여 인바 박판에 열처리를 수행함으로써 열팽창계수를 낮출 수 있는데, 이 열처리 과정에서 인바 박판에 약간의 변형이 생길 수 있다. 따라서, 전도성 기재(50)와 도금막(110)이 접착된 상태에서 열처리를 수행하면, 열처리로 인한 미세한 변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.In general, the invar sheet produced by electroplating is higher in thermal expansion coefficient than the invar sheet produced by rolling. Thus, the thermal expansion coefficient can be lowered by performing the heat treatment on the thinned plate, which may cause slight deformation of the thinned plate. Therefore, when the conductive base material 50 and the plated film 110 are bonded to each other, heat treatment can be performed to prevent fine deformation due to the heat treatment.

도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 후의 마스크의 열팽창계수(coefficient of expansion, CTE)를 나타내는 그래프이다. 80 X 200mm의 샘플에 대해서, 300℃, 350℃, 400℃, 450℃, 500℃, 550℃, 800℃의 7가지의 온도 구간에서 열처리를 수행한 인바 박판의 열팽창계수를 측정하였다. 도 13의 (a)는 상온(25℃)에서 약 240℃까지 온도를 올리면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타내고, 도 13의 (b)는 약 240℃에서 상온(25℃)까지 온도를 하강하면서 각 샘플의 열팽창계수를 측정한 결과를 나타낸다. 도 13의 (a) 및 도 13의 (b)를 참조하면, 열처리 온도에 따라 전주 도금으로 생성한 인바박판[또는, 도금막(110)]의 열팽창계수가 변화하며, 특히, 800℃의 열처리에서 가장 열팽창계수가 낮게 나타남을 확인할 수 있다.13 is a graph showing a coefficient of expansion (CTE) of a mask after heat treatment according to an embodiment of the present invention. The thermal expansion coefficient of an InVa thin plate subjected to heat treatment in seven temperature ranges of 300 캜, 350 캜, 400 캜, 450 캜, 500 캜, 550 캜 and 800 캜 was measured for a sample of 80 x 200 mm. 13 (a) shows the result of measuring the thermal expansion coefficient of each sample while raising the temperature from room temperature (25 ° C) to about 240 ° C. FIG. 13 (b) The results of measuring the thermal expansion coefficient of each sample while lowering the temperature are shown. 13A and 13B, the thermal expansion coefficient of the invar sheet (or the plated film 110) produced by the electroplating varies depending on the heat treatment temperature, and in particular, The coefficient of thermal expansion is the lowest.

따라서, 도금막(110)의 열팽창계수를 더 낮춤에 따라, ㎛ 스케일의 패턴(P)의 변형을 방지하고, 초고화질의 OLED 화소를 증착할 수 있는 마스크(100)를 제조할 수 있는 이점이 있다.Therefore, the advantage of being able to manufacture the mask 100 capable of preventing the deformation of the pattern P on the 탆 scale and depositing the ultra-high-quality OLED pixel as the coefficient of thermal expansion of the plated film 110 is further lowered have.

다음으로, 도 8의 (b)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에 패턴화된 제1 절연부(M1)를 형성할 수 있다. 제1 절연부(M1)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성할 수 있다. 절연부(M)를 형성하기 전에 도금막(110)과 전도성 기재(50)를 분리할 수도 있다.Next, referring to FIG. 8 (b), a patterned first insulating portion M1 may be formed on one surface (upper surface) of the plated film 110. Referring to FIG. The first insulation part M1 may be formed of a photoresist material by a printing method or the like. The plating film 110 and the conductive base material 50 may be separated before the insulating portion M is formed.

다음으로, 도 8의 (c)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면)에서 습식 식각(WE1)으로 소정 깊이만큼 제1 마스크 패턴(P1)을 형성할 수 있다. 습식 식각(WE1)을 수행할 때, 도금막(110)이 관통되지 않도록 해야한다. 그리하여, 제1 마스크 패턴(P1)은 도금막(110)을 관통하지는 않고 대략 원호 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 깊이 값은 도금막(110)의 두께보다는 적을 수 있다.Next, referring to FIG. 8C, the first mask pattern P1 may be formed by a predetermined depth on one surface (upper surface) of the plated film 110 in the wet etching (WE1). When performing the wet etching (WE1), the plating film 110 should not penetrate. Thus, the first mask pattern P1 can be formed in a substantially circular arc shape without passing through the plated film 110. [ That is, the depth value of the first mask pattern P1 may be less than the thickness of the plating film 110. [

습식 식각(WE1)은 등방성 식각 특성을 가지기 때문에, 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)과 동일한 폭을 가지지 않고, 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)보다 넓은 폭을 가질 수 있다. 다시 말해, 제1 절연부(M1)의 양측 하부에 언더컷(undercut, UC)이 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)보다는 언더컷(UC)이 형성된 폭만큼 더 클 수 있다.The width R2 of the first mask pattern P1 does not have the same width as the interval R3 between the patterns of the first insulation portion M1 because the wet etching WE1 has the isotropic etching characteristic, Can be wider than the pattern-to-pattern spacing R3 of the portion M1. In other words, since the undercut UC is formed at the lower portions of both sides of the first insulation portion M1, the width R2 of the first mask pattern P1 is equal to the interval R3 between the patterns of the first insulation portion M1 ) Can be larger than the width of the undercut (UC) formed.

다음으로, 도 9의 (d)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에 제2 절연부(M2)를 형성할 수 있다. 제2 절연부(M2)는 프린팅 법 등을 이용하여 포토레지스트 재질로 형성할 수 있다. 제2 절연부(M2)는 후술할 언더컷(UC)이 형성되는 공간에 남겨야 하기 때문에, 포지티브 타입의 포토레지스트 재질인 것이 바람직하다.Next, referring to FIG. 9D, a second insulating portion M2 may be formed on one surface (upper surface) of the plated film 110. FIG. The second insulating portion M2 may be formed of a photoresist material by a printing method or the like. Since the second insulating portion M2 must be left in a space in which the undercut UC to be described later is formed, it is preferable that the second insulating portion M2 is a positive type photoresist material.

도금막(110)의 일면(상면) 상에 제2 절연부(M2)가 형성되므로, 일부는 제1 절연부(M1) 상에 형성되고, 일부는 제1 마스크 패턴(P1) 내에 채워질 수 있다.Since the second insulating portion M2 is formed on one surface (upper surface) of the plated film 110, a part of the second insulating portion M2 may be formed on the first insulating portion M1 and a portion thereof may be filled in the first mask pattern P1 .

다음으로, 도 9의 (e)를 참조하면, 도금막(110)의 일면(상면) 상에서 노광(L)을 수행할 수 있다. 제1 절연부(M1)의 상부에서 노광(L) 시에 제1 절연부(M1)는 노광 마스크로 작용할 수 있다. 그리하여, 제1 절연부(M1)의 수직 하부에 위치한 제2 절연부(M2')는 노광(L)되지 않을 수 있고, 나머지 절연부(M2)는 노광(L)될 수 있다.Next, referring to FIG. 9E, the exposure (L) can be performed on one surface (upper surface) of the plating film 110. The first insulation portion M1 may act as an exposure mask when exposed at the top of the first insulation portion M1. Thus, the second insulation portion M2 'located at the vertically lower portion of the first insulation portion M1 may not be exposed (L), and the remaining insulation portion M2 may be exposed (L).

다음으로, 도 9의 (f)를 참조하면, 노광(L) 후 현상하면, 노광(L)되지 않은 제2 절연부(M2')의 부분은 남고, 나머지 제2 절연부(M2)는 제거될 수 있다. 제2 절연부(M2)는 포지티브 타입의 포토레지스트이므로, 노광(L)된 부분이 제거될 수 있다. 제2 절연부(M2')가 남는 공간은 제1 절연부(M1)의 양측 하부에 언더컷(UC)이 형성[도 8의 (c) 단계 참조]되는 공간에 대응할 수 있다.Next, referring to FIG. 9 (f), when developing after exposure (L), the portion of the second insulation part M2 'which is not exposed (L) remains and the remaining second insulation part M2 is removed . Since the second insulating portion M2 is a positive type photoresist, the exposed portion L can be removed. The space in which the second insulation portion M2 'remains may correspond to a space where undercuts UC are formed on both sides of the first insulation portion M1 (refer to step (c) of FIG. 8).

다음으로, 도 10의 (g)를 참조하면, 도금막(110)의 제1 마스크 패턴(P1) 상에 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 습식 식각액은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 공간 및 제1 마스크 패턴(P1) 공간으로 침투하여 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)은 도금막(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 하단에서부터 도금막(110)의 타면을 관통하여 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 10 (g), a wet etching (WE2) can be performed on the first mask pattern P1 of the plated film 110. Next, as shown in FIG. The wet etchant may penetrate the space between the patterns of the first insulation portion M1 and the space of the first mask pattern P1 to perform the wet etching (WE2). The second mask pattern P 2 may be formed through the plating film 110. That is, it may be formed through the other surface of the plated film 110 from the lower end of the first mask pattern P1.

이때, 제1 마스크 패턴(P1)에는 제2 절연부(M2')가 남아 있다. 남아 있는 제2 절연부(M2')는 식각액을 마스킹하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)에 대해서 습식 식각(WE2)을 수행한 것이나 마찬가지이게 된다. 따라서, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)은 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)보다 좁게 형성될 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 화소의 폭을 규정하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 35㎛보다는 작은 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께가 너무 두꺼우면, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 어렵고 폭(R1)들의 균일성이 낮아지며, 마스크 패턴(P)의 형상이 전체적으로 테이퍼/역테이퍼 형상으로 나타나지 않는 문제가 발생할 수 있으므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 제1 마스크 패턴(P1)의 두께보다 작은 것이 바람직하다. 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 가급적 0에 가까운 것이 바람직하며, 화소의 크기를 고려하면, 예를 들어, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 약 0.5 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 2.0 ㎛ 인 것이 더 바람직하다.At this time, the second insulating portion M2 'remains in the first mask pattern P1. Since the remaining second insulating portion M2 'masks the etching liquid, the second mask pattern P2 is formed by performing the wet etching WE2 on the interval R3 between the patterns of the first insulating portion M1 It is the same. Therefore, the width R1 of the second mask pattern P2 can be made narrower than the width R2 of the first mask pattern P1. Since the width of the second mask pattern P2 defines the width of the pixel, it is preferable that the width of the second mask pattern P2 is smaller than 35 mu m. If the thickness of the second mask pattern P2 is too large, it is difficult to control the width R1 of the second mask pattern P2, the uniformity of the widths R1 becomes low, It is preferable that the thickness of the second mask pattern P2 is smaller than the thickness of the first mask pattern P1 because a problem that the whole does not appear as a tapered / inverted tapered shape may occur. It is preferable that the thickness of the second mask pattern P2 is as close to 0 as possible. Considering the size of the pixel, for example, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably about 0.5 to 3.0 mu m, To 2.0 m.

이어진 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상의 합이 마스크 패턴(P)을 구성할 수 있다.The sum of the shapes of the first mask pattern P1 and the second mask pattern P2 can constitute the mask pattern P. [

다음으로, 도 10의 (h)를 참조하면, 제1 절연부(M1) 및 제2 절연부(M2)를 제거하여 마스크(100)의 제조를 완료할 수 있다. 제1, 2 마스크 패턴(P1)은 기울어진 면을 포함하여 형성되고, 제2 마스크 패턴(P2)의 높이는 매우 낮게 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상을 합하면, 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.Next, referring to FIG. 10 (h), it is possible to complete the manufacture of the mask 100 by removing the first insulating portion M1 and the second insulating portion M2. The first and second mask patterns P1 and P2 are formed to include the inclined surfaces and the height of the second mask pattern P2 is very low. Therefore, the shape of the first mask pattern P1 and the shape of the second mask pattern P2 It is possible to exhibit a tapered shape or a reverse tapered shape as a whole.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.11 is a schematic view showing a manufacturing process of a mask according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 8의 (a) 내지 (c) 단계를 수행할 수 있다. 이는 상술하였으므로 구체적인 설명은 생략한다.First, steps (a) to (c) of FIG. 8 can be performed. Since this has been described above, a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 도 11의 (d)를 참조하면, 제1 절연부(M1)에 열(H)을 가하여 제1 절연부(M1)를 리플로우(reflow)할 수 있다. 제1 절연부(M1)에만 국부적으로 열(H)을 가하는 것이 바람직하지만, 이에 제한되지는 않고 전체 부분에 열을 가하여 제1 절연부(M1)에도 열(H)이 인가되도록 할 수 있다.Next, referring to FIG. 11 (d), the first insulating portion M1 may be reflowed by applying heat to the first insulating portion M1. It is preferable to apply heat H locally only to the first insulating portion M1. However, the heat may be applied to the first insulating portion M1 by applying heat to the entire portion without being limited thereto.

다음으로, 도 11의 (e)를 참조하면, 제1 절연부(M1)가 리플로우(reflow)되면서 도금막(110)에 의해 지지되지 않는, 제1 마스크 패턴(P1)의 수직 상부에 위치하는 제1 절연부(M1)가 아래로 흐를 수 있다. 다시 말해, 제1 절연부의 일부(M1')가 수직 하부에 위치한 제1 마스크 패턴(P1) 공간의 일부(양측)으로 리플로우 될 수 있다. 리플로우된 제1 절연부의 일부(M1')가 제1 마스크 패턴(P1) 공간에서 차지하는 부분은 도 9 (f)의 제2 절연부(M2')의 부분과 중첩될 수 있다. 제1 절연부의 일부(M1')가 제1 마스크 패턴(P1)의 일부를 채우고, 제1 마스크 패턴(P1)이 노출되는 폭은 원래 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)과 동일할 수 있다.11 (e), the first insulating portion M1 is reflowed and is not supported by the plating film 110, but is located at a vertically upper portion of the first mask pattern P1 The first insulator M1 can flow downward. In other words, a portion M1 'of the first insulation portion can be reflowed to a portion (both sides) of the space of the first mask pattern P1 located in the vertical lower portion. The portion of the reflowed first insulation portion M1 'that occupies the space of the first mask pattern P1 may overlap the portion of the second insulation portion M2' of FIG. 9 (f). A portion M1 'of the first insulation portion fills a portion of the first mask pattern P1 and a width of the first mask pattern P1 is exposed to the first insulation portion M1, Can be the same.

다음으로, 도 11의 (f)를 참조하면, 도금막(110)의 제1 마스크 패턴(P1) 상에 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 습식 식각액은 제1 마스크 패턴(P1)의 일부(양측)으로 리플로우된 제1 절연부(M1')의 사이 공간으로 침투하여 습식 식각(WE2)을 수행할 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)은 도금막(110)을 관통하여 형성될 수 있다. 즉, 제1 마스크 패턴(P1)의 하단에서부터 도금막(110)의 타면을 관통하여 형성될 수 있다.11 (f), wet etching (WE2) can be performed on the first mask pattern P1 of the plated film 110. Next, as shown in FIG. The wet etchant may penetrate into the space between the first insulating portions M1 'that are reflowed to a portion (both sides) of the first mask pattern P1 to perform the wet etching WE2. The second mask pattern P 2 may be formed through the plating film 110. That is, it may be formed through the other surface of the plated film 110 from the lower end of the first mask pattern P1.

이때, 제1 마스크 패턴(P1)에는 리플로우된 제1 절연부(M1')가 남아 있어 식각액을 마스킹하고, 리플로우된 제1 절연부(M1')의 사이 간격은 R3이기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)은 제1 절연부(M1)의 패턴 사이 간격(R3)에 대해서 습식 식각(WE2)을 수행한 것이나 마찬가지이게 된다. 따라서, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)은 제1 마스크 패턴(P1)의 폭(R2)보다 좁게 형성될 수 있다. 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 화소의 폭을 규정하기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭은 35㎛보다는 작은 것이 바람직하다. 또한, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께가 너무 두꺼우면, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 어렵고 폭(R1)들의 균일성이 낮아지며, 마스크 패턴(P)의 형상이 전체적으로 테이퍼/역테이퍼 형상으로 나타나지 않는 문제가 발생할 수 있으므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 제1 마스크 패턴(P1)의 두께보다 작은 것이 바람직하다. 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 가급적 0에 가까운 것이 바람직하며, 화소의 크기를 고려하면, 예를 들어, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께는 약 0.5 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 2.0 ㎛ 인 것이 더 바람직하다.At this time, since the reflowed first insulation portion M1 'remains in the first mask pattern P1 and the etching liquid is masked and the interval between the reflowed first insulation portions M1' is R3, The mask pattern P2 is the same as the wet etching (WE2) performed on the interval R3 between the patterns of the first insulating portion M1. Therefore, the width R1 of the second mask pattern P2 can be made narrower than the width R2 of the first mask pattern P1. Since the width of the second mask pattern P2 defines the width of the pixel, it is preferable that the width of the second mask pattern P2 is smaller than 35 mu m. If the thickness of the second mask pattern P2 is too large, it is difficult to control the width R1 of the second mask pattern P2, the uniformity of the widths R1 becomes low, It is preferable that the thickness of the second mask pattern P2 is smaller than the thickness of the first mask pattern P1 because a problem that the whole does not appear as a tapered / inverted tapered shape may occur. It is preferable that the thickness of the second mask pattern P2 is as close to 0 as possible. Considering the size of the pixel, for example, the thickness of the second mask pattern P2 is preferably about 0.5 to 3.0 mu m, To 2.0 m.

다음으로, 도 11의 (g)를 참조하면, 제1 절연부(M1) 및 리플로우된 제1 절연부(M1')를 제거하여 마스크(100)의 제조를 완료할 수 있다. 제1, 2 마스크 패턴(P1)은 기울어진 면을 포함하여 형성되고, 제2 마스크 패턴(P2)의 높이는 매우 낮게 형성되므로, 제1 마스크 패턴(P1)과 제2 마스크 패턴(P2)의 형상을 합하면, 전체적으로 테이퍼 형상 또는 역테이퍼 형상을 나타낼 수 있다.Next, referring to FIG. 11 (g), it is possible to complete the manufacture of the mask 100 by removing the first insulating portion M1 and the first insulating portion M1 'which has been reflowed. The first and second mask patterns P1 and P2 are formed to include the inclined surfaces and the height of the second mask pattern P2 is very low. Therefore, the shape of the first mask pattern P1 and the shape of the second mask pattern P2 It is possible to exhibit a tapered shape or a reverse tapered shape as a whole.

위와 같이, 본 발명은 마스크 제조 방법은 습식 식각을 2회 수행함에 따라, 마스크 패턴(P)을 원하는 크기로 형성할 수 있는 효과가 있다. 특히, 일부 제2 절연부(M2')를 남겨두거나, 제1 절연부를 리플로우(M1')함에 따라, 2번째 습식 식각은 1번째 습식보다 얇은 폭 및 얇은 두께에 대해 행해지기 때문에, 제2 마스크 패턴(P2)의 폭(R1)을 제어하기 용이한 이점이 있다. 게다가, 습식 식각으로 기울어진 면을 형성할 수 있기 때문에, 새도우 이펙트를 방지하는 마스크 패턴(P)을 구현할 수 있게 된다.As described above, the mask manufacturing method according to the present invention has the effect of forming the mask pattern P in a desired size by performing the wet etching twice. Particularly, since the second wet etching is performed for a thinner width and a thinner thickness than the first wetting, as a part of the second insulating portion M2 'is left or the first insulating portion is reflowed (M1'), There is an advantage that it is easy to control the width R1 of the mask pattern P2. In addition, since it is possible to form the inclined surface by the wet etching, it becomes possible to realize the mask pattern P that prevents the shadow effect.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 테이퍼 각도(a1, a2) 조절을 나타내는 개략도이다.12 is a schematic diagram showing taper angle adjustment (a1, a2) according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 마스크 제조 방법은 제1, 2 마스크 패턴(P1, P2)이 구성하는 마스크 패턴(P)이 테이퍼 각도를 형성하기 유리한 이점이 있다. 또한, 테이퍼 각도(a1, a2)를 조절하기 용이한 효과가 있다. 도 12의 (a)를 참조하면, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T1)가 얇아지면, 테이퍼 각도(a1)가 커질 수 있다. 다시 말해, 제1 마스크 패턴(P1)의 두께가 두껍고, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T1)가 얇아지면, 등방성 습식 식각(R1 반경으로 나타냄)이 수행되는 결과, 테이퍼 각도(a1)가 커질 수 있다. 반대로, 도 12의 (b)를 참조하면, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T2)가 두꺼워지면, 테이퍼 각도(a2)가 작아질 수 있다. 다시 말해, 도 12의 (a)의 경우보다 제1 마스크 패턴(P1)의 두께가 얇고, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께(T2)가 두꺼워지면, 등방성 습식 식각(R1 반경으로 나타냄)이 수행되는 결과, 테이퍼 각도(a2)가 커질 수 있다. 이에 따라, 제2 마스크 패턴(P2)의 두께를 조절하여 테이퍼 각도(a1, a2)를 조절할 수 있는 이점이 있다.The mask manufacturing method of the present invention is advantageous in that the mask pattern P constituted by the first and second mask patterns P1 and P2 is advantageous in forming a taper angle. Further, there is an effect that the taper angles a1 and a2 can be easily adjusted. Referring to Fig. 12 (a), if the thickness T1 of the second mask pattern P2 is reduced, the taper angle a1 can be increased. In other words, if the thickness of the first mask pattern P1 is thick and the thickness T1 of the second mask pattern P2 is small, an isotropic wet etching (expressed by radius R1) is performed, and as a result, Can be large. Conversely, referring to FIG. 12 (b), if the thickness T2 of the second mask pattern P2 is increased, the taper angle a2 can be reduced. In other words, if the thickness of the first mask pattern P1 is thinner and the thickness T2 of the second mask pattern P2 is thicker than in the case of FIG. 12 (a), an isotropic wet etching (represented by R1 radius) As a result, the taper angle a2 can be increased. Accordingly, there is an advantage in that the thickness of the second mask pattern P2 can be adjusted to adjust the taper angles a1 and a2.

이하에서는, 본 발명의 프레임 일체형 마스크를 제조하는 과정을 더 설명한다.Hereinafter, the process of manufacturing the frame-integrated mask of the present invention will be further described.

먼저, 도 4 및 도 5에서 상술한 프레임(200)을 제공할 수 있다. 중공 영역(R)을 포함한 사각 틀 형상의 테두리 프레임부(210)를 제공할 수 있다.First, the frame 200 described above with reference to FIGS. 4 and 5 can be provided. It is possible to provide a frame frame portion 210 having a rectangular frame shape including the hollow region R. [

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 제조한다. 마스크 셀 시트부(220)는 전주도금 또는 그 외의 막 형성 공정을 사용하여 평면의 시트를 제조한 후, 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 마스크 셀 영역(CR) 부분을 제거함에 따라 제조할 수 있다. 본 명세서에서는 6 X 5의 마스크 셀 영역(CR: CR11~CR56)을 형성한 것을 예로 들어 설명한다. 5개의 제1 그리드 시트부(223) 및 4개의 제2 그리드 시트부(225)가 존재할 수 있다.Next, the mask cell sheet portion 220 is manufactured. The mask cell sheet portion 220 can be manufactured by preparing a flat sheet using electroplating or other film forming process and then removing the mask cell region CR portion by laser scribing, have. In this specification, a mask cell region (CR: CR11 to CR56) of 6 X 5 is formed is described as an example. Five first grid sheet portions 223 and four second grid sheet portions 225 may exist.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 대응시키는 과정에서, 마스크 셀 시트부(220)의 모든 측을 인장(F1~F4)하여 마스크 셀 시트부(220)를 평평하게 편 상태로 테두리 시트부(221)를 테두리 프레임부(210)에 대응할 수 있다. 한 측에서도 여러 포인트[도 6의 (b)의 예로, 1~3포인트]로 마스크 셀 시트부(220)를 잡고 인장할 수 있다. 한편, 모든 측이 아니라, 일부 측 방향을 따라 마스크 셀 시트부(220)를 인장(F1, F2) 할 수도 있다.Next, the mask cell sheet portion 220 may correspond to the frame portion 210 of the frame. All the sides of the mask cell sheet portion 220 are stretched to expose the mask cell sheet portion 220 in a flattened state and the frame sheet portion 221 to the frame frame portion 210 Can respond. The mask cell sheet portion 220 can be held and stretched by one point at several points (e.g., 1 to 3 points in FIG. 6 (b)). On the other hand, the mask cell sheet portion 220 may be stretched (F1, F2) along some lateral direction, not all sides.

다음으로, 마스크 셀 시트부(220)를 테두리 프레임부(210)에 대응하면, 마스크 셀 시트부(220)의 테두리 시트부(221)를 용접(W)하여 접착할 수 있다. 마스크 셀 시트부(220)가 테두리 프레임부(220)에 견고하게 접착될 수 있도록, 모든 측을 용접(W)하는 것이 바람직하다. 용접(W)은 테두리 프레임부(210)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크 셀 시트부(220)와 동일한 재질을 가지고 테두리 프레임부(210)와 마스크 셀 시트부(220)를 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.Next, if the mask cell sheet portion 220 corresponds to the frame frame portion 210, the frame sheet portion 221 of the mask cell sheet portion 220 can be welded (W). It is preferable that all the sides are welded (W) so that the mask cell sheet portion 220 can be firmly adhered to the rim frame portion 220. The welding W should be performed as close as possible to the edge of the rim 210 so as to minimize the space between the rim 210 and the mask cell sheet 220 and improve the adhesion. The welded portion W may be formed in a line or a spot shape and may have the same material as the mask cell sheet portion 220 and may be integrally formed with the frame frame portion 210 and the mask cell sheet portion 220 As shown in FIG.

한편, 평면의 시트를 테두리 프레임부(210)에 접착한 후에, 마스크 셀 영역(CR) 부분을 레이저 스크라이빙, 에칭 등을 통해 제거하여 마스크 셀 시트부(220)를 구성할 수도 있다. On the other hand, after the flat sheet is adhered to the rim frame portion 210, the mask cell sheet portion 220 may be formed by removing the mask cell region CR through laser scribing, etching, or the like.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응시키는 상태를 나타내는 개략도이다. 이하에서는, 본 발명의 실시예에 따라, 제조된 프레임(200)에 마스크(100)를 접착하는 일련의 과정에 대해서 설명한다.14 is a schematic view showing a state in which the mask 100 according to an embodiment of the present invention is made to correspond to the cell region CR of the frame 200. FIG. Hereinafter, a series of processes of adhering the mask 100 to the manufactured frame 200 will be described according to an embodiment of the present invention.

다음으로, 도 14를 참조하면, 마스크(100)를 프레임(200)의 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수 있다. 본 발명은 마스크(100)를 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하는 과정에서, 마스크(100)에 어떠한 인장력도 가하지 않을 수 있다.Next, referring to Fig. 14, the mask 100 may correspond to one mask cell region CR of the frame 200. Fig. The present invention may not apply any tensile force to the mask 100 in the process of corresponding the mask 100 to the mask cell region CR of the frame 200. [

프레임(200)의 마스크 셀 시트부(220)는 얇은 두께를 가지기 때문에, 마스크(100)에 인장력이 가해진 채로 마스크 셀 시트부(220)에 접착이 되면, 마스크(100)에 잔존하는 인장력이 마스크 셀 시트부(220) 및 마스크 셀 영역(CR)에 작용하게 되어 이들을 변형시킬 수도 있다. 따라서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220)에 마스크(100)의 접착을 수행해야 한다. 그리하여, 마스크(100)에 가해진 인장력이 반대로 프레임(200)에 장력(tension)으로 작용하여 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]을 변형시키는 것을 방지할 수 있게 된다.The mask cell sheet portion 220 of the frame 200 has a small thickness so that when the mask 100 is adhered to the mask cell sheet portion 220 with a tensile force applied thereto, It may act on the cell sheet portion 220 and the mask cell region CR to deform them. Therefore, it is necessary to perform adhesion of the mask 100 to the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100. Thus, the tensile force applied to the mask 100 oppositely acts on the frame 200 as a tension to prevent the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) from deforming.

다만, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않고 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 접착시켜 프레임 일체형 마스크를 제조하고, 이 프레임 일체형 마스크를 화소 증착 공정에 사용할 때 한가지 문제가 발생할 수 있다. 약 25~45 ℃ 정도에서 수행되는 화소 증착 공정에서 마스크(100)가 소정 길이만큼 열팽창 하는 것이다. 인바 재질의 마스크(100)라고 하더라도, 화소 증착 공정 분위기를 형성하기 위한 10℃ 정도의 온도 상승에 따라 약 1~3 ppm 만큼의 길이가 변할 수 있다. 예를 들어, 마스크(100)의 총 길이가 500 mm 경우, 약 5~15 ㎛만큼의 길이가 늘어날 수 있다. 그러면, 마스크(100)가 자중에 의해 쳐지거나, 프레임(200)에서 고정된 상태에서 늘어나 뒤틀리는 등의 변형을 일으키면서 패턴(P)들의 정렬 오차가 커지는 문제점이 발생하게 된다.However, there is a problem when the frame-integrated mask is manufactured by adhering the mask 100 to the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) without applying a tensile force to the mask 100 and using the frame- Lt; / RTI > The mask 100 thermally expands by a predetermined length in the pixel deposition process performed at about 25 to 45 ° C. Even if the mask 100 is made of an invar mask, the length of the mask 100 may vary by about 1 to 3 ppm according to a temperature rise of about 10 DEG C to form an atmosphere for the pixel deposition process. For example, when the total length of the mask 100 is 500 mm, the length of about 5 to 15 占 퐉 may be increased. Then, there arises a problem that the alignment errors of the patterns P are increased while the mask 100 is struck by its own weight or deformed such as stretching or twisting in a fixed state in the frame 200. [

따라서, 본 발명은 상온이 아닌 이보다 높은 온도 상에서, 마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로, 프레임(200)의 마스크 셀 영역(CR)에 대응하고 접착할 수 있다. 본 명세서에서는 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에 마스크(100)를 프레임(200)에 대응하고 접착한다고 표현한다.Therefore, the present invention can adhere and adhere to the mask cell region CR of the frame 200 without applying a tensile force to the mask 100 at a temperature higher than room temperature. In this specification, it is expressed that the mask 100 corresponds to and adheres to the frame 200 after the temperature of the process area is raised to the first temperature (ET).

"공정 영역"이라 함은 마스크(100), 프레임(200) 등의 구성 요소들이 위치하고, 마스크(100)의 접착 공정 등이 수행되는 공간을 의미할 수 있다. 공정 영역은 폐쇄된 챔버 내에 공간일 수도 있고, 개방된 공간일 수도 있다. 또한, "제1 온도"라 함은 프레임 일체형 마스크를 OLED 화소 증착 공정에 사용할 때, 화소 증착 공정 온도보다는 높거나 같은 온도를 의미할 수 있다. 화소 증착 공정 온도가 약 25~45℃인 것을 고려하면, 제1 온도는 약 25℃ 내지 60℃일 수 있다. 공정 영역의 온도 상승은, 챔버에 가열 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 가열 수단을 설치하는 방법 등으로 수행할 수 있다.The term "process region" may refer to a space in which components such as the mask 100 and the frame 200 are located and the process of bonding the mask 100 is performed. The process region may be a space within a closed chamber or an open space. Also, the "first temperature" may mean a temperature higher than or equal to the pixel deposition process temperature when the frame-integrated mask is used in an OLED pixel deposition process. Considering that the pixel deposition process temperature is about 25 to 45 캜, the first temperature may be about 25 캜 to 60 캜. The temperature rise of the process region can be performed by providing a heating means in the chamber or by providing a heating means around the process region.

다시, 도 14를 참조하면, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응한 후에, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수 있다. 또는, 프레임(200)이 포함된 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킨 후에, 마스크(100)를 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킬 수도 있다. 도면에는 하나의 마스크(100)만을 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응시킨 것이 도시되어 있지만, 마스크 셀 영역(CR)마다 마스크(100)들을 대응시킨 후에 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승(ET)시킬 수도 있다.Referring again to FIG. 14, after the mask 100 corresponds to the mask cell region CR, the temperature of the process region including the frame 200 can be raised to the first temperature (ET). Alternatively, the mask 100 may correspond to the mask cell region CR after the temperature of the process region including the frame 200 is raised to the first temperature (ET). Although only one mask 100 is shown to correspond to one mask cell region CR in the figure, it is also possible to increase the temperature of the process region to the first temperature after mapping the masks 100 for each mask cell region CR (ET).

종래의 도 1의 마스크(10)는 셀 6개(C1~C6)를 포함하므로 긴 길이를 가지는데 반해, 본 발명의 마스크(100)는 셀 1개(C)를 포함하여 짧은 길이를 가지므로 PPA(pixel position accuracy)가 틀어지는 정도가 작아질 수 있다. 예를 들어, 복수의 셀(C1~C6, ...)들을 포함하는 마스크(10)의 길이가 1m이고, 1m 전체에서 10㎛의 PPA 오차가 발생한다고 가정하면, 본 발명의 마스크(100)는 상대적인 길이의 감축[셀(C) 개수 감축에 대응]에 따라 위 오차 범위를 1/n 할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 마스크(100)의 길이가 100mm라면, 종래 마스크(10)의 1m에서 1/10로 감축된 길이를 가지므로, 100mm 길이의 전체에서 1㎛의 PPA 오차가 발생하게 되며, 정렬 오차가 현저히 감소하게 되는 효과가 있다.The conventional mask 10 of FIG. 1 has a long length since it includes six cells (C1 to C6), whereas the mask 100 of the present invention has a short length including one cell (C) The degree to which the pixel position accuracy (PPA) is distorted can be reduced. For example, assuming that the length of the mask 10 including a plurality of cells (C1 to C6, ...) is 1 m and a PPA error of 10 m is generated in all 1 m, Can be 1 / n of the upper error range according to the reduction of the relative length (corresponding to the reduction in the number of cells (C)). For example, if the length of the mask 100 of the present invention is 100 mm, the length of the conventional mask 10 is reduced from 1 m to 1/10, so that a PPA error of 1 탆 is generated in the entire length of 100 mm , The alignment error is remarkably reduced.

한편, 마스크(100)가 복수의 셀(C)을 구비하고, 각각의 셀(C)이 프레임(200)의 각각의 셀 영역(CR)에 대응하여도 정렬 오차가 최소화되는 범위 내에서라면, 마스크(100)는 프레임(200)의 복수의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 또는, 복수의 셀(C)을 가지는 마스크(100)가 하나의 마스크 셀 영역(CR)에 대응할 수도 있다. 이 경우에도, 정렬에 따른 공정 시간과 생산성을 고려하여, 마스크(100)는 가급적 적은 수의 셀(C)을 구비하는 것이 바람직하다.On the other hand, if the mask 100 has a plurality of cells C, and each cell C corresponds to each cell region CR of the frame 200, even if the alignment error is minimized, The mask 100 may correspond to a plurality of mask cell regions CR of the frame 200. Alternatively, the mask 100 having a plurality of cells C may correspond to one mask cell region CR. Also in this case, it is preferable that the mask 100 has as few cells C as possible in consideration of the process time and productivity in the alignment.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않고, 마스크 셀 영역(CR)에 대응하도록 평평한 정도만 유지하면서, 현미경을 통해 실시간으로 정렬 상태를 확인할 수 있다. 본 발명의 경우는, 마스크(100)의 하나의 셀(C)을 대응시키고 정렬 상태를 확인하기만 하면 되므로, 복수의 셀(C: C1~C6)을 동시에 대응시키고 정렬 상태를 모두 확인하여야 하는 종래의 방법[도 2 참조]보다, 제조시간을 현저하게 감축시킬 수 있다.It is possible to confirm the alignment state in real time through the microscope while keeping the flatness to correspond to the mask cell region CR without applying a tensile force to the mask 100. [ In the case of the present invention, since only one cell C of the mask 100 needs to be matched and the alignment state is checked, it is necessary to simultaneously match a plurality of cells (C: C1 to C6) The manufacturing time can be remarkably reduced as compared with the conventional method (see Fig. 2).

즉, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 6개의 마스크(100)에 포함되는 각각의 셀(C11~C16)을 각각 하나의 셀 영역(CR11~CR16)에 대응시키고 각각 정렬 상태를 확인하는 6번의 과정을 통해, 6개의 셀(C1~C6)을 동시에 대응시키고 6개 셀(C1~C6)의 정렬 상태를 동시에 모두 확인해야 하는 종래의 방법보다 훨씬 시간이 단축될 수 있다.That is, the method for manufacturing a frame-integrated mask of the present invention is characterized in that each of the cells C11 to C16 included in six masks 100 is associated with one cell region CR11 to CR16, It is possible to shorten the time much more than the conventional method in which six cells (C1 to C6) are simultaneously associated and all the alignment states of the six cells (C1 to C6) need to be simultaneously checked.

또한, 본 발명의 프레임 일체형 마스크 제조 방법은, 30개의 셀 영역(CR: CR11~CR56)에 30개의 마스크(100)를 각각 대응시키고 정렬하는 30번의 과정에서의 제품 수득률이, 6개의 셀(C1~C6)을 각각 포함하는 5개의 마스크(10)[도 2의 (a) 참조]를 프레임(20)에 대응시키고 정렬하는 5번의 과정에서의 종래의 제품 수득률보다 훨씬 높게 나타날 수 있다. 한번에 6개씩의 셀(C)이 대응하는 영역에 6개의 셀(C1~C6)을 정렬하는 종래의 방법이 훨씬 번거롭고 어려운 작업이므로 제품 수율이 낮게 나타나는 것이다.The method of manufacturing a mask with a frame according to the present invention is characterized in that the product yield in thirty steps of aligning and aligning 30 masks (100) to 30 cell areas (CR11 to CR56) (See FIG. 2 (a)) including the first to sixth masks 10 to 16 (see FIG. The conventional method of aligning six cells (C1 to C6) in the area corresponding to six cells C at a time is a much more cumbersome and difficult task, resulting in a lower product yield.

한편, 마스크(100)를 프레임(200)에 대응한 후, 프레임(200)에 소정의 접착제를 개재하여 마스크(100)를 임시로 고정할 수도 있다. 이후에, 마스크(100)의 접착 단계를 진행할 수 있다.On the other hand, after the mask 100 corresponds to the frame 200, the mask 100 may be temporarily fixed to the frame 200 through a predetermined adhesive. Thereafter, the step of adhering the mask 100 can proceed.

도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 대응하여 접착하는 과정을 나타내는 평면도[도 15의 (a)] 및 측단면도[도 15의 (b)]를 나타낸다.15A and 15B are a plan view (FIG. 15A) and a side sectional view (FIG. 15A) showing a process of adhering the mask 100 according to an embodiment of the present invention to the cell region CR of the frame 200, (b)].

다음으로, 도 15를 참조하면, 마스크(100)의 테두리의 일부 또는 전부를 프레임(200)에 접착할 수 있다. 접착은 용접(W)으로 수행될 수 있고, 바람직하게는 레이저 용접(W)으로 수행될 수 있다. 용접(W)된 부분은 마스크(100)/프레임(200)과 동일한 재질을 가지고 일체로 연결될 수 있다. 15, a part or all of the rim of the mask 100 may be adhered to the frame 200. As shown in Fig. Adhesion may be performed with the welding (W), preferably with laser welding (W). The welded portion may be integrally connected with the same material as the mask 100 / frame 200.

레이저를 마스크(100)의 테두리 부분[또는, 더미]의 상부에 조사하면, 마스크(100)의 일부가 용융되어 프레임(200)과 용접(W)될 수 있다. 용접(W)은 프레임(200)의 모서리쪽에 최대한 가깝게 수행하여야 마스크(100)와 프레임(200) 사이의 들뜬 공간을 최대한 줄이고 밀착성을 높일 수 있게 된다. 용접(W) 부분은 라인(line) 또는 스팟(spot) 형태로 생성될 수 있으며, 마스크(100)와 동일한 재질을 가지고 마스크(100)와 프레임(200)을 일체로 연결하는 매개체가 될 수 있다.When a laser is irradiated on the upper part of the rim (or the dummy) of the mask 100, a part of the mask 100 may be melted and welded (W) to the frame 200. The welding W must be performed as close as possible to the edge of the frame 200 to minimize the hysterical space between the mask 100 and the frame 200 and increase the adhesion. The welded portion W may be formed in the form of a line or a spot and may be a medium for integrally connecting the mask 100 and the frame 200 with the same material as the mask 100 .

제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 상면에 두 개의 이웃하는 마스크(100)의 일 테두리가 각각 접착(W)된 형태가 나타난다. 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]의 폭, 두께는 약 1~5mm 정도로 형성될 수 있고, 제품 생산성 향상을 위해, 제1 그리드 시트부(223)[또는, 제2 그리드 시트부(225)]와 마스크(100)의 테두리가 겹치는 폭을 약 0.1~2.5mm 정도로 최대한 감축시킬 필요가 있다.A shape in which two edges of two neighboring masks 100 are adhered to each other is shown on the upper surface of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225). The width and thickness of the first grid sheet portion 223 (or the second grid sheet portion 225) may be about 1 to 5 mm. In order to improve the productivity of the product, the first grid sheet portion 223 Or the second grid sheet portion 225) and the edge of the mask 100 should be reduced to about 0.1 to 2.5 mm as much as possible.

용접(W) 방법은 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 하나의 방법일 뿐이며, 이러한 실시예로 국한되지 않고 다양한 접착 방법을 사용할 수 있다.The welding (W) method is only one method of bonding the mask 100 to the frame 200, and various bonding methods can be used without being limited to these embodiments.

마스크(100)에 인장력을 가하지 않은 채로 마스크 셀 시트부(220) 상에 용접(W)을 수행하므로, 마스크 셀 시트부(220)[또는, 테두리 시트부(221), 제1, 2 그리드 시트부(223, 225)]에는 장력이 가해지지 않는다.Since the mask W is performed on the mask cell sheet portion 220 without applying a tensile force to the mask 100, the mask cell sheet portion 220 (or the border sheet portion 221, the first and second grid sheets 220, (223, 225) are not subjected to tension.

하나의 마스크(100)를 프레임(200)에 접착하는 공정을 완료하면, 나머지 마스크(100)들을 나머지 마스크 셀(C)에 순차적으로 대응시키고, 프레임(200)에 접착하는 과정을 반복할 수 있다. 이미 프레임(200)에 접착된 마스크(100)가 기준 위치를 제시할 수 있으므로, 나머지 마스크(100)들을 셀 영역(CR)에 순차적으로 대응시키고 정렬 상태를 확인하는 과정에서의 시간이 현저하게 감축될 수 있는 이점이 있다. 그리고, 하나의 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크 셀 영역에 접착된 마스크(100) 사이의 PPA(pixel position accuracy)가 3㎛를 초과하지 않게 되어, 정렬이 명확한 초고화질 OLED 화소 형성용 마스크를 제공할 수 있는 이점이 있다.When the process of bonding one mask 100 to the frame 200 is completed, the process of sequentially making the remaining masks 100 correspond to the remaining mask cells C and bonding them to the frame 200 can be repeated . Since the mask 100 already attached to the frame 200 can present the reference position, the time in the process of sequentially matching the remaining masks 100 to the cell region CR and confirming the alignment state is significantly reduced There is an advantage that can be. Then, the pixel position accuracy (PPA) between the mask 100 bonded to one mask cell region and the mask 100 bonded to the adjacent mask cell region does not exceed 3 mu m, There is an advantage that a mask for forming an OLED pixel can be provided.

도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(100)를 프레임(200)의 셀 영역(CR)에 접착한 후 공정 영역의 온도를 하강(LT)시키는 과정을 나타내는 평면도[도 16의 (a)] 및 측단면도[도 16의 (b)]이다.16 is a plan view showing the process of lowering the temperature of the process region LT after bonding the mask 100 to the cell region CR of the frame 200 according to an embodiment of the present invention ) And a side sectional view (Fig. 16 (b)).

다음으로, 도 16을 참조하면, 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강(LT)시킨다. "제2 온도"라 함은 제1 온도보다 낮은 온도를 의미할 수 있다. 제1 온도가 약 25℃ 내지 60℃인 것을 고려하면, 제2 온도는 제1 온도보다 낮은 것을 전제로 약 20℃ 내지 30℃일 수 있고, 바람직하게, 제2 온도는 상온일 수 있다. 공정 영역의 온도 하강은, 챔버에 냉각 수단을 설치하거나, 공정 영역 주변에 냉각 수단을 설치하는 방법, 상온으로 자연 냉각하는 방법 등으로 수행할 수 있다.Next, referring to FIG. 16, the temperature of the process region is lowered (LT) to the second temperature. The "second temperature" may mean a temperature lower than the first temperature. Considering that the first temperature is about 25 ° C to 60 ° C, the second temperature may be about 20 ° C to 30 ° C, assuming that the second temperature is lower than the first temperature, and preferably the second temperature may be room temperature. The temperature lowering of the process region can be carried out by providing a cooling means in the chamber, installing a cooling means around the processing region, or naturally cooling to room temperature.

공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되면, 마스크(100)는 소정 길이만큼 열수축 할 수 있다. 마스크(100)는 모든 측면 방향을 따라 등방성으로 열수축 할 수 있다. 다만, 마스크(100)는 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에 용접(W)으로 고정 연결되어 있으므로, 마스크(100)의 열수축은 주변의 마스크 셀 시트부(220)에 자체적으로 장력(TS)을 인가하게 된다. 마스크(100)의 자체적인 장력(TS) 인가에 의해 마스크(100)는 더욱 팽팽하게 프레임(200) 상에 접착될 수 있다.When the temperature of the process region is lowered to the second temperature (LT), the mask 100 can heat-shrink by a predetermined length. The mask 100 may be heat-shrunk isotropically along all lateral directions. Since the mask 100 is fixedly connected to the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) by welding (W), the heat shrinkage of the mask 100 can be suppressed to the peripheral mask cell sheet portion 220 The tension TS is applied by itself. By applying the self-tension TS of the mask 100, the mask 100 can be adhered on the frame 200 more tightly.

또한, 각각의 마스크(100)들이 모두 대응되는 마스크 셀 영역(CR) 상에 접착된 후에 공정 영역의 온도가 제2 온도로 하강(LT)되므로, 모든 마스크(100)들이 동시에 열수축을 일으키게 되어 프레임(200)이 변형되거나 패턴(P)들이 정렬 오차가 커지는 문제가 방지될 수 있다. 더 설명하면, 장력(TS)이 마스크 셀 시트부(220)에 인가된다고 해도, 복수의 마스크(100)들이 상호 반대방향으로 장력(TS)을 인가하기 때문에, 그 힘이 상쇄되어 마스크 셀 시트부(220)에는 변형이 일어나지 않게 된다. 예를 들어, CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)와 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100) 사이의 제1 그리드 시트부(223)는 CR11 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 우측 방향으로 작용하는 장력(TS)과 CR12 셀 영역에 부착된 마스크(100)의 좌측 방향으로 작용하는 장력(TS)이 상쇄될 수 있다. 그리하여, 장력(TS)에 의한 프레임(200)[또는, 마스크 셀 시트부(220)]에는 변형이 최소화되어 마스크(100)[또는, 마스크 패턴(P)]의 정렬 오차가 최소화 될 수 있는 이점이 있다.Further, since the temperature of the process region is lowered to the second temperature (LT) after all the masks 100 are adhered onto the corresponding mask cell region CR, all of the masks 100 simultaneously heat shrink, The problem that the pattern 200 is deformed or that the patterns P have a large alignment error can be prevented. More specifically, even if the tensile force TS is applied to the mask cell sheet portion 220, since the plurality of masks 100 apply the tensile force TS in mutually opposite directions, the force is canceled, So that deformation does not occur on the surface 220. For example, the first grid sheet portion 223 between the mask 100 attached to the CR11 cell region and the mask 100 attached to the CR12 cell region is located on the right side of the mask 100 attached to the CR11 cell region The tensile force TS acting in the left direction and the tensile force TS acting in the leftward direction of the mask 100 attached to the CR12 cell region can be canceled. Thus, the advantage that the deformation is minimized in the frame 200 (or the mask cell sheet portion 220) by the tension TS and the alignment error of the mask 100 (or the mask pattern P) can be minimized .

도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 프레임 일체형 마스크(100, 200)를 이용한 OLED 화소 증착 장치(1000)를 나타내는 개략도이다.17 is a schematic view showing an OLED pixel deposition apparatus 1000 using a frame-integrated mask 100, 200 according to an embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, OLED 화소 증착 장치(1000)는, 마그넷(310)이 수용되고, 냉각수 라인(350)이 배설된 마그넷 플레이트(300)와, 마그넷 플레이트(300)의 하부로부터 유기물 소스(600)를 공급하는 증착 소스 공급부(500)를 포함한다.17, an OLED pixel deposition apparatus 1000 includes a magnet plate 300 in which a magnet 310 is accommodated and a cooling water line 350 is disposed, and an organic material source 600 (Not shown).

마그넷 플레이트(300)와 소스 증착부(500) 사이에는 유기물 소스(600)가 증착되는 유리 등의 대상 기판(900)이 개재될 수 있다. 대상 기판(900)에는 유기물 소스(600)가 화소별로 증착되게 하는 프레임 일체형 마스크(100, 200)[또는, FMM]이 밀착되거나 매우 근접하도록 배치될 수 있다. 마그넷(310)이 자기장을 발생시키고 자기장에 의해 대상 기판(900)에 밀착될 수 있다.A target substrate 900 such as a glass on which the organic material source 600 is deposited may be interposed between the magnet plate 300 and the source evaporator 500. Integrated masks 100, 200 [or FMM] for depositing the organic source 600 on a pixel-by-pixel basis may be closely attached to the target substrate 900 or may be disposed in close proximity to each other. The magnet 310 generates a magnetic field and can be brought into close contact with the target substrate 900 by a magnetic field.

증착 소스 공급부(500)는 좌우 경로를 왕복하며 유기물 소스(600)를 공급할 수 있고, 증착 소스 공급부(500)에서 공급되는 유기물 소스(600)들은 프레임 일체형 마스크(100, 200)에 형성된 패턴(P)을 통과하여 대상 기판(900)의 일측에 증착될 수 있다. 프레임 일체형 마스크(100, 200)의 패턴(P)을 통과한 증착된 유기물 소스(600)는 OLED의 화소(700)로서 작용할 수 있다.The deposition source supply part 500 can supply the organic material source 600 through the left and right paths and the organic material sources 600 supplied from the deposition source supply part 500 can supply the pattern P And may be deposited on one side of the target substrate 900. The deposited organic material source 600 that has passed through the pattern P of the frame-integrated mask 100, 200 can act as the pixel 700 of the OLED.

새도우 이펙트(Shadow Effect)에 의한 화소(700)의 불균일 증착을 방지하기 위해, 마스크 패턴(P)은 경사지게 형성(S)[또는, 테이퍼 형상(S)으로 형성]될 수 있다. 경사진 면을 따라서 대각선 방향으로 패턴을 통과하는 유기물 소스(600)들도 화소(700)의 형성에 기여할 수 있으므로, 화소(700)는 전체적으로 두께가 균일하게 증착될 수 있다. 도 10에서 상술한 바와 같이, 마스크 패턴(P)의 경사진 면은 습식 식각으로 형성하고, 유기물 소스(600)가 최종적으로 통과하는 제2 마스크 패턴(P2)은 제2 절연부(M2') 사이의 폭(R3) 및 얇은 두께에 대해 습식 식각(WE2)으로 형성하므로, 제2 마스크 패턴(P2)의 크기에 맞게 화소(700)의 폭이 정의될 수 있다.The mask pattern P may be formed to be inclined S (or formed into a tapered shape S) in order to prevent non-uniform deposition of the pixel 700 by the shadow effect. Organic materials 600 passing through the pattern in a diagonal direction along the sloped surface can also contribute to the formation of the pixel 700, so that the pixel 700 can be uniformly deposited in thickness as a whole. 10, the inclined surface of the mask pattern P is formed by wet etching, and the second mask pattern P2 through which the organic material source 600 finally passes is the second insulating portion M2 ' The width R3 of the pixel 700 and the width of the pixel 700 can be defined in accordance with the size of the second mask pattern P2.

마스크(100)는 화소 증착 공정 온도보다 높은 제1 온도 상에서 프레임(200)에 접착 고정되므로, 화소 증착을 위한 공정 온도로 상승시킨다고 하더라도, 마스크 패턴(P)의 위치에는 영향이 거의 없게 되며, 마스크(100)와 이에 이웃하는 마스크(100) 사이의 PPA는 3㎛를 초과하지 않도록 유지될 수 있다.Since the mask 100 is adhered and fixed to the frame 200 at a first temperature higher than the pixel deposition process temperature, even if the mask 100 is raised to the process temperature for the pixel deposition, there is almost no influence on the position of the mask pattern P, The PPA between the mask 100 and the mask 100 adjacent thereto may be kept not to exceed 3 mu m.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

50: 전도성 기재
100: 마스크
110: 마스크 막, 도금막
200: 프레임
210: 테두리 프레임부
220: 마스크 셀 시트부
221: 테두리 시트부
223: 제1 그리드 시트부
225: 제2 그리드 시트부
1000: OLED 화소 증착 장치
C: 셀, 마스크 셀
CR: 마스크 셀 영역
ET: 공정 영역의 온도를 제1 온도로 상승
LE: 레이저 식각 또는 건식 식각
LT: 공정 영역의 온도를 제2 온도로 하강
M1: 제1 절연부
M2: 제2 절연부
M2': 노광 후 남은 제2 절연부
R: 테두리 프레임부의 중공 영역
P: 마스크 패턴
P1: 제1 마스크 패턴
P2: 제2 마스크 패턴
W: 용접
WE1, WE2: 습식 식각50: Conductive substrate
100: mask
110: mask film, plated film
200: frame
210:
220: mask cell sheet part
221:
223: first grid sheet portion
225: second grid sheet portion
1000: OLED pixel deposition apparatus
C: cell, mask cell
CR: mask cell area
ET: Raising the temperature of the process zone to the first temperature
LE: laser etching or dry etching
LT: Lowering the temperature of the process region to the second temperature
M1:
M2: second insulating portion
M2 ': the second insulating portion remaining after exposure
R: hollow region of the frame portion
P: mask pattern
P1: first mask pattern
P2: second mask pattern
W: Welding
WE1, WE2: wet etching

Claims

(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a plating film on one surface of the conductive substrate by electroforming using the conductive substrate as a cathode body;
(c) forming a patterned first insulation on one side of the plated film;
(d) forming a first mask pattern by wet etching at a predetermined depth on one surface of the plated film;
(e) filling the second insulation portion in the first mask pattern;
(f) exposing at an upper portion of the first insulating portion, leaving only the second insulating portion located at the vertical lower portion of the first insulating portion; And
(g) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one surface of the plated film
Lt; / RTI >
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
Wherein the sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverted tapered shape as a whole.

(a) forming a patterned first insulation on one side of a plated film;
(b) forming a first mask pattern on the one surface of the plated film by a predetermined depth by wet etching;
(c) filling the second insulation portion in the first mask pattern;
(d) exposing at an upper portion of the first insulating portion, leaving only a second insulating portion located at a vertical lower portion of the first insulating portion; And
(e) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one surface of the plated film
Lt; / RTI >
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
Wherein the sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverted tapered shape as a whole.

(a) providing a conductive substrate;
(b) forming a plating film on one surface of the conductive substrate by electroforming using the conductive substrate as a cathode body;
(c) forming a patterned first insulation on one side of the plated film;
(d) forming a first mask pattern by wet etching at a predetermined depth on one surface of the plated film;
(e) reflowing the first insulating portion to a portion of the first mask pattern by applying heat to the first insulating portion;
(f) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one surface of the plated film
Lt; / RTI >
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
Wherein the sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverted tapered shape as a whole.

(a) forming a patterned first insulation on one side of a plated film;
(b) forming a first mask pattern on the one surface of the plated film by a predetermined depth by wet etching;
(c) reflowing the first insulating portion to a portion of the first mask pattern by applying heat to the first insulating portion;
(f) forming a second mask pattern from the first mask pattern through the other surface of the plated film by wet etching at one surface of the plated film
Lt; / RTI >
The thickness of the first mask pattern is thicker than the thickness of the second mask pattern,
Wherein the sum of the shapes of the first mask pattern and the second mask pattern represents a tapered shape or an inverted tapered shape as a whole.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein a width of the second mask pattern is narrower than that of the first mask pattern.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the width of the second mask pattern is at least less than 35 mu m.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein a value of a predetermined depth of the first mask pattern is smaller than a thickness of the plating film.

delete

The method according to claim 1 or 3,
In step (d)
Wherein the first mask pattern is formed to have a width wider than an interval between the patterns of the first insulation portion.

10. The method of claim 9,
And an undercut is formed on both sides of the lower side of the first insulating portion.

11. The method of claim 10,
and in the step (f), the second insulating portion remains in the space where the undercut is formed.

The method according to claim 1,
In step (f)
Wherein the first insulating portion acts as an exposure mask with respect to the second insulating portion when exposed at an upper portion of the first insulating portion.

delete

The method of claim 3,
In the step (e)
And reflows a portion of the first insulating portion to a portion of the first mask pattern located in the vertical lower portion of the first insulating portion.

15. The method of claim 14,
and in the step (f), wet etching is performed in a space between the first insulating portions reflowed as a portion of the first mask pattern to form a second mask pattern.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the plating film on which the first and second mask patterns are formed is used as FMM (Fine Metal Mask) in OLED pixel deposition.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the plating film is made of any one of invar, super invar, nickel, and nickel-cobalt.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
And the thickness of the plated film is 2 to 50 占 퐉.

The method according to claim 1 or 3,
Wherein the substrate is a doped monocrystalline silicon material.

The method according to claim 1 or 3,
The substrate Invar (Invar), Super Invar (Super Invar), Si, Ti , Cu, Ag, GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP, Ge, Al 2 O 3, graphite (graphite), graphene a graphene structure, a perovskite structure ceramic, and a super heat resistant alloy material.

21. The method of claim 20,
Wherein the substrate is doped with at least 10 ¹⁹ cm ^-3 or more when the substrate is one of GaN, SiC, GaAs, GaP, AlN, InN, InP and Ge materials.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the first insulating portion and the second insulating portion are made of a photoresist material.

3. The method according to claim 1 or 2,
And the second insulating portion is a positive type photoresist material.

The method according to claim 1 or 3,
(b), further comprising the step of forming a plated film and then performing a heat treatment.

25. The method of claim 24,
Wherein the heat treatment is performed at 300 캜 to 800 캜.